TWI458985B

TWI458985B - 高硬度耐磨探針與其製作方法

Info

Publication number: TWI458985B
Application number: TW100105956A
Authority: TW
Inventors: Fong Jay Chen; Chiu Fang Chang
Original assignee: King Yuan Electronics Co Ltd
Priority date: 2011-02-23
Filing date: 2011-02-23
Publication date: 2014-11-01
Also published as: JP2012173285A; CN102650675A; TW201235666A; US20120212249A1

Description

高硬度耐磨探針與其製作方法

本發明提供一種高硬度耐磨探針與其製作方法，特別是有關一種包含鎢鋼材質的高硬度耐磨探針與其製作方法。

　在半導體製作流程中，通常在封裝之後或出廠之前，需要對半導體晶片進行一最終測試(Final Test)，用以挑出在封裝前沒有被檢測出來的不良產品，或者是挑出在封裝製程中受損的產品，如此才能確保產品的品質。此一測試，通常將已封裝的半導體晶片放置於一測試座(socket)上而與測試探針接觸，以接收與傳送測試訊號而進行測試。

　請同時參照第一圖、第二圖與第三圖，其中，第一圖為一習知的測試座10的分解圖，第二圖為測試座10中的測試探針17與膠條20、22等部份的放大圖，而第三圖則為測試時測試座10一側的剖面放大圖，其由平行測試座的一側邊且通過測試座中心點的切線切割而成。測試座10由一導板(guide plate)12、一連接板14與數個測試探針17依序疊置而組合而成。其中，導板12中央的開口13對準連接板14中央的凹槽15而形成一可以容置晶片進行測試的空間。在凹槽15中有數個對應半導體晶片24的接墊(圖中未示)排列的孔洞16，而測試探針17對應該孔洞16排列，使得針頭18可由孔洞16穿出，而與半導體晶片的接墊接觸以進行測試。

在測試時，將半導體晶片24放置於導板12的開口13與連接板14的凹槽15形成的空間中，並施加壓力於為半導體晶片24上，而使半導體晶片24之接墊可以與測試探針17的針頭18緊密接觸，甚至使針頭18可以刺穿半導體晶片之接墊上的氧化層而與接墊緊密接觸，或直接刺入導體晶片之接墊中，而進行測試。同時，藉由設置於測試探針17中段下方的膠條20以及尾端上方的膠條22而壓迫針頭18向上與半導體晶片之接墊緊密接觸。待測試完畢，取出半導體晶片24，並放入另一個半導體晶片而重複上述步驟進行測試。

在進行測試時，在取放半導體晶片、施加壓力於半導體晶片使其與針頭18緊密接觸、以及藉由膠條的彈性使測試探針17之針頭18向上與半導體晶片緊密接觸(甚至刺入半導體晶片之接墊中)等動作，皆會造成半導體晶片與測試探針17之針頭18接觸而摩擦，進而造成測試探針17(特別是針頭18)磨損。由於一般所使用的測試探針大多是由銅(Cu)、錫(Tin)、或是鎳鈀金(NiPdAu)等材質所組成，其硬度與耐磨度較差，導致其容易磨損而使用壽命較短。因此，往往在進行大量的測試之後，一般大約35萬次-50萬次，往往會造成測試探針17(特別是針頭18)的嚴重磨損，使得半導體晶片與測試探針17無法緊密接觸，甚至兩者不會接觸，而造成短路，進而導致測試失敗。此時，需要停機進行檢查或更換測試探針，不但需要耗費時間而造成測試效率的降低，並且因需要頻繁地更換磨損的測試探針，而造成成本的增加。

　另外，在經過一段時間的測試之後，裝置於測試座10中各個位置的測試探針17會造成不同程度的磨損，使得測試探針17的共面度變差，即各個位置的測試探針因磨損程度不同，造成測試探針之間的高度不一致，導致在測試時半導體晶片偏斜而造成刮傷、或半導體晶片上的所有接墊無法全部都能與測試探針緊密接觸，而不能提供良好的測試電路，進而造成測試失敗或是降低測試的正確性。此時，同樣需要停機，以人工檢查各個位置的測試探針磨損程度，並調製整測試探針的共面度，甚至更換測試探針，這些動作往往費時費力，不但增加人力與時間成本，並降低測試效率。

