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TWI654663B - Substrate processing method and substrate processing device - Google Patents

Substrate processing method and substrate processing device

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Publication number
TWI654663B
TWI654663B TW106144716A TW106144716A TWI654663B TW I654663 B TWI654663 B TW I654663B TW 106144716 A TW106144716 A TW 106144716A TW 106144716 A TW106144716 A TW 106144716A TW I654663 B TWI654663 B TW I654663B
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TW
Taiwan
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substrate
sublimation
solidified body
substrate processing
liquid
Prior art date
Application number
TW106144716A
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English (en)
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TW201826341A (zh
Inventor
塙洋祐
上田大
佐佐木悠太
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
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Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種可減少基板上之圖案之倒塌之基板處理方法及基板處理裝置。 本發明之基板處理方法之特徵在於：包含對基板W之圖案形成面供給含有熔解狀態之昇華性物質之處理液的供給步驟S13、使上述處理液於上述圖案形成面上凝固而形成凝固體63的凝固步驟S14、使凝固體63昇華而自上述圖案形成面去除的昇華步驟S15、以及將凝固體63昇華時於昇華界面析出之有機物去除的有機物去除步驟S16、S17，且有機物去除步驟S16、S17與昇華步驟S15至少重疊進行。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種將附著於半導體基板、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板等各種基板(以下稱為「基板」)之液體自基板去除的基板處理方法及基板處理裝置。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之電子零件之製造步驟中，對基板實施使用液體之各種濕式處理後，對基板實施用以去除因濕式處理而附著於基板之液體之乾燥處理。 作為濕式處理，可列舉去除基板表面之污染物質之清洗處理。例如，藉由乾式蝕刻步驟，於形成具有凹凸之微細圖案之基板表面存在反應副產物(蝕刻殘渣)。又，有時除蝕刻殘渣外，於基板表面附著金屬雜質或有機污染物質等，為去除該等物質，進行對基板供給清洗液等之清洗處理。 又，清洗處理後，實施藉由沖洗液而去除清洗液之沖洗處理與乾燥沖洗液之乾燥處理。作為沖洗處理，可列舉：對附著有清洗液之基板表面供給去離子水(DIW，Deionized Water)等沖洗液，去除基板表面之清洗液的沖洗處理。其後，進行藉由去除沖洗液而使基板乾燥之乾燥處理。 近年來，伴隨形成於基板之圖案之微細化，具有凹凸之圖案之凸部之縱橫比(圖案凸部之高度與寬度之比)變大。故而存在以下問題：乾燥處理時，於進入圖案凹部之清洗液或沖洗液等液體與同液體相接觸之氣體之交界面產生作用之表面張力會牽拉圖案中之鄰接之凸部彼此而使之倒塌，即所謂的圖案倒塌之問題。 作為以防止此種表面張力所引起之圖案倒塌為目的之乾燥技術，例如於日本專利特開2013-16699號公報中揭示有：使形成結構體(圖案)之基板與溶液接觸，使該溶液變化為固體而成為圖案之支持體，使該支持體自固相不經過液相而變化為氣相從而去除的方法。又，於該專利文獻中揭示有：作為支持材，使用甲基丙烯酸系樹脂材料、苯乙烯系樹脂材料及氟碳系材料之至少任一者。 又，於日本專利特開2012-243869號公報及日本專利特開2013-258272號公報中揭示有：對基板上供給昇華性物質之溶液，使溶液中之溶劑乾燥而使基板上充滿固相之昇華性物質，使昇華性物質昇華的乾燥技術。根據該等專利文獻，不會於固體與同固體相接觸之氣體之交界面產生表面張力之作用，故而可抑制表面張力所引起之圖案倒塌。 又，於日本專利特開2015-142069號公報中揭示有：對附著有液體之基板供給第三丁醇(t-butanol)之熔融液，使第三丁醇於基板上凝固而形成凝固體後，使凝固體昇華而去除的乾燥技術。 然而，日本專利特開2013-16699號、日本專利特開2012-243869號、日本專利特開2013-258272號及日本專利特開2015-142069號中揭示之乾燥技術中例如亦存在如下課題：對具有微細且縱橫比較高(即，相對於凸圖案之寬度，凸圖案之高度更高)之圖案之基板，無法進一步防止圖案之倒塌。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種可減少基板上之圖案倒塌之基板處理方法及基板處理裝置。 [解決問題之技術手段] 本案發明者等發現，於含有昇華性物質之處理液中含有作為雜質之有機物之情形時，因該有機物而產生圖案倒塌。即，昇華性物質於含有有機物之處理液之凝固體中昇華時，有機物析出而不昇華。進而發現，由於析出之有機物彼此之相互作用而成為凝集狀態時，對圖案亦作用引力，從而導致圖案倒塌之產生。 為解決上述課題，本發明之基板處理方法之特徵在於：包含對基板之圖案形成面供給含有昇華性物質之處理液的供給步驟、使上述處理液於上述圖案形成面上凝固而形成凝固體的凝固步驟、使上述凝固體昇華而自上述圖案形成面去除的昇華步驟、以及將上述凝固體昇華時於該凝固體之昇華界面析出之有機物去除的有機物去除步驟，且上述有機物去除步驟與上述昇華步驟至少一部分重疊進行。 根據上述構成，例如於基板之圖案形成面上存在液體之情形時，藉由冷凍乾燥(或昇華乾燥)之原理，可防止圖案之倒塌並去除該液體。具體而言，於上述供給步驟中，藉由對基板之圖案形成面供給處理液，而將上述液體置換為處理液。其次，於凝固步驟中，使處理液凝固而形成凝固體。進而，於昇華步驟中，藉由使凝固體昇華，而自圖案形成面去除凝固體。凝固體昇華係由於含有昇華性物質。昇華性物質自固體不經過液體而狀態變化為氣體，故而對形成於基板上之圖案不帶來表面張力。其結果為可防止形成於基板上之圖案之倒塌。此處，於上述構成中，與昇華步驟至少一部分重疊，進行用以去除有機物之有機物去除步驟。有機物於凝固體昇華時自昇華界面析出，但該有機物成為凝集狀態時，有機物之引力對圖案產生作用從而引起圖案倒塌。有機物去除步驟係於自昇華界面析出之有機物彼此由於相互作用而成為凝集狀態前將其去除之步驟，藉此可進一步減少圖案之倒塌。 此處，上述所謂「昇華性」係指單體、化合物或混合物具有不經過液體而自固體相變為氣體或自氣體相變為固體之特性，所謂「昇華性物質」係指具有此種昇華性之物質。又，上述所謂「圖案形成面」係指無論為平面狀、曲面狀或凹凸狀之任一者，於基板中於任意區域形成凹凸圖案之面。上述所謂「凝固體」係指液體狀態之處理液固化而成者，例如，於基板上存在之液體與處理液混合之狀態下凝固之情形時，為亦可含有該液體者。上述所謂「昇華界面」係指於凝固體中，產生昇華性物質之昇華之氣固界面，係不與物體相接之自由表面(或區域)。 於上述構成中，上述有機物去除步驟可於上述昇華步驟之開始前、開始時或步驟中進行。 又，於上述構成中，上述有機物去除步驟可於上述昇華步驟之步驟中、結束時或結束後結束。 進而，於上述構成中，上述有機物去除步驟可連續進行。 又，於上述構成中，上述昇華步驟可於上述凝固步驟中開始。藉此，可使於凝固步驟中凝固之凝固體自凝固步驟結束前開始昇華，可謀求基板之處理時間之縮短。