TWI470834B - 半導體發光結構及其製造方法 - Google Patents

Description

半導體發光結構及其製造方法

本案係為一種半導體結構及其製造方法，尤其應用於覆晶式半導體發光結構及其製造方法。

發光二極體(light emitting diode,LED)可將電信號轉變為光信號，逐漸普及於顯示板、指示燈、照明等用途，與傳統光源相比，具有節能、效率較高、反應速度較快、壽命較長、較不易破損等優點。

發光二極體發光原理係利用磊晶結構中P型半導體與N型半導體相接，再於發光二極體的正負兩端施予電壓，當電流通過時，使電子電洞結合，結合的能量以光的形式發出，不過，結合時所產生的熱，對於發光二極體之特性、壽命及可靠度都有不良的影響，因此，習知技術透過覆晶式的封裝方式嘗試解決散熱問題。

請參見圖1，圖1係習知覆晶式(flip)發光二極體10側面示意圖，習知技術在覆晶式發光二極體元件與電路板17連線時，係利用發光二極體元件之導體16a、16b與電路板17之電極17a、17b電性耦合，兩導體16a、16b之一端各自垂直配置於磊晶結構12之不同電性摻雜層上，另一端則各自與電極17a、17b相接。

據此，於覆晶式發光二極體元件耦接至電路板17後，彼此間仍存有許多空隙，為鞏固結構，利用毛細作用將絕緣膠N進行底部填充(underfill)該些空隙，然而，毛細作用無法均勻 填滿空隙，而且發光二極體之磊晶結構12厚度d很小，再加上與電路板17之間未填滿之空隙，使整體結構更加薄弱，於雷射剝離基板或有其他輕微外力撞擊時，皆容易造成磊晶結構12破裂(cracking)。再者，發明人發現以絕緣膠N進行底部填充空隙，散熱的效率並不佳。

有鑑於此，如何使磊晶結構不易受外力影響而破裂，提高發光二極體之可靠度，及增強散熱效率以提高其效能，係為發展本發明之主要目的。

本發明之一目的在於提供一種半導體發光結構，以達保護磊晶結構，提高其可靠度，及增強散熱效率以提高其效能之目的。為達前述目的，半導體發光結構包含磊晶結構、第一絕緣結構、第一導體結構、第二絕緣結構、第二導體結構。其中磊晶結構具有第一接觸及第二接觸，其中第一接觸及第二接觸位於磊晶結構的同一側；第一絕緣結構覆蓋部分第一接觸及部分第二接觸；第一導體結構覆蓋部分第一絕緣結構，並電性耦合第一接觸；第二絕緣結構覆蓋部分第一導體結構及部分第一絕緣結構；第二導體結構覆蓋部分第二絕緣結構，並電性耦合第二接觸。

於本發明之一實施例中，上述之半導體發光結構中，第一導體結構具有第一支撐部，第二導體結構具有第二支撐部，第二絕緣結構具有第二水平部，第一支撐部、第二支撐部及第二水平部皆平行於磊晶結構之延伸表面，第二水平部位於第一支撐部及第二支撐部之間。

於本發明之一實施例中，上述之半導體發光結構之磊晶結 構包括第一摻雜層、第二摻雜層及發光層。其中，第一摻雜層與第一接觸電性耦合；第二摻雜層與第二接觸電性耦合，其中第二摻雜層與第一摻雜層的電性相反；發光層位於第一摻雜層與第二摻雜層之間。

於本發明之一實施例中，上述之半導體發光結構中，第一絕緣結構具有第一水平部，第一水平部平行於該等接觸之延伸表面，第一水平部位於第二接觸及第一支撐部之間。

於本發明之一實施例中，上述之半導體發光結構之磊晶結構包括第一摻雜層、第二摻雜層及發光層。其中，第一摻雜層，與第二接觸電性耦合；第二摻雜層，與第一接觸電性耦合，其中第二摻雜層與第一摻雜層的電性相反；發光層位於第一摻雜層及第二摻雜層之間。

於本發明之一實施例中，上述之第一支撐部位於第一接觸及第二水平部之間。

於本發明之一實施例中，上述之半導體發光結構之磊晶結構包括至少兩組磊晶單元，兩組磊晶單元之間具有穿隧接面，磊晶單元包括第一摻雜層、第二摻雜層、發光層。其中，第二摻雜層與第一摻雜層電性相反；發光層，位於第一摻雜層及第二摻雜層中間，發光層包含至少一量子井結構。

