TWI356497B - Display device and method for fabricating the same - Google Patents

Description

1356497 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一種顯示裝置，包含形成於大的玻璃基板 上之諸如電晶體的主動兀件，且進一步地有關一種用以製 造此一顯示裝置之方法。 【先前技術】 包含在玻璃基板上之薄膜電晶體（下文中亦稱爲TFT )的顯示面板，亦即，主動矩陣驅動顯示面板已藉使用光 罩之光曝射方法來製造不同薄膜之圖案而加以製造。 至於此一顯示面板，已採用有效之大量生產技術，藉 該技術可從一母玻璃基板獲得複數個顯示面板，該母玻璃 之大小已從1990年之早期中的第一代之300mm x400mm到 2000年中的第四代之 680mm x 880mm 或 730mm x 9 20mm 而變成更大。因此，生產技術已改善使得多重顯示面板可 獲自一母玻璃基板。 在其中該母玻璃基板係小的情況中，製作圖案已能相 當容易地利用光曝射設備予以執行。然而’由於母玻璃基 板已變成更大；因此，該母玻璃基板之整個表面無法藉單 一曝射加以處理。結果，已發展出例如畫分其中施加光阻 之區塊爲複數個區塊；執行光曝射於各區塊；藉此’基板 之整個表面可藉重複光曝射過程予以曝射之此一方法，或 其他方法。（參考：日本專利公開第Η·326951號）。 (2) 1356497 【發明內容】 然而，在第五代中，母玻璃基板進一步增大至 1000mm xl200mm 或 1100mm xl300mm之大小 > 且進一 步期望在下一代中具有1500mm xl800mm或更大的大小。

因此，已呈難以藉習知製作圖案之方法而低成本地，良好 生產率地製造顯示面板。進一步地，當複數次之光曝射執 行如上文參考例時，將增加處理時間且需要巨大的投資來 發展可處置此一大的基板之光曝射設備。 此外，在其中不同形式之膜形成於基板之整個表面上 且隨後該等膜蝕刻掉而留下小的面積之方法中，存在有浪 費較高之材料成本及需處理大量液體廢物的問題。

因此，本發明之目的在於提供一種顯示裝置，其可藉 簡化之製造過程予以製造，藉由該簡化之製造過程將改善 材料使用中之效率。本發明之進一步目的在於提供一種顯 示裝置之製造方法。本發明之另一目的在於提供一種用以 改善圖案之附著的製造技術。 鑑於上述問題，根據本發明，圖案係藉可選擇性地形 成圖案之方法來加以形成。特別地，在本發明中，較佳地 ’在底座預處理之後，圖案可藉可選擇性地形成圖案之方 法形成。進一步地，該底座預處理可執行於圖案係藉可選 擇性地形成圖案之方法形成之後，該底座預處理可改善圖 案之附著。 光觸媒可形成用於底座預處理。進一步地，光觸媒可 選擇性地形成於其中圖案將形成之區域中。 -6 - (3) (3)1356497

Ti或類似物之導電膜可藉濺鍍法形成而當作底座預處 理的另一方式。選擇性地，Ti可選擇性地施加於其中將形 成諸如TiOx膜圖案之區域上，進—步地，氧化處理可執行 於Ti上而形成TiOx於表面上。除了 TiOx之外，鈦酸緦（ SrTi03) ’硒化鎘（CdSe)，鉅酸鉀（KTa03 )、硫化鎘 (CdS)、二氧化锆（Zr02)、氧化鈮（Nb205 )、氧化鋅 (ZnO)、氧化鐵（Fe203)、氧化鎢（W03)亦可使用爲 光觸媒。 光觸媒表示一種具有光催化功能之材料，該光觸媒係 激活於當其藉紫外光區之光線（波長：等於或小於400nm ，較佳地等於或小於3 80nm )照射時，精細之圖案可藉噴 墨法放出溶劑中所含導體於光觸媒上而製成。 諸如耦合劑或類似物之有機膜可藉塗覆法或類似法形 成而當作底座預處理之又一方式，甲矽烷基之耦合劑及氟 基之耦合劑係給定爲甲矽烷基耦合物之實例，例如具有 TiOx膜之有機膜可選擇性地形成於其中將形成圖案之區域 中〇 該底座預處理之結果可改善圖案之附著且可使圖案作 得更精細。 可採用液滴放出法來當作用以選擇性地形成圖案之方 法（含噴墨技術），藉其可選擇性地放出其中混合導電膜 或絕緣膜之材料的液滴（點）組成物。 可採用壓力系統當作噴墨技術’該壓力系統亦使用於 噴墨技術中，因爲液滴之可控制性及油墨種類可隨意地選 (4) (4)1356497 擇，該壓力系統具有兩個形式：MLP (多層壓力）式及ML 晶片（多層陶質物超積體之壓力分段）式。選擇性地，可 依據溶劑之材料而使用其中加熱元件加熱產生氣泡藉此壓 出溶液之所謂熱方法的噴墨技術。 放出組成物之點的此一方法可較佳地在降低壓力之下 執行，在放出該組成物之後以及在該組成物到達標的之前 ，組成物之溶劑會蒸發，因此可省略該組成物之乾燥及烘 乾之步驟。若該方法係在降低壓力之下執行，則氧化物膜 或類似物並不會形成於導體之表面上，此係較佳的。施加 該組成物之過程可執行於氮氣氛圍或有機氣體氛圍之中。 在這時候，該組成物會以點的形式，以具有串聯之點 的柱之形式，或類似形式放出。以點或柱之形式放出組成 物的方式僅可稱爲滴落法，換言之，複數個點可串聯地放 出以便形成線；然而，在各例子中，放出組成物統稱爲“ 滴落法”。 可使用金（Au)、銀（Ag)、銅（Cu)、鉑（Pt) 、鈀（Pd)、鎢（W)、鎳（Ni)、鉬（Ta)、鉍（Bi) 、鉛（Pb)、銦（In)、錫（Sn)、鋅（Zn)、鈦（Ti) 、及鋁（A1 )之任一；其合金；其分散奈米顆粒；或鹵化 銀顆粒，當作導體。尤其，可使用具有低電阻之銀或銅。 應注意的是，在使用銅的例子中，可形成含氮氣或硼化鎳 之絕緣膜的障壁膜以防止銅擴散至半導體膜或類似物之內 〇 此外，亦可使用ITO (銦錫氧化物），其中混合2%至 (5) (5)1356497 20%之氧化鋅（ZnO)於氧化銦之內的IZO (銦鋅氧化物） ，其中混合2%至20°/。之氧化矽（Si02)於氧化銦之內的 ITSO’有機銦’有機錫，氮化鈦（TiN)或類似物爲透明 導電膜。 較佳地，以有機材料或以另一導體來塗覆導體顆粒之 表面而有效率地分散該等導體顆粒於組成物中，塗覆該等 表面之材料可具有成層的結構，用以塗覆該等表面之材料 可較佳地爲導電性。在其中用以塗覆該等表面之材料爲絕 緣性的例子中，可藉熱處理或類似處理來去除它們。 第24A圖顯示從噴嘴滴落之含Cu 301之點，Cu 301之 表面可塗覆有諸如鎳（Ni )或硼化鎳（NiB )的導體3 02。 例如，如第24B圖中所示地，該Cu 301可塗覆有諸如鎳（ Ni )或硼化鎳（NiB )之導體302 ;進一步地，鎳（Ni )或 硼化鎳（NiB )之表面可塗覆有Ag 3 03。結果，可預防由 加熱或類似者所造成之Cu的熱擴散。 在此方式中選擇性地形成之圖案包含一遮罩，用以製 作諸如閘極電極，源極電極及汲極電極之電極，及畫素電 極；諸如源極配線及汲極配線之配線；半導體膜；或類似 物之圖案。 根據本發明，在用以製造顯示裝置所需之圖案形成方 法之至少一步驟中，圖案可藉可選擇性地形成圖案之方法 來形成。在圖案形成方法之步驟中，可藉使用可選擇性地 形成圖案之方法來簡化製造方法以及改善材料使用中之效 率 〇 -9- (6) (6)1356497 根據本發明之顯示裝置係一種其中TFT連接於一其中 產生稱爲電致發光（下文中亦稱爲“EL”）之發光的有機材 料或含有機材料及無機材料之混合物的媒質係夾置於電極 間之發光元件的顯示裝置。上述目的係藉使用液滴放出法 來完成此一顯示裝置而達成。 根據本發明，圖案係藉液滴放出法予以形成，使得該 圖案之附著可以改善；進一步地，並未限制薄膜電晶體或 類似物之結構，因此，薄膜電晶體可具有結晶的半導體膜 或非晶系半導體膜之結構，例如可使用具有其中閘極電極 配置於半導體膜之下的稱爲底部閘極型結構之薄膜電晶體 ，或其中閘極電極配置於半導體膜之上的稱爲頂部閘極型 結構之薄膜電晶體。 至於在薄膜電晶體中所含之閘極電極、源極電極、汲 極電極，以及連接於該等電極之任一的配線，之任一可在 液滴放出法之例子中藉底座預處理來改善附著性。 藉使用液滴放出法，可簡化製造方法及可改善材料使 用中之效率。因此，電晶體或類似物可形成於第五代或稍 後之母玻璃基板。藉使用液滴放出法之配線或類似物的形 成可簡化光過程，結果，光罩呈冗餘而可達成裝備成本中 之降低，進一步地，無需光微影過程，所以可減少製造時 間。 當遮罩或類似物藉液滴放出法形成時，可改善材料使 用中之效率且可達成在成本及液體廢物處理時間中之降低 ，所以較佳的是，應用液滴放出法於大的母玻璃基板。進 -10- (7) 1356497 一步地’多重顯示面板可由一母基板予以製造；因此，可 預期將降低顯示裝置之價格。 因此，即使是第五代或稍後之大的母玻璃基板，可藉 採用液滴放出法來完成有利的生產線。 根據本發明，在形成圖案之前或之後，附著性可藉底 座預處理予以改善。

【實施方式】 本發明之實施例模式將參照附圖描述於下文。雖然本 發明已完全藉由實施例模式及參照附圖說明，但將瞭解的 是，不同的改變及修正將呈明顯於該等熟習於本項技術之 人士。因此，除非該等改變及修正背離下文中所界定之本 發明的精神及範疇，否則它們應解讀爲包含於其中。在用 以描述該等實施例模式之圖式中，相同的參考符號大致地 給定相同的組件，且該等組件將不再重複描述。