又，有機物去除步驟亦與昇華步驟至少一部分重疊而實施，故而有機物去除步驟亦可於凝固步驟中開始。其結果為可進一步縮短基板之處理時間。 又，於上述構成中，較佳為上述有機物去除步驟係對上述昇華步驟中之凝固體之昇華界面照射紫外線之步驟。藉由對凝固體之昇華性物質之昇華界面照射紫外線，可分解去除於昇華界面析出而不昇華之有機物。 又，於上述構成中，較佳為上述有機物去除步驟係使上述昇華步驟中之凝固體之昇華界面接觸臭氧氣體之步驟。藉由使凝固體之昇華性物質之昇華界面接觸臭氧氣體，可分解去除於昇華界面析出而不昇華之有機物。 為解決上述課題，本發明之基板處理裝置之特徵在於：其係用於上述基板處理方法者，且具備：對基板之圖案形成面供給含有昇華性物質之處理液的供給機構、使上述處理液於上述圖案形成面上凝固而形成凝固體的凝固機構、使上述凝固體昇華而自上述圖案形成面去除的昇華機構、以及將上述凝固體昇華時於該凝固體之昇華界面析出之有機物去除的有機物去除機構，上述有機物去除機構至少對利用上述昇華機構之昇華中之凝固體進行有機物之去除。 根據上述構成，例如於基板之圖案形成面上存在液體之情形時，藉由冷凍乾燥(或昇華乾燥)之原理，可防止圖案之倒塌並去除該液體。具體而言，上述供給機構係藉由對基板之圖案形成面供給處理液，而將上述液體置換為處理液。其次，凝固機構係使處理液凝固而形成凝固體。進而，昇華機構係藉由使凝固體昇華而自圖案形成面去除凝固體。凝固體昇華係由於含有昇華性物質。昇華性物質自固體不經過液體而狀態變化為氣體，故而對形成於基板上之圖案不帶來表面張力。其結果為可防止形成於基板上之圖案之倒塌。此處，於上述構成中，有機物去除機構至少對昇華中之凝固體進行有機物之去除。有機物於凝固體之昇華性物質昇華時自昇華界面析出，但由於該有機物彼此之相互作用而成為凝集狀態時，有機物之引力對圖案產生作用從而引起圖案倒塌。有機物去除機構係於自昇華界面析出之有機物成為凝集狀態前將其去除之步驟，藉此可進一步減少圖案之倒塌。 [發明之效果] 本發明藉由上述說明之機構，起到如以下所述之效果。 即，根據本發明，例如於基板之圖案形成面上存在液體之情形時，將該液體置換為含有昇華性物質之處理液後，使該處理液凝固而形成凝固體，其後使該凝固體昇華。故而，不會對形成於基板上之圖案帶來表面張力，可減少該圖案之倒塌。並且，藉由預先去除昇華中之凝固體中自昇華界面析出之有機物，可防止該有機物由於相互作用而成為凝集狀態時對圖案作用引力，可進一步減少圖案倒塌之產生。即，本發明可提供與先前相比較，可進一步減少圖案之倒塌並且良好地對基板表面進行乾燥處理之基板處理方法及基板處理裝置。
(第1實施形態) 以下說明本發明之第1實施形態。 圖1係表示本實施形態之基板處理裝置1之概略之說明圖。圖2係表示基板處理裝置1之內部構成之概略平面圖。再者，於各圖中，為明確圖示者之方向關係，適宜顯示XYZ正交座標。於圖1及圖2中，XY平面表示水平面，+Z方向表示鉛直向上。 基板處理裝置1例如可用於各種基板之處理。上述所謂「基板」係指半導體基板、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板等各種基板。於本實施形態中，以將基板處理裝置1用於半導體基板(以下稱為「基板W」)之處理之情形為例進行說明。 又，作為基板W，以僅於一個主面形成電路圖案等(以下記為「圖案」)者為例。此處，將形成圖案之面稱為「圖案形成面」或「表面」，將其相反側之未形成圖案之主面稱為「背面」。進而，將朝向下方之基板之面稱為「下表面」，將朝向上方之基板之面稱為「上表面」。再者，以下將上表面作為表面而說明。 基板處理裝置1係於用以去除附著於基板W之微粒等污染物質之清洗處理(包含沖洗處理)及清洗處理後之乾燥處理中所使用之單片式之基板處理裝置。再者，圖1及圖2中僅顯示用於乾燥處理之部位，未圖示用於清洗處理之清洗用之噴嘴等，但基板處理裝置1可具備該噴嘴等。 ＜1-1 基板處理裝置之構成＞ 首先，基於圖1及圖2說明基板處理裝置1之構成。 基板處理裝置1至少具備：作為收容基板W之容器之腔室11、保持基板W之基板保持機構51、控制基板處理裝置1之各部之控制單元13、對保持於基板保持機構51之基板W供給作為處理液之乾燥輔助液之處理液供給機構(供給機構)21、對保持於基板保持機構51之基板W供給IPA(isopropanol，異丙醇)之IPA供給機構31、對保持於基板保持機構51之基板W供給氣體之氣體供給機構(凝固機構、昇華機構)41、捕獲被供給至保持於基板保持機構51之基板W並排出至基板W之周緣部外側之IPA或乾燥輔助液等之飛散防止杯12、使基板處理裝置1之各部之下述支臂分別獨立迴轉驅動之迴轉驅動部14、將腔室11之內部減壓之減壓機構71、照射紫外線之紫外線照射機構(有機物去除機構)81。又，基板處理裝置1具備基板搬入搬出機構、夾盤銷開關機構及濕式清洗機構(均未圖示)。以下說明基板處理裝置1之各部。 基板保持機構51具有旋轉驅動部52、旋轉基底53、夾盤銷54。旋轉基底53具有稍許大於基板W之平面尺寸。於旋轉基底53之周緣部附近設立有固持基板W之周緣部之複數個夾盤銷54。夾盤銷54之設置數並無特別限定，為確實地保持圓形狀之基板W，較佳為設置至少3個以上。於本實施形態中，沿旋轉基底53之周緣部以等間隔配置3個(參照圖2)。各個夾盤銷54具備自下方支持基板W之周緣部之基板支持銷、擠壓被基板支持銷支持之基板W之外周端面而保持基板W之基板保持銷。 各個夾盤銷54可於基板保持銷擠壓基板W之外周端面之擠壓狀態與基板保持銷自基板W之外周端面離開之解除狀態之間切換，藉由來自控制裝置整體之控制單元13之動作指令實行狀態切換。 更詳細而言，於對旋轉基底53搬入搬出基板W時，各個夾盤銷54成為解除狀態，於對基板W進行下述清洗處理至昇華處理為止之基板處理時，各個夾盤銷54成為擠壓狀態。若夾盤銷54為擠壓狀態，則夾盤銷54固持基板W之周緣部，基板W自旋轉基底53隔開特定間隔而保持為水平狀態(XY面)。藉此，基板W以其表面Wf朝向上方之狀態保持為水平。 如此於本實施形態中，以旋轉基底53與夾盤銷54保持基板W，但基板保持方式並不限定於此。例如，亦可藉由旋轉夾頭等吸附方式保持基板W之背面Wb。 旋轉基底53與旋轉驅動部52連結。旋轉驅動部52藉由控制單元13之動作指令圍繞沿Z方向之軸Al旋轉。旋轉驅動部52包含公知之帶、馬達及旋轉軸。若旋轉驅動部52圍繞軸Al旋轉，則伴隨於此於旋轉基底53之上方藉由夾盤銷54而保持之基板W亦與旋轉基底53一同圍繞軸Al旋轉。 其次，說明處理液供給機構21(供給機構)。 處理液供給機構21係對基板W之圖案形成面供給乾燥輔助液(處理液)之單元，如圖1所示，至少具備噴嘴22、支臂23、迴轉軸24、配管25、閥門26、處理液貯存部27。 處理液貯存部27如圖4A及圖4B所示，至少具備處理液貯存槽271、攪拌處理液貯存槽271內之乾燥輔助液之攪拌部277、對處理液貯存槽271進行加壓而送出乾燥輔助液之加壓部274、加熱處理液貯存槽271內之乾燥輔助液之溫度調整部272。再者，圖4A係表示處理液貯存部27之概略構成之方塊圖，圖4B係表示該處理液貯存部27之具體構成之說明圖。 攪拌部277具備攪拌處理液貯存槽271內之乾燥輔助液之旋轉部279、及控制旋轉部279之旋轉之攪拌控制部278。攪拌控制部278與控制單元13電性連接。旋轉部279於旋轉軸之前端(圖5中之旋轉部279之下端)具備螺旋槳狀之攪拌葉，控制單元13對攪拌控制部278進行動作指令，旋轉部279旋轉，藉此攪拌葉攪拌乾燥輔助液，使乾燥輔助液中之乾燥輔助物質等之濃度及溫度均勻化。 又，作為使處理液貯存槽271內之乾燥輔助液之濃度及溫度均勻之方法，並不限定於上述方法，可使用另外設置循環用之泵而使乾燥輔助液循環之方法等公知之方法。 加壓部274包含作為對處理液貯存槽271內進行加壓之氣體之供給源之氮氣槽275、加壓氮氣之泵276及配管273。氮氣槽275藉由配管273而與處理液貯存槽271管路連接，又，於配管273上插介泵276。泵276與控制單元13電性連接。泵276係藉由控制單元13之動作指令將貯存於氮氣槽275之氮氣經由配管273供給至處理液貯存槽271，進行該處理液貯存槽271內之氣壓調整者。藉由控制單元13之泵276之控制係基於設置於處理液貯存槽271內且與控制單元13電性連接之氣壓感測器(未圖示)之檢測值而進行。藉此，可將處理液貯存槽271內之氣壓維持為高於大氣壓之特定氣壓。 溫度調整部272與控制單元13電性連接，藉由控制單元13之動作指令對貯存於處理液貯存槽271之乾燥輔助液加熱從而進行溫度調整。溫度調整係以使乾燥輔助液之液溫成為該乾燥輔助液中所含之乾燥輔助物質(昇華性物質；詳細內容下述)之熔點以上之方式進行即可。藉此，可維持乾燥輔助物質之熔解狀態。再者，作為溫度調整之上限，較佳為低於沸點之溫度。