Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

TWI390373B - 傳送基板之方法、電腦可讀媒體及傳送系統 - Google Patents

傳送基板之方法、電腦可讀媒體及傳送系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI390373B
TWI390373B TW097139058A TW97139058A TWI390373B TW I390373 B TWI390373 B TW I390373B TW 097139058 A TW097139058 A TW 097139058A TW 97139058 A TW97139058 A TW 97139058A TW I390373 B TWI390373 B TW I390373B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
substrate holder
error
position error
data
Prior art date
Application number
TW097139058A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200925814A (en
Inventor
Jozef Augustinus Maria Alberti
Nunen Gerardus Petrus Matthijs Van
Frans Erik Groensmit
Rene Theodorus Petrus Compen
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW200925814A publication Critical patent/TW200925814A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI390373B publication Critical patent/TWI390373B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706835—Metrology information management or control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7011—Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

傳送基板之方法、電腦可讀媒體及傳送系統
本發明係關於一種藉由傳送單元基於可用於此處之傳送資料而將基板自第一基板固持器傳送至第二基板固持器的方法，及一種藉由用於使能夠執行前述方法之電腦可執行碼而編碼的電腦可讀媒體。本發明進一步係關於一種用於基於傳送資料來傳送基板之傳送系統、一種包含該傳送系統之微影投影裝置、一種使用該微影投影裝置之器件製造方法，及一種藉由用於使能夠執行前述器件製造方法之電腦可執行碼而編碼的電腦可讀媒體。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在使用微影裝置之器件製造方法中，良率(亦即，正確製造之器件的百分比)中之重要因素為相對於先前形成之層來列印層的精確度。此被稱作覆蓋，且覆蓋誤差預算將通常為10nm或更少。為了達成該精確度，應以極大精確度而將基板對準至待轉印之光罩圖案。
為了達成優良影像清晰度及層覆蓋，基板之經照射表面應精確地定位於支撐表面(亦即，基板固持器)上，且在曝光期間儘可能平坦且靜止地保持於基板固持器上。通常，為此目的，基板固持器具備包含複數個突起(亦被稱作瘤節或圓丘)之板。在該基板固持器上，可置放基板，使得其背側與瘤節接觸，所有瘤節均位於良好界定之平面中。藉由將基板固持器中之孔徑連接至真空產生器件，可相抵於瘤節而緊固地夾持基板之背側。以此方式使用瘤節會確保背側之區域的僅一小部分相抵於實心表面而被精確地按壓；以此方式，最小化任何微粒污染物對晶圓之背側的扭曲效應，因為該污染物將最可能位於瘤節之間的騰空空間中，而非相抵於瘤節之頂部表面而被按壓。
然而，若將基板固定至如以上所描述之基板台，則基板將彎曲於瘤節上。結果，曝光於基板上之影像將區域地移位。當基板在顯影之後再次定位於基板台上以用於第二曝光時，歸因於相對於瘤節之不同位置，區域影像移位將在第二曝光期間不同於在第一曝光期間。因此，已引入覆蓋誤差。
隨著持續需要成像愈來愈小之圖案以形成具有更高組件密度之器件，存在減少覆蓋誤差之壓力，其導致需要基板在具備瘤節之基板台上的經改良置放。
需要提供一種傳送基板之方法及一種具有比至今已知之置放精確度改良之置放精確度的傳送系統。為此，本發明提供一種藉由傳送單元基於可用於此處之傳送資料而將基板自第一基板固持器傳送至第二基板固持器的方法，方法包含：
-在第一基板固持器上提供基板；
-量測基板之位置誤差；
