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TW202410554A - 近場電磁波吸收器 - Google Patents

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TW202410554A
TW202410554A TW112130408A TW112130408A TW202410554A TW 202410554 A TW202410554 A TW 202410554A TW 112130408 A TW112130408 A TW 112130408A TW 112130408 A TW112130408 A TW 112130408A TW 202410554 A TW202410554 A TW 202410554A
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加川清二
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Abstract

一種近場電磁波吸收器，其包含至少一個塑膠膜及兩個線狀劃痕金屬薄膜，該等線狀劃痕金屬薄膜中之每一者在複數個方向上具有大量具有不規則寬度及間隔的基本上平行、斷續的線狀劃痕，一個線狀劃痕金屬薄膜具有150-300 Ω/平方的表面電阻率，且另一個線狀劃痕金屬薄膜具有10-50 Ω/平方的表面電阻率。

Description

近場電磁波吸收器
本發明係關於一種近場電磁波吸收器，該近場電磁波吸收器在小於1 GHz至高個位數GHz的寬頻率範圍內具有高的傳導雜訊吸收能力及輻射雜訊吸收能力，能夠在不連接至接地的情況下使用，因為基本上沒有使輻射雜訊最大化的頻率，且雜訊吸收能力在不同生產批次之間僅有很小的不均勻性。
為了防止由於自各種電子設備及通信終端中的電子裝置洩漏的電磁波雜訊引起的故障等，各種電磁波吸收器已經投入實際使用。在此種情況下，本發明人在日本專利4685977中提出一種電磁波吸收能力的各向異性有所減小的線狀劃痕金屬薄膜-塑膠複合膜，其包含塑膠膜及形成於塑膠膜的至少一個表面上的單層或多層金屬薄膜，金屬薄膜在複數個方向上設置有大量具有不規則寬度及間隔的基本上平行、斷續的線狀劃痕。日本專利4685977描述了當一個複合膜具有20-377 Ω/平方的表面電阻且另一個複合膜具有377-10,000 Ω/平方的表面電阻時，具有不同線狀劃痕交叉角的兩個線狀劃痕金屬薄膜-塑膠複合膜的組合可有效地吸收電場及磁場兩者，且電磁波吸收能力的各向異性有所減小。然而，日本專利4685977並未提供組合了具有不同的表面電阻率且因此形成線狀劃痕的程度不同的線狀劃痕金屬薄膜-塑膠複合膜的實例。
當以相同的表面電阻率目標生產複數個批次的金屬薄膜-塑膠複合膜，且對自不同批次任意選擇的兩個金屬薄膜-塑膠複合膜進行層壓以生產近場電磁波吸收器時，根據它們的組合，可能無法在寬頻率範圍內表現出良好的輻射雜訊吸收能力。這似乎是由於以下事實：(a)因為線狀劃痕金屬薄膜-塑膠複合膜中的金屬薄膜極薄，及(b)因為線狀劃痕亦極小，所以根據實際生產條件會出現大的不均勻性，從而導致產品效能在生產批次之間有大的不均勻性。
日本專利5203295揭示了一種電磁波吸收膜，該電磁波吸收膜係藉由對包含形成於塑膠膜的至少一個表面上的磁性金屬薄膜的磁性複合膜與包含形成於塑膠膜的至少一個表面上的非磁性金屬薄膜的非磁性複合膜進行層壓而獲得，磁性金屬薄膜及非磁性金屬薄膜中之至少一者在至少一個方向上設置有大量具有不規則寬度及間隔的基本上平行、斷續的線狀劃痕，線狀劃痕具有1-100 μm的平均寬度及1-100 μm的平均間隔，線狀劃痕中的90%或更多具有在0.1-1000 μm的範圍內的寬度。日本專利5203295描述了包含表面電阻為1-377 Ω/平方的磁性金屬薄膜及表面電阻為377-10,000 Ω/平方的非磁性金屬薄膜的電磁波吸收膜具有優異的近場電磁波雜訊吸收能力。
然而，已經發現在日本專利5203295中吸收的電磁波雜訊係所謂的傳導雜訊，且關於在小於1 GHz至高個位數GHz的寬頻率範圍內的輻射雜訊，存在使該等雜訊最大化的頻率。深入研究表明，線狀劃痕磁性複合膜中1-377 Ω/平方的表面電阻及線狀劃痕非磁性複合膜中377-10000 Ω/平方的表面電阻未得到很好地平衡，不可能在寬頻率範圍內防止輻射雜訊的最大化。具體而言，在日本專利5203295的實例1中，線狀劃痕磁性複合膜的表面電阻為30 Ω/平方，而線狀劃痕非磁性複合膜的表面電阻太大，高達6,000 Ω/平方。因此，當將此電磁波吸收膜投入實際使用，用於吸收近場雜訊時，應連接接地(GND)以防止最大雜訊的洩漏。
WO 2012/090586 A揭示了一種近場電磁波吸收器，該近場電磁波吸收器係藉由黏合複數個電磁波吸收膜而獲得，每個電磁波吸收膜包含形成於塑膠膜的一個表面上的金屬薄膜，至少一個電磁波吸收膜具有磁性金屬薄膜，且至少一個電磁波吸收膜的磁性金屬薄膜在複數個方向上設置有大量具有不規則寬度及間隔的基本上平行、斷續的線狀劃痕。WO 2012/090586 A描述了每個電磁波吸收膜的線狀劃痕金屬薄膜具有在50-1500 Ω/平方的範圍內的表面電阻，且近場電磁波吸收器在小於1 GHz至高個位數GHz的寬頻率範圍內具有優異的傳導雜訊吸收能力。然而，已經發現WO 2012/090586 A的近場電磁波吸收器具有使輻射雜訊最大化的頻率。因此，如日本專利5203295中一樣，當將此近場電磁波吸收器投入實際使用時，應連接接地(GND)以防止最大雜訊的洩漏。
日本專利5559668揭示了一種電磁波吸收器，該電磁波吸收器係藉由將複數個電磁波吸收膜經由介電體層壓在電磁波反射器前方而獲得， 每個電磁波吸收膜包含形成於塑膠膜的表面上的導電材料層，導電材料層具有在100-1000 Ω/平方的範圍內的表面電阻， 最前面的電磁波吸收膜的導電材料層的表面電阻比下一個電磁波吸收膜的導電材料層的表面電阻大100 Ω/平方或更多， (a) 當包含兩個電磁波吸收膜時，第一電磁波吸收膜與第二電磁波吸收膜之間的間隙與第二電磁波吸收膜與電磁波反射器之間的間隙的比率為100/30-80/70，且(b)當包含三個或更多個電磁波吸收膜時，第一電磁波吸收膜與第二電磁波吸收膜之間的間隙與第二電磁波吸收膜與第三電磁波吸收膜之間的間隙的比率為100/30-80/70， 電磁波吸收膜的導電材料層在複數個方向上設置有大量具有不規則寬度及間隔的基本上平行、斷續的線狀劃痕，且 線狀劃痕具有：其中90%或更多在0.1-100 μm的範圍內且平均為1-50 μm的寬度；及在0.1-200 μm的範圍內且平均為1-100 μm的間隔。
日本專利5559668描述了因為最前面的電磁波吸收膜的導電材料層的表面電阻比下一個電磁波吸收膜的導電材料層的表面電阻大100 Ω/平方或更多，所以與簡單地層壓具有相同表面電阻的複數個電磁波吸收膜時相比，獲得的電磁波吸收能力高得多，且各向異性更小。然而，因為此電磁波吸收器具有複數個電磁波吸收膜經由介電體層壓在電磁波反射器(鋁板)前方的結構，所以它適用於ETC、FRID等，但無法用作附接至電子裝置等的近場電磁波吸收器。 發明目標
因此，本發明的目標係提供一種近場電磁波吸收器，該近場電磁波吸收器在小於1 GHz至高個位數GHz的寬頻率範圍內具有高的傳導雜訊吸收能力及輻射雜訊吸收能力，且基本上沒有使輻射雜訊最大化的頻率，這使其可在不連接接地的情況下使用，且雜訊吸收能力在不同生產批次之間僅有很小的不均勻性。
作為鑑於以上目標進行深入研究的結果，本發明人發現：具有兩個金屬薄膜的近場電磁波吸收器在兩個線狀劃痕金屬薄膜的表面電阻率改變時，具有改良的近場輻射雜訊吸收能力，每個金屬薄膜設置有大量具有不規則寬度及間隔的基本上平行、斷續的線狀劃痕；及，然而，如日本專利4685977中一樣，表面電阻率為20-377 Ω/平方的線狀劃痕金屬薄膜與表面電阻率為377-10,000 Ω/平方的線狀劃痕金屬薄膜的組合在小於1 GHz至高個位數GHz的寬頻率範圍內未能充分表現出高的近場輻射雜訊吸收能力。因此，作為進一步提高近場輻射雜訊吸收能力的深入研究的結果，發明人出乎意料地發現：藉由在小於377 Ω/平方(對應於日本專利4685977中的低表面電阻率)的範圍內組合150-300 Ω/平方的相對高的表面電阻率與10-50 Ω/平方的相對低的表面電阻率，有可能穩定地獲得一種近場電磁波吸收器，該近場電磁波吸收器在小於1 GHz至高個位數GHz的寬頻率範圍內具有高的傳導雜訊吸收能力及輻射雜訊吸收能力，且基本上沒有使輻射雜訊最大化的頻率，這使其可在不連接至接地的情況下使用，且雜訊吸收能力在不同生產批次之間僅有很小的不均勻性。基於這樣的發現完成了本發明。
因此，本發明的近場電磁波吸收器包含至少一個塑膠膜及兩個線狀劃痕金屬薄膜，線狀劃痕金屬薄膜中之每一者在複數個方向上具有大量具有不規則寬度及間隔的基本上平行、斷續的線狀劃痕，一個線狀劃痕金屬薄膜具有150-300Ω/平方的表面電阻率，另一個線狀劃痕金屬薄膜具有10-50 Ω/平方的表面電阻率。
