TWI656697B - 天線結構及具有該天線結構之無線通訊裝置 - Google Patents

Abstract

一種天線結構，包括殼體、饋入部、接地部、第一輻射體及第二輻射體，所述殼體上設置有第一輻射部及第二輻射部，所述第一輻射體與所述第二輻射體間隔設置於所述殼體內，當電流自饋入部饋入後，電流流過第一輻射部，並藉由所述接地部接地，以激發第一工作模態，同時所述電流藉由所述第一輻射部耦合至所述第一輻射體，進而激發第二工作模態，當電流自所述第二輻射體饋入後，所述第二輻射體激發第三工作模態，同時所述電流還藉由所述第二輻射體耦合至所述第二輻射部，進而使得所述第二輻射部激發第四工作模態。

Description

天線結構及具有該天線結構之無線通訊裝置

本發明涉及一種天線結構及具有該天線結構之無線通訊裝置。

隨著無線通訊技術之進步，行動電話、個人數位助理等電子裝置不斷朝向功能多樣化、輕薄化、以及資料傳輸更快、更有效率等趨勢發展。然而其相對可容納天線之空間亦就越來越小，且隨著長期演進(Long Term Evolution，LTE)技術之不斷發展，天線之頻寬不斷增加。因此，如何於有限之空間內設計出具有較寬頻寬之天線，是天線設計面臨之一項重要課題。

有鑑於此，有必要提供一種天線結構及具有該天線結構之無線通訊裝置。

一種天線結構，包括殼體、饋入部、接地部、第一輻射體及第二輻射體，所述殼體上設置有第一輻射部及與所述第一輻射部間隔設置之第二輻射部，所述饋入部與所述第一輻射部電連接，用以為所述第一輻射部饋入電流訊號，所述接地部與所述第一輻射部電連接，用以為所述第一輻射部提供接地，所述第一輻射體及所述第二輻射體間隔設置於所述殼體內，當電流自所述饋入部饋入後，所述電流流過所述第一輻射部，並藉由所述接地部接地，進而激發第一工作模態以產生第一輻射頻段之輻射訊號，當電流自所述饋入部饋入後，所述電流還藉由所述第一輻射部耦合至所述第一輻射體，進而使得所述第一輻射體激發第二工作模態以產生第二輻射頻段之輻射訊號，當電流自所述第二輻射體饋入後，所述第二輻射體激發第三工作模態以產生第三輻射頻段之輻射訊號，當電流自所述第二輻射體饋入後，所述電流還藉由所述第二輻射體耦合至所述第二輻射部，進而使得所述第二輻射部激發第四工作模態以產生第四輻射頻段之輻射訊號。

一種無線通訊裝置，包括上述所述之天線結構。

上述天線結構及具有該天線結構之無線通訊裝置藉由於殼體上設置第一輻射部及第二輻射部，且於所述殼體內設置相應之第一輻射體及第二輻射體，如此可有效實現寬頻設計。

下面將結合本發明實施例中之附圖，對本發明實施例中之技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述之實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部之實施例。基於本發明中之實施例，所屬領域具有通常知識者於沒有做出創造性勞動前提下所獲得之所有其他實施例，均屬於本發明保護之範圍。

需要說明的是，當一個元件被稱為“電連接”另一個元件，它可直接於另一個元件上或者亦可存在居中之元件。當一個元件被認為是“電連接”另一個元件，它可是接觸連接，例如，可是導線連接之方式，亦可是非接觸式連接，例如，可是非接觸式耦合之方式。

除非另有定義，本文所使用之所有之技術與科學術語與屬於所屬領域具有通常知識者通常理解之含義相同。本文中於本發明之說明書中所使用之術語僅是為描述具體之實施例之目不是旨在於限制本發明。本文所使用之術語“及/或”包括一個或多個相關之所列項目的任意之與所有之組合。

