RU2490751C1 - Microbolometer with reinforced supporting beams and methods for production thereof - Google Patents
Microbolometer with reinforced supporting beams and methods for production thereof Download PDFInfo
- Publication number
- RU2490751C1 RU2490751C1 RU2012104368/28A RU2012104368A RU2490751C1 RU 2490751 C1 RU2490751 C1 RU 2490751C1 RU 2012104368/28 A RU2012104368/28 A RU 2012104368/28A RU 2012104368 A RU2012104368 A RU 2012104368A RU 2490751 C1 RU2490751 C1 RU 2490751C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- etching
- semiconductor
- mask
- beams
- layer
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технике машинного зрения и может быть использовано в фотоприемных устройствах инфракрасного диапазона, в частности в дешевых тепловизорах охранных систем для круглосуточного, всепогодного обзора и опознания объектов на охраняемой территории.The invention relates to techniques for machine vision and can be used in infrared photodetectors, in particular in cheap thermal imagers of security systems for round-the-clock, all-weather viewing and identification of objects in a protected area.
Известен, микроболометр, выполненный в исходной структуре, состоящей из активного слоя полупроводника, слоя изолятора и полупроводниковой подложки, в виде поддерживаемого на термоизолирующих балках над вытравленной полостью термоизолированного участка активного слоя полупроводника, содержащего поглощающий элемент, находящийся с ним в тепловом контакте, нагреваемый поглощаемым излучением, и температурочувствительный элемент электрической схемы, расположенной вне термоизолированного участка, соединенный с ней проводниками, проходящими по балкам. См. патенты США: 6,573,504 Y. Iida и др. "Infrared sensor and manufacturing method thereof", 5,789,753 M.V. Wadsworth и др. "Stress tolerant bolometer".It is known that a microbolometer made in the initial structure, consisting of an active layer of a semiconductor, an insulator layer and a semiconductor substrate, is supported on thermally insulating beams above an etched cavity of a thermally insulated portion of the active layer of a semiconductor containing an absorbing element in thermal contact with it, heated by absorbed radiation , and a temperature-sensitive element of an electrical circuit located outside a thermally insulated section, connected to it by conductors, a passage conductive on the beams. See US Patents: 6,573,504 Y. Iida et al. "Infrared sensor and manufacturing method thereof", 5,789,753 M.V. Wadsworth et al. "Stress tolerant bolometer".
Наиболее близким к заявленному изобретению является устройство, описанное в патенте США 6,573,504. Оно и способ его изготовления, направленные на получение за счет утонения балки ее максимального теплового сопротивления при использовании минимального числа дополнительных операций стандартного технологического процесса изготовления ИС, обеспечивают хорошие параметры и низкую стоимость болометрических приемников, но не обеспечивают хорошей механической прочности, необходимой в ряде применений. В патенте США 7,789,753 предложено для упрочнения длинных тонких балок использовать подставки-столбики. Их недостаток - снижение теплового сопротивления балки.Closest to the claimed invention is the device described in US patent 6,573,504. It and the method of its manufacture, aimed at obtaining due to the thinning of the beam its maximum thermal resistance using the minimum number of additional operations of the standard technological process of manufacturing ICs, provide good parameters and low cost bolometric receivers, but do not provide the good mechanical strength required in a number of applications. US Pat. No. 7,789,753 proposes to use column supports to strengthen long thin beams. Their disadvantage is a decrease in the thermal resistance of the beam.
Техническим результатом настоящего изобретения является создание конструкции и способов изготовления дешевого микроболометра с утоненными, но упрочненными поддерживающими балками.The technical result of the present invention is the creation of designs and methods for manufacturing a cheap microbolometer with thinned, but hardened support beams.
