Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

TWI495388B - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

發光裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI495388B
TWI495388B TW098140496A TW98140496A TWI495388B TW I495388 B TWI495388 B TW I495388B TW 098140496 A TW098140496 A TW 098140496A TW 98140496 A TW98140496 A TW 98140496A TW I495388 B TWI495388 B TW I495388B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
insulating film
organic
layer
emitting
Prior art date
Application number
TW098140496A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201031248A (en
Inventor
Takashi Kurihara
Yukiya Nishioka
Masaru Kajitani
Takuji Fujisawa
Mitsutoshi Akatsu
Satoshi Amamiya
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co filed Critical Sumitomo Chemical Co
Publication of TW201031248A publication Critical patent/TW201031248A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI495388B publication Critical patent/TWI495388B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

發光裝置及其製造方法
本發明有關發光裝置及其製造方法。
將有機電場發光元件(organic electroluminescence element)(以下，簡稱有機EL元件)作為發光元件使用之發光裝置(顯示裝置及照明裝置等)正受瞻目。例如顯示裝置中，在基板上配置有分別作為畫素發揮功能之複數個有機EL元件。為了互相獨立驅動各有機EL元件起見，各有機EL元件係藉由隔板而互相為電絕緣。該隔板，係例如按方格狀所形成，於被隔板所包圍之區域配置各有機EL元件。因而，複數個有機EL元件，係按矩陣方式配置。
構成有機EL元件之有機層(發光層等)，可依塗佈法形成。具體上，如將含有機材料及溶劑之印墨選擇性供給於被隔板所包圍之區域，再加以乾燥，則可於被隔板所包圍之區域形成有機層。
構成有機層之有機材料，對溶劑之溶解性未必很高，印墨中有機材料的濃度通常為1重量%左右。如此則需供給較所形成之有機層體積更多量之印墨，惟由於隔板亦作為印墨的收納體而發揮功能之故，供給於被隔板包圍區域之印墨，被隔板所收納不致於溢出，直接加以乾燥即可使其膜化，該膜即成為有機層。
第4圖係形成有機EL元件時所用基板的端面圖。基板1上，設置有陽極2，包圍該陽極2設置有絕緣膜3，並於該絕緣膜3上設置有隔板本體4。隔板亦可作為收納印墨之收納體發揮功能之故，為防止供給之印墨溢出而流到相鄰接之畫素，通常採用對印墨具有撥液性(liquid repellency)之構件構成。然而，僅靠撥液性之構件構成隔板時，由於所供給之印墨係在被隔板撥彈之下進行乾燥，因而進行膜化時有機層周緣部的膜厚將較薄。於是，為避免畫素區域所產生之膜厚不均勻性，於隔板本體4與基板1之間設置有親液性之絕緣膜3(例如，參考日本特開2005-174906號公報)。
如第4圖中之箭頭所示，供給於隔板之印墨，因溶劑氣化而依序乾燥，其液面向基板1移動。此時由於絕緣膜3係親液性，印墨即在被絕緣膜3吸引之下逐漸乾燥。結果在絕緣膜3的端部附近生成不同膜厚之有機層。第4圖中表示，依塗佈法而形成5、6兩層有機層之狀態。
如第4圖所示，由於絕緣膜3的存在.，而在絕緣膜3端部附近的有機層5、6的膜厚，與畫素區域的中央部不相同。此種膜厚的不均勻性即成為發光不良的原因。有機EL元件，係於5、6兩層有機層上再設置陰極即可形成，惟例如在靠近陽極2的有機層(下層)5的導電性高的情形，則由於在絕緣膜3的端部附近，靠近陰極的有機層(上層)6的膜厚較薄之故，當使有機EL元件發光時，則有從絕緣膜3的端部發生漏洩電流(leak current)的情形。
本發明之目的在於提供一種具備能在畫素區域內構成均勻的有機層之有機EL元件之發光裝置及其製造方法。
本發明有關一種發光裝置，係具備基板、設置於該基板上之複數個有機電場發光元件、以及用以界定設置各有機電場發光元件之各畫素區域之隔板之發光裝置，其特徵為：前述隔板，係由包含在相當於前述各畫素區域之區域穿設有開口之絕緣膜、以及設置於該絕緣膜的基板側之相反側之隔板本體所構成，前述有機電場發光元件，係由包含一對電極以及被該電極所夾持且配置於被前述隔板所包圍之區域之發光部所構成，而前述絕緣膜的厚度，係較前述發光部的厚度為薄者。
本發明有關發光裝置，其中前述絕緣膜的厚度未達50nm者。
本發明有關發光裝置，其中臨近前述開口之前述絕緣膜側面所構成之開口，係往接近前述基板方向形成順向錐度(taper)狀者。
本發明有關發光裝置，其中從基板厚度方向的一邊觀察時，臨近前述絕緣膜的畫素區域之側面，與臨近前述隔板本體的畫素區域之側面之間的間隔，為1μm以上者。
本發明有關發光裝置，其中前述發光部，包含採用含有有機材料之印墨以塗佈法形成之有機層。
本發明有關發光裝置，其中前述絕緣膜，係較前述隔板本體對前述印墨更具有親液性者。
本發明有關發光裝置，其中前述發光部，係層合包含設置於最靠近基板處之電洞注入層之複數層所構成者。
本發明有關一種發光裝置之製造方法，係具備一對電極以及具有被該一對電極所夾持之發光部之複數個有機電場發光元件之發光裝置之製造方法，其特徵為：包含於基板上，形成用以界定設置各有機電場發光元件之各畫素區域之隔板之步驟、形成前述電極之步驟、以及於前述畫素區域形成發光部之步驟，而在形成前述隔板之步驟中，形成較前述發光部的厚度為薄且於相當於畫素區域之區域穿設有開口之絕緣膜，並於該絕緣膜上形成隔板本體，在形成前述發光部之步驟中，將含有有機材料之印墨供給至前述畫素區域，再使所供給之印墨乾燥，藉以形成有機層。
本發明有關發光裝置之製造方法，其中於前述絕緣膜穿設開口時，藉由乾式蝕刻朝接近前述基板之方向，於絕緣膜穿設順向錐狀開口者。
本發明有關發光裝置之製造方法，其中當形成前述隔板本體時，採用有機物形成隔板本體，再於含氟氣體環境中實施電漿(plasma)處理。