下面結合附圖，對本發明之一些實施方式作詳細說明。於不衝突之情況下，下述之實施例及實施例中之特徵可相互組合。

請參閱圖1，本發明較佳實施方式提供一種天線結構100，其可應用於行動電話、個人數位助理等無線通訊裝置200中，用以發射、接收無線電波以傳遞、交換無線訊號。

該無線通訊裝置200還包括第一基板21及第二基板23。該第一基板21及第二基板23均可採用環氧樹脂玻璃纖維（FR4）等介電材質製成。所述第一基板21上設置有第一饋入點211及第一接地點213。所述第一饋入點211與所述第一接地點213間隔設置，用以分別為所述天線結構100饋入電流及提供接地。所述第二基板23與所述第一基板21間隔設置。所述第二基板23上設置有第二饋入點231及第二接地點233。所述第二饋入點231與所述第二接地點233間隔設置，用以分別為所述天線結構100饋入電流及提供接地。

於本實施例中，所述無線通訊裝置200還包括至少四個電子元件，即第一電子元件24、第二電子元件25、第三電子元件26及第四電子元件27。所述第一電子元件24為揚聲器模組，其設置於所述第一基板21與所述第二基板23之間，且鄰近所述第一接地點213設置。所述第二電子元件25為振動馬達，其設置於所述第二基板23背離所述第一基板21之一側，且鄰近所述第二饋入點231設置。所述第三電子元件26與所述第四電子元件27間隔設置於所述第二基板23上，且位於所述第一電子元件24及第二電子元件25之間。所述第三電子元件26為通用序列匯流排（Universal Serial Bus，USB）介面模組，其鄰近所述第一電子元件24設置。所述第四電子元件27為麥克風模組，其鄰近所述第二接地點233設置。

請一併參閱圖2，所述天線結構100至少包括殼體11、饋入部12、接地部14、第一輻射體16及第二輻射體17。

所述殼體11可為所述無線通訊裝置200之外殼。所述殼體11至少包括邊框112。於本實施例中，所述邊框112由金屬材料製成。所述邊框112大致呈環狀結構。所述殼體11還可包括背板（圖未示）。所述背板蓋設於所述邊框112上，且與所述邊框112共同圍成一容置空間114。所述容置空間114用以容置所述無線通訊裝置200之第一基板21、第二基板23、處理單元等電子元件或電路模組於其內。

所述邊框112至少包括末端部115、第一側部116以及第二側部117。於本實施例中，所述末端部115為所述無線通訊裝置200之底端。所述第一側部116與所述第二側部117相對設置，兩者分別設置於所述末端部115之兩端，優選垂直設置。

所述邊框112上開設有斷點118及縫隙119。於本實施例中，所述斷點118開設於所述第一側部116靠近所述末端部115之位置。所述縫隙119開設於所述末端部115靠近所述第二側部117之位置。所述斷點118及所述縫隙119均貫通且隔斷所述邊框112。所述斷點118及所述縫隙119共同將所述邊框112劃分為間隔設置之第一輻射部E1及第二輻射部E2。其中，所述斷點118與所述縫隙119之間之所述邊框112形成所述第一輻射部E1。所述縫隙119遠離所述第一輻射部E1及所述斷點118一側之所述邊框112形成所述第二輻射部E2。於本實施例中，所述第二輻射部E2接地。

可理解，所述第一輻射部E1上還開設有開口121。所述開口121與所述第三電子元件26相對應，以使得所述第三電子元件26從所述開口121部分露出。如此，使用者可將一USB設備藉由所述開口121插入，進而與所述第三電子元件26建立電性連接。

可理解，於本實施例中，所述斷點118及所述縫隙119內均填充有絕緣材料（例如塑膠、橡膠、玻璃、木材、陶瓷等，但不以此為限）。

於本實施例中，所述饋入部12設置於所述殼體11內部，且位於所述第一電子元件24與所述第一側部116之間。所述饋入部12之一端電連接至所述第一輻射部E1靠近所述斷點118之位置，另一端藉由一匹配電路13電連接至所述第一饋入點211，進而為所述第一輻射部E1饋入電流訊號。所述匹配電路13可為電容、電感或其組合，其用於調節所述第一輻射部E1之阻抗匹配。

所述接地部14設置於所述殼體11內部。所述接地部14之一端電連接至所述第一輻射部E1靠近所述縫隙119之一端，另一端電連接至所述第二接地點233，用以為所述第一輻射部E1提供接地。

