TWI587200B

TWI587200B - 光穿透性導電材料

Info

Publication number: TWI587200B
Application number: TW104120292A
Authority: TW
Inventors: 砂田和彦; 田中康弘
Original assignee: 三菱製紙股份有限公司
Priority date: 2014-06-25
Filing date: 2015-06-24
Publication date: 2017-06-11
Also published as: CN106471451A; KR101867972B1; KR20170010411A; WO2015198937A1; JP6159688B2; TW201606615A; CN106471451B; US10275100B2; US20170139504A1; JP2016009386A

Description

光穿透性導電材料

本發明主要係有關可使用於觸控面板之光穿透性導電材料，特別是有關適合使用於投影型靜電電容方式的觸控面板的光穿透性電極之光穿透性導電材料。

於PDA(personal digital assistant)、Note PC(筆記型電腦)、OA機器、醫療機器或汽車導航系統等電子機器中，於此等的顯示器廣泛使用觸控面板作為輸入手段。

觸控面板中，依據位置檢測的方法，有光學方式、超音波方式、表面型靜電電容方式、投影型靜電電容方式、電阻膜方式等。於電阻膜方式的觸控面板，作為構成觸控感測器之光穿透性電極者，係形成使光穿透性導電材料與附有光穿透性導電層之玻璃隔著間隔物相對向配置，使電流於光穿透性導電材料流動，於附有光穿透性導電層之玻璃計測電壓的構造。另一方面，於靜電電容方式的觸控面板，作為構成觸控感測器之光穿透性電極者，以於基材上具有光穿透性導電層之光穿透性導電材料作為基本構成，因以無可動部分為特徵故具有高耐久性，又因具有高的光穿透率，故可適用於各種用途。再者，投影型靜電電容方式的觸控面板能夠同時多點檢測，故被廣泛使用於智慧型手機或平板電腦PC等。

一般就使用於觸控面板之光穿透性電極的光穿透性導電材料而言，可使用在基材上形成有由ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)導電膜所構成之光穿透性導電層者。然而，由於ITO導電膜折射率較大、光的表面反射大，故有光穿透性導電材料的光穿透性降低之問題。又由於ITO導電膜可撓性較低，故有使光穿透性導電材料撓曲時ITO導電膜產生龜裂、光穿透性導電材料的電阻值增高之問題。

就具有替代ITO導電膜之光穿透性導電層之光穿透性導電材料而言，已知有於光穿透性基材上調整金屬細線，例如金屬細線的線寬或間距、以及圖型形狀等而形成為網目狀之光穿透性導電材料作為光穿透性導電層。藉由此技術，可製得維持高的光穿透性，並具有高的導電性之光穿透性導電性材料。關於以金屬細線形成之網目圖型(以下，稱為金屬圖型)的形狀，已知可利用各種形狀的重複單元，例如，在日本特開平10-41682號公報中已揭示正三角形、二等邊三角形、直角三角形等三角形；正方形、長方形、菱形、平行四邊形、梯形等四角形；(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形等(正)n角形；圓；橢圓；星形等的重複單元，以及此等的2種以上的組合圖型。

作為上述光穿透性導電材料的製造方法，於基板上形成薄的觸媒層，並於其上形成光阻劑圖型後，藉由電鍍法於光阻膜開口部積層金屬層，最後去除光阻層及被光阻劑層所保護之基底金屬，藉此形成金屬圖型之半加成方法，已揭示於例如日本特開2007-287994號公報、日本特開2007-287953公報等。

又，近年已知將使用銀鹽擴散轉印法之銀鹽照相感光材料用作導電性材料前驅物之方法。例如，於日本特開2003-77350號公報、日本特開2005-250169公報或日本特開2007-188655號公報等，已揭示於基材上至少依序具有物理顯像核層與鹵化銀乳劑層之銀鹽照相感光材料(導電性材料前驅物)，使可溶性銀鹽形成劑及還原劑在鹼溶液中作用形成金屬(銀)圖型之技術。若依據此種方式，金屬圖型之形成，可使均勻線寬再現之外，因銀係金屬之中導電性最高者，故相較於其他方式，能以更細的線寬得到高的導電性。進一步，具有以此方法製得的金屬圖型之層具有較ITO導電膜可撓性高且折彎性強的優點。