　再者，對於某些特定的半導體晶片進行測試時，需要刺穿半導體晶片的接墊上的氧化層，習知的測試探針17因其材質的關係，硬度與耐磨度較差，可能無法刺穿接墊上的氧化層或是刺穿的不夠深，而影響測試探針與接墊之間的導電能力，造成測試的不精確或失敗。

　另外，由於測試探針17的硬度與耐磨度較差，因此，隨著測試的次數增加，其磨損的程度也會增加，即測試探針17(針頭18)凸出連接板14的部分越少，因此需要施加更大的壓力於半導體晶片，使其下壓的更低而確保接墊可以與測試探針17緊密接觸。此一動作將導致分別與設置於測試探針17於中段下方的膠條20以及尾端上方的膠條22承受更大的壓力，導致在一段時間後，膠條20、22因持續的壓力變得彈性疲乏，無法提供測試探針向上的作用力，導致測試探針與接墊接觸不良，而造成測試失敗或不正確。此時需要停機進行檢查與更換測試探針17和膠條20、22，不但增加人力、時間和材料等成本，並會降低測試效率。

　有鑑於上述問題，因此亟需要一種高硬度耐磨探針，其不但硬度高、耐磨性佳、使用壽命長，更可以有效刺穿半導體晶片之接墊上的氧化層而增加測試探針與接墊之間的導電能力、減少更換測試探針與膠條的頻率與次數，進而節省人力、時間和材料等成本，並提高測試效率。

　本發明之一目的為提供一種高硬度耐磨探針，其具較高的硬度高、較佳的耐磨性、較長的使用壽命等優點，且可以有效地刺穿半導體晶片之接墊上的氧化層而增加探針與接墊之間的導電能力、減少更換探針與膠條的頻率與次數，進而節省人力、時間和材料等成本，並提高測試效率。

　本發明之另一目的為提供一種高硬度耐磨探針的製作方法，可以製作一硬度高、耐磨性佳、使用壽命長的探針，從而減少探針與膠條的更換頻率與次數，以節省人力、時間和材料等成本，並提高測試效率。

　根據本發明之一目的，本發明提供一種高硬度耐磨探針，特別是一種用於對已完成封裝的半導體晶片進行測試的高硬度耐磨探針。高硬度耐磨探針包含75-96%重量百分比的鎢鋼(WC)，用以大幅地提升該高硬度耐磨探針的硬度，及4-25%重量百分比的鈷(Co)，用以做為結合劑以控制該高硬度耐磨探針的強度。由於該高硬度耐磨探針的主要成分為硬度極高的鎢鋼(WC)，因此，其相對於習知採用銅(Cu)、錫(Tin)、或是鎳鈀金(NiPdAu)等為材質的探針，具有較高的硬度與較佳的耐磨度，使得其於測試期間不易因與半導體晶片接觸摩擦而造成磨損，從而大幅提昇其使用壽命以降低其更換頻率與次數，從而節省人力、時間和材料等成本，並提高測試效率。

　根據本發明之另一目的，本發明提供一種高硬度耐磨探針的製作方法，用以製作一高硬度、耐磨性佳、使用壽命長、更換頻率(次數)低且用於對已完成封裝的半導體晶片進行測試的探針。此高硬度耐磨探針的製作方法包含下列步驟：首先，將各個成分的金屬粉末混合，例如鎢鋼粉末與鈷金屬粉末，再對各成分的金屬粉末混合物進行燒結成型而形成一板材，接著，將此板材研磨至一預定厚度，再依照所需的探針形狀，將研磨後的板材切割成所需的探針形狀，最後，整修切割好的探針的毛邊，而將毛邊去除。藉由此一耐磨探針的製作方法所製作的探針，由於以鎢鋼等高硬度與耐磨性佳的成分製作而成，所以可以具有硬度高、耐磨性佳、使用壽命長、更換頻率(次數)低等優點。

　因此，本發明對比先前技術之功效在於提供一種高硬度耐磨探針與其製作方法，特別是用於對已包封裝的半導體晶片進行測試(最終測試;Final test)的探針，其不但具有硬度高、耐磨性佳、使用壽命長等特性，更具有減少探針與膠條的更換頻率與次數，以節省人力、時間和材料等成本，並提高測試效率等優點。

