TWI447961B - 發光二極體封裝體 - Google Patents

Description

發光二極體封裝體

本發明係有關於發光二極體，且特別是有關於一種具有由電鍍層覆蓋之側邊電極之發光二極體封裝體。

發光二極體導線架為發光二極體乘載發光晶片、提供發光晶片與外界電極連結、增益發光效率、改善晶片散熱之重要元件。發光二極體導線架之製作，通常依序經過金屬支架定型、金屬支架電鍍、金屬支架埋入射出成型等步驟，導線架最終以陣列方式陳列於金屬料板之上。亦由於發光二極體產品最終必須自所陳列之料板上脫離，故必將金屬截斷，進而發光二極體單體上會有金屬斷面。

依終端產品應用需求，導線架分別有發光面與焊接面平行之正發光形式，以及發光面與焊接面垂直之側發光形式。以排列方式分類，導線架陣列料板有各單體緊密排列之連板式料板，以及獨立陳列之分離式連板。

當發光二極體的導線架係利用熱固性塑料形成時，必需搭配轉移成型(transfer molding)之工法來製作。採用各導線架單體緊密排列之連板式料板，發光二極體於封裝製程中，最終需要仰賴切割製程將各單體分離，致使於各單體切割面上必定會有因切割而產生金屬原材截面。由於金屬截面不被具導電與抗氧化之镀層所披覆，在終端產品應用時，該區域金屬有不與焊錫連結之風險，並且有因金屬氧化使該電阻值異常產生，造成電性探測異常之發生。

一般而言，電極係設置在發光二極體封裝體之底部。然而，為了因應各種各式各樣的燈具設計及美觀需求，亦需要能夠電極設置於發光二極體封裝體之側壁。然而，如前述，發光二極體單體元件與金屬導線架是藉由裁切製程分離，而金屬導線架的裁切面即為側壁式發光二極體封裝體之側邊電極之暴露面。因此，發光二極體封裝體之側邊電極的暴露面積主要係取決定於導線架的厚度。如欲增加側邊電極的暴露面積，不僅會一併增加發光二極體封裝體之總厚度，且會大幅增加金屬材料的使用量及成本。

此外，為了維持發光二極體之電氣特性，通常會塗佈至少一電鍍層於電極上。然而，電鍍層之塗佈步驟通常係為在進行裁切製程之前進行。因此，經由裁切製程形成側壁式發光二極體封裝體之側邊電極之暴露面無法被電鍍層所覆蓋。側邊電極的表面即為導線架之原始材料，例如裸銅。裸銅易於氧化，在經過長時間後，亦無法藉由測試這些側邊電極來得知發光二極體之電氣特性。此外，銲錫不易附著於裸銅表面，因此，發光二極體單體元件之側邊電極亦難以由銲錫將發其銲在其他封裝基板上或大型裝置上。

因此，業界所需的是一種新穎的發光二極體導線架及其製造方法，其可使發光二極體單體元件具有由電鍍層保護且具有大面積的側邊電極。

本發明實施例係提供一種發光二極體封裝體，包括：一導線架，包含：一第一電極，具有一第一功能區，及一第一延伸區自此第一功能區延伸出；及一第二電極，具有一第二功能區，及一第二延伸區自此第二功能區延伸出；一杯狀絕緣體，包覆此第一電極及此第二電極，此杯狀絕緣體之內側並形成一發光凹槽，暴露出此第一功能區與此第二功能區之上表面，且此杯狀絕緣體外側底部部分地露出此第一延伸區及此第二延伸區；一間隔區塊，設於發光凹槽底部，物理性地隔離此第一電極及此第二電極；以及一電鍍層，部分覆蓋於此第一電極和此第二電極表面。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

本發明接下來將會提供許多不同的實施例以實施本發明中不同的特徵。各特定實施例中的組成及配置將會在以下作描述以簡化本發明。這些為實施例並非用於限定本發明。此外，在本說明書的各種例子中可能會出現重複的元件符號以便簡化描述，但這不代表在各個實施例及/或圖示之間有何特定的關連。此外，一第一元件形成於一第二元件“上方”、“之上”、“之下”或“上”可包含實施例中的該第一元件與第二元件直接接觸，或也可包含該第一元件與第二元件之間更有其他額外元件使該第一元件與第二元件無直接接觸。

