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TW201938383A - 透明導電性膜積層體及透明導電性膜之製造方法 - Google Patents

透明導電性膜積層體及透明導電性膜之製造方法 Download PDF

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TW201938383A
TW201938383A TW108105522A TW108105522A TW201938383A TW 201938383 A TW201938383 A TW 201938383A TW 108105522 A TW108105522 A TW 108105522A TW 108105522 A TW108105522 A TW 108105522A TW 201938383 A TW201938383 A TW 201938383A
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transparent
layer
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TW108105522A
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酒井和也
松本圭祐
安藤豪彦
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

透明導電性膜積層體依序具備保護樹脂膜、黏著劑層及透明導電性膜。透明導電性膜依序具備透明樹脂基材及透明導電層，保護樹脂膜及透明樹脂基材之至少一者含有環烯烴系樹脂，且滿足下述式(1)及(2)。
Y＜0.0003X2.7 (1)
0.2≤Y＜6.0 (2)
(式中，X表示含有環烯烴系樹脂之保護樹脂膜或透明樹脂基材之厚度(μm)；其中，於保護樹脂膜及透明樹脂基材之兩者均含有環烯烴系樹脂之情形時，表示厚度較薄者之值；
Y表示於拉伸速度10 m/min、剝離角度180°之條件下之黏著劑層之剝離力(N/50 mm))

Description

透明導電性膜積層體及透明導電性膜之製造方法
本發明係關於一種透明導電性膜積層體及透明導電性膜之製造方法。
自先前，已知具備觸控面板之圖像顯示裝置具備將包含銦-錫複合氧化物(ITO)之透明配線層配置於透明基材上而成之觸控面板用膜。已知觸控面板用膜為了降低其表面阻抗值，藉由加熱等使ITO結晶化。又，亦已知該觸控面板用膜為了於搬送時或結晶化之過程中防止產生損傷，搬送前經由黏著劑將保護膜貼附於其一面，結晶化後將保護膜剝離(例如，參照日本專利特開2003-205567號公報)。
然而，近年來，於使偏光板與觸控面板用膜組合之靜電電容方式中，為了防止偏光板與觸控面板用膜之消偏光，觸控面板用膜之透明基材使用相位差實質上為零之零相位差膜。作為此種零相位差膜之代表性者，可列舉環烯烴系樹脂基材。
然而，該環烯烴系樹脂基材較聚酯系樹脂基材等透明基材為脆而容易斷裂。因此，於在ITO之結晶化後將保護膜自觸控面板用膜剝離之步驟中，若高速剝離，則會產生環烯烴系樹脂基材破損之不良情況。其結果為難以有效地生產觸控面板用膜。
另一方面，若為了避免環烯烴系樹脂基材之破損而削弱黏著劑之黏著力從而使剝離容易，則於結晶化(加熱)步驟中，黏著劑層會產生氣泡等。因此，會產生觸控面板用膜之表面產生鼓起或厚度不均之不良情況。其結果為於捲取步驟等後續步驟中，捲取裝置產生負擔。
又，若增強黏著劑之黏著力，則必須提高剝離所受到之應力，而剝離裝置產生過度之負擔。
本發明之目的在於提供一種可高效率地製造透明導電性膜之透明導電性膜積層體及透明導電性膜之製造方法。
本發明[1]包含一種透明導電性膜積層體，其依序具備保護樹脂膜、黏著劑層及透明導電性膜，上述透明導電性膜依序具備透明樹脂基材及透明導電層，上述保護樹脂膜及上述透明樹脂基材之至少一者含有環烯烴系樹脂，且滿足下述式(1)及(2)。
Y＜0.0003X2.7 (1)
0.2≤Y＜6.0 (2)
(式中，X表示含有上述環烯烴系樹脂之上述保護樹脂膜或上述透明樹脂基材之厚度(μm)；其中，於上述保護樹脂膜及上述透明樹脂基材之兩者均含有上述環烯烴系樹脂之情形時，表示厚度較薄者之值；Y表示於拉伸速度10 m/min、剝離角度180°之條件下之上述黏著劑層之剝離力(N/50 mm))
本發明[2]包含如[1]之透明導電性膜積層體，其中上述透明樹脂基材含有環烯烴系樹脂。
本發明[3]包含如[1]或[2]之透明導電性膜積層體，其中上述保護樹脂膜含有環烯烴系樹脂或聚酯系樹脂。
本發明[4]包含如[1]至[3]中任一項之透明導電性膜積層體，其中上述保護樹脂膜及上述透明樹脂基材之厚度分別為100 μm以下。
本發明[5]包含如[1]至[4]中任一項之透明導電性膜積層體，其中上述透明導電性膜依序具備第2硬化樹脂層、上述透明樹脂基材、第1硬化樹脂層、光學調整層及上述透明導電層。
本發明[6]包含如[1]至[5]中任一項之透明導電性膜積層體，其中上述透明導電層含有銦-錫複合氧化物。
本發明[7]包含一種透明導電性膜之製造方法，其具備：準備步驟，其係分別準備依序具備透明樹脂基材及透明導電層之透明導電性膜、以及依序具備保護樹脂膜及黏著劑層之保護構件；貼附步驟，其係將上述透明導電性膜及上述保護構件以上述黏著劑層與上述透明導電性膜之上述透明樹脂基材側接觸之方式貼附，而獲得透明導電性膜積層體；加熱步驟，其係對上述透明導電性膜積層體進行加熱而使上述透明導電層結晶化；以及剝離步驟，其係將上述保護構件自上述加熱步驟後之透明導電性膜剝離；且上述保護樹脂膜及上述透明樹脂基材之至少一者含有環烯烴系樹脂，於上述加熱步驟後滿足下述式(1)及(2)。
Y＜0.0003X2.7 (1)
0.2≤Y＜6.0 (2)
(式中，X表示含有上述環烯烴系樹脂之上述保護樹脂膜或上述透明樹脂基材之厚度(μm)；其中，於上述保護樹脂膜及上述透明樹脂基材之兩者均含有上述環烯烴系樹脂之情形時，表示厚度較薄者之值；Y表示於拉伸速度10 m/min、剝離角度180°之條件下之上述黏著劑層之剝離力(N/50 mm))
本發明[8]包含如[7]之透明導電性膜之製造方法，其於上述加熱步驟後且上述剝離步驟前進而具備對透明導電性膜積層體進行光學檢查之光學檢查步驟。
根據本發明之透明導電性膜積層體，含有環烯烴系樹脂之保護樹脂膜或透明樹脂基材之厚度X(μm)與特定條件下之黏著劑層之剝離力Y(N/50 mm)滿足Y＜0.0003X2.7 之關係。因此，可充分地降低黏著劑層與透明樹脂基材之剝離所需之應力，從而可降低保護樹脂膜或透明樹脂基材所受到之負擔。其結果為於將保護樹脂膜自透明導電性膜高速剝離時，可抑制保護樹脂膜或透明樹脂基材之破損。
又，根據本發明之透明導電性膜積層體，滿足0.2≤Y之關係。因此，保護樹脂膜與透明樹脂基材經由黏著劑層充分地密接，於加熱步驟中，可抑制黏著劑層產生氣泡。因此，可抑制透明導電性膜積層體之表面產生鼓起或厚度不均。其結果為於捲取步驟等後續步驟中，可抑制捲取裝置所產生之負擔。又，於其後之光學檢查步驟等中，可高精度地檢查透明導電性膜積層體。
又，根據本發明之透明導電性膜積層體，滿足Y＜6.0之關係。因此，可降低剝離所受到之應力，從而可不對先前之剝離裝置造成負擔而順利地剝離。
根據該等，本發明之透明導電性膜積層體可一面抑制對裝置之負擔，一面高速製造透明導電性膜，故而可高效率地製造透明導電性膜。
又，本發明之透明導電性膜之製造方法由於使用本發明之透明導電性膜積層體，故而可高效率地製造透明導電性膜。
＜第1實施形態＞
以下，一面參照圖，一面對本發明之透明導電性膜積層體之第1實施形態進行說明。於圖1中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向、第1方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側、第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側、第1方向另一側)。又，紙面左右方向及深度方向為與上下方向正交之面方向。具體而言，依據各圖之方向箭頭。
1.透明導電性膜積層體
透明導電性膜積層體1(以下，亦稱為膜積層體1)形成具有特定厚度之膜形狀(包含片材形狀)，沿與厚度方向正交之特定方向(面方向)延伸，具有平坦之上表面及平坦之下表面。膜積層體1例如係用以製作圖像顯示裝置所具備之觸控面板用基材等之一零件，即並非為圖像顯示裝置。即，膜積層體1係不包含LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示裝置)模組等圖像顯示元件，以單個零件流通且於產業上可利用之器件。
具體而言，如圖1所示，膜積層體1具備保護構件2與透明導電性膜3。較佳為膜積層體1包含保護構件2與透明導電性膜3。
2.保護構件
保護構件2係於將下述透明導電性膜3搬送、加熱及/或保存時，為了抑制透明導電性膜3產生損傷而設置於透明導電性膜3之下表面(厚度方向另一側之表面)之膜。保護構件2自下側支持透明導電性膜3。
保護構件2具備保護樹脂膜4、及配置於其上表面(厚度方向一側之表面)之黏著劑層5。即，保護構件2依序具備保護樹脂膜4及黏著劑層5。較佳為保護構件2僅由保護樹脂膜4及黏著劑層5構成。
(保護樹脂膜)
保護樹脂膜4係用以確保保護構件2之機械強度，從而保護其不受於將透明導電性膜3搬送時、加熱時及/或保存時等產生之損傷傷害之基材。
保護樹脂膜4含有環烯烴系樹脂，並形成為膜狀(包含片狀)。具體而言，保護樹脂膜4係包含環烯烴系樹脂之環烯烴系樹脂基材。藉此，可製成與下述透明樹脂基材6相同種類之樹脂，且可抑制因加熱而導致之膜積層體1之捲曲之產生。
環烯烴系樹脂係使環烯烴單體聚合而獲得，且主鏈具有脂環結構之高分子。作為環烯烴系樹脂，可列舉：包含環烯烴單體之環烯烴聚合物(COP)、包含環烯烴單體與乙烯等烯烴等之共聚物之環烯烴共聚物(COC)等。
作為環烯烴單體，可列舉：例如降烯、甲基降烯、二甲基降烯、亞乙基降烯、丁基降烯、二環戊二烯、二氫二環戊二烯、四環十二烯、三環戊二烯等多環式烯烴；例如環丁烯、環戊烯、環辛二烯、環辛三烯等單環式烯烴等。該等環烯烴可單獨使用或將2種以上併用。
保護樹脂膜4之厚度例如為150 μm以下，較佳為100 μm以下，更佳為50 μm以下，又，例如為5 μm以上，較佳為15 μm以上。藉由將保護樹脂膜4之厚度設為上述範圍，於將保護構件2自膜積層體1剝離之步驟中，可高速並順利地剝離，並且可抑制保護樹脂膜4及透明樹脂基材6之破損。保護樹脂膜4之厚度例如可使用測微計式厚度計進行測定。
(黏著劑層)
黏著劑層5係用以將保護樹脂膜4貼附於透明導電性膜3之層(感壓接著劑層)，且係於貼附後相對於透明導電性膜3而言容易剝離之層(易剝離層)。
黏著劑層5具有膜形狀，例如係以與保護樹脂膜4之上表面接觸之方式配置於保護樹脂膜4之整個上表面。更具體而言，黏著劑層5係以與保護樹脂膜4之上表面及透明導電性膜3之下表面接觸之方式配置於保護樹脂膜4與透明導電性膜3(尤其是透明樹脂基材6)之間。詳細而言，黏著劑層5感壓接著於第2硬化樹脂層7b之下表面(下述；透明導電性膜3中之透明樹脂基材6側面)。
黏著劑層5係由黏著劑組合物形成。
作為黏著劑組合物，例如可列舉：丙烯酸系黏著劑組合物、橡膠系黏著劑組合物、聚矽氧系黏著劑組合物、聚酯系黏著劑組合物、聚胺基甲酸酯系黏著劑組合物、聚醯胺系黏著劑組合物、環氧系黏著劑組合物、乙烯基烷基醚系黏著劑組合物、氟系黏著劑組合物等。該等黏著劑組合物可單獨使用或將2種以上併用。
作為黏著劑組合物，就黏著性、剝離性、加熱時之氣泡抑制等觀點而言，較佳為列舉丙烯酸系黏著劑組合物。
丙烯酸系黏著劑組合物例如含有丙烯酸系聚合物作為聚合物成分，該丙烯酸系聚合物係使含有(甲基)丙烯酸烷基酯作為主成分，含有含官能基之單體作為共聚合成分之單體成分共聚合而獲得。
(甲基)丙烯酸烷基酯係丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯，具體而言，例如可列舉：(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸新戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯等直鏈狀或支鏈狀之具有碳數4～14之烷基部分之(甲基)丙烯酸烷基酯等。(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用或將2種以上併用。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯，較佳為列舉具有碳數4～10之烷基部分之(甲基)丙烯酸烷基酯，進而較佳為列舉(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
(甲基)丙烯酸烷基酯之調配比率相對於單體成分之總量100質量份，例如為90質量份以上，較佳為95質量份以上，更佳為97質量份以上，又，例如為99.5質量份以下，較佳為99質量份以下。藉由調整(甲基)丙烯酸烷基酯之調配比率，可調整黏著劑層5之剝離力。
作為含官能基之單體，可列舉：例如丙烯酸、甲基丙烯酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸、伊康酸單甲酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基偏苯三甲酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯等含羧基單體；例如丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸4-羥基丁酯等含羥基之單體等。含官能基之單體可單獨使用或將2種以上併用。
作為含官能基之單體，就黏著性、剝離性、加熱時之氣泡抑制等觀點而言，較佳為列舉含羥基之單體，更佳為列舉丙烯酸2-羥基乙酯。
含官能基之單體之調配比率於單體成分之總量100質量份中，例如為0.5質量份以上，較佳為1質量份以上，又，例如為10質量份以下，較佳為5質量份以下。
就黏著性、剝離性、加熱時之氣泡抑制等觀點而言，丙烯酸系聚合物之重量平均分子量例如為100,000以上，較佳為300,000以上，更佳為650,000以上，又，例如為2,000,000以下，較佳為1,500,000以下。重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法，基於標準聚苯乙烯換算值進行測定。
丙烯酸系黏著劑組合物例如可藉由溶液聚合、塊狀聚合、光聚合等公知之方法獲得。
黏著劑組合物亦可適當含有交聯劑、進而黏著賦予樹脂、加工助劑、顏料、阻燃劑、填充材、軟化劑、抗老化劑等公知之添加劑。
作為交聯劑，例如可列舉：環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、三聚氰胺系樹脂、氮丙啶衍生物、金屬螯合物化合物等。交聯劑可單獨使用或將2種以上併用。作為交聯劑，較佳為列舉異氰酸酯系交聯劑。
交聯劑之比率相對於丙烯酸系聚合物100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為1質量份以上，又，例如為10質量份以下，較佳為5質量份以下。藉由調整交聯劑之調配比率，可調整黏著劑層5之剝離力。
黏著劑層5之厚度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為30 μm以下，較佳為20 μm以下。
保護構件2之厚度例如為10 μm以上，較佳為25 μm以上，更佳為40 μm以上，又，例如為150 μm以下，較佳為100 μm以下，更佳為50 μm以下。
3.透明導電性膜
透明導電性膜3具有具備特定厚度之膜形狀，沿面方向延伸，且具有平坦之上表面及平坦之下表面。透明導電性膜3例如係圖像顯示裝置所具備之觸控面板用基材等之一零件，即並非為圖像顯示裝置。即透明導電性膜3係用以製作圖像顯示裝置等之零件，且係不包含LCD模組等圖像顯示元件，並以單個零件流通且可於產業上利用之器件。
具體而言，如圖1所示，透明導電性膜3依序具備透明樹脂基材6、硬化樹脂層7、光學調整層8、及透明導電層9。更具體而言，透明導電性膜3具備透明樹脂基材6、配置於透明樹脂基材6之上表面(一面)之第1硬化樹脂層7a、配置於第1硬化樹脂層7a之上表面之光學調整層8、配置於光學調整層8之上表面之透明導電層9、及配置於透明樹脂基材6之下表面(另一面)之第2硬化樹脂層7b。即，透明導電性膜3自下方起依序具備第2硬化樹脂層7b、透明樹脂基材6、第1硬化樹脂層7a、光學調整層8及透明導電層9。較佳為透明導電性膜3包含透明樹脂基材6、硬化樹脂層7、光學調整層8及透明導電層9。
(透明樹脂基材)
透明樹脂基材6係用以確保透明導電性膜3之機械強度之透明基材。即，透明樹脂基材6一併支持透明導電層9以及硬化樹脂層7及光學調整層8。
透明樹脂基材6具有膜形狀，例如係以與保護構件2之上表面接觸之方式配置於保護構件2(尤其是黏著劑層5)之整個上表面。更具體而言，透明樹脂基材6係以與黏著劑層5之上表面及第1硬化樹脂層7a之下表面接觸之方式配置於黏著劑層5與第1硬化樹脂層7a之間。
透明樹脂基材6例如係具有透明性之高分子膜。透明樹脂基材6含有環烯烴系樹脂。較佳為透明樹脂基材6係包含環烯烴系樹脂之環烯烴系樹脂基材。藉此，可對透明樹脂基材6賦予較低之面內相位差、良好之透明性。又，若透明樹脂基材6含有環烯烴系樹脂，則可使透明樹脂基材6之熱膨脹係數及保護樹脂膜4之熱膨脹係數吻合，因此，可抑制下述加熱步驟(參照圖2C)中之透明樹脂基材6之變形(翹曲等)。進而，可使透明樹脂基材6之相位差及保護樹脂膜4之相位差吻合，從而高精度地實施下述光學檢查步驟。
透明樹脂基材6之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為80%以上，較佳為85%以上。
透明樹脂基材6之面內之雙折射率例如為10 nm以下，較佳為5 nm以下。面內之雙折射率例如可藉由雙折射測量測定系統(Axo Matrix公司製造，商品名「Axo Scan」)進行測定。
透明樹脂基材6之厚度例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下，又，例如為5 μm以上，較佳為15 μm以上。藉由將透明樹脂基材6之厚度設為上述範圍，於將保護構件2自膜積層體1剝離之步驟中，可高速且順利地剝離，並且可抑制保護樹脂膜4及透明樹脂基材6之破損。透明樹脂基材6之厚度例如可使用測微計式厚度計進行測定。
(第1硬化樹脂層)
第1硬化樹脂層7a係用以使透明導電性膜3不易產生擦傷之擦傷保護層(第1硬塗層)。
第1硬化樹脂層7a具有膜形狀，例如係以與透明樹脂基材6之上表面接觸之方式配置於透明樹脂基材6之整個上表面。更具體而言，第1硬化樹脂層7a係以與透明樹脂基材6之上表面及光學調整層8之下表面接觸之方式配置於透明樹脂基材6與光學調整層8之間。
第1硬化樹脂層7a例如係由硬塗組合物形成。
第1硬化樹脂層7a之硬塗組合物含有樹脂，較佳為僅由樹脂構成。
作為樹脂，例如可列舉硬化性樹脂、熱塑性樹脂(例如聚烯烴樹脂)等，較佳為列舉硬化性樹脂。
作為硬化性樹脂，可列舉：例如藉由活性能量射線(具體而言為紫外線、電子束等)之照射硬化之活性能量射線硬化性樹脂；例如藉由加熱硬化之熱硬化性樹脂等；較佳為列舉活性能量射線硬化性樹脂。
活性能量射線硬化性樹脂例如可列舉具有分子中具有聚合性碳-碳雙鍵之官能基之聚合物。作為此種官能基，例如可列舉：乙烯基、(甲基)丙烯醯基(甲基丙烯醯基及/或丙烯醯基)等。
作為活性能量射線硬化性樹脂，具體而言，例如可列舉：丙烯酸胺基甲酸酯、環氧丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系紫外線硬化性樹脂。
又，作為活性能量射線硬化性樹脂以外之硬化性樹脂，例如可列舉：胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物、有機矽烷縮合物等熱硬化性樹脂。
樹脂可單獨使用或將2種以上併用。
又，該硬塗組合物於第2硬化樹脂層7b中亦可含有下述粒子。
就耐擦傷性、配線圖案之視認抑制之觀點而言，第1硬化樹脂層7a之厚度例如為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為5 μm以下。硬化樹脂層7之厚度例如可藉由光譜式橢圓儀進行測定。
(光學調整層)
光學調整層8係為了抑制透明導電層9中之配線圖案之視認並且確保透明導電性膜3優異之透明性而調整透明導電性膜3之光學物性(例如折射率)之層。
光學調整層8具有膜形狀，例如係以與第1硬化樹脂層7a之上表面接觸之方式配置於第1硬化樹脂層7a之整個上表面。更具體而言，光學調整層8係以與第1硬化樹脂層7a之上表面及透明導電層9之下表面接觸之方式配置於第1硬化樹脂層7a與透明導電層9之間。
光學調整層8係由光學調整層用組合物形成之層。
光學調整層用組合物例如含有樹脂。光學調整層用組合物較佳為含有樹脂與粒子，更佳為僅由樹脂與粒子構成。
作為樹脂，並無特別限定，可列舉與硬塗組合物中所使用之樹脂相同者。樹脂可單獨使用或將2種以上併用。較佳為列舉硬化性樹脂，更佳為列舉活性能量射線硬化性樹脂。
樹脂之含有比率相對於光學調整層用組合物，例如為10質量%以上，較佳為25質量%以上，又，例如為95質量%以下，較佳為60質量%以下。
作為粒子，可根據光學調整層8所要求之折射率選擇適當之材料，可列舉無機粒子、有機粒子等。作為無機粒子，可列舉：例如二氧化矽粒子、例如包含氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫等之金屬氧化物粒子、例如碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如可列舉交聯丙烯酸系樹脂粒子等。粒子可單獨使用或將2種以上併用。
作為粒子，較佳為列舉無機粒子，更佳為列舉金屬氧化物粒子，進而較佳為列舉氧化鋯粒子(ZnO2 )。
粒子之平均粒徑(中徑)例如為10 nm以上，較佳為20 nm以上，又，例如為100 nm以下，較佳為50 nm以下。
粒子之含有比率相對於光學調整層用組合物，例如為5質量%以上，較佳為40質量%以上，又，例如為90質量%以下，較佳為75質量%以下。
光學調整層8之折射率例如為1.50以上，較佳為1.60以上，又，例如為1.80以下，較佳為1.75以下。折射率例如可藉由阿貝折射計進行測定。
光學調整層8之厚度例如為50 nm以上，較佳為100 nm以上，又，例如為800 nm以下，較佳為300 nm以下。光學調整層8之厚度例如可藉由光譜式橢圓儀進行測定。
(透明導電層)
透明導電層9係用以於蝕刻等後續步驟中形成為配線圖案之導電層。
透明導電層9係透明導電性膜3之最上層，具有膜形狀，且係以與光學調整層8之上表面接觸之方式配置於光學調整層8之整個上表面。
再者，透明導電層9相對於透明樹脂基材6位於上側。
作為透明導電層9之材料，例如可列舉包含選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少1種金屬之金屬氧化物。亦可視需要於金屬氧化物中進而摻雜上述群所示之金屬原子。
透明導電層9之材料較佳為列舉銦-錫複合氧化物(ITO)等含銦之氧化物、例如銻-錫複合氧化物(ATO)等含銻之氧化物等，更佳為列舉含銦之氧化物，進而較佳為列舉ITO。若透明導電層9之材料為ITO，則透明導電層9可同時實現優異之透明性及優異之導電性。
於使用ITO作為透明導電層9之材料之情形時，氧化錫(SnO2 )含量相對於氧化錫及氧化銦(In2 O3 )之合計量，例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，又，例如為15質量%以下，較佳為13質量%以下。
「ITO」只要為至少包含銦(In)與錫(Sn)之複合氧化物即可，亦可包含該等以外之追加成分。作為追加成分，例如可列舉In、Sn以外之金屬元素，具體而言，可列舉Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。
透明導電層9之厚度例如為10 nm以上，較佳為20 nm以上，又，例如為100 nm以下，較佳為35 nm以下。透明導電層9之厚度例如可藉由光譜式橢圓儀進行測定。
透明導電層9為結晶質及非晶質均可。透明導電層9較佳為包含結晶質，更具體而言，為結晶質ITO層。藉此，可提高透明導電層9之透明性，又，可進一步降低透明導電層9之比電阻值。
再者，將具備非晶質之透明導電層9(非晶質透明導電層9a)之透明導電性膜3稱為非晶質透明導電性膜3a。又，將具備由非晶質透明導電層9a結晶化而得之結晶性之透明導電層9(結晶化透明導電層9b)之透明導電性膜3稱為結晶化透明導電性膜3b。
透明導電層9為結晶質例如可藉由如下方式進行判斷：於透明導電層9為ITO層之情形時，於20℃之鹽酸(濃度5質量%)中浸漬15分鐘後進行水洗、乾燥，並測定15 mm左右之間之端子間電阻。於浸漬於鹽酸(20℃、濃度：5質量%)中並進行水洗、乾燥後15 mm間之端子間電阻為10 kΩ以下之情形時，將ITO層設為結晶質。
(第2硬化樹脂層)
第2硬化樹脂層7b係用以使透明導電性膜3不易產生擦傷之擦傷保護層(第2硬塗層)。又，第2硬化樹脂層7b亦為於複數個膜積層體1於厚度方向上積層之情形等時，對相互接觸之複數個透明導電性膜3之表面賦予耐黏連性之抗黏連層。
第2硬化樹脂層7b係以與透明樹脂基材6之下表面接觸之方式配置於透明樹脂基材6之整個下表面。
第2硬化樹脂層7b係與第1硬化樹脂層7a相同之層，例如可列舉與於第1硬化樹脂層7a中敍述者相同者。
較佳為第2硬化樹脂層7b之硬塗組合物含有樹脂及粒子，較佳為僅由樹脂及粒子構成。
作為樹脂，可列舉與上述硬塗組合物之樹脂相同者。
作為粒子，可列舉無機粒子、有機粒子等。作為無機粒子，可列舉例如二氧化矽粒子、例如包含氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫等之金屬氧化物粒子、例如碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如可列舉交聯丙烯酸系樹脂粒子等。粒子可單獨使用或將2種以上併用。
作為粒子，就透明性之觀點而言，較佳為列舉有機粒子，更佳為列舉交聯丙烯酸系樹脂粒子。
就抗黏連性、耐擦傷性及透明性之觀點而言，粒子之最頻粒徑例如為0.8 μm以上，較佳為1.0 μm以上，又，例如為20 μm以下，較佳為10 μm以下。最頻粒徑係表示粒子分佈之極大值之粒徑，例如可藉由使用流動式粒子像分析裝置(Sysmex公司製造，製品名「FPTA-3000S」)，於特定條件(Sheath液：乙酸乙酯，測定模式：HPF測定，測定方式：總計數)下進行測定而求出。作為測定試樣，使用利用乙酸乙酯將粒子稀釋成1.0質量%，並使用超音波洗淨機使之均勻地分散而成者。
粒子之含有比率相對於樹脂100質量份，例如為0.01質量份以上，較佳為0.1質量份以上，又，例如為10質量份以下，較佳為5質量份以下。
就耐擦傷性、配線圖案之視認抑制之觀點而言，第2硬化樹脂層7b之厚度例如為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為5 μm以下。
3.結晶化透明導電性膜之製造方法
作為本發明之透明導電性膜之製造方法之第1實施形態，使用圖2A～圖2E對結晶化透明導電性膜3b之製造方法進行說明。
結晶化透明導電性膜3b之製造方法例如具備：準備步驟，其係分別準備非晶質透明導電性膜3a及保護構件2；貼附步驟，其係貼附非晶質透明導電性膜3a及保護構件2；加熱步驟，其係對非晶質透明導電性膜積層體1a進行加熱；以及剝離步驟，其係將保護構件2剝離。又，結晶化透明導電性膜3b之製造方法例如亦可於加熱步驟後具備對剝離步驟前之結晶化透明導電性膜積層體1b(下述)進行光學檢查之光學檢查步驟。
於結晶化透明導電性膜3b之製造方法中，依序實施準備步驟、貼附步驟、加熱步驟及剝離步驟。較佳為依序實施準備步驟、貼附步驟、加熱步驟、光學檢查步驟及剝離步驟。
(準備步驟)
於準備步驟中，如圖2A所示，分別準備非晶質透明導電性膜3a及保護構件2。
具體而言，製造非晶質透明導電性膜3a，同時另外製造保護構件2。
於製造非晶質透明導電性膜3a時，首先，準備透明樹脂基材6，繼而，於透明樹脂基材6設置硬化樹脂層7(第1硬化樹脂層7a及第2硬化樹脂層7b)、光學調整層8及非晶質透明導電層9a。例如，製備利用溶劑將硬塗組合物稀釋而成之稀釋液，將稀釋液塗佈於透明樹脂基材6之兩面，對稀釋液進行乾燥，使硬塗組合物硬化而設置硬化樹脂層7。又，製備利用溶劑將光學調整層用組合物稀釋而成之稀釋液，將光學調整層用組合物之稀釋液塗佈於第1硬化樹脂層7a之上表面，對稀釋液進行乾燥，使光學調整層用組合物硬化而設置光學調整層8。進而，例如利用濺鍍法將透明導電層9設置於光學調整層8之上表面。
又，此時，可將各層以例如卷對卷方式設置於透明樹脂基材6，或亦可以批次方式(單片方式)設置該等層之一部分或全部。藉此，獲得依序具備第2硬化樹脂層7b、透明樹脂基材6、第1硬化樹脂層7a及光學調整層8及非晶質透明導電層9a之非晶質透明導電性膜3a。
於另外製造保護構件2時，首先準備保護樹脂膜4。
繼而，於保護樹脂膜4之上表面設置黏著劑層5。於設置黏著劑層5時，製備黏著劑組合物之稀釋液，將黏著劑組合物之稀釋液塗佈於保護樹脂膜4之上表面，並對稀釋液進行乾燥。
藉此，獲得依序具備保護樹脂膜4及黏著劑層5之保護構件2。
(貼附步驟)
於貼附步驟中，如圖2B所示，貼附保護構件2及非晶質透明導電性膜3a。
例如，以黏著劑層5與第2硬化樹脂層7b(於透明導電性膜3中相對於非晶質透明導電層9a位於透明樹脂基材6側之第2硬化樹脂層7b)接觸之方式將保護構件2貼附於非晶質透明導電性膜3a。即，將保護樹脂膜4經由黏著劑層5感壓接著於第2硬化樹脂層7b。具體而言，使黏著劑層5之上表面與第2硬化樹脂層7b之下表面接觸。
藉此，獲得依序具備保護樹脂膜4、黏著劑層5、及非晶質透明導電性膜3a之非晶質透明導電性膜積層體1a。
(加熱步驟)
於加熱步驟中，如圖2C所示，對非晶質透明導電性膜積層體1a進行加熱。
具體而言，例如於大氣下對非晶質透明導電性膜積層體1a進行加熱。
加熱處理例如可使用紅外線加熱器、烘箱等實施。
加熱溫度例如為100℃以上，較佳為120℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為160℃以下。
加熱時間係根據加熱溫度適當決定，例如為10分鐘以上，較佳為30分鐘以上，又，例如為5小時以下，較佳為3小時以下。
藉此，使非晶質透明導電層9a結晶化而成為結晶化透明導電層9b。即，獲得依序具備保護樹脂膜4、黏著劑層5、及結晶化透明導電性膜3b之結晶化透明導電性膜積層體1b。
結晶化透明導電層9b之表面電阻值例如為200 Ω/□以下，較佳為150 Ω/□以下，又，例如為10 Ω/□以上。
再者，亦可視需要於加熱步驟之前或之後，藉由公知之蝕刻方法將透明導電層9形成為條紋狀等之配線圖案。
結晶化透明導電性膜積層體1b滿足下述式(1)及(2)。
Y＜0.0003X2.7 (1)
0.2≤Y＜6.0 (2)
X表示保護樹脂膜4之厚度(μm)及透明樹脂基材6之厚度(μm)中較薄者之值。
Y表示於拉伸速度10 m/min、剝離角度180°之條件下之黏著劑層5之剝離力(N/50 mm)。
較佳為於藉由將非晶質透明導電性膜積層體1a於100℃以上且200℃以下、10分鐘以上且5小時以下之條件(更佳為130℃且90分鐘之條件)下進行加熱而獲得之結晶化透明導電性膜積層體1b中，滿足上述式(1)及(2)。
於結晶化透明導電性膜積層體1b不滿足上述式(1)之情形時，於剝離步驟中，保護樹脂膜4或透明樹脂基材6會破損。
又，於結晶化透明導電性膜積層體1b不滿足上述式(2)之情形時，於加熱步驟中，黏著劑層5產生氣泡，而結晶化透明導電性膜積層體1b之表面產生鼓起或厚度不均。又，於剝離步驟中，剝離所需之力增大，對剝離裝置造成負擔而難以進行順利之剝離。
於上述式(1)中，X之範圍(單位為μm)例如為5以上，較佳為10以上，更佳為15以上，進而較佳為20以上，最佳為25以上，又，例如為100以下，較佳為60以下，更佳為50以下，進而較佳為40以下。
於上述式(2)中，較佳為結晶化透明導電性膜積層體1b滿足下述式(2')。
0.2≤Y≤5.0 (2')
(光學檢查步驟)
於光學步驟中，對結晶化透明導電性膜積層體1b進行光學檢查。
例如，如假想線所示，使用具備發光部14及受光部15之檢查裝置13實施光學檢查步驟。具體而言，首先，將發光部14及受光部15以於厚度方向上對向之方式相互隔開間隔對向配置。繼而，將結晶化透明導電性膜積層體1b配置於發光部14及受光部15之間。繼而，自發光部14朝向結晶化透明導電性膜積層體1b照射光，透過結晶化透明導電性膜積層體1b之光由受光部15接收。接下來，藉由連接於受光部15之檢查部(未圖示)對由受光部15接收之光進行分析，而實施光學檢查步驟。
(剝離步驟)
於剝離步驟中，如圖2D所示，將保護構件2自結晶化透明導電性膜3b剝離。即，自結晶化透明導電性膜積層體1b將保護構件2去除。
例如，藉由卷對卷步驟將結晶化透明導電性膜3b之長邊方向一端固定，並以黏著劑層5之上表面與透明樹脂基材6之下表面隔開之方式將保護構件2自結晶化透明導電性膜3b剝離。
藉此，如圖2E所示，獲得依序具備第2硬化樹脂層7b、透明樹脂基材6、第1硬化樹脂層7a、光學調整層8、及結晶化透明導電層9b之結晶化透明導電性膜3b。
其後，例如藉由卷對卷步驟，將結晶化透明導電性膜3b以輥狀捲取於捲取輥。
該結晶化透明導電性膜3b例如用作圖像顯示裝置所具備之觸控面板用基材。作為觸控面板之形式，例如可列舉靜電電容方式、電阻膜方式等各種方式，尤其可較佳地用於靜電電容方式之觸控面板。
具體而言，可列舉具備作為觸控面板用膜之結晶化透明導電性膜3b及偏光板之靜電電容方式之觸控面板。
4.作用效果
根據該結晶化透明導電性膜3b之製造方法，於加熱步驟後之結晶化透明導電性膜積層體1b中，保護樹脂膜4及透明樹脂基材6之厚度中較薄之厚度X(μm)與高速剝離條件下之黏著劑層5之剝離力Y(N/50 mm)滿足Y＜0.0003X2.7 之關係(其中，Y＜6.0)。因此，可充分地降低黏著劑層5與透明樹脂基材6之剝離所需之應力，從而可降低保護樹脂膜4及透明樹脂基材6之兩者所受到之負擔。其結果為，於將保護樹脂膜4自結晶化透明導電性膜3b高速(例如10 m/min)剝離時，即便將保護樹脂膜4及透明樹脂基材6之兩者設為相對於聚酯系樹脂基材為脆而容易斷裂之環烯烴系樹脂基材，亦可抑制其等之破損。
又，根據該製造方法，滿足0.2≤Y之關係。因此，保護樹脂膜4與透明樹脂基材6經由黏著劑層5充分地密接。因此，於加熱步驟中，可抑制黏著劑層5產生氣泡，從而可抑制結晶化透明導電性膜積層體1b之表面產生隆起或厚度不均。其結果為，於捲取步驟等後續步驟中，可抑制對起因於隆起等之捲取差異進行調整之作業等之捲取裝置所產生之負擔。又，於其後之光學檢查步驟等中，可高精度地檢查結晶化透明導電性膜積層體1b。
又，根據該製造方法，滿足Y＜6.0之關係。因此，可降低剝離所受到之應力，從而可不對先前之剝離裝置造成負擔而順利地剝離。
根據該等，該製造方法可一面抑制對先前之裝置之負擔，一面高速製造結晶化透明導電性膜3b。因此，可高效率地製造結晶化透明導電性膜3b。
又，根據該製造方法，由於加熱步驟中之黏著劑層之氣泡之產生得到抑制，故而於光學檢查步驟中，可確實地對透明導電性膜積層體1進行光學檢查，其結果為可以優異之可靠性製造結晶化透明導電性膜3b。
又，若保護樹脂膜4及透明樹脂基材6之厚度均為100 μm以下，則可進一步降低黏著劑層5與透明樹脂基材6之剝離所需之應力，從而可確實地降低保護樹脂膜4及透明樹脂基材6之兩者所受到之負擔。其結果為可高速地進行順利之剝離，並且可抑制保護樹脂膜4及透明樹脂基材6之破損。
＜第2實施形態及第3實施形態＞
於第2實施形態及第3實施形態中，對於與上述第1實施形態相同之構件及步驟，標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於第1實施形態之膜積層體1中，保護樹脂膜4及透明樹脂基材6均含有環烯烴系樹脂，但於本發明中，只要保護樹脂膜4及透明樹脂基材6之至少一者含有環烯烴系樹脂即可，另一者可含有環烯烴系樹脂以外之樹脂。作為此種形態，例如可列舉：保護樹脂膜4包含環烯烴系樹脂以外之樹脂且透明樹脂基材6含有環烯烴系樹脂之第2實施形態、保護樹脂膜4包含環烯烴系樹脂且透明樹脂基材6含有環烯烴系樹脂以外之樹脂之第3實施形態。
(第2實施形態)
於第2實施形態之膜積層體1中，透明樹脂基材6含有環烯烴系樹脂，保護樹脂膜4不含有環烯烴系樹脂。
第2實施形態之保護樹脂膜4中例如包含選自聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等)、乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂中之至少1種樹脂。就機械強度、透明性之觀點而言，較佳為包含聚酯系樹脂，更佳為保護樹脂膜4係由聚酯系樹脂構成之聚酯系樹脂基材。
聚酯系樹脂係二羧酸等多元羧酸與二醇等多元醇之縮聚體。具體而言，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等。
第2實施形態中之保護樹脂膜4之厚度例如為150 μm以下，又，例如為5 μm以上，較佳為50 μm以上。
再者，於第2實施形態中，上述式(1)中之X表示透明樹脂基材6之厚度(μm)。
第2實施形態之膜積層體1亦實現與第1實施形態相同之作用效果。
就若將透明樹脂基材6及保護樹脂膜4設為相同種類之樹脂，則可抑制因加熱而產生之膜積層體1之捲曲之觀點而言，較佳為列舉第1實施形態。
(第3實施形態)
第3實施形態之膜積層體1之保護樹脂膜4含有環烯烴系樹脂，透明樹脂基材6不含有環烯烴系樹脂。
第3實施形態之透明樹脂基材6中包含於第2實施形態中敍述之保護樹脂膜4，就機械強度、透明性之觀點而言，較佳為包含聚酯系樹脂，更佳為透明樹脂基材6係由聚酯系樹脂構成之聚酯系樹脂基材。
再者，於第3實施形態中，上述式(1)中之X表示保護樹脂膜4之厚度(μm)。
第3實施形態之膜積層體1亦實現與第1實施形態相同之作用效果。
就較低之面內相位差、良好之透明性、防止熱所導致之變形、及提高光學檢查步驟中之精度之觀點而言，較佳為列舉第1實施形態。
＜第4實施形態＞
於第4實施形態中，對於與上述第1～第3實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於第1～3實施形態中，透明導電層9係包含金屬氧化物之非晶質透明導電層9a或結晶化透明導電層9b，但例如雖未圖示，透明導電層9亦可具備金屬奈米線或金屬網。透明導電層9較佳為包含金屬奈米線或金屬網。
金屬奈米線係直徑為奈米尺寸(較佳為未達500 nm)之針狀或線狀之金屬。
作為構成金屬奈米線之金屬，較佳為列舉Au、Ag、Cu、Ni等導電性金屬，就導電性之觀點而言，較佳為列舉Au。
金屬網係金屬細線形成為格子狀之圖案。作為構成金屬網之金屬，可列舉與構成上述金屬奈米線之金屬相同者。
亦可對該等金屬奈米線或金屬網進行鍍敷處理(例如鍍金處理)。
＜其他變化例＞
於變化例中，對於與上述第1～第4實施形態相同之構件及步驟，標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於第1～3實施形態中，透明導電性膜3具備第2硬化樹脂層7b、透明樹脂基材6、第1硬化樹脂層7a、光學調整層8及透明導電層9，但例如雖未圖示，透明導電性膜3亦可不具備第2硬化樹脂層7b、透明樹脂基材6、第1硬化樹脂層7a及光學調整層8之一部分或全部。
較佳為透明導電性膜3依序具備第2硬化樹脂層7b、透明樹脂基材6、第1硬化樹脂層7a、光學調整層8及透明導電層9。藉此，可對透明導電性膜3賦予抗黏連性、擦傷保護性及配線圖案之視認抑制性。
又，透明導電性膜3亦可於第2硬化樹脂層7b及透明樹脂基材6之間等進而設置光學調整層8(第2光學調整層)。
又，於上述第1實施形態中，如圖2C之假想線所示，結晶化透明導電性膜積層體1b之製造方法具備光學檢查步驟。然而，例如亦可不具備結晶化透明導電性膜積層體1b之製造方法，而僅具備準備步驟、貼附步驟、加熱步驟及剝離步驟。
較佳為該結晶化透明導電性膜積層體1b之製造方法依序具備準備步驟、貼附步驟、加熱步驟、光學檢查步驟及剝離步驟。若於圖2C所示之加熱中黏著劑層5產生氣泡，則於圖2C之假想線所示之光學檢查步驟中，無法高精度地檢查結晶化透明導電性膜積層體1b。然而，於該結晶化透明導電性膜積層體1b之製造方法中，如上所述，加熱步驟中之黏著劑層5中之氣泡之產生得到抑制。
實施例
以下示出實施例及比較例，對本發明進而具體地進行說明。再者，本發明並不限定於任何實施例及比較例。以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可代替成上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等對應記載之上限值(作為「以下」、「未達」而定義之數值)或下限值(作為「以上」、「超過」而定義之數值)。又，各例中，份、%均為質量基準。
＜實施例1＞
(透明導電性膜)
作為透明樹脂基材，準備於長度方向上長條之包含環烯烴系樹脂之膜(COP膜，厚度25 μm，日本ZEON公司製造，「ZEONOR」(註冊商標)，面內之雙折射率0.0001 nm)。
於透明樹脂基材之上表面塗佈包含黏合劑樹脂之硬塗組合物之稀釋液，於透明樹脂基材之下表面塗佈含有黏合劑樹脂與複數個粒子之硬塗組合物之稀釋液，繼而，於對該等進行乾燥後，對兩面照射紫外線而使硬塗組合物硬化。藉此，於透明樹脂基材之上表面形成不含有粒子之第1硬化樹脂層(厚度1 μm)，於透明樹脂基材之下表面形成含有粒子之第2硬化樹脂層(厚度1 μm)。
再者，作為粒子，使用交聯丙烯酸-苯乙烯系樹脂粒子(積水樹脂公司製造，「SSX105」，直徑3 μm)。作為黏合劑樹脂，使用胺基甲酸酯系多官能聚丙烯酸酯(DIC公司製造，「UNIDIC」)。
繼而，於第1硬化樹脂層之上表面塗佈含有氧化鋯粒子與紫外線硬化性樹脂之光學調整層用組合物之稀釋液(「Opstar Z7412」，JSR公司製造，折射率1.62)，於80℃下乾燥3分鐘後照射紫外線。藉此，於第1硬化樹脂層之上表面形成光學調整層(厚度0.1 μm)。
繼而，將以70：30之質量比含有氧化銦與氧化錫之燒結體靶安裝於平行平板型之捲取式磁控濺鍍裝置，一面搬送上述所獲得之積層體，一面實施真空排氣直至水之分壓成為5×10-4 Pa為止。其後，調整氬氣及氧氣之導入量，藉由DC濺鍍以輸出12.5 kW成膜於光學調整層之上表面而形成非晶質之ITO層(厚度25 nm)。藉此，製作非晶質透明導電性膜。
(保護構件)
於乙酸乙酯中使丙烯酸2-乙基己酯(96莫耳)、丙烯酸羥乙酯(4莫耳)共聚合，獲得重量平均分子量700,000(標準聚苯乙烯換算)之丙烯酸系共聚物之溶液。相對於丙烯酸系共聚物100質量份(固形物成分)，添加異氰酸酯系交聯劑(「Coronate L」，日本聚氨酯工業公司製造)3質量份後，利用乙酸乙酯進行稀釋，製備固形物成分為20質量%之黏著劑組合物之稀釋液。
作為保護樹脂膜，準備於長度方向上長條之包含環烯烴系樹脂之膜(COP膜，厚度25 μm，日本ZEON公司製造，「ZEONOR」(註冊商標)，面內之雙折射率0.0001 nm)。於該保護樹脂膜塗佈黏著劑組合物之稀釋液並使之乾燥，形成厚度10 μm之黏著劑層。藉此，製作保護構件。
(透明導電性膜積層體)
以第2硬化樹脂層與黏著劑層接觸之方式貼附透明導電性膜及保護構件，獲得實施例之透明導電性膜積層體(參照圖1)。
＜實施例2～6＞
將保護樹脂膜及透明樹脂基材之材料及厚度變更為表1所示之材料及厚度，獲得實施例之透明導電性膜積層體。再者，作為包含PET之膜，使用Toray Film加工公司製造之TT50-405B。
＜實施例7～8＞
如下所述般變更黏著劑組合物、及對透明導電性膜積層體進行處理之條件，除此以外，以與實施例4相同之方式獲得實施例之透明導電性膜積層體。
實施例7：於具備黏著劑層之保護構件之製作中，將丙烯酸2-乙基己酯之調配量自96莫耳變更為90莫耳，將丙烯酸羥乙酯之調配量自4莫耳變更為10莫耳，將異氰酸酯系交聯劑之調配量自3質量份變更為5質量份。
實施例8：於具備黏著劑層之保護構件之製作中，將異氰酸酯系交聯劑之調配量自3質量份變更為2質量份。進而，於獲得透明導電性膜積層體之後，將其於140℃下加熱60分鐘。
＜比較例1～7＞
如下所述般變更黏著劑組合物、及對透明導電性膜積層體進行處理之條件，除此以外，以與實施例4相同之方式獲得比較例之透明導電性膜積層體。
比較例1：於具備黏著劑層之保護構件之製作中，將丙烯酸2-乙基己酯之調配量自96莫耳變更為80莫耳，將丙烯酸羥乙酯之調配量自4莫耳變更為20莫耳，將異氰酸酯系交聯劑之調配量自3質量份變更為6質量份。
比較例2：於具備黏著劑層之保護構件之製作中，將丙烯酸2-乙基己酯之調配量自96莫耳變更為90莫耳，將丙烯酸羥乙酯之調配量自4莫耳變更為10莫耳，將異氰酸酯系交聯劑之調配量自3質量份變更為6質量份。
比較例3：於具備黏著劑層之保護構件之製作中，將異氰酸酯系交聯劑之調配量自3質量份變更為2質量份。進而，於獲得透明導電性膜積層體之後，將其於150℃下加熱60分鐘。
比較例4：於具備黏著劑層之保護構件之製作中，將丙烯酸2-乙基己酯之調配量自96莫耳變更為98莫耳，將丙烯酸羥乙酯之調配量自4莫耳變更為2莫耳，將異氰酸酯系交聯劑之調配量自3質量份變更為1.5質量份。進而，於獲得透明導電性膜積層體之後，將其於150℃加熱60分鐘。
又，將保護樹脂膜及透明樹脂基材之材料及厚度變更為表1所示之材料及厚度。
比較例5：於具備黏著劑層之保護構件之製作中，將異氰酸酯系交聯劑之調配量自3質量份變更為2.5質量份。
又，將保護樹脂膜及透明樹脂基材之材料及厚度變更為表1所示之材料及厚度。
比較例6：於具備黏著劑層之保護構件之製作中，將異氰酸酯系交聯劑之調配量自3質量份變更為1.5質量份。
比較例7：於具備黏著劑層之保護構件之製作中，將丙烯酸2-乙基己酯之調配量自96莫耳變更為98莫耳，將丙烯酸羥乙酯之調配量自4莫耳變更為2莫耳，將異氰酸酯系交聯劑之調配量自3質量份變更為1質量份。
又，將保護樹脂膜及透明樹脂基材之材料及厚度變更為表1所示之材料及厚度。
＜表面電阻值之測定＞
針對各實施例及各比較例之透明導電性膜積層體，藉由四端子法測定非晶質之ITO層之表面電阻，結果為340 Ω/□。又，將透明導電性膜於130℃下加熱90分鐘而使ITO層結晶化。藉由四端子法測定經結晶化之ITO層之表面電阻，結果為100 Ω/□。
＜剝離力之測定(斷裂測定)＞
將各實施例及各比較例之透明導電性膜積層體於130℃下實施90分鐘加熱處理而使ITO層結晶化。