下文中之實施例模式將描繪其中噴墨技術使用爲液滴 放出法；氧化鈦膜使用爲底座預處理之光觸媒；以及Ag使 用於閘極電極、源極電極、及汲極電極之材料的例子。 [實施例模式1] 在此實施例模式中，描述一用以形成第一及第二薄膜 電晶體之方法的實例。 首先，如第1A圖中所示’諸如鋇矽酸硼玻璃或鋁矽酸 硼玻璃；石英基板；不銹鋼基板，巨半導體膜；或類似物 -11 - (8) (8)1356497 之玻璃基板可使用於基板1〇〇。進一步地1諸如由聚乙烯 對苯二甲酯（PET )，聚乙烯萘酸鹽（PEN )，及聚酯硯 (PES)所代表之壓克力或塑膠之撓性合成樹脂所形成之 基板相較於另外材料所形成之基板，大致地具有低的耐熱 溫度，然而，若可忍受製程之處理溫度時，則可使用此一 基板。特別地，在形成包含並不需要熱處理於使半導體膜 結晶化之非晶系半導體膜之薄膜電晶體的例子中，可妥爲 使用由合成樹脂所製成之基板。 較佳地，預先藉化學機械拋光法（CMP)來拋光基板 之表面以改善平坦性，例如CMP之拋光劑（硏磨漿），可 使用其中藉熱分解氯化矽氣體所獲得之烟薰矽石粒子分散 於添加KOH之水溶液中。 視需要地，底座膜可形成於基板100之上，該底座膜 係形成以防止基板1 〇〇中所含之諸如Na之鹼性金屬或鹼土 金屬散佈於半導體膜中及造成反效果於半導體元件特徵上 ，因此，該底座膜可利用諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽 、氧化鈦、或氮化鈦，能抑制鹼金屬或鹼土金屬於半導體 膜之內的絕綠膜形成。底座膜可利用鈦或類似物之導電膜 予以形成，在此例中，導電膜係在若干情況中藉熱處理或 類似物氧化於製造步驟中。特定地，該底座膜之材料可選 擇自具有高度附著性於閘極電極的材料，例如當使用Ag於 閘極電極時，較佳地形成氧化鈦（Ti Ox )之底座膜。應注 意的是’該底座膜可具有單層結構或成層結構。 只要可防止雜質擴散進入半導體膜之內，則無需配置 -12- (9) (9)1356497 底座膜，例如在此實施例中’當半導體膜形成於閘極電極 之上而具有閘極絕緣膜於該處之間時，則無需底座膜，因 爲該閘極絕緣膜可防止雜質擴散進入該半導體膜之內。在 使用諸如玻璃基板或塑膠基板之含有若干鹼性金屬或鹼土 金屬之例子中，提供底座膜以防止雜質散佈將係有效的； 同時，當使用石英基板或類似物時，因爲其中雜質之散佈 並不會產生很大的問題，故不必一定要配置底座膜。 接著，形成光觸媒101於整個表面上以執行底座預處 理，以便形成作用爲閘極電極之導電膜（下文中稱爲閘極 電極），該光觸媒可藉由利用凝膠法之浸塗法、旋塗法、 噴墨法、離子電鍍、離子束法、CVD、濺鍍法、RF磁控管 濺鍍法、電漿噴鍍法、或陽極氧化法予以形成。此外，在 藉含有複數個金屬之氧化物半導體所製成之光觸媒的例子 中，光觸媒可藉混合及溶解構成物元素之鹽類而形成。在 藉諸如浸塗法或旋塗法之塗覆法形成光觸媒的例子中，當 需要去除溶劑時，可烘乾光觸媒或使光觸媒乾燥，特定地 ，加熱於預定溫度處（例如15〇°C至5 00°C )。 在此實施例模式中’ TiOx膜係藉使用凝膠溶液之塗覆 法形成於整個表面上當作光觸媒，該TiOx可具有金紅石型 、銳鈦礦型、或板鈦礦型之晶性’或可具有非晶性。然後 ，執行加熱於150 °C ’ 10分鐘；此外，可執行加熱於250 °C 至5 0 0 °C，1小時。 該T i Ο X膜可改善閘極電極之附著性。 T i Ο X膜可選擇性地形成於將配置有閘極電極之區域， -13- (10) (10)1356497 在此例子中，該閘極電極可製作更精細以便選擇性地形成 一其中TiOx可強力地附著於該閘極電極之區域。TiOx可藉 施加TiOx於整個表面上且接著藉濕式蝕刻法或乾式蝕刻法 去除必要的部分而予以施加；進一步地，在施加該TiOx於 整個表面上之後，可藉選擇性光曝射而執行激活以改善與 該閘極電極之附著性。 選擇性地，Ti之導電膜或類似物可藉濺鍍法形成以用 於底座預處理，因此，可改善閘極電極之附著性且可使閘 極電極製作得更精細，Ti可選擇性地施加於一將配置有例 如將具有TiOx膜之閘極電極的區域，進一步地，TiOx可藉 氧化物Ti而形成於表面上。 選擇性地，諸如耦合劑之有機膜可藉噴墨法形成以用 於底座預處理，可使用甲矽烷基耦合劑、氟基耦合劑、或 類似物當作耦合劑，結果，可改善閘極電極之附著性或可 達成閘極電極之小型化。 進一步地，如具有TiOx膜似地，有機膜可選擇性地形 成於將配置有閘極電極之區域中。 用於底座預處理所形成之膜亦可當作底座膜。因此， TiOx膜可形成爲底座膜及光觸媒。 電漿處理可執行於將配置有閘極電極之表面上當作另 一底座預處理，該電漿處理係執行於下文所述之條件下： 空氣、氧氣或氮氣係使用爲處理氣體，壓力爲數十托（ Torr)至 1000 托（133000 巴（Pa))，較佳地，1〇〇 托（ 13300巴）至1〇〇〇托（133000巴），進—步較佳地，7〇〇托 -14- (11) (11)1356497 ( 93100巴）至800托（ 106400巴）；亦即，脈波電壓施加 於大氣壓力或大氣壓力附近壓力的狀態中，此時，電漿密 度爲將在所謂電暈放電或輝光放電之條件中的1 x丨〇i〇m-3 至1 X 1〇 1 4m·3，較佳地，該電漿處理可執行而無需接觸於 將配置有閘極電極之表面，因此，可改善閘極電極之附著 性且可使閘極電極製作得更精細，將配置有閘極電極之區 域可選擇性地如TiOx膜處理般地以電漿處理。 閘極電極103可藉噴墨法滴落一包含混合於溶劑內之 導電材料的點於第一薄膜電晶體形成區11及第二薄膜電晶 體形成區12中而形成。在此實施例模式中，係滴落其中銀 (Ag)之導電性材料分散於十四烷之溶劑中，此時，點係 滴落自將形成閘極電極之區域上方一噴墨系統的噴嘴104 ，該閘極電極係形成彷若由噴嘴滴落一點所獲得。 然後，當需去除該點之溶劑時，可執行烘乾或乾燥化 之熱處理。特定地，熱處理可較佳地以例如20(TC至3 00 °C 之預定溫度執行於含有氧氣之氛圍中，此時，加熱溫度係 設定使不致產生不平坦於閘極電極的表面上。例如在此實 施例模式中，若使用具有銀（Ag )之點時，則可執行熱處 理於含有氧氣或氮氣之氛圍中，例如氧氣之成分比例設定 爲10%至25%，因此，可分解諸如含於溶劑之點中之黏著 劑的熱硬化樹脂之有機材料，所以可獲得其中不含有機材 料之銀（Ag )，因此’可改善閘極電極表面之平面性以及 可降低比電阻値。 除了銀（Ag )之外’該閘極電極可由選擇自钽、鎢、 -15- (12) (12)1356497 欽、金、鉬、銘、及銅（Cu)之元素，或主要含有該元素 之合金材料或混合物材料所製成，導電膜可藉濺鍍法或電 漿CVD取代噴墨法而形成’由摻雜有諸如磷或AgPdCu合 金之雜質元素之多晶矽膜所代表之半導體膜可使用爲藉濺 鑛法或電漿CVD所形成之導電膜。 該閘極電極可具有單層結構或成層結構，例如含有Ag 點係噴墨法施加而形成底部導電膜，以及Cu可藉噴墨法或 藉濺鑛法施加而形成頂部導電膜。藉施加諸如Cu之低電阻 材’可降低配線電阻及可預防由於配線電阻之加熱或信號 的延遲。底座預處理可執行於底部導電膜之上，且然後形 成頂部導電膜’因此，特別地可改善藉噴墨法所形成之底 部導電膜與頂部導電膜之間的附著性。 可使用電鍍法以形成具有成層結構之閘極電極，例如 第二導電膜可藉電鍍法或非電解電鍍法形成而包圍藉噴墨 法所形成之第一導電膜。特定地，Cu可藉電鍍法施加而包 圍藉噴墨法所施加之Ag ;選擇性地，Cu可藉其中無需電流 之非電解電鍍法施加而包圍藉噴墨法所施加之Ag。結果， 可降低配線電阻及可預防由於配線電阻之加熱或信號的延 遲。尤其，在精細地形成第一導電膜之情況中，較佳地形 成第二導電膜，使得配線電阻可降低。進一步地，在形成 諸如Cu之可高度擴散導體的情況中，較佳地可形成障壁膜 而覆蓋Cu以防止其擴散，可使用氮化矽、氧化矽、硼化鎳 於該障壁膜。 在此例中，電鍍法可藉浸漬基板於其中溶解金屬之溶 -16- (13) (13)1356497 '液中而執行。進一步地，在使用大的母玻璃基板之情況中 ’ ®鍍法可藉流過其中溶解金屬之溶液於該基板上而予以 執行’因此，用於該電鑛之設備無需大。 例如在此實施例模式中，該底座預處理較佳地可執行 於尤其是藉噴墨法之導電膜的形成之前。 進一步地，可形成絕緣膜或導電膜以便覆蓋閘極電極 ’可使用氮化矽或氧化矽於該絕緣膜，以及可使用硼化鎳 (NiB )於該導電膜，因此，可防止該閘極電極氧化，以 及可進一步地可使其表面平坦。 如第1B圖中所示，當作閘極絕緣膜105之絕緣膜（下 文中亦稱爲閘極絕緣膜）係形成覆蓋該閘極電極，諸如氧 化矽、氮化矽或氫氧化矽之絕緣物可藉電漿CVD或濺鍍法 而形成爲閘極絕緣膜。應注意的是，包含諸如聚乙醯胺之 絕緣膜材料的點可藉噴墨法放出而形成閘極絕緣膜。例如 在此實施例模式中，當閘極電極藉銀（Ag )製成時，較佳 地使用氮化矽膜於接觸Ag之絕緣膜而當作閘極絕緣膜，此 係因爲若使用含氧之絕緣膜時將存在閘極電極表面呈粗糙 之問題，此係由於氧化銀會藉由與銀（Ag )反應而形成。 閘極絕緣膜可具有單層結構或成層結構，例如可形成 其中氮化矽、氧化矽、及氫氧化矽依序堆疊之閘極絕緣膜 ，進一步地，閘極絕緣膜可形成於底座預處理之後以用於 改善閘極電極與閘極絕緣膜之附著性，例如TiOx膜及閘極 絕緣膜可順序地堆疊於閘極電極上。此處’該TiOx膜亦當 作絕緣膜。 -17- (14) (14)1356497 例如在此實施例模式中，該底座預處理較佳地可執行 於尤其是藉噴墨法之導電膜的形成之後. 半導體膜106係形成於閘極絕緣膜之上，該半導體膜 可藉電漿CVD，濺鍍法，噴墨法，或類似法予以形成，較 佳地該半導體膜之厚度可爲25奈米（nm)至200奈米（較 佳地，30奈米至60奈米）。取代矽之矽鍺可使用於半導體 膜之材料，在使用矽鍺之例子中，鍺之濃度較佳地約爲 〇.〇1原子百分比至4.5原子百分比。 該半導體膜可由非晶系半導體，其中晶體顆粒分散於 非晶系半導體中之半非晶系半導體，其中0.5奈米至20奈 米之晶體顆粒可發現於非晶系半導體中之微晶半導體，有 機半導體，或晶性半導體所形成。其中0.5奈米至20奈米 之晶粒可發現之微晶體狀態稱爲微晶（με )。 當作半非晶系半導體之材料的利用矽之半非晶矽（亦 稱爲SAS)可藉輝光放電分解矽化物氣體而取得。除了矽 化物氣體之外，亦可利用氟（F2)來形成SAS。可使用 SiH4來當作典型的矽化物氣體；此外，亦可使用Si2H6、 SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4或類似物當作矽化物氣體。 SAS可易於藉稀釋矽化物氣體於氫氣’或氫氣與一或更多 種選擇自氦氣、氬氣、氪氣、及氖氣之稀有氣體元素而獲 得。較佳地，稀釋該矽化物氣體使得稀釋比例係在1 0倍至 1000倍的範圍中；SAS亦可以以氦氣來稀釋Si2H6及GeF4而 獲得。 較佳地，藉輝光放電分解之膜的反應性形成執行於降 -18- (15) 1356497 低壓力之下，且該壓力約可爲O.lPa至133 Pa，輝光放電之 功率可爲1MHz至120MHz，較佳地，13MHz至60MHz之高 頻率功率，該基板加熱溫度較佳地爲300 °C或更小，且更 佳地，係建議l〇〇°C至250°C的基板加熱溫度。 當作非晶系半導體之材料的利用矽之非晶矽（亦稱爲 AS )可利用矽化物氣體形成，可利用Si2H6、SiH2Cl2、 SiHCl3、SiCl4、SiF4或類似物，以及SiH4當作典型的矽化 物氣體，矽化物氣體可稀釋於氫氣，或氫氣與一或更多種 選擇自氦氣、氬氣、氪氣、及氖氣之稀有氣體元素。在此 實施例模式中’非晶系矽膜係藉電漿CVD形成爲半導體膜

此一 S AS或AS可具有單層結構或成層結構，在成層結 構之例子，SAS或AS可藉改變膜形成氣體的種類或流率而 連續性形成’無需暴露於大氣，例如具有成層結構之SAS 可藉首先施加矽化物氣體及氟基氣體，以及接著以氫基氣 體取代該氟基氣體而形成。 接著’當作通道保護膜之絕緣膜（下文中稱爲通道保 護膜）1〇8形成於半導體膜之上’有機材料或無機材料可 使用於通道保護膜之材料，聚乙醯胺、壓克力、聚酿胺、 聚乙胺醯胺、苯并環丁烯、矽氧烷、聚矽氮烷、或光阻材 料可使用爲該有機材料。矽氧烷係以藉矽（Si)及氧（〇 )之結合所組成的骨架結構所形成，且含氫爲置換物，或 含氟、烷基族 '及芳香烴之至少之一爲置換物。聚矽氮烷 係以含有矽（Si)及氮（N)之結合的聚合物材料之液體 -19- (16) (16)1356497 材料所形成。可使用氧化矽或氮化矽當作無機材料。 通道保護膜可藉噴墨法或電漿CVD形成，在採用噴墨 法之例子中，該通道保護膜可選擇性地形成於該半導體膜 之上；同時，在電漿CVD之例子中，該通道保護膜需予以 蝕刻，此處，該通道保護膜可利用已形成於該通道保護膜 上之遮罩予以蝕刻，例如該遮罩可藉使用閘極電極爲遮罩 以曝射自背面而形成於通道保護膜之上，或該遮罩可藉噴 墨法選擇性地形成於該通道保護膜之上。 接著，形成一具有一導電性之半導體膜，具有一導電 性之該半導體膜可藉電漿CVD、濺鍍法、噴墨法、或類似 法予以形成。較佳地，提供具有一導電性之半導體膜，因 爲半導體膜與電極間之接觸電阻會降低；然而，該半導體 膜無需一定要形成。在此實施例模式中，可藉電漿CVD形 成具有η型導電性之n型半導體膜109。 如第1C圖中所示，形成用以製作半導體膜1〇6及η型半 導體膜109圖案爲所企望形狀的遮罩ΐη，較佳地藉噴墨 法形成遮罩以改善材料使用上之效率以及減低成本及廢液 數量’選擇性地，該遮罩可藉光微影術予以形成，進一步 地’若藉噴墨法形成遮罩時，可簡化光微影術之過程，例 如光罩之形成及曝射步驟爲冗餘的，而可達成裝備成本及 製造時間上之降低。在此實施例模式中，該遮罩係藉噴墨 法形成’含有遮罩材料之點係從欲配置遮罩之區域上方的 噴嘴1 〇 4施加。 可使用無機材料（諸如氧化矽、氮化矽、或氫氧化矽 -20- (17) (17)1356497 )’光敏或非光敏有機材料（諸如聚乙醯胺、壓克力、聚 醯胺 '聚乙胺醯胺、聚乙烯醇、苯并環丁烯、或光阻材料 )當作遮罩材料，例如在利用聚乙醯胺藉噴墨法形成遮罩 的例子中’聚乙醯胺可藉噴墨法施加於所企望之部分，且 之後可加熱處理於150 °C至300 °C用於烘乾。 如第1D圖中，半導體膜106及n型半導體膜109係利用 遮罩藉乾式蝕刻法或濕式蝕刻法予以蝕刻。在該鈾刻之後 ’執行電漿處理或類似處理以去除該等遮罩，應注意的是 ’該等遮罩可無需去除，使該等遮罩可用作絕緣膜。 如第2Α圖中所示，形成作用爲源極電極及汲極電極之 導電膜（下文中稱爲源極電極及汲極電極），可使用含有 金、銀、銅、鋁、鈦、鉬、鎢、或矽之元素的膜，或含有 上述元素之合金膜於該等導電膜。在此實施例模式中，源 極電極及汲極電極115係藉噴墨法放出含有導體於溶劑中 之點而形成。特定地，該等電極可以以相似於第1 Α圖中所 示之閘極電極之方式形成；施加其中銀（Ag)之導體分散 於十四烷溶劑中之點，此處，該等點係從源極電極及汲極 電極上方之噴嘴放出以便施加於所企望之區域上。如閘極 電極般地，該源極電極及汲極電極可具有單層結構或成層 結構。 在利用Ag於如該實施例模式中之源極電極及汲極電極 的例子中，可形成氮化矽膜當作絕緣膜以作用爲保護膜， 因此可避免閘極電極表面之粗糖。 選擇地，底座預處理可執行於作用爲源極電極及汲極 -21 - (18) (18)1356497 電極之導電膜的形成之前及/或之後，因此，可改善源極 電極及汲極電極之附著性，例如可薄薄地形成Ti Ox膜或Ti 膜於該η型半導體膜之上，以及可藉噴墨法形成源極電極 及汲極電極。 接著，視需要地，該等點之溶劑可如閘極電極般地藉 烘乾或乾燥法之熱處理予以去除。在利用如該實施例模式 中之含銀（Ag)之點的例子中，可執行熱處理於含氧及氮 之氛圍中，例如氧之組成比例可設定於1 0%至25%。 進一步地，可如上述地電鍍該源極電極及汲極電極。 如第2B圖中所示，該η型半導體膜109可利用源極電極 及汲極電極當作遮罩予以蝕刻；使得源極電極及汲極電極 可防止短路於該η型半導體膜。此時，通道保護膜將蝕刻 至某一程度，藉此，可完成作用爲第一及第二薄膜電晶體 之主動元件。 接著，藉乾式蝕刻法或濕式蝕刻法形成接觸孔於閘極 絕緣膜之中，使得第一薄膜電晶體之源極電極及汲極電極 與第二薄膜電晶體之閘極電極連接。此處，形成遮罩（未 顯示），且可利用該遮罩形成接觸孔於閘極絕緣膜之中， 該遮罩可藉噴墨法或光微影術形成，該接觸孔可利用該源 極電極及汲極電極爲遮罩而形成於閘極絕緣膜之中。在此 例子中，係去除其中並未形成源極電極及汲極電極之地區 上的閘極絕緣膜。 然後’形成用以連接第一薄膜電晶體之源極電極或汲 極電極與第二薄膜電晶體之閘極電極的導電膜116於接觸 -22- (19) (19)1356497 孔之上，可使用含有金、銀、銅、鋁、鈦、鉬、鎢、或矽 之元素的膜，或含有上述元素之合金膜於該等導電膜。在 此實施例中，該導電膜係藉噴墨法形成，因此，含有導電 材料之點係從欲配置導電膜之區域上方的噴嘴放出。 在此例中，該導電膜116可形成爲源極電極及汲極電 極之部件。 在形成該閘極絕緣膜之前可形成該導電膜於柱狀以連 接第一薄膜電晶體之源極電極或汲極電極於第二薄膜電晶 體之閘極電極。在形成該閘極絕緣膜之後，可蝕平該閘極 絕緣膜以便暴露該柱狀導電膜的邊緣，該第一薄膜電晶體 之源極電極或汲極電極與該第二薄膜電晶體之閘極電極可 透過該柱狀導電膜連接。在此例中，接觸孔無需形成於該 閘極絕緣膜之中。 如上述地，完成其中已配置源極電極及汲極電極之薄 膜電晶體。在此實施例模式中之薄膜電晶體係所謂底部電 極薄膜電晶體，其閘極配置於半導體膜下方。特定地，該 薄膜電晶體係稱爲配置有通道保護膜之通道保護型，而配 置有複數個該等電晶體之基板則稱爲TFT基板。 如第2C圖中所示，柱狀導電膜1 17形成於第二薄膜電 晶體之源極電極或汲極電極之上，可使用含有金、銀、銅 、銘、欽、銀、鎢、或砂之元素的膜，或含有上述元素之 合金膜於該柱狀導電膜，該柱狀導電膜可藉噴墨法，CVD 或濺鍍法形成，在此實施例模式中之柱狀導電膜係藉噴墨 法形成，在噴墨法之例子中的點係從欲配置導電膜之區域 -23- (20) 1356497 上方的噴嘴104放出，此處，該等點可較佳地滴落若干次 以形成該柱狀導電膜爲所企望之高度。進一步地，每次當 施加點之時，較佳地執行熱處理，藉熱處理烘乾該導電膜 可獲得適當的硬度；因此，可易於形成該柱狀導電膜。若 含有導體之該等點的黏度適當時，則可藉一次或很少次之 點的施加來形成該柱狀導電膜。

如第2D圖中所示，形成絕緣膜（下文稱爲層間絕緣膜 )1 1 8，可使用有機樹脂或無機樹脂於該層間絕緣膜，可 使用聚乙醯胺、壓克力、聚醯胺、聚乙胺醯胺、苯并環丁 烯、矽氧烷、聚矽氮烷、或光阻材料爲有機材料；可使用 氧化矽或氮化矽爲無機材料。進一步地，可藉諸如旋塗法 、浸塗法、電漿CVD、或噴墨法形成該層間絕緣膜，若母 玻璃基板較大時，將難以應用旋塗法，因此，大的母玻璃 基板可傾斜地配置，使得含有該層間絕緣膜材料之溶液可 施加自基板的上緣，較佳地，平面性可藉形成層間絕緣膜 而予以改善。 進一步地，底座預處理可在形成源極電極及汲極電極 之後執行以改善該源極電極及汲極電極以及該層間絕緣膜 的附著性。 之後，形成畫素電極11 9以便連接該柱狀導電膜117。 視需要地，可蝕平該層間絕緣膜以暴露該柱狀導電膜之末 端部分，該畫素電極119可藉濺鍍法或噴墨法形成；進一 步地，畫素電極可由透光材料或不透光材料形成，例如 ITO或類似物可使用於透光材料而金屬膜則可使用於不透 -24- (21) (21)1356497 光材料。可使用銦錫氧化物（ITO)，其中2%至20 %之氧 化鋅（ΖηΟ )混合於氧化銦中之銦鋅氧化物（ΙΖ〇 )，其 中2%至20%之氧化砂（81〇2)混合於氧化銦中之1丁〇_§丨〇乂 (爲方便起見，稱爲ITSO或ΝΙΤΟ)，有機銦、有機錫、 氮化鈦（TiN)，或類似物爲畫素電極之指定材料。在此 實施例模式中，畫素電極可藉濺鍍法由NITO形成，在利用 NITO於畫素電極之例子中，NITO可較佳地在形成氮化矽 膜於層間絕緣膜上之後形成。 接著，作爲分隔物或堆積之絕緣膜120可形成以覆蓋 畫素電極11 9之末端部分，可使用無機材料（諸如氧化矽 、氮化矽、氫氧化矽），光敏或非光敏有機材料（諸如聚 乙醯胺、壓克力、聚醯胺、聚乙胺醯胺、苯并環丁烯、或 光阻材料）、矽氧烷、聚矽氮烷、或其疊層結構；可使用 正光敏有機樹脂或負光敏有機樹脂當作有機材料，例如在 利用正光敏壓克力爲有機材料之例子中，該光敏有機樹脂 可藉光曝射蝕刻而形成具有曲率之開口於上端部分，此可 避免稍後將形成之電致發光層的不連續性或類似者。在此 狀態中之TFT基板稱爲模組式TFT基板。 具有由電鍍法所形成之成層結構的閘極電極之橫截面 視圖顯示於第22圖中，由銅所形成之導電膜1〇2藉電鍍法 形成於閘極電極1 〇 3周圍’其他結構則如第2 D圖般地’且 其說明將予以省略。 進一步地’由銅所製成之導電膜可形成於源極電極或 汲極電極周圍。 -25- (22) (22)1356497 在第23圖中，顯示電鏟之模式，且將藉描述用以從大 的母玻璃基板獲得四個面板之晶板切割的例子。 如第23 A圖中所示，例如藉噴墨法施加Ag於相同於閘 極電極103之層而形成用以供應電流之導電膜180，該導電 膜180可由相異於閘極電極之材料形成或可由將以電鍍法 予以處理之Cu形成，因此，Cu可較佳地施加於由Ag所形 成之閘極電極之上，結果，該Cu可藉電鍍法而均勻地形成 〇 如第23B圖中所示，基板100係固定於台184，以及一 用以施加其中溶解金屬之溶液的頭181，一用以淸洗其中 溶解金屬之溶液的頭182，及一用以噴灑氣體以使乾燥之 頭183係順序地配置於該基板上方，藉此設置複數個噴嘴 可達成連續的處理且可改變輸貫量。在藉電鍍法施加Cu的 例子中，可利用含有硫酸銅及稀釋硫酸的溶液爲其中溶解 金屬的溶液，可利用氧氣、氮氣、或其混合氣體當作乾燥 氣體，進一步地可噴灑熱氣體以用以加速乾燥。 在此狀態中，基板100係以箭頭方向移動，且電鍍可 執行於大的母玻璃基板之上，該基板100及該等頭181、 182、及183可相對地移動。 如第23 C圖中所示，基板100固定於台184且傾斜地安 排具有Θ之角度，該角度0可範圍在〇°<0<9〇。，較佳地 ，在45。<0<8〇。。進一步地，溶液可在9〇。<0<12〇。之 角度範圍以高壓噴灑自頭1 8 1。類似地，淸洗水係從頭1 82 以高壓噴灑，以及氣體從頭1 8 3以高壓噴灑。在此例中， -26- (23) (23)1356497 溶液滴落而無需流動於基板100上；因此，可避免溶液之 不均勻性。因爲該基板係如上述地傾斜配置，故即使該母 玻璃基板較大，亦可防止電鑛機器免於更大。 進一步地，該台184包含導體及絕緣物185，該等導體 之一作用爲陽極以及另一作用爲陰極，電鍍可藉流動電流 於它們而執行，該台184可分別地配置導體及絕緣物。 此外，不似此實施例模式地，電鏟可藉浸漬該基板 10 0於其中溶解金屬之溶液中而執行。 進一步地，導電膜102可藉非電解電鍍法形成於該閘 極電極周圍，該非電解電鍍法由於在溶液中之金屬離子的 減少而無需電流流動。在此例中，使用於流動電流之導電 膜1 8 0並非必要的。 至於此實施例模式中所示之薄膜電晶體，至少一導電 膜或除了該導電膜之外的遮罩係藉噴墨法形成，因此，只 要採用噴墨法於一用以形成導電膜或除了該導電膜之外的 遮罩的步驟中，則其他導電膜可藉除了噴墨法之外的方法 形成。當採用噴墨法於一步驟時，可改善材料使用中之效 率且可達成在成本及廢液數量中之減少。尤其，當藉噴墨 法形成遮罩時，相較於光微影術，可簡化該過程。因此， 諸如裝備成本之成本及製造時間可予以降低。 如上述地，可獲得一具有藉底座預處理而製成更爲精 細之閘極電極，源極電極及汲極電極的薄膜電晶體。進一 步地’在選擇性地執行底座預處理之例子中，可沿著藉底 座預處理所處理之區域形成配線，即使當點係以某一程度 -27- (24) (24)1356497 之失準而放出時；藉此可使配線之形成能對齊。 [實施例模式2] 在此實施例模式中，將描述以一相異於上述實施例模 式之方法形成第一及第二薄膜電晶體之實例。特定地’配 置於層間絕緣膜中之接觸孔係以不同方式形成，其他結構 則相似於上述實施例模式，因此將省略該說明。 如第3A圖中所示，第一及第二薄膜電晶體係如上述實 施例模式地予以形成。在此實施例模式中，形成層間絕緣 膜118以便覆蓋該第一及第二薄膜電晶體而無需形成柱狀 導電膜。 接著，形成遮罩於該層間絕緣膜之上，該遮罩可藉噴 墨法或光微影術形成。在此實施例模式中，遮罩藉噴墨法 形成。當藉噴墨法形成該遮罩時，可簡化光微影術過程， 換言之，並不需要形成光罩之步驟，光曝射步驟，及類似 步驟。因此，可降低設施之投資成本且可縮短製造時間。 此處，含遮罩材料之點係滴落自將形成遮罩之區域上方的 噴嘴1 04。 然後，利用該遮罩藉乾式鈾刻法形成接觸孔1 22於層 間絕緣膜之中，該接觸孔係形成於一連接於第二薄膜電晶 體之源極電極或汲極電極之部位中。 如第3B圖中所示，柱狀導電膜123形成於該接觸孔之 中，可使用含有金、銀、銅、鋁、鈦、鉬、鎢、或矽之元 素的膜，或含有上述元素之合金膜於該柱狀導電膜，該柱 -28- (25) (25)1356497 狀導電膜可藉噴墨法、CVD、或濺鍍法形成。在此實施例 模式中，該柱狀導電膜藉噴墨法形成。在噴墨法的例子中 ’點係從配置導電膜之區域上方的噴嘴104放出，此時， 該等點可較佳地滴落複數次以形成該柱狀導電膜於所企望 之高度。在此實施例模式中，無需每次施加點時均執行熱 處理，因爲接觸孔的側壁可堆積。 如弟3C圖中所不，畫素電極119形成以便如上述實施 例模式似地連接於柱狀導電膜，然後，作用爲堆積或分隔 物之絕緣膜120形成以便覆蓋畫素電極之末端部，因此， 可形成模組式TFT基板。 至於此實施例模式中所示之薄膜電晶體，至少一導電 膜或除了該導電膜之外的遮罩係藉噴墨法形成，因此，只 要採用噴墨法於一個以形成導電膜或除了該導電膜之外的 遮罩的步驟中，則其他導電膜可藉除了噴墨法之外的方法 形成。當採用噴墨法於一步驟時，可改善材料使用中之效 率且可達成在成本及廢液數量中之減少。尤其，當藉噴墨 法形成遮罩時，相較於光微影術，可簡化該過程。因此， 諸如裝備成本之成本及製造時間可予以降低。 如上述地，可獲得一具有藉底座預處理而製成更爲精 細之閘極電極，源極電極及汲極電極的薄膜電晶體。進一 步地，在選擇性地執行底座預處理之例子中，可沿著藉底 座預處理所處理之區域形成配線，即使當點係以某一程度 之失準而放出時；藉此可使配線之形成能對齊。 -29- (26) (26)1356497 [實施例模式3] 在此實施例模式，將描述以一相異於上述實施例模式 之方法成第一及第二薄膜電晶體之實例。特定地，層間絕 緣膜以不同的方式形成，其他結構相似於上述實施例模式 ;因此將省略該說明。 如第4A圖中所示，第一及第二薄膜電晶體係如上述實 施例模式地予以形成，且層間絕緣膜形成以便覆蓋該第一 及第二薄膜電晶體。在此實施例模式中，該層間絕緣膜藉 噴墨法形成，該層間絕緣膜125係形成以便不覆蓋於連接 畫素電極之第二薄膜電晶體的源極電極或汲極電極。此處 ，含絕緣膜材料之點係從將配置該層間絕緣膜之地區上方 的噴嘴放出，如第4A圖中所示之此一層間絕緣膜可藉適當 地設定該等點之黏度而形成，因此，並不需要用以連接該 畫素電極到該層間絕緣膜的接觸孔。 如第4B圖中所示，畫素電極119形成於層間絕緣膜之 開口 126之上，該畫素電極可藉濺鍍法或噴墨法形成，進 一步地，畫素電極可由透光材料或不透光材料形成，例如 ITO或類似物可使用爲透光材料而金屬膜則可使用爲不透 光材料。可使用銦錫氧化物（IT 0 )，其中2 %至2 0 %之氧 化鋅（ZnO )混合於氧化銦中之銦鋅氧化物（IZ〇)，其 中2%至20%之氧化矽（Si〇2 )混合於氧化銦中之IT〇 — SiOx (爲方便起見，稱爲ITS0或ΝΙΤ0)、有機銦、有機 錫' 氮化鈦（TiN)、或類似物當作畫素電極之指定材料 。在此實施例模式中’含有透明導體材料之點從噴嘴1〇4 -30- (27) 1356497 放出以形成畫素電極119。

如第4C圖中所示，作爲堆積或分隔物之絕緣膜120可 形成以覆蓋畫素電極之末端部分以及開口上之畫素電極（ 亦統稱爲部分之畫素電極），此處，絕緣膜120形成以覆 蓋平坦區域外部之部分之畫素電極而暴露出平坦區域中的 畫素電極，因此，可防止稍後將形成之電致發光層的不連 續性，進一步地，該電致發光層可形成於層間絕緣膜之上 而無需形成絕緣膜120，因此，可形成模組式TFT基板。

至於此實施例模式中所示之薄膜電晶體，至少一導電 膜或除了該導電膜之外的遮.罩係藉噴墨法形成，因此，只 要採用噴墨法於一用以形成導電膜或除了該導電膜之外的 遮罩的步驟中，則其他導電膜可藉除了噴墨法之外的方法 形成。當採用噴墨法於一步驟時，可改善材料使用中之效 率且可達成在成本及廢液數量中之減少。尤其，當藉噴墨 法形成遮罩時，相較於光微影術，可簡化該過程。因此， 諸如裝備成本之成本及製造時間可予以降低。 如上述地，可獲得一具有藉底座預處理而製成更爲精 細之閘極電極、源極電極及汲極電極的薄膜電晶體。進一 步地，在選擇性地執行底座預處理之例子中，可沿著藉底 座預處理所處理之區域形成配線，即使當點係以某一程度 之失準而放出時；藉此可使配線之形成能對齊。 [實施例模式4] 在此實施例模式中，將描述以一相異於上述實施例模 -31 - (28) (28)1356497 式之方法形成第一及第二薄膜電晶體之實例。特定地，接 觸孔及層間絕緣膜以不同的方式形成，其他結構則相似於 上述實施例模式，因此將省略該說明。 如第5A圖中所示，第一及第二薄膜電晶體係如上述實 施例模式地予以形成。在其係排斥液體且具有柱狀形狀之 有機膜128形成之後，層間絕緣膜1 18藉噴墨法形成，以便 覆蓋該等薄膜電晶體。在此時候，該層間絕緣膜並未形成 於該有機膜之上，因爲該有機膜會排斥層間絕緣膜。 該有機膜可藉噴墨法由例如PVA (聚乙烯醇）或FAS (氟烷基甲矽烷）形成，進一步地，該有機膜可以以電漿 、雷射、電子束、或類似物予以處理，因此，可改善該有 機膜之液體排斥性。至於細節，可參考本發明申請人之曰 本專利申請案第2003-344880號。 如第5B圖中所示，該有機膜128可選擇性地藉乾式蝕 刻法、濕式蝕刻法，利用常壓電漿之鈾刻法、水洗法、或 利用雷射或雷子束之處理予以去除。在此實施例模式中， 該有機膜128藉水洗法予以去除。因此，可利用其中去除 該有機膜之地區當作接觸孔129。 如第5C圖中所示，畫素電極119形成，該畫素電極可 藉濺鍍法或噴墨法形成，進一步地，該畫素電極可由透光 材料或不透光材料形成，例如ITO可使用爲透光材料而金 屬膜則可使用爲不透光材料。可利用銦錫氧化物（TIO ) ’其中2 %至2 0 %之氧化鋅（Ζ η Ο )混合於氧化銦中之銦鋅 氧化物（IΖ 0 )，其中2 %至2 0 %之氧化矽（S i 0 2 )混合於 -32 - (29) 1356497 氧化銦中之ITO — SiOx (爲方便起見，稱爲ITSO或NITO) 、有機銦、有機錫、氮化鈦（TiN )、或類似物當作畫素 電極之指定材料。在此實施例模式中，含有透明導電材料 之點從噴嘴104滴落而形成畫素電極119。在此時候，應控 制來自該接觸孔上方之噴嘴104之點的數量。

然後’如上述實施例模式地，可形成作用爲堆積或分 隔物之絕緣膜以覆蓋畫素電極之末端部分，因此，可形成 模組式TFT基板。

至於在此實施例模式中所示之薄膜電晶體，至少一導 電膜或除了該導電膜之外的遮罩係藉噴墨法形成，因此， 只要採用噴墨法於一用以形成導電膜或除了該導電膜之外 的遮罩的步驟中，則其他導電膜可藉除了噴墨法之外的方 法形成。當採用噴墨法於一步驟時，可改善材料使用中之 效率且可達成在成本及廢液數量中之減少。尤其，當藉噴 墨法形成遮罩時，相較於光微影術，可簡化該過程。因此 ，諸如裝備成本之成本及製造時間可予以降低。 如上述地’可獲得一具有藉底座預處理而製成更爲精 細之閘極電極、源極電極及汲極電極的薄膜電晶體。進一 步地，在選擇性地執行底座預處理之例子中，可沿著藉底 座預處理所處理之區域形成配線，即使當點係以某一程度 之失準而放出時；藉此可使配線之形成能對齊。 [實施例模式5] 在此實施例模式中’將描述以一相異於上述實施例模 -33- (30) 1356497 式之方法形成第一及第二薄膜電晶體之實例。特定地，接 觸孔及層間絕緣膜係以不同方式形成，其他結構則相似於 上述實施例模式，因此將省略該說明。 如第0A圖中所示地’第一及第二薄膜電晶體係如上述 實施例模式予以形成。之後，其係排斥層間絕緣膜之膜 136係形成於將配置有在源極電極及汲極電極，通道保護 膜，及閘極絕緣膜，或類似物之上的層間絕緣膜之表面上 ’例如可藉噴墨法施加PVA (聚乙烯醇）或FAS (氟烷基 甲矽烷）來當作排斥液體之膜。 如第6B圖中所示，選擇性地所形成遮罩131，該遮罩 可藉噴墨法由例如聚乙醯胺、聚乙烯醇、或類似物形成， 其係排斥液體之膜I 36利用該遮罩1 3 1而選擇性地去除，該 膜1 3 6可藉乾式蝕刻法、濕式蝕刻法，利用常壓電漿之餓 刻法、水洗法、或利用雷射或電子束之處理予以去除。在 此實施例模式中，其係排斥液體之膜藉使用氧氣之電漿處 理在大氣壓力下去除，之後，遮罩131藉相似之方法去除 。在此實施例模式中，該遮罩可藉水洗法去除。 如第6 C圖中所示，形成層間絕緣膜1 1 8，該層間絕緣 膜並未形成於其係選擇性地形成之液體排斥膜之上，因此 ，形成開口 Π 5。 示 所 中 圖 D 6 第 如 成 形 9 1 極 電 素 畫 作之 及極 以電 積 •J·**·- 堆 爲 用 分 部 端 末 膜素 緣畫 絕之 之上 物口 隔開 分該 或及 可 極 , 素畫 上畫之 之蓋分 35覆部 P1以爲 開成稱 於形統 極 電 素 -34- (31) (31)1356497 至於在此實施例模式中所示之薄膜電晶體，至少一導 電膜或除了該導電膜之外的遮罩係藉噴墨法形成，因此， 只要採用噴墨法於一用以形成導電膜或除了該導電膜之外 的遮罩的步驟中，則其他導電膜可藉除了噴墨法之外的方 法形成。當採用噴墨法於一步驟時，可改善材料使用中之 效率且可達成在成本及廢液數量中之減少。尤其，當藉噴 墨法形成遮罩時，相較於光微影術，可簡化該過程。因此 ，諸如裝備成本之成本及製造時間可予以降低。 如上述，可獲得一具有藉底座預處理而製成更爲精細 之閘極電極、源極電極及汲極電極的薄膜電晶體。進一步 地，在選擇性地執行底座預處理之例子中，可沿著藉底座 預處理所處理之區域形成配線，即使當點係以某一程度之 失準而放出時；藉此可使配線之形成能對齊。 [實施例模式6] 在此實施例模式中，將描述以一相異於上述實施例模 式之方法形成第一及第二薄膜電晶體之實例。特定地，其 中並未配置通道保護膜之結構係相異的，其他結構則相似 於上述實施例模式，因此將省略該說明。 如第7 A圖中所示，T i Ο X膜1 0 1如上述實施例模式地形 成於基板1〇〇上當作光觸媒；閘極電極103形成於將配置第 —及第二薄膜電晶體之區域11及12中。進—步地，依序形 成閘極絕緣膜105，半導體膜106，及η型半導體膜109。在 如上述之藉電漿CVD形成半導體膜及η型半導體膜之例子 -35- (32) (32)1356497 中’該半導體膜106’ n型半導體膜109，及閘極絕緣膜可 較佳地連續形成。在此例中’該等膜可藉改變材料氣體之 供應而連續性形成，無需暴露於大氣。 之後’形成遮罩111以用於製作半導體膜1〇6&η型半 導體膜109爲所企望的形狀。 如第7Β圖中所示，在製作該半導體膜及η型半導體膜 圖案之後’絕緣膜130形成圍繞該半導體膜及η型半導體膜 •’應注意的是’該η型半導體膜必須連接於將在稍後形成 之源極電極及汲極電極’因此，該絕緣膜13〇形成圍繞著 ，以便暴露該η型半導體膜。 有機材料或無機材料可使用於絕緣膜130之材料；聚 乙醯胺、壓克力、聚醯胺、聚乙胺醯胺、苯并環丁烯、矽 氧院、聚砂氮烷、或光阻材料可使用爲有機材料；氧化矽 或氮化矽可使用爲無機材料；該絕緣膜130可藉噴墨法或 電漿CVD形成。 該絕緣膜130作成較小的階梯圍繞半導體膜及η型半導 體膜’且可作成該表面更平滑，因此，可防止將於稍後形 成之源極電極與汲極電極間之不連續性。其中該絕緣膜 13 0形成圍繞半導體膜及η型半導體膜的結構可以與其他實 施例模式結合。 之後，藉使用源極電極及汲極電極1 1 5爲遮罩來蝕刻η 型半導體膜109 ’該η型半導體膜蝕刻以便不會使得源極電 極與汲極電極短路。此時，偶爾會多少地蝕刻該半導體膜 -36- 1356497 得電施 第之 元 膜配薄 使膜實 到孔 動 薄極該 ， 薄述 極觸 主 之閘， 上二上 電接 之 極其地 之第據 極於 體 電謂定 膜於依 汲成。晶 極所特 緣接可 或形成電 汲係。 絕連孔 極可形膜 及體體 極極觸 電16式薄 極晶晶 閘電接 極 1 模二 電電電 於極之 源膜例第 極膜膜 孔汲膜 之電施及 源薄薄 觸或緣 體導實一 置之極 接極絕 晶的述第 配中閘 成電極 電極上爲 已式部 形極閘 膜電據用 中模底 法源該 薄極π作 其例之 刻之， | 閘6ΠΤ成 成施方 } 蝕體極 第之11完 完實下 (33藉晶電。接體膜可 ，此膜 ( ，電極成連晶電， 述在體 著膜閘形以電導此 上，導 接薄之式用膜該因 如體半 一體模 薄， 。 晶於 第晶例 二中 件 電置 膜電晶體稱爲通道鈾刻型，其並未配置有通道保護膜。配 置有複數個該等薄膜電晶體之基板則稱作TFT基板。 如第7C圖中所示，柱狀導電膜11 7形成於該第二薄膜 電晶體之源極電極或汲極電極之上；然後，作用爲堆積或 分隔物之層間絕緣膜118，畫素電極119，及絕緣膜120形 成；作用爲堆積或分隔物之柱狀導電膜117，層間絕緣膜 118，畫素電極119，及絕緣膜120可依據上述實施例模式 形成。進一步地，在第7C圖中，柱狀導電膜117，層間絕 緣膜118，畫素電極119，及類似物形成以便相對應於實施 例模式1，然而，此實施例模式可隨意地與實施例模式2至 5之任一相結合，此狀態之TFT基板稱爲模組式TFT基板。 至於此實施例模式中所示之薄膜電晶體，至少一導電 -37 - (34) (34)1356497 膜或除了該導電膜之外的遮罩係藉噴墨法形成，因此，只 要採用噴墨法於一用以形成導電膜或除了該導電膜之外的 遮罩的步驟中，則其他導電膜可藉除了噴墨法之外的方法 形成。當採用噴墨法於一步驟時，可改善材料使用中之效 率且可達成在成本及廢液數量中之減少。尤其，當藉噴墨 法形成遮罩時，相較於光微影術，可簡化該過程。因此， 諸如裝備成本之成本及製造時間可予以降低。 如上述地，可獲得一具有藉底座預處理而製成更爲精 細之閘極電極、源極電極及汲極電極的薄膜電晶體。進一 步地，在選擇性地執行底座預處理之例子中，可沿著藉底 座預處理所處理之區域形成配線，即使當點係以某一程度 之失準而放出時；藉此可使配線之形成能對齊。 [實施例模式7] 在此實施例模式中，將描述以一相異於上述實施例模 式之方法形成第一及第二薄膜電晶體之實例。特定地，配 置於層間絕緣膜中之接觸孔係以不同的方式形成，其他結 構則相似於上述實施例模式，因此將省略該說明。 如第8A圖中所示，TiOx膜101形成於基板1〇〇之上，底 座膜可視需要如上述地形成於該基板之上，諸如氧化矽、 氮化矽、氮氧化矽、氧化鈦、或氮化鈦可使用於該底座膜 。在此實施例模式中，該TiOx膜作用爲底座膜。 在其中將形成第一及第二薄膜電晶體之地區11及12中 ’將形成源極電極及汲極電極115，該源極電極及汲極電 -38- (35) (35)1356497 極可依據上述實施例模式形成。在此實施例模式中，該等 電極藉噴墨法滴落含有Ag之點而形成；然後，視需要地形 成η型半導體膜109，結果，在源極電極與源極電極，及半 導體膜之間的電阻會較佳地減少。在形成η型半導體膜之 例子中，該η型半導體膜需予以蝕刻，使得源極電極與汲 極電極將由於該η型半導體膜而不會短路。 半導體膜106及閘極絕緣膜105依序地形成，該半導體 膜及閘極絕緣膜可利用不同的材料氣體而連續地形成，該 半導體膜及閘極絕緣膜可依據上述實施例模式形成；然後 ，形成遮罩（未顯示）且製作該η型半導體膜109，半導體 膜1 06，及閘極絕緣膜1 05圖案爲所企望之形狀。 閘極電極1 03形成於半導體膜之上，該閘極電極可依 據上述實施例模式形成。在此實施例模式中，含有Ag之點 藉噴墨法施加。 然而，並未顯示地，保護膜可較佳地形成於該閘極電 極之上，該保護膜可形成具有單層結構或含氮化矽、氧化 矽、及類似物之成層結構，例如可形成其中氮化矽、氧化 矽、及氮氧化矽依序堆疊之保護膜。例如在此實施例中， 在使用Ag於該閘極電極之例子中，氮化矽膜可較佳地使用 於其係接觸於Ag之絕緣膜的閘極絕緣膜，此係因爲當使用 含有氧之絕緣膜時，該氧會與Ag反應而形成氧化銀；因而 ，該閘極電極之表面將會粗糙。 用以連接第一薄膜電晶體之源極電極或汲極電極到第 二薄膜電晶體之閘極電極的導電膜116形成，該導電膜可 -39- (36) (36)1356497 依據上述實施例模式形成。 因此’可完成作用爲第一及第二薄膜電晶體之主動元 件。 如上述地，完成其中已配置源極電極及汲極電極之薄 膜電晶體，在此實施例模式中之薄膜電晶體係所謂其閘極 配置於半導體膜上方之頂部閘極薄膜電晶體，配置有複數 個該薄膜電晶體之基板則稱爲TFT基板。 如第8B圖中所示，柱狀導電膜117形成於該第二薄膜 電晶體之源極電極或汲極電極之上；然後，作用爲分隔物 或堆積之層間絕緣膜118，畫素電極119，及絕緣膜120形 成；作用爲堆積或分隔物之柱狀導電膜117，層間絕緣膜 118，畫素電極，及絕緣膜120可依據上述實施例模式形成 。進一步地，在第8B圖中，柱狀導電膜117，層間絕緣膜 1 1 8，畫素電極1 1 9，及類似物形成以便相對應於實施例模 式1，然而，此實施例模式可隨意地與實施例模式2至5之 任一相結合，此狀態之TFT基板稱爲模組式TFT基板。 至於此實施例模式中所示之薄膜電晶體，至少一導電 膜或除了該導電膜之外的遮罩係藉噴墨法形成。因此，只 要採用噴墨法於一用以形成導電膜或除了該導電膜之外的 遮罩的步驟中，則其他導電膜可藉除了噴墨法之外的方法 形成。當採用噴墨法於一步驟時，可改善材料使用中之效 率且可達成在成本及廢液數量中之減少。尤其，當藉噴墨 法形成遮罩時’相較於光微影術，可簡化該過程。因此’ 諸如裝備成本之成本及製造時間可予以降低。 -40- (37) (37)1356497 如上述地，可獲得一具有藉底座預處理而製成更爲精 細之閘極電極、源極電極及汲極電極的薄膜電晶體。進一 步地，在選擇性地執行底座預處理之例子中，可沿著藉底 座預處理所處理之區域形成配線，即使當點係以某一程度 之失準而放出時；藉此可使配線之形成能對齊。 [實施例模式8] 在此實施例模式中，將描述用以使層間絕緣膜平面化 之方法。 如第9A圖中所示，層間絕緣膜118藉噴墨法或塗覆法 形成，該層間絕緣膜之材料可依據上述實施例模式選擇。 在此實施例模式中，使用矽氧烷而藉噴墨法以形成層間絕 緣膜，此時，施加含有有機材料之點，且在加熱之前利用 噴灑氣體之裝置1 5 0使該層間絕緣膜平面化，例如可使用 去除基板或類似物之雜質的空氣刀當作噴灑氣體之裝置， 可使用常壓之空氣，氧氣或氮氣當作該氣體，因此，即使 是在層間絕緣膜表面上之微小的不規則性，亦可使平面化 。在該平面化之後，執行加熱，以及執行烘乾。 柱狀導體117之表面亦可利用噴灑氣體之裝置予以平 面化，例如在形成接觸孔於層間絕緣膜中之後，當藉噴墨 法形成導電膜於該接觸孔中之時，可施加含有導電膜材料 之點，所以在加熱之前可利用噴灑氣體之裝置使該導電膜 之表面平面化。在該平面化之後，執行加熱，以及執行烘 乾。 -41 - (38) 1356497 在形成該導電膜之後，加熱該導電膜至可保持其柱狀 形狀之程度；然後，在加熱之前’可利用噴灑氣體之裝置 使該導電膜及層間絕緣膜之表面平面化。在該平面化之後 ，執行加熱，以及執行烘乾。

進一步地，施加含有導電膜材料之若干點於欲配置導 電膜之區域上，以及形成層間絕緣膜。在其中含有導電膜 材料之點製成排斥液體的例子中，開口形成於該等點上之 層間絕緣膜中；接著，藉施加含有導電膜材料之點於開口 中而形成柱狀導電膜；然後，可利用噴灑氣體之裝置使該 導電膜及層間絕緣膜之表面平面化。在該平面化之後’執 行加熱，以及執行烘乾。 藉改善導電膜及層間絕緣膜之表面的平面性，可形成 其中絕緣膜與導電膜堆疊之多層配線。

在此實施例模式中，層間絕緣膜及類似物之表面可利 用噴灑氣體之裝置予以平面化，其他結構可隨意地與上述 實施例模式結合。 在第9B圖中，顯示平面化過程之大致視圖，在其中噴 灑氣體之裝置150的寬度比配置有層間絕緣膜之基板1〇〇的 寬度更大的例子中，即使在大的母玻璃基板的情況中’生 產率亦可較佳地改善。而且，即使在其中噴灑氣體之裝置 150的寬度比基板1〇〇的寬度更小的例子中’大的母玻璃基 板可藉多重掃描予以平面化。第9圖顯示其中噴灑氣體之 裝置移動之例子；然而’可採用任一結構’只要噴灑氣體 之裝置與基板相對地移動即可。 -42- (39) 1356497 該平面化過程可在常壓或降低壓力下執行。進一步地 ，常壓控制可利用氧氣、氮氣、稀有氣體、或類似氣體執 行於平面化之室中；仍進一步地，可加熱該基板，或可控 制該平面化之室的溫度。 在第10圖中，顯示其中用以藉噴墨法或類似物施加點 之處理室（施加處理室）與平面化之室連接的同軸製造系 統。

用以儲存基板之裝載室200配置於其中放出液滴之施 加處理室202而具有轉移室201於其間，該施加處理室配置 於平面化之室204而具有轉移室203於其間，該基板100依 序地穿過該裝載室，施加處理室，及平面化之室轉移，以 及如上述實施例模式中所示地處理。在該平面化過程之後 ，可執行施加處理。

如第10圖中所示之平面化之室，較佳地，噴灑氣體之 裝置較佳地傾斜配置於基板，此係因爲起始平面化之位置 可予以控制。 此一製造系統較佳地使轉移基板更爲容易。進一步地 ，在控制施加過程及平面化過程中之氛圍的例子中，較佳 地使用同軸製造系統，藉此可執行處理而無需暴露於氛圍 [實施例模式9] 在此實施例模式中，將描述形成電致發光層於上述實 施例模式中所示之模組式TFT基板上的例子。 -43- (40) (40)1356497 如第11A圖中所示，形成開口於作用爲堆積或分隔物 之絕緣膜120中’以暴露畫素電極（亦稱爲發光元件之第 一電極）119。在該絕緣膜中之開口的末端部分爲錐形或 弧形，例如在形成具有正型光敏壓克力之絕緣膜120的例 子中，具有曲率於上方部分之開口可藉曝射蝕刻光敏有機 樹脂而形成’該錐形或弧形之開口可防止將於稍後形成之 電致發光層或類似物免於破裂。 在形成絕緣膜120之後，較佳地在常壓或降低壓力下 執行熱處理，該熱處理可執行於100 °c至450 °c之溫度’較 佳地在250 °C至350 °C之溫度，因而可去除該絕緣膜120之 內部或表面上所吸收之水分。 須注意的是，在此實施例模式中，係利用NITO於畫素 電極：因此，該畫素電極1 19係在氮化矽膜13 2形成於層間 絕緣膜上之後形成。 電致發光層133係形成於層間絕緣膜120的開口中；在 熱處理該層間絕緣膜120之後，較佳地在降低壓力下藉真 空沈積或液滴放出法形成該電致發光層而無需暴露於氛圍 °進一步地，可在形成電致發光層之前藉電漿處理使該絕 緣膜排斥液。在此實施例模式中，該絕緣膜120之開口以 胃#處理’可使用有機材料（含低分子量材料及高分子量 # ^ } ’或有機材料與無機材料之合成材料爲該電致發光 層之材料；該電致發光層可藉噴墨法' 塗覆法、或沈積法 形$ ’高分子量材料可較佳地藉噴墨法或塗覆法施加，低 # ΐ胃材料可較佳地藉沈積法，尤其是真空沈積法予以施 -44- (41) (41)1356497 加。在此實施例模式中，係使用低分子量材料藉真空沈積 法形成電致發光層。 單一激勵狀態及三重激勵狀態可使用於一種形成於電 致發光層中之分子激勵，基態大致地爲單一激勵狀態，而 來自單一激勵狀態之光發射稱爲螢光，來自三重激勵狀態 之光發射稱爲磷光，來自電致發光層之光發射包含藉該兩 激勵狀態之光發射；進一步地，螢光及磷光可結合，且其 各可依據個別RGB之發光性質（諸如光發射冷光或壽命） 而選擇。 大致地，電致發光層係藉由順序地從畫素電極119疊 層HIL (電洞注入層），：HTL (電洞輸送層），EML (發 光層），ETL (電子輸送層），EIL (電子注入層）而形成 。須注意的是，該電致發光層可採用除了疊層結構之外的 單層結構或組合結構。 特定地，分別使用CuPc或PEDOT於HIL，a -NPD於 HTL，BCP 或 Alq3 於 ETL，以及 BCP: Li 或 CaF2 於 EIL，例 如可使用摻雜有相對應於RGB之各光發射之摻雜物的ALq3 (DCM或類似物於R，DMQD或類似物於G )。 應注意的是，電致發光層並未受限於上述材料，例如 電洞注入特性可藉共蒸鍍諸如氧化鉬（Mo Ox : X2 =至3 ) 的氧化物及α-NPD或紅營嫌（rubrene)來增強以取代使 用 CuPc或 PEDOT。 在此實施例模式中，用於紅色（R )，綠色（G )，及 藍色（B )之光發射的材料各選擇性地利用電致發光層1 4 1 -45- (42) (42)1356497 之氣相沈積遮罩或類似物藉氣相沈積法形成。在執行噴墨 法之例子中，紅色（R)，綠色（G)，及藍色（B)之發 光材料可無需使用遮罩地予以施加。 在形成各RGB之電致發光層的例子中，高鮮明度之顯 示器可藉使用濾色片予以執行，此係因爲寬廣的峰値可藉 濾色片而在各RGB之發光頻譜中校正爲尖銳的。 已在上文中描述形成各RGB之電致發光層的例子：然 而，亦可形成單色光發射的電致發光層。在此例子中，可 結合濾色片或彩色轉換層而以全色顯示，例如當形成白色 或橙色之光發射的電致發光層時，可提供濾色片或與彩色 轉換層結合之濾色片而獲得全色顯示。例如，濾色片或與 彩色轉換層可形成於第二基板（密封基板）上，且可附著 於基板；濾色片或與彩色轉換層可藉噴墨法形成。 單色光發射之顯示可藉形成單色光發射之EL (電致發 光）層而執行，例如區域性彩色顯示裝置可利用單色光發 射予以形成；被動矩陣結構適用於該區域性彩色型，其主 要地可顯示字元及符號。 如第1 1B圖中所示，光發射元件之第二電極134接著形 成以便覆蓋電致發光層133及絕緣膜120。 選擇第一電極U 9及第二電極134之材料時必須考慮到 功函數；依據畫素結構，該第一電極及第二電極可爲陽極 或陰極。在此實施例模式中，較佳地，第一電極爲陰極以 及第二電極爲陽極，因爲第二薄膜電晶體之極性爲η通道 型；相反地，當第二薄膜電晶體之極性爲ρ通道型時，則 -46- (43) 1356497 較佳的是第一電極爲陽極以及第二電極爲陰極。 下文中，將描述使用於陽極及陰極之電極材料。

較佳地，使用具有高的功函數（功函數：4. OeV或更 大）之金屬、合金、導電性合成物、其混合物、或類似物 當作陽極所使用的電極材料；ITO (銦錫氧化物），其中 2%至20%之氧化鋅（ZnO )混合於氧化銦內之IZO (銦鋅 氧化物）、-ITSO ( NITO )、金、鉑、鎳、鎢、鉻、鉬、 鐵、鈷、銅、鈀、金屬材料之氮化物（諸如氮化鈦）及類 似物可引例爲特定之材料。

同時，較佳地使用具有低的功函數（功函數：3.8 eV 或更小）之金屬、合金、導電性合成物、其混合物、或類 似物當作陰極所使用的電極材料；屬於週期表中第1族或 第2族之元素，亦即，諸如鋰或鉋之鹼金屬，諸如鎂、鈣 、或緦之鹼土金屬，含有其之合金（Mg: Ag或A1 : Li ) 或合成物（LiF、CsF、或CaF2)，或含有稀土金屬之過渡 金屬可引例爲特定材料。 在此實施例模式中，於其中該陰極需透射光線之例子 中，該陰極可藉極薄地形成此一金屬或含此一金屬之合金 以及藉疊層ITO、IZO、ITSO、或任一金屬（含合金）於 該處之上而形成》 發射自電致發光層之光線方向可利用用於第一電極或 第二電極之透光或不透光陽極材料或陰極材料予以選擇， 例如在以透光材料形成第一電極及第二電極的例子中，可 執行其中來自電致發光層之光線發射至基板170面以及至 -47- (44) 1356497 密封基板171面的雙重發射。在這時候，可藉由使用高反 射性導電膜於配置在非光線發射方向之面上的不透光電極 而有效率地利用光線。 第一電極及第二電極可藉氣相沈積法、濺鍍法、噴墨 法、或類似物予以形成。

在藉濺鍍法以ITO或ITS 0，或其堆疊來形成第二電極 的例子中，該電致發光層會由於濺鍍法而損壞；爲了降低 由於濺鍍法之損壞，諸如氧化鉬（MoOx: x = 2至3)之氧 化物較佳地形成於電致發光層的頂部表面之上，因此，作 用爲HIL或類似物之諸如氧化鉬（MoOx : x = 2至3 )或氧化 鈦（TiO )之氧化物會形成於該電致發光層之頂部表面上 = EIL (電子注入層），ETL (電子輸送層），EML (發光 層），HTL (電洞輸送層），HIL (電洞注入層），及第 二電極可以以此順序而疊層自第一電極之面。換言之，可 形成包含有機及無機材料兩者皆有的電致發光層。此時， 第一電極作用爲陰極以及第二電極作用爲陽極。 在此實施例模式中，因爲第二薄膜電晶體之極性爲η 通道型，所以當考慮電子之移動方向時，較佳地採用陰極 之第一電極，EIL (電子注入層），ETL (電子輸送層）， EML (發光層），HTL (電洞輸送層），HIL (電洞注入 層），以及陽極之第二電極的結構。 在此實施例模式中，高度平面性可由於層間絕緣膜而 達成，且較佳地，可施加均勻的電壓於該電致發光層。 然後，可藉濺鍍法或CVD形成含有氮之絕緣膜，含有 -48- (45) (45)1356497 氮之碳膜（CNx) ，DLC膜，或類似物於第二電極上當作 保護膜。進一步地，由諸如苯乙烯聚合物之有機材料所形 成之膜可形成於含有上述無機材料之膜上，藉此可防止水 分及氧氣滲透：尤其，當使用NITO於第二電極時，較佳地 可形成氮化矽膜及使用其爲保護膜；進一步地，顯示區域 之面可以以第一電極、第二電極、及另外之電極覆蓋，藉 此防止氧氣及水分滲透。 然後，如第12A圖中所示，利用密封劑153附著一密封 基板151於該基板，在該基板與密封基板之間所形成之空 間154可充塡有氮氣，或可配置有乾燥劑；進一步地，該 空間可充塡有高度吸水性之透光樹脂。在此實施例模式中 ，凹穴形成於密封基板151上且該凹穴充塡有乾燥劑152, 絕緣膜120的上方部分可配置有乾燥劑以便不致遮蔽來自 電致發光層之光線；進一步地，可配置該乾燥劑於密封劑 之上方部分中，因而可防止氧氣及水分滲透該密封劑。 因此，可完成發光模組。 在基板上之配線可利用各向異性之導電膜160接合FPC (撓性印刷電路）而連接於配置於密封劑外面之外部端子 1 62，該外部端子係由包含1C晶片或結晶性半導體膜之積 體電路的信號線驅動器電路或掃描線驅動器電路所形成。 在此實施例模式中，於使用微晶半導體於半導體膜之 材料的例子中，掃描線驅動器電路，或形成一部分該電路 之選擇器電路（類比開關），及類似物可形成於一基板之 上。在利用結晶性半導體膜的例子中，掃描線驅動器電路 -49- (46) (46)1356497 及信號線驅動器電路可形成於一基板上；信號線驅動器電 路或掃描線驅動器電路可分別連接於畫素區域。 因此，可製造其中外部端子連接於發光模組之發光裝 置。 [實施例模式10] 在此實施例模式，將描述畫素電路及其行爲。 在第13 A圖中所示之畫素中，信號線410及電源供應線 411及412設置於行中，以及掃描線414設置於列中，該畫 素進一步包含一開關TFT 401，一驅動TFT 403，一電流控 制TFT 404，一電容器402，以及一發光元件405。 第13C圖中所示之畫素具有相同於第13A圖中所示之架 構，除了驅動TFT 403之閘極電極連接於設置在列中之電 源供應線412之外，亦即，第13A與13C圖顯示等效的電路 圖，然而，該等電源供應線形成於其中電源供應線4 1 2設 置於行中（第13A圖）與其中電源供應線412設置於列中（ 第13C圖）之例子間的不同導電層之上；該兩畫素各顯示 於第13A及13C圖中以便淸楚地區別連接於第13A圖及第 13C圖中之驅動TFT 403的閘極電極之配線係在不同層之中 〇 在各第13A及UC圖中，驅動TFT 4〇3及電流控制TFT 404係串聯連接於畫素中，且驅動TFT 403之通道長度L( 403) /通道寬度W( 403)相對於電流控制TFT 404之通道 長度L(404) /通道寬度W(404)可設定爲L(403) /W( -50- (47) (47)1356497 403 ) ： L ( 404 ) /W ( 404 ) =5000至 6000: 1° 該驅動TFT 403操作於飽和區中及控制流動於發光元 件405的電流量，而電流控制TFT 404則操作於線性區中及 控制是否供應電流於發光元件405。鑑於製造步驟’較佳 地，該驅動TFT 404及電流控制TFT 404具有相同的導電性 ;在此實施例模式中，該等電晶體爲η通道型，對於驅動 TFT 403而言，可使用空乏模式電晶體取代增強模式電晶 體。根據具有上述架構之本發明，電流控制TFT 404之Vgs 中的些微變化並不會影響到流動於發光元件405中的電流 量，因爲電流控制T F T 4 0 4操作於線性區之中。因此，流 動於發光元件405中的電流量可藉操作於飽和區中之驅動 TFT 404予以決定。具有上述結構，可提供其中由於TFT之 特性中變化所致之發光中的變化降低及影像品質改善之顯 示裝置。 在第13A至13D圖中之開關TFT 401控制輸入於畫素之 視頻信號，當開關TFT 401導通（ON )時，視頻信號將輸 入於畫素；該視頻信號之電壓會保持於電容器402中，雖 然在第13A及13C圖中之畫素包含電容器402，但本發明並 未受限於此，當閘極電容或類似物可在保持視頻信號中取 代該電容器，則該電容器402無需配置。 第13B圖中所示之畫素具有相似於第13A圖中所示之架 構，除了添加用以放電所儲存電荷之抹除TFT 406及掃描 線4 1 5之外。類似地，第1 3 D圖中所示之畫素具有相似於第 13C圖中所示之架構，除了添加抹除TFT 406及掃描線415 -51 - (48) (48)1356497 之外。 該抹除TFT 406藉添加之掃描線415而控制爲ON/OFF ，當抹除TFT 406導通（ON)時，保持於電容器402中之 電荷會放電，藉此使電流控制TFT 404關閉（OFF ):也就 是說，可藉配置該抹除電晶體406而迫使供應至發光元件 405之電流停止，此係爲何該抹除TFT 406稱爲抹除電晶體 之理由。因此，藉採用第13B及13D圖中所示之架構’在信 號寫入至所有畫素之前，發光週期可以與寫入週期同時地 起始或極短地在該寫入週期之後即起始；藉此，可改善責 務比。 在第13E圖所示之畫素中，信號線410及電源供應線 4 1 1設置於行中，掃描線414設置於列中，該畫素進一步包 含一開關TFT 401，一驅動TFT 403，一電容器402，及一 發光元件405;第13F圖中所示之畫素具有相似於第13E圖 中之架構’除了添加一抹除TFT 406及掃描線415之外。應 注意的是’第13F圖之架構亦允許藉配置抹除電晶體406而 使責務比增大。 如上述’可採用多種畫素電路；尤其，在其中薄膜電 晶體係以非晶系半導體膜形成之例子中，較佳的是形成大 的半導體膜用於該驅動TFT。因此，關於上述畫素電路， 其中來自電致發光層之光線透過密封基板釋出之頂部發射 型爲較佳的。 在其中畫素密度增加之例子中，此一主動矩陣發光裝 置係視爲具有優點於低電壓驅動上，因爲各畫素配置有 -52- (49) (49)1356497 TFT ° 在此實施例模式中係描述其中各畫素配置有各TFT之 主動矩陣發光裝置；然而，亦可使用其中每條掃描線配置 TFT之被動矩陣發光裝置。該被動矩陣發光裝置具有高的 孔徑比’因爲各畫素並未配置TFT;因此，當使用被動矩 陣顯示裝置於發射光線至該電致發光層兩面的發光裝置之 例子中之時，可增加光透射比。 [實施例模式11] 在此實施例模式中，將描述第13E圖中所示之等效電 路圖之頂視圖。 在此實施例模式中，第一及第二薄膜電晶體爲底部閘 極型’接觸孔藉乾式蝕刻法利用第一薄膜電晶體之源極電 極及汲極電極而形成於閘極絕緣膜中，藉此連接第一薄膜 電晶體之源極電極或汲極電極於第二薄膜電晶體之閘極電 極。形成薄膜電晶體之其他方法可參照上述實施例模式執 行；因而將省略詳細說明。 如第14圖中所示，開關TFT 401，驅動TFT 403之閘極 電極’及掃描線8 03藉噴墨法或濺鍍法形成於TiOx膜上之 一層中；在藉噴墨法形成閘極電極及類似物之例子中，附 著性可以以TiOx膜來改善。 然而，並未顯示的是，開關TFT 401，驅動TFT 403之 閘極絕緣膜’半導體膜，及η型半導體膜係順序地形成， 且之後’製作圖案爲所企望的形狀。 -53- (50) (50)1356497 開關TFT 401，驅動TFT 403之源極電極及汲極電極， 掃描線8 04,及電源供應線805藉噴墨法或濺鑛法形成於一 層中；在藉噴墨法形成源極電極及汲極電極，或類似物之 例子中，附著性可藉底座預處理予以改善。 之後，藉使用該源極電極及汲極電極來蝕刻η型半導 體膜。 閘極絕緣膜藉使用源極電極及汲極電極，掃描線804 ，及電源供應線8 05予以蝕刻；因此，該驅動TFT之閘極電 極將暴露出；藉此，該閘極電極可以以導電膜806連接於 開關TFT之源極電極及汲極電極。該導電膜可藉噴墨法形 成。 接著，畫素形成以便連接於驅動TFT之源極電極或汲 極電極。在此實施例模式中，畫素電極807係藉噴墨法利 用NITO形成。 該電容器402係以在相同於驅動TFT之閘極電極的層中 所形成之導電膜，閘極絕緣膜’及在相同於電源供應線的 層中之導電膜而形成。 在此實施例模式中，該驅動電晶體包含非晶系半導體 膜；因此，該驅動TFT之通道寬度較佳地可設定大。 第15A圖顯示相對應於第14圖中A-B之橫截面視圖。

TiOx膜1〇1配置於基板1〇〇上，作用爲閘極電極823及 掃描線803之導電膜配置於將配置有開關TFT 401之Ti〇x膜 的區域上，及配置在其中掃描線及信號線交叉之相交區域 800 上。 -54 - (51) (51)1356497 進一步地，製作圖案爲所企望形狀之閘極絕緣膜811 ，半導體膜812，及η型半導體膜813依序地堆疊。 作用爲信號線8 04，源極電極及汲極電極814之導電膜 形成於將配置有開關TFT 401之區域中之閘極絕緣膜上及 形成於其中掃描線及信號線交叉之相交區域800上。 不似第15A圖似地，絕緣膜816形成於信號線804之前 ，源極電極及汲極電極814形成如第15B圖中所示；該絕緣 膜可藉噴墨法形成且可配置於相交區域中之掃描線803上 ’以及包圍半導體膜及η型半導體膜，在信號線與掃描線 間之短路可藉形成絕緣膜816於掃描線803之上而避免；進 一步地，源極電極及汲極電極814可藉提供絕緣膜816包圍 半導體膜及η型半導體膜而防止斷裂。 接著，將顯示其中使用頂部閘極薄膜電晶體之例子的 頂視圖。 不像第14圖地，開關TFT 401之源極電極及汲極電極 ，信號線8 04，及電源供應線805首先形成於一層中，如第 16圖中所示。在此實施例模式中，源極電極及汲極電極， 信號線8 0 4，及電源供應線8 0 5藉噴墨法形成；在藉噴墨法 形成源極電極，汲極電極，及類似物的例子中，附著性可 藉底座預處理來改善。 然後，半導體膜及閘極絕緣膜依序地形成且製作圖案 爲所企望的形狀；進一步視需要地，η型半導體膜可形成 於源極電極及汲極電極，與半導體膜之間的界面處。 接著，開關TFT 401及驅動TFT 403之各閘極電極以及 -55- (52) 1356497 掃描線8 03形成於一層中；在此實施例模式中，該等閘極 電極及掃描線8 03藉噴墨法形成；在藉噴墨法形成閘極電 極及類似物的例子中，附著性可藉底座預處理予以改善。 驅動TFT 403之閘極電極係以導電膜806連接於開關 TFT的源極電極或汲極電極；該導電膜可藉噴墨法形成。

接著，畫素電極形成以便連接於驅動TFT 403之源極 電極或汲極電極：在此實施例模式中，畫素電極8 07藉噴 墨法利用NITO形成。 須注意的是，電容器並未配置於第16圖中；然而，電 容器可如第143圖中地配置。 在此實施例模式中，該驅動電晶體包含非晶系半導體 膜；因此，該驅動TFT之通道寬度較佳地可設定大。 第17A圖顯示第16圖中A-B之橫截面視圖。

TiOx膜101配置於基板100上，該TiOx膜可作爲底座 膜；包含源極電極及汲極電極814之導電膜配置於將配置 有開關TFT 401及驅動TFT 403之TiOx膜的區域上。 製作圖案爲所企望形狀之η型半導體膜，半導體膜812 ，閘極絕緣膜8 1 1依序地堆疊；該η型半導體膜並非必須配 置。 掃描線803及作爲閘極電極之導電膜形成於將配置有 開關TFT 401之區域中的閘極絕緣膜上，及配置在其中掃 描線及信號線交叉之相交區域8 0 0上。 不似第17 A圖似地，絕緣膜816形成於信號線8 03之前 ，且該閘極電極形成如第17B圖中所示；該絕緣膜可藉噴 -56- (53) (53)1356497 墨法形成，且可配置於該相交區域中或包圍半導體膜及η 型半導體，在掃描線與信號線間之短路可藉形成絕緣膜 816於相交區域中而避免；進一步地，源極電極及汲極電 極814可藉提供絕緣膜816包圍半導體膜及η型半導體膜而 防止斷裂。 [實施例模式12] 在此實施例模式中，將利用第13Ε圖中所示之等效電 路來說明其中掃描線及信號線配置有二極體當作保護電路 的例子。 在第21圖中，開關TFT 401，驅動TFT 403，電容器 402，發光元件405配置於畫素部分500中；信號線410 配置有二極體561及562，該等二極體561及562根據上述實 施例模式隨著開關TFT 401或驅動TFT 403而形成；各二極 體具有閘極電極，半導體層，源極電極，汲極電極，及類 似物；該等二極體561及5 62藉連接閘極電極於汲極電極或 源極電極而操作爲二極體。 連接於該等二極體之配線5 54及5 5 5形成在相同於閘極 電極之層中，因此，接觸孔需形成於閘極絕緣層之中以便 連接該等配線5 54及55 5至各二極體之源極電極或汲極電極 〇 在該閘極絕緣膜中之接觸孔可藉蝕刻法利用噴墨法所 形成之遮罩來形成；在此例子中，若採用常壓放出蝕刻法 時，則可執行區域性放出處理；因此，該遮罩無需形成於 -57- (54) (54)1356497 基板之整個表面上。 配置於掃描線41 4之二極體可具有相類似的結構。 根據如上述之本發明，二極體可以與該畫素部分之 TFT同時形成：進一步地，該等二極體的位置並未受限於 此實施例模式，且該等二極體可形成於驅動電路與畫素之 間。 [實施例模式13] 在此實施例模式中，將描述一種液滴放出系統。 在第18圖中，顯示一使用以形成諸如配線圖案之液滴 放出系統，液滴放出裝置823具有頭825，以及該頭825具 有複數個噴嘴1 04 ;在此實施例模式中，將描述利用配置 有各具10個噴嘴之兩個頭的液滴放出裝置之例子，該頭 82 5連接於控制裝置82 8且該控制裝置藉電腦810控制；因 此可形成預定的圖案，該製作圖案法可從一起始點執行， 例如執行自一形成於台83 1上所固定之基板上所形成之標 誌841或類似物；選擇性地，該製作圖案法可利用基板1〇〇 之邊緣爲起始點而予以執行，該起始點可藉諸如CCD之成 像裝置824予以偵測，且藉影像處理裝置809轉換該資訊爲 數位信號，經轉換之數位信號藉電腦810辨識，而產生控 制及傳輸控制信號到控制裝置827，此時，在基板1 〇〇上所 形成之圖案的資訊儲存於儲存媒體8 0 8之中，控制信號則 依據該資訊而傳送到控制裝置827 ;因此，該液滴放出裝 置823之各頭82 5，進一步地，該等頭之各噴嘴可分別地加 -58- (55) (55)1356497 以控制。 因爲該等噴嘴可個別地控制’所以含不同材料之點可 藉若干噴嘴施加，例如用以施加含有導電材料之點的噴嘴 及用以施加含絕緣膜材料之點的噴嘴可配置於一頭中；進 一步地，在諸如層間絕緣膜之大面積上施加的例子中，含 有絕緣膜材料之點可從所有噴嘴滴落以便改善輸貫量。 整個液滴放出裝置823之寬度幾乎等於或小於基板100 的寬度；尤其，在使用大的母玻璃基板之例子中，考慮到 整個液滴放出裝置823的寬度小於該母玻璃基板的寬度， 此時，圖案可藉超過一次地相對掃描該頭及基板而形成於 大的母玻璃基板之上。 例如在第26圖中所示，於形成複數個面板自大的母玻 璃基板之例子中，整個液滴放出裝置823之寬度可相等於 該面板之寬度；在第26圖中，該液滴放出裝置823設置垂 直於掃描方向而形成三條線。 在第26圖中’其中將形成一面板之大基板100上的區 域係藉點線顯示，液滴放出裝置823包含具有相等寬度於 面板之頭825a、825b、及825c ;圖案藉Z形地來回或往復 該液滴放出裝置823;此處’該頭及基板可超過一次地相 對掃描。因此其他結構相似於第18圖，將省略該說明。 在第26圖中’該等頭825a、825b、及825c可分別地含 有用以形成不同層之材料，或可含有一材料，當一材料從 該三個頭放出而藉製作圖案法形成層間絕緣膜時，可改善 輸貫量。 -59- (56) (56)1356497 [實施例模式14] 利用上述實施例模式中所述之顯示裝置的電子裝置之 實例可獲得如下：攝影機；數位相機；護目鏡型顯示器（ 頭戴式顯不器），航fr系統；聲頻重現系統（車用音響、 聲頻組件、或類似物）：膝上型個人電腦；遊樂器：個人 數位助理（行動電腦、行動電話、手提遊樂器、電子記事 本、或類似物）：影像重現裝置，包含記錄媒體（特定地 能重現諸如數位多功能碟片（DVD )之記錄媒體的裝置， 而且具有可顯示資料之影像的顯示器）：以及類似物。特 定地’在上述實施例模式中所描述之噴墨法較佳地適用於 具有大屏幕之大電視或類似物。該等電子裝置之實用例顯 示於第19A及19B圖中。 第19A圖顯示大的EL顯示裝置，其包含框架2〇〇1， 支架2002’顯示部分2〇〇3，揚聲器單元2004，視頻信號輸 入端子2005，及類似物，該顯示部分2〇〇3配置有包含畫 素部分及驅動器電路部分之模組，該畫素部分則具有發光 元件及藉上述實施例模式中所描述之噴墨法形成之TFT。 須注意的是，顯示裝置包含用以顯示資訊之所有顯示裝置 ，包含用以個人電腦，用於TV廣播接收，及用於廣告的顯 示裝置。 較佳地，配置偏光板或圓形偏光板於畫素部分以改善 對比，例如密封基板依序地配置有四分之一波板，半波板 ，及偏光板；進一步地，可配置抗反射膜於該偏光板上。 -60- (57) (57)1356497 第19B圖顯示EL電視接收機之主要結構方塊圖，具有 上述實施例模式中所顯示之結構的畫素部分901形成於顯 示面板中，例如具有其中掃描線驅動器電路903及信號線 驅動器電路902藉TAB法安裝之例子；當作另一例’該掃 描線驅動器電路903及信號線驅動器電路902藉COG法安裝 於畫素部分之週邊上；當作再一例，TFT由SAS形成’及 該信號線驅動器電路902藉積體地形成畫素部分901及掃描 線驅動器電路903於基板上而分別地安裝爲驅動器1C。 當作外部電路之結構，含其中藉調諧器9〇4所接收之 視頻信號的輸入側；一視頻波放大器電路9〇5 ’其放大視 頻信號；一視頻信號處理電路906 ’其轉換所輸入之信號 爲相對應於紅、綠、及藍之各色的彩色信號；一控制電路 907，用以轉換視頻信號爲驅動器1C的輸入規格；或類似 電路。信號將從控制電路907輸出至掃描線驅動器電路及 信號線驅動器電路。在數位驅動之例子中’信號畫分電路 9 〇 8配置於控制電路與信號線驅動器電路之間且可具有其 中輸入數位信號藉畫分爲m個件來提供之結構。 在從調諧器904所接收之信號中，聲頻信號傳輸至視 頻信號放大器電路9 〇9’以及其輸出透過聲頻信號處理電 路910供應至揚聲器913;控制電路911接收一接收站之控 制資訊（接收頻率）或來自輸入部分912之音量’及傳輸 信號至調諧器9 0 4或聲頻信號處理電路9 1 0。 電視接收機可藉結合含外部電路之顯示部分於框架 200 1內而完成；揚聲器單元2004 ’視頻信號輸入端子2005 -61 - (58) (58)1356497 ，操作開關，及類似物則配置爲其他附加裝置。因此，該 EL電視接收機可根據本發明予以完成。 當然，本發明並未受限於該電視接收機，且可應用於 具有大面積之顯示媒體，諸如在站台、機場或類似處之資 訊顯示板，或街上之廣告顯示板以及個人電腦之監看器。 第20 A圖顯示其係個人數位助理之蜂巢式行動電話， 其包含主體2101，框架2102，顯示部分2103，聲頻輸入部 分2104，聲頻輸出單元2105，操作鍵2106，天線2107，及 類似物，顯示部分2103配置有一包含畫素部分及驅動器 電路部分之模組，該畫素部分具有藉上述實施例模式中所 描述之噴墨法所形成之發光元件及TFT。此外，蜂巢式行 動電話之成本可藉形成複數個面板自一大的母玻璃基板來 形成顯示部分2 1 0 3而降低。 第2 0B圖顯示一似片狀的蜂巢式行動電話，其包含主 體2301，顯示部分2303，聲頻輸入部分2304，聲頻輸出部 分2 3 0 5 ’開關2 3 0 6，外部連接埠2 3 0 7，及類似物，分別製 備之耳機2308可透過外部連接埠2307而連接於蜂巢式行動 電話’具有感測器之觸控面板顯示屏幕可使用於顯示部分 23 03，一串列之操作可藉碰觸顯示部分23 03上所顯示之觸 控面板操作鍵2309而執行，顯示部分23〇3配置有一包含 畫素部分及驅動器電路部分之模組，該畫素部分具有藉上 述實施例模式中所描述之噴墨法所形成之發光元件及TFT °此外’似片狀蜂巢式行動電話之成本可藉形成複數個面 板自一大的母玻璃基板來形成該顯示部分2303而降低。 -62- (59) (59)1356497 甚至此一小型電子裝置之多重面板可藉形成根據本發 明之顯示部分而利用大的母玻璃基板予以製造。因此，可 降低成本。 第25A圖顯示數位攝影機，包含主體26 01，顯示區域 2602 ’框架2603，外部連接埠2604，遠距控制接收部分 2605’影像接收部分2606，電池26 07，聲頻輸入部分2 60 8 ，及操作鍵2609，該顯示部分2602配置有一包含畫素部 分及驅動器電路部分之模組，該畫素部分包含一具有藉上 述實施例模式之噴墨法所形成之TFT的發光元件；進一步 地，切割大的母玻璃基板之技術可適用於形成顯示部分； 因此，可降低數位攝影機的成本。 尤其，在利用此實施例模式之數位攝影機拍攝自己的 例子中，雙重發射之畫素部分係較佳的，因爲雙重發射之 畫素部分具有半透明性；因此，自己本身的影像可看見無 需翻面該框架2603。 例如當標的26 10拍攝自己時，自己的影像可顯示於顯 示部分2602上無需翻面框架2 603，如第25B圖中所示，此 時，第25B圖之反轉影像可從該標的之另一邊觀看於顯示 部分2602中，如第25C圖中所示。 進一步地，在其中攝影者拍攝標的26 10的例子中，該 攝影者與標的26 10均可在顯示部分2602看到影像，因爲畫 素具有半透明性；在此例子中’該攝影者及標的260 1可選 擇個別地觀看第25B及25 C圖中影像的那一個。 如數位攝影機一樣地，例如在以數位相機拍攝自己的 -63- (60) (60)1356497 例子中’可藉安裝雙重發射之畫素部分觀看自己影像而無 需翻面框架。在此例子中，包含顯示部分之框架如第25A 圖中所示之數位攝影機一樣地可予以折疊；因此，該數位 相機之主體可分離自包含顯示區域之框架。 而且關於數位相機，在其中攝影者拍攝標的26 10的例 子中，因爲雙重發射之畫素部分具有半透明性，所以攝影 者及標的均可在顯示部分2 602上觀看到影像。 如上述，本發明之應用範圍極爲廣泛，且本發明可應 用於任一領域中之任何電子裝置；進一步地，根據此實施 例模式之電子裝置可具有上述實施例模式中所示之任一結 構。 [實施例1] 在此實施例中，將評估形成TiOx膜當作底座預處理之 例子中之導電膜附著性的結果。 首先，藉濺鍍法形成Ti薄膜（1奈米至5奈米）且加熱 而形成ΊΊΟχ膜，該加熱處理使用加熱至230°C之爐，然後 ，測量該TiOx膜之片電阻，接著，因爲該電阻爲1χ106Ω/ 平方或更大而無法測量該片電阻，所以證實該Ti Οχ膜爲絕 緣的。 之後，藉噴墨法施加含有Ag之點於該TiOx膜之上而形 成16條配線之導電膜，各具有1公分長度，200微米至300 微米的線寬，及400微米至500微米之高度：進一步地，執 行熱處理於23 0°C。 -64- (61) (61)1356497 提出該等配線於拉力測試；在該拉力測試中，黏貼凱 普頓膠布於該等配線上且評估是否配線在去除膠布過程中 剝離；結果，並沒有配線剝離。 進一步地，浸漬其中配線如上述地形成之基板於0.5% HF溶液及執行水洗法，結果，該等配線均保留而未去除。 同時，在形成配線而未形成TiOx膜之例子中，當浸漬 基板於0.5% HF溶液中之時，大部分的配線會去除而僅殘 留若干。 當藉噴灑TiOx膜來形成配線時，執行拉力測試及0.5% HF溶液之浸漬實驗；然而，該等配線並未去除。 所以，可認爲含Ag之配線的附著性會藉底座預處理而 改善。 此申請案依據2003年11月14日在日本專利局中所申請 之日本專利申請案第2003 -3 8 6020號，其內容結合於本文 供參考。 【圖式簡單說明】 第1 A至1 D圖係橫截面視圖，顯示本發明之薄膜電晶 體的製造步驟； 第2A至2D圖係橫截面視圖，顯示本發明之薄膜電晶 體的製造步驟： 第3 A至3C圖係橫截面視圖，顯示本發明之薄膜電晶體 的製造步驟； 第4 A至4C圖係橫截面視圖，顯示本發明之薄膜電晶體 -65- (62) (62)1356497 的製造步驟； 第5 A至5C圖係橫截面視圖，顯示本發明之薄膜電晶體 的製造步驟； 第6 A至6D圖係橫截面視圖’顯示本發明之薄膜電晶 體的製造步驟； 第7A至7C圖係橫截面視圖，顯示本發明之薄膜電晶體 的製造步驟； 第8A至8B圖係橫截面視圖，顯示本發明之薄膜電晶體 的製造步驟： 第9 A至9B圖係橫截面視圖，顯示本發明之薄膜電晶體 的製造步驟； 第1 0圖係頂視圖，顯示用以形成本發明之薄膜電晶體 的設備； 第11A至11B圖係橫截面視圖，顯示本發明之薄膜電晶 體的製造步驟； 第12A至12B圖係橫截面視圖，顯示本發明之薄膜電晶 體的製造步驟； 第13A至13F圖係電路圖，顯示本發明之顯示裝置的畫 素電路； 第1 4圖係頂視圖，顯示本發明之顯示裝置的畫素； 第1 5 A至1 5 B圖係橫截面視圖，各顯示本發明之顯示裝 置的畫素； 第16圖係頂視圖，顯示本發明之顯示裝置的畫素； 第17A至17B圖係橫截面視圖，各顯示本發明之顯示裝 -66- (63) 1356497 置的晝素； 第1 8圖係一視圖，顯示本發明之液滴放出系統； 第19A及19B圖顯示本發明之電視接收機； 第20 A及20B圖係視圖，顯示本發明之電子裝置； 第21圖係電路圖，顯不本發明顯示裝置之畫素的保護 電路； 第2 2圖係橫截面視圖，顯示本發明之薄膜電晶體的製 -Li=. · 迫步驟， 第23A至23C圖係視圖’顯示用以形成本發明之薄膜電 晶體的設備； 第24A及24B圖各顯示本發明之點的形式； 第2 5 A至2 5 C圖係視圖，描繪本發明之數位攝影機；以 及 第26圖顯示本發明之液滴放出系統。

【主要元件符號說明】 1 1、1 2 薄膜電晶體形成區域 100基板 100大的基板 1 0 1氧化鈦膜 101光觸媒 103、823閘極電極 1 04噴嘴 1 0 5、8 1 1閘極絕緣膜 -67- (64) (64)1356497 106、 109、 812、 813 半導體膜 108 通道保護膜 1 1 1、1 3 1 遮罩 1 1 5、8 1 4汲極電極 116、 117、 102、 180、 123、 806 導電膜 1 18、125 層間絕緣膜 119、 807、901 畫素電極 120、 130、 816 絕緣膜 122 ' 129 接觸孔 126' 135 開□ 1 28有機膜 1 3 2氮化矽膜 133、141 電致發光層 132、134 電極 136 膜 150噴灑氣體之裝置 1 5 1密封基板 1 5 2乾燥劑 1 5 3密封劑 1 5 4空間 160各向異性之導電膜 161撓性印刷電路（FPC) 162外部端子 1 70基板之面 -68- (65) (65)1356497 1 7 1密封基板之面 181、 182、 183、 825、 825a、 825b、 825c 頭 184' 831 台 1 8 5絕緣物 200裝載室 201 ' 203 轉移室 202施加處理室 204平面化之室 3 0 1 銅（Cu) 3 02導電膜 3 03 銀（Ag)

401開關TFT 402電容器 403 驅動TFT

4 0 4電流控制T F T 4 0 5發光元件 406抹除TFT 4 10、804 信號線 4 11 ' 4 12' 805 電源線 414、 415、 416、 803 掃描線 5 0 0畫素部分 5 5 4配線 56 1、5 62 二極體 8 0 0相交區域 -69- (66) (66)1356497 8 Ο 8儲存媒體 809影像處理裝置 8 1 0電腦 823液滴放出裝置 824成像裝置 8 2 7控制裝置 8 3 0相交區域 8 4 1標誌 9 0 2信號線驅動器電路 9 0 3掃描線驅動器電路 9 04調諧器 905視頻信號放大器電路 906視頻信號處理電路 9 0 7控制單元 90 8信號畫分電路 909音頻信號放大器電路 9 1 0音頻信號處理電路 9 1 1控制電路 9 1 2輸入部分 913揚聲器 2001、 2102、 2603 框架 2002 支架 2003 顯示部分 2004 揚聲器單元 -70- (67)1356497 2005 視 訊 信號 輸 入 端 子 2 10 1、 23 0 1 260 1 主 體 2103、 23 03 、 2602 顯 示 部 分 2 104、 23 04 > 2608 音 頻 輸 入部分 2 105、 23 05 音 頻 輸 出 單 元 2 106 操 作 鍵 2 107 天 線 23 06 開 關 23 0 7、 2604 外 部 連 接 埠 2 3 0 8 耳 機 23 09 觸 控 面板 操 作 鍵 2605 遠 距 控制 接 收 部 分 2606 影 像 接收 部 分 2607 電 池 2609 操 作 鍵 26 10 標 的

-71 -

Claims (1)

1356497 _ 卜年7月修正本 第093134748號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國100年7月 β日修正 十、申請專利範圍 1. 一種顯示裝置，包含： 一基板； 一第一電晶體，含一第一閘極電極，其具有自一邊緣 至一相對邊緣的凸曲面； 一第二電晶體，含一第二閘極電極，其係連接於該第 一電晶體之一第一汲極電極； 一絕緣膜，配置以便覆蓋該第一及第二電晶體； 一第一電極，其係連接於該第二電晶體之一第二汲極 電極； 一電致發光層，形成於該第一電極之上；以及 一第二電極，其係配置於該電致發光層之上， 其中自該第一閘極電極之中央部分至該第一閘極電極 之一邊緣連續地減少該第一閘極電極之厚度。 2. —種顯示裝置，包含： 一基板，其上形成有一光觸媒； 一第一電晶體，含一第一閘極電極，其具有自一邊緣 至一相對邊緣的凸曲面，該第一電晶體形成於該光觸媒之 上； 一第二電晶體，含一第二閘極電極，其係連接於該第 一電晶體之一第一汲極電極，該第二電晶體形成於該光觸 媒之上； 1356497

—絕緣膜，配置以便覆蓋該第一及第二電晶體： —第一電極，其係連接於該第二電晶體之一第二汲極 電極； —電致發光層，形成於該第一電極之上；以及 一第二電極，其係配置於該電致發光層之上， 其中自該第一閘極電極之中央部分至該第一閘極電極 之一邊緣連續地減少該第一閘極電極之厚度。 3. 一種顯示裝置，包含： 一基板，其上形成有一光觸媒； 一第一電晶體，含一第一聞極電極，其具有自一邊緣 至一相對邊緣的凸曲面，該第一電晶體形成於該光觸媒之 上； 一第二電晶體，含一第二閘極電極，其係連接於該第 一電晶體之一第一汲極電痺，該第二電晶體形成於該光觸 媒之上； —第一絕緣膜，配置以便覆蓋該第一及第二電晶體； 一第二絕緣膜，含氮，其係形成以便覆蓋該第一絕緣 膜： 一第一電極，其係連接於該第二電晶體之一第二汲極 電極； —電致發光層，形成於該第一電極之上；以及 一第二電極，其係配置於該電致發光層之上， 其中自該第一閘極電極之中央部分至該第一閘極電極 之一邊緣連續地減少該第一閘極電極之厚度。 -2- 1356497 4. 一種顯示裝置，包含： 一基板，其上形成有一光觸媒； —第一電晶體，含一第一閘極電極，其具有自一邊緣 至一相對邊緣的凸曲面’該第一電晶體形成於該光觸媒之 上； 一第二電晶體，含一第二閘極電極，其係連接於該第 一電晶體之一第一汲極電極，該第二電晶體形成於該光觸 媒之上； 一第一絕緣膜，配置以便覆蓋該第一及第二電晶體； 一第二絕緣膜，含氮，其係形成以便覆蓋該第一絕緣 膜； 一第一電極，其係連接於該第二it晶體之一第二汲極 電極； 一電致發光層，形成於該第一電極之上；以及 一第二電極，其係配置於該電致發光層之上， 其中該電致發光層包含一電子注入層、一電子輸送層 ，一發光層，一電洞輸送層，及一電洞注入層；以及 其中自該第一閘極電極之中央部分至該第一閘極電極 之一邊緣連續地減少該第一閘極電極之厚度。 5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之顯示裝置， 其中各該第一及第二閘極電極係形成於一以底座預處理所 處理之區域上。 6. 如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中該底座預 處理係利用光觸媒執行。 -3- 1356497 7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之顯示裝置， 其中該第一及第二閘極電極以及該第一及第二汲極電極各 含金、銀、銅、鉑、絕、鎢、鎳、鉬、鉍、鉛、_、錫、 鋅、鈦或鋁。 8. 如申請專利範圍第2至4項中任一項之顯示裝置， 其中該第一電極係藉由具有堆疊結構之柱狀導電膜連接於 該第二電晶體之一第二汲極電極。 9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之顯示裝置， 其中該第一及第二電晶體各包含一非晶系半導體或一半非 晶系半導體。 10·如申請專利範圍第1至4項中任一項之顯示裝置， 其中一掃描線連接於該第一電晶體之該第一閘極電極，一 信號線連接於該第一電晶體之該第一汲極電極，以及一保 護電路配置於該掃描線及信號線。 11. —種電視接收機，其中一顯示屏幕包含如申請專 利範圍第1至4項中任一項之顯示裝置。 12. —種顯示裝置之製造方法，包含下列步驟： 形成一光觸媒作爲底座膜於一基板上； 藉施加一含一第一導件之第一液體組成物來形成一第 一導電膜於該光觸媒之上； 形成一半導體膜於該第一導電膜之上； 藉施加一含一第二導件之第二液體組成物來形成一第 二導電膜於該半導體膜之上，藉此形成一薄膜電晶體； 形成一第一絕緣膜以便覆蓋該薄膜電晶體， -4- 1356497 形成一第一電極於該第一絕緣膜之上， 形成一第二絕緣膜以便覆蓋該第一電極之一末端部分 » 形成一電致發光層於該第一電極之上；以及 形成一第二電極以便覆蓋該電致發光層， 其中自該第一導電膜之中央部分至該第一導電膜之一 邊緣連續地減少該第一導電膜之厚度。 13. —種顯示裝置之製造方法，包含下列步驟： 形成一光觸媒作爲底座膜於一基板上； 藉一液滴放出法形成一第一導電膜於該光觸媒之上； 形成一半導體膜於該第一導電膜之上； 藉一液滴放出法形成一第二導電膜於該半導體膜之上 ，藉此形成一薄膜電晶體； 形成一第一絕緣膜以便覆蓋該薄膜電晶體， 形成一第一電極於該第一絕緣膜之上， 形成一第二絕緣膜以便覆蓋該第一電極之一末端部分 形成一電致發光層於該第一電極之上；以及 形成一第二電極以便覆蓋該電致發光層， 其中自該第一導電膜之中央部分至該第一導電膜之~ 邊緣連續地減少該第一導電膜之厚度。 1 4 ·如申請專利範圍第1 2或1 3項之顯示裝置之製造方 法，其中該方法進一步包含一第一底座預處理之步驟，g 中在形成該第一導電膜之前形成該第一導電膜。 -5- 1356497 I5·如申請專利範圍第I2或13項之顯示裝置之製造方 法，其中該方法進一步包含一第二底座預處理之步驟，其 中在形成該第二導電膜之前形成該第二導電膜。 16. 如申請專利範圍第14項之顯示裝置之製造方法， 其中該第一底座預處理係利用光觸媒執行。 17. 如申請專利範圍第15項之顯示裝置之製造方法， 其中該第二底座預處理係利用光觸媒執行。 18. —種顯示裝置之製造方法，包含下列步驟： 形成一光觸媒作爲底座膜於一基板上； 藉一液滴放出法形成一第一及一第二閘極電極； 形成一半導體膜於該第一及該第二閘極電極之上； 形成一遮罩於該半導體膜之上； 利用該遮罩製作該半導體膜圖案； 藉一液滴放出法形成一第一及一第二源極電極以及一 第一及一第二汲極電極於該等製作圖案之半導體膜之上， 藉此形成薄膜電晶體： 藉放出含一導件於彼此之頂端之液滴形成一柱狀導電 膜於該第二源極電極或該第二汲極電極之上； 形成一第一絕緣膜以便覆蓋該柱狀導電膜之側邊部分 及該等薄膜電晶體； 形成一第一電極以便連接於該第一絕緣膜上之該柱狀 導電膜； 形成一第二絕緣膜以便覆蓋該第一電極之一末端部分 -6- 1356497 藉一液滴放出法形成一電致發光層於該第一電極之上 :以及 形成一第二電極以便覆蓋該電致發光層， 其中自該第一閘極電極之中央部分至該第一閘極電極 之一邊緣連續地減少該第一閘極電極之厚度。 19. 一種顯示裝置之製造方法，包含下列步驟： 形成一光觸媒作爲底座膜於一基板上： 藉一液滴放出法形成一第一及一第二閘極電極； 形成一半導體膜於該第一及第二閘極電極之上； 形成一遮罩於該半導體膜之上； 利用該遮罩製作該半導體膜圖案； 藉一液滴放出法形成一第一及一第二源極電極以及一 第一及一第二汲極電極於該等製作圖案之半導體膜之上， 藉此形成薄膜電晶體； 形成一第一絕緣膜以便覆蓋該等薄膜電晶體； 形成一接觸孔於該第二源極電極或該第二汲極電極上 之該第一絕緣膜之中； 藉放出含一導件於彼此之頂端之液滴形成一柱狀導電 膜於該接觸孔之中； 形成一第一電極以便連接於該柱狀導電膜； 形成一第二絕緣膜以便覆蓋該第一電極之一末端部分 » 藉一液滴放出法形成一電致發光層於該第一電極之上 :以及 1356497

形成一第二電極以便覆蓋該電致發光層， 其中自該第一閘極電極之中央部分至該第一閘極電極 之一邊緣連續地減少該第一閘極電極之厚度。 20. 如申請專利範圍第19項之顯示裝置之製造方法， 其中該遮罩係藉一液滴放出法形成於該第一絕緣膜之上， 以及 該接觸孔係藉使用該遮罩之蝕刻法形成於該第一絕緣 ♦膜之中。 21. —種顯示裝置之製造方法，包含下列步驟： 形成一光觸媒作爲底座膜於一基板上； 藉一液滴放出法形成一第一及一第二閘極電極； 形成一半導體膜於該第一及第二閘極電極之上； 形成一遮罩於該半導體膜之上； 利用該遮罩製作該半導體膜圖案： 藉一液滴放出法形成一第一及一第二源極電極以及一 ¥ 第一及一第二汲極電極於該等製作圖案之半導體膜之上， 藉此形成薄膜電晶體； 形成一第一絕緣膜以便形成一開口於該第二源極電極 或該第二汲極電極之上； 形成一第一電極於該第一絕緣膜之該開口中； 形成一第二絕緣膜以便覆蓋該第一電極之一部分； 藉一液滴放出法形成一電致發光層於該第一電極之上 :以及 形成一第二電極以便覆蓋該電致發光層， -8- 1356497 其中自該第一閘極電極之中央部分至該第一閘極電極 之一邊緣連續地減少該第一閘極電極之厚度。 22. —種顯示裝置之製造方法，包含下列步驟： 形成一光觸媒作爲底座膜於一基板上； 藉一液滴放出法形成一第一及一第二閘極電極； 形成一半導體膜於該第一及第二閘極電極之上： 形成一遮罩於該半導體膜之上； 利用該遮罩製作該半導體膜圖案； 藉一液滴放出法形成一第一及一第二源極電極以及一 第一及一第二汲極電極於該等製作圖案之半導體膜之上， 藉此形成薄膜電晶體； 形成一柱狀有機膜於該第二源極電極或該第二汲極電 極之上； 形成一第一絕緣膜以便覆蓋該柱狀有機膜及該等薄膜 電晶體； 去除該柱狀有機膜； 形成一第一電極以便連接於該第一絕緣膜上之該第二 源極電極或該第二汲極電極； 形成一第二絕緣膜以便覆蓋該第一電極之一末端部分 I 藉一液滴放出法形成一電致發光層於該第一電極之上 :以及 形成一第二電極以便覆蓋該電致發光層， 其中自該第一閘極電極之中央部分至該第一閘極電極 -9- 1356497 之一邊緣連續地減少該第—閘極電極之厚度。 23. 如申請專利範圍第22項之顯示裝置之製造方法， 其中該第一絕緣膜係排斥該柱狀有機膜。 24. 如申請專利範圍第22項之顯示裝置之製造方法， 其中該柱狀有機膜係藉水洗法予以去除。 2 5. —種顯示裝置之製造方法，包含下列步驟： 形成一光觸媒作爲底座膜於一基板上； 藉一液滴放出法形成一第一及一第二閘極電極； 形成一半導體膜於該第一及第二閘極電極之上； 形成一第一遮罩於該半導體膜之上； 利用該第一遮罩製作該半導體膜圖案； 藉一液滴放出法形成一第一及一第二源極電極以及一 第一及一第二汲極電極於該等製作圖案之半導體膜之上， 藉此形成一第一及一第二薄膜電晶體； 形成一排斥一第一絕緣膜之一有機膜於該第二薄膜電 晶體的表面上； 形成一第二遮罩於該第二源極電極或該汲極電極之 部分之上； 利用該第二遮罩去除該有機膜； 形成一第一絕緣膜； 藉去除該第二遮罩形成一開口於該第二源極電極或該 第二汲極電極的該部分之上； 形成一第一電極於該開口中以便連接於該第二源極電 極或該第二汲極電極； -10- 1356497

形成一第二絕緣膜以便覆蓋該第一電極之一部分； 藉一液滴放出法形成一電致發光層於該第一電極之上 :以及 形成一第二電極以便覆蓋該電致發光層， 其中自該第一閘極電極之中央部分至該第一閘極電極 之一邊緣連續地減少該第一閘極電極之厚度。 26. 如申請專利範圍第18、19、21、22及25項中任一 項之顯示裝置之製造方法，其中該方法進一步包含一第一 底座預處理之步驟，其中在形成該第一及第二電極之前形 成該第一及第二閘極電極。 27. 如申請專利範圍第18、19、21、22及25項中任一 項之顯示裝置之製造方法，其中該方法進一步包含一第二 底座預處理之步驟，其中在形成該第一及第二源極電極以 及該第一及第二汲極電極之前形成該第一及第二源極電極 以及該第一及第二汲極電極。 28. 如申請專利範圍第26項之顯示裝置之製造方法， 其中該第一底座預處理係利用光觸媒執行》 2 9.如申請專利範圍第27項之顯示裝置之製造方法， 其中該第二底座預處理係利用光觸媒執行。 30_如申請專利範圍第18、19、21、22及25項中任一 項之顯示裝置之製造方法’其中通道保護膜係形成接觸於 該第一及第二閘極電極上之該半導體膜。 31. —種顯示裝置之製造方法，包含下列步驟： 形成一光觸媒作爲底座膜於一基板上； -11 - 1356497 藉一液滴放出法形成一第一及一第二源極電極以及一 第一及一第二汲極電極； 形成一半導體膜於該第一及該第二源極電極以及該第 一及該第二汲極電極之上； 形成一遮罩於該半導體膜之上： 利用該遮罩製作該半導體膜圖案； 藉一液滴放出法形成一第一及一第二閘極電極於該等 # 製作圖案之半導體膜之上，藉此形成薄膜電晶體； 形成一柱狀導電膜於該第二源極電極或該第二汲極電 極之上； 形成一第一絕緣膜以便覆蓋該柱狀導電膜之側邊部分 及該等薄膜電晶體； 形成一第一電極以便連接於該第一絕緣膜上之該柱狀 導電膜： 形成一第二絕緣膜以便覆蓋該第一電極之一末端部分 • · t 藉一液滴放出法形成一電致發光層於該第一電極之上 :以及 形成一第二電極以便覆蓋該電致發光層， 其中自該第一源極電極之中央部分至該第一源極電極 之一邊緣連續地減少該第一源極電極之厚度。 32.如申請專利範圍第31項之顯示裝置之製造方法， 其中該方法進一步包含一第一底座預處理之步驟，其中在 形成該第一及第二源極電極以及該第一及第二汲極電極之 -12- 1356497 前形成該第一及第二源極電極以及該第一及第二汲極電極 〇 33·如申請專利範圍第31項之顯示裝置之製造方法’ 其中該方法進一步包含一第二底座預處理之步騾，其中在 形成該第一及第二閘極電極之前形成該第一及第二閘極電 極。 34_如申請專利範圍第32項之顯示裝置之製造方法， 其中該第一底座預處理係利用光觸媒執行。 35. 如申請專利範圍第33項之顯示裝置之製造方法， 其中該第二底座預處理係利用光觸媒執行。 36. —種顯示裝置之製造方法，包含下列步驟： 形成一光觸媒作爲底座膜於一基板上； 藉一液滴放出法形成一第一及一第二電晶體之一第一 及一第二閘極電極； 以一閘極絕緣膜於其間而形成一半導體膜於該第一及 第二閘極電極之上； 藉一液滴放出法形成該第一及第二電晶體之一第一及 一第一源極電極以及一第一及一第二汲極電極於該半導體 膜之上； 藉蝕刻該閘極絕緣膜而形成一接觸孔，用以連接該第 一電晶體之該第一源極電極或該第一汲極電極至該第二電 晶體之該第二閘極電極； 藉一液滴放出法形成一導電膜於該接觸孔之中，藉此 形成薄膜電晶體； -13- 135-6497 形成一柱狀導電膜於該第二電晶體之該第二源極電極 或該第二汲極電極之上； 形成一第一絕緣膜以便覆蓋該柱狀導電膜之側邊部分 以及該等一及第二薄膜電晶體； 形成一第一電極以便連接於該第一絕緣膜上之該柱狀 導電膜； 形成一第二絕緣膜以便覆蓋該第一電極之一末端部分 •； 形成一電致發光層於該第一電極之上；以及 形成一第二電極以便覆蓋該電致發光層， 其中自該第一閘極電極之中央部分至該第一閘極電極 之一邊緣連續地減少該第一閘極電極之厚度。 3 7.—種顯示裝置之製造方法，包含下列步驟： 形成一光觸媒作爲底座膜於一基板上； 藉一液滴放出法形成一第一及一第二電晶體之一第一 參及-第二閘極電極； 以一閘極絕緣膜於其間而形成一半導體膜於該第一及 第二閘極電極之上； 製作該半導體膜圖案； 藉一液滴放出法形成該第一及第二電晶體之一第一及 一第二源極電極以及一第一及第二汲極電極於該等製作圖 案之半導體膜之上； 藉蝕刻該閘極絕緣膜利用任何該等源極電極及該等汲 極電極形成一接觸孔，用以連接該第一電晶體之該第一源 -14- 1356497 極電極或該第一汲極電極至該第二電晶體之該第二閘極電 極； 藉一液滴放出法形成一導電膜於該接觸孔之中，藉此 形成薄膜電晶體； 形成一柱狀導電膜於該第二電晶體之該第二源極電極 或該第二汲極電極之上： 藉一液滴放出法形成一第一絕緣膜以便覆蓋該柱狀導 電膜之側邊部分以及該第一及第二薄膜電晶體； 形成一第一電極以便連接於該第一絕緣膜上之該柱狀 導電膜； 形成一第二絕緣膜以便覆蓋該第一電極之一末端部分 t 藉一液滴放出法形成一電致發光層於該第一電極之上 :以及 形成一第二電極以便覆蓋該電致發光層， 其中自該第一閘極電極之中央部分至該第一閘極電極 之一邊緣連續地減少該第一閘極電極之厚度。 38.如申請專利範圍第36或37項之顯示裝置之製造方 法’其中該方法進一步包含一第一底座預處理之步驟，其 中在形成該％ —及弟一電晶體之該等閘極電極之前形成該 第一及第二電晶體之該等閘極電極。 3 9.如申請專利範圍第36或37項之顯示裝置之製造方 法，其中該方法進一步包含一第二底座預處理之步驟，其 中在形成該第一及第二電晶體之該第一及第二源極電極以 -15- 1356497

及該第一及第二汲極電極之前形成該第一及第二電晶體之 該等一及第二源極電極以及該第一及第二汲極電極。 4〇.如申請專利範圍第38項之顯示裝置之製造方法， 其中該第一底座預處理係利用光觸媒執行。 41·如申請專利範圍第39項之顯示裝置之製造方法， 其中該第二底座預處理係利用光觸媒執行。 42. 如申請專利範圍第12、13、18、19' 21、22、25 ® 、31、36及37項中任一項之顯示裝置之製造方法，其中該 第一絕緣膜之一表面係藉噴灑一氣體而予以平面化。 43. 如申請專利範圍第12、13及36項中任一項之顯示 裝置之製造方法，其中該電致發光層係藉一液滴放出法予 以形成。 44. 一種顯示裝置之製造方法，包含下列步驟： 製備一處理系統，該系統包含一用於液滴放出之第一 處理室及一用於平面化之第二處理室； ® 在該第一處理室之中藉一液滴放出法形成一具有以一 絕緣膜覆蓋之側邊部分的柱狀導電膜於一物體之上； 轉移該物體至該第二處理室之內而無需暴露於氛圍； 以及 在該第二處理室之中藉噴灑一氣體之手段使該柱狀導 電膜之頂表面及該絕緣膜平面化。 45. 如申請專利範圍第44項之顯示裝置之製造方法， 其中各該導電膜及絕緣膜係形成於以底座預處理所處理之 該物體之一區域之上。 -16- 1356497 4 6.如申請專利範圍第45項之顯示裝置之製造方法， 其中該底座預處理係利用光觸媒執行。 47. 如申請專利範圍第13、18、19、20、21、22、25 、31、36、37及44項中任一項之顯示裝置之製造方法，其 中噴墨使用於該液滴放出法。

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