第1A圖顯示為依照本發明一實施例之發光二極體封裝體之立體示意圖。第1B圖顯示為依照第1A圖之發光二極體封裝體之上視圖。第1C圖顯示為依照第1A圖之實施例之發光二極體封裝體之仰視圖。第1D圖顯示為依照第1A圖之發光二極體封裝體之第二電極之側視圖。

參見第1A圖，依照本發明實施例所提供之發光二極體封裝體可包含由第一電極104及第二電極110組成之導線架，其中第一電極104及第二電極110可各自用以作為發光二極體150之兩電極。第一電極104及第二電極110與導線架陣列基板採用相同材料，例如銅，且其表面可由電鍍層108覆蓋。電鍍層108可擇自金及銀所組成之族群。發光二極體封裝體最終需自導線架陣列基板分離，故第一電極104及第二電極110可以金屬沖壓或是切割方式與導線架陣列基板分離。

第一電極104可包含第一功能區104A及自該第一功能區104延伸出之第一延伸區104B。第二電極110可包含第二功能區110A及自該第一功能區110A延伸出之第一延伸區110B。杯狀絕緣體124可設置於第一電極104及第二電極110上，並包覆第一電極104及第二電極110。杯狀絕緣體之內側可形成發光凹槽，以暴露出第一功能區104A之上表面及第二功能區110A之上表面。在一實施例中，發光二極體晶片150可設置於發光凹槽中，並可分別以第一導線152及第二導線154與第一電極104之第一功能區104A及第二電極110之第二功能區110A電性連接。間隔區塊130可設置於發光凹槽之底部，並物理性隔離第一電極104及第二電極110。例如，參見第1B圖，以上視角度觀之，杯狀絕緣體124覆蓋第一功能區104A及第二功能區110A之上表面的周圍部分，且位於杯狀絕緣體124內部之發光凹槽暴露出第一功能區104A及第二功能區110A之上表面的內側部分。杯狀絕緣體124可為熱固性樹脂，杯狀絕緣體124可包含熱固性樹脂，例如環氧樹脂、矽氧樹脂(silicone)或前述之組合。熱固性樹脂相較於熱塑性樹脂具有較佳之高耐光耐熱之特性，且相較於陶瓷材料及矽基板具有較高之設計彈性及較高的初始反射率。杯狀絕緣體124可由埋入射出製程形成。間隔區塊130與杯狀絕緣體124為相同材料形成。

此外，發光二極體晶片150除可以第一導線及第二導線與第一電極及第二電極電性連接外，在本發明另一實施例中，例如參見第4A及4B圖，其係分別顯示發光二極體封裝體之立體示意圖及上視圖。發光二極體晶片450係可跨越間隔區塊130，以同時位在第一電極104之第一功能區104A及第二電極110之第二功能區110A上。因此，發光二極體晶片450亦可設計為與第一電極104之第一功能區104A及第二電極110之第二功能區110直接接觸，或以覆晶方式(例如使用銲錫，圖中未顯示)與第一電極104之第一功能區104A及第二電極110之第二功能區110A電性連接，無需使用導線。

