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TWI644056B - 具非對稱結構的發光裝置、包含該發光裝置之背光模組及該發光裝置之製造方法 - Google Patents

具非對稱結構的發光裝置、包含該發光裝置之背光模組及該發光裝置之製造方法 Download PDF

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TWI644056B
TWI644056B TW106124542A TW106124542A TWI644056B TW I644056 B TWI644056 B TW I644056B TW 106124542 A TW106124542 A TW 106124542A TW 106124542 A TW106124542 A TW 106124542A TW I644056 B TWI644056 B TW I644056B
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Abstract

本發明提出一種具非對稱結構的發光裝置，包含一覆晶式LED晶片、一螢光結構(或一透光結構)、及一反射結構。其中，螢光結構覆蓋於LED晶片之上表面及/或立面，而反射結構則部分地覆蓋螢光結構之側面。藉此，該晶片級封裝發光裝置之特定發光方向可選擇性地被有效限制，進而提供一非對稱性光形；亦可進一步形成側向式結構之發光裝置，即其主要發光面與電極面相互垂直。本發明另提出一包含上述晶片級封裝發光裝置之背光模組及該發光裝置之製造方法。使用體積小之發光裝置有利於應用在需使用側入式背光光源之窄邊框顯示器。

Description

具非對稱結構的發光裝置、包含該發光裝置之背光模組及該發光裝置之製 造方法
本發明有關一種發光裝置、包含該發光裝置之背光模組及該發光裝置之製造方法，特別關於包含覆晶式LED晶片之晶片級封裝(chip scale packaging，CSP)發光裝置、背光模組及其製造方法。
LED(light emitting device)晶片係普遍地被使用來提供照明光源或配置於電子產品中做為背光光源或指示燈，而LED晶片通常會置於一封裝結構中，且可被一光致發光材料或反射材料包覆或覆蓋，以成為一發光裝置。
其中，廣泛被使用之支架型(PLCC-type)LED發光裝置依發光方向可分為正向式(top-view)與側向式(side-view)兩大類。正向式LED發光裝置被大量地應用於一般照明之光源或直下式液晶電視之背光光源，而側向式LED發光裝置則被大量地應用於側入式液晶電視與行動裝置之背光光源。先前技術所揭露之正向式與側向式LED發光裝置各自皆具有一個發光面，該LED發光裝置的光學軸通常定義於通過該發光面(例如一矩形)之中心點且與該發光面垂直之軸線，為簡單說明起見，於此定義一組皆與光學軸垂直之長度方向與寬度方向，其中，長度方向與寬度方向彼 此亦互相垂直。如沿著正向式LED發光裝置(或側向式LED發光裝置)之長度方向與寬度方向分別進行光形量測時，可獲得相同(或近似)的發光光形(radiation pattern)。因先前技術所揭露之正向式與側向式LED發光裝置在其長度方向與寬度方向皆具有相同或近似之光形，故廣泛被使用之支架型(PLCC-type)LED發光裝置屬於對稱性光形。
此對稱性光形之LED發光裝置無法滿足部分需要非對稱性光源之應用，例如路燈照明，其需蝠翼型(batwing)之非對稱性光源。而側入式液晶電視與行動裝置之背光模組之光源，更需在一長度方向(即背光模組的長度方向)上提供較大角度之光形，如此在長度方向上大角度之光形可提供較均勻的光分佈，因而減少導光板暗區的產生，或減少LED光源的使用顆數；側入式光源亦需在寬度方向抑或是厚度方向(對應背光模組的厚度方向者)上提供較小角度之光形，可使LED光源所發出之光線更有效率地傳遞至背光模組，因而減少光能量損耗。
對支架型LED發光裝置而言，無論是正向式或側向式，皆是由具凹槽(或反射杯)設計之支架為主體結構，搭配LED晶片與螢光膠體封裝而成，其中，支架乃透過模造成型(molding)進行製作。若支架型LED發光裝置要產生非對稱性之光形，傳統上通常採用額外之一次光學透鏡或二次光學透鏡來達成所需之最終光形，這無可避免地會大幅增加製造成本，且大幅增加整體上所使用空間而不利終端產品之設計；若不採用光學透鏡來調整光形，則需將支架之凹槽反射結構製作成具有部分可透光之特性，使光線可穿透此可透光結構向外傳遞，進而改變光形，但支架之凹槽反射結構通常經由模造形成，故具有非對稱幾何結構之發光裝置，例如部 分可透光結構之凹槽結構，在製作上具有很高的困難度而不易實現。因此，支架型LED發光裝置尚無簡易且低成本之方法來達成非對稱性光形。
由於液晶電視與行動裝置在尺寸上不斷地朝輕薄短小發展，因此，做為背光光源之支架型LED發光裝置亦持續地縮小尺寸，而在此趨勢下，具有小尺寸外形的晶片級封裝(chip scale packaging，CSP)LED發光裝置便一躍而成為產業界的發展主力之一，例如，LED業界已推出CSP LED發光裝置用來取代正向式之支架型LED於直下式背光液晶電視之應用，藉此可進一步縮小LED光源的尺寸，同時又可獲得更高的發光強度(light intensity)，更小的尺寸有利於二次光學透鏡之設計，而更高的發光強度則有利於減少LED發光裝置的使用數量。
在發光特性上，現有之CSP LED發光裝置可分為正面發光(top emitting)與五面發光(5-surface emitting)兩種型式，正面發光CSP LED發光裝置使用反射材料覆蓋LED晶片之四個側面，光線僅由上表面向外傳輸，因此具有較小之發光角度(約120°)，五面發光CSP LED發光裝置之光線可由上表面與四個側面向外傳遞，因此具有較大之發光角度(約140°~160°)，然而，如同支架型LED發光裝置，此兩種形式之CSP LED發光裝置皆屬於對稱性光形，皆無法滿足某些非對稱性光形之應用。此外，對CSP LED發光裝置而言，若採用一次光學透鏡或二次光學透鏡來產生非對稱性光形，不但明顯增加了生產成本，更大幅增加了CSP LED發光裝置的尺寸、或其在使用上所需之空間，如此將失去CSP LED發光裝置小尺寸的優勢。然而，現有CSP LED發光裝置至今仍缺乏有效方案可達成非對稱性之光形。
此外，雖CSP LED可大幅縮小尺寸，但現有習知之CSP LED發光裝置皆為正向式(top-view)結構，即其主要發光面與電極面相互平行，其應用於側入式背光顯示器時，需使用特殊之L型燈條(light bar)設計，將發光裝置之主要發光面朝向導光板之入光側面，如此將增加了燈條之製作困難度及生產成本，並且增加了燈條模組在發光面之法線方向之厚度，造成較大的顯示器邊框尺寸。若能採用側向式(side-view)結構之CSP LED發光裝置，即其主要發光面與電極面相互垂直，則可有效降低燈條模組在發光面方向之厚度，然而目前尚無技術可製作側向式結構之CSP LED發光裝置。
因此，如何在具有小尺寸優勢之CSP LED發光裝置中，以低成本且有效之方法來形成具有非對稱性幾何結構的發光裝置，達成非對稱性之光形，或是形成主要發光面與電極面相互垂直之側向式結構CSP LED發光裝置，使CSP LED發光裝置在保有小尺寸之下，可應用於側入式背光模組並減少燈條模組在發光面方向之厚度，以進一步縮小顯示器邊框尺寸，為目前業界待建立之技術。
本發明之一目的在於提供一種具有非對稱幾何結構之晶片級封裝發光裝置、包含該發光裝置之背光模組及該發光裝置之製造方法，俾使發光裝置於特定發光方向上被有效地限制，以提供較佳之非對稱光形。
