TWI569437B - 環境敏感電子元件封裝體 - Google Patents

Description

環境敏感電子元件封裝體

本揭露是有關於一種封裝體，且特別是有關於一種環境敏感電子元件封裝體。

隨著科技的進步，輕薄、省電以及高畫質顯示的資訊產品已成為現代人不可或缺的隨身配備，其中無論是智慧型手機(smart phone)、平板電腦(Tablet PC)或是電視(Television)等資訊產品，均需要顯示器以作為使用者介面，且在輕、薄、高畫質、以及低耗電的考量下，有機發光顯示器(organic light-emitting display)逐漸廣為採用。

然而，有機發光顯示器對濕氣具有極高的敏感度，一旦有水氣接觸到內部的有機發光元件，將會造成陰極處氧化與有機化合物界面剝離的現象，進而造成顯示品質的下滑，亦會使機發光元件加速老化而縮減顯示器的壽命。另一方面，大顯示尺寸的有機發光顯示器已逐漸成為當前資訊產品發展的主要趨勢，當有機發光元件的數量越多或面積越大時，其發熱的問題亦趨於嚴重。簡言之，有機發光顯示器的阻絕水與氧氣的能力 及其散熱性一直是亟待解決的問題。

本揭露實施例提供一種環境敏感電子元件封裝體，可用以改善環境敏感電子元件因受潮或過熱而致壽命減短的問題。

本揭露實施例提出一種環境敏感電子元件封裝體，其包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、至少一第一側壁阻障結構、至少一散熱突出以及第一填充層。第二基板配置於第一基板上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間。第一側壁阻障結構配置於第二基板上，且位於第一基板與第二基板之間，其中第一側壁阻障結構位於環繞環境敏感電子元件的至少一側。散熱突出位於第二基板上。第一填充層位於第一基板與第二基板之間，且包覆環境敏感電子元件、第一側壁阻障結構以及散熱突出。

本揭露實施例提出另一種環境敏感電子元件封裝體，其包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、第一填充層、第三基板、至少一側壁阻障結構、至少一散熱突出以及第二填充層。第二基板配置於第一基板上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間。第一填充層位於第一基板與第二基板之間，且包覆環境敏感電子元件。第三基板配置於第一基板下方，其中第一基板位於第二基板與第三基板之間。側壁阻障結構配置於第三基板上，且位於第一基板與第三基板之 間，其中側壁阻障結構位於環境敏感電子元件的至少一側。散熱突出位於第三基板上。第二填充層位於第一基板與第三基板之間，且包覆側壁阻障結構以及散熱突出。

本揭露實施例提出又一種環境敏感電子元件封裝體，其包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、至少一第一側壁阻障結構、第一散熱層、第一散熱結構以及第一填充層。第二基板配置於第一基板上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間。第一側壁阻障結構配置於第二基板上，且位於第一基板與第二基板之間，其中第一側壁阻阻障結構位於環境敏感電子元件的至少一側。第一散熱層配置於第二基板上，且位於第一基板與第二基板之間，其中第一散熱層包覆第二基板與第一側壁阻障結構。第一散熱結構配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間，其中第一散熱結構環繞第一側壁阻障結構。第一填充層位於第一基板與第二基板之間，且包覆第一側壁阻障結構以及環境敏感電子元件，其中第一散熱結構與第二基板上的第一散熱層接合。

基於上述，由於本揭露的環境敏感電子元件封裝體具有環繞環境敏感電子元件的側壁阻障結構並且配置於任兩基板之間，因此本揭露的環境敏感電子元件封裝體具有良好的阻隔水氣與氧氣的能力。此外，本揭露的環境敏感電子元件封裝體更具有散熱突出的結構或導熱材料，其中散熱突出配置於基板上並且朝 向環境敏感電子元件延伸，且導熱材料分佈於填充層內，亦或是構成散熱層，因此本揭露的環境敏感電子元件封裝體同時具有良好的散熱能力，以有效延長環境敏感電子元件的壽命。

為讓本揭露能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10‧‧‧導熱材料

100A、100B、200A‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

300A、300B、300C、400A‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

110、210、310、410‧‧‧第一基板

120、220、320、420‧‧‧第二基板

130、230、330、430‧‧‧環境敏感電子元件

140、140a、260、440‧‧‧散熱突出

150‧‧‧第一填充層

240、360、450‧‧‧第一填充層

250、370、460‧‧‧第三基板

270、380、490‧‧‧第二填充層

340‧‧‧第一散熱層

342‧‧‧第二散熱層

350‧‧‧第一散熱結構

352‧‧‧第二散熱結構

350a‧‧‧第一導熱材

350b‧‧‧第一導熱點

352a‧‧‧第二導熱材

352b‧‧‧第二導熱點

470‧‧‧散熱層

480‧‧‧散熱結構

480a‧‧‧導熱材

480b‧‧‧導熱點

A~D‧‧‧區域

CASE、CASE1、CASE2‧‧‧殼體

DC‧‧‧電路導線

SWB、SWB4‧‧‧第一側壁阻障結構

SWB1‧‧‧側壁阻障結構

SWB2‧‧‧第一側壁阻障結構

SWB3、SWB5‧‧‧第二側壁阻障結構

圖1A是本揭露一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖1B是圖1A的環境敏感電子元件封裝體的底視圖。

圖2A是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體。

圖2B是圖2A的環境敏感電子元件封裝體的底視圖。

圖3A是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖3B是圖3A的環境敏感電子元件封裝體的第三基板的上視圖。

圖4A是本揭露又一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖4B是圖4A的環境敏感電子元件封裝體的底視圖。

圖4C是圖4A的環境敏感電子元件封裝體的第三基板的上視圖。

圖4D是圖4C的第三基板與殼體接合的上視示意圖。

圖4E是圖4A的環境敏感電子元件封裝體的第三基板的另一上視圖。

圖4F是圖4E的第三基板與殼體接合的上視示意圖。

圖5A是本揭露又一實施例的環境敏感電子元件封裝體。

圖5B是圖5A的環境敏感電子元件封裝體的第三基板的上視圖。

圖6是本揭露又一實施例的環境敏感電子元件封裝體。

圖7A是本揭露更一實施例的環境敏感電子元件封裝體。

圖7B是圖7A的環境敏感電子元件封裝體的上視圖。

圖1A是本揭露一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。圖1B是圖1A的環境敏感電子元件封裝體的底視圖。請參考圖1A，在本實施例中，環境敏感電子元件封裝體100A包括第一基板110、第二基板120、環境敏感電子元件130、至少一第一側壁阻障結構SWB、至少一散熱突出140以及第一填充層150。第二基板120配置於第一基板110上方。環境敏感電子元件130配置於第一基板110上，且位於第一基板110與第二基板120之間。第一側壁阻障結構SWB配置於第二基板120上，且位於第一基板110與第二基板120之間，其中第一側壁阻障結構SWB位於環境敏感電子元件130的至少一側。散熱突出140位於第二基 板120上，且朝向第一基板110延伸。第一填充層150位於第一基板110與第二基板120之間，且包覆環境敏感電子元件130、側壁阻障結構140以及散熱突出140。

