RU2676059C1 - Microsystem indicator of electric fields of space apparatus - Google Patents
Microsystem indicator of electric fields of space apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- RU2676059C1 RU2676059C1 RU2018107591A RU2018107591A RU2676059C1 RU 2676059 C1 RU2676059 C1 RU 2676059C1 RU 2018107591 A RU2018107591 A RU 2018107591A RU 2018107591 A RU2018107591 A RU 2018107591A RU 2676059 C1 RU2676059 C1 RU 2676059C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrode
- movable shielding
- shielding electrode
- microsystem
- indicator
- Prior art date
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 244000052769 pathogen Species 0.000 description 1
- 230000001717 pathogenic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/12—Measuring electrostatic fields or voltage-potential
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области микросистемной измерительной техники и может быть использовано для детектирования напряженности электрического поля на поверхности конструкции космического аппарата.The invention relates to the field of microsystem measurement technology and can be used to detect electric field strength on the surface of a spacecraft structure.
Из уровня техники известен ротационный измеритель напряженности электрического поля [1-6], действие которого основано на детектировании электрического поля при вращении двигателем измерительного электрода, при этом экранирующий электрод неподвижен.The prior art rotary electric field meter [1-6], the action of which is based on the detection of an electric field when the engine rotates the measuring electrode, while the shielding electrode is stationary.
Из уровня техники также известен флюксметр [7-13], в устройстве которого двигатель производит вращение экранирующего электрода, при котором измерительный электрод неподвижен, а также вибрационные датчики приборы, в которых измерительный или экранирующий электроды совершают колебательное, возвратно-поступательное движение.The fluxmeter [7-13] is also known in the prior art, in the device of which the motor rotates the shielding electrode, in which the measuring electrode is stationary, and also vibration sensors, devices in which the measuring or shielding electrodes oscillate, reciprocate.
Недостатками вышеуказанных конструкций является невозможность длительной работы в условиях вакуума при воздействии значительных перепадов температуры, вибрации, ударов. Из-за нестабильности скорости вращения двигателя, приводящей к ошибкам измерений. Кроме того, двигатель создает значительные помехи в измерительной системе. Другими недостатками известных технических решений, являются невозможность длительных непрерывных измерений, довольно низкая их чувствительность и крупногабаритность конструкции.The disadvantages of the above structures is the impossibility of prolonged operation in a vacuum when exposed to significant changes in temperature, vibration, shock. Due to the instability of the engine speed, leading to measurement errors. In addition, the engine creates significant interference in the measuring system. Other disadvantages of the known technical solutions are the impossibility of long-term continuous measurements, their rather low sensitivity and large design.
Известны датчики вибрационного типа [14-21], в которых измерительный или экранирующий электрод колеблются в области неоднородного поля под действием электромагнитного возбудителя. Приборы данного вида свободны от большинства недостатков приборов первых двух классов, однако они имеют недостаточную чувствительность вследствие того, что размеры и амплитуда перемещения электродов в них меньше чем в флюксметрах и ротационных датчиках.Sensors of a vibrational type are known [14-21], in which a measuring or shielding electrode oscillates in an inhomogeneous field under the action of an electromagnetic pathogen. Devices of this type are free from most of the disadvantages of the devices of the first two classes, however, they have insufficient sensitivity due to the fact that the size and amplitude of the movement of the electrodes in them are smaller than in fluxmeters and rotational sensors.
Наиболее близким аналогом предлагаемого технического решения является датчик электростатического поля, описанный в авторском свидетельстве СССР №881628. В данном техническом решении датчик содержит чувствительный электрод, подключенный к блоку регистрации и две катушки индуктивности, расположенные соосно и подключенные к генератору переменного напряжения, при этом чувствительный электрод расположен под углом 3-10° к оси катушек индуктивности.The closest analogue of the proposed technical solution is the electrostatic field sensor described in USSR author's certificate No. 881628. In this technical solution, the sensor contains a sensitive electrode connected to the registration unit and two inductors located coaxially and connected to an alternating voltage generator, while the sensitive electrode is located at an angle of 3-10 ° to the axis of the inductors.
Недостатком ближайшего аналога являются существенные массогабаритные параметры.The disadvantage of the closest analogue is the significant weight and size parameters.
Техническим результатом, на достижение которого направлено предлагаемое техническое решение, является уменьшение массогабаритных характеристик прибора по сравнению с известными аналогами.The technical result, the achievement of which the proposed technical solution is aimed at, is to reduce the overall dimensions of the device in comparison with the known analogues.