　本發明的一些實施例詳細描述如下。然而，除了該詳細描述外，本發明還可以廣泛地在其他的實施例施行。亦即，本發明的範圍不受已提出之實施例的限制，而以本發明提出之申請專利範圍為準。其次，當本發明之實施例圖示中的各元件或步驟以單一元件或步驟描述說明時，不應以此作為有限定的認知，即如下之說明未特別強調數目上的限制時本發明之精神與應用範圍可推及多數個元件或結構並存的結構與方法上。再者，在本說明書中，各元件之不同部分並沒有完全依照尺寸繪圖，某些尺度與其他相關尺度相比或有被誇張或是簡化，以提供更清楚的描述以增進對本發明的理解。而本發明所沿用的現有技藝，在此僅做重點式的引用，以助本發明的闡述。

　本發明提供一種高硬度耐磨探針，特別是用於取代傳統以銅(Cu)、錫(Tin)、或是鎳鈀金(NiPdAu)等為材質的探針，而對已包封裝的半導體晶片進行測試(最終測試;Final test)的高硬度耐磨探針。此高硬度耐磨探針係為一以具有高硬度與高耐磨性特性的鎢鋼(WC)為主要材質的探針，此高硬度耐磨探針包含佔全體重量百分比75-96%的鎢鋼，用以提升高硬度耐磨探針的硬度，以及佔全體重量百分比4-25%的鈷(Co)，用以做為結合劑以控制高硬度耐磨探針的強度，例如抗折力、壓縮強度及沖擊強度等。

　由於鎢鋼為一種具有高硬度與更耐磨性，因此，在本發明的高硬度耐磨探針中鎢鋼的比例越高，即鎢鋼所佔的重量百分比越高，高硬度耐磨探針的硬度耐磨度就越高，但是因為越剛硬的東西，其抗折力、壓縮強度及沖擊強度就越低，導致高硬度耐磨探針的抗折力、壓縮強度及沖擊強度隨著鎢鋼的比例越高而下降。相反的，鈷(Co)的比例越多，則對高硬度耐磨探針的抗折力、壓縮強度及沖擊強度的提升就越多，但是相對的鎢鋼的比例就會下降，而導至高硬度耐磨探針的硬度與耐磨度的下降。因此，根據所需要的探針的硬度、耐磨性、抗折力、壓縮強度及沖擊強度，而在佔全體重量百分比75-96%的鎢鋼，及佔全體重量百分比4-25%的鈷(Co)的組成範圍內，調整鎢鋼與鈷的比例，而製作成所需的硬度、耐磨性、抗折力、壓縮強度及沖擊強度的高硬度耐磨探針。例如，在一較佳的實施例中，本發明之高硬度耐磨探針包含佔全體重量百分比82%的鎢鋼及佔全體重量百分比12%的鈷，使得此高硬度耐磨性探針具有90.0 HRA的硬度、400 kgf/mm² 的抗折力、400 kgf/mm² 的壓縮強度、以及0.85 kgf/cm² 的沖擊強度。

另外，本發明之高硬度耐磨探針更可以包含碳(C)，用以增加高硬度耐磨探針的硬度與熱硬度，其可以佔全體重量百分比為4-25%。藉由碳(C)的添加而使得高硬度耐磨探針的硬度與熱硬度可以進一步增加。其次，本發明之高硬度耐磨探針更可以包含鉻(Cr)，用以增加高硬度耐磨探針的耐磨性，其可以佔全體重量百分比為0.5-3%。藉由鉻(Cr)的添加而使得高硬度耐磨探針的耐磨性可以再進一步增加。再者，本發明之高硬度耐磨探針更可以包含鋁(Al)，用以增加高硬度耐磨探針的熱硬性，其可以佔全體重量百分比為0.5-1%。藉由鋁(Al)添加而使得高硬度耐磨探針的熱硬性可以再進一步增加。

　在本發明之實施例中，可以根據所需要的高硬度耐磨探針的硬度、耐磨性、熱硬性等特性，而添加上述碳、鉻、及鋁等其中之一材質，或是其中任二材質，或是全部採用(即同時包含0.5-1.5%重量百分比的碳、0.5-3%重量百分比的鉻及0.5-1%重量百分比的鋁)，但是其重量百分比不能超過或低於上述限制的範圍，以並免大幅地影響高硬度耐磨探針其他物理特性，例如抗折力、壓縮強度及沖擊強度等物理特性。

