TH146498A

TH146498A - วิธีการสำหรับการผลิตโพลีไฮดรอกซี-กรดคาร์บอกซิลิก

Info

Publication number: TH146498A
Application number: TH1301004270A
Authority: TH
Inventors: สตีแพนสกี แมนเฟรด; โลวีแอต ฟรังซัวช์; คุสซ์ลิก แอนเดรียซ
Original assignee: นายสัตยะพล สัจจเดชะ; นายกฤชวัชร์ ชัยนภาศักดิ์; นายสุขเปรม สัจจเดชะ
Filing date: 2011-11-15
Publication date: 2016-02-29

Abstract

DC60 (09/10/56) สิ่งที่เเนบมาด้วยคือวิธีการสำหรับการเตรียมโพลีเเลคติกเเอซิดที่ประกอบด้วยขั้นตอนการเตรียม กระบวนการโพลีเมอร์ไซเซชันเเบบเปิดวงโดยใช้ตัวเร่งปฏิกิริยาเเละตัวเร่งปฏิกิริยาทำลายสารประกอบก็ดีหรือ สารเติมเเต่งกำจัดสายโซ่เพื่อให้ได้รับโพลีเเลคติกเเอซิดตั้งต้นที่มีน้ำนักโมเลกุลมากกว่า 10,000 กรัมต่อโมล, การ ทำให้บริสุทธิ์ของโพลีเเลคติกเเอซิดตั้งต้นโดยการกำจัดเเละเเยกสารประกอบที่มีจุดเดือดต่ำที่ประกอบด้วยเเลค ไดท์เเละสารปนเปื้อนจากโลพีเเลคติกแอซิดตั้่งต้นจากกระบวนการกลั่นสลายของสารประกอบที่มีจุดเดือดต่ำเช่น กระเแสเฟสเเก๊ส การทำให้บริสุทธิ์ของเเลคไทด์จากกระบวนการกลั่นสลายเเละการกำจัดสารปนเปื้อนจากกระเเส เฟสเเก๊สของสารประกอบที่มีจุดเดือดต่ำที่ถูกระเหยออกโดยการควบแน่นของกระแสเฟสแก๊สที่ถูกระเหยออกเพื่อให้ ได้กระแสที่ถูกความแน่นที่ซึ่งแลคไทด์ถูกทำให้บริสุทธิ์และกำจัดสารปนเปื้อนรวมถึงตัวเร่งปฏิกิริยาที่ตกค้างอยู่ และสารประกอบที่มีกลุ่มไฮดรอกซิลอย่างน้อยกลุ่มดังนั้นแลคไทด์ที่ถูกทำให้บริสุทธิ์ถูกโพลีเมอร์ไรซ์โดย การนำส่งกลับไปสู่กระบวนการโพลีเมอร์ไรเซชันแบบเปิดวงสิ่งประดิษฐ์นี้นอกจากจะเกี่ยวข้องกับอุปกรณ์สำหรับ การวิธีการที่ประกอบด้วยเครื่องปฏิกรณ์โพลีเมอร์ไรเซชันสำหรับการเตรียมกระบวนการโพลีเมอร์ไรเซชันแบบเปิด วงเพื่อที่จะได้รับโพลีแลคติกแอซิดตั้งต้น อุปกรณ์ของกระบวนการกลั่นสลายสำหรับการแยกสารประกอบที่มีจุด เดือดต่ำที่ประกอบด้วยแลคไทด์และสารปนเปื้อนจากโพลีแลคติกแอซิดตั้งต้นและอุปกรณ์กระบวนการตกผลึก สำหรับการทำให้แลคไทด์บริสุทธิ์และการกำจัดสารปนเปื้อนจากกระแสที่ถูกควบแน่น ที่ซึ่งเครื่องควบแน่น สำหรับควบแน่นกระแสเฟสแก๊สเพื่อให้ได้กระแสที่ถูกควบแน่นที่ถูกจัดอยู่ระหว่างอุปกรณ์กระบวนการกลั่นสลาย และอุปกรณ์การตกผลึก สิ่งที่เเนวมาด้วยคือวิธีการสำหรับการเตรียมโพลีเเลคติกเเอซิดทีป่ระกอบด้วยขั้นตอนการเตรียม กระบวนการโพลีเมอร์ไซเรซันเเบบเปิดวงโดยใช้ตัวเร่งปฏิกิริยาเเละตัวเร่งปฏิกิริยาทำลายสารประกอบก็ดีหรือ สารเติมเเต่งกำจัดสายโซ่เพื่อให้ได้รับโพลีเเลคติกเเอซิดตั้งต้นที่มีน้ำนักโลเลกุลมากกว่า 10,000 กรัมต่อโมล การทำให้บริสุทธิ์ของโพลีเเลคติกเเอซิดตั้งต้นโดยการกำจัดเเละเเยกสารประกอบที่มีจุดเดือดต่ำที่ประกอบด้วย เเลคไลด์เเละสารปนเปื้อนจากโลพีเเลคติกตั้่งต้่นจากกระบวนการกลั่นสลายของประกอบที่มีจุดเดือดต่ำ เช่นกระเเฟเเก๊สเเละการทำให้บริสุทธิ์ของเเลคไทด์จากกระบวนการการกลั่นสลายเเละการกำจัดสานปนเปื้อนจาก กระเเสเฟสเเก๊สของสารประกอบที่มีจุดเดือดต่ำที่ถูกระเหยออกของการตกผลึกโดยการระเหิดจากเฟสเเก๊ส ที่ซึ่ง เเลไทด์ถูกทำให้บริสุทธิ์เเละกำจัดสารปนเปื้อนรวมถึงตัวเร่งปฏิกิริยาที่ตกค้างอยู่เเละสารประกอบที่มีกลุ่ม ไฮดรอกศซิลอย่างน้อยหนึ่งกลุ่มดังนั้นเเลคไทด์ที่ถูกทำให้บิริสุทธิ์ถูกโพลีเมอร์ไรซ์โดยการนำส่งกลับไปสู่ กระนวนการโพลีมเรอ์ไซเรซันเเบบเปิดวง สิ่งประดิษฐ์นี้นอกจากจะเกี่ยวข้องกับอุปกรณ์สำหรับการวิธีการที่ ประกอบด้วยเครื่องปฏิกรณ์โพลิเมอร์ไรเซันสำหรับการเตรียมกระบวนการโพลีเมอร์ไซเซวันเเบบเปิดวงเพื่อที่จะ ได้รับโพลีเเลคติกเเอซิดตั้งต้นอุปกรณ์ของกระบวนการกลั่นสลายสำหรับการเเยกสารประกอบที่มีจุดเดือดต่ำที่ ประกอบด้วยเเลคไทด์เเละสารปนเปื้อนจากโพลีเเลคติกเเอซิดตั้งต้นเเละอุปกรณ์กระบวนการตกผลึกสำหรับการ ทำให้เเลคไทด์บริสุทธิ์เเละการกำจัดสารปนเปื้อนโดยกระบวนการระเหิดเเละกระบวนการตกผลึกในอุปกรณ์ เดียวกันกับอุปกรณ์ในกระบวนการตกผลึก

Claims

: DC60 (09/10/56) สิ่งที่เเนบมาด้วยคือวิธีการสำหรับการเตรียมโพลีเเลคติกเเอซิดที่ประกอบด้วยขั้นตอนการเตรียม กระบวนการโพลีเมอร์ไซเซชันเเบบเปิดวงโดยใช้ตัวเร่งปฏิกิริยาเเละตัวเร่งปฏิกิริยาทำลายสารประกอบก็ดีหรือ สารเติมเเต่งกำจัดสายโซ่เพื่อให้ได้รับโพลีเเลคติกเเอซิดตั้งต้นที่มีน้ำนักโมเลกุลมากกว่า 10,000 กรัมต่อโมล, การ ทำให้บริสุทธิ์ของโพลีเเลคติกเเอซิดตั้งต้นโดยการกำจัดเเละเเยกสารประกอบที่มีจุดเดือดต่ำที่ประกอบด้วยเเลค ไดท์เเละสารปนเปื้อนจากโลพีเเลคติกแอซิดตั้่งต้นจากกระบวนการกลั่นสลายของสารประกอบที่มีจุดเดือดต่ำเช่น กระเแสเฟสเเก๊ส การทำให้บริสุทธิ์ของเเลคไทด์จากกระบวนการกลั่นสลายเเละการกำจัดสารปนเปื้อนจากกระเเส เฟสเเก๊สของสารประกอบที่มีจุดเดือดต่ำที่ถูกระเหยออกโดยการควบแน่นของกระแสเฟสแก๊สที่ถูกระเหยออกเพื่อให้ ได้กระแสที่ถูกความแน่นที่ซึ่งแลคไทด์ถูกทำให้บริสุทธิ์และกำจัดสารปนเปื้อนรวมถึงตัวเร่งปฏิกิริยาที่ตกค้างอยู่ และสารประกอบที่มีกลุ่มไฮดรอกซิลอย่างน้อยกลุ่มดังนั้นแลคไทด์ที่ถูกทำให้บริสุทธิ์ถูกโพลีเมอร์ไรซ์โดย การนำส่งกลับไปสู่กระบวนการโพลีเมอร์ไรเซชันแบบเปิดวงสิ่งประดิษฐ์นี้นอกจากจะเกี่ยวข้องกับอุปกรณ์สำหรับ การวิธีการที่ประกอบด้วยเครื่องปฏิกรณ์โพลีเมอร์ไรเซชันสำหรับการเตรียมกระบวนการโพลีเมอร์ไรเซชันแบบเปิด วงเพื่อที่จะได้รับโพลีแลคติกแอซิดตั้งต้น อุปกรณ์ของกระบวนการกลั่นสลายสำหรับการแยกสารประกอบที่มีจุด เดือดต่ำที่ประกอบด้วยแลคไทด์และสารปนเปื้อนจากโพลีแลคติกแอซิดตั้งต้นและอุปกรณ์กระบวนการตกผลึก สำหรับการทำให้แลคไทด์บริสุทธิ์และการกำจัดสารปนเปื้อนจากกระแสที่ถูกควบแน่น ที่ซึ่งเครื่องควบแน่น สำหรับควบแน่นกระแสเฟสแก๊สเพื่อให้ได้กระแสที่ถูกควบแน่นที่ถูกจัดอยู่ระหว่างอุปกรณ์กระบวนการกลั่นสลาย และอุปกรณ์การตกผลึก สิ่งที่เเนวมาด้วยคือวิธีการสำหรับการเตรียมโพลีเเลคติกเเอซิดทีป่ระกอบด้วยขั้นตอนการเตรียม กระบวนการโพลีเมอร์ไซเรซันเเบบเปิดวงโดยใช้ตัวเร่งปฏิกิริยาเเละตัวเร่งปฏิกิริยาทำลายสารประกอบก็ดีหรือ สารเติมเเต่งกำจัดสายโซ่เพื่อให้ได้รับโพลีเเลคติกเเอซิดตั้งต้นที่มีน้ำนักโลเลกุลมากกว่า 10,000 กรัมต่อโมล การทำให้บริสุทธิ์ของโพลีเเลคติกเเอซิดตั้งต้นโดยการกำจัดเเละเเยกสารประกอบที่มีจุดเดือดต่ำที่ประกอบด้วย เเลคไลด์เเละสารปนเปื้อนจากโลพีเเลคติกตั้่งต้่นจากกระบวนการกลั่นสลายของประกอบที่มีจุดเดือดต่ำ เช่นกระเเฟเเก๊สเเละการทำให้บริสุทธิ์ของเเลคไทด์จากกระบวนการการกลั่นสลายเเละการกำจัดสานปนเปื้อนจาก กระเเสเฟสเเก๊สของสารประกอบที่มีจุดเดือดต่ำที่ถูกระเหยออกของการตกผลึกโดยการระเหิดจากเฟสเเก๊ส ที่ซึ่ง เเลไทด์ถูกทำให้บริสุทธิ์เเละกำจัดสารปนเปื้อนรวมถึงตัวเร่งปฏิกิริยาที่ตกค้างอยู่เเละสารประกอบที่มีกลุ่ม ไฮดรอกศซิลอย่างน้อยหนึ่งกลุ่มดังนั้นเเลคไทด์ที่ถูกทำให้บิริสุทธิ์ถูกโพลีเมอร์ไรซ์โดยการนำส่งกลับไปสู่ กระนวนการโพลีมเรอ์ไซเรซันเเบบเปิดวง สิ่งประดิษฐ์นี้นอกจากจะเกี่ยวข้องกับอุปกรณ์สำหรับการวิธีการที่ ประกอบด้วยเครื่องปฏิกรณ์โพลิเมอร์ไรเซันสำหรับการเตรียมกระบวนการโพลีเมอร์ไซเซวันเเบบเปิดวงเพื่อที่จะ ได้รับโพลีเเลคติกเเอซิดตั้งต้นอุปกรณ์ของกระบวนการกลั่นสลายสำหรับการเเยกสารประกอบที่มีจุดเดือดต่ำที่ ประกอบด้วยเเลคไทด์เเละสารปนเปื้อนจากโพลีเเลคติกเเอซิดตั้งต้นเเละอุปกรณ์กระบวนการตกผลึกสำหรับการ ทำให้เเลคไทด์บริสุทธิ์เเละการกำจัดสารปนเปื้อนโดยกระบวนการระเหิดเเละกระบวนการตกผลึกในอุปกรณ์ เดียวกันกับอุปกรณ์ในกระบวนการตกผลึกข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แก้ไข 17/3/59 [1] วิธีการเตรียมโพลีแลคติกแอซิดประกอบด้วยขั้นตอนของ (i) การทำให้เกิดปฏิกิริยาโพลิเมอร์ไรเซชันแบบเปิดวงโดยใช้ตัวเร่งปฏิกิริยาและไม่ก็ตัวเร่ง ปฏิกิริยาการทำสารประกอบหรือสารเติมแต่งกำจัดสายโซ่เพื่อให้ได้โพลีแลคติดแอซิดตั้งต้นมีน้ำหนัก โมเลกุลกว่า 10,000 กรัมต่อโมล (ii) การทำให้โพลีแลคติกแอซิดตั้งต้นบริสุทธิ์โดยการกำจัดและการแยกสารประกอบจุดเดือดต่ำที่ ประกอบด้วยแลคไทด์และสารปนเปื้อนจากโพลีแลคติกแอซิดตั้งต้นโดยกระบวนการกลั่นสลายของสารประกอบจุด เดือดต่ำซึ่งเป็แท็ก :