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KR950010340A - 정 전류 발생 장치 - Google Patents

정 전류 발생 장치 Download PDF

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KR950010340A
KR950010340A KR1019940024674A KR19940024674A KR950010340A KR 950010340 A KR950010340 A KR 950010340A KR 1019940024674 A KR1019940024674 A KR 1019940024674A KR 19940024674 A KR19940024674 A KR 19940024674A KR 950010340 A KR950010340 A KR 950010340A
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KR
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power supply
output terminal
mis transistor
node
supply terminal
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KR1019940024674A
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Inventor
히로다까 하라다
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가네꼬 히사시
니뽄 덴끼 가부시끼가이샤
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Publication date
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    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
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Abstract

출력단자(OUT)에 정 전류를 발생시키기 위한 정 전류 회로(1)와 상기 정 전류 회로를 구동시키기 위한 구동 회로(2)를 구비한 정 전류 발생 장치에 제어 회로(3')가 제공되어, 상기 구동 회로를 상기 출력단자에서의 전위에 따라 작동시킨다.

Description

정 전류 발생 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 정 전류 발생 장치를 나타낸 회로도.
제3도는 본 발명의 제2실시예에 따른 정 전류 발생 장치를 나타낸 회로도.

Claims (9)

  1. 정 전류 발생 장치로서, 출력단자(OUT)에 정 전류를 발생시키기 위한 정 전류 회로(1)와; 상기 출력단자에 연결되고, 상기 정 전류 회로를 구동하기 위해 강제적으로 상기 출력단자에서의 전위를 특정값으로 만들기 위한 구동 회로(2); 및 상기 출력단자와 상기 구동 회로에 연결되고, 상기 출력단자에서의 전위에 따라 상기 구동 회로를 제어하기 위한 제어 회로(3')를 포함하는 것을 특징으로 하는 정 전류 발생 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정 전류 발생 장치는 제1 및 제2전원 공급 단자(Vcc,GND)를 더 포함하고; 상기 정 전류 회로는 각각 동일한 전류 공급 능력을 갖는 제1전기 전도 방식의 2개의 제1증가형 MIS 트랜지스터(Qp1,Qp2; Qn1',Qn2')를 구비하고 상기 제1전원 공급 단자(Vcc)에 연결되는 제1전류 반사 회로와, 상기 제2전원 공급 단자(GND)에 연결되고, 상기 제1전기 전도 방식과 반대인 제2전기 전도 방식의 2개의 제2증가형 MIS 트랜지스터(Qn1,Qn2; Qp1',Qp2')를 구비한 제2전류 반사 회로를 포함하며; 상기 제2증가형 MIS 트랜지스터중 한 트랜지스터는 다른 트랜지스터보다 더 큰 전류 공급 능력을 가지고, 상기 제2전류 반사 회로는 상기 제2증가형 MIS 트랜지스터중 한 트랜지스터와 상기 제2전원 공급 단자와의 사이에 연결되는 제1저항(R1)을 더 포함하며; 상기 제1전류 반사 회로의 출력 절점(N1)은 상기 제2전류 반사 회로의 입력 절점에 연결되고, 상기 제2전류 반사 회로의 출력 절점은 상기 제1전류 반사 회로의 입력 절점과 상기 출력 단자에 연결되는 것을 특징으로 하는 정 전류 발생 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 구동 회로는 상기 제1전류 반사 회로를 강제적으로 턴온시키는 것을 특징으로 하는 정 전류 발생 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제어 회로는 상기 제1전원 공급 단자에서의 전위와 상기 출력단자에서의 전위간의 차가 특정값 보다 작은지 또는 큰지에 대해 결정하기 위한 수단; 및 상기 제1전원 공급 단자에서의 전위와 상기 출력단자에서의 전위간의 차가 상기 특정 값보다 작을 때 상기 구동 회로를 동작시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 정 전류 발생 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 구동 회로는 상기 출력단자와 상기 제2전원 공급 단자 사이에 연결되는 제2전기 전도 방식의 제3증가형 MIS 트랜지스터(Qn3,Qp3')를 포함하는 것을 특징으로 하는 정 전류 발생 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제어 회로는 상기 제1전원 공급 단자에 연결되는 제1전기 전도 방식의 제4증가형 MIS 트랜지스터(Qp3,Qn3')와; 상기 제4증가형 MIS 트랜지스터와 상기 제2전원 공급 단자에 연결되는 제2저항(R2); 및 상기 제4증가형 MIS 트랜지스터와 상기 제2저항간의 절점(N2)에 연결되는 인버터(INV)를 포함하며; 상기 제4증가형 MIS 트랜지스터는 상기 출력단자에서의 전위에 의해 제어되는 게이트를 가지며, 상기 인버터의 출력은 상기 구동 회로에 연결되는 것을 특징으로 하는 정 전류 발생 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제2저항은 소스가 게이트와 상기 제2전원 공급 단자에 연결되고, 드레인이 상기 제3MIS 트랜지스터에 연결되는 제2전기 전도 방식의 공핍형 MIS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 정 전류 발생 장치.
  8. 정 전류를 출력단자(OUT)에 공급하기 위한 정 전류 공급 장치에 있어서, 제1전위(Vcc)를 수신하기 위한 제1전원 공급 단자와; 상기 제1전원 전위보다 낮은 제2전위(GND)를 수신하기 위한 제2전원 공급 단자와; 상기 제1전원 공급 단자와 제1절점(N1) 사이에 연결되고, 상기 출력단자에 게이트가 연결되는 P채널형 제1MIS트랜지스터(Qp1)와; 상기 제1전원 공급 단자와 상기 출력단자 사이에 연결되고, 게이트가 상기 출력단자에 연결되며, 상기 제1MIS 트랜지스터와 동일한 전류 공급 능력을 갖는 P채널형 제2MIS 트랜지스터(Qp2)와; 상기 제1절점과 상기 제2전원 공급 단자 사이에 연결되고, 게이트가 상기 제1절점에 연결되는 N채널형 제3MIS 트랜지스터(Qn1)와; 상기 제2전원 공급 단자에 연결된 제1저항(R1)과; 상기 출력단자와 상기 제1저항 사이에 연결되고, 게이트가 상기 제1절점에 연결되며, 상기 제3MIS 트랜지스터보다 더 큰 전류 공급 능력을 갖는 N채널형 제4MIS 트랜지스터(Qn2)와; 상기 출력단자와 상기 제2전원 공급 단자 사이에 연결되는 N채널형 제5MIS 트랜지스터(QP3)와; 상기 제1전원 공급 단자와 제2절점(N2) 사이에 연결되고, 상기 출력 단자에서의 전위에 의해 제어되는 게이트를 갖는 P채널 제6MIS 트랜지스터(Qp3)와; 상기 제2절점과 상기 제2전원 공급 단자 사이에 연결되는 제2저항(R2); 및 상기 제2절점과 상기 제5MIS 트랜지스터의 게이트 사이에 연결되는 인버터(INV)를 포함하는 것을 특징으로 하는 정 전류 공급장치.
  9. 정 전류를 출력단자(OUT)에 공급하기 위한 정 전류 공급 장치에 있어서, 제1전위(GND)를 수신하기 위한 제1전원 공급 단자와; 상기 제1전원 전위보다 높은 제2전위(Vcc)를 수신하기 위한 제2전원 공급 단자와; 상기 제1전원 공급 단자와 제1절점(N1') 사이에 연결되고, 게이트가 상기 출력단자에 연결되는 N채널형 제1IMS 트랜지스터(Qn1')와; 상기 제1전원 공급 단자와 상기 출력단자 사이에 연결되고, 게이트가 상기 출력단자에 연결되며, 상기 제1MIS 트랜지스터와 동일한 전류 공급 능력을 갖는 N채널형 제2MIS 트랜지스터(Qn2')와; 상기 제1절점과 상기 제2전원 공급 단자 사이에 연결되고, 게이트가 상기 제1절점에 연결되는 P채널형 제3MIS 트랜지스터(Qp1')와; 상기 제2전원 공급 단자에 연결되는 제1저항(R1)과; 상기 출력단자와 상기 제1저항 사이에 연결되고, 게이트가 상기 제1절점에 연결되며, 상기 제3MIS 트랜지스터보다 큰 전류 공급 능력을 갖는 P채널형 제4MIS 트랜지스터(Qp2')와; 상기 출력단자와 상기 제2전원 공급 단자 사이에 연결되는 P채널형 제5MIS 트랜지스터(Qp3')와; 상기 제1전원 공급 단자와 제2절점(N2') 사이에 연결되고, 게이트가 상기 출력단자에서의 전위에 의해 제어되는 N채널형 제6MIS 트랜지스터(Qn3')와; 상기 제2절점과 상기 제2전원 공급 단자 사이에 연결되는 제2저항(R2); 및 상기 제2절점과 상기 제5MIS 트랜지스터 사이에 연결되는 인버터(INV)를 포함하는 것을 특징으로 하는 정 전류 공급 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940024674A 1993-09-30 1994-09-29 정 전류 발생 장치 KR0131161B1 (ko)

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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2737319B1 (fr) * 1995-07-25 1997-08-29 Sgs Thomson Microelectronics Generateur de reference de tension et/ou de courant en circuit integre
FR2744263B3 (fr) * 1996-01-31 1998-03-27 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif de reference de courant en circuit integre
JP3525655B2 (ja) * 1996-12-05 2004-05-10 ミツミ電機株式会社 定電圧回路
US5801523A (en) * 1997-02-11 1998-09-01 Motorola, Inc. Circuit and method of providing a constant current
US5847593A (en) * 1997-03-25 1998-12-08 Siemens Microelectronics, Inc Voltage discharge circuit for a photovoltaic power source
GB9809438D0 (en) 1998-05-01 1998-07-01 Sgs Thomson Microelectronics Current mirrors
WO2000017725A1 (en) * 1998-09-18 2000-03-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Voltage and/or current reference circuit
JP3399433B2 (ja) 2000-02-08 2003-04-21 松下電器産業株式会社 基準電圧発生回路
JP4767386B2 (ja) * 2000-02-28 2011-09-07 富士通セミコンダクター株式会社 内部電圧発生回路
JP4714353B2 (ja) * 2001-02-15 2011-06-29 セイコーインスツル株式会社 基準電圧回路
JP2003005850A (ja) * 2001-06-26 2003-01-08 Sanyo Electric Co Ltd 基準電位発生回路
US6737926B2 (en) * 2001-08-30 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for providing clock signals at different locations with minimal clock skew
FR2829844A1 (fr) * 2001-09-14 2003-03-21 Commissariat Energie Atomique Source de courant a demarrage automatique
US6617915B2 (en) * 2001-10-24 2003-09-09 Zarlink Semiconductor (U.S.) Inc. Low power wide swing current mirror
JP4070533B2 (ja) * 2002-07-26 2008-04-02 富士通株式会社 半導体集積回路装置
US6924693B1 (en) * 2002-08-12 2005-08-02 Xilinx, Inc. Current source self-biasing circuit and method
JP2008197994A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Oki Electric Ind Co Ltd 起動回路
TW200903213A (en) * 2007-07-02 2009-01-16 Beyond Innovation Tech Co Ltd Bias supply, start-up circuit, and start-up method for bias circuit
JP2010258622A (ja) * 2009-04-22 2010-11-11 Renesas Electronics Corp 増幅回路
JP2011118532A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Seiko Instruments Inc 定電流回路
US9306552B1 (en) * 2014-09-08 2016-04-05 Linear Technology Corporation High voltage maximum voltage selector circuit with no quiescent current
KR20160072703A (ko) * 2014-12-15 2016-06-23 에스케이하이닉스 주식회사 기준전압 생성회로
JP6998850B2 (ja) * 2018-09-21 2022-01-18 エイブリック株式会社 定電流回路
JP2021099733A (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 株式会社東海理化電機製作所 定電流回路

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4853720A (ko) * 1971-11-02 1973-07-28
IT1210940B (it) * 1982-09-30 1989-09-29 Ates Componenti Elettron Circuito generatore di corrente costante, a bassa tensione di alimentazione, integrabile monoliticamente.
JPS59147778A (ja) * 1983-02-15 1984-08-24 Hitachi Ltd 溶接用ワイヤ送給装置
US4714901A (en) * 1985-10-15 1987-12-22 Gould Inc. Temperature compensated complementary metal-insulator-semiconductor oscillator
JPH01119114A (ja) * 1987-10-31 1989-05-11 Sony Corp ディレイ回路
JP2900521B2 (ja) * 1990-05-31 1999-06-02 日本電気株式会社 基準電圧発生回路
JP2715642B2 (ja) * 1990-08-22 1998-02-18 日本電気株式会社 半導体集積回路
US5334929A (en) * 1992-08-26 1994-08-02 Harris Corporation Circuit for providing a current proportional to absolute temperature

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