又，作為溫度調整部272，並無特別限定，例如可使用電阻加熱器或珀爾帖元件、使溫度調整之水經過之配管等公知之溫度調整機構。再者，於本實施形態中，溫度調整部272為任意構成。例如，於基板處理裝置1之設置環境為高於昇華性物質之熔點之高溫環境之情形時，因可維持該昇華性物質之熔解狀態，故而不需要加熱乾燥輔助液。其結果為可省略溫度調整部272。 返回至圖1。處理液貯存部27(更詳細而言，處理液貯存槽271)經由配管25而與噴嘴22管路連接，於配管25之路徑中途插介閥門26。 閥門26與控制單元13電性連接，通常為閉閥。又，閥門26之開關亦藉由控制單元13之動作指令而控制。並且，若控制單元13對處理液供給機構21進行動作指令，使閥門26開閥，則乾燥輔助液自加壓之處理液貯存槽271內被壓送，經由配管25自噴嘴22噴出。藉此，可將乾燥輔助液供給至基板W之表面Wf。再者，處理液貯存槽271係如上所述使用藉由氮氣之壓力而壓送乾燥輔助液，故而較佳為氣密之構成。 噴嘴22安裝於水平延伸設置之支臂23之前端部，配置於旋轉基底53之上方。支臂23之後端部藉由於Z方向上延伸設置之迴轉軸24而圍繞軸J1旋轉自如地被支持，迴轉軸24固設於腔室11內。經由迴轉軸24，支臂23與迴轉驅動部14連結。迴轉驅動部14與控制單元13電性連接，藉由來自控制單元13之動作指令而使支臂23圍繞軸J1旋動。伴隨支臂23之旋動，噴嘴22亦移動。 噴嘴22如圖2中實線所示，通常為較之基板W之周緣部之更外側，配置於較之飛散防止杯12之更外側之退避位置P1。若支臂23藉由控制單元13之動作指令而旋動，則噴嘴22沿箭頭AR1之路徑移動，配置於基板W之表面Wf之中央部(軸A1或其附近)之上方位置。 返回至圖1。其次，說明IPA供給機構31。IPA供給機構31係對基板W供給IPA(異丙醇)之單元，具備噴嘴32、支臂33、迴轉軸34、配管35、閥門36、及IPA槽37。 IPA槽37經由配管35而與噴嘴32管路連接，於配管35之路徑中途插介閥門36。於IPA槽37中貯存有IPA，藉由未圖示之加壓機構將IPA槽37內之IPA加壓，將IPA自配管35送至噴嘴32方向。再者，加壓機構除藉由泵等之加壓外，亦可藉由將氣體壓縮貯存於IPA槽37內而實現，故而可使用任一種加壓機構。 閥門36與控制單元13電性連接，通常為閉閥。閥門36之開關係藉由控制單元13之動作指令而控制。若藉由控制單元13之動作指令而使閥門36開閥，則IPA經過配管35而自噴嘴32供給至基板W之表面Wf。 噴嘴32安裝於水平延伸設置之支臂33之前端部，配置於旋轉基底53之上方。支臂33之後端部藉由於Z方向上延伸設置之迴轉軸34而圍繞軸J2旋轉自如地被支持，迴轉軸34固設於腔室11內。支臂33經由迴轉軸34與迴轉驅動部14連結。迴轉驅動部14與控制單元13電性連接，藉由來自控制單元13之動作指令而使支臂33圍繞軸J2旋動。伴隨支臂33之旋動，噴嘴32亦移動。 如圖2中實線所示，噴嘴32通常為較之基板W之周緣部之更外側，配置於較之飛散防止杯12之更外側之退避位置P2。若支臂33藉由控制單元13之動作指令而旋動，則噴嘴32沿箭頭AR2之路徑移動，配置於基板W之表面Wf之中央部(軸A1或其附近)之上方位置。 再者，於本實施形態中，IPA供給機構31中使用IPA，但本發明中，若為對乾燥輔助物質及去離子水(DIW：Deionized Water)具有溶解性之液體，則不限定於IPA。作為本實施形態之IPA之替代，可列舉：甲醇、乙醇、丙酮、苯、四氯化碳、氯仿、己烷、十氫萘、萘滿、乙酸、環己醇、醚或氫氟醚(Hydro Fluoro Ether)等。 返回至圖1。其次，說明氣體供給機構41。氣體供給機構41係對基板W供給氣體之單元，具備噴嘴42、支臂43、迴轉軸44、配管45、閥門46、及貯氣槽47。氣體供給機構41係用於使供給至基板W之處理液凝固而形成凝固體、或使該凝固體昇華(詳細內容下述)。 圖4係表示貯氣槽47之概略構成之方塊圖。貯氣槽47具備貯存氣體之氣體貯存部471、調整貯存於氣體貯存部471之氣體之溫度之氣體溫度調整部472。氣體溫度調整部472與控制單元13電性連接，藉由控制單元13之動作指令對貯存於氣體貯存部471之氣體加熱或冷卻從而進行溫度調整。溫度調整係以使貯存於氣體貯存部471之氣體成為乾燥輔助物質之凝固點以下之較低溫度之方式進行即可。再者，氣體之供給源可為設置於工廠內之實體設備等。 作為氣體溫度調整部472，並無特別限定，例如可使用珀爾帖元件、使溫度調整之水經過之配管等公知之溫度調整機構。 返回至圖1。貯氣槽47(更詳細而言，氣體貯存部471)經由配管45而與噴嘴42管路連接，於配管45之路徑中途插介閥門46。藉由未圖示之加壓機構而加壓貯氣槽47內之氣體，送至配管45。再者，加壓機構除藉由泵等之加壓外，亦可藉由將氣體壓縮貯存於貯氣槽47內而實現，故而可使用任一種加壓機構。 閥門46與控制單元13電性連接，通常為閉閥。閥門46之開關係藉由控制單元13之動作指令而控制。若藉由控制單元13之動作指令而使閥門46開閥，則氣體經過配管45，自噴嘴42供給至基板W之表面Wf。 噴嘴42安裝於水平延伸設置之支臂43之前端部，配置於旋轉基底53之上方。支臂43之後端部藉由於Z方向上延伸設置之迴轉軸44而圍繞軸J3旋轉自如地被支持，迴轉軸44固設於腔室11內。經由迴轉軸44，支臂43與迴轉驅動部14連結。迴轉驅動部14與控制單元13電性連接，藉由來自控制單元13之動作指令而使支臂43圍繞軸J3旋動。伴隨支臂43之旋動，噴嘴42亦移動。 如圖2中實線所示，噴嘴42通常為較之基板W之周緣部之更外側，配置於較之飛散防止杯12之更外側之退避位置P3。若支臂43藉由控制單元13之動作指令而旋動，則噴嘴42沿箭頭AR3之路徑移動，配置於基板W之表面Wf之中央部(軸A1或其附近)之上方位置。將噴嘴42配置於表面Wf中央部之上方位置之情況於圖2中以虛線表示。 氣體貯存部471中貯存有對乾燥輔助物質至少為惰性之惰性氣體，更具體而言為氮氣。又，貯存之氮氣於氣體溫度調整部472中被調整為乾燥輔助物質之凝固點以下之溫度。若氮氣之溫度為乾燥輔助物質之凝固點以下之溫度，則並無特別限定，通常可設定為0℃以上且15℃以下之範圍內。再者，藉由使氮氣之溫度為0℃以上，可防止腔室11之內部存在之水蒸氣凝固而於基板W之表面Wf附著等，防止對基板W產生不良影響。 又，第1實施形態中使用之氮氣較佳為其露點為0℃以下之乾燥氣體。若將上述氮氣於大氣壓環境下吹附至凝固體，則凝固體中之乾燥輔助物質於氮氣中昇華。因氮氣持續供給至凝固體，故而因昇華而產生之氣體狀態之乾燥輔助物質之於氮氣中之分壓維持為低於氣體狀態之乾燥輔助物質之於該氮氣之溫度下之飽和蒸氣壓之狀態，至少於凝固體表面，氣體狀態之乾燥輔助物質在於其飽和蒸氣壓以下而存在之環境下而充滿。 又，於本實施形態中，使用氮氣作為藉由氣體供給機構41而供給之氣體，但作為本發明之實施，若為對乾燥輔助物質為惰性之氣體，則並不限定於此。於第1實施形態中，作為氮氣之替代氣體，可列舉：氬氣、氦氣或空氣(氮氣濃度80%、氧氣濃度20%之氣體)。或者，亦可為混合該等複數種氣體而成之混合氣體。 返回至圖1。減壓機構71係將腔室11之內部減壓為低於大氣壓之環境之機構，具備排氣泵72、配管73、閥門74。排氣泵72經由配管73而與腔室11管路連接，係對氣體施加壓力之公知之泵。排氣泵72與控制單元13電性連接，通常為停止狀態。排氣泵72之驅動係藉由控制單元13之動作指令而控制。又，於配管73上插介閥門74。閥門74與控制單元13電性連接，通常為閉閥。閥門74之開關係藉由控制單元13之動作指令而控制。 若排氣泵72藉由控制單元13之動作指令而驅動，閥門74開閥，則藉由排氣泵72，腔室11之內部存在之氣體經由配管73排氣至腔室11之外側。 飛散防止杯12以包圍旋轉基底53之方式設置。飛散防止杯12與圖示省略之升降驅動機構連接，可於Z方向上升降。對基板W供給乾燥輔助液或IPA時，飛散防止杯12藉由升降驅動機構定位至如圖1所示之特定位置，自側方位置包圍藉由夾盤銷54而保持之基板W。藉此，可捕獲自基板W或旋轉基底53飛散之乾燥輔助液或IPA等液體。 其次，說明紫外線照射機構81。 紫外線照射機構81至少具備紫外線燈82、點亮電路83。紫外線燈82設置於基板W之上方之任意位置。又，視需要為控制紫外線之照射方向及照射範圍，可於紫外線燈82中設置任意形狀之遮光板等。點亮電路83與控制單元13電性連接，藉由控制單元13之動作指令而進行紫外線燈82之點亮及熄滅。又，於紫外線燈82中設置上述遮光板之情形時，點亮電路83藉由控制單元13之動作指令而使遮光板動作，適時地調整照射之紫外線之照射方向或照射範圍。 圖3係表示控制單元13之構成之模式圖。控制單元13與基板處理裝置1之各部電性連接(參照圖1)，控制各部之動作。控制單元13包含具有運算處理部15、及記憶體17之電腦。