使用此等金屬圖型之光穿透性導電材料，由於重疊設置於液晶顯示器上，故有金屬圖型的週期與液晶顯示器元件之週期互相干擾、產生疊紋之問題。液晶顯示器依照畫面大小、解析度而使用各種尺寸之元件，使此問題成為更複雜。

對於此問題，例如在專利文獻1、專利文獻2、專利文獻3及專利文獻4等中，已提出例如記載於非專利文獻1等以往所知之無規則圖形作為金屬圖型，以抑制干擾之方法。於專利文獻5中，介紹一種將使用無規則的金屬圖型之單元圖型區域複數配置而形成之觸控面板用電極基材。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2011-216377號公報

[專利文獻2]日本特開2013-37683號公報

[專利文獻3]日本特開2014-41589號公報

[專利文獻4]日本特表2013-540331號公報

[專利文獻5]日本特開2014-26510號公報

[非專利文獻]

[非專利文獻1]特定區域的數理模式源自沃羅諾伊圖(Voronoi diagram)的數理工程學入門(共立出版，2009年2月發行)

使用如上述之無規則圖形的金屬圖型，因不具有由重複的單純單元圖形產生之週期，故原理上不會與液晶顯示器元件之周期產生干擾、不會產生疊紋。但是，使用無規則圖形之金屬圖型，金屬細線的分佈係成為稀疏之部分及成為稠密之部分呈無規則地顯現，具有所謂眼睛可看到之「砂目」之問題，因此仍尋求金屬圖型之辨識性(不易察覺砂目)優異之光穿透性導電材料。

又，投影型靜電電容型觸控面板之光穿透性電極，係隔介配線部而電性連接於端子部，使朝特定方向延伸之複數個感測器部排列，於此等複數個感測器部間，以使感測器部間不產生電性連接之方式，配置具有斷線部之虛設部。藉由該虛設部而提升感測器部之辨識性(不易看出感測器部之形狀)。光穿透性電極之感測器部的輪廓形狀，一般已知係使2枚光穿透性電極在疊合狀態下進行平面觀察時，為了減少感測器部之重疊部分而採用之被稱為鑽石圖型之使感測器部之一部分以一定之週期窄化的輪廓形狀。在如此之輪廓形狀，部分感測器部的幅寬被設計成與網目狀的金屬圖型之線間隔幾乎相同程度之非常狹窄。如此之情形，若使用線寬微細的金屬圖型，例如在加工時，金屬圖型曝露在高溫高濕下時，有時有電阻值變動或進一步產生斷線等可靠性之問題。而且，於具有上述無規則的金屬圖型之光穿透性導電材料中，此問題特別明顯地顯現而被要求改善。

本發明之課題，係提供一種即使重疊於液晶顯示器，亦不會產生疊紋或砂目而辨識性(不易看出疊紋或砂目)良好，且可靠性優異的光穿透性導電材料。

上述課題係藉由以下之光穿透性導電材料而被基本解決。

(1)一種光穿透性導電材料，係於光穿透性基材上具有：具備電性連接於端子部之感測器部以及未電性連接於端子部之虛設部之光穿透性導電層，該光穿透性導電層係構成為朝第一方向延伸之感測器部係挾持虛設部，並在垂直於第一方向的第二方向以任意的週期並排複數列，感測器部及/或虛設部係由具有網目形狀之金屬圖型構成，該金屬圖型具有由相對於配置在平面之複數個母點形成之沃羅諾伊(Voronoi)邊所形成之網目形狀，該母點係於使第一方向較第二方向長之多角形進行平面填充而成之圖形中，對每個多角形配置1個，且該母點之位置係位於將連結多角形的重心與多角形的各頂點之直線上之從重心至多角形的各頂點的距離之90%以下之位置予以連結而成之縮小多角形內的任意位置。

(2)如(1)項所述之光穿透性導電材料，其中在前述第一方向較第二方向長之多角形中，第一方向與第二方向之長度的比為1.1：1至10：1。

(3)如(1)項所述之光穿透性導電材料，其中在前述第一方向較第二方向長之多角形中，第一方向與第二方向之長度的比為1.1：1至5：1。

(4)如(1)至(3)項中任一項所述之光穿透性導電材料，其中前述朝第一方向延伸之感測器部，具有以一定之週期使感測器部之一部分窄化而成之輪廓形狀，在該感測器部之第二方向的幅寬最窄部分之金屬圖型，為使第一方向較第二方向長之多角形於第二方向配置5個以上所得到之圖型。

