TWI683390B - 吸引裝置 - Google Patents
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Abstract
提供一種可將被吸引物更穩定地吸引的吸引裝置。 吸引裝置,是具備:柱狀的本體、及形成於本體的平坦狀的端面、及形成於端面的凹部、及藉由在凹部內將流體吐出形成迴旋流使負壓發生而吸引被吸引物的流體流形成手段、及沿著使朝凹部內被吐出的流體從凹部流出的方向地形成於端面的直線狀的導引溝。
Description
本發明,是有關於利用柏努利效果吸引材料的裝置。
近年來是利用將半導體晶圓和玻璃基板等的板狀構件由非接觸搬運用的裝置。例如,在專利文獻1中記載了,利用柏努利效果將板狀構件由非接觸搬運的裝置。此裝置,是在裝置下面為開口的圓筒室內使迴旋流發生,藉由迴旋流中心部的負壓來吸引板狀構件,另一方面,藉由從該圓筒室流出的流體而在該裝置及板狀構件之間保持一定的距離就可將板狀構件由非接觸搬運。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-51260號公報
[本發明所欲解決的課題]
本發明,是有鑑於上述的技術者,其目的是提供一種將被吸引物更穩定地吸引的吸引裝置。 [用以解決課題的手段]
為了解決上述的課題,本發明的吸引裝置,是具備:柱狀的本體、及形成於前述本體的端面、及形成於前述端面的凹部、及藉由朝前述凹部內將流體吐出地形成迴旋流或是放射流發生負壓而將被吸引物吸引的流體流形成手段、及沿著朝前述凹部內被吐出的流體從前述凹部流出的方向地形成於前述端面的直線狀的導引溝。
前述流體流形成手段,是朝前述凹部內將流體吐出地形成迴旋流的流體通路,前述導引溝,是朝向前述端面所見,沿著對於前述流體通路延伸的方向形成大致45度的角度的方向地形成於前述端面也可以。
前述流體流形成手段,是朝前述凹部內將流體吐出地形成放射流的流體通路,前述導引溝,是朝向前述端面所見,沿著對於前述流體通路延伸的方向大致平行的方向地形成於前述端面也可以。
前述導引溝,其剖面積是隨著遠離前述凹部而擴大地形成也可以。
前述導引溝,其剖面積是隨著遠離前述凹部而縮小地形成也可以。
進一步具備:設於前述端面上,限制藉由前述負壓被吸引的前述被吸引物沿著前述端面移動的移動限制手段也可以。
前述移動限制手段,是角狀的突起物,藉由刺穿前述被吸引物來限制前述被吸引物的移動也可以。
且本發明的別的吸引裝置,是具備:柱狀的本體、及形成於前述本體的端面、及形成於前述端面的凹部、及藉由朝前述凹部內將流體吐出地形成迴旋流或是放射流發生負壓而將被吸引物吸引的流體流形成手段、及沿著朝前述凹部內被吐出的流體從前述凹部流出的方向地形成於前述端面且朝向前述端面所見的話曲率是比前述凹部的開口的圓弧更小的導引溝。
且本發明的別的吸引裝置,是具備:柱狀的本體、及形成於前述本體的一面的凹部、及藉由朝前述凹部內將流體吐出地形成迴旋流或是放射流發生負壓而將被吸引物吸引的流體流形成手段、及將前述凹部包圍地設置來阻礙前述被吸引物侵入前述凹部內的環狀壁、及沿著使朝前述凹部內被吐出的流體從前述凹部流出的方向地形成於前述環狀壁的內壁面的直線狀的導引溝。
且本發明的別的吸引裝置,是具備:柱狀的本體、及形成於前述本體的一面的凹部、及藉由朝前述凹部內將流體吐出地形成迴旋流或是放射流發生負壓而將被吸引物吸引的流體流形成手段、及將前述凹部包圍地設置來阻礙前述被吸引物侵入前述凹部內的環狀壁、及沿著朝前述凹部內被吐出的流體從前述凹部流出的方向地形成於前述環狀壁的內壁面且朝向前述凹部的開口所見的話曲率是比前述凹部的開口的圓弧更小的導引溝。 [發明的效果]
依據本發明的吸引裝置的話,與不具備導引溝的情況相比較,可以將被吸引物更穩定地吸引。
以下,對於本發明的實施例一邊參照圖面一邊說明。 1.第1實施例 第1圖,是第1實施例的迴旋流形成體1(本發明的「吸引裝置」的一例)的一例的立體圖。第2圖,是迴旋流形成體1的一例的底面圖。第3圖,是第2圖的A-A線剖面圖。第4圖,是第3圖的B-B線剖面圖。這些的圖所示的迴旋流形成體1,是形成迴旋流且藉由柏努利效果吸引被吸引物的裝置。被吸引物,是例如,可樂餅和炸牡蠣等的食品。此吸引裝置10,是例如,被安裝於機械手臂的先端被使用。