於本發明之一實施例中，上述之半導體發光結構之第一絕緣結構及第二絕緣結構之材料包含透明氧化物；第一導體結構及第二導體結構之材料包含金屬。

於本發明之一實施例中，上述之半導體發光結構更包括電路板，電路板上具有第一電極及第二電極，第一電極與第一導體結構電性耦合，且第二電極與第二導體結構電性耦合。

本發明之一目的在於提供半導體發光結構製造方法，以達 保護磊晶結構，提高其可靠度，及增強散熱效率以提高其效能之目的。為達前述目的，半導體發光結構製造方法之步驟包括提供磊晶結構；於磊晶結構上形成第一接觸及第二接觸，其中第一接觸及第二接觸位於磊晶結構的同一側；形成第一絕緣結構，用以覆蓋部分第一接觸及部分第二接觸；於第一絕緣結構上形成第一導體結構，其中第一導體結構電性耦合第一接觸；於部分第一導體結構上形成第二絕緣結構，且第二絕緣結構覆蓋部分第一絕緣結構；以及於第二絕緣結構上形成第二導體結構，其中第二導體結構電性耦合第二接觸。

於本發明之一實施例中，上述之半導體發光結構製造方法，其步驟更包括提供電路板，且電路板上具有第一電極及第二電極；以及將第一電極電性耦合至第一導體結構，及將第二電極電性耦合至第二導體結構。

於本發明之一實施例中，上述之半導體發光結構製造方法中，磊晶結構之形成步驟包括提供基板；於基板上形成第一摻雜層；於第一摻雜層上形成發光層；於發光層上形成與第一摻雜層電性相反之第二摻雜層；以及蝕刻部分第二摻雜層及部分發光層，用以露出部分第一摻雜層。

於本發明之一實施例中，上述之半導體發光結構製造方法，其中於第一摻雜層之露出部分上形成第一接觸，於第二摻雜層上形成第二接觸。

於本發明之一實施例中，上述之半導體發光結構製造方法，其中於第一摻雜層之露出部分上形成第二接觸，於第二摻雜層上形成第一接觸。

於本發明之一實施例中，上述之半導體發光結構製造方法，其中形成第一導體結構及第二導體結構之方法包括進行電 鍍製程。

於本發明之一實施例中，上述之半導體發光結構製造方法，其中基板為不透明基板，則上述步驟更包括移除基板，以曝露磊晶結構。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

本發明技術適於應用在半導體發光結構，尤其是覆晶式半導體發光結構。請參見圖2A，圖2A係本發明之一實施例關於半導體發光結構之側面示意圖。首先，提供基板21，其材料可為矽、碳化矽、鋁、氧化鋁、氮化鎵、氮化銦、氮化鋁、氧化鋅、藍寶石、玻璃、石英或其組合，但不限定於此。此外，基板包括極化(polar)基板、半極化(semi-polar)基板或非極化(non-polar)基板。

接著，於基板21上形成磊晶結構22，磊晶結構22之第一側22a相對於基板21，磊晶結構22之第一摻雜層221位於基板21上，其第二摻雜層223形成於第一摻雜層221上，而兩摻雜層221、223之間具有發光層222，其可為單層量子井結構或多重量子井結構。另外，兩摻雜層221、223之電性相反，例如，第一摻雜層221可為N型摻雜層，而第二摻雜層223可為P型摻雜層，當然，兩摻雜層221、223之電性亦可互相置換。磊晶結構22的材料可為三族氮化物，例如氮化銦(InN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化銦鋁鎵(InAlGaN)等，但不限定於上述。

於磊晶結構22上相對第一側22a之另一側上進行蝕刻製 程，蝕刻掉部分的第二摻雜層223及發光層222，以露出部分的第一摻雜層221之表面2211，及露出第二摻雜層223與發光層222之側壁2231，留下未被蝕刻掉的第二摻雜層223之表面2232。接著，於第二摻雜層223之表面2232上形成第二接觸24。