第1圖係本實施形態之發光裝置11的剖面圖，第2圖係發光裝置11的平面圖。顯示裝置中所用之通常的發光裝置中，按矩陣狀設置多數個有機EL元件，惟本實施形態中，為容易理解起見，就9個有機EL元件12按3行3列排列之發光裝置11加以說明。第1圖係僅表示形成1個有機EL元件12之區域。
本實施形態之發光裝置11，具備有：基板、設置在該基板13上之複數個有機EL元件12、以及各有機EL元件12所設置以界定各畫素區域14之隔板15。
隔板15，係包含：於相當於各畫素區域14之區域穿設有開口16之絕緣膜17、以及該絕緣膜17的基板13之相反側所設置之隔板本體18而構成。有機EL元件12，係包含：一對電極21、22，以及被該電極21、22所夾持，且於被前述隔板15所包圍之區域(畫素區域14)所配置之發光部23而構成。發光部的膜厚，通常為10nm至150nm。
本實施形態中，就作為主動矩陣型的顯示裝置發揮功能之發光裝置11加以說明，惟發光裝置11，可作為主動矩陣型的顯示裝置，亦可作為被動矩陣型的顯示裝置。
發光裝置11，如具備m×n個(記號「m」、「n」，分別表示自然數。本實施形態中，則m=3，n=3)畫素之情形，分別作為畫素而發揮功能之m×n個有機EL元件配置為m行n列的矩陣狀而構成。
基板13上，按方格狀形成隔板15，如於經劃分為該隔板15之區域中設置各有機EL元件12，則各有機EL元件12配置為矩陣狀。
基板13可採用形成有主動矩陣型的顯示裝置用的電路之TFT(Thin Film Transistor(薄膜電晶體))基板。各有機EL元件12，具備有分別互相分離之陽極21。各陽極21，係於基板13上離散配置為m行n列的矩陣狀而電性連結於基板13上所形成之電路。本實施形態中，將一對電極21、22之中設置於基板13側之一邊的電極作為陽極21，將另一邊的電極作為陰極22。亦可將設置於基板13側之一邊的電極作為陰極，將另一邊的電極作為陽極而構成的有機EL元件設置於基板。
如從基板13的厚度方向的一邊觀察時，陽極21之周緣部至少被絕緣膜17的端部所覆蓋。從基板13的厚度方向的一邊觀察時，陽極21的周緣部亦可重疊於隔板本體18的一部分。
絕緣膜17，係一種膜狀者，而作成穿設有貫通至相當於畫素區域14之區域之開口，並形成為方格狀。由於藉由該絕緣膜17而使陽極21與陰極22電性絕緣之故，即使將後述之發光層24設置於絕緣膜17上，絕緣膜17上的發光層24仍然不會發光。換言之，當從基板13的厚度方向的一邊觀察時，由於僅設置於絕緣膜17上所形成之開口16之發光部23會發光之故，隔板15之中特別被絕緣膜17所包圍之區域，相當於能發光之畫素區域14。
隔板本體18，在本實施形態中，係按與絕緣膜17相接觸之方式加以設置。絕緣膜17與隔板本體18之間可介在有既定的層。隔板本體18，係形成於絕緣膜17上，而避開畫素區域14。亦即，隔板本體18從基板13的厚度方向的一邊觀察時，係於絕緣膜17內側形成方格狀。
於隔板本體18所規定之各區域中，設置發光部23。該發光部23，係按覆蓋穿透絕緣膜17之開口16之方式形成，並與從該開口16露出之陽極21相接觸之方式設置。絕緣膜17的厚度，較發光部23的厚度為薄。因而發光部23不僅形成於穿透絕緣膜17之開口16，尚超越該開口16而形成至絕緣膜17上為止。
陰極22，係從基板13的厚度方向的一邊覆蓋發光部23及隔板本體18而形成於基板13之全面上。亦即，各有機EL元件12的陰極22係電性連接作為共通的電極而發揮功能。
其次，就發光裝置11之製造方法加以說明。
首先，準備TFT基板。TFT基板可使用市售者，通常TFT基板上形成有電極。於透過陽極21及基板13而射出光線之底端放射型(bottom emission type)的有機EL元件12中，陽極21係由具有光穿透性之電極所構成。陽極21可採用電導度高之金屬氧化物、金屬硫化物、以及金屬等薄膜，以光穿透率高者為佳。具體而言，可採用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ITO(銦錫氧化物)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，簡稱IZO)、金、白金、銀、以及銅等所成之薄膜，此等之中，由ITO、IZO、或氧化錫所成薄膜適合採用。陽極21之製作方法而言，可例舉真空蒸鍍法(vacuum evaporation deposition)、濺鍍法(sputtering)、離子電鍍(ion plating)法、電鍍法等。依此等方法形成導電膜後，利用光微影法(photolithography)以形成既定的圖型(pattern)。該陽極可採用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有機透明導電膜。
陽極的膜厚，宜考慮光的穿透性及電導度，適當加以選擇，例如，為10nm至10μm，較佳為20nm至1μm，更佳為50nm至500nm。
其次，形成絕緣膜17。絕緣膜17，較佳為比隔板本體18對印墨更具有親液性，進行隔板本體18之拒液化過程中不使其拒液化，較佳由無機物構成。絕緣膜17係由SiN(氮化矽)及SiO2 (二氧化矽)所成，較佳由SiN構成。
絕緣膜17係藉由濺鍍法、CVD(chemical vapor decomposition(化學蒸汽沉積法))、遮罩蒸鍍法、以及旋轉塗佈法(spin coating)等方法形成。例如，依CVD形成具有全面絕緣性之薄膜，接著塗佈光阻劑，對既定區域照射光線並顯像以形成由光阻劑層所構成之保護膜，再利用乾式蝕刻或濕式蝕刻而於具有絕緣性之相當於薄膜的畫素區域14之區域穿設開口16，即可形成絕緣膜17。
此種絕緣膜17的厚度，係較發光部23為薄，較佳為100nm以下，更佳為50nm以下，又更佳為30nm以下，特佳為10nm以下。絕緣膜17的厚度下限，係按照構成絕緣膜17之構件而適當設定為能確保電氣絕緣性之厚度，通常為5nm。
絕緣膜17的幅寬，亦即往行方向或列方向相鄰接之畫素區域14的間隔，係按照解像度(resolution)而加以適當設定，通常為10μm至50μm左右。
接著形成隔板本體18。隔板本體18，較佳為對印墨具有撥液性，較佳為含有利用例如在含氟氣體氣氛圍中實施之電漿處理般的簡易方法使拒液化之有機物所構成者。隔板本體18，例如採用丙烯酸樹脂系、酚醛清漆樹脂(novolac resin)系、聚醯亞胺樹脂系的正型或負型感光性材料(光阻劑)以形成者，由於容易實施圖型構成(patterning)之故很合適。具體而言，如對基板全面塗佈光阻劑、實施預烘焙(prebake)處理、介由既定的光罩(mask)對既定的區域照射光線、加以顯像、再實施後烘焙(post bake)處理後，則可製得構成既定圖型形狀之隔板本體18。光阻劑之塗佈方法，可列舉採用旋轉塗佈器、長條式塗佈器(slit coater)等方法。
隔板本體18，則再加以拒液化處理。例如由有機物形成隔板本體18時，則於含氟之氛圍中實施電漿處理即可使表面拒液化，具體而言，於CF4 (四氟化碳)氣體氛圍中實施電漿處理，則可使表面拒液化。在此電漿處理中，由無機物構成之絕緣膜17不會被拒液化，仍然維持親液性。如此以無機物構成絕緣膜17，而以有機物構成隔板本體18，再於含氟之氛圍中實施電漿處理，則可簡易分別製作具有撥液性之隔板本體18及具有親液性之絕緣膜17。