在本實施例中，第一基板110例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)或金屬箔(metal foil)。此外，環境敏感電子元件裝體100A可進一步包括功能性薄膜(未繪示)，其中功能性薄膜例如是配置於第一基板110上，且位於第一基板110與環境敏感電子元件130之間。一般而言，功能性薄膜可以是觸控面板(touch panel)，觸控面板例如是表面式電容觸控面板、數位矩陣式觸控面板(例如投射式電容觸控)或類比矩陣式觸控面板。當然，功能性薄膜亦可以是彩色濾光片(color filter)或電泳顯示器(EPD)。簡言之，本揭露的環境敏感電子元件封裝體可具有觸控功能。

另一方面，在本實施例中，第二基板120例如是金屬基板，第二基板120可為具有較佳的導熱與散熱特性的可撓性金屬基板。當然，第二基板120亦可以是與第一基板110相同或相似的可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯 (polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)，本揭露在此並不加以限制。

另外，環境敏感電子元件130例如是主動式環境敏感電子顯示元件或被動式環境敏感電子顯示元件，其中主動式環境敏感電子顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示器(Active Matrix Electro Phoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動式環境敏感電子顯示元件則例如是被動驅動式有機電激發光元件陣列基板(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭轉向列型液晶顯示器(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。

此外，如圖1A所示，在本實施例中，第一側壁阻障結構SWB位於第二基板120上並且朝向第一基板110延伸，其中第一側壁阻障結構SWB垂直於第一基板110的截面例如是梯形，當然，此截面亦可以是矩形、其他不同型態多邊形、圓形或橢圓形。一般而言，第一側壁阻障結構SWB的材質可包括金屬材料，而金 屬材料例如是鐵、鋁、銅、鎂、鉻、金、銀、鉬、鈦等金屬或其合金材料，且第一側壁阻障結構SWB例如是藉由黃光微影蝕刻、壓印或精密車床等製程形成於第二基板120上。在本實施例中，第一側壁阻障結構SWB與第二基板120例如是相同材質所構成，當然，在其他未繪示的實施例中，第一側壁阻障結構SWB與第二基板120亦可以是不相同材質所構成，本揭露在此並不加以限制。

另一方面，如圖1B所示，在本實施例中，第一側壁阻障結構SWB例如是環繞環境敏感電子元件130的連續且封閉的環狀結構，用以阻隔來自外界的水氣與氧氣，其中第一側壁阻障結構SWB環繞散熱突出140。在此必須說明的是，如圖1A所示，本實施例的散熱突出140與第二基板120例如是相同材質所構成，其中散熱突出140例如透過由黃光微影蝕刻、壓印、噴砂或精密車床等製程並且以陣列排列的方式形成於第二基板120上，且第二基板120與散熱突出140的材質主要為金屬材料，其中金屬材料例如是鐵、鋁、銅、鎂、鉻、金、銀、鉬、鈦等金屬或其合金材料。

更進一步而言，在其他未繪示的實施例中，散熱突出140與第二基板120亦可以是不相同材質所構成，其中第二基板120的材質例如是金屬材料，且金屬材料例如是鐵、鋁、銅、鎂、鉻、金、銀、鉬、鈦等金屬或其合金材料，則散熱突出140的材質主要為無機材料，其中無機材料例如是矽化物、鋁化物、鑽石、類 鑽石等。散熱突出140可透過化學氣相沉積、濺鍍、噴塗由等製程並且以陣列排列的方式形成於第二基板120上。

詳細而言，如圖1A以及1B所示，在本實施例中，散熱突出140的數量例如是多個並且陣列排列第二基板120上的一區域A，其中區域A的面積與環境敏感電子元件130的尺寸大致上相同。當然，區域A的面積可視產品的設計需求而進行調整，換言之，區域A的面積可以是等於、大於或小於環境敏感電子元件130的尺寸，且散熱突出140的分佈位置與環境敏感電子元件130至少部分重疊。也因此，環境敏感電子元件130所發出的熱能可經由填充層150傳遞至散熱突出140，之後，進一步由散熱突出140傳導至第二基板120而逸散至外界。

簡言之，本揭露的散熱突出可有效提升熱傳導與散熱的效率。此外，在本實施例中，散熱突出140的底面積例如是圓形，當然，在其他未繪示的實施例中，散熱突出140的底面積亦可以是三角形、其他不同型態多邊形或橢圓形，本揭露在此並不加以限制。

另外，第一填充層150例如是膠材透過紫光固化或熱固化所形成。膠材的材質例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)。在本實施例中，第一填充層150在未固化前的型態例如是液態式(liquid type)膠材或膠膜式(sheet type)膠材。進一步而言，第一填充層150可進一步包括導熱材料10，其中導熱材料10 例如是人工鑽石、類鑽石、類鑽碳(diamond like carbon)並且以奈米級粒子分佈於第一填充層150之中，可有效提升熱傳導的效率。

另一方面，本實施例的環境敏感電子元件封裝體100A更包括一電路導線DC，其中電路導線DC配置於第一基板110上，且位於第一基板110與第二基板120之間。電路導線DC與環境敏感電子元件130電性連接，其中電路導線DC可用以接收一輸入訊號，並轉換此輸入訊號而產生一輸出訊號，其中輸出訊號例如是顯示控制訊號。電路導線DC輸出顯示控制訊號，以控制環境敏感電子元件130。

以下將舉出另一實施例來說明環境敏感電子元件封裝體100B的設計，其中相同或相似元件具有相同或相似標號，且相同或相似元件具有相同或相似特徵，在此不一一贅述。

圖2A是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體。圖2B是圖2A的環境敏感電子元件封裝體的底視圖。如圖2A及圖2B所示，圖2A的環境敏感電子元件封裝體100B與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖2A的環境敏感電子元件封裝體100B的散熱突出140a的底面積例如是方形，當然，在其他未繪示的實施例中，散熱突出140a的底面積亦可以是三角形、其他不同型態多邊形或橢圓形，本揭露在此並不加以限制。