-基於如所量測之位置誤差來計算定位調整資料；
-根據定位調整資料而使第二基板固持器相對於其參考位置移動；
-根據傳送資料藉由傳送單元而將基板自第一基板固持器傳送至第二基板固持器且將基板置放於如所移動之第二基板固持器上。
在一實施例中，本發明提供一種藉由在載入於電腦總成上時使電腦總成能夠控制如以上所描述之傳送方法之電腦可執行碼而編碼的電腦可讀媒體。
另外，在一實施例中，本發明提供一種用於基於可用於此處之傳送資料來傳送基板的傳送系統，傳送系統包含：
-第一基板固持器，第一基板固持器經組態以固持基板；
-位置感測器，位置感測器經組態以量測定位於第一基板固持器上之基板的位置誤差；
-第二基板固持器，第二基板固持器經組態以固持基板；
-傳送單元，傳送單元經組態以根據傳送資料而將基板自第一基板固持器傳送至第二基板固持器；
-處理器，處理器通信地連接至位置感測器且經組態以基於如所量測之位置誤差來計算定位調整資料；
-控制單元，控制單元通信地連接至處理器且經組態以根據如所計算之定位調整資料而使第二基板固持器相對於其參考位置移動。
另外，在一實施例中，本發明提供一種微影投影裝置，其包含：
-照明系統，照明系統經組態以提供輻射光束；
-支撐結構，支撐結構經組態以支撐用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案的圖案化器件；
-基板台，基板台經組態以固持基板；
-投影系統，投影系統經組態以將經圖案化光束曝光於基板上；
其中微影裝置進一步包含如以上所描述之傳送系統，且基板台為第二基板固持器。
在一實施例中，本發明提供一種器件製造方法，器件製造方法包含使用如以上所描述之微影投影裝置而將經圖案化輻射光束投影至基板上。
最後，在一實施例中，本發明提供一種藉由在載入於電腦總成上時使電腦總成能夠控制如以上所描述之器件製造方法之電腦可執行碼而編碼的電腦可讀媒體。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。
裝置包含：
-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；
-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件之第一定位器PM；
-基板固持器(例如，基板台(例如，晶圓台))WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板之第二定位器PW；及
-投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。
本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語"浸沒"不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束藉助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光 束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且由圖案化器件圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩MA。一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2a至圖2c示意性地描繪如此項技術中已知的基板在基板台上之置放。基板台WT具備複數個突起1(亦被稱作圓丘或瘤節)。在此文獻中，將使用措辭"瘤節"。
如圖2a所示，基板W朝向基板台WT移動，直到基板接觸提供於基板台之表面上的複數個瘤節為止。
基板W現停置於基板台WT上，其背側接觸基板台WT之表面上的複數個瘤節1(圖2b示意性地所描繪之情形)。
在此階段，可藉由將基板台WT中之孔徑3連接至真空產生器件5而自複數個瘤節之間的空間抽掉空氣。空氣之抽吸藉由箭頭而示意性地描繪於圖2c中。
圖2d示意性地描繪置放於基板台WT上之基板W的細節(亦即，圖2c之虛線圓中所示)。歸因於基板W與基板台WT之間的真空及基板台WT歸因於複數個瘤節1之不均勻表面，基板W區域地變形。結果，曝光於基板W上之影像將相對於所要影像而區域地移位。當基板W在顯影之後再次定位於基板台WT上以用於第二曝光時，歸因於相對於複數個瘤節1之不同位置，區域影像移位將在第二曝光期間不同於在第一曝光期間。因此，已引入覆蓋誤差。
圖3示意性地描繪可用於本發明之實施例中的傳送系統。圖3所描繪之傳送系統適合用於微影投影裝置中。其經組態以基於可用於此處之傳送資料來傳送基板。傳送系統包含第一基板固持器11、位置感測器13、第二基板固持器15、傳送單元17、處理器19及控制單元21。
第一基板固持器11經組態以固持基板12。在一實施例中，第一基板固持器11可圍繞其中心(亦即，可固持有基板之表面的中心)而旋轉。因此，旋轉軸線大體上垂直於前述表面。
第二基板固持器15亦經組態以將基板12固持於其表面上。第二基板固持器15之前述表面可具備複數個瘤節。