隔板本體18的厚度，係在依塗佈法形成發光部23時，依照印墨能保持之厚度設定之，通常為0.5μm至10μm左右，較佳為1μm至3μm。隔板本體18的幅寬，係較絕緣膜17的幅寬為短，為10μm至50μm左右。
接著形成發光部23。發光部23，較佳為包含使用含有有機材料之印墨依塗佈法形成之有機層。
發光部23較佳為層合包括設置於最靠近基板之電洞注入層25之複數層所構成者，於本實施形態中，發光部23係層合電洞注入層25與發光層24等2層有機層所構成者。電洞注入層25，係與陽極21接觸設置，而與此電洞注入層25接觸設置發光層24，再與發光層24接觸設置陰極22。
電洞注入層25，可由採用含有形成後述之電洞注入層25之有機材料，與溶解該材料之溶劑之印墨之塗佈法形成。塗佈法而言，祗要是能對由隔板15所規定之區域選擇性供給印墨之方法則並不特別加以限制，可例舉：噴墨印刷法(inkjet printing)、膠版印刷法(flexography)等。例如，採用噴墨印刷裝置，則可對既定區域選擇性滴下印墨，而能對由隔板15所規定之區域選擇性供給印墨。再者，在常溫或加熱下進行印墨之乾燥，即可形成電洞注入層25。
發光層24，可由採用含有形成後述之發光層24之有機材料，與溶解該材料之溶劑之印墨之塗佈法形成，可依與電洞注入層25同樣方法形成。
陰極22，較佳為採用功函數低、且對發光層的電子注入容易、電導度高的材料形成。在從陽極側射出光線之構成的有機EL元件12，為了將來自發光層24之光線在陰極22往陽極21側反射起見，陰極22的材料較佳為可見光反射率高的材料。陰極22例如可採用鹼金屬、鹼土金屬、過渡金屬以及週期III-B族金屬等。陰極的材料例如可採用鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、銣(Rb)、銫(Cs)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋁(Al)、鈧(Sc)、釩(V)、鋅(Zn)、釔(Y)、銦(In)、鈰(Ce)、釤(Sm)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鐿(Yb)等金屬，前述金屬中2種以上的合金，前述金屬中的1種以上與金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、銅(Cu)、錳(Mn)、鈦(Ti)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鎢(W)、錫(Sn)之中的1種以上的合金，或石墨或者石墨夾雜化合物等。合金之例可例舉鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金等。陰極可採用由導電性金屬氧化物及導電性有機物等所構成之透明導電性電極。具體而言，導電性金屬氧化物可例舉氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ITO、以及IZO，導電性有機物可例舉聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等。陰極亦可由層合2層以上之層合物所構成。
陰極22的膜厚，宜考慮電導度或耐久性而適當加以設定，例如，為10nm至5μm左右。本實施形態中，為構成亦能發揮作為遮斷來自外部環境對發光部23之影響之用的保護構件功能之陰極22起見，陰極22乃被形成為厚膜。陰極22的製作方法可例舉真空蒸鍍法、濺鍍法、或進行金屬薄膜之熱壓層合法等。
以上說明之本實施形態的發光裝置11中，係將絕緣膜17的厚度作成較發光部23的厚度為薄。於第4圖所示之從來的發光裝置，則絕緣膜3的膜厚較厚，採用此種絕緣膜3時，則有機層5、6的膜厚將因絕緣膜3的影響而成為不均勻，以致未能在畫素區域內形成均勻膜厚之有機層。採用有機EL元件之顯示裝置，以往均係採用液晶顯示裝置的大部分技術而發展者。由於液晶顯示裝置係普及在市場上，並已確立其要素技術之故，一直不願改變液晶顯示裝置中所採用之技術，絕緣膜3的膜厚等則抄襲液晶顯示裝置所用者。因此，第4圖中所示從來的發光裝置的絕緣膜3的膜厚，為100nm至500nm左右。然而有機EL元件，其特徵之一係屬於薄型之故，如利用被用於液晶顯示裝置之絕緣膜時，由於絕緣膜較發光部為厚，在液晶顯示裝置的技術中不會成為問題之絕緣膜，將在有機層的形成上產生很大的影響。於是，本實施形態中，則由於形成較發光部23為薄的絕緣膜17，即能在依塗佈法形成電洞注入層25、發光層24等有機層時降低絕緣膜17的影響，其結果可形成均勻膜厚的有機層。特別是，構成發光部23之各有機層，以其厚度分別較絕緣膜17為厚者為宜，例如從來的技術中，由於印墨係被親液性的絕緣膜3所吸引之下逐漸乾燥之故，於有機層5中在絕緣膜3的端部附近(參考第4圖)將大為顯現絕緣膜3的影響，惟在本實施形態中，由於各有機層係較絕緣膜17為厚，而絕緣膜17之側面本來就不影響有機層之形成之故，可形成均勻膜厚之有機層。由此即可製得經抑制發光不良之有機EL元件12，而可實現高性能的發光裝置11。特別是在構成發光部23之複數層中最靠近基板的層係電阻低的電洞注入層16之情形，如第4圖所示之從來技術般在絕緣膜17的端部附近當膜厚成為不均勻時，則有電洞注入層16與陰極22之間的間隔變狹窄，或有時電洞注入層16與陰極22會相接觸之故，作為元件的構造而在發光時發生漏洩電流之可能性增高。然而在本實施形態中，則即使依塗佈法形成有各有機層，由於各有機層係較絕緣膜17厚而能形成均勻膜厚之有機層之故，可製得抑制漏洩電流等問題的有機EL元件12，而能實現性能高的發光裝置11。
此種絕緣膜17，厚度較佳為在100nm以下。如形成此種厚度之絕緣膜17，則可降低形成發光部23時絕緣膜17的影響，而可製得膜厚均勻的有機層。
再者，絕緣膜17較佳為近臨開口16之前述絕緣膜17的側面所形成之開口16，往近接基板之方向以形成順向錐狀為佳。如形成此種錐狀的絕緣膜17，則絕緣膜17的端部之坡度變成平緩，結果可再降低由絕緣膜17的端部所形成之段差部對形成發光部23時的絕緣膜17的影響，而可製得膜厚更為均勻的有機層。
錐狀的絕緣膜17，例如可依乾式蝕刻而形成。第3圖表示錐狀絕緣膜17形成過程之模式。首先，按前述方式將由SiN等形成之具有絕緣性之薄膜31，藉由CVD等而全面形成。利用CVD，則能形成10nm至20nm左右的薄膜31，而能適當形成10nm至20nm以上膜厚的薄膜31。接著，於具有絕緣性之薄膜31上，進行光阻劑32之全面塗佈(參考第3圖(1))，接著，實施預烘焙、曝光、顯像、後烘焙等處理，以去除具有絕緣性之薄膜31之中形成於畫素區域上之部分。使用光阻劑32所形成之保護膜33的側面33a，並非對具有絕緣性之薄膜31表面成為垂直，而係如第3圖(2)所示，對具有絕緣性之薄膜31表面成為傾斜者，該角度θ為10°至60°左右。由於通常的乾式蝕刻係屬於各向異性蝕刻之故，例如實施導入CF4 (四氟化碳)氣體之電漿蝕刻(plasma etching)時，則將於具有絕緣性之薄膜31上形成對基板13成為垂直的貫通孔。亦即，包圍貫通孔之薄膜31側面，將對基板13成為垂直。然而，如在CF4 外尚導入有O2 (氧氣)之氛圍中實施電漿蝕刻時，則如第3圖(3)所示，在蝕刻時，由於不僅具有絕緣性之薄膜31，甚至保護膜33亦會被蝕刻之故，被保護膜33所保護之區域將如箭頭所示持續移動，具有絕緣性之薄膜31即被削切，其結果將形成錐狀的絕緣膜17，近臨絕緣膜17的畫素區域14之側面與陽極21表面所形成之角度ψ，較佳為10°至60°。該角度ψ的調整，可由適當設定保護膜33的材料、保護膜33的傾斜角度θ、蝕刻時所導入之CF4 、O2 氣體的流量等加以調整，特別是由調整蝕刻時所導入之O2 氣體的流量即可調整角度ψ，具體而言，愈增加O2 氣體的流量，則有角度ψ愈小的傾向。