於本實施例中，接著形成第一絕緣結構25a，用於覆蓋第二摻雜層223與發光層222之側壁2231，以及大部分的第二接觸24，第一絕緣結構25a中覆蓋側壁2231以及部分的第一摻雜層221之表面2211，並且第一絕緣結構25a具有一第一水平部251，第一水平部251平行於磊晶結構22之延伸表面而覆蓋第二接觸24。接著，於第一摻雜層221之表面2211上形成第一接觸23，並與第一絕緣結構25a相鄰，且因第一絕緣結構25a而與第二摻雜層223及發光層222絕緣。

若第一摻雜層221為N型摻雜層，則與之相鄰的第一接觸23材料可由鈦、鋁、鉻、鉑、金所構成群組之一或其組合，例如鉻/鉑/金(Cr/Pt/Au)、鈦/鋁/鉑/金(Ti/Al/Pt/Au)或鈦/鉑/金(Ti/Pt/Au)；若第二摻雜層223為P型摻雜層，則與之相鄰的第二接觸24的材料可由鎳、鉑、銀、氧化銦錫所構成群組之一或其組合，例如鎳/銀(Ni/Ag)、鎳/鉑/銀(Ni/Pt/Ag)或氧化銦錫/銀(ITO/Ag)。若第一摻雜層221及第二摻雜層223之電性相互置換，而第一接觸23與第二接觸24之材料亦相互置換。

接著，利用電鍍製程於第一接觸23上形成第一導體結構26a，且第一導體結構26a與第一接觸23電性耦合。第一導體結構26a沿著與磊晶結構22表面，也就是第二摻雜區223之表面2232平行之方向延伸形成一第一支撐部261，第一支撐部261覆蓋大部分的第一絕緣結構25a。藉由第一絕緣結構25a 使第一導體結構26a與第二接觸24絕緣。

接下來，形成第二絕緣結構25b，用以覆蓋部分第一水平部251，且第二絕緣結構25b具有一第二水平部252。第二水平部252包覆大部分的第一支撐部261，但需曝露部分第一支撐部261之表面261S。進一步，再利用電鍍製程於第二接觸24上形成第二導體結構26b，且第二導體結構26b與第二接觸24電性耦合。第二導體結構26b沿著與磊晶結構表面，也就是第二摻雜區223之表面2232平行之方向延伸形成一第二支撐部262。藉由第二絕緣結構25b使第一導體結構26a與第二導體結構26b絕緣。

值得注意的是，於本實施例中，第二水平部252位於第一支撐部261及第二支撐部262之間，利用該些導體結構26a、26b與該些絕緣結構25a、25b交錯相疊，形成如圖2A所示之具有結構穩固特性的半導體發光結構20，可達保護磊晶結構22之目的。再者，該些導體結構26a及26b具有一定厚度d_m ，總厚度2d_m 範圍可為20微米至50微米，足以增強對磊晶結構22之保護。據此，則不需再透過底部填充絕緣膠N的方式來穩固磊晶結構22，致使改善習知技術填充不均勻之缺失。

請參見圖2A與2B，圖2B係本發明之一實施例關於覆晶式半導體發光結構之側面示意圖。接著，將圖2A所示之半導體發光結構20翻轉(flip)180度，與電路板27做連線，將電路板27之第一電極271對應至第一導體結構26a未被覆蓋住的表面261S即可，使兩者電性耦合；以及將電路板27之第二電極272對應至第二導體結構26b之第二支撐部262之表面任一處，使兩者電性耦合。值得注意的是，上述半導體發光結構20之結構設計，致使電路板27方便與之連線，完成本實施例 之覆晶式半導體發光結構20’，並改善習知技術中，如兩導體16a、16b與兩電極17a、17b不易相互對準之缺失。

關於電路板的材質可為金屬基印刷電路板、銅箔印刷式電路板、陶瓷基板或矽基板。另外，該些絕緣結構25a、25b之材料包含透明的氧化物，例如二氧化矽(SiO₂ )、氮化矽(Si₃ N₄ )、二氧化鈦(TiO₂ )、氧化鉭(Tantalum pentoxide，Ta₂ O₅ )等。而該些導體結構26a、26b之材料可為金屬，而金屬材質有助於覆晶式半導體發光結構20’散熱，藉此改善習知技術散熱效能不彰的問題。