在本發明的較佳實施例中，各自在一側上具有線狀劃痕金屬薄膜上一對塑膠膜彼此黏合。在這種情況下，兩個線狀劃痕金屬薄膜較佳彼此黏合。
在本發明的另一較佳實施例中，線狀劃痕金屬薄膜設置在一個塑膠膜的兩側上。
其中形成有線狀劃痕的金屬薄膜的厚度較佳為20-100 nm。
金屬薄膜較佳由鋁製成。
形成於金屬薄膜中的線狀劃痕較佳地定向在交叉角為30-90°的兩個方向上。
較佳地，線狀劃痕金屬薄膜中表面電阻率為150-300 Ω/平方的一者具有2.5-3.5%的透光率，且表面電阻率為10-50 Ω/平方的另一者具有1-2.2%的透光率。
形成於兩個金屬薄膜中的線狀劃痕較佳地具有在0.1-100 μm範圍內且平均為2-50 μm的寬度，及在0.1-500 μm範圍內且平均為10-100 μm的間隔。 發明效果
具有以上構造的本發明的近場電磁波吸收器在小於1 GHz至高個位數GHz的寬頻率範圍內具有高的傳導雜訊吸收能力及輻射雜訊吸收能力，且可在不需要連接接地的情況下使用，因為基本上沒有使輻射雜訊最大化的頻率。此外，因為一個線狀劃痕金屬薄膜具有150-300 Ω/平方的相對高的表面電阻率，且另一個線狀劃痕金屬薄膜具有10-50 Ω/平方的相對低的表面電阻率，所以即使所生產的線狀劃痕金屬薄膜之間存在不均勻性，仍有可能穩定地獲得僅有很小的雜訊(輻射雜訊)吸收能力不均勻性的近場電磁波吸收器。具有這樣的特徵的本發明的近場電磁波吸收器可適當地附接至諸如個人電腦、行動電話、智慧型手機等各種電子設備及通信終端中的電子裝置，以抑制電磁波雜訊。
將參照隨附圖式解釋本發明的實施例，且應當注意，除非另有說明，否則關於一個實施例的解釋適用於其他實施例。此外，以下解釋並非限制性的，且在本發明的範疇內可進行各種修改。
[1] 電磁波吸收膜
第1圖展示構成本發明的一個實施例的近場電磁波吸收器的電磁波吸收膜的實例。此電磁波吸收膜100 (100a、100b)由塑膠膜10及形成於塑膠膜10的一側上的金屬薄膜11構成，且金屬薄膜11在複數個方向上設置有大量具有不規則寬度及間隔的基本上平行、斷續的線狀劃痕12。
(1) 塑膠膜
形成塑膠膜10的樹脂沒有特別限制，只要它們除了絕緣之外亦具有足夠的強度、可撓性及可加工性即可，且它們可為例如聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯等)、聚醚硫醚(聚苯)硫醚等)、聚醚碸、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯等)等。其中，自強度及成本方面考慮，聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)膜係較佳的。塑膠膜10的厚度可為約10-100 μm，且較佳為約10-30 μm以使近場電磁波吸收器儘可能薄。
(2) 金屬薄膜
金屬薄膜11由非磁性或磁性金屬製成。非磁性金屬可為鋁、銅、銀等，且磁性金屬可為鎳、鉻等。當然，此等金屬可作為純金屬或者以合金的形式使用。自成本及耐腐蝕性方面考慮，鋁係較佳的。金屬薄膜11可藉由諸如濺射法、真空蒸鍍法等已知方法形成。自控制金屬薄膜11的厚度及形成線狀劃痕的程度方面考慮，金屬薄膜11的厚度較佳為20-100 nm，更佳為30-90 nm，最佳為40-80 nm。
(3) 線狀劃痕
如第1圖及第2圖所示，電磁波吸收膜100 (100a、100b)的金屬薄膜11在複數個方向上設置有具有不規則寬度及間隔的基本上平行、斷續的線狀劃痕12 (12a、12b)。第2圖展示定向在兩個方向上的線狀劃痕12a、12b。為了進行解釋，在第1圖中誇大了線狀劃痕12的深度。定向在兩個方向上的線狀劃痕12具有各種寬度W及間隔I。間隔I包括平行於線狀劃痕12的間隔及垂直於線狀劃痕12的間隔兩者。線狀劃痕12的寬度W及間隔I係在金屬薄膜11的原始高度處量測的，原始高度對應於在形成線狀劃痕之前金屬薄膜11的表面S的高度。因為線狀劃痕12具有各種寬度W及間隔I，所以電磁波吸收膜100可在寬頻率範圍內有效地吸收電磁波。
線狀劃痕12的寬度W較佳在0.1-100 μm的範圍內，更佳在0.1-70 μm的範圍內。線狀劃痕12的平均寬度Wav較佳為2～50 μm，更佳為5-30 μm。線狀劃痕12的間隔I較佳為0.1-500 μm，更佳為1-400 μm。線狀劃痕12的平均間隔Iav較佳為10-100 μm，更佳為20-80 μm。順便提及，為了確定線狀劃痕12的寬度W、平均寬度Wav、間隔I及平均間隔Iav，除非下文另有說明，否則對寬度小至0.1 μm的線狀劃痕12進行計數。
因為線狀劃痕12的長度L由滑動條件(主要係輥及塑膠膜的相對速度，以及塑膠膜捲繞在輥上的角度)確定，所以除非滑動條件改變，否則它們基本上相同(基本上等於平均長度)。線狀劃痕12的長度實際上可為約1-100 mm，但沒有特別限制。
線狀劃痕12a、12b在兩個方向上的銳角交叉角θs (除非另有說明，否則簡稱為「交叉角」)較佳為30-90°，更佳為45-90°，最佳為60-90°。藉由調整塑膠膜10與壓花輥之間的滑動條件(滑動方向、圓周速度比等)，可形成具有各種交叉角θs的線狀劃痕12，如第3(a)圖至第3(c)圖所示。儘管線狀劃痕的定向不限於兩個方向，而是可為三個方向或更多，但在將生產成本及效能完全考慮在內時，在兩個方向上形成線狀劃痕係較佳的。線狀劃痕12由以下構成：第3(a)圖中垂直交叉的線狀劃痕12a、12b；第3(b)圖中呈60°交叉的線狀劃痕12a、12b；及第3(c)圖中定向在三個方向上的線狀劃痕12a、12b、12c。
[2] 用於形成線狀劃痕的設備
第4(a)圖至第4(e)圖展示用於在兩個方向上在塑膠膜上的金屬薄膜中形成線狀劃痕的設備的一個實例。所描繪的設備包含：(a)捲軸21，具有金屬薄膜的塑膠膜10係自其捲取；(b)第一壓花輥2a，其傾斜於塑膠膜10的橫向方向；(c)第一推輥3a，其在相反側上配置在第一壓花輥2a上游；(d)第二壓花輥2b，其在與第一壓花輥2a相反的方向上傾斜於塑膠膜10的橫向方向且配置在與第一壓花輥2a相同的一側上；(e)第二推輥3b，其在相反側上配置在第二壓花輥2b下游；及(f)捲軸24，具有線狀劃痕金屬薄膜的塑膠膜10'捲繞在其上。另外，複數個導輥22、23配置在預定位置。每個壓花輥2a、2b由背托輥(例如，橡膠輥)5a、5b支撐以防止彎曲。
如第4(c)圖所示，因為每個推輥3a、3b與塑膠膜10的金屬薄膜接觸的位置低於它與每個壓花輥2a、2b滑動接觸的位置，所以塑膠膜10由每個壓花輥2a、2b推動。藉由在滿足此條件的情況下調整每個推輥3a、3b的高度，可控制每個壓花輥2a、2b對金屬薄膜的壓製能力。具體而言，每個推輥3a、3b的更低位置會增加每個壓花輥2a、2b對塑膠膜10的金屬薄膜的壓製能力，從而在金屬薄膜上形成更深的線狀劃痕(增加在金屬薄膜中形成線狀劃痕的程度)。反之，每個推輥3a、3b的更高位置會減小每個壓花輥2a、2b對塑膠膜10的金屬薄膜的壓製能力，從而在塑膠膜10的金屬薄膜上形成更淺的線狀劃痕(降低在金屬薄膜中形成線狀劃痕的程度)。
線狀劃痕深度的增加通常導致更少量的金屬留在金屬薄膜中，從而為線狀劃痕金屬薄膜提供更高的表面電阻率。因此，可藉由改變每個壓花輥2a、2b對塑膠膜10的金屬薄膜的壓製能力來調整線狀劃痕金屬薄膜的表面電阻率。順便提及，更深的線狀劃痕往往具有更大的寬度，從而導致相鄰線狀劃痕之間的間隔更小。可藉由使每個壓花輥2a、2b朝向或遠離塑膠膜10位移來調整每個壓花輥2a、2b對塑膠膜10的壓製能力。每個壓花輥2a、2b的位移可藉由附接至每個壓花輥2a、2b的驅動機構(未圖示)來進行。
第4(d)圖展示線狀劃痕12a形成為傾斜於塑膠膜10的移動方向的原理。因為壓花輥2a傾斜於塑膠膜10的移動方向，所以壓花輥2a上的細小硬質粒子的移動方向(旋轉方向)與塑膠膜10的移動方向不同。在壓花輥2a上的點A上的細小硬質粒子在任意時間與塑膠膜10的金屬薄膜接觸以形成劃痕B之後，如X所示，在預定時間段內，細小硬質粒子移動至點A'且劃痕B移動至點B'。細小硬質粒子自點A移動至點A'時，連續形成劃痕，從而導致自點A'延伸至點B'的線狀劃痕12a。
可藉由改變每個壓花輥2a、2b相對於塑膠膜10的角度及/或每個壓花輥2a、2b相對於塑膠膜10的移動速度的圓周速度來調整由第一壓花輥2a及第二壓花輥2b形成的線狀劃痕12a、12b的方向及交叉角θs。例如，當壓花輥2a相對於塑膠膜10的移動速度 b的圓周速度 a增加時，線狀劃痕12a可像線C'D'那樣相對於塑膠膜10的移動方向傾斜45°，如第4(d)圖中的Y所示。類似地，可藉由改變壓花輥2a相對於塑膠膜10的橫向方向的傾斜角θ 2來改變壓花輥2a的圓周速度 a，如第4(e)圖所示。壓花輥2b也是如此。因此，藉由調整兩個壓花輥2a、2b，可改變線狀劃痕12a、12b的方向。
