Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

RU2383100C1 - Radiation-resistant voltage-to-current converter - Google Patents

Radiation-resistant voltage-to-current converter Download PDF

Info

Publication number
RU2383100C1
RU2383100C1 RU2009104547/09A RU2009104547A RU2383100C1 RU 2383100 C1 RU2383100 C1 RU 2383100C1 RU 2009104547/09 A RU2009104547/09 A RU 2009104547/09A RU 2009104547 A RU2009104547 A RU 2009104547A RU 2383100 C1 RU2383100 C1 RU 2383100C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
additional transistor
additional
input
emitter
Prior art date
Application number
RU2009104547/09A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко (RU)
Николай Николаевич Прокопенко
Даниил Николаевич Конев (RU)
Даниил Николаевич Конев
Петр Сергеевич Будяков (RU)
Петр Сергеевич Будяков
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2009104547/09A priority Critical patent/RU2383100C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2383100C1 publication Critical patent/RU2383100C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: physics; radio.
SUBSTANCE: invention relates to radio engineering and communication and can be used as a device for converting analogue signals in the structure of analogue microcircuits for different functional purposes (for example operational amplifiers, voltage multipliers, comparators etc). The radiation-resistant voltage-to-current converter has a signal source (1) connected between bases of a first (1) and a second (2) input transistor, first (4) and second (5) current stabilising two-terminal circuits connected to emitters of corresponding first (2) and second (3) input transistors, a scaling resistor (6) connected between emitters of the first (2) and second (3) input transistors, a load circuit (7) connected to collectors of the first (2) and second (3) input transistors and first (8) and second (9) current outputs of the device. The circuit includes first (10), second (11), third (12) and fourth (13) additional transistors. The base of the first (10) additional transistor is connected to the base of the first (2) input transistor. The emitter of the first (10) additional transistor is connected to the emitter of the first (2) input transistor. The base of the second (11) additional transistor is connected to the first (8) current output of the device. The emitter of the second (11) additional transistor is connected to the collector of the first (10) additional transistor. The collector of the second (11) additional transistor is connected to the power supply (14). The base of the third (12) additional transistor is connected to the base of the second (3) input transistor. The emitter of the third (12) additional transistor is connected to the emitter of the second (3) input transistor. The base of the fourth (13) additional transistor is connected to the second (9) current output of the device. The emitter of the fourth (13) additional transistor is connected to the collector of the third (12) additional transistor. The collector of the fourth (13) additional transistor is connected to the power supply (14).
EFFECT: reduced conversion errors under radiation conditions.
2 cl, 9 dwg

Description

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства преобразования аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, операционных усилителях, перемножителях напряжения, компараторах и т.д.).The invention relates to the field of radio engineering and communication and can be used as a device for converting analog signals in the structure of analog microcircuits for various functional purposes (for example, operational amplifiers, voltage multipliers, comparators, etc.).

Известны схемы классических преобразователей «напряжение-ток» (ПНТ) на основе дифференциальных каскадов с симметричной нагрузкой в виде резисторов (или p-n переходов) и местной отрицательной обратной связью, которые нашли широкое применение в современных аналоговых микросхемах [1-22], например смесителях и перемножителях сигналов.Known schemes of classical voltage-current converters (PNT) based on differential stages with a symmetrical load in the form of resistors (or pn junctions) and local negative feedback, which are widely used in modern analog microcircuits [1-22], for example, mixers and multipliers of signals.

Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является преобразователь «напряжение-ток», описанный в патенте США №6531920, фиг.1, содержащий источник сигнала 1, включенный между базами первого 1 и второго 2 входных транзисторов, первый 4 и второй 5 токостабилизирующие двухполюсники, связанные с эмиттерами соответствующих первого 2 и второго 3 входных транзисторов, масштабирующий резистор 6, включенный между эмиттерами первого 2 и второго 3 входных транзисторов, цепь нагрузки 7, связанную с коллекторами первого 2 и второго 3 входных транзисторов и первым 8 и вторым 9 токовыми выходами устройства.The closest prototype (figure 1) of the claimed device is a voltage-current converter described in US patent No. 6531920, figure 1, containing a signal source 1 connected between the bases of the first 1 and second 2 input transistors, the first 4 and second 5 current-stabilizing two-terminal connected to the emitters of the corresponding first 2 and second 3 input transistors, a scaling resistor 6 connected between the emitters of the first 2 and second 3 input transistors, a load circuit 7 connected to the collectors of the first 2 and second 3 input transistors s 8 and the first and second current outputs 9 of the device.