本發明之另一目的在於提供一種主要發光面與電極面相互垂直之晶片級封裝發光裝置、包含該發光裝置之背光模組及該發光裝置之製造方法，以形成一側向式發光之發光裝置。
為達上述目的，本發明所揭露的一種具有非對稱幾何結構之發光裝置，包含：一LED晶片、一螢光結構及一反射結構。其中，該LED晶片具有一上表面、相對於該上表面之一下表面、一立面及一電極組，該立面形成於該上表面與該下表面之間，該電極組設置於該下表面上，該電極組與該下表面形成一下電極面，其中，沿著該上表面定義有相互垂直的一第一水平方向與一第二水平方向。該螢光結構具有一頂面、相對於該頂面之一底面及一側面，該側面形成於該頂面與該底面之間，該螢光結構覆蓋該LED晶片之該上表面及/或該立面。而該反射結構則部分地覆蓋該螢光結構之該側面。其中，該螢光結構的該側面具有四個側面部分，而該四個側面部分的其中兩個側面部分係沿著該第二水平方向為相對設置、且其中一者被該反射結構覆蓋以形成一個側反射面，而另一者則不被該反射結構所覆蓋以形成一個側發光面，且該側發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質垂直，該四個側面部分的其中另兩個側面部分係沿著該第一水平方向為相對設置。
為達上述目的，本發明揭露另一種側向式結構晶片級封裝發光裝置，包含：一LED晶片、一螢光結構及一反射結構。其中，該LED晶片具有一上表面、相對於該上表面之一下表面、一立面及一電極組，該立面形成於該上表面與該下表面之間，該電極組設置於該下表面上，該電極組與該下表面形成一下電極面，其中，沿著該上表面定義有相互垂直的一第一水平方向與一第二水平方向。該螢光結構覆蓋該LED晶片之該立面及/或該上表面。而該反射結構則完全覆蓋該LED晶片之該上表面以形成一個上反射面，並且部分地覆蓋該LED晶片之該立面以形成至少一個側反射面。
為達上述目的，本發明揭露又一種具有非對稱幾何結構之發光裝置，包含：一LED晶片、一透光結構及一反射結構。其中，該LED晶片具有一上表面、相對於該上表面之一下表面、一立面及一電極組，該立面形成於該上表面與該下表面之間，該電極組設置於該下表面上，該電極組與該下表面形成一下電極面，其中，沿著該上表面定義有相互垂直的一第一水平方向與一第二水平方向。該透光結構具有一頂面、相對於該頂面之一底面及一側面，該側面形成於該頂面與該底面之間，該透光結構覆蓋該LED晶片之該上表面及/或該立面。而該反射結構則部分地覆蓋該透光結構之該側面。其中，該透光結構的該側面具有四個側面部分，而該四個側面部分的其中兩個側面部分係沿著該第二水平方向為相對設置、且其中一者被該反射結構覆蓋以形成一個側反射面，而另一者則不被該反射結構所覆蓋以形成一個側發光面，且該側發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質垂直，該四個側面部分的其中另兩個側面部分係沿著該第一水平方向為相對設置。
為達上述目的，本發明揭露另一種側向式結構晶片級封裝發光裝置，包含：一LED晶片、一透光結構及一反射結構。其中，該LED晶片具有一上表面、相對於該上表面之一下表面、一立面及一電極組，該立面形成於該上表面與該下表面之間，該電極組設置於該下表面上，該電極組與該下表面形成一下電極面，其中，沿著該上表面定義有相互垂直的一第一水平方向與一第二水平方向。該透光結構覆蓋該LED晶片之該立面及/或該上表面。而該反射結構則完全覆蓋該LED晶片之該上表面以形成一個上反射面，並且部分地覆蓋該LED晶片之該立面以形成至少一個側反射面。
為達上述目的，本發明所揭露的一種背光模組，包含：一基板、一如前述之發光裝置、一反射構件及一導光板。其中，該基板包含一水平面，而該發光裝置係設置於該基板上，該反射構件則設置於該基板之該水平面上，而該導光板係設置於該反射構件上且包含一入光側面及一出光面，該出光面係連接該入光側面、且背朝該反射構件。
為達上述目的，本發明所揭露的一種發光裝置的製造方法，包含：設置一螢光結構或一透光結構，以覆蓋一LED晶片所具有的一上表面及/或一立面，其中，沿著該上表面定義有相互垂直的一第一水平方向與一第二水平方向；以及形成一反射結構，以部分地覆蓋該螢光結構或該透光結構之一側面；其中，該螢光結構或該透光結構的該側面具有四個側面部分，而該四個側面部分的其中兩個側面部分係沿著該第二水平方向為相對設置、且其中一者被該反射結構覆蓋而另一者則不被該反射結構所覆蓋，該四個側面部分的其中另兩個側面部分係沿著該第一水平方向為相對設置。
藉此，透過將螢光結構覆蓋於LED晶片之上表面及/或立面，並將反射結構部分地覆蓋螢光結構之側面，以部分地反射從LED晶片之立面及/或螢光結構之側面所發出之光線，可在第一水平方向及/或第二水平方向上形成相對於發光面法線方向之非對稱性光形；或將反射結構完全覆蓋該LED晶片之該上表面，並且部分地覆蓋該LED晶片之該立面，形成主要發光面與電極面相互垂直之側向式結構晶片級封裝發光裝置。因此，發光裝置不需透過額外之光學透鏡的輔助，便能於不同的應用中提供最適之非對稱光形，藉此有效降低發光裝置之製造成本，同時保有其小尺寸之優 勢而有利於終端產品之設計。
另一方面，發光裝置可於導光板的長度方向提供較大的發光角度，如此可減少暗區或增加兩相鄰LED之間隔距離(可減少LED使用數量)，並於導光板的厚度方向提供較小的發光角度，如此可使LED所發出之光線更有效率地被導光板所利用，因而減少光能量的損失。再者，發光裝置的主要發光面可進一步與LED之電極面相互垂直，以形成側向式晶片級封裝發光裝置，其應用於側入式背光模組時，可使得背光燈條之基板不需鉛直面的設置，進而降低背光燈條之整體厚度、製造及設計之困難度。如此，應用此背光模組的顯示器可有更窄之邊框尺寸。
為讓上述目的、技術特徵及優點能更明顯易懂，下文係以較佳之實施例配合所附圖式進行詳細說明。
1A、2A、3A、3B、4A、4B‧‧‧發光裝置
10‧‧‧LED晶片
11‧‧‧上表面
12‧‧‧下表面
13‧‧‧立面
131、131a、131b、131c、131d‧‧‧立面部分
14‧‧‧電極組
20‧‧‧螢光結構
21‧‧‧頂面
22‧‧‧底面
23‧‧‧側面
231、231a、231b、231c、231d‧‧‧側面部分
30‧‧‧反射結構
31‧‧‧頂面
33‧‧‧內側面
34‧‧‧外側面
500‧‧‧背光模組
510‧‧‧基板
511‧‧‧水平面
512‧‧‧鉛直面
513‧‧‧反射層
520‧‧‧反射構件
530‧‧‧導光板
531‧‧‧入光側面
532‧‧‧出光面
600‧‧‧背光模組
610‧‧‧反射構件
611‧‧‧水平面
613‧‧‧反射層
620‧‧‧反射構件
630‧‧‧導光板
631‧‧‧入光側面
632‧‧‧出光面
80‧‧‧離型材料
90‧‧‧第一凹槽
90’‧‧‧凹槽
91‧‧‧第二凹槽
D1‧‧‧水平方向、第一水平方向
D2‧‧‧水平方向、第二水平方向
L、L1‧‧‧光線
S1‧‧‧長度方向
S2‧‧‧寬度方向
第1A圖至第1D圖為依據本發明之第1較佳實施例之發光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖；第2A圖至第2D圖為依據本發明之第2較佳實施例之發光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖；第3A圖至第3D圖為依據本發明之第3較佳實施例之發光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖；第3E圖及第3F圖為依據本發明之第3較佳實施例之另一態樣之發光裝置的二剖面示意圖；第4A圖至第4D圖為依據本發明之第4較佳實施例之發光裝置的二立 體示意圖及二剖面示意圖；第4E圖及第4F圖為依據本發明之第4較佳實施例之另一態樣之發光裝置的二剖面示意圖；第5圖為包含第1或第2較佳實施例之發光裝置的背光模組之示意圖；第6圖為包含第3或第4較佳實施例之發光裝置的背光模組之示意圖；第7A圖與第7B圖分別為第5圖及第6圖中所示之背光模組之側視圖和俯視圖；第8A圖至第12B圖為依據本發明之第1較佳實施例之發光裝置之製造方法之各步驟示意圖；第13A圖至第17B圖為依據本發明之第2較佳實施例之發光裝置之製造方法之各步驟示意圖；第18A圖至第22B圖為依據本發明之第3較佳實施例之發光裝置之製造方法之各步驟示意圖；以及第23A圖至第23C圖為依據本發明之第4較佳實施例之發光裝置之製造方法之部分步驟示意圖。