迴旋流形成體1,是具備:本體11、及端面12、及凹部13、及2個噴出口14、及傾斜面15、及8條導引溝16。本體11,是由鋁合金等的材料所構成,具有圓柱形狀。端面12,是在本體11的一面(具體而言,面向被吸引物的面)(以下,稱為「底面」)形成平坦狀。凹部13,是形成於端面12的圓柱形狀的有底孔。此凹部13,是與本體11同軸地形成。2個噴出口14,是形成於面向於凹部13的本體11的內周側面111。這些的噴出口14,是被配置於比內周側面111的軸方向中央更底側。且,這些的噴出口14,是彼此相面對地配置。具體而言,以本體11或是凹部13的中心軸的軸心為中心被配置成點對稱。被供給至迴旋流形成體1的流體,是透過各噴出口14朝凹部13內被吐出。在此的流體,是例如,壓縮空氣等的氣體、和純水和碳酸水等的液體。傾斜面15,是形成於本體11的開口端。
8條導引溝16,是從端面12的內周緣橫跨外周緣,沿著朝凹部13內被吐出的流體從凹部13流出的方向(具體而言,藉由從1個噴出口14被吐出,從凹部13流出的流體分子的向量的合成來表示的方向)地形成直線狀。更具體而言,這些的導引溝16,是朝向端面12所見,沿著對於通過該導引溝16及凹部13的開口之間的接點的接線(切線)形成大致36度的角度的方向地形成。例如,在第5圖所示的底面的例中,導引溝16A,是沿著對於通過該導引溝及凹部13的開口之間的接點P1的接線(切線)L1形成36度的角度的方向地形成。且,這些的導引溝16之中,2條導引溝16,是朝向端面12所見,沿著對於後述的供給路20延伸的方向形成大致45度的角度的方向地形成。且,剩下的6條導引溝16,是使相鄰接的導引溝16延伸的方向形成大致45度的角度地形成。例如,在第5圖所示的底面的例中,導引溝16B,是沿著對於供給路20A延伸的方向(箭頭A1)形成45度的角度的方向(箭頭A2)地形成。且,導引溝16C,是沿著對於供給路20B延伸的方向(箭頭A3)形成45度的角度的方向(箭頭A4)地形成。各導引溝16的剖面形狀是半圓形。
如以上說明地構成的導引溝16,是將從凹部13的開口流出的主要的流體整流且朝遠離凹部13的方向導引。藉由導引溝16被導引的流體,與沿著端面12流動的流體相比較,可迴避與被吸引物的衝突。
且迴旋流形成體1,是具備:供給口17、及環狀通路18、及連通路19、及2條供給路20(本發明的「流體流形成手段」的一例)。供給口17,是具有圓形狀,形成於本體11的上面(即底面的相反側的面)的中央。此供給口17,是例如透過管,與無圖示流體供給泵連接,透過供給口17朝本體11內使流體被供給。環狀通路18,是具有圓筒形狀,以將凹部13包圍的方式形成於本體11的內部。此環狀通路18,是與凹部13同軸地形成。環狀通路18,是從連通路19被供給的流體供給至供給路20。連通路19,是以朝本體11的底面或是上面的半徑方向呈直線狀延伸的方式形成於本體11內部。此連通路19,是在其兩端部與環狀通路18連通。連通路19,是將透過供給口17被供給至本體11內的流體供給至環狀通路18。2條供給路20,是對於端面12大致平行,且對於凹部13的外周朝切線方向延伸地形成。這些的供給路20,是彼此平行地延伸。各供給路20,其一端是與環狀通路18連通,另一端是與噴出口14連通。各供給路20,是在凹部13內形成流體的迴旋流。
接著,說明以上說明的迴旋流形成體1的吸引動作。對於迴旋流形成體1的供給口17從流體供給泵使流體被供給的話,其流體,是通過連通路19、環狀通路18及供給路20從噴出口14朝凹部13內被吐出。朝凹部13被吐出的流體,是在凹部13內成為迴旋流被整流,其後,從凹部13的開口流出。此時,在與凹部13的開口相面對的位置若被吸引物存在的情況,朝凹部13的外部流體的流入被限制,藉由迴旋流的離心力及挾帶效果,迴旋流中心部的每單位體積的流體分子的密度會變小,在凹部13內發生負壓。其結果,迴旋流形成體1的周圍的流體,開始朝凹部13內流入,使被吸引物藉由周圍的流體被推壓而朝迴旋流形成體1側靠近。另一方面,從凹部13的開口流出的主要流體,是藉由導引溝16被整流,朝迴旋流形成體1外被排出。
