KR830005724A - 고체촬상소자의 제조방법 - Google Patents
고체촬상소자의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도, 제 2E도, 제2F도, 제2H도, 제2I도는 본 발명의 고체촬상소자의 제조방법의 실시예를 제조공정순으로 나타낸 개략단면도.
제2D도는 제2C도에 있어서의 배치 평면패턴을 나타낸 평면도.
Claims (6)
- 2차원으로 배열한 스위치소자, 그 스위치 소자를 주사하는 주사 시프트 레지스터를 집적화한 주사용 집적회로의 상부에, 광전하를 발생하는 광전변환용 광도전막 및 투명전극을 적층한 고체촬상소자의 제조방법에 있어서, 광도전성막을 형성하는 영역으로만 개구된 차폐판을 주사용 집적회로의 상부에 밀착한다든가 약간의 간극을 두고 지지하여 광도전물질을 주사용 집적회로상에 퇴적하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
- 특허청구의 범위 제1항의 제조방법에 있어서, 차폐판의 개구부는, 스위치 소자 배열영역에 대응하는 개구부이다.
- 특허청구의 범위 제2항의 제조방법에 있어서, 차폐판의 개구부는 스위치소자 배열 영역보다 작은 개구부이다.
- 특허청구의 범위 제2항의 제조방법에 있어서, 스위치 소자 배열 영역 주변의 그 외의 소자나 회로는 스위치 소자 배열영역으로부터 광도전물질의 퇴적확산이 칫수 이상 떨어져 설치되어 있다.
- 특허청구의 범위 제1,2,3,4항의 제조방법에 있어서, 광도전물질을 퇴적한 후, 차폐판과 동일 또는 개구칫수 및 형상이 약간 다른 차폐판을 사용하여 투명전극의 재료로 이루어지는 물질을 광도전막상에 퇴적하는 공정을 가진다.
- 특허청구의 범위 제1,2,3,4항의 제조방법에 있어서, 상기 광도전물질을 퇴적한 후, 투명전극의 재료로 이루어지는 물질을 광도전막이 설치된 주사용 집적회로상에 퇴적하는 공정 및 포토에칭에 의해 퇴적된 투명전극물질층을 소정 형상의 투명전극막에 가공하는 공정을 가진다.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019810000981A KR840001604B1 (ko) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | 고체촬상소자의 제조방법 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019810000981A KR840001604B1 (ko) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | 고체촬상소자의 제조방법 |
Publications (2)
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KR830005724A true KR830005724A (ko) | 1983-09-09 |
KR840001604B1 KR840001604B1 (ko) | 1984-10-11 |
Family
ID=19220520
Family Applications (1)
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KR1019810000981A KR840001604B1 (ko) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | 고체촬상소자의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR840001604B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100317214B1 (ko) * | 1998-07-21 | 2001-12-22 | 가네꼬 히사시 | 고체 촬상 장치 |
-
1981
- 1981-03-24 KR KR1019810000981A patent/KR840001604B1/ko active
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KR100317214B1 (ko) * | 1998-07-21 | 2001-12-22 | 가네꼬 히사시 | 고체 촬상 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR840001604B1 (ko) | 1984-10-11 |
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