因為每個壓花輥2a、2b傾斜於塑膠膜10，所以與每個壓花輥2a、2b一起滑動在橫向方向上向塑膠膜10施加力。因此，為了防止塑膠膜10的橫向移動，較佳地調整每個推輥3a、3b相對於每個壓花輥2a、2b的高度及/或角度。例如，如第4(e)圖所示，適當調整壓花輥2a的軸線與推輥3a的軸線之間的交叉角θ 3提供具有這樣的橫向分佈的壓製能力以消除橫向分量，從而防止橫向移動。調整壓花輥2a與推輥3a之間的距離亦有助於防止橫向移動。為了防止塑膠膜10的橫向移動及破損，傾斜於塑膠膜10的橫向方向的第一壓花輥2a及第二壓花輥2b的旋轉方向較佳與塑膠膜10的移動方向相同。
為了增加壓花輥2a、2b對塑膠膜10的金屬薄膜的壓製能力，可在壓花輥2a、2b之間設置第三推輥3c，如第5圖所示。第三推輥3c增加與中心角θ 1成比例的塑膠膜10的滑動距離，從而導致更長的線狀劃痕12a、12b。調整第三推輥3c的位置及傾斜角有助於防止塑膠膜10的橫向移動。
第6圖展示用於形成如第3(c)圖所示定向在三個方向上的線狀劃痕的設備的一個實例。此設備與第4(a)圖至第4(e)圖所示設備的不同之處在於，它包含在第二壓花輥2b下游的平行於塑膠膜10的橫向方向的第三壓花輥2c及第三推輥3d。儘管第三壓花輥2c的旋轉方向可與塑膠膜10的移動方向相同或相反，但較佳為相反方向以有效地形成線狀劃痕。平行於橫向方向的第三壓花輥2c形成與塑膠膜10的移動方向對準的線狀劃痕12c。儘管第三推輥3d配置在第三壓花輥2c上游，但它亦可在下游側上。不限於所描繪的實例，第三壓花輥2c可配置在第一壓花輥2a上游，或者在第一壓花輥2a與第二壓花輥2b之間。
第7圖展示用於形成定向在四個方向上的線狀劃痕的設備的一個實例。此設備與第6圖所示設備的不同之處在於，它包含在第二壓花輥2b與第三壓花輥2c之間的第四壓花輥2d，以及在第四壓花輥2d上游的第四推輥3e。由於第四壓花輥2d的旋轉速度更慢，可使線狀劃痕12a'的方向(線E'F')平行於塑膠膜10的橫向方向，如第4(d)圖中的Z所示。
第8圖展示用於形成如第3(a)圖所示的垂直交叉的線狀劃痕的設備的另一實例。此設備與第4(a)圖至第4(e)圖所示設備的不同之處在於，第二壓花輥32b平行於塑膠膜10的橫向方向(垂直於移動方向)。因此，將僅解釋與第4(a)圖至第4(e)圖所示部分不同的部分。第二壓花輥32b的旋轉方向可與塑膠膜10的移動方向相同或相反。此外，第二推輥33b可在第二壓花輥32b上游或下游。此設備使線狀劃痕12a'的方向(線E'F')與塑膠膜10的橫向方向對準，如第4(d)圖中的Z所示，這適合於形成垂直交叉的線狀劃痕。
塑膠膜10的移動速度較佳為5-200米/分鐘，且壓花輥的圓周速度較佳為10-2,000米/分鐘。壓花輥的傾斜角θ 2較佳為20°至60°，特別是約45°。塑膠膜10的張力(平行於壓製能力)較佳為0.05-5 kgf/cm寬度。
壓花輥較佳為表面上具有邊緣尖銳且莫氏硬度為5或更大的細小粒子的輥，例如JP 2002-59487 A中描述的金剛石輥。因為線狀劃痕的寬度由細小粒子的大小確定，所以細小金剛石粒子中的90%或更多較佳具有在0.1-100 μm的範圍內，更佳在0.1-70 μm的範圍內的大小。細小金剛石粒子較佳以30%或更大的面積比附接至輥表面。
[3] 近場電磁波吸收器的構造
(1) 結構
如第9(a)圖及第9(b)圖所示，根據本發明的實施例的近場電磁波吸收器係藉由將具有一個(第一)帶有線狀劃痕12的金屬薄膜11a的第一電磁波吸收膜100a黏合至具有帶有線狀劃痕12的另一個(第二)金屬薄膜11b的第二電磁波吸收膜100b而獲得。黏合較佳地在線狀劃痕金屬薄膜11a、11b在內部的情況下進行，但不限於此。根據本發明的實施例的近場電磁波吸收器具有包含第一電磁波吸收膜100a (塑膠膜10a/帶有第一線狀劃痕12的金屬薄膜11a)、黏合層20及第二電磁波吸收膜100b (帶有第二線狀劃痕12的金屬薄膜11b/塑膠膜10b)的層結構。因為金屬薄膜11a、11b面向彼此，所以黏合層20較佳不導電以防止金屬薄膜11a、11b導電。黏合層20可藉由塗敷黏合劑形成，但它可由熱封或雙面膠帶形成。
此近場電磁波吸收器可藉由以下操作來生產：將黏合劑20塗敷至一個線狀劃痕金屬薄膜11a，然後經由黏合劑將兩個電磁波吸收膜100a、100b向彼此按壓，如第9(b)圖所示。
當黏合層20非常薄時，金屬薄膜11a及11b電磁耦合。在這種情況下，較佳地，形成於金屬薄膜11a中的線狀劃痕12a、12b及形成於金屬薄膜11b中的線狀劃痕具有不同的交叉角θs，以減小電磁波吸收能力的各向異性。黏合層20的厚度較佳為1-30 μm，更佳為1-20 μm。
第10圖展示根據本發明的另一實施例的近場電磁波吸收器。此近場電磁波吸收器由一個塑膠膜10及形成於塑膠膜10的兩側上的金屬薄膜11a、11b構成，且每個金屬薄膜11a、11b在複數個方向上設置有大量具有不規則寬度及間隔的基本上平行、斷續的線狀劃痕12。
(2) 線狀劃痕金屬薄膜的表面電阻率
已經發現，儘管具有線狀劃痕金屬薄膜的電磁波吸收膜及由兩個這樣的電磁波吸收膜的層壓體構成的近場電磁波吸收器通常表現出良好的輻射雜訊吸收能力，但根據頻率，大的輻射雜訊可能會洩漏。無法預測大的輻射雜訊會洩漏的頻率，只能藉由實驗確認。作為對各自具有形成線狀劃痕的程度不同的金屬薄膜的相同電磁波吸收膜進行層壓以形成近場電磁波吸收器且量測洩漏的輻射雜訊的結果，已經發現，洩漏的輻射雜訊根據形成線狀劃痕的程度而不同。亦已經發現，不僅因為金屬薄膜極薄，而且因為線狀劃痕極小，所以近場電磁波吸收器的生產批次之間存在表面電阻率的不均勻性，甚至具有相同的形成線狀劃痕的目標程度的產品在輻射雜訊洩漏水平上有不均勻性。深入研究表明，(a)當一對電磁波吸收膜具有表面電阻率不同的線狀劃痕金屬薄膜時，及(b)當它們的表面電阻率被限制在預定範圍內時，可在寬頻率範圍內抑制輻射雜訊，且生產批次之間的不均勻性較小。基於這樣的發現完成了本發明。
在電子部件中，一般而言，應當去除在0.03 GHz至7 GHz的範圍內的雜訊。作為對能夠抑制在此範圍內的輻射雜訊的線狀劃痕金屬薄膜的表面電阻率之組合進行深入研究的結果，已經發現，當一個線狀劃痕金屬薄膜具有150-300 Ω/平方的表面電阻率，且另一個線狀劃痕金屬薄膜具有10-50 Ω/平方的表面電阻率時，可抑制在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內的輻射雜訊，且生產批次之間的不均勻性有所減小。
如上所述，在具有線狀劃痕金屬薄膜的電磁波吸收膜及由兩個這樣的電磁波吸收膜的層壓體構成的近場電磁波吸收器中，輻射雜訊在一個或多個頻率處可能極大(最大化)。在任何頻率處都應當去除最大化的輻射雜訊，且實際上可藉由觀察在預定頻率範圍內累積的輻射雜訊來確認輻射雜訊的最大化。當預定頻率範圍內的累積輻射雜訊小於期望位準時，認為輻射雜訊被抑制。另一方面，當累積輻射雜訊超過期望位準時，假定輻射雜訊在特定頻率處最大化。因此，本文中藉由累積輻射雜訊的位準來評估近場電磁波吸收器的輻射雜訊吸收能力。
在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內，累積輻射雜訊的期望位準在低頻側與高頻側之間不同。此處，累積輻射雜訊的期望位準在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內為-20 dBm，且在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內為-30 dBm。因此，當累積輻射雜訊在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內為-20 dBm或更大或在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內為-30 dBm或更大時，假定輻射雜訊在一個或多個頻率處最大化。若至少一個頻率處存在最大化的輻射雜訊，則近場電磁波吸收器應當連接至接地以去除輻射雜訊。
一個(第一)線狀劃痕金屬薄膜11a具有150-300 Ω/平方的表面電阻率，且另一個(第二)線狀劃痕金屬薄膜11b具有10-50 Ω/平方的表面電阻率。第一線狀劃痕金屬薄膜11a主要對吸收傳導雜訊有效，且第二線狀劃痕金屬薄膜11b主要對吸收輻射雜訊有效。
當第一線狀劃痕金屬薄膜11a的表面電阻率小於150 Ω/平方時，近場電磁波吸收器無法表現出良好的傳導雜訊吸收能力。本文所用的術語「良好的傳導雜訊吸收能力」意味著，在小於1 GHz至高個位數GHz(具體為0.1-6 GHz)的頻率範圍內，近場電磁波吸收器表現出的傳導雜訊吸收比P loss/P in接近表面電阻率為150-300 Ω/平方的線狀劃痕金屬薄膜的傳導雜訊吸收比。另一方面，當第一線狀劃痕金屬薄膜11a的表面電阻率大於300 Ω/平方時，無法表現出充分的輻射雜訊吸收能力。為了表現出良好的傳導雜訊吸收能力及輻射雜訊吸收能力，第一線狀劃痕金屬薄膜11a的表面電阻率較佳為150-210 Ω/平方。
當第二線狀劃痕金屬薄膜11b具有小於10 Ω/平方的表面電阻率時，其特性接近金屬薄膜本身的表面電阻率。即，它表現出高的輻射雜訊吸收能力及低的傳導雜訊吸收能力。此外，當第二線狀劃痕金屬薄膜11b具有大於50 Ω/平方的表面電阻率時，近場電磁波吸收器的輻射雜訊吸收能力太低。
