TW202249311A - 具有電性檢測位置之垂直式發光二極體晶粒封裝體 - Google Patents

Abstract

本發明包含一發光二極體晶粒與一封裝載板，該發光二極體晶粒具有一半導體磊晶結構、一介面橫向延伸結構、一晶粒導電基座結構、一位於該半導體磊晶結構上方之N型電極與一位於該介面橫向延伸結構上的P型分流檢測電極，該晶粒導電基座結構具有位於下方側的ㄧP型主要電極，該封裝載板包含複數電極接點，其中透過該複數電極接點連接該N型電極、該P型分流檢測電極與該P型主要電極，而能夠以檢測電特性而評估該半導體磊晶結構與該晶粒導電基座結構內之一替代基板黏合層以及該P型主要電極與該封裝載板之間的一載板固晶黏合層之製程品質。且本發明亦將該複數電極接點連接至該封裝載板上方達成簡易與精準之電特性測試。

Description

具有電性檢測位置之垂直式發光二極體晶粒封裝體

本發明有關於發光二極體的晶粒結構，尤其有關於具有電性檢測點之垂直式發光二極體晶粒與其對應之封裝體。

發光二極體(LED)，為一種可以利用半導體之電子與電洞複合產生高亮度的光源。產品可使用於高光度殺菌(紫外光)、車用頭燈與尾燈(藍黃紅光)、投影機光源(藍綠紅)、紅外線安防偵測(紅外線)。優秀的高功率LED元件除了高發光度與發光密度外，也需要有良好的信賴度。以汽車頭燈模組為例，一旦LED失效，會影響夜間安全，以車用LED之高標準規範，即使1ppm之微量失效，在汽車業也是需要改善，所以元件準確的光電特性檢測性非常重要。

如圖1所示，在一實施例中，一垂直式LED晶粒1於SMD封裝時，為將P電極2透過一載板固晶黏合層4A黏合於封裝載板3的固晶導電底座4上，而N電極5則藉由打線讓金導線6電性連接至打線端點7上，固晶導電底座4與打線端點7分別透過導通金屬8而電性連接位於封裝載板3另一側的陽極9A(Anode)與陰極9B(Cathode)。

對於垂直式LED來說，垂直式LED晶粒1的主體結構由上至下包含一半導體磊晶結構1A、一介面結構1B與一晶粒導電基座結構1C等三部分。

其中，該半導體磊晶結構1A由上而下依序為N型半導體、發光層、P型半導體。該晶粒導電基座結構1C由上而下依序為結構金屬層、替代基板黏合層1C1、高導熱替代基板。該介面結構1B一般為具有局部或全面之金屬以歐姆接觸方式連接該半導體磊晶結構1A的P型半導體與該晶粒導電基座結構1C的結構金屬層。該高導熱替代基板的下方為該P電極2。

晶粒導電基座結構1C主要以下方之高導熱替代基板為主要支撐結構，其利用該替代基板黏合層1C1以晶圓級方式於晶片製程中與上方之結構金屬層黏合，通常使用金屬共晶方式(Eutectic bonding)(如金錫共晶(AuSn Eutectic bonding))進行金屬黏合，其平整貼合製程存在良率問題，若當於黏合製程受到不良之原料與製程而形成不平整面、孔洞或汙染時會異常增加阻抗，導致晶粒於高電流操作下形成不均勻電流造成局部熱點，導致光效降低與信賴度降低。

另外，垂直式LED晶粒1與封裝載板3需要使用載板固晶黏合層4A以達到導電固晶黏合，(通常亦使用金屬共晶(Eutectic bonding)方式進行金屬固晶導電黏合，若垂直式LED晶粒底部不平整與貼合粒子汙染(particle)，也會造成底部接面於高電流操作下電阻升高，形成局部熱點，導致元件燒毀。

最後，需進行垂直式LED封裝製程的元件的光電性量測，可以利用陽極(Anode)9A與陰極(Cathode)9B作為測試接點並配合使用一測試儀器檢進行檢測，以滿足車用LED之高標準規範。

然而，習知檢測垂直式LED晶粒1時，當發現異常高電壓電特性(高Vf)，其為半導體磊晶結構、介面結構與晶粒導電基座結構之整體電特性，無法確認異常來源為半導體磊晶結構部分或是晶粒導電基座結構部分之替代基板黏合層與載板固晶黏合層4A。

另外對於半導體層之微量電壓與電流之二極體特性，由於晶粒導電基座結構之雜訊影響，無法精準量測其於順向偏壓與逆向偏壓之微小電特性，造成磊晶品質判斷不易。

爰此，本發明之主要目的在於揭露具有多個電性測試位置接點之垂直式發光二極體晶粒封裝體，以滿足半導體磊晶結構、介面結構、晶粒導電基座結構與封裝載板之間的各層的精確電特性測試。

本發明為一種具有電性檢測位置之垂直式發光二極體晶粒封裝體，其包含一發光二極體晶粒與一封裝載板，其中該發光二極體晶粒具有一晶粒導電基座結構、一介面橫向延伸結構一半導體磊晶結構、一N型電極與一P型分流檢測電極。其中該晶粒導電基座結構具有一位於下方側的P型主要電極，該P型主要電極以平面固晶導電方式與該封裝載板電性相連。本發明之該介面橫向延伸結構，其包含依序堆疊的一高濃度P型半導體層、一歐姆接觸層與一高導電金屬層所構成。該晶粒導電基座結構遠離該P型主要電極的一側設置該介面橫向延伸結構，於該介面橫向延伸結構的上方平面分別設置該半導體磊晶結構與該P型分流檢測電極。該半導體磊晶結構與該晶粒導電基座結構之間為藉由該介面橫向延伸結構達到歐姆接觸。

該半導體磊晶結構遠離該晶粒導電基座結構的一側設置該N型電極。本發明之該晶粒導電基座結構更具有一結構金屬層、一替代基板黏合層與一高導熱替代基板，其中該結構金屬層位於該介面橫向延伸結構之下方，該結構金屬層之下方以該替代基板黏合層黏合該高導熱替代基板，該高導熱替代基板的下方設置該P型主要電極。該介面橫向延伸結構最下方的該高導電金屬層需為化性穩定與有利於歐姆接觸材料，才能與該晶粒導電基座結構最上方的該結構金屬層相連接，而該結構金屬層需為化性穩定與有利於後續金屬共晶(Eutectic bonding)的材料。

該高導熱替代基板位於該晶粒導電基座結構內為主要結構支撐層，藉由該替代基板黏合層以金屬共晶黏合(Eutectuc Bonding)，將該高導熱替代基板與上方包含該半導體磊晶結構之該結構金屬層相連結，該高導熱替代基板之下方為該P型主要電極。

而該封裝載板具有位於兩側的一上側平面與一下側平面，該下側平面設置一陽極與一陰極，而該上側平面設置一主元件第一電極、一主元件第二電極、一主元件第三電極、一電性測試第一位置接點、一電性測試第二位置接點與一電性測試第三位置接點，其中該N型電極與該主元件第一電極為以一晶粒第一打線金屬電性連接，該P型分流檢測電極與該主元件第二電極為以一晶粒第二打線金屬電性連接，該P型主要電極則透過一載板固晶黏合層直接黏結該主元件第三電極而電性連接。而該電性測試第一位置接點電性連接該主元件第一電極與該陰極，該電性測試第二位置接點電性連接該主元件第二電極，該電性測試第三位置接點電性連接該主元件第三電極與該陽極。

據此，該電性測試第一位置接點透過該主元件第一電極而電性連接該N型電極，該電性測試第二位置接點透過該主元件第二電極而電性連接該P型分流檢測電極，而該N型電極與該P型分流檢測電極之間的電特性即為該半導體磊晶結構與該介面橫向延伸結構的電特性。

故透過於該電性測試第一位置接點與該電性測試第二位置接點進行檢測可得知該半導體磊晶結構與該介面橫向延伸結構之電特性，尤其可精準測得半導體磊晶結構(二極體)於順向偏壓與逆向偏壓下之微量電性精準數值，可更有效的評估該半導體磊晶結構的磊晶製程品質。

又該電性測試第三位置接點透過該主元件第三電極而電性連接該P型主要電極，故透過於該電性測試第二位置接點與該電性測試第三位置接點進行檢測可得知該晶粒導電基座結構以及該P型主要電極與該主元件第三電極之間的該載板固晶黏合層的電特性，進而能夠評估該替代基板黏合層與該載板固晶黏合層的製程品質。

為俾使  貴委員對本發明之特徵、目的及功效，有著更加深入之瞭解與認同，茲列舉一較佳實施例並配合圖式說明如後：

請參閱圖2與圖3所示，為本發明第一實施例，其包含一發光二極體晶粒10與一封裝載板30，其中該發光二極體晶粒10具有一晶粒導電基座結構11、一介面橫向延伸結構12、一半導體磊晶結構13、一N型電極14與一P型分流檢測電極15，其中該晶粒導電基座結構11具有位於下方側的一P型主要電極16，該晶粒導電基座結構11遠離該P型主要電極16的一側設置該介面橫向延伸結構12，於該介面橫向延伸結構12的上方平面分別該半導體磊晶結構13與該P型分流檢測電極15，該半導體磊晶結構13與該晶粒導電基座結構11之間為藉由該介面橫向延伸結構12達到歐姆接觸，該半導體磊晶結構13遠離該晶粒導電基座結構11的一側設置該N型電極14。

該封裝載板30具有位於兩側的一上側平面301與一下側平面302，該下側平面302設置一陽極313與一陰極311，而該上側平面301設置一主元件第一電極41、一主元件第二電極42、一主元件第三電極43、一電性測試第一位置接點51、一電性測試第二位置接點52與一電性測試第三位置接點53，其中該N型電極14與該主元件第一電極41為以一晶粒第一打線金屬61電性連接，該P型分流檢測電極15與該主元件第二電極42為以一晶粒第二打線金屬62電性連接，該P型主要電極16則透過一載板固晶黏合層431(固晶導電膠或金屬)直接黏結該主元件第三電極43而電性連接。該電性測試第一位置接點51電性連接該主元件第一電極41與該陰極311，該電性測試第二位置接點52電性連接該主元件第二電極42，該電性測試第三位置接點53電性連接該主元件第三電極43與該陽極313。

在實際結構上，該封裝載板30可以選用陶瓷基板(氮化鋁、氧化鋁、碳化矽)、銅基板、BT（Bismaleimide Triazine）板等等，該封裝載板30可以採用單層板或是多層板。該主元件第一電極41與該陰極311透過一貫穿該封裝載板30的載板金屬第一導通金屬71而電性連接，該主元件第三電極43與該陽極313透過一貫穿該封裝載板30的載板金屬第二導通金屬73而電性連接。另，該封裝載板30可以是多層板結構，該電性測試第一位置接點51與該主元件第一電極41之間、該電性測試第二位置接點52與該主元件第二電極42之間以及該電性測試第三位置接點53與該主元件第三電極43之間的電性連接方式，可以使用埋藏於該封裝載板30內的金屬導電層303、304、305(如圖3所繪製)來電性連接，且該金屬導電層303、304、305亦可形成於該封裝載板30的該上側平面301(如圖7所示)。

請再參閱圖4所示，在一實施例中，該半導體磊晶結構13包含依序堆疊的一P型半導體13A、一活性層13B與一N型半導體13C，其中該N型電極14位於該N型半導體13C上，而該晶粒導電基座結構11更具有依序堆疊的一高導熱替代基板11A、一替代基板黏合層11B與一結構金屬層11C。該P型半導體13A與該P型分流檢測電極15分別位於該介面橫向延伸結構12的不同位置上。該介面橫向延伸結構12包含依序堆疊的一高導電金屬層12A、一歐姆接觸層12B與一高濃度P型半導體導電層12C，並該P型分流檢測電極15位於該介面橫向延伸結構12的邊緣外側。該高導電金屬層12A位於該結構金屬層11C之上方，該P型半導體13A與該P型分流檢測電極15分別位於該高濃度P型半導體導電層12C上。在此實施例中，常用於四元(鋁、鎵、銦、磷)LED，該高濃度P型半導體導電層12C可以為p-GaP，該歐姆接觸層12B可為歐姆接觸金屬12B1搭配透明材料12B2，並歐姆接觸金屬12B1為複數柱狀(BeAu柱狀)結構(如圖4所示的斜線框)接觸連接上下兩層，或者該歐姆接觸金屬12B1亦可以為歐姆接觸導通區塊；該高導電金屬層12A則為Ag/TiW/Pt。

請再參閱圖5所示，在另一實施例中，該P型分流檢測電極15可以直接位於該歐姆接觸層12B上。此結構通常用於氮化物藍光LED(鋁、鎵、銦、氮)，該高濃度P型半導體導電層12C可以為p-GaN或p-InGaN；該歐姆接觸層12B為ITO，該高導電金屬層12A則為Ag與TiW。

請再參閱圖6所示，在另一實施例中，該P型分流檢測電極15亦可以直接位於該高導電金屬層12A上。此結構通常用於氮化物藍光LED，該高濃度P型半導體導電層12C可以為p-GaN或p-InGaN；該歐姆接觸層12B為Ag，該高導電金屬層12A則為TiW或Pt或其混和物。

具有該P型分流檢測電極15電性檢測之垂直式發光二極體晶粒與搭配之具有檢測位置之該封裝載板30設計如下。再參閱圖7所示，該封裝載板30的上側平面301可以具有一固晶底座33而作為該主元件第三電極43，該發光二極體晶粒10的P型主要電極16(圖7未顯露)導電固晶於該固晶底座33，該N型電極透過該晶粒第一打線金屬61電性連接該主元件第一電極41，該P型分流檢測電極15透過該晶粒第二打線金屬62電性連接該主元件第二電極42。且該封裝載板30的上側平面301亦可以具有二個不同的打線端點34A、34B，該二個不同的打線端點34A、34B分別作為該主元件第一電極41與該主元件第二電極42使用。

請再參閱圖8所示，該封裝載板30的下側平面302除了設置該陰極311與該陽極313之外，亦可以設置一增高層315，該增高層315的高度為與陰極311、該陽極313等高，可以增加滿足後續製程的需求。

請參閱圖9與圖10所示，為本發明第二實施例，與第一實施例相較之下，該封裝載板30更包含一副元件第一電極81、一副元件第二電極84與一電性測試第四位置接點54，其中該副元件第一電極81電性連接該電性測試第一位置接點51，該副元件第二電極84電性連接該電性測試第四位置接點54，且該副元件第一電極81與該副元件第二電極84之間電性連接一齊納二極體85。在實際實施上，該副元件第一電極81與該電性測試第一位置接點51之間為藉由該金屬導電層303而電性連接，而該副元件第二電極84與該電性測試第四位置接點54之間為藉由一金屬導電層306而電性連接。

又該齊納二極體85可以選用雙向齊納二極體(Bi-directional Zener Diodes)，其包含不同向設置的單向齊納二極體85A與單向齊納二極體85B(如圖9所繪製)。或者亦可僅使用單向齊納二極體85A，若為單向齊納二極體85A(Zener Diode)，則該單向齊納二極體85A需以相反極性並聯該發光二極體晶粒10。

於本發明第二實施例中，發光二極體封裝結構電路會有4個測試接點，即該電性測試第一位置接點51、該電性測試第二位置接點52、該電性測試第三位置接點53與該電性測試第四位置接點54，如圖9所示，其中選擇該電性測試第一位置接點51與該電性測試第四位置接點54進行測試，可供測試該齊納二極體85是否正常運作。選擇該電性測試第二位置接點52與該電性測試第三位置接點53進行測試，可以得知該替代基板黏合層11B以及該P型主要電極16與該封裝載板30之間的該載板固晶黏合層431的電特性。

選擇該電性測試第一位置接點51與該電性測試第二位置接點52進行測試，可精準檢測該半導體磊晶結構13於順向偏壓與逆向偏壓下之微量電壓與電流之特性。

並在該齊納二極體85存在下，亦可量測該發光二極體晶粒10的小電流順向Vf，以及該發光二極體晶粒10之逆向偏壓下的漏電流是否有異常增大，而逆偏漏電流增大的成因為半導體缺陷擴大，可為封裝製程中機械應力與熱應力或產品加嚴測試進入高溫爐老化或施加ESD測試等等。

而在測試完畢之後，該電性測試第二位置接點52、該電性測試第三位置接點53與該電性測試第四位置接點54之間可以透過一導電金屬90而電性連接在一起。該導電金屬90可以使用打線製程的金導線，或是以半導體薄膜製成來形成。

另為了保護該封裝載板30上的元件，在測試完畢之後，如圖3所示，可以更包含一封裝材91，該封裝材91覆蓋封裝該封裝載板30的該上側平面301，因而可保護該封裝載板30上的元件。

或者，如圖10所示，可以更包含一第一封裝材92與一第二封裝材93，其為先藉由該第一封裝材92覆蓋該發光二極體晶粒10、該晶粒第一打線金屬61、該晶粒第二打線金屬62、該齊納二極體85、該主元件第一電極41、該主元件第二電極42、該主元件第三電極43、該副元件第一電極81與該副元件第二電極84。

再利用尚未封裝的該電性測試第一位置接點51、該電性測試第二位置接點52、該電性測試第三位置接點53與該電性測試第四位置接點54進行測試，可以解決習知於封裝製程時，該晶粒第一打線金屬61、該晶粒第二打線金屬62會被該封裝材91(如圖3所示)或該第一封裝材92(如圖10所示)拉扯而間接拉扯，可能破壞該發光二極體晶粒10，使其形成微裂痕或薄膜剝離，造成失效或不穩定的問題。

而在測試完畢之後，同樣的，該電性測試第二位置接點52、該電性測試第三位置接點53與該電性測試第四位置接點54之間可以透過該導電金屬90而電性連接在一起。最後讓該第二封裝材93覆蓋該導電金屬90、該電性測試第一位置接點51、該電性測試第二位置接點52、該電性測試第三位置接點53與該電性測試第四位置接點54，而完成整體的封裝製程。

另，若元件失效，可以單獨拆卸該第二封裝材93與拆除導電金屬90或使其斷路，其不會傷害該發光二極體晶粒10，因而可重新檢測，查出元件失效的真因。

請參閱圖11所示，為本發明第二實施例封裝載板俯視示意圖。其與圖7相較之下，更設置該電性測試第四位置接點54、該副元件第一電極81、該副元件第二電極84與該齊納二極體85，其中該齊納二極體85電性連接該副元件第一電極81與該副元件第二電極84，該副元件第一電極81與該主元件第一電極41為同一個該打線端點34A構成，另一個打線端點34B為主元件第二電極42，該副元件第二電極84則為由另一個打線端點34C構成，且該副元件第二電極84與該電性測試第四位置接點54為透過該金屬導電層306電性連接。

如上所述，本發明的特點至少包含：

1.該P型分流檢測電極位於該半導體磊晶結構與該晶粒導電基座結構之介面處的該介面橫向延伸結構上，只要電性測試第二位置接點連結該P型分流檢測電極，即可以量測該半導體磊晶結構與該晶粒導電基座結構之分別的電性特性，以達到精確之半導體元件特性測試，進一步提升信賴度。

2.該電性測試第一位置接點、該電性測試第二位置接點、該電性測試第三位置接點集中設置於該封裝載板的該上側平面，可方便探針由上向下接觸量測，較為方便與準確，且於測試後，多測試點之端點連結簡單穩定，不會影響LED元件的特性。

3.於實施例2中，利用增加該電性測試第四位置接點，可在該齊納二極體存在下測得該發光二極體晶粒於逆向偏壓下之電特性，亦可在施加高溫老化與ESD測試後判斷是否有逆偏漏電流，有助於該發光二極體晶粒10的信賴度提升。

4.於實施例2中，可以測試該齊納二極體的功能是否正常，避免因為該齊納二極體失效而導致整體元件之失效。

習知 1:垂直式LED晶粒 1A:半導體磊晶結構 1B:介面結構 1C:晶粒導電基座結構 1C1:替代基板黏合層 2:P電極 3:封裝載板 4:固晶導電底座 4A:載板固晶黏合層 5:N電極 6:金導線 7:打線端點 8:導通金屬 9A:陽極 9B:陰極 本發明 10:發光二極體晶粒 11:晶粒導電基座結構 11A:高導熱替代基板 11B:替代基板黏合層 11C:結構金屬層 12:介面橫向延伸結構 12A:高導電金屬層 12B:歐姆接觸層 12B1:歐姆接觸金屬 12B2:透明材料 12C:高濃度P型半導體導電層 13:半導體磊晶結構 13A:P型半導體 13B:活性層 13C:N型半導體 14:N型電極 15:P型分流檢測電極 16:P型主要電極 30:封裝載板 301:上側平面 302:下側平面 303、304、305、306:金屬導電層 311:陰極 313:陽極 315:增高層 33:固晶底座 34A、34B、34C:打線端點 41:主元件第一電極 42:主元件第二電極 43:主元件第三電極 431:載板固晶黏合層 51:電性測試第一位置接點 52:電性測試第二位置接點 53:電性測試第三位置接點 54:電性測試第四位置接點 61:晶粒第一打線金屬 62:晶粒第二打線金屬 71:載板金屬第一導通金屬 73:載板金屬第二導通金屬 81:副元件第一電極 84:副元件第二電極 85:齊納二極體 85A、85B:單向齊納二極體 90:導電金屬 91:封裝材 92:第一封裝材 93:第二封裝材

圖1，為習知發光二極體封裝結構斷面示意圖。 圖2，為本發明第一實施例的封裝結構電路示意圖。 圖3，為本發明第一實施例的封裝結構斷面示意圖。 圖4，為本發明一實施例的晶粒結構斷面示意圖。 圖5，為本發明另一實施例的晶粒結構斷面示意圖。 圖6，為本發明另一實施例的晶粒結構斷面示意圖。 圖7，為本發明第一實施例封裝載板俯視示意圖。 圖8，為本發明第一實施例封裝載板仰視示意圖。 圖9，為本發明第二實施例的封裝結構電路示意圖。 圖10，為本發明第二實施例的封裝結構斷面示意圖。 圖11，為本發明第二實施例封裝載板俯視示意圖。

10:發光二極體晶粒

11:晶粒導電基座結構

12:介面橫向延伸結構

13:半導體磊晶結構

14:N型電極

15:P型分流檢測電極

16:P型主要電極

30:封裝載板

301:上側平面

302:下側平面

303、304、305:金屬導電層

311:陰極

313:陽極

41:主元件第一電極

42:主元件第二電極

43:主元件第三電極

431:載板固晶黏合層

51:電性測試第一位置接點

52:電性測試第二位置接點

53:電性測試第三位置接點

61:晶粒第一打線金屬

62:晶粒第二打線金屬

71:載板金屬第一導通金屬

73:載板金屬第二導通金屬

90:導電金屬

91:封裝材

Claims (15)