Существенный недостаток известного устройства состоит в том, что погрешность его преобразования входного напряжения uвх в выходной ток (I8, I9) зависит от численных значений коэффициента усиления по току базы (β) входных транзисторов, который уменьшается в 5÷10 раз при воздействии потока нейтронов (F) и по литературным источникам при F=1013÷1014 n/с·см2 для биполярных n-p-n транзисторов достигает значения βmin=5÷10.A significant drawback of the known device is that the error in converting the input voltage u I to the output current (I 8 , I 9 ) depends on the numerical values of the current gain of the base (β) of the input transistors, which decreases by 5 ÷ 10 times when exposed neutron flux (F) and according to the literature at F = 10 13 ÷ 10 14 n / s · cm 2 for bipolar npn transistors reaches β min = 5 ÷ 10.

Основная цель предлагаемого изобретения состоит в снижении ошибки преобразования входного напряжения в выходной ток в условиях радиации. Это позволяет создавать на базе таких ПНТ прецизионные аналоговые перемножители сигналов, например для систем СВЧ-связи.The main objective of the invention is to reduce the error of converting the input voltage to the output current in radiation conditions. This allows you to create on the basis of such PNT precision analog signal multipliers, for example, for microwave communication systems.

Поставленная цель достигается тем, что в известном преобразователе фиг.1, содержащем источник сигнала 1, включенный между базами первого 1 и второго 2 входных транзисторов, первый 4 и второй 5 токостабилизирующие двухполюсники, связанные с эмиттерами соответствующих первого 2 и второго 3 входных транзисторов, масштабирующий резистор 6, включенный между эмиттерами первого 2 и второго 3 входных транзисторов, цепь нагрузки 7, связанную с коллекторами первого 2 и второго 3 входных транзисторов и первым 8 и вторым 9 токовыми выходами устройства, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первый 10, второй 11, третий 12 и четвертый 13 дополнительные транзисторы, база первого 10 дополнительного транзистора соединена с базой первого 2 входного транзистора, эмиттер первого 10 дополнительного транзистора подключен к эмиттеру первого 2 входного транзистора, база второго 11 дополнительного транзистора подключена к первому 8 токовому выходу устройства, эмиттер второго 11 дополнительного транзистора соединен с коллектором первого 10 дополнительного транзистора, коллектор второго 11 дополнительного транзистора связан с источником питания 14, база третьего 12 дополнительного транзистора соединена с базой второго 3 входного транзистора, эмиттер третьего 12 дополнительного транзистора подключен к эмиттеру второго 3 входного транзистора, база четвертого 13 дополнительного транзистора подключена ко второму 9 токовому выходу устройства, эмиттер четвертого 13 дополнительного транзистора соединен с коллектором третьего 12 дополнительного транзистора, коллектор четвертого 13 дополнительного транзистора связан с источником питания 14.This goal is achieved by the fact that in the known Converter of figure 1, containing a signal source 1 connected between the bases of the first 1 and second 2 input transistors, the first 4 and second 5 current-stabilizing two-terminal connected to the emitters of the corresponding first 2 and second 3 input transistors, scaling a resistor 6 connected between the emitters of the first 2 and second 3 input transistors, a load circuit 7 connected to the collectors of the first 2 and second 3 input transistors and the first 8 and second 9 current outputs of the device, before new elements and connections are examined - the first 10, second 11, third 12 and fourth 13 additional transistors are introduced into the circuit, the base of the first 10 additional transistor is connected to the base of the first 2 input transistor, the emitter of the first 10 additional transistor is connected to the emitter of the first 2 input transistor, base the second 11 additional transistor is connected to the first 8 current output of the device, the emitter of the second 11 additional transistor is connected to the collector of the first 10 additional transistor, the collector of the second 11 additional the power transistor is connected to the power source 14, the base of the third 12 additional transistor is connected to the base of the second 3 input transistor, the emitter of the third 12 additional transistor is connected to the emitter of the second 3 input transistor, the base of the fourth 13 additional transistor is connected to the second 9 current output of the device, the emitter of the fourth 13 additional transistor is connected to the collector of the third 12 additional transistor, the collector of the fourth 13 additional transistor is connected to a power source fourteen.