因為更高的表面電阻率係藉由形成於金屬薄膜中的更深且更寬的線狀劃痕(形成線狀劃痕的程度更高)而獲得，如上所述，所以形成於第二電磁波吸收膜100b的金屬薄膜中的線狀劃痕比形成於第一電磁波吸收膜100a的金屬薄膜中的線狀劃痕淺。因此，與第一線狀劃痕金屬薄膜11a相比，第二線狀劃痕金屬薄膜11b的雜訊吸收特性更接近無劃痕金屬薄膜的雜訊吸收特性。
因為在金屬薄膜中形成線狀劃痕的更大程度提供了具有更高表面電阻率的線狀劃痕金屬薄膜，所以可藉由調整形成線狀劃痕的程度來獲得期望的表面電阻率。此外，因為即使形成線狀劃痕的程度相同，當金屬薄膜變厚時，表面電阻率往往更低，所以對於更厚的金屬膜，應當增加形成線狀劃痕的程度，以獲得期望的表面電阻率。
表面電阻率為150-300 Ω/平方的線狀劃痕金屬薄膜及表面電阻率為10-50 Ω/平方的線狀劃痕金屬薄膜的組合可在小於1 GHz至高個位數GHz的寬頻率範圍內抑制輻射雜訊的最大化，同時保持良好的傳導雜訊吸收能力。
(3) 線狀劃痕金屬薄膜的透光率
像表面電阻率一樣，線狀劃痕金屬薄膜的透光率隨著在金屬薄膜中形成線狀劃痕的程度增加而增加。具體而言，表面電阻率為150-300 Ω/平方的第一線狀劃痕金屬薄膜11a具有2.5-3.5%的透光率，且表面電阻率為10-50 Ω/平方的第二線狀劃痕金屬薄膜11b具有1-2.2%的透光率。
將參照以下實例對本發明進行更詳細的解釋，而並不意欲將本發明限於此。
參考實例1
在真空中用鋁對厚度為16 μm的PET膜進行真空蒸鍍，以形成厚度為60 nm的鋁薄膜。使用具有第8圖所示結構的設備，該設備包含具有粒度分佈為50-80 μm的電鍍細小金剛石粒子的壓花輥32a、32b，在兩個方向上刮劃塑膠膜上的鋁薄膜以形成參考實例1的具有線狀劃痕的電磁波吸收膜，其具有以下所示的特性。參考實例1中形成線狀劃痕的程度被分類為「M 1」 (Middle 1)。
寬度W的範圍 0.1-50 μm，
平均寬度Wav 22 μm，
橫向間隔I的範圍 1-120 μm，
平均橫向間隔Iav 42 μm，
平均長度Lav 5 mm，及
交叉角θs 90°。
使用可自Napson公司獲得的薄片電阻/表面電阻率計「EC-80P」，藉由非破壞性渦流測試方法量測線狀劃痕鋁薄膜的表面電阻率。量測結果表明，線狀劃痕鋁薄膜的表面電阻率為172 Ω/平方。
將參考實例1的具有線狀劃痕鋁薄膜的電磁波吸收膜放在可自Keyence公司獲得的雷射穿束感測器(IB-30)中，以量測線狀劃痕鋁薄膜的透光率。結果，透光率為2.6%。
自參考實例1的電磁波吸收膜切下測試片TP1 (50 mm × 50 mm)。在如第11(a)圖及第11(b)圖所示包含50 Ω的微帶線MSL (64.4 mm x 4.4 mm)、支撐微帶線MSL的絕緣基板200、附接至絕緣基板200的下表面的接地電極201、連接至微帶線MSL的兩個邊緣的導體接腳202、202、網路分析儀NA以及用於將網路分析儀NA連接至導體接腳202、202的同軸電纜203、203的近場電磁波評估系統中，藉由黏合劑將測試片TP1附接至絕緣基板200的上表面，使得測試片TP1的中心與微帶線MSL的中心對準。在入射波為0.1-6 GHz的情況下量測反射波功率S 11及透射波功率S 12，以根據S 11及S 21確定傳導雜訊吸收比P loss/P in。結果展示於第12圖中。自第12圖可知，參考實例1的電磁波吸收膜表現出良好的傳導雜訊吸收比P loss/P in。
藉由可自森田技術株式會社獲得的EMC雜訊掃描儀(WM7400)在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內掃描自參考實例1的電磁波吸收膜切下的測試片TP2 (40 mm × 40 mm)，以量測輻射雜訊。第13(a)圖及第13(b)圖分別展示參考實例1的測試片TP2在0.03 GHz至小於3.5 GHz及3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊。自第13(a)圖及第13(b)圖可知，在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的幾乎整個區域中觀察到-15 dBm那麼大或更大，特別是-10 dBm或更大的累積輻射雜訊，且在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的幾乎整個區域中觀察到-25 dBm那麼大或更大，特別是-20 dBm或更大的累積輻射雜訊。
參考實例2
參考實例2的電磁波吸收膜係藉由在兩個方向上在鋁薄膜中形成具有下述特性的線狀劃痕而獲得，形成方式與參考實例1中相同，只不過使在第8圖所示的設備中壓花輥32a、32b對塑膠膜的壓製能力比參考實例1中大。參考實例2中形成線狀劃痕的程度被分類為「M 2」 (Middle 2)。
寬度W的範圍 0.1-50 μm，
平均寬度Wav 25 μm，
橫向間隔I的範圍 1-150 μm
平均橫向間隔Iav 45 μm，
平均長度Lav 5 mm，及
交叉角θs 90°。
藉由與參考實例1相同的方法測得的線狀劃痕鋁薄膜的表面電阻率及透光率分別為210 Ω/平方及3.2%。
參考實例3
參考實例3的電磁波吸收膜係藉由在兩個方向上在鋁薄膜中形成具有下述特性的線狀劃痕而獲得，形成方式與參考實例1中相同，只不過使在第8圖所示的設備中壓花輥32a、32b對塑膠膜的壓製能力比參考實例1中小。參考實例3中形成線狀劃痕的程度被分類為「W 1」 (Weak 1)。
寬度W的範圍 0.1-30 μm，
平均寬度Wav 7 μm，
橫向間隔I的範圍 15-300 μm，
平均橫向間隔Iav 71 μm，
平均長度Lav 5 mm，及
交叉角θs 90°。
藉由與參考實例1相同的方法測得的線狀劃痕鋁薄膜的表面電阻率及透光率分別為15 Ω/平方及1.9%。
參考實例4
參考實例4的電磁波吸收膜係藉由在兩個方向上在鋁薄膜中形成具有下述特性的線狀劃痕而獲得，形成方式與參考實例1中相同，只不過使在第8圖所示的設備中壓花輥32a、32b對塑膠膜的壓製能力比參考實例1中小且比參考實例3中大。參考實例4中形成線狀劃痕的程度被分類為「W 2」 (Weak 2)。
寬度W的範圍 0.1-50 μm，
平均寬度Wav 11 μm，
橫向間隔I的範圍 10-210 μm，
平均橫向間隔Iav 56 μm，
平均長度Lav 5 mm，及
交叉角θs 90°。
藉由與參考實例1相同的方法測得的線狀劃痕鋁薄膜的表面電阻率及透光率分別為27 Ω/平方及2.2%。
參考實例5
參考實例5的電磁波吸收膜係藉由在兩個方向上在鋁薄膜上形成具有下述特性的線狀劃痕而獲得，形成方式與參考實例1中相同，只不過使在第8圖所示的設備中壓花輥32a、32b對塑膠膜的壓製能力比參考實例1中大。參考實例4中形成線狀劃痕的程度被分類為「S 1」 (Strong 1)。
寬度W的範圍 0.2-70 μm，
平均寬度Wav 31 μm，
橫向間隔I的範圍 0.5-100 μm，
平均橫向間隔Iav 37 μm，
平均長度Lav 5 mm，及
交叉角θs 90°。
藉由與參考實例1相同的方法測得的線狀劃痕鋁薄膜的表面電阻率及透光率分別為624 Ω/平方及3.7%。
參考實例6
參考實例6的電磁波吸收膜係藉由在兩個方向上在鋁薄膜中形成具有下述特性的線狀劃痕而獲得，形成方式與參考實例1中相同，只不過使在第8圖所示的設備中壓花輥32a、32b對塑膠膜的壓製能力比參考實例5中大。參考實例6中形成線狀劃痕的程度被分類為「S 2」 (Strong 2)。
寬度W的範圍 0.3-100 μm，
平均寬度Wav 39 μm，
橫向間隔I的範圍 0.5-80 μm，
平均橫向間隔Iav 30 μm，
平均長度Lav 5 mm，及
交叉角θs 90°。
藉由與參考實例1相同的方法測得的線狀劃痕鋁薄膜的表面電阻率及透光率分別為1290 Ω/平方及4.1%。
關於參考實例1-6的電磁波吸收膜，線狀劃痕的大小及線狀劃痕鋁薄膜的特性總結在下表1中。
表1
編號 形成線狀劃痕的程度 ⑴ 線狀劃痕的大小 (μm) (2) 特性
寬度 間隔 表面電阻率(Ω/平方) 透光率(%)
範圍 平均值 範圍 平均值
參考實例1 M 1 0.1-50 22 1-120 42 172 2.6
參考實例 2 M 2 0.1-50 25 1-150 45 210 3.2
參考實例 3 W 1 0.1-30 7 15-300 71 15 1.9
參考實例4 W 2 0.1-50 11 10-210 56 27 2.2
參考實例5 S 1 0.2-70 31 0.5-100 37 624 3.7
參考實例 6 S 2 0.3-100 39 0.5-80 30 1290 4.1
注：(1) 在形成線狀劃痕的程度上，W 1＜ W 2＜ M 1＜ M 2＜ S 1＜S 2。 (2) 為了確定線狀劃痕的寬度範圍、平均寬度、間隔範圍及平均間隔，對寬度小至0.1 μm的線狀劃痕進行計數。
實例1