從基板13的厚度方向的一邊觀察時，近臨絕緣膜17的畫素領域14之側面與近臨前述隔板本體18的畫素區域14之側面之間的間隔L1，較佳為1μm以上(參考第1圖)。由於隔板18為了能發揮收納印墨之功能起見，通常其表面以能對印墨具有撥液性之方式形成之故，在所供給之印墨被隔板本體18拒撥之下逐漸乾燥。如此，在隔板本體18近旁發生有機層的膜厚變薄的情形等，膜厚的均勻性會惡化。除隔板本體18以外另設置絕緣膜17之理由之一，乃在於抑制在隔板本體18近旁的膜厚的不均勻引起之元件的發光特性的低落。然而，如絕緣膜17從隔板本體18突出之部分小，則隔板本體18的影響，將於畫素區域14中之有機層的膜厚分佈上露顯出來。於是，如將間隔L1設定於1μm以上，則可減少隔板本體18對於畫素區域14中之有機層的膜厚分佈之影響，而能於畫素區域14中形成膜厚均勻的有機層。間隔L1，可由解相度等的設計而適當設定，惟如過寬則開口率將變小之故，其上限通常為5μm程度。
於以上所說明之本實施形態的發光裝置11中之有機EL元件，係具有「陽極/電洞注入層/發光層/陰極」的層構成者，惟有機EL元件如具備一對電極及該電極間之發光層，則亦可為與本實施形態中之有機EL元件不相同之元件構造。以下，將就可設置於陽極與陰極之層加以說明，此等的層之中，祗要是一種含有有機物之層，而形成該層之有機材料為能溶解於溶劑者，則依前述之噴墨印刷法等的塗佈法即可作成均勻膜厚的有機層而形成此等層。將設置於陽極與陰極之間之發光部，較佳為僅由依塗佈法形成之1層或複數層的有機層所成者。如此，僅由有機層構成發光部時，則可依過程簡單的塗佈法形成發光部，過程將成為簡易者。
設置於陽極與發光層之間之層，可例舉電子注入層、電子傳輸層、電洞阻擋層等。如於陰極與發光層之間僅設置一層之情形，則將該層稱為電子注入層。如於陰極與發光層之間設置電子注入層及電子傳輸層等雙層之情形，則將與陰極接觸之層稱為電子注入層，而將除此電子注入層以外之層稱為電子傳輸層。
電子注入層，係具有改善來自陰極之電子注入效率之功能之層。電子傳輸層，係具有改善來自陰極、電子注入層或更靠近陰極之電子傳輸層之電子注入之功能之層。電洞阻擋層，係具有攔阻電洞的傳輸之功能之層。如電子注入層、及/或電子傳輸層具有攔住電洞傳輸之功能之情形，則有時此等層可能兼作電洞阻擋層之用。
電洞阻擋層具有攔阻電洞的傳輸之功能之事實，例如製作僅使電洞電流流通之元件後，從其電流值的減少即能確認攔阻之效果。
設置於陽極與發光層之間之層，可舉電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層等。如於陽極與發光層之間，設置電洞注入層及電洞傳輸層等雙方的層之情形，則將與陽極相接觸之層稱為電洞注入層，而除此電洞注入層以外之層稱為電洞傳輸層。
電洞注入層，係具有改善來自陽極之電洞注入效率之功能之層。電洞傳輸層，係具有改善來自陽極、電洞注入層或更靠近陽極之電洞傳輸層之電洞注入之功能之層。電子阻擋層，係具有攔阻電子的傳輸功能之層。如電洞注入層、及/或電洞傳輸層具有攔阻電子的傳輸功能之情形，則有時此等層可能兼作電子阻擋層之用。
電子阻擋層具有攔阻電子傳輸功能之事實，例如製作僅使電子電流流通之元件後，從其電流值的減少即能確認攔阻之效果。
有時將電子注入層及電洞注入層總稱為電荷注入層，有時將電子傳輸層及電洞傳輸層總稱為電荷傳輸層。
以下，例示本實施形態的有機EL元件能採用之層構成。
a)　陽極/發光層/陰極
b)　陽極/電洞注入層/發光層/陰極
c)　陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極
e)　陽極/電洞注入層/發光層/電子傳輸層/陰極
f)　陽極/電洞注入層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極
d)　陽極/電洞傳輸層/發光層/陰極
e)　陽極/電洞傳輸層/發光層/電子注入層/陰極
f)　陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極
g)　陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極
h)　陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/陰極
i)　陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子注入層/陰極
j)　陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極
k)　陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極
l)　陽極/發光層/電子注入層/陰極
m)　陽極/發光層/電子傳輸層/陰極
n)　陽極/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極
(在此，記號「/」表示夾介記號「/」之各層相鄰接而層合之意。以下相同。)
本實施形態之有機EL元件，可具有2層以上的發光層，對具有2層發光層之有機EL元件而言，於上述a)至n)的層構成中的任一者，如將被陽極與陰極所夾持之層合物作為「重複單元A」時，則可例舉如下述o)中所示之層構成。
o)陽極/(重複單元A)/電荷注入層/(重複單元A)/陰極
具有3層以上的發光層之有機EL元件，可例舉如將「(重複單元A)/電荷注入層」作為「(重複單元B)」時，則可例舉如下述p)中所示之層構成。
p)陽極/(重複單元B)x/電荷注入層/(重複單元A)/陰極
記號「x」表示2以上的整數，(重複單元B)x表示層合x段之重複單元B之層合物。
電荷注入層，係指因電場之施加而發生電洞與電子之層之意。電荷注入層可舉例如由氧化釩、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide：略稱ITO)、氧化鉬等所成之薄膜。
本實施形態之有機EL元件，為使與電極的密接性更為提升或來自電極之電荷注入性更為改善起見，亦可鄰接電極設置膜厚2nm以下的絕緣層。為了提升界面的密接性或防止混合起見，亦可於前述之各層間插入薄的緩衝層(buffer layer)。
就所層合之層的順序、層數、以及各層的厚度而言，可在探討發光效率或元件耐用壽命之下，適當加以設定。
其次，就構成有機EL元件之各層材料及形成方法，更具體加以說明。
<電洞注入層>
構成電洞注入層之電洞注入材料，可例舉氧化釩、氧化鉬、氧化釕、以及氧化鋁等氧化物，或苯基胺系、星作型胺(starburst amine)系、酞菁系、非晶質碳、聚苯胺、以及聚噻吩衍生物等。
