TW201936830A

TW201936830A - 遮蔽材

Info

Publication number: TW201936830A
Application number: TW108100950A
Authority: TW
Inventors: 田中俊平; 亀井勝利
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2018-02-16
Filing date: 2019-01-10
Publication date: 2019-09-16
Also published as: KR20190099120A; JP2019145575A; CN110157343A

Abstract

本發明提供一種遮蔽材，其可良好地追隨被遮蔽面之凹凸形狀，且於供於切割步驟時不易產生切削屑、並且於切割時不易剝離但於切割後可容易地剝離。
本發明之遮蔽材具備黏著劑層，該黏著劑層包含活性能量射線硬化型黏著劑，該活性能量射線硬化型黏著劑包含基礎聚合物及自由基捕捉劑，該自由基捕捉劑之含有比例相對於基礎聚合物100重量份為2.5重量份以上且未達25重量份。

Description

遮蔽材

本發明係關於一種遮蔽材。更詳細而言，係關於一種保護供於特定之製造步驟之電子零件之一部分時使用之遮蔽材。

先前，將電子零件供於特定之製造步驟時，出於保護脆弱之部分、無需處理之部分等之目的，利用遮蔽材遮蔽該部分。此時，被遮蔽面有時具有凸塊等凸部而呈凹凸形狀，要求可對凸部追隨性良好地貼附之遮蔽材。

另一方面，作為電子零件之製造步驟，已知有將以大面積加工之電子零件之前體小片化之步驟(切割步驟)。於該切割步驟中，亦存在如下情況：電子零件(電子零件之前體)如上所述般具有凸部，具有該凸部之面被遮蔽。

但是，將具備遮蔽材之電子零件供於切割步驟之情形時，存在自切斷面產生切削屑，該切削屑污染電子零件而於切割後之步驟中產生不良情況等之問題。作為解決此種問題之技術，提出使用具備可藉由紫外線照射而硬化之黏著劑層之遮蔽帶之技術(專利文獻1、2)。該技術中，將遮蔽帶貼附於電子零件前體後，藉由紫外線照射使黏著劑層硬化。藉此，能夠抑制切割時之切削屑產生。但是，於此種遮蔽帶中，會產生如下問題：於切割時容易剝離之問題；若為了防止切割時之剝離而設計，則於切割後難以剝離之問題。
[先前技術文獻]
[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2013-123003號公報
[專利文獻2]日本專利特開2010-212310號公報

[發明所欲解決之問題]

本發明係為了解決上述先前問題而成者，其目的在於，提供一種可良好地追隨被遮蔽面之凹凸形狀且於供於切割步驟時不易產生切削屑並且於切割時不易剝離但於切割後可容易地剝離之遮蔽材。
[解決問題之技術手段]

本發明之遮蔽材具備黏著劑層，該黏著劑層包含活性能量射線硬化型黏著劑，該活性能量射線硬化型黏著劑包含基礎聚合物及自由基捕捉劑，該自由基捕捉劑之含有比例相對於基礎聚合物100重量份為2.5重量份以上且未達25重量份。
一實施形態中，上述基礎聚合物具有包含碳-碳多重鍵之官能基。
一實施形態中，上述自由基捕捉劑為抗氧化劑。
一實施形態中，上述抗氧化劑為受阻酚系抗氧化劑。
一實施形態中，上述黏著劑層於活性能量射線照射後之拉伸彈性模數為5 MPa以上且未達11 MPa。
一實施形態中，將上述遮蔽材之黏著劑層貼附於Si鏡面晶圓並照射活性能量射線後之黏著力為0.04 N/20 mm～0.2 N/20 mm。
一實施形態中，上述遮蔽材用於半導體製造製程。
一實施形態中，上述遮蔽材貼附於具有凸部之面來使用，黏著劑層之厚度與電子零件所具有之凸部之高度之比(黏著劑層/凸部之高度)為1～3。
[發明之效果]