所述第一輻射體16為一內輻射體，其設置於所述殼體11內。所述第一輻射體16設置於所述末端部115、第一側部116、第一基板21以及第一電子元件24圍成之空間內，且與所述末端部115間隔設置。所述第一輻射體16包括依次連接之接地段161、第一輻射段163、第二輻射段165及第三輻射段167。所述接地段161大致呈直條狀，其設置於所述第一電子元件24與所述饋入部12之間。所述接地段161之一端電連接至所述第一接地點213，另一端沿平行所述第一側部116且靠近所述末端部115之方向延伸。

所述第一輻射段163、第二輻射段165及第三輻射段167設置於所述第一電子元件24與所述末端部115之間。所述第一輻射段163大致呈直條狀，其垂直連接至所述接地段161遠離所述第一接地點213之端部，並沿平行所述末端部115且靠近所述第二側部117之方向延伸。所述第二輻射段165大致呈直條狀。所述第二輻射段165垂直連接至所述第一輻射段163遠離所述接地段161之端部，並沿平行所述接地段161且靠近所述末端部115之方向延伸。所述第三輻射段167大致呈直條狀。所述第三輻射段167之一端垂直連接至所述第二輻射段165遠離所述第一輻射段163之端部，並沿平行所述第一輻射段163且靠近所述第一側部116之方向延伸。

於本實施例中，所述第一輻射段163及第三輻射段167分別設置於所述第二輻射段165之兩端，進而與所述第二輻射段165構成大致呈U型之結構。所述第一輻射段163之長度大於所述第三輻射段167之長度，所述第三輻射段167之長度大於所述第二輻射段165之長度。

所述第二輻射體17為一內輻射體，其設置於所述殼體11內。所述第二輻射體17整體設置於所述末端部115、第二側部117與所述第二電子元件25圍成之空間內，且與所述末端部115間隔設置。所述第二輻射體17包括依次連接之饋入段171、第一連接段173、第二連接段175及第三連接段177。於本實施例中，所述饋入段171大致呈直條狀，其一端藉由匹配單元18電連接至所述第二饋入點231，以為所述第二輻射體17饋入電流訊號。所述饋入段171之另一端沿平行所述第二側部117且靠近所述末端部115之方向延伸。於本實施例中，所述匹配單元18可為電容、電感或其組合，其用於調節所述第二輻射體17之阻抗匹配。

所述第一連接段173大致呈直條狀。所述第二連接段173之一端垂直連接至所述饋入段171遠離所述第二饋入點231之端部，並沿平行所述末端部115且靠近所述第二側部117之方向延伸。所述第二連接段175之一端垂直連接至所述第一連接段173遠離所述饋入段171之端部，並沿平行所述饋入段171且靠近所述第二電子元件25（即遠離所述末端部115）之方向延伸。所述第三連接段177大致呈直條狀，其一端垂直連接至所述第二連接段175遠離所述第一連接段173之端部，並沿平行所述第一連接段173且靠近所述饋入段171之方向延伸。

於本實施例中，所述第一連接段173與所述第三連接段177分別設置於所述第二連接段175之兩端，進而與所述第二連接段175構成大致呈U型之結構。所述第一連接段173之長度大於所述第三連接段177之長度，所述第三連接段177之長度大於所述第二連接段175之長度。

可理解，請一併參閱圖3，當電流自所述饋入部12饋入後，電流將流過所述第一輻射部E1，並流向所述縫隙119，再藉由所述接地部14及第二接地點232接地（參路徑P1）。如此，所述饋入部12、第一輻射部E1及所述接地部14共同構成回路（loop）天線，進而激發第一工作模態以產生第一輻射頻段之輻射訊號。另外，當電流自所述饋入部12饋入後，所述電流將流過所述第一輻射部E1，並藉由所述第一輻射部E1耦合至所述第一輻射體16，再藉由所述第一接地點213接地。如此，所述第一輻射體16與所述第一輻射部E1耦合設置，且使得所述第一輻射體16激發第二工作模態以產生第二輻射頻段之輻射訊號。

當電流自所述第二饋入點231饋入後，電流將流過所述第二輻射體17，進而使得所述第二饋入點231與所述第二輻射體17共同構成單極天線，進而激發第三工作模態以產生第三輻射頻段之輻射訊號。另外，當電流自所述第二饋入點231饋入後，電流將流過所述第二輻射體17，並藉由所述第二輻射體17耦合至所述第二輻射部E2。如此，所述第二輻射部E2與所述第二輻射體17耦合設置，且使得所述第二輻射體17激發第四工作模態以產生第四輻射頻段之輻射訊號。