請參閱第1A圖至第1D圖所示，其為依據本發明之第1較佳實施例之發光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖。該發光裝置1A包含一LED晶片10、一螢光結構20及一反射結構30；該等元件的技術內容將依序說明如下。
該LED晶片10可為一覆晶式LED晶片，而外觀上可具有一上表面11、一下表面12、一立面13及一電極組14。該上表面11與下表面12為 相對且相反地設置，上表面11及下表面12可為矩形者(例如為長方形)，而上表面11(及下表面12)的其中兩邊線對應於第一水平方向D1、另兩邊線係對應於第二水平方向D2。換言之，LED晶片10沿著該上表面11定義有相互垂直之一第一水平方向D1與一第二水平方向D2，且第一水平方向D1與第二水平方向D2之每一個皆與發光裝置1A的厚度方向(垂直於上表面11之方向，圖未示)相垂直。
立面13形成於上表面11與下表面12之間，並連接上表面11與下表面12。換言之，立面13是沿著上表面11之邊線與下表面12之邊線而形成，故立面13相對於上表面11與下表面12為環形(例如矩型環)。依據不同的水平方向D1及D2，立面13可包含至少四個立面部分131a至131d(即立面13至少可區分成四個部分)，其中二立面部分131a及131c係沿著該第一水平方向D1相對設置，而另二立面部分131b及131d係沿著該第二水平方向D2相對設置。
電極組14設置於下表面12上，電極組14與下表面12可形成一下電極面，且可具有二個以上之電極。電能(圖未示)可透過電極組14供應至LED晶片10內，然後使LED晶片10發光。由於LED晶片10為覆晶型式，故上表面11上未設有電極，而其所發射出之光線L可由上表面11或立面13離開。
螢光結構20能改變LED晶片10所發射之光線L之波長，其可由包含可透光樹脂及光致發光材料之一材料所製成，光致發光材料可均勻混合於可透光樹脂中，因此螢光結構20未有明顯的分層結構。螢光結構20亦可包含相堆疊之螢光層及透光層(透光部)，具體技術內容可參考申請人 之第105102658申請號之台灣專利申請案(對應第15/416921申請號之美國專利申請案)所揭露者。
螢光結構20於外觀上可具有一頂面21、一底面22及一側面23；頂面21與底面22為相對且相反設置，頂面21可為矩形(例如長方形)，且頂面21之其中兩邊線對應於第一水平方向D1、另兩邊線則對應於第二水平方向D2，而底面22則與LED晶片10之下表面12共同界定發光裝置1A之一底部。其中，頂面21與底面22可為水平面，且還可相平行。
側面23形成於頂面21及底面22之間，且連接頂面21與底面22，換言之，側面23是沿著頂面21之邊線與底面22之邊線而形成，故側面23相對於頂面21及底面22為環形(例如矩型環)。依據不同的水平方向D1及D2，側面23可包含至少四個側面部分231a至231d(即側面23至少可區分成四個部分)，其中二側面部分231a及231c沿著該第一水平方向D1相對設置，而另二側面部分231b及231d沿著該第二水平方向D2相對設置。
就位置而言，螢光結構20設置於LED晶片10上，且完全覆蓋LED晶片10之上表面11及立面13上，故頂面21位於LED晶片10之上表面11上方。
反射結構30可阻擋及反射光線L，以限制光線L的前進方向。於本實施例中，反射結構30僅部分地遮蔽(覆蓋)螢光結構20之側面23(即：間接地覆蓋、遮蔽LED晶片10之立面13)。具體而言，側面23的該等側面部分231a至231d中，沿著第二水平方向D2相對設置之其中一者(以側面部分231b為例)被反射結構30直接地遮蔽，以形成一個側反射面，而對應於側面部分231b之立面部分131b亦同時間接地被反射結構30所遮蔽。 換言之，螢光結構20之另一側面部分231d、沿著第一水平方向D1相對設置之兩側面部分231a及231c和頂面21未被反射結構30遮蔽，未被反射結構30所遮蔽之側面部分231a、231c及231d則形成三個側發光面，而未被反射結構30所遮蔽之頂面21則形成一個上發光面。因此，由LED晶片10發出並朝側面部分231b行進之光線L將被反射結構30反射(或吸收)，而轉與其他光線L一同由發光面，即側面部分231a、231c及231d和頂面21，射出螢光結構20。
較佳地，該等側發光面與該該下電極面相互實質垂直，也就是，側發光面與下電極面係預期製造成相垂直者，然而因為製程的公差及變異性等因素，導致側發光面相對於下電極面呈些許的傾斜；在些許的傾斜下，側發光面與下電極面仍視為是相互垂直。較佳地，該上發光面與該下電極面相互實質平行，也就是，上發光面與下電極面係預期製造成相平行者，然而由於製程的公差及變異性等因素，上發光面相對於下電極可能呈些許的傾斜；在些許的傾斜下，上發光面與下電極面仍視為是相互平行。
較佳地，反射結構30遮蔽側面23時，會貼合側面23，以使得反射結構30與側面23之間沒有間隙。因此，反射結構30具有與側面23相貼合的一內側面33，其可為一側反射面，亦具有一相對於內側面33之外側面34，而外側面34可為垂直面。又，較佳地，反射結構30之頂面31可與螢光結構20之頂面21齊平。
在製造材料上，反射結構30可由包含可透光樹脂之一材料所製成，可透光樹脂可再包含光學散射性微粒，可透光樹脂例如可為聚鄰苯二甲醯胺、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯、環氧樹脂、或矽膠，光學散射性微粒例如可為二氧化鈦、氮化硼、二氧化矽或三氧化二鋁。
又，發光裝置1A亦可包含一基板(圖未示)，基板可為陶瓷基板、玻璃基板、矽基板、印刷電路板(PCB)或金屬基印刷電路板(metal-core PCB)等基板，基板具有可傳導電能之線路(圖未示)，透過發光裝置1A與基板進行電性接合，便可經由基板將電能傳遞至發光裝置1A而使其發光，如此可有利於發光裝置1A於模組端(module level)之應用。基板亦可適用於本發明所揭露之其他實施例。
以上為發光裝置1A的各元件的技術內容，而發光裝置1A至少具有以下技術特點。
如第1C圖及第1D圖所示，從LED晶片10內產生的光線L進入螢光結構20後，朝向側面部分231b行進之光線L會被反射結構30反射，轉而與其他光線一同由側發光面(即側面部分231a、231c及231d)或上發光面(即頂面21)射出螢光結構20。因此，沿著第一水平方向D1行進之光線L不會被反射結構30所限制，故具有較大之發光角度；而沿著第二水平方向D2行進之光線L則因側面部分231b被反射結構30所屏蔽，使得發光角度較前者小且偏向特定方向(偏向未被反射結構30屏蔽之側面部分231d處)，即相對於LED晶片10之上表面11之法線方向(例如上表面11之光軸)為非對稱光形。整體而言，發光裝置1A所射出的光線L在第一水平方向D1上的發光角度較大，而在第二水平方向D2上的發光角度較小且呈非對稱，藉此可達成非對稱性之光形。
較佳地，頂面21在第一水平方向D1的邊長可大於在第二水平方向D2上的邊長，有益於使光線L在第一水平方向D1上的發光角度更大於在第二水平方向D2上的發光角度。