電洞注入層的成膜方法，可例舉來自含有電洞注入材料之溶液的成膜。可用於來自溶液之成膜之溶劑，祗要是能溶解電洞注入材料者則並不特別加以限制，可例舉氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；丙酮、甲基乙基甲酮等酮系溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纖素乙酸酯等酯系溶劑；以及水。
來自溶液之成膜方法，可例舉旋轉塗佈法(spin coating)、流涎法(casting)、微凹輥塗佈法(microgravure coating)、凹輥塗佈法(gravure coating)、鑲條塗佈法(bar coating)、輥式塗佈法(roll coating)、鋼絲桿塗佈法(wire bar coating)、浸漬塗佈法(dip coating)、噴霧塗佈法(spray coating)、絲網印刷(screen printing)、快速印刷法(flexoprinting)、膠版印刷法(off-set printing)、噴墨印刷法(inkjet printing)等塗佈法。
電洞注入層的膜厚，係因所用之材料而其最適值不相同，按驅動電壓及發光效率能成為適度的值之方式適當加以設定，至少需要不致於發生針孔(pin hole)之厚度，如過厚時，則由於元件的驅動電壓會增高之故不宜。因而電洞注入層的膜厚，例如為1nm至1μm，較佳為2nm至500nm，更佳為5nm至200nm。
<電洞傳輸層>
構成電洞傳輸層之電洞傳輸材料，可例舉聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、在支鏈或主鏈具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物、吡唑啉(pyrazoline)衍生物、芳基胺衍生物、茋(stilbene)衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚吡咯(polypyrrole)或其衍生物、聚(對伸苯基伸乙烯基)或其衍生物、或者聚(2,5-伸噻吩基伸乙烯基)或其衍生物等。
此等之中以作為電洞傳輸材料而言，較佳為聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、在支鏈或主鏈具有芳香族胺化合物基之聚矽氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚(對伸苯基伸乙烯基)或其衍生物、或者聚(2,5-伸噻吩基伸乙烯基)或其衍生物等高分子電洞傳輸材料，更佳為聚烯基咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、在支鏈或主鏈具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物。如係低分子的電洞傳輸材料的情形，較佳為使其分散於高分子黏合劑(binder)中使用。
電洞傳輸層之成膜方法，並不特別加以限制，惟對低分子的電洞傳輸材料，則可例舉來自含有高分子黏合物與電洞傳輸材料之混合液之成膜。而對高分子的電洞傳輸材料，則可舉來自含有電洞傳輸材料之溶液之成膜。
可用於來自溶液之成膜之溶劑，祇要是能溶解電洞傳輸材料者則並不特別加以限制，可例舉氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；丙酮、甲基乙基甲酮等醚系溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑等。
來自溶液之成膜方法，可例舉與前述之電洞注入層之成膜法同樣的塗佈法。
所混合之高分子黏合劑，以不會極度阻礙電荷傳輸者為宜，又對可見光之吸收較弱者適合使用，可例舉聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯化乙烯、聚矽氧烷等。
電洞傳輸層之膜厚，因所用之材料而其最適值不相同，以使驅動電壓及發光效率能成為適度的值之方式適當加以設定，至少需要不致於發生針孔的厚度，如過厚時，則由於元件的驅動電壓會增高之故而不宜。因而，該電洞傳輸層的膜厚，例如為1nm至1μm，較佳為2nm至500nm，更佳為5nm至200nm。
<發光層>
發光層通常主要由能發出螢光及/或磷光之有機物、或該有機物與補助該有機物之摻質(dopant)所形成。摻質，係例如為提升發光效率、或使發光波長改變而添加者。有機物可為低分子化合物亦可為高分子化合物，而發光層較佳為含有聚苯乙烯換算的數平均分子量為103 至108 之高分子化合物。構成發光層之發光材料，可例舉如下述之色素系材料、金屬錯合物系材料、高分子系材料、摻質材料。
(色素系材料)
色素系材料可例舉甲環戊丙胺(cyclopentamine)衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯基胺衍生物、二唑(oxadiazole)衍生物、吡唑并喹啉(pyrazoloquinoline)衍生物、聯苯乙烯基苯衍生物、聯苯乙烯基伸芳基衍生物、吡咯衍生物、噻吩環化合物、吡啶環化合物、紫環酮(perinone)衍生物、苝(perylene)衍生物、寡聚噻吩衍生物、三延胡索醯基胺(trifumarylamine)衍生物、二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖啶酮(quinacrydone)衍生物、薰草素(cumarin)衍生物等。
(金屬錯合物系材料)
金屬錯合物系材料，可例舉具有Al(鋁)、Zn(鋅)、Be(鈹)、或者Tb(鋱)、Eu(銪)、Dy(鏑)等稀土金屬作為芯材金屬，而具有二唑、噻二唑(thiadiazole)、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉構造等作為配位子之金屬錯合物，例如具有來自銥(Ir)錯合物、鉑(Pt)錯合物等的三重激發狀態之發光之金屬錯合物、喹啉酚鋁錯合物、苯并喹啉酚鈹錯合物、苯并唑基鋅錯合物、苯并噻唑鋅錯合物、偶氮甲基鋅錯合物、卟啉(prophyrin)鋅錯合物、銪(Eu)錯合物等。
(高分子系材料)
高分子系材料可例舉將聚對伸苯基伸乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚對伸苯基衍生物、聚矽烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚茀衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、上述色素系材料或金屬錯合物系發光材料加以高分子化而成者等。
上述發光性材料之中，能發光為藍色之材料，可例舉聯苯乙烯基伸芳基衍生物、二唑衍生物、以及此等的聚合物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚對伸苯基衍生物、聚茀衍生物等。其中較佳為高分子材料的聚乙烯基咔唑衍生物、聚對伸苯基衍生物、聚茀衍生物。