經由不導電的黏合劑將參考實例1的電磁波吸收膜黏合至參考實例3的電磁波吸收膜，使其線狀劃痕鋁薄膜在內部，以生產如第9(a)圖所示的近場電磁波吸收器。黏合層的厚度為5 μm。
(1) 傳導雜訊的量測
如參考實例1中一樣，自此近場電磁波吸收器切下測試片TP1 (50 mm × 50 mm)，以藉由第11(a)圖及第11(b)圖所示的近場電磁波評估系統量測其傳導雜訊吸收比P loss/P in。結果展示於第14圖中。自第14圖可知，實例1的近場電磁波吸收器表現出足夠高的傳導雜訊吸收比P loss/P in，但略小於參考實例1的電磁波吸收膜的傳導雜訊吸收比。
(2) 輻射雜訊的量測
藉由可自森田技術株式會社獲得的EMC雜訊掃描儀(WM7400)在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內掃描自實例1的近場電磁波吸收器切下的測試片TP2 (40 mm × 40 mm)，以量測其輻射雜訊。第15(a)圖及第15(b)圖分別展示實例1的測試片在0.03 GHz至小於3.5 GHz及3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊。
自第15(a)圖可知，在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，基本上沒有觀察到-20 dBm或更大的累積輻射雜訊。此外，自第15(b)圖可知，在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，基本上沒有觀察到-30 dBm或更大的累積輻射雜訊。這確認了實例1的近場電磁波吸收器在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內具有優異的輻射雜訊吸收能力。
實例2
以與實例1中相同的方式將參考實例1的電磁波吸收膜黏合至參考實例4的電磁波吸收膜，以生產近場電磁波吸收器。自此近場電磁波吸收器切下測試片TP1、TP2，且藉由與實例1中相同的方法關於傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊進行量測。結果分別展示於第16圖及表2中。自第16圖可知，實例2的近場電磁波吸收器表現出足夠高的傳導雜訊吸收比P loss/P in，但略低於參考實例1的電磁波吸收膜的傳導雜訊吸收比。此外，在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，未觀察到-20 dBm或更大的累積輻射雜訊，且在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，未觀察到-30 dBm或更大的累積輻射雜訊。
實例3
以與實例1中相同的方式將參考實例2的電磁波吸收膜黏合至參考實例3的電磁波吸收膜，以生產近場電磁波吸收器。自此近場電磁波吸收器切下測試片TP1、TP2，以藉由與實例1中相同的方法量測傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊。結果分別展示於第17圖及表2中。自第17圖可知，實例3的近場電磁波吸收器表現出足夠高的傳導雜訊吸收比P loss/P in，但略低於參考實例1的電磁波吸收膜的傳導雜訊吸收比。此外，在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，未觀察到-20 dBm或更大的累積輻射雜訊，且在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，未觀察到-30 dBm或更大的累積輻射雜訊。
實例4
以與實例1中相同的方式將參考實例2的電磁波吸收膜黏合至參考實例4的電磁波吸收膜，以生產近場電磁波吸收器。自此近場電磁波吸收器切下測試片TP1、TP2，以藉由與實例1中相同的方法量測傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊。結果分別展示於第18圖及表2中。自第18圖可知，實例4的近場電磁波吸收器表現出足夠高的傳導雜訊吸收比P loss/P in，但略低於參考實例1的電磁波吸收膜的傳導雜訊吸收比。此外，在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，未觀察到-20 dBm或更大的累積輻射雜訊，且在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，未觀察到-30 dBm或更大的累積輻射雜訊。
比較實例1
藉由與實例1中相同的方法，關於傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊對僅由在參考實例1中獲得的具有厚度為60 nm的鋁薄膜的PET膜構成的測試片TP1及TP2進行量測。結果分別展示於第19圖及表2中。自第19圖可知，比較實例1的測試片TP1表現出的傳導雜訊吸收比P loss/P in比參考實例1的電磁波吸收膜的傳導雜訊吸收比低得多。此外，在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的幾乎整個區域中觀察到-15 dBm那麼大或更大，特別是-10 dBm或更大的累積輻射雜訊，且在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的幾乎整個區域中觀察到-25 dBm那麼大或更大，特別是-20 dBm或更大的累積輻射雜訊。這確認了比較實例1的測試片TP2在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內洩漏極多的輻射雜訊。
比較實例2
藉由與實例1中相同的方法，關於傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊對僅由參考實例1的電磁波吸收膜構成的測試片TP1及TP2進行量測。結果分別展示於第12圖及表2中。順便提及，比較實例2的傳導雜訊吸收比P loss/P in與參考實例1中相同(第12圖)。此外，如比較實例1中一樣，在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的幾乎整個區域中觀察到-15 dBm那麼大或更大，特別是-10 dBm或更大的累積輻射雜訊，且在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的幾乎整個區域中觀察到-25 dBm那麼大或更大，特別是-20 dBm或更大的累積輻射雜訊。這確認了比較實例1的測試片TP2在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內洩漏極多的輻射雜訊。
比較實例3
藉由與實例1中相同的方法，關於傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊對僅由參考實例3的電磁波吸收膜構成的測試片TP1及TP2進行量測。結果分別展示於第20圖及表2中。自第20圖可知，比較實例3的測試片TP1表現出的傳導雜訊吸收比P loss/P in略低於參考實例1的電磁波吸收膜的傳導雜訊吸收比。在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，僅在測試片TP2的一部分中觀察到-15 dBm或更大的累積輻射雜訊，但在測試片TP2的幾乎整個區域中觀察到-20 dBm至-15 dBm的累積輻射雜訊。在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，僅在測試片TP2的一部分中觀察到-25 dBm或更大的累積輻射雜訊，但在測試片TP2的幾乎整個區域中觀察到-30 dBm至-25 dBm的累積輻射雜訊。這確認了比較實例3的測試片TP2在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內洩漏較大的輻射雜訊。
比較實例4
藉由與實例1中相同的方法，關於傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊對僅由參考實例5的電磁波吸收膜構成的測試片TP1及TP2進行量測。結果分別展示於第21圖及表2中。自第21圖可知，比較實例4的測試片TP1表現出的傳導雜訊吸收比P loss/P in與參考實例1的電磁波吸收膜的傳導雜訊吸收比相當。然而，在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的幾乎整個區域中觀察到-15 dBm那麼大或更大，特別是-10 dBm或更大的累積輻射雜訊，且在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的幾乎整個區域中觀察到-25 dBm那麼大或更大，特別是-20 dBm或更大的累積輻射雜訊。這確認了比較實例4的測試片TP2在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內洩漏極大的輻射雜訊。