藉由本發明，可提供一種即使重疊於液晶顯示器亦不會產生疊紋或砂目之辨識性良好且可靠性優異的光穿透性導電材料。

1‧‧‧光穿透性導電材料

2‧‧‧光穿透性基材

11‧‧‧感測器部

12‧‧‧虛設部

13‧‧‧非圖像部

14‧‧‧周邊配線部

15‧‧‧端子部

20‧‧‧平面

21‧‧‧區域

22‧‧‧區域之邊界線

23‧‧‧四角形

24‧‧‧四角形之重心

25‧‧‧縮小四角形

61‧‧‧單元圖型區域

62、63‧‧‧反覆周期

211‧‧‧母點

251、252、253、254‧‧‧重心至頂點之90%的位置R假想之邊界線

第1圖係表示本發明之光穿透性導電材料的一例之概略圖。

第2圖(a)至(c)係用以說明沃羅諾伊圖形之圖。

第3圖(a)及(b)係用以說明被平面填充之多角形的圖。

第4圖(a)及(b)係用以說明被平面填充之多角形的排列之概略圖。

第5圖(a)及(b)係用以說明被平面填充之多角形的排列之概略圖。

第6圖(a)及(b)係用以說明單元圖型區域之概略圖。

第7圖係表示於實施例所使用之原稿的放大圖。

以下，詳細說明本發明時，使用圖面進行說明，惟只要是不超出本發明之技術範圍，可加以各種變形或修正，當然不限定於下述之實施形態。

第1圖係表示本發明之光穿透性導電材料的一例之概略圖。於第1圖中，光穿透導電材料1係於光穿透性基材2上的至少一方，設置有由金屬圖型構成之感測器部11、虛設部12、周邊配線部14、端子部15、以及無金屬圖型之非影像部13。此處，感測器部11及虛設部12係由網目形狀之金屬細線所構成，惟第1圖中，權宜上，不記載網目形狀，而以輪廓線a表示感測器部11及虛設部12之範圍。感測器部11係隔介周邊配線部14而電性連接於端子部15，並通過該端子部15而電性連接至外部，可掌握於感測器部11所偵知之靜電電容的變化。於本發明中，感測器部11雖亦可直接與端子部15接觸而電性連接，惟較佳為如第1圖所示，為了將複數個端子部15聚集於端部附近，隔介周邊配線部14使感測器11電性連接於端子部15。另一方面，未與端子部15電氣性連接之金屬圖型，在本發明中，則全部成為虛設部12。於本發明中，由於周邊配線部14及端子部15並不特別需要具有光穿透性，故可利用全域圖型(不具有光穿透性之圖型)，但亦可利用網目形狀之金屬圖型。

於第1圖中光穿透性導電材料1具有之感測器部11，係在光穿透性導電層面內朝第一方向(x方向)延伸之列電極，該感測器部11挾持虛設部12，在光穿透性導電層面內朝與第一方向為垂直方向之第二方向(y方向)並排複數列。此外，感測器部11在第二方向(y方向)以固定週期L並排複數列。感測器部11的週期L，可在保持作為觸控感測器部的觸析能力之範圍內設定任意長度。感測器部11亦可為一定之幅寬，惟較佳係如第1圖所示般朝第一方向(x方向)具有圖型週期。在第1圖表示於感測器部 11以週期M設有窄化部分之例(鑽石圖型之例)。又，感測器11的幅寬(在鑽石圖型中未窄化之處的寬度)亦可在能保持作為觸控感測器的解析能力之範圍內任意設定，並可因應於此而任意設定虛設部12的形狀或寬度。