能發光為綠色之材料可例舉喹吖啶酮衍生物、薰草素衍生物、以及此等的聚合物、聚對伸苯基伸乙烯基衍生物、聚茀衍生物等。其中較佳為高分子材料的聚對伸苯基伸乙烯基衍生物、聚茀衍生物等。
能發光為紅色之材料，可例舉薰草素衍生物、噻吩環化合物、以及此等的聚合物、聚對伸苯基伸乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚茀衍生物等。其中較佳為高分子材料的聚對伸苯基伸乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚茀衍生物等。
(摻質材料)
摻質材料可例舉苝衍生物、薰草素衍生物、紅螢烯(rubrene)衍生物、喹吖啶酮衍生物、角鯊鎓(squalium)衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、稠四苯(tetracene)衍生物、吡唑啉酮(pyrazolone)衍生物、十環烯(decacyclene)、啡噻酮(phenoxazone)等。發光層的厚度，通常約為2nm至200nm。
<電子傳輸層>
構成電子傳輸層之電子傳輸材料，可使用周知者，可例舉二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、茀酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、聯苯醌(diphenoquinone)衍生物、或者8-羥基喹啉或其衍生物的金屬錯合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喏啉(polyquinoxaline)或其衍生物、聚茀或其衍生物。
此等之中，電子傳輸材料，較佳為二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或者8-羥基喹啉或其衍生物的金屬錯合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喏啉或其衍生物、聚茀或其衍生物，更佳為2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-二唑、苯醌、蒽醌、參(8-喹啉酚)鋁、聚喹啉。
電子傳輸層之成膜，並不特別加以限制，惟在低分子的電子傳輸材料方面，可例舉從粉末的真空蒸鍍法、或者來自溶液或熔融狀態之成膜，而高分子的電子傳輸材料方面，則可例舉來自溶液或熔融狀態之成膜。進行來自溶液或熔融狀態之成膜時，亦可併用高分子黏合劑。來自溶液之電子傳輸層之成膜方法，可例舉與前述從溶液之電洞傳輸層之成膜方法同樣的成膜法。
電子傳輸層之膜厚，係視其所用之材料而最適值會有所不同，宜使驅動電壓與發光效率能成為適度的值之方式適當設定之，至少需要不致於發生針孔之厚度，如過厚則元件的驅動電壓會增高而不宜。因而，該電子傳輸層的膜厚例如為1nm至1μm，較佳為2nm至500nm，更佳為5nm至200nm。
<電子注入層>
構成電子注入層之材料，可按照發光層之種類而適當選擇最合適的材料，可例舉鹼金屬、鹼土金屬、含有鹼金屬及鹼土金屬之中的1種以上之合金、鹼金屬或鹼土金屬之氧化物、鹵化物、碳酸化物、或此等物質的混合物等。鹼金屬、鹼金屬的氧化物、鹵化物以及碳酸化物，可例舉鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、銣(Rb)、銫(Cs)、氧化鉀、氟化鋰、氧化鈉、氟化鈉、氧化鉀、氟化鉀、氧化銣、氟化銣、氧化銫、氟化銫、碳酸鋰等。鹼土金屬、鹼土金屬的氧化物、鹵化物、碳酸化物，可例舉鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鍶(Sr)、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氧化鋇、氟化鋇、氧化鍶、氟化鍶、碳酸鎂等。電子注入層，可由層合有2層以上之層合物所構成，可例舉LiF/Ca等。電子注入層，可依蒸鍍法、濺鍍法、印刷法等加以形成。
電子注入層的膜厚，較佳為1nm至1μm左右。
<絕緣層>
絕緣層的材料，可例舉金屬氟化物、金屬氧化物、有機絕緣材料等。設置有膜厚2nm以下之絕緣層之有機EL元件，可例舉鄰接陰極設置膜厚2nm以下的絕緣層者、鄰接陽極設置膜厚2nm以下之絕緣層者。
以上說明之發光裝置，可適用於曲面狀或平面狀的照明裝置，例如可作為掃描器的光源使用之面狀光源、以及作為顯示裝置。
顯示裝置可例舉分段顯示裝置、點矩陣顯示等。點矩陣顯示裝置中，有主動矩陣顯示裝置及被動矩陣顯示裝置等。有機EL元件，係於主動矩陣顯示裝置、被動矩陣顯示裝置中，作為構成各畫素之發光元件使用。有機EL元件在分段顯示裝置中，係作為構成各段之發光元件使用。而於液晶顯示裝置中，係作為背光板使用。
[產業上之利用可能性]
如依據本發明形成較發光部為薄的絕緣膜，則在形成發光部時能降低絕緣膜所引起之影響，其結果可於畫素區域內形成膜厚均勻的有機層。由此可製得抑制發光不良之有機電場發光元件，而能實現高性能的發光裝置。
1、13‧‧‧基板
2、21‧‧‧陽極
3、17‧‧‧絕緣膜
4、18‧‧‧隔板本體
5‧‧‧有機層(下層)
6‧‧‧有機層(上層)
11‧‧‧發光裝置
12‧‧‧有機EL元件
14‧‧‧畫素區域
15‧‧‧隔板
16‧‧‧開口
22‧‧‧陰極
23‧‧‧發光部
24‧‧‧發光層
25‧‧‧電洞注入層
31‧‧‧具有絕緣性之薄膜
32‧‧‧光阻劑
33‧‧‧保護膜
第1圖係本實施形態之發光裝置11的剖面圖。
第2圖係發光裝置11的平面圖。
第3圖(1)至(3)係表示形成錐狀絕緣膜17之步驟之模式圖。
第4圖係形成有機EL元件時所用之習知基板的端面圖。
11‧‧‧發光裝置
12‧‧‧有機EL元件
13‧‧‧基板
14‧‧‧畫素區域
15‧‧‧隔板
16‧‧‧開口
17‧‧‧絕緣膜
18‧‧‧隔板本體
21‧‧‧陽極
22‧‧‧陰極
23‧‧‧發光部
24‧‧‧發光層
25‧‧‧電洞注入層

Claims (10)

  1. 一種發光裝置，係具備：基板，及設置於該基板上之複數個有機電場發光元件，以及用以界定設置各有機電場發光元件之各畫素區域之隔板者，其特徵為：前述隔板，係包含在相當於前述各畫素區域之區域穿設有開口之絕緣膜、以及設置於該絕緣膜的基板側之相反側之隔板本體而構成，前述有機電場發光元件，係包含一對電極以及被該電極所夾持且配置於被前述隔板所包圍之區域之發光部而構成，且構成前述發光部之各有機層的厚度，係分別較前述絕緣膜為厚，而前述絕緣膜的厚度，係較前述發光部的厚度為薄者。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，前述絕緣膜的厚度，為未達50nm者。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其中，臨近前述開口之前述絕緣膜的側面所構成之開口，係往接近前述基板方向形成順向錐狀者。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其中，從基板厚度方向的一邊觀察時，臨近前述絕緣膜的畫素區域之側面，與臨近前述隔板本體的畫素區域之側面之間 的間隔，為1μm以上者。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其中，前述發光部係包含使用含有有機材料之印墨以塗佈法所形成之有機層者。