依據以上說明的迴旋流形成體1的話,從凹部13流出的主要流體因為是藉由導引溝16被整流地被排出,所以流出流體與被吸引物衝突而將被吸引物拍動並旋轉的現象被抑制。且,起因於流出流體及被吸引物的衝突的噪音被減輕。且,與藉由在迴旋流形成體及阻礙板之間將隔件插入來將流出流體的流路確保的習知的吸引裝置(例如日本特開2016-159405號公報)相比較,零件點數被削減,成為可更便宜地製造。且,與藉由阻礙板使流路被遮蔽的習知的吸引裝置相比較,流路的清掃是成為容易。
且依據上述的迴旋流形成體1的話,被吸引的流體是全部朝迴旋流形成體1外被排出,因為不會侵入凹部13和噴出口14,所以可防止流體的供給路藉由被吸引物被污染。
2.第2實施例 第2實施例的迴旋流形成體2(本發明的「吸引裝置」的一例),是可取代端面12及傾斜面15而具備環狀壁21,在此環狀壁21形成有8條導引溝22的點中是與第1實施例的迴旋流形成體1相異。以下,說明這些的相異點。
第6圖,是本實施例的迴旋流形成體2的一例的立體圖。第7圖,是迴旋流形成體2的一例的底面圖。這些的圖所示的環狀壁21,是具有梯形的剖面形狀,一端面的外徑是成為與本體11的徑相等,且內徑是與凹部13的徑成為相等地形成。且,另一端面的外徑是比一端面的外徑更小,且內徑是成為比一端面的內徑更大地形成。換言之,環狀壁21,是從一端橫跨另一端使厚度連續地變小地形成。或是從一端橫跨另一端使開口面積連續地變小地形成。如此形成的環狀壁21,是以將凹部13包圍的方式,使其一端面同軸地被固定於本體11。
如以上說明地構成的環狀壁21,是藉由與藉由在凹部13內發生的負壓而被吸引的被吸引物接觸,來阻礙朝該被吸引物的凹部13的進入。且,環狀壁21,是限制其一部分朝環狀壁21的開口陷入的被吸引物朝徑方向移動。
8條導引溝22,是從環狀壁21的一端橫跨另一端,沿著使朝凹部13內被吐出的流體從凹部13流出的方向(具體而言,從1個噴出口14被吐出,藉由從凹部13流出的流體分子的向量的合成來表示的方向)地形成直線狀。更具體而言,這些的導引溝22,是朝向環狀壁21的另一端面所見,沿著對於通過其導引溝22及凹部13的開口之間的接點的接線(切線)形成大致20度的角度的方向地形成。例如,在第8圖所示的底面的例中,導引溝22A,是沿著對於通過該導引溝及凹部13的開口之間的接點P2的接線(切線)L2形成20度的角度的方向地形成。且,這些的導引溝22之中,2條導引溝22,是朝向環狀壁21的另一端面所見,沿著對於供給路20延伸的方向形成大致45度的角度的方向地形成。且,剩下的6條導引溝22,是使相鄰接的導引溝22延伸的方向形成大致45度的角度地形成。例如,在第8圖所示的底面的例中,導引溝22B,是沿著對於供給路20A延伸的方向(箭頭A1)形成45度的角度的方向(箭頭A4)地形成。且,導引溝22C,是沿著對於供給路20B延伸的方向(箭頭A3)形成45度的角度的方向(箭頭A5)地形成。各導引溝22的剖面形狀是半圓形。
如以上說明地構成的導引溝22,是將凹部13的開口流出的主要的流體整流且朝遠離凹部13的方向導引。藉由導引溝22被導引的流體,與沿著環狀壁21的內壁面流動的流體相比較,與被吸引物的衝突被迴避。
在以上說明的迴旋流形成體2中,在其吸引動作時中,從凹部13的開口流出的主要流體是藉由導引溝22被整流,朝迴旋流形成體2外被排出。因此,此迴旋流形成體2,也可獲得與第1實施例的迴旋流形成體1同樣的效果。
3.第3實施例 第3實施例的放射流形成體3(本發明的「吸引裝置」的一例),是在形成迴旋流且藉由柏努利效果吸引被吸引物的點中是與第1實施例的迴旋流形成體1相異。以下,說明這些裝置的相異點。