　另外，本發明同時提供一種製作上述成分組成的高硬度耐磨性探針的製作方法。參照第四圖，為本發明一實施例之高硬度耐磨探針的製作方法的流程圖。首先，將上述個成分的金屬粉末混合，主要是佔全體重量百分比75-96%的鎢鋼粉末，以及佔全體重量百分比4-25%的鈷粉末，另外可以依照需要的探針硬度、耐磨度與熱硬度，選擇性地添加碳粉末、鉻粉末、及鋁粉末等其中之一，或是其中任二材質，或是全部添加，然後再一1400℃-2000℃的高溫燒結成型而形成一板材(步驟100)。在一較佳的實施例中所使用的燒結溫度為1400℃。在一較佳的實施例中，步驟100所使用的燒結方式為高微粒燒結，使得本發明之高硬度耐磨探針的粒度可以達到0.6-6μm。其中，由各成分的金屬粉末燒結成的板材厚度為0.3-0.7毫米(mm)，在一較佳的實施例中，該板材的厚度為0.5毫米(mm)。

　接著，將燒結成的板材研磨至一定預定厚度(步驟102)，此一研磨厚度係根據所設計與需要的探針形狀與結構而決定，大約在0.1-0.2毫米(mm)的範圍內，在一較佳的實施例中，此一預定厚度為0.17毫米(mm)。

然後，依照所設計的或所需要的探針形狀與結構，將研磨後的板材切割成特定探針形狀(步驟104)，例如與第一圖-第三圖所示之習知測試探針具有相同的形狀，或是切割成彈性頂針(pogo pin)的形狀，或是切割成彈性頂針的針頭的形狀，或者其他的探針形狀。在步驟104中，所使用的切割方法為線切割法或是其他的切割方法。

　最後，將已經切割成型的探針進行整修，而整修該探針的毛邊(步驟104)，以去除探針上會干擾測試的毛邊，從而形成一可以用於半導體晶片的最終測試的高硬度耐磨探針，或是用於對已封裝的半導體晶片進行測試(最終測試)的高硬度耐磨探針。

　根據前述成分比例以及製作方法製作而得的高硬度耐磨探針，藉由以鎢鋼此一具有高硬度與高耐磨度的材質為主要成分(重量百分比75-96%)，而使得本發明之高硬度耐磨探針相對於習知以銅(Cu)、錫(Tin)、或是鎳鈀金(NiPdAu)等為材質的探針，具有更高的硬度與耐磨度，進而使得本發明的高磨耗探針具有遠比習知探針更長得使用壽命。其次，藉由以鈷(4-25%重量百分比)做為本發明之高硬度耐磨探針的次要成分，使其不僅具有遠大於習知探針的硬度與耐磨度，更具有與習知探針相當或更佳物理特性，例如抗折力、壓縮強度及沖擊強度等。另外，藉由添加碳、鉻、及鋁等材質(添加其中之一材質，其中任二材質，或是全部添加)，而進一步提升探針的硬度、耐磨性或熱硬性。

　因此，根據前述成分比例以及製作方法製作而得的高硬度耐磨探針，其可以具有80-95 HRA的硬度，至少290 kgf/或以上的抗折力、至少290 kgf/mm² 或以上的壓縮強度、至少0.20 kgf/cm² 或以上的沖擊強度，以及0.6-6μm的粒性。有鑑於此，本發明之高硬度耐磨探針有遠遠超過習知以銅(Cu)、錫(Tin)、或是鎳鈀金(NiPdAu)等為材質的探針的硬度與耐磨性，以及不遜於或超過習知探針的強度，例如抗折力、壓縮強度及沖擊強度等。

　由於本發明之高硬度耐磨探針有遠大於習知探針的硬度，所以不易因測試所造成的接觸與摩擦而磨損，而具有較長的使用壽命。本發明之高硬度耐磨探針至少要測試90萬次以上才會有磨損或是才會有影響測試的嚴重磨損，甚至在某些實施例中(成分比例不同的實施例)，至少要測試150萬次以上才會有磨損或是才會有影響測試的嚴重磨損。有鑑於此，本發明之高硬度耐磨探針的使用壽命，遠遠超過習知探針測試大約35-50萬次即會有影響測試的嚴重磨損的使用壽命。因此，在測試時，本發明之高硬度耐磨探針相對於習知探針可以具有較少的更換頻率與次數，進而減少更換探針時所需的人力、時間與材料的成本，並且減少需停機進行檢查與更換的次數，而提升測試的速率。

