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TW201611154A - 晶圓負載及卸載 - Google Patents

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TW201611154A
TW201611154A TW104118956A TW104118956A TW201611154A TW 201611154 A TW201611154 A TW 201611154A TW 104118956 A TW104118956 A TW 104118956A TW 104118956 A TW104118956 A TW 104118956A TW 201611154 A TW201611154 A TW 201611154A
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TW
Taiwan
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wafer
end effector
chamber
head
bracket
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TW104118956A
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English (en)
Inventor
曼達 德斯芬達
Original Assignee
維克儀器公司
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Abstract

本發明係關於一種將晶圓(例如，矽晶圓)及其托架負載至負載鎖定系統之互鎖室中及從其中卸載之自動化處理系統。該晶圓處理系統包括一藉由其底表面處理晶圓及托架二者從而避免與晶圓之頂表面接觸之末端執行器。在真空條件下將位於托架上之晶圓自互鎖室移至加工室中。將位於托架上之經加工晶圓自加工室往回移至互鎖室中且在大氣條件下藉由自動化處理系統自互鎖室移出。

Description

晶圓負載及卸載 相關申請案之交叉參考
本申請案主張標題為「Wafer Loading And Unloading」及在2014年6月11日申請之美國非臨時專利申請案第14/301,459號之優先權，該案具體而言針對所有其所揭示或教示內容以引用的方式併入本文中。
本發明大體上係關於包括用於將晶圓(例如，矽晶圓)及其托架負載至負載鎖定室中及從其中卸載之自動化處理系統之晶圓處理系統。
晶圓處理及加工設備之使用者期望該等系統相當地簡單且廉價，佔據最小的佔地面積，可在產生最少污染(例如，顆粒)的情況下操作，且具有短的轉移時間以便使週期時間減至最短。已知用於處理半導體加工系統中之晶圓的各種系統，包括視需要操縱晶圓之自動化系統。然而，仍需要改良。
所述技術係關於包括可將晶圓及晶圓托架移至負載鎖定室中且從其中移出之自動化末端執行器之晶圓負載及卸載系統。所述技術之實例實施案提供包括用於將晶圓(例如，矽晶圓)及其托架負載至負載鎖定室中並從其中卸載之自動化處理系統之晶圓加工系統。晶圓處理系統包括一具有兩個藉由其底表面處理晶圓及托架從而避免與晶圓之頂表面接觸之末端執行器之自動機器。在真空條件下將位於托架上之 晶圓自負載鎖定室移至加工室中。將位於托架上之經加工晶圓自加工室往回移至負載鎖定室中且在大氣條件下藉由自動化處理系統自負載鎖定室移出。
藉由閱讀以下詳細描述當可明瞭此等及各種其他特徵及優點。
本【發明內容】係提供用來以簡化形式引介以下於【實施方式】中進一步描述之所選概念。本【發明內容】既不欲指出所主張標的之關鍵特徵或基本特徵，亦不欲用於限制所主張標的之範疇。