第9圖,是放射流形成體3的一例的立體圖。第10圖,是放射流形成體3的一例的底面圖。第11圖,是第10圖的C-C線剖面圖。這些的圖所示的放射流形成體3,是具備:本體31、及環狀凹部32、及端面33、及相對面34、及傾斜面35、及8條導引溝36。本體31,是由鋁合金等的材料所構成,具有圓柱形狀。端面33,是在本體31的一面(具體而言,面向被吸引物的面)(以下,稱為「底面」)形成平坦狀。環狀凹部32,是與本體31的外周同心圓狀地形成於端面33。相對面34,是在本體31的底面形成平坦狀。此時,相對面34,是在本體31的底面中,對於端面33凹陷地形成。此相對面34,是將周圍包圍環狀凹部32,與被吸引物相面對。傾斜面35,是形成於環狀凹部32的開口端。
8條導引溝36,是從端面33的內周緣橫跨外周緣,沿著使朝環狀凹部32內被吐出的流體從環狀凹部32流出的方向(具體而言,從後述的1個噴嘴孔37被吐出,藉由從環狀凹部32流出的流體分子的向量的合成來表示的方向)地形成直線狀。更具體而言,這些的導引溝36,是朝向端面33所見,沿著對於通過其導引溝36及環狀凹部32的開口之間的接點的接線(切線)形成大致90度的角度的方向地形成。例如,在第12圖所示的底面的例中,導引溝36A,是沿著對於通過該導引溝及環狀凹部32的開口之間的接點P3的接線(切線)L3形成90度的角度的方向地形成。且,這些的導引溝36,是朝向端面33所見,沿著對於後述的噴嘴孔37延伸的方向大致平行的方向(更具體而言,在一直線上)地形成。例如,在第12圖所示的底面的例中,導引溝36B,是沿著噴嘴孔37A延伸的方向(箭頭A6)地形成。
如以上說明地構成的導引溝36,是將從環狀凹部32的開口流出的主要流體整流且朝遠離環狀凹部32的方向導引。藉由導引溝36被導引的流體,與沿著端面33流動的流體相比較,與被吸引物的衝突被迴避。
且放射流形成體3,是進一步具備:8條噴嘴孔37(本發明的「流體流形成手段」的一例)、及導入口38、及導入路39、及環狀通路40、及連通路41。導入口38,是具有圓形狀,設於本體31的上面(即與底面相反的面)的中央。此導入口38,是例如透過管,與無圖示的流體供給泵連接。導入路39,是以沿著本體31的中心軸呈直線狀延伸的方式設於本體31的內部。此導入路39,其一端是與導入口38連通,另一端是與連通路41連通。導入路39,是將透過導入口38被供給至本體31內的流體供給至連通路41。
連通路41,是以朝環狀通路40的半徑方向呈直線地延伸的方式設於本體31的內部。此連通路41,是在其軸方向中央部與導入路39連通,在其兩端部與環狀通路40連通。連通路41,是將從導入路39被供給的流體供給至環狀通路40。環狀通路40,是具有圓筒形狀,設於本體31的內部。此環狀通路40,是與本體31同軸地形成。環狀通路40,是將從連通路41被供給的流體供給至噴嘴孔37。
8條噴嘴孔37,是分別,對於端面33或是相對面34大致平行,且在本體31的底面或是上面的半徑方向直線地延伸地形成,其一端是與環狀通路40連通,另一端是與環狀凹部32連通。這些的噴嘴孔37,是以相鄰接的噴嘴孔37彼此形成大致45度的角度的方式被配置於同一平面上。各噴嘴孔37,是在環狀凹部32內將流體吐出地形成放射流。
接著,說明以上說明的放射流形成體3的吸引動作。對於放射流形成體3的導入口38若流體被供給的話,該流體,是通過導入路39、連通路41及環狀通路40從噴嘴孔37朝環狀凹部32內被吐出。朝環狀凹部32被吐出的流體,是從環狀凹部32的開口作為放射流流出。此時,在與環狀凹部32的開口相面對的位置若被吸引物存在的情況,外部流體朝放射流形成體3及被吸引物之間的空間的流入被限制,藉由放射流的挾帶效果,該空間的每單位體積的流體分子的密度會變小,負壓會發生。其結果,被吸引物是藉由周圍的流體被推壓而朝放射流形成體3側靠近。另一方面,從環狀凹部32的開口流出的主要流體,是藉由導引溝36被整流,朝放射流形成體3外被排出。
依據以上說明的放射流形成體3的話,從環狀凹部32流出的主要流體因為是藉由導引溝36被整流地被排出,所以流出流體與被吸引物衝突而將被吸引物拍動並旋轉的現象被抑制。且,起因於流出流體及被吸引物的衝突的噪音被減輕。且,與上述的習知的吸引裝置相比較,零件點數被削減,成為可更便宜地製造。且,與藉由阻礙板使流路被遮蔽的習知的吸引裝置相比較,流路的清掃是成為容易。