根據本發明，能夠提供一種可良好地追隨被遮蔽面之凹凸形狀且於供於切割步驟時不易產生切削屑並且於切割時不易剝離但於切割後可容易地剝離之遮蔽材。

A. 遮蔽材之全體構成
圖1為本發明之一實施形態之遮蔽材之概略剖視圖。遮蔽材100具備黏著劑層20。一實施形態中，如圖1所示，遮蔽材100具備基材10及配置於基材10之至少單側之黏著劑層20。黏著劑層由活性能量射線硬化型黏著劑構成，黏著劑層可藉由活性能量射線之照射而硬化。作為活性能量射線，例如可列舉：伽馬射線、紫外線、可見光、紅外線(熱射線)、無線電波、α射線、β射線、電子束、電漿流、電離射線、粒子線等。較佳為紫外線。雖然未圖示，但本發明之黏著帶於供於使用之前之期間，出於保護黏著面之目的，可於黏著劑層之外側設置分隔件。另外，遮蔽材可具備任意適當之其他層(未圖示)。例如，圖1中表示基材與黏著劑層接觸之形態，但不限於此，可於基材與黏著劑層之間形成有任意適當之層。

本發明之遮蔽材可於將具有形成有凸部之面(以下，亦稱為凹凸面或被遮蔽面)且該面被遮蔽起來之電子零件供於切割步驟時使用。該步驟中，凹凸面被上述遮蔽材遮蔽起來之狀態之電子零件被切斷分離為元件小片。一實施形態中，上述遮蔽材將黏著劑層貼附於電子零件之凹凸面而使用。另外，於切割步驟時，可於附遮蔽材之電子零件之未被遮蔽之側配置任意適當之切割帶。另外，使用本發明之遮蔽材時，較佳為貼附於被遮蔽面後，照射活性能量射線使黏著劑層硬化後，對被遮蔽之電子零件進行切割。黏著劑層之硬化例如照射累積光量500 mJ/cm² (光源：高壓水銀燈)之紫外線來進行。於上述切斷分離時可使用例如旋轉刀片。一實施形態中，於切割步驟後，經小片化之電子零件以被本發明之遮蔽材遮蔽起來之狀態供於下一步驟(例如，濺鍍處理等金屬膜形成步驟、蝕刻步驟等)。

本發明中，藉由形成較柔軟之黏著劑層，從而能夠獲得容易追隨被遮蔽面之凹凸形狀且可良好地遮蔽被遮蔽面之遮蔽材。另外，黏著劑層以可硬化之方式形成，於將遮蔽材貼附於被遮蔽面後使該等黏著劑層硬化，藉此能夠防止切割步驟中之切削屑之產生。

另外，本發明中，藉由由包含特定量之自由基捕捉劑之活性能量射線硬化型黏著劑構成黏著劑層，從而能夠防止對附遮蔽材之電子零件進行切割時之遮蔽材之剝離。進而，能夠於切割後之步驟中將遮蔽材自電子零件剝離時無殘膠等而良好地進行剝離。本發明之成果之一在於，藉由於活性能量射線硬化型黏著劑中添加特定量之自由基捕捉劑，凹凸追隨性、防止切割時之切削屑、防止切割時之剝離、及切割後之剝離性全部得以滿足。

將本發明之遮蔽材之黏著劑層貼附於Si鏡面晶圓時之初始黏著力較佳為0.5 N/20 mm以上，更佳為1 N/20 mm以上。若為此種範圍，則能夠獲得適合作為電子零件之遮蔽用之遮蔽材。該黏著力低於0.5 N/20 mm之情形時，對被接著體之黏貼較弱，有發生自被接著體浮起之虞。本發明之遮蔽用黏著帶即便貼附於電子零件之凹凸面(例如，半導體封裝體之凸塊形成面)，亦不易剝離。將本發明之遮蔽材之黏著劑層貼附於Si鏡面晶圓時之初始黏著力之上限較佳為30 N/20 mm以下，更佳為20 N/20 mm以下。該初始黏著力超過30 N/20 mm之情形時，有被接著體與黏著劑層之密接性變得過強、於活性能量射線照射後亦不會表現充分之剝離性之虞。再者，初始黏著力係指對遮蔽材照射活性能量射線前之黏著力。本發明中，黏著力根據JIS Z 0237：2000來測定。具體而言，黏著力使用拉伸試驗機(tensilon，島津製作所股份有限公司製造)於25℃、剝離速度300 mm/分鐘、剝離角度：90°之條件下進行測定。

將本發明之遮蔽材之黏著劑層貼附於Si鏡面晶圓並照射活性能量射線後之黏著力較佳為0.04 N/20 mm～0.2 N/20 mm，更佳為0.05 N/20 mm～0.18 N/20 mm，進而較佳為0.08 N/20 mm～0.15 N/20 mm。若為此種範圍，則能夠獲得於將貼附有遮蔽材之電子零件切割時不易剝離並且於切割後可容易地剝離之遮蔽材。作為活性能量射線，例如，可採用累積光量500 mJ/cm² (光源：高壓水銀燈)之紫外線。

照射活性能量射線後之上述遮蔽材之斷裂伸長率較佳為60%以下，更佳為55%以下。若為此種範圍，則於切割時能夠更有效地防止切削屑之產生。於斷裂伸長率超過60%之情形時，有因於切割中黏著劑被刀片牽拉而容易產生鬍鬚狀碎屑之虞。作為活性能量射線，例如可採用累積光量500 mJ/cm² (光源：高壓水銀燈)之紫外線。斷裂伸長率係藉由以下之方法來測定。
＜斷裂伸長率之測定方法＞
使用紫外線照射裝置(日東精機股份有限公司製造，商品名「UM-810」)，對遮蔽材之黏著劑層照射紫外線(波長：355 nm、累積光量500 mJ/cm² )。
對上述評價樣品，使用拉伸試驗機(ORIENTEC公司製造，商品名「RTC-1150A」)，於測定溫度22℃、卡盤間距離10 mm、速度10 mm/分鐘、測定寬度10 mm之條件下測定SS曲線，將評價樣品斷裂時刻之伸長率作為斷裂伸長率。

本發明之遮蔽材之厚度較佳為60 μm～800 μm，更佳為110 μm～600 μm，進而較佳為150 μm～450 μm。遮蔽材之厚度比60 μm薄之情形時，有未埋入凹凸、無法保護被接著體之虞。另外，比800 μm厚之情形時，有作為遮蔽材之處理性變差之虞。

一實施形態中，遮蔽材之厚度為上述電子零件所具有之凸部之高度(例如，50 μm～250 μm)以上。使用如此構成之遮蔽材時，能夠良好地遮蔽具有凹凸面之電子零件。遮蔽材之厚度與電子零件所具有之凸部之高度之比(遮蔽材之厚度/凸部之高度)較佳為1～5，更佳為1.5～4。

B. 黏著劑層
一實施形態中，黏著劑層由活性能量射線硬化型黏著劑構成。活性能量射線硬化型黏著劑包含基礎聚合物及自由基捕捉劑，實用上進而包含任意適當之光聚合起始劑。使用活性能量射線硬化型黏著劑時，於黏貼時為低彈性、柔軟性較高、處理性優異，並且可良好地填埋由半導體封裝體之凸塊導致之凹凸，另一方面，能夠獲得於需要剝離時可藉由照射活性能量射線而使黏著力降低之黏著帶。作為活性能量射線，例如，可列舉：伽馬射線、紫外線、可見光、紅外線(熱射線)、無線電波、α射線、β射線、電子束、電漿流、電離射線、粒子線等。較佳為紫外線。

一實施形態中，作為活性能量射線硬化型黏著劑，使用包含活性能量射線反應性聚合物作為基礎聚合物之活性能量射線硬化型黏著劑(A1)。另一實施形態中，使用包含作為母劑之基礎聚合物及可與該基礎聚合物結合之活性能量射線反應性化合物(單體或低聚物)之活性能量射線硬化型黏著劑(A2)。較佳為上述基礎聚合物具有可與光聚合起始劑反應之官能基。作為該官能基，例如可列舉：羥基、羧基等。較佳為使用活性能量射線硬化型黏著劑(A1)。使用活性能量射線硬化型黏著劑(A1)時，於活性能量射線照射後可形成具有適度之柔軟性之黏著劑層(不易發生過度之高彈性化之黏著劑層)。此種黏著劑層於活性能量射線照射後亦可表現出適當之黏著力。另外，使用活性能量射線硬化型黏著劑(A1)時，如上述能夠容易地形成具有適度之柔軟性及適當之黏著力之黏著劑層。

作為上述黏著劑(A1)中包含之活性能量射線反應性聚合物(基礎聚合物)，例如，可列舉：具有丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有碳-碳多重鍵之官能基之聚合物。作為具有活性能量射線反應性官能基之聚合物之具體例，可列舉由多官能(甲基)丙烯酸酯構成之聚合物；光陽離子聚合型聚合物；聚肉桂酸乙烯酯等含肉桂醯基之聚合物；經重氮化之胺基酚醛清漆樹脂；聚丙烯醯胺；等。較佳使用多官能(甲基)丙烯酸酯。

作為上述多官能(甲基)丙烯酸酯，例如，可列舉：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇七(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇八(甲基)丙烯酸酯、三(羥基乙基)異氰脲酸酯之三(甲基)丙烯酸酯等。

上述黏著劑(A1)亦可進而包含後述之活性能量射線反應性化合物(單體或低聚物)。

作為上述黏著劑(A2)中使用之基礎聚合物，例如，可列舉：天然橡膠、聚異丁烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物橡膠、再生橡膠、丁基橡膠、聚異丁烯橡膠、腈橡膠(NBR)等橡膠系聚合物；聚矽氧系聚合物；丙烯酸系聚合物等。該等聚合物可單獨使用或組合使用2種以上。其中較佳為丙烯酸系聚合物。使用丙烯酸系聚合物時，能夠形成具有適於半導體製程之特性(例如，黏著力、彈性模數等)之黏著劑層。作為丙烯酸系聚合物，可使用上述中說明之丙烯酸系聚合物。

作為上述黏著劑(A2)中可使用之上述活性能量射線反應性化合物，例如可列舉：含有丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有聚合性碳-碳多重鍵之官能基之光反應性之單體或低聚物。作為該光反應性單體之具體例，可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇之酯化物；多官能胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯；低聚酯(甲基)丙烯酸酯等。另外，可使用甲基丙烯醯異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯)、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等單體。作為光反應性之低聚物之具體例，可列舉上述單體之2～5聚體等。

另外，作為上述活性能量射線反應性化合物，可使用環氧化丁二烯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯醯胺、乙烯基矽氧烷等單體；或由該單體構成之低聚物。

進而，作為上述活性能量射線反應性化合物，可使用鎓鹽等有機鹽類與分子內具有複數個雜環之化合物之混合物。該混合物藉由活性能量射線(例如，紫外線、電子射線)之照射，有機鹽裂解而生成離子，其作為起始種而引起雜環之開環反應，從而可形成3維網狀結構。作為上述有機鹽類，例如，可列舉：碘鎓鹽、鏻鹽、銨鹽、鋶鹽、硼酸鹽等。作為上述分子內具有複數個雜環之化合物中之雜環，可列舉：環氧乙烷、氧雜環丁烷、氧雜環戊烷(oxolane)、硫雜環丙烷、氮雜環丙烷等。

上述黏著劑(A2)中，活性能量射線反應性化合物之含有比例相對於基礎聚合物100重量份較佳為0.1重量份～500重量份，更佳為1重量份～300重量份，進而較佳為4重量份～200重量份。

作為上述自由基捕捉劑，只要可獲得本發明之效果，可使用任意適當之自由基捕捉劑。較佳使用作為抗氧化劑而起作用之自由基捕捉劑。作為抗氧化劑，例如，可列舉：酚系抗氧化劑(例如，受阻酚系抗氧化劑、半受阻酚系抗氧化劑、低受阻酚系抗氧化劑)、受阻胺系抗氧化劑等。較佳使用酚系抗氧化劑，更佳使用受阻酚系抗氧化劑。受阻系抗氧化劑與低受阻系抗氧化劑及半受阻系抗氧化劑相比，與自由基之反應速度較低，另一方面，就自由基捕捉性之觀點而言，由於自由基捕捉性依賴於生成之苯氧基自由基之穩定性，因此受阻酚系抗氧化劑較為有利。

作為上述受阻酚系抗氧化劑，例如可列舉：季戊四醇四[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、2,6-二-第三丁基-4-甲基苯酚、2,5-二-第三丁基氫醌、N,N'-六亞甲基雙(3,5-二-第三丁基-4-羥基氫化肉桂醯胺、3,5-二-第三丁基-4-羥基-苄基膦酸酯-二乙酯、2,4-雙[(辛基硫代)甲基]-鄰甲酚、2,6-二-第三丁基-4-乙基苯酚、2,2'-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、2,2'-亞甲基雙(4-乙基-6-第三丁基苯酚)、4,4'-亞丁基雙(3-甲基-6-第三丁基苯酚)、2,5-二-第三戊基氫醌、2-第三丁基-6-(3-丁基-2-羥基-5-甲基苄基)-4-甲基苯基丙烯酸酯、4,4'-亞丁基雙(3-甲基-6-第三丁基苯酚)、1,3,5-三(3',5'-二-第三丁基-4-羥基苄基)異氰脲酸、1,1,3-三(2-甲基-4-羥基-5-第三丁基苯基)丁烷等。其中較佳為季戊四醇四[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]。使用該受阻酚系抗氧化劑時，本申請發明之效果變得更顯著。

上述自由基捕捉劑之含有比例相對於基礎聚合物100重量份為2.5重量份以上且未達25重量份。若為此種範圍，則能夠獲得凹凸追隨性、防止切割時之切削屑、防止切割時之剝離、及切割後之剝離性全部滿足之遮蔽材。更詳細而言，藉由將自由基捕捉劑設為2.5重量份以上，可防止切割時之剝離，藉由設為未達25重量份，能夠獲得剝離性優異之遮蔽材。自由基捕捉劑之含有比例相對於基礎聚合物100重量份較佳為3重量份～23重量份，更佳為3重量份～20重量份，進而較佳為4重量份～8重量份。若為此種範圍，則能夠獲得切割時之遮蔽性優異、並且需要剝離之情形時表現出良好之剝離性之遮蔽材。

上述活性能量射線硬化型黏著劑根據需要可包含任意適當之添加劑。作為該添加劑，例如，可列舉：光聚合起始劑、交聯劑、觸媒(例如，鉑觸媒)、增黏劑、塑化劑、顏料、染料、填充劑、防老化劑、導電材料、紫外線吸收劑、光穩定劑、剝離調整劑、軟化劑、界面活性劑、阻燃劑、溶劑等。

一實施形態中，上述活性能量射線硬化型黏著劑進而包含交聯劑。作為交聯劑，例如，可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、螯合劑系交聯劑等。交聯劑之含有比例相對於活性能量射線硬化型黏著劑中包含之基礎聚合物100重量份較佳為0.01重量份～10重量份，更佳為0.02重量份～5重量份，進而較佳為0.025重量份～0.5重量份。藉由交聯劑之含有比例，能控制黏著劑層之柔軟性，其結果，能夠獲得可充分地發揮本發明之效果之黏著帶。

上述黏著劑層之活性能量射線照射前之22℃下之彈性模數較佳為0.8 MPa以下，更佳為0.01 MPa～0.5 MPa，進而較佳為0.02 MPa～0.3 MPa。該彈性模數未達0.01 MPa時，有黏著劑層之流動性變得過高從而黏著劑變得容易流動、無法保持作為黏著劑層之形狀之虞。另外，大於0.8 MPa時，有無法充分地填埋被接著體之凹凸、無法保護被接著體之虞。彈性彈性模數藉由拉伸試驗來測定。拉伸試驗中，使用拉伸試驗機(ORIENTEC公司製造，商品名「RTC-1150A」)，於測定溫度22℃、卡盤間距離10 mm、速度10 mm/分鐘之條件下測定SS曲線。自該SS曲線之上升段求出初始彈性模數，將其作為黏著劑層之彈性模數。

上述黏著劑層之上述活性能量射線照射後之22℃下之彈性模數較佳為1 MPa～50 MPa，更佳為1 MPa～40 MPa，進而較佳為1 MPa～30 MPa，特別較佳為1 MPa～15 MPa。若為此種範圍，則可獲得能夠防止切割時之剝離及切削屑之產生並且於切割後可容易地剝離之遮蔽材。作為活性能量射線，例如，可採用累積光量500 mJ/cm² (光源：高壓水銀燈)之紫外線。該彈性模數未達1 MPa之情形時，有於切割中發生黏著劑成分之拉絲、污染被加工物之虞。另外，該彈性模數超過50 MPa之情形時，對被加工物之密接性變低，有發生不需要之剝離、產生遮蔽不良之虞。

上述黏著劑層之厚度較佳為10 μm～500 μm，更佳為30 μm～300 μm，進而較佳為50 μm～250 μm。黏著劑層之厚度比10 μm薄之情形時，有未埋入凹凸而無法保護被接著體之虞。另外，比500 μm厚之情形時，有作為遮蔽材之處理性變差之虞。

一實施形態中，上述黏著劑層之厚度為上述電子零件所具有之凸部之高度(例如，50 μm～250 μm)以上。使用如此構成之遮蔽材時，能夠良好地遮蔽具有凹凸面之電子零件。黏著劑層之厚度與電子零件所具有之凸部之高度之比(黏著劑層之厚度/凸部之高度)較佳為1～3，更佳為1.2～2。

C. 基材
上述基材可由任意適當之樹脂構成。作為該樹脂，例如，可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚醯亞胺、聚醚酮、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、氟樹脂、矽樹脂、纖維素系樹脂、及該等之交聯體等。

上述基材之厚度較佳為50 μm～300 μm，更佳為80 μm～250 μm，進而較佳為100 μm～200 μm。若為此種範圍，則具有適當之剛性，黏貼操作容易，並且能夠獲得處理性優異之遮蔽材。

對於上述基材之表面，為了提高與鄰接之層之密接性、及保持性等，可實施任意表面處理。作為上述表面處理，例如，可列舉：鉻酸處理、臭氧曝露、火焰曝露、高壓電擊曝露、離子化輻射處理等化學性處理或物理性處理、塗佈處理。

D. 遮蔽材之製造方法
上述遮蔽用黏著帶可藉由任意適當之方法來製造。遮蔽用黏著帶例如可藉由於分隔件上塗佈黏著劑溶液，將其乾燥從而於分隔件上形成黏著劑層後將其貼合於基材之方法而獲得。另外，可於基材上塗佈上述黏著劑溶液並將其乾燥而獲得遮蔽用黏著帶。作為黏著劑溶液之塗佈方法，可採用棒塗機塗佈、氣刀塗佈、凹版塗佈、凹版反向塗佈、逆轉輥塗佈、唇式塗佈、模塗佈、浸漬塗佈、膠版印刷、柔版印刷、絲網印刷等各種方法。作為乾燥方法，可採用任意適當之方法。一實施形態中，上述黏著劑層可經過任意適當之硬化處理而形成。
實施例

以下，藉由實施例具體地對本發明進行說明，但本發明不限定於該等實施例。另外，於實施例中，只要未特別提及，則「份」及「%」為重量基準。

[製造例1]基礎聚合物之製造
將丙烯酸2-乙基己酯88.8份、丙烯酸2-羥基乙酯11.2份、過氧化苯甲醯(BPO)0.225份混合，以固形物成分濃度成為39%之方式用甲苯進行稀釋，製備單體組合物。
將該單體組合物投入至於1 L圓底可分離燒瓶中裝備有可分離蓋、分液漏斗、溫度計、氮氣導入管、李比希冷凝器、真空密封裝置(vacuum seal)、攪拌棒、攪拌葉片之聚合用實驗裝置中，一面攪拌一面進行6小時氮氣置換。然後，於流入氮氣下，一面攪拌一面於59.5℃下保持6小時進行聚合，然後於78℃進行2 h熟化，獲得樹脂溶液(預聚物)。
將獲得之樹脂溶液冷卻至室溫。然後，向該樹脂溶液中加入甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯(昭和電工股份有限公司製造，商品名「Karenz MOI」)12份。進而添加二月桂酸二丁基錫IV(和光純藥工業股份有限公司製造)0.0614份，於空氣氣氛下，於50℃下攪拌24小時，獲得基礎聚合物。

[實施例1]
將製造例1中獲得之基礎聚合物100重量份、聚異氰酸酯交聯劑(Nippon Polyurethane Industry公司製造，商品名「CORONATE L」)0.025重量份、輕剝離化劑(第一工業製藥股份有限公司製造，商品名「Epan 710」)0.5重量份、光聚合起始劑(Ciba Japan公司製造，商品名「Irgacure 369」)0.5、及受阻酚系抗氧化劑(Ciba Japan公司製造，商品名「IRGANOX 1010」)3重量份混合，獲得活性能量射線硬化型黏著劑。
對於獲得之活性能量射線硬化型黏著劑，於作為分隔件之PET膜(三菱樹脂股份有限公司製造，商品名「MRF38」：厚度38 μm)之聚矽氧處理面上塗佈黏著劑組合物，然後，將塗佈層於130℃下加熱5分鐘使其乾燥，形成厚度210 μm之黏著劑層。接著，將該黏著劑層貼合於經電暈處理之PET基材(Toray Industries公司製造，商品名Lumirror S10厚度：125 μm)，獲得遮蔽用黏著帶。

[實施例2]
將調配於活性能量射線硬化型黏著劑中之自由基捕捉劑(抗氧化劑)之含有比例設為10重量份，除此以外，以與實施例1同樣之方式，獲得遮蔽材。

[實施例3]
將調配於活性能量射線硬化型黏著劑中之自由基捕捉劑(抗氧化劑)之含有比例設為20重量份，除此以外，以與實施例1同樣之方式，獲得遮蔽材。

[實施例4]
使用受阻酚系抗氧化劑(ADEKA公司製造，商品名「ADK STAB AO-20」)10重量份代替受阻酚系抗氧化劑(Ciba Japan公司製造，商品名「IRGANOX 1010」)3重量份，除此以外，以與實施例1同樣之方式，獲得遮蔽材。

[實施例5]
使用受阻酚系抗氧化劑(ADEKA公司製造，商品名「ADK STAB AO-80」)10重量份代替受阻酚系抗氧化劑(Ciba Japan公司製造，商品名「IRGANOX 1010」)3重量份，除此以外，以與實施例1同樣之方式，獲得遮蔽材。

[實施例6]
使用受阻酚系抗氧化劑(ADEKA公司製造，商品名「ADK STAB AO-330」)10重量份代替受阻酚系抗氧化劑(Ciba Japan公司製造，商品名「IRGANOX 1010」)3重量份，除此以外，以與實施例1同樣之方式，獲得遮蔽材。

[比較例1]
活性能量射線硬化型黏著劑中不調配自由基捕捉劑(抗氧化劑)，除此以外，以與實施例1同樣之方式，獲得遮蔽材。

[比較例2]
將調配於活性能量射線硬化型黏著劑中之自由基捕捉劑(抗氧化劑)之含有比例設為2重量份，除此以外，以與實施例1同樣之方式，獲得遮蔽材。

[比較例3]
將調配於活性能量射線硬化型黏著劑中之自由基捕捉劑(抗氧化劑)之含有比例設為25重量份，除此以外，以與實施例1同樣之方式，獲得遮蔽材。

＜評價＞
表1中表示將實施例及比較例中獲得之遮蔽材供於下述評價之結果。
(1)黏著力
將遮蔽材切斷為長度150 mm×寬度20 mm之長條狀，製作樣品片。
於23℃下、將剝離了分隔件之上述樣品片黏貼於經鏡面處理之矽晶圓(信越半導體股份有限公司製造，商品名「CZN＜100＞2.5-3.5」，直徑4英吋)。黏貼部分設為長度80 mm×寬度20 mm。
將於無載荷、23℃氣氛下靜置了30分鐘之樣品作為紫外線照射前樣品。
另外，對上述樣品片自基材側於下述條件下照射紫外線，製成紫外線照射後樣品。
＜紫外線照射條件＞
紫外線照射裝置：日東精機股份有限公司製造，商品名：UM810
光源：高壓水銀燈
照射強度：50 mW/cm² (測定機器：USHIO公司製造「紫外線照度計UT-101」)
照射時間：10秒
累積光量：500 mJ/cm²
對上述紫外線照射前樣品及紫外線照射後樣品，依據JIS Z 0237，於下述之條件下進行90℃剝離試驗，測定遮蔽材之黏著力。
＜90℃剝離試驗＞
重複試驗數：3次
溫度：23℃
剝離角度：90度
剝離速度：300 mm/min
初始長度(卡盤間隔)：150 mm

(2)紫外線照射前之黏著劑層之彈性模數
於1對PET分隔件間形成黏著劑層(厚度20 μm)。
取出黏著劑層，將取出之黏著劑層切割成50 mm×30 mm，以氣泡不會進入之方式磨圓，製作長度30 mm/直徑1.13 mm之棒狀樣品。
對於棒狀樣品之拉伸彈性模數，使用拉伸試驗機(ORIENTEC公司製造，商品名「RTC-1150A」)，於測定溫度22℃、卡盤間距離10 mm、速度10 mm/min之條件下測定SS曲線，由SS曲線之上升段求出初始彈性彈性模數，將其作為黏著劑層之紫外線照射前之彈性模數。

(3)紫外線照射後之黏著劑層之彈性模數
於1對PET分隔件間形成黏著劑層(厚度20 μm)。
於上述評價(1)之＜紫外線照射條件＞下，對黏著劑層照射紫外線。將紫外線照射後之黏著劑層切割成10 mm×30 mm之尺寸，將其作為評價樣品。
對於評價樣品之彈性模數，使用拉伸試驗機(ORIENTEC公司製造，商品名「RTC-1150A」)，於測定溫度22℃、卡盤間距離10 mm、速度10 mm/min之條件下測定SS曲線，由SS曲線之上升段求出初始彈性模數，將其作為紫外線照射後之黏著劑層之彈性模數。

(4)凸塊埋入性
將分隔件自附分隔件之遮蔽材(長度50 mm×寬度20 mm)剝離，將黏著劑層貼合於具有高度120 μm之凸塊之8英吋晶圓(貼合條件：使用手動輥，於0.5 kg之壓力下以50 mm/sec往返1次)。接著，使用紫外線照射裝置(日東精機股份有限公司製造，商品名「UM-810」)，自基材側照射紫外線(波長：355 nm、累積光量：500 mJ/cm² )。
然後，用光學顯微鏡(50倍)觀察遮蔽材對凸塊之追隨性。將良好地追隨凸塊而未產生空隙之情形記為合格(表中○)，將對高度差之追隨性較差、產生空隙之情形記為不合格(表中×)。

(5)切割性
自附分隔件之遮蔽材將分隔件剝離，將黏著劑層貼合於具有高度120 μm之凸塊之Si鏡面晶圓之整個單面，獲得附遮蔽材之晶圓。然後，使用紫外線照射裝置(日東精機股份有限公司製造，商品名「UM-810」)對遮蔽材照射紫外線(波長：355 nm、累積光量：500 mJ/cm² )。接著，將切割用黏著片(日東電工股份有限公司製造，商品名「NBD-7163K」)貼附於附遮蔽材之晶圓之晶圓側。
接著，自附遮蔽材之晶圓之遮蔽材側，於以下之條件下進行切割，按照下述之基準評價切割性。
＜切割條件＞
切割器：DISCO公司製造之DID-6450
刮刀：DISCO公司製造之P1A861 SDC320N75BR597
刮刀轉速：40000 rpm
切割速度：100 mm/秒
切割尺寸：2.5 mm×2.5 mm
切割模式：逆銑
切割用黏著帶切口：85 μm
水量：1 L/min
＜評價基準＞
將切割時遮蔽材未自晶圓剝離並且不產生切削屑之情形記為合格(表中○)。
將切割時遮蔽材自晶圓剝離之情形及/或產生切削屑之情形記為不合格(表中×)。

(6)剝離性
於上述(5)之切割後，將黏著帶(日東電工股份有限公司製造，商品名「BT-315」)貼合於遮蔽材之露出面(使用黏貼裝置(Taisho Laminator公司製造)之橡膠製層壓輥，速度0.6 m/min、輥溫度25℃、載荷0.5 MPa)。
接著，使用Tensilon拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司製造，商品名「AGS-J」)，以剝離速度300 mm/min、利用T剝離法嘗試上述黏著帶之剝離，藉此對遮蔽材之剝離性進行評價。將遮蔽材與黏著帶一起被剝離之情況記為合格(表中○)，將僅黏著帶剝離，遮蔽材停留於半導體晶圓上之情形記為不合格(表中×)。

(7)殘膠
進行上述(6)之剝離性評價後，用顯微鏡觀察帶剝離後之半導體晶圓表面側，將未觀察到殘膠之情形記為合格(表中○)，將觀察到殘膠之情形記為不合格(表中×)。

[表1]
[產業上之可利用性]

本發明之遮蔽材可適合用於供於切割步驟之電子零件之遮蔽。

10‧‧‧基材

20‧‧‧黏著劑層

100‧‧‧遮蔽材

圖1為本發明之一實施形態之遮蔽材之概率剖視圖。

Claims

一種遮蔽材，其具備黏著劑層，該黏著劑層包含活性能量射線硬化型黏著劑，該活性能量射線硬化型黏著劑包含基礎聚合物及自由基捕捉劑，該自由基捕捉劑之含有比例相對於基礎聚合物100重量份為2.5重量份以上且未達25重量份。
如請求項1之遮蔽材，其中上述基礎聚合物具有包含碳-碳多重鍵之官能基。
如請求項1之遮蔽材，其中上述自由基捕捉劑為抗氧化劑。
如請求項2之遮蔽材，其中上述自由基捕捉劑為抗氧化劑。
如請求項3或4之遮蔽材，其中上述抗氧化劑為受阻酚系抗氧化劑。
如請求項1之遮蔽材，其中上述黏著劑層於活性能量射線照射後之拉伸彈性模數為5 MPa以上且未達11 MPa。
如請求項1之遮蔽材，其中將上述遮蔽材之黏著劑層貼附於Si鏡面晶圓並照射活性能量射線後之黏著力為0.04 N/20 mm～0.2 N/20 mm。
如請求項1之遮蔽材，其用於半導體製造製程。
如請求項1之遮蔽材，其貼附於具有凸部之面而使用，黏著劑層之厚度與電子零件所具有之凸部之高度之比(黏著劑層之厚度/凸部之高度)為1～3。