Предлагаемый микросистемный индикатор электрических полей космических аппаратов состоит из последовательно соединенных микромеханического исполнительного элемента на подложке, усилителя тока, и аналого-цифрового преобразователя.The proposed microsystem indicator of the electric fields of spacecraft consists of a serially connected micromechanical actuating element on a substrate, a current amplifier, and an analog-to-digital converter.
Признаки и сущность заявленного изобретения поясняются чертежами, где показано следующее.The features and essence of the claimed invention are illustrated by drawings, which show the following.
На фиг. 1а, 6 представлен вид сверху и вид в аксонометрии варианта конструкции микромеханического исполнительного элемента на подложке, где ссылочными позициями обозначено следующее:In FIG. 1a, 6 are a plan view and a perspective view of a design variant of a micromechanical actuating element on a substrate, where the reference numerals indicate the following:
1 - подложка;1 - substrate;
2 - отверстие в подвижном экранирующем электроде;2 - hole in the movable shielding electrode;
3 - чувствительный электрод;3 - sensitive electrode;
4 - подвижный экранирующий электрод;4 - movable shielding electrode;
5 - упругие гибкие подвесы подвижного экранирующего электрода;5 - elastic flexible suspensions of a movable shielding electrode;
6 - контактные площадки;6 - contact pads;
7 - металлизированные дорожки.7 - metallized tracks.
Конструкция имеет минимум четырех упругих гибких подвеса, симметрично закрепленных относительно друг друга и чувствительного электрода на подложке и удерживающих подвижный экранирующий электрод.The design has a minimum of four elastic flexible suspensions, symmetrically fixed relative to each other and the sensitive electrode on the substrate and holding the movable shielding electrode.
Подвижный экранирующий электрод с отверстием по центру расположен так, что ось симметрии чувствительного электрода равноудалена от внутреннего края отверстия подвижного экранирующего электрода. Диаметр подвижного экранирующего электрода составляет не менее 1/3 габаритного размера микромеханического исполнительного элемента. Подвижный экранирующий электрод выполнен из магнитомягкого материала.A movable shielding electrode with a hole in the center is located so that the axis of symmetry of the sensitive electrode is equidistant from the inner edge of the hole of the movable shielding electrode. The diameter of the movable shielding electrode is at least 1/3 of the overall size of the micromechanical actuator. The movable shielding electrode is made of soft magnetic material.
Чувствительный электрод, сформирован на подложке в центре отверстия подвижного экранирующего электрода, при этом диаметр чувствительного электрода меньше диаметра отверстия подвижного экранирующего электрода. Чувствительный электрод имеет возможность углубления внутрь или выдвижения из отверстия подвижного экранирующего электрода при его колебаниях. Чувствительный электрод выполнен из твердого материала, обладающего свойствами ферромагнетика с высокой магнитной проницаемостью.A sensitive electrode is formed on the substrate in the center of the hole of the movable shielding electrode, while the diameter of the sensitive electrode is smaller than the diameter of the hole of the movable shielding electrode. The sensitive electrode has the ability to deepen inward or extend from the hole of the movable shielding electrode when it vibrates. The sensitive electrode is made of a solid material having the properties of a ferromagnet with high magnetic permeability.
Чувствительный и экранирующий электроды изготовлены в едином цикле на подложке с помощью технологии поверхностной микрообработки линейного перемещения подвижного элемента в одной плоскости.Sensitive and shielding electrodes are made in a single cycle on the substrate using surface microprocessing technology of linear movement of the moving element in one plane.
Металлизированные дорожки с контактными площадками на подложке для электрического контакта усилителя тока одним выводом соединены с одним из четырех упругих гибких подвесов, а другим выводом с чувствительным электродом.Metallized tracks with pads on the substrate for electrical contact of the current amplifier with one terminal connected to one of four elastic flexible suspensions, and the other terminal with a sensitive electrode.
На фиг. 2 представлено поперечное сечение (А-А) микромеханического исполнительного элемента на подложке, где 8 - катушка индуктивности.In FIG. 2 shows a cross section (AA) of a micromechanical actuator on a substrate, where 8 is an inductor.
На фиг. 3 приведены основные размеры составных частей исполнительного элемента сформированного на подложке:In FIG. 3 shows the main dimensions of the components of the actuator formed on the substrate:
а - габаритные размеры исполнительного элемента микросистемного индикатора электрических полей - не более 1,2⋅103 мкм; a - overall dimensions of the actuating element of the microsystem indicator of electric fields - not more than 1.2⋅10 3 μm;
b - диаметр подвижного экранирующего электрода - не более 4⋅102 мкм;b - diameter of the movable shielding electrode - not more than 4⋅10 2 microns;
с - габаритные размеры опор - не более 10 мкм.C - overall dimensions of the supports - not more than 10 microns.
На фиг. 4 представлена структурная схема микросистемного индикатора электрических полей, где:In FIG. 4 is a structural diagram of a microsystem indicator of electric fields, where:
9 - усилитель тока;9 - current amplifier;
10 - аналого-цифровой преобразователь (АЦП).10 - analog-to-digital Converter (ADC).
На фиг. 5 представлена электрическая схема микросистемного индикатора электрических полей, отражающая взаимосвязь исполнительного элемента с усилителем и аналого-цифровым преобразователем.In FIG. 5 is an electrical diagram of a microsystem indicator of electric fields, reflecting the relationship of the actuator with an amplifier and an analog-to-digital converter.
Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.
Входящий в состав микромеханического исполнительного элемента экранирующий электрод (3) находится под влиянием магнитного поля катушки индуктивности. При колебаниях экранирующего электрода (4) под влиянием магнитного поля катушки индуктивности, чувствительный электрод (3) имеет постоянное значение потенциала. При появлении электрического поля порового уровня, значение потенциала чувствительного электрод (3) изменится. Чувствительный электрод (3) подключен к входному усилителю тока. Сигнал об изменении потенциала чувствительного электрода (3) поступает на усилитель (9). После усиления сигнала, происходит детектирование сигнала аналого-цифровым преобразователем (10). После усиления и синхронного детектирования на выходе получается напряжение, пропорциональное напряженности электрического поля, имеющее соответствующий знак. Напряжение с выхода микросистемного индикатора электрических полей поступает на передающее устройство.The shielding electrode (3), which is part of the micromechanical actuator, is influenced by the magnetic field of the inductor. When the shielding electrode (4) oscillates under the influence of the magnetic field of the inductor, the sensitive electrode (3) has a constant potential value. When the electric field of the pore level appears, the value of the potential of the sensitive electrode (3) will change. The sensitive electrode (3) is connected to the input current amplifier. The signal about the change in the potential of the sensitive electrode (3) is supplied to the amplifier (9). After amplification of the signal, the signal is detected by an analog-to-digital converter (10). After amplification and synchronous detection at the output, a voltage is obtained proportional to the electric field with a corresponding sign. The voltage from the output of the microsystem indicator of electric fields is supplied to the transmitting device.
Заявленное изобретение обеспечивает создание миниатюрных устройств для детектирования электрических полей, образовавшихся в результате накопления поверхностью космических аппаратов электростатических зарядов.The claimed invention provides the creation of miniature devices for detecting electric fields formed as a result of the accumulation of electrostatic charges by the surface of spacecraft.
Кроме снижения массогабаритных характеристик разработанная конструкция позволяет повысить радиационную стойкость до 106 рад, вследствие слабой чувствительности исполнительных элементов микросистемной техники к данному типу воздействия, уменьшить мощность потребления устройства (не менее 10%), повысить работоспособность в условиях открытого космоса, а также устойчивость к жестким климатическим условиям эксплуатации.In addition to reducing the overall dimensions, the developed design makes it possible to increase radiation resistance to 10 6 rad, due to the low sensitivity of the executive elements of microsystem technology to this type of exposure, reduce the power consumption of the device (at least 10%), increase efficiency in open space, as well as resistance to harsh climatic conditions of operation.
Взаимодействие индикаторов электрических полей с активными системами защиты от электростатических зарядов космических аппаратов позволит существенно повысить надежность бортовой аппаратуры КА.The interaction of electric field indicators with active systems of protection against electrostatic charges of spacecraft will significantly increase the reliability of spacecraft onboard equipment.
Источники информацииInformation sources
1. Авторское свидетельство 580525 от 15.11.77 «Датчик электростатического поля».1. Copyright certificate 580525 of 11/15/77 "Electrostatic field sensor".
2. Авторское свидетельство 593165 от 15.02.78 «Датчик для регистрации плотности статистического электричества».2. Copyright certificate 593165 of 02.15.78 “Sensor for recording the density of statistical electricity”.
3. Патент RU 2199761 от 27.02.2003 «Устройство для измерения напряженности статического и квазистатического электрического поля».3. Patent RU 2199761 of 02.27.2003 “Device for measuring the strength of static and quasistatic electric fields”.
4. Патент США на изобретение US 6483223 "Method to prevent charging effects in electrostatic devices". Victor Donald Samper, Uppili Sridhar, Olaf Knueppel, Feng Han Hua, Hui Wing, Cheong. Institute of Microelectronics. 19.11.2002.4. US patent for the invention US 6483223 "Method to prevent charging effects in electrostatic devices". Victor Donald Samper, Uppili Sridhar, Olaf Knueppel, Feng Han Hua, Hui Wing, Cheong. Institute of Microelectronics. 11/19/2002.
5. Авторское свидетельство 653583 от 11.05.77 «Датчик электростатического поля».5. Copyright certificate 653583 dated 05/11/77 "Electrostatic field sensor".
6. Авторское свидетельство 769455 от 26.12.78 «Датчик электростатического поля».6. Copyright certificate 769455 of 12/26/78 "Sensor of the electrostatic field."
7. Авторское свидетельство 629513 от 28.08.78 «Датчик электростатического поля».7. Copyright certificate 629513 dated 08/28/78 "Sensor of the electrostatic field."
8. Авторское свидетельство 718809 от 28.02.80 «Измеритель напряженности электростатического поля».8. Copyright certificate 718809 of 02.28.80 “Electrostatic field strength meter”.
9. Авторское свидетельство 1116399 от 21.04.83 «Устройство для измерения напряженности электрического поля».9. Copyright certificate 1116399 of 04/21/83 "Device for measuring electric field strength."
10. Авторское свидетельство 1201784 от 16.12.83 «Устройство для измерения напряженности электрического поля СВЧ».10. Copyright certificate 1201784 of December 16, 83 “Device for measuring the microwave electric field”.
11. Патент RU 2020497 от 30.09.1994 «Датчик электростатического поля»11. Patent RU 2020497 dated 09/30/1994 "Sensor of an electrostatic field"
12. Патент RU 2028636 от 09.02.1995 «Устройство для измерения напряженности электростатического поля».12. Patent RU 2028636 of 02/09/1995 "Device for measuring the intensity of the electrostatic field."
13. Патент RU 2442183 от 10.02.2012 «Датчик измерителя напряженности электростатического поля».13. Patent RU 2442183 dated 02/10/2012 “Sensor of an electrostatic field strength meter”.
14. Авторское свидетельство 845119 от 20.03.78 «Датчик электростатического поля».14. Copyright certificate 845119 of 03/20/78 "Sensor of the electrostatic field."
15. Авторское свидетельство 881628 от 05.10.79 Датчик электростатического поля».15. Copyright certificate 881628 of 05.10.79 Electrostatic field sensor. "
16. Авторское свидетельство 1709246 от 07.04.88 «Датчик электростатического поля».16. Copyright certificate 1709246 of 04/07/08 "Sensor of the electrostatic field."
17. Патент RU 2212678 от 20.09.2003 «Устройство для измерения напряженности электростатического поля».17. Patent RU 2212678 of 09/20/2003 "Device for measuring the intensity of the electrostatic field."
18. Патент RU 2414717 от 20.03.2011 «Датчик электростатического поля и способ измерения электростатического поля».18. Patent RU 2414717 dated 03/20/2011 "Electrostatic field sensor and a method for measuring the electrostatic field."
19. Патент RU 2445639 от 20.03.2012 «Способ измерения напряженности электрического поля».19. Patent RU 2445639 dated 03/20/2012 "Method for measuring electric field strength."
20. Заявка США на изобретение US 2009/0273337 «Electric field sensor with electrode interleaving vibration». Shanhong XIA, Chao YE, Chao GONG, Xianxiang CHEN, Qiang BAI, Shaofeng CHEN, 5.11.2009.20. Application for US invention US 2009/0273337 "Electric field sensor with electrode interleaving vibration". Shanhong XIA, Chao YE, Chao GONG, Xianxiang CHEN, Qiang BAI, Shaofeng CHEN, 11/5/2009.
21. Патент WO 2014045406 от 27.03.2014 «Potential measuring device»21. Patent WO 2014045406 dated 03/27/2014 "Potential measuring device"
Claims (16)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018107591A RU2676059C1 (en) | 2018-03-01 | 2018-03-01 | Microsystem indicator of electric fields of space apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018107591A RU2676059C1 (en) | 2018-03-01 | 2018-03-01 | Microsystem indicator of electric fields of space apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2676059C1 true RU2676059C1 (en) | 2018-12-25 |
Family
ID=64753861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018107591A RU2676059C1 (en) | 2018-03-01 | 2018-03-01 | Microsystem indicator of electric fields of space apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2676059C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU194630U1 (en) * | 2019-07-08 | 2019-12-17 | Евгений Юрьевич Николаев | Device for measuring the intensity and potential of the electrostatic field in environmental conditions |
| RU2719274C1 (en) * | 2019-05-27 | 2020-04-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Three-phase cavitation sensing element of electric field, method of its production and application |
| RU2719271C1 (en) * | 2019-05-27 | 2020-04-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Bubble sensor for detecting weak electric fields |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2020497C1 (en) * | 1992-07-06 | 1994-09-30 | Валерий Николаевич Таисов | Transducer of electrostatic field |
| US5986629A (en) * | 1996-10-02 | 1999-11-16 | Xerox Corporation | Electrostatic discharge indicator |
| WO2011008872A1 (en) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | Amfit, Inc. | Electrostatic sensor device and matrix |
| US8339131B2 (en) * | 2005-06-09 | 2012-12-25 | Institute Of Electronics, Chinese Academy Of Sciences | Electric field sensor with electrode interleaving vibration |
| US20140167732A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-19 | Lutz Mueller | Micromechanical Electric Field Meter as a Thunderstorm Warning Device |
| RU2606927C1 (en) * | 2015-08-10 | 2017-01-10 | Акционерное общество "Научно-производственное объединение измерительной техники" | Electrostatic field intensity meter |
-
2018
- 2018-03-01 RU RU2018107591A patent/RU2676059C1/en active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2020497C1 (en) * | 1992-07-06 | 1994-09-30 | Валерий Николаевич Таисов | Transducer of electrostatic field |
| US5986629A (en) * | 1996-10-02 | 1999-11-16 | Xerox Corporation | Electrostatic discharge indicator |
| US8339131B2 (en) * | 2005-06-09 | 2012-12-25 | Institute Of Electronics, Chinese Academy Of Sciences | Electric field sensor with electrode interleaving vibration |
| WO2011008872A1 (en) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | Amfit, Inc. | Electrostatic sensor device and matrix |
| US20140167732A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-19 | Lutz Mueller | Micromechanical Electric Field Meter as a Thunderstorm Warning Device |
| RU2606927C1 (en) * | 2015-08-10 | 2017-01-10 | Акционерное общество "Научно-производственное объединение измерительной техники" | Electrostatic field intensity meter |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2719274C1 (en) * | 2019-05-27 | 2020-04-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Three-phase cavitation sensing element of electric field, method of its production and application |
| RU2719271C1 (en) * | 2019-05-27 | 2020-04-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Bubble sensor for detecting weak electric fields |
| RU194630U1 (en) * | 2019-07-08 | 2019-12-17 | Евгений Юрьевич Николаев | Device for measuring the intensity and potential of the electrostatic field in environmental conditions |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2676059C1 (en) | Microsystem indicator of electric fields of space apparatus | |
| JP6835724B2 (en) | Inductive displacement sensor | |
| US9354283B2 (en) | Sensor and method of controlling the same | |
| CN105444872B (en) | A kind of vibrating sensor based on nano particle dot array Quantum Transport Properties | |
| US9322839B2 (en) | Magnetic inertial sensor and method for operating the same | |
| JP2013524253A (en) | Electromagnetic method for detecting the relative position of two objects using a coupled tuning circuit | |
| CN102253236A (en) | Sectional magnetic encoding method and system for mMeasuring rotating shaft parameters | |
| Sherman et al. | Validation and testing of a MEMS piezoelectric permanent magnet current sensor with vibration canceling | |
| JP2015072277A (en) | Mems gyroscope with lowered magnetism sensitivity | |
| Todaro et al. | Magnetic field sensors based on microelectromechanical systems (MEMS) technology | |
| CN117665419B (en) | Ion-flow-interference-resistant resonant electrostatic field sensor and measuring device | |
| CN109282879B (en) | A kind of contactless EMAT detection method and its system of micro-mass sensor | |
| CN105277769B (en) | A kind of oscillatory type satellite surface floating potential detection device | |
| RU2291450C1 (en) | Compensation pendulum type accelerometer | |
| RU2477501C1 (en) | Seismometer | |
| RU2410703C1 (en) | Linear microaccelerometre | |
| RU2490754C1 (en) | Microelectromechanical magnetic field sensor | |
| RU2473929C1 (en) | Seismometer | |
| RU2695111C1 (en) | Miniature measuring instrument of parameters of electric power supply of spacecrafts with microsystem vibration electric field modulator | |
| CN115856725A (en) | Magnetic sensor | |
| Benabdellah et al. | New Electromagnetic Force-Displacement Sensor | |
| RU2623690C1 (en) | Electrostatic field sensor | |
| Sung et al. | Mems above cmos process for single proof-mass 3-axis lorentz-force resonant magnetic sensor | |
| Wen et al. | A characterization of the performance of MEMS vibratory gyroscope in different fields | |
| RU2489722C1 (en) | Sensitive element of angular accelerometre |