　另外，由於本發明之高硬度耐磨探針具有較高的硬度與耐磨度，使得其在測試90萬次以上，某些實施例中甚至是測試150萬次以上，才會可能有嚴重到影響測試的磨損，例如探針共面性的大幅改變。因此，至少測試90萬次之前(在某些實施例為至少測試150萬次之前)，不會因探針的共面性變差而需要停機進行人工調整探針的共面度或進行更換探針，所以可以大幅地節省調整探針的共面度或進行更換探針的所需的人力、時間與材料的成本，並且因減少需停機進行調整與更換的次數，而提升測試的速率。同樣的，由於本發明之高硬度耐磨探針不易磨損，所以不容易造成探針共面度的大幅變化，而不會使半導體晶片測試時因探針共面度變差而傾斜，導致半導體晶片的刮傷與破壞。

　再者，由於本發明之高硬度耐磨探針具有較高的硬度與耐磨度，而使其在測試過程中不易磨損，所以不會因探針快速的磨損而需要施加更大的壓力於半導體晶片，使其下壓的更低而確保其上的接墊可以與測試探針緊密接觸，才能不會影響接墊與探針之間電路的形成或導電能力。因此，本發明之高磨耗探針不會過度地壓迫設置於探針中段下方的膠條以及尾端上方的膠條，而不會造成膠條因持續的壓力變得彈性疲乏，而需要頻繁地停機更換，進而減少更換膠條時所需的人力、時間與材料的成本，並且減少需停機進行檢查與更換的次數，而提升測試的速率。

　另外，由於本發明之高硬度耐磨探針具有遠大於習知探針的硬度，因此，其硬度足夠使其能刺穿絕大部分的氧化層，使得探針可以有效地刺穿半導體晶片的接墊上的氧化層，而與接墊緊密接觸，以增加接墊與探針之間的導電能力。因此，可以避免因探針無法刺穿接墊上的氧化層或是刺穿的不夠深所造成測試的不精確或失敗。

　其次，由於鎢鋼為一良好的導電材料，所以使得本發明以鎢鋼為主要材質的高硬度耐磨探針的可以具有良好的導電能力，而無需如同某些以銅或其他導電性較差的材料為材質的習知探針，需要在外表鍍上一層具有較高導電能力的金屬層，例如金。因此，可以減少本發明之高硬度耐磨探針的製作成本與簡化其製作工序。

　有鑑於此，本發明提供一高硬度耐磨探針與其製作方法。此一高硬度耐磨探針具較高的硬度高、較佳的耐磨性、較長的使用壽命等特性，且可以有效刺穿半導體晶片之接墊上的氧化層而增加探針與接墊之間的導電能力、減少更換探針與膠條的頻率與次數，進而節省人力、時間和材料等成本，並提高測試效率。