詳細而言，散熱突出140a的數量例如是多個並且陣列排列於第二基板120上的一區域B，其中區域B的面積與環境敏感電子元件130的尺寸大致上相同。當然，區域B的面積可視產品的設計需求而進行調整，換言之，區域B的面積可是等於、大於或小於環境敏感電子元件130的尺寸，且散熱突出140a的分佈位置與環境敏感電子元件130至少部分重疊。也因此，環境敏感電子元件130所發出的熱能可經由第一填充層150傳遞至散熱突出140a，之後，進一步由散熱突出140a傳導至第二基板120而逸散至外界。簡言之，本揭露的散熱突出140a可有效提升熱傳導與散熱的效率。

圖3A是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。圖3B是圖3A的環境敏感電子元件封裝體的第三基板的上視圖。請參考圖3A，環境敏感電子元件封裝體200A包括第一基板210、第二基板220、環境敏感電子元件230、第一填充層240、第三基板250、至少一側壁阻障結構SWB1、至少一散熱突出260以及第二填充層270。第二基板220配置於第一基板210上方。環境敏感電子元件230配置於第一基板210上，且位於第一基板210與第二基板220之間。第一填充層240位於第一基板210與第二基板220之間，且包覆環境敏感電子元件230。第三基板250配置於第一基板210下方，其中第一基板210位於第二基板220與第三基板250之間。側壁阻障結構SWB1配置於第三 基板250上，且位於第一基板210與第三基板250之間，其中側壁阻障結構SWB1位於環境敏感電子元件230的至少一側。散熱突出260位於第三基板250上，且朝向第一基板210延伸。第二填充層270位於第一基板210與第三基板250之間，且包覆側壁阻障結構SWB1以及散熱突出260。

在本實施例中，第一基板210以及第二基板220例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)或金屬箔(metal foil)。此外，環境敏感電子元件裝體200A可進一步包括功能性薄膜(未繪示)，其中功能性薄膜例如是配置於第二基板220上，且位於第一基板210與第二基板220之間。一般而言，功能性薄膜可以是觸控面板(touch panel)，觸控面板例如是表面式電容觸控面板、數位矩陣式觸控面板(例如投射式電容觸控)或類比矩陣式觸控面板。當然，功能性薄膜亦可以是彩色濾光片(color filter)或電泳顯示器(EPD)。簡言之，本揭露的環境敏感電子元件封裝體可具有觸控功能。

另外，環境敏感電子元件230例如是主動式環境敏感電子顯示元件或被動式環境敏感電子顯示元件，其中主動式環境敏 感電子顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示器(Active Matrix Electro Phoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動式環境敏感電子顯示元件則例如是被動驅動式有機電激發光元件陣列基板(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭轉向列型液晶顯示器(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。

另一方面，第一填充層240例如是膠材透過紫光固化或熱固化所形成。膠材的材質例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)。在本實施例中，第一填充層240未固化前的型態例如是液態式(liquid type)膠材或膠膜式(sheet type)膠材。進一步而言，第一填充層240可進一步包括導熱材料10，其中導熱材料10例如是人工鑽石、類鑽石、類鑽碳(diamond like carbon)並且以奈米級粒子分佈於第一填充層240之中，可有效提升熱傳導的效率。

接續上述，第三基板250例如是金屬基板，第三基板250可為具有較佳的導熱與散熱特性的可撓性金屬基板。當然，第三基板250亦可以是與第一基板210相同或相似的可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)，本揭露在此並不加以限制。

此外，如圖3A所示，在本實施例中，側壁阻障結構SWB1位於第三基板250上並且朝向第一基板210延伸，其中側壁阻障結構SWB1垂直於第一基板210的截面例如是梯形，當然，此截面亦可以是矩形、其他不同型態多邊型、圓形或橢圓形。一般而言，側壁阻障結構SWB1的材質可包括金屬材料，而金屬材料例如是鐵、鋁、銅、鎂、鉻、金、銀、鉬、鈦等金屬或其合金材料，且側壁阻障結構SWB1例如是藉由黃光微影蝕刻、壓印或或精密車床等製程形成於第三基板250上。值得一提的是，側壁阻障結構SWB1與第三基板250可以是相同材質或不相同材質所構成，本揭露在此並不加以限制。

另一方面，如圖3B所示，在本實施例中，側壁阻障結構SWB1例如是環繞環境敏感電子元件230的連續且封閉的環狀結構，用以阻隔來自外界的水氣與氧氣，其中側壁阻障結構SWB1環繞散熱突出260。一般而言，散熱突出260例如透過由黃光微影蝕刻、壓印、噴砂或精密車床等製程並且以陣列排列的方式形成於第三基板250上，其中散熱突出260的材質主要可包括金屬材料或其他高導熱材料，金屬材料例如是鐵、鋁、銅、鎂、鉻、金、 銀、鉬、鈦等金屬或其合金材料，亦可為多層金屬堆疊如鉬/鋁/鉬或鈦/鋁/鈦等組合，又或者是無機材料或有機與無機混合材料，例如矽化物、鋁化物、鑽石、類鑽石等。散熱突出260與第三基板250可以是相同材質或不同材質所構成。

詳細而言，如圖3A以及3B所示，在本實施例中，散熱突出260的數量例如是多個並且陣列排列於第三基板250上的一區域C，其中區域C的面積與環境敏感電子元件230的尺寸大致上相同。當然，區域C的面積可視產品的設計需求而進行調整，換言之，區域C的面積可以是等於、大於或小於環境敏感電子元件230的尺寸，且散熱突出260的分佈位置與環境敏感電子元件230至少部分重疊。也因此，環境敏感電子元件230所發出的熱能可經由第二填充層270傳遞至散熱突出260，之後，進一步由散熱突出260傳導至第三基板250而逸散至外界。

簡言之，本揭露的散熱突出可有效提升熱傳導與散熱的效率。此外，在本實施例中，散熱突出260的底面積例如是圓形，當然，在其他未繪示的實施例中，散熱突出260的底面積亦可以是三角形、方形、矩形、其他不同型態多邊形或橢圓形，本揭露在此並不加以限制。

另外，第二填充層270例如是膠材透過紫光固化或熱固化所形成。膠材的材質例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)。在本實施例中，第二填充層270未固化前的型態例如 是液態式(liquid type)膠材或膠膜式(sheet type)膠材。進一步而言，第二填充層270可進一步包括導熱材料10，其中導熱材料10例如是人工鑽石、類鑽石、類鑽碳(diamond like carbon)並且以奈米級粒子分佈於第二填充層270之中，可有效提升導傳導與散熱的效率。