因此，對覆晶式半導體發光結構20’加入順方向電壓，使少數的電子電洞載體分別注入P型摻雜層及N型摻雜層，於P型摻雜層中，多數的電洞與被注入的少數電子再結合；而於N型摻雜層中，多數的電子與被注入的少數電洞再結合，於發光層中結合時即產生光。若第一摻雜層221為N型摻雜層，而第二摻雜層223為P型摻雜層，則第一電極271則應為負極，第二電極272則為正極，用以對PN接面施以順方向電壓。若該些摻雜層221、223之電性互換，則該些電極271、272之正負極亦互換。在一實施例中，基板21係為透明基板，可供由發光層所發出的光射向磊晶結構22之第一側22a，並穿過透明基板21射出。在另一實施例中，基板21為一不透明基板，則需移除不透明基板21，以曝露磊晶結構22。

請參見圖3，圖3為本發明第二實施例關於覆晶式半導體發光結構之側面示意圖，與前一實施例相同之特徵在於，利用導體結構與絕緣結構交錯相疊，據以保護磊晶結構22免受外力破壞。於覆晶式半導體發光結構30中，第一接觸33與第二摻雜層223之表面2232相鄰，且與之電性耦合；而第二接觸 34與第一摻雜層221之露出表面2211相鄰，且與之電性耦合。

於本實施例中，第一絕緣結構35a覆蓋側壁2231、部分的第一摻雜層221之表面2211以及少部分之第一接觸33，並與第二接觸34相鄰。接著，於第一接觸33上進行電鍍製程以形成第一導體結構36a，並與第一接觸33電性耦合。第一導體結構36a沿著第二摻雜區223之表面2232平行之方向延伸形成第一支撐部361，其覆蓋大部分的第一接觸33。

另外，為使第一導體結構36a與後續形成的第二導體結構36b絕緣，第二絕緣結構35b於第一絕緣結構35a上沿著第二摻雜區223之表面2232平行之方向延伸形成第二水平部352，第二水平部352包覆第一支撐部361，不過，仍保留少部分第一支撐部361之表面361S，留予電路板作電性耦合。接著，於第二接觸34上進行電鍍製程以形成第二導體結構36b，其與第二接觸34電性耦合，並具有沿著與第二摻雜層223之側壁2231平行方向形成的第二支撐部362。第二支撐部362覆蓋部分之第一絕緣結構35a，以及大部分的第二絕緣結構35b。

最後，將電路板37之第一電極371對應至第一導體結構36a未被覆蓋住的表面361S即可，使兩者電性耦合；以及將電路板37之第二電極372對應至第二導體結構36b之第二支撐部362之表面任一處，使兩者電性耦合。據此形成本實施例之覆晶式半導體發光結構30，藉由該些導體結構36a、36b及該些絕緣結構35a、35b相互交錯堆疊，以達穩固整體結構，保護磊晶結構不易受外力破壞，以及增加散熱效果之本案目的。

於另一實施例中，可將前述製程稍做改良，以串聯至少兩 個如圖2B之覆晶式半導體發光結構，請參見圖4，圖4為本發明第三實施例關於覆晶式半導體發光結構串聯側面示意圖。於本實施例中，於同一製程形成結構相同的半導體發光結構20(1)及20(2)，惟與前述製程不同之處在於，於形成第一絕緣結構25a(1)、25a(2)時，同時形成第三絕緣結構25c於兩個半導體發光結構20(1)、20(2)之間，用以使第一接觸23(1)與第二接觸24(2)絕緣。另外，於形成第二導體結構26b(2)時，使其與第一導體結構26a(1)電性耦合。

接著，將兩個半導體發光結構20(1)、20(2)翻轉180度(如圖4所示)，使半導體發光結構20(1)之第一導體結構26a(1)與半導體發光結構20(2)之第二導體結構26b(2)電性耦合，再將電路板47之第一電極471電性耦合至半導體發光結構20(2)之第一導體結構26a(2)，並將電路板47之第二電極472電性耦合至半導體發光結構20(1)之第二導體結構26b(1)，用以與電路板47作電性耦合，完成覆晶式半導體發光結構之串聯結構40。

請參見圖5，圖5係本發明第四實施例關於覆晶式半導體發光結構並聯之側面示意圖。同樣地將前述製程稍做改良，改變光罩圖案，用以形成兩個結構相同但左右對稱之半導體發光結構20(1)、20(2)，並使兩個第一導體結構26a(1)、26a(2)電性耦合，再將電路板57之第一電極571與第一導體結構26a(1)/26a(2)電性耦合，以及將其第二電極572與第二導體結構26b(1)、26b(2)電性耦合，用以完成至少兩個覆晶式半導體發光結構之並聯結構50。

