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KR960701117A - 인-개질된 에폭시 수지, 이들의 제조방법 및 이들의 용도(phosphorus-modified epoxy resins, process for producing them and their use) - Google Patents

인-개질된 에폭시 수지, 이들의 제조방법 및 이들의 용도(phosphorus-modified epoxy resins, process for producing them and their use) Download PDF

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KR960701117A
KR960701117A KR1019950703896A KR19950703896A KR960701117A KR 960701117 A KR960701117 A KR 960701117A KR 1019950703896 A KR1019950703896 A KR 1019950703896A KR 19950703896 A KR19950703896 A KR 19950703896A KR 960701117 A KR960701117 A KR 960701117A
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하인리히 카피짜
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지멘스 아크티엔게젤샤프트
파울 귀틀라인·클라우스 휘터
훽스트 아크티엔게젤샤프트
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Abstract

본 발명 에폭시가가 0 내지 1몰/100g이고, (A) 분자당 2개 이상의 에폭시 기를 가지는 폴리에폭시 호합물 및 (B) 프로포스산 및 /또는 포스폰산 반에스테르로부터 유도된 구조 단위를 포함하는 인-개질된 에폭시 수지에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 인-개질된 에폭시 수지를 제조하는 방법 및 성형품, 코팅제 또는 라미네이트를 제조하기 위한 상기 수지의 용도를 제공한다.

Description

인-개질된 에폭시 수지, 이들이 제조방법 및 이들의용도(PHOSPHORUSMODIFIED EROXY RESINS, PROCESS FOR PRODUCING THEM AND THEIR USE)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (26)

  1. (A) 분자당 2개 이상의 에폭시가를 가지는 폴리에폭시 화합물 및 (B) 포스핀산 및/또는 포스폰산 무수물로부터 유도된 구조 단위를 포함하고, 0 내지 1몰/100g의 에폭시가를 가지는 인-개질된 에폭시 수지.
  2. 제1항에 있어서, 인 함량이 수지를 기준으로 하여 0.5 내지 13중량%인 인-개질된 에폭시 수지.
  3. 제1항 떠는 제2항에 있어서, 에폭시가가 0.02 내지 1몰/100g인 인-개질된 에폭시 수지
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 평균적으로 분자당 1개 이상의 에폭시기를 함유하는 인-개질된 에폭시 수지.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 수지의 평균 분자량 Mn이 200 내지 5,000인 인-개질된 에폭시 수지.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구성 블록 (A)의 평균 분자량 Mn이 150 내지 4,000인 인-개질된 에폭시 수지
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구성 블록 (A)가 분자당 2 내지 6개의 에폭시기를 가지는 폴리에폭시 화합물로부터 유도되는 인-개질된 에폭시 수지
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구성 블록 (A)가 다가 페놀, 이들 페놀의 수소화반응 생성물 및/또는 노볼락을 가재로 하는 폴리글리시딜 에테르로부터 유도되는 인-개질된 에폭시 수지.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구조 단위 (B)가 하기 일반식(Ⅰ) 및/또는 (Ⅱ)의 포스핀산 무수물로부터 유도되는 인-개질된 에폭시 수지.
    상기 식에서, R 및 R¹은 각각 독립적으로 탄소 원자를 1 내지 20개, 바람직하게는 1 내지 6개 가지는 탄화수소 라디칼이고; A는 탄소 원자를 1내지 10개, 바람직하게는 1내지 6개 가지는 2가의 탄화수소 라디칼이고; 및 y는 1이상, 바람직하게는 1 내지 100의 정수이다.
  10. 제9항에 있어서, 상기 구조 단위(B)가 택일적으로 또는 부가적으로 하기 일반식(Ⅲ)의 포스핀산 무수물로부터 유도되는 인-개질된 에폭시 수지.
    상기 식에서, R¹은 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅱ)의 R/R¹에서 정의한 바와 같고;z는 3이상, 바람직하게는 3 내지 100이다.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 일반식(Ⅳ),(Ⅴ) 및/또는 (Ⅵ)을 가지는 인-개질된 에폭시 수지:
    상기 식에서, R, R¹및 R³은 상기 일반식(Ⅰ) 내지 (Ⅲ)에서 정의한 바와 같고;R²는 글리시딜 기가 없는 폴리에폭시 화합물의 라디칼이고;n은 1 내지 5의 정수이며;m은 1 내지 5의 정수이며; 그의 합 n+m은 2 내지 6의 정수이어야 한다.
  12. 제11항에 있어서, 본질적으로 일반식(Ⅳ)만을 가지는 인-개질된 에폭시 수지.
  13. 불황성 희석제중에서 또는 희석제/용매의 부재하에 폴리에폭시 화합물(A)와 포스핀산 및/도는 포스핀산 무수물(B)를 반응시키는 것을 포함하는, 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 인-개질된 에폭시 수지를 제조하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 반응을 -20 내지 130℃에서 수행되는 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,폴리에폭시 화합물과 포스핀산 및/또는 포스폰산 무수물의 당량비가 1:0.1 내지 1:0.8인 방법.
  16. (A) 분자당 2개 이상의ㅣ 에폭시기를 가지는 폴리에폭시 화합물 및 (C) 80℃ 이상의 온도에서 포스폰산 반에스테르에서 유도되는 구조 단위를 포함하는 인-개질된 에폭사이드(Ⅳ)에서 알코올을 제거함을 포함하고, 구조 단위(B)는 포스폰산 반에스테르로 부터만 유도되는, 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 딴 인-개질된 에폭시 수지를 제조하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 80 내지 250℃, 바람직하게는 100 내지 150℃의 온도에서 상기 알코올의 제거반응을 수행하는 방법.
  18. 제16항 내지 제17항에 있어서, 낮은 압력, 바람직하게는 100 내지 0.1torr의 압력하에서 상기 알코올의 제거반응을 수행하는 방법.
  19. 제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인-개질된 에폭시 수지(Ⅳ)의 인 함량이 수지를 기준으로 0.5 내지 13중량%인 방법.
  20. 제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인-개질된 에폭시 수지(Ⅳ)의 에폭시가가 0.02 내지 1몰/100g인 방법.
  21. 제16항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인-개질된 에폭시 수지(Ⅳ)의 평균 분자량 Mu이 200 내지 5000인 방법.
  22. 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 에스테르 교환반응 촉매제의 존재하에서 알코올의 제거반응을 수행하는 방법.
  23. 제16항 내지 제22항중 어느 한 항에 있어서, 상기 인-개질된 에폭시 수지(Ⅳ)의 구성 블록(B)가 하기 일반식(Ⅹ)의 포스폰산 반에스테르로부터 유도되는 방법.
    상기 식에서, R6는 탄소 원자를 1 내지 20개, 바람직하게는 1 내지 6개 가지는 탄화수소 라디칼이고; 및 R7은 탄소 원자를 1 내지 10개, 바람직하게는 1 내지 4개 가지는 탄화수소 라디칼이다.
  24. 제23항에 있어서, R6및 R7이 각각 알킬 라디칼인 방법.
  25. 바람직하게는 전기 공학 분야에서 성형품, 코팅제 또는 라미네이트를 제조하기 위한, 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 다른 인-개질된 에폭시 수지 또는 제13항 내지 제24항 중 어느 한 항에 따라 제조된 이-개질된 에폭시 수지의 용도.
  26. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 인-개질된 에폭시 수지 또는 제13항 내지 제24항 중 어느 한 항에 따라 제조된 인-개질된 에폭시 수지를 사용하여 제조한 성형품, 코팅제 또는 라미네이트.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950703896A 1993-03-15 1994-03-10 인-개질된 에폭시 수지, 이들의 제조방법 및 이들의 용도(phosphorus-modified epoxy resins, process for producing them and their use) KR960701117A (ko)

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