且依據上述的放射流形成體3的話,被吸引的流體是全部朝放射流形成體3外被排出,因為不會侵入環狀凹部32和噴嘴孔37,所以可防止流體的供給路藉由被吸引物被污染。
4.第4實施例 第4實施例的放射流形成體4(本發明的「吸引裝置」的一例),是可取代端面33而具備環狀壁42,在此環狀壁42形成有8條導引溝43的點中是與第3實施例的放射流形成體3相異。以下,說明這些的相異點。
第13圖,是本實施例的放射流形成體4的一例的立體圖。第14圖,是放射流形成體4的一例的底面圖。這些的圖所示的環狀壁42,是具有梯形的剖面形狀,一端面的外徑是成為與本體31的徑相等,且內徑是與環狀凹部32的外徑成為相等地形成。且,另一端面的外徑是比一端面的外徑更小,且內徑是成為比一端面的內徑更大地形成。換言之,環狀壁42,是從一端橫跨另一端使厚度連續地變小地形成。或是從一端橫跨另一端使開口面積連續地變小地形成。如此形成的環狀壁42,是以將環狀凹部32包圍的方式,使其一端面同軸地被固定於本體31。
如以上說明地構成的環狀壁42,是藉由與藉由本體31發生的負壓而被吸引的被吸引物接觸,來阻礙該被吸引物進入環狀凹部32。且,環狀壁42,是限制一部分朝環狀壁42的開口陷入的被吸引物朝徑方向移動。
8條導引溝43,是從環狀壁42的一端橫跨另一端,沿著使朝環狀凹部32內被吐出的流體從環狀凹部32流出的方向(具體而言,從1個噴嘴孔37被吐出,藉由從環狀凹部32流出的流體分子的向量的合成來表示的方向)地形成直線狀。更具體而言,這些的導引溝43,是朝向環狀壁42的另一端面所見,沿著對於通過其導引溝43及環狀凹部32的開口之間的接點的接線(切線)形成大致90度的角度的方向地形成。例如,在第15圖所示的底面的例中,導引溝43A,是沿著對於通過該導引溝及環狀凹部32的開口之間的接點P4的接線(切線)L4形成90度的角度的方向地形成。且,這些的導引溝43,是朝向環狀壁42的另一端面所見,沿著對於噴嘴孔37延伸的方向大致平行的方向(更具體而言,在一直線上)地形成。例如,在第15圖所示的底面的例中,導引溝43B,是沿著噴嘴孔37A延伸的方向(箭頭A6)地形成。
如以上說明地構成的導引溝43,是將從環狀凹部32的開口流出的主要流體整流且朝遠離環狀凹部32的方向導引。藉由導引溝43被導引的流體,與沿著導引溝43的內壁面流動的流體相比較,與被吸引物的衝突被迴避。
在以上說明的放射流形成體4中,在其吸引動作時,從環狀凹部32的開口流出的主要流體是藉由導引溝43被整流,而朝放射流形成體4外被排出。因此,此放射流形成體4,也可獲得與第3實施例的放射流形成體3同樣的效果。
5.變形例 上述的各實施例,是如以下地變形也可以。又,以下的變形例是彼此組合也可以。
5-1.變形例1 第1實施例的迴旋流形成體1的本體11及凹部13的形狀,不限定於圓柱,例如角柱和橢圓柱也可以。且,在面向於凹部13的本體11的內周側面111中,形成有朝向開口擴徑的錐面也可以。且,在凹部13內,在其外周側面及本體11的內周側面111之間形成有成為流體流路的凸部也可以(例如日本特開2016-159405號公報的第13圖參照)。且,設於迴旋流形成體1的噴出口14及供給路20的數量,不限定於2條,1條或3條以上也可以。且,噴出口14的配置,不限定於比內周側面111的軸方向中央更底側,軸方向中央和端面12側也可以。且,傾斜面15的形成被省略也可以。且,供給口17的形狀,不限定於圓形,例如矩形和橢圓也可以。且,供給口17,不是本體11的上面而是形成於側面也可以。且,2條供給路20,是不一定必要彼此平行地延伸也可以。
在第1實施例的迴旋流形成體1中,可取代形成於本體11內的流體通路群,而採用形成迴旋流且藉由柏努利效果吸引被吸引物的電動風扇(例如日本特開2011-138948號公報參照)也可以。此電動風扇,是本發明的「流體流形成手段」的一例。