繼續參見第1A至1D圖，第一電極104之第一延伸區104B可位於第一功能區104A之外側，並具有至少一部分暴露於杯狀絕緣體124之外側。第一延伸區104B之暴露部分可例如位於杯狀絕緣體之外側底部。第二電極110之第二延伸區110B可具有至少一部分暴露於杯狀絕緣體124之外側，且此暴露部分可與第一延伸區104B之暴露部分位於杯狀絕緣體124之相同側之底部。第一延伸區104B及第二延伸區110B可作為發光二極體封裝體之側邊電極。此外，在一實施例中，第一電極104及第二電極110可分別包含第一凹陷部106及第二凹陷部112，且此第一凹陷部106及此第二凹陷部112可分別位於杯狀絕緣體124之同一邊的外側底部，且此第一凹陷部106及第二凹陷部112之高度小於第一功能區104A及第二功能區110A之厚度。例如，第一凹陷部106可位於發光二極體封裝體之一角落，第二凹陷部112可位於發光二極體封裝體之另一角落，此兩角落分別位於發光二極體封裝體之同一邊上的兩端。第一凹陷部106可為具有圓弧側壁104B’之凹槽。相同地，如第1D圖所示，第二凹陷部112可為具有圓弧側壁110B’之凹槽。第一凹陷部106及第二凹陷部112之尺寸及形狀可依照發光二極體封裝體之設計需求作任意改變。

在本發明實施例提供之發光二極體封裝體中，第一電極104及第二電極110可由發光二極體封裝切割製程得到，其裁切位置係位於第一延伸區104B及第二延伸區110B。因此，部分的第一延伸區104B及第二延伸區110B之表面(例如除第一凹陷部及第二凹陷部之外的側邊表面)，係為未由電鍍層108覆蓋之暴露表面，例如裸銅表面。然而，值得注意的是，第一凹陷部106及第二凹陷部112雖位第一延伸區104B及第二延伸區110B中，但其表面仍由電鍍層108所覆蓋。易言之，除了部分的第一延伸區104B及第二延伸區110B之表面係為未經電鍍層108覆蓋之暴露表面，第一電極104及第二電極110之其餘的表面部分皆由電鍍層108所覆蓋。例如，參見第1C圖，其顯示第1A圖所示之發光二極體封裝體之仰視圖。由仰視角度觀之，第一電極104及第二電極110之部分側壁由杯狀絕緣體124包覆，並藉由間隔區塊130物理性隔離。第一電極104(包含第一功能區104A、第一延伸區104B)之底部表面及第二電極110(包含第二功能區110A、第二延伸區110B)之底部表面皆為由電鍍層108所覆蓋。此外，第一凹陷部106及第二凹陷部108之表面亦為由電鍍層108所覆蓋。

參見第1E圖，其顯示為依照本發明一實施例之連板式導線架陣列料片之仰視圖。此導線架連板結構可包含複數個相互連接的發光二極體封裝體單體。例如，第1A至1D圖所示之發光二極體封裝體可為由此導線架連板結構裁切得到之一單體。區域A可為由複數條平行之裁切線S及複數條平行之裁切線S’之間所定義之區域。裁切線S及S’可實質上垂直。因此，對準裁切線S進行裁切後，區域A之放大圖即如第1C圖所示。多個杯狀絕緣體124可設置於此導線架連板結構上，並包覆此導線架連板結構之外圍及填入導線架連板結構之空隙中。

值得注意的是，在裁切線S及S’的交會處可具有凹陷(第1E圖中顯示向紙內延伸)。此凹陷可例如為圓弧凹陷，其可由金屬沖壓形成。在一實施例中，這些凹陷可由其相鄰的發光二極體封裝體所共用，且其深度(即第1A圖中凹陷部之高度)可小於連板式導線架陣列料片之厚度(即第1A圖中之第一電極及第二電極之厚度)。例如，如第1E圖所示，每四個發光二極體封裝體單體共用凹陷部106，每四個發光二極體封裝體單體共用凹陷部112。因此，在經過裁切之後，第一凹陷部106及第二凹陷部112可分別位於發光二極體封裝體單體(區域A)之兩底部角落。此外，這些凹陷部106、112可為在形成電鍍層108之前形成，因而可由電鍍層108所覆蓋。因此，在經過裁切後，凹陷部106及112仍可由電鍍層108所覆蓋。

因此，藉由形成凹陷部106及112，發光二極體單體元件之側邊電極可被電鍍層108所保護。再者，凹陷部106及112相較於平面更具有增大的表面積。因此，依照本發明實施例所提供之發光二極體封裝體具有由電鍍層保護且具有大面積的側邊電極。需注意的是，如第1A至1D圖所示之發光二極體封裝體結構亦可實現於分離式導線架陣列料片，僅需在形成電鍍層之前先先於裁切線S及S’之交會處形成凹陷部即可。

