SU987722A1

SU987722A1 - Attenuator

Info

Publication number: SU987722A1
Application number: SU782563203A
Authority: SU
Inventors: Григорий Бенционович Дзехцер; Эдуард Леонидович Привер
Original assignee: Предприятие П/Я Г-4367
Priority date: 1978-01-05
Filing date: 1978-01-05
Publication date: 1983-01-07

Description

(54) АТТЕНЮАТОР(54) ATTENUATOR

Изобретение относитс к технике СВЧ и может быть использовано в радиотехнических системах,в частности в измерительной технике.The invention relates to microwave technology and can be used in radio systems, in particular in measurement technology.

Известен аттенюатор, содержащий отрезок линии передачи/ к токонесущему проводнику которого параллельно подключены полупроводниковые диоды, и цепь подачи управл ющего напр жени с резисторами 1 .A known attenuator containing a segment of a transmission line / to the current-carrying conductor of which semiconductor diodes are connected in parallel, and a control supply circuit with resistors 1.

Однако известный аттенюатор не обеспечивает достаточно вносимого затухани .However, the known attenuator does not provide enough insertion loss.

Цель изобретени - увеличение затухани , вносимого аттенюатором.The purpose of the invention is to increase the attenuation introduced by the attenuator.

Поставленна цель достигаетс тем, что каждый резистор шунтирован дополнительно введенным конденсатором и включен в разрыв токонесущего проводника между точками подключени полупроводниковых диодов симметрично относительно точки подключени цепи подачи управл ющего напр жени .This goal is achieved by the fact that each resistor is shunted by an additional capacitor inserted into the current-carrying conductor gap between the connection points of semiconductor diodes symmetrically with respect to the connection point of the control supply circuit.

На чертеже приведена электрическа схема аттенюатора.The drawing shows an electrical attenuator circuit.

Аттенюатор содержит отрезок-линии 1 передачи, к токонесущему проводнику 2 которого подключена цепь 3 подачи управл ющего напр жени . Симметрично относительно цепи 3 подачиThe attenuator contains a segment-transmission line 1, to the current-carrying conductor 2 of which a control voltage supply circuit 3 is connected. Symmetrical to supply chain 3

управл ющего напр жени параллельно токонесущему проводнику 2 подключены полупроводниковые диоды 4 и 5, а в разрыв токонесущего проводника 2 между полупроводниковыми диодами включены резисторы 6, шунтированные конденсаторами 7.the control voltage is parallel to the current-carrying conductor 2, semiconductor diodes 4 and 5 are connected, and in the gap of the current-carrying conductor 2 between the semiconductor diodes include resistors 6, shunted by capacitors 7.

Блокировочные конденсаторы 8, включенные в разрыв токонесущего про10 водника 2 на входе и выходе отрезка линии 1 передачи, служат дл разв зки цепей посто нного и переменного тока. Полупроводниковый диод 9 включен последовательно в цепь 3 подачи The locking capacitors 8 included in the discontinuity of the current-carrying conductor 2 at the input and output of the segment of the transmission line 1 serve to isolate the DC and AC circuits. Semiconductor diode 9 is connected in series to the circuit 3 supply

15 управл ющего напр жени . Электрическа длина отрезка линии 1 передачи между полупроводниковыми диодами 4 равна 0, а между полупроводниковыми диодами 5 равна 2 Q.15 control voltage. The electrical length of the transmission line segment 1 between semiconductor diodes 4 is 0, and between semiconductor diodes 5 is 2 Q.

2020

При отсутствии управл ющего напр жени полупроводникрвые диоды 4 и 5 имеют большое сопротивление и затухание , вносимое ими в отрезок линии In the absence of a control voltage, semiconductor diodes 4 and 5 have a high resistance and attenuation introduced by them into the line segment.

25 1 передачи, мало.25 1 transmission, a little.

Резисторы 6 шунтированы конденсаторами 7, сопротивление которых в.рабочем .диапазоне частот значительно мало по сравнению с волновым сопро30 тивлением отрезка линии 1 передачи.The resistors 6 are shunted by capacitors 7, the resistance of which in the working frequency range is considerably small compared with the wave resistance of a segment of the transmission line 1.

Управл юсдее напр жение по цепи 3 подачи управл кй;его напр жени подводитс к токонесущему проводнику 2 и подаетс непосредственно на полупроводниковые диоды 5, режимы которы не требуют подбора.Controlling the voltage across the control supply circuit 3; its voltage is supplied to the current-carrying conductor 2 and fed directly to the semiconductor diodes 5, the modes of which do not require fitting.

Токи на полупроводниковые диоды 4 поступают через резисторы б, в результате чего сопротивление полупроводниковых диодов 4 возрастает по мере приближени их к входу отрезка линии 1 передачи, что обеспечивает хорошее согласование аттенюатора so всем диапазоне затуханий.The currents to the semiconductor diodes 4 flow through the resistors b, with the result that the resistance of the semiconductor diodes 4 increases as they approach the input of the segment of the transmission line 1, which ensures good matching of the attenuator so to the entire attenuation range.

Включение разитзторов б, шунтированных конденсаторами 7, в разрыв токонесущего проводника 2 обеспечивает максимальную св зь полупроводниковых диодов 4 и 5. о электромагнитным полем в отрезке линии 1 передачи , что позвол ет реализовать максимально возможное затухание, вносимое полупроводниковыми диодами 4 и 5 в согласованном режиме работы.Inclusion of bite capacitors shunted by capacitors 7 into the discontinuity of the current-carrying conductor 2 ensures maximum coupling of semiconductor diodes 4 and 5. about the electromagnetic field in the section of transmission line 1, which allows to realize the maximum possible attenuation introduced by semiconductor diodes 4 and 5 in a consistent mode .

Использование предлагаемого аттенюатора позвол ет существенно увеличить его затухание при одном иThe use of the proposed attenuator allows to significantly increase its attenuation with one and

//

У4Y4

5 /55/5

том же числа полупроводниковых, диодов в многооктавной полоса рабочих частот.the same number of semiconductor diodes in a multi-octave operating frequency band.

Claims

1. USSR author's certificate №425247, cl. H 01 R 1/22, | 1972 (prototype).

V