第3實施例的放射流形成體3的本體31的形狀,不限定於圓柱,例如角柱和橢圓柱也可以。且,設於放射流形成體3的噴嘴孔37的數量,不限定於8條,7條以下或9條以上也可以。且,導入口38的形狀,不限定於圓形,例如矩形和橢圓也可以。且,導入口38,不是本體31上面而是形成於側面也可以。
第2實施例的環狀壁21及上述的第4實施例的環狀壁42的剖面形狀,不限定於梯形,半圓形和三角形也可以。且,環狀壁21是與本體11,且環狀壁42是與本體31一體地成形也可以。
5-2.變形例2 第16~21圖,是顯示第1實施例的導引溝16的變形例的圖。第16及17圖所示的導引溝51,在其剖面形狀是矩形的點中是與導引溝16相異。又,矩形以外,V字和半橢圓也可以。第18及19圖所示的導引溝52,在其剖面形狀是矩形,且其剖面積是隨著遠離凹部13而擴大地形成的點中是與導引溝16相異。又,導引溝52,其徑雖是隨著遠離凹部13而擴大,但是除了徑以外或是取而代之將其深度擴大也可以。第20及21圖所示的導引溝53,在其剖面形狀是矩形,且其剖面積是隨著遠離凹部13而縮小地形成的點中是與導引溝16相異。又,導引溝53,其徑雖是隨著遠離凹部13而縮小,但是除了徑以外或是取而代之將其深度縮小也可以。
又,對於上述的導引溝16的各變形,是適用在第2實施例的導引溝22也可以。
第22~27圖,是顯示第3實施例的導引溝36的變形例的圖。第22及23圖所示的導引溝61,在其剖面形狀是矩形的點中是與導引溝36相異。又,矩形以外,V字和半橢圓也可以。第24及25圖所示的導引溝62,在其剖面形狀是矩形,且其剖面積是隨著遠離環狀凹部32而擴大地形成的點中是與導引溝36相異。又,導引溝62,其徑雖是隨著遠離環狀凹部32而擴大,但是除了徑以外或是取而代之將其深度擴大也可以。第26及27圖所示的導引溝63,在其剖面形狀是矩形,且其剖面積是隨著遠離環狀凹部32而縮小地形成的點中是與導引溝36相異。又,導引溝63,其徑雖是隨著遠離環狀凹部32而縮小,但是除了徑以外或是取而代之將其深度縮小也可以。
又,對於上述的導引溝36的各變形,是適用在第4實施例的導引溝43也可以。
上述的各實施例的導引溝的條數,不限定於8條,7條以下或9條以上也可以。且,各導引溝的寬度及深度,是比圖示的例更大也可以。例如,將第1實施例的端面12,如第28圖例示,由側面視為波形狀的面也可以。且,導引溝的配置方法不限於上述的例。導引溝的最適合的條數、尺寸及配置,是對應從凹部流出的流體的流量而決定。
且上述的各實施例的導引溝,不一定必要限定於直線狀,多少彎曲也可以。具體而言,朝向本體的端面或是凹部所見,曲率是比凹部的開口或是本體的外周的圓弧更小的導引溝也可以。例如,凹部的開口或是本體的外周的圓弧的一半的曲率的導引溝也可以。假設本體是具有角柱形狀的情況時,朝向本體的端面或是凹部所見,曲率是比通過本體的外側的頂點的外接圓的圓弧更小的導引溝也可以。
5-3.變形例3 在第1實施例的迴旋流形成體1的端面12,安裝供防止被吸引物的橫偏離用的突起71(本發明的「移動限制手段」的一例)也可以。第29圖,是安裝有4條角狀的突起71的迴旋流形成體1A(本發明的「吸引裝置」的一例)的一例的立體圖。第30圖,是迴旋流形成體1A的一例的底面圖。這些的圖所示的4條突起71,是具有先端尖的圓柱形狀,從端面12大致垂直延伸地安裝。各突起71的配置,是將藉由負壓被吸引的被吸引物的周圍圍起來。在圖示的例中,等間隔地被配置在端面12的徑方向中央。如此構成的突起71,是在高速搬運時,限制藉由負壓而被吸引的被吸引物沿著端面12移動。
又,突起71的形狀,是先端尖的角柱和圓錐和角錐也可以。且,突起71的條數,是3條以下或5條以上也可以。且,突起71的位置,是端面12的徑方向外緣或是內緣也可以。且,突起71的配置,是刺穿藉由負壓被吸引的被吸引物也可以。
突起71,是安裝在第3實施例的放射流形成體3的端面33也可以。