1. 一種具有電性檢測位置之垂直式發光二極體晶粒封裝體，其包含： 一發光二極體晶粒，該發光二極體晶粒具有一晶粒導電基座結構、一介面橫向延伸結構、一半導體磊晶結構、一N型電極與一P型分流檢測電極，其中該晶粒導電基座結構具有位於下方側的一P型主要電極，該晶粒導電基座結構遠離該P型主要電極的一側設置該介面橫向延伸結構，於該介面橫向延伸結構的上方平面分別設置該半導體磊晶結構與該P型分流檢測電極，該半導體磊晶結構與該晶粒導電基座結構之間為藉由該介面橫向延伸結構達到歐姆接觸，該半導體磊晶結構遠離該晶粒導電基座結構的一側設置該N型電極；該晶粒導電基座結構更具有一結構金屬層、一替代基板黏合層與一高導熱替代基板，該結構金屬層位於該介面橫向延伸結構之下方，該結構金屬層之下方以該替代基板黏合層黏合該高導熱替代基板，該高導熱替代基板的下方設置該P型主要電極； 一封裝載板，該封裝載板具有位於兩側的一上側平面與一下側平面，該下側平面設置一陽極與一陰極，而該上側平面設置一主元件第一電極、一主元件第二電極、一主元件第三電極、一電性測試第一位置接點、一電性測試第二位置接點與一電性測試第三位置接點，其中該N型電極與該主元件第一電極為以一晶粒第一打線金屬電性連接，該P型分流檢測電極與該主元件第二電極為以一晶粒第二打線金屬電性連接，該P型主要電極則透過一載板固晶黏合層直接黏結該主元件第三電極而電性連接，而該電性測試第一位置接點電性連接該主元件第一電極與該陰極，該電性測試第二位置接點電性連接該主元件第二電極，該電性測試第三位置接點電性連接該主元件第三電極與該陽極。
2. 如請求項1所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中該封裝載板更包含一副元件第一電極、一副元件第二電極與一電性測試第四位置接點，其中該副元件第一電極電性連接該電性測試第一位置接點，該副元件第二電極電性連接該電性測試第四位置接點，且該副元件第一電極與該副元件第二電極之間電性連接一齊納二極體。
3. 如請求項2所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中該齊納二極體為單向二極體，且該齊納二極體以相反極性並聯該發光二極體晶粒。
4. 如請求項2所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中該電性測試第二位置接點、該電性測試第三位置接點與該電性測試第四位置接點之間透過一導電金屬而電性連接在一起。
5. 如請求項4所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中更包含一封裝材，該封裝材覆蓋封裝該封裝載板的該上側平面。
6. 如請求項2所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中更包含一第一封裝材，該第一封裝材覆蓋該發光二極體晶粒、該晶粒第一打線金屬、該晶粒第二打線金屬、該齊納二極體、該主元件第一電極、該主元件第二電極、該主元件第三電極、該副元件第一電極與該副元件第二電極。
7. 如請求項6所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中該電性測試第二位置接點、該電性測試第三位置接點與該電性測試第四位置接點之間透過一導電金屬電性連接。
8. 如請求項7所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中更包含一第二封裝材，該第二封裝材覆蓋該導電金屬、該電性測試第一位置接點、該電性測試第二位置接點、該電性測試第三位置接點與該電性測試第四位置接點。
9. 如請求項1所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中該主元件第一電極與該陰極透過一貫穿該封裝載板的載板金屬第一導通金屬而電性連接，該主元件第三電極與該陽極透過一貫穿該封裝載板的載板金屬第二導通金屬而電性連接。
10. 如請求項1所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中該半導體磊晶結構包含依序堆疊的一P型半導體、一活性層與一N型半導體，其中該N型電極位於該N型半導體上，且該P型半導體與該P型分流檢測電極分別位於該介面橫向延伸結構的不同位置上。
11. 如請求項10所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中該介面橫向延伸結構包含依序堆疊的一高導電金屬層、一歐姆接觸層與一高濃度P型半導體導電層，並該P型分流檢測電極位於該介面橫向延伸結構的邊緣外側。
12. 如請求項11所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中該高導電金屬層位於該結構金屬層之上方，該P型半導體與該P型分流檢測電極分別位於該高濃度P型半導體導電層上。
13. 如請求項11所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中該高導電金屬層位於該結構金屬層之上方，該P型半導體位於該高濃度P型半導體導電層上，而該P型分流檢測電極位於該歐姆接觸層上。
14. 如請求項11所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中該高導電金屬層位於該結構金屬層之上方，該P型半導體位於該高濃度P型半導體導電層上，而該P型分流檢測電極位於該高導電金屬層上。
15. 如請求項11所述的垂直式發光二極體晶粒封裝體，其中該歐姆接觸層可為歐姆接觸金屬搭配透明材料，並該歐姆接觸金屬為複數柱狀結構。

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