比較實例5
以與實例1中相同的方式黏合參考實例1的兩個電磁波吸收膜，使其線狀劃痕鋁薄膜在內部，以生產近場電磁波吸收器。自此近場電磁波吸收器切下測試片TP1、TP2，以藉由與實例1中相同的方法量測傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊。結果分別展示於第22圖及表2中。自第22圖可知，比較實例5的測試片TP1表現出的傳導雜訊吸收比P loss/P in與參考實例1的電磁波吸收膜的傳導雜訊吸收比相當。然而，在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的幾乎整個區域中觀察到-20 dBm至-15 dBm的累積輻射雜訊，但僅在測試片TP2的一部分中觀察到-15 dBm或更大的累積輻射雜訊。此外，在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的幾乎整個區域中觀察到-30 dBm至-25 dBm的累積輻射雜訊，但僅在測試片TP2的一部分中觀察到25dBm或更大的累積輻射雜訊。這確認了比較實例5的測試片TP2在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內洩漏較大的輻射雜訊。這似乎係由於以下事實：構成比較實例5的近場電磁波吸收器的兩個電磁波吸收膜的輻射雜訊吸收能力(電磁屏蔽)不足。
比較實例6
以與實例1中相同的方法將參考實例1的電磁波吸收膜黏合至參考實例5的電磁波吸收膜，使其線狀劃痕鋁薄膜在內部，以生產近場電磁波吸收器。自此近場電磁波吸收器切下測試片TP1、TP2，以藉由與實例1中相同的方法量測傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊。結果分別展示於第23圖及表2中。自第23圖可知，比較實例6的測試片TP1表現出的傳導雜訊吸收比P loss/P in與參考實例1的電磁波吸收膜的傳導雜訊吸收比相當。然而，在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的幾乎一半中觀察到-20 dBm至-15 dBm的累積輻射雜訊，但僅在測試片TP2的一部分中觀察到-15 dBm或更大的累積輻射雜訊。此外，在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的約20%中觀察到-30 dBm至-25 dBm的累積輻射雜訊，但僅在測試片TP2的一部分中觀察到25dBm或更大的累積輻射雜訊。這確認了比較實例6的測試片TP2在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內洩漏較大的輻射雜訊。這似乎係由於以下事實：構成比較實例6的近場電磁波吸收器的參考實例1及5的電磁波吸收膜中之任一者的輻射雜訊吸收能力(電磁屏蔽)不足。
比較實例7
以與實例1中相同的方式黏合參考實例3的兩個電磁波吸收膜，使其線狀劃痕鋁薄膜在內部，以生產近場電磁波吸收器。自此近場電磁波吸收器切下測試片TP1、TP2，以藉由與實例1中相同的方法量測傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊。結果展示於第24圖及表2中。自第24圖可知，比較實例7的測試片TP1表現出的傳導雜訊吸收比P loss/P in低於參考實例1的電磁波吸收膜的傳導雜訊吸收比。此外，在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的一部分中觀察到-25 dBm或更大的累積輻射雜訊，且在測試片TP2的約15%中觀察到-30 dBm至-25 dBm的累積輻射雜訊，但在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，未觀察到-20 dBm或更大的累積輻射雜訊。這確認了比較實例7的測試片TP2在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內洩漏較大的輻射雜訊。這似乎係由於以下事實：構成比較實例7的近場電磁波吸收器的參考實例3的兩個電磁波吸收膜的輻射雜訊吸收能力不足。
比較實例8
以與實例1中相同的方式黏合參考實例4的兩個電磁波吸收膜，使其線狀劃痕鋁薄膜在內部，以生產近場電磁波吸收器。自此近場電磁波吸收器切下測試片TP1、TP2，以藉由與實例1中相同的方法量測傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊。結果展示於第25圖及表2中。自第25圖可知，比較實例8的測試片TP1表現出的傳導雜訊吸收比P loss/P in略低於參考實例1的電磁波吸收膜的傳導雜訊吸收比。此外，在0.03 Ghz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的幾乎整個區域中觀察到-20 dBm至-15 dBm的累積輻射雜訊，但僅在測試片TP2的一部分中觀察到-15 dBm或更大的累積輻射雜訊。此外，在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的幾乎一半中觀察到-30 dBm至-25 dBm的累積輻射雜訊，但僅在測試片TP2的一部分中觀察到-25 dBm或更大的累積輻射雜訊。這確認了比較實例8的測試片TP2在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內洩漏較大的輻射雜訊。
比較實例9
以與實例1中相同的方式將參考實例3的電磁波吸收膜黏合至參考實例5的電磁波吸收膜，使其線狀劃痕鋁薄膜在內部，以生產近場電磁波吸收器。自此近場電磁波吸收器切下測試片TP1、TP2，以藉由與實例1中相同的方法量測傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊。結果分別展示於第26圖及表2中。自第26圖可知，比較實例9的測試片TP1表現出的傳導雜訊吸收比P loss/P in略低於參考實例1的電磁波吸收膜的傳導雜訊吸收比。此外，在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的約20%中觀察到-20 dBm至-15 dBm的累積輻射雜訊，但僅在測試片TP2的一部分中觀察到-15 dBm或更大的累積輻射雜訊。此外，在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的約10%中觀察到-30 dBm至-25 dBm的累積輻射雜訊，但僅在測試片TP2的一部分中觀察到25dBm或更大的累積輻射雜訊。這確認了比較實例9的測試片TP2在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內洩漏較大的輻射雜訊。
比較實例10
以與實例1中相同的方式黏合參考實例5的兩個電磁波吸收膜，使其線狀劃痕鋁薄膜在內部，以生產近場電磁波吸收器。自此近場電磁波吸收器切下測試片TP1、TP2，以藉由與實例1中相同的方法量測傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊。結果分別展示於第27圖及表2中。自第27圖可知，比較實例10的測試片TP1表現出的傳導雜訊吸收比P loss/P in與參考實例1的電磁波吸收膜的傳導雜訊吸收比相當。然而，在0.03 GHz至小於3.5 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的約30%中觀察到-20 dBm至-15 dBm的累積輻射雜訊，但僅在測試片TP2的一部分中觀察到-15 dBm或更大的累積輻射雜訊。此外，在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內，在測試片TP2的約20%中觀察到-30 dBm至-25 dBm的累積輻射雜訊，但僅在測試片TP2的一部分中觀察到-25dBm或更大的累積輻射雜訊。這確認了比較實例10的測試片TP2在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內洩漏較大的輻射雜訊。
比較實例5、7、8及10的結果表明，即使近場電磁波吸收器由兩個電磁波吸收膜構成，但若兩個電磁波吸收膜具有相同的表面電阻率，則不會獲得傳導雜訊吸收能力及輻射雜訊吸收能力的平衡良好的組合。此外，比較實例6及9的結果表明，即使近場電磁波吸收器由具有不同表面電阻率的兩個電磁波吸收膜構成，但若它們的表面電阻率不滿足本發明的要求，則不會獲得傳導雜訊吸收能力及輻射雜訊吸收能力的平衡良好的組合。