若傳送系統用於微影投影裝置中，則第二基板固持器15對應於基板台WT且待固持之基板12對應於基板W。此外，第一基板固持器11可對應於用於預對準單元中之基板台。
位置感測器13經組態以量測定位於第一基板固持器11上之基板12的位置誤差。位置誤差對應於第一基板固持器11上之基板12的經量測位置與第一基板固持器11上之基板12的所要位置之間的差。在圖3中，第一基板固持器11對應於預對準單元中之基板固持器。該預對準單元可結合微影投影裝置用來以基板12可傳送至微影投影裝置中之基板台WT且可在預定區域內置放於其上的方式來對準基板12。預對準單元中之位置感測器13可為偏心率感測器(更特別地為邊緣感測器)。偏心率感測器藉由針對基板12之不同定向而量測基板12之邊緣來判定基板之偏心率。為了使能夠進行在不同定向上之基板上的量測，基板台通常為可旋轉的。
傳送單元17經組態以將基板12自第一基板固持器11傳送至第二基板固持器15。根據前述傳送資料來執行傳送。在圖3示意性地所描繪之實施例中，傳送單元17包含兩個子單元，亦即：夾持器單元18，其經組態以自第一基板固持器11拾取基板12且朝向第二基板固持器15移動基板12；及三個或三個以上可延伸銷，其駐存於第二基板台15中(所謂的E銷23)。E銷23之位置及移動可由E銷致動器25(例如，羅倫茲馬達)控制，其又可由本端電子器件控制。作為對電力故障發生之安全措施，E銷23可經組態以藉由自然重力而下降至其最低位置。此可確保E銷23不被損壞。傳送單元17現可經配置以與E銷23之移動協作來控制由夾持器單元18所固持之基板12的移動(分別由箭頭51及52示意性地描繪)。傳送單元17可控制夾持器單元18在朝向E銷23之方向上的移動(在圖3中為向左之移動)，使得基板12適當地定位於E銷23上方。傳送單元17可接著控制E銷朝向基板12之延伸(在圖3中為向上)，直到其接觸基板12為止。傳送單元17隨後控制基板12自夾持器單元18之拆卸及夾持器單元18遠離E銷23之後續移動(例如，在圖3中為向右之移動)，直到夾持器單元18不再阻擋基板12朝向第二基板固持器15之移動為止。最後，傳送單元17可控制E銷23之收縮，直到基板12定位於第二基板固持器15上為止。
處理器19通信地連接至位置感測器13。處理器19經組態以基於如由位置感測器13所量測且自位置感測器13所接收之位置誤差(由箭頭53示意性地描繪)來計算定位調整資料。在一實施例中，處理器19進一步經組態以將如所量測之位置誤差劃分成第一部分及第二部分、基於傳送資料及位置誤差之第一部分來計算經修正傳送資料，及基於如所量測之位置誤差之第二部分來計算定位調整資料。在此實施例中，通信地連接至處理器19之傳送單元17經組態以根據前述經修正傳送資料而將基板12自第一基板固持器11傳送至第二基板固持器15。前述經修正傳送資料自處理器19朝向傳送單元17之通信藉由箭頭54而示意性地描繪於圖3中。
控制單元21通信地連接至處理器19。控制單元21經組態以根據如藉由處理器19所計算之定位調整資料而使第二基板固持器15相對於其參考位置移動。定位調整資料自處理器19朝向控制單元之通信藉由箭頭55而示意性地描繪於圖3中。
應理解，儘管在圖3中將處理器19及控制單元21描繪為單獨元件，但處理器19可併入控制單元21(例如，倘若控制單元21採取如參看圖5所描述之電腦總成的形式)。
基板台WT在微影投影裝置中之定位通常藉由所謂的長衝程平台模組及所謂的短衝程平台模組(在圖3中分別由參考數字27及29指示)而實施。此等兩個平台模組27、29之組合定位能力提供精確且快速的定位。長衝程平台模組29通常提供短衝程平台模組27在許多(通常為三個)方向上之粗略定位及移動。短衝程平台模組27通常提供置放於其上之基板W在六個自由度中的精確移動及定位。短衝程平台模組27可藉由空氣軸承31而與長衝程平台模組29分離且可由一或多個羅倫茲馬達(未圖示)驅動。
控制單元21可包含單獨控制模組以單獨地控制短衝程平台模組27及長衝程平台模組29之移動及定位。在與微影投影裝置中之傳送系統有關的本發明之實施例中，當參考經組態以根據如藉由處理器19所計算之定位調整資料來控制第二基板固持器15之移動的控制單元21時，實際上定址經組態以控制短衝程平台模組27之移動及定位的控制模組。或者，同一控制單元21可經組態以控制長衝程平台模組29及短衝程平台模組27兩者之移動及定位，此情形分別藉由箭頭56及57而描繪於圖3中。然而，亦在此情況下，當定位調整資料與短衝程平台模組27之移動有關時，獲得最精確結果。
如圖3示意性地所描繪，第二基板台15可能不僅包含短衝程平台模組27，而且包含額外元件33。額外元件可具備足夠大以容納基板12之凹座區域。凹座之表面可包含複數個瘤節，且為了建立如參看圖2a至圖2d所論述之真空環境之目的而在該複數個瘤節之間具備孔徑。在浸沒微影投影裝置中，額外元件33中之凹座亦可具有含有及控制浸沒流體之目的。
圖4示意性地描繪根據本發明之實施例的將基板自第一基板固持器傳送至第二基板固持器之方法。藉由傳送單元基於可用於此處之傳送資料來執行傳送。
