TW201618339A - 雙向發光二極體及其照明裝置 - Google Patents

Abstract

一種雙向發光二極體包含一透光基板、一包括沿第一方向間隔設置的第一、二發光晶粒的發光單元及二金屬導電層。第一、二發光晶粒各具有形成有平台與鄰設於平台之凸柱的第一型半導體、設於平台上的主動層及設於主動層上且不接觸其凸柱的第二型半導體層。各第二型半導體層頂面與其凸柱頂面等高。第一、二發光晶粒的平台各沿第二方向彼此反向延伸，且第一、二方向夾一預定角度。金屬導電層各連接第一發光晶粒的凸柱頂面與第二發光晶粒的第二型半導體層頂面，及第一發光晶粒的第二型半導體層頂面與第二發光晶粒的凸柱頂面。本發明亦提供一種雙向發光二極體照明裝置。

Description

雙向發光二極體及其照明裝置

本發明是有關於一種發光二極體，特別是指一種雙向發光二極體及其照明裝置。

近幾年來，基於技術的演進，發光二極體的應用大幅提高；其中，以交流式發光二極體的發展最為顯著。由於交流式發光二極體便於使用，因此，成為了全球廠商大量投入研發的新寵兒。然而，交流式發光二極體大多為高功率發光二極體，須在大電流之下操作。此外，用來磊製發光二極體之半導體層的基板(如，藍寶石)因其熱傳導率(thermal conductivity)低，以致於發光二極體在高功率驅動下所產生的高熱皆累積在發二極體的基板上。為了解決基板散熱不易的問題，此技術領域者也因此開發了覆晶式的發光二極體(flip chip LED)結構來解決散熱的問題。

參閱圖1，中華民國第I419359核准公告號發明專利案公開一種現有的交流式覆晶發光二極體1，包含一積體電路板11、一第一發光二極體晶片12、一第二發光二極體晶片13、一第一凸塊組14，及一第二凸塊組15。

該積體電路板11包括彼此橫向間隔埋設在該積體電路板11表面的一對左側二極體111、一對右側二極體 112、一設置在該積體電路板11表面且介於該對左側二極體111與該對右側二極體112間的絕緣層113，及一設置在該絕緣層113上的接觸塊114。該對左側二極體111彼此橫向且間隔鏡像對稱設置，該對右側二極體112也彼此橫向且間隔鏡像對稱設置，且各左側二極體111與各右側二極體112分別具有如圖1所示之一P型半導體及一N型半導體。

該第一發光二極體晶片12與該第二發光二極體晶片13各包括一透明基板121、131、一半導體磊晶層122、132、一N型電極層125、135，及一P型電極層126、136。各半導體磊晶層122、132設置在各透明基板121、131上，且具有一平台123、133與一鄰設於其平台123、133的凸柱124、134。各N型電極層125、135接觸各平台123、133，且各P型電極層126、136接觸各凸柱124、134。

該第一凸塊組14具有一連接該積體電路板11之接觸塊114的N型凸塊141，與一連接該積體電路板11之該對左側二極體111的P型凸塊142。該第二凸塊組15具有一連接該積體電路板11之該對右側二極體112的N型凸塊151，與一連接該積體電路板11之接觸塊114的P型凸塊152。該第一發光二極體晶片12與該第二發光二極體晶片13是被翻轉180°後以呈圖1所示的態樣並透過覆晶程序，以使第一發光二極體晶片12的N型電極層125與P型電極層126，分別連接於該第一凸塊組14的N型凸塊141與P型凸塊142，並使該第二發光二極體晶片13的N型電 極層135與P型電極層136，分別連接於該第二凸塊組15的N型凸塊151與P型凸塊152。

當該積體電路板11與一交流電源連接時，該交流電源提供一雙向電流給該對左側二極體111與該對右側二極體112，以令該等發光二極體晶片12、13能透過該第一凸塊組14、該積體電路板11上的接觸塊114及該第二凸塊組15形成一串聯電路，使該雙向電流分別流經該等發光二極體晶片12、13的半導體磊晶層122、132，從而令各半導體磊晶層122、132分別發亮以分別自各透明基板121、131發射出光線。