實例1-4及比較實例1-10的近場電磁波吸收器的構造及其傳導雜訊吸收比P loss/P in及輻射雜訊總結在下表2中。
表2
編號 電磁波吸收膜的組合(形成線狀劃痕的程度) P loss/P in 累積 輻射雜訊
實例1 參考實例1 (M 1) 參考實例3 (W 1) 第14圖 無
實例2 參考實例1 (M 1) 參考實例4 (W 2) 第16圖 無
實例3 參考實例2 (M 2) 參考實例3 (W 1) 第17圖 無
實例4 參考實例2 (M 2) 參考實例4 (W 2) 第18圖 無
比較實例1 僅有無劃痕的鋁薄膜 第19圖 極大
比較實例2 只有參考實例1 (M 1) 第12圖 極大
比較實例3 只有參考實例3 (W 1) 第20圖 大
比較實例4 只有參考實例5 (S 1) 第21圖 極大
比較實例5 參考實例1 (M 1) 參考實例1 (M 1) 第22圖 大
比較實例6 參考實例1 (M 1) 參考實例5 (S 1) 第23圖 大
比較實例7 參考實例3 (W 1) 參考實例3 (W 1) 第24圖 大
比較實例8 參考實例4 (W 2) 參考實例4 (W 2) 第25圖 大
比較實例9 參考實例3 (W 1) 參考實例5 (S 1) 第26圖 大
比較實例10 參考實例5 (S 1) 參考實例5 (S 1) 第27圖 大
實例5
自以與參考實例1中相同的方式生產的電磁波吸收膜的生產批次(單卷)任意切下10個電磁波吸收膜片A，該生產批次的形成線狀劃痕的程度為M 1。此外，自以與參考實例3中相同的方式生產的電磁波吸收膜的生產批次(單卷)任意切下10個電磁波吸收膜片B，該生產批次的形成線狀劃痕的程度為W 1。將每個電磁波吸收膜片A與每個電磁波吸收膜片B任意組合，且藉由不導電的黏合劑將它們黏合，使其線狀劃痕鋁薄膜在內部，以獲得10個近場電磁波吸收器測試片TP2。藉由可自森田技術株式會社獲得的EMC雜訊掃描儀(WM7400)在0.03 GHz至7 GHz的頻率範圍內掃描測試片TP2中之每一者，以如參考實例1中一樣量測輻射雜訊。第38圖至第47圖分別展示在0.03 GHz至3.5 GHz及3.5 GHz至7 GHz的範圍內的累積輻射雜訊。
自第28圖至第37圖可知，藉由將自形成線狀劃痕的程度為M 1的生產批次任意選擇的每個電磁波吸收膜黏合至自形成線狀劃痕的程度為W 1的生產批次任意選擇的每個電磁波吸收膜而形成的根據本發明的任何近場電磁波吸收器僅洩漏少量累積輻射雜訊。這確認了本發明的近場電磁波吸收器在形成線狀劃痕的程度M 1及W 1的任何組合中都可穩定地抑制輻射雜訊，且基本上沒有不均勻性或不均勻性很小，該組合提供了表面電阻率滿足本發明的要求的電磁波吸收膜。
比較實例11
自參考實例1中生產的電磁波吸收膜的單卷(第一卷)任意切下10個電磁波吸收膜片，其中形成線狀劃痕的程度為M 1。自在與參考實例1中相同的條件下生產的電磁波吸收膜的另一卷(第二卷)任意切下10個電磁波吸收膜片，其中形成線狀劃痕的程度為M 1。將第一卷中的每個電磁波吸收膜片與第二卷中的每個電磁波吸收膜片任意組合，且藉由不導電的黏合劑將它們黏合，使其線狀劃痕鋁薄膜在內部，以獲得近場電磁波吸收器的10個測試片TP2。以與實施例5中相同的方式關於輻射雜訊對測試片TP2中之每一者進行量測。第38圖至第47圖分別展示在0.03 GHz至3.5 GHz的範圍內的累積輻射雜訊及在3.5 GHz至7 GHz的範圍內的累積輻射雜訊。
自第38圖至第47圖可知，在藉由將自形成線狀劃痕的程度為M 1的一個卷任意選擇的每個電磁波吸收膜黏合至自形成線狀劃痕的程度亦為M 1的另一卷任意選擇的每個電磁波吸收膜而獲得的近場電磁波吸收器樣本中，除樣本8外，所有樣本都有較大的累積輻射雜訊，且只有樣本8表現出良好的輻射雜訊吸收能力。這確認了當任意組合不同卷中具有合適的形成線狀劃痕的程度M 1的兩個電磁波吸收膜時，大多數所得近場電磁波吸收器都不能表現出令人滿意的輻射雜訊吸收能力，儘管其中一些可很好地抑制輻射雜訊。
此外，自表2可知，以下各者的輻射雜訊吸收能力都不足：藉由組合參考實例3 (形成線狀劃痕的程度：W 1)的兩個電磁波吸收膜而獲得的比較實例7的近場電磁波吸收器、藉由組合參考實例4 (形成線狀劃痕的程度：W 2)的兩個電磁波吸收膜而獲得的比較實例8的近場電磁波吸收器，及藉由組合參考實例5 (形成線狀劃痕的程度：S 1)的兩個電磁波吸收膜而獲得的比較實例10的近場電磁波吸收器。這確認了若組合形成線狀劃痕的程度(表面電阻率)相同的電磁波吸收膜，則無論是否改變形成線狀劃痕的程度(表面電阻率)，都不會獲得足夠的輻射雜訊吸收能力。
1:近場電磁波吸收器 100,100a,100b:電磁波吸收膜 10,10a,10b:塑膠膜 11,1la,11b:金屬薄膜 12,12a,12b,12c,12d:線狀劃痕 2a,2b,2c,2d:壓花輥 3a,3b,3c,3d,3e:推輥 20:黏合層
第1圖係展示具有帶有線狀劃痕的金屬薄膜的電磁波吸收膜的橫截面視圖。
第2圖係展示形成於金屬薄膜上的線狀劃痕的實例的部分平面圖。
第3(a)圖係展示線狀劃痕的另一實例的部分平面圖。
第3(b)圖係展示線狀劃痕的另一實例的部分平面圖。
第3(c)圖係展示線狀劃痕的又一實例的部分平面圖。
第4(a)圖係展示用於生產電磁波吸收膜的設備的實例的透視圖。
第4(b)圖係展示第4(a)圖的設備的平面圖。
第4(c)圖係沿著第4(b)圖中的線A-A截取的橫截面視圖。
第4(d)圖係用於解釋形成傾斜於膜的移動方向的線狀劃痕的原理之放大的部分平面圖。
第4(e)圖係展示第4(a)圖的設備中的壓花輥及推輥相對於膜的傾斜角的部分平面圖。
第5圖係展示用於生產電磁波吸收膜的設備的另一實例的部分橫截面視圖。
第6圖係展示用於生產電磁波吸收膜的設備的另一實例的透視圖。
第7圖係展示用於生產電磁波吸收膜的設備的又一實例的透視圖。
第8圖係展示用於生產電磁波吸收膜的設備的又一實例的透視圖。
第9(a)圖係展示本發明的近場電磁波吸收器的實例的橫截面視圖。
第9(b)圖係第9(a)圖所示的近場電磁波吸收器的分解橫截面視圖。
第10圖係展示本發明的近場電磁波吸收器的另一實例的橫截面視圖。
第11(a)圖係展示用於評估近場電磁波吸收器的傳導雜訊吸收能力的系統的平面圖。
第11(b)圖係展示用於評估近場電磁波吸收器的傳導雜訊吸收能力的系統的橫截面視圖。
第12圖係展示參考實例1 (比較實例2)的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的曲線圖。
第13(a)圖係展示參考實例1的測試片在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第13(b)圖係展示參考實例1的測試片在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第14圖係展示實例1的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的曲線圖。
第15(a)圖係展示實例1的測試片在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第15(b)圖係展示實例1的測試片在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第16圖係展示實例2的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的照片。
第17圖係展示實例3的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的照片。
第18圖係展示實例4的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的照片。
第19圖係展示比較實例1的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的曲線圖。
第20圖係展示比較實例3的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的曲線圖。
第21圖係展示比較實例4的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的曲線圖。
第22圖係展示比較實例5的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的曲線圖。
第23圖係展示比較實例6的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的曲線圖。
第24圖係展示比較實例7的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的曲線圖。
第25圖係展示比較實例8的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的曲線圖。
第26圖係展示比較實例9的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的曲線圖。