於本實施例中，所述第一工作模態為LTE-A低頻模態。所述第二工作模態為LTE Band21模態。所述第三共振模態為LTE-A高頻模態。所述第四共振模態為LTE-A中頻模態。所述第二輻射頻段之頻率高於第一輻射頻段之頻率。所述第三輻射頻段之頻率高於所述第四輻射頻段之頻率。所述第四輻射頻段之頻率高於所述第二輻射頻段之頻率。於本實施例中，所述第一輻射頻段之頻率為703-960 MHz。所述第二輻射頻段之頻率為1400-1700 MHz。所述第三輻射頻段之頻率為2300-2700 MHz。所述第四輻射頻段之頻率為1700-2200 MHz。

可理解，於其他實施例中，所述天線結構100還包括切換電路19。所述切換電路19之一端電連接至所述接地部14，以藉由所述接地部14電連接至所述第一輻射部E1。另一端電連接至所述第二接地點231，即接地，進而有效調整所述第一頻段，即所述天線結構100之低頻頻段。

請一併參閱圖4，於本實施例中，所述切換電路19包括切換開關191及至少一切換元件193。所述切換開關191電連接至所述接地部14，以藉由所述接地部14電連接至所述第一輻射部E1。所述切換元件193可為電感、電容、或者電感與電容之組合。所述切換元件193之間相互並聯，且其一端電連接至所述切換開關191，另一端電連接至所述第二接地點231，即接地。如此，藉由控制所述切換開關191之切換，可使得所述第一輻射部E1切換至不同之切換元件193。由於每一個切換元件193具有不同之阻抗，因此藉由所述切換開關191之切換，可有效調整所述天線結構100之低頻頻率，即第一頻段。

圖5為所述天線結構100工作於第一輻射頻段及第二輻射頻段（即工作於LTE-A 低頻頻段及LTE Band 21頻段）時之S參數（散射參數）曲線圖。圖6為所述天線結構100工作於第一輻射頻段及第二輻射頻段（即工作於LTE-A 低頻頻段及LTE Band 21頻段）時之效率曲線圖。其中曲線S61為所述天線結構100工作於第一輻射頻段及第二輻射頻段（即工作於LTE-A 低頻頻段及LTE Band 21頻段）時之輻射效率。曲線S62為所述天線結構100工作於第一輻射頻段及第二輻射頻段（即工作於LTE-A 低頻頻段及LTE Band 21頻段）時之總輻射效率。其中，所述天線結構100工作于低頻段時之效率為30%，工作於LTE Band 21頻段時之效率為38%。

圖7為所述天線結構100工作於第三輻射頻段及第四輻射頻段（即LTE-A 中高頻段）時之S參數（散射參數）曲線圖。圖8為所述天線結構100工作於第三輻射頻段及第四輻射頻段（即LTE-A 中高頻段）時之效率曲線圖。其中曲線S81為所述天線結構100工作於第三輻射頻段及第四輻射頻段（即LTE-A 中高頻段）時之輻射效率。曲線S82為所述天線結構100工作於第三輻射頻段及第四輻射頻段（即LTE-A 中高頻段）時之總輻射效率。其中，所述天線結構100工作於LTE-A中頻段時之效率為50%，工作于LTE-A高頻段時之效率為40%。

顯然，從圖5至圖8可知，所述天線結構100之工作頻率可涵蓋至703-960 MHz、1400-1700 MHz 以及1710-2690 MHz，即涵蓋至LTE-A 低、中、高頻頻段以及LTE Band21頻段，頻率範圍較廣，且當所述天線結構100工作于上述頻段時，其工作頻率均可滿足天線工作設計要求，並具有較佳之輻射效率。

可理解，於其他實施例中，所述饋入部12與所述接地部14之位置可互換，如此所述第一基板21上之第一饋入點211與第二基板23上之第二接地點233之位置互換。即所述饋入部12之一端藉由所述匹配電路13電連接至設置於所述第二基板23上之所述第一饋入點211，另一端電連接至所述第一輻射部E1靠近所述縫隙119之一端。所述接地部14之一端藉由所述切換電路19電連接至設置於所述第一基板21上之所述第二接地點233，另一端電連接至所述第一輻射部E1靠近所述斷點118之端部。