雖然該現有的交流式覆晶發光二極體1能解決散熱的問題。然而，由於該等發光二極體晶片12、13彼此串聯，一旦該等發光二極體晶片12、13中的任一個發光二極體晶片12、13發生故障，則無法使該雙向電流流通。因此，當該現有的交流式覆晶發光二極體1進一步地被應用至照明設備時，也增加了照明設備的故障率。此外，由圖1所顯示的結構明顯可見，由於各發光二極體晶片12、13之半導體磊晶層122、132的平台123、133與凸柱124、134間存在有一高度差，為了達到覆晶的目的，仍需要藉由加厚的電極層，甚或是該等凸塊組14、15來彌補高度差。就製程上的成本來說，不論是增厚的電極層或該等凸塊組14、15，皆增加了耗材與時間成本。就製程上的良率來說，該現有的交流式覆晶發光二極體1的做法程序較為繁瑣，尚需使用到該等凸塊組14、15；因此，也衍生了製程良率 下降的問題。

經上述說明可知，因應交流式發光二極體的需求，在解決發光二極體的散熱與故障率等問題的同時，也能夠降低耗材與時間成本並能保持製程良率，是此技術領域的相關技術人員所待突破的難題。

因此，本發明之目的，即在提供一種雙向發光二極體。

本發明之另一目的，即在提供一種雙向發光二極體照明裝置。

於是，本發明之雙向發光二極體包含一個透光基板、一個發光單元及兩個金屬導電層。該發光單元設置在該透光基板上，且包括至少一個第一發光晶粒與至少一個第二發光晶粒。該第一發光晶粒與該第二發光晶粒沿一第一方向彼此間隔設置。該第一發光晶粒與該第二發光晶粒分別具有一個第一型半導體層、一個主動層及一個第二型半導體層。該第一發光晶粒與該第二發光晶粒的該第一型半導體層分別設置於該透光基板之上，且分別具有一平台與一鄰設於該平台的凸柱。該第一發光晶粒與該第二發光晶粒之主動層分別設置於各平台上。該第一發光晶粒與該第二發光晶粒之該第二型半導體層分別設置於各主動層上，且不與各第一型半導體層之凸柱接觸。各第二型半導體層之一頂面與各第一型半導體層之凸柱的一頂面是實質等高。在本發明中，該第一發光晶粒的第一型半導體層的 平台是自其凸柱沿一第二方向延伸，且第二發光晶粒的第一型半導體層的平台是自其凸柱反向於該第二方向延伸，該第一方向與該第二方向彼此夾一預定角度。該等金屬導電層分別設置於該第一發光晶粒與該第二發光晶粒上，且分別連接該第一發光晶粒的第一型半導體層的凸柱頂面與該第二發光晶粒的該第二型半導體層頂面，及該第一發光晶粒的第二型半導體層頂面與該第二發光晶粒的第一型半導體層的凸柱頂面。

此外，本發明之雙向發光二極體照明裝置，包含一個電路板及複數個上述的雙向發光二極體。該電路板包括一導熱性板本體及一個導電線路。該導電線路具有複數個間隔設置於該導熱性板本體之一表面的接點該等雙向發光二極體設置於該導電線路上。各雙向發光二極體的該等金屬導電層是分別貼合於每兩相鄰接點，且每兩相鄰雙向發光二極體共用同一個接點。在本發明中，透過該等雙向發光二極體的金屬導電層與該等接點，以依序令該等雙向發光二極體在供電後彼此串聯。

本發明之功效在於，藉由各第二型半導體層的頂面實質等高於各第一型半導體層的凸柱頂面，除了有利於發光二極體透過覆晶程序以解決散熱問題外，還能避免耗費額外的耗材(凸塊)與製程工時，可降低成本及簡化製程工序並提升製程良率。

2‧‧‧雙向發光二極體

20‧‧‧透光基板

21‧‧‧第一發光晶粒

211‧‧‧第一型半導體層

212‧‧‧主動層

213‧‧‧第二型半導體層

214‧‧‧電流擴散金屬層

215‧‧‧平台

216‧‧‧凸柱

22‧‧‧第二發光晶粒

221‧‧‧第一型半導體層

222‧‧‧主動層

223‧‧‧第二型半導體層

224‧‧‧電流擴散金屬層

225‧‧‧平台

226‧‧‧凸柱

23‧‧‧金屬導電層

24‧‧‧絕緣物

25‧‧‧溝槽

4‧‧‧電路板

41‧‧‧導熱性板本體

42‧‧‧導電線路

421‧‧‧接點

422‧‧‧第一外部節點

423‧‧‧第二外部節點

424‧‧‧導線

5‧‧‧恆流單元

51‧‧‧恆流件

9‧‧‧交流電源供應器

X‧‧‧第一方向

Y‧‧‧第二方向

本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的 實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一局部剖面圖，說明一種現有的交流式覆晶發光-二極體；圖2是一俯視示意圖，說明本發明雙向發光二極體的一第一實施例；圖3是圖2的一正前視示意圖；圖4是圖2的一右側視示意圖；圖5是圖2的一正後視示意圖；圖6是一俯視示意圖，說明本發明雙向發光二極體的一第二實施例；圖7是一俯視示意圖，說明本發明雙向發光二極體照明裝置的一第一實施例；圖8是沿圖7的直線VIII-VIII所取得的一局部剖面圖；圖9是一等效迴路圖，說明本發明雙向發光二極體照明裝置的該第一實施例的複數雙向發光二極體彼此串聯；圖10是一俯視示意圖，說明本發明雙向發光二極體照明裝置的一第二實施例；及圖11是一等效迴路圖，說明本發明雙向發光二極體照明裝置的該第二實施例的複數雙向發光二極體彼此串聯。

在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

參閱圖2、圖3與圖4，本發明雙向發光二極體2的一第一實施例，包含一個透光基板20、一個發光單元、 兩個金屬導電層23及一絕緣物24。

該發光單元設置在該透光基板20上，且包括至少一個第一發光晶粒21及至少一個第二發光晶粒22。在本實施例中，該第一發光晶粒21與第二發光晶粒22的數量分別是以一個為例做說明。該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22沿一第一方向X彼此間隔設置，且該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22間定義出一溝槽25。該絕緣物24填充於該溝槽25。藉該絕緣物24將該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22完全區隔開來，以避免電路導通時造成短路的問題。

再參閱圖2、圖3與圖4，並同時配合參閱圖5，該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22分別具有一第一型半導體層211、221、一主動層212、222、一第二型半導體層213、223，及一電流擴散金屬層214、224。

該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22的該第一型半導體層211、221設置於該透光基板20之上，且分別具有一平台215、225與一鄰設於該平台215、225的凸柱216、226。該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22之主動層212、222分別設置於各平台215、225上。該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22之第二型半導體層213、223分別設置於各主動層212、222上，且不與各第一型半導體層211、221之凸柱216、226接觸。此外，該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22的第二型半導體層213、223之一頂面，與其第一型半導體層211、221之凸柱 216、226的一頂面是實質等高。該等電流擴散金屬層214、224分別設置於該等第二型半導體213、223上。在本實施例中，該透光基板20、各第一型半導體層211、221、各發光層212、222，及各第二型半導體層213、223，分別是以一磊晶用的藍寶石基板、一n-GaN層、一(InGaN/GaN)n多層膜，及一p-GaN層為例做說明；此外，該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22所放射的光源，則是以一相同預定波段的光為例做說明。

較佳地，該第一發光晶粒21的第一型半導體層211的平台215是自其凸柱216沿一第二方向Y延伸，且該第二發光晶粒22的第一型半導體層221的平台225是自其凸柱226反向於該第二方向Y延伸(如圖5所示)；此外，該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22之第一型半導體層211、221之凸柱216、226的高度，是分別介於100μm至120μm間，且該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22之第一型半導體層211、221之平台215、225的高度，是分別介於55μm至65μm間。又，該第一方向X與該第二方向Y彼此夾一預定角度。在本實施例中，該第一方向X與該第二方向Y互相垂直，該預定夾角等於90°。

較佳地，為了達到更佳的發光效果，各平台215、225具有一粗糙化的表面。藉此，得以增加各第一型半導體層211、221與各主動層212、222間的接觸面積，從而提升該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22的發光效率。當然，當本發明之雙向發光二極體2被應用至照明 裝置所要求的亮度不高時，也可以省略該等粗糙化的表面。

該等金屬導電層23分別設置於該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22上，且分別連接該第一發光晶粒21的第一型半導體層211的凸柱216頂面與該第二發光晶粒22的該第二型半導體層223頂面，及該第一發光晶粒21的第二型半導體層213頂面與該第二發光晶粒22的第一型半導體層221的凸柱226頂面。各電流擴散金屬層214、224是同向於各第一型半導體層211、221之平台215、225延伸，以分別連接該等金屬導電層23。