首先，在動作61中，將基板提供於第一基板固持器上。接著，在動作63中，藉由位置感測器來量測基板之位置誤差。
在一實施例中，位置誤差為偏心率誤差。在此實施例中，位置感測器包含偏心率感測器。
在另一實施例中，位置誤差可剖析成偏心率誤差及定向誤差。在該實施例中，位置感測器可包含經組態以量測偏心率誤差之偏心率感測器，及經組態以量測定向誤差(亦即，基板在提供於第一基板台上時之定向與基板在第一基板台上之所要定向之間的誤差)之定向感測器。或者，存在單一感測器(通常被表示為邊緣感測器)。邊緣感測器可經組態以將經量測邊緣資料(亦即，在產生正弦之旋轉期間基板半徑之量測)變換成偏心率資料(亦即，表示前述正弦之偏移的資料)及定向(亦即，基板之特定元件(例如，凹口)在前述正弦中之位置)。
隨後，在動作65中，計算定位調整資料，定位調整資料係基於如所量測之位置誤差。
接著，在動作67中，使第二基板固持器相對於其參考位置移動。熟習此項技術者應知道，可藉由結合短衝程模組而控制長衝程模組(如分別描繪於圖3中之長衝程模組29及短衝程模組27)之移動來執行使得第二基板固持器可置放於前述參考位置處的第二基板固持器之移動。在如圖3所示之微影投影裝置的情況下，參考位置對應於在不存在乎移偏移之情況下在大體上居中位置中將基板定位於e銷之頂部上的位置。在一實施例中，藉由單獨地控制短衝程模組(例如，如圖3所描繪之短衝程模組27)之移動來執行相對於該參考位置之移動。根據如所計算之定位調整資料來執行相對於第二基板固持器之參考位置的移動。應理解，移動未必限於在平行於固持基板之基板固持器之表面之方向上的平移。在本發明之實施例中，亦可執行旋轉移動，例如，以補償第一基板台上之基板的定向誤差。
最後，在動作69中，根據傳送資料使用傳送單元而將基板自第一基板固持器傳送至第二基板固持器，且將基板置放於如所移動之第二基板固持器上。
在一實施例中，在動作63中量測位置誤差之後，首先，在動作71中，將如所量測之位置誤差劃分成第一部分及第二部分。接著，基於傳送資料及位置誤差之第一部分而在動作73中計算經修正傳送資料。隨後，在動作65中，計算定位調整資料現係基於位置誤差之第二部分。進一步注意，在動作69中將基板自第一基板固持器傳送至第二基板固持器現根據經修正傳送資料而發生。
將位置誤差劃分成第一部分及第二部分可遵循以下程序。若位置誤差保持低於預定臨限誤差，則可將整個位置誤差指派至第一部分。否則，亦即，若位置誤差超過預定臨限誤差，則將預定臨限誤差指派至第一部分，且將整個位置誤差與預定臨限誤差之間的差指派至第二部分。
圖5示意性地描繪可用於本發明之實施例中之電腦總成的實施例。該電腦總成100可為以控制單元(例如，控制單元21)之形式的專用電腦。電腦總成100可經配置用於載入藉由電腦可執行碼而編碼之電腦可讀媒體。此可使電腦總成100能夠在載入電腦可讀媒體上之電腦可執行碼時執行使用傳送單元基於可用於此處之傳送資料而將基板自第一基板固持器傳送至第二基板固持器之前述方法的實施例。另外或或者，此可使電腦總成100能夠在載入電腦可讀媒體時執行器件製造方法，其中藉由包含該傳送系統之微影投影裝置的實施例來圖案化基板之目標部分。
電腦總成100包含處理器101(例如，與控制單元21通信之處理器19)且可進一步包含記憶體105。連接至處理器101之記憶體105可包含許多記憶體組件，如硬碟111、唯讀記憶體(ROM)112、電可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)113，及隨機存取記憶體(RAM)114。並非所有前述記憶體組件均需存在。此外，前述記憶體組件不必實體地密切接近於處理器101或彼此密切接近。其可以較遠距離而定位。
處理器101亦可連接至某一種類之使用者介面(例如，鍵盤115或滑鼠110)。亦可使用為熟習此項技術者已知之觸控式螢幕、執跡球、語音轉換器或其他介面。
處理器101可連接至讀取單元117，讀取單元117經配置以自電腦可讀媒體(如軟碟118或CDROM 119)讀取(例如)以電腦可執行碼之形式的資料且在某些情況下將資料儲存於電腦可讀媒體上。又，可使用為熟習此項技術者已知之DVD或其他電腦可讀媒體。
處理器101亦可連接至印表機120以將輸出資料印出於紙張上以及連接至顯示器121，例如，監視器或LCD(液晶顯示器)或為熟習此項技術者已知之任何其他類型的顯示器。
處理器101可藉由負責輸入/輸出(I/O)123之傳輸器/接收器而連接至通信網路122，例如，公眾交換電話網路(PSTN)、區域網路(LAN)、廣域網路(WAN)，等等。處理器101可經配置以經由通信網路122而與其他通信系統通信。在本發明之一實施例中，外部電腦(未圖示)(例如，操作者之個人電腦)可經由通信網路122而登入至處理器101中。