  6. 如申請專利範圍第5項之發光裝置，其中，前述絕緣膜，係較前述隔板本體對前述印墨更具有親液性者。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其中，前述發光部，係層合包含設置於最靠近基板處之電洞注入層之複數層所構成者。
  8. 一種發光裝置之製造方法，係具備一對電極、以及具有被該一對電極所夾持之發光部之複數個有機電場發光元件之發光裝置之製造方法，其特徵為：包含於基板上，形成用以界定設置各有機電場發光元件之各畫素區域之隔板之步驟，形成前述電極之步驟，以及於前述畫素區域形成發光部之步驟，而在形成前述隔板之步驟中，形成其厚度較前述發光部的厚度為薄，且於相當於畫素區域之區域穿設有開口之絕緣膜，並於該絕緣膜上形成隔板本體，在形成前述發光部之步驟中，將含有有機材料之印墨供給至前述畫素區域，再使所供給之印墨乾燥，藉以形成有機層，並且，構成前述發光部之各前述有機層的厚度，係分別較前述絕緣膜為厚。
  9. 如申請專利範圍第8項之發光裝置之製造方法，其中， 於前述絕緣膜穿設開口時，藉由乾式蝕刻朝接近前述基板之方向，於絕緣膜穿設順向錐狀開口者。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項之發光裝置之製造方法，其中，當形成前述隔板本體時，係使用有機物形成隔板本體，再於含氟氣體環境中實施電漿處理者。
TW098140496A 2008-11-28 2009-11-27 發光裝置及其製造方法 TWI495388B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008303864A JP5572942B2 (ja) 2008-11-28 2008-11-28 発光装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201031248A TW201031248A (en) 2010-08-16
TWI495388B true TWI495388B (zh) 2015-08-01

Family

ID=42225828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098140496A TWI495388B (zh) 2008-11-28 2009-11-27 發光裝置及其製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110227100A1 (zh)
EP (1) EP2375865A4 (zh)
JP (1) JP5572942B2 (zh)
KR (1) KR101604155B1 (zh)
CN (1) CN102227953B (zh)
TW (1) TWI495388B (zh)
WO (1) WO2010061966A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011101918A1 (ja) * 2010-02-22 2011-08-25 パナソニック株式会社 発光装置とその製造方法
JP5678740B2 (ja) * 2011-03-11 2015-03-04 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置および電子機器
WO2012132292A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 凸版印刷株式会社 有機ｅｌ表示素子、有機ｅｌ表示装置、及びこれらの製造方法
US8981391B2 (en) * 2012-06-22 2015-03-17 Industrial Technology Research Institute Display panel with high transparency
KR101970539B1 (ko) * 2012-11-13 2019-08-14 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20140067645A (ko) * 2012-11-27 2014-06-05 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR102000932B1 (ko) * 2012-12-18 2019-07-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2016004737A (ja) * 2014-06-19 2016-01-12 日本精機株式会社 塗布装置及び有機ｅｌ素子の製造方法
KR102205700B1 (ko) * 2014-07-16 2021-01-21 삼성전자주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
CN104409653B (zh) 2014-10-30 2017-07-18 京东方科技集团股份有限公司 一种像素界定层、有机致发光器件及显示装置
KR101820197B1 (ko) 2014-12-16 2018-01-19 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
WO2017158767A1 (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 パイオニア株式会社 発光装置
CN105774279B (zh) * 2016-03-23 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种喷墨打印方法及oled显示装置的制作方法
CN106783939B (zh) * 2017-03-03 2020-04-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法
EP3570329B1 (en) * 2018-05-14 2022-12-14 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006134624A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置、及び、それを用いた電子機器
US20080230772A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Norihiko Kamiura Display device and method of manufacturing the display device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100550472C (zh) * 1998-03-17 2009-10-14 精工爱普生株式会社 薄膜构图的衬底及其表面处理