На фиг.1 представлена схема устройства-прототипа. Схема заявляемого устройства и ее статические токи показаны на фиг.2.Figure 1 presents a diagram of a prototype device. The circuit of the claimed device and its static currents are shown in figure 2.

На фиг.3 показана схема фиг.2 и приращения токов, вызванные входным сигналом.FIG. 3 shows a diagram of FIG. 2 and current increments caused by an input signal.

На фиг.4 показана схема фиг.2 для случая, когда транзисторы 2 и 10, а также 3 и 12 выполнены в виде двухколлекторных транзисторов с общей эмиттерной цепью.Figure 4 shows the circuit of figure 2 for the case when the transistors 2 and 10, as well as 3 and 12 are made in the form of two-collector transistors with a common emitter circuit.

На фиг.5 показана схема преобразователя «напряжение-ток», в котором за счет дополнительных дифференциальных каскадов 17 и 18 введена отрицательная обратная связь, что обеспечивает дальнейшее повышение точки преобразования5 shows a voltage-current converter circuit in which negative feedback is introduced due to additional differential stages 17 and 18, which provides a further increase in the conversion point

uвх в iвых схемы фиг.2.u Rin in scheme i O 2.

На фиг.6 приведена схема ПНТ-прототипа в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».Figure 6 shows a diagram of the PNT prototype in the environment of computer simulation PSpice on models of integrated transistors of FSUE NPP Pulsar.

На фиг.7 приведена схема заявляемого устройства в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».Figure 7 shows a diagram of the inventive device in a computer simulation environment PSpice on models of integrated transistors of FSUE NPP Pulsar.

Результаты компьютерного моделирования схем фиг.6 и 7 приведены на фиг.8 и 9. При этом на фиг.8 β=40, а на фиг.9 β=4.The results of computer simulation of the circuits of Figs. 6 and 7 are shown in Figs. 8 and 9. Moreover, in Fig. 8 β = 40, and in Fig. 9 β = 4.

Преобразователь «напряжение-ток» фиг.2 содержит входной источник сигнала 1, включенный между базами первого 1 и второго 2 входных транзисторов, первый 4 и второй 5 токостабилизирующие двухполюсники, связанные с эмиттерами соответствующих первого 2 и второго 3 входных транзисторов, масштабирующий резистор 6, включенный между эмиттерами первого 2 и второго 3 входных транзисторов, цепь нагрузки 7, связанную с коллекторами первого 2 и второго 3 входных транзисторов и первым 8 и вторым 9 токовыми выходами устройства. В схему введены первый 10, второй 11, третий 12 и четвертый 13 дополнительные транзисторы, база первого 10 дополнительного транзистора соединена с базой первого 2 входного транзистора, эмиттер первого 10 дополнительного транзистора подключен к эмиттеру первого 2 входного транзистора, база второго 11 дополнительного транзистора подключена к первому 8 токовому выходу устройства, эмиттер второго 11 дополнительного транзистора соединен с коллектором первого 10 дополнительного транзистора, коллектор второго 11 дополнительного транзистора связан с источником питания 14, база третьего 12 дополнительного транзистора соединена с базой второго 3 входного транзистора, эмиттер третьего 12 дополнительного транзистора подключен к эмиттеру второго 3 входного транзистора, база четвертого 13 дополнительного транзистора подключена ко второму 9 токовому выходу устройства, эмиттер четвертого 13 дополнительного транзистора соединен с коллектором третьего 12 дополнительного транзистора, коллектор четвертого 13 дополнительного транзистора связан с источником питания 14.The voltage-current Converter of figure 2 contains an input signal source 1, connected between the bases of the first 1 and second 2 input transistors, the first 4 and second 5 current-stabilizing two-terminal connected to the emitters of the corresponding first 2 and second 3 input transistors, a scaling resistor 6, connected between the emitters of the first 2 and second 3 input transistors, a load circuit 7 connected to the collectors of the first 2 and second 3 input transistors and the first 8 and second 9 current outputs of the device. The first 10, second 11, third 12 and fourth 13 additional transistors are introduced into the circuit, the base of the first 10 additional transistor is connected to the base of the first 2 input transistor, the emitter of the first 10 additional transistor is connected to the emitter of the first 2 input transistor, the base of the second 11 additional transistor is connected to the first 8 current output of the device, the emitter of the second 11 additional transistor is connected to the collector of the first 10 additional transistor, the collector of the second 11 additional transistor is connected to and power supply 14, the base of the third 12 additional transistor is connected to the base of the second 3 input transistor, the emitter of the third 12 additional transistor is connected to the emitter of the second 3 input transistor, the base of the fourth 13 additional transistor is connected to the second 9 current output of the device, the emitter of the fourth 13 additional transistor is connected to the collector of the third 12 additional transistor, the collector of the fourth 13 additional transistor is connected to the power source 14.

В схеме фиг.2, в соответствии с п.2 формулы изобретения, цепь нагрузки 7 связана с коллекторами первого 2 и второго 3 входных транзисторов через первый 15 и второй 16 р-n переходы.In the circuit of FIG. 2, in accordance with claim 2, the load circuit 7 is connected to the collectors of the first 2 and second 3 input transistors through the first 15 and second 16 pn junctions.

В схеме фиг.5 за счет введения дифференциальных каскадов 17 и 18 обеспечивается минимизация влияния сопротивлений эмиттера и базы транзисторов 2, 10 и 3, 12 на погрешность преобразования uвх в выходной ток.In the circuit of FIG. 5, by introducing differential stages 17 and 18, the influence of the resistances of the emitter and the base of transistors 2, 10 and 3, 12 on the error of conversion of u input to output current is minimized.

Рассмотрим работу заявляемого устройства фиг.2 в статическом режиме, а затем схемы фиг.3 на переменном токе.Consider the operation of the inventive device of figure 2 in static mode, and then the circuit of figure 3 on alternating current.

В схеме фиг.2 при uвх=0 выходные токи I8 и I9 складываются из нескольких составляющихIn the circuit of figure 2, with u in = 0, the output currents I 8 and I 9 are composed of several components

Figure 00000001
Figure 00000001

Figure 00000002
Figure 00000002

где Iэ.i(Iб.i) - статический ток эмиттера (ток базы) i-го транзистора.where I e. i (I b. i ) is the emitter static current (base current) of the i-th transistor.

ПричемMoreover

Figure 00000003
Figure 00000003

Figure 00000004
Figure 00000004

где βi - статический коэффициент усиления по току базы i-го транзистора;where β i is the static current gain of the base of the i-th transistor;

I4, I5 - токи двухполюсников 4 и 5.I 4 , I 5 - currents of two-terminal networks 4 and 5.

Таким образом, с учетом (3) можно найтиThus, taking into account (3), we can find

Figure 00000005
Figure 00000005

Figure 00000006
Figure 00000006

Из (4) и (5) следует, что существенная (но идентичная) деградация β транзисторов 11 и 2, 13 и 3 не приводит к дополнительной статической ошибке δI преобразования uвх в токи I8 и I9 From (4) and (5) it follows that a significant (but identical) degradation of β transistors 11 and 2, 13 and 3 does not lead to an additional static error δI of converting u input to currents I 8 and I 9

Figure 00000007
Figure 00000007

Figure 00000008
Figure 00000008

где

Figure 00000009
Where
Figure 00000009

Figure 00000010
Figure 00000011
Figure 00000010
Figure 00000011

В ПНТ-прототипе фиг.1In the PNT prototype of figure 1

Figure 00000012
Figure 00000012

Figure 00000013
Figure 00000013

Если принять, что при повышенной радиации β транзисторов уменьшается (β23=10), то относительная ошибка преобразования в ПНТ фиг.1 достигает 10%, а в заявляемом устройстве как минимум на порядок меньше.If we assume that with increased radiation β transistors decreases (β 2 = β 3 = 10), then the relative conversion error in PNT figure 1 reaches 10%, and in the inventive device at least an order of magnitude less.

Аналогичные выводы о погрешности преобразования uвх на переменном токе можно сделать в результате анализа схемы фиг.3, для которой при R6»rэ2≈rэ3 переменные составляющие выходных токовSimilar conclusions about the conversion error Rin u ac can make the result of analysis circuit 3, for which when R 6 »r ≈r E2 E3 variable components of output currents

Figure 00000014
Figure 00000014

Figure 00000015
Figure 00000015

где

Figure 00000016
Where
Figure 00000016

R6 - сопротивление резистора 6;R 6 is the resistance of the resistor 6;

Figure 00000017
- сопротивления эмиттерных переходов транзисторов 2 и 3.
Figure 00000017
- resistance of the emitter junctions of transistors 2 and 3.

Таким образом, переменные токи выходов 8 и 9Thus, the alternating currents of outputs 8 and 9

Figure 00000018
Figure 00000018

Figure 00000019
Figure 00000019

Следовательно, относительная погрешность крутизны преобразования uвх в iвых в схеме фиг.3 получается достаточно малойTherefore, the relative error of the steepness of the conversion of u in to i out in the scheme of Fig. 3 is quite small

Figure 00000020
Figure 00000020

Figure 00000021
Figure 00000021

Полученные выше теоретические выводы совпадают с результатами компьютерного моделирования схемы фиг.7 - абсолютная погрешность преобразования тока через резистор 6, пропорционального uвх, в выходной ток предлагаемого ПНТ в 7-10 раз меньше, чем в ПНТ-прототипе. При этом эффект воздействия радиации в схемах моделировался существенным снижением β транзисторов (фиг.8 - β=40, фиг.9 - β=4).The theoretical conclusions obtained above coincide with the results of computer simulation of the scheme of Fig. 7 - the absolute error of the current conversion through the resistor 6, proportional to u in , into the output current of the proposed PNT is 7-10 times less than in the PNT prototype. The effect of radiation in the circuits was modeled by a significant decrease in β transistors (Fig. 8 - β = 40, Fig. 9 - β = 4).

В частном случае коллекторы транзисторов 11 и 13 могут быть использованы как дополнительные токовые выходы ПНТ.In the particular case, the collectors of transistors 11 and 13 can be used as additional current outputs PNT.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST

1. Патент США №5666888.1. US patent No. 56666888.

2. Патент США №5767741.2. US Patent No. 5767741.

3. Патентная заявка 20020053935.3. Patent application 20020053935.

4. Патент США №5550.512.4. US Patent No. 5550.512.

5. Патент США 5256984.5. US patent 5256984.

6. Патент США №4439696.6. US patent No. 4439696.

7. А.св. СССР 600545.7. A. St. USSR 600545.

8. Патент США 5389893.8. US patent 5389893.

9. Патент США 5914639.9. US patent 5914639.

10. Патент США 5521544.10. US patent 5521544.

11. Патент США №4721920.11. US patent No. 4721920.

12. Патентная заявка 20040251965 А1.12. Patent application 20040251965 A1.

13. Патент США №5065112.13. US patent No. 5065112.

14. Патент США №5521544.14. US patent No. 5521544.

15. Патент США №4288707.15. US patent No. 4288707.

16. Патент США №5774020.16. US Patent No. 5774020.

17. Патент США №4498053.17. US patent No. 4498053.

18. Патент США №5610547, фиг.19.18. US patent No. 5610547, Fig.19.

19. Патент США №6369618, фиг.2.19. US patent No. 6369618, figure 2.

20. Патент США №6111463, фиг.1.20. US patent No. 6111463, figure 1.

21. Патент США №5610547.21. US patent No. 5610547.

22. Патент США 4385364.22. U.S. Patent 4,385,364.

Claims (2)

1. Радиационно стойкий преобразователь «напряжение - ток», содержащий источник сигнала (1), включенный между базами первого (1) и второго (2) входных транзисторов, первый (4) и второй (5) токостабилизирующие двухполюсники, связанные с эмиттерами соответствующих первого (2) и второго (3) входных транзисторов, масштабирующий резистор (6), включенный между эмиттерами первого (2) и второго (3) входных транзисторов, цепь нагрузки (7), связанную с коллекторами первого (2) и второго (3) входных транзисторов и первым (8) и вторым (9) токовыми выходами устройства, отличающийся тем, что в схему введены первый (10), второй (11), третий (12) и четвертый (13) дополнительные транзисторы, база первого (10) дополнительного транзистора соединена с базой первого (2) входного транзистора, эмиттер первого (10) дополнительного транзистора подключен к эмиттеру первого (2) входного транзистора, база второго (11) дополнительного транзистора подключена к первому (8) токовому выходу устройства, эмиттер второго (11) дополнительного транзистора соединен с коллектором первого (10) дополнительного транзистора, коллектор второго (11) дополнительного транзистора связан с источником питания (14), база третьего (12) дополнительного транзистора соединена с базой второго (3) входного транзистора, эмиттер третьего (12) дополнительного транзистора подключен к эмиттеру второго (3) входного транзистора, база четвертого (13) дополнительного транзистора подключена ко второму (9) токовому выходу устройства, эмиттер четвертого (13) дополнительного транзистора соединен с коллектором третьего (12) дополнительного транзистора, коллектор четвертого (13) дополнительного транзистора связан с источником питания (14).1. A radiation-resistant voltage-current converter containing a signal source (1) connected between the bases of the first (1) and second (2) input transistors, the first (4) and second (5) current-stabilizing two-terminal connected to the emitters of the corresponding first (2) and second (3) input transistors, a scaling resistor (6) connected between the emitters of the first (2) and second (3) input transistors, a load circuit (7) connected to the collectors of the first (2) and second (3) input transistors and the first (8) and second (9) current outputs of the device, exc characterized in that the first (10), second (11), third (12) and fourth (13) additional transistors are introduced into the circuit, the base of the first (10) additional transistor is connected to the base of the first (2) input transistor, the emitter of the first (10 ) an additional transistor is connected to the emitter of the first (2) input transistor, the base of the second (11) additional transistor is connected to the first (8) current output of the device, the emitter of the second (11) additional transistor is connected to the collector of the first (10) additional transistor, the collector of the second ( 11) add the transistor is connected to the power source (14), the base of the third (12) additional transistor is connected to the base of the second (3) input transistor, the emitter of the third (12) additional transistor is connected to the emitter of the second (3) input transistor, the base of the fourth (13) additional the transistor is connected to the second (9) current output of the device, the emitter of the fourth (13) additional transistor is connected to the collector of the third (12) additional transistor, the collector of the fourth (13) additional transistor is connected to the source m of food (14). 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что цепь нагрузки (7) связана с коллекторами первого (2) и второго (3) входных транзисторов через первый (15) и второй (16) p-n-переходы. 2. The device according to claim 1, characterized in that the load circuit (7) is connected to the collectors of the first (2) and second (3) input transistors through the first (15) and second (16) p-n junctions.
RU2009104547/09A 2009-02-10 2009-02-10 Radiation-resistant voltage-to-current converter RU2383100C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009104547/09A RU2383100C1 (en) 2009-02-10 2009-02-10 Radiation-resistant voltage-to-current converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009104547/09A RU2383100C1 (en) 2009-02-10 2009-02-10 Radiation-resistant voltage-to-current converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2383100C1 true RU2383100C1 (en) 2010-02-27

Family

ID=42127971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009104547/09A RU2383100C1 (en) 2009-02-10 2009-02-10 Radiation-resistant voltage-to-current converter

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2383100C1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2383100C1 (en) Radiation-resistant voltage-to-current converter
RU2331964C1 (en) Voltage-to-current converter
RU2331971C1 (en) Differential amplifier with extended rating of operation
RU2416155C1 (en) Differential operating amplifier
RU2615070C1 (en) High-precision two-stage differential operational amplifier
RU2319296C1 (en) Fast action differential amplifier
RU2475941C1 (en) Differential amplifier with complementary input cascade
RU2439780C1 (en) Cascode differential amplifier
RU2439778C1 (en) Differential operational amplifier with paraphase output
RU2441316C1 (en) Differential amplifier with low supply voltage
RU2568318C1 (en) Multidifferential operating amplifier with low zero offset voltage
RU2432666C1 (en) Differential operational amplifier with low supply voltage
RU2621289C1 (en) Two-stage differential operational amplifier with higher gain
RU2469465C1 (en) Cascode differential amplifier
RU2416150C1 (en) Differential operating amplifier
RU2421894C1 (en) Differential amplifier
RU2436226C1 (en) Differential operational amplifier with paraphase output
RU2474954C1 (en) Current mirror
RU2420862C1 (en) Differential amplifier with low voltage of zero shift
RU2390914C1 (en) Cascode differential amplifier with low voltage of zero shift
RU2604684C1 (en) Bipolar-field operational amplifier based on "bent" cascade
RU2458456C1 (en) Analog mixer of two signals
RU2390922C1 (en) Controlled amplifier and analogue multiplier of signals on its basis
RU2389072C1 (en) Analog multiplier of two signals
RU2402154C1 (en) Differential amplifier with low voltage of zero shift

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130211