請參見圖6，圖6係本發明第五實施例關於磊晶結構之側面示意圖。如圖6所示，磊晶結構22可包含複數個磊晶單元， 以兩組磊晶單元22(a)、22(b)為例：磊晶單元22(a)包含第一摻雜層221(a)、第二摻雜層223(a)，及位於兩個摻雜層中間的發光層(圖未示)，且兩摻雜層221(a)、223(a)之電性相反；磊晶單元22(b)包含第一摻雜層221(b)、第二摻雜層223(b)，及位於兩個摻雜層中間的發光層(圖未示)，且兩摻雜層221(b)、223(b)之電性相反。藉由穿隧接面(tunnel junction)224來堆疊兩磊晶單元22(a)、22(b)而形成磊晶結構22。另補充說明，可藉由改變磊晶結構之材料種類，以改變發光層之能係值，也就能改變出射光的波長，而發出不同顏色的光。

綜上所述，藉由該些絕緣結構及導體結構交錯堆疊，達到增強結構穩固性、保護磊晶結構，且避免底部填充絕緣膠所致填充不均勻之缺失，以及提升半導體發光結構散熱效果之目的。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧覆晶式發光二極體

12‧‧‧磊晶結構

16a、16b‧‧‧導體

17‧‧‧電路板

17a、17b‧‧‧電極

20、20(1)、20(2)‧‧‧半導體發光結構

20’、30‧‧‧覆晶式半導體發光結構

21‧‧‧基板

22‧‧‧磊晶結構

22a‧‧‧第一側

221、221(a)、221(b)‧‧‧第一摻雜層

223、223(a)、223(b)‧‧‧第二摻雜層

2211、2232、261S、361S‧‧‧表面

222‧‧‧發光層

2231‧‧‧側壁

22(a)、22(b)‧‧‧磊晶單元

224‧‧‧穿隧接面

23、23(1)、33‧‧‧第一接觸

24、24(2)、34‧‧‧第二接觸

25a、35a、25a(1)、25a(2)‧‧‧第一絕緣結構

25b、35b‧‧‧第二絕緣結構

25c‧‧‧第三絕緣結構

251‧‧‧第一水平部

252、352‧‧‧第二水平部

26a、36a、26a(1)、26a(2)‧‧‧第一導體結構

26b、36b、26b(1)、26b(2)‧‧‧第二導體結構

261、361‧‧‧第一支撐部

262、362‧‧‧第二支撐部

271、272、371、372、471、472、571、572‧‧‧電極

27、37、47、57‧‧‧電路板

40‧‧‧覆晶式半導體發光結構之串聯結構

50‧‧‧覆晶式半導體發光結構之並聯結構

N‧‧‧絕緣膠

d、d_m ‧‧‧厚度

圖1係習知覆晶式發光二極體10側面示意圖。

圖2A係本發明之第一實施例關於半導體發光結構之側面示意圖。

圖2B係本發明之第一實施例關於覆晶式半導體發光結構之側面示意圖。

圖3為本發明第二實施例關於覆晶式半導體發光結構之側面示意圖。

圖4為本發明第三實施例關於覆晶式半導體發光結構串聯側面示意圖。

圖5係本發明第四實施例關於覆晶式半導體發光結構並聯之側面示意圖。

圖6係本發明第五實施例關於磊晶結構之側面示意圖。

20‧‧‧半導體發光結構

21‧‧‧基板

22‧‧‧磊晶結構

22a‧‧‧第一側

221‧‧‧第一摻雜層

223‧‧‧第二摻雜層

2211、2232、261S‧‧‧表面

222‧‧‧發光層

2231‧‧‧側壁

23‧‧‧第一接觸

24‧‧‧第二接觸

25a‧‧‧第一絕緣結構

25b‧‧‧第二絕緣結構

251‧‧‧第一水平部

252‧‧‧第二水平部

26a‧‧‧第一導體結構

26b‧‧‧第二導體結構

261‧‧‧第一支撐部

262‧‧‧第二支撐部

d_m ‧‧‧厚度

Claims (16)