JP2003163084A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置とその製造方法並びに電子機器
GB2391686B (en) * 2002-07-31 2006-03-22 Dainippon Printing Co Ltd Electroluminescent display and process for producing the same
CN1330009C (zh) * 2003-03-05 2007-08-01 中国科学院半导体研究所 小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法
JP2004319119A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及びその製造方法
JP3915806B2 (ja) * 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP3915810B2 (ja) * 2004-02-26 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器
JP2007103033A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Seiko Epson Corp 発光装置、及び発光装置の製造方法
JP2008123738A (ja) 2006-11-09 2008-05-29 Seiko Epson Corp 光学装置、光学装置の製造方法および電子機器。
JP2008192384A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌディスプレイの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006134624A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置、及び、それを用いた電子機器
US20080230772A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Norihiko Kamiura Display device and method of manufacturing the display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5572942B2 (ja) 2014-08-20
US20110227100A1 (en) 2011-09-22
KR101604155B1 (ko) 2016-03-16
EP2375865A4 (en) 2012-07-18
CN102227953A (zh) 2011-10-26
TW201031248A (en) 2010-08-16
CN102227953B (zh) 2015-08-12
KR20110097787A (ko) 2011-08-31
EP2375865A1 (en) 2011-10-12
JP2010129419A (ja) 2010-06-10
WO2010061966A1 (ja) 2010-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI495388B (zh) 發光裝置及其製造方法
JP4974978B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US8063553B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of manufacturing the same
US20150155516A1 (en) Organic light-emitting element and production method therefor
CN105914300A (zh) 发光显示装置和制造该发光显示装置的方法
US9401477B2 (en) Organic EL panel and method for manufacturing same
US20100194269A1 (en) Organic el display and manufacturing method thereof
US20110121282A1 (en) Manufacturing method of organic electroluminescence element, light-emitting device, and display device
JP2021093525A (ja) 自発光素子、及び自発光表示パネル
US8298839B2 (en) Manufacturing method of a thin film active element
WO2011122445A1 (ja) 発光装置
WO2009122870A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
JP2021087001A (ja) 自発光素子、及び自発光表示パネル
JP5672789B2 (ja) 発光装置の製造方法
US11508928B2 (en) Self-luminous element and self-luminous display panel
US20110018433A1 (en) Method of producing organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, and display device
US10756308B2 (en) Organic electroluminescence element and method of manufacturing the same
JP5499612B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US10581019B2 (en) Organic EL element having reduced electric power consumption by optimizing film thicknesses thereof and method of manufacturing same
JP2010160945A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2021072416A (ja) 自発光素子、自発光表示パネルおよび自発光素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees