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TW202428164A - 顯示裝置 - Google Patents

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TW202428164A
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light
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趙恒燮
鄭裕澔
洪成基
Original Assignee
南韓商樂金顯示科技股份有限公司
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Abstract

提供一種顯示裝置。根據本發明一示例性實施例的顯示裝置包含：基板，包含非顯示區及顯示區，顯示區包含含有發光區及透射區的光學區以及用以圍繞該光學區的一般區；平坦化層，在顯示區中設置於基板上；多個發光元件，設置於平坦化層上，且包含陽極、發光層及陰極；堤部，設置於平坦化層上，且用以覆蓋陽極的一端；以及沉積抑制層，設置於光學區的透射區及發光區之中的透射區中的發光層上，其中堤部設置於光學區的透射區及發光區之中的發光區中。

Description

顯示裝置
本發明涉及一種顯示裝置，特別係一種能夠抑制堆疊於被設置有相機或感測器的區域中的薄膜分離的顯示裝置。
隨著進入資訊時代，視覺地顯示電子資訊訊號的顯示裝置正快速發展。正在不斷地進行各種研究以開發薄且重量輕、功耗低且具有改善的效能的各種顯示裝置。
作為代表性的顯示裝置，可以有液晶顯示(LCD)裝置、場致發光顯示(field emission display，FED)裝置、電潤濕顯示(electrowetting display，EWD)裝置、有機發光顯示(OLED)裝置等等。
作為代表性的有機發光顯示裝置的電致發光顯示裝置係指自主發光的顯示裝置。與液晶顯示裝置不同，電致發光顯示裝置不需要單獨的光源，且因此可以被製造為重量輕、薄的顯示裝置。此外，因為電致發光顯示裝置在低電壓下運作，所以電致發光顯示裝置在功耗方面係有優勢的。再者，因為電致發光顯示裝置在顏色、響應速度、視角及對比度(CR)的實現方面亦優異，所以期望電致發光顯示裝置在各種領域中被採用。
最近，行動終端的多媒體功能已經改善。舉例來說，相機或感測器基本上嵌入顯示設備的前表面中。然而，設置於顯示裝置的前表面上的相機或感應器限制了螢幕設計，這使得難以實施螢幕設計。顯示裝置採用包含凹口或穿孔的設計，以減少設置於顯示裝置的前表面上的相機或感測器所佔用的空間。然而，螢幕尺寸仍受到相機或感應器的限制，難以實施全螢幕顯示。
為了實施全螢幕顯示，已經提出了一種配置，其中在顯示裝置的螢幕中提供被設置有低解析度像素的區域，且在被設置有低解析度像素的區域中設置相機及/或各種類型的感測器。
本發明要實現的目的為提供一種顯示裝置，其改善了被設置有相機或感測器的區域的透射率。
本發明要實現的另一目的為提供一種顯示裝置，其能夠抑制堆疊於被設置有相機或感測器的區域中的薄膜分離。
本發明要實現的又另一目的為提供一種顯示裝置，其能夠抑制由有機材料的脫氣(outgassing)造成的發光部的像素的收縮，所述有機材料的脫氣在被設置有相機或感測器的區域中評估UV可靠性的製程期間由UV光的透射造成。
本發明的目的不受限於上面提及的目的，且本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以從以下描述中清楚地理解上面未提及的其他目的。
根據本發明一態樣，顯示裝置包含：基板，包含非顯示區及顯示區，顯示區包含含有發光區及透射區的光學區以及用以圍繞該光學區的一般區；平坦化層，在顯示區中設置於基板上；多個發光元件，設置於平坦化層上，且包含陽極、發光層及陰極；堤部，設置於平坦化層上，且用以覆蓋陽極的一端；以及沉積抑制層，設置於光學區的透射區及發光區之中的透射區中的發光層上，其中堤部設置於光學區的透射區及發光區之中的發光區中。
根據本發明另一態樣，顯示裝置包含：基板，包含非顯示區及顯示區，顯示區包含含有發光區及透射區的光學區以及用以圍繞光學區的一般區；平坦化層，在顯示區中設置於基板上；多個發光元件，設置平坦化層上，且包含陽極、發光層及陰極；沉積抑制層，在透射區中設置於發光層上，其中沉積抑制層不重疊陰極；以及光學電子裝置，在光學區中設置於基板的下部部分上，其中光學電子裝置重疊沉積抑制層。
示例性實施例的其他詳細內容包含於詳細描述及圖式中。
根據根據本發明一示例性實施例的顯示裝置，相機或感測器設置於顯示區中的觸控電極或發光元件的下部端，使得位於其上部側的顯示或觸控可不斷開。
根據根據本發明一示例性實施例的顯示裝置，沉積抑制層設置於與被設置有相機或感測器的區域重疊的區域中。此後，沉積金屬電極。因此，不設置有例如金屬電極的不透明構成元件的透射區可設置於沉積抑制層上。因此，可改善被設置有相機或感測器的區域的透光率，藉此改善顯示裝置的視覺靈敏度。
根據本發明的功效不受限於上面舉例的內容，且更多各種功效包含於本發明中。
本發明的優點、特徵及其實施方法將藉由以下參考所附圖式詳細描述的示例性實施例而變得清楚。然而，本發明不受限於本文中揭露的示例性實施例，而可以不同的形式實施。僅以示例的方式提供這些實施例，以使本發明所屬技術領域中具有通常知識者能充分理解本發明及本發明的範圍。
用以描述本發明示例性實施例的所附圖式中所繪示的形狀、尺寸、比例、角度、數量等僅為示例，本發明並不以此為限。通篇說明書中相似的符號通常表示相似的元件。再者，在本發明的以下描述中，可省略習知技術的詳細描述，以避免不必要地模糊本發明之主旨。本文中所使用得例如「包含」、「具有」及「由…組成」的用語，除非與用語「僅」一起使用，否則通常旨在允許添加其他構件。除非另有說明，否則單數的引用可包含複數。
即便沒有明確描述，構件仍被解釋為包含一般誤差範圍。
當使用例如「上」、「之上」、「之下」及「在…旁」的用語描述兩個部分之間的位置關係時，除非與用語「剛好」或「直接」一起使用，否則一個或多個部分可放置於所述兩個部分之間。
當一個元件或層體設置於其他元件或層體「上」時，可直接在其之間或在所述其他元件上直接插設另一個層體或另一個元件。
儘管使用「第一」、「第二」等用語來描述各種構件，但這些構件不受限於這些用語。這些用語僅用以區分一構件與其他構件。因此，在本發明的技術概念中，以下待提及的第一構件可為第二構件。
通篇說明書中相似的符號通常表示相似的元件。
繪示於圖式中的各構件的尺寸及厚度係為了方便描述而繪示的，且本發明不受限於所繪示的構件的尺寸及厚度。
本發明的各種實施例的特徵能部分或整體地彼此耦接或結合，且可以技術上的各種方式互鎖及運作，且這些實施例能彼此獨立地或關聯地被實施。
以下將參考所附圖式詳細描述本發明的各種示例性實施例。
圖1A至圖1D為根據本發明一示例性實施例的顯示裝置的俯視平面示意圖。
請參考圖1A至圖1D，根據本發明一示例性實施例的顯示裝置100可包含用以顯示影像的顯示面板DP及一個或多個光學電子裝置170、170a、170b。光學電子裝置170、170a、170b可各自包含接收光的光接收裝置(例如相機或感測器)。
顯示面板DP為用以向使用者顯示影像的面板。
顯示面板DP可包含顯示元件、驅動元件及線路，所述顯示元件用以顯示影像，所述驅動元件用以運作顯示元件，所述線路用以將各種類型的訊號傳輸至顯示元件及驅動元件。可根據顯示面板DP的類型來界定不同顯示元件。舉例來說，在顯示面板DP為有機發光顯示面板的情況下，顯示元件可為包含陽極、發光層及陰極的有機發光元件。舉例來說，在顯示面板DP為液晶顯示面板的情況下，顯示元件可為液晶顯示元件。
以下，假設顯示面板DP為有機發光顯示面板。然而，顯示面板DP不受限於有機發光顯示面板。
同時，顯示面板DP可包含基板以及設置於基板上的多個絕緣膜、電晶體層及發光元件層。為了顯示影像，顯示面板DP可包含多個子像素及用以運作這些子像素的各種類型的訊號線路。訊號線路可包含多個資料線路、多個閘極線路、多個電源線路等等。在這種情況下，這些子像素可各自包含設置於電晶體層上的電晶體及設置於發光元件層上的發光元件。
顯示面板DP可包含顯示區DA及非顯示區NDA。
顯示區DA為顯示面板DP中顯示影像的區域。
顯示區DA可包含構成多個像素的這些子像素及用以運作這些子像素的電路。這些子像素為構成顯示區DA的最小單元。顯示元件可設置於這些子像素之各者中。這些子像素可構成像素。舉例來說，這些子像素可各自包含含有陽極、發光層及陰極的有機發光元件。然而，本發明並不以此為限。此外，用以運作這些子像素的電路可包含驅動元件、線路等等。舉例來說，電路可包含薄膜電晶體、儲存電容器、閘極線路、資料線路等等。然而，本發明並不以此為限。
非顯示區NDA為不顯示影像的區域。
非顯示區NDA可被彎曲，使得非顯示區NDA不會從前表面被看見。非顯示區NDA可被外殼(未繪示)覆蓋。非顯示區NDA被稱為邊框區。
圖1A至圖1D繪示非顯示區NDA圍繞具有四邊形外形的顯示區DA。然而，顯示區DA及非顯示區NDA的外形及布置不受限於圖1A至圖1D中所繪示的示例。亦即，顯示區DA及非顯示區NDA可適合配備有可撓性顯示裝置100的電子裝置的設計。舉例來說，顯示區DA的示例性外形亦可為五邊形外形、六邊形外形、圓形外形、橢圓形外形等等。
用以運作顯示區DA中的有機發光元件的各種線路及電路可設置於非顯示區NDA中。舉例來說，非顯示區NDA可包含用以將訊號傳輸至顯示區DA中的這些子像素及電路的連結線路。非顯示區NDA可包含板上閘極(GIP)線路或例如閘極驅動器積體電路及資料驅動器積體電路的驅動積體電路。然而，本發明並不以此為限。
顯示裝置100可更包含用以產生各種訊號或用以運作顯示區DA中的像素的各種額外的元件。用以運作像素的額外的元件可包含反向器電路、多功器、靜電放電(ESD)電路等等。顯示裝置100亦可包含與運作像素的功能以外的功能相關的額外的元件。舉例來說，顯示裝置100可更包含額外的元件，所述額外的元件提供觸控偵測功能、使用者認證功能(例如指紋辨認)、多級(multi-level)壓力偵測功能、觸覺回饋功能等等。上面提及的額外的元件可設置於非顯示區NDA及/或連接於連接界面的外部電路中。
請參考圖1A至圖1D，顯示區DA可包含第一光學區DA1及第二光學區DA2。然而，本發明並不以此為限。
圖1A至圖1D中，作為電子構件的一個或多個光學電子裝置170、170a、170b設置於顯示面板DP的下部側(相對於視覺表面的一側)。
光可進入顯示面板DP的前表面(視覺表面)、穿過顯示面板DP，然後傳遞至設置於顯示面板DP的下部側(相對於視覺表面的一側)的一個或多個光學電子裝置170、170a、170b。
一個或多個光學電子裝置170、170a、170b可為接收已穿過顯示面板DP的光並響應所接收的光而執行預設的功能的裝置。
舉例來說，光學電子裝置170、170a、170b可各自包含相機及鄰近感應器(proximity sensor)之一者或兩者。
如上所述，光學電子裝置170、170a、170b可為需要接收光的裝置。然而，光學電子裝置170、170a、170b可設置於顯示面板DP的下部側。亦即，光學電子裝置170、170a、170b可設置於相對於顯示面板DP的視覺表面的一側。光學電子裝置170、170a、170b不被暴露於可撓性顯示裝置100的前表面。因此，當使用者看向可撓性顯示裝置100的前表面時，使用者不會視覺上辨認光學電子裝置170、170a、170b。
舉例來說，設置於顯示面板DP的下部側的相機可為用以捕捉設置於相機的前面的物體的影像的前表面相機。所述相機可為相機鏡頭。
光學電子裝置170、170a、170b可被設置為重疊顯示面板DP的顯示區DA。亦即，光學電子裝置170、170a、170b可設置於顯示區DA中。
請參考圖1A至圖1D，顯示區DA可包含一般區NA及一個或多個光學區DA1、DA2。
一個或多個光學區DA1、DA2可為重疊一個或多個光學電子裝置170、170a、170b的區域。
根據圖1A中的示例，顯示區DA可包含一般區NA及第一光學區DA1。在這種情況下，第一光學區DA1的至少一部分可重疊第一光學電子裝置170。
圖1A繪示第一光學區DA1具有圓形結構的情況。然而，根據本發明一示例性實施例的第一光學區DA1的外形不以此為限。
舉例來說，如圖1B中所繪示，第一光學區DA1的外形可為八邊形外形或各種多邊形外形。
根據圖1C中的示例，顯示區DA可包含一般區NA、第一光學區DA1及第二光學區DA2。在圖1C中的示例中，一般區NA可存在於第一光學區DA1及第二光學區DA2之間。在這種情況下，第一光學區DA1的至少一部分可重疊第一光學電子裝置170a，且第二光學區DA2的至少一部分可重疊第二光學電子裝置170b。
根據圖1D中的示例，顯示區DA可包含一般區NA、第一光學區DA1及第二光學區DA2。在圖1D中的示例中，一般區NA不存在於第一光學區DA1及第二光學區DA2之間。亦即，第一光學區DA1及第二光學區DA2彼此鄰接。在這種情況下，第一光學區DA1的至少一部分可重疊第一光學電子裝置170a，且第二光學區DA2的至少一部分可重疊第二光學電子裝置170b。
一個或多個光學區DA1、DA2各自需具有影像顯示結構及光透射結構兩者。亦即，因為一個或多個光學區DA1、DA2為顯示區DA的部分區域，所以用以顯示影像的多個子像素需設置於一個或多個光學區DA1、DA2中。一個或多個光學區DA1、DA2各自需具有用以將光傳輸至一個或多個光學電子裝置170、170a、170b的光透射結構。
一個或多個光學電子裝置170、170a、170b為需要接收光的裝置。然而，一個或多個光學電子裝置170、170a、170b設置於顯示面板DP的後側(下部側，亦即相對於視覺表面的一側)並接收已穿過顯示面板DP的光。
一個或多個光學電子裝置170、170a、170b不被暴露於顯示面板DP的前表面(視覺表面)。因此，當使用者看向可撓性顯示裝置100的前表面時，使用者不會視覺上辨認光學電子裝置170、170a、170b。
舉例來說，第一光學電子裝置170(170a)可為相機，且第二光學電子裝置170b可為例如鄰近感應器或照度(illuminance)感測器的偵測感測器。舉例來說，偵測感測器可為偵測紅外線的紅外線感測器。
相反地，第一光學電子裝置170(170a)可為偵測感測器，且第二光學電子裝置170b可為相機。
以下，為了方便描述，將描述第一光學電子裝置170(170a)為相機，且第二光學電子裝置170b為偵測感測器的示例。在這種情況下，相機可為相機鏡頭或影像感測器。
在第一光學電子裝置170(170a)為相機的情況下，相機可設置於顯示面板DP的後側(下部側)。然而，相機可為用以捕捉設置於顯示面板DP的前面的物體的影像的前表面相機。因此，使用者可在看向顯示面板DP的視覺表面的同時，藉由使用從視覺表面不會被看見的相機來捕捉影像。
包含於顯示區DA中的一個或多個光學區DA1、DA2及一般區NA為可顯示影像的區域。然而，一般區NA為不需要光透射結構的區域，且一個或多個光學區DA1、DA2為需具有光透射結構的區域。
因此，一個或多個光學區DA1、DA2各自需具有預設的位準或更高的透射率。一般區NA可不具有光透射或具有小於預設的位準的低透射率。
舉例來說，一個或多個光學區DA1、DA2及一般區NA可在解析度、子像素布置結構、每單位面積的子像素數量、電極結構、線路結構、電極布置結構、線路布置結構等方面不同。
舉例來說，一個或多個光學區DA1、DA2之各者中的每單位面積的子像素數量可小於一般區NA中的每單位面積的子像素數量。亦即，一個或多個光學區DA1、DA2之各者中的解析度可低於一般區NA中的解析度。在這種情況下，每單位面積的子像素數量可為用以量測解析度的標準，且亦可稱為表示1吋內的像素數量的PPI(pixels per inch)。
舉例來說，第一光學區DA1中的每單位面積的子像素數量可小於一般區NA中的每單位面積的子像素數量。第二光學區DA2中的每單位面積的子像素數量可等於或大於第一光學區DA1中的每單位面積的子像素數量。
第一光學區DA1可具有例如圓形外形、橢圓形外形、四邊形外形、六邊形外形或八邊形外形的各種外形。第二光學區DA2可具有例如圓形外形、橢圓形外形、四邊形外形、六邊形外形或八邊形外形的各種外形。第一光學區DA1及第二光學區DA2可具有相同外形或不同外形。
請參考圖1C，在第一光學區DA1及第二光學區DA2彼此鄰接的情況下，包含第一光學區DA1及第二光學區DA2的整個光學區可具有例如圓形外形、橢圓形外形、四邊形外形、六邊形外形或八邊形外形的各種外形。
以下，為了方便描述，將描述第一光學區DA1及第二光學區DA2各自具有圓形外形的示例。
在根據本發明一示例性實施例的可撓性顯示裝置100中，在藏於顯示面板DP的下部側而不被暴露於外部的第一光學電子裝置170(170a)為相機的情況下，根據本發明一示例性實施例的可撓性顯示裝置100可為應用顯示器下相機(under-display camera，UDC)技術的顯示器。
根據此配置，在根據本發明一示例性實施例的可撓性顯示裝置100中，顯示面板DP中不需形成用以暴露相機的凹口或相機孔，使得顯示區DA的面積不會減少。
因此，因為顯示面板DP中不需形成用以暴露相機的凹口或相機孔，所以邊框區的尺寸可減少，且可消除設計限制，從而可增加設計的自由度。
在根據本發明一示例性實施例的可撓性顯示裝置100中，即便一個或多個光學電子裝置170、170a、170b被設置為藏於顯示面板DP的後側，但一個或多個光學電子裝置170、170a、170b仍需正常地接收光並正常地執行預設的功能。
此外，在根據本發明一示例性實施例的可撓性顯示裝置100中，即便一個或多個光學電子裝置170、170a、170b被設置為藏於顯示面板DP的後側且被設置為重疊顯示區DA，但影像仍需在一個或多個光學區DA1、DA2中正常地顯示，所述一個或多個光學區DA1、DA2在顯示區DA中重疊一個或多個光學電子裝置170、170a、170b。
因此，根據本發明一示例性實施例的可撓性顯示裝置100可具有能夠改善重疊光學電子裝置170、170a、170b的第一光學區DA1及第二光學區DA2的透射率的結構。
圖2為根據本發明一示例性實施例的顯示裝置的系統配置圖。
請參考圖2，顯示裝置100可包含作為用以顯示影像的構成元件的顯示驅動電路及顯示面板DP。
顯示驅動電路可為用以運作顯示面板DP的電路，且包含資料驅動電路DDC、閘極驅動電路GDC及顯示控制器DCTR。
顯示面板DP可包含顯示影像的顯示區DA及不顯示影像的非顯示區NDA。非顯示區NDA可為顯示區DA的外周圍區且亦稱為邊框區。整個或部分的非顯示區NDA可為從顯示裝置100的前表面可被看見的區域，或者可為彎曲且從顯示裝置100的前表面不被看見的區域。
顯示面板DP可包含基板SUB及設置於基板SUB上的多個子像素SP。此外，顯示面板DP可更包含各種類型的訊號線路，以運作這些子像素SP。
根據本發明多個示例性實施例的顯示裝置100可為液晶顯示裝置或具有自主發光的顯示面板DP的自發光顯示裝置。在根據本發明多個示例性實施例的顯示裝置100為自發光顯示裝置的情況下，這些子像素SP可各自包含發光元件。
舉例來說，根據本發明多個示例性實施例的顯示裝置100可為以有機發光二極體(OLED)實施發光元件的有機發光顯示裝置。作為另一示例，根據本發明多個示例性實施例的顯示裝置100可為以由無機材料製成的發光二極體實施發光元件的無機發光顯示裝置。作為又另一示例，根據本發明多個示例性實施例的顯示裝置100可為由作為半導體晶體的量子點實施的量子點顯示裝置，使得發光元件自主發光。
這些子像素SP之各者的結構可根據顯示裝置100的類型而變化。舉例來說，在顯示裝置100為具有自主發光的子像素SP的自發光顯示裝置的情況下，子像素SP可各自包含用以自主發光的發光元件、一個或多個電晶體及一個或多個電容器。
舉例來說，各種類型的訊號線路可包含用以傳輸資料訊號(亦稱為資料電壓或影像訊號)的多個資料線路DL，以及用以傳輸閘極訊號(亦稱為掃描訊號)的多個閘極線路GL。
這些資料線路DL及這些閘極線路GL可互相交錯。這些資料線路DL可各自設置為沿第一方向延伸。這些閘極線路GL可各自設置為沿第二方向延伸。
在這種情況下，第一方向可為行方向，且第二方向可為列方向。或者，第一方向可為列方向，且第二方向可為行方向。
資料驅動電路DDC可為用以運作這些資料線路DL的電路，且將資料訊號輸出至這些資料線路DL。閘極驅動電路GDC可為用以運作這些閘極線路GL的電路，且將閘極訊號輸出至這些閘極線路GL。
顯示控制器DCTR可為用以控制資料驅動電路DDC及閘極驅動電路GDC的裝置，且控制用於這些資料線路DL的驅動時序及用於這些閘極線路GL的驅動時序。
顯示控制器DCTR可將資料驅動控制訊號DCS供應至資料驅動電路DDC，以控制資料驅動電路DDC，且可將閘極驅動控制訊號GCS供應至閘極驅動電路GDC，以控制閘極驅動電路GDC。
顯示控制器DCTR可接收來自主機系統HSYS的輸入影像資料，且基於輸入影像資料將影像資料Data供應至資料驅動電路DDC。
資料驅動電路DDC可基於顯示控制器DCTR的驅動時序控制將資料訊號供應至這些資料線路DL。
資料驅動電路DDC可接收來自顯示控制器DCTR的數位影像資料Data、將所接收的影像資料Data轉換為類比資料訊號，並將類比資料訊號輸出至這些資料線路DL。
閘極驅動電路GDC可基於顯示控制器DCTR的時序控制將閘極訊號供應至這些閘極線路GL。閘極驅動電路GDC可藉由接收對應於導通位準電壓(turn-on level voltage)的第一閘極電壓、對應於關斷位準電壓(turn-off level voltage)的第二閘極電壓以及各種類型的閘極驅動控制訊號GCS來產生閘極訊號，並將所產生的閘極訊號供應至這些閘極線路GL。
響應於從顯示控制器DCTR供應的閘極驅動控制訊號GCS，閘極驅動電路GDC將閘極訊號供應至閘極線路GL。閘極驅動電路GDC可以板上閘極(gate-in-panel，GIP)方式設置於顯示面板DP的一側或兩相對側。
閘極驅動電路GDC在顯示控制器DCTR的控制下依序將多個閘極訊號輸出至這些閘極線路GL。閘極驅動電路GDC可藉由使用移位暫存器來移位閘極訊號，且依序將多個訊號供應至閘極線路GL。
在有機發光顯示裝置中，閘極訊號可包含掃描訊號及發光控制訊號EM。掃描訊號包含在第一閘極電壓及第二閘極電壓之間擺動的掃描訊號脈衝。發光控制訊號EM可包含在第三閘極電壓及第四閘極電壓之間擺動的發光控制訊號脈衝。
掃描脈衝與資料電壓Vdata同步，且選擇寫入資料的線路上的子像素SP。發光控制訊號EM界定這些子像素SP之各者的發光時間。
閘極驅動電路GDC可包含用以輸出發光控制訊號EM的發光控制訊號驅動部EDC，以及用以輸出掃描訊號SC的一個或多個掃描驅動部SDC。
發光控制訊號驅動部EDC響應於來自顯示控制器DCTR的起始脈衝(start pulse)及移位時脈(shift clock)而輸出發光控制訊號EM，且響應於移位時脈而依序移位發光控制訊號脈衝。
一個或多個掃描驅動部SDC響應於來自顯示控制器DCTR的起始脈衝及移位時脈而輸出掃描訊號，且根據移位時脈時序而移位掃描訊號脈衝。
在以GIP方式設置的閘極驅動電路GDC中，移位暫存器可對稱地配置於顯示區DA的兩相對側。此外，閘極驅動電路GDC可被配置，使得位於顯示區DA的一側的移位暫存器包含至少一掃描驅動部SDC及發光控制訊號驅動部EDC，且位於顯示區DA的另一側的移位暫存器包含至少一掃描驅動部SDC。然而，本發明並不以此為限。發光控制訊號驅動部EDC及至少一掃描驅動部SDC可根據示例性實施例而不同地設置。
資料驅動電路DDC可以捲帶式自動接合(tape automated bonding，TAB)方式連接於顯示面板DP，以玻璃覆晶(chip-on-glass，COG)或板上覆晶(chip-on-panel，COP)方式連接於顯示面板DP的接合墊，或者以膜上覆晶(chip-on-film，COF)方式連接於顯示面板DP。
閘極驅動電路GDC可以捲帶式自動接合(TAB)方式連接於顯示面板DP，以玻璃覆晶(COG)或板上覆晶(COP)方式連接於顯示面板DP的接合墊，或者以膜上覆晶(COF)方式連接於顯示面板DP。或者，閘極驅動電路GDC可在顯示面板DP的非顯示區NDA中被形成為板上閘極(GIP)型。閘極驅動電路GDC可設置於基板上或連接於基板。亦即，在閘極驅動電路GDC為GIP型的情況下，閘極驅動電路GDC可設置於基板的非顯示區NDA中。在閘極驅動電路GDC為玻璃覆晶(COG)型或板上覆晶(COP)型等的情況下，閘極驅動電路GDC可連接於基板。
同時，資料驅動電路DDC及閘極驅動電路GDC之至少一者可設置於顯示面板DP的顯示區DA中。舉例來說，資料驅動電路DDC及閘極驅動電路GDC之至少一者可被設置為不重疊子像素SP，或者被設置為重疊一些或所有子像素SP。
資料驅動電路DDC可連接於顯示面板DP的一側(例如上部或下部側)。根據運作方法、面板設計方法等，資料驅動電路DDC可連接於顯示面板DP的兩相對側(例如上部及下部側)，或者連接於顯示面板DP的四個側面中的兩個以上的側面。
閘極驅動電路GDC可連接於顯示面板DP的一側(例如左或右側)。根據運作方法、面板設計方法等，閘極驅動電路GDC可連接於顯示面板DP的兩相對側(例如左及右側)，或者連接於顯示面板DP的四個側面中的兩個以上的側面。
顯示控制器DCTR可被實施為與資料驅動電路DDC分開提供的構件，或者可藉由與資料驅動電路DDC整合而被實施為積體電路。
顯示控制器DCTR可為用於典型的顯示技術的時序控制器，或者可為包含時序控制器且用以進一步執行其他控制功能的控制裝置。或者，顯示控制器DCTR可為與時序控制器不同的控制裝置，或者可為設置於控制裝置中的電路。顯示控制器DCTR可被實施為例如積體電路(IC)、現場可程式化邏輯閘陣列(field programmable gate array，FPGA)、特殊應用積體電路(application specific integrated circuit，ASIC)或處理器(processor)的各種電路或電子構件。
顯示控制器DCTR可安裝於印刷電路板、可撓性印刷電路等上，並經由印刷電路板、可撓性印刷電路等電性連接於資料驅動電路DDC及閘極驅動電路GDC。
顯示控制器DCTR可根據一個或多個預設的界面將訊號傳輸至資料驅動電路DDC，且接收來自資料驅動電路DDC的訊號。舉例來說，在這種情況下，界面可包含低電壓差分訊號(low-voltage differential signaling，LVDS)界面、嵌入式點對點界面(embedded point-to-point interface，EPI)、串列週邊界面(serial peripheral interface，SPI)等等。
為了進一步提供除了影像顯示功能以外的觸控感測功能，根據本發明多個示例性實施例的顯示裝置100可包含觸控感測器及觸控感測電路，所述觸控感測電路用以感測觸控感測器，以偵測藉由例如手指、筆等的觸控物體產生的觸控，或偵測觸控位置。
觸控感測電路可更包含觸控驅動電路及觸控控制器，所述觸控驅動電路用以運作觸控感測器、感測觸控感測器，且產生並輸出觸控感測資料，所述觸控控制器用以使用觸控感測資料以偵測觸控的發生或觸控位置。
觸控感測器可包含多個觸控電極。觸控感測器可更包含用以電性連接這些觸控電極及觸控驅動電路的多個觸控線路。
觸控感測器可以設置於顯示面板DP外的觸控面板的型式被提供，或者提供於顯示面板DP中。在觸控感測器以存在於顯示面板DP外的觸控面板的型式被提供的情況下，觸控感測器被稱為外部攜帶(externally-carried)觸控感測器。在觸控感測器為外部攜帶觸控感測器的情況下，觸控面板及顯示面板DP可獨立製造且在組裝製程期間彼此耦接。外部攜帶觸控面板可包含觸控面板基板及設置於觸控面板基板上的多個觸控電極。
在觸控感測器存在於顯示面板DP內的情況下，觸控感測器可在製造顯示面板DP的製程期間與相關於顯示運作的訊號線路及電極一起提供於基板SUB上。
觸控驅動電路TDC可將觸控驅動訊號供應至這些觸控電極之至少一者、感測這些觸控電極之至少一者，且產生觸控感測資料。
觸控感測電路可以自電容(self-capacitance)感測方式或互電容(mutual-capacitance)感測方式來執行觸控感測。
在觸控感測電路以自電容感測方式來執行觸控感測的情況下，觸控感測電路可基於多個觸控電極之各者及觸控物體(例如手指、筆等)之間的電容執行觸控感測。
根據自電容感測方式，這些觸控電極可作為驅動觸控電極及感測觸控電極。觸控驅動電路TDC可運作所有或一些觸控電極且感測所有或一些觸控電極。
在觸控感測電路以互電容感測方式來執行觸控感測的情況下，觸控感測電路可基於多個觸控電極之間的電容執行觸控感測。
根據互電容感測方式，這些觸控電極被分為驅動觸控電極及感測觸控電極。觸控驅動電路可運作驅動觸控電極且感測感測觸控電極。
包含於觸控感測電路中的觸控驅動電路及觸控控制器可被實施為獨立的多個裝置或單一裝置。此外，觸控驅動電路及資料驅動電路DDC可被實施為獨立的多個裝置或單一裝置。
顯示裝置100可更包含用以將各種類型的電源供應至顯示驅動電路及/或觸控感測電路的電源供應電路。
根據本發明多個示例性實施例的顯示裝置100可為例如智慧型手機或平板電腦的行動終端，或者可為具有各種尺寸的螢幕或電視(TV)。然而，本發明並不以此為限。顯示裝置100可為具有各種類型及各種尺寸且能顯示資訊或影像的多種顯示器之一者。
如上所述，顯示面板DP的顯示區DA可包含一般區NA及一個或多個光學區DA1、DA2。
一般區NA及一個或多個光學區DA1、DA2為可顯示影像的區域。然而，一般區NA為不需要光透射結構的區域，而一個或多個光學區DA1、DA2為需具有光透射結構的區域。
如上所述，顯示面板DP的顯示區DA可包含一個或多個光學區DA1、DA2及一般區NA。然而，為了方便描述，假設顯示區DA包含第一光學區DA1及第二光學區DA2兩者(圖1C及圖1D)。
圖3為根據本發明一示例性實施例的顯示面板的子像素的等效電路圖。
圖3僅為了說明性目的而舉例地繪示像素電路。只要像素電路具有能藉由施加發光訊號EM(n)來控制發光元件ED(120)發光的結構，則像素電路不受限制。舉例來說，像素電路可包含額外的掃描訊號及連接於額外的掃描訊號的開關薄膜電晶體。額外的初始化電壓可被施加至開關薄膜電晶體。多個開關元件之間的連接關係及電容器的連接位置可不同地設置。以下，為了方便描述，將描述具有圖3中的像素電路結構的顯示裝置。
請參考圖3，這些子像素SP可各自包含具有驅動電晶體DT的像素電路及連接於像素電路的發光元件ED(120)。
設置於顯示面板DP的顯示區DA中所包含的一般區NA、第一光學區DA1及第二光學區DA2中的多個子像素SP可各自包含發光元件ED(120)、用以運作發光元件ED(120)的驅動電晶體DT、用以運作驅動電晶體DT的多個掃描電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7，及用以在一幀的時間內維持恆定電壓的電容器Cst。
像素電路可藉由控制流入發光元件ED(120)中的驅動電流來運作發光元件ED(120)。像素電路可包含驅動電晶體DT、第一至第七電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7及電容器Cst。電晶體DT、T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7可各自包含第一電極、第二電極及閘極電極。第一及第二電極之一者可為源極電極，且第一及第二電極之另一者可為汲極電極。
電晶體DT、T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7可各自為P型薄膜電晶體或N型薄膜電晶體。在圖3中的示例性實施例中，第一電晶體T1及第七電晶體T7各自被配置為N型薄膜電晶體，而剩下的電晶體DT、T2、T3、T4、T5、T6各自被配置為P型薄膜電晶體。然而，本發明並不以此為限。根據示例性實施例，電晶體DT、T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7之每一者或多者可為P型薄膜電晶體或N型薄膜電晶體。此外，N型薄膜電晶體可為氧化物薄膜電晶體，且P型薄膜電晶體可為多晶矽薄膜電晶體。
以下，將描述第一電晶體T1及第七電晶體T7各自為N型薄膜電晶體，而剩下的電晶體DT、T2、T3、T4、T5、T6各自為P型薄膜電晶體的示例。因此，第一電晶體T1及第七電晶體T7藉由接收高電壓而導通，而剩下的電晶體DT、T2、T3、T4、T5、T6藉由接收低電壓而導通。
舉例來說，構成像素電路的第一電晶體T1可作為補償電晶體，第二電晶體T2可作為資料供應電晶體，第三電晶體T3及第四電晶體T4可作為發光控制電晶體，第五電晶體T5可作為偏壓電晶體(bias transistor)，第六電晶體T6及第七電晶體T7可作為初始化電晶體。
發光元件ED(120)可包含陽極電極及陰極電極。發光元件ED(120)的陽極電極可連接於第五節點N5，且陰極電極可連接於低電位驅動電壓EVSS。
驅動電晶體DT可包含連接於第二節點N2的第一電極、連接於第三節點N3的第二電極及連接於第一節點N1的閘極電極。驅動電晶體DT可基於第一節點N1的電壓(或下面待描述的儲存於電容器Cst中的資料電壓)將驅動電流提供至發光元件ED(120)。
第一電晶體T1可包含連接於第一節點N1的第一電極、連接於第三節點N3的第二電極及用以接收第一掃描訊號SC1(n)的閘極電極。第一電晶體T1可響應於第一掃描訊號SC1(n)而導通並以二極體的方式連接於第一節點N1(資料電壓Vdata)及第三節點N3之間，使得第一電晶體T1可對驅動電晶體DT的臨界電壓(Vth)取樣。第一電晶體T1可為補償電晶體。
電容器Cst可連接或形成於第一節點N1及第四節點N4之間。電容器Cst可儲存或維持所提供的高電位驅動電壓EVDD。此外，在一些情況下，電容器Cst可更包含一個或多個電容器。
第二電晶體T2可包含連接於資料線路DL(或用以接收資料電壓Vdata)的第一電極、連接於第二節點N2的第二電極及用以接收第二掃描訊號SC2(n)的閘極電極。第二電晶體T2可響應於第二掃描訊號SC2(n)而導通，且將資料電壓Vdata傳輸至第二節點N2。第二電晶體T2可為資料供應電晶體。
第三電晶體T3及第四電晶體T4(或第一及第二發光控制電晶體)可連接於高電位驅動電壓EVDD及發光元件ED(120)之間，且界定由驅動電晶體DT產生的驅動電流流動的電流流動路徑。
第三電晶體T3可包含連接於第四節點N4且用以接收高電位驅動電壓EVDD的第一電極、連接於第二節點N2的第二電極及用以接收發光控制訊號EM(n)的閘極電極。
第四電晶體T4可包含連接於第三節點N3的第一電極、連接於第五節點N5(或發光元件ED(120)的陽極電極)的第二電極及用以接收發光控制訊號EM(n)的閘極電極。
第三電晶體T3及第四電晶體T4可響應於發光控制訊號EM(n)而導通。在這種情況下，驅動電流被提供至發光元件ED(120)，且發光元件ED(120)可發出對應於驅動電流的亮度的光。
第五電晶體T5可包含用以接收偏電壓Vobs的第一電極、連接於第二節點N2的第二電極及用以接收第三掃描訊號SC3(n)的閘極電極。第五電晶體T5可為偏壓電晶體。
第六電晶體T6可包含用以接收第一初始化電壓Var的第一電極、連接於第五節點N5的第二電極及用以接收第三掃描訊號SC3(n)的閘極電極。
在發光元件ED(120)發光之前(或在發光元件ED(120)發光之後)，第六電晶體T6可響應於第三掃描訊號SC3(n)而導通，且藉由使用第一初始化電壓Var來使發光元件ED(120)的陽極電極(或像素電極)初始化。發光元件ED(120)可具有形成於陽極電極及陰極電極之間的寄生電容器。再者，在發光元件ED(120)發光的同時寄生電容器會被充電，使得發光元件ED(120)的陽極電極可具有一定的電壓。因此，可藉由經由第六電晶體T6將第一初始化電壓Var施加至發光元件ED(120)的陽極電極來使累積於發光元件ED(120)中的電荷量初始化。
在本發明中，第五電晶體T5及第六電晶體T6的閘極電極被配置為共同接收第三掃描訊號SC3(n)。然而，本發明不必以此為限。第五電晶體T5及第六電晶體T6的閘極電極可被配置為藉由接收獨立的多個掃描訊號來被獨立地控制。
第七電晶體T7可包含用以接收第二初始化電壓Vini的第一電極、連接於第一節點N1的第二電極及用以接收第四掃描訊號SC4(n)的閘極電極。
第七電晶體T7可響應於第四掃描訊號SC4(n)而導通，且藉由使用第二初始化電壓Vini使驅動電晶體DT的閘極電極初始化。由於儲存於電容器Cst中的高電位驅動電壓EVDD，所以驅動電晶體DT的閘極電極上可能會殘留不必要的電荷。因此，可藉由經由第七電晶體T7將第二初始化電壓Vini施加至驅動電晶體DT的閘極電極來使剩餘的電荷初始化。
同時，如上所述，差分像素密度設計法可被應用為增加第一光學區DA1及第二光學區DA2之至少一者的透射率的一方法。根據差分像素密度設計法，顯示面板DP可被設計，使得第一光學區DA1及第二光學區DA2之至少一者中的每單位面積的子像素數量小於一般區NA中的每單位面積的子像素數量。
然而，在一些情況下，或者，差分像素尺寸設計法可被應用為增加第一光學區DA1及第二光學區DA2之至少一者的透射率的另一方法。根據差分像素尺寸設計法，顯示面板DP可被設計，使得第一光學區DA1及第二光學區DA2之至少一者中的每單位面積的子像素數量等於或相似於一般區NA中的每單位面積的子像素數量，且設置於第一光學區DA1及第二光學區DA2之至少一者中的多個子像素SP之各者的尺寸(亦即發光區尺寸)小於設置於一般區NA中的多個子像素SP之各者的尺寸(亦即發光區尺寸)。
以下，為了方便描述，將基於以下假設進行描述：增加第一光學區DA1及第二光學區DA2之至少一者的透射率的兩種方法(差分像素密度設計法及差分像素尺寸設計法)之間應用了差分像素密度設計法。
圖4繪示根據本發明一示例性實施例的顯示面板的顯示區的子像素的布置的圖。
亦即，圖4繪示包含於根據本發明一示例性實施例的顯示面板的顯示區中的三種區域(NA、DA1、DA2)中的子像素SP的布置。
請參考圖4，這些子像素SP可設置於包含於顯示區中的一般區NA、第一光學區DA1及第二光學區DA2之各者中。
舉例來說，這些子像素SP可包含用以發出紅色光的紅色子像素Red SP、用以發出綠色光的綠色子像素Green SP及用以發出藍色光的藍色子像素Blue SP。
因此，一般區NA、第一光學區DA1及第二光學區DA2可各自包含用於紅色子像素Red SP的發光區EA、用於綠色子像素Green SP的發光區EA及用於藍色子像素Blue SP的發光區EA。
請參考圖4，一般區NA可包含不包含光透射結構的發光區EA。
然而，第一光學區DA1及第二光學區DA2需在包含發光區EA的同時包含光透射結構。
因此，第一光學區DA1可包含發光區EA及第一透射區TA1，且第二光學區DA2可包含發光區EA及第二透射區TA2。
可根據是否會透射光來區分發光區EA及透射區TA1、TA2。亦即，發光區EA可為不能透射光的區域，且透射區TA1、TA2可為可透射光的區域。
此外，可根據是否形成有特定金屬層來區分發光區EA及透射區TA1、TA2。舉例來說，陰極電極可形成於發光區EA中，但沒有陰極電極會形成於透射區TA1、TA2中。此外，光阻擋層可形成於發光區EA中，但沒有光阻擋層會形成於透射區TA1、TA2中。
在這種情況下，第一光學區DA1包含第一透射區TA1，且第二光學區DA2包含第二透射區TA2，使得第一光學區DA1及第二光學區DA2兩者為可透射光的區域。
在這種情況下，第一光學區DA1的透射率(光透射的程度)及第二光學區DA2的透射率(光透射的程度)可彼此相等。
在這種情況下，第一光學區DA1的第一透射區TA1及第二光學區DA2的第二透射區TA2可具有相同的外形或尺寸。或者，即便第一光學區DA1的第一透射區TA1及第二光學區DA2的第二透射區TA2具有不同的外形或尺寸，第一光學區DA1中的第一透射區TA1之一部分及第二光學區DA2中的第二透射區TA2之一部分仍可彼此相等。
或者，第一光學區DA1的透射率(光透射的程度)及第二光學區DA2的透射率(光透射的程度)可彼此不同。
在這種情況下，第一光學區DA1的第一透射區TA1及第二光學區DA2的第二透射區TA2可具有不同的外形或尺寸。或者，即便第一光學區DA1的第一透射區TA1及第二光學區DA2的第二透射區TA2具有相同的外形或尺寸，第一光學區DA1中的第一透射區TA1之一部分及第二光學區DA2中的第二透射區TA2之一部分仍可彼此不同。
舉例來說，在重疊第一光學區DA1的第一光學電子裝置為相機且重疊第二光學區DA2的第二光學電子裝置為偵測感測器的情況下，相機可能較偵測感測器需要更大的光量。
因此，第一光學區DA1的透射率(光透射的程度)可大於第二光學區DA2的透射率(光透射的程度)。
在這種情況下，第一光學區DA1的第一透射區TA1的尺寸可大於第二光學區DA2的第二透射區TA2的尺寸。或者，即便第一光學區DA1的第一透射區TA1及第二光學區DA2的第二透射區TA2具有相同的尺寸，第一光學區DA1中的第一透射區TA1之一部分仍可大於第二光學區DA2中的第二透射區TA2之一部分。
以下，為了方便描述，將描述第一光學區DA1的透射率(光透射的程度)大於第二光學區DA2的透射率(光透射的程度)的示例。
此外，如圖4中所繪示，在本發明一示例性實施例中，透射區TA1、TA2可各自稱為透明區，且透射率稱為透明度。
此外，如圖4中所繪示，在本發明一示例性實施例中，假設第一光學區DA1及第二光學區DA2設置於顯示面板的顯示區的上部端且沿向左/向右方向並排設置。
請參考圖4，被設置有第一光學區DA1及第二光學區DA2的水平顯示區稱為第一水平顯示區HA1，且不設置有第一光學區DA1及第二光學區DA2的水平顯示區稱為第二水平顯示區HA2。
請參考圖4，第一水平顯示區HA1可包含一般區NA、第一光學區DA1及第二光學區DA2。相反地，第二水平顯示區HA2可僅包含一般區NA。
圖5A為繪示根據本發明一示例性實施例的顯示面板的第一光學區及一般區中的訊號線路的布置的示例的圖。
圖5B為繪示根據本發明一示例性實施例的顯示面板的第二光學區及一般區中的訊號線路的布置的示例的圖。
亦即，圖5A為繪示根據本發明一示例性實施例的顯示面板的第一光學區DA1及一般區NA中的訊號線路的布置的圖。圖5B為繪示根據本發明一示例性實施例的顯示面板的第二光學區DA2及一般區NA中的訊號線路的布置的圖。
圖5A及圖5B中所繪示的第一水平顯示區HA1為顯示面板DP的第一水平顯示區HA1之一部分，且第二水平顯示區HA2為顯示面板的第二水平顯示區HA2之一部分。
圖5A中所繪示的第一光學區DA1為顯示面板的第一光學區DA1之一部分，且圖5B中所繪示的第二光學區DA2為顯示面板的第二光學區DA2之一部分。
請參考圖5A及圖5B，第一水平顯示區HA1可包含一般區、第一光學區DA1及第二光學區DA2。第二水平顯示區HA2可包含一般區。
各種類型的水平線路HL1、HL2及各種類型的垂直線路VLn、VL1、VL2可設置於顯示面板上。
在本發明一示例性實施例中，水平方向及垂直方向可表示彼此交錯的兩個方向。水平方向及垂直方向的觀看方向可彼此不同。舉例來說，在本發明一示例性實施例中，水平方向可表示一閘極線路延伸設置的方向，且垂直方向可表示一資料線路延伸設置的方向。舉例來說，如上所述，將描述水平及垂直方向。
請參考圖5A及圖5B，設置於顯示面板上的多個水平線路可包含設置於第一水平顯示區HA1中的第一水平線路HL1，及設置於第二水平顯示區HA2中的第二水平線路HL2。
設置於顯示面板上的水平線路可為閘極線路。亦即，第一水平線路HL1及第二水平線路HL2可各自為閘極線路。閘極線路可根據子像素的結構而包含各種類型的閘極線路。
請參考圖5A及圖5B，設置於顯示面板上的垂直線路可包含僅設置於一般區中的一般垂直線路VLn、用以穿過第一光學區DA1及一般區兩者的第一垂直線路VL1，以及用以穿過第二光學區DA2及一般區兩者的第二垂直線路VL2。
設置於顯示面板上的垂直線路可包含資料線路、驅動電壓線路等等。再者，垂直線路可更包含參考電壓線路、初始化電壓線路等等。亦即，一般垂直線路VLn、第一垂直線路VL1及第二垂直線路VL2可各自包含資料線路、驅動電壓線路等等，且更包含參考電壓線路、初始化電壓線路等等。
在本發明一示例性實施例中，用語「水平」在第二水平線路HL2中僅表示訊號從左側(或右側)傳輸至右側(或左側)，但不表示第二水平線路HL2僅沿精確的水平方向以直線形延伸。亦即，圖5A及圖5B繪示第二水平線路HL2具有直線形。然而，或者，第二水平線路HL2可包含彎曲或弧形部分。同樣地，第一水平線路HL1亦可包含彎曲或弧形部分。
在本發明一示例性實施例中，用語「垂直」在一般垂直線路VLn中僅表示訊號從上部側(或下部側)傳輸至下部側(或上部側)，但不表示一般垂直線路VLn僅沿精確的垂直方向以直線形延伸。亦即，圖5A及圖5B繪示一般垂直線路VLn具有直線形。然而，或者，一般垂直線路VLn可包含彎曲或弧形部分。同樣地，第一垂直線路VL1及第二垂直線路VL2亦可各自包含彎曲或弧形部分。
請參考圖5A，包含於第一水平顯示區HA1中的第一光學區DA1可包含發光區及第一透射區。在第一光學區DA1中，第一透射區的外部區域可包含發光區。
請參考圖5A，為了改善第一光學區DA1的透射率，穿過第一光學區DA1的第一水平線路HL1可在第一光學區DA1中繞過第一透射區的同時延伸。
因此，穿過第一光學區DA1的第一水平線路HL1可包含繞過設置於第一透射區的外周緣外的一部分的弧形部、彎曲部等。
因此，設置於第一水平顯示區HA1中的第一水平線路HL1及設置於第二水平顯示區HA2中的第二水平線路HL2可具有不同的外形或長度。亦即，穿過第一光學區DA1的第一水平線路HL1及不繞過第一光學區DA1的第二水平線路HL2可具有不同的外形或長度。
此外，為了改善第一光學區DA1的透射率，穿過第一光學區DA1的第一垂直線路VL1可在第一光學區DA1中繞過第一透射區的同時延伸。
因此，穿過第一光學區DA1的第一垂直線路VL1可包含繞過設置於第一透射區的外周緣外的一部分的弧形部、彎曲部等。
因此，穿過第一光學區DA1的第一垂直線路VL1及設置於一般區中而不穿過第一光學區DA1的一般垂直線路VLn可具有不同的外形或長度。
請參考圖5A，包含於第一水平顯示區HA1中的第一光學區DA1中的第一透射區可沿傾斜方向布置。
請參考圖5A，發光區可在第一水平顯示區HA1中的第一光學區DA1中設置於沿向左/向右方向彼此相鄰設置的兩個第一透射區之間。發光區可在第一水平顯示區HA1中的第一光學區DA1中設置於沿向上/向下方向彼此相鄰設置的兩個第一透射區之間。
請參考圖5A，所有設置於第一水平顯示區HA1中的第一水平線路HL1，亦即所有穿過第一光學區DA1的第一水平線路HL1，可各自包含繞過設置於第一透射區的外周緣外的一部分的弧形部及彎曲部之至少一者。
請參考圖5B，包含於第一水平顯示區HA1中的第二光學區DA2可包含發光區及第二透射區TA2。在第二光學區DA2中，第二透射區TA2的外部區域可包含發光區。
第二光學區DA2中的發光區及第二透射區TA2的位置及布置狀態可與圖5A中的第一光學區DA1中的發光區及第二透射區的位置及布置狀態相同。
或者，如圖5B中所繪示，第二光學區DA2中的發光區及第二透射區TA2的位置及布置狀態可與圖5A中的第一光學區DA1中的發光區及第二透射區的位置及布置狀態不同。
舉例來說，請參考圖5B，第二透射區TA2可在第二光學區DA2中沿水平方向(向左/向右方向)布置。沒有發光區可設置於沿水平方向(向左/向右方向)彼此相鄰設置的兩個第二透射區TA2之間。此外，第二光學區DA2中的發光區可設置於沿垂直方向(向上/向下方向)彼此相鄰設置的多個第二透射區TA2之間。亦即，發光區可設置於兩列的第二透射區TA2之間。
第一水平線路HL1可以與圖5A中所繪示的外形相同的外形穿過第一水平顯示區HA1中的第二光學區DA2及位於第二光學區DA2的周圍的一般區。
或者，如圖5B中所繪示，第一水平線路HL1可以與圖5A中所繪示的外形不同的外形穿過第一水平顯示區HA1中的第二光學區DA2及位於第二光學區DA2的周圍的一般區。
亦即，這是因為圖5B中的第二光學區DA2中的發光區及第二透射區TA2的位置及布置狀態與圖5A中的第一光學區DA1中的發光區及第二透射區的位置及布置狀態不同。
請參考圖5B，當第一水平線路HL1穿過第一水平顯示區HA1中的第二光學區DA2及位於第二光學區DA2的周圍的一般區時，第一水平線路HL1可在沿向上/向下方向彼此相鄰設置的多個第二透射區TA2之間以直線形通過，而不具有弧形部或彎曲部。
換句話說，在第一光學區DA1中具有弧形部或彎曲部的一第一水平線路HL1可在第二光學區DA2中不具有弧形部或彎曲部。
為了改善第二光學區DA2的透射率，穿過第二光學區DA2的第二垂直線路VL2可在繞過第二光學區DA2中的第二透射區TA2的同時延伸。
因此，穿過第二光學區DA2的第二垂直線路VL2可包含繞過設置於第二透射區TA2的外周緣外的一部分的弧形部、彎曲部等。
因此，穿過第二光學區DA2的第二垂直線路VL2及設置於一般區中而不穿過第二光學區DA2的一般垂直線路VLn可具有不同的外形或長度。
如圖5A中所繪示，穿過第一光學區DA1的第一水平線路HL1可包含繞過設置於第一透射區的外周緣外的一部分的弧形部、彎曲部等。
因此，穿過第一光學區DA1及第二光學區DA2的第一水平線路HL1的長度可稍微大於僅設置於一般區中而不穿過第一光學區DA1及第二光學區DA2的第二水平線路HL2的長度。
因此，穿過第一光學區DA1及第二光學區DA2的第一水平線路HL1的電阻(以下稱為第一電阻)可稍微大於僅設置於一般區中而不穿過第一光學區DA1及第二光學區DA2的第二水平線路HL2的電阻(以下稱為第二電阻)。
請參考圖5A及圖5B，根據光透射結構，至少部分重疊第一光學電子裝置170a的第一光學區DA1包含這些第一透射區TA1，且至少部分重疊第二光學電子裝置170b的第二光學區DA2包含這些第二透射區TA2。因此，第一光學區DA1及第二光學區DA2之各者中的每單位面積的子像素數量可小於一般區NA中的每單位面積的子像素數量。
連接有穿過第一光學區DA1及第二光學區DA2的第一水平線路HL1的子像素的數量可與連接有僅設置於一般區中而不穿過第一光學區DA1及第二光學區DA2的第二水平線路HL2的子像素的數量不同。
連接有穿過第一光學區DA1及第二光學區DA2的第一水平線路HL1的子像素的數量(第一數量)可與連接有僅設置於一般區中而不穿過第一光學區DA1及第二光學區DA2的第二水平線路HL2的子像素的數量(第二數量)不同。
第一數量及第二數量之間的差可根據第一光學區DA1及第二光學區DA2之各者的解析度以及一般區的解析度之間的差而變化。舉例來說，第一數量及第二數量之間的差可隨著第一光學區DA1及第二光學區DA2之各者的解析度以及一般區的解析度之間的差增加而增加。
如上所述，因為連接有穿過第一光學區DA1及第二光學區DA2的第一水平線路HL1的子像素的數量(第一數量)小於連接有僅設置於一般區中而不穿過第一光學區DA1及第二光學區DA2的第二水平線路HL2的子像素的數量(第二數量)，所以第一水平線路HL1重疊其他周圍電極或線路的面積可小於第二水平線路HL2重疊其他周圍電極或線路的區域。
因此，形成於第一水平線路HL1及其他周圍電極或線路之間的寄生電容(以下稱為第一電容)可大幅低於形成於第二水平線路HL2及其他周圍電極或線路之間的寄生電容(以下稱為第二電容)。
考慮到第一電阻及第二電阻之間的高低關係(第一電阻≥第二電阻)及第一電容及第二電容之間的高低關係(第一電容≪第二電容)，穿過第一光學區DA1及第二光學區DA2的第一水平線路HL1的電阻-電容(RC)值(以下稱為第一RC值)可大幅小於僅設置於一般區中而不穿過第一光學區DA1及第二光學區DA2的第二水平線路HL2的RC值(以下稱為第二RC值)(第一RC值≪第二RC值)。
可藉由第一水平線路HL1的第一RC值及第二水平線路HL2的第二RC值之間的差(以下稱為RC負載偏差(load deviation))來改變經由第一水平線路HL1的訊號傳輸特性及經由第二水平線路HL2的訊號傳輸特性。
以下將參考圖6更詳細描述顯示裝置100的一般區NA的剖面結構。
圖6為繪示設置於根據本發明一示例性實施例的一般區中的一像素區的剖面結構的剖面圖。
在一般區NA中，電晶體層TRL可設置於基板SUB的上部部分上，且平坦化層PLN可設置於電晶體層TRL的上部部分上。此外，發光元件層EDL可設置於平坦化層PLN的上部部分上，密封層ENCAP可設置於發光元件層EDL的上部部分上，觸控感測層TSL可設置於密封層ENCAP的上部部分上，且保護層PAC可設置於觸控感測層TSL的上部部分上。此外，有機材料層PCL可設置於保護層PAC的上部部分上，且偏振層POL可設置於有機材料層PCL的上部部分上。
基板SUB為用以支撐包含於顯示裝置100中的各種構成元件的構件，且可由絕緣材料製成。基板SUB可包含第一基板110a、第二基板110b及層間絕緣膜110c。層間絕緣膜110c可設置於第一基板110a及第二基板110b之間。如上所述，基板SUB由可抑制濕氣滲透的層間絕緣膜110c、第一基板110a及第二基板110b構成。舉例來說，第一基板110a及第二基板110b可各自為由聚醯亞胺(PI)製成的基板。
各種類型的圖案(例如131、132、133、134、231、232、233、234)、各種類型的絕緣膜(例如111a、111b、112、113a、113b、114)及各種類型的金屬圖案(例如TM、GM、135)可在一般區NA中設置於電晶體層TRL上，以形成例如驅動電晶體DT及至少一開關電晶體Ts的電晶體且形成例如至少一電容器的電容器。
以下將更詳細描述電晶體層TRL的堆疊結構。
多重緩衝層111a可設置於第二基板110b上，且主動緩衝層111b可設置於多重緩衝層111a上。
金屬層135可設置於多重緩衝層111a上。
在這種情況下，金屬層135可作為光遮蔽件(light shield)，且亦稱為光阻擋層。
主動緩衝層111b可設置於金屬層135上。
驅動電晶體DT的第一主動層134可設置於主動緩衝層111b上。舉例來說，第一主動層134可由多晶矽(p-Si)、非晶矽(a-Si)或氧化物半導體製成。然而，本發明並不以此為限。同時，驅動電晶體DT形成於主動緩衝層111b上，且包含第一主動層134、用以覆蓋第一主動層134的第一閘極絕緣膜112、設置於第一閘極絕緣膜112上的第一閘極電極131、用以覆蓋第一閘極電極131的第一層間絕緣膜113a、設置於第一層間絕緣膜113a上的第二閘極絕緣膜113b、設置於第二閘極絕緣膜113b上的第三層間絕緣膜113c，以及設置於第三層間絕緣膜113c上的第一源極電極132及第一汲極電極133。
第一閘極絕緣膜112可設置於第一主動層134上。第一閘極絕緣膜112可由氧化矽(SiO x)、氮化矽(SiN x)，或其多層體結構製成。
此外，驅動電晶體DT的第一閘極電極131可設置於第一閘極絕緣膜112上。第一閘極電極131設置於第一閘極絕緣膜112上，且重疊第一主動層134。第一閘極電極131可由例如鎂(Mg)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、金(Au)，或上述金屬的合金的各種導電材料製成。然而，本發明並不以此為限。
閘極材料層GM可設置於第一閘極絕緣膜112上，且被提供於與被形成有驅動電晶體DT的位置不同的位置。
第一層間絕緣膜113a可設置於第一閘極電極131及閘極材料層GM上。金屬圖案TM可設置於第一層間絕緣膜113a上。第二閘極絕緣膜113b可在於第一層間絕緣膜113a上覆蓋金屬圖案TM的同時被設置。
第二閘極絕緣膜113b提供可形成第二主動層234的基座，且將第二主動層234與第一主動層134分離。
開關電晶體Ts的第二主動層234可設置於第二閘極絕緣膜113b上。舉例來說，第二主動層234可由多晶矽、非晶矽或氧化物半導體製成。然而，本發明並不以此為限。
第三層間絕緣膜113c可設置於第二主動層234上。此外，開關電晶體Ts的第二閘極電極231設置於第三層間絕緣膜113c上。第二閘極電極231設置於第三層間絕緣膜113c上，且重疊第二主動層234。
第三層間絕緣膜113c覆蓋開關電晶體Ts的第二主動層234。因為第三層間絕緣膜113c形成於第二主動層234上，所以第三層間絕緣膜113c被實施為無機膜。舉例來說，第三層間絕緣膜113c可由氧化矽(SiO 2)、氮化矽(SiN x)，或其多層體結構製成。
第二閘極電極231可由金屬材料製成。舉例來說，第二閘極電極231可被配置為由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)及銅(Cu)之任一者或上述金屬的合金製成的單層體或多層體結構。然而，本發明並不以此為限。
同時，開關電晶體Ts形成於第二閘極絕緣膜113b上，且包含第二主動層234、用以覆蓋第二主動層234的第三層間絕緣膜113c、設置於第三層間絕緣膜113c上的第二閘極電極231、用以覆蓋第二閘極電極231的第三層間絕緣膜113c，以及設置於第三層間絕緣膜113c上的第二源極電極232及第二汲極電極233。
開關電晶體Ts可更包含設置於第一層間絕緣膜113a的下部部分上且用以重疊第二主動層234的閘極材料層GM。閘極材料層GM可阻擋進入第二主動層234的光，藉此確保開關電晶體Ts的可靠性。閘極材料層GM與第一閘極電極131可由相同材料製成，且閘極材料層GM可形成於第一閘極絕緣膜112的頂表面上。閘極材料層GM可電性連接於第二主動層234，且構成雙閘極。驅動電晶體DT的第一源極電極132及第一汲極電極133以及開關電晶體Ts的第二源極電極232及第二汲極電極233可設置於第三層間絕緣膜113d上。
第二源極電極232及第二汲極電極233可形成於第三層間絕緣膜113d上，且與第一源極電極132及第一汲極電極133由相同材料製成，藉此減少遮罩製程的數量。
第一源極電極132及第一汲極電極133可經由被提供於第三層間絕緣膜113d、第三層間絕緣膜113c、第二閘極絕緣膜113b、第一層間絕緣膜113a及第一閘極絕緣膜112中的接觸孔分別連接於第一主動層134的一側及另一側。
第二源極電極232及第二汲極電極233可經由被提供於第三層間絕緣膜113d及第三層間絕緣膜113c中的接觸孔分別連接於第二主動層234的一側及另一側。
第一源極電極132、第一汲極電極133、第二源極電極232及第二汲極電極233可各自被配置為由例如鎂(Mg)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、金(Au)或上述金屬的合金的各種導電材料製成的單層體或多層體結構。然而，本發明並不以此為限。
重疊第一閘極電極131的第一主動層134之一部分為通道區。第一源極電極132及第一汲極電極133之一者連接於第一主動層134的通道區的一側，且第一源極電極132及第一汲極電極133之另一者連接於第一主動層134的通道區的另一側。第二主動層234與第一主動層134可被配置為相同外形。在第二主動層234由氧化物半導體材料實施的情況下，第二主動層234包含沒有摻雜雜質的真正的第二通道區，及被摻雜有雜質從而具有導電性的第二源極區及第二汲極區。
鈍化層114可設置於第一源極電極132、第一汲極電極133、第二源極電極232極第二汲極電極233上。鈍化層114可用以保護驅動電晶體DT，且由例如氧化矽(SiO x)、氮化矽(SiN x)，或其多層體結構的無機膜製成。
同時，閘極材料層GM及金屬圖案TM可在彼此重疊的同時設置於第一閘極絕緣膜112上，藉此實施電容器Cst。舉例來說，金屬圖案TM可被配置為由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)及銅(Cu)之任一者，或上述金屬的合金製成的單層體或多層體結構。
電容器Cst儲存經由資料線路DL施加的資料電壓預設的一段時間，且將資料電壓提供至發光元件ED(120)。電容器Cst包含彼此對應的兩個電極及位於兩個電極之間的介電材料。第一層間絕緣膜113a設置於閘極材料層GM及金屬圖案TM之間。
電容器Cst的金屬圖案TM或閘極材料層GM可電性連接於開關電晶體Ts的第二汲極電極233或第二源極電極232。然而，本發明並不以此為限。電容器Cst的連接關係可根據像素驅動電路而變化。
此外，金屬層135可額外設置於多重緩衝層111a上，以重疊閘極材料層GM及金屬圖案TM，藉此構成雙電容器Cst。
在本發明一示例性實施例中，至少一開關電晶體Ts具有由氧化物半導體製成的主動層。具有由氧化物半導體製成的主動層的電晶體提供阻擋漏電流的優異功效，且相較於具有由多晶矽製成的主動層的電晶體，具有由氧化物半導體製成的主動層的電晶體需要相對低的製造成本。因此，為了減少功耗及製造成本，根據本發明一示例性實施例的像素電路包含由氧化物半導體材料製成的至少一開關電晶體或驅動電晶體。
包含驅動電晶體且構成像素電路的所有電晶體可各自具有由氧化物半導體製成的主動層。或者，僅一些電晶體可藉由使用氧化物半導體來實施。
然而，藉由使用氧化物半導體來實施的電晶體難以確保可靠性。藉由使用多晶矽來實施的電晶體可提供高運轉速度及優異的可靠性。因此，本發明一示例性實施例包含藉由使用氧化物半導體來實施的電晶體及藉由使用多晶矽來實施的電晶體兩者。然而，本發明並不以此為限。根據設計，可僅應用藉由使用氧化物半導體來實施的電晶體或僅應用藉由使用多晶矽來實施的電晶體來構成像素電路。
平坦化層PLN可設置於電晶體層TRL的上部部分上。
平坦化層PLN可包含第一平坦化層115a及第二平坦化層115b。平坦化層PLN保護驅動電晶體DT，且使驅動電晶體DT的上部部分平坦化。
第一平坦化層115a可設置於鈍化層114上。
連接電極125可設置於第一平坦化層115a上。
連接電極125可經由被提供於第一平坦化層115a中的接觸孔連接於第一源極電極132及第一汲極電極133之一者。
第二平坦化層115b可設置於連接電極125上。
發光元件層EDL可設置於第二平坦化層115b的上部部分上。
以下將詳細描述發光元件層EDL的堆疊結構。
陽極121可設置於第二平坦化層115b上。在這種情況下，陽極121可經由被提供於第二平坦化層115b中的接觸孔電性連接於連接電極125。陽極121可由金屬材料製成。
在顯示裝置100為頂部發光型顯示裝置的情況下，陽極121可更包含透明導電層及設置於透明導電層上的反射層，在所述頂部發光型顯示裝置中，從發光元件ED(120)發出的光朝被設置有發光元件ED(120)的基板SUB的上部側傳遞。舉例來說，透明導電層可由例如ITO或IZO的透明導電氧化物製成。舉例來說，反射層可由銀(Ag)、鋁(Al)、金(Au)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)或上述金屬的合金製成。
堤部116可在覆蓋陽極121的同時被設置。對應於子像素的發光區的堤部116之一部分可打開(opened)。可經由堤部116的打開的部分(以下稱為開口區)暴露陽極121之一部分。在這種情況下，堤部116可由例如氮化矽(SiN x)或氧化矽(SiO x)的無機絕緣材料製成，或者可由例如苯并環丁烯基樹脂、丙烯酸樹脂或醯亞胺基樹脂的有機絕緣材料製成。然而，本發明並不以此為限。
儘管未繪示，但可在堤部116上進一步設置間隔物。間隔物與堤部116可由相同材料製成。
發光層122可設置於堤部116的開口區及位於開口區的周圍的區域中。因此，發光層122可設置於經由堤部116的開口區所暴露的陽極121上。
陰極123可設置於發光層122上。
發光元件ED(120)可由陽極121、發光層122及陰極123形成。發光層122可包含多個有機膜。
密封層ENCAP可設置於發光元件層EDL的上部部分上。
密封層ENCAP可具有單層體結構或多層體結構。舉例來說，密封層ENCAP可包含第一密封層117a、第二密封層117b及第三密封層117c。
在這種情況下，第一密封層117a及第三密封層117c可各自由無機膜製成，且第二密封層117b可由有機膜製成。在第一密封層117a、第二密封層117b及第三密封層117c中，第二密封層117b可為最厚的，且作為平坦化層。
第一密封層117a可設置於陰極123上，且最靠近發光元件ED(120)。第一密封層117a可由可在低溫下沉積的無機絕緣材料製成。舉例來說，第一密封層117a可由氮化矽(SiN x)、氧化矽(SiO x)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(Al 2O 3)等製成。因為第一密封層117a在低溫環境中沉積，所以可抑制在沉積製程期間對由以易受高溫環境影響的有機材料製成的發光層122的毀損。
第二密封層117b的面積可小於第一密封層117a的面積。在這種情況下，第二密封層117b可被形成為暴露第一密封層117a的兩相對端。第二密封層117b可作為用以緩解當可撓性顯示裝置彎曲時所造成的多個層體之間的應力的緩衝。第二密封層117b可用以改善平坦化效能。
舉例來說，第二密封層117b可由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺、聚乙烯或碳氧化矽(silicon oxycarbon，SiOC)的有機絕緣材料製成。舉例來說，亦可以噴墨的方式來形成第二密封層117b。然而，本發明並不以此為限。
第三密封層117c可形成於具有第二密封層117b的基板SUB的上部部分上，以覆蓋第二密封層117b及第一密封層117a之各者的頂表面及側面。在這種情況下，第三密封層117c可阻擋外部濕氣或氧氣滲透進第一密封層117a及第二密封層117b中或使其最小化。舉例來說，第三密封層117c可由例如氮化矽(SiN x)、氧化矽(SiO x)、氮氧化矽(SiON)或氧化鋁(Al 2O 3)的無機絕緣材料製成。
儘管未繪示，但仍可在密封層ENCAP上設置彩色濾光片。然而，本發明並不以此為限。
觸控感測層TSL可設置於密封層ENCAP的上部部分上。
觸控緩衝膜118a可設置於密封層ENCAP的上部部分上，觸控線路140可設置於觸控緩衝膜118a上。
觸控線路140可包含設置於不同層體上的觸控感測器金屬141及橋接金屬142。觸控層間絕緣膜118b可設置於觸控感測器金屬141及橋接金屬142之間。
舉例來說，觸控感測器金屬141可包含互相相鄰設置的第一觸控感測器金屬、第二觸控感測器金屬及第三觸控感測器金屬。第一觸控感測器金屬及第二觸控感測器金屬可彼此電性連接。然而，在第三觸控感測器金屬存在於第一觸控感測器金屬及第二觸控感測器金屬之間的情況下，第一觸控感測器金屬及第二觸控感測器金屬可經由存在於與設置有第一觸控感測器金屬及第二觸控感測器金屬的層體不同的層體的橋接金屬142彼此電性連接。橋接金屬142可藉由觸控層間絕緣膜118b絕緣於第三觸控感測器金屬。
在形成觸控感測層TSL的製程期間，可能會產生用於製程的液體化學藥品(顯影劑、蝕刻液等)，或者可能會從外部產生濕氣或其類似物。可設置觸控緩衝膜118，且觸控感測層TSL可設置於觸控緩衝膜118a上，所述觸控緩衝膜118a可抑制在製造觸控感測層TSL的製程期間所產生的液體化學藥品或濕氣滲透進包含有機材料的發光層122中。因此，觸控緩衝膜118a可抑制對易受液體化學藥品或濕氣影響的發光層122的毀損。
為了抑制對包含易受高溫影響的有機材料的發光層122的毀損，觸控緩衝膜118a可由可在預設的低溫(例如100°C或更低)下形成的有機絕緣材料製成且具有1至3的低介電常數(permittivity)。舉例來說，觸控緩衝膜118a可由丙烯酸基、環氧基或矽氧烷基材料製成。當可撓性顯示裝置彎曲時，密封層ENCAP可能會毀損，且設置於觸控緩衝膜118a的上部部分上的觸控感測器金屬141可能會破裂。即便在可撓性顯示裝置彎曲的狀況下，由有機絕緣材料製成且具有平坦化效能的觸控緩衝膜118a仍可抑制對密封層ENCAP的毀損，且抑制構成觸控線路140的金屬141、142破裂。
保護層PAC(119)可被設置為覆蓋觸控線路140。保護層119可由有機絕緣膜製成。
有機材料層PCL(150)被設置為覆蓋保護層119。
在僅由有機絕緣膜製成的保護層119設置於顯示裝置100的最上層的層體上的情況下，僅保護層119無法完全地補償由設置於保護層119的下部部分上的觸控感測層TSL造成的階差(level difference)，這可能會造成使用者視覺上辨認由觸控線路140造成的斑點的問題。
由有機絕緣膜製成的有機材料層150額外設置於保護層119的上部部分上，所述保護層119可藉由抑制顯示裝置100的最上層的層體上的階差來改善顯示裝置100的可見度。
有機材料層150與密封層ENCAP的第二密封層117b可由相同材料製成。舉例來說，有機材料層150可由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺、聚乙烯或碳氧化矽(SiOC)的有機絕緣材料製成。亦可以噴墨的方式來形成有機材料層150。然而，本發明並不以此為限。
偏振層POL(160)設置於有機材料層150上。
偏振層160抑制基板SUB的顯示區DA中外部光的反射。在於戶外使用顯示裝置100的情況下，外部自然光可被引入且被包含於發光元件的陽極121中的反射層或由金屬製成且設置於發光元件120的下部部分上的電極反射。被如上所述地反射的光束可能會抑制顯示裝置100上的影像被視覺上辨認。偏振層160可沿特定方向偏振從外部引入的光，藉此抑制被反射的光再次被釋放至顯示裝置100外。
儘管未繪示，但可藉由接合層將覆蓋玻璃接合至偏振層160上。接合層可用以接合顯示裝置100的構成元件。舉例來說，可藉由使用例如壓敏接合劑、光學透明接合劑(光學透明黏著劑(optical clear adhesive，OCR))或光學透明樹脂(optical clear resin(OCR))的用於光學透明顯示器的接合劑來形成接合層。然而，本發明並不以此為限。
覆蓋玻璃可保護顯示裝置100的構成元件不受外部衝擊影響，且抑制例如刮痕的毀損。
以下將參考圖7及圖8更詳細描述顯示裝置100的第一光學區DA1。
圖7為繪示根據本發明一示例性實施例的光學區中的發光區及透射區的剖面結構的剖面圖。圖8A為繪示根據本發明一示例性實施例的沉積抑制層及透射區之間的位置關係的圖。圖8B為根據本發明一示例性實施例的透射區的放大圖。
以下，為了方便描述，將描述顯示面板DP的顯示區DA包含一般區NA及第一光學區DA1(圖1A及圖1B)的示例。然而，第一光學區DA1的描述亦可同樣地應用於第二光學區DA2。
請參考圖7，第一光學區DA1包含發光區EA及透射區TA。
第一光學區DA1的發光區EA及透射區TA兩者基本上可包含基板SUB、電晶體層TRL、平坦化層PLN、發光元件層EDL、密封層ENCAP、觸控感測層TSL、保護層PAC、有機材料層PCL及偏振層POL。
包含於第一光學區DA1中的基板SUB、電晶體層TRL、平坦化層PLN、發光元件層EDL、密封層ENCAP、觸控感測層TSL、保護層PAC、有機材料層PCL及偏振層POL實質上與設置於顯示面板DP的一般區NA中的構成元件相同，且由相同符號表示。因此，將省略重複的描述。
因為第一光學區DA1的發光區EA實質上與顯示面板DP的一般區NA結構相同，所以將省略對其重複的描述。
以下將描述設置於第一光學區DA1中的透射區TA。
設置於第一光學區DA1的發光區EA中的各種類型的絕緣膜(例如111a、111b、112、113a、113b、114、115a、115b、117a、117b、117c、PAC)及基板SUB亦可以相同方式設置於第一光學區DA1的透射區TA中。
然而，除了設置於第一光學區DA1的發光區EA中的絕緣材料以外，具有電性或不透明性質的材料層可不設置於第一光學區DA1的透射區TA中。
根據本發明一示例性實施例，為了確保透射區TA的透射率，陰極123不設置於透射區TA中。
為了實施此配置，沉積抑制層150在透射區TA中設置於發光層122上。
舉例來說，沉積抑制層150可在藉由使用精細金屬遮罩(FMM)來對應於透射區TA的同時沉積。具體來說，FMM可被設置為暴露透射區TA，然後可形成沉積抑制層150。
在於透射區TA中將沉積抑制層150設置於發光層122上之後沉積陰極123的情況下，因為沉積抑制層150及設置於沉積抑制層150的上部部分上的層體之間的結合力為低的，所以陰極123可不沉積於被設置有沉積抑制層150的區域中。
因此，根據本發明一示例性實施例，陰極123可不設置於透射區TA中。
此外，與電晶體相關的金屬材料層(例如135、131、GM、TM、132、133、125)及半導體層(例如134)不設置於透射區TA中。此外，包含於發光元件120中的陽極121可不設置於透射區TA中。此外，觸控線路可不設置於透射區TA中。
亦即，因為第一光學區的透射區TA重疊光學電子裝置170，所以為了使光學電子裝置170正常運作，例如金屬電極的多個不透明的構成元件不設置於透射區TA中，這可改善透射區TA的透射率。
此外，因為例如金屬電極的構成元件不設置於第一光學區DA1的透射區TA中，所以第一光學區DA1的透射區TA可僅由平坦的層體構成。
同時，當移除陰極以確保UDC模型(UDC model)或UDIR模型(UDIR model)中的透射區TA的透射率時，UV可靠性可能會劣化。亦即，可能會因為UV光的透射所造成的有機材料的脫氣(outgassing)而出現發光部的像素收縮缺陷(pixel shrinkage defect)。
因此，根據本發明一示例性實施例，可藉由移除透射區TA中的有機材料之一部分，而透過減少有機材料的體積來抑制由UV光的透射造成的有機材料的脫氣。
根據本發明一示例性實施例，第一光學區DA1的透射區TA中的發光層122的底面可鄰接平坦化層PLN。亦即，堤部116可不設置於透射區TA中。因此，可減少設置於透射區TA中的有機材料的體積。
舉例來說，在於透射區中減少例如堤部的有機材料的體積的情況下，隨後設置於透射區中的沉積抑制層可不僅設置於發光層的上部部分上，且亦設置於堤部的側面上。因為沉積抑制層及設置於沉積抑制層的上部或下部部分上的層體之間的結合力為低的，所以在階差存在於沉積抑制層的下部部分上的情況下可能會因為階差而出現薄膜分離。
因此，根據本發明一示例性實施例，沉積抑制層150可在光學區DA1中設置於平坦表面上。亦即，根據本發明一示例性實施例，在光學區DA1中的沉積抑制層150的下部部分可為平坦的，且沉積抑制層150可不重疊堤部116。
根據本發明一示例性實施例，沉積抑制層150的下部部分上不存在階差，這可抑制由沉積抑制層150的布置造成的薄膜分離。
同時，因為沉積抑制層150被設置，所以在隨後沉積陰極123的製程期間，陰極123不設置於沉積抑制層150的上部部分上。亦即，陰極123可僅設置於光學區DA1的發光區EA中。設置於發光區EA中的陰極123的側面可鄰接設置於光學區DA1的透射區TA中的沉積抑制層150的側面。然而，本發明並不以此為限。
同時，請一起參考圖8A及圖8B，透射區TA的面積及沉積抑制層150的面積可彼此相等。在這種情況下，沉積抑制層150可具有均勻厚度。
亦即，因為沉積抑制層150設置於整個透射區TA中，所以例如陰極123的不透明電極不設置於透射區TA中，這可改善透射率。
圖8A繪示透射區TA具有三角形外形的結構。然而，根據本發明一示例性實施例的透射區TA的外形不以此為限。舉例來說，透射區TA可具有例如圓形外形、橢圓形外形、四邊形外形、六邊形外形或八邊形外形的各種外形。
以下將參考圖9及圖10描述根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置。
圖9為繪示根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置200的光學區DA1中的發光區EA及透射區TA的剖面結構的剖面圖。圖10A為繪示根據本發明另一示例性實施例的沉積抑制層250及透射區TA之間的位置關係的圖。圖10B為根據本發明另一示例性實施例的透射區TA的放大圖。
除了沉積抑制層250以外，圖9中的顯示裝置的配置實質上與圖1至圖8中的顯示裝置的配置相同。因此，為了方便描述，將省略重複的描述。
請參考圖9及圖10，根據本發明一示例性實施例的沉積抑制層250可包含具有均勻厚度的第一部分253及被設置為圍繞第一部分且厚度小於第一部分的厚度的第二部分255。
在這種情況下，第一部分253可與第二部分255整合且第一部分253與第二部分255可由相同材料製成。
舉例來說，第二部分255的厚度可隨著與第一部分253的距離增加而減少。
具體來說，根據本發明另一示例性實施例，在形成沉積抑制層250的製程期間藉由使用FMM來沉積沉積抑制層250。在這種情況下，在考慮到製程餘裕(process margin)而在FMM被設置為重疊透射區TA的平坦表面之一部分的狀態下形成沉積抑制層250的情況下，從FMM暴露的區域被形成為具有均勻厚度的第一部分253，且重疊FMM的區域藉由製程餘裕而被形成為具有隨著與第一部分253的距離增加而減少的厚度的第二部分255。
請一起參考圖10A及圖10B，透射區TA的面積可等於由第一部分253及第二部分255構成的沉積抑制層250的面積。在這種情況下，圖10A中的寬度w對應於第二部分255的圖10B中的寬度w，所述第二部分255具有隨著與第一部分253的距離增加而減少的厚度。
因此，第二部分255的厚度隨著第二部分255靠近發光區EA而減少。因此，根據本發明另一示例性實施例的由第一部分253及第二部分255構成的沉積抑制層250可更容易僅設置於光學區DA1的平坦表面上而不設置於具有階差的部分(亦即設置於發光區EA中的堤部116)上。
根據本發明另一示例性實施例，可進一步提升抑制由沉積抑制層250的布置造成的薄膜分離缺陷的功效。
圖11為繪示根據本發明另一示例性實施例的可撓性顯示裝置的第一光學區的俯視平面圖。圖12為繪示圖11中的區域X的放大圖。
首先，請參考圖11，第一光學區DA1可包含中心區310及設置於中心區310的外周圍的邊框區320。
第一光學區DA1可包含多個水平線路HL。可藉由這些水平線路HL連接設置於邊框區320中的電晶體及設置於中心區310中的發光元件。
根據示例性實施例的可撓性顯示裝置300可包含布線結構340。因為可撓性顯示裝置包含布線結構340，所以中心區310可擴展預設的區域a。這是因為設置於預設的區域a中的像素可藉由布線結構340連接於設置於邊框區320中的電晶體。
下面將具體描述包含布線結構340的第一光學區DA1的結構。
請參考圖12，第一光學區可包含設置於中心區310及邊框區320中的多個發光元件ED。第一光學區可包含這些發光元件ED，使得第一光學區可顯示螢幕。
第一光學區可包含設置於邊框區320中的多個電晶體350。電晶體350可不設置於中心區310中。因為電晶體不設置於中心區310中，所以中心區310可具有較高的透射率。
第一光學區可包含含有第一列R1及第二列R2的多個列。包含於第一光學區中的這些列可各自為沿水平方向穿越第一光學區的任何區域。這些列可由電晶體350的圖案界定。
可撓性顯示裝置可包含設置於中心區310中且設置於第一列R1中的多個發光元件ED及設置於邊框區320中且設置於第二列R2中的多個電晶體350。
可撓性顯示裝置可包含用以連接設置於第一列R1中的發光元件ED及設置於第二列R2中的電晶體350的布線結構340。
可藉由布線結構340連接設置於不同列中的電晶體350及發光元件ED。因此，可將電晶體350連接至發光元件ED，所述電晶體350設置於電晶體350的數量大於發光元件ED的數量的列中，所述發光元件ED設置於發光元件ED的數量大於電晶體350的數量的列中。
包含於中心區310中的第一列R1中的發光元件ED的數量可大於包含於邊框區320中的第二列R2中的發光元件ED的數量。因此，需要較多數量的電晶體350以運作包含於第一列R1中的發光元件ED，且需要較少數量的電晶體350以運作包含於第二列R2中的發光元件ED。因此，在設置於邊框區320中的第二列R2中的電晶體350中，沒有電性連接於設置於第二列R2中的發光元件ED的剩餘的(surplus)電晶體350可藉由布線結構340電性連接於設置於第一列R1中的發光元件ED。
在整個中心區310中，每單位面積的像素的數量可在中心區310中實質上恆定。舉例來說，每單位面積的像素的數量可實質上恆定的配置可表示一個像素圖案在整個中心區310中實質上為均勻的。因此，大量的發光元件ED可設置於第一列R1中，所述第一列R1重疊中心區310的面積大於第二列R2重疊中心區310的面積。
舉例來說，包含於邊框區320中的第一列R1中的電晶體350的數量可實質上等於包含於邊框區320中的第二列R2中的電晶體350的數量。在一示例中，當包含於中心區310中的第一列R1中的發光元件ED的數量較多且包含於中心區310中的第二列R2中的發光元件ED的數量較少時，包含於第二列R2中的一些電晶體350可電性連接於設置於第一列R1中的發光元件ED而不電性連接於設置於第二列R2中的發光元件ED。
再者，在整個邊框區320中，每單位面積的電晶體350的數量在邊框區320中可實質上恆定。每單位面積的電晶體350的數量實質上恆定的配置可表示一個電晶體圖案在邊框區320中實質上均勻。
邊框區320重疊第一列R1的區域的面積可實質上等於邊框區320重疊第二列R2的區域的面積。在一示例中，設置於邊框區320中的第一列R1中的電晶體350的數量可實質上等於設置於邊框區中的第二列R2中的電晶體350的數量。
在如上所述地配置邊框區320的情況下，設置於邊框區320中的多個列中的電晶體350的數量可恆定地維持，特定列中的剩餘的電晶體可藉由布線結構340電性連接於另一列中剩餘的發光元件。因此，根據一示例性實施例的可撓性顯示裝置可較比較例的可撓性顯示裝置具有較大的中心區310。
本發明的多個示例性實施例亦可描述如下：
根據本發明一態樣，顯示裝置包含：基板，包含非顯示區及顯示區，顯示區包含含有發光區及透射區的光學區以及用以圍繞該光學區的一般區；平坦化層，在顯示區中設置於基板上；多個發光元件，設置於平坦化層上，且包含陽極、發光層及陰極；堤部，設置於平坦化層上，且用以覆蓋陽極的一端；以及沉積抑制層，設置於光學區的透射區及發光區之中的透射區中的發光層上，其中堤部設置於光學區的透射區及發光區中的發光區中。
顯示裝置可更包含：在光學區中設置於基板的下部部分上的光學電子裝置。
沉積抑制層可在光學區的透射區中設置於平坦表面上。
發光層的底面可在光學區的透射區中鄰接平坦化層。
沉積抑制層及堤部可在光學區中不彼此重疊。
設置於光學區的發光區中該陰極的側面可鄰接設置於光學區的透射區中的沉積抑制層的側面。
沉積抑制層可具有均勻的厚度。
沉積抑制層可包含：第一部分，具有均勻的厚度；以及第二部分，被設置為圍繞第一部分，且第二部分的厚度小於第一部分的厚度。
第二部分的厚度可隨著與第一部分的距離增加而減少。
第一部分可與第二部分整合，且第一部分與第二部分可由相同材料製成。
根據本發明另一態樣，顯示裝置包含：基板，包含非顯示區及顯示區，顯示區包含含有發光區及透射區的光學區以及用以圍繞光學區的一般區；平坦化層，在顯示區中設置於基板上；多個發光元件，設置平坦化層上，且包含陽極、發光層及陰極；沉積抑制層，在透射區中設置於發光層上，其中沉積抑制層不重疊陰極；以及光學電子裝置，在光學區中設置於基板的下部部分上，其中光學電子裝置重疊沉積抑制層。
顯示裝置可更包含設置於平坦化層上且用以覆蓋陽極的一端的堤部，其中堤部設置於發光區中。
沉積抑制層可在透射區中設置於平坦表面上。
儘管已參考所附圖式詳細描述本發明的示例性實施例，但本發明並不以此為限，且可在不脫離本發明的技術概念的情況下以許多不同的形式來實施。因此，提供本發明的示例性實施例僅用於說明目的，而不旨在限制本發明的技術概念。本發明的技術概念的範圍不以此為限。因此，應理解上述示例性實施例在所有態樣中皆為說明性的且不限制本發明。應基於申請專利範圍來解釋本發明的保護範圍，且其等同範圍內的所有技術概念應被解釋為落入本發明的範圍內。
100,200,300:顯示裝置 110a:第一基板 110b:第二基板 110c:層間絕緣膜 111a:多重緩衝層 111b:主動緩衝層 112:第一閘極絕緣膜 113a:第一層間絕緣膜 113b:第二閘極絕緣膜 113c:第三層間絕緣膜 113d:第三層間絕緣膜 114:鈍化層 115a:第一平坦化層 115b:第二平坦化層 116:堤部 117a:第一密封層 117b:第二密封層 117c:第三密封層 118a:觸控緩衝膜 118b:觸控層間絕緣膜 119:保護層 120:發光元件 121:陽極 122:發光層 123:陰極 125:連接電極 131:第一閘極電極 132:第一源極電極 133:第一汲極電極 134:第一主動層 135:金屬層 140:觸控線路 141:觸控感測器金屬 142:橋接金屬 150:有機材料層、沉積抑制層 160:偏振層 170,170a,170b:光學電子裝置 231:第二閘極電極 232:第二源極電極 233:第二汲極電極 234:第二主動層 250:沉積抑制層 253:第一部分 255:第二部分 310:中心區 320:邊框區 340:布線結構 350:電晶體 a:區域 Blue SP:藍色子像素 Cst:電容器 DA:顯示區 DA1,DA2:光學區 Data:影像資料 DCS:資料驅動控制訊號 DCTR:顯示控制器 DDC:資料驅動電路 DL:資料線路 DP:顯示面板 DT:驅動電晶體 EA:發光區 ED:發光元件 EDC:發光控制訊號驅動部 EDL:發光元件層 EM(n):發光控制訊號 ENCAP:密封層 EVDD:高電位驅動電壓 EVSS:低電位驅動電壓 GCS:閘極驅動控制訊號 GDC:閘極驅動電路 GL:閘極線路 GM:閘極材料層 Green SP:綠色子像素 HA1:第一水平顯示區 HA2:第二水平顯示區 HL:水平線路 HL1,HL2:水平線路 HSYS:主機系統 N1:第一節點 N2:第二節點 N3:第三節點 N4:第四節點 N5:第五節點 NA:一般區 NDA:非顯示區 PAC:保護層 PCL:有機材料層 PLN:平坦化層 POL:偏振層 R1:第一列 R2:第二列 Red SP:紅色子像素 SC1(n):第一掃描訊號 SC2(n):第二掃描訊號 SC3(n):第三掃描訊號 SC4(n):第四掃描訊號 SDC:掃描驅動部 SP:子像素 SUB:基板 T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7:電晶體 TA:透射區 TA1,TA2:透射區 TM:金屬圖案 TRL:電晶體層 Ts:開關電晶體 TSL:觸控感測層 VLn,VL1,VL2:垂直線路 Vini:第二初始化電壓 Var:第一初始化電壓 Vdata:資料電壓 Vobs:偏電壓 w:寬度 X:區域
藉由以下結合所附圖式的詳細描述，將使本發明的上述及其他態樣、特徵以及其他優點更加清楚，於圖式中： 圖1A至圖1D為根據本發明一示例性實施例的顯示裝置的俯視平面示意圖；圖2為根據本發明一示例性實施例的顯示裝置的系統配置圖；圖3為根據本發明一示例性實施例的顯示面板的子像素的等效電路圖；圖4為繪示根據本發明一示例性實施例的顯示面板的顯示區中的多個子像素的布置的圖；圖5A為繪示根據本發明一示例性實施例的顯示面板的第一光學區及一般區中的訊號線路的布置的一示例的圖；圖5B為繪示根據本發明一示例性實施例的顯示面板的第二光學區及一般區中的訊號線路的布置的一示例的圖；圖6為繪示設置於根據本發明一示例性實施例的一般區中的一像素區的剖面結構的剖面圖；圖7為繪示根據本發明一示例性實施例的光學區中的發光區及透射區的剖面結構的剖面圖；圖8A為繪示根據本發明一示例性實施例的沉積抑制層及透射區之間的位置關係的圖；圖8B為根據本發明一示例性實施例的透射區的放大圖；圖9為繪示根據本發明另一示例性實施例的光學區中的發光區及透射區的剖面結構的剖面圖；圖10A為繪示根據本發明另一示例性實施例的沉積抑制層及透射區之間的位置關係的圖；圖10B為根據本發明另一示例性實施例的透射區的放大圖；圖11為繪示根據本發明另一示例性實施例的可撓性顯示裝置的第一光學區的俯視平面圖；並且圖12為繪示圖11中的區域X的放大圖。
100:顯示裝置
170:光學電子裝置
DA:顯示區
DA1:光學區
DP:顯示面板
NA:一般區
NDA:非顯示區

Claims (13)

  1. 一種顯示裝置，包含：一基板，包含一非顯示區及一顯示區，該顯示區包含含有一發光區及一透射區的一光學區以及用以圍繞該光學區的一一般區；一平坦化層，在該顯示區中設置於該基板上；多個發光元件，設置於該平坦化層上，且包含一陽極、一發光層及一陰極；一堤部，設置於該平坦化層上，且用以覆蓋該陽極的一端；以及一沉積抑制層，設置於該光學區的該透射區及該發光區之中的該透射區中的該發光層上，其中該堤部設置於該光學區的該透射區及該發光區之中的該發光區中。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含：一光學電子裝置，在光學區該中設置於該基板的一下部部分上。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該沉積抑制層在該光學區的該透射區中設置於一平坦表面上。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該發光層的一底面在該光學區的該透射區中鄰接該平坦化層。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該沉積抑制層及該堤部在該光學區中不彼此重疊。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中設置於該光學區的該發光區中的該陰極的一側面鄰接設置於該光學區的該透射區中的該沉積抑制層的一側面。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該沉積抑制層具有均勻的一厚度。
  8. 如請求項7所述之顯示裝置，其中該沉積抑制層包含：一第一部分，具有均勻的一厚度；以及一第二部分，被設置為圍繞該第一部分，且該第二部分的一厚度小於該第一部分的一厚度。
  9. 如請求項8所述之顯示裝置，其中該第二部分的該厚度隨著與該第一部分的距離增加而減少。
  10. 如請求項8所述之顯示裝置，其中該第一部分與該第二部分整合，且該第一部分與該第二部分由相同材料製成。
  11. 一種顯示裝置，包含：一基板，包含一非顯示區及一顯示區，該顯示區包含含有一發光區及一透射區的一光學區以及用以圍繞該光學區的一一般區；一平坦化層，在該顯示區中設置於該基板上；多個發光元件，設置該平坦化層上，且包含一陽極、一發光層及一陰極；一沉積抑制層，在該透射區中設置於該發光層上，其中該沉積抑制層不重疊該陰極；以及一光學電子裝置，在該光學區中設置於該基板的一下部部分上，其中該光學電子裝置重疊該沉積抑制層。
  12. 如請求項11所述之顯示裝置，更包含：一堤部，設置於該平坦化層上，且用以覆蓋該陽極的一端，其中該堤部設置於該發光區中。
  13. 如請求項11所述之顯示裝置，其中該沉積抑制層在該透射區中設置於一平坦表面上。
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