處理器101可經實施為獨立系統或為並行地操作之許多處理單元，其中每一處理單元經配置以執行更大程式之子任務。處理單元亦可劃分成具有若干子處理單元之一或多個主處理單元。處理器101之某些處理單元可甚至以遠離於其他處理單元之距離而定位且經由通信網路122而通信。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"及"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)。
術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見到，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
1．．．突起
3．．．孔徑
5．．．真空產生器件
11．．．第一基板固持器
12．．．基板
13．．．位置感測器
15．．．第二基板固持器
17．．．傳送單元
18．．．夾持器單元
19．．．處理器
21‧‧‧控制單元
23‧‧‧E銷
25‧‧‧E銷致動器
27‧‧‧短衝程平台模組
29‧‧‧長衝程平台模組
31‧‧‧空氣軸承
33‧‧‧額外元件
52‧‧‧箭頭
53‧‧‧箭頭
54‧‧‧箭頭
55‧‧‧箭頭
56‧‧‧箭頭
57‧‧‧箭頭
101‧‧‧處理器
105‧‧‧記憶體
110‧‧‧滑鼠
111‧‧‧硬碟
112‧‧‧唯讀記憶體
113‧‧‧電可抹除可程式化唯讀記憶體
114‧‧‧隨機存取記憶體
115‧‧‧鍵盤
117‧‧‧讀取單元
118‧‧‧軟碟
119‧‧‧CDROM
120‧‧‧印表機
121‧‧‧顯示器
122．．．通信網路
123．．．輸入/輸出
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統
IN．．．積光器
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
X．．．方向
Y．．．方向
Z．．．方向
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2a至圖2c示意性地描繪如此項技術中已知的基板在基板台上之置放；
圖2d示意性地描繪置放於如圖2c所示之基板台上之基板的細節；
圖3示意性地描繪可用於本發明之實施例中的傳送系統；
圖4示意性地描繪根據本發明之實施例的將基板自第一基板固持器傳送至第二基板固持器之方法；
圖5示意性地描繪可用於本發明之實施例中之電腦總成的實施例。
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統
IN．．．積光器
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
X．．．方向
Y．．．方向
Z．．．方向

Claims (14)

  1. 一種使用一傳送單元基於可用於此處之傳送資料而將一基板自一第一基板固持器傳送至一第二基板固持器的方法，該方法包含：在該第一基板固持器上提供該基板；量測該基板之一位置誤差；基於所量測之該位置誤差來計算定位調整資料；根據該等定位調整資料而使該第二基板固持器相對於其一參考位置移動；及根據該傳送資料使用該傳送單元而將該基板自該第一基板固持器傳送至該第二基板固持器且將該基板置放於所移動之該第二基板固持器上。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含在該量測之後：將如所量測之該位置誤差劃分成一第一部分及一第二部分；基於該等傳送資料及該位置誤差之該第一部分來計算經修正傳送資料；且其中該計算定位調整資料係基於如所量測之該位置誤差之該第二部分，且該傳送係根據該等經修正傳送資料而執行。
  3. 如請求項2之方法，其中該劃分係藉由以下各項而執行：若該位置誤差保持低於一預定臨限誤差，則將該整個位置誤差指派至該第一部分；且否則 將該預定臨限誤差指派至該第一部分且將該整個位置誤差與該預定臨限誤差之間的差指派至該第二部分。
  4. 如請求項1之方法，其中該位置誤差為一由一偏心率感測器所量測之偏心率誤差。
  5. 如請求項1之方法，其中該位置誤差可剖析成一由一偏心率感測器所量測之偏心率誤差及一由一定向感測器所量測之定向誤差。
  6. 一種電腦可讀媒體，其具有儲存於其上之電腦可執行碼，當該電腦可執行碼載入一電腦總成上時，該電腦可執行碼致動該電腦總成以控制使用一傳送單元基於可用於此處之傳送資料的傳送方法，該方法包含：在該第一基板固持器上提供該基板；量測該基板之一位置誤差；基於所量測之該位置誤差來計算定位調整資料；根據該等定位調整資料而使該第二基板固持器相對於其一參考位置移動；及根據該傳送資料使用該傳送單元而將該基板自該第一基板固持器傳送至該第二基板因持器且將該基板置放於所移動之該第二基板固持器上。
  7. 一種用以基於可用於此處之傳送資料來傳送一基板的傳送系統，該傳送系統包含：一第一基板固持器，該第一基板固持器經組態以固持該基板；一位置感測器，該位置感測器經組態以量測定位於該 第一基板固持器上之該基板的一位置誤差；一第二基板固持器，該第二基板固持器經組態以固持該基板；一傳送單元，該傳送單元經組態以根據該傳送資料而將該基板自該第一基板固持器傳送至該第二基板固持器；一處理器，該處理器與該位置感測器通信且經組態以基於所量測之該位置誤差來計算定位調整資料；一控制單元，該控制單元與該處理器通信且經組態以根據所計算之該定位調整資料而使該第二基板固持器相對於其一參考位置移動。