經上述的詳細說明可知，本發明基於各發光晶粒21、22之第一型半導體層211、221的凸柱216、226等高於其第二型半導體層213、223頂面的特殊磊晶結構，因而有利於發光二極體在透過覆晶程序以解決散熱問題時，能避免耗費額外的成本與工序來配置凸塊以達到等高的效果。因此，可以降低耗材及時間成本，更可因製程工序簡化而提升良率。

又，本發明也基於前述特殊磊晶結構的優點，其根據本案圖2所顯示的結構可知，該等金屬導電層23與第一發光晶粒21及該第二發光晶粒22間的連接關係，不只能夠同時令該等發光晶粒21、22並聯。此外，再參閱圖2可知，該第一發光晶粒21的P型半導體層(即，第二型半導體層213)位在右側，而第二發光晶粒22的P型半導體層(即，第二型半導體層223)位在左側。因此，該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22之電流流通方向分別是由右至 左與由左至右。整體來說，本發明之雙向發光二極體2可在無需使用到整流器的運作環境下，直接藉由一交流電流即可被點亮。

更具體地來說，再參閱圖2，當該交流電流的一逆向(即，反向於該第二方向Y)電流(圖未示)流經該雙向發光二極體2時，該逆向電流是透過該金屬導電層23(位於右側的金屬導電層23)依序流經該第一發光晶粒21的電流擴散金屬層214、第二型半導體層213、主動層212、第一型半導體層211的凸柱216及該金屬導電層23(位於左側的金屬導電層23)，以放射出該相同預定波段的光，並透過該透光基板20發射到外界。在此同時，該第二發光晶粒22處於不導通狀態。同理地，當該交流電流的一正向(即，同向於該第二方向Y)電流(圖未示)流經該雙向發光二極體2時，該正向電流是透過該金屬導電層23(位於左側的金屬導電層23)依序流經該第二發光晶粒22的電流擴散金屬層224、第二型半導體層223、主動層222、第一型半導體層221的凸柱226及該金屬導電層23(位於右側的金屬導電層23)，以放射出該相同預定波段的光，並透過該透光基板20發射到外界。在此同時，該第一發光晶粒21處於不導通狀態。

如上述可知，該雙向二極體2透過特殊的磊晶結構能得到一可不分極性且雙向導通的特性。因此，除了適用於照明裝置之交流電源的電路中外，也適用於光調變器。此處更值得一提的是，基於雙向導通的特性，其在封 裝製程中不須區分發光二極體的極性，因此，也為封裝製程上帶來便利性。

參閱圖6，本發明之雙向發光二極體2的一第二實施例，大致上是相同於該第一實施例，其不同處是在於，該發光單元中的該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22的數量分別為兩個。如圖6所示，該雙向發光二極體2之第二實施例的該第一發光晶粒21與該第二發光晶粒22是沿該第一方向X彼此輪流間隔設置，但也可以是沿該第一方向X依序間隔設置。

此處需進一步說明的是，本發明基於各發光晶粒21、22之第一型半導體層211、221的凸柱216、226頂面等高於其第二型半導體層213、223頂面，以及各第一發光晶粒21與各第二發光晶粒22之第一型半導體層211、221的平台215、225彼此反向延伸的幾何配置關係。因此，該等金屬導電層23與該等第一發光晶粒21及該等第二發光晶粒22間的連接關係(見圖6)，能夠在生產製作發光二極體的過程中，直接簡單地透過該等金屬導電層23同時並聯該等第一發光晶粒21與該等第二發光晶粒22(即，同時並聯四個發光晶粒)。在本發明之雙向發光二極體2之該第二實施例中，雖然是以兩個第一發光晶粒21及兩個第二發光晶粒22為例做說明。然而，根據本發明的結構設計，更可簡易地同時並聯兩個以上的第一發光晶粒21與第二發光晶粒22(圖未示)。

參閱圖7、圖8與圖9，本發明之雙向發光二極 體照明裝置的一第一實施例，是電連接於一交流電源供應器9。該雙向發光二極體照明裝置之第一實施例包含一個電路板4及複數個如該第一實施例所述的雙向發光二極體2。要補充說明的是，在本發明之雙向發光二極體照明裝置之該第一實施例中，該雙向發光二極體2的數目是以六個為例做說明，但本發明並不以六個為限。

該電路板4包括一個導熱性板本體41及一個導電線路42。該導電線路42具有複數個沿該第二方向Y彼此間隔設置於該導熱性板本體41之一表面的接點421、一第一外部節點422、一第二外部節點423，及一導線424。該第一外部節點422與第二外部節點423分別與該等接點421中的兩個接點421電連接。如圖7與圖8所示，該等接點421中的該兩個接點421所指的是最左側的接點421與最右側的接點421。更具體地來說，該第一外部節點422是連接至最左側的接點421；該第二外部節點423則是透過該導線424電連接至最右側的接點421(也就是說，該導線424是連接於最右側的接點421，且自最右側的接點421朝該導熱性板本體41內部延伸後，並反向於該第二方向Y延伸至鄰近最左側的接點421處後，以貫穿至該導熱性板本體41表面，從而連接至該第二外部節點423。

該等雙向發光二極體2是被翻轉180°後以呈圖7所示的態樣，並透過覆晶程序以設置於該導電線路42上，且各雙向發光二極體2的該等金屬導電層23是分別貼合於每兩相鄰接點421，且每兩相鄰雙向發光二極體2共用同一 個接點421。

在本發明之雙向發光二極體照明裝置之第一實施例中，該交流電源供應器9與該第一外部節點422及該第二外部節點423相通，該交流電流自該交流電源供應器9通過該第一外部節點422，依序地流經該導電線路42的每一接點421，且透過該等金屬導電層23流經該每一雙向發光二極體2，以依序令該等雙向發光二極體2彼此串聯，並自最右側的接點421依序流經該導線424與該第二外部節點423，以自該第二外部節點423流入該交流電源供應器9，從而形成一個如圖9所示之完整的迴路。此外，在本發明雙向發光二極體照明裝置之第一實施例中，該交流電流之逆向電流(反向於該第二方向Y)與正向電流(同向於該第二方向Y)的運作已於該雙向發光二極體2之第一實施例中說明，且該逆向電流與正向電流亦可透過上述該等雙向發光二極體2與該電路板4上之該導電線路42的連接關係，分別反向於該第二方向Y與同向於該第二方向Y依序於該等雙向發光二極體2中重覆相同的發光動作，於此不再多加墜述。

此處值得補充說明的是，本發明之雙向發光二極體之該第一實施例還包含一恆流單元5。該恆流單元5設置於該導熱性板本體41的表面上，且橫跨並電連接於該等接點421中之最中央位置處之兩相鄰接點421，以藉由最中央位置處之兩相鄰接點421令該等雙向發光二極體2與該恆流單元5彼此串聯在一起。該恆流單元5具有兩彼此 並聯設置的恆流件51。每一恆流件51分別用以穩定該交流電流之正向電流與逆向電流，以藉此避免該等雙向發光二極體2因該交流電流非穩定性地輸入，而造成燈光亮度忽明忽暗的現象。

經上述雙向發光二極體照明裝置之該第一實施例的詳細說明可知，本發明基於該特殊的磊晶結構，使該等雙向發光二極體2能在該電路板4上簡易地透過該導電線路42彼此串聯，不僅可以達到交流高壓或低壓點亮等效用外，其不須使用電壓器降壓，甚或是使用橋堆電路轉換直流，也不須使用電容。因此，節省了許多電路零組件的使用量，更節省了該電路板4的使用空間，達到降低成本的目的。

參閱圖10與圖11再配合參閱圖6，本發明之雙向發光二極體照明裝置的一第二實施例，大致上是相同於該雙向發光二極體照明裝置之第一實施例，其不同處是在於，該等雙向發光二極體2是採用如該第二實施例所述的雙向發光二極體2。

同樣地，本發明基於各發光晶粒21、22之第一型半導體層211、221的凸柱216、226頂面等高於其第二型半導體層213、223頂面，以及各第一發光晶粒21與各第二發光晶粒22之第一型半導體層211、221的平台215、225彼此反向延伸的幾何配置關係。因此，該等金屬導電層23能簡易地同時並聯該等第一發光晶粒21與該等第二發光晶粒22(即，同時並聯四個發光晶粒)。如此，當該交流 電流流通時，可以提升該雙向發光二極體照明裝置的整體亮度。

此外，本發明更基於此特殊磊晶結構所賦予的並聯關係，以致於一旦該等彼此串聯之雙向發光二極體2之該等第一發光晶粒21與該等第二發光晶粒22中的任一發光晶粒21、22發生故障時，該交流電流之正向電流與逆向電流皆可自動選擇尚未發生故障的發光晶粒21、22做為其旁路(by-pass)，使該正向電流與該逆向交流電流能繼續流通。藉此，可以降低該雙向發光二極體照明裝置的故障率。

綜上所述，本發明雙向發光二極體及其照明裝置，藉由該特殊的磊晶結構(即，等高設計)，以及各第一發光晶粒21與各第二發光晶粒22之第一型半導體層211、221的平台215、225彼此呈反向延伸的幾何配置關係，除了有利於透過覆晶程序解決散熱問題外，亦能避免耗費額外的耗材(凸塊)與製程工時以降低成本及簡化製程工序，從而提升製程良率；此外，前述特殊的磊晶結構與幾何配置關係，更能提升一次所並聯之第一發光晶粒21與第二發光晶粒22的數量，且透過該電路板4之導電線路42彼此串聯的該等雙向發光二極體2，也可利用其第一、二發光晶粒21、22間的並聯關係，降低該雙向發光二極體照明裝置的故障率，故確實能達成本發明之目的。

惟以上所述者，僅為本發明之實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專 利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

2‧‧‧雙向發光二極體

21‧‧‧第一發光晶粒

213‧‧‧第二型半導體

214‧‧‧電流擴散金屬層

216‧‧‧凸柱

22‧‧‧第二發光晶粒

223‧‧‧第二型半導體層

224‧‧‧電流擴散金屬層

226‧‧‧凸柱

23‧‧‧金屬導電層

24‧‧‧絕緣物

25‧‧‧溝槽

X‧‧‧第一方向

Y‧‧‧第二方向

Claims (7)

1. 一種雙向發光二極體，包含：一個透光基板；一個發光單元，該發光單元設置在該透光基板上，且包括至少一個第一發光晶粒與至少一個第二發光晶粒，該第一發光晶粒與該第二發光晶粒沿一第一方向彼此間隔設置，且該第一發光晶粒與該第二發光晶粒分別具有一個第一型半導體層，設置於該透光基板之上，且具有一平台與一鄰設於該平台的凸柱，一個主動層，設置於該平台上，及一個第二型半導體層，設置於該主動層上且不與該第一型半導體層之凸柱接觸，該第二型半導體層之一頂面與該第一型半導體層之凸柱的一頂面是實質等高，其中，該第一發光晶粒的第一型半導體層的平台是自其凸柱沿著一第二方向延伸，且該第二發光晶粒的第一型半導體層的平台是自其凸柱反向於該第二方向延伸，該第一方向與該第二方向彼此夾一預定角度；及兩個金屬導電層，分別設置於該第一發光晶粒與該第二發光晶粒上，且分別連接該第一發光晶粒的第一型半導體層的凸柱頂面與該第二發光晶粒的該第二型半導體層頂面，及該第一發光晶粒的第二型半導體層頂面 與該第二發光晶粒的第一型半導體層的凸柱頂面。
2. 如請求項1所述的雙向發光二極體，其中，該每一平台具有一粗糙化的表面。
3. 如請求項1所述的雙向發光二極體，還包含一絕緣物，且該第一發光晶粒與該第二發光晶粒間定義出一溝槽，該絕緣物填充於該溝槽。
4. 如請求項1所述的雙向發光二極體，其中，該第一發光晶粒與該第二發光晶粒還分別具有一電流擴散金屬層，每一電流擴散金屬層分別設置於各第二型半導體層上，且同向於各第一型半導體層之平台延伸以分別連接該等金屬導電層。
5. 如請求項1所述的雙向發光二極體，其中，該第一發光晶粒與該第二發光晶粒之第一型半導體層之凸柱的高度是分別介於100μm至120μm間，且該第一發光晶粒與該第二發光晶粒之第一型半導體層之平台的高度是分別介於55μm至65μm間。
6. 如請求項1所述的雙向發光二極體，其中，該發光單元中的該第一發光晶粒與該第二發光晶粒的數量分別為兩個。
7. 一種雙向發光二極體照明裝置，包含：一個電路板，包括一導熱性板本體，及一個導電線路，具有複數個間隔設置於該導熱性板本體之一表面的接點；及 複數個如請求項1至6任一項請求項所述的雙向發光二極體，設置於該導電線路上，各雙向發光二極體的該等金屬導電層是分別貼合於每兩相鄰接點，且每兩相鄰雙向發光二極體共用同一個接點；其中，透過雙向發光二極體的該等金屬導電層與該等接點，以依序令該等雙向發光二極體在供電後彼此串聯。