作為運算處理部15，使用進行各種運算處理之CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)。又，記憶體17具備作為記憶基本程式之讀出專用之記憶體之ROM，作為記憶各種資訊之讀寫自如之記憶體之RAM及預先記憶有控制用軟體或資料等之磁碟。根據基板W之基板處理條件(配方(recipe))被預先儲存於磁碟中。CPU將基板處理條件讀出至RAM，依據其內容而控制基板處理裝置1之各部。 ＜1-2 乾燥輔助液＞ 其次，以下說明本實施形態中所使用之乾燥輔助液。 本實施形態之乾燥輔助液係含有乾燥輔助物質(昇華性物質)之處理液，於用以去除基板W之圖案形成面存在之液體之乾燥處理中，發揮輔助該乾燥處理之功能。 作為昇華性物質，並無特別限定，例如可列舉：六亞甲基四胺、1,3,5-三㗁烷、1-吡咯啶二硫代羧酸銨、聚乙醛、石蠟(CnH2n＋2(n：20～48))、第三丁醇、對二氯苯、萘、L-薄荷腦、氟碳化合物等。 於使用六亞甲基四胺、1,3,5-三㗁烷、1-吡咯啶二硫代羧酸銨、聚乙醛或石蠟作為昇華性物質之情形時，作為處理液之溶劑，可使用DIW或IPA。 上述氟碳化合物係於碳化合物上鍵結有作為取代基之氟基而成之化合物。於使用氟碳化合物作為昇華性物質之情形時，該氟碳化合物以熔解狀態含有於處理液中。此處，所謂「熔解狀態」係指昇華性物質因完全或一部分熔解而具有流動性，成為液狀之狀態。氟碳化合物具體而言例如較佳為下述化合物(A)～(E)之至少任一者。該等化合物可單獨使用一種或併用複數種。 化合物(A)：碳數3～6之氟烷烴或於該氟烷烴上鍵結有取代基者 化合物(B)：碳數3～6之氟環烷烴或於該氟環烷烴上鍵結有取代基者 化合物(C)：碳數10之氟雙環烷烴或於該氟雙環烷烴上鍵結有取代基者 化合物(D)：氟四氰基醌二甲烷或於該氟四氰基醌二甲烷上鍵結有取代基者 化合物(E)：氟環三磷腈或於該氟環三磷腈上鍵結有取代基者 [化合物(A)] 作為化合物(A)，可列舉下述通式(1)所表示之碳數3～6之氟烷烴。 [化1] Cm Hn F2m ＋ 2 － n (1) (其中，上述式中，m表示3以上且6以下之整數，n表示0以上之整數，且2m＋2－n≧1) 更具體而言，作為碳數3之氟烷烴，例如可列舉：CF3 CF2 CF3 、CHF2 CF2 CF3 、CH2 FCF2 CF3 、CH3 CF2 CH3 、CHF2 CF2 CH3 、CH2 FCF2 CH3 、CH2 FCF2 CH2 F、CHF2 CF2 CHF2 、CF3 CHFCF3 、CH2 FCHFCF3 、CHF2 CHFCF3 、CH2 FCHFCH2 F、CHF2 CHFCHF2 、CH3 CHFCH3 、CH2 FCHFCH3 、CHF2 CHFCH3 、CF3 CH2 CF3 、CH2 FCH2 CF3 、CHF2 CH2 CF3 、CH2 FCH2 CH2 F、CH2 FCH2 CHF2 、CHF2 CH2 CHF2 、CH3 CH2 CH2 F、CH3 CH2 CHF2 等。 又，作為碳數4之氟烷烴，例如可列舉：CF3 (CF2 )2 CF3 、CF3 (CF2 )2 CH2 F、CF3 CF2 CH2 CF3 、CHF2 (CF2 )2 CHF2 、CHF2 CHFCF2 CHF2 、CF3 CH2 CF2 CHF2 、CF3 CHFCH2 CF3 、CHF2 CHFCHFCHF2 、CF3 CH2 CF2 CH3 、CF3 CF2 CH2 CH3 、CF3 CHFCF2 CH3 、CHF2 CH2 CF2 CH3 等。 作為碳數5之氟烷烴，例如可列舉：CF3 (CF2 )3 CF3 、CF3 CF2 CF2 CHFCF3 、CHF2 (CF2 )3 CF3 、CHF2 (CF2 )3 CHF2 、CF3 CH(CF3 )CH2 CF3 、CF3 CHFCF2 CH2 CF3 、CF3 CF(CF3 )CH2 CHF2 、CHF2 CHFCF2 CHFCHF2 、CF3 CH2 CF2 CH2 CF3 、CHF2 (CF2 )2 CHFCH3 、CHF2 CH2 CF2 CH2 CHF2 、CF3 (CH2 )3 CF3 、CF3 CHFCHFCF2 CF3 等。 作為碳數6之氟烷烴，例如可列舉：CF3 (CF2 )4 CF3 、CF3 (CF2 )4 CHF2 、CF3 (CF2 )4 CH2 F、CF3 CH(CF3 )CHFCF2 CF3 、CHF2 (CF2 )4 CHF2 、CF3 CF2 CH2 CH(CF3 )CF3 、CF3 CF2 (CH2 )2 CF2 CF3 、CF3 CH2 (CF2 )2 CH2 CF3 、CF3 (CF2 )3 CH2 CF3 、CF3 CH(CF3 )(CH2 )2 CF3 、CHF2 CF2 (CH2 )2 CF2 CHF2 、CF3 (CF2 )2 (CH2 )2 CH3 等。 又，作為化合物(A)，亦可列舉於上述碳數3～6之氟烷烴上鍵結有取代基者。作為上述取代基，可列舉選自由氟基除外之鹵基(具體而言，氯基、溴基、碘基)、羥基、氧原子、烷基、羧基及全氟烷基所組成之群中之至少一種。 作為上述烷基，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基等。 作為上述全氟烷基，並無特別限定，可列舉：飽和全氟烷基、不飽和全氟烷基。又，全氟烷基可為直鏈結構或支鏈結構之任一者。作為上述全氟烷基，更具體而言，例如可列舉：三氟甲基、全氟乙基、全氟正丙基、全氟異丙基、全氟正丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟正戊基、全氟第二戊基、全氟第三戊基、全氟異戊基、全氟正己基、全氟異己基、全氟新己基、全氟正庚基、全氟異庚基、全氟新庚基、全氟正辛基、全氟異辛基、全氟新辛基、全氟正壬基、全氟新壬基、全氟異壬基、全氟正癸基、全氟異癸基、全氟新癸基、全氟第二癸基、全氟第三癸基等。 [化合物(B)] 作為化合物(B)，可列舉下述通式(2)所表示之碳數3～6之氟環烷烴。 [化2] Cm Hn F2m － n (2) (其中，上述式中，m表示3以上且6以下之整數，n表示0以上之整數，且2m－n≧1) 更具體而言，作為碳數3～6之氟環烷烴，例如可列舉：單氟環己烷、十二氟環己烷、1,1,4-三氟環己烷、1,1,2,2-四氟環丁烷、1,1,2,2,3-五氟環丁烷、1,2,2,3,3,4-六氟環丁烷、1,1,2,2,3,3-六氟環丁烷、1,1,2,2,3,3-六氟環丁烷、1,1,2,2,3,4-六氟環丁烷、1,1,2,2,3,3-六氟環戊烷、1,1,2,2,3,4-六氟環戊烷、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷、1,1,2,2,3,4,5-七氟環戊烷、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟環戊烷、1,1,2,2,3,3,4,5-八氟環戊烷、1,1,2,2,3,3,4,5-八氟環戊烷、1,1,2,2,3,4,5,6-八氟環己烷、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟環己烷、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟環環己烷、1,1,2,2,3,3,4,5-八氟環環己烷、1,1,2,2,3,4,4,5,6-九氟環己烷、1,1,2,2,3,3,4,4,5-九氟環環己烷、1,1,2,2,3,3,4,5,6-九氟環環己烷、1,1,2,2,3,3,4,5,5,6-十氟環己烷、1,1,2,2,3,3,4,4,5,6-十氟環己烷、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-十氟環環己烷、1,1,2,2,3,3,4,4,5,6-十氟環環己烷、全氟環丙烷、全氟環丁烷、全氟環戊烷、全氟環己烷等。 又，作為化合物(B)，亦可列舉於上述碳數3～6之氟環烷烴上鍵結有取代基者。作為上述取代基，可列舉選自由氟基除外之鹵基(具體而言，氯基、溴基、碘基)、羥基、氧原子、烷基、羧基及全氟烷基所組成之群中之至少一種。作為上述烷基及上述全氟烷基，並無特別限定，可列舉與上述化合物(A)中描述者相同者。 