  8. 如請求項7之傳送系統，其中該第二基板固持器定位於一第一可移動平台模組上，且該第一可移動平台模組定位於一第二可移動平台模組上，該第一可移動平台模組及該第二可移動平台模組均與該控制單元通信，該控制單元進一步經組態以移動該第二可移動平台模組及該第一可移動平台模組，使得該第二基板固持器可置放於該參考位置處，且進一步經組態以移動該第一可移動平台模組，使得該第二基板固持器根據如所計算之該等位置調整資料而相對於該參考位置移動。
  9. 如請求項7之傳送系統，其中該處理器進一步經組態以：將如所量測之該位置誤差劃分成一第一部分及一第二部分； 基於該等傳送資料及該位置誤差之該第一部分來計算經修正傳送資料；及基於如所量測之該位置誤差之該第二部分來計算定位調整資料；且其中該傳送單元與該處理器通信且經組態以根據該經修正傳送資料而將該基板自該第一基板固持器傳送至該第二基板固持器。
  10. 如請求項7之傳送系統，其中該位置感測器包含一經組態以量測一偏心率誤差之偏心率感測器。
  11. 如請求項10之傳送系統，其中該位置感測器進一步包含一經組態以量測一定向誤差之定向感測器。
  12. 如請求項7之傳送系統，其中該第一基板固持器可圍繞其中心而旋轉。
  13. 如請求項7之傳送系統，其中該傳送單元包含位於該第二基板固持器中之至少三個可延伸銷。
  14. 如請求項13之傳送系統，其中該傳送系統進一步包含一經組態以控制該至少三個可延伸銷之延伸的致動器。
TW097139058A 2007-10-10 2008-10-09 傳送基板之方法、電腦可讀媒體及傳送系統 TWI390373B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US96070107P 2007-10-10 2007-10-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200925814A TW200925814A (en) 2009-06-16
TWI390373B true TWI390373B (zh) 2013-03-21

Family

ID=40716964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097139058A TWI390373B (zh) 2007-10-10 2008-10-09 傳送基板之方法、電腦可讀媒體及傳送系統

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8086348B2 (zh)
JP (1) JP2009135442A (zh)
KR (1) KR20090037351A (zh)
CN (1) CN101441419B (zh)
NL (1) NL1036025A1 (zh)
TW (1) TWI390373B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5614326B2 (ja) * 2010-08-20 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
KR101414830B1 (ko) * 2011-11-30 2014-07-03 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 얼라이먼트 방법, 전사 방법 및 전사장치
NL2009689A (en) * 2011-12-01 2013-06-05 Asml Netherlands Bv Support, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US9373534B2 (en) 2012-09-05 2016-06-21 Industrial Technology Research Institute Rotary positioning apparatus with dome carrier, automatic pick-and-place system, and operating method thereof
US9082801B2 (en) * 2012-09-05 2015-07-14 Industrial Technology Research Institute Rotatable locating apparatus with dome carrier and operating method thereof
CN104016117B (zh) * 2014-05-28 2017-01-18 京东方科技集团股份有限公司 一种自动调整基板位置的叉板及调整方法