在本發明中，感測器部11及/或虛設部12係由具有網目形狀之金屬圖型所構成。以下說明有關本發明之光穿透性導電材料具有之網目形狀。

感測器部11及/或虛設部12具有之金屬圖型形狀，係由沃羅諾伊邊所構成之網目形狀(以下，記載為沃羅諾伊圖形)。由沃羅諾伊邊所構成之網目形狀的用語，係意指該網目形狀為藉由沃羅諾伊邊所形成者。所謂沃羅諾伊圖形係在資訊處理等各種領域所應用之公知圖形，使用第2圖加以說明。第2圖係用以說明沃羅諾伊圖形之圖。在第2(a)圖中，於平面20上配置複數個母點211時，以直線之邊界線22區隔最接近一個任意母點211之區域21與最接近其他母點211之區域21以分割平面20時，將各區域21之邊界線22稱為沃羅諾伊邊。沃羅諾伊邊係成為任意母點與接近之母點連結之線分的垂直二等分線之一部分。集合沃羅諾伊邊而形成之圖形(藉由沃羅諾伊邊表示每一母點之區域的圖形)稱為沃羅諾伊圖形。

第2(b)圖係用以說明本發明較佳使用之母點的配置方法之圖。平面20係以36個(3×12個)四角形23進行無縫隙平面填充，四角形23之中經常配置一個母點211。四角形23係光穿透性導電層之第一方向(x方向)較第二方向(y方向)更長的長方形。

第3圖係用以說明被平面填充之多角形的圖，第3(a)圖係以六角形31將平面進行無縫隙平面填充之例。第3(b)圖係表示六角形31之第一方向(x方向)的長度與第二方向(y方向)之長度的圖。在本發明中，第一方向(x方向)設為x軸，第二方向(y方向)設為y軸時，多角形對x軸投影而成之線段的長度稱為多角形之第一方向(x方向)長度、對y軸投影而成之線段的長度稱為多角形之第二方向(y方向)長度。在第3(b)圖中，六角形31之第一方向(x方向)長度為X31，第二方向長度為Y31。六角形31係光穿透性導電層之第一方向(x方向)較第二方向(y方向)更長之形狀。

在本發明中，多角形除可使用四角形或六角形以外，亦可使用三角形，又亦可使用複數種類、複數大小的多角形。使用複數種類、複數大小的多角形時，50%以上個數的多角形只要為第一方向(x方向)較第二方向(y方向)更長之形狀即可。多角形之選擇中，以單一種形狀的多角形為較佳。又，以單一大小之多角形為較佳。

如前述，母點係在對第一方向較第二方向更長之多角形進行平面填充而形成之圖形中，對各個多角形配置1個。關於母點之位置，使用第2(b)圖、或其放大圖之第2(c)圖進行說明。在本發明中母點211係被配置於在連結多角形之重心24與多角形之各頂點的直線中，將其重心24至各頂點之距離的90%以下之位置251、252、253、 254連結而成之縮小多角形的縮小四角形25內之任意位置。在第2(c)圖中，係採取將多角形之重心至各頂點距離的90%位置連結而成之縮小多角形，但在本發明中，係可選擇將多角形之重心至各頂點之距離的90%以下之任意位置連結而成之縮小多角形。又，在縮小多角形中，重心至各頂點距離的比率以一定為較佳，但亦可為相異。從形成縮小多角形之重心至各頂點之距離較短時，易產生疊紋。因此，在連結多角形之重心與多角形之各頂點之直線中，以選擇連結重心至各頂點距離的50至80%之位置而成之縮小多角形為佳。

在本發明中，決定母點位置之被平面填充的多角形係在與第一方向即感測器部延伸之方向相同的方向具有長的形狀。藉此，沃羅諾伊邊易取得配向於感測器部之方向的形狀。被平面填充之多角形的第一方向與第二方向之較佳長度比為1.1：1至10：1，更佳係1.1：1至5：1。又，在本發明中，在感測器部之第二方向(y方向)最短的部分(幅寬最窄的部分)中，同多角形係以於第二方向配置5個以上為較佳。第4及5圖係用以說明被平面填充之多角形的排列之圖。在第4(a)圖中，感測器部11係朝第一方向(x方向)延伸之列電極，與虛設部12之邊界以假想的境界線R(非實際的線)圖示。在第4(a)圖中，感測器部11係以K部分在第二方向(y方向)成為最短(狹窄)。第4(b)圖係前述K部分之放大圖，第5(a)圖、第5(b)圖亦圖示相同之K部分。第5(a)圖係表示在K部分中多角形朝y 方向配置5.7個之狀態，第5(b)圖係表示於第5(a)圖之多角形內依據本發明配置母點，製作沃羅諾伊圖形之狀態者。如此，在第二方向(y方向)中感測器部最狹窄之部分，藉由將因配置母點而形成的多角形併排5個以上，金屬圖型即使為不規則之形狀，亦可維持可靠性(例如即使一處斷線亦作用為電極)，故佳。又，因配置母點而形成的多角形之最短邊長度以100至2000μm為佳，更佳係120至800μm。

