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KR940010389A - 로드 디바이스 및 드라이버 트랜지스터를 가지는 박막 트랜지스터 회로 및 그 제조방법 - Google Patents

로드 디바이스 및 드라이버 트랜지스터를 가지는 박막 트랜지스터 회로 및 그 제조방법 Download PDF

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KR940010389A
KR940010389A KR1019930022659A KR930022659A KR940010389A KR 940010389 A KR940010389 A KR 940010389A KR 1019930022659 A KR1019930022659 A KR 1019930022659A KR 930022659 A KR930022659 A KR 930022659A KR 940010389 A KR940010389 A KR 940010389A
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나오후미 곤도
다께히사 사꾸라이
요시하루 가따오까
마나부 다까하마
미끼오 가따야마
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쓰지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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Abstract

논리 게이트회로를 위한 박막트랜지스터 회로가, 어모퍼스 실리콘층과, 소스 영역, 드레인 영역, 채널 영역을 포함하고, 상기 소스, 드레인 및 채널 영역이 어모퍼스 실리콘층에 형성되어 있는 드라이버 트랜지스터와, 어모퍼스 실리콘층에 형성되고, n-어모퍼스 실리콘으로 만들어지며, 드라이버 트랜지스터에 접속되는 로드 디바이스와를 포함한다.

Description

로드 디바이스 및 드라이버 트랜지스터를 가지는 박막 트랜지스터 회로 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 NOT-형 논리 게이트를 위한 박막 트랜지스터 회로의 개략적 평면도 및 단면도,
제2A-2E도는 제1도에서 보여지는 박막 트랜지스터 회로를 제조하는 방법을 설명하는 도.

Claims (6)

  1. 어모퍼스 실리콘층과, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하며, 상기 소스, 드레인 및 채널 영역이 상기 어모퍼스 실리콘층에 형성되어 있는 드라이버 트랜지스터와, 상기 어모퍼스 실리콘층에 형성되고, n-어모퍼스 실리콘으로 마들어지며, 상기 드라이버 트랜지스터에 접속되어 있는 로드 디바이스와를 포함하는 논리 게이트 회로를 위한 박막 트랜지스터 회로.
  2. 어모퍼스 실리콘층과, 상기 어모퍼스 실리콘층에 형성되고 D-어모퍼스 실리콘으로 만들어진 로드 디바이스와, 상기 로드 디바이스에 전기적으로 접속되어 상기 로드 디바이스에 전원 전압을 인가하는 전원선과, 상기 로드 디바이스를 통하여 상기 전원선에 전기적으로 접속되어 논리 레벨 전압을 출력하는 출력선과, 게이트 전극, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하고, 상기 소스 드레인 및 채널 영역이 상기 어모퍼스 실리콘층에 형성되고, 상기 게이트 전극에 인가되는 전압에 근거하여 스위치되는 제1드라이버 트랜지스터와, 상기 제1드라이버 트랜지스터를 통하여 상기 출력선에 전기적으로 접속되어 상기 제1드라이버 트랜지스터에 접지 전압을 인가하는 접지선과를 포함하는 논리 게이트 회로를 위한 박막 트랜지스터 회로.
  3. 제2항에 있어서, 게이트 전극, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하며, 상기 소스, 드레인 및 채널 영역이 상기 어모퍼스 실리콘층에 형성되고, 상기 제1드라이버 트랜지스터에 병렬로 접속되어 있는 제2드라이버 트랜지스터와, 상기 제1, 제2드라이버 트랜지스터를 통하여 상기 접지선에 접속된 상기 출력선과를 포함하는 박막 트랜지스터 회로.
  4. 제2항에 있어서, 게이트 전극, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하며, 상기 소스, 드레인 및 채널 영역이 상기 어모퍼스 실리콘층에 형성되고, 상기 제1드라이버 트랜지스터에 직렬로 접속되어 있는 제2드라이버 트랜지스터와, 상기 제1, 제2드라이버 트랜지스터를 통하여 상기 접지선에 접속된 상기 출력선과를 포함하는 박막 트랜지스터 회로.
  5. (a) 절연체상에 어모퍼스 실리콘층을 형성하는 공정과, (b) 상기 어모퍼스 실리콘층상에 제1레지스터 패턴을 형성하는 공정과, (c) 상기 제1레지스터 패턴을 마스크로 사용하여 상기 어모퍼스 실리콘층에 최소한 n-어모퍼스 실리콘으로 만들어진 로드 디바이스를 형성하기 위하여 상기 어모퍼스 실리콘층에 n-형 불순물을 주입하는 공정과, (d) 상기 어모퍼스 실리콘층에 제2레지스터 패턴을 형성하는 공정과, (e) 상기 제1, 제2레지스터 패턴을 마스크로 사용하여 상기 어모퍼스 실리콘층에 n+ 영역을 형성하기 위하여 상기 어모퍼스 실리콘층에 n-형 불순물을 주입하는 공정과를 포함하는 박막 트랜지스터 회로를 제조하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 (c)와 (e) 공정이 이온 샤워 도우핑법에 의하여 이행되는 박막 트랜지스터 회로를 제조하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930022659A 1992-10-30 1993-10-28 로드 디바이스 및 드라이버 트랜지스터를 가지는 박막 트랜지스터 회로 및 그 제조방법 KR970009850B1 (ko)

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JP29352692A JP2887032B2 (ja) 1992-10-30 1992-10-30 薄膜トランジスタ回路およびその製造方法

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KR970009850B1 KR970009850B1 (ko) 1997-06-18

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5864162A (en) * 1993-07-12 1999-01-26 Peregrine Seimconductor Corporation Apparatus and method of making a self-aligned integrated resistor load on ultrathin silicon on sapphire
US5637519A (en) * 1996-03-21 1997-06-10 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating a lightly doped drain thin-film transistor
JPH1020331A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Sharp Corp 液晶表示装置
US5870330A (en) 1996-12-27 1999-02-09 Stmicroelectronics, Inc. Method of making and structure of SRAM storage cell with N channel thin film transistor load devices
US6235586B1 (en) 1999-07-13 2001-05-22 Advanced Micro Devices, Inc. Thin floating gate and conductive select gate in situ doped amorphous silicon material for NAND type flash memory device applications
US20040004251A1 (en) * 2002-07-08 2004-01-08 Madurawe Raminda U. Insulated-gate field-effect thin film transistors
KR101791713B1 (ko) * 2010-02-05 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치
JP5579855B2 (ja) * 2010-09-02 2014-08-27 シャープ株式会社 トランジスタ回路、フリップフロップ、信号処理回路、ドライバ回路、および表示装置
KR20220161602A (ko) 2021-05-27 2022-12-07 삼성디스플레이 주식회사 스캔 드라이버 및 표시 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59232456A (ja) * 1983-06-16 1984-12-27 Hitachi Ltd 薄膜回路素子
JPS60182168A (ja) * 1984-02-29 1985-09-17 Fujitsu Ltd アモルフアスシリコンインバ−タの製造方法
JPS60182169A (ja) * 1984-02-29 1985-09-17 Fujitsu Ltd アモルフアスシリコンインバ−タ
US4752814A (en) * 1984-03-12 1988-06-21 Xerox Corporation High voltage thin film transistor
JPS6113665A (ja) * 1984-06-29 1986-01-21 Fujitsu Ltd シフトレジスタ集積回路
JPS61234623A (ja) * 1985-04-10 1986-10-18 Nec Ic Microcomput Syst Ltd Ｎａｎｄ−ｎｏｒ論理変換回路
JPS6240823A (ja) * 1985-08-19 1987-02-21 Fujitsu Ltd 論理回路
SU1411934A1 (ru) * 1986-07-09 1988-07-23 Ленинградский электротехнический институт им.В.И.Ульянова (Ленина) Г-триггер
JPH01287958A (ja) * 1988-05-13 1989-11-20 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
WO1991011027A1 (en) * 1990-01-16 1991-07-25 Iowa State University Research Foundation, Inc. Non-crystalline silicon active device for large-scale digital and analog networks
JP2881894B2 (ja) * 1990-01-22 1999-04-12 ソニー株式会社 抵抗体
JP2959077B2 (ja) * 1990-08-18 1999-10-06 セイコーエプソン株式会社 半導体装置
JPH04207416A (ja) * 1990-11-30 1992-07-29 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタによる論理回路

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JP2887032B2 (ja) 1999-04-26
EP0595648B1 (en) 1998-12-16
TW256939B (ko) 1995-09-11

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