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
JP6632234B2 (ja) * 2015-07-14 2020-01-22 キヤノン株式会社 基板処理装置、および、物品製造方法
NL2018639A (en) * 2016-04-26 2017-11-01 Asml Netherlands Bv Measurement system, calibration method, lithographic apparatus and positioner
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
NL2020360B1 (en) * 2018-01-31 2019-08-07 Besi Netherlands Bv Handler device for handling substrates
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
US20220223451A1 (en) * 2019-05-22 2022-07-14 Vuereal Inc. Systems and methods for transferring devices or patterns to a substrate

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3276477B2 (ja) * 1993-09-03 2002-04-22 キヤノン株式会社 基板処理装置
JP3590916B2 (ja) * 1995-12-28 2004-11-17 株式会社ニコン 位置決め方法
JPH08236419A (ja) * 1995-02-24 1996-09-13 Nikon Corp 位置決め方法
US6225012B1 (en) 1994-02-22 2001-05-01 Nikon Corporation Method for positioning substrate
US5788868A (en) * 1995-09-04 1998-08-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate transfer method and interface apparatus
US5980194A (en) * 1996-07-15 1999-11-09 Applied Materials, Inc. Wafer position error detection and correction system
CN1072398C (zh) * 1997-03-26 2001-10-03 财团法人工业技术研究院 芯片接合方法与装置
JP4026904B2 (ja) * 1997-11-12 2007-12-26 キヤノン株式会社 基板搬送装置および露光装置
WO1999028220A1 (fr) * 1997-12-03 1999-06-10 Nikon Corporation Dispositif et procede de transfert de substrats
JP2000077314A (ja) * 1998-09-03 2000-03-14 Nikon Corp リソグラフィシステム及び露光装置
JP4402811B2 (ja) * 2000-05-26 2010-01-20 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送システムおよび被処理体の位置ずれ量の検出方法
JP2002280288A (ja) 2001-03-19 2002-09-27 Nikon Corp 較正用基準ウエハ、較正方法、位置検出方法、位置検出装置、及び露光装置
KR100585470B1 (ko) * 2001-07-20 2006-06-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 및 그 제조된 디바이스
US7397539B2 (en) * 2003-03-31 2008-07-08 Asml Netherlands, B.V. Transfer apparatus for transferring an object, lithographic apparatus employing such a transfer apparatus, and method of use thereof
EP1494078A1 (en) * 2003-07-01 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP4289961B2 (ja) * 2003-09-26 2009-07-01 キヤノン株式会社 位置決め装置