10．．．測試座

12．．．導板

13．．．開口

14．．．連接板

15．．．凹槽

16．．．孔洞

17．．．測試探針

18．．．針頭

20、22．．．膠條

100．．．將各成分之金屬粉末混合並燒結成型而形成一板材之步驟

102．．．將該板材研磨至一預定厚度之步驟

104．．．將該板材切割成特定探針形狀之步驟

106．．．整修該探針的毛邊之步驟

第一圖為一習知的測試座的分解圖。

第二圖為第一圖所示之習知測試座中的測試探針與膠條等部份的放大圖。

第三圖則為測試時第一圖所示之習知測試座之一側的剖面放大圖。

第四圖係為本發明一實施例之高硬度耐磨探針的製作方法的流程圖。

無

Claims

一種高硬度耐磨探針，包含:
　 75-96%重量百分比的鎢鋼(WC)，用以提升該高硬度耐磨探針的硬度;以及
　 4-25%重量百分比的鈷(Co)，用以做為結合劑以控制該高硬度耐磨探針的強度。
如申請專利範圍第1項所述之高硬度耐磨探針，其中該鎢鋼(WC)於該高硬度耐磨探針中所佔之重量百分比為82%。
如申請專利範圍第2項所述之高硬度耐磨探針，其中該鈷(Co)於該高硬度耐磨探針中所佔之重量百分比為18%。
如申請專利範圍第1項所述之高硬度耐磨探針，其中該高硬度耐磨探針更包含碳(C)，用以增加該高硬度耐磨探針的硬度與熱硬度。
如申請專利範圍第4項所述之高硬度耐磨探針，其中該碳(C)於該高硬度耐磨探針中所佔之重量百分比為0.5-1.5%。
如申請專利範圍第1項所述之高硬度耐磨探針，其中該高硬度耐磨探針更包含鉻(Cr)，用以增加該高硬度耐磨探針的耐磨性。
如申請專利範圍第6項所述之高硬度耐磨探針，其中該鉻(Cr)於該高硬度耐磨探針中所佔之重量百分比為0.5-3%。
如申請專利範圍第1項所述之高硬度耐磨探針，其中該高硬度耐磨探針更包含鋁(Al)，用以增加該高硬度耐磨探針的熱硬性。
如申請專利範圍第8項所述之高硬度耐磨探針，其中該鋁(Al)於該高硬度耐磨探針中所佔之重量百分比為0.5-1%。
如申請專利範圍第1項所述之高硬度耐磨探針，其中該高硬度耐磨探針更包含碳(C)、鉻(Cr)、及鋁(Al)等材質。
如申請專利範圍第10項所述之高硬度耐磨探針，其中該該高硬度耐磨探針包含0.5-1.5%重量百分比的碳(C)、0.5-3%重量百分比的鉻(Cr)及0.5-1%重量百分比的鋁(Al)。
如申請專利範圍第1項所述之高硬度耐磨探針，其中該高硬度耐磨探針的製作方式，包含:
　將各成分之金屬粉末混合並燒結成型一板材;
　將該板材研磨至一預定厚度;
　將該板材切割成特定探針形狀;以及
　整修該探針的毛邊。
如申請專利範圍第1項所述之高硬度耐磨探針，其中該板材係以超微粒燒結。
如申請專利範圍第13項所述之高硬度耐磨探針，其中該板材係以1400-2000℃的高溫燒結而成。
如申請專利範圍第14項所述之高硬度耐磨探針，其中該板材係以1400℃的高溫燒結而成。
如申請專利範圍第13項所述之高硬度耐磨探針，其中該將該板材切割成特定探針形狀步驟係以線切割方式進行切割。
如申請專利範圍第1項所述之高硬度耐磨探針，其中該高硬度耐磨探針係為用於最終測試的探針或用以對已封裝的晶片進行測試之探針。
如申請專利範圍第17項所述之高硬度耐磨探針，其中該高硬度耐磨探針係為彈性頂針(pogo pin)。
一種高硬度耐磨探針的製作方式，包含:
　將各成分之金屬粉末混合並燒結成型而形成一板材;
　將該板材研磨至一預定厚度;
　將該板材切割成特定探針形狀;以及
　整修該探針的毛邊。
如申請專利範圍第19項所述之高硬度耐磨探針的製作方式，其中該燒結成型而形成一板材步驟係以超微粒燒結方式進行燒結。
如申請專利範圍第19項所述之高硬度耐磨探針的製作方式，其中該燒結成型而形成一板材步驟係以1400-2000℃的高溫進行燒結。
如申請專利範圍第21項所述之高硬度耐磨探針的製作方式，其中該燒結成型而形成一板材步驟係以1400℃的高溫進行燒結。
如申請專利範圍第19項所述之高硬度耐磨探針的製作方式，其中該將該板材切割成特定探針形狀步驟係以線切割方式進行切割。
如申請專利範圍第19項所述之高硬度耐磨探針的製作方式，其中該金屬粉末包含75-96%重量百分比的鎢鋼(WC)，用以提升該高硬度耐磨探針的硬度，以及4-25%重量百分比的鈷(Co)，用以做為結合劑以控制該高硬度耐磨探針的強度。
如申請專利範圍第24項所述之高硬度耐磨探針的製作方式，其中該金屬粉末更包含0.5-1.5%重量百分比的碳(C)。
如申請專利範圍第24項所述之高硬度耐磨探針的製作方式，其中該金屬粉末更包含0.5-3%重量百分比的鉻(Cr)。
如申請專利範圍第24項所述之高硬度耐磨探針的製作方式，其中該金屬粉末更包含0.5-1%重量百分比的鉻鋁(Al)。
如申請專利範圍第24項所述之高硬度耐磨探針的製作方式，其中該金屬粉末更包含0.5-1.5%重量百分比的碳(C)、0.5-3%重量百分比的鉻(Cr)、及0.5-1%重量百分比的鉻鋁(Al)。