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KR830005724A - 고체촬상소자의 제조방법 - Google Patents

고체촬상소자의 제조방법 Download PDF

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Publication number
KR830005724A
KR830005724A KR1019810000981A KR810000981A KR830005724A KR 830005724 A KR830005724 A KR 830005724A KR 1019810000981 A KR1019810000981 A KR 1019810000981A KR 810000981 A KR810000981 A KR 810000981A KR 830005724 A KR830005724 A KR 830005724A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
manufacturing
switch element
photoconductive
transparent electrode
shielding plate
Prior art date
Application number
KR1019810000981A
Other languages
English (en)
Other versions
KR840001604B1 (ko
Inventor
노리오 고이께
도우루 바지
도시히사 쓰까다
히데아끼 야마모도
Original Assignee
요시야마 히로기찌
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 요시야마 히로기찌, 가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 filed Critical 요시야마 히로기찌
Priority to KR1019810000981A priority Critical patent/KR840001604B1/ko
Publication of KR830005724A publication Critical patent/KR830005724A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR840001604B1 publication Critical patent/KR840001604B1/ko

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

고체촬상소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도, 제 2E도, 제2F도, 제2H도, 제2I도는 본 발명의 고체촬상소자의 제조방법의 실시예를 제조공정순으로 나타낸 개략단면도.
제2D도는 제2C도에 있어서의 배치 평면패턴을 나타낸 평면도.

Claims (6)

  1. 2차원으로 배열한 스위치소자, 그 스위치 소자를 주사하는 주사 시프트 레지스터를 집적화한 주사용 집적회로의 상부에, 광전하를 발생하는 광전변환용 광도전막 및 투명전극을 적층한 고체촬상소자의 제조방법에 있어서, 광도전성막을 형성하는 영역으로만 개구된 차폐판을 주사용 집적회로의 상부에 밀착한다든가 약간의 간극을 두고 지지하여 광도전물질을 주사용 집적회로상에 퇴적하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
  2. 특허청구의 범위 제1항의 제조방법에 있어서, 차폐판의 개구부는, 스위치 소자 배열영역에 대응하는 개구부이다.
  3. 특허청구의 범위 제2항의 제조방법에 있어서, 차폐판의 개구부는 스위치소자 배열 영역보다 작은 개구부이다.
  4. 특허청구의 범위 제2항의 제조방법에 있어서, 스위치 소자 배열 영역 주변의 그 외의 소자나 회로는 스위치 소자 배열영역으로부터 광도전물질의 퇴적확산이 칫수 이상 떨어져 설치되어 있다.
  5. 특허청구의 범위 제1,2,3,4항의 제조방법에 있어서, 광도전물질을 퇴적한 후, 차폐판과 동일 또는 개구칫수 및 형상이 약간 다른 차폐판을 사용하여 투명전극의 재료로 이루어지는 물질을 광도전막상에 퇴적하는 공정을 가진다.
  6. 특허청구의 범위 제1,2,3,4항의 제조방법에 있어서, 상기 광도전물질을 퇴적한 후, 투명전극의 재료로 이루어지는 물질을 광도전막이 설치된 주사용 집적회로상에 퇴적하는 공정 및 포토에칭에 의해 퇴적된 투명전극물질층을 소정 형상의 투명전극막에 가공하는 공정을 가진다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019810000981A 1981-03-24 1981-03-24 고체촬상소자의 제조방법 KR840001604B1 (ko)

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KR840001604B1 KR840001604B1 (ko) 1984-10-11

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100317214B1 (ko) * 1998-07-21 2001-12-22 가네꼬 히사시 고체 촬상 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100317214B1 (ko) * 1998-07-21 2001-12-22 가네꼬 히사시 고체 촬상 장치

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