本文中亦描述並引用其他實施案。
100‧‧‧加工系統
102‧‧‧傳遞室
104‧‧‧製程模組
106‧‧‧大氣處理站
108‧‧‧晶圓儲存盒
110‧‧‧晶圓
110a‧‧‧未加工晶圓
110b‧‧‧經加工晶圓
112‧‧‧托架儲存盒
114‧‧‧托架
114a‧‧‧未使用托架
114b‧‧‧已使用托架
116‧‧‧負載鎖定室
118‧‧‧末端執行器
120‧‧‧末端執行器
122‧‧‧垂直定向提升頭
200‧‧‧負載鎖定系統
202‧‧‧互鎖室
203‧‧‧內部體積
204‧‧‧托架板
206‧‧‧垂直定向提升頭
207‧‧‧軸件
208‧‧‧晶圓接納部件
209‧‧‧凹穴
210‧‧‧晶圓
210a‧‧‧頂表面
210b‧‧‧底表面
210c‧‧‧側邊緣
212‧‧‧感測器
214‧‧‧托架
215‧‧‧凹穴
300‧‧‧負載鎖定系統
302‧‧‧互鎖室
304‧‧‧托架板
305‧‧‧凹穴
306‧‧‧垂直定向提升頭
307‧‧‧軸件
308‧‧‧晶圓接納部件
309‧‧‧凹穴
310‧‧‧晶圓
310a‧‧‧頂表面
310b‧‧‧底表面
314‧‧‧托架
314a‧‧‧頂表面
314b‧‧‧底表面
315‧‧‧凹穴
318‧‧‧末端執行器
400‧‧‧負載鎖定系統
402‧‧‧互鎖室
404‧‧‧托架板
406‧‧‧垂直定向提升頭
407‧‧‧軸件
408‧‧‧晶圓接納部件
409‧‧‧凹穴
410‧‧‧晶圓
410a‧‧‧頂表面
410b‧‧‧底表面
414‧‧‧托架
414b‧‧‧底表面
415‧‧‧凹穴
418‧‧‧末端執行器
500‧‧‧方法
502‧‧‧操作
504‧‧‧操作
506‧‧‧操作
510‧‧‧方法
512‧‧‧操作
514‧‧‧操作
516‧‧‧操作
600‧‧‧方法
602‧‧‧操作
604‧‧‧操作
606‧‧‧操作
608‧‧‧操作
610‧‧‧操作
622‧‧‧操作
624‧‧‧操作
626‧‧‧操作
628‧‧‧操作
630‧‧‧操作
圖1係晶圓加工系統之示意圖。
圖2係其中具有晶圓及托架之負載鎖定室之複合側視示意圖及橫截面視圖。
圖3A至3J示意性地逐步繪示將托架及晶圓負載至負載鎖定室中之實例方法。
圖4A至4J示意性地逐步繪示將晶圓及托架從負載鎖定室卸載之實例方法。
圖5係概述提升晶圓之方法之流程圖。
圖6係概述將托架輸入至負載鎖定室中之方法之流程圖。
本說明係關於包括用於將晶圓(例如，矽晶圓)及其托架負載至負載鎖定室中及從其中卸載之自動化處理系統之晶圓加工系統。該晶圓處理系統包括一藉由其底表面處理晶圓及托架二者從而避免與晶圓之頂表面接觸之末端執行器。在真空條件下將位於托架上之晶圓自負載鎖定室移至加工室中。將位於托架上之經加工晶圓自加工室往回移至負載鎖定室中且在大氣條件下藉由自動化處理系統自負載鎖定室移出。於負載鎖定室中存在將晶圓移動(例如，提升及降低)進出托架之 垂直定向提升頭。
積體電路係由形成於半導體材料之薄片(稱作晶圓)上之許多半導體裝置(諸如電晶體及二極體)形成。用於在晶圓上製造半導體裝置之一些方法涉及將晶圓定位於各種加工室中，於其中建立、圖案化、移除各種層及特徵等，以在晶圓上形成半導體特徵。為在晶圓上形成該等積體電路，將晶圓負載至加工室中。然而，由於晶圓極脆且易受微粒污染，故必須極度小心以避免在輸送時實體損傷晶圓。為避免在輸送過程中損傷晶圓，已開發出各種晶圓拾取裝置。
使用利用自動機器之全自動化晶圓處理設備係大量半導體製造中所常見。在此類型處理設備中，自動機器將晶圓自維持在大氣壓下之稱作FOUPS或SMIFS之匣移至在一些實施案中處於真空下之加工室中。因此，需要包括具有其專用自動機器之大氣處理側及具有其專用自動機器之真空處理側的精密架構；亦需要各種真空隔離閥及室。