如前面實施例所述，所述天線結構100藉由設置所述斷點118以及縫隙119，以自所述邊框112劃分出第一輻射部E1及第二輻射部E2。所述天線結構100還設置有饋入部12、接地部14及第二輻射體17。如此所述饋入部12之電流饋入至所述第一輻射部E1，並藉由所述接地部14接地，以激發第一工作模態以產生LTE-A低頻段之輻射訊號。所述第二輻射體17亦饋入電流訊號，並接地，以激發第三工作模態以產生LTE-A高頻段之輻射訊號。另外所述第二輻射體17之電流還耦合至所述第二輻射部E2，進而使得所述第二輻射部E2產生LTE-A中頻段之輻射訊號。因此無線通訊裝置200可使用長期演進技術升級版(LTE-Advanced)之載波聚合(CA，Carrier Aggregation)技術同時於多個不同頻段接收或發送無線訊號以增加傳輸頻寬。

再者，於本實施例中，由於所述天線結構100設置所述第一輻射體16。如此，流過所述第一輻射部E1之電流將耦合至所述第一輻射體16，進而使得所述第一輻射體16可工作於LTE Band21頻段。即本案之天線結構100可完整之應用至GSM Qual-band，UMTS Band I/II/V/VIII及LTE 700/850/900/1800/1900/2100/2300/2500頻帶，並且同時具有3CA功能以及達到LTE Band21天線特性。

以上所述，僅為本發明的較佳實施例，並非是對本發明作任何形式上的限定。另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其它變化，當然，這些依據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。

100‧‧‧天線結構

11‧‧‧殼體

112‧‧‧邊框

114‧‧‧容置空間

115‧‧‧末端部

116‧‧‧第一側部

117‧‧‧第二側部

118‧‧‧斷點

119‧‧‧縫隙

121‧‧‧開口

E1‧‧‧第一輻射部

E2‧‧‧第二輻射部

12‧‧‧饋入部

13‧‧‧匹配電路

14‧‧‧接地部

16‧‧‧第一輻射體

161‧‧‧接地段

163‧‧‧第一輻射段

165‧‧‧第二輻射段

167‧‧‧第三輻射段

17‧‧‧第二輻射體

171‧‧‧饋入段

173‧‧‧第一連接段

175‧‧‧第二連接段

177‧‧‧第三連接段

18‧‧‧匹配單元

19‧‧‧切換電路

191‧‧‧切換開關

193‧‧‧切換元件

200‧‧‧無線通訊裝置

21‧‧‧第一基板

211‧‧‧第一饋入點

213‧‧‧第一接地點

23‧‧‧第二基板

231‧‧‧第二饋入點

233‧‧‧第二接地點

24‧‧‧第一電子元件

25‧‧‧第二電子元件

26‧‧‧第三電子元件

27‧‧‧第四電子元件

圖1為本發明較佳實施例之天線結構應用至無線通訊裝置之示意圖。 圖2為圖1所示天線結構之電路圖。 圖3為圖2所示天線結構之電流走向示意圖。 圖4為圖1所示天線結構中切換電路之電路圖。 圖5為圖1所示天線結構工作於第一輻射頻段及第二輻射頻段時之S參數（散射參數）曲線圖。 圖6為圖1所示天線結構工作於第一輻射頻段及第二輻射頻段時之效率曲線圖。 圖7為圖1所示天線結構工作於第三輻射頻段及第四輻射頻段時之S參數（散射參數）曲線圖。 圖8為圖1所示天線結構工作於第三輻射頻段及第四輻射頻段時之效率曲線圖。

無

Claims (10)