作為於上述碳數3～6之氟環烷烴上鍵結有取代基之化合物(B)之具體例，例如可列舉：1,2,2,3,3-四氟-1-三氟甲基環丁烷、1,2,4,4-四氟-1-三氟甲基環丁烷、2,2,3,3-7-四氟-1-三氟甲基環丁烷、1,2,2-三氟-1-三甲基環丁烷、1,4,4,5,5-五氟-1,2,2,3,3-五甲基環戊烷、1,2,5,5-四氟-1,2-二甲基環戊烷、3,3,4,4,5,5,6,6-八氟-1,2-二甲基環己烷、1,1,2,2-四氯-3,3,4,4-四氟環丁烷、2-氟環己醇、4,4-二氟環己酮、4,4-二氟環己烷羧酸、1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十一氟-1-(九氟丁基)環己烷、全氟甲基環丙烷、全氟二甲基環丙烷、全氟三甲基環丙烷、全氟甲基環丁烷、全氟二甲基環丁烷、全氟三甲基環丁烷、全氟甲基環戊烷、全氟二甲基環戊烷、全氟三甲基環戊烷、全氟甲基環己烷、全氟二甲基環己烷、全氟三甲基環己烷等。 [化合物(C)] 作為化合物(C)之碳數10之氟雙環烷烴，例如可列舉：氟雙環[4.4.0]癸烷、氟雙環[3.3.2]癸烷、全氟雙環[4.4.0]癸烷、全氟雙環[3.3.2]癸烷等。 又，作為化合物(C)，亦可列舉於上述碳數10之氟雙環烷烴上鍵結有取代基者。作為上述取代基，可列舉：氟基除外之鹵基(具體而言，氯基、溴基、碘基)、可具有鹵素原子之環烷基、或具有可具有鹵素原子之環烷基之烷基。 於上述可具有鹵素原子之環烷基中，作為鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。又，作為上述可具有鹵素原子之環烷基，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、全氟環丙基、全氟環丁基、全氟環戊基、全氟環己基、全氟環庚基等。 於上述具有可具有鹵素原子之環烷基之烷基中，作為鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。又，於上述具有可具有鹵素原子之環烷基之烷基中，作為可具有鹵素原子之環烷基，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、全氟環丙基、全氟環丁基、全氟環戊基、全氟環己基、全氟環庚基等。作為具有可具有鹵素原子之環烷基之烷基之具體例，例如可列舉：二氟(十一氟環己基)甲基等。 作為於上述碳數10之氟雙環烷烴上鍵結有取代基之化合物(C)之具體例，例如可列舉：2-[二氟(十一氟環己基)甲基]-1,1,2,3,3,4,4,4a,5,5,6,6,7,7,8,8,8a-十七氟十氫萘等。 [化合物(D)] 作為上述化合物(D)之氟四氰基醌二甲烷，例如可列舉四氟四氰基醌二甲烷等。 又，作為化合物(D)，亦可列舉於上述氟四氰基醌二甲烷上鍵結有至少一個氟基除外之鹵基(具體而言，氯基、溴基、碘基)者。 [化合物(E)] 作為化合物(E)之氟環三磷腈，可列舉：六氟環三磷腈、八氟環四磷腈、十氟環五磷腈、十二氟環六磷腈等。 又，作為化合物(E)，亦可列舉於上述氟環三磷腈上鍵結有取代基者。作為上述取代基，可列舉：氟基除外之鹵基(氯基、溴基、碘基)、苯氧基、烷氧基(-OR基)等。作為上述烷氧基中之R，例如可列舉：烷基、氟烷基、芳香族基等。進而，作為上述R，可列舉：甲基、乙基等烷基，三氟甲基等氟烷基，苯基等芳香族基。 作為於上述氟環三磷腈上鍵結有上述取代基之化合物(E)，具體而言，例如可列舉：六氯環三磷腈、八氯環四磷腈、十氯環五磷腈、十二氯環六磷腈、六苯氧基環三磷腈等。 作為乾燥輔助液，於昇華性物質為氟碳化合物之情形時，可為僅包含處於熔解狀態之氟碳化合物者，亦可進而含有有機溶劑。於該情形時，昇華性物質(氟碳化合物)之含量相對於乾燥輔助液之總質量，較佳為60質量%以上，更佳為95質量%以上。又，作為有機溶劑，若為對熔解狀態之昇華性物質顯示相容性者即可，並無特別限定。具體而言，例如可列舉醇類等。 ＜1-3 基板處理方法＞ 其次，以下基於圖6及圖7對使用有本實施形態之基板處理裝置1之基板處理方法加以說明。又，以下，以使用氟碳化合物作為昇華性物質之情形為例進行說明。 圖6係表示第1實施形態之基板處理裝置1之動作之流程圖。圖7係表示圖6之各步驟之基板W之情況之模式圖。再者，藉由前步驟而於基板W上形成有凹凸之圖案Wp。圖案Wp具備凸部Wp1及凹部Wp2。於本實施形態中，凸部Wp1具有100～600 nm之範圍之高度，10～50 nm之範圍之寬度。又，鄰接之2個凸部Wp1間之最短距離(凹部Wp2之最短寬度)為10～50 nm之範圍。凸部Wp1之縱橫比，即，將高度除以寬度所得之值(高度/寬度)為10～20。 又，圖7所示之(a)至(e)為止之各個步驟只要無特別說明，則於大氣壓環境下進行。此處，所謂大氣壓環境係指以標準大氣壓(1個大氣壓，1013 hPa)為中心，0.7個大氣壓以上且1.3個大氣壓以下之環境。尤其，於基板處理裝置1配置於成為正壓之無塵室內之情形時，基板W之表面Wf之環境為高於1個大氣壓。 參照圖6。首先，根據特定之基板W之基板處理程式19被操作員指示實行。其後，作為將基板W搬入至基板處理裝置1之準備，控制單元13進行動作指令，基板處理裝置1進行以下動作。 停止旋轉驅動部52之旋轉，將夾盤銷54定位於適合基板W之交付之位置。並且，藉由未圖示之開關機構而使夾盤銷54成為開狀態。 若藉由未圖示之基板搬入搬出機構而將未處理之基板W搬入基板處理裝置1內，載置於夾盤銷54上，則藉由未圖示之開關機構而使夾盤銷54成為閉狀態。 未處理之基板W由基板保持機構51保持後，藉由未圖示之濕式清洗機構，對基板進行清洗步驟S11。清洗步驟S11中包含於對基板W之表面Wf供給清洗液進行清洗後，用以去除該清洗液之沖洗處理。清洗液(於沖洗處理之情形時為沖洗液)之供給係對根據藉由控制單元13之對旋轉驅動部52之動作指令而圍繞軸A1以一定速度旋轉之基板W之表面Wf進行。作為清洗液，並無特別限定，例如可列舉：SC-1(含有氨、過氧化氫水及水之液體)或SC-2(含有鹽酸、過氧化氫水及水之液體)等。又，作為沖洗液，並無特別限定，例如可列舉DIW等。清洗液及沖洗液之供給量並無特別限定，可根據清洗範圍等而適宜設定。又，清洗時間亦無特別限定，可適宜根據需要而設定。 再者，於本實施形態中，藉由濕式清洗機構，對基板W之表面Wf供給SC-1而清洗該表面Wf後，進而對表面Wf供給DIW，去除SC-1。 圖7所示之(a)係表示清洗步驟S11之結束時點之基板W之情況。如圖7(a)所示，於形成有圖案Wp之基板W之表面Wf附著有於清洗步驟S11中供給之DIW(圖中以「60」圖示)。 返回至圖6。其次，進行對附著有DIW60之基板W之表面Wf供給IPA之IPA沖洗步驟S12。首先，控制單元13對旋轉驅動部52進行動作指令，使基板W圍繞軸A1以一定速度旋轉。 其次，控制單元13對迴轉驅動部14進行動作指令，將噴嘴32定位至基板W之表面Wf中央部。並且，控制單元13對閥門36進行動作指令，使閥門36開閥。藉此，將IPA自IPA槽37經由配管35及噴嘴32供給至基板W之表面Wf。 供給至基板W之表面Wf之IPA由於因基板W旋轉所產生之離心力，而自基板W之表面Wf中央附近向基板W之周緣部流動，擴散至基板W之表面Wf之整個面。藉此，附著於基板W之表面Wf之DIW藉由IPA之供給而被去除，基板W之表面Wf之整個面由IPA覆蓋。基板W之旋轉速度較佳為設定為使包含IPA之膜之膜厚於表面Wf之整個面高於凸部Wp1之高度之程度。又，IPA之供給量並無特別限定，可適宜設定。 IPA沖洗步驟S12結束後，控制單元13對閥門36進行動作指令，使閥門36閉閥。又，控制單元13對迴轉驅動部14進行動作指令，將噴嘴32定位於退避位置P2。 圖7所示之(b)係表示IPA沖洗步驟S12之結束時點之基板W之情況。如圖7(b)所示，於形成有圖案Wp之基板W之表面Wf附著有於IPA沖洗步驟S12中供給之IPA(圖中以「61」圖示)，DIW60被置換為IPA61而自基板W之表面Wf去除。 返回至圖6。其次，進行對附著有IPA61之基板W之表面Wf供給作為含有處於熔解狀態之乾燥輔助物質之乾燥輔助液之處理液的處理液供給步驟(供給步驟)S13。首先，控制單元13對旋轉驅動部52進行動作指令，使基板W圍繞軸Al以一定速度旋轉。此時，基板W之旋轉速度較佳為設定為使包含乾燥輔助液之液膜之膜厚於表面Wf之整個面高於凸部Wp1之高度之程度。 繼而，控制單元13對迴轉驅動部14進行動作指令，將噴嘴22定位至基板W之表面Wf中央部。並且，控制單元13對閥門26進行動作指令，使閥門26開閥。藉此，將乾燥輔助液自處理液貯存槽271經由配管25及噴嘴22供給至基板W之表面Wf。 供給之乾燥輔助液之液溫設定為至少於供給至基板W之表面Wf後為乾燥輔助物質之熔點以上且低於沸點之範圍。例如，於使用下述化學結構式所表示之1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷(沸點82.5℃)作為乾燥輔助物質之情形時，較佳為設定為35℃以上且82℃以下之範圍。又，乾燥輔助液之供給量並無特別限定，可適宜設定。 [化3]如此，將乾燥輔助液於熔點以上之高溫狀態下供給，藉此可於基板W之表面Wf形成乾燥輔助液之液膜後形成凝固體。其結果為，獲得層厚均勻之膜狀之凝固體，可減少乾燥不均之產生。再者，於基板W之溫度及腔室11內之環境溫度為乾燥輔助物質之熔點以下之情形時，若對基板W供給稍稍高於熔點之溫度之乾燥輔助液，則存在乾燥輔助液接觸基板W後於極短時間內凝固之情形。於此種情形時，無法形成均勻層厚之凝固體，難以謀求乾燥不均之減少。因此，於基板W之溫度及腔室11內之環境溫度為乾燥輔助物質之熔點以下之情形時，較佳為將乾燥輔助液之液溫調整為充分高於熔點之溫度。 對基板W之表面Wf供給之乾燥輔助液由於因基板W旋轉所產生之離心力，而自基板W之表面Wf中央附近向基板W之周緣部流動，擴散至基板W之表面Wf之整個面。藉此，附著於基板W之表面Wf之IPA藉由乾燥輔助液之供給而被去除，基板W之表面Wf之整個面由乾燥輔助液覆蓋。處理液供給步驟S13結束後，控制單元13對閥門26進行動作指令，使閥門26閉閥。又，控制單元13對迴轉驅動部14進行動作指令，將噴嘴22定位於退避位置Pl。 圖7所示之(c)係表示處理液供給步驟S13之結束時點之基板W之情況。如圖7(c)所示，於形成有圖案Wp之基板W之表面Wf附著有於處理液供給步驟S13中供給之乾燥輔助液(圖中以「62」圖示)，IPA61被置換為乾燥輔助液62而自基板W之表面Wf去除。 返回至圖6。其次，進行使供給至基板W之表面Wf之乾燥輔助液62凝固，形成乾燥輔助物質之凝固膜之凝固步驟S14。首先，控制單元13對旋轉驅動部52進行動作指令，使基板W圍繞軸A1以一定速度旋轉。此時，基板W之旋轉速度設定為可使乾燥輔助液62於表面Wf之整個面形成高於凸部Wpl之特定厚度之膜厚之程度之速度。 繼而，控制單元13對迴轉驅動部14進行動作指令，將噴嘴42定位至基板W之表面Wf中央部。並且，控制單元13對閥門46進行動作指令，使閥門46開閥。藉此，將氣體(於本實施形態中，冷卻至凝固點以下之氮氣)自貯氣槽47經由配管45及噴嘴42向基板W之表面Wf供給。 向基板W之表面Wf供給之氮氣由於因基板W旋轉所產生之離心力，而自基板W之表面Wf中央附近向基板W之周緣部方向流動，擴散至由乾燥輔助液62覆蓋之基板W之表面Wf之整個面。藉此，形成於基板W之表面Wf之乾燥輔助液62之液膜冷卻至乾燥輔助物質之凝固點以下之低溫而凝固，形成凝固體。 圖7所示之(d)係表示凝固步驟S14之結束時點之基板W之情況。如圖7(d)所示，於處理液供給步驟S13中供給之乾燥輔助液62藉由冷卻至凝固點以下之氮氣之供給而冷卻凝固，形成含有乾燥輔助物質之凝固體(圖中以「63」圖示)。 返回至圖6。其次，進行使形成於基板W之表面Wf之凝固體63昇華，自基板W之表面Wf去除的昇華步驟S15。於昇華步驟S15中，亦承接凝固步驟S14繼續自噴嘴42供給氣體(氮氣)。 此處，氮氣中之乾燥輔助物質之蒸氣之分壓設定為低於該氮氣之供給溫度下之乾燥輔助物質之飽和蒸氣壓。因此，若將此種氮氣供給至基板W之表面Wf，與凝固體63接觸，則乾燥輔助物質自該凝固體63於氮氣中昇華。又，氮氣之溫度低於乾燥輔助物質之熔點，故而可防止凝固體63之熔解並且進行凝固體63之昇華。 藉此，藉由固體狀態之乾燥輔助物質之昇華而去除於基板W之表面Wf上存在之IPA等物質時，可一面防止對圖案Wp作用表面張力而抑制圖案倒塌之產生，一面良好地乾燥基板W之表面Wf。 於本實施形態中，於凝固步驟S14及昇華步驟S15中，使用共通之氣體供給機構41，以乾燥輔助物質之凝固點以下之溫度，供給作為對乾燥輔助物質為惰性之氣體之氮氣。藉此，凝固步驟S14後，可立即開始昇華步驟S15，可減少伴隨使基板處理裝置1之各部動作之處理時間或使其動作之控制單元13之基板處理程式19之記憶體量。又，亦可減少處理中所使用之零件數，故而存在可減少裝置成本之效果。尤其，於本實施形態中不使用減壓機構71，故而可省略減壓機構71。 再者，昇華步驟S15亦可於凝固步驟S14之步驟中開始。如上所述，乾燥輔助液62之液膜之凝固係自該基板W之表面Wf中央附近向基板W之周緣部方向進行。故而，對於在凝固體63中於凝固步驟S14之初期階段形成之基板W之表面Wf中央附近之部分，即便為凝固步驟S14之步驟中亦可實施昇華步驟S15。藉此，可謀求基板之處理時間之縮短化。 返回至圖6。進行昇華步驟S15時，亦一併進行去除自凝固體63之昇華界面析出之有機物之紫外線照射步驟(有機物去除步驟)S16。紫外線照射步驟S16至少與昇華步驟S15重疊進行即可，於本實施形態中，藉由自紫外線燈82對凝固體63之昇華界面直接照射紫外線而進行。藉此，凝固體63中所含之有機物可於昇華界面析出時被分解去除。其結果為可防止有機物由於相互作用而成為凝集狀態時對凹凸之圖案Wp產生作用而引起圖案倒塌。 紫外線照射步驟S16具體而言係藉由如下方式進行：控制單元13對點亮電路83進行動作指令，使紫外線燈82點亮。此處，控制單元13亦對點亮電路83進行關於紫外線之照射方向或照射範圍之動作指令，對凝固體63之昇華界面照射紫外線。凝固體63之昇華例如係一面自基板W之表面Wf中央附近向周緣部方向以同心圓狀擴張一面進行。因此，紫外線之照射較佳為以如下方式控制：一面配合追隨凝固體63之昇華之進行一面進行，且不對凝固體63已昇華並露出基板W之面進行照射。藉此，可防止因紫外線照射而導致基板W氧化受損。 再者，凝固體63中所含之有機物係至少於凝固體63之乾燥輔助物質昇華之條件下不具有昇華性之物質。並且，上述有機物中，除乾燥輔助液62中原本所含者外，亦包含於清洗步驟S11至凝固步驟S14為止之任意步驟中不可避免混入之雜質。又，上述有機物中亦可包含作為上述不具有昇華性之物質且視需要添加者。 關於紫外線之照射條件，自紫外線燈82照射之紫外線之波長區域並無特別限定，可於數十奈米(nm)～400奈米之範圍內適宜設定。又，紫外線之累計光量並無特別限定，就提高有機物之去除效率之觀點而言，較佳為10 mW/cm2 ～10 W/cm2 之範圍。 於本實施形態中，紫外線照射步驟S16與昇華步驟S15之開始一同開始，與昇華步驟S15之結束一同結束。藉此，可無遺漏地分解去除昇華步驟S15之步驟中析出之有機物，並且可抑制對基板W之圖案形成面等之不需要之紫外線照射。 其中，關於紫外線照射步驟S16之開始時點，本發明並不限定於該實施形態。例如，紫外線照射步驟S16之開始可自昇華步驟S15之開始前開始，亦可於昇華步驟S15之步驟中開始。於紫外線例如為波長區域為185 nm以下者之情形時，其自身具有較強之化學作用，並且與空氣中之氧產生反應而生成臭氧。因此，若自昇華步驟S15之開始前開始紫外線照射步驟S16，進行上述波長區域之紫外線照射，可預先產生臭氧。其結果為亦可藉由臭氧分解(臭氧氧化)而去除有機物。進而，藉由一併照射波長區域為250 nm左右之紫外線，可將藉由波長區域為185 nm以下之紫外線照射而生成之臭氧分解為活性氧，可進一步提高有機物之去除效果。又，於至紫外線燈82之紫外線照射之輸出穩定為止需要一定時間之情形時，藉由自昇華步驟S15之開始前預先開始紫外線照射步驟S16，可於實際分解去除有機物時謀求穩定之輸出。 再者，於本發明中，欠佳的是於昇華步驟S15之結束後開始紫外線照射步驟S16。其原因在於：昇華步驟S15結束後，於凝固體63之昇華界面析出之有機物成為凝集狀態而產生圖案Wp之倒塌。圖案Wp倒塌後，即便去除基板W上之有機物之殘渣，亦無法防止圖案倒塌，無法獲得本發明之效果。 又，關於紫外線照射步驟S16之結束時點，本發明並不限定於該實施形態，例如可於昇華步驟S15之步驟中結束。或者，亦可於昇華步驟S15之結束後結束紫外線照射步驟S16。例如，於昇華步驟S15之結束後結束紫外線照射步驟S16之情形時，可無遺漏地分解去除析出之有機物，可進一步減少圖案倒塌之產生。 因昇華步驟S15連續進行，故而較佳為紫外線照射步驟S16根據該昇華步驟S15之進行程度等而連續進行。藉此謀求處理效率之提高。但本發明不排除根據需要間斷地進行紫外線照射步驟S16。 圖7所示之(e)係表示昇華步驟S15及紫外線照射步驟S16之步驟中之基板W之情況。如圖7(e)所示，於凝固步驟S14中形成之乾燥輔助物質之凝固體63例如藉由氮氣之供給而昇華，從而自表面Wf去除。又，於凝固體63之昇華之過程中，亦一併分解去除於分凝固體63之昇華界面析出之有機物。藉此，完成基板W之表面Wf之乾燥。 昇華步驟S15結束後，控制單元13對閥門46進行動作指令，使閥門46閉閥。又，控制單元13對迴轉驅動部14進行動作指令，將噴嘴42定位於退避位置P3。又，紫外線照射步驟S16結束後，控制單元13對點亮電路83進行動作指令，使紫外線燈82熄滅。 藉由以上內容，結束一連串之基板乾燥處理。如上述之基板乾燥處理後，利用未圖示之基板搬入搬出機構而將乾燥處理完畢之基板W自腔室11搬出。 如上所述，於本實施形態中，將含有乾燥輔助物質之乾燥輔助液供給至附著有IPA之基板W之表面Wf，使該乾燥輔助液於基板W之表面Wf凝固而形成含有乾燥輔助物質之凝固體後，使該凝固體昇華，自基板W之表面Wf去除，藉此進行基板W之乾燥處理。並且，凝固體中之昇華性物質之昇華時，藉由紫外線照射分解去除於昇華界面析出之有機物，藉此可減少因該有機物間之相互作用而導致之圖案Wp之倒塌之產生。 (第2實施形態) 以下說明本發明之第2實施形態。本實施形態與第1實施形態相比較於以下方面不同：藉由臭氧氣體之供給代替紫外線照射進行有機物去除步驟。藉由此種構成，亦可減少因自凝固體析出之有機物而導致之圖案倒塌，並且良好地乾燥基板之表面。 ＜2-1 基板處理裝置之構成及處理液＞ 適宜參照圖8及圖9，對第2實施形態之基板處理裝置進行說明。圖8係表示本實施形態之基板處理裝置10之概略之說明圖。圖9係表示基板處理裝置10之內部構成之概略平面圖。 第2實施形態之基板處理裝置10除具備臭氧氣體供給機構(有機物去除機構)91代替紫外線照射機構81之方面外，具有與第1實施形態之基板處理裝置1基本相同之構成(參照圖8)。又，第2實施形態之控制單元具有與第1實施形態之控制單元13相同之構成。因此，關於具有相同功能者，附記相同符號而省略其說明。 臭氧氣體供給機構91係對基板W之圖案形成面供給臭氧氣體之單元，如圖8所示，至少具備噴嘴92、支臂93、迴轉軸94、配管95、閥門96及臭氧(O3 )氣體槽97。 臭氧氣體槽97經由配管95與噴嘴92管路連接，於配管95之路徑中途插介閥門96。臭氧氣體槽97中貯存臭氧氣體，藉由未圖示之加壓機構將臭氧氣體槽97內之臭氧氣體加壓，臭氧氣體自配管95被送至噴嘴92方向。作為用以加壓臭氧氣體之機構，除藉由泵等之加壓外，亦可藉由將氣體壓縮貯存於臭氧氣體槽97內而實現，故而可使用任一種加壓機構。再者，臭氧氣體之供給源可為設置於工廠內之實體設備等。 閥門96與控制單元13電性連接，通常為閉閥。閥門96之開關藉由控制單元13之動作指令而控制。若藉由控制單元13之動作指令而使閥門96開閥，則臭氧氣體經由配管95，自噴嘴92供給至基板W之表面Wf。 噴嘴92安裝於水平延伸設置之支臂93之前端部，配置於旋轉基底53之上方。支臂93之後端部藉由於Z方向上延伸設置之迴轉軸94而圍繞軸J4旋轉自如地被支持，迴轉軸94固設於腔室11內。經由迴轉軸94，支臂93與迴轉驅動部14連結。迴轉驅動部14與控制單元13電性連接，藉由來自控制單元13之動作指令而使支臂93圍繞軸J4旋動。伴隨支臂93之旋動，噴嘴92亦移動。 如圖9中實線所示，噴嘴92通常為較之基板W之周緣部之更外側，配置於較之飛散防止杯12之更外側之退避位置P4。若支臂93藉由控制單元13之動作指令而旋動，則噴嘴92沿箭頭AR4之路徑移動，配置於基板W之表面Wf之中央部(軸A1或其附近)之上方位置。 再者，基板處理裝置10中可設置用以將噴嘴92與基板W之間之一定空間自腔室11內之環境阻斷之阻斷機構。藉此，可防止自噴嘴92吹出之臭氧氣體擴散至基板W以外之周圍，導致於昇華界面析出之有機物之去除效率下降。作為阻斷機構，例如可列舉於噴嘴92上設置阻斷板等之態樣。 又，基板處理裝置10中可設置用以對臭氧氣體進行排氣之臭氧氣體排氣機構(未圖示)。藉此，可進行自臭氧氣體供給機構91供給至凝固體63之昇華界面之臭氧氣體之抽氣及排氣。關於臭氧氣體排氣機構之構成，並無特別限定，例如可列舉至少具備臭氧氣體用排氣泵、排氣管、閥門及抽氣噴嘴等者。於該情形時，臭氧氣體用排氣泵經由排氣管與抽氣噴嘴管路連接，且亦與控制單元13電性連接。臭氧氣體用排氣泵之驅動藉由控制單元13之動作指令而控制，通常為停止狀態。又，排氣管中插介閥門。閥門與控制單元13電性連接，通常為閉閥。閥門之開關藉由控制單元13之動作指令而控制。上述構成之臭氧氣體排氣機構自抽氣噴嘴對臭氧氣體進行局部抽氣從而可排氣，故而可控制基板處理裝置10內之壓力條件等大幅變動。 又，於本實施形態中，以於基板處理裝置10中設置臭氧氣體供給機構91之態樣為例進行了說明，但本發明並不限定於該態樣。例如，亦可使氣體供給機構41具備作為臭氧氣體供給機構之功能。於該情形時，可採用如下單元構成：用以貯存臭氧氣體之槽經由其他配管與噴嘴42管路連接，進而於其他配管之路徑中途插介其他閥門。並且，控制單元13藉由使其他閥門進行開關動作，可適時地將槽內之臭氧氣體經由其他配管自噴嘴42供給。 ＜2-2 基板處理方法＞ 其次，說明使用基板處理裝置10之第2實施形態之基板處理方法。 第2實施形態之基板處理方法與第1實施形態之基板處理方法相比較，除使用基板處理裝置10外，於以下方面不同：作為有機物去除步驟，進行臭氧氣體供給步驟代替紫外線照射步驟。 圖10係表示使用基板處理裝置10之基板處理方法之流程圖。圖11係表示本實施形態之各步驟之基板W之情況之模式圖。 於第2實施形態中，清洗步驟S11、IPA沖洗步驟S12、處理液供給步驟S13、凝固步驟S14及昇華步驟S15之各步驟與第1實施形態相同。因此，省略圖10及圖11中之與其等相對應之處之說明。 臭氧氣體供給步驟S17係以與昇華步驟S15至少一部分重疊之方式進行。 於本實施形態中，臭氧氣體供給步驟S17係藉由使臭氧氣體供給機構91以凝固體63之昇華界面接觸臭氧氣體之方式供給臭氧氣體而實施。藉此，可將於凝固體63之昇華界面析出之有機物氧化而分解去除。藉此，可防止因有機物彼此之相互作用而成為凝集狀態時，對凹凸之圖案Wp作用引力，從而引起圖案倒塌。 此處，為使凝固體63昇華而向基板W之表面Wf中央附近供給之氮氣由於因基板W旋轉所產生之離心力，而向基板W之周緣部方向流動。故而，凝固體63之昇華亦自基板W之表面Wf中央附近開始，以同心圓狀向基板W之周緣部方向擴大昇華之區域。因此，較佳為臭氧氣體之供給亦一面追隨自基板W之中央附近向周緣部方向拡大之昇華界面一面進行。 臭氧氣體中可含有氮氣等惰性氣體。又，臭氧氣體之濃度並無特別限定，就提高有機物之去除效率之觀點而言，相對於總體積量，較佳為0.01體積%～100體積%之範圍，更佳為5體積%～100體積%之範圍。藉由使臭氧氣體之濃度為0.01體積%以上，可維持有機物之分解去除能力，減少圖案Wp之倒塌之產生。另一方面，藉由使臭氧氣體之濃度為100體積%以下，可防止基板W之表面Wf氧化而受損。臭氧氣體之供給量並無特別限定，就提高有機物之去除效率之觀點而言，較佳為10 L/min～300 L/min之範圍。藉由使臭氧氣體之供給量為10 L/min以上，可維持有機物之分解去除能力，減少圖案Wp之倒塌之產生。另一方面，若臭氧氣體之供給量為上限之300 L/min左右，例如於噴嘴92中使用阻斷板等之情形時，可不夾帶腔室11內之環境而充分供給臭氧氣體至基板W上。 於本實施形態中，臭氧氣體供給步驟S17與第1實施形態之紫外線照射步驟S16之情形同樣地，與昇華步驟S15之開始一同開始，與昇華步驟S15之結束一同結束。藉此，可無遺漏地分解去除昇華步驟S15之步驟中析出之有機物。 又，臭氧氣體供給步驟S17之開始可為昇華步驟S15之開始前或其步驟中。但欠佳的是於昇華步驟S15之結束後開始臭氧氣體供給步驟S17。如亦於第1實施形態中所述，其原因在於：昇華步驟S15結束後，圖案Wp之倒塌已產生，於圖案Wp之倒塌後，即便去除基板W上之有機物之殘渣，亦無法防止圖案倒塌，無法獲得本發明之效果。 又，臭氧氣體供給步驟S17之結束可為昇華步驟S15之步驟中或其結束後。例如，於昇華步驟S15之結束後結束臭氧氣體供給步驟S17之情形時，可無遺漏地分解去除析出之有機物，可進一步減少圖案倒塌之產生。 因昇華步驟S15連續進行，故而較佳為臭氧氣體供給步驟S17根據該昇華步驟S15之進行程度等而連續進行。藉此，可謀求處理效率之提高。然而，本發明中並不排除根據需要間斷進行臭氧氣體供給步驟S17。 圖11所示之(e)係表示昇華步驟S15及臭氧氣體供給步驟S17之步驟中之基板W之情況。如圖11(e)所示，於凝固步驟S14中形成之乾燥輔助物質之凝固體63例如藉由氮氣之供給而昇華，從而自表面Wf去除。又，於凝固體63之昇華之過程中，亦一併分解去除於凝固體63之昇華界面析出之有機物。藉此，完成基板W之表面Wf之乾燥。 昇華步驟S15結束後，控制單元13對閥門46進行動作指令，使閥門46閉閥。又，控制單元13對迴轉驅動部14進行動作指令，將噴嘴42定位於退避位置P3。又，臭氧氣體供給步驟S17結束後，控制單元13對閥門96進行動作指令，使閥門96閉閥。又，控制單元13對迴轉驅動部14進行動作指令，將噴嘴92定位於退避位置P4。 藉由以上內容，結束本實施形態之一連串之基板乾燥處理。如上述之基板乾燥處理後，藉由未圖示之基板搬入搬出機構而將乾燥處理完畢之基板W自腔室11搬出。 (其他事項) 於以上之說明中，說明了本發明之較佳實施態樣。然而，本發明並不限定於該等實施態樣，可以其他各種形態實施。以下，例示其他主要形態。 於第1實施形態及第2實施形態中，以分別進行紫外線照射步驟S16或臭氧氣體供給步驟S17作為有機物去除步驟之情形為例進行了說明。然而，本發明並不限定於該等實施形態，可併用紫外線照射步驟S16與臭氧氣體供給步驟S17。於該情形時，紫外線照射步驟S16及臭氧氣體供給步驟S17至少與昇華步驟S14一部分重疊進行。具體而言，例如，可於昇華步驟S15之步驟中同時進行紫外線照射步驟S16與臭氧氣體供給步驟S17。又，亦可於昇華步驟S15之步驟中以任意順序進行紫外線照射步驟S16及臭氧氣體供給步驟S17。再者，作為於該態樣中使用之基板處理裝置，例如可使用於第1實施形態之基板處理裝置1中進而具備作為對基板W之圖案形成面供給臭氧氣體之單元之臭氧氣體供給機構91者。 又，於第1實施形態及第2實施形態中，以使用氣體供給機構41作為凝固機構及昇華機構之情形為例進行了說明。然而，本發明並不限定於該等實施形態，作為凝固機構及昇華機構，可使用將腔室11之內部減壓之減壓機構71。 於使用減壓機構71作為凝固機構之情形之凝固步驟S14中，控制單元13對排氣泵72進行動作指令，開始排氣泵72之驅動。並且控制單元13對閥門74進行動作指令，使閥門74開閥。藉此，腔室11內部之氣體經由配管73排氣至腔室11外部。除配管73以外使腔室11內部成為密閉狀態，藉此將腔室11之內部環境自大氣壓減壓。減壓係自大氣壓(約1個大氣壓，約1013 hPa)進行至17×10-5 個大氣壓(17 Pa)左右。再者，於本案發明之實施中，並不限定於該氣壓，減壓後之腔室11內之氣壓可根據腔室11等之耐壓性等而適宜設定。 若腔室11內減壓，則供給至基板W之表面Wf之乾燥輔助液62發生蒸發，由於該氣化熱，乾燥輔助液62冷卻凝固。 又，於昇華步驟S15中亦使用減壓機構71作為昇華機構之情形時，承接凝固步驟S14繼續藉由減壓機構71之腔室11內之減壓處理。藉由該減壓處理，腔室11內之環境成為低於乾燥輔助物質之飽和蒸氣壓之壓力。因此，若維持此種減壓環境，則可產生乾燥輔助物質自凝固體63之昇華。 再者，昇華性物質自凝固體63昇華而氣化時，該凝固體被奪去作為昇華熱之熱。故而，凝固體63冷卻。因此，即便於稍高於昇華性物質之熔點之溫度環境下，亦可不用另外冷卻凝固體63，而維持為低於昇華性物質之熔點之溫度之狀態。其結果為，可防止凝固體63中之昇華性物質之熔解並進行昇華性物質之昇華。又，無需另外設置冷卻機構，故而可減少裝置成本或處理成本。 又，於本發明中，亦可於凝固步驟S14與昇華步驟S15之間，進行使凝固體63升溫至凝固體63不熔解之程度為止之升溫步驟。藉此，可增快昇華步驟S15之昇華速度，謀求處理時間之縮短。又，於設置升溫步驟之情形時，有機物去除步驟(紫外線照射步驟S16或臭氧氣體供給步驟S17)可自凝固步驟S14、升溫步驟或昇華步驟S15之任一個步驟中開始。其中，有機物去除步驟於昇華步驟S15之步驟中、結束時或結束後之任一個時點結束。再者，升溫步驟中之凝固體63之升溫可藉由使用加熱器等加熱機構，加熱凝固體63而進行。 [產業上之可利用性] 本發明可全面應用於將附著於基板表面之液體去除之乾燥技術及使用該乾燥技術處理基板表面之基板處理技術。
1、10‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧腔室
12‧‧‧飛散防止杯
13‧‧‧控制單元
14‧‧‧迴轉驅動部
15‧‧‧運算處理部
17‧‧‧記憶體
19‧‧‧基板處理程式
20‧‧‧氧氣濃度
21‧‧‧處理液供給機構(供給機構)
22‧‧‧噴嘴
23‧‧‧支臂
24‧‧‧迴轉軸
25‧‧‧配管
26‧‧‧閥門
27‧‧‧處理液貯存部
31‧‧‧IPA供給機構
32‧‧‧噴嘴
33‧‧‧支臂
34‧‧‧迴轉軸
35‧‧‧配管
36‧‧‧閥門
37‧‧‧IPA槽
41‧‧‧氣體供給機構(凝固機構、昇華機構)
42‧‧‧噴嘴
43‧‧‧支臂
44‧‧‧迴轉軸
45‧‧‧配管
46‧‧‧閥門
47‧‧‧貯氣槽
51‧‧‧基板保持機構
52‧‧‧旋轉驅動部
53‧‧‧旋轉基底
54‧‧‧夾盤銷
60‧‧‧DIW
61‧‧‧IPA
62‧‧‧乾燥輔助液
63‧‧‧凝固體
71‧‧‧減壓機構
72‧‧‧排氣泵
73‧‧‧配管
74‧‧‧閥門
81‧‧‧紫外線照射機構(有機物去除機構)
82‧‧‧紫外線燈
83‧‧‧點亮電路
91‧‧‧臭氧氣體供給機構(有機物去除機構)
92‧‧‧噴嘴
93‧‧‧支臂
94‧‧‧迴轉軸
95‧‧‧配管
96‧‧‧閥門
97‧‧‧臭氧氣體槽
271‧‧‧處理液貯存槽
272‧‧‧溫度調整部
273‧‧‧配管
274‧‧‧加壓部
275‧‧‧氮氣槽
276‧‧‧泵
277‧‧‧攪拌部
278‧‧‧攪拌控制部
279‧‧‧旋轉部
471‧‧‧氣體貯存部
472‧‧‧氣體溫度調整部
A1、J1、J2、J3、J4‧‧‧軸
AR1、AR2、AR3、AR4‧‧‧箭頭
P1、P2、P3、P4‧‧‧退避位置
S11‧‧‧清洗步驟
S12‧‧‧IPA沖洗步驟
S13‧‧‧處理液供給步驟(供給步驟)
S14‧‧‧凝固步驟
S15‧‧‧昇華步驟
S16‧‧‧紫外線照射步驟(有機物去除步驟)
S17‧‧‧臭氧氣體供給步驟(有機物去除步驟)
W‧‧‧基板
Wb‧‧‧(基板之)背面
Wf‧‧‧(基板之)表面
Wp‧‧‧(基板表面之)圖案
Wp1‧‧‧(圖案之)凸部
Wp2‧‧‧(圖案之)凹部
圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之概略之說明圖。 圖2係表示上述基板處理裝置之概略平面圖。 圖3係表示上述基板處理裝置之控制單元之概略構成之說明圖。 圖4A係表示上述基板處理裝置之乾燥輔助液貯存部之概略構成之方塊圖。 圖4B係表示該乾燥輔助液貯存部之具體構成之說明圖。 圖5係表示上述基板處理裝置之貯氣槽之概略構成之方塊圖。 圖6係表示使用上述基板處理裝置之基板處理方法之流程圖。 圖7(a)～(e)係表示上述基板處理方法之各步驟之基板之情況之圖。 圖8係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置之概略之說明圖。 圖9係表示上述基板處理裝置之概略平面圖。 圖10係表示使用上述基板處理裝置之基板處理方法之流程圖。 圖11(a)～(e)係表示上述第2實施形態之基板處理方法之各步驟之基板之情況之圖。

Claims (8)

  1. 一種基板處理方法，其特徵在於：包含 對基板之圖案形成面供給含有昇華性物質之處理液的供給步驟、 使上述處理液於上述圖案形成面上凝固而形成凝固體的凝固步驟、 使上述凝固體昇華而自上述圖案形成面去除的昇華步驟、以及 將上述凝固體昇華時於該凝固體之昇華界面析出之有機物去除的有機物去除步驟， 上述有機物去除步驟與上述昇華步驟至少一部分重疊進行。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述有機物去除步驟於上述昇華步驟之開始前、開始時或步驟中進行。
  3. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述有機物去除步驟於上述昇華步驟之步驟中、結束時或結束後結束。
  4. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述有機物去除步驟連續進行。
  5. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述昇華步驟於上述凝固步驟中開始。
  6. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述有機物去除步驟係對上述昇華步驟中之凝固體之昇華界面照射紫外線之步驟。
  7. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述有機物去除步驟係使上述昇華步驟中之凝固體之昇華界面接觸臭氧氣體之步驟。
  8. 一種基板處理裝置，其特徵在於：其係用於如請求項1至7中任一項之基板處理方法者，且具備 對基板之圖案形成面供給含有昇華性物質之處理液的供給機構、 使上述處理液於上述圖案形成面上凝固而形成凝固體的凝固機構、 使上述凝固體昇華而自上述圖案形成面去除的昇華機構、以及 將上述凝固體昇華時於該凝固體之昇華界面析出之有機物去除的有機物去除機構， 上述有機物去除機構至少對利用上述昇華機構之昇華中之凝固體進行有機物之去除。
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