不同於標準半導體工業，此自動化之精密程度更為複雜且對於諸如化合物半導體MOCVD系統之特定類型的製程設備而言不具成本效益。複雜度的引入乃因不同於僅轉移晶圓之標準半導體系統，此等系統需將晶圓連同晶圓托架或載具一起轉移至加工室中。此使得在自動化製程中需要一將晶圓負載至此晶圓托架或載具上及自其卸載之額外步驟。達成此負載或卸載可能需要額外的自動機器及夾具，從而驅使設備成本變高。達成此步驟之一較簡單具成本效益之解決辦法可容許針對此類型製程設備更具成本效益地使用標準自動化設備。
本發明提供一種用於晶圓及在加工期間支撐晶圓之托架之處理系統。
在以下描述中，參考形成本發明之一部分且其中經由圖解展示至少一個特定實施例之附圖。以下描述提供額外特定實施例。應瞭解涵蓋其他實施例且可在不脫離本發明之範疇或精神下進行。因此，以 下詳細描述並不具限制意味。雖然本發明不因此受限，但通過下文所提供論述當可明瞭本發明之各種態樣。
如本文所用，除非本文清楚地另作指明，否則單數形式「一」、「一個」及「該」涵蓋具有複數指代物之實施例。如本說明書及申請專利範圍中所用，除非本文清楚地另作指明，否則術語「或」一般係以包括「及/或」之含義使用。
包括(但不限於)「下方」、「上方」、「於...下」、「低於」、「高於」、「於頂部」等等之空間相關術語若用於本文，則係為容易描述起見而用來描述一或多個元件相對於另一者之空間關係。此等空間相關術語涵蓋裝置之除圖式中所描繪及文中所述之特定定向外之不同定向。例如，若顛倒或翻轉圖式中所描繪之結構，則先前經描述為低於其他元件或於其他元件下之部分將變為高於彼等其他元件或於彼等其他元件之上。
轉向圖1，說明加工系統100，其具有整合式負載鎖定室116。系統100包括可操作地連接至至少一個製程模組104之傳遞室102。在所說明實施案中，顯示三個製程模組104。各製程模組104可係進行(例如)CVD(化學氣相沈積)、MOCVD(金屬有機CVD)、離子束沈積、化學蝕刻、離子研磨、物理氣相沈積、DLC(類金剛石碳)沈積、或其他加工操作之模組。傳遞室102係在使用中於一些實施案中處於真空下(即，具有低於大氣壓之內部壓力)之密封室。
系統100亦具有大氣處理站106，在所說明實施案中，其包括其中用於儲存晶圓110之晶圓儲存盒108及其中用於儲存托架114之托架儲存盒112。盒108、112中之各者經定尺寸及成形以分別固持一疊晶圓110及托架114。晶圓儲存盒108包括一用於儲存一疊未加工晶圓110a之盒及另一用於接納經加工晶圓110b之盒。同樣地，托架儲存盒112具有一用於儲存一疊未使用托架114a之盒及另一用於接納已使用 托架114b之盒。一些實施案可在處理站106使用外部對準器來進行盒108中晶圓110之製程前及/或製程後對齊。
負載鎖定室116連接傳遞室102與處理站106。負載鎖定室116係可變壓力互鎖室，其當打開且連接至處理站106時處於大氣壓，及當打開且連接至傳遞室102時處於真空條件。
具有末端執行器118之自動化臂經結構設計以將晶圓110自盒108及將托架114自盒112移至負載鎖定室116。類似地，具有末端執行器120之自動化臂經結構設計以將固持晶圓110之托架114自負載鎖定室116移至傳遞室102。末端執行器118、120及其適當的自動化臂係經安裝以可自負載鎖定室116無障礙地移入及移出。在一些實施案中，末端執行器118、120係樞轉線性自動機器之一部分。
末端執行器118、120係經成形及定尺寸以藉由其底表面支撐一個晶圓110或一個托架114；亦即，晶圓110或托架114安置於末端執行器118、120上。圖1中末端執行器118、120經顯示為彎曲叉，然應瞭解其他構形亦適宜；例如，末端執行器118或120可係筆直叉或具有例如2或4個叉齒之彎曲或弓狀叉，或一或兩個末端執行器118、120可係漿葉式。末端執行器118、120之其他設計包括彼等具有真空吸力機制或邊緣抓取機制者。末端執行器120可與末端執行器118相同或相異。