5-4.變形例4 第31圖,是變形例3的迴旋流形成體1A的變形例也就是迴旋流形成體1B的一例的側面圖。同圖所示的迴旋流形成體1B,在不具有8條導引溝16,且突起71是透過隔件81被安裝於端面12的點中是與迴旋流形成體1A相異。此迴旋流形成體1B所具備的4條隔件81,是具有比突起71更大徑的圓柱形狀,被安裝成與突起71同軸。又,變形例中,隔件81是角柱形狀也可以。這些的隔件81,是迴旋流形成體1B吸引被吸引物時,與被突起71刺穿的被吸引物(例如炸牡蠣)的表面接觸,藉由妨害該被吸引物與端面12接觸,而在該被吸引物及端面12之間保持間隙。從凹部13的開口流出的主要流體是藉由流動於此被保持的間隙,使流出流體及被吸引物的衝突被減輕。因此,藉由此迴旋流形成體1B,也可獲得與第1實施例的迴旋流形成體1同樣的效果。
5-5.變形例5 在第1實施例的迴旋流形成體1的端面12,安裝將被吸引物保持用的筒體91也可以。第32圖,是安裝有筒體91的迴旋流形成體1C(本發明的「吸引裝置」的一例)的一例的側面圖。同圖所示的筒體91,是由橡膠等的彈性材料所構成的蛇腹狀的圓筒體,將藉由迴旋流形成體1C被吸引的被吸引物保持用的構件。此筒體91,其一端是被固定於端面12,透過藉由迴旋流形成體1C所發生的負壓被吸引的流體,來阻礙被吸引物進入凹部13內。換言之,與凹部13同軸地被固定。此筒體91的頸部的內徑,是比凹部13的內徑及被吸引物的最大徑更小,其另一端,是朝向被吸引物擴徑。此筒體91的高度,是對應從流體供給泵對於迴旋流形成體1C被供給的流體的流量、和被吸引物的種類被設定。又,筒體91的形狀,不限定於圓筒,角筒和橢圓筒等也可以。
依據以上說明的迴旋流形成體1C的話,吸引被吸引物時藉由筒體91限定周圍的流體的流入,就可以吸引存在於遠離負壓發生領域的位置的被吸引物。且,筒體91因為是具有可伸縮的蛇腹形狀,所以迴旋流形成體1C吸引被吸引物時偏芯即使發生,筒體91是藉由配合被吸引物的形狀變形,就可以將被吸引物穩定地吸引保持。且,因為筒體91是蛇腹狀,所以可以抑制被吸引物與筒體91接觸而發生的被吸引物的損傷。且,因為筒體91是蛇腹狀,所以迴旋流形成體1C及被吸引物之間的上下方向的游隙的確保是成為容易。換言之,即使被吸引物的高度各別參差不一,筒體91的伸縮性仍可吸收該參差不一。
又,將上述的筒體91的頸部的內徑,作成迴旋流形成體1C的凹部13的內徑的1/2以下,吸引更小的被吸引物也可以。且,筒體91,在將被吸引物保持的側的端部形成複數缺口也可以。缺口的形狀,可以是鋸齒狀和半圓和半長圓和矩形等。且,將複數的頸部比筒體91更小徑的筒體安裝在端面12,一次吸引複數被吸引物也可以。且,筒體91的形狀,不具有蛇腹形狀也可以。且,將筒體91,從被固定於端面12的側的端部,橫跨將被吸引物保持的側的端部逐漸縮徑也可以。
筒體91,是安裝在第3實施例的放射流形成體3的端面33也可以。
5-6.變形例6 上述的各實施例的迴旋流形成體或是放射流形成體,不限定於食品,為了將半導體晶圓和玻璃基板等的板狀或是薄片狀的構件吸引保持、搬運而被使用也可以。此時,依據被吸引物的尺寸,在板狀的框架將複數迴旋流形成體或是放射流形成體安裝地使用也可以(例如日本特開2016-159405號公報的第10及11圖參照)。
1、1A、1B、1C‧‧‧迴旋流形成體2‧‧‧迴旋流形成體3‧‧‧放射流形成體4‧‧‧放射流形成體10‧‧‧吸引裝置11‧‧‧本體12‧‧‧端面13‧‧‧凹部14‧‧‧噴出口15‧‧‧傾斜面16‧‧‧導引溝16A‧‧‧導引溝16B‧‧‧導引溝16C‧‧‧導引溝17‧‧‧供給口18‧‧‧環狀通路19‧‧‧連通路20‧‧‧供給路20A‧‧‧供給路20B‧‧‧供給路21‧‧‧環狀壁22‧‧‧導引溝22A‧‧‧導引溝22B‧‧‧導引溝22C‧‧‧導引溝31‧‧‧本體32‧‧‧環狀凹部33‧‧‧端面34‧‧‧相對面35‧‧‧傾斜面36‧‧‧導引溝36A‧‧‧導引溝36B‧‧‧導引溝37‧‧‧噴嘴孔37A‧‧‧噴嘴孔38‧‧‧導入口39‧‧‧導入路40‧‧‧環狀通路41‧‧‧連通路42‧‧‧環狀壁43‧‧‧導引溝43A‧‧‧導引溝43B‧‧‧導引溝51‧‧‧導引溝52‧‧‧導引溝53‧‧‧導引溝62‧‧‧導引溝63‧‧‧導引溝71‧‧‧突起81‧‧‧隔件91‧‧‧筒體111‧‧‧內周側面