US7583357B2 (en) * 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060178009A1 (en) * 2004-11-26 2006-08-10 Nikon Corporation Wafer stage with wafer positioning and alignment
US7374957B2 (en) * 2005-07-11 2008-05-20 Asml Netherlands B.V. Method of calibrating or qualifying a lithographic apparatus or part thereof, and device manufacturing method
JP2007193197A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Nsk Ltd 物品位置決め装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20090155026A1 (en) 2009-06-18
CN101441419B (zh) 2011-03-16
US8086348B2 (en) 2011-12-27
KR20090037351A (ko) 2009-04-15
CN101441419A (zh) 2009-05-27
TW200925814A (en) 2009-06-16
NL1036025A1 (nl) 2009-04-15
JP2009135442A (ja) 2009-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI390373B (zh) 傳送基板之方法、電腦可讀媒體及傳送系統
US8149387B2 (en) Method of placing a substrate, method of transferring a substrate, support system and lithographic projection apparatus
JP5208981B2 (ja) リソグラフィ装置における格子変形の処理レシピを修正するための格子モデルの選択方法及び該方法を使用したリソグラフィ・アセンブリ
TWI390366B (zh) 平台系統，包含該平台系統的微影裝置及修正方法
US7629697B2 (en) Marker structure and method for controlling alignment of layers of a multi-layered substrate
US7349071B2 (en) Pre-aligning a substrate in a lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured by the manufacturing method
JP2012104853A (ja) リソグラフィ装置および二重露光オーバレイ制御を用いたデバイス製造方法
JP2006157014A (ja) オーバレイを減少させるための基板テーブルまたはマスクテーブルの表面平坦度情報の使用
JP2009200122A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP4405462B2 (ja) 較正用基板およびリソグラフィ装置の較正方法
JP4340270B2 (ja) リソグラフィ装置、パターニング組立体および汚染推定法
US20060035159A1 (en) Method of providing alignment marks, method of aligning a substrate, device manufacturing method, computer program, and device
JP2011222610A (ja) 位置合わせ方法、露光方法及びデバイスの製造方法、並びに露光装置
US8064045B2 (en) Method of transferring a substrate, transfer system and lithographic projection apparatus
TWI424516B (zh) 放置基板之方法、傳送基板之方法、支撐系統及微影投影裝置
NL1036559A1 (nl) Lithographic Apparatus and Method.
JP2005116849A (ja) 静電吸着装置及び方法、露光装置、デバイスの製造方法
US7151591B2 (en) Alignment system, alignment method, and lithographic apparatus
JP2023180035A (ja) 露光装置、露光方法及び物品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees