TWI333231B - Integrally formed bake plate unit for use in wafer fabrication system - Google Patents

Description

1333231 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明一般相關於烤盤單元用來提高晶圓製造系統中的 晶圓溫度，並更特定於改善這種烤盤單元之溫度特性的一 致性及可再現性與烤盤單元的壽命，特別是在後置烘烤模 組中。 【先前技術】 現在的積體電路（ICs)係在晶圓上製造，其在製造礙中大 里的生產。製造薇（或"fabs")採用不同型態的自動設備其 必須非常嚴苛地工作並且小心的控制操作參數。圖丨描述某 些實現的處理步驟。 在圖1的左上方區域，連續的晶圓進入到所謂的晶圓軌道 系統10。典型上使用一冷卻盤20來在晶圓進入旋轉塗抹器 30刖，在那裡將一薄膜放在晶圓上表面，將晶圓溫度穩定 在室溫0.2 C附近。某些處理中，在步驟3〇一抗反射塗層首 先沈澱在上晶圓表面而晶圓接著被烘烤（例如，步驟4〇)並接 著在沈澱光阻前放在旋轉塗抹器3〇中。在某些處理中在抗 反射薄膜的額外頂層也在步驟3〇中加入。現在的微影技術 利用較短波長的光，紫外線反射尋求定義更小及更小的突 出大小變成較大的問題，並進而使用抗反射層。 最終晶圓被自動化傳遞到烤盤4〇，其中光阻薄膜硬化而 多餘的溶劑被以熱驅出晶圓。接著冷卻盤處理50冷卻晶圓 到穩定的室溫’之後晶圓陳列在曝光工具60中其通常包含 不進斋與掃描器功能。在步驟70，晶圓歷經後置曝光烘烤 91179*990510.doc 1333231 (PEB) ’利用PEB烤盤，並接著到冷卻盤8〇，其讓晶圓回到 穩定的周圍室溫。通常接著是顯影模組階段9〇，期間在曝 光工具階段60期間形成的潛隱的微影影像現在顯影在晶圓 上表面的聚合物薄膜中。在正色調影像中，曝光的光阻部 为將變成可在溶解液中溶解與分解以曝光晶圓結構中的希 望區域。在風乾與硬化晶圓表面之後是烤盤步驟1〇〇。接著 是一蝕刻步驟110’並接著因而處理過晶圓的卡匿回到冷卻 盤，例如步驟20。圖1中所顯示的不同步驟或階段可以對相 同的晶圓重複十幾遍，取決於所牽涉到處理的特定程度。 任何製造廠的目標是以盡可能最小的突出大小生產晶 圓，並且有高量產良率超過8〇%。要符合這個目標需要製 造廠中的污染要加以控制以及生產參數要控制使得晶圓的< 實質數量完全符合規格。 因為微影的製造變動性在近幾年已經減少，部分要感謝 在晶圓製造的曝光工具階段使用了較短波長的光源。而使 用248 nm雷射光則在製造期間提昇小的元件定義，這種光 源減少的強度會減少系統的整體輸出量，因為需要較長的 曝光時間。這種雷射波長的使用會降低系統1〇大約每小時 160個晶圓的輸出量。結果’先前技藝中的實際工作已被導 引至改善光阻，包含放大光阻的顯影（或是化學催化）。這種 光阻基本上允許一個光源的光子能量影響光阻材料中的多 個分子，0而降低系統輸出量的時間。㈣光工具步驟的 效能增強的一個結果是後置曝光烘烤步驟7 〇變成在定義晶 圓樣式中達成關於關鍵大小規格中的實質因素。一般$ 91179-990510.doc 1333231 、見在的冑置供烤步驟代表大約5到6〇〇/〇的誤差來自系 要達成Ba圓產品關鍵大小。（大約25%的剩餘誤差則與 顯衫模組9〇有關’大約15%來自旋轉塗抹器3〇 ) 。又。十PEB烤盤的挑戰是是要達成高度—致性的達成及維 持在規格中的能力，在特定時間期間上希望的及可再現的 刚溫度。設計的目標因旋轉塗抹器30通常能適應許多型 ^的光P的因素而變得困難，而每一個需要不同的PER烤 盤'皿度及時間情勢。系統1G的使用者要快速程式化的PEB 早το 70可以為不同光阻適應不同的熱設定點。 要在直徑大約為13"(33 cm)的pEB烤盤上達到良好的熱 均句在先前技藝中已面對極大的挑戰。此PEB烤盤通常在 圍％裒兄中工作’其可能由真空系統作排氣。輯盤表 面上的皿度均勻應在±〇1。。之内，這個規格在產業中通常無 法達到。如同達到這個均勻規格的困# ’理想的均勻烤盤 面最好疋在±0_05 C之内，在先前技藝中相當不能達到的目 標。 圖2Α描述先前技藝烤盤15〇如可在圖i中ρΕΒ模組7〇中使 用的以及/或任何或所有烤盤模組40及100。烤盤150包含一 熱傳導材質的碟片16G ’通f是銘，電阻性導線⑽的線圈 插入在其内側定義的凹槽或凹處17〇。㈣的碟片19〇接著 結合碟片160的内側。一電源Vs連接到繞線18〇的每一端 點。流經導線刚的器流產生熱，類似廚房烤麵包器的動 作，而以此方式可以加熱烤盤15卜一自動化控制的工作平 台200連結到複數個拉起的插針21〇其可以垂直的穿過烤盤 91179-990510.doc 1333231 160中的開口 220。晶圓23〇自動化的放置在頂上的插針 210，並可以藉由移動機制2〇〇放低在烤盤的熱接觸面 中j非皁一架構的烤盤，例如圖2A一般顯示的，是由丨 Chicago, il生產的。 電阻性導線加熱器180在鋁鑄造期間基本上永久的封裝 在鋁貝凡件⑽及19〇之間在。雖然在空腔中使用熱膠或 接口劑（未顯示）來幫助與熱導線的結合，要在導線部分與空 腔170内面維持一致的熱介面是很困難的。在某些區域此介 面可以相當好可是在其他區域卻較不好，可能因為導線或 凹槽的實體尺寸的不—致性。再者，起始的良好熱接觸可 此Ik著時間熱化，結果是烤盤160的長期穩定性及可預測性 疋有問題的。 圖2B描述某些類似的烤盤25〇型態，由Minc〇(在 •nnesota的公司）及joeun Techn〇丨(韓國的公司）生產 的烤盤250包含一銘碟片260，其有電阻性薄膜加熱元件 27〇包裝在低熱導的聚合物薄片29〇中。此加熱元件在連接 到電源Vs時產生熱。不幸的，烤盤25〇的層壓及經歷使用例 如薄片290的分層可能與碟片26〇鬆弛的接觸，造成烤盤在 曰曰圓製造的應用上沒有用。應注意的，例如圖2入及2B中顯 示的先岫技蟄的烤盤要符合目前的±〇丨設計規格是有困 難的，更不用說將來預測的±〇.〇rc規格。再者，這種烤盤 熱特性的一致性及再現性是必要的，同樣必要的是烤盤更 長的壽命。 本發明提供一整體成形的烤盤，有改善的熱特性，改善「 9H79-990510.doc 的熱-致性及再現性，以及增強的壽命。 【發明内容】 本發明提供整體成形的烤盤，藉由㈣希望的加献元件 樣式在最好是機械做出的鋼盤的下表面中，其上表面將接 觸亚加熱晶圓。