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TWI435183B - An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method - Google Patents

An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method Download PDF

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TWI435183B
TWI435183B TW097142980A TW97142980A TWI435183B TW I435183 B TWI435183 B TW I435183B TW 097142980 A TW097142980 A TW 097142980A TW 97142980 A TW97142980 A TW 97142980A TW I435183 B TWI435183 B TW I435183B
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柴崎祐一
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尼康股份有限公司
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Description

曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
本發明係關於曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法，特別是關於在製造半導體元件等微型元件之微影製程所使用之曝光裝置及曝光方法、以及使用該曝光方法之元件製造方法。
以往，在製造半導體元件(積體電路等)、液晶顯示元件等電子元件(微型元件)之微影製程中，主要係使用步進重複方式之投影曝光裝置(所謂步進器)、或步進掃描方式之投影曝光裝置(所謂掃描步進器(亦稱為掃描器))等。
此種曝光裝置中，為了提升投影光學系統之解析度，一直謀求曝光用光之短波長化與增大投影光學系統之數值孔徑(高NA化)。然而，因曝光用光之短波長化及投影光學系統之高NA化而導致焦點深度逐漸變窄。因此，作為實質上縮短曝光波長且擴大(加寬)相較於空氣中之焦點深度的方法，使用液浸法之曝光裝置近年來已逐漸受到重視。
另一方面，對曝光裝置除了高解析度以外亦要求必須具有高產能。提升產能之方法，已提出有各種雙晶圓載台型之曝光裝置，其係採用設置複數個例如2個用以保持晶圓之晶圓載台，並以該2個晶圓載台同時並行處理不同之動作的方法。
再者，最近亦提出有一種採用液浸曝光法之雙晶圓載台型之曝光裝置(例如，參照專利文獻1)。
此外，已知有一種Z干涉儀(例如，參照專利文獻2)，其係在測量與晶圓載台之XY平面正交之Z軸方向的位置(高度)時，將相對於XY平面傾斜既定角度例如45°之反射面(Z測量用反射面)設置於晶圓載台之側面，以對該反射面照射平行於XY平面之測距光束，並接收該光束之返回光，藉此測量晶圓載台之高度。
然而，在與例如專利文獻1相同類型之曝光裝置採用上述Z干涉儀時，最好構成為各晶圓載台皆可從兩側以Z干涉儀進行高度測量。然而，如此一來，如專利文獻2所揭示，在使2個晶圓載台接觸或接近，並於兩晶圓載台間交接液浸區域(液體)時，有Z測量用反射面彼此會接觸而造成損傷之虞。又，若為了避免此種情況之發生而在2個晶圓載台分離之狀態下進行液浸區域之交接時，則液體會從兩晶圓載台間漏出，而有無法進行液浸區域之交接之虞。又，亦有因漏出之液體而弄濕Z測量用反射面之虞。又，即使在不使用Z測量用反射面之情況下，只要至少一晶圓載台具有較其他部分突出之機構部等時，當使2個晶圓載台接觸或接近，以於兩晶圓載台間交接液浸區域(液體)時，亦可能產生與上述相同之問題。
專利文獻1：美國專利第7,161,659號說明書
專利文獻2：美國專利第6,208,407號說明書
根據第1觀點，本發明之曝光裝置，係透過光學系統與液體藉由能量束使物體曝光，其特徵在於，具備：第1移動體，可裝載該物體，並可在包含第1區域與第2區域之既定範圍區域內實質上沿既定平面移動，該第1區域包含被供應該液體之緊鄰該光學系統下方的液浸區域，該第2區域係取得位於該第1區域之第1方向一側之該物體之位置資訊的區域；第2移動體，可裝載該物體，並可在包含該第1區域與該第2區域之區域內實質上沿該既定平面與該第1移動體獨立移動；以及移動體驅動系統，實質上沿該既定平面驅動該第1、第2移動體，且從一移動體位於該第1區域之第1狀態遷移至另一移動體位於該第1區域之第2狀態時，在該第1移動體與該第2移動體於該既定平面內之與該第1方向垂直之第2方向錯開、且在該第1方向維持透過彼此之對向面之一部分而接近或接觸的並列狀態下，將該第1、第2移動體同時驅動於該第1方向。
據此，可在維持第1、第2移動體之並列狀態下，使第1、第2移動體沿第1方向移動，並使液體不會從兩移動體之間洩漏，而在兩移動體之間交接液浸區域。藉此，不須要液浸區域之液體的全回收及再次供應等作業。又，相較於使第1及第2移動體從第2方向接近或接觸之情形，可縮短兩移動體之移動距離(移動行程)。又，藉由使兩移動體在第2方向為錯開之狀態且在該第1方向透過彼此之對向面之一部分而接近或接觸，即可進一步縮短兩移動體之移動行程。因此，可使產能提升。
根據第2觀點，本發明之曝光方法，係透過光學系統與液體藉由能量束使物體曝光，其特徵在於：將第1移動體與第2移動體，在錯開於第2方向之狀態下，且在第1方向維持接近或接觸之並列狀態下，同時驅動於該第1方向，藉此將液浸區域從一移動體交接至另一移動體，並從一移動體位於第1區域之第1狀態遷移至另一移動體位於該第1區域之第2狀態，該第1移動體與第2移動體，可裝載該物體，並可在包含該第1區域與第2區域之既定範圍區域內實質上沿既定平面分別獨立移動，該第1區域包含被供應該液體之緊鄰該光學系統下方的液浸區域，該第2區域係取得位於該第1區域之該第1方向一側之該物體之位置資訊的區域。
據此，在從一移動體位於該第1區域之第1狀態遷移至另一移動體位於第1區域之第2狀態時，第1移動體與第2移動體，係在第2方向錯開、且在第1方向維持接近或接觸之並列狀態下，同時驅動於第1方向，而液浸區域即從一移動體交接至另一移動體。藉此，液體即不會從兩移動體之間洩漏，而可在兩移動體之間交接液浸區域。因此，不須要液浸區域之液體的全回收及再次供應等作業。又，相較於使第1及第2移動體從第2方向接近或接觸之情形，可縮短轉移至並列狀態時兩移動體之移動距離(移動行程)。又，藉由使兩移動體在第2方向為錯開之狀態且在第1方向接近或接觸，即可進一步縮短兩移動體之移動行程。因此，可使產能提升。
根據第3觀點，本發明之元件製造方法，其包含藉由本發明之曝光方法使該物體曝光的微影步驟。
以下，針對本發明之一實施形態，根據圖1～圖12作說明。
圖1係概略表示一實施形態之雙載台型曝光裝置100的構成。曝光裝置100係步進掃描方式之投影曝光裝置，亦即所謂掃描器。如後述般，本實施形態中，設有投影光學系統PL與對準系統ALG，而以下係以與投影光學系統PL之光軸AX平行之方向為Z軸方向，以在正交於此之面內與連結投影光學系統PL之中心(光軸AX)與對準系統ALG之檢測中心(光軸AXp)之直線平行的方向為Y軸方向，以正交於Z軸及Y軸之方向為X軸方向，並分別以繞X軸、Y軸、及Z軸旋轉之旋轉(傾斜)方向為θx方向、θy方向、及θz方向進行說明。
曝光裝置100具備照明系統10、標線片載台RST、投影單元PU、局部液浸裝置8、對準系統ALG、載台裝置50、及此等之控制系統等。此外，圖1中構成載台裝置50之2個晶圓載台WST1,WST2係分別位於投影單元PU之下方及對準系統ALG之下方。又，於晶圓載台WST1,WST2上分別裝載有晶圓W1,W2。
例如如美國專利申請公開第2003/0025890號說明書等所揭示般，照明系統10具有光源、以及包含光學積分器等之照度均勻化光學系統及包含標線片遮簾等之照明光學系統(皆未圖示)。照明系統10係藉由照明用光(曝光用光)IL以大致均勻之照度來照明以標線片遮簾(亦稱為遮罩系統)所界定之標線片R上的狹縫狀照明區域IAR。此處，照明用光IL係使用例如ArF準分子雷射光(波長193nm)。
其圖案面(圖1中之下面)形成有電路圖案等之標線片R，係藉由例如真空吸附固定於標線片載台RST上。標線片載台RST可藉由例如包含線性馬達等之標線片載台驅動系統11(圖1中未圖示、參照圖6)，在XY平面內微幅驅動，並以既定掃描速度驅動於掃描方向(此處，係設定為圖1紙面內左右方向之Y軸方向)。
標線片載台RST之XY平面(移動面)內之位置資訊(包含θz方向之旋轉資訊)，係藉由標線片雷射干涉儀(以下，稱為標線片干涉儀)116，透過移動鏡15(實際上，設有具正交於Y軸方向之反射面的Y移動鏡(或復歸反射器)與具正交於X軸方向之反射面的X移動鏡)，以例如0.25nm左右之解析度隨時進行檢測。來自標線片干涉儀116之位置資訊，係傳送至主控制裝置20(圖1中未圖示、參照圖6)。主控制裝置20則根據所傳送之位置資訊透過標線片載台驅動系統11來控制標線片載台RST之位置(及速度)。
投影單元PU係設置於圖1之標線片載台RST之下方(-Z方向)。投影單元PU包含鏡筒40、及保持於鏡筒40內之投影光學系統PL。投影光學系統PL例如係使用沿與Z軸方向平行之光軸AX排列之複數個光學元件(透鏡元件)所構成的折射光學系統。投影光學系統PL係兩側遠心且具有既定投影倍率(例如1/4倍、1/5倍、或1/8倍等)。因此，當藉由來自照明系統10之照明用光IL照射標線片R上之照明區域IAR時，藉由通過投影光學系統PL之第1面(物體面)與圖案面大致一致設置之標線片R的照明用光IL，即透過投影光學系統PL(投影單元PU)，使其照明區域IAR內之標線片R之電路圖案的縮小像(電路圖案之一部分的縮小像)，形成於設置在投影光學系統之第2面(像面)側且與表面塗布有光阻(感應劑)之晶圓W1(或W2)上之照明區域IAR共軛的區域(以下，亦稱為曝光區域)IA。接著，藉由同步驅動標線片載台RST與晶圓載台WST1(或WST2)，使標線片R相對於照明區域IAR(照明用光IL)沿掃描方向(Y軸方向)移動，並藉由使晶圓W1(或W2)相對於曝光區域(照明用光IL)沿掃描方向(Y軸方向)移動，以進行晶圓W1(或W2)上之1個照射區域(區劃區域)的掃描曝光，而使標線片R之圖案轉印於該照射區域。亦即，本實施形態中，係藉由照明系統10、標線片R、及投影光學系統PL在晶圓W1(或W2)上產生圖案，並藉由照明用光IL在晶圓W1(或W2)上之感應層(光阻層)所產生之曝光，而在晶圓W1(或W2)上形成該圖案。
為了進行液浸方式之曝光，於本實施形態之曝光裝置100設有局部液浸裝置8。局部液浸裝置8包含液體供應裝置5、液體回收裝置6(圖1中皆未圖示、參照圖6)、液體供應管31A、液體回收管31B、及噴嘴單元32等。如圖1所示，噴嘴單元32係以圍繞用以保持構成投影光學系統PL之最靠像面側(晶圓側)的光學元件，此處為透鏡(以下，亦稱為前端透鏡)191之鏡筒40之下端部周圍的方式，懸吊支撐於用以保持投影單元PU之未圖示的主框架。如圖1所示，本實施形態中，噴嘴單元32係設定成其下端面與前端透鏡191之下端面為大致同一面。
液體供應管31A係連接於液體供應裝置5(圖1中未圖示、參照圖6)，而液體回收管31B則連接於液體回收裝置6(圖1中未圖示、參照圖6)。此處，液體供應裝置5具備用以儲存液體之槽、加壓泵、溫度控制裝置、及用以控制液體之流量的閥等。液體回收裝置6則具備用以儲存回收後之液體的槽、吸引泵、及用以控制液體之流量的閥等。
主控制裝置20係控制液體供應裝置5(參照圖6)，透過液體供應管31A，將液體Lq供應於前端透鏡191與晶圓W1(或W2)之間，並控制液體回收裝置6(參照圖6)，透過液體回收管31B，將液體Lq從前端透鏡191與晶圓W1(或W2)之間回收。此時，主控制裝置20係以隨時均使所供應之液體之量與所回收之液體之量相等的方式，進行液體供應裝置5與液體回收裝置6之控制。因此，在前端透鏡191與晶圓W1(或W2)之間係隨時保持更換一定量之液體Lq，藉此形成液浸區域14(參照圖4等)。本實施形態之曝光裝置100中，係透過形成液浸區域14之液體Lq，將照明用光IL照射於晶圓W1(或W2)，藉此進行對晶圓W1(或W2)之曝光。此處，液浸區域14雖係應稱為液浸空間之以液體Lq所充滿之三維空間，不過由於空間亦意指空隙因此為了避免此種誤解，本說明書中係使用稱作液浸區域之用語。
上述液體係使用例如ArF準分子雷射光(波長193nm之光)可透射之純水。此外，純水對ArF準分子雷射光之折射率n係大致為1.44，在純水中照明用光IL之波長即被縮短成193nm×1/n=約134nm。
對準系統ALG係設置於從投影單元PU之中心(投影光學系統PL之光軸AX(本實施形態中，係與上述曝光區域IA之中心一致))沿-Y側隔開既定間隔之位置，並固定於未圖示之主框架。此處，對準系統ALG係使用例如影像處理方式之FIA(Field Image Alignment)系統。對準系統ALG係在晶圓對準等時，根據主控制裝置20之指示拍攝晶圓載台WST1或WST2上之基準標記或晶圓上之對準標記(晶圓標記)，並透過未圖示之訊號處理系統將該拍攝訊號供應至主控制裝置20(參照圖6)。
此外，本實施形態之曝光裝置100中，於投影單元PU附近設有例如與美國專利第5,448,332號說明書等所揭示者相同構成之斜入射方式之多焦點位置檢測系統(以下，略稱為多點AF系統)AF(圖1中未圖示、參照圖6)。此處，多點AF系統AF係使用下述構成者，亦即透過形成在上述噴嘴單元32之未圖示光透射部及液浸區域之液體Lq，將來自照射系統之檢測光束分別照射於晶圓W1(或W2)表面之複數個檢測點，並透過形成在噴嘴單元32之另一光透射部以受光系統來接收各複數個檢測點之檢測光束的反射光。多點AF系統AF之檢測訊號，係透過未圖示之AF訊號處理系統供應至主控制裝置20(參照圖6)。主控制裝置20係根據多點AF系統AF之檢測訊號，檢測出各檢測點之晶圓W表面之Z軸方向的位置資訊，並根據該檢測結果執行掃描曝光中之晶圓W的所謂聚焦調平控制。此外，亦可將多點AF系統設置於對準檢測系統ALG之附近，事先取得晶圓對準時晶圓表面之面位置資訊(凹凸資訊)，曝光時則使用該面位置資訊與用以檢測晶圓載台上面之Z軸方向之位置之另一感測器的測量值，以執行晶圓W之所謂聚焦調平控制。
再者，曝光裝置100中，於標線片載台RST之上方，設有由使用曝光波長之光之一對TTR(Through The Reticle)對準系統所構成之標線片對準檢測系統13(圖1中未圖示、參照圖6)。標線片對準檢測系統13之檢測訊號，係透過未圖示之對準訊號處理系統供應至主控制裝置20(參照圖6)。
如圖1所示，載台裝置50具備設置於基座12上方之晶圓載台WST1,WST2、包含用以測量晶圓載台WST1,WST2之位置資訊之干涉儀系統118的測量系統200(參照圖6)、及用以驅動晶圓載台WST1,WST2之載台驅動系統124(參照圖6)等。晶圓載台WST1,WST2係藉由其所分別具備之後述空氣滑件，透過數μm左右之間隙懸浮支撐於基座12之上方。此外，晶圓載台WST1,WST2可藉由構成載台驅動系統124之後述平面馬達，分別沿基座12之上面(移動導引面)驅動在XY平面內。
如圖1及圖2(A)所示，晶圓載台WST1包含載台本體91、及裝載於本體91上之晶圓台WTB1。如圖2(A)所示，載台本體91具有與埋設於基座12內部之固定件52一起構成平面馬達51的可動件56、及一體設於該可動件56下半部周圍並具有複數個空氣軸承的空氣滑件54。
可動件56係藉由磁石單元所構成，其中該磁石單元係包含由例如以相鄰之磁極面之極性彼此不同之方式排列成陣列狀之複數個平板磁石所構成的平板上發磁體。
另一方面，固定件52係藉由電樞單元所構成，其中該電樞單元係於基座12之內部具有排列成陣列狀之複數個電樞線圈(驅動線圈)57。本實施形態中，電樞線圈57係設有X驅動線圈及Y驅動線圈。此外，藉由由包含複數個X驅動線圈及Y驅動線圈之電樞單元所構成之固定件52與由上述磁石單元所構成之可動件56，構成電磁力驅動方式(勞侖茲力方式)之動磁型平面馬達51。
複數個電樞線圈57係藉由構成基座12上面之平板狀構件58所覆蓋。平板狀構件58之上面係構成晶圓載台WST1(及WST2)之移動導引面及來自空氣滑件54所具備之空氣軸承之加壓空氣的受壓面。
晶圓台WTB1係透過構成載台驅動系統124之一部分的Z調平機構(例如，包含音圈馬達等)而設置於載台本體91之上。晶圓台WTB1係藉由Z調平機構相對於載台本體91微幅驅動於Z軸方向、θx方向、及θy方向。因此，晶圓台WTB1係藉由包含平面馬達51與Z調平機構之載台驅動系統124，而可相對於基座12驅動於6個自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)。
於晶圓台WTB1上面之中央，設有藉由真空吸附等來保持晶圓之晶圓保持具(未圖示)。如圖2(B)所示，於晶圓保持具(晶圓之裝載區域)之外側，在中央形成有較晶圓保持具大一圈之圓形開口，且設置有具矩形之外形(輪廓)的板28。板28之表面係經對液體Lq之撥液化處理而形成有撥液面。此外，板28係設定成其表面全部(或一部分)與晶圓W之表面為大致同一面。
又，於板28之＋Y側之大致中央形成有圓形開口，於該圓形開口內埋設有基準標記板FM。基準標記板FM其表面係與板28為大致同一面。於基準標記板FM之表面，至少形成有藉由標線片對準檢測系統13所檢測之一對第1基準標記、及藉由對準系統ALG所檢測之第2基準標記。
如圖2(B)所示，於晶圓台WTB1之-Y側之＋X端部設置有較其他部分突出之板狀簷部23a。又，如圖2(B)所示，於晶圓台WTB1之＋Y側之＋X端部形成有X軸方向之寬度與簷部23a大致相同之段部(俯視為矩形之切除部)23b。晶圓台WTB1之上面，包含晶圓W1及簷部23a係大致整面(除了段部23b外)為大致同一面。
如圖1(及圖4)等所示，晶圓載台WST2係包含載台本體91、及晶圓台WTB2，雖與上述晶圓載台WST1呈左右對稱，不過完全係以相同方式所構成。
因此，在晶圓載台WST2，於-Y側之-X端部設置有與簷部23a相同(或左右對稱之)簷部，並於＋Y側之-X端部形成有與段部23b呈左右對稱之段部(俯視為矩形之切除部)。以下，為了區別起見係將晶圓台WTB2所具備之簷部記述為簷部23a’而將段部記述為23b’。
此處，針對簷部23a,23a’及段部23b,23b’作詳述。圖3(A)係擴大表示設於晶圓台WTB1之段部23b與設於晶圓台WTB2之簷部23a’。如該圖3(A)所示，藉由設於晶圓台WTB2之簷部23a’的前端與設於晶圓台WTB1之段部23b卡合，在晶圓載台WST1之＋Y側之面與晶圓載台WST2之-Y側之面局部對向的狀態下，晶圓載台WST1與晶圓載台WST2即可透過簷部23a’及段部23b在Y軸方向接近或接觸，亦即兩晶圓載台WST1,WST2即呈並列狀態(參照圖4)。
晶圓台WTB2之簷部23a’之Y軸方向的長度係設定成遠較段部23b之Y軸方向的長度長，如圖3(A)所示，係設定成在簷部23a’與段部23b卡合之狀態下，可阻止晶圓載台WST1與晶圓載台WST2造成接觸(更正確而言，係晶圓載台WST1之空氣滑件54的＋Y側端與晶圓載台WST2之空氣滑件54的-Y側端造成接觸)程度的長度。
晶圓台WTB1之簷部23a與晶圓台WTB2之段部23b’係具有與上述簷部23a’、段部23b相同之尺寸，並同樣地可彼此卡合。此外，在該等之卡合狀態下，係可阻止晶圓載台WST1與晶圓載台WST2造成接觸(更正確而言，係晶圓載台WST1之空氣滑件54的-Y側端與晶圓載台WST2之空氣滑件54的＋Y側端造成接觸)。
本實施形態中，在晶圓載台WST1,WST2更正確而言係簷部23a’與段部23b(或簷部23a與段部23b’)接近或接觸之狀態(兩晶圓載台之並列狀態)下，晶圓台WTB1與晶圓台WST2之上面，包含簷部23a(或23 a’)之上面，整體係呈大致同一面(全平坦之面)(參照圖3(A))。此處，以一例而言，簷部23a’(或23 a)與段部23b(或23 b’)接近係指透過300μm左右之間隙簷部23a’(或23 a)與段部23b(或23 b’)接近之狀態。
如圖4所示，簷部23a’(及23a)之X軸方向之寬度係設定成充分大於上述液浸區域14之寬度，例如100mm左右，更正確而言為100mm以下(以一例而言，為80～100mm)。因此，例如為了結束對裝載於晶圓台WTB1之晶圓W1的曝光，並開始對裝載於晶圓台WTB2之晶圓W2的曝光，必須使位於包含形成液浸區域14之投影光學系統PL之下方區域之曝光時移動區域AE(參照圖7及圖8)的晶圓載台WST1從曝光時移動區域AE退開，並使在既定待機位置待機之晶圓載台WST2移動至曝光時移動區域AE。例如如圖10所示，在該情形下，主控制裝置20係使各晶圓載台WST1,WST2沿Y軸方向接近或接觸，以使各晶圓載台WST1,WST2所具有之段部23b與簷部23a’卡合。接著，一直保持該狀態(並列狀態)下，主控制裝置20即藉由沿-Y方向驅動兩晶圓載台WST1,WST2，液浸區域14即依序移動於晶圓台WTB1、簷部23a’、及晶圓台WTB2之上面。
在液浸區域14透過簷部23a’從晶圓台WTB1上移動至晶圓台WTB2上時(或者，透過簷部23a從晶圓台WTB2上移動至晶圓台WTB1上時)，形成液浸區域14之液體Lq即滲入簷部23a’與段部23b之間隙(或簷部23a與段部23b’之間隙)，並可透過晶圓載台WST1及/或WST2之側面造成往晶圓載台WST1及/或WST2下方之洩漏。因此，如圖3(C)所示，例如即可將密封構件24黏貼於段部23b之與簷部23a’卡合之面的一部分、反之簷部23a’之與段部23b卡合之面的一部分、或簷部23a’與段部23b兩者卡合之面的一部分。此種情況下，即可藉由密封構件24來防止液體Lq滲入簷部23a’與段部23b之間隙，進而可防止往晶圓載台WST1及/或WST2下方之洩漏。此外，密封構件24可使用例如由氟橡膠等所構成之彈性密封構件。又，亦可藉由鐵氟龍(註冊商標)等於簷部23a’之與段部23b的卡合面、及/或段部23b之與簷部23a’的卡合面施以撥水塗層，以取代黏貼密封構件24。此外，段部23b’、簷部23a亦與上述相同。
本實施形態中，如以上所述，可透過簷部23a或23a’使液浸區域14在晶圓台WTB1,WTB2間移動。此時，由於可維持簷部23a與段部23b’(或簷部23a’與段部23b)接觸或接近之狀態，因此可防止液浸區域14之液體Lq從簷部與段部之間隙洩漏。因此，無須從投影光學系統PL之下方進行液體Lq的回收作業，相較於須進行液體Lq之回收、供應的情形，便可提升產能。
此外，上述說明中，雖將簷部設於晶圓台WTB1,WTB2之-Y側端部並將段部設於晶圓台WTB1,WTB2之＋Y側端部，不過反之，如後述變形例般，亦可將簷部設於晶圓台WTB1,WTB2之＋Y側端部並將段部設於晶圓台WTB1,WTB2之-Y側端部。此外，如圖3(B)所示，亦可將彼此卡合之一對平板上的突出部23c,23d設置於晶圓台WTB1上端部之＋Y側、及晶圓台WTB2上端部之-Y側。此時，將上半部較下半部突出之凸部形成於一側之突出部23c的前端部，並在另一側之突出部23d的前端部卡合突出部23c之凸部，如圖3(B)所示，在該卡合狀態下形成整體形成1個板狀部之下半部較上半部突出的凸部。此時，亦只要將突出部23c,23d之長度設定成突出部23c,23d嵌合之兩晶圓載台WST1,WST2在並列狀態下，可避免晶圓載台WST1與晶圓載台WST2造成接觸的長度即可。當然，亦可將彼此卡合之一對平板上的突出部設置於晶圓台WTB2上端部之＋Y側、及晶圓台WTB1上端部之-Y側。
又，本實施形態中，係將彼此卡合之簷部23a(或23a’)與段部23b’(或23 b)(或一對突出部23c,23d)，設置於晶圓載台WST1,WST2各自之接近或接觸時(並列時)對向之±Y側的±X側端部，使兩晶圓載台WST1,WST2在X軸方向錯開的狀態下呈並列狀態。此係主要考量以下a.～c.之理由。
a.藉由使兩晶圓載台WST1,WST2在Y軸方向並列(接近或接觸)，其中Y軸方向係連結進行晶圓曝光之曝光位置(液浸區域14)與進行晶圓對準之位置的方向，相較於使兩晶圓載台WST1,WST2在X軸方向並列之情形，可縮短兩晶圓載台WST1,WST2之移動距離(移動行程)。藉此，可謀求產能之提升。
b.藉由使兩晶圓載台WST1,WST2在X軸方向錯開之狀態下呈並列狀態，可進一步縮短兩晶圓載台WST1,WST2之移動行程，藉此可進一步提升產能。
c.可縮短分別連接於晶圓載台WST1,WST2之後述纜線的長度。
此外，亦可將例如國際公開第2007/097379號小冊子所揭示之空間像測量裝置、基準桿(Confidential Bar)(CD Bar：CD桿)、照度不均感測器、空間像測量器、波面像差測量器、及照度監測器等各種測量裝置及測量構件設置於晶圓載台WST1,WST2。
本實施形態中，於可從晶圓載台WST1之-X側端部移動至設置在基座12(晶圓載台WST1,WST2之移動導引面)之-X側之Y軸方向的第1纜線梭(未圖示)，連接有未圖示之配線、配管用纜線。同樣地，於可從晶圓載台WST2之＋X側端部移動至設置在基座12之＋X側之Y軸方向的第2纜線梭(未圖示)，連接有未圖示之配線、配管用纜線。藉由該等纜線進行對設於兩晶圓載台WST1,WST2之Z調平機構及測量裝置的電力供應、以及對空氣滑件之加壓空氣的供應等。
其次，針對構成測量系統200之一部分的干涉儀系統118作說明。
如圖2(B)使用晶圓台WTB1代表性所示，於晶圓台WTB1,WTB2之-X側端面、＋Y側端面、＋X側端面、及-Y側端面，分別形成有反射面27a,27b,27c,27d。此外，於晶圓載台WST1,WST2之-X側與＋X側之面，設置有具有分別對反射面27a,27c傾斜45度之反射面的反射鏡27e,27f(參照圖5)。又，如圖1及圖4所示，長方形板狀之固定鏡25A,25C,25B,25D係使各自之長邊方向朝向X軸方向，且使各自之反射面朝向一Z方向而設置於投影單元PU之＋X側、-X側、及對準系統ALG之＋X側、-X側。固定鏡25A,25C,25B,25D之反射面係可與晶圓載台WST1或WST2(晶圓台WTB1或WTB2)對向。固定鏡25A～25D係設置於用以保持投影單元PU等之主框架的下面。
如圖4所示，干涉儀系統118包含4個Y干涉儀16,17,18,19、及4個XZ干涉儀116,117,126,127。Y干涉儀16,17,18係在X軸方向不同之位置設置於基座12之＋Y側。Y干涉儀19則與Y干涉儀17對向設置於基座12之-Y側。XZ干涉儀116,117係沿Y軸方向以既定間隔設置於基座12之-X側。又，XZ干涉儀126,127係分別與XZ干涉儀116,117對向設置於基座12之＋X側。
若加以詳述，如圖5所示，Y干涉儀17係從與連結投影光學系統PL之光軸AX與對準系統ALG之檢測中心之Y軸平行的直線(基準軸)LV0 ，沿±X方向隔開相等間隔距離，將平行於Y軸之2個測距光束B171 ,B172 照射於晶圓載台WST1(或WST2)之反射面27b，並接收測距光束B171 ,B172 之反射光，以測量測距光束B171 ,B172 之照射點之反射面27b的Y軸方向位移(作為第1、第2位置資訊)。第1、第2位置資訊係傳送至主控制裝置20。主控制裝置20則根據第1、第2位置資訊之平均值，算出晶圓載台WST1(或WST2)在Y軸方向之位置(Y位置)。亦即，Y干涉儀17在Y軸方向之實質測距軸係與基準軸LV0 一致。又，主控制裝置20係根據第1、第2位置資訊之差，算出晶圓載台WST1(或WST2)之θz方向的旋轉資訊(偏搖量)。
又，Y干涉儀17係從測距光束B171 ,B172 沿-Z方向隔開既定距離，將另一測距光束B173 照射於反射面27b，並接收測距光束B173 之反射光，以測量測距光束B173 之照射點之反射面27b的Y軸方向位移(作為第3位置資訊)，並傳送至主控制裝置20。主控制裝置20則根據第3位置資訊及第1、第2位置資訊，算出晶圓台WTB1(或WTB2)之θx方向的旋轉資訊(縱搖量)。
與Y干涉儀17同樣地，Y干涉儀16,18,19係使用在測量晶圓台WTB1,WTB2之一者或兩者之Y位置、縱搖量、及偏搖量。Y干涉儀16,18具有分別平行於基準軸LV0 之測距軸LV1 ,LV2 。又，Y干涉儀19係以實質上之測距軸為基準軸LV0 ，並將3個測距光束照射於晶圓台WTB1(或WTB2)之反射面27d。
XZ干涉儀116,126係以正交於投影光學系統PL之光軸AX與基準軸LV0 之基準軸LH為在X軸方向之測距軸。亦即，如圖5所示，XZ干涉儀116係沿測距軸LH將測距光束B1161 照射於晶圓台WTB1(或WTB2)之反射面27a，並接收反射面27a之測距光束B1161 的反射光，以測量測距光束B1161 之照射點之反射面27a的X軸方向位移(作為第4位置資訊)。同樣地，XZ干涉儀126係沿測距軸LH將測距光束B1261 照射於晶圓台WTB1(或WTB2)之反射面27c，並接收反射面27c之測距光束B1261 的反射光，以測量測距光束B1261 之照射點之反射面27c的X軸方向位移(作為第5位置資訊)。第4、第5位置資訊係傳送至主控制裝置20。主控制裝置20則根據第4、第5位置資訊，算出晶圓台WTB1(或WTB2)之X位置。
又，XZ干涉儀116係與測距軸LH平行地將測距光束(Z測距光束)B1162 照射於設在晶圓台WTB1(或WTB2)之反射鏡27e的反射面。測距光束B1162 係以反射鏡27e反射至＋Z方向，而照射於上述固定鏡25C之反射面上。來自固定鏡25C之反射面之測距光束B1162 的反射光，則逆向沿原光路行進而在XZ干涉儀116被接收。XZ干涉儀116係測量測距光束B1162 之光路長(之變化)，並將該測量結果傳送至主控制裝置20。同樣地，XZ干涉儀126係與測距軸LH平行地將測距光束(Z測距光束)B1262 照射於設在晶圓台WTB1(或WTB2)之反射鏡27f的反射面。測距光束B1262 係以反射鏡27f反射至＋Z方向，而照射於上述固定鏡25A之反射面上。來自固定鏡25A之反射面之測距光束B1262 的反射光，則逆向沿原光路行進而在XZ干涉儀126被接收。XZ干涉儀126係測量測距光束B1262 之光路長(之變化)，並將該測量結果傳送至主控制裝置20。
主控制裝置20係藉由從上述第4位置資訊所獲得之測距光束B1161 之光路長與測距光束B1162 之光路長的差，算出測距光束B1162 之反射鏡27e之反射面上之照射點的Z位置(表記為Ze)。
又，主控制裝置20係藉由從上述第5位置資訊所獲得之測距光束B1261 之光路長與測距光束B1262 之光路長的差，算出測距光束B1262 之反射鏡27f之反射面上之照射點的Z位置(表記為Zf)。此外，主控制裝置20係藉由2個Z位置Ze,Zf之平均值與差，算出晶圓台WTB1(或WTB2)之Z位置與θy方向之旋轉資訊(橫搖量)。
再者，如圖5所示，XZ干涉儀116,126係與測距軸LH平行地，不過從測距光束B1161 ,B1261 沿一Z方向隔開既定距離，分別將測距光束B1163 ,B1263 照射於反射面27a,27c。接著，XZ干涉儀116,126即接收測距光束B1163 ,B1263 之反射光，以測量測距光束B1163 ,B1263 之照射點之反射面27a,27c的X軸方向位移(作為第6、第7位置資訊)。第6、第7位置資訊係傳送至主控制裝置20。主控制裝置20係根據第4位置資訊與第6位置資訊，算出晶圓台WTB1(或WTB2)之橫搖量(作為θy1)。又，主控制裝置20係根據第5位置資訊與第7位置資訊，算出晶圓台WTB1(或WTB2)之橫搖量(作為θy2)。又，主控制裝置20係根據Z位置(Ze)與上述橫搖量θy1，算出晶圓台WTB1(或WTB2)之Z位置。又，主控制裝置20係根據Z位置(Zf)與上述橫搖量θy2，算出晶圓台WTB1(或WTB2)之Z位置。
然而，測距光束B1161 ,B1163 之間隔距離及測距光束B1261 ,B1263 之間隔距離係遠小於測距光束(Z測距光束)B1162 ,B1262 之反射鏡27e,27f之反射面上之照射點之X軸方向的距離。因此，相較於使用上述Z測距光束B1162 ,B1262 之測量，晶圓台WTB1(或WTB2)之橫搖量的測量精度係較差。因此，主控制裝置20原則上係使用Z測距光束B1162 ,B1262 ，亦即使用兩XZ干涉儀116,126來進行晶圓台WTB1(或WTB2)之θy方向之位置資訊(橫搖量)及Z位置的測量，而在例外時以僅使用XZ干涉儀116,126中之任一者來進行以作為替代法。此外，替代法之使用例將於後述。
與XZ干涉儀116,126同樣地，XZ干涉儀117,127係在晶圓對準時等使用在測量晶圓台WTB1(WTB2)之X位置、Z位置、及θy方向之位置(橫搖量)。此外，測量方法除了在下述之點不同外，係與使用XZ干涉儀116,126之測量相同，亦即在對準系統ALG之檢測中心以平行於與基準軸LV0 正交之X軸的基準軸LA(參照圖4)作為測距軸之點、及分別使用固定鏡25D,25B作為Z測距光束所照射之固定鏡之點。
以此方式，藉由使用包含Y干涉儀16,17,18,19及XZ干涉儀116,117,126,127之干涉儀系統118，即可測量晶圓台WTB1(或WTB2)之6個自由度(X,Y,Z,θx,θy,θz)方向的位置資訊。此外，本實施形態中，根據各個干涉儀之配置，主控制裝置20係在曝光時移動區域AE使用Y干涉儀17與XZ干涉儀116,126，在晶圓載台WST1,WST2進行晶圓對準時移動之對準系統ALG附近的對準區域AA(參照圖8)，則使用Y干涉儀19與XZ干涉儀117,127。又，主控制裝置20在供晶圓載台WST1來回於曝光時移動區域AE與對準區域AA之間的待機區域(基座12上之-X側區域)係使用Y干涉儀16與XZ干涉儀116,126或117,127，在供晶圓載台WST2來回於曝光時移動區域AE與對準區域AA之間的待機區域(基座12上之＋X側區域)，則使用Y干涉儀18與XZ干涉儀116,126或117,127。
本實施形態中，為了測量晶圓台WTB1(或WTB2)之XY平面內的位置資訊，係設有與上述干涉儀系統118不同之另一編碼器系統150(參照圖6)。因此，主控制裝置20主要係使用干涉儀系統118來進行晶圓台WTB1(或WTB2)之位置測量，編碼器系統150則在當晶圓載台WST位於干涉儀系統118之測量區域外時使用。當然，主控制裝置20亦可併用干涉儀系統118與編碼器系統150來進行晶圓台WTB1(或WTB2)之XY平面內的位置測量。
圖6係表示曝光裝置100之控制系統的主要構成。該控制系統係以由統籌控制裝置整體之微電腦(或工作站)所構成之主控制裝置20為中心所構成。
其次，針對使用晶圓載台WST1,WST2之並行處理動作，根據圖7～圖12、及圖4作說明。此外，以下之動作中，係藉由主控制裝置20控制液體供應裝置5與液體回收裝置6，將液體Lq供應/回收至緊鄰投影光學系統PL之前端透鏡191的下方，以保持一定量之液體Lq，藉此隨時形成有液浸區域14。
圖7係表示在曝光時移動區域AE對裝載於晶圓載台WST1上之晶圓W1進行步進掃描方式之曝光，並與此並行在裝載位置，在晶圓搬送機構(未圖示)與晶圓載台WST2間進行晶圓更換的狀態。此處，本實施形態中，裝載位置係設定在緊鄰對準系統ALG之下方基準標記板FM所定位之晶圓載台WST1,WST2的位置。
上述晶圓更換中及該晶圓更換後，在晶圓載台WST2停止於裝載位置之期間，主控制裝置20係在開始對新晶圓W2進行晶圓對準(及其他之前處理測量)之前，先執行Y干涉儀19與XZ干涉儀117,127之重設(原點之再設定)。
當晶圓更換(新晶圓W2之裝載)與干涉儀19,117,127之重設結束後，主控制裝置20即使用對準系統ALG，以檢測出晶圓載台WST2之基準標記板FM上之第2基準標記。接著，主控制裝置20係檢測出以對準系統ALG之指標中心為基準之第2基準標記的位置，並根據該檢測結果與檢測時之干涉儀19,117,127所產生之晶圓載台WST2之位置測量的結果，算出以基準軸LA及基準軸LV0 為座標軸之正交座標系統(對準座標系統)之上述第2基準標記的位置座標。
其次，如圖8所示，主控制裝置20係使晶圓載台WST2移動至對準區域AA。接著，主控制裝置20即使用干涉儀19,117,127，一邊測量晶圓載台WST2在對準座標系統之位置座標，一邊進行強化全域對準(EGA)。若加以詳述時，主控制裝置20係一邊使用干涉儀19,117,127來管理晶圓載台WST2之位置座標，一邊使用對準系統ALG檢測出附設於晶圓W2上之特定複數個照射區域(取樣照射區域)的複數個對準標記，以求出該等之位置座標。根據所求出之位置座標與設計上之位置座標，執行例如美國專利第4,780,617號說明書等所揭示之統計運算，以算出複數個照射區域之對準座標系統的位置座標。並進一步從所算出之位置座標減去先前所檢測出之第2基準標記的位置座標，以求出以第2基準標記之位置為原點之晶圓W2上之複數個照射區域的位置座標。
通常，上述晶圓更換/晶圓對準程序係較曝光程序早結束。因此，主控制裝置20雖在晶圓對準結束後，使晶圓載台WST2移動至既定待機位置，不過在該移動之途中係將晶圓台WTB2之Y軸方向、θx方向、及θz方向之位置測量所使用之干涉儀從Y干涉儀19切換成Y干涉儀18。接著，主控制裝置20係使晶圓載台WST2在既定待機位置待機，直至對晶圓載台WST1上之晶圓W1之曝光結束。
當對晶圓台WTB1上之晶圓W1的曝光結束後，主控制裝置20即開始分別驅動晶圓載台WST1,WST2至圖10所示之第1並列位置。晶圓載台WST1往第1並列位置的移動開始後，主控制裝置20即將晶圓載台WST1之位置測量所使用之Y干涉儀從Y干涉儀17切換成Y干涉儀16。又，如圖9所示，此時藉由朝向第1並列位置移動之晶圓載台WST2，照射於晶圓載台WST1之XZ干涉儀126的3個測距光束便遭遮蔽，而使使用XZ干涉儀126之晶圓載台WST1的位置測量無法進行。因此，主控制裝置20即僅使用XZ干涉儀116來測量晶圓台WTB1之X,Z,θy位置。此處，主控制裝置20為了測量θy位置及Z位置而使用上述替代法。另一方面，從圖9亦可知，在晶圓載台WST2朝向上述第1並列位置之移動途中，即產生來自XZ干涉儀117，127之測距光束無法照射到晶圓載台WST2且來自各XZ干涉儀之測距光束亦無法照射到晶圓載台WST2的狀態。因此，在產生該狀態前，主控制裝置20即先開始進行使用上述編碼器系統150之晶圓載台WST2的X位置測量。接著，在轉變成來自XZ干涉儀126之3個測距光束可照射到晶圓載台WST2之各反射面之時點，即根據編碼器系統150之測量值來預設XZ干涉儀126。又，圖9所示之狀態下，由於係藉由晶圓載台WST1使XZ干涉儀116之3個測距光束受到遮蔽，因此主控制裝置20係僅使用XZ干涉儀126來測量晶圓台WTB2之X,Z,θy位置。此處，主控制裝置20為了測量θy位置及Z位置亦使用上述替代法。
此外，本實施形態中，在晶圓載台WST1,WST2一起移動之途中，與圖9同樣地，當晶圓載台WST1,WST2在X軸方向排列(至少一部分重疊)時，主控制裝置20係與上述同樣地，僅使用XZ干涉儀116來測量晶圓台WTB1之X,Z,θy位置，並僅使用XZ干涉儀126來測量晶圓台WTB2之X,Z,θy位置。
接著，在兩晶圓載台WST1,WST2移動至第1並列位置之狀態下，如以上所述，晶圓載台WST2之簷部23a’與晶圓載台WST1之段部23b即卡合，兩晶圓載台WST1,WST2便透過簷部23a’,段部23b而呈接近或接觸之並列狀態。主控制裝置20即在一直保持該並列狀態下，沿-Y方向驅動兩晶圓載台WST1,WST2。
隨著晶圓載台WST1,WST2一直保持並列狀態下沿-Y方向移動，形成於前端透鏡191與晶圓台WTB1之間之液浸區域14即依序往晶圓台WTB1、簷部23a’、晶圓台WTB2上移動。圖4係表示在該移動途中液浸區域14跨越簷部23a上，而從晶圓台WTB1移動至晶圓台WTB2上時兩晶圓載台WST1,WST2之狀態。
當液浸區域14往晶圓台WTB2上之移動結束後，如圖11所示，主控制裝置20便使晶圓載台WST1移動至裝載位置。
從圖11亦可知，在晶圓載台WST1朝向上述裝載位置移動之途中，即產生來自XZ干涉儀116之測距光束無法照射到晶圓載台WST1且來自各XZ干涉儀之測距光束亦無法照射到晶圓載台WST1之狀態。因此，在產生該狀態前，主控制裝置20即先開始進行使用上述編碼器系統150之晶圓載台WST1的X位置測量。接著，在轉變成來自XZ干涉儀117,127之各3個測距光束可照射到晶圓載台WST2之各反射面之時點，即根據編碼器系統150之測量值來預設XZ干涉儀117,127。之後，主控制裝置20即使用干涉儀16,117,127，一邊測量位置一邊朝向裝載位置進一步驅動晶圓載台WST1。
與上述晶圓載台WST1之移動並行，主控制裝置20係驅動晶圓載台WST2，將晶圓載台WST2之基準標記板FM定位於緊鄰投影光學系統PL之下方。接著，使用標線片對準檢測系統13(參照圖6)，檢測出基準標記板FM上之一對第1基準標記，以檢測出與第1基準標記對應之標線片R上之標線片對準標記之晶圓面上投影像的相對位置。此外，該檢測係透過投影光學系統PL及形成液浸區域14之液體Lq進行。
主控制裝置20係根據此處所檢測出之相對位置資訊與以先前所求出之第2基準標記為基準之晶圓W2上之各照射區域的位置資訊，算出標線片R之圖案之投影位置(投影光學系統PL之投影中心)與晶圓W2上之各照射區域的相對位置關係。根據該算出結果，主控制裝置20即與上述晶圓W1之情形同樣地，一邊管理晶圓載台WST2之位置，一邊以步進掃描方式將標線片R之圖案轉印於晶圓W2上之各照射區域。
與上述晶圓載台WST2之曝光動作並行，主控制裝置20係在裝載位置，於晶圓搬送機構(未圖示)與晶圓載台WST1之間進行晶圓更換，並將新晶圓W1裝載於晶圓台WTB1上。接著，使用對準系統ALG檢測出晶圓載台WST1之基準標記板FM上之第2基準標記。此外，第2基準標記之檢測前，在晶圓載台WST1位於裝載位置之狀態下，主控制裝置20先執行Y干涉儀19與XZ干涉儀117,127之重設(原點之再設定)。之後，主控制裝置20即一邊管理晶圓載台WST1之位置，一邊使用與上述相同之對準系統ALG對晶圓W1進行晶圓對準(EGA)。
在對晶圓台WTB1上之晶圓W1的晶圓對準(EGA)結束後，且對晶圓台WTB2上之晶圓W2的曝光亦結束後，主控制裝置20即朝向圖12所示之第2並列位置開始晶圓載台WST1,WSR2之驅動。在該第2並列位置係設於晶圓載台WST2之＋Y側之段部23b’與設於晶圓載台WST1之-Y側之簷部23a卡合，且兩晶圓載台WST1,WST2透過簷部23a、段部23b’呈接近或接觸之並列狀態。主控制裝置20係在一直保持該並列狀態下，沿-Y方向驅動兩晶圓載台WST1,WST2。隨此，形成在前端透鏡191與晶圓台WTB2之間之液浸區域14，即依序往晶圓台WTB2、簷部23a、晶圓台WTB1上移動。當液浸區域14之移動結束後，主控制裝置20即與上述相同順序開始進行對晶圓載台WST1上之晶圓W1的曝光。
其後，主控制裝置20即反覆執行上述晶圓載台WST1,WST2之並行動作。
如以上之詳細說明，根據本實施形態之曝光裝置100，主控制裝置20係透過簷部23a與段部23b’(或透過簷部23a，與段部23b)，將晶圓載台WST1與晶圓載台WST2在Y軸方向維持接近或接觸之並列狀態，藉由同時沿Y軸方向驅動晶圓載台WST1與晶圓載台WST2，並透過簷部23a或23a’將形成在緊鄰投影單元PU(投影光學系統PL)下方之液浸區域14，從晶圓載台WST1及晶圓載台WST2中之一者交接至另一者，並從一晶圓載台位於曝光時移動區域AE之第1狀態轉移至另一晶圓載台位於曝光時移動區域AE之第2狀態。
因此，即可在維持將液浸區域14形成於投影光學系統PL(投影單元PU)與位於緊鄰其下方之晶圓台(或裝載於晶圓台上之晶圓)之間的狀態下，不會從兩晶圓載台WST1,WST2之間隙洩漏液體，而從上述第1狀態轉移至第2狀態，反之從第2狀態轉移至第1狀態。藉此，可有效抑制液體從兩晶圓台WTB1,WTB2間之間隙洩漏，藉此即可有效抑制液體對設置於晶圓載台WST1,WST2之±Y側面之反射鏡27b,27d的附著。因此，可保證使用XZ干涉儀16,17,18,19之晶圓台位置測量的高度穩定性。
又，在以一晶圓載台進行透過投影光學系統PL與液浸區域14之晶圓曝光後，至以另一晶圓載台開始透過投影光學系統PL與液浸區域14之晶圓曝光的期間，並不須進行形成液浸區域14之液體Lq之全回收及再供應的步驟。因此，可將從結束以一晶圓載台之曝光至開始以另一晶圓載台之曝光的時間，縮短至與非液浸方式之曝光裝置相同程度，以謀求產能之提升。又，由於在投影光學系統PL之像面側隨時存在有液體，因此可有效防止在投影光學系統PL之像面側的光學構件(例如前端透鏡191)產生水污(水痕)，而可長期維持投影光學系統PL之良好成像性能。
又，根據本實施形態，在並列狀態時係使未設有反射面27e,27f側之面彼此對向的狀態下，透過簷部23a與段部23b’(或透過簷部23a’與段部23b)，使晶圓載台WST1與晶圓載台WST2在Y軸方向接近或接觸。因此，相較於使晶圓載台WST1與晶圓載台WST2從X軸方向接近或接觸之情形，可縮短轉移至並列狀態時兩晶圓載台WST1,WST2之移動距離(移動行程)。又，藉由使兩晶圓載台WST1,WST2在X軸方向錯開之狀態下，在Y軸方向接近或接觸即可進一步縮短兩晶圓載台WST1,WST2之移動行程。因此，在此點亦可謀求產能之提升。又，亦無設於晶圓載台WST1,WST2之X軸方向兩側之反射鏡27e,27f彼此接觸等之虞。又，亦無以液浸區域14之液體Lq弄濕反射鏡27e,27f之反射面之虞。因此，主控制裝置20即可透過反射鏡27e,27f長期以良好精度來測量晶圓載台WST1,WST2之Z位置、及θy方向之旋轉。
又，相較於具備僅使用1個晶圓載台依序進行晶圓更換、晶圓對準、及曝光動作之習知單晶圓載台的曝光裝置，藉由上述2個晶圓載台WST1,WST2之並行動作，即可謀求產能之提升。
又，藉由液浸曝光進行高解析度且較空氣中大焦點深度的曝光，藉此即可將標線片R之圖案以良好精度轉印至晶圓上，並可實現例如元件規則(device rule)為70～100nm程度之微細圖案的轉印。
此外，係對應上述簷部23a(或23a’)與段部23b’(或23b)(或一對突出部23c,23d)之各晶圓載台上之安裝位置，來決定圖4及圖10等所示之並列時之兩晶圓載台WST1,WST2的移動路徑。因此，在並列時兩晶圓載台WST1,WST2之移動路徑為不同的情況下，亦可依據該移動路徑來適當設定簷部與段部(或一對突出部)之設置位置。
圖13及圖14係表示變形例的曝光裝置，其係簷部23a為突設於構成晶圓載台WST1之晶圓台WTB1之＋Y側面的＋X側端部，且簷部23a’為突設於構成晶圓載台WST2之晶圓台WTB2之＋Y側面的-X側端部。如圖13及圖14所示，該變形例之曝光裝置中，係於晶圓載台WST1(晶圓台WTB1)之-Y側，在＋X側端部形成段部23b，並於簷部23a附近設置有基準標記板FM1。又，於晶圓載台WST2(晶圓台WTB2)之-Y側，在-X側端部形成段部23b’，並於簷部23a’附近設置有基準標記板FM2。其他部分之構成等則與上述實施形態相同。此處，基準標記板FM1,FM2雖與上述基準標記板FM為相同標記板，不過此處為了區別起見係稱為基準標記板FM1,FM2。
該變形例之曝光裝置中，對晶圓載台WST1上之晶圓W1係採用所謂完全交互掃描，從位於基準標記板FM1附近之右上(＋X側且＋Y側之端部)的照射區域開始曝光，並使位於右下(＋X側且-Y側之端部)之照射區域最後曝光，且對晶圓載台WST2上之晶圓W2，從位於基準標記板FM2附近之左上(＋X側且＋Y側之端部)的照射區域開始曝光，並使位於左下(＋X側且-Y側之端部)之照射區域最後曝光。圖13係表示結束對晶圓W1之曝光後，簷部23a’以接觸或接近狀態卡合於段部23b之兩晶圓載台WST1,WST2的並列狀態。又，圖14係表示結束對晶圓W2之曝光後，簷部23a以接觸或接近狀態卡合於段部23b’之兩晶圓載台WST1,WST2的並列狀態。
該變形例之曝光裝置中，主控制裝置20係在晶圓W1之曝光結束後，從圖13所示之狀態，維持使簷部23a’，段部23b接近或接觸之並列狀態，並沿+Y方向驅動兩晶圓載台WST1,WST2，以將液浸區域14從晶圓載台WST1上交接至晶圓載台WST2上。移送液浸區域14後一刻，主控制裝置20立即使晶圓載台WST1朝向裝載位置開始移動，並同時驅動晶圓載台WST2，以將基準標記板FM2定位於緊鄰投影光學系統PL之下方並進行標線片對準後，從位於基準標記板FM2附近之照射區域開始進行對晶圓W2之曝光。
另一方面，主控制裝置20在晶圓W2之曝光結束後，從圖14所示之狀態，與上述同樣地，維持使簷部23a接近或接觸段部23b’之並列狀態，並沿+Y方向驅動兩晶圓載台WST1,WST2，以將液浸區域14從晶圓載台WST2上交接至晶圓載台WST1上。移送液浸區域14後一刻，主控制裝置20立即使晶圓載台WST2朝向第2裝載位置開始移動，並同時驅動晶圓載台WST1，以將基準標記板FM1定位於緊鄰投影光學系統PL之下方並進行標線片對準後，從位於基準標記板FM1附近之照射區域開始進行對晶圓W1之曝光。
從以上說明亦可知，該變形例中，係在一晶圓載台上之晶圓之曝光結束後，以能以最佳效率來進行包含基準標記板上之基準標記的檢測及裝載於另一晶圓載台上之下一曝光對象之晶圓之曝光之開始的方式，亦即以能使另一晶圓載台之移動路徑最短且所須時間亦最短的方式，來決定簷部23a,23a’、段部23b,23b’之配置，亦即晶圓載台WST1,WST2並列時之偏移量。又，該變形例中，由於可將晶圓對準結束後之一晶圓載台的對準結束位置與兩晶圓載台之並列開始位置設定成比較近，因此可使該另一晶圓載台預先在對準結束位置附近待機，而可在曝光結束後立即開始並列。
然而，變形例中由於晶圓W1,W2上之照射區域係存在偶數行，因此藉由完全交互掃描進行晶圓W1,W2上之複數個照射區域之曝光的結果，若著眼於X軸方向之位置，則晶圓載台WST1,WST2在曝光開始時與曝光結束時，係位於大致相同之X位置。亦即，在從+X側之照射區域開始曝光時，係在+X側之照射區域結束曝光，在從一X側之照射區域開始曝光時，則在一X側之照射區域結束曝光。
另一方面，在晶圓W1，W2之照射區域為存在奇數行之情況下，若採用完全交互掃描，在從+X側之照射區域開始曝光時，係在一X側之照射區域結束曝光，在從一X側之照射區域開始曝光時，則在+X側之照射區域結束曝光。以此方式，包含晶圓W1，W2上之照射區域為存在奇數行時，在晶圓W1,W2之照射區域的曝光順序與上述變形例不同之情況下，亦可配合其曝光順序，以能以最佳效率進行包含基準標記板上之基準標記檢測及下一曝光對象之晶圓之曝光之開始的方式，來決定簷部等交接部之配置，在必要之情況下，再進一步決定基準標記板在晶圓載台上之配置。此外，本說明書中，亦將能以最佳效率進行上述下一曝光對象之晶圓之曝光開始的並列稱為最佳效率之並列。
此外，上述實施形態及變形例中，係以設有反射鏡27e,27f為前提，採用使兩晶圓載台WST1,WST2在Y軸方向局部接觸或接近之Y方向並列，以使晶圓載台WST1之反射鏡27f與晶圓載台WST2之反射鏡27e不會彼此接觸。然而，即使採用Y方向並列，機構部之一部分亦可能有較其他部分從晶圓載台WST1,WST2之Y軸方向的側面突出至外側之情形。在此種情形下，最好將簷部等交接部之尺寸設定成該等突出部不會與另一晶圓載台之一部分接觸程度的長度。
此外，上述實施形態及變形例中，雖針對於晶圓載台WST1,WST2設有固定之簷部等突出部的情形作了說明，但不限於此，突出部亦可為可動。此時，例如亦可將突出部設置成僅在兩晶圓載台WST1,WST2並列時呈大致水平狀態，並列時以外亦即非使用時則預先予以折疊。
又，上述實施形態及變形例中，簷部之X軸方向的寬度雖設定成稍大於液浸區域，但不限於此，簷部之X軸方向的寬度亦可設定成更寬。
又，上述實施形態及變形例中，雖針對在液浸區域之交接等時，2個晶圓載台WST1,WST2係一直維持並列狀態下沿Y軸方向驅動之情形作了說明，但不限於此，不僅Y軸方向亦可沿X軸方向驅動。如此一來，相較於2個晶圓載台WST1,WST2一直維持並列狀態下，僅沿X軸方向驅動之情形，多少可縮短對在並列後保持於交接液浸區域之晶圓載台之下一曝光對象之晶圓進行曝光開始前的時間。
此外，至目前為止之說明中，已針對於晶圓載台WST1,WST2之至少一者之Y軸方向的至少一側形成有簷部等突出部的情形作了說明。然而，亦可以在不存在簷部等突出部之2個晶圓載台彼此間，採用如例如上述般伴隨兩載台之X軸方向之位置錯開(偏移)的並列狀態。此時，與上述變形例同樣地，該並列時之偏移量可設置成效率最佳之並列。或者，在例如於一晶圓載台WST1之＋Y側之側面之＋X側端部附近有從其他部分突出之構成零件(以下，稱為突起物)，並於另一晶圓載台WST2之一Y側之側面之一X側端部附近形成有可將上述構成零件收容於其內部之凹部的情形下，將並列時之偏移量設定成可使突起物與凹部對向。在此種情形下，即可防止因突起物接觸晶圓載台WST2而造成損傷，並可使液浸區域來回在晶圓載台WST1,WST2上。此時，在兩晶圓載台WST1,WST2並列狀態下，該接觸或接近之部分(對向部分)之X軸方向的寬度係設定成例如較液浸區域14之X軸方向的寬度寬，且至少為100mm左右(以一例而言為80mm～100mm)。
又，上述實施形態及變形例中，雖以上述晶圓載台WST1,WST2之移動路徑為前提，將晶圓載台WST1,WST2設置成藉由平面馬達沿XY平面獨立驅動。然而，並不一定要使用平面馬達，根據移動路徑亦可使用線性馬達等。
又，上述實施形態中，雖針對以干涉儀系統118測量晶圓載台WST1,WST2曝光時及對準時之位置的情形作了說明，但亦可取代干涉儀系統118或予以增加而採用如例如美國專利申請公開第2008/0008843號說明書等所記載般，將格子部(Y標尺、X標尺)設置於晶圓台(晶圓載台)上，並與此對向將Y讀頭、X讀頭設置於晶圓載台外部之構成的編碼器系統，或如例如美國專利申請公開第2006/0227309號說明書等所揭示般，將編碼器讀頭設置於晶圓載台，並與此對向將格子部(例如2維格子或設置成2維之1維格子部)設置於晶圓載台外部之構成的編碼器系統。
此外，上述實施形態中，雖設置成噴嘴單元32之下面與投影光學系統PL之前端光學元件之下端面為大致同一面，但不限於此，例如亦可將噴嘴單元32之下面設置於較前端光學元件之射出面靠近投影光學系統PL之像面(亦即晶圓)附近。亦即，局部液浸裝置8並不限於上述構造，亦可使用例如歐洲專利申請公開第1420298號說明書、美國專利申請公開第2006/0231206號說明書、美國專利申請公開第2005/0280791號說明書、及美國專利第6,952,253號說明書等所記載者。又，如例如美國專利申請公開第2005/0248856號說明書等所揭示，除了前端光學元件之像面側的光路以外，亦可以液體充滿前端光學元件之物體面側的光路。再者，亦可將具有親液性及/或抗溶解功能之薄膜形成於前端光學元件表面之一部分(至少包含與液體之接觸面)或全部。此外，石英與液體之親和性較高且亦不須抗溶解膜，不過螢石則最好至少要形成抗溶解膜。
此外，上述實施形態中，雖設置成使用純水(水)作為液體，但本發明當然不限於此。液體亦可使用化學上安定且照明用光IL之透射率高的安全液體，例如氟系惰性液體。該氟系惰性液體可使用例如Fluorinert(美國3M公司之產品名)。該氟系惰性液體在冷卻效果上亦優異。又，液體亦可使用對照明用光IL之折射率較純水(折射率為1.44左右)高之例如1.5以上之液體。該液體可列舉例如折射率約為1.50之異丙醇、折射率約為1.61之甘油等具有C-H鍵結或O-H鍵結之既定液體、己烷、庚烷、癸烷等既定液體(有機溶劑)、或折射率約為1.60之十氫萘(Decalin：Decahydronaphthalene)等。或者，亦可為混合該等液體中任意之2種以上之液體者，或將至少一種該等液體添加(混合)於純水者。或者，液體亦可為將H+ 、CS+ 、K+ 、Cl- 、SO4 2- 、PO4 2- 等鹼或酸添加(混合)於純水者。再者，亦可為將Al氧化物等之微粒子添加(混合)於純水者。該等液體係可透射ArF準分子雷射光。又，液體較佳為光吸收係數小、溫度依存性小、且對投影光學系統(前端之光學構件)、及/或塗布於晶圓表面之感光材料(或保護膜(上塗層膜)或抗反射膜等)安定者。又，在使用F2 雷射作為光源時，亦可選擇全氟聚醚油(Fomblin oil)。再者，液體亦可使用對照明用光IL之折射率較純水高之液體，例如折射率為1.6～1.8左右者。亦可使用超臨界流體作為液體。又，投影光學系統PL之前端光學元件，可以例如石英(二氧化矽)或氟化鈣(螢石)、氟化鋇、氟化鍶、氟化鋰、及氟化鈉等氟化物之單結晶材料來形成，亦可以折射率比石英或螢石高(例如1.6以上)之材料來形成。折射率約為1.6以上之材料，可使用例如國際公開第2005/059617號小冊子所揭示之藍寶石、二氧化鍺等，或國際公開第2005/059618號小冊子所揭示之氯化鉀(折射率約為1.75)等。
又，上述實施形態中，亦可將所回收之液體加以再利用，此時最好預先將從所回收之液體除去雜質之過濾器設置於液體回收裝置或回收管等。
又，上述實施形態中，雖針對將本發明應用於步進掃描方式等之掃描型曝光裝置的情形作了說明，但不限於此，亦可將本發明應用於步進器等之靜止型曝光裝置。又，亦可將本發明應用於將照射區域與照射區域加以合成之步進接合(Step and Stitch)方式之縮小投影曝光裝置、近接(proximity)方式之曝光裝置、或鏡像投射對準器等。
又，上述實施形態之曝光裝置之投影光學系統係不僅縮小系統，等倍及放大系統之任一種皆可，投影光學系統PL係不僅折射系統，反射系統及反射折射系統之任一種皆可，該投影像係倒立像及正立像之任一種皆可。又，上述照明區域及曝光區域其形狀雖設置成矩形，但不限於此，例如圓弧、梯形、或平行四邊形等皆可。
此外，上述實施形態之曝光裝置的光源並不限於ArF準分子雷射，亦可使用KrF準分子雷射(輸出波長為248nm)、F2 雷射(輸出波長為157nm)、Ar2 雷射(輸出波長為126nm)、Kr2 雷射(輸出波長為146nm)等脈衝雷射光源、及發出g線(波長為436nm)、i線(波長為365nm)等譜線之超高壓水銀燈等。又，亦可使用YAG雷射之諧波產生裝置等。此外，如例如美國專利第7,023,610號說明書所揭示般，亦可使用諧波作為真空紫外光，該諧波係以塗布有鉺(或鉺與鐿兩者)之光纖放大器，將從DFB半導體雷射或纖維雷射所射出之紅外線區或可見區的單一波長雷射光放大，並使用非線形光學結晶將其波長轉換成紫外光。
又，上述實施形態中，雖使用將既定遮光圖案(或相位圖案/減光圖案)形成於光透射性之基板上之光透射型光罩(標線片)，但如例如美國專利第6,778,257號說明書所揭示般，亦可使用根據待曝光之圖案的電子資料形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案之電子光罩(包含亦稱為可變成形光罩、主動式光罩、或圖案產生器，例如非發光型影像顯示元件(空間光調變器)之一種的DMD(Digital Micro-mirrow Device)等)，以取代該標線片。
又，亦可將本發明應用於例如藉由將干涉條紋形成於晶圓上而將線寬與線距圖案形成於晶圓上之曝光裝置(微影系統)。
此外，如例如美國專利第6,611,316號說明書所揭示般，亦可將本發明應用於透過投影光學系統將2個標線片圖案合成在晶圓上，並藉由1次掃描曝光使晶圓上之1個照射區域大致同時雙重曝光的曝光裝置。
此外，上述實施形態中，待形成圖案之物體(能量束所照射之曝光對象的物體)並不限於晶圓，玻璃板、陶瓷基板、膜構件、或光罩基板等其他物體亦可。
曝光裝置之用途並不限於半導體製造用之曝光裝置，亦可廣泛應用於例如將液晶顯示元件圖案轉印於方形玻璃板之液晶用曝光裝置、用以製造有機電激發光、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微型元件、以及DNA晶片等之曝光裝置。又，不僅是半導體元件等微型元件，亦可將本發明應用於為了製造光曝光裝置、EUV曝光裝置、X線曝光裝置、及電子線曝光裝置等所使用之標線片或光罩，而將電路圖案轉印於玻璃基板或矽晶圓等之曝光裝置。
此外，援用與上述實施形態所引用之曝光裝置等有關之所有公報、國際公開小冊子、美國專利申請公開說明書、及美國專利說明書之揭示，作為本說明書之記載的一部分。
半導體元件等電子元件係經由以下步驟所製造，亦即進行元件之功能/性能設計的步驟、製作根據該設計步驟之標線片的步驟、從矽材料製作晶圓的步驟、藉由上述實施形態之曝光裝置(圖案形成裝置)及該曝光方法將光罩(標線片)之圖案轉印於晶圓的微影步驟、使曝光後之晶圓顯影的顯影步驟、藉由蝕刻除去光阻殘存之部分以外之部分之露出構件的蝕刻步驟、除去已完成蝕刻而不須要之光阻的光阻除去步驟、元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、及封裝步驟)、以及檢查步驟等。此時，由於在微影步驟使用上述實施形態之曝光裝置並執行上述曝光方法，而於晶圓上形成元件圖案，因此能以良好生產性製造高積體度之元件。
如以上之說明，本發明之曝光裝置及曝光方法係適合於藉由液浸法使物體曝光。又，本發明之元件製造方法係適合於微型元件之生產。
5．．．液體供應裝置
6．．．液體回收裝置
8．．．局部液浸裝置
10．．．照明系統
11．．．標線片載台驅動系統
12．．．基座
13．．．標線片對準檢測系統
14．．．液浸區域
15．．．移動鏡
16,17,18,19．．．Y干涉儀
20．．．主控制裝置
23a,23a’．．．簷部
23b,23b’．．．段部
23c,23d．．．突出部
24．．．密封構件
25A,25B,25C,25D．．．固定鏡
27a,27b,27c,27d．．．反射面
27e,27f．．．反射鏡
28．．．板
31A．．．液體供應管
31B．．．液體回收管
32．．．噴嘴單元
40．．．鏡筒
50．．．載台裝置
51．．．平面馬達
52．．．固定件
54．．．空氣滑件
56．．．可動件
57．．．電樞線圈
58．．．平板狀構件
91．．．載台本體
100．．．曝光裝置
118．．．干涉儀系統
116,117,126,127．．．XZ干涉儀
124．．．載台驅動系統
150．．．編碼器系統
191．．．前端透鏡
200．．．測量系統
AA．．．對準區域
AE．．．曝光時移動區域
AF．．．多點AF系統
ALG．．．對準系統
AX,AXp．．．光軸
B161 ,B162 ,B163 ．．．測距光束
B171 ,B172 ,B173 ．．．測距光束
B181 ,B182 ,B183 ．．．測距光束
B1161 ,B1162 ,B1163 ．．．測距光束
B1261 ,B1262 ,B1263 ．．．測距光束
IA．．．曝光區域
IAR．．．照明區域
IL．．．照明用光
FM．．．基準標記板
LA．．．基準軸
LH．．．測距軸
Lq．．．液體
LV0 ．．．基準軸
LV1 ,LV2 ．．．測距軸
PU．．．投影單元
PL．．．投影光學系統
R．．．標線片
RST．．．標線片載台
W1,W2．．．晶圓
WST1,WST2．．．晶圓載台
WTB1,WTB2．．．晶圓台
圖1係概略表示一實施形態之曝光裝置之構成的圖。
圖2(A)係表示圖1之晶圓載台WST1的前視圖，圖2(B)係表示晶圓載台WST1的俯視圖。
圖3(A)～圖3(C)係用以說明交接部的圖。
圖4係表示圖1之曝光裝置所具備之干涉儀系統之配置的俯視圖。
圖5係用以說明使用3個多軸干涉儀之晶圓載台之位置測量的圖。
圖6係表示一實施形態之曝光裝置之控制系統之主要構成的方塊圖。
圖7係表示對裝載於晶圓載台WST1上之晶圓進行曝光，並在晶圓載台WST2上進行晶圓更換之狀態的圖。
圖8係表示對裝載於晶圓載台WST1之晶圓進行曝光，並對裝載於晶圓載台WST2上之晶圓進行晶圓對準之狀態的圖。
圖9係表示僅使用XZ干涉儀116測量晶圓台WTB1之X,Z,θy位置，並僅使用XZ干涉儀126測量晶圓台WTB2之X,Z,θy位置之狀態的圖。
圖10係用以說明藉由使晶圓載台WST1與晶圓載台WST2維持並列狀態下移動，而使液浸區域從晶圓載台WST1上移動至晶圓載台WST2上之情形的圖。
圖11係表示對裝載於晶圓載台WST2上之晶圓進行曝光，並在晶圓載台WST1上進行晶圓更換之狀態的圖。
圖12係用以說明藉由使晶圓載台WST1與晶圓載台WST2維持並列狀態下移動，而使液浸區域從晶圓載台WST2上移動至晶圓載台WST1上之情形的圖。
圖13係用以說明變形例之曝光裝置的圖(其1)。
圖14係用以說明變形例之曝光裝置的圖(其2)。
12．．．基座
14．．．液浸區域
16,17,18,19．．．Y干涉儀
23a,23a’．．．簷部
23b,23b’．．．段部
116,117,126,127．．．XZ干涉儀
ALG．．．對準系統
PU．．．投影單元
W1,W2．．．晶圓
WST1,WST2．．．晶圓載台

Claims (70)

  1. 一種曝光裝置，係透過光學系統與液體藉由能量束使物體曝光，其特徵在於，具備：第1移動體，可裝載該物體，並可在包含第1區域與第2區域之既定範圍區域內實質上沿既定平面移動，該第1區域包含被供應該液體之緊鄰該光學系統下方的液浸區域，該第2區域係取得位於該第1區域之第1方向一側之該物體之位置資訊的區域；第2移動體，可裝載該物體，並可在包含該第1區域與該第2區域之區域內實質上沿該既定平面與該第1移動體獨立移動；以及移動體驅動系統，實質上沿該既定平面驅動該第1、第2移動體，且從一移動體位於該第1區域之第1狀態遷移至另一移動體位於該第1區域之第2狀態時，在該第1移動體與該第2移動體於該既定平面內之與該第1方向垂直之第2方向錯開、且在該第1方向彼此接近或接觸之狀態下，將該第1、第2移動體驅動於該第1方向；該第1移動體與該第2移動體在該第1方向彼此接近或接觸之狀態下之該第1移動體與該第2移動體在該第2方向之偏移之方向，係對應於該第1、第2移動體於該第1方向之位置關係而相異。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，在該一移動體為該第1移動體時，該第2移動體係相對該第1移動體往該第2方向一側錯開配置； 在該一移動體為該第2移動體時，該第1移動體係相對該第2移動體往該第2方向另一側錯開配置。
  3. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，於該第1移動體之該第2方向之至少一側設有相對該既定平面呈傾斜之反射面；於該第2移動體之該第2方向之至少一側設有相對該既定平面呈傾斜之反射面。
  4. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，該移動體驅動系統，在使該第1移動體與該第2移動體之端部彼此在該第2方向至少較緊鄰該光學系統下方之液浸區域寬之彼此對向的該接近或接觸之狀態下，將該第1、第2移動體驅動於該第1方向。
  5. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，該第1移動體在該第2方向，在於該液浸區域一側相距既定距離之第1位置與該液浸區域附近之第2位置間之既定範圍區域內移動；該第2移動體在該第2方向，在於該液浸區域另一側相距既定距離之第3位置與該液浸區域附近之第4位置間之既定範圍區域內移動。
  6. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，在該接近或接觸之狀態下，使該第1移動體在該第1方向之任一端部及在該第2方向另一側之端部接近或接觸該第2移動體。
  7. 如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其中，在該接 近或接觸之狀態下，使該第2移動體在該第1方向之任一端部及在該第2方向一側之端部接近或接觸該第1移動體。
  8. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，在該第1、第2移動體中至少一者之至少該第1方向一側突設交接部，該交接部，其上面與該第1、第2移動體之上面呈大致相同面高的狀態，該第2方向之寬度寬於該液浸區域；在該第1狀態與第2狀態間之遷移時，藉由該移動體驅動系統，使該第1移動體與該第2移動體透過該交接部維持該接近或接觸之狀態。
  9. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，於該第1移動體之該第1方向一側之該第2方向另一側的一部分突設該交接部；於該第2移動體之該第1方向一側之該第2方向一側的一部分突設該交接部。
  10. 如申請專利範圍第9項之曝光裝置，其中，該交接部，係在該接近或接觸之狀態時能彼此對向之狀態下分別突設於該第1、第2移動體各自之該第1方向的兩側。
  11. 如申請專利範圍第10項之曝光裝置，其中，於該能彼此對向之2個該交接部各自之前端，形成有彼此卡合且在卡合狀態下可形成外觀上全平坦之面的卡合部。
  12. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，該第1、第2移動體處於該接近或接觸之狀態時，該第1移動體與該第2移動體透過該交接部在該第1方向接近；於該第1移動體與該第2移動體中至少一者，設有在 該接近或接觸之狀態下位於兩移動體間之間隙，以抑制該液體從該間隙洩漏的抑制構件。
  13. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之曝光裝置，其中，於該第1移動體，從該第2方向一側連接有纜線；於該第2移動體，從該第2方向另一側連接有纜線。
  14. 如申請專利範圍第13項之曝光裝置，其中，該第1、第2移動體，係以在該接近或接觸之狀態下與連接該纜線之端部不同之端部彼此對向之方式，相對移動成實質地維持該第1狀態且彼此接近。
  15. 如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，該移動體驅動系統包含沿該既定平面驅動該第1、第2移動體的平面馬達。
  16. 如申請專利範圍第15項之曝光裝置，其進一步具備配置於該第2區域、用以檢測該第1及第2移動體中位在緊鄰下方之特定移動體上存在之標記的標記檢測系統。
  17. 如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中，在該遷移時，該液體係持續保持於該光學系統與位於該第1區域之移動體之間。
  18. 一種曝光裝置，係透過投影光學系統與液體藉由能量束使物體曝光，其特徵在於，具備：檢測系統，係配置於與供配置該投影光學系統之第1區域不同之第2區域，檢測該物體之位置資訊；第1移動體，可裝載該物體且可在包含該第1、第2區 域之既定區域內移動；第2移動體，可裝載該物體且可在該既定區域內與該第1移動體獨立移動；基座構件，供配置該第1、第2移動體；驅動系統，具有在該第1、第2移動體分別設有可動件、在該基座構件設有固定件之平面馬達，藉由該平面馬達使該第1、第2移動體分別從該第1區域移動至該第2區域且從該第2區域移動至該第1區域；以及局部液浸系統，具有該物體與下面側對向配置且設在該投影光學系統之下端部周圍之液浸構件，將液體供應至緊鄰該投影光學系統之下方；該第1移動體，從該基座構件之一端側連接有纜線；該第2移動體，從該基座構件之與該一端對向之另一端側連接有纜線；藉由該供應之液體在緊鄰該投影光學系統之下方形成液浸區域；該驅動系統，使一方與該投影光學系統對向配置之該第1、第2移動體以與連接該纜線之端部不同之端部彼此對向且在與該投影光學系統之光軸正交之第1方向接近且在與該光軸及該第1方向正交之第2方向位置不同之方式相對移動，且在該投影光學系統之下方使該接近之第1、第2移動體移動，以取代該一方之移動體而使該第1、第2移動體之另一方與該投影光學系統對向配置；該液浸區域係藉由該接近之第1、第2移動體之移動而 從該一方之移動體移動至該另一方之移動體，且在該接近之第1、第2移動體之移動中維持在緊鄰該投影光學系統之下方。
  19. 如申請專利範圍第18項之曝光裝置，其中，在該第2方向之該第1、第2移動體之位置關係，於該液浸區域之從該第1移動體往該第2移動體之移動與該液浸區域之從該第2移動體往該第1移動體之移動係不同。
  20. 如申請專利範圍第19項之曝光裝置，其中，該第1、第2移動體，於該液浸區域之從該第1移動體往該第2移動體之移動與該液浸區域之從該第2移動體往該第1移動體之移動，在該第2方向係往相反方向偏移。
  21. 如申請專利範圍第19項之曝光裝置，其中，於該液浸區域之從該第1移動體往該第2移動體之移動中，在該底座構件上，該第2移動體係相對與該投影光學系統對向配置之該第1移動體往該另一端側偏移配置；於該液浸區域之從該第2移動體往該第1移動體之移動中，在該底座構件上，該第1移動體係相對與該投影光學系統對向配置之該第2移動體往該一端側偏移配置。
  22. 如申請專利範圍第18項之曝光裝置，其中，該第1移動體，於該底座構件之該第2方向從一端側連接有纜線；該第2移動體，於該底座構件之該第2方向從另一端側連接有纜線。
  23. 如申請專利範圍第18項之曝光裝置，其中，該物體係被進行掃描曝光； 該接近之第1、第2移動體，係在該投影光學系統下方移動於在該掃描曝光中該物體移動之既定方向。
  24. 如申請專利範圍第18項之曝光裝置，其中，該第1、第2區域在既定方向位置不同；該接近之第1、第2移動體係在該投影光學系統下方移動於該既定方向。
  25. 如申請專利範圍第18至24項中任一項之曝光裝置，其中，在該投影光學系統下方該接近之第1、第2移動體移動之既定方向係與該第2方向交叉。
  26. 如申請專利範圍第25項之曝光裝置，其中，在該第1方向之該第1、第2移動體之位置關係，於該液浸區域之從該第1移動體往該第2移動體之移動與該液浸區域之從該第2移動體往該第1移動體之移動係不同。
  27. 如申請專利範圍第26項之曝光裝置，其中，於該液浸區域之從該第1移動體往該第2移動體之移動中，該第2移動體係相對與該投影光學系統對向配置之該第1移動體配置於該第1方向之一側；於該液浸區域之從該第2移動體往該第1移動體之移動中，該第1移動體係相對與該投影光學系統對向配置之該第2移動體配置於該一側。
  28. 如申請專利範圍第25項之曝光裝置，其中，該第1移動體與該第2移動體通過不同路徑從該第1、第2區域之一方移動至另一方。
  29. 如申請專利範圍第28項之曝光裝置，其中，在從 該第1、第2區域之一方往另一方之移動，該第1移動體，在該基座構件上通過該一端側之路徑，該第2移動體，在該基座構件上通過該另一端側之路徑。
  30. 如申請專利範圍第29項之曝光裝置，其中，該第1、第2移動體分別在從該第1區域往該第2區域之移動與從該第2區域往該第1區域之移動通過不同路徑。
  31. 如申請專利範圍第25項之曝光裝置，其中，該第1、第2移動體之至少一方，包含具有在該接近之第1、第2移動體之移動中與該投影光學系統對向配置之上面之交接部；該液浸區域，在該接近之第1、第2移動體之移動中透過該交接部從該一方之移動體移動至該另一方之移動體。
  32. 如申請專利範圍第31項之曝光裝置，其中，該交接部，係配置成在該接近之第1、第2移動體之移動中從該至少一方之移動體突出至外側。
  33. 如申請專利範圍第31項之曝光裝置，其中，該交接部，係配置成在該接近之第1、第2移動體之移動中該上面與該第1、第2移動體之上面成為大致相同面。
  34. 如申請專利範圍第25項之曝光裝置，其進一步具備測量系統，該測量系統係藉由具有分別設在該第1、第2移動體之讀頭與配置在該第1、第2移動體之外部之格子部之編碼器系統測量該第1、第2移動體之位置資訊。
  35. 一種元件製造方法，其包含使用申請專利範圍第1至34項中任一項之曝光裝置使感光物體曝光的微影步驟。
  36. 一種曝光方法，係透過光學系統與液體藉由能量束使物體曝光，其特徵在於：將第1移動體與第2移動體，在於既定平面內之與第1方向垂直之第2方向錯開之狀態下，且在該第1方向接近或接觸之狀態下，驅動於該第1方向，藉此將液浸區域從一移動體交接至另一移動體，並從一移動體位於第1區域之第1狀態遷移至另一移動體位於該第1區域之第2狀態，該第1移動體與第2移動體，可裝載該物體，並可在包含該第1區域與第2區域之既定範圍區域內實質上沿既定平面分別獨立移動，該第1區域包含被供應該液體之緊鄰該光學系統下方的液浸區域，該第2區域係取得位於該第1區域之該第1方向一側之該物體之位置資訊的區域；該第1移動體與該第2移動體在該第1方向彼此接近或接觸之狀態下之該第1移動體與該第2移動體在該第2方向之偏移之方向，係對應於該第1、第2移動體於該第1方向之位置關係而相異。
  37. 如申請專利範圍第36項之曝光方法，其中，在該一移動體為該第1移動體時，該第2移動體係相對該第1移動體往該第2方向一側錯開配置；在該一移動體為該第2移動體時，該第1移動體係相對該第2移動體往該第2方向另一側錯開配置。
  38. 如申請專利範圍第37項之曝光方法，其中，於該第1移動體之該第2方向之至少一側設有相對該既定平面呈傾斜之反射面； 於該第2移動體之該第2方向之至少一側設有相對該既定平面呈傾斜之反射面；在該接近或接觸之狀態下，該第1移動體與該第2移動體之未設有該反射面之邊彼此在該第1方向至少一部分接近或接觸。
  39. 如申請專利範圍第37項之曝光方法，其中，該第1移動體與該第2移動體，係在該接近或接觸之端部彼此在該第2方向至少較緊鄰該光學系統下方之液浸區域寬之彼此對向的該接近或接觸之狀態下，驅動於該第1方向。
  40. 如申請專利範圍第37項之曝光方法，其中，該第1移動體，在該既定平面內於與該第1方向垂直之第2方向，在於該液浸區域一側相距既定距離之第1位置與該液浸區域附近之第2位置間之既定範圍區域內移動；該第2移動體在該第2方向，在於該液浸區域另一側相距既定距離之第3位置與該液浸區域附近之第4位置間之既定範圍區域內移動。
  41. 如申請專利範圍第40項之曝光方法，其中，在該接近或接觸之狀態下，使該第1移動體在該第1方向之任一端部及在該第2方向另一側之端部接近或接觸該第2移動體。
  42. 如申請專利範圍第41項之曝光方法，其中，在該接近或接觸之狀態下，使該第2移動體在該第1方向之任一端部及在該第2方向一側之端部接近或接觸該第1移動體。
  43. 如申請專利範圍第42項之曝光方法，其中，在該第1、第2移動體中至少一者之至少該第1方向一側突設交接部，該交接部，其上面與該第1、第2移動體之上面呈大致相同面高的狀態，該第2方向之寬度寬於該液浸區域；在該第1狀態與第2狀態間之遷移時，該第1移動體與該第2移動體係透過該交接部維持該接近或接觸之狀態。
  44. 如申請專利範圍第43項之曝光方法，其中，於該第1移動體之該第1方向一側之該第2方向另一側的一部分突設該交接部；於該第2移動體之該第1方向一側之該第2方向一側的一部分突設該交接部。
  45. 如申請專利範圍第44項之曝光方法，其中，該交接部，係在該接近或接觸之狀態時能彼此對向之狀態下分別突設於該第1、第2移動體各自之該第1方向的兩側。
  46. 如申請專利範圍第45項之曝光方法，其中，於該能彼此對向之2個該交接部各自之前端，形成有彼此卡合且在卡合狀態下可形成外觀上全平坦之面的卡合部。
  47. 如申請專利範圍第43項之曝光方法，其中，該第1、第2移動體處於該接近或接觸之狀態時，該第1移動體與該第2移動體透過該交接部在該第1方向接近；於該第1移動體與該第2移動體中至少一者，設有在該接近或接觸之狀態下位於兩移動體間之間隙，以抑制該液體從該間隙洩漏的抑制構件。
  48. 如申請專利範圍第36至47項中任一項之曝光方 法，其中，於該第1移動體，從該第2方向一側連接有纜線；於該第2移動體，從該第2方向另一側連接有纜線。
  49. 如申請專利範圍第48項之曝光方法，其中，該第1、第2移動體，係以在該接近或接觸之狀態下與連接該纜線之端部不同之端部彼此對向之方式，相對移動成實質地維持該第1狀態且彼此接近。
  50. 如申請專利範圍第49項之曝光方法，其中，該第1、第2移動體係藉由平面馬達沿該既定平面驅動。
  51. 如申請專利範圍第50項之曝光方法，其中，於該第2區域，以標記檢測系統檢測該第1及第2移動體中，位在緊鄰既定位置下方之特定移動體上存在的標記。
  52. 如申請專利範圍第51項之曝光方法，其中，在該遷移時，該液體係持續保持於該光學系統與位於該第1區域之移動體之間。
  53. 一種曝光方法，係透過投影光學系統與液體藉由能量束使物體曝光，其特徵在於，包含：在包含供配置該投影光學系統之第1區域、與供配置檢測該物體之位置資訊之檢測系統之與該第1區域不同之第2區域之既定區域內，使分別裝載該物體且配置在基座構件上之第1、第2移動體獨立移動之動作；使該第1、第2移動體分別從該第1區域移動至該第2區域且從該第2區域移動至該第1區域之動作；藉由具有該物體與下面側對向配置且設在該投影光學 系統之下端部周圍之液浸構件之局部液浸系統，將液體供應至緊鄰該投影光學系統之下方之動作；透過該投影光學系統與該液體藉由該能量束使該物體曝光之動作；使一方與該投影光學系統對向配置之該第1、第2移動體以與連接該纜線之端部不同之端部彼此對向且在第1方向接近且在與與該光軸及該第1方向正交之第2方向位置不同之方式相對移動之動作；以及在該投影光學系統之下方使該接近之第1、第2移動體移動，以取代該一方之移動體而使該第1、第2移動體之另一方與該投影光學系統對向配置之動作；藉由該供應之液體在緊鄰該投影光學系統之下方形成液浸區域；該液浸區域係藉由該接近之第1、第2移動體之移動而從該一方之移動體移動至該另一方之移動體，且在該接近之第1、第2移動體之移動中維持在緊鄰該投影光學系統之下方；該第1移動體，從該基座構件之一端側連接有纜線；該第2移動體，從該基座構件之與該一端對向之另一端側連接有纜線；該第1、第2移動體係藉由具有在該第1、第2移動體分別設有可動件、在該基座構件設有固定件之平面馬達之驅動系統移動。
  54. 如申請專利範圍第53項之曝光方法，其中，在該 第2方向之該第1、第2移動體之位置關係，於該液浸區域之從該第1移動體往該第2移動體之移動與該液浸區域之從該第2移動體往該第1移動體之移動係不同。
  55. 如申請專利範圍第54項之曝光方法，其中，該第1、第2移動體，於該液浸區域之從該第1移動體往該第2移動體之移動與該液浸區域之從該第2移動體往該第1移動體之移動，在該第2方向係往相反方向偏移。
  56. 如申請專利範圍第54項之曝光方法，其中，於該液浸區域之從該第1移動體往該第2移動體之移動中，在該底座構件上，該第2移動體係相對與該投影光學系統對向配置之該第1移動體往該另一端側偏移配置；於該液浸區域之從該第2移動體往該第1移動體之移動中，在該底座構件上，該第1移動體係相對與該投影光學系統對向配置之該第2移動體往該一端側偏移配置。
  57. 如申請專利範圍第53項之曝光方法，其中，該第1移動體，於該底座構件之該第2方向從一端側連接有纜線；該第2移動體，於該底座構件之該第2方向從另一端側連接有纜線。
  58. 如申請專利範圍第53項之曝光方法，其中，該物體係被進行掃描曝光；該接近之第1、第2移動體，係在該投影光學系統下方移動於在該掃描曝光中該物體移動之既定方向。
  59. 如申請專利範圍第53項之曝光方法，其中，該第1、第2區域在既定方向位置不同； 該接近之第1、第2移動體係在該投影光學系統下方移動於該既定方向。
  60. 如申請專利範圍第53至59項中任一項之曝光方法，其中，在該投影光學系統下方該接近之第1、第2移動體移動之既定方向係與該第2方向交叉。
  61. 如申請專利範圍第60項之曝光方法，其中，在該第1方向之該第1、第2移動體之位置關係，於該液浸區域之從該第1移動體往該第2移動體之移動與該液浸區域之從該第2移動體往該第1移動體之移動係不同。
  62. 如申請專利範圍第61項之曝光方法，其中，於該液浸區域之從該第1移動體往該第2移動體之移動中，該第2移動體係相對與該投影光學系統對向配置之該第1移動體配置於該第1方向之一側；於該液浸區域之從該第2移動體往該第1移動體之移動中，該第1移動體係相對與該投影光學系統對向配置之該第2移動體配置於該一側。
  63. 如申請專利範圍第60項之曝光方法，其中，該第1移動體與該第2移動體通過不同路徑從該第1、第2區域之一方移動至另一方。
  64. 如申請專利範圍第63項之曝光方法，其中，在從該第1、第2區域之一方往另一方之移動，該第1移動體，在該基座構件上通過該一端側之路徑，該第2移動體，在該基座構件上通過該另一端側之路徑。
  65. 如申請專利範圍第64項之曝光方法，其中，該第 1、第2移動體分別在從該第1區域往該第2區域之移動與從該第2區域往該第1區域之移動通過不同路徑。
  66. 如申請專利範圍第60項之曝光方法，其中，設在該第1、第2移動體之至少一方之交接部，其上面在該接近之第1、第2移動體之移動中與該投影光學系統對向配置；該液浸區域，在該接近之第1、第2移動體之移動中透過該交接部從該一方之移動體移動至該另一方之移動體。
  67. 如申請專利範圍第66項之曝光方法，其中，該交接部，係配置成在該接近之第1、第2移動體之移動中從該至少一方之移動體突出至外側。
  68. 如申請專利範圍第66項之曝光方法，其中，該交接部，係配置成在該接近之第1、第2移動體之移動中該上面與該第1、第2移動體之上面成為大致相同面。
  69. 如申請專利範圍第60項之曝光方法，其中，藉由具有分別設在該第1、第2移動體之讀頭與配置在該第1、第2移動體之外部之格子部之編碼器系統測量該第1、第2移動體之位置資訊。
  70. 一種元件製造方法，其包含藉由申請專利範圍第36至69項中任一項之曝光方法使該物體曝光的微影步驟。
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