KR880009476A - 바이씨모스에 관한 고전압 대전력 구동회로 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 회로도.
제 2 도는 본 발명에 따른 제 1 도의 확장시 회로도.
Claims (4)
- 바이폴라 트랜지스터와 고전압 씨모스 트랜지스터에 의한 고전압 대전력 구동회로에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터의콜렉터와 에미터간 브레이크 다운 전압의 소정배수 공급전압으로 대전류를 공급하는 고전압 모스 트랜지스터로 된 인버터와 대전류 구동용 제1바이폴라 트랜지스터로 접속된 전류공급수단과, 상기 소정배수의 공급전압으로 고전압을 상기 대전류부하에 공급하는 고전압 모스 트랜지스터로된 인버터와 제2바이폴라 트랜지스터로 접속된 부하 구동 수단과, 상기 제1,2 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 에미터간의 브레이크 다운을 방지하도록 상기 소정배수의 공급전압을 상기 브레이크 다운 전압으로 분배하는 기준전압 발생수단과, 상기 씨모스 레벨 신호 입력에 의해 상기 기준전압을 고전압 모스 트랜지스터의 스위칭에 의해 상기 제1 및 제2바이폴라 트랜지스터의 접속점에 공급하는 기준전압 전달수단과, 상기 접속점이 상기 분배전압으로 될 때까지 상기 부하구동 수단이 동작하는 것을 방지하도록 시간지연 하는 지연수단을 구성함을 특징으로 하는 바이씨 모스에 의한 고전압 대전력 구동회로.
- 제1항에 있어서, 고전압 씨 모스 트랜지스터(M1)의 드레인단에 병렬 연결단위 다아링톤 바이폴라 트랜지스터(Q1XN, Q2XN)의 베이스단을 연결하고 레벨신호 입력단(1)의 입력에 따라 소정 인가전압 입력으로 상기 바이폴라 트랜지스터(Q1XN, Q2XN)를 통해 대전류를 흘리도록 구성함을 특징을 하는 회로.
- 제1항에 있어서, 부하구동 수단은 소정인가 전압에 따라 고전압 씨모스 트랜지스터의 드레인단과 병렬 연결 단위 다아링통 바이폴라 트랜지스터의 베이스간에 직렬 연결 다이오드 수를 소정 배수로 늘려 상기 바이폴라 트랜지스터의 액티브 영역에서 구동하여 부하가 대전력을 얻도록 구성함을 특징으로 하는 회로.
- 제1항에 있어서, 기준전압 전달 수단은 고전압 씨모스 트랜지스터(M5)의 드레인단에 씨모스 트랜지스터(M2)의 게이트단을 접속하여 레벨신호 입력에 따라 인가전압의 분배된 기준전압을 제1차로 전달하여 전류공급과 부하구동단의 바이폴라 트랜지스터 메미터와 콜렉터의 브레이크다운을 방지하도록 노드(3)가 일정 전압을 유지하도록 하며 확장하여 큰 스윙을 요구할 시 인가전압을 일정기준 전압으로 재분배하고 고전압 씨모스 트랜지스터(M14)와 씨모스 트랜지스터(M15)의 구성회로를 상기 제1차 전달 수단과 병렬로 확장하여 인가전압이 증가하더라도 각 바이폴라 트랜지스터 에미터 콜렉터에는 일정한 같은 레벨의 전압만 절달되도록 구성함을 특징으로 하는 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019870000579A KR900001746B1 (ko) | 1987-01-24 | 1987-01-24 | 바이 씨 모스에 의한 고전압 대전력 구동회로 |
US07/144,933 US4853559A (en) | 1987-01-24 | 1988-01-15 | High voltage and power BiCMOS driving circuit |
DE3801530A DE3801530A1 (de) | 1987-01-24 | 1988-01-20 | Bicmos-treiberschaltung |
JP63012736A JPS63260219A (ja) | 1987-01-24 | 1988-01-25 | Bi CMOSによる高電圧大電力駆動回路 |
GB8801597A GB2202703B (en) | 1987-01-24 | 1988-01-25 | A bicmos high voltage and power driving circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019870000579A KR900001746B1 (ko) | 1987-01-24 | 1987-01-24 | 바이 씨 모스에 의한 고전압 대전력 구동회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR880009476A true KR880009476A (ko) | 1988-09-15 |
KR900001746B1 KR900001746B1 (ko) | 1990-03-19 |
Family
ID=19259111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019870000579A KR900001746B1 (ko) | 1987-01-24 | 1987-01-24 | 바이 씨 모스에 의한 고전압 대전력 구동회로 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4853559A (ko) |
JP (1) | JPS63260219A (ko) |
KR (1) | KR900001746B1 (ko) |
DE (1) | DE3801530A1 (ko) |
GB (1) | GB2202703B (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5889315A (en) * | 1994-08-18 | 1999-03-30 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor structure having two levels of buried regions |
CN102723935A (zh) * | 2012-05-22 | 2012-10-10 | 柏德胜 | 一种自关断器件驱动保护电路 |
CN104539271A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-04-22 | 合肥雷科电子科技有限公司 | 一种基于阴极正负输出的栅极调制器及其实现方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3725678A (en) * | 1971-05-07 | 1973-04-03 | Bendix Corp | Circuit for providing multiple level output voltage signal in response to a remotely sensed voltage variation and having automatic level switching feedback |
US4210826A (en) * | 1978-09-21 | 1980-07-01 | Exxon Research & Engineering Co. | Switching circuit |
FR2445642A1 (fr) * | 1978-12-29 | 1980-07-25 | Radiotechnique Compelec | Agencement de securite en cas de chute d'une tension d'alimentation continue |
CH639521B (fr) * | 1980-05-28 | Ebauches Electroniques Sa | Circuit detecteur de niveau de tension. | |
JPS5894233A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-04 | Fujitsu Ltd | Ttl論理回路 |
US4481430A (en) * | 1982-08-02 | 1984-11-06 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Power supply threshold activation circuit |
JPH0628335B2 (ja) * | 1984-12-27 | 1994-04-13 | 沖電気工業株式会社 | 駆動回路 |
JPS61158175A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Toshiba Corp | プレ−ナ型トランジスタ装置 |
US4721867A (en) * | 1986-04-16 | 1988-01-26 | Cherry Semiconductor Corporation | High speed logic gate with simulated open collector output |
-
1987
- 1987-01-24 KR KR1019870000579A patent/KR900001746B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-01-15 US US07/144,933 patent/US4853559A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-01-20 DE DE3801530A patent/DE3801530A1/de active Granted
- 1988-01-25 JP JP63012736A patent/JPS63260219A/ja active Pending
- 1988-01-25 GB GB8801597A patent/GB2202703B/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3801530C2 (ko) | 1989-12-14 |
DE3801530A1 (de) | 1988-08-04 |
GB8801597D0 (en) | 1988-02-24 |
GB2202703A (en) | 1988-09-28 |
JPS63260219A (ja) | 1988-10-27 |
KR900001746B1 (ko) | 1990-03-19 |
US4853559A (en) | 1989-08-01 |
GB2202703B (en) | 1991-09-25 |
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