樣式形成在下盤表面令定義凹槽或通道區 域，加熱7C件結構將放在其中。穿過拉起插針的孔使以機 械，到的，而盤表面的塗層，最好是電鍵的鍊及cvd類鑽 薄膜來預防鋼離子遷移的問題。電氣電阻材質，例如導 線或是其他傳導性材質，其可以包含傳導性膠，係放在定 義出的凹槽中’例如利用厚膜印刷技術做膠。盤的側及後 表面可以覆盍以聚亞酿氨的保護性薄膜’接著供乾。最好 含有冷卻管的基板形成並與此盤有接觸的放置以便快速的 溫度設定點改變。 銅的較銘為高的傳導性增強烤盤的效率。烤盤的不同區 域可能有’如果需要的話’不同形狀或大小的凹槽及/或之 不同電阻特性傳導性膠。以此方式烤盤的熱特性可以做到 相當均勻，而烤盤可以相當經濟的量產，因其熱特性是可 重複的。 本發明的其他特色及優點將在下面的說明中出現，其中 較it的具體貫例會詳細的描述，併同隨附的圖示。 【實施方式】 圖3描述根據本發明之一整體成形製造的烤盤。參考 號碼與圖2A及2B的重複可以理解為代表類似的元件。因 此，圖3中的元件230是要加熱的晶圓，當拉起插針21〇以自 91179-990510.doc 1333231 動化機械200垂直的降低時。圖 位在其中的可開啟的空腔370。 的大部分步驟，根據本發明的 4描述根據本發明之烤盤3〇〇 圖5描述包含在製造烤盤中 圖3/ ’以及圖5中的方法步驟4〇〇,盤碟片3ι〇按規格形 成，最好是用銅，而不是紹，因為銅有紹的大約兩倍敎傳 導性。使用熱特性極佳的銅的好處是系統1〇(如圖i中顯示 的）之PEB模組70(或其他烤盤單元）中烤盤3〇〇的效能可以 增強，而彳以輕易的達到並維持希望的溫度。銅以外的其 他熱傳道㈣當然也可以使用，包含銀，如果不計較成: 的話。-般不會在製造廠中看到銅，因為銅離子遷移有關 的污染問題。然而銅碟片310(其直徑大約33 cm厚度大約 15 mm或更多）最好是以電鍍塗層或濺鍍形成鎳層及類 鑽石薄膜320。雖然為了易於說明而沒在圖3中描述，鎳層 也形成在銅材質的側邊。替代的，鎢或鉬可以用作濺鍍= 質來封裝銅碟。 參考圖5，步驟410中，最好光阻塗抹在銅碟31〇的下表面 以及形成定義要放加熱元件之位置的樣式，並接著顯影。 在圖3中’通道區域330,330-1描述蝕刻後結構。最好使用乾 薄膜光阻例如DuPont品牌的Riston。這個材質提升接觸印 刷，其中清晰的塑膠薄膜塗層此光阻表面但在樣式顯影前 剝落。當然可以使用替代的光阻技術。 在圖5的方法步驟420中，希望的圖樣接著實體形成在下 銅表面中’例如利用蝕刻技術’以保護性姓刻终止劑塗抹 在碟片3 10的上及側表面。選擇加熱器元件樣式的佈局設計 91179-990510.doc 1333231 來提升成品烤盤300上表面的高溫度一致性。如之後提到 的，設計的佈局是根據電腦的熱力學模式，並最好將提供 兩區或三區的加熱。一旦通道.區域33〇，33〇_i等等的蝕刻 已經完成而且已經檢查蝕刻樣式，所有的阻劑與蝕刻終止 劑從結構上剝除。通道區域33〇，330」等等的大小及尺寸 組態將由設計規格決定但橫軸尺寸的範圍通常在大約3 到大約6 mm。可理解的烤盤上表面的熱分佈會受到拉起插 針穿孔的位置影響，在接近外盤週邊等等。因此在平面圖 中，通道區域的樣式通常不是最佳的對稱螺旋狀，而是， 例如，也可能是曲迴樣式的形式。 圖3的橫切面圖顯示類似凹槽的通道標誌為33〇由碟片 310的下表面向内延伸。如果以平面的來看，此通道最好定 義為連續路徑，可能層層捲繞的路徑，導電材質將放在其 中。可理解的此圖樣及通道33〇的蝕刻形成的優點是有很大 的彈性。例如如果希望的話，例如就熱傳導的考量上，並 非所有的通道區域在形狀上要一樣。例如，通道區域 330-1，顯示要大於其他的通道33〇。 在圖5的方法步驟43〇,大小可穿過拉起插針21〇的穿孔開 口 220可接著機械的坐在碟片31〇中，以及其他的適當突 出’凹處等等。在方法步驟權，碟片結構被清潔並塗抹電 鍍的鎳層320。鎳在銅上形成非常好的隔離膜並且是非常容 易電鍍的材料。在蝕刻的通道區域330，3304等等上，在 盤表面上电場組態造成的電鍍能量有利於使通道區域側壁 更為垂直。 91179>990510.doc 1333231 再者在方法步驟440,碟片上表面現在塗層沈殿的類鑽石 層奶，例如利用化學蒸發沈;殿_)。雖然為易於說明圖3 而未顯不，碟片310的側壁將以層325塗層， 深度。 &权/导的 有利的CVD類鑽石薄膜有很高的硬度，冑滑性接近 :fl〇: ’二熱傳導性為銅的2 56倍。cvd類鑽石薄膜沈澱材 貝已=有夏產’例如在Allent()wn，PA的叫咖職公司。 在這個接合點，通道33〇將填充以從電源％傳導電流的材 質：而熱阻抗的回應此電流流動。幾個不同的技術可以用 在这個點’而在圖5的方法步驟450將理解的包含下面的技 術。 在-填充此_通道凹槽的技術中，烤盤碟片的底表面 塗層以CVD類鑽石薄膜的沈澱，或是濺鍍鋁氧化物的沈 殿’:以CVD類鑽石薄膜⑵塗層碟片上表面之前。在這個 --κ例鉻合金加熱器導線接著手動的驅入在钱刻 凹入路徑330在低碟片表面。在這個具體實例中，圖3中的 參考號碼340將參考到這種的加熱器導線…均勾薄膜的非 傳導性聚亞酿氨接著形成在在錄鉻加熱器導線上州的敍 d凹處330中，並以加熱此加熱盤到高溫來烘乾。非傳導性 :亞醯氨的薄膜將用厚膜印刷技術塗抹，其採用有阻劑隔 巴非蝕刻區域的細微不銹鋼網及橡皮到板。圖3中的層剔 將接著代表這個聚亞醯氨薄膜。 、在填充_通道凹槽的第二個技術中，厚膜印刷技術可 來塗抹薄膜，其可以是均勻的，傳導性聚亞酿氨或是 9ll79-990510.doc -13- 上州231 汽銅合金膠在㈣凹處中，之後絕緣的加熱器導線將手動 的壓入到此盤中的姓刻凹入路徑。此加熱器導線將以無機 絕緣體隔離。以範例的方式，銘與矽在57rc熔解形成 88.3%Ahn.7%Si共晶體。加入額外的石夕可以形成沈殺合成 物矽顆粒懸在纖共晶體中。電氣阻抗合成物的表面氧化 作用可形成紹石夕型態電氣絕緣薄膜的整合塗層，有點類似 於用在高溫炼爐内裡的模耐特陶。替代的’可以用另一個 型態以沈殺無機絕緣塗層的阻抗性導線。聚亞酸氨-塗層阻 抗料線可以與傳導性聚㈣氨黏合劑—起考量。”薄 膜接著烘乾，例如用將盤加熱到高溫。 在填充㈣料凹槽㈣三個技純供增㈣彈性並沈 殿整合薄膜或厚膜電阻加熱元件到凹槽中。此元件材質可 當作膠録土的塗抹’並有利的形成與通道區域33〇内表面 的緊密接觸。而加熱器導線傾向有均勻橫切面以及均勻的 熱特性在導線長度上，但加熱器材質34〇是由膠形成的，可 以有很大的彈性。如顯示的藉由通道區域33(m中的加熱器 材質340’如果此通道區域大於其他的區域，更多的加轨器 材質被用來填充此通道。如顯示藉由加熱器材、質 34(M ’如果希望的話，此膠材質的熱特性可以做成不均句 的，在企圖在烤盤300的加熱上表面獲得更為均句的献特 性。材質340, 34(M等等的電阻特性可以做到變化從大約 100 ohms/square到 5,000 ohms/square 〇 電氣絕緣的CVD類鑽石薄膜或濺鍍鋁氧化物薄膜可以用 作絕緣物。_薄祕石夕化物加熱器元件薄膜可以沈殺並 91179-990510.doc -14- 1333231 阻劑拉起，蝕刻，或拍打加以樣式。大部分可網印電阻及 絕緣體組織化通常需要在最少500。〇的溫度啟動，其在本發 明是高的。膠形式的混合合金可以考慮為材料34〇，例如在 360°C溶解的75 wt.%成分的金/25 wt%銻共晶體或在 451°C熔解的π以.％金/27糾.％銦共晶體。非傳導性聚亞醯 氨將接著網印在混合合金加熱器元件做為電氣絕緣。 可網印的熱凝化厚膜膠組織化也可以使用，並包含兩分 離二元合金的混合物，其在相當低溫的進一步混合形成結 果的高溫合金。例如，在118 溶解的52銦/48錫共晶體。 這種低熔點焊接膠可以混合，例如’或是5〇銅/5〇鎳 (50 micro ohm_cm 電阻率）或 3〇銅/7晚（47 mi⑽。電 阻率）或40銀/60鈀（42 micr〇 〇hm_cm電阻率）或是鎳/銀合 金。在適宜溫度加熱會造成熔解銦/錫與高溫熔解合金的混 合’造成混合的具高阻率之高溫熔解抗腐蝕可銲接的合 金。非傳導聚亞酸氨或低溫厚膜之光滑表面可接著網印在 合金加熱器元件上做為電氣絕緣。耗存在有聚亞酸氨-基 礎的電阻膠材質，其所呈現的缺乏長期穩定性可能使這樣 的材質不是本發明所希望要的。 通道路徑330的層層捲繞或其他形狀（當烤盤3〇〇以平面 來看時)通常是利用電腦軟體決定的。在烤盤的起始” 中’某些嘗試與錯誤的要用在重新定義此特定通道路和設 計，在烤盤上不同區域上的通道路徑尺寸，以及膠或盆他 材質340’ 34(M等的熱特性H旦設計被細部調整， 烤盤可以接著以相當低的成本量產（例如，可能每個單 91J79-990510.doc 15 1333231 元$5,000相對於以圖2八及2B實例說明先前技藝組態的每個 單元 $10,000到 $40,000。 參考圖5,步驟460,盤310的内侧接著以絕緣薄膜35〇圖 塗層。在方法步驟470,加入冷卻線圈組件36〇。在製造期 間不同的光阻可以用在晶圓230上，每個光阻可能需要不同 的溫度情勢。所希望的是烤盤可以相當快速的從-個溫度 情勢轉變到另-_，例如能在三分鐘内改變2〇 ^並仍可在 烤盤上表面獲得希望的良好溫度一致性。最後在圖5的步驟 4 80 ’此與冷部組件結合的聚亞醯氨薄膜利用高溫，大約 3 5〇 °C烘乾一段時間。 與上面形成烤盤300的技術與程序無關的，一冷卻平面元 件標記為圖3中的360可以形成。(雖然烤盤3〇〇是要均勻的 提高晶圓230的溫度，也還希望執行快速溫度蚊點改變）。 -平面的螺旋管狀基板可以形成藉由捲繞適當長度的管子 成為平面螺旋’冷卻液（例如水’冷卻氣體等等）經過之而通 過來冷卻晶圓別。管子材質最好是抗腐#，並可包含錄管 子’不錄鋼管子’以及銘/石夕共晶體合金，與其他材質。平 面的螺旋官放置在平盤上，其有圓筒體鬆弛延伸向上穿過 此平盤’準確的對應到拉起插針的位置以及其他突出 二平盤接著放置在此組件上而—水壓制來部分的平土曰化 此平面螺旋管。最好平坦化形成橢圓形橫切面，其中主要 =約為次要㈣度的兩倍，來增強熱連結而產生更為緊 寸外型。在平坦化期間用來夹層平面螺旋管基板的 口位在中心以外來讓平面螺旋管基板的内部終極 91179-990510.doc -16- 1333231 延伸通過此盤。 平面螺旋管基板360主要用來提供熱連結元件來實做溫 度a又定點改變的快速基板冷卻，當部分製造處理的處方改 交時。因此，這個基板也提供某些熱絕緣的測量以及對烤 盤300下表面的實體保護，並還可以幫助適應完全不同的熱 擴張及收縮。 現在回到烤盤300本身的製造，一厚膜印刷技術，使用細 微的不銹鋼網及最好使用橡皮到板來塗抹傳導性聚亞醯氨 360的均勻薄膜到烤盤3〇〇的内側面（沒有蓋住任何機械穿 孔的開口）。雖然為了易於說明而為顯示在圖3，烤盤的垂 直側表面在塗層内側面之前被塗層聚亞醯氨薄膜。平面螺 旋管基板接著被Μ到加熱板，小^的對齊拉起插針開口位 置。聚亞醯氨接著被烘乾，最好加熱基板3⑻組件到提高的 溫度。 可以對揭示的具體實例做出修改與變化而不背離如後面 申請專範圍所定義的本發明主題與精神。 【圖式簡單說明】 圖1為描述-般晶圓處理步驟及模組的方塊圖，根 技藝的； 圖2Α及2Β以橫切面圖描述非整體成形的烤盤單 先前技藝； 像 圖3以橫切面圖描述整體成形的烤盤單元，根據本發明 圖4描述-收納烤盤的可開啟腔，根據本發明；以及’ 圖5描㈣來產生烤盤的示範性方法步驟，根據本發明。 9lI79-9905I0.doc 1333231 【主要元件符號說明】 10 晶圓軌道系統 20 冷卻盤 30 旋轉塗抹器 40 烤盤 50 冷卻盤處理 60 曝光工具 70 PEB單元 80 冷卻盤 90 顯影模組 150 烤盤 160 碟片 170 凹槽 180 導線 190 碟片 200 工作平台 210 插針 220 開口 230 晶圓 250 烤盤 260 碟片 270 加熱元件 290 聚合物薄片 9I179-990510.doc -18- 1333231 300 烤盤 310 碟片 320 CVD類鑽石薄膜 330 通道區域 340 加熱器材質 360 冷卻平面元件 370 空腔 91179-990510.doc -19

Claims (1)

1. ⑴ 3231 十、+請專利範圍 h —種用在晶圓生產製造廠的烤盤，該烤盤包含： -熱傳導材質的碟片，其具有一上表面及下表面 β及 1 該下表面定義至少—連續通道樣式，其可填充傳導相 電阻性材質，當從正交於該碟片的該上表面的一平面』 看時，該通道樣式具有一非一致的深度；以及 —電氣傳導性的電阻材質’配置來填充該通道樣式在 該下表面中； »亥w傳導性電阻材質於連結至電源時產生熱，使得 。該上表面接觸的晶圓實質上均勻加熱整個該上表面。 .=申請專利範圍第1項的烤盤，其中該熱傳導材質為銅， 在°亥銅及該電氣傳導性的電阻材質之間進一步包含 絕緣材料。 7 C 3 — 封I:專利视圍第1項的烤盤’其中該電氣傳導性的電阻 才：為傳導性膠’在該通道樣式的整個連續長度 —致的電阻率。 、W 4·如申請專利範圍第㈣ 材質為傳導性—傳導性的電阻 ，、、、·二、擇以在該通道樣式的連續長度 上〃有變動性電阻率。 、 5_如申請專利範圍第丨項 面 烤盤，其中，在正交於該上表面 的千面上看時，該通道樣式具有一致的區域。 6·如申凊專利範圍第… 的平面上看時，該通、盤八中在正父於该上表面 、袠式具有一非一致的區域。 91179-990510.doc 1333231 7. 如申請專利範圍第丨項的烤盤，其中該熱傳導材質為。， 且該銅的表面包含由（a)電鍍及（b)濺鍍中貝’、’、鋼， 的一層錦。 、個形成 8. 如申請專利範圍第1項的烤盤，其中該煃般认及 八T通烤盤的最外面 被覆蓋以化學蒸發沈殿之類鐵石薄膜。 9. 如申請專利範圍第！項的烤盤，其還包含用以降低 溫度之裝置’該用來降低溫度之裝置配 接觸。 、X卜表面 10. 一種用在晶圓生產製造廠的烤盤，此烤盤包含： 一有上表面及下表面的鋼碟片； 該下表面定義至少一個可以雪名 r以電軋傳導性電阻材質埴充 的連續通道樣式，當從正交於該碟片㈣上表㈣j 面上看時’該通道樣式具有一非—致的深度；及 一電氣傳導性電阻材質，其配置以填充在該下表面中 的該通道樣式，並且與該銅碟片電氣絕緣； 其中該樣式的至少-形狀及該電阻材質的電阻率.選 擇以減小整個該上表面的熱變動； 該電氣傳導性電阻材質在連接到電源時產生轨，使得 與該上表面接觸的晶圓在整個該上表面被實質均勾地加 熱。 】1.如申請專利範圍第1G項的烤盤，Μ該電氣傳導性電阻 材質有從-群組中選出的至少一個特質：⑷該材質為導 線,該材質為電阻性膠，其在該通道樣式的整個連續 長度有均句的電阻率及⑷該材質為電阻性膠，其在該通 9II79-9905I0.doc (S) 1333231 道樣式的整個連續長度有不均勻的電阻率。 12·如申請專利範圍第1〇項的烤盤其中，當從正交於該上 表面的平面上看時，該通道樣式具有一致的區域及一非 —致的區域之至少之一者。 13.如申請專利範圍第10項的烤盤，其中該碟片的表面包含 由（a)電鍍及（b)濺鍍的至少一個形成的一層鎳。 .如申咕專利範圍第1〇項的烤盤，其中該烤盤的最外面表 面覆蓋有以化學蒸汽沈澱之類鑽石薄膜。 申請專利範圍第1G項的烤盤，還包含用以降低該烤盤 溫度之裝置，該用來降低溫度之裝置被配置成該第二表 面接觸。 ~ 16.—種生產用於晶圓生產製造廠的烤盤之方法，此方法爸 含下面步驟： e 提供排列來加熱晶圓的熱傳導材質的碟片，該碟片有』 表面及下表面； 在該下表面中定義通道樣式的至少一長度，當從正交 於該碟片的該上表面的-平面上看時’該通道樣式具有 一非一致的深度；及 當與一電壓源耦 以一電氣傳導材質填充該通道樣式 接時’該電氣傳導材質產生熱。 17·如申請專利範圍第16項的方法，其中，當從正交”上 表面的一平面上看時， 、〜 心… 通道樣式具有均勾的區域及一 非句勻的區域之至少之一者。 9I179-9905J0.doc 1333231 18. 如申請專利範圍第16項的方法，其中該熱傳導材質為 銅，該電氣傳導材質與該銅電氣絕緣，該方法還包含以 一層鎳覆蓋該銅表面。 19. 如申請專利範圍第16項的方法，其還包含以類鑽石材質 的薄膜覆蓋該烤盤的至少一最外層。 91179-990510.doc