[第1圖]迴旋流形成體1的一例的立體圖。 [第2圖]迴旋流形成體1的一例的底面圖。 [第3圖]第2圖的A-A線剖面圖。 [第4圖]第3圖的B-B線剖面圖。 [第5圖]顯示導引溝16的配置例的圖。 [第6圖]迴旋流形成體2的一例的立體圖。 [第7圖]迴旋流形成體2的一例的底面圖。 [第8圖]顯示導引溝22的配置例的圖。 [第9圖]放射流形成體3的一例的立體圖。 [第10圖]放射流形成體3的一例的底面圖。 [第11圖]第10圖的C-C線剖面圖。 [第12圖]顯示導引溝36的配置例的圖。 [第13圖]放射流形成體4的一例的立體圖。 [第14圖]放射流形成體4的一例的底面圖。 [第15圖]顯示導引溝43的配置例的圖。 [第16圖]顯示導引溝16的變形例的立體圖。 [第17圖]顯示導引溝16的變形例的底面圖。 [第18圖]顯示導引溝16的變形例的立體圖。 [第19圖]顯示導引溝16的變形例的底面圖。 [第20圖]顯示導引溝16的變形例的立體圖。 [第21圖]顯示導引溝16的變形例的底面圖。 [第22圖]顯示導引溝36的變形例的立體圖。 [第23圖]顯示導引溝36的變形例的底面圖。 [第24圖]顯示導引溝36的變形例的立體圖。 [第25圖]顯示導引溝36的變形例的底面圖。 [第26圖]顯示導引溝36的變形例的立體圖。 [第27圖]顯示導引溝36的變形例的底面圖。 [第28圖]顯示導引溝的變形例的側面圖。 [第29圖]迴旋流形成體1A的一例的立體圖。 [第30圖]迴旋流形成體1A的一例的底面圖。 [第31圖]迴旋流形成體1B的一例的側面圖。 [第32圖]迴旋流形成體1C的一例的側面圖。
1‧‧‧迴旋流形成體
11‧‧‧本體
12‧‧‧端面
13‧‧‧凹部
14‧‧‧噴出口
15‧‧‧傾斜面
16‧‧‧導引溝
Claims (9)
- 一種吸引裝置,具備:柱狀的本體、及形成於前述本體的端面、及形成於前述端面的凹部、及藉由朝前述凹部內將流體吐出地形成迴旋流或是放射流發生負壓而將被吸引物吸引的流體流形成手段、及沿著使朝前述凹部內被吐出的流體從前述凹部流出的方向地形成於前述端面的直線狀的導引溝。
- 如申請專利範圍第1項的吸引裝置,其中,前述流體流形成手段,是朝前述凹部內將流體吐出地形成迴旋流的流體通路,前述導引溝,是朝向前述端面所見,沿著對於前述流體通路延伸的方向形成大致45度的角度的方向地形成於前述端面。
- 如申請專利範圍第1或2項的吸引裝置,其中,前述流體流形成手段,是朝前述凹部內將流體吐出地形成放射流的流體通路,前述導引溝,是朝向前述端面所見,沿著對於前述流體通路延伸的方向大致平行的方向地形成於前述端面。
- 如申請專利範圍第1或2項的吸引裝置,其中,前述導引溝,其剖面積是隨著遠離前述凹部而擴大地形成。
- 如申請專利範圍第1或2項的吸引裝置,其中,前述導引溝,其剖面積是隨著遠離前述凹部而縮小地形成。
- 如申請專利範圍第1或2項的吸引裝置,其中,進一步具備:設於前述端面上,限制藉由前述負壓被吸引的前述被吸引物沿著前述端面移動的移動限制手段。
- 如申請專利範圍第6項的吸引裝置,其中,前述移動限制手段,是角狀的突起物,藉由刺穿前述被吸引物來限制前述被吸引物的移動。
- 一種吸引裝置,具備:柱狀的本體、及形成於前述本體的一面的凹部、及藉由朝前述凹部內將流體吐出地形成迴旋流發生負壓而將被吸引物吸引的流體流形成手段、及將前述凹部包圍地設置來阻礙前述被吸引物侵入前述凹部內的環狀壁、及沿著使朝前述凹部內被吐出的流體從前述凹部流出的 方向地形成於前述環狀壁的內壁面的直線狀的導引溝。
- 一種吸引裝置,具備:柱狀的本體、及形成於前述本體的一面的凹部、及藉由朝前述凹部內將流體吐出地形成迴旋流或是放射流發生負壓而將被吸引物吸引的流體流形成手段、及將前述凹部包圍地設置來阻礙前述被吸引物侵入前述凹部內的環狀壁、及沿著使朝前述凹部內被吐出的流體從前述凹部流出的方向地形成於前述環狀壁的內壁面且朝向前述凹部的開口所見的話曲率比前述凹部的開口的圓弧更小的導引溝。
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