Указанный результат достигается за счет того, что в известном устройстве микроболометра, выполненного в исходной структуре, состоящей из активного слоя полупроводника, слоя изолятора и полупроводниковой подложки, в виде поддерживаемого на термоизолирующих балках над вытравленной полостью термоизолированного участка активного слоя полупроводника, содержащего поглощающий элемент, находящийся с ним в тепловом контакте, нагреваемый поглощаемым излучением, и температурочувствительный элемент электрической схемы, расположенной вне термоизолированного участка, соединенный с ней проводниками, проходящими по балкам, и в известных способах его изготовления, включающем изготовление КМОП структуры в активном слое полупроводника с формированием соединений и боковой частичной изоляции компонентов диэлектриком, нанесение поглощающих слоев, формирование маски и вертикальное травление в ее зазорах поглощающих и диэлектрических слоев, изотропное травление активного слоя полупроводника, вертикальное травление слоя изолятора, вертикальное травление активного полупроводника, удаление маски, нанесение на все поверхности защитного диэлектрика, вертикальное травление защитного диэлектрика, травление подложечного полупроводника для образования в нем термоизолирующей полости, нанесение на все поверхности защитного диэлектрика, или включающем изготовление КМОП структуры в активном слое полупроводника с формированием соединений и боковой полной изоляции компонентов диэлектриком, нанесение поглощающих слоев, формирование маски и вертикальное травление в ее зазорах поглощающих и диэлектрических слоев, изотропное травление активного слоя полупроводника, вертикальное травление слоя изолятора, травление подложечного полупроводника для образования в нем термоизолирующей полости, удаление маски, нанесение на все поверхности защитного диэлектрика,This result is achieved due to the fact that in the known microbolometer device made in the original structure, consisting of an active semiconductor layer, an insulator layer and a semiconductor substrate, in the form of a thermally insulated portion of a semiconductor active layer supported on thermally insulating beams containing an absorbing element located with him in thermal contact, heated by absorbed radiation, and a temperature-sensitive element of an electrical circuit located outside of the insulated section, connected to it by conductors passing through the beams, and in known methods of its manufacture, including the manufacture of a CMOS structure in the active layer of a semiconductor with the formation of compounds and lateral partial isolation of components by a dielectric, the application of absorbing layers, the formation of a mask and vertical etching in its absorption gaps and dielectric layers, isotropic etching of the active semiconductor layer, vertical etching of the insulator layer, vertical etching of the active semiconductor a, removing the mask, applying a protective dielectric to all surfaces, vertical etching of the protective dielectric, etching the substrate semiconductor to form a thermally insulating cavity in it, applying a protective dielectric to all surfaces, or involving the manufacture of CMOS structures in the active layer of the semiconductor with the formation of compounds and lateral full insulation components by a dielectric, application of absorbing layers, mask formation and vertical etching in its gaps of absorbing and dielectric layers, isot main etching of the active semiconductor layer, vertical etching of the insulator layer, etching of the substrate semiconductor to form a thermally insulating cavity in it, removing the mask, applying a protective dielectric to all surfaces,
предложено:suggested by:
- балки выполнить двухслойными со слоями, разделенными термоизолирующим зазором;- beams be double-layer with layers separated by a heat-insulating gap;
- при изготовлении КМОП структуры с боковой частичной изоляцией компонентов диэлектриком вертикальное травление в зазорах маски поглощающих и диэлектрических слоев проводить через первую встроенную маску, формируемую при изготовлении КМОП структуры вокруг термоизолируемого участка активного слоя полупроводника над диэлектриком боковой изоляции в виде рамки из жертвенного поликремния шириной не менее половины ширины термоизолирующей балки, удаляемого при изотропном травлении активного слоя полупроводника, травление диэлектриков, активного и подложечного полупроводников проводить через вторую встроенную маску, в качестве которой использовать проводники соединений над балками, выполненные из устойчивого к процессам травления материала;- in the manufacture of a CMOS structure with lateral partial isolation of components by a dielectric, vertical etching in the gaps of the mask of the absorbing and dielectric layers should be carried out through the first built-in mask formed during the manufacture of the CMOS structure around the thermally insulated portion of the active layer of the semiconductor above the side insulator in the form of a frame of sacrificial polysilicon with a width of not less than half the width of the thermally insulating beam, removed by isotropic etching of the active layer of the semiconductor, etching of dielectrics, conduct active and substrate semiconductors through a second built-in mask, which is used as connection conductors over beams made of material resistant to etching processes;
- при изготовлении КМОП структуры с боковой полной изоляцией компонентов диэлектриком травление в зазорах маски диэлектриков, активного и подложечного полупроводников проводить через дополнительную встроенную маску, в качестве которой использовать проводники соединений над балками, выполненные из устойчивого к процессам травления материала.- in the manufacture of a CMOS structure with lateral complete isolation of components by a dielectric, etching in the gaps of the dielectric mask, active and substrate semiconductors is carried out through an additional built-in mask, which is used as connection conductors above the beams made of material resistant to etching processes.
Указанный выше технический результат достигается совокупностью перечисленных выше новых признаков изобретения.The above technical result is achieved by the combination of the above new features of the invention.
Высокая механическая прочность балки при максимальном термосопротивлении и минимальной стоимости изготовления достигается выполнением ее двухслойной со слоями, разделенными термоизолирующим зазором, и предельно технологически утоненными.High mechanical strength of the beam with maximum thermal resistance and minimum manufacturing cost is achieved by performing its two-layer with layers separated by a heat-insulating gap, and extremely technologically thinned.
Перечень графических материалов, иллюстрирующих устройство, реализующее заявляемое изобретениеThe list of graphic materials illustrating a device that implements the claimed invention
Фиг.1 показывает устройство-прототип.Figure 1 shows a prototype device.
Фиг.2а иллюстрирует предлагаемое устройство микроболометра, изготовленного по способу, предназначенному для КМОП структуры с боковой частичной изоляцией компонентов диэлектриком.Figure 2a illustrates the proposed microbolometer device manufactured by a method for a CMOS structure with lateral partial isolation of components by a dielectric.
Фиг.2б иллюстрирует предлагаемое устройство микроболометра, изготовленного по способу, предназначенному для КМОП структуры с боковой полной изоляцией компонентов диэлектриком.Fig.2b illustrates the proposed device microbolometer manufactured by a method designed for CMOS structures with lateral full isolation of the components by a dielectric.
Предлагаемый микроболометр состоит (см. фиг.2а, 2б) из выполненного в исходной структуре, состоящей из активного слоя полупроводника (1), слоя изолятора (2) и полупроводниковой подложки (3), в виде поддерживаемого на термоизолирующих балках (4) над вытравленной полостью (5) термоизолированного участка (6) активного слоя полупроводника, содержащего поглощающий элемент (7), находящийся с ним в тепловом контакте, нагреваемый поглощаемым излучением, и температурочувствительный элемент (8) электрической схемы, расположенной вне термоизолированного участка, соединенный с ней проводниками (9), проходящими по балкам, причем балки выполнены двухслойными со слоями, разделенными термоизолирующим зазором (10).The proposed microbolometer consists (see Fig. 2a, 2b) of an initial structure consisting of an active semiconductor layer (1), an insulator layer (2) and a semiconductor substrate (3), in the form of a support on thermally insulating beams (4) above the etched cavity (5) of the thermally insulated portion (6) of the active layer of the semiconductor containing the absorbing element (7) in thermal contact with it, heated by the absorbed radiation, and a temperature-sensitive element (8) of the electrical circuit located outside the thermally insulated part a cable connected to it by conductors (9) passing along the beams, the beams being made two-layer with layers separated by a heat-insulating gap (10).
Предложены два способа изготовления микроболометров с двухслойными балками.Two methods of manufacturing microbolometers with two-layer beams are proposed.
Способ, включающий КМОП структуру в активном слое полупроводника (1) с формированием соединений (9) и боковой частичной изоляции компонентов диэлектриком (11), нанесение поглощающих слоев (7), формирование маски над термоизолированным участком (6) активного слоя полупроводника (не показана) и вертикальное травление в ее зазорах (12) поглощающих и диэлектрических слоев (7), изотропное травление активного слоя полупроводника (1), вертикальное травление, слоя изолятора (2), вертикальное травление оставшихся при изотропном травлении участков активного полупроводника (не показаны), удаление маски, нанесение на все поверхности защитного диэлектрика (не показан), вертикальное травление защитного диэлектрика, травление подложечного полупроводника (3) для образования в нем термоизолирующей полости (5), нанесение на все поверхности защитного диэлектрика (13), отличающийся тем, что вертикальное травление в зазорах (12) маски поглощающих и диэлектрических слоев, проводится через первую встроенную маску, формируемую при изготовлении КМОП структуры вокруг термоизолируемого участка (6) активного слоя полупроводника над диэлектриком боковой изоляции (11) в виде рамки из жертвенного поликремния (не показана) шириной не менее половины ширины термоизолирующей балки (4), удаляемого при изотропном травлении активного слоя полупроводника (1), травление диэлектриков, активного и подложечного полупроводников проводится через вторую встроенную маску, в качестве которой используются проводники (9) соединений над балками (4), выполненные из устойчивого к процессам травления материала.A method comprising a CMOS structure in the active layer of a semiconductor (1) with the formation of compounds (9) and lateral partial isolation of the components by a dielectric (11), the deposition of absorbing layers (7), the formation of a mask over the thermally insulated section (6) of the active layer of the semiconductor (not shown) and vertical etching in its gaps (12) of the absorbing and dielectric layers (7), isotropic etching of the active semiconductor layer (1), vertical etching of the insulator layer (2), vertical etching of sites remaining during isotropic etching o semiconductor (not shown), removing the mask, applying a protective dielectric (not shown) to all surfaces, vertical etching of the protective dielectric, etching of the substrate semiconductor (3) to form a thermally insulating cavity in it (5), applying a protective dielectric to all surfaces (13 ), characterized in that the vertical etching in the gaps (12) of the mask of the absorbing and dielectric layers is carried out through the first built-in mask formed during the manufacture of CMOS structures around the thermally insulated section (6) of the active When a semiconductor flows over a side insulation dielectric (11) in the form of a frame of sacrificial polysilicon (not shown) with a width of at least half the width of a thermally insulating beam (4) that is removed by isotropic etching of the active layer of a semiconductor (1), etching of dielectrics, active and substrate semiconductors the second built-in mask, which is used as conductors (9) of connections above the beams (4), made of a material resistant to etching processes.
Способ, включающий КМОП структуру в активном слое полупроводника (1) с формированием соединений (9) и боковой полной изоляции (14) компонентов диэлектриком, нанесение поглощающих слоев (7), формирование маски над термоизолированным участком (6) активного слоя полупроводника (не показана) и вертикальное травление в ее зазорах (12) поглощающих и диэлектрических слоев (7), изотропное травление активного слоя полупроводника (1), вертикальное травление слоя изолятора (2), травление подложечного полупроводника (3) для образования в нем термоизолирующей полости (5), удаление маски, нанесение на все поверхности защитного диэлектрика (13), отличающийся тем, что травление в зазорах (12) маски диэлектриков, активного (1) и подложечного (3) полупроводников проводится через дополнительную встроенную маску, в качестве которой используются проводники (9) соединений над балками (4), выполненные из устойчивого к процессам травления материала.A method comprising a CMOS structure in the active layer of a semiconductor (1) with the formation of compounds (9) and lateral complete isolation (14) of the components by a dielectric, the application of absorbing layers (7), the formation of a mask over the thermally insulated section (6) of the active layer of the semiconductor (not shown) and vertical etching in its gaps (12) of the absorbing and dielectric layers (7), isotropic etching of the active semiconductor layer (1), vertical etching of the insulator layer (2), etching of the substrate semiconductor (3) to form a thermally insulating layer in it fouling (5), removing the mask, applying a protective dielectric (13) to all surfaces, characterized in that the etching in the gaps (12) of the dielectric mask, active (1) and substrate (3) semiconductors is carried out through an additional built-in mask, which conductors (9) of connections above the beams (4) are used, made of a material resistant to etching processes.
Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.
Лучи от сцены попадают на поглощающий элемент (7), который нагреваясь (или остывая) передает свою температуру термоизолированному участку полупроводника (6) и соответственно температурочувствительному элементу (8) электрической схемы, расположенной вне термоизолированного участка, соединенному с ней проводниками (9), проходящими по балкам (4). Электрическая схема (не показана) преобразует изменение температуры в пропорциональный электрический сигнал. Утечка тепла по балке (4) от термоизолированных элементов (6, 7, 8) согласно изобретению снижена ее утонением, а прочность повышена благодаря двухслойной конструкции.The rays from the scene fall on the absorbing element (7), which, when heated (or cooling), transfers its temperature to the thermally insulated section of the semiconductor (6) and, accordingly, to the temperature-sensitive element (8) of the electrical circuit located outside the thermally insulated section, connected to it by conductors (9) passing along the beams (4). An electrical circuit (not shown) converts the temperature change into a proportional electrical signal. Heat leakage along the beam (4) from thermally insulated elements (6, 7, 8) according to the invention is reduced by its thinning, and the strength is increased due to the two-layer structure.
Изготовление согласно предложенным двум способам производится следующим образом.Production according to the proposed two methods is as follows.
После изготовления КМОП структуры в активном слое полупроводника (1) с формированием соединений (9) и боковой частичной изоляции компонентов диэлектриком (11) производится нанесение поглощающих слоев (7). Затем формируется маска, предотвращающая выполнение последующих операций над термоизолированным участком (6, 7, 8). Проводится вертикальное травление в зазорах (12) маски поглощающих и диэлектрических слоев (7) до рамки жертвенного поликремния и проводников (9) над балкой (4), служащих дополнительными встроенными масками. В результате остаются низлежащие диэлектрики под поликремнием и проводником (9), поэтому изотропное травление активного слоя полупроводника (1) удаляет его из-под первого слоя балки до изолятора (11), но не доходит вбок до термоизолируемого участка полупроводника (6). При этом также удаляется и поликремниевая маска. После вертикального травления слоя изолятора (2) и затем вертикального травления оставшихся при изотропном травлении участков активного полупроводника (не показаны) удаляется верхняя (фоторезистивная) маска. Остается не стравленным второй слой балки (4) из изолятора (11), заслоненный проводником (9). Затем производятся: нанесение на все поверхности защитного диэлектрика (не показан), вертикальное травление защитного диэлектрика (на верхних поверхностях), изотропное или анизотропное травление подложечного полупроводника (3) для образования в нем термоизолирующей полости (5) и нанесение на все поверхности защитного диэлектрика (13).After fabrication of the CMOS structure in the active layer of the semiconductor (1) with the formation of compounds (9) and lateral partial isolation of the components by a dielectric (11), the absorption layers are applied (7). Then a mask is formed that prevents subsequent operations on the thermally insulated area (6, 7, 8). Vertical etching is performed in the gaps (12) of the mask of the absorbing and dielectric layers (7) to the framework of sacrificial polysilicon and conductors (9) above the beam (4), which serve as additional built-in masks. As a result, the underlying dielectrics remain under the polysilicon and the conductor (9), therefore, isotropic etching of the active layer of the semiconductor (1) removes it from under the first layer of the beam to the insulator (11), but does not go sideways to the thermally insulated part of the semiconductor (6). The polysilicon mask is also removed. After vertical etching of the insulator layer (2) and then vertical etching of the sections of the active semiconductor (not shown) remaining during isotropic etching, the upper (photoresistive) mask is removed. The second layer of the beam (4) from the insulator (11), obscured by the conductor (9), remains not etched. Then, they are applied: applying a protective dielectric (not shown) to all surfaces, vertical etching of the protective dielectric (on the upper surfaces), isotropic or anisotropic etching of the substrate semiconductor (3) to form a thermally insulating cavity in it (5), and applying a protective dielectric to all surfaces ( 13).
По второму способу производятся те же операции, что и по первому кроме формирования жертвенного поликремния и связанных с ним операций вертикального травления оставшихся при изотропном травлении участков активного полупроводника, промежуточного нанесения на все поверхности защитного диэлектрика и его вертикального травления. Эти операции оказываются излишними в следствии полной боковой изоляции компонентов, выполняемой на стадии изготовления КМОП структуры.In the second method, the same operations are performed as in the first, in addition to the formation of sacrificial polysilicon and the associated operations of vertical etching of the active semiconductor sections remaining during isotropic etching, intermediate application of a protective dielectric and its vertical etching on all surfaces. These operations are redundant due to the complete lateral isolation of the components performed at the manufacturing stage of the CMOS structure.
Дешевизна обоих способов связана с использованием только одной дополнительной к стандартному КМОП процессу фоторезистивной маски и последующих стандартных для него операций.The cheapness of both methods is associated with the use of only one additional photoresistive mask process to the standard CMOS process and subsequent standard operations for it.
Настоящее описание изобретения, в т.ч. состава и работы устройства, включая предлагаемый вариант его исполнения, предполагает его дальнейшее возможное совершенствование специалистами, и не содержит каких-либо ограничений в части реализации. Все притязания сформулированы исключительно в формуле изобретения.The present description of the invention, including the composition and operation of the device, including the proposed version of its execution, suggests its further possible improvement by specialists, and does not contain any restrictions in terms of implementation. All claims are formulated solely in the claims.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012104368/28A RU2490751C1 (en) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | Microbolometer with reinforced supporting beams and methods for production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012104368/28A RU2490751C1 (en) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | Microbolometer with reinforced supporting beams and methods for production thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2490751C1 true RU2490751C1 (en) | 2013-08-20 |
Family
ID=49162994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012104368/28A RU2490751C1 (en) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | Microbolometer with reinforced supporting beams and methods for production thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2490751C1 (en) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5369280A (en) * | 1990-04-26 | 1994-11-29 | The Commonwealth Of Australia | Semiconductor film bolometer thermal infrared detector |
| US6034374A (en) * | 1996-11-08 | 2000-03-07 | Nikon Corporation | Thermal infrared sensors, imaging devices, and manufacturing methods for such sensors |
| US6163061A (en) * | 1997-08-06 | 2000-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Infrared solid-state image sensor and manufacturing method thereof |
| EP1072875A1 (en) * | 1999-07-26 | 2001-01-31 | Nec Corporation | Infrared detector array with microbridge stucrure |
| JP2001041818A (en) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Sharp Corp | Bolometer type infrared ray detection element and infrared ray image sensor using the same |
| US6359276B1 (en) * | 1998-10-21 | 2002-03-19 | Xiang Zheng Tu | Microbolom infrared sensors |
| US6573504B2 (en) * | 2000-03-30 | 2003-06-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Infrared sensor and manufacturing method thereof |
| DE102004058393A1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-07-07 | Denso Corp., Kariya | Infra red sensor, for a thermopile or bolometer, has a thin membrane supported on a substrate with an insulating film to carry an infra red absorption film as a detector |
| RU2386934C2 (en) * | 2004-03-04 | 2010-04-20 | Коммиссариат А Л'Энержи Атомик | Method for manufacturing of device for detection of heat radiation comprising active microbolometre and passive microbolometre |
| JP2011145296A (en) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Heimann Sensor Gmbh | Monolithic silicon micromachining type thermopile infrared sensor |
-
2012
- 2012-02-09 RU RU2012104368/28A patent/RU2490751C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5369280A (en) * | 1990-04-26 | 1994-11-29 | The Commonwealth Of Australia | Semiconductor film bolometer thermal infrared detector |
| US6034374A (en) * | 1996-11-08 | 2000-03-07 | Nikon Corporation | Thermal infrared sensors, imaging devices, and manufacturing methods for such sensors |
| US6163061A (en) * | 1997-08-06 | 2000-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Infrared solid-state image sensor and manufacturing method thereof |
| US6359276B1 (en) * | 1998-10-21 | 2002-03-19 | Xiang Zheng Tu | Microbolom infrared sensors |
| EP1072875A1 (en) * | 1999-07-26 | 2001-01-31 | Nec Corporation | Infrared detector array with microbridge stucrure |
| JP2001041818A (en) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Sharp Corp | Bolometer type infrared ray detection element and infrared ray image sensor using the same |
| US6573504B2 (en) * | 2000-03-30 | 2003-06-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Infrared sensor and manufacturing method thereof |
| DE102004058393A1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-07-07 | Denso Corp., Kariya | Infra red sensor, for a thermopile or bolometer, has a thin membrane supported on a substrate with an insulating film to carry an infra red absorption film as a detector |
| RU2386934C2 (en) * | 2004-03-04 | 2010-04-20 | Коммиссариат А Л'Энержи Атомик | Method for manufacturing of device for detection of heat radiation comprising active microbolometre and passive microbolometre |
| JP2011145296A (en) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Heimann Sensor Gmbh | Monolithic silicon micromachining type thermopile infrared sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106098846B (en) | One kind is used for non-refrigerated infrared detector and refers to pixel and its manufacture method | |
| US7554085B2 (en) | Bolometric infrared sensor having two-layer structure and method for manufacturing the same | |
| CN102901567B (en) | Thermopile infrared detector, array and preparation method of thermopile infrared detector | |
| US7667202B2 (en) | Multilayer-structured bolometer and method of fabricating the same | |
| KR20130007618A (en) | Uncooled infrared detector and methods for manufacturing the same | |
| TWI613423B (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| US7915585B2 (en) | Microbolometer pixel and fabrication method utilizing ion implantation | |
| WO2018058450A1 (en) | Pixel for uncooled infrared focal plane detector and preparation method therefor | |
| CN107063470A (en) | Detection device of suspended bolometric membrane with high absorption efficiency and signal-to-noise ratio | |
| EP2261617B1 (en) | Photodetector | |
| JP2016194507A (en) | Device for detecting electromagnetic radiation possessing hermetic encapsulating structure comprising exhaust vent | |
| CN108298495B (en) | Metal anchor point filling process and thermal detection device | |
| Svetlitza et al. | CMOS-SOI-MEMS thermal antenna and sensor for uncooled THz imaging | |
| US10981782B2 (en) | Process for fabricating a device for detecting electromagnetic radiation having an improved encapsulation structure | |
| RU2490751C1 (en) | Microbolometer with reinforced supporting beams and methods for production thereof | |
| JP4865957B2 (en) | Method for manufacturing thermal infrared solid-state imaging device | |
| CN100552982C (en) | Bolometric infrared sensors and manufacture method thereof with double-layer structure | |
| JP2008039570A (en) | Thermal-type infrared solid-state imaging device and infrared camera | |
| US20150179864A1 (en) | Cmos integrated method for the fabrication of thermopile pixel with umbrella absorber on semiconductor substrate | |
| CN106800271B (en) | A kind of non-refrigerated infrared focal plane probe dot structure and preparation method thereof | |
| JP2008082790A (en) | Infrared sensor | |
| US8822256B1 (en) | Method for fabricating infrared sensors | |
| KR101408905B1 (en) | Method for fabricating MEMS devices with high response | |
| CN107403863A (en) | Thermopile IR detector and its manufacture method | |
| JP2008209161A (en) | Infrared sensor and its manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20160127 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190210 |