如先前之第1圖的說明中所述，感測器部及虛設部之間係無電性連接。在第4(a)圖中，感測器部11及虛設部12具有之金屬圖型係由沃羅諾伊圖形所構成，感測器部11係與周邊配線14電性連接。如前述，第4(a)圖係於感測器部11與虛設部12之邊界圖示假想之境界線R，以此假想之邊境線R於感測器部11與虛設部12之間形成斷線部。斷線部之長度以3至100μm為佳，更佳係5至20μm。在第4(a)圖中只於沿著假想境界線R的位置具有斷線部，此外亦可於虛設部12中，在任意位置設置任意數目的斷線部。

在本發明中，感測器部11及/或虛設部12係亦可為例如前述以36個四角形進行平面填充而成之四角形的縮小四角形內之母點所形成之沃羅諾伊圖形作為單元圖型，使此單元圖型區域於光穿透性導電層內反覆而形成。第6圖係用以說明此單元圖型區域之概略圖。第6(a)圖係具有網目形狀之單元圖型區域的例子。使具有網目形狀之單元圖型區域61反覆之例為第6(b)圖。在第6(b)圖中，單元圖型區域61之網目形狀，在被四角64包圍之單元圖型區域之範圍內不存在周期。此單元圖型區域61(x方向之長度為62、y方向之長度為63)，以x方向反覆周期62、y方向反覆周期63一再反覆，形成一連串大小的金屬圖型。使由沃羅諾伊圖形構成之單元圖型區域如此反覆時，有時在與相鄰之單元圖型區域之邊境部，金屬細線彼此間不相連繫，特別在感測器部11中斷線，故位於單元圖型區域61之四角64上的金屬細線之位置，係期望可適當調整成在一再重覆時與相鄰之單元圖型區域的金屬細線相連繋。

於第6(b)圖中，係將四角64的單元圖型區域61在光穿透性導電層面內朝x方向與y方向等2方向重覆形成一連串大的金屬圖型，惟單元圖型區域61範圍之輪廓形狀，只要是可用以進行平面填充之形狀，例如正三角形、二等邊三角形、直角三角形等三角形；正方形、長方形、菱形、平行四邊形、梯形等四角形；正六角形；以及此等或與其他形狀之2種類以上的組合等；任何形狀都無妨。又，反覆方向亦可配合單元圖型區域的輪廓形狀，於光穿透性導電層面內至少選擇2方向。

於本發明中，構成感測器部11、及虛設部12(視情況包括周邊配線部14以及端子部15等)之金屬圖型係含有金屬，該金屬圖型含有之金屬較佳為金、銀、銅、鎳、鋁、以及此等的複合材。形成此等金屬圖型之方法，可採用如下之一般周知方法：使用銀鹽感光材料之方法；使用該方法後再對所得之銀圖像實施無電解電鍍或電解電鍍之方法；使用網板印刷法印刷銀膏、銅膏等導電性油墨之方法；以噴墨法印刷銀油墨或銅油墨等導電性油墨之方法；或者，以蒸鍍或濺鍍等形成導電性層，並於其上形成光阻膜後，進行曝光、顯像、蝕刻、去除光阻層而製得之方法；貼上銅箔等金屬箔，再於其上形成光阻膜後，進行曝光、顯像、蝕刻、去除光阻層而製得之方法等。其中，較佳為採用可薄化所製造之金屬圖型的厚度、亦可容易形成極微細的金屬圖型之銀鹽擴散轉印法。以此等手法所製作之金屬圖型的厚度，若太厚則有時後續步驟(例如與其他基材之貼合)會變困難，又，若太薄則難以確保作為觸控面板所需要的導電性。因而，其厚度較佳為0.01μm至5μm，更佳為0.05μm至1μm。又，感測器部11及虛設部12具有之沃羅諾伊圖型(沃羅諾伊邊)的線寬較佳為1μm至20μm，更佳為2μm至7μm。感測器部11及虛設部12的全光線穿透率較佳為80%以上，更佳為85%以上。又，感測器部11與虛設部12的全光線穿透率之差，較佳為±0.1%以內，更佳為相同。感測器部11及虛設部12的霧度值，較佳為2以下。感測部11及虛設部12的b*值(JIS Z8730所規定之知覺色度指數表示黃色方向之指標)較佳為2.0以下，更佳為1.0以下。

本發明之光穿透性導電材料具有之光穿透性基材，較佳為使用玻璃或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET) 或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、含氟樹脂、聚矽氧樹脂、聚碳酸酯樹脂、二乙酸酯樹脂、三乙酸酯樹脂、聚芳酸酯樹脂、聚氯乙烯、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂、環狀聚烯烴樹脂等一般周知的具有光穿透性之片材。此處，光穿透性係指全光線穿透率為60%以上之意。光穿透性基材的厚度較佳為50μm至5mm。又，光穿透性基材亦可具有指紋抗垢層、硬塗層、抗反射層、防眩層等一般周知之層。

本發明之光穿透性導電材料，除具有前述之光穿透性導電層以外，尚可在任意處所具有硬塗層、抗反射層、黏著層、防眩層等一般周知的層。又，於光穿透性基材與光穿透性導電層之間，可具有物理顯像核層、易黏著層、黏接層等一般周知之層。

[實施例]

以下，有關本發明，使用實施例而詳細加以說明，惟本發明只要不超出其技術範圍，不限定於以下之實施例。

<光穿透性導電材料1>

使用厚度100μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜作為光穿透性基材。再者，該光穿透性基材的全光線穿透率為91%。

其次，按照下述處方，製作物理顯像核層塗液，於上述光穿透性基材上塗佈並乾燥而於光穿透性基材上設置物理顯像核層。

<硫化鈀溶膠之調製>

將A液與B液一邊攪拌一邊混合，於30分鐘後通入填充有離子交換樹脂之管柱中而製得硫化鈀溶膠。

<物理顯像核層塗液之調製>銀鹽感光材料每1m³之量

接著，從接近光透性基材處依序將下述組成的中間層、鹵化銀乳劑層以及保護層塗布於上述物理顯影核層之上並乾燥後，製得銀鹽感光材料。鹵化銀乳劑係以照片用鹵化銀乳劑的一般雙噴嘴混合法製造。該鹵化銀乳劑係以氯化銀95莫耳%及溴化銀5莫耳%，調製成平均粒徑為0.15μm。將如此所得之鹵化銀乳劑依照通用的方法使用硫代硫酸鈉及氯化金酸，施予金硫增感。如此方式所得之鹵化銀乳劑係銀每1g中含有0.5g的明膠。

<中間層組成/每1m²>

<鹵化銀乳劑層組成/每1m²的量>

<保護層組成/每1m²的量>

對如此方式所得之銀鹽感光材料，分別黏附具有第1圖的圖型圖像之穿透原稿，並藉由以水銀燈作為光源之黏附印表機隔介截取400nm以下的光之樹脂濾光片進行曝光。又，穿透原稿的一部分放大者為第7圖(在第7圖中亦表示假想之邊界線)。感測器部11之y方向的最窄部分為0.8mm。在第7圖中，當製作具有感測器部11與虛設部12之沃羅諾伊圖形時，朝x、y方向排列，使x方向之邊長為0.6mm、y方向的邊長為0.15mm之長方形進行平面填充，在其80%之縮小長方形(從長方形的重心至長方形之頂點的距離之80%的點連結所成之長方形)之中，將母點無規配置。又，前述感測器部11之y方向的最窄部分中之長方形的數目為5.3個。沃羅諾伊邊之線寬設為4μm。在感測器部分與虛設部分之境界設置長度20μm的斷線部，感測器部的全光線穿透率為89.5%，虛設部的全光線穿透率為89.5%。

然後，於20℃下浸漬於下述擴散轉印顯影液中60秒鐘後，接著以40℃的溫水水洗去除鹵化銀乳劑層、中間層、以及保護層，並進行乾燥處理。如此方式，製得具有第1圖的形狀之具有金屬銀圖像之光穿透性導電材料1作為光穿透性導電層。所得之光穿透性導電材料具有之光穿透性導電層的金屬銀圖像，係與具有第1圖及第7圖的圖型之穿透原稿同樣之形狀、同樣的線寬。又以共焦點顯微鏡檢視金屬銀圖像的膜厚，結果為0.1μm。

<擴散轉印顯像液組成>

<光穿透性導電材料2>

雖為具有第1圖的圖型之穿透原稿，惟在沃羅諾伊圖形之製作中，使x方向之邊長為0.333mm、y方向之邊長為0.27mm之長方形進行平面填充，於其80%之縮小長方形之中，除無規則地配置母點以外，其餘係與光穿透性導電材料1同樣方式，獲得光穿透性導電材料2。於感測器部11之y方向最窄部分中長方形的數目為2.96個。沃羅諾伊邊之線寬與斷線部之長度、全光線穿透率係與光穿透性導電材料1同樣。

<光穿透性導電材料3>

雖為具有第1圖的圖型之穿透原稿，惟在沃羅諾伊圖形之製作中，使邊長為0.3mm之正方形進行平面填充，於其80%之縮小正方形之中，除無規則地配置母點以外，其餘係與光穿透性導電材料1同樣方式，獲得光穿透性導電材料3。於感測器部11之y方向最窄部分中正方形的數目為2.67個。沃羅諾伊邊之線寬與斷線部之長度、全光線穿透率係與光穿透性導電材料1同樣。

<光穿透性導電材料4>

雖為具有第1圖的圖型之穿透原稿，惟在沃羅諾伊圖形之製作中，使x方向之邊長為0.9mm、y方向之邊長為0.1mm之長方形進行平面填充，於其80%之縮小長方形之中，除無規則地配置母點以外，其餘係與光穿透性導電材料1同樣方式，獲得光穿透性導電材料4。於感測器部11之y方向最窄部分中長方形的數目為8個。沃羅諾伊邊之線寬與斷線部之長度、全光線穿透率係與光穿透性導電材料1同樣。

<光穿透性導電材料5>

雖為具有第1圖的圖型之穿透原稿，惟在沃羅諾伊圖形之製作中，使x方向之邊長為0.9mm、y方向之邊長為0.1mm之長方形進行平面填充，於其90%之縮小長方形(使長方形之重心至長方形之頂點的距離之90%的點連結而成之長方形)之中，除無規則地配置母點以外，其餘係與光穿透性導電材料1同樣方式，獲得光穿透性導電材料5。於感測器部11之y方向最窄部分中長方形的數目為8個。沃羅諾伊邊之線寬與斷線部之長度、全光線穿透率係與光穿透性導電材料1同樣。

<光穿透性導電材料6>

雖為具有第1圖的圖型之穿透原稿，惟以x方向與y方向具有對角線、x方向之對角線的長度為500μm、y方向之對角線的長度為260μm之菱形作為單元圖形，使用以此單元圖形反覆而成之網目形狀的穿透原稿取代沃羅諾依圖形以外，其餘係與光穿透性導電材料1同樣方式，獲得光穿透性導電材料6。於感測器部11之y方向最窄部分中菱形的數目為3.08個。又，圖型之線寬為4μm，感測器部及虛設部之全光線穿透率係89.3%。

對於所得之光穿透性導電材料1至6，就其辨識性、及電阻值之穩定性(可靠性)予以評價。將其結果表示於表1中。再者，對於辨識性，將所得之光穿透性導電材料載置於顯示全面白圖像之Flatron23EN43V-B223型寬液晶監視器(LG Electronics公司製)之上，將明顯出現疊紋、或砂目者設為x，仔細觀看方可辨識者設為△，將完全不能辨識者設為○。對於電阻值的穩定性，在溫度85℃、相對溫度95%的環境下放置各光穿透性導電材料600小時後，對於全體端子檢查與第1圖中之端子部15電性連接之端子部15之間的導電，調查產生斷線之比例。

從表1之結果，可知藉由本發明可得到一種適合作為使用靜電電容方式之觸控面板的光穿透性電極，即使重疊於液晶顯示器，亦不產生疊紋，且辨識性良好、電阻值之穩定性(可靠性)優異之光穿透性導電材料。