1. 一種天線結構，其改良在於，所述天線結構包括殼體、饋入部、接地部、第一輻射體及第二輻射體，所述殼體上設置有第一輻射部及與所述第一輻射部間隔設置之第二輻射部，所述饋入部與所述第一輻射部電連接，用以為所述第一輻射部饋入電流訊號，所述接地部與所述第一輻射部電連接，用以為所述第一輻射部提供接地，所述第一輻射體及所述第二輻射體間隔設置於所述殼體內，當電流自所述饋入部饋入後，所述電流流過所述第一輻射部，並藉由所述接地部接地，進而激發第一工作模態以產生第一輻射頻段之輻射訊號，當電流自所述饋入部饋入後，所述電流還藉由所述第一輻射部耦合至所述第一輻射體，進而使得所述第一輻射體激發第二工作模態以產生第二輻射頻段之輻射訊號，當電流自所述第二輻射體饋入後，所述第二輻射體激發第三工作模態以產生第三輻射頻段之輻射訊號，當電流自所述第二輻射體饋入後，所述電流還藉由所述第二輻射體耦合至所述第二輻射部，進而使得所述第二輻射部激發第四工作模態以產生第四輻射頻段之輻射訊號。
2. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中所述第二輻射頻段之頻率高於第一輻射頻段之頻率，所述第三輻射頻段之頻率高於所述第四輻射頻段之頻率，所述第四輻射頻段之頻率高於所述第二輻射頻段之頻率。
3. 如申請專利範圍第2項所述之天線結構，其中所述第一工作模態為LTE-A低頻模態，所述第二工作模態為LTE Band21模態，所述第三工作模態為LTE-A高頻模態，所述第四工作模態為LTE-A中頻模態。
4. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中所述殼體至少包括邊框，所述邊框至少包括末端部、第一側部及第二側部，所述第一側部與所述第二側部分別連接所述末端部之兩端，所述殼體上開設有斷點及縫隙，所述斷點及所述縫隙均貫通且隔斷所述殼體，所述斷點與所述縫隙共同自所述殼體劃分出所述第一輻射部及所述第二輻射部，所述斷點與所述縫隙之間之所述邊框構成所述第一輻射部，所述縫隙遠離所述第一輻射部及所述斷點一側之所述邊框形成所述第二輻射部。
5. 如申請專利範圍第4項所述之天線結構，其中所述第一輻射體包括依次連接之接地段、第一輻射段、第二輻射段及第三輻射段，所述接地段之一端接地，另一端沿平行所述第一側部且靠近所述末端部之方向延伸，所述第一輻射段垂直連接至所述接地段之端部，並沿平行所述末端部且靠近所述第二側部之方向延伸，所述第二輻射段垂直連接至所述第一輻射段遠離所述接地段之端部，並沿平行所述接地段且靠近所述末端部之方向延伸，所述第三輻射段之一端垂直連接至所述第二輻射段遠離所述第一輻射段之端部，並沿平行所述第一輻射段且靠近所述第一側部之方向延伸。
6. 如申請專利範圍第4項所述之天線結構，其中所述第二輻射體包括依次連接之饋入段、第一連接段、第二連接段及第三連接段，所述饋入段一端電連接至一饋入點，以為所述第二輻射體饋入電流訊號，另一端沿平行所述第二側部且靠近所述末端部之方向延伸，所述第二連接段垂直連接至所述饋入段之端部，並沿平行所述末端部且靠近所述第二側部之方向延伸，所述第二連接段之一端垂直連接至所述第一連接段遠離所述饋入段之端部，並沿平行所述饋入段且遠離所述末端部之方向延伸，所述第三連接段一端垂直連接至所述第二連接段遠離所述第一連接段之端部，並沿平行所述第一連接段且靠近所述饋入段之方向延伸。
7. 如申請專利範圍第4項所述之天線結構，其中所述斷點及所述縫隙內均填充有絕緣材料。
8. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中無線通訊裝置使用載波聚合技術並使用所述第一輻射部、所述第二輻射部及所述第二輻射體同時於多個不同頻段接收或發送無線訊號。
9. 一種無線通訊裝置，包括如申請專利範圍第1-8項中任一項所述之天線結構。
10. 如申請專利範圍第9項所述之無線通訊裝置，其中所述無線通訊裝置還包括第一基板、第二基板、揚聲器模組、振動馬達、通用序列匯流排（Universal Serial Bus，USB）介面模組以及麥克風模組，所述第一基板及第二基板間隔設置於所述殼體內，所述揚聲器模組設置於所述第一基板與第二基板之間，所述振動馬達設置於所述第二基板遠離所述第一基板之一側，所述USB介面模組以及麥克風模組間隔設置於所述第二基板上，所述第一輻射體設置於所述第一基板、揚聲器模組以及所述殼體圍成之空間內，所述第二輻射體設置於所述殼體、振動馬達與所述麥克風模組圍成之空間內。