負載鎖定室116中亦存有垂直定向提升頭122。提升頭122於負載鎖定室116中與晶圓110之頂表面接合且將晶圓110移動(例如，提升及降低)至托架114上及自托架114移去。在一些實施案中，垂直定向提升頭122具有自動對齊特徵，以利於在晶圓110移動期間恰當地對齊晶圓110且/或使其置中。
基於其結構，系統100利用末端執行器藉由其底表面支撐晶圓，將晶圓輸入至負載鎖定室中，使用垂直定向提升頭提升晶圓離開末端執行器，使晶圓與托架之頂表面中之凹穴對齊，及自該提升頭釋放晶 圓進入至凹穴中。系統100亦藉由提升頭自凹穴提高晶圓，使晶圓安置於末端執行器上，及自負載鎖定室移出晶圓。
圖2顯示包括具有內部體積203之互鎖室202之負載鎖定系統200之視圖。室202中存在托架板204及具有支撐具有凹穴209之晶圓接納部件208之軸件207之垂直定向提升頭206。接納部件208可透過軸件207相對室202之內部體積203垂直地調整。在圖2中，顯示晶圓210支撐於接納部件208之凹穴209中。晶圓210具有最終將進行加工或已加工之頂表面210a；頂表面210a係位在凹穴209中。晶圓210亦具有經暴露之相對底表面210b及連接頂表面210a與底表面210b之側邊緣210c。在所說明之實施案中，晶圓210具有斜側邊緣210c；其他實施案可能具有筆直邊緣或不同的斜邊緣或倒角邊緣之晶圓。
提升頭206之接納部件208藉由與頂表面210a之非接觸接合支撐晶圓210於凹穴209中，以抑制污染頂表面210a；接納部件208可接觸或可不接觸晶圓210之全部或一部分側邊緣210c。接納部件208或凹穴209中之任一者或二者可具有有利於使晶圓210於x-y定向中自動對齊接合於凹穴209中之自動對齊特徵，諸如錐形或倒角；該自動對齊特徵可係環狀或可僅存在於接納部件208之一部分。用來提升並固持晶圓210於凹穴209中之機制之實例包括靜電力、磁力、真空或壓力、及氣動力。一些實施案亦可利用提升銷來接合晶圓210。
適宜接納部件208之一特定實例係伯努利(Bernoulli)頭，有時稱作伯努利棍。伯努利頭利用噴射氣流來產生致使緊鄰晶圓210上方之壓力小於緊鄰晶圓210下方在底表面210b處之壓力之在晶圓210之頂表面210a上方的氣流形態。壓力差由於由伯努利頭形成之向上「提升」力或吸力引起晶圓210接合至凹穴209中。於凹穴209中產生提升力之相同噴射氣流產生甚至更大的排斥力來防止頂表面210a實體接觸伯努利頭。結果，可相對頂表面210a以實質上非接觸的方式懸置晶圓。此 外，在所說明負載鎖定系統200中，晶圓210因凹穴209之直徑窄化或錐縮化而無法進入至凹穴209較深處。
與垂直定向提升頭206對置地，於托架板204上存在經結構設計用於在加工晶圓210期間接納並支撐晶圓210之托架214。托架214包括用於在其中接納晶圓210，特定言之在其中接納晶圓210之底表面210b之凹穴215。
系統200中亦存在感測器212，在此實施案中係安裝在室202之壁上。各感測器212可係用來監測系統200之任何誤差，諸如晶圓210與提升頭208或凹穴209、與托架214中之凹穴215等等之誤對齊之任何適宜感測器(諸如目測、雷射、振動式等等)。
圖3A至3J逐步說明一種使用末端執行器(諸如自動化末端執行器)將托架及晶圓負載至負載鎖定系統300中之方法。末端執行器在輸送期間藉由其底表面支撐托架及晶圓二者，從而避免實體接觸其頂表面。另外，負載鎖定系統300包括以相對於晶圓之頂表面之實質上非接觸方式藉由其頂表面輸送晶圓之垂直定向提升頭。
在圖3A中，顯示負載鎖定系統300，系統300包括具有托架板304及正中位於托架板304上方之垂直定向提升頭306之互鎖室302。提升頭306具有支撐具有用於接納晶圓之凹穴309之晶圓接納部件308之軸件307。
