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KR900014639A - 마이크로파 플라스마 에칭방법 및 장치 - Google Patents

마이크로파 플라스마 에칭방법 및 장치 Download PDF

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KR900014639A
KR900014639A KR1019900003814A KR900003814A KR900014639A KR 900014639 A KR900014639 A KR 900014639A KR 1019900003814 A KR1019900003814 A KR 1019900003814A KR 900003814 A KR900003814 A KR 900003814A KR 900014639 A KR900014639 A KR 900014639A
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plasma
microwave
magnetic field
plasma generating
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KR1019900003814A
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Inventor
세이지 사무가와
마사미 사사끼
스미오 모리
Original Assignee
야스다 스스무
니찌덴 아네루바 가부시끼가이샤
세끼모도 다다히로
닛뽄 덴끼 가부시끼가이샤
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Publication date
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Publication of KR900014639A publication Critical patent/KR900014639A/ko
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • C23F4/04—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00 by physical dissolution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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Abstract

내용 없음.

Description

마이크로파 플라스마 에칭방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에의 제1의 실시예를 도시한 마이크로파 플라스마 처리장치의 개략의 정면단면도,
제2도는 제2의 실시예의 같은 도면.

Claims (8)

  1. 플라스마 발생실내에서, 마이크로파에 의해 발생하는 전장과, 이 전장에 직교하는 자장에 의해 일어나는 전자사이클로트론 공명 현상을 이용하여 처리가스를 플라스마화하고, 이 플라스마를 기판 표면에 조사하여 기판표면의 처리를 하는 마이크로파 플라스마 에칭방법에 있어서, 기판을 전자사이클로트론 공명점에 배치하여 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라스마 에칭방법.
  2. 플라스마 발생실내에서, 마이크로파에 의해 일어나는 전자사이클로트론 공명현상을 이용하여 처리가스를 플라스마화하고, 이 플라스마를 기판 표면에 조사하여 기판 표면의 처리를 하는 마이크로파 플라스마 에칭방법에 있어서, 기판을 전자사이클로트론 공명점에서 자장강도로 ±3.0%의 범위내에 배치하여 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라스마 에칭방법.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 마이크로파 플라스마 처리방법에 있어서 처리되는 기판에 고주파 바이어스 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라스마 에칭방법.
  4. 제1항 또는 2항에 있어서, 마이크로파 플라스마 에칭장치에 있어서 플라스마 발생실은 마이크로파 공동 공진기의 조건에 적합시킨 형상으로 하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라스마 에칭방법.
  5. 제1항 또는 2항에 있어서, 마이크로파 플라스마 에칭장치에 있어서, 플라스마 발생실은 석영 벨자아로 한 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라스마 에칭장치.
  6. 플라스마 발생실과, 이 플라스마 발생실과 접속된 마이크로파 도입수단과, 상기 플라스마 발생실내에서 발생하는 전장과 직교하는 자장을 형성하기 위한 자장인가수단과, 상기 플라스마 발생실로 처리가스를 인도하기 위한 가스도입수단을 구비하고 있고, 또한 상기 플라스마 발생실내에서 도입된 마이크로파와 인가된 자장에 의해 일어나는 전자사이클로트론 공명 현상의 공명점의 자장강도의 위치에 기판을 지지하기 위한 기판호울더를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라스마 에칭장치.
  7. 플라스마 발생실과, 이 플라스마 발생실과 접속된 마이크로파 도입수단과, 상기 플라스마 발생실내에서 발생하는 전장과 직교하는 자장을 형성하기 위한 자장인가수단과, 상기 플라스마 발생실로 처리가스를 인도하기 위한 가스도입수단을 구비하고 있고, 또한 상기 플라스마 발생실내에서 도입된 마이크로파와 인가된 자장에 의해 일어나는 전자사이클로트론 공명 현상의 공명점에 있어서의 자장강도에 의해 ±3% 의 범위내의 위치에 기판을 지지하기 위한 기판호울더를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라스마 에칭장치.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 마이크로파 플라스마 에칭장치에 있어서, 기판호울더에는 고주파 전원이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라스마 에칭장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900003814A 1989-03-27 1990-03-21 마이크로파 플라스마 에칭방법 및 장치 KR930005012B1 (ko)

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