參見第2A至2E圖，其顯示依照本發明另一實施例之發光二極體封裝體，其中第2A圖顯示為本發明另一實施例之發光二極體封裝體之立體示意圖。第2B圖顯示為依照第2A圖之發光二極體封裝體之上視圖，第2C圖顯示為依照第2A圖發光二極體封裝體之仰視圖，第2D圖顯示為依照第2A圖之發光二極體封裝體之第二電極之側視圖。本實施例與前述實施例之部分技術特徵大致上與前述實施例相同，故不再重複贅述。因此，除非特別提出，相似的參考標號代表相同或相似的元件。本實施例與前述實施例之不同在於，第一凹陷部及第二凹陷部為具有斜面側壁之凹槽。

參見第2A圖，依照本發明實施例所提供之發光二極體封裝體可包含可包含由第一電極204及第二電極210組成之導線架。第一電極204可包含第一功能區204A及自該第一功能區204延伸出之第一延伸區204B。第二電極210可包含第二功能區210A及自該第一功能區210A延伸出之第一延伸區210B。第一電極204及第二電極210與導線架陣列基板採用相同材料，例如銅，且其表面可由電鍍層208覆蓋。電鍍層208可擇自金及銀所組成之族群。發光二極體封裝體最終需自導線架陣列基板分離，故第一電極204及第二電極210可以金屬沖壓或是切割方式與導線架陣列基板分離。

杯狀絕緣體224可設置於第一電極204及第二電極210上，包覆第一電極204及第二電極210。杯狀絕緣體之內側可形成發光凹槽，以暴露出第一功能區204A之上表面及第二功能區210A之上表面。發光二極體晶片250可設置於發光凹槽中，並可分別以第一導線252及第二導線254與第一電極204之第一功能區204A及第二電極210之第二功能區210A電性連接。間隔區塊230可設置於發光凹槽之底部，並物理性隔離第一電極204及第二電極210。

第一電極204之第一延伸區204B可位於第一功能區204A之外側，並具有至少一部分暴露於杯狀絕緣體224之一外側底部。第二電極210之第二延伸區210B可具有至少一部分暴露於杯狀絕緣體224之一外側，且此暴露部分可與第一延伸區204B之暴露部分位於杯狀絕緣體224之相同側之底部。第一延伸區204B及第二延伸區210B可作為發光二極體封裝體之側邊電極。在一實施例中，第一電極204及第二電極210可分別包含第一凹陷部206及第二凹陷部212，且此第一凹陷部206及此第二凹陷部212可分別位於杯狀絕緣體224之同一邊的外側底部。此外，第一及第二凹陷部206、212之高度可小於第一功能區204A及第二功能區210A之厚度。例如，第一凹陷部206及第二凹陷部212可分別位於發光二極體封裝體之同一邊上的兩端。第一凹陷部206可為具有斜面側壁204B’之凹槽。相同地，如第2D圖所示，第二凹陷部212可為具有斜面側壁210B’之凹槽。第一凹陷部206及第二凹陷部212之尺寸及形狀可依照發光二極體封裝體之設計需求作任意改變。部分的第一延伸區204B及第二延伸區210B之表面係為未經電鍍層208覆蓋之暴露表面(例如除第一凹陷部及第二凹陷部之外的側邊表面)，例如裸銅表面。第一凹陷部206及第二凹陷部212雖位第一延伸區204B及第二延伸區210B中，但其表面仍由電鍍層208所覆蓋。