在圖3B中，使具有頂表面314a與位於其中之凹穴315及底表面314b之托架314支撐於末端執行器318上地帶至互鎖室302中。末端執行器318藉由其底表面314b支撐托架314，從而避免與其頂表面314a實體接觸。此托架314之特定實施案具有在底表面314b上之特徵為有利於藉由末端執行器318，尤其藉由可在托架314之各側上配置叉齒之叉形末端執行器提升之凸耳、唇、凸片或耳之特徵。
在圖3C中，顯示托架314藉由末端執行器318置於托架板304上， 仍顯示藉由其底表面314b支撐托架板304。托架板304及/或托架314可包括有利於托架314恰當對齊於托架板304上之對齊或安置特徵。在所說明實施案中，托架板304具有托架314安置於其中之錐縮凹穴305。如上所示，叉形末端執行器318可有效地藉由保持叉齒位於托架板304之各側上而輕輕地將托架314置於托架板304上。凹穴305足夠地大且深，以使得末端執行器318不會妨礙托架314之安置於托架板304上，及使得末端執行器318可從托架314下方輕易地取出，如圖3D中所說明。
在圖3D中，顯示末端執行器318從托架314下方移去，以使得托架314在互鎖室302中受托架板304支撐。在此圖中，末端執行器318已藉由其自動化臂自互鎖室302及負載鎖定系統300移出。
圖3E顯示受被帶至互鎖室302中之末端執行器318支撐之具有頂表面310a及底表面310b之晶圓310。晶圓310在末端執行器318上達成平衡且藉由末端執行器318正中位於晶圓接納部件308之凹穴309下方。
在圖3F中，藉由軸件307降低提升頭306，以使得晶圓接納部件308之凹穴309與晶圓310之頂表面310a緊密接近。在此階段，晶圓310之底表面310b仍與末端執行器318接觸。晶圓接納部件308經啟動(例如，就伯努利頭而言，啟動噴射)以使得晶圓310被接納及支撐於凹穴309中而在晶圓接納部件308與頂表面310a間無實體接觸；與晶圓310之任何接觸(若有的話)係與晶圓之邊緣。其頂表面310a與晶圓接納部件308無實體接觸之晶圓310的位置可係歸因於部件308之提升機制、凹穴309之形狀、或兩者之組合。
在圖3G中，升高提升頭306與由其支撐之晶圓310以提升晶圓310之底表面310b離開末端執行器318。
在圖3H中，自互鎖室302移出末端執行器318，留下晶圓310懸置於托架314上方之晶圓接納部件308中且與凹穴315對齊。
在圖3I中，降低提升頭306與由其支撐之晶圓310且使晶圓310安置於托架314之凹穴315中，特定言之，使晶圓310之底表面310b安置於凹穴315中。在一些實施案中，凹穴315可係斜截或倒角的，以進一步有利於使晶圓310正中進入至凹穴315中。在安置晶圓310之後，使晶圓接納部件308停止運作(例如，就伯努利頭而言，關閉噴射)，以使得晶圓310自凹穴309釋放且下降至凹穴315中。
在圖3J中，使垂直定向提升頭306提升離開晶圓310，從而暴露頂表面310a。與托架314之凹穴315對齊且緊固安置於其中之晶圓310之表面310a已就緒進行加工。
在一些實施案中，於晶圓310緊固安置於托架314上之後，降低互鎖室302中之壓力，從而在互鎖室302中建立負或真空壓力。當達成所需壓力時，一機制將經組合之晶圓310及托架314移至加工室中以藉由一或多個製程模組進行加工。可使用，例如，具有末端執行器之自動化臂來將晶圓310及托架314移至加工室中；例如，可藉由接合托架之底表面之末端執行器來移動經組合之晶圓310/托架314。
在視需要加工晶圓310之後，一機制(例如，(例如)具有末端執行器之自動化臂)將經加工之晶圓310及托架314往回移至互鎖室302中。在一些實施案中，使互鎖室302中之壓力恢復為大氣壓，其後可自互鎖室302移出或卸載經加工之晶圓310及用過的托架314。