綜上，發光裝置1A可於不同的水平方向D1、D2上提供不同的發光角度，且於特定的水平方向上形成相對於發光面法線方向之非對稱光形，以達到提供非對稱性發光的目的。
此外，發光裝置1A的螢光結構20可由相同(或相似)外形之一透光結構、至少一透光層或至少一透光部所取代(圖未示)，也就是，發光裝置1A將包含LED晶片10、透光結構(亦或是透光層、透光部)及反射結構30。藉此，LED晶片10所發出之光線在通過透光結構向外傳遞時其波長不會被轉換，可用於製作紅光、綠光、藍光、紅外光或紫外光等單色光的(monochromatic)CSP發光裝置，其亦具有非對稱性之光形。此單色光CSP發光裝置的技術內容亦可適用於以下所揭露之其他實施例。
再者，發光裝置1A可更包含一微結構透鏡層(圖未示)。較佳地，可透過模造成型(molding)或其他成型方法，於製作螢光結構20時同步形成該微結構透鏡層，使螢光結構20與微結構透鏡層一體成型。微結構透鏡層可由規則排列或任意排列的複數個微結構所組成，且該等微結構可為半球狀、角錐狀、柱狀、圓錐狀等形狀、或是為粗糙表面。藉此，微結構透鏡層可使往外傳遞之光線不易因光學全反射(total internal reflection)之作用而反射回螢光結構20中，因而增加光汲取效率(light extraction efficiency)，並提升發光裝置1A的發光效率(efficacy)。此具有微結構透鏡層之螢光結構20亦可適用於其他實施例。
以上是發光裝置1A的技術內容的說明，接著將說明依據本發明其他實施例的發光裝置的技術內容，而各實施例的發光裝置的技術內容應可互相參考，故相同的部分將省略或簡化。
請參閱第2A圖至第2D圖所示，其為依據本發明之第2較佳實施例之發光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖。發光裝置2A與發光裝置1A不同處至少在於：螢光結構20之底面22的面積大於LED晶片10之上表面11的面積，而LED晶片10之上表面11被螢光結構20完全覆蓋，且其立面13均被反射結構30所覆蓋。更具體的說明如下。
LED晶片10之上表面11的面積小於螢光結構20之底面22的面積而被螢光結構20完全地覆蓋，而LED晶片10之立面13的四個立面部分131a至131d未被螢光結構20覆蓋、但均被反射結構30覆蓋，故自LED晶片10所發出的光線L僅能由其上表面11射出，並進入螢光結構20中。螢光結構20的側面部分231b及231d之其中一者(本實施例係以側面部分231b為例)被反射結構30覆蓋以形成一個側反射面，而側面部分231a及231c及頂面21均未被反射結構30所覆蓋，因此暴露於反射結構30之外，其中，未被反射結構30所覆蓋之側面部分231a、231c及231d則形成三個側發光面，而未被反射結構30所遮蔽之頂面21則形成一個上發光面。
藉此，光線L從LED晶片10之上表面11射出並進入螢光結構20後，朝向側面部分231b行進的部分光線L將被反射結構30反射(或吸收)，而轉與其他光線L一同由側面部分231a、231c及231d和頂面21射出螢光結構20。因此，光線L之發光角度於第一水平方向D1上受反射結構30的限制較小，而於第二水平方向D2上，因為側面部分231b被反射結構30遮蔽，發光角度受限且偏向未被覆蓋之側面部分231d處，即相對於LED晶片10之上表面11之法線方向(例如上表面11之光軸)為非對稱光形。
因此，發光裝置2A亦可於不同的水平方向D1、D2上提供不 同的發光角度，以達到提供非對稱性照明的目的。而發光裝置2A在D2方向上，相對於LED晶片10之上表面11之光軸亦為非對稱性光形。
請參閱第3A圖至第3D圖所示，其為依據本發明之第3較佳實施例之發光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖。發光裝置3A與發光裝置2A不同處至少在於：發光裝置3A的LED晶片10之上表面11及立面13之四立面部分131a至131d均被螢光結構20覆蓋，而該螢光結構20之頂面21則全被反射結構30所覆蓋而形成一個上反射面，且其側面23被反射結構30部分地覆蓋。
更具體而言，螢光結構20的側面部分231b及231d之其中一者(以側面部分231d為例)與頂面21同時被反射結構30所覆蓋，分別形成一個側反射面與一個上反射面，而側面部分231a至231c則未被反射結構30覆蓋，因此暴露於反射結構30之外，因此形成三個側發光面。
藉此，光線L從LED晶片10射出並進入螢光結構20後，朝向側面部分231d或頂面21行進的部分光線將被反射結構30反射(或吸收)，而轉與其他光線一同由側面部分231a至231c任一者射出螢光結構20外。因此，發光裝置3A不僅能於第二水平方向D2上限制光線之發光角度，且相較於發光裝置1A及2A之光線主要由頂面(及少部分由側面)輸出，發光裝置3A之光線主要由側面部分231b(及少部分由側面部分231a及231c)輸出，因此可發出大量之側向光線，形成一側向式發光裝置。
由於大部分之光線由螢光結構20之側面部分231b輸出，故側面部分231b為發光裝置3A之主要發光面，該主要發光面與LED晶片10之電極面相互垂直，故發光裝置3A為側向式結構之CSP LED發光裝置。為使說 明容易，在此沿著側面部分231b(即主要發光面)定義有相互垂直之一長度方向S1與一寬度方向S2，且長度方向S1與寬度方向S2皆與第二水平方向D2相垂直。藉由上述反射結構30之設計，光線可由側面部分231a至231c(即三個側發光面)輸出，因此發光裝置3A沿著長度方向S1可具有較大之發光角度；另一方面，由於螢光結構20之頂面21被反射結構30所覆蓋，發光裝置3A沿著寬度方向S2具有較小之發光角度；藉此，發光裝置3A可於長度方向S1與寬度方向S2上提供不同的發光角度，且其主要發光面垂直於LED晶片10之電極面，不同於發光裝置1A及2A之主要發光面之方向，故除了能提供非對稱性照明外，更能作為側向式發光裝置之應用。
再請參閱第3E圖及第3F圖，其為依據本發明之第3較佳實施例之另一實施態樣之發光裝置的二剖面示意圖。發光裝置3B與發光裝置3A不同處至少在於：發光裝置3B的螢光結構20僅覆蓋LED晶片10之立面13，而反射結構30同時覆蓋了LED晶片10之上表面11及螢光結構20之頂面21。
具體而言，發光裝置3B之螢光結構20僅覆蓋LED晶片10之立面13，且較佳地，螢光結構20之頂面21係與LED晶片10之上表面11共平面，並同時為反射結構30所覆蓋而形成一個上反射面。另外，螢光結構20的側面部分231b及231d之其中一者(以側面部分231d為例)被反射結構30所覆蓋而形成一個側反射面，而側面部分231a至231c則未被反射結構30覆蓋，因此暴露於反射結構30外而形成三個側發光面。
藉此，光線L僅得由LED晶片10之立面13射出並進入螢光結構20，其中朝側面部分231d行進的部分光線將被反射結構30反射(或吸收)，而轉與其他光線一同由側面部分231a至231c任一者射出螢光結構20。 相較於發光裝置3A，其光線於傳遞過程中，易於LED晶片10之上表面11與螢光結構20之頂面21兩界面之間形成多重反射而造成光能量損耗；因此，藉由反射結構30直接覆蓋LED晶片10之上表面11，發光裝置3B可避免此多重反射所造成之能量損耗，以提升光萃取效率。
另說明的是，為避免光線因經歷過多次的反射而產生不必要的能量耗損，發光裝置3A及3B之LED晶片10於第二水平方向D2上的尺寸較佳地相較於先前實施例中之尺寸為小，俾使朝向側面部分231d行進、而被反射結構30反射之光線可經過較短之路徑，與其他光線L一同由側面部分231a至231c中任一者射出螢光結構20。
