RU2703931C1 - Method of producing schottky silicon diodes - Google Patents
Method of producing schottky silicon diodes Download PDFInfo
- Publication number
- RU2703931C1 RU2703931C1 RU2019111221A RU2019111221A RU2703931C1 RU 2703931 C1 RU2703931 C1 RU 2703931C1 RU 2019111221 A RU2019111221 A RU 2019111221A RU 2019111221 A RU2019111221 A RU 2019111221A RU 2703931 C1 RU2703931 C1 RU 2703931C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- platinum
- layer
- plates
- nickel
- applying
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 19
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- PCLURTMBFDTLSK-UHFFFAOYSA-N nickel platinum Chemical compound [Ni].[Pt] PCLURTMBFDTLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRZCZVQJHOCRCR-UHFFFAOYSA-N [Si].[Pt] Chemical compound [Si].[Pt] XRZCZVQJHOCRCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQMBHAVGDGCSGY-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Ni].[Ag] Chemical compound [Ti].[Ni].[Ag] QQMBHAVGDGCSGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMRMTSSYYVAROU-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Ni].[Au] Chemical compound [Ti].[Ni].[Au] PMRMTSSYYVAROU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 1
- -1 aluminum-nickel-silver Chemical compound 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/60—Schottky-barrier diodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Способ изготовления кремниевых диодов ШотткиA method of manufacturing a silicon Schottky diode
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении кремниевых диодов Шоттки на основе барьера платина-никель.The invention relates to the field of microelectronics and can be used in the manufacture of Schottky silicon diodes based on a platinum-nickel barrier.
Известны способы изготовления диодов Шоттки на кремнии, включающие нанесение в окна окисла на поверхности кремниевых полупроводниковых пластин слоя платины, термообработку полученной структуры для образования силицидов платины, удаления остатков слоя платины, не прореагировавших с кремнием, нанесение барьерного слоя, нанесение слоя металлизации на рабочую сторону пластин и формирование топологии металлизации на рабочей стороне пластин и нанесение металлизации на обратную сторону пластин (см. патент США №5,888,891 класс.H01L 29/872, патент США №4,408,216 класс.H01L 29/48, патент Беларуси №15214 класс.H01L 29/47).Known methods for the manufacture of Schottky diodes on silicon, including applying an oxide layer on the surface of silicon semiconductor wafers to a platinum layer, heat treating the resulting structure to form platinum silicides, removing platinum layer residues that have not reacted with silicon, applying a barrier layer, applying a metallization layer to the working side of the wafers and forming a metallization topology on the working side of the plates and applying metallization on the back of the plates (see US patent No. 5,888,891 class. H01L 29/872, US patent And No. 4,408,216 class. H01L 29/48, patent of Belarus No. 15214 class. H01L 29/47).
В качестве барьерного слоя, который препятствует образованию силицидов из материала металлизации анода диода, например из алюминия, используют молибден, ванадий, титан.As a barrier layer that prevents the formation of silicides from the metallization material of the diode anode, for example from aluminum, molybdenum, vanadium, and titanium are used.
В качестве металлизации анода диода на рабочей стороне используют алюминий, золото, системы алюминий-никель-серебро. Наиболее широко в промышленности используют барьерный слой молибдена, ванадия и металлизацию из алюминия, т.к. формирование топологии металлизации на рабочей стороне пластины могут быть созданы в одном процессе травления.As metallization of the anode of the diode on the working side, aluminum, gold, aluminum-nickel-silver systems are used. The most widely used in industry are a barrier layer of molybdenum, vanadium and aluminum metallization, because the formation of a metallization topology on the working side of the plate can be created in one etching process.
Металлизация катода диода наносится на обратную сторону пластин и обычно состоит из пленок золота, либо многослойных систем типа титан-никель-серебро, титан-никель-золото, хром-никель-золото, которая легко паяется твердыми и мягкими припоями.Metallization of the cathode of the diode is applied to the back of the plates and usually consists of gold films or multilayer systems such as titanium-nickel-silver, titanium-nickel-gold, chrome-nickel-gold, which is easily soldered by hard and soft solders.
Основным недостатком этих способов является то, что высота барьера силицида платины-кремний составляет 0,78 эВ, что увеличивает падение напряжения в открытом диоде Шоттки до величин порядка 0,63-0,65 В и снижает к.п.д., особенно низковольтовых источников питания.The main disadvantage of these methods is that the height of the platinum-silicon silicide barrier is 0.78 eV, which increases the voltage drop in the open Schottky diode to values of the order of 0.63-0.65 V and reduces the efficiency, especially low-voltage power sources.
Указанный недостаток частично устранен в способе изготовления кремниевых диодов Шоттки на кремнии, включающий нанесение в окна окисла на поверхности кремниевых полупроводниковых пластин слоя платины, слоя никеля, термообработку полученной структуры для образования силицидов платины и никеля, удаления остатков слоя платины и никеля не прореагировавших с кремнием, нанесение барьерного слоя, нанесение слоя металлизации на рабочую сторону пластин и формирование топологии металлизации на рабочей стороне пластин и нанесение металлизации на обратную сторону пластин (см. статью «Effect of Pt addition on Ni silicide formation at low temperature: Growth, redistribution, and solubility», K. Hoummada, C. Perrin-Pellegrino, D. Mangelinck, в журнале «Journal of Applied Physics 106», 2009, 063511).This drawback is partially eliminated in the method of manufacturing silicon Schottky diodes on silicon, including applying a platinum layer, a nickel layer to the oxide windows on the surface of silicon semiconductor wafers, heat treatment of the resulting structure to form platinum and nickel silicides, removing residues of the platinum and nickel layer that did not react with silicon, applying a barrier layer, applying a metallization layer to the working side of the plates and forming a metallization topology on the working side of the plates and applying metallization on the back of the plates (see the article “Effect of Pt addition on Ni silicide formation at low temperature: Growth, redistribution, and solubility”, K. Hoummada, C. Perrin-Pellegrino, D. Mangelinck, in the journal Journal of Applied Physics 106 ", 2009, 063511).
Никель применяют для защиты платины при термообработке для формирования силицидов, а также он участвует в формировании силицида никеля, который снижает высоту барьера контакта Шоттки. В промышленности применяют несколько способов нанесения платины и никеля: например с помощью магнетронного распыления никель-платиновой мишени, содержащей 5-10% платины, либо с помощью магнетронного распыления последовательного нанесения слоев платины и слоя никеля. Последовательное нанесение слоев платины и никеля предпочтительнее, так как оно позволяет управлять высотой барьера контакта Шоттки в пределах 0,7-0,84 эВ. Термообработку проводят в одну или две стадии. Термообработку в одну стадию проводят при температуре 470-550°С. При двух стадийной обработке первая стадия проводится при 240-450°С, вторая стадия проводится при 550°С. Время первой стадии отжига составляет от 90-240 мин, второй стадии - п30 мин.Nickel is used to protect platinum during heat treatment to form silicides, and it also participates in the formation of nickel silicide, which reduces the height of the Schottky contact barrier. Several methods of applying platinum and nickel are used in industry: for example, by magnetron sputtering of a nickel-platinum target containing 5-10% platinum, or by magnetron sputtering of successive deposition of platinum and nickel layers. Sequential deposition of platinum and nickel layers is preferable, since it allows you to control the height of the Schottky contact barrier in the range of 0.7-0.84 eV. Heat treatment is carried out in one or two stages. Heat treatment in one stage is carried out at a temperature of 470-550 ° C. With two stages of processing, the first stage is carried out at 240-450 ° C, the second stage is carried out at 550 ° C. The time of the first stage of annealing is from 90-240 minutes, the second stage - p30 minutes
В промышленности в основном применяют одностадийную термообработку в пределах 490-520°С.In industry, one-stage heat treatment is mainly used in the range of 490-520 ° C.
При изготовлении диодов Шоттки по вышеуказанному способу высота барьера из-за наличия силицида никеля снижается до величины 0,70-0,72 эВ и падение напряжения на диоде снижается до величины 0,55-0,57 В, что в ряде случаев оказывается недостаточным.In the manufacture of Schottky diodes according to the above method, the barrier height due to the presence of nickel silicide is reduced to a value of 0.70-0.72 eV and the voltage drop across the diode decreases to a value of 0.55-0.57 V, which in some cases is insufficient.
Так как при термообрабтке на границе зерен силицида никеля накапливается платина, то снизить высоту барьера контакта Шоттки меньше чем 0,70 эВ нельзя, причем количество стадии и последовательность термообработки на высоту барьера контакта Шоттки не влияют (см. статью «Leakage Reduction by Thermal Annealing of NiPtSi Silicided Junctions and Anomalous Grain-Incompatible Pt Network» Masakatsu Tsuchiaki and Akira Nishiyama, в журнале «Japanese Journal of Applied Physics», 2010, 04DA01).Since platinum accumulates during heat treatment at the grain boundary of nickel silicide, it is impossible to reduce the height of the Schottky contact barrier to less than 0.70 eV, and the number of stages and the sequence of heat treatment do not affect the height of the Schottky contact barrier (see the article “Leakage Reduction by Thermal Annealing of NiPt Si Silicided Junctions and Anomalous Grain-Incompatible Pt Network (Masakatsu Tsuchiaki and Akira Nishiyama, Japanese Journal of Applied Physics, 2010, 04DA01).
Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение диапазона регулирования высоты барьера контакта Шоттки.The technical result of the invention is to increase the range of regulation of the height of the Schottky contact barrier.
Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известного способа, в предлагаемом способе изготовления кремниевых диодов Шоттки, включающем нанесение в окна окисла на поверхности кремниевых полупроводниковых пластин слоя платины, слоя никеля, термообработки полученной структуры для образования силицидов платины и никеля, удаления остатков слоя платины и никеля, не прореагировавших с кремнием; нанесение барьерного слоя, нанесение слоя металлизации на рабочую сторону пластин и формирование топологии металлизации на рабочей стороне пластин и нанесение металлизации на обратную сторону пластин, отличающийся тем, что термообработку проводят путем облучения фотонами света перпендикулярно рабочей поверхности пластин в вакууме с давлением не более 1300 Па, при температуре 470±5°С, в течение 5-15 минут.The specified technical result is achieved by the fact that, in contrast to the known method, in the proposed method for the manufacture of Schottky silicon diodes, comprising applying a platinum layer, a nickel layer to the oxide windows on the surface of silicon semiconductor wafers, heat treatment of the resulting structure to form platinum and nickel silicides, removing layer residues platinum and nickel not reacted with silicon; applying a barrier layer, applying a metallization layer on the working side of the plates and forming a metallization topology on the working side of the plates and applying metallization on the reverse side of the plates, characterized in that the heat treatment is carried out by irradiating light photons perpendicular to the working surface of the plates in vacuum with a pressure of not more than 1300 Pa, at a temperature of 470 ± 5 ° C, for 5-15 minutes.
Термообработка путем облучения фотонами света перпендикулярно рабочей поверхности ускоряет достижение необходимой температуры для образования силицидов и не позволяет накапливаться платине на границе зерен силицида никеля.Heat treatment by irradiating light with photons perpendicular to the working surface accelerates the achievement of the required temperature for the formation of silicides and does not allow platinum to accumulate at the grain boundary of nickel silicide.
Применение вакуума с давлением меньше 1300 Па позволяет исключить окисление платины и увеличение обратных токов. При времени термообработки меньше 5 минут воспроизводимость высоты барьера контакта Шоттки из-за повышения коэффициента неидеальности контакта резко ухудшается, а при термообработке более 15 минут высота барьера становится равной 0,7 эВ и более.The use of vacuum with a pressure of less than 1300 Pa eliminates the oxidation of platinum and an increase in reverse currents. With a heat treatment time of less than 5 minutes, the reproducibility of the height of the Schottky contact barrier decreases sharply due to an increase in the contact imperfection coefficient, and with heat treatment for more than 15 minutes, the barrier height becomes 0.7 eV or more.
Сущность изобретения поясняется фигурами.The invention is illustrated by figures.
На фиг. 1, 2, 3 поясняются этапы осуществления предполагаемого изобретения: Позициями на фиг. 1, 2, 3 обозначены:In FIG. 1, 2, 3, the steps of the proposed invention are explained: With reference to FIG. 1, 2, 3 are indicated:
1 - кремниевая подложка1 - silicon substrate
2 - эпитаксиальный слой2 - epitaxial layer
3 - охранное р-кольцо3 - security r-ring
4 - слой оксида кремния4 - layer of silicon oxide
5 - слой платины5 - platinum layer
6 - слой никеля6 - nickel layer
7 - поток фотонов7 - photon flux
8 - силицид платины и никеля8 - platinum and nickel silicide
9 - молибден9 - molybdenum
10 - алюминий10 - aluminum
11 - металлизация катода диода (золото).11 - metallization of the cathode of the diode (gold).
По предлагаемому способу был изготовлен диод Шоттки типа 2ДШ2163Б-5.According to the proposed method, a Schottky diode of the 2DSh2163B-5 type was manufactured.
На кремниевой монокристаллической подложке 1 n-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,003 Ом*см и толщиной 420 мкм (кристаллографическая ориентация подложки [111]) выращен эпитаксиальный n-слой 2 с удельным сопротивлением 0.8 Ом*см толщиной 7 мкм. На эпитаксиальном слое пирогенным методом осаждается пленка оксида кремния 4 толщиной 0,4-0,6 мкм. Внутри эпитаксиального слоя с помощью фотолитографии и ионного легирования создается Охранное р-кольцо 3, в окисле формируются контактные окна для диода Шоттки. Магнетронным методом напыляется слой платины 5 до толщины 10 нм и слой никеля 6 до толщины 300 нм. Далее проводится фотонная обработка платины и никеля в вакуумной печи OTF 1200-Х при следующих режимах:An epitaxial n-
предварительный вакуум ≤1300 Па;pre-vacuum ≤1300 Pa;
время отжига: 5-15 минут;annealing time: 5-15 minutes;
температура отжига: 465-475°С.annealing temperature: 465-475 ° C.
Причем фотонная обработка осуществляется посредством освещения пластины галогенными лампами, лучи от которой падают на рабочую сторону пластины перпендикулярно ее поверхности.Moreover, photon processing is carried out by lighting the plate with halogen lamps, the rays from which fall on the working side of the plate perpendicular to its surface.
Остатки платины и никеля стравливаются в царской водке при Т=75±5°С. Силицид платины и никеля 8 остается в рабочей зоне контакта диода Шоттки. Далее магнетронным методом выполняется напыление молибдена 9 до толщины 0.3 мкм и электронным лучом алюминия 10 до толщины 5 мкм. Затем на обратной стороне формируют металлизацию катода диода 11, напыляя слой золота (навеска 60 мг на 1 пластину) и проводя его термообработку при Т=400°С в азоте.The remains of platinum and nickel are etched in aqua regia at T = 75 ± 5 ° C. The silicide of platinum and
В таблице №1 приведены сравнительные результаты изготовления диодов 2ДШ2163Б-5 в различных режимах обработки. Нормы отбраковки по Uост≤0,48 В на токе 3А, нормы отбраковки по Iобр≤80 мкА при напряжении 50 В.Table No. 1 shows the comparative results of the manufacture of 2DSh2163B-5 diodes in various processing modes. The rejection rate for U ost ≤0.48 V at a current of 3A, the rejection rate for I arr ≤80 μA at a voltage of 50 V.
Как видно из таблицы, в режимах 3, 4 и 5 получаются годные изделия.As can be seen from the table, in
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019111221A RU2703931C1 (en) | 2019-04-15 | 2019-04-15 | Method of producing schottky silicon diodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019111221A RU2703931C1 (en) | 2019-04-15 | 2019-04-15 | Method of producing schottky silicon diodes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2703931C1 true RU2703931C1 (en) | 2019-10-22 |
Family
ID=68318506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019111221A RU2703931C1 (en) | 2019-04-15 | 2019-04-15 | Method of producing schottky silicon diodes |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2703931C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113054007A (en) * | 2021-03-17 | 2021-06-29 | 西安微电子技术研究所 | Schottky diode made of NiPt15 alloy and preparation method thereof |
| CN113314412A (en) * | 2021-06-24 | 2021-08-27 | 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 | Method for manufacturing Schottky diode |
| RU211424U1 (en) * | 2021-12-27 | 2022-06-06 | Общество С Ограниченной Ответственность "Газпром Трансгаз Уфа" | Protective current distributor with remote control |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8648437B2 (en) * | 2009-06-01 | 2014-02-11 | Stmicroelectronics S.R.L. | Trench sidewall contact Schottky photodiode and related method of fabrication |
| US8895424B2 (en) * | 2006-03-07 | 2014-11-25 | Siliconix Technology C. V. | Process for forming schottky rectifier with PtNi silicide schottky barrier |
| WO2017139300A1 (en) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | The Penn State Research Foundation | Device comprising a light-emitting diode and a schottky barrier diode rectifier, and method of fabrication |
| WO2018165088A1 (en) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | Raytheon Company | Schottky contact structure for semiconductor devices and method for forming such schottky contact structure |
-
2019
- 2019-04-15 RU RU2019111221A patent/RU2703931C1/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8895424B2 (en) * | 2006-03-07 | 2014-11-25 | Siliconix Technology C. V. | Process for forming schottky rectifier with PtNi silicide schottky barrier |
| US8648437B2 (en) * | 2009-06-01 | 2014-02-11 | Stmicroelectronics S.R.L. | Trench sidewall contact Schottky photodiode and related method of fabrication |
| WO2017139300A1 (en) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | The Penn State Research Foundation | Device comprising a light-emitting diode and a schottky barrier diode rectifier, and method of fabrication |
| WO2018165088A1 (en) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | Raytheon Company | Schottky contact structure for semiconductor devices and method for forming such schottky contact structure |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113054007A (en) * | 2021-03-17 | 2021-06-29 | 西安微电子技术研究所 | Schottky diode made of NiPt15 alloy and preparation method thereof |
| CN113314412A (en) * | 2021-06-24 | 2021-08-27 | 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 | Method for manufacturing Schottky diode |
| RU211424U1 (en) * | 2021-12-27 | 2022-06-06 | Общество С Ограниченной Ответственность "Газпром Трансгаз Уфа" | Protective current distributor with remote control |
| RU2797136C1 (en) * | 2022-09-29 | 2023-05-31 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Севастопольский государственный университет" | Method for manufacturing planar diode with anode whisker and air lead using “mesa-mesa” technology |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6803232B2 (en) | New laminate | |
| EP0064829B1 (en) | High electron mobility semiconductor device and process for producing the same | |
| CN1172551A (en) | Method of producing ohmic contact and semiconductor device | |
| JP2013191824A (en) | Oxide semiconductor and semiconductor junction device including oxide semiconductor | |
| RU2703931C1 (en) | Method of producing schottky silicon diodes | |
| JP3584481B2 (en) | Method for forming ohmic electrode and laminate for forming ohmic electrode | |
| CN1107339C (en) | Laminate for forming ohmic electrode and ohmic electrode | |
| CN103943495A (en) | Height adjusting method of metal and N-type silicon Schottky contact-potential barrier | |
| CN101567383A (en) | Ohmic electrode structure for silicon carbide and manufacturing method thereof | |
| JPH0621099A (en) | Manufacture of gaas mesfet | |
| JP6686581B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
| CN114068679B (en) | Silicon carbide diode and preparation method thereof | |
| US10192970B1 (en) | Simultaneous ohmic contact to silicon carbide | |
| IL274237A (en) | Method for controlling the amount of radiation having a predetermined wavelength to be absorbed by a structure disposed on a semiconductor | |
| CN216597592U (en) | Silicon carbide diode | |
| KR20200133594A (en) | Schottky diode and method for fabricating the same | |
| JP5437114B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor transistor | |
| KR20020082637A (en) | Metal electrode for light emitting diodes using n-ZnO group semiconductor and manufacturing method thereof | |
| JPH0831767A (en) | Method of manufacturing electrode structure | |
| JP4562223B2 (en) | Semiconductor single crystal heat treatment method and semiconductor device manufacturing method | |
| KR101309767B1 (en) | Light emitting device of a nitride compound semiconductor and the fabrication method thereof | |
| WO2024257652A1 (en) | Oxide semiconductor, method for manufacturing same, p-type oxide semiconductor, and power device | |
| KR100622998B1 (en) | Method for manufacturing ohmic contact for compound semiconductor using zinc oxide semiconductor | |
| JP2017168679A (en) | Silicon carbide semiconductor element and silicon carbide semiconductor element manufacturing method | |
| KR20240081881A (en) | The Manufacturing method of gallium oxide amorphous films and semiconductor containing gallium oxide |