其後，將結晶化透明導電性膜積層體切斷成寬50 mm、長200 mm，將經切斷之結晶化透明導電性膜積層體之透明導電性膜3b側經由黏著帶(固定構件)12固定於剝離力測定裝置(裝置名TE-702，測試機產業公司製造)之試樣台11。繼而，利用移動式載置台13固持結晶化透明導電性膜積層體中之保護構件2(保護樹脂膜)之長度方向一端，於拉伸速度10 m/min之條件下測定剝離角度180°下之剝離力(N/50 mm)(黏著劑層之剝離力Y)(參照圖3)。
再者，於比較例5～7中，於保護構件或透明導電性膜之COP基材確認到斷裂部分，由於在存在該斷裂部分之狀態下無法測定黏著劑層之剝離力Y，故而於利用補強帶對該斷裂部分進行補強後，繼續測定黏著劑層之剝離力Y。
將保護構件或透明導電性膜之COP膜中較薄者之厚度(μm)作為x，將所測定之剝離力(N/50 mm)作為Y繪製成曲線圖。將其示於圖4。該等圖中，求出於相同厚度(x)下並未斷裂之剝離力Y之最大值與已斷裂之剝離力Y之最小值之中間點，基於與其近似之乘方近似，繪製出近似曲線(其中，X為40以下之情形)。另一方面，若X為40以上，則繪製出通過比較例3與比較例4之直線。
＜氣泡有無之測定＞
對將上述各實施例及各比較例之透明導電性膜積層體於130℃下實施90分鐘加熱處理時之側剖視圖進行觀察。將未於黏著劑層內觀察到氣泡之情形評價為○，將於黏著劑層內觀察到大量氣泡之情形評價為×。將結果示於表1。
＜剝離性之測定＞
以與上述＜剝離力之測定＞相同之方式使各實施例及各比較例之透明導電性膜積層體結晶化而獲得結晶化透明導電性膜積層體。
繼而，利用剝離力測定裝置將結晶化透明導電性膜積層體之透明導電性膜之長度方向一端以180°之剝離角度長時間持續拉伸、剝離。
此時，將無法順利地將透明導電性膜剝離而必須調整剝離力測定裝置之情形評價為×，將無需上述調整而順利地將透明導電性膜剝離之情形評價為○。
＜探討＞
根據圖4得知，於COP基材之厚度X為40 μm以下之情形時，於COP基材之厚度X及黏著劑層5之剝離力Y滿足式(1)(Y＜0.0003X2.7 )之實施例1～8及比較例1～3中，COP基材均不會破損。另一方面，於厚度X及剝離力Y不滿足式(1)之比較例5～7中，COP基材均破損。再者，於比較例1～2中，由於剝離力Y未達2.0(N/50 mm)，故而不滿足式(2)而觀察到氣泡。於比較例3中，由於剝離力Y為6.0(N/50 mm)以上，故而不滿足式(2)，剝離所需之力增大，故而會對剝離裝置造成負擔而難以順利地剝離。
另一方面，於COP基材之厚度X超過40 μm之情形時，若對於剝離力Y為8.0(N/50 mm)以上之情況下不會斷裂之比較例4進行研究，則認為只要至少滿足Y≤0.0333x＋4.67，COP基材便不會斷裂。然而，於比較例4中，由於剝離力Y為6.0(N/50 mm)以上，故而不滿足式(2)，剝離所需之力增大，故而會對剝離裝置造成負擔，而難以順利地剝離。
[表1]
再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提供，其僅不過為例示，不應限定性地解釋。對於該技術領域之業者而言明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。
1‧‧‧膜積層體
1a‧‧‧非晶質透明導電性膜積層體
1b‧‧‧結晶化透明導電性膜積層體
2‧‧‧保護構件
3‧‧‧透明導電性膜
3a‧‧‧非晶質透明導電性膜
3b‧‧‧結晶化透明導電性膜
4‧‧‧保護樹脂膜
5‧‧‧黏著劑層
6‧‧‧透明樹脂基材
7‧‧‧硬化樹脂層
7a‧‧‧第1硬化樹脂層
7b‧‧‧第2硬化樹脂層
8‧‧‧光學調整層
9‧‧‧透明導電層
9a‧‧‧非晶質透明導電層
9b‧‧‧結晶化透明導電層
11‧‧‧試樣台
12‧‧‧黏著帶
13‧‧‧移動式載置台
14‧‧‧發光部
15‧‧‧受光部
圖1係表示本發明之透明導電性膜積層體之第1實施形態之剖視圖。
圖2A-圖2E係表示本發明之透明導電性膜之製造方法之第1實施形態的步驟剖視圖，圖2A表示準備步驟，圖2B表示貼附步驟，圖2C表示加熱步驟，圖2D表示剝離步驟，圖2E表示獲得結晶化透明導電性膜之步驟。
圖3於實施例中表示剝離力之測定方法之概念圖。
圖4於實施例中，示出表示剝離力與環烯烴系樹脂基材之厚度之關係之曲線圖。

Claims (8)

  1. 一種透明導電性膜積層體，其特徵在於依序具備保護樹脂膜、黏著劑層及透明導電性膜， 上述透明導電性膜依序具備透明樹脂基材及透明導電層， 上述保護樹脂膜及上述透明樹脂基材之至少一者含有環烯烴系樹脂，且 滿足下述式(1)及(2)： Y＜0.0003X2.7 (1) 0.2≤Y＜6.0 (2) (式中，X表示含有上述環烯烴系樹脂之上述保護樹脂膜或上述透明樹脂基材之厚度(μm)；其中，於上述保護樹脂膜及上述透明樹脂基材之兩者均含有上述環烯烴系樹脂之情形時，表示厚度較薄者之值； Y表示於拉伸速度10 m/min、剝離角度180°之條件下之上述黏著劑層之剝離力(N/50 mm))。
  2. 如請求項1之透明導電性膜積層體，其中上述透明樹脂基材含有環烯烴系樹脂。
  3. 如請求項1或2之透明導電性膜積層體，其中上述保護樹脂膜含有環烯烴系樹脂或聚酯系樹脂。
  4. 如請求項1或2之透明導電性膜積層體，其中上述保護樹脂膜及上述透明樹脂基材之厚度分別為100 μm以下。
  5. 如請求項1或2之透明導電性膜積層體，其中上述透明導電性膜依序具備第2硬化樹脂層、上述透明樹脂基材、第1硬化樹脂層、光學調整層及上述透明導電層。
  6. 如請求項1或2之透明導電性膜積層體，其中上述透明導電層含有銦-錫複合氧化物。
  7. 一種透明導電性膜之製造方法，其特徵在於具備： 準備步驟，其係分別準備依序具備透明樹脂基材及透明導電層之透明導電性膜、以及依序具備保護樹脂膜及黏著劑層之保護構件； 貼附步驟，其係將上述透明導電性膜及上述保護構件以上述黏著劑層與上述透明導電性膜之上述透明樹脂基材側接觸之方式貼附而獲得透明導電性膜積層體； 加熱步驟，其係對上述透明導電性膜積層體進行加熱，而使上述透明導電層結晶化；及 剝離步驟，其係將上述保護構件自上述加熱步驟後之透明導電性膜剝離；且 上述保護樹脂膜及上述透明樹脂基材之至少一者含有環烯烴系樹脂， 於上述加熱步驟後，滿足下述式(1)及(2)： Y＜0.0003X2.7 (1) 0.2≤Y＜6.0 (2) (式中，X表示含有上述環烯烴系樹脂之上述保護樹脂膜或上述透明樹脂基材之厚度(μm)；其中，於上述保護樹脂膜及上述透明樹脂基材之兩者均含有上述環烯烴系樹脂之情形時，表示厚度較薄者之值； Y表示於拉伸速度10 m/min、剝離角度180°之條件下之上述黏著劑層之剝離力(N/50 mm))。
  8. 如請求項7之透明導電性膜之製造方法，其於上述加熱步驟後且上述剝離步驟前進而具備對透明導電性膜積層體進行光學檢查之光學檢查步驟。
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