接著，請參閱第4A圖至第4D圖所示，其為依據本發明之第4較佳實施例之發光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖。發光裝置4A與發光裝置3A不同處至少在於：發光裝置4A的LED晶片10之上表面11及立面13之四立面部分131a至131d均被螢光結構20覆蓋，而該螢光結構20之頂面21及側面23之其中三側面部分全被反射結構30所覆蓋。
具體而言，螢光結構20的側面部分231b及231d之其中一者(以側面部分231d為例)與側面部分231a、231c和頂面21同時被反射結構30覆蓋，分別形成三個側反射面與一個上反射面，僅側面部分231b未被反射結構30覆蓋，因此暴露於反射結構30外而形成一個側發光面。
藉此，光線L從LED晶片10射出並進入螢光結構20後，朝向側面部分231a、231c、231d及頂面21行進的部分光線將被反射結構30反射(或吸收)，而轉與其他光線一同由側面部分231b射出螢光結構20外。因此，發光裝置4A之主要發光面方向垂直於LED晶片10之電極面，亦不同於發光裝 置1A及2A之主要發光面之方向，故亦可作為側向式發光裝置之應用。
再請參閱第4E圖及第4F圖，其為依據本發明之第4較佳實施例之另一實施態樣之發光裝置的二剖面示意圖。發光裝置4B與發光裝置4A不同處至少在於：發光裝置4B的螢光結構20僅覆蓋LED晶片10之立面13，而反射結構30同時覆蓋了LED晶片10之上表面11及螢光結構20之頂面21及三側面部分231a、231c及231d。
具體而言，螢光結構20僅覆蓋LED晶片10之立面13，且較佳地，螢光結構20之頂面21係與LED晶片10之上表面11共平面，並同時被反射結構30所覆蓋以形成一個上反射面。另外，螢光結構20之側面部分231b及231d之其中一者(以側面部分231d為例)與側面部分231a、231c和頂面21同時被反射結構30所覆蓋，其中被反射結構30覆蓋的側面部分231a、231c及231d可形成三個側反射面，而側面部分231b未被反射結構30覆蓋，因此暴露於反射結構30外而形成一個側發光面。
藉此，光線L僅得由LED晶片10之立面13射出並進入螢光結構20，其中朝向側面部分231a、231c、231d或頂面21行進的部分光線將被反射結構30反射(或吸收)，而轉與其他光線一同由側面部分231b射出螢光結構20。相似於發光裝置3B，藉由反射結構30直接覆蓋LED晶片10之上表面11，發光裝置4B亦可避免多重反射所造成之能量損耗而提升光萃取效率。
另說明的是，為避免光線因經歷過多次的反射而產生不必要的能量耗損，發光裝置4A及4B之LED晶片10於第二水平方向D2上的寬度較佳地將相較於其於發光裝置1A及2A中之寬度為小，俾使朝向側面部分231a、231c、231d或頂面21行進、而被反射結構30反射之光線可經過較短之 路徑，與其他光線L一同由側面部分231b射出螢光結構20。
綜上，發光裝置1A、2A、3A、3B、4A與4B可提供以下有益之效果：皆可為晶片級封裝發光裝置，因此具有小尺寸之外型，較佳地發光裝置的一長度不大於LED晶片10之一長度之2.0倍、1.6倍或1.2倍，非常適合應用於追求輕薄短小之電子產品。
再者，由於不必透過一次光學透鏡或二次光學透鏡之設置便可提供非對稱性之光形，故可降低在非對稱性光形之應用上的成本，並節省設置光學透鏡所需之空間。
又，非對稱光形可使終端產品在設計上更具其他優勢，例如可取代側向式支架型LED發光裝置作為側入式液晶電視與行動裝置之背光模組光源，非對稱性之光形可於背光模組的長度方向提供較大的發光角度，如此可減少暗區的面積，或增加兩相鄰LED發光裝置之間隔距離以減少LED發光裝置使用數量，同時於背光模組的厚度方向提供較小的發光角度，可使LED發光裝置所發出之光線有效率地被背光模組所接收，以減少光能量的損耗。
又，發光裝置的主要發光面可與LED之電極面相互垂直而形成具側向式結構之晶片級封裝發光裝置，其應用於側入式背光模組時，可使得背光燈條之基板不需鉛直面的設置(可參閱後述第6圖背光模組600之技術內容)，進而降低背光燈條於發光面法線方向之整體厚度、及其在設計與製造之困難度。如此，應用此背光模組的顯示器可獲得更窄之邊框尺寸。
此外，亦可透過額外之二次光學透鏡來使發光裝置1A、2A、3A、3B、4A與4B所發射的光線更為非對稱，以符合更多非對稱光形之應用。
另補充說明的是，發光裝置2A、3A、3B、4A與4B亦適用前述發光裝置1A所揭露之技術內容而形成一具有非對稱性光形之單色光CSP發光裝置，或更包含一微結構透鏡層或一基板。
接著將說明包含上述任一發光裝置的背光模組。第5圖及第6圖分別揭示不同態樣之背光模組，前者係包含可由頂面21發光之發光裝置1A或2A，而後者則包含僅由側面發光之發光裝置3A至4B。其中，該等背光模組均包含一基板、前述揭露之任一發光裝置(可為包含螢光結構或透光結構者)、一反射構件及一導光板；該等元件的技術內容將依序說明如下。
第5圖所示之背光模組500包含一基板510、一頂面21可發光之發光裝置(以發光裝置1A為例)、一反射構件520及一導光板530。其中，基板510包含一水平面511、一鉛直面512及一反射層513，水平面511及鉛直面512係相互垂直，而反射層513覆蓋於水平面511及鉛直面512中至少一者上(以兩者都有覆蓋反射層513為例)；反射層513例如可為一金屬薄膜、金屬板或反射塗料等結構。另外，基板510亦可為一可撓性基板。
發光裝置1A設置於基板510之鉛直面512上，其LED晶片10之電極組14與基板510呈電性連接，而發光裝置1A中沿著第二水平方向D2、且不被反射結構30所覆蓋之側面部分231d係面朝基板510之水平面511，相對地，被反射結構30所覆蓋的側面部分231b則面朝遠離水平面511之方向。
反射構件520設置於基板510之水平面511上(可設置於反射層513上)，且朝遠離鉛直面512及發光裝置1A之一方向延伸；反射構件520例如可為一金屬薄膜或金屬板等結構。導光板530被設置於反射構件520 上，且包含相互垂直之一入光側面531及一出光面532，其中，出光面532與入光側面531相連接，且出光面532位於平行於但遠離反射構件520之一側(即：背朝反射構件520)。
藉此，發光裝置1A之頂面21面朝導光板530之入光側面531，且較佳地，發光裝置1A沿著第二水平方向D2所具有之一長度不大於導光板530沿著出光面532之一法線方向所具有之一厚度，俾使從發光裝置1A之頂面21發出之光線有效地進入導光板530之入光側面531。發光裝置1A之側面部分231d不被反射結構30所覆蓋，因此側面部分231d亦會發出光線且大部分地照射至反射層513；由於反射層513易於採用高反射率之材質進行製作，因此可使反射層513之反射率高於反射結構30之反射率，藉此，照射至反射層513之光線在透過反射層513之反射後，例如光線L1，可更有效地被引導至入光側面531，如此可減少光能量損耗，使背光模組500具有較高之光能量使用效率；設置於導光板530之下的反射構件520可將光線反射，使大部分光線自出光面532輸出。
再請參閱第6圖，其所示之背光模組600包含一基板610、一僅側面發光之發光裝置(以發光裝置3A為例)、一反射構件620及一導光板630，基板610包含一水平面611及覆蓋於該水平面611上之一反射層613。
發光裝置3A設置於基板610之水平面611上，其LED晶片10之電極組14與基板610呈電性連接。反射構件620同樣設置於基板610之水平面611上，且朝遠離發光裝置3A之一方向延伸。導光板630設置於反射構件620上，且包含相互垂直之一入光側面631及一出光面632，出光面632與入光側面631相連接，且出光面632位於平行於但遠離反射構件620之一側 (即：背朝反射構件620)。