參見第2E圖，其顯示為依照本發明另一實施例之導線架連板結構之仰視圖。第2A至2D圖所示之發光二極體封裝體可為由此導線架連板結構裁切得到之一單體。區域A可為由複數條平行之裁切線S及複數條平行之裁切線S’之間所定義之區域。多個杯狀絕緣體224可設置於此導線架連板結構上，並包覆此導線架連板結構之外圍及填入導線架連板結構之空隙中。在裁切線S及S’的交會處可具有凹陷(第2E圖中顯示向紙內延伸)。凹陷部206及212可例如為方形或梯形凹陷，其可由金屬沖壓形成。在一實施例中，這些凹陷206、212可由其相鄰的發光二極體封裝體所共用，且其深度(即第2A圖中凹陷部之高度)可小於連板式導線架陣列料片之厚度(即第2A圖中之第一電極及第二電極之厚度)。例如，如第2E圖所示，每四個發光二極體封裝體單體共用凹陷部206，每四個發光二極體封裝體單體共用凹陷部212。因此，在經過裁切之後，第一凹陷部206及第二凹陷部212可分別位於發光二極體封裝體單體(區域A)之兩底部角落。此外，這些凹陷部可為在形成電鍍層之前形成，因而可由電鍍層208所覆蓋，且在經過裁切後，凹陷部206及212仍可由電鍍層208所覆蓋，並可作為由電鍍層208所覆蓋之側邊電極。

需注意的是，如第2A至2D圖所示之發光二極體封裝體結構亦可實現於分離式導線架陣列料片，僅需在形成電鍍層之前先先於裁切線S及S’之交會處形成凹陷部即可。因此，藉由形成凹陷部206及212，發光二極體單體元件之側邊電極可被電鍍層208所保護。再者，凹陷部206及212相較於平面更具有增大的表面積。因此，依照本發明實施例所提供之發光二極體封裝體具有由電鍍層保護且具有大面積的側邊電極。

參見第3A至3E圖，其顯示依照本發明又一實施例之發光二極體封裝體，其中第3A圖顯示為發光二極體封裝體之立體示意圖。第3B圖顯示為依照第3A圖之發光二極體封裝體之上視圖。第3C圖顯示為依照第3A圖之發光二極體封裝體之仰視圖。第3D圖顯示為依照第3A圖之發光二極體封裝體之第二電極之側視圖。本實施例與前述實施例之部分技術特徵大致上與前述實施例相同，故不再重複贅述。因此，除非特別提出，相似的參考標號代表相同或相似的元件。本實施例與前述實施例之不同在於，第一凹陷部及第二凹陷部之高度大於第一功能區及第二功能區之厚度。

參見第3A圖，依照本發明實施例所提供之發光二極體封裝體可包含可包含由第一電極304及第二電極310組成之導線架。第一電極304可包含第一功能區304A及自該第一功能區304延伸出之第一延伸區304B。第二電極310可包含第二功能區310A及自該第一功能區310A延伸出之第一延伸區310B。第一電極304及第二電極310之組成可由如第3E圖之導線架連板結構(於隨後討論)裁切得到，且其大部分表面可由電鍍層308覆蓋。電鍍層308可擇自金及銀所組成之族群。杯狀絕緣體324可設置於第一電極304及第二電極310上，包覆第一電極304及第二電極310。杯狀絕緣體之內側可形成發光凹槽，以暴露出第一功能區304A之上表面及第二功能區310A之上表面。發光二極體晶片350可設置於發光凹槽中，並可分別以第一導線352及第二導線354與第一電極304之第一功能區304A及第二電極310之第二功能區310A電性連接。間隔區塊310可設置於發光凹槽之底部，並物理性隔離第一電極304及第二電極310。

第一電極304之第一延伸區304B可位於第一功能區304A之外側，並具有至少一部分暴露於杯狀絕緣體324之一外側。第一延伸區304B之暴露部分可例如位於杯狀絕緣體之一外側之底部。第二電極310之第二延伸區310B可具有至少一部分暴露於杯狀絕緣體324之一外側，且此暴露部分可與第一延伸區304B之暴露部分位於杯狀絕緣體324之相同側之底部。第一延伸區304B及第二延伸區310B可作為發光二極體封裝體之側邊電極。在一實施例中，第一電極304及第二電極310可分別包含第一凹陷部306及第二凹陷部312，且此第一凹陷部306及此第二凹陷部312可分別位於杯狀絕緣體324之同一邊的外側底部，且此凹陷部之高度大於第一功能區304A及第二功能區310A之厚度。例如，第一凹陷部306及第二凹陷部312可分別位於發光二極體封裝體之同一邊上的兩端，且第一凹陷部306及第二凹陷部312。第一凹陷部306可為具有彎折側壁304B’之凹槽。相同地，如第3D圖所示，第二凹陷部312具有彎折側壁310B’之凹槽。第一凹陷部306及第二凹陷部312之尺寸及形狀可依照發光二極體封裝體之設計需求作任意改變。部分的第一延伸區304B及第二延伸區310B之表面係為未經電鍍層308覆蓋之暴露表面(例如除第一凹陷部及第二凹陷部之外的側邊表面)，例如裸銅表面。第一凹陷部306及第二凹陷部312雖位第一延伸區304B及第二延伸區310B中，但其表面仍由電鍍層308所覆蓋。

參見第3E圖，其顯示為依照本發明又一實施例之導線架連板結構之仰視圖。第3A至3D圖所示之發光二極體封裝體可為由此導線架連板結構裁切得到之一單體。區域A可為由複數條平行之裁切線S及複數條平行之裁切線S’之間所定義之區域。多個杯狀絕緣體324可設置於此導線架連板結構上，並包覆此導線架連板結構之外圍及填入導線架連板結構之空隙中。在裁切線S及S’的交會處可具有凹陷(第3E圖中顯示向紙內延伸)。此凹陷可例如為方形或梯形凹陷，其可由金屬沖壓形成。在一實施例中，這些凹陷可由其相鄰的發光二極體封裝體所共用，且其深度(即第3A圖中之凹陷部之高度)可大於金屬連板導線架之厚度。

例如，如第3E圖所示，每四個發光二極體封裝體單體共用凹陷部306，每四個發光二極體封裝體單體共用凹陷部312。因此，在經過裁切之後，第一凹陷部306及第二凹陷部312可分別位於發光二極體封裝體單體(區域A)之兩底部角落。此外，這些凹陷部306、312可在電鍍層308之前形成，因而可由電鍍層308所覆蓋，且在經過裁切後，凹陷部306及312仍可由電鍍層308所覆蓋，並可作為由電鍍層308所覆蓋之側邊電極。需注意的是，如第3A至3D圖所示之發光二極體封裝體結構亦可實現於分離式導線架陣列料片，僅需在形成電鍍層之前先先於裁切線S及S’之交會處形成凹陷部即可。

因此，藉由形成凹陷部306及312，發光二極體單體元件之側邊電極可被電鍍層308所保護。再者，凹陷部306及312相較於平面更具有增大的表面積。因此，依照本發明實施例所提供之發光二極體封裝體具有由電鍍層保護且具有大面積的側邊電極。

雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

104．．．第一電極

104A．．．第一功能區

104B．．．第一延伸區

104B’．．．弧形側壁

106．．．第一凹陷部

108．．．電鍍層

110．．．第二電極

110A．．．第二功能區

110B．．．第二延伸區

110B’．．．弧形側壁

112．．．第二凹陷部

130．．．間隔區塊

124．．．杯狀絕緣體

150．．．發光二極體

152．．．第一導線

154．．．第二導線

204．．．第一電極

204A．．．第一功能區

204B．．．第一延伸區

204B’．．．斜面側壁

206．．．第一凹陷部

208．．．電鍍層

210．．．第二電極

210A．．．第二功能區

210B．．．第二延伸區

210B’．．．斜面側壁

212．．．第二凹陷部

230．．．間隔區塊

224．．．杯狀絕緣體

250．．．發光二極體

252．．．第一導線

254．．．第二導線

304．．．第一電極

304A．．．第一功能區

304B．．．第一延伸區

304B’．．．彎折側壁

306．．．第一凹陷部

308．．．電鍍層

310．．．第二電極

310A．．．第二功能區

310B．．．第二延伸區

310B’．．．彎折側壁

312．．．第二凹陷部

330．．．間隔區塊

324．．．杯狀絕緣體

350．．．發光二極體

352．．．第一導線

354．．．第二導線

450．．．發光二極體

第1A圖顯示為依照本發明一實施例之發光二極體封裝體之立體示意圖。

第1B圖顯示為依照第1A圖所示之發光二極體封裝體之上視圖。

第1C圖顯示為依照第1A圖所示之發光二極體封裝體之仰視圖。

第1D圖顯示為依照第1A圖所示之發光二極體封裝體之第二電極之側視圖。

第1E圖顯示為依照本發明一實施例之導線架連板結構。

第2A圖顯示為依照本發明另一實施例之發光二極體封裝體之立體示意圖。

第2B圖顯示為依照第2A圖所示之發光二極體封裝體之上視圖。

第2C圖顯示為依照第2A圖所示之發光二極體封裝體之仰視圖。

第2D圖顯示為依照第2A圖所示之發光二極體封裝體之第二電極之側視圖。

第2E圖顯示為依照本發明另一實施例之導線架連板結構。

第3A圖顯示為依照本發明又一實施例之發光二極體封裝體之立體示意圖。

第3B圖顯示為依照第3A圖所示之發光二極體封裝體之上視圖。

第3C圖顯示為依照第3A圖所示之發光二極體封裝體之仰視圖。

第3D圖顯示為依照第3A圖所示之發光二極體封裝體之第二電極之側視圖。

第3E圖顯示為依照本發明又一實施例之導線架連板結構。

第4A圖顯示為依照本發明再一實施例之發光二極體封裝體之立體示意圖。

第4B圖顯示為依照第4A圖所示之發光二極體封裝體之上視圖。

104．．．第一電極

104A．．．第一功能區

104B．．．第一延伸區

104B’．．．弧形側壁

106．．．第一凹陷部

108．．．電鍍層

110．．．第二電極

110A．．．第二功能區

110B．．．第二延伸區

112．．．第二凹陷部

124．．．杯狀絕緣體

130．．．間隔區塊

150．．．發光二極體

152．．．第一導線

154．．．第二導線

Claims (13)

1. 一種發光二極體封裝體，包括：一導線架，包含：一第一電極，具有一第一功能區，及一第一延伸區自該第一功能區延伸出；及一第二電極，具有一第二功能區，及一第二延伸區自該第二功能區延伸出；一杯狀絕緣體，包覆該第一電極及該第二電極，該杯狀絕緣體之內側並形成一發光凹槽，暴露出該第一功能區與該第二功能區之上表面，且該杯狀絕緣體外側底部部分地露出該第一延伸區及該第二延伸區；一間隔區塊，設於發光凹槽底部，物理性地隔離該第一電極及該第二電極；以及一電鍍層，部分覆蓋於該第一電極和該露出的第二電極表面。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝體，其中該露出的第一延伸區與該露出的第二延伸區分別具有一第一凹陷部與一第二凹陷部。
3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝體，其中該第一凹陷部及該第二凹陷部係分別位在該杯狀絕緣體之同一邊的外側底部。
4. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝體，其中該第一凹陷部及該第二凹陷部係分別位在該杯狀絕緣體之同一邊的兩端的外側底部。
5. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝體，其中該第一凹陷部及該第二凹陷部包含圓弧側壁、斜面側壁或彎折側壁。
6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體封裝體，其中該第一凹陷部及該第二凹陷部係由沖壓所形成。
7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝體，其中該電鍍層係選自金及銀所組成之族群。
8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝體，更包含一發光二極體晶片，設置於該發光凹槽內之該第一與該第二功能區上。
9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝體，更包含一發光二極體晶片，設置於該發光凹槽內之該第一或該第二功能區上。
10. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝體，其中該發光二極體晶片電性連接至該第一功能區及該該第二功能區。
11. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體封裝體，其中該發光二極體晶片以導線與該第一功能區及該第二功能區電性連接。
12. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝體，其中該杯狀絕緣體更包含一熱固性樹脂。
13. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體封裝體，其中該熱固性樹脂包含環氧樹脂、矽氧樹脂或前述之組合。