1. 一種半導體發光結構，包含：一磊晶結構，具有一第一接觸及一第二接觸，其中該第一接觸及該第二接觸位於該磊晶結構的同一側；一第一絕緣結構，覆蓋部分該第一接觸及部分該第二接觸；一第一導體結構，覆蓋部分該第一絕緣結構，並電性耦合該第一接觸；一第二絕緣結構，覆蓋部分該第一導體結構及部分該第一絕緣結構；以及一第二導體結構，覆蓋部分該第二絕緣結構及部分該第一導體結構，並電性耦合該第二接觸。
2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光結構，其中該第一導體結構具有一第一支撐部，該第二導體結構具有一第二支撐部，該第二絕緣結構具有一第二水平部，該第一支撐部、該第二支撐部及該第二水平部皆平行於該磊晶結構之延伸表面，該第二水平部位於該第一支撐部及該第二支撐部之間。
3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體發光結構，其中該磊晶結構包括：一第一摻雜層，與該第一接觸電性耦合；一第二摻雜層，與該第二接觸電性耦合，其中該第二摻雜層與該第一摻雜層的電性相反；以及一發光層，位於該第一摻雜層與該第二摻雜層之間。
4. 如申請專利範圍第3項所述之半導體發光結構，其中該第 一絕緣結構具有一第一水平部，該第一水平部平行於該等接觸之延伸表面，該第一水平部位於該第二接觸及該第一支撐部之間。
5. 如申請專利範圍第2項所述之半導體發光結構，其中該磊晶結構包括：一第一摻雜層，與該第二接觸電性耦合；一第二摻雜層，與該第一接觸電性耦合，其中該第二摻雜層與該第一摻雜層的電性相反；以及一發光層，位於該第一摻雜層及該第二摻雜層之間。
6. 如申請專利範圍第5項所述之半導體發光結構，其中該第一支撐部位於該第一接觸及該第二水平部之間。
7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光結構，其中該磊晶結構包括至少兩磊晶單元，該兩磊晶單元之間藉由一穿隧接面而堆疊，每一該磊晶單元包括：一第一摻雜層；一第二摻雜層，與該第一摻雜層電性相反；以及一發光層，位於該第一摻雜層及該第二摻雜層之間，其中該發光層包含至少一量子井結構。
8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光結構，其中該第一絕緣結構及該第二絕緣結構之材料包含透明氧化物，且該第一導體結構及該第二導體結構之材料包括金屬。
9. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光結構，更包括一 電路板，該電路板上具有一第一電極及一第二電極，該第一電極與該第一導體結構電性耦合，且該第二電極與該第二導體結構電性耦合。
10. 一種半導體發光結構之製造方法，其步驟包括：提供一磊晶結構；於該磊晶結構上形成一第一接觸及一第二接觸，其中該第一接觸及該第二接觸位於該磊晶結構的同一側；形成一第一絕緣結構，用以覆蓋部分該第一接觸及部分該第二接觸；於該第一絕緣結構上形成一第一導體結構，其中該第一導體結構電性耦合該第一接觸；於部分該第一導體結構上形成一第二絕緣結構，且該第二絕緣結構覆蓋部分該第一絕緣結構；以及於該第二絕緣結構上形成一第二導體結構，其中該第二導體結構電性耦合該第二接觸。
11. 如申請專利範圍第10項所述之半導體發光結構之製造方法，其步驟更包括：提供一電路板，且該電路板上具有一第一電極及一第二電極；以及將該第一電極電性耦合至該第一導體結構，及將該第二電極電性耦合至該第二導體結構。
12. 如申請專利範圍第10項所述之半導體發光結構之製造方法，其中提供該磊晶結構之步驟包括：提供一基板； 於該基板上形成一第一摻雜層；於該第一摻雜層上形成一發光層；於該發光層上形成與該第一摻雜層電性相反之一第二摻雜層；以及蝕刻部分該第二摻雜層及部分該發光層，用以露出部分之該第一摻雜層。
13. 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光結構之製造方法，其中於該第一摻雜層之露出部分上形成該第一接觸，於該第二摻雜層上形成該第二接觸。
14. 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光結構之製造方法，其中於該第一摻雜層之露出部分上形成該第二接觸，於該第二摻雜層上形成該第一接觸。
15. 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光結構之製造方法，其中該基板為一不透明基板，則上述步驟更包括移除該基板，以曝露該磊晶結構。
16. 如申請專利範圍第10項所述之半導體發光結構之製造方法，其中形成該第一導體結構及該第二導體結構之方法包括進行一電鍍製程。