第27圖係展示比較實例10的測試片的傳導雜訊吸收比P loss/P in的曲線圖。
第28(a)圖係展示實例5的樣本1在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第28(b)圖係展示實例5的樣本1在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第29(a)圖係展示實例5的樣本2在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第29(b)圖係展示實例5的樣本2在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第30(a)圖係展示實例5的樣本3在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第30(b)圖係展示實例5的樣本3在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第31(a)圖係展示實例5的樣本4在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第31(b)圖係展示實例5的樣本4在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第32(a)圖係展示實例5的樣本5在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第32(b)圖係展示實例5的樣本5在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第33(a)圖係展示實例5的樣本6在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第33(b)圖係展示實例5的樣本6在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第34(a)圖係展示實例5的樣本7在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第34(b)圖係展示實例5的樣本7在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第35(a)圖係展示實例5的樣本8在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第35(b)圖係展示實例5的樣本8在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第36(a)圖係展示實例5的樣本9在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第36(b)圖係展示實例5的樣本9在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第37(a)圖係展示實例5的樣本10在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第37(b)圖係展示實例5的樣本10在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第38(a)圖係展示比較實例11的樣本1在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第38(b)圖係展示比較實例11的樣本1在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第39(a)圖係展示比較實例11的樣本2在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第39(b)圖係展示比較實例11的樣本2在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第40(a)圖係展示比較實例11的樣本3在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第40(b)圖係展示比較實例11的樣本3在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第41(a)圖係展示比較實例11的樣本4在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第41(b)圖係展示比較實例11的樣本4在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第42(a)圖係展示比較實例11的樣本5在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第42(b)圖係展示比較實例11的樣本5在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第43(a)圖係展示比較實例11的樣本6在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第43(b)圖係展示比較實例11的樣本6在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第44(a)圖係展示比較實例11的樣本7在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第44(b)圖係展示比較實例11的樣本7在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第45(a)圖係展示比較實例11的樣本8在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第45(b)圖係展示比較實例11的樣本8在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片
第46(a)圖係展示比較實例11的樣本9在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第46(b)圖係展示比較實例11的樣本9在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第47(a)圖係展示比較實例11的樣本10在0.03 GHz至3.5 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片。
第47(b)圖係展示比較實例11的樣本10在3.5 GHz至7 GHz的頻率範圍內的累積輻射雜訊的照片
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
1:近場電磁波吸收器
100a,100b:電磁波吸收膜
10a,10b:塑膠膜
11a,11b:金屬薄膜
12:線狀劃痕
20:黏合層

Claims (10)

  1. 一種近場電磁波吸收器，其包含至少一個塑膠膜及兩個線狀劃痕金屬薄膜，該等線狀劃痕金屬薄膜中之每一者在複數個方向上具有大量具有不規則寬度及間隔的基本上平行、斷續的線狀劃痕，一個線狀劃痕金屬薄膜具有150-300 Ω/平方的表面電阻率，且另一個線狀劃痕金屬薄膜具有10-50 Ω/平方的表面電阻率。
  2. 如請求項1所述之近場電磁波吸收器，其中各自在一側上具有一線狀劃痕金屬薄膜的一對塑膠膜彼此黏合。
  3. 如請求項2所述之近場電磁波吸收器，其中兩個線狀劃痕金屬薄膜彼此黏合。
  4. 如請求項1所述之近場電磁波吸收器，其中該近場電磁波吸收器由一個塑膠膜及形成於該塑膠膜的兩側上的兩個線狀劃痕金屬薄膜構成。
  5. 如請求項1所述之近場電磁波吸收器，其中兩個金屬薄膜的厚度為20-100 nm。
  6. 如請求項1所述之近場電磁波吸收器，其中形成於兩個金屬薄膜上的該等線狀劃痕定向在交叉角為30-90°的兩個方向上。
  7. 如請求項1所述之近場電磁波吸收器，其中該等線狀劃痕金屬薄膜中之一者具有2.5-3.5%的透光率，且另一者具有1-2.2%的透光率。
  8. 如請求項1所述之近場電磁波吸收器，其中兩個金屬薄膜由鋁製成。
  9. 如請求項1所述之近場電磁波吸收器，其中一個線狀劃痕金屬薄膜具有150-210 Ω/平方的表面電阻率，且另一個線狀劃痕金屬薄膜具有10-50 Ω/平方的表面電阻率。
  10. 如請求項1-9中任一項所述之近場電磁波吸收器，其中形成於兩個金屬薄膜中的線狀劃痕具有在0.1-100 μm的範圍內且平均為2-50 μm的寬度，及在0.1-500 μm的範圍內且平均為10-100 μm的間隔。
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