圖4A至4J逐步說明一種使用叉形末端執行器自負載鎖定系統400卸載晶圓及托架之方法。類似於圖3A至3J中所顯示之負載製程，在卸載過程中，末端執行器藉由其底表面支撐托架及晶圓二者，從而避免與其頂表面實體接觸。亦類似於圖3A至3J中所顯示之過程，負載鎖定系統400包括以相對於晶圓之頂表面實質上非接觸之方式藉由其頂表面輸送晶圓之垂直定向提升頭。
在圖4A中，顯示負載鎖定系統400，其具有互鎖室402與位於其 中之托架板404及垂直定向提升頭406，提升頭406具有支撐具有用於接納晶圓之凹穴409之晶圓接納部件408之軸件407。於托架板404上安置具有凹穴415之托架414。具有頂表面410a及底表面410b之晶圓410(例如，經加工之晶圓)存於托架414中之凹穴415中。
在圖4B中，提升頭406降低至托架414上之晶圓410上方。啟動晶圓接納部件408(例如，伯努利頭)，來以實質上非接觸之方式接合並固持晶圓410之頂表面410a。
在圖4C中，升高提升頭406，因此提升晶圓410及其底表面410b離開托架414中之凹穴415。一旦離開凹穴415，晶圓410即經晶圓接納部件408懸置，在一些實施案中，以相對於頂表面410a非實體接觸的方式。
在圖4D中，使末端執行器418進入互鎖室402中之經升高晶圓410之底表面410b下方。在此實施案中，末端執行器418係於晶圓負載過程中所使用之相同末端執行器。
在圖4E中，降低提升頭406與由晶圓接納部件408所固持之晶圓410，以使得晶圓410之底表面410b接觸並安置於末端執行器418上。
在圖4F中，使晶圓接納部件408停止作用或關閉，使得晶圓410可自凹穴409釋放且因此藉由末端執行器418支撐於其底表面410b上。升高提升頭406離開晶圓410，從而暴露頂表面410a。
在圖4G中，自系統400移出末端執行器418及支撐於其上之晶圓410，從而留下托架414位於互鎖室402中之托架板404上。
在圖4H中，顯示末端執行器418返回至室402且定位於托架板404周圍及於托架414下方。末端執行器418接觸托架414之底表面414b。
在圖4I中，藉由接觸底表面414b之末端執行器418提升托架414離開托架板404，及在圖4J中，顯示自其移出托架414及末端執行器418之互鎖室402。托架板404及垂直定向提升頭406(特定言之晶圓接納部 件408)保留在室402中。
前述圖式中，圖3A至3J已顯示使用自動化末端執行器及垂直定向提升頭移動並接合晶圓及托架之例示性逐步方法。圖4A至4J已顯示使用自動化末端執行器及垂直定向提升頭移動經加工晶圓並使其自其托架分離之例示性逐步方法。末端執行器藉由其底部非工作表面移動晶圓及托架二者。提升頭以與晶圓頂表面之非接觸方式移動晶圓。
圖5顯示兩種使用末端執行器相對於負載鎖定系統之互鎖室移動托架之實例方法之流程圖。
在第一方法(方法500)中，於操作502中藉由末端執行器由其底表面支撐托架。在操作504中，末端執行器將托架置於互鎖室中。在操作506中，自托架移去末端執行器，留下板位於互鎖室中。
在第二方法(方法510)中，於操作中，在處於互鎖室中時將末端執行器置於托架下方。在操作514中，藉由末端執行器由其底表面支撐托架。在操作516中自互鎖室移出托架及末端執行器。
圖6顯示兩種使用末端執行器及垂直定向提升頭相對於負載鎖定系統之互鎖室移動晶圓之實例方法之流程圖。
第一方法(方法600)包括操作602，其中晶圓藉由末端執行器由其底表面支撐。在操作604中，將經如此支撐之晶圓輸入至負載鎖定系統之互鎖室中。在操作606中，使垂直定向提升頭與晶圓之頂表面接合，及在操作608中藉由提升頭來提升晶圓離開末端執行器。在操作610中，自提升頭釋放晶圓。
在第二方法(方法620)中，於操作622中將晶圓提供至互鎖室中。在操作624中，於互鎖室中，藉由垂直定向提升頭提升晶圓。在操作626中，使經提升晶圓之底表面與末端執行器接觸。在操作628中，使晶圓自提升頭釋放至末端執行器上。在操作630中，自互鎖室移出經末端執行器支撐之晶圓。
上述說明書及實例提供本發明之例示性實施例之結構、特徵及用途之全面描述。由於本發明之許多實施例可在不脫離本發明之精神及範疇下進行，故本發明係關於後文隨附之申請專利範圍。另外，可在又另一實施例中於不脫離所列舉申請專利範圍下組合不同實施例之結構特徵。
100‧‧‧加工系統
102‧‧‧傳遞室
104‧‧‧製程模組
106‧‧‧大氣處理站
108‧‧‧晶圓儲存盒
110‧‧‧晶圓
110a‧‧‧未加工晶圓
110b‧‧‧經加工晶圓
112‧‧‧托架儲存盒
114‧‧‧托架
114a‧‧‧未使用托架
114b‧‧‧已使用托架
116‧‧‧負載鎖定室
118‧‧‧末端執行器
120‧‧‧末端執行器
122‧‧‧垂直定向提升頭

Claims (19)

  1. 一種系統，其包括：一具有內部之室；一位於室內部中之托架板，該托架板係經配置以接納一托架；一可於該室中垂直移動之垂直定向提升頭；一可在該托架板與該頭之間垂直地移動進出該室之第一末端執行器；一可在該托架板與該頭之間垂直地移動進出該室之第二末端執行器；及至少一個可操作地連接至該室內部之感測器。
  2. 如請求項1之系統，其中該室係互鎖室。
  3. 如請求項1之系統，其中該第一末端執行器及該第二末端執行器二者係叉形。
  4. 如請求項1之系統，其中該垂直定向提升頭係包括倒角邊緣之自動對齊垂直定向提升頭。
  5. 如請求項4之系統，其中該自動對齊垂直定向提升頭係伯努利(Bernoulli)頭。
  6. 一種加工晶圓之方法，其包括：使用垂直定向提升頭使晶圓與互鎖室中之托架之頂表面中之凹穴對齊；及利用該提升頭將該晶圓置於該凹穴中。
  7. 如請求項6之方法，其進一步包括在使該晶圓對齊之前：利用該自動對齊垂直定向提升頭提升該晶圓離開該互鎖室中之末端執行器。
  8. 如請求項7之方法，其進一步包括在提升該晶圓離開末端執行器之前：將該晶圓置於具有該末端執行器之該互鎖室中。
  9. 如請求項6之方法，其進一步包括在使該晶圓對齊之前：將該托架置於該具有末端執行器之互鎖室中。
  10. 如請求項6之方法，其中該垂直定向提升頭具有靜電、磁力、真空、或氣動力機制。
  11. 如請求項6之方法，其中該垂直定向提升頭係伯努利頭。
  12. 如請求項6至11中任一項之方法，其中該末端執行器係叉形。
  13. 一種加工晶圓之方法，其包括：使晶圓藉由其底表面支撐於末端執行器上；將該晶圓輸入至互鎖室中；使用垂直定向提升頭提升該晶圓離開該互鎖室中之該末端執行器；使該晶圓與該互鎖室中之托架之頂表面中之凹穴對齊；及將該晶圓自該頭釋放至該凹穴中。
  14. 如請求項13之方法，其進一步包括：在該互鎖室中利用該頭自該凹穴提升該晶圓；及將該晶圓之底表面置於該末端執行器上。
  15. 如請求項13至14中任一項之方法，其中該垂直定向提升頭具有倒角部分。
  16. 如請求項13至14中任一項之方法，其中該垂直定向提升頭係伯努利頭。
  17. 如請求項13至14中任一項之方法，其進一步包括在使該晶圓與該托架中之該凹穴對齊之前，利用末端執行器支撐該托架；及 將該托架輸入至該互鎖室中。
  18. 如請求項17之方法，其中支撐該托架之該末端執行器係不同於支撐該晶圓之末端執行器。
  19. 如請求項13至14中任一項之方法，其中提升該晶圓離開該末端執行器包括藉由其頂表面非接觸式地提升該晶圓。
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