發光裝置3A中沿著第二水平方向D2、且不被反射結構30所覆蓋之側面部分231b係面朝導光板630之入光側面631，相對地，被反射結構30覆蓋之側面部分231d則面朝遠離入光側面631之方向。另外，發光裝置3A沿著LED晶片10之上表面11之一法線方向所具有之一長度係較佳地不大於導光板630沿著出光面632之一法線方向所具有之一厚度。
藉此，在反射結構30與反射層613之導引下，發光裝置3A可從三側面部分231a至231c發出光線，並得以有效地進入導光板630之入光側面631；設置於導光板630之下的反射構件620可將光線反射，使大部分光線自出光面632輸出。相較於背光模組500，背光模組600之基板610僅需水平面611，而不需設置另一鉛直面，因此燈條模組(包含基板610與複數個發光裝置3A)在其發光面方向(即第6圖所示D2方向)僅需設置容納發光裝置3A之空間，而不需容納基板，故可具有較小的厚度，有利於窄邊框尺寸顯示器之設計與製作。
請參閱第7A圖及第7B圖，其分別繪示包含發光裝置3A及4A之背光模組600的側視圖和俯視圖。由於發光裝置3A可由三側面部分231a至231c發光，故其於第一水平方向D1上的發光角度將大於發光裝置4A於第一水平方向D1上的發光角度，藉此，可有效減少導光板630在相鄰發光裝置3A之間的區域產生暗區的可能，亦可透過增加相鄰發光裝置3A之間距，以節省背光模組600中發光裝置3A之使用顆數，而降低整體製造成本。相對而言，發光裝置4A可具有於第一水平方向D1上發光角度更為集中之特點。
接著說明依據本發明的較佳實施例的發光裝置的製造方 法，其至少可包含二步驟：設置一螢光結構20(亦可以一透光結構替換，以下將不再贅述)，以覆蓋一LED晶片10之一上表面11及/或一立面13；以及形成一反射結構30，以部分地覆蓋螢光結構20(或透光結構)之一側面23。以下將依序地以發光裝置1A至4B為例，進一步說明製造方法的技術內容，可與發光裝置1A至4B的技術內容相互參考。
請參閱第8A圖至第12B圖所示，為依據本發明的第1較佳實施例的發光裝置1A的製造方法的各步驟示意圖。
如第8A圖所示，首先將複數個LED晶片10間隔地放置在一離型材料80上，以形成一LED晶片10之陣列。較佳地，LED晶片10可受壓而使其電極組14嵌入至離型材料80而不外露。又，離型材料80可為離型膜、紫外線解黏膠帶(UV release tape)或熱解黏膠帶(thermal release tape)等。續如第8B圖所示，將螢光結構20設置於該等LED晶片10上，且完整覆蓋各LED晶片10所具有的上表面11及立面13。
再請參閱第9A圖至第9C圖，接著將沿著第一水平方向D1對螢光結構20進行切割，以形成一第一凹槽(trench)90，其中，於切割時，刀刃將一致地偏向LED晶片10之特定一立面部分(以立面部分131b為例)。形成第一凹槽90後，可使後續將被反射結構30覆蓋之側面部分231b裸露。
完成切割後，再如第10A圖及第10B圖所示，藉由模造成型或點膠等製程於第一凹槽90中形成反射結構30，其中，反射結構30將完全覆蓋螢光結構20之側面部分231b，反射結構30之頂面31可與螢光結構20之頂面21齊平，俾使螢光結構20之頂面21自反射結構30暴露出。
採取模造成型來形成反射結構30時，螢光結構20、LED晶片10及離型材料80被放置於一模具(圖未示)中，然後反射結構30的製造材料注入至模具中，並包覆螢光結構20之側面部分231b；當製造材料固化後，反射結構30即可形成。採取點膠來形成反射結構30時，則不需要上述的模具；反射結構30的製造材料直接地澆淋至離型材料80上，然後製造材料在離型材料80上漸漸增厚，以包覆螢光結構20之側面部分231b；此時，反射結構30之頂面31亦可設計成低於螢光結構20之頂面21，避免反射結構30之製造材料蔓延到螢光結構20之頂面21。
反射結構30形成後，如第11A圖及第11B圖所示，離型材料80可移除，以得到複數個發光裝置1A。該等發光裝置1A的反射結構30可能會相連接，因此可再採取一切割步驟(如第12A圖及第12B圖所示)，沿著第二水平方向D2將相連接的螢光結構20及反射結構30切割，以形成未被反射結構30所遮蔽之側面部分231a及231c，再沿著第一水平方向D1將相連接的螢光結構20及反射結構30進行切割，以形成側面部分231d及仍被反射結構30所遮蔽之側面部分231b。如此，便可得到複數個相互分離且僅側面部分231b被反射結構30遮蔽的發光裝置1A。
以上為發光裝置1A的製造方法的說明，接著將說明發光裝置2A的製造方法，其與發光裝置1A之製造方法有部分相同或類似處，故該等部分之說明將適度地省略。
請參閱第13A圖至第17B圖所示，為發光裝置2A的製造方法的各步驟示意圖。
如第13A圖所示，首先提供一離型材料80，並透過噴塗、印 刷、或模造成型等製程將一螢光結構20形成於離型材料80上。或者，先完成製作螢光結構20後，再將螢光結構20之頂面21貼合並放置於離形材料80上。
接著，如第13B圖所示，將複數個LED晶片10倒置於螢光結構20之上，使LED晶片10之上表面11朝下而放置於螢光結構20上，此時，LED晶片10之電極組14朝上、暴露於離形材料80外。
然後，如第14A圖至第14C圖所示，沿第一水平方向D1對螢光結構20進行切割，以使部分的螢光結構20被移除而形成一凹槽90’；於切割時，刀刃將一致地偏向LED晶片10之特定一立面部分(以立面部分131b為例)；切割完成並部分移除螢光結構20後，在第一水平方向D1上(如第14B圖所示)，該等螢光結構20仍是相連，而在第二水平方向D2上(如第14C圖所示)，該等螢光結構20則被凹槽90’相分離，以露出將被該反射結構覆蓋之側面部分231b。
接著，如第15A圖及第15B圖所示，形成一反射結構30，於凹槽90’中以及各LED晶片10之立面13之間，且更全部覆蓋LED晶片10之立面13及螢光結構20之側面部分231b。
反射結構30形成後，再將離形材料80移除(如第16A圖及第16B圖所示)，以得到複數個發光裝置2A。該等發光裝置2A的螢光結構20及反射結構30可能會相連接，因此可再採取一切割步驟(如第17A圖及第17B圖所示)以將相連接的螢光結構20及反射結構30切割分離，便得到相互分離的發光裝置2A。具體而言，沿著第二水平方向D2將相連的螢光結構20及反射結構30切割開，以形成暴露於反射結構30之外的側面部分231a及231c， 再沿著第一水平方向D1將相連的螢光結構20及反射結構30切割開，並確保側面部分231b仍為反射結構30所遮蔽，而側面部分231d則於切割後完全暴露於反射結構30之外。
以上為發光裝置2A的製造方法的說明，接著將說明發光裝置3A及3B的製造方法，其與發光裝置1A、2A之製造方法相同或類似之部分將適度地省略。
如第18A圖所示，首先將複數個LED晶片10間隔地放置在一離型材料80上。較佳地，LED晶片10於第二水平方向D2上之寬度可更大幅度地縮小。接著如第18B圖所示，將螢光結構20形成於該等LED晶片10上，且完整覆蓋各LED晶片10之上表面11及立面13，惟於此實施例中，覆蓋於LED晶片10之上表面11之螢光結構20的厚度可小於發光裝置3A所對應者。
請參閱第19A圖至第19C圖，接著沿著第一水平方向D1對螢光結構20進行切割，以形成一第一凹槽90，其中，於切割時，刀刃將一致地偏向LED晶片10之特定一立面部分(立面部分131d為例)，以露出將被反射結構30覆蓋之側面部分231d。
完成切割後，再如第20A圖及第20B圖所示，於第一凹槽90中形成反射結構30，而與製造發光裝置1A不同的是，反射結構30完全覆蓋於螢光結構20之側面部分231d和頂面21上。
反射結構30形成後，如第21A圖及第21B圖所示，離型材料80將可移除，以得到複數個發光裝置3A。接著可再採取一切割步驟(如第22A圖及第22B圖所示)，沿著第二水平方向D2將相連接的螢光結構20及反 射結構30切割，以暴露出未被反射結構30所遮蔽之側面部分231a及231c，接著再沿著第一水平方向D1將相連接的螢光結構20及反射結構30進行切割，以形成側面部分231b及仍被反射結構30所遮蔽之側面部分231d。如此，可得到複數個相互分離的發光裝置3A。
上述製造方法經些微調整後可形成發光裝置3B。也就是，如第18B圖所示，於形成螢光結構20時，螢光結構20僅形成於該等LED晶片10之立面13之間，但不覆蓋LED晶片10之上表面11(圖未示)；或者，可讓螢光結構20覆蓋LED晶片10之上表面11上，再將該覆蓋部分移除。
以上為發光裝置3A及3B的製造方法的說明，接著將說明發光裝置4A及4B的製造方法，其與發光裝置3A及3B之製造方法相同或類似之部分將適度地省略。
如第18A圖所示，首先將複數個LED晶片10間隔地放置在一離型材料80上，接著如第18B圖所示，將螢光結構20設置於該等LED晶片10上。爾後，如第19A圖至第19C圖，沿著第一水平方向D1對螢光結構20進行切割，以形成一第一凹槽90，露出將被反射結構30覆蓋之側面部分231d。
請參閱第23A圖至第23C圖，本製造方法不同於發光裝置3A之製造方法的是：形成第一凹槽90後，將執行另一切割步驟，也就是，沿著第二水平方向D2對螢光結構20進行切割，以形成一第二凹槽91，以露出沿著第一水平方向D1相對設置之兩側面部分231a及231c。
完成兩次切割後，再於第一凹槽90及第二凹槽91中形成反射結構30(圖未示)，以覆蓋螢光結構20之側面部分231a、231c及231d，並使 反射結構30完全覆蓋於螢光結構20之頂面21。反射結構30形成後，移除離型材料80以得到複數個發光裝置4A或4B；接著，可採取一切割步驟，以得到複數個相互分離的發光裝置4A或4B。
綜合上述，本發明的發光裝置的製造方法可製造出各種能於至少一特定水平方向上有效地控制發光角度的發光裝置，或形成側向式結構之CSP LED發光裝置，且可藉由批次方式製造大量的這種發光裝置。
上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣，以及闡釋本發明之技術特徵，並非用來限制本發明之保護範疇。任何熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍，本發明之權利保護範圍應以申請專利範圍為準。

Claims (36)

  1. 一種發光裝置，包含：一LED晶片，具有一上表面、相對於該上表面之一下表面、一立面及一電極組，該立面形成於該上表面與該下表面之間，該電極組設置於該下表面上，該電極組與該下表面形成一下電極面，其中，沿著該上表面定義有相互垂直的一第一水平方向與一第二水平方向；一螢光結構，具有一頂面、相對於該頂面之一底面及一側面，該側面形成於該頂面與該底面之間，該螢光結構覆蓋該LED晶片之該上表面及/或該立面；以及一反射結構，部分地覆蓋該螢光結構之該側面；其中，該螢光結構的該側面具有四個側面部分，而該四個側面部分的其中兩個側面部分係沿著該第二水平方向為相對設置、且其中一者被該反射結構貼合而直接覆蓋以形成一個側反射面，而另一者則不被該反射結構所覆蓋以形成一個側發光面，且該側發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質垂直，該四個側面部分的其中另兩個側面部分係沿著該第一水平方向為相對設置。
  2. 如請求項1所述的發光裝置，其中，該LED晶片之該上表面及該立面全被該螢光結構所覆蓋，而該螢光結構之沿著該第一水平方向相對設置之該兩個側面部分及該頂面均不被該反射結構 所覆蓋，以形成一個上發光面及兩個側發光面，且該上發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質平行，該兩個側發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質垂直。
  3. 如請求項1所述的發光裝置，其中，該螢光結構之該底面的面積大於該LED晶片的該上表面的面積，該LED晶片之該上表面全被該螢光結構所覆蓋，而該LED晶片之該立面全被該反射結構所覆蓋，且該螢光結構之沿著該第一水平方向相對設置之該兩個側面部分及該頂面均不被該反射結構所覆蓋，以形成一個上發光面及兩個側發光面，且該上發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質平行，該兩個側發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質垂直。
  4. 如請求項1所述的發光裝置，其中，該LED晶片之該立面及該上表面全被該螢光結構所覆蓋，而該螢光結構之該頂面全被該反射結構所覆蓋，以形成一個上反射面，該螢光結構中之沿著該第一水平方向相對設置之該兩個側面部分均不被該反射結構所覆蓋，以形成兩個側發光面，且該發光裝置之兩個側發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質垂直。
  5. 如請求項1所述的發光裝置，其中，該LED晶片之該立面全被該螢光結構所覆蓋，而該LED晶片之該上表面及該螢光結構之該頂面全被該反射結構所覆蓋，以形成一個上反射面，且該螢 光結構中之著該第一水平方向相對設置之該兩個側面部分均不被該反射結構所覆蓋，以形成兩個側發光面，且該發光裝置之兩個側發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質垂直。
  6. 如請求項1所述的發光裝置，其中，該LED晶片之該立面及該上表面全被該螢光結構所覆蓋，而該螢光結構之該頂面全被該反射結構所覆蓋，以形成一個上反射面，該螢光結構沿著該第一水平方向相對設置之該兩個側面部分全被該反射結構所覆蓋，以形成兩個側反射面。
  7. 如請求項1所述的發光裝置，其中，該LED晶片之該立面全被該螢光結構所覆蓋，而該LED晶片之該上表面及該螢光結構之該頂面全被該反射結構所覆蓋，以形成一個上反射面，該螢光結構之沿著該第一水平方向相對設置之該兩個側面部分全被該反射結構所覆蓋，以形成兩個側反射面。
  8. 如請求項1至7之任一項所述的發光裝置，其中，該螢光結構更包含一微結構透鏡層。
  9. 如請求項1至7之任一項所述的發光裝置，更包含一基板，其中，該發光裝置與該基板相電性連接。
  10. 如請求項1至7之任一項所述的發光裝置，其中，該螢光結構更包含至少一透光層及/或至少一透光部。
  11. 如請求項1至7之任一項所述的發光裝置，其中，該反射結構係由包含一可透光樹脂之一材料所製成，該可透光樹脂包含光學散射性微粒。
  12. 如請求項11所述的發光裝置，其中，該可透光樹脂為聚鄰苯二甲醯胺、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯、環氧樹脂、或矽膠；該光學散射性微粒為二氧化鈦、氮化硼、二氧化矽或三氧化二鋁。
  13. 一種發光裝置，包含：一LED晶片，具有一上表面、相對於該上表面之一下表面、一立面及一電極組，該立面形成於該上表面與該下表面之間，該電極組設置於該下表面上，該電極組與該下表面形成一下電極面，其中，沿著該上表面定義有相互垂直的一第一水平方向與一第二水平方向；一透光結構，具有一頂面、相對於該頂面之一底面及一側面，該側面形成於該頂面與該底面之間，該透光結構覆蓋該LED晶片之該上表面及/或該立面；以及一反射結構，部分地覆蓋該透光結構之該側面；其中，該透光結構的該側面具有四個側面部分，而該四個側面部分的其中兩個側面部分係沿著該第二水平方向為相對設置、且其中一者被該反射結構貼合而直接覆蓋以形成一個側反射面，而另一者則不被該反射結構所覆蓋以形成一個側發光 面，且該側發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質垂直，該四個側面部分的其中另兩個側面部分係沿著該第一水平方向為相對設置。
  14. 如請求項13所述的發光裝置，其中，該LED晶片之該上表面及該立面全被該透光結構所覆蓋，而該透光結構之沿著該第一水平方向相對設置之該兩個側面部分及該頂面均不被該反射結構所覆蓋，以形成一個上發光面及兩個側發光面，且該上發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質平行，該兩個側發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質垂直。
  15. 如請求項13所述的發光裝置，其中，該透光結構之該底面的面積大於該LED晶片的該上表面的面積，該LED晶片之該上表面全被該透光結構所覆蓋，而該LED晶片之該立面全被該反射結構所覆蓋，且該透光結構之沿著該第一水平方向相對設置之該兩個側面部分及該頂面均不被該反射結構所覆蓋，以形成一個上發光面及兩個側發光面，且該上發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質平行，該兩個側發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質垂直。
  16. 如請求項13所述的發光裝置，其中，該LED晶片之該立面及該上表面全被該透光結構所覆蓋，而該透光結構之該頂面全被該反射結構所覆蓋，以形成一個上反射面，該透光結構中之沿 著該第一水平方向相對設置之該兩個側面部分均不被該反射結構所覆蓋，以形成兩個側發光面，且該發光裝置之兩個側發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質垂直。
  17. 如請求項13所述的發光裝置，其中，該LED晶片之該立面全被該透光結構所覆蓋，而該LED晶片之該上表面及該透光結構之該頂面全被該反射結構所覆蓋，以形成一個上反射面，該透光結構中之著該第一水平方向相對設置之該兩個側面部分均不被該反射結構所覆蓋，以形成兩個側發光面，且該發光裝置之兩個側發光面與該LED晶片之該下電極面相互實質垂直。
  18. 如請求項13所述的發光裝置，其中，該LED晶片之該立面及該上表面全被該透光結構所覆蓋，而該透光結構之該頂面全被該反射結構所覆蓋，以形成一個上反射面，該透光結構沿著該第一水平方向相對設置之該兩個側面部分全被該反射結構所覆蓋，以形成兩個側反射面。
  19. 如請求項13所述的發光裝置，其中，該LED晶片之該立面全被該透光結構所覆蓋，而該LED晶片之該上表面及該透光結構之該頂面全被該反射結構所覆蓋，以形成一個上反射面，該透光結構之沿著該第一水平方向相對設置之該兩個側面部分全被該反射結構所覆蓋，以形成兩個側反射面。
  20. 一種背光模組，包含： 一基板，包含一水平面；一如請求項1-7及13-19之任一項所述的發光裝置，設置於該基板上；一反射構件，設置於該基板之該水平面上；以及一導光板，設置於該反射構件上，該導光板包含一入光側面及一出光面，該出光面係連接該入光側面、且背朝該反射構件。
  21. 如請求項20所述的背光模組，其中，該基板更包含一鉛直面，該發光裝置設置於該鉛直面上，且於該發光裝置中，沿著該第二水平方向、且不被該反射結構所覆蓋之該側面部分係面朝該基板之該水平面；其中，於該發光裝置中，該頂面係面朝該導光板之該入光側面。
  22. 如請求項21所述的背光模組，其中，該發光裝置沿著該第二水平方向具有一長度，該導光板沿著該出光面之一法線方向具有一厚度，該長度不大於該厚度。
  23. 如請求項21所述的背光模組，其中，該基板更包含覆蓋該鉛直面及/或該水平面之一反射層。
  24. 如請求項21所述的背光模組，其中，該基板係為一可撓性基板。
  25. 如請求項20所述的背光模組，其中，該發光裝置設置於該基板 之該水平面上，且於該發光裝置中，沿著該第二水平方向、且不被該反射結構所覆蓋之該側面部分係面朝該導光板之該入光側面。
  26. 如請求項25所述的背光模組，其中，該發光裝置沿著該LED晶片之該上表面之一法線方向具有一長度，該導光板沿著該出光面之一法線方向具有一厚度，該長度不大於該厚度。
  27. 如請求項25所述的背光模組，其中，該基板更包含覆蓋該水平面之一反射層。
  28. 一種發光裝置的製造方法，包含：設置一螢光結構或一透光結構，以覆蓋一LED晶片所具有的一上表面及/或一立面，其中，沿著該上表面定義有相互垂直的一第一水平方向與一第二水平方向；以及形成一反射結構，以部分地覆蓋該螢光結構或該透光結構之一側面；其中，該螢光結構或該透光結構的該側面具有四個側面部分，而該四個側面部分的其中兩個側面部分係沿著該第二水平方向為相對設置、且其中一者被該反射結構貼合而直接覆蓋而另一者則不被該反射結構所覆蓋，該四個側面部分的其中另兩個側面部分係沿著該第一水平方向為相對設置。
  29. 如請求項28所述的發光裝置的製造方法，其中，在設置該螢光 結構或該透光結構之該步驟中，更包含：形成該螢光結構或該透光結構於該LED晶片之該上表面及該立面上；以及沿著該第一水平方向對該螢光結構或該透光結構進行切割，以形成一第一凹槽(trench)，並露出將被該反射結構覆蓋之該側面部分；其中，在形成該反射結構之該步驟中，該反射結構係形成於該第一凹槽中。
  30. 如請求項29所述的發光裝置的製造方法，其中，在形成該反射結構之該步驟中，該反射結構更覆蓋該螢光結構或該透光結構之一頂面。
  31. 如請求項30所述的發光裝置的製造方法，其中，在形成該反射結構之該步驟中，更包含：沿著該第二水平方向對該螢光結構或該透光結構進行切割，以形成一第二凹槽，並露出沿著該第一水平方向的該兩側面部分；以及形成反射結構於該第二凹槽中。
  32. 如請求項28所述的發光裝置的製造方法，其中，在設置該螢光結構或該透光結構之該步驟中，更包含：以該上表面朝下的方式，放置該LED晶片至該螢光結構或該透光結構上；以及 沿著該第一水平方向對該螢光結構或該透光結構進行切割，以形成一凹槽，並露出將被該反射結構覆蓋之該側面部分；其中，在形成該反射結構之該步驟中，該反射結構係形成於該凹槽中及該LED晶片之立面旁、且更全部覆蓋該LED晶片之該立面。
  33. 如請求項28所述的發光裝置的製造方法，其中，在設置該螢光結構或該透光結構之該步驟中，更包含：形成該螢光結構或該透光結構於該LED晶片之該立面；以及沿著該第一水平方向對該螢光結構或該透光結構進行切割，以形成一第一凹槽，並露出將被該反射結構覆蓋之該側面部分；其中，在形成該反射結構之該步驟中，該反射結構係形成於該第一凹槽中、且更全部覆蓋該螢光結構或該透光結構之一頂面及該LED晶片之該上表面。
  34. 如請求項33所述的發光裝置的製造方法，其中，在形成該反射結構之該步驟中，更包含：沿著該第二水平方向對該螢光結構或該透光結構進行切割，以形成一第二凹槽，並露出沿著該第一水平方向的該兩側面部分；以及形成反射結構於該第二凹槽中。
  35. 如請求項28至34之任一項所述的發光裝置的製造方法，更包括，沿著該第一水平方向對該螢光結構或該透光結構進行切割，並沿著該第二水平方向對該螢光結構或該透光結構進行切割。
  36. 如請求項28至34之任一項所述的發光裝置的製造方法，其中，切割該螢光結構或該透光結構時，一併切割該反射結構。
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