另一方面，本實施例的環境敏感電子元件封裝體200A更包括一電路導線DC，其中電路導線DC配置於第一基板210上，且位於第一基板210與第二基板220之間。電路導線DC與環境敏感電子元件230電性連接，其中電路導線DC可用以接收一輸入訊號，並轉換此輸入訊號而產生一輸出訊號，其中輸出訊號例如是顯示控制訊號。電路導線DC輸出顯示控制訊號，以控制環境敏感電子元件230。

圖4A是本揭露又一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。圖4B是圖4A的環境敏感電子元件封裝體的底視圖。圖4C是圖4A的環境敏感電子元件封裝體的第三基板的上視圖。圖4D是圖4C的第三基板與殼體接合的上視示意圖。圖4E是圖4A的環境敏感電子元件封裝體的第三基板的另一上視圖。圖4F是圖4E的第三基板與殼體接合的上視示意圖。請參考圖4A，環境敏感電子元件封裝體300A包括第一基板310、第二基板320、環境敏感電子元件330、至少一第一側壁阻障結構SWB2、第一散熱層340、第一散熱結構350以及第一填充層360。第二基板320 配置於第一基板310上方。環境敏感電子元件330配置於第一基板310上，且位於第一基板310與第二基板320之間。第一側壁阻障結構SWB2配置於第二基板320上，且位於第一基板310與第二基板320之間，其中第一側壁阻阻障結構SWB2位於環境敏感電子元件330的至少一側。第一散熱層340配置於第二基板320上，且位於第一基板310與第二基板320之間，其中第一散熱層340包覆第二基板320與第一側壁阻障結構SWB2。第一散熱結構350配置於第一基板310上，且位於第一基板310與第二基板320之間，其中第一散熱結構350環繞第一側壁阻障結構SWB2。第一填充層360位於第一基板310與第二基板320之間，且包覆第一側壁阻障結構SWB2以及環境敏感電子元件330，其中第一散熱結構350是與第二基板320上的第一散熱層340直接接合。

此外，第一散熱結構350進一步與環境敏感電子元件封裝體300A的殼體CASE接合，換言之，環境敏感電子元件330所產生的熱能可經由第一散熱層340傳導至第一散熱結構350，接著，經由第一散熱結構350傳導至環境敏感電子元件封裝體300A的殼體CASE，最後熱能可由殼體CASE向外導出。

在本實施例中，第一基板310以及第二基板320例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone, PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)或金屬箔(metal foil)。此外，環境敏感電子元件裝體300A可進一步包括功能性薄膜(未繪示)，其中功能性薄膜例如是配置於第二基板320上，且位於第一基板310與第二基板320之間。一般而言，功能性薄膜可以是觸控面板(touch panel)，觸控面板例如是表面式電容觸控面板、數位矩陣式觸控面板(例如投射式電容觸控)或類比矩陣式觸控面板。當然，功能性薄膜亦可以是彩色濾光片(color filter)或電泳顯示器(EPD)。簡言之，本揭露的環境敏感電子元件封裝體可具有觸控功能。

另外，環境敏感電子元件330例如是主動式環境敏感電子顯示元件或被動式環境敏感電子顯示元件，其中主動式環境敏感電子顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示器(Active Matrix Electro Phoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動式環境敏感電子顯示元件則例如是被動驅動式有機電激發光元件陣列基板(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭轉向列型液晶顯示器(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。

如圖4A所示，在本實施例中，第一側壁阻障結構SWB2位於第二基板320上並且朝向第一基板310延伸，其中第一側壁阻障結構SWB2垂直於第一基板310的截面例如是梯形，當然，此截面亦可以是矩形、其他不同型態多邊型、圓形或橢圓形。一般而言，第一側壁阻障結構SWB2的材質可包括金屬材料，而金屬材料例如是鐵、鋁、銅、鎂、鉻、金、銀、鉬、鈦等金屬或其合金材料，且第一側壁阻障結構SWB2例如是藉由黃光微影蝕刻、壓印或精密車床等製程形成於第二基板320上。值得一提的是，第一側壁阻障結構SWB2與第二基板320可以是相同材質或不相同材質所構成，本揭露在此並不加以限制。

另一方面，請參考圖4B，為清楚表示第一側壁阻障結構SWB2的主要特徵，在此並未繪示包覆第二基板320與第一側壁阻障結構SWB2的第一散熱層340，其中本實施例的第一側壁阻障結構SWB2例如是環繞環境敏感電子元件330的連續且封閉的環狀結構，用以阻隔來自外界的水氣與氧氣。詳細而言，在本實施例中，包覆第一側壁阻障結構SWB2的第一散熱層340主要為導熱材料10所構成，其中導熱材料10例如是人工鑽石、類鑽石、類鑽碳(diamond like carbon)，且第一散熱層340例如是前述導熱材料10透過化學氣相沉積法、噴塗法等製程形成於第一側壁阻障結構SWB2上，其中。第一散熱層340亦可包括抗電磁干擾材質，一般而言，抗電磁干擾材料例如是金、銀、銅、碳或鉛等，可用以 減弱電磁的效應。

此外，包覆第一側壁阻障結構SWB2的第一散熱層340亦可以是由金屬材料或高導熱材料所構成，其中金屬材料或高導熱材料例如為單層金屬如鋁、鉬、鈦等，或者是多層金屬堆疊如鉬/鋁/鉬或鈦/鋁/鈦等組合。一般而言，第一散熱層340例如是前述金屬材料或高導熱材可透過化學氣相沉積法、薄膜蒸鍍法、薄膜濺鍍法等製程形成於第一側壁阻障結構SWB2上。

如圖4C至圖4F所示，第一散熱結構350可以是連續環狀結構或者非連續環狀結構，且具有避開電路導線DC的設計，其中第一散熱結構350是與第一散熱層340直接接合。此外，第一散熱結構350進一步與環境敏感電子元件封裝體300A的殼體CASE接合，換言之，環境敏感電子元件330所產生的熱能可經由第一散熱層340傳導至第一散熱結構350，接著，經由第一散熱結構350傳導至環境敏感電子元件封裝體300A的殼體CASE，最後熱能可由殼體CASE向外導出。

進一步詳言之，如圖4A所示，第一散熱結構350可包括第一導熱材350a與第一導熱點350b，其中第一導熱材350a的材質主要可包括金屬材料或其他高導熱材料例如為金屬導熱膠材、導熱膠帶等。另外，第一導熱點350b的材質主要可包括金屬材料，其中金屬材料例如為單層金屬如鋁、鉬、鈦等，或者多層金屬堆疊如鉬/鋁/鉬或鈦/鋁/鈦等組合。第一散熱結構350例如是透過化 學氣相沉積法、薄膜蒸鍍法、薄膜濺鍍法等製程形成於第一基板310之上。更進一步詳言之，第一導熱點350b可利用主動元件利如薄膜電晶體(TFT)製程中的金屬導線製程同時製作，且第一導熱材350a與第一導熱點350b可以是相同材質或不相同材質所構成，本揭露在此並不加以限制。

在本實施例中，第一填充層360例如是膠材透過紫光固化或熱固化所形成。膠材的材質例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)，其中第一填充層360未固化前的型態例如是液態式(liquid type)膠材或膠膜式(sheet type)膠材。進一步而言，第一填充層360可進一步包括導熱材料10，其中導熱材料10例如是人工鑽石、類鑽石、類鑽碳(diamond like carbon)並且以奈米級粒子分佈於第一填充層360之中，可有效提升熱傳導的效率。

此外，如圖4A所示，在本實施例中，第一基板310與第二基板320裝設於殼體CASE內，且第二基板320配置於殼體CASE上。一般而言，殼體CASE的材質主要可包括金屬材料或其他高導熱材料，其中殼體CASE與散熱結構350接觸，換言之，環境敏感電子元件330發出的熱能可經由第一填充層360傳導到第一散熱層340，其中第一散熱層340與第一散熱結構350連接。因此，熱能可進一步自第一散熱結構350傳導至殼體CASE而將熱能導出環境敏感電子元件330之外，以降低熱能對環境敏感電子元件330壽命的影響。

在本實施例中，環境敏感電子元件封裝體300A例如是頂面發光(top emission)或底面發光(bottom emission)的設計。當然，在其他未繪示的實施例中，環境敏感電子元件封裝體300A的殼體CASE亦可進一步設計有雙面出光口，據此光線可同時自頂面及底面輸出，從而達到雙面發光(dual emission)的效果。

以下將舉出其他實施例來說明環境敏感電子元件封裝體300B及300C的設計，其中相同或相似元件具有相同或相似標號，且相同或相似元件具有相同或相似特徵，在此不一一贅述。

圖5A是本揭露又一實施例的環境敏感電子元件封裝體。圖5B是圖5A的環境敏感電子元件封裝體的第三基板的上視圖。如圖5A所示，圖5A的環境敏感電子元件封裝體300B與圖4A的環境敏感電子元件封裝體300A相似，其不同之處在於：圖5A的環境敏感電子元件封裝體300B不具有殼體CASE，其中環境敏感電子元件封裝體300B進一步包括第三基板370、第二側壁阻障結構SWB3以及第二填充層380。第三基板370配置於第一基板310下方，其中第一基板310位於第二基板320與第三基板370。之間。第二側壁阻障結構SWB3配置於第三基板370上，且位於第一基板310與第三基板370之間。第二填充層380位於第一基板310與第三基板320之間，其中第二填充層380包覆第二側壁阻障結構SWB3，且第三基板370透過第二填充層380與第一基板310貼合。

在本實施例中，第三基板370例如是金屬基板，第三基板370可為具有較佳的導熱與散熱特性的可撓性金屬基板。當然，第三基板370亦可以是與第一基板310相同或相似的可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)，本揭露在此並不加以限制。

此外，第二側壁阻障結構SWB3位於第三基板370上並且朝向第一基板310延伸，其中第二側壁阻障結構SWB3垂直於第一基板310的截面例如是梯形，當然，此截面亦可以是矩形、其他不同型態多邊型、圓形或橢圓形。一般而言，第二側壁阻障結構SWB3的材質可包括金屬材料，而金屬材料例如是鐵、鋁、銅、鎂、鉻、金、銀、鉬、鈦等金屬或其合金材料，且第二側壁阻障結構SWB3例如是藉由黃光微影蝕刻、壓印或精密車床等製程形成於第三基板370上。第二側壁阻障結構SWB3與第三基板370可以是相同材質或不相同材質所構成，本揭露在此並不加以限制。

第二填充層380例如是膠材透過紫光固化或熱固化所形成。膠材的材質例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)。在本實施例中，第二填充層380未固化前的型態例如是液態式 (liquid type)膠材或膠膜式(sheet type)膠材。進一步而言，第二填充層380可進一步包括導熱材料10，其中導熱材料10例如是人工鑽石、類鑽石、類鑽碳(diamond like carbon)並且以奈米級粒子分佈於第二填充層380之中，可有效提升熱傳導的效率。此外，環境敏感電子元件330發出的熱可經由第一基板310傳導至第二填充層，並進一步自第二填充層傳遞至第二側壁阻障結構SWB3及第三基板370而逸散至外界，亦可經由第一散熱層340傳導至散熱結構350將熱能導出。

如圖5B所示，在本實施例中，第二側壁阻障結構SWB3例如是連續且封閉的環狀結構，用以阻隔來自外界的水氣與氧氣。

圖6是本揭露又一實施例的環境敏感電子元件封裝體。如圖6所示，圖6的環境敏感電子元件封裝體300C與圖5A的環境敏感電子元件封裝體300B相似，其不同之處在於：圖6的環境敏感電子元件封裝體300C更包括第二散熱層342、第二散熱結構352以及殼體CASE1。第二散熱層342配置於第三基板370上，且位於第一基板310與第三基板370之間，其中第二散熱層342包覆第三基板370與第二側壁阻障結構SWB3。第二散熱結構352配置於第一基板310上，且位於第一基板310與第三基板370之間，其中第二散熱結構352環繞第二側壁阻障結構SWB3，第二散熱結構352與第一基板310上的第二散熱層342接合。第一基板310、第二基板320與第三基板370裝設於殼體CASE1內。

詳細而言，在本實施例中，包覆第二側壁阻障結構SWB3的第二散熱層342主要為導熱材料10所構成，其中導熱材料10例如是人工鑽石、類鑽石、類鑽碳(diamond like carbon)，且第二散熱層342例如是前述導熱材料10透過化學氣相沉積法、噴塗法等製程形成於第二側壁阻障結構SWB3上。第二散熱層342亦可包括抗電磁干擾材質，一般而言，抗電磁干擾材料例如是金、銀、銅、碳或鉛等，可用以減弱電磁的效應。

此外，包覆第二側壁阻障結構SWB3的第二散熱層342亦可以是由金屬材料或高導熱材料所構成，其中金屬材料或高導熱材料例如為單層金屬如鋁、鉬、鈦等，或者是多層金屬堆疊如鉬/鋁/鉬或鈦/鋁/鈦等組合。一般而言，第二散熱層342例如是前述金屬材料或高導熱材可透過化學氣相沉積法、薄膜蒸鍍法、薄膜濺鍍法等製程形成於第二側壁阻障結構SWB3上。

另一方面，第二散熱結構352例如是連續環狀結構或者非連續環狀結構，且具有避開電路導線DC的設計，其中第二散熱結構352是與第二散熱層342直接接合，換言之，第二散熱結構352與圖4A至圖4E所繪示的結構大致上相同或相似。此外，第二散熱結構352進一步與環境敏感電子元件封裝體300C的殼體CASE1接合，也因此，環境敏感電子元件330所產生的熱能可經由第一散熱層340傳導至第一散熱結構350，再經由散熱結構傳導至環境敏感電子元件封裝體300C的殼體CASE1，最後熱能可由 殼體CASE1向外導出。

進一步詳言之，如圖6所示，第二散熱結構352包括第二導熱材352a與第二導熱點352b，其中第二導熱材352a的材質主要可包括金屬材料或其他高導熱材料例如為金屬導熱膠材、導熱膠帶等。另外，第二導熱點352b的材質主要可包括金屬材料，其中金屬材料例如為單層金屬如鋁、鉬、鈦等，或者多層金屬堆疊如鉬/鋁/鉬或鈦/鋁/鈦等組合。第二散熱結構352例如是透過化學氣相沉積法、薄膜蒸鍍法、薄膜濺鍍法等製程形成於第一基板310之上。更進一步詳言之，第二導熱點352b可利用主動元件利如薄膜電晶體(TFT)製程中的金屬導線製程同時製作，且第二導熱材352a與第二導熱點352b可以是相同材質或不相同材質所構成，本揭露在此並不加以限制。

在本實施例中，第一基板310、第二基板320及第三基板370例如是被殼體CASE所環繞，其中第一基板310進一步抵接殼體CASE1的內表面，且殼體CASE1與第一散熱結構350以及第二散熱結構352接觸。換言之，環境敏感電子元件330發出的熱能可經由第一填充層360傳導到第一散熱層340，其中第一散熱層340與第一散熱結構350連接。因此，熱能可進一步自第一散熱結構350傳導至殼體CASE1而將熱能導出環境敏感電子元件330之外，以降低熱能對環境敏感電子元件330壽命的影響。

另外，環境敏感電子元件330發出的熱能亦可經由第一 基板310傳導到第二填充層380，再進一步自第二填充層380傳導至第二散熱層342，其中第二散熱層342與第二散熱結構352連接。因此，熱能可進一步自第二散熱結構352傳導至殼體CASE1而將熱能導出。當然，第二散熱結構352更可直接經由第一基板310傳導至第二散熱結構352，其中第二散熱結構352抵接殼體CASE1，也因此，熱能可自第二散熱結構352傳導至殼體CASE1而將熱能導出。當然，環境敏感電子元件330發出的熱能更可傳導至第一基板310，並自第一基板310傳導至殼體CASE1而將熱能導出。

在本實施例中，環境敏感電子元件封裝體300C例如是雙面發光(dual emission)的設計。也就是說，環境敏感電子元件封裝體300C的殼體CASE1進一步設計有上、下出光口，據此光線可同時自頂面及底面輸出，從而達到雙面發光(dual emission)的效果。

圖7A是本揭露更一實施例的環境敏感電子元件封裝體。圖7B是圖7A的環境敏感電子元件封裝體的上視圖。請參考圖7A，環境敏感電子元件封裝體400A包括第一基板410、第二基板420、環境敏感電子元件430、至少一第一側壁阻障結構SWB4、至少一散熱突出440、第一填充層450、第三基板460、至少一第二側壁阻障結構SWB5、散熱層470、散熱結構480以及第二填充層490。第二基板420配置於第一基板410上方。環境敏感 電子元件430配置於第一基板410上，且位於第一基板410與第二基板420之間。第一側壁阻障結構SWB4配置於第二基板420上，且位於第一基板410與第二基板420之間，其中第一側壁阻障結構SWB4位於環境敏感電子元件430的至少一側。散熱突出440位於第二基板420上，且朝向第一基板410延伸。第一填充層450位於第一基板410與第二基板420之間，第一基板410透過第一填充層450與第二基板420貼合，其中第一填充層450包覆環境敏感電子元件430、散熱突出440以及第一側壁阻障結構SWB4。第三基板460配置於第一基板410下方，其中第一基板410位於第二基板420與第三基板460之間。第二側壁阻障結構SWB5配置於第三基板460上，且位於第一基板410與第三基板460之間。散熱層470配置於第三基板460上，且位於第一基板410與第三基板460之間，其中散熱層470包覆第三基板460與第二側壁阻障結構SWB5。散熱結構480配置於第一基板410上，且位於第一基板410與第三基板460之間，其中散熱結構480環繞第二側壁阻障結構SWB5，且散熱結構480與第三基板460上的散熱層470接合。第二填充層490位於第一基板410與第三基板460之間，第一基板410透過第二填充層490與第三基板460貼合，其中第二填充層490包覆第二側壁阻障結構SWB5。

在本實施例中，第一基板410例如是可撓玻璃膜片，同時具備了可撓性基板的的撓曲能力以及硬質基板的特性。當然， 第一基板410亦可以是其他不同型態的可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)或金屬箔(metal foil)。此外，環境敏感電子元件封裝體400A可進一步包括功能性薄膜(未繪示)，其中功能性薄膜例如是配置於第一基板410上，且位於第一基板410與環境敏感電子元件430之間。一般而言，功能性薄膜可以是觸控面板(touch panel)，觸控面板例如是表面式電容觸控面板、數位矩陣式觸控面板(例如投射式電容觸控)或類比矩陣式觸控面板。當然，功能性薄膜亦可以是彩色濾光片(color filter)或電泳顯示器(EPD)。簡言之，本揭露的環境敏感電子元件封裝體可具有觸控功能。

另一方面，在本實施例中，第二基板420例如是金屬基板，第二基板420可為具有較佳的導熱與散熱特性的可撓性金屬基板。當然，第二基板420亦可以是與第一基板410相同或相似的可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)，本揭露在此並不加 以限制。

另外，環境敏感電子元件430例如是主動式環境敏感電子顯示元件或被動式環境敏感電子顯示元件，其中主動式環境敏感電子顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示器(Active Matrix Electro Phoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動式環境敏感電子顯示元件則例如是被動驅動式有機電激發光元件陣列基板(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭轉向列型液晶顯示器(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。

此外，如圖7A所示，在本實施例中，第一側壁阻障結構SWB4位於第二基板420上並且朝向第一基板410延伸，其中第一側壁阻障結構SWB4垂直於第一基板410的截面例如是梯形，當然，此截面亦可以是矩形、其他不同型態多邊形、圓形或橢圓形。一般而言，第一側壁阻障結構SWB4的材質可包括金屬材料，而金屬材料例如是鐵、鋁、銅、鎂、鉻、金、銀、鉬、鈦等金屬或其合金材料，且第一側壁阻障結構SWB4例如是藉由黃光微影蝕刻、壓印或精密車床等製程形成於第二基板420上。在本實施例中，第一側壁阻障結構SWB4與第二基板420例如是相同材質所 構成，當然，在其他未繪示的實施例中，第一側壁阻障結構SWB4與第二基板420亦可以是不相同材質所構成，本揭露在此並不加以限制。

另一方面，如圖7B所示，在本實施例中，第一側壁阻障結構SWB4例如是環繞環境敏感電子元件430的連續且封閉的環狀結構，用以阻隔來自外界的水氣與氧氣，其中第一側壁阻障結構SWB4環繞散熱突出440。在此必須說明的是，如圖7A所示，本實施例的散熱突出440與第二基板420例如是相同材質所構成，其中散熱突出440例如透過由黃光微影蝕刻、壓印、噴砂或精密車床等製程並且以陣列排列的方式形成於第二基板420上，且第二基板420與散熱突出440的材質主要為金屬材料，其中金屬材料例如是鐵、鋁、銅、鎂、鉻、金、銀、鉬、鈦等金屬或其合金材料。

更進一步而言，在其他未繪示的實施例中，散熱突出440與第二基板420亦可以是不相同材質所構成，其中第二基板420的材質例如是金屬材料，且金屬材料例如是鐵、鋁、銅、鎂、鉻、金、銀、鉬、鈦等金屬或其合金材料，則散熱突出440的材質主要為無機材料，其中無機材料例如是矽化物、鋁化物、鑽石、類鑽石等。散熱突出440可透過化學氣相沉積、濺鍍、噴塗由等製程並且以陣列排列的方式形成於第二基板420上。

詳細而言，如圖7A以及7B所示，在本實施例中，散熱 突出440的數量例如是多個並且陣列排列第二基板420上的一區域D，其中區域D的面積與環境敏感電子元件430的尺寸大致上相同。當然，區域D的面積可視產品的設計需求而進行調整，換言之，區域D的面積可以是等於、大於或小於環境敏感電子元件430的尺寸，且散熱突出440的分佈位置與環境敏感電子元件430至少部分重疊。也因此，環境敏感電子元件430所發出的熱能可經由第一填充層450傳遞至散熱突出440，之後，進一步由散熱突出440傳導至第二基板420而逸散至外界。

簡言之，本揭露的散熱突出可有效提升熱傳導與散熱的效率。此外，在本實施例中，散熱突出440的底面積例如是方形，當然，在其他未繪示的實施例中，散熱突出440的底面積亦可以是三角形、其他不同型態多邊形、圓形或橢圓形，本揭露在此並不加以限制。

另外，第一填充層450例如是膠材透過紫光固化或熱固化所形成。膠材的材質例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)。在本實施例中，第一填充層450未固化前的型態例如是液態式(liquid type)膠材或膠膜式(sheet type)膠材。進一而言，第一填充層450進一步包括導熱材料10，其中導熱材料10例如是人工鑽石、類鑽石、類鑽碳(diamond like carbon)並且以奈米級粒子分佈於第一填充層450之中，可有效提升熱傳導的效率。

另一方面，本實施例的環境敏感電子元件封裝體400A更 包括一電路導線DC，其中電路導線DC配置於第一基板410上，且位於第一基板410與第二基板420之間。電路導線DC與環境敏感電子元件430電性連接，其中電路導線DC可用以接收一輸入訊號，並轉換此輸入訊號而產生一輸出訊號，其中輸出訊號例如是顯示控制訊號。電路導線DC輸出顯示控制訊號，以控制環境敏感電子元件430。

接續上述，第三基板460例如是金屬基板，第三基板460可為具有較佳的導熱與散熱特性的可撓性金屬基板。當然，第三基板460亦可以是與第一基板410相同或相似的可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)，本揭露在此並不加以限制。

此外，如圖7A所示，在本實施例中，第二側壁阻障結構SWB5位於第三基板460上並且朝向第一基板410延伸，其中第二側壁阻障結構SWB5垂直於第一基板410的截面例如是梯形，當然，此截面亦可以是矩形、其他不同型態多邊型、圓形或橢圓形。一般而言，第二側壁阻障結構SWB5的材質可包括金屬材料，而金屬材料例如是鐵、鋁、銅、鎂、鉻、金、銀、鉬、鈦等金屬或其合金材料，且第二側壁阻障結構SWB5例如是藉由黃光微影蝕 刻、壓印或或精密車床等製程形成於第三基板460上。值得一提的是，第二側壁阻障結構SWB5與第三基板460可以是相同材質或不相同材質所構成，本揭露在此並不加以限制。

詳細而言，在本實施例中，包覆第二側壁阻障結構SWB5的散熱層470主要為導熱材料10所構成，其中導熱材料10例如是人工鑽石、類鑽石、類鑽碳(diamond like carbon)，且散熱層470例如是前述導熱材料10透過化學氣相沉積法、噴塗法等製程形成於第二側壁阻障結構SWB5上。散熱層470亦可包括抗電磁干擾材質，一般而言，抗電磁干擾材料例如是金、銀、銅、碳或鉛等，可用以減弱電磁的效應。

此外，包覆第二側壁阻障結構SWB5的散熱層470亦可以是由金屬材料或高導熱材料所構成，其中金屬材料或高導熱材料例如為單層金屬如鋁、鉬、鈦等，或者是多層金屬堆疊如鉬/鋁/鉬或鈦/鋁/鈦等組合。一般而言，散熱層470例如是前述金屬材料或高導熱材可透過化學氣相沉積法、薄膜蒸鍍法、薄膜濺鍍法等製程形成於第二側壁阻障結構SWB5上。

另一方面，散熱結構480例如是連續環狀結構，其中散熱結構480是與散熱層470直接接合。此外，散熱結構480進一步與殼體CASE2接合，也因此，環境敏感電子元件430所產生的熱能可經由散熱層470傳導至散熱結構480，再經由散熱結構480傳導至殼體CASE2，最後熱能由殼體CASE2向外導出。

進一步詳言之，如圖7A所示，散熱結構480包括導熱材480a與導熱點480b，其中導熱材480a的材質主要可包括金屬材料或其他高導熱材料例如為金屬導熱膠材、導熱膠帶等。另外，導熱點480b的材質主要可包括金屬材料，其中金屬材料例如為單層金屬如鋁、鉬、鈦等，或者多層金屬堆疊如鉬/鋁/鉬或鈦/鋁/鈦等組合。散熱結構480例如是透過化學氣相沉積法、薄膜蒸鍍法、薄膜濺鍍法等製程形成於第一基板410之上。更進一步詳言之，導熱點480b可利用主動元件利如薄膜電晶體(TFT)製程中的金屬導線製程同時製作，且導熱材480a與導熱點480b可以是相同材質或不相同材質所構成，本揭露在此並不加以限制。

在本實施例中，第一基板410、第二基板420及第三基板460裝設於殼體CASE2內，詳細而言，第一基板410、第二基板420及第三基板460例如是被殼體CASE2所環繞，其中第一基板410進一步抵接殼體CASE2的內表面。換言之，環境敏感電子元件430發出的熱能可經由第一基板傳導至殼體CASE2而將熱能導出，以降低熱能對環境敏感電子元件430壽命的影響。

在本實施例中，環境敏感電子元件封裝體400A例如是底面發光(bottom emission)的設計，亦例如是頂面發光(top emission)的設計，本揭露在此並不加以限制。當然，在其他未繪示的實施例中，環境敏感電子元件封裝體400A的殼體CASE亦可進一步配置有雙面出光口，據此光線可同時自頂面及底面輸出， 從而達到雙面發光(dual emission)的效果。

綜上所述，由於本揭露的環境敏感電子元件封裝體具有環繞環境敏感電子元件的側壁阻障結構並且配置於任兩基板之間，因此本揭露的環境敏感電子元件封裝體具有良好的阻隔水氣與氧氣的能力。此外，本揭露的環境敏感電子元件封裝體更具有散熱突出的結構或導熱材料，其中散熱突出配置於基板上並且朝向環境敏感電子元件延伸，而導熱材料是以奈米級粒子分佈於填充層或散熱層，因此本揭露的環境敏感電子元件封裝體同時具有良好的散熱能力，以有效延長環境敏感電子元件的壽命。

雖然本揭露已以實施例說明如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧導熱材料

200A‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

210‧‧‧第一基板

220‧‧‧第二基板

230‧‧‧環境敏感電子元件

240‧‧‧第一填充層

250‧‧‧第三基板

260‧‧‧散熱突出

270‧‧‧第二填充層

SWB1‧‧‧側壁阻障結構

DC‧‧‧電路導線

Claims (21)

1. 一種環境敏感電子元件封裝體，包括：一第一基板；一第二基板，配置於該第一基板上方；一環境敏感電子元件，配置於該第一基板上，且位於該第一基板與該第二基板之間；至少一第一側壁阻障結構，配置於該第二基板上，且位於該第一基板與該第二基板之間，其中該第一側壁阻障結構位於該環境敏感電子元件的至少一側；至少一散熱突出，位於該第二基板上，該散熱突出的分佈位置與該環境敏感電子元件至少部分重疊；一第一填充層，位於該第一基板與該第二基板之間，其中該第一填充層包覆該環境敏感電子元件、該散熱突出以及該第一側壁阻障結構；一第三基板，配置於該第一基板下方，其中該第一基板位於該第二基板與該第三基板之間；至少一第二側壁阻障結構，配置於該第三基板上，且位於該第一基板與該第三基板之間；一散熱層，配置於該第三基板上，且位於該第一基板與該第三基板之間，其中該散熱層包覆該第三基板與該第二側壁阻障結構；一散熱結構，配置於該第一基板上，且位於該第一基板與該 第三基板之間，其中該散熱結構環繞該第二側壁阻障結構，且該散熱結構與該第三基板上的該散熱層接合；以及一第二填充層，位於該第一基板與該第三基板之間，其中該第二填充層包覆該第二側壁阻障結構。
2. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第一側壁阻障結構包括連續且封閉的環狀結構，且該第一側壁阻障結構環繞該散熱突出。
3. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第一側壁阻障結構的截面包括梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形，且該截面垂直於該第一基板。
4. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該散熱突出的底面積包括方形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形。
5. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該散熱突出陣列排列於該第二基板上。
6. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第一填充層具有導熱材料。
7. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括一電路導線，其中該電路導線配置於該第一基板上，且位於該第一基板與第二基板之間，以電性連接該環境敏感電子元件。
8. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該散熱結構包括連續環狀結構。
9. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該散熱結構包括不連續環狀結構。
10. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該散熱層為導熱材料。
11. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第二填充層具有導熱材料。
12. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括一殼體，且該第一基板、該第二基板與該第三基板裝設於該殼體內。
13. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第二側壁阻障結構的截面包括梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形，且該截面垂直於該第一基板。
14. 一種環境敏感電子元件封裝體，包括：一第一基板；一第二基板，配置於該第一基板上方；一環境敏感電子元件，配置於該第一基板上，且位於該第一基板與該第二基板之間；一第一填充層，位於該第一基板與該第二基板之間，且包覆該環境敏感電子元件；一第三基板，配置於該第一基板下方，其中該第一基板位於該第二基板與該第三基板之間；至少一側壁阻障結構，配置於該第三基板上，且位於該第一 基板與該第三基板之間，其中該側壁阻障結構位於該環境敏感電子元件的至少一側；至少一散熱突出，位於該第三基板上，該散熱突出的分佈位置與該環境敏感電子元件至少部分重疊；以及一第二填充層，位於該第一基板與該第三基板之間，且包覆該側壁阻障結構以及該散熱突出。
15. 如申請專利範圍第14項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構包括連續且封閉的環狀結構，且該側壁阻障結構環繞該散熱突出。
16. 如申請專利範圍第14項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第一側壁阻障結構的截面包括梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形，且該截面垂直於該第一基板。
17. 如申請專利範圍第14項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該散熱突出的底面積包括方形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形。
18. 如申請專利範圍第14項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該散熱突出陣列排列於該第三基板上。
19. 如申請專利範圍第14項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第一填充層具有導熱材料。
20. 如申請專利範圍第14項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第二填充層具有導熱材。
21. 如申請專利範圍第14項所述的環境敏感電子元件封裝 體，更包括一電路導線，其中該電路導線配置於該第一基板上，且位於該第一基板與第二基板之間，以電性連接該環境敏感電子元件。