KR20240129976A

KR20240129976A - 표시장치

Info

Publication number: KR20240129976A
Application number: KR1020230038655A
Authority: KR
Inventors: 박용환; 한혜윤; 고경민
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2023-02-20
Filing date: 2023-03-24
Publication date: 2024-08-28

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 복수의 발광영역을 포함하는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 감지부를 포함하는 입력 감지층을 포함하고, 상기 복수의 감지부는 상기 복수의 발광영역 각각에 중첩하는 복수의 개구부가 정의되는 복수의 메쉬 라인들, 및 상기 복수의 메쉬 라인들로부터 상기 복수의 발광영역 중 하나에 인접하는 방향으로 돌출되거나 멀어지는 방향으로 함몰된 복수의 시인패턴을 포함하고, 상기 복수의 메쉬라인들에 상기 복수의 개구부 중 인접하는 두 개구부를 연결하는 절단부가 정의되고, 상기 복수의 시인패턴 중 적어도 어느 하나는 상기 절단부와 일 방향에서 중첩한다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 시인성이 개선되고 감지 성능이 개선된 표시장치에 관한 것이다.

텔레비전, 휴대전화, 태블릿, 내비게이션, 게임기 등과 같은 멀티미디어 장치들은 표시 화면을 통해 사용자에게 영상을 표시하는 표시 장치를 포함한다. 표시 장치는 영상을 생성하는 표시 패널 및 사용자의 터치를 감지하는 입력 센서를 포함할 수 있다.

입력 센서는 외부 입력을 감지하는 도전체를 포함할 수 있고, 표시 패널 상에 배치된 입력 센서의 도전체는 표시 장치의 출광 효율이나, 표시 장치의 외광 반사율에 영향을 미칠 수 있다.

본 발명은 시인성 및 감지 성능이 개선된 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 복수의 시인패턴 각각은 상기 발광영역에 인접하는 방향으로 돌출된 형상을 가질 수 있다.

상기 복수의 시인패턴 각각이 상기 복수의 메쉬 라인들로부터 돌출된 높이는 1 마이크로미터 이상 5 마이크로미터 이하일 수 있다.

상기 복수의 시인패턴 각각은 반원형 또는 반타원형 형상을 가질 수 있다.

상기 복수의 시인패턴 각각은 모서리가 라운드된 직사각형 형상을 가질 수 있다.

상기 복수의 시인패턴 각각이 상기 복수의 메쉬 라인들로부터 돌출된 높이는 상기 복수의 메쉬 라인들 각각으로부터 상기 복수의 발광영역 각각으로의 거리보다 작을 수 있다.

상기 복수의 시인패턴 각각은 상기 발광영역으로부터 멀어지는 방향으로 함몰된 형상을 가질 수 있다.

상기 복수의 시인패턴은 상기 발광영역에 인접하는 방향으로 돌출된 형상을 가지는 복수의 돌출 시인패턴, 및 상기 발광영역으로부터 멀어지는 방향으로 함몰된 형상을 가지는 복수의 함몰 시인패턴을 포함할 수 있다.

상기 복수의 메쉬 라인들은 상기 복수의 발광영역 중 일 발광영역을 둘러싸는 제1 메쉬라인 및 제2 메쉬라인을 포함하고, 상기 제1 메쉬라인은 제1 방향으로 연장되고, 상기 제2 메쉬라인은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장될 수 있다.

상기 복수의 시인패턴은 상기 제1 메쉬라인으로부터 상기 제2 방향으로 돌출되거나 함몰된 제1 시인패턴, 및 상기 제2 메쉬라인으로부터 상기 제1 방향으로 돌출되거나 함몰된 제2 시인패턴을 포함할 수 있다.

상기 제1 시인패턴은 상기 제1 메쉬라인으로부터 돌출된 제1-1 시인패턴, 및 상기 제1 메쉬라인으로부터 돌출되고, 상기 제1-1 시인패턴과 상기 제1 방향에서 나란히 배치되는 제1-2 시인패턴을 포함하고, 상기 제2 시인패턴은 상기 제2 메쉬라인으로부터 돌출된 제2-1 시인패턴, 및 상기 제2 메쉬라인으로부터 돌출되고, 상기 제2-1 시인패턴과 상기 제2 방향에서 나란히 배치되는 제2-2 시인패턴을 포함할 수 있다.

상기 복수의 시인패턴 각각은 상기 복수의 메쉬라인들 각각의 일 측으로부터 연장되고, 제1 기울기를 가지는 제1 시인면, 및 상기 제1 시인면으로부터 연장되고, 상기 제1 기울기와 상이한 제2 기울기를 가지는 제2 시인면을 포함할 수 있다.

상기 복수의 발광영역은 제1 색광을 발광하는 제1 발광 영역, 상기 제1 색광과 상이한 제2 색광을 발광하는 제2 발광 영역, 및 상기 제1 색광 및 상기 제2 색광과 상이한 제3 색광을 발광하는 제3 발광 영역을 포함하고, 상기 제3 색광의 파장 범위는 상기 제1 색광의 파장 범위 및 상기 제2 색광의 파장 범위보다 작을 수 있다.

상기 제1 발광 영역과 상기 제2 발광 영역은 제1 방향을 따라 서로 교번하여 배열되고, 상기 제3 발광 영역은 상기 제1 발광 영역 및 상기 제2 발광 영역으로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 이격되어 배열되고, 상기 복수의 메쉬 라인들 각각은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향 중 어느 하나의 방향을 따라 연장될 수 있다.

상기 제1 발광 영역과 상기 제3 발광 영역은 제1 방향을 따라 서로 교번하여 배열되고, 상기 제3 발광 영역은 상기 제1 발광 영역 및 상기 제2 발광 영역으로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 이격되어 배열되고, 상기 복수의 메쉬 라인들 중 적어도 일부는 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향의 사이 방향인 사선 방향을 따라 연장될 수 있다.

상기 복수의 감지부는 제1 방향으로 연장된 제1 감지부들, 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 감지부들을 포함하고, 상기 절단부는 상기 제1 감지부들 중 하나의 제1 감지부와, 상기 제2 감지부들 중 하나의 제2 감지부 사이에 정의되는 경계 절단부를 포함할 수 있다.

상기 절단부는 상기 제1 감지부들 및 상기 제2 감지부들 중 적어도 하나의 내부에 정의되는 추가 절단부를 더 포함할 수 있다.

상기 입력 감지층은 상기 표시 패널 상에 배치되는 제1 감지 절연층, 상기 제1 감지 절연층 상에 배치되는 제2 감지 절연층, 및 상기 제1 감지 절연층 및 상기 제2 감지 절연층 중 적어도 하나의 상부에 배치되는 감지 도전층을 포함하고, 상기 감지 도전층은 상기 복수의 감지부를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 복수의 발광영역을 포함하는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 감지부를 포함하는 입력 감지층을 포함하고, 상기 복수의 감지부는 상기 복수의 발광영역 각각에 중첩하는 복수의 개구부가 정의되는 복수의 메쉬 라인들, 및 상기 복수의 메쉬 라인들 각각의 일 측에 배치된 복수의 시인패턴을 포함하고, 상기 복수의 메쉬 라인들은 상기 복수의 발광영역 중 일 발광영역을 둘러싸는 제1 메쉬라인 및 제2 메쉬라인을 포함하고, 상기 제1 메쉬라인은 제1 방향으로 연장되고, 상기 제2 메쉬라인은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고, 상기 복수의 시인패턴은 상기 제1 메쉬라인으로부터 상기 제2 방향으로 돌출되거나 함몰된 제1 시인패턴, 및 상기 제2 메쉬라인으로부터 상기 제1 방향으로 돌출되거나 함몰된 제2 시인패턴을 포함한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제1 발광 영역, 제2 발광 영역 및 제3 발광 영역을 포함하는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 감지부를 포함하는 입력 감지층을 포함하고, 상기 복수의 감지부는 상기 제1 발광 영역, 상기 제2 발광 영역 및 상기 제3 발광 영역 각각에 중첩하는 제1 개구부, 제2 개구부 및 제3 개구부가 정의되는 복수의 메쉬 라인들, 및 상기 복수의 메쉬 라인들 각각의 일 측에 배치되고, 적어도 일부가 라운드 형상을 가지는 복수의 시인패턴을 포함하고, 상기 복수의 시인패턴은 상기 복수의 메쉬 라인들 중 상기 제1 발광 영역을 둘러싸는 메쉬 라인들에 배치된 제1 그룹 시인패턴, 상기 복수의 메쉬 라인들 중 상기 제2 발광 영역을 둘러싸는 메쉬 라인들에 배치된 제2 그룹 시인패턴, 및 상기 복수의 메쉬 라인들 중 상기 제3 발광 영역을 둘러싸는 메쉬 라인들에 배치된 제3 그룹 시인패턴을 포함한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시장치에 포함된 입력 감지층의 메탈 메쉬 패턴 중 일부 영역이 외부에서 시인되는 불량이 방지되어, 메쉬 패턴을 포함하는 입력 감지층 및 표시장치의 시인성이 개선될 수 있다.

또한, 시인 불량 방지를 위해 메탈 메쉬 패턴에 다수의 절단 패턴을 형성하지 않아, 메탈 메쉬 패턴의 저항이 과도하게 증가하는 것을 방지할 수 있어, 저항 증가에 의한 터치 센싱 성능 저하가 방지될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 감지층의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 감지부의 확대 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 패턴 중 일부분의 평면도이다.
도 8a 내지 도 8f 각각은 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 패턴 중 일부분의 평면도들이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 패턴 중 일부분의 평면도이다.
도 10a 및 도 10b 각각은 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 패턴 중 일부분의 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 패턴 중 일부분의 평면도이다.

본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.

한편, 본 출원에서 "직접 배치"된다는 것은 층, 막, 영역, 판 등의 부분과 다른 부분 사이에 추가되는 층, 막, 영역, 판 등이 없는 것을 의미하는 것일 수 있다. 예를 들어, "직접 배치"된다는 것은 두 개의 층 또는 두 개의 부재들 사이에 접착 부재 등의 추가 부재를 사용하지 않고 배치하는 것을 의미하는 것일 수 있다.

동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안 된다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)의 사시도이다.

표시 장치(DD)는 전기적 신호에 따라 활성화되며 영상(IM)을 표시하는 장치일 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(DD)는 텔레비전, 외부 광고판 등과 같은 대형 장치를 비롯하여, 모니터, 휴대 전화, 태블릿, 네비게이션, 게임기 등과 같은 중소형 장치일 수 있다. 그러나, 상술한 표시 장치(DD)의 실시예들은 예시적인 것으로, 본 발명의 개념에 벗어나지 않는 이상 어느 하나에 한정되지 않는다.

도 1을 참조하면, 표시 장치(DD)는 영상(IM)을 표시하고 외부 입력을 감지하는 표시 모듈(DM)을 포함할 수 있다. 표시 모듈(DM)은 평면 상에서 제1 방향(DR1)으로 연장하는 장변들 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장하는 단변들을 갖는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 표시 모듈(DM)은 원형 또는 다각형 등 다양한 형상들을 가질 수 있다.

본 실시예에서, 제3 방향(DR3)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의되는 평면과 실질적으로 수직하는 방향으로 정의될 수 있다. 표시 장치(DD)를 구성하는 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)에서 서로 대향(opposing)될 수 있고, 전면과 배면 각각의 법선 방향은 실질적으로 제3 방향(DR3)에 평행할 수 있다. 제3 방향(DR3)을 따라 정의되는 전면과 배면 사이의 이격 거리는 부재의 두께에 대응될 수 있다.

본 명세서에서, "평면 상에서"는 제3 방향(DR3)에서 바라본 상태로 정의될 수 있다. 본 명세서에서, "단면 상에서"는 제1 방향(DR1) 또는 제2 방향(DR2)에서 바라본 상태로 정의될 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다.

표시 장치(DD)는 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)한 것 일 수 있다. "플렉서블"이란 휘어질 수 있는 특성을 의미하며, 완전히 접히는 구조에서부터 수 나노미터 수준으로 휠 수 있는 구조까지 모두 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블한 표시 장치(DD)는 커브드(curved) 장치, 롤러블(rollable) 장치, 슬라이더블(slidable) 장치, 또는 폴더블(foldable) 장치를 포함할 수 있다.

표시 모듈(DM)의 상면은 표시면(DS)으로 정의될 수 있으며, 표시면(DS)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면을 가질 수 있다. 표시 모듈(DM)은 표시면(DS)을 통해 생성된 영상(IM)을 사용자에게 제공할 수 있다. 표시면(DS)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.

표시 영역(DA)은 영상(IM)을 표시하는 영역이고, 비표시 영역(NDA)은 영상(IM)을 표시하지 않는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)에 인접할 수 있다. 예를 들어, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 소정의 색으로 인쇄된 영역에 대응될 수 있고, 표시 모듈(DM)의 테두리를 정의할 수 있다.

표시 모듈(DM)은 표시 모듈(DM)의 외부에서 인가되는 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 힘, 압력, 온도, 또는 광과 같은 다양한 형태의 입력들을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 외부 입력은 표시 장치(DD)의 전면에 인가되는 사용자의 손(US)으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 외부 입력은 펜에 의한 접촉 또는 호버링과 같이 표시 장치(DD)에 근접하게 인가되는 입력을 포함할 수 있다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈(DM)의 단면도이다.

도 2를 참조하면, 표시 모듈(DM)은 표시 패널(DP), 입력 감지층(ISP), 및 반사 방지층(ARL)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 베이스 기판(SUB), 회로 소자층(CL), 표시 소자층(OL), 및 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 발광형 표시 패널일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 표시 패널(DP)은 유기 발광 표시 패널 또는 무기 발광 표시 패널일 수 있다. 유기 발광 표시 패널의 발광층은 유기 발광 물질을 포함할 수 있다. 무기 발광 표시 패널의 발광층은 퀀텀닷 및 퀀텀로드 등을 포함할 수 있다. 이하, 표시 패널(DP)은 유기 발광 표시 패널로 설명된다.

베이스 기판(SUB)은 회로 소자층(CL)이 배치되는 베이스 면을 제공할 수 있다. 베이스 기판(SUB)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 또는 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 베이스 기판(SUB)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 기판(SUB)은 무기층, 유기층, 또는 복합 재료층일 수 있다.

베이스 기판(SUB)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(SUB)은 합성 수지층들 및 합성 수지층들 사이에 배치된 다층 또는 단층의 무기층을 포함할 수 있다. 합성 수지층는 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리아미드계 수지, 및 페릴렌계 수지 등을 포함할 수 있고, 특별히 제한되지 않는다.

회로 소자층(CL)은 베이스 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 회로 소자층(CL)은 절연층, 반도체 패턴, 및 도전 패턴을 포함할 수 있다. 회로 소자층(CL)에 포함된 절연층, 반도체 패턴, 및 도전 패턴은 회로 소자층(CL) 내에 구동 소자들, 신호 라인들, 및 패드들을 형성할 수 있다.

표시 소자층(OL)은 회로 소자층(CL) 상에 배치될 수 있다. 표시 소자층(OL)은 표시 영역(DA)에 배치되는 발광 소자들을 포함할 수 있다. 발광 소자들은 유기 발광 소자, 무기 발광 소자, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디 등을 포함할 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 표시 소자층(OL)의 발광 소자들은 회로 소자층(CL)의 구동 소자들에 전기적으로 연결되어, 구동 소자들이 제공하는 신호에 따라 표시 영역(DA) 내에서 광을 생성할 수 있다.

박막 봉지층(TFE)은 표시 소자층(OL) 상에 배치되어 발광 소자들을 밀봉할 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 표시 소자층(OL)의 광학 효율을 향상시키거나, 표시 소자층(OL)을 보호하기 위한 적어도 하나의 박막을 포함할 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 무기막 및 유기막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

입력 감지층(ISP)은 표시 패널(DP) 상에 배치될 수 있다. 입력 감지층(ISP)은 표시 패널(DP)이 제공하는 베이스 면 상에 연속 공정을 통해 형성될 수 있다. 입력 감지층(ISP)은 표시 패널(DP) 상에 별도의 접착층 없이 직접 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 입력 감지층(ISP)은 접착층을 통해 표시 패널(DP) 상에 결합될 수도 있다.

입력 감지층(ISP)은 외부 입력을 감지하여, 표시 패널(DP)이 외부 입력에 대응하는 영상을 표시할 수 있도록, 외부 입력에 대한 정보를 포함하는 입력 신호를 제공할 수 있다. 입력 감지층(ISP)은 정전용량 방식, 저항막 방식, 적외선 방식, 음파 방식, 또는 압력 방식과 같은 다양한 방식으로 구동될 수 있고, 입력 감지층(ISP)의 구동 방식은 외부 입력을 감지할 수 있다면 어느 하나에 한정되지 않는다. 본 실시예에서, 입력 감지층(ISP)은 정전용량 방식으로 구동되는 입력 감지 패널로 설명된다.

반사 방지층(ARL)은 입력 감지층(ISP) 상에 배치될 수 있다. 반사 방지층(ARL)은 입력 감지층(ISP) 상에 직접 배치될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 반사 방지층(ARL)은 입력 감지층(ISP)과 별도의 접착층을 통해 결합될 수도 있다. 반사 방지층(ARL)은 표시 장치(DD, 도 2 참조)의 외부로부터 입사되는 외부광의 반사율을 감소시킬 수 있다.

일 실시예에서, 반사 방지층(ARL)은 위상 지연자(retarder) 및/또는 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위장 지연자 및 편광자는 각각 필름 타입 또는 액정 코팅 타입으로 제공될 수 있다. 위상 지연자 및 편광자는 하나의 편광 필름 형태로 제공될 수도 있다.

일 실시예에서, 반사 방지층(ARL)은 컬러 필터들을 포함할 수 있다. 컬러 필터들은 표시 패널(DP)에 포함된 화소들의 배열 및 발광 컬러에 대응하여 배치될 수 있다. 컬러 필터들은 입사되는 외부광을 대응하는 화소가 발광하는 색과 동일한 색으로 필터링 할 수 있다. 반사 방지층(ARL)은 컬러 필터들에 인접하게 배치된 차광 패턴을 더 포함할 수 있다.

한편, 도 2는 입력 감지층(ISP) 및 반사 방지층(ARL)이 표시 패널(DP) 상에 순차적으로 배치된 실시예를 도시하였으나 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 반사 방지층(ARL)과 입력 감지층(ISP)의 적층 순서는 바뀔 수 있다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 평면도이다.

도 3을 참조하면, 표시 패널(DP)은 베이스 기판(SUB), 화소들(PX), 화소들(PX)에 전기적으로 연결된 신호 라인들(SL1~SLm, DL1~DLn, EL1~ELm, CSL1, CSL2, PL), 주사 구동부(SDV)(scan driver), 데이터 구동부(DDV)(data driver), 및 발광 구동부(EDV)(emission driver)를 포함할 수 있다.

베이스 기판(SUB)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 평행한 평면 상에서 표시 패널(DP)의 소자들 및 배선들이 배치되는 베이스 면을 제공할 수 있다. 베이스 기판(SUB)은 전술한 표시 패널(DP)의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.

표시 영역(DA)에는 화소들(PX)이 배치되어 영상을 표시하는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)에 인접하며 영상이 표시되지 않는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 화소들(PX)을 구동하기 위한 주사 구동부(SDV), 데이터 구동부(DDV), 및 발광 구동부(EDV) 등이 배치될 수 있다. 그러나, 비표시 영역(NDA)의 면적 감소를 위해, 주사 구동부(SDV), 데이터 구동부(DDV), 및 발광 구동부(EDV) 중 적어도 하나는 표시 영역(DA)에 배치될 수도 있다.

화소들(PX) 각각은 트랜지스터들(예를 들어, 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 등) 및 적어도 하나의 커패시터로 구성되는 화소 구동 회로와 화소 구동 회로에 전기적으로 연결된 발광 소자를 포함할 수 있다. 화소들(PX)은 각각 화소들(PX)에 인가되는 전기적 신호에 대응하여 광을 발광하여 표시 영역(DA)에 영상을 표시할 수 있다. 화소들(PX) 중 일부는 비표시 영역(NDA)에 배치된 트랜지스터를 포함할 수도 있으며 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.

신호 라인들(SL1~SLm, DL1~DLn, EL1~ELm, CSL1, CSL2, PL)은 주사 라인들(SL1~SLm), 데이터 라인들(DL1~DLn), 발광 라인들(EL1~ELm), 제1 및 제2 제어 라인들(CSL1, CSL2), 및 전원 라인(PL)을 포함할 수 있다. 여기서, m 및 n은 자연수를 나타낸다.

데이터 라인들(DL1~DLn)은 주사 라인들(SL1~SLm) 및 발광 라인들(EL1~ELm)과 절연되며 평면 상에서 교차할 수 있다. 예를 들어, 주사 라인들(SL1~SLm)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 주사 구동부(SDV)에 전기적으로 연결될 수 있다. 데이터 라인들(DL1~DLn)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어, 데이터 구동부(DDV)에 전기적으로 연결될 수 있다. 발광 라인들(EL1~ELm)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 발광 구동부(EDV)에 전기적으로 연결될 수 있다.

전원 라인(PL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분을 포함할 수 있다. 전원 라인(PL)의 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분은 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 전원 라인(PL)의 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분은 화소들(PX) 및 전원 라인(PL)의 제1 방향(DR1)에 연장된 부분에 전기적으로 연결될 수 있다. 전원 라인(PL)의 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분은 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분과 상이한 층 상에 배치되어 컨택홀을 통해 연결되거나, 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분과 동일 층 상에서 일체의 형상을 가질 수도 있다.

제1 제어 라인(CSL1)은 주사 구동부(SDV)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 제어 라인(CSL2)은 발광 구동부(EDV)에 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 패드들(PD1)은 비표시 영역(NDA)의 하단에 인접하게 배치될 수 있다. 제1 패드들(PD1)은 데이터 구동부(DDV)보다 표시 패널(DP)의 하단에 더 인접하게 배치될 수 있다. 제1 패드들(PD1)은 제2 방향(DR2)을 따라 이격되어 배치될 수 있다.

제1 패드들(PD1)은 화소들(PX)에 전기적으로 연결된 표시 패드들로 정의될 수 있다. 제1 패드들(PD1) 각각은 신호 라인들(SL1~SLm, DL1~DLn, EL1~ELm, CSL1, CSL2, PL) 중 대응하는 신호 라인에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 패드들(PD1)은 각각 전원 라인(PL), 제1 제어 라인(CSL1), 제2 제어 라인(CSL2), 및 데이터 라인들(DL1~DLn)에 전기적으로 연결될 수 있다.

주사 구동부(SDV)는 주사 제어 신호에 응답하여 주사 신호들을 생성할 수 있다. 주사 신호들은 주사 라인들(SL1~SLm)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다. 데이터 구동부(DDV)는 데이터 제어 신호에 응답하여 영상 신호들에 대응하는 데이터 전압들을 생성할 수 있다. 데이터 전압들은 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다. 발광 구동부(EDV)는 발광 제어 신호에 응답하여 발광 신호들을 생성할 수 있다. 발광 신호들은 발광 라인들(EL1~ELm)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다.

화소들(PX)은 주사 신호들에 응답하여 데이터 전압들을 제공받을 수 있다. 화소들(PX)은 발광 신호들에 응답하여 데이터 전압들에 대응하는 휘도의 광을 발광함으로써 영상을 생성할 수 있다. 화소들(PX)의 발광 시간은 발광 신호들에 의해 제어 될 수 있다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈(DM)의 단면도이다. 도 4는 도 3에 도시된 어느 한 화소(PX)에 대응하는 표시 모듈(DM)의 단면을 예시적으로 도시하였다.

도 4를 참조하면, 표시 모듈(DM)은 표시 패널(DP) 및 입력 감지층(ISP)을 포함한다.

표시 패널(DP)은 복수의 화소(PX, 도 3 참조)를 포함할 수 있다. 화소(PX, 도 3 참조)는 트랜지스터(TR) 및 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 트랜지스터(TR) 및 발광 소자(OLED)는 베이스 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 도 4는 하나의 트랜지스터(TR)가 도시되었으나, 실질적으로 화소(PX, 도 3 참조)는 발광 소자(OLED)를 구동하기 위한 복수 개의 트랜지스터들 및 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다.

회로 소자층(CL)은 베이스 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 회로 소자층(CL)은 차폐 전극(BML), 트랜지스터(TR), 연결 전극들(CNE), 및 복수의 절연층들(BFL, INS1~INS6)을 포함할 수 있다. 복수의 절연층들(BFL, INS1~INS6)은 버퍼층(BFL) 및 제1 내지 제6 절연층들(INS1~INS6)을 포함할 수 있다. 그러나, 도 4에 도시된 회로 소자층(CL)의 적층 구조는 예시적인 것이고, 화소(PX, 도 3 참조)의 구성 및 회로 소자층(CL)의 공정에 따라 회로 소자층(CL)의 적층 구조는 변경될 수 있다.

차폐 전극(BML)은 베이스 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 차폐 전극(BML)은 트랜지스터(TR)에 중첩할 수 있다. 차폐 전극(BML)은 표시 패널(DP) 하부로부터 트랜지스터(TR)로 입사하는 광을 차단하여 트랜지스터(TR)를 보호할 수 있다. 차폐 전극(BML)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 차폐 전극(BML)은 전원 라인(PL, 도 3 참조)에 연결되어 전압을 인가 받을 수 있다. 차폐 전극(BML)에 전압이 인가될 때, 차폐 전극(BML) 상에 배치된 트랜지스터(TR)의 문턱 전압이 유지될 수 있다. 이에 한정되지 않고, 차폐 전극(BML)은 플로팅 전극일 수 있다. 일 실시예에서 차폐 전극(BML)은 생략될 수도 있다.

버퍼층(BFL)은 베이스 기판(SUB) 상에 배치되어 차폐 전극(BML)을 커버할 수 있다. 버퍼층(BFL)은 무기층을 포함할 수 잇다. 버퍼층(BFL)은 버퍼층(BFL) 상에 배치되는 반도체 패턴 또는 도전 패턴과 베이스 기판(SUB) 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다.

트랜지스터(TR)는 소스(S), 채널(C), 드레인(D), 및 게이트(G)를 포함할 수 있다. 트랜지스터(TR)의 소스(S), 채널(C), 및 드레인(D)은 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 트랜지스터(TR)의 반도체 패턴은 폴리 실리콘, 비정질 실리콘, 또는 금속 산화물을 포함할 수 있으며, 반도체 성질을 갖는 것이라면 어느 하나에 한정되지 않는다.

반도체 패턴은 전도성의 크기에 따라 구분되는 복수의 영역들을 포함할 수 있다. 반도체 패턴 중 도판트로 도핑되거나 금속 산화물이 환원된 영역은 전도성이 클 수 있고, 실질적으로 트랜지스터(TR)의 소스 전극 및 드레인 전극 역할을 할 수 있다. 반도체 패턴 중 전도성이 큰 영역은 트랜지스터(TR)의 소스(S) 및 드레인(D)에 해당될 수 있다. 비 도핑 또는 낮은 농도로 도핑되거나, 금속 산화물이 비 환원되어 전도성이 낮은 영역은 트랜지스터(TR)의 채널(C)(또는 액티브)에 해당할 수 있다.

제1 절연층(INS1)은 트랜지스터(TR)의 반도체 패턴을 커버하며 버퍼층(BFL)상에 배치될 수 있다. 트랜지스터(TR)의 게이트(G)는 제1 절연층(INS1) 상에 배치될 수 있다. 게이트(G)는 트랜지스터(TR)의 채널(C)에 중첩할 수 있다. 일 실시예에서, 게이트(G)는 트랜지스터(TR)의 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 마스크로써 기능할 수 있다.

제2 절연층(INS2)은 게이트(G)를 커버하며 제1 절연층(INS1) 상에 배치될 수 있다. 제3 절연층(INS3)은 제2 절연층(INS2) 상에 배치될 수 있다.

연결 전극들(CNE)은 트랜지스터(TR)와 발광 소자(OLED)를 전기적으로 연결하기 위한 제1 연결 전극(CNE1) 및 제2 연결 전극(CNE2)을 포함할 수 있다. 그러나, 트랜지스터(TR)와 발광 소자(OLED)를 연결시키는 연결 전극들(CNE)의 실시예는 이에 한정되지 않고, 제1 및 제2 연결 전극들(CNE1, CNE2) 중 하나가 생략되거나, 추가 연결 전극을 더 포함할 수 있다.

제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(INS3) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1 내지 제3 절연층들(INS1~INS3)을 관통하는 제1 컨택홀(CH1)을 통해 드레인(D)에 연결될 수 있다. 제4 절연층(INS4)은 제1 연결 전극(CNE1)을 커버하며 제3 절연층(INS3) 상에 배치될 수 있다. 제5 절연층(INS5)은 제4 절연층(INS4) 상에 배치될 수 있다.

제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(INS5) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 및 제5 절연층들(INS4, INS5)을 관통하는 제2 컨택홀(CH2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 연결될 수 있다. 제6 절연층(INS6)은 제2 연결 전극(CNE2)을 커버하며 제5 절연층(INS5) 상에 배치될 수 있다.

제1 내지 제6 절연층들(INS1~INS6) 각각은 무기층 또는 유기층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 무기층은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 지르코늄 옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 유기층은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리아미드계 수지, 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수도 있다.

표시 소자층(OL)은 화소 정의막(PDL) 및 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 발광 소자(OLED)는 제1 전극(AE), 정공 제어층(HCL), 전자 제어층(ECL), 발광층(EML), 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.

제1 전극(AE)은 제6 절연층(INS6) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(INS6)을 관통하는 제3 컨택홀(CH3)을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 연결될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제1 및 제2 연결 전극들(CNE1, CNE2)을 통해 트랜지스터(TR)의 드레인(D)에 전기적으로 연결될 수 있다.

화소 정의막(PDL)은 제6 절연층(INS6) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)에는 제1 전극(AE)의 일 부분을 노출시키는 발광 개구부(PX_OP)가 정의될 수 있다. 발광 개구부(PX_OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일 부분은 발광 영역(LA)으로 정의될 수 있다. 발광 영역(LA)은 후술할 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3, 도 7 참조) 중 하나에 대응될 수 있다.

화소 정의막(PDL)이 배치된 영역은 비발광 영역(NLA)에 대응될 수 있다. 비발광 영역(NLA)은 표시 영역(DA) 내에서 발광 영역(LA)을 둘러쌀 수 있다.

정공 제어층(HCL)은 제1 전극(AE) 및 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 발광 영역(LA) 및 비발광 영역(NLA)에 중첩하는 공통층으로 제공될 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 정공 수송층, 정공 주입층, 및 전자 저지층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.

발광층(EML)은 정공 제어층(HCL) 상에 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 발광 개구부(PX_OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 그러나, 실시예가 반드시 이에 한정되지 않고, 발광층(EML)은 공통층으로 제공될 수도 있다. 발광층(EML)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 레드, 그린, 및 블루 중 어느 하나의 컬러광을 발광할 수 있다.

전자 제어층(ECL)은 발광층(EML) 상에 배치될 수 있다. 전자 제어층(ECL)은 발광 영역(LA) 및 비발광 영역(NLA)에 중첩하는 공통층으로 제공될 수 있다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층, 전자 주입층, 및 정공 저지층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.

제2 전극(CE)은 전자 제어층(ECL) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 발광 영역(LA) 및 비발광 영역(NLA)에 중첩하는 공통층으로 제공될 수 있다. 제2 전극(CE)은 화소들(PX, 도 3 참조)에 공통으로 배치되어 화소들(PX, 도 3 참조)에 전압을 인가할 수 있다.

박막 봉지층(TFE)은 제2 전극(CE) 상에 배치되어 발광 소자(OLED)를 커버할 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 복수의 박막들을 포함할 수 있다. 예를 들아, 박막 봉지층(TFE)은 제2 전극(CE) 상에 배치된 무기막들 및 무기막들 사이에 배치된 유기막을 포함할 수 있다. 박막 봉지층(TFE)의 무기막은 수분/산소로부터 발광 소자(OLED)를 보호할 수 있고, 유기막은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자(OLED)를 보호할 수 있다. 그러나, 박막 봉지층(TFE)의 실시예가 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.

제1 전압이 트랜지스터(TR)를 통해 제1 전극(AE)에 인가되고, 제1 전압보다 낮은 레벨을 갖는 제2 전압이 제2 전극(CE)에 인가될 수 있다. 발광층(EML)에 주입된 정공과 전자가 결합하여 여기자(exciton)가 형성되고, 여기자가 바닥 상태로 전이하면서, 발광 소자(OLED)가 발광할 수 있다.

입력 감지층(ISP)은 제1 감지 절연층(IL1), 제2 감지 절연층(IL2), 및 제3 감지 절연층(IL3)을 포함할 수 있다. 입력 감지층(ISP)은 감지 절연층들 상에 배치되는 적어도 하나의 도전층을 포함할 수 있다. 입력 감지층(ISP)은 제1 도전층(CDL1), 및 제2 도전층(CDL2)을 포함할 수 있다.

제1 감지 절연층(IL1)은 박막 봉지층(TFE) 상에 배치될 수 있다. 제1 감지 절연층(IL1)은 적어도 하나 이상의 무기 절연층을 포함할 수 있다. 제1 감지 절연층(IL1)은 박막 봉지층(TFE) 상에 접촉할 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 일 실시예에서, 제1 감지 절연층(IL1)은 생략될 수도 있고, 이 경우 제1 도전층(CDL1)이 박막 봉지층(TFE) 상에 접촉할 수 있다.

제1 도전층(CDL1)은 제1 감지 절연층(IL1) 상에 배치될 수 있다. 제1 도전층(CDL1)은 복수의 제1 도전 패턴들을 포함할 수 있다. 복수의 제1 도전 패턴들은 제1 감지 절연층(IL1) 상에 배치될 수 있다.

제2 감지 절연층(IL2)은 제1 도전층(CDL1)의 서브 도전 패턴들(SCP)을 커버하도록 제1 감지 절연층(IL1) 상에 배치될 수 있다.

제2 도전층(CDL2)은 제2 감지 절연층(IL2) 상에 배치될 수 있다. 제2 도전층(CDL2)은 복수의 제2 도전 패턴들을 포함할 수 있다. 복수의 제2 도전 패턴들은 제2 감지 절연층(IL2) 상에 배치될 수 있다. 복수의 제2 도전 패턴들 각각은 제2 감지 절연층(IL2)에 형성된 컨택 홀을 통해 복수의 제1 도전 패턴들과 접속된 것일 수 있다.

제1 도전층(CDL1)의 복수의 제1 도전 패턴들과, 제2 도전층(CDL2)의 복수의 제2 도전 패턴들 각각은 비발광 영역(NLA)에 대응하여 배치될 수 있다. 제1 도전층(CDL1)의 복수의 제1 도전 패턴들과, 제2 도전층(CDL2)의 복수의 제2 도전 패턴들 각각은 후술할 메쉬 패턴(MP)에 해당하는 것일 수 있다. 제1 도전층(CDL1)의 복수의 제1 도전 패턴들과, 제2 도전층(CDL2)의 복수의 제2 도전 패턴들 각각은 후술할 복수의 감지부들(SP1, SP2, 도 5 참조)을 포함하는 것일 수 있다.

제3 감지 절연층(IL3)은 제2 감지 절연층(IL2) 상에 배치될 수 있으며, 제2 도전층(CDL2)을 커버하는 것일 수 있다. 제2 감지 절연층(IL2) 및 제3 감지 절연층(IL3)은 무기 절연층 또는 유기 절연층을 포함할 수 있다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 감지층(ISP)의 평면도이다.

입력 감지층(ISP)은 전술한 표시 패널(DP, 도 3 참조) 상에 배치될 수 있다. 입력 감지층(ISP)은 표시 패널(DP, 도 3 참조)이 제공하는 베이스 면 상에 직접 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 입력 감지층(ISP)은 상호 정전용량 방식(mutual-cap type)으로 구동될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 입력 감지층(ISP)은 자기 용량 방식(self-cap type)으로 구동되는 것일 수 있다.

입력 감지층(ISP)은 제1 감지 절연층(IL1), 제1 감지 전극들(SE1), 제2 감지 전극들(SE2), 제1 감지 라인들(TXL), 제2 감지 라인들(RXL), 제2 패드들(PD2), 및 제3 패드들(PD3)을 포함할 수 있다.

제1 감지 절연층(IL1)은 입력 감지층(ISP)의 전극들 및 배선들이 배치되는 베이스면을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 감지 절연층(IL1)은 표시 패널(DP, 도 4 참조)의 박막 봉지층(TFE, 도 4 참조) 상에 직접 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 제1 감지 절연층(IL1)은 생략될 수 있고, 입력 감지층(ISP)의 전극들 및 배선들은 박막 봉지층(TFE, 도 4 참조) 상에 직접 배치될 수도 있다.

제1 감지 절연층(IL1)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)을 포함할 수 있다. 액티브 영역(AA)은 표시 영역(DA, 도 3 참조)에 중첩하고, 주변 영역(NAA)은 비표시 영역(NDA, 도 3 참조)에 중첩할 수 있다.

제1 감지 전극들(SE1) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제1 감지 전극들(SE1)은 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다. 도 5는 4개의 제1 감지 전극들(SE1)을 예시적으로 도시하였으나, 입력 감지층(ISP)에 포함되는 제1 감지 전극들(SE1)의 수는 이에 한정되지 않는다. 제1 감지 전극들(SE1) 각각은 제1 감지부들(SP1) 및 제1 감지부들(SP1)을 연결하는 연결 패턴들(CP)을 포함할 수 있다.

제1 감지부들(SP1)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 연결 패턴들(CP) 각각은 제1 방향(DR1)에서 인접한 제1 감지부들(SP1) 사이에 배치되어 제1 감지부들(SP1)을 전기적으로 연결 시킬 수 있다. 연결 패턴들(CP) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 연결 패턴들(CP)은 제1 방향(DR1)에 인접한 제1 감지부들(SP1)과 평면 상에서 중첩할 수 있다. 그러나, 연결 패턴들(CP)의 형상은 인접하는 제1 감지부들(SP1)을 전기적으로 연결 시킬 수 있다면 어느 하나에 한정되지 않는다.

연결 패턴들(CP)은 제1 감지부들(SP1)과 상이한 층 상에 배치될 수 있다. 연결 패턴들(CP)은 대응하는 제1 감지부들(SP1)과 컨택홀들(T-CH)을 통해 연결될 수 있다. 컨택홀들(T-CH)은 연결 패턴들(CP)과 제1 감지부들(SP1) 사이에 배치된 절연층을 관통하여 형성되는 것일 수 있다.

제2 감지 전극들(SE2) 각각은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 제2 감지 전극들(SE2)은 제1 방향(DR1)으로 배열될 수 있다. 도 5는 5개의 제2 감지 전극들(SE2)을 예시적으로 도시하였으나, 입력 감지층(ISP)에 포함되는 제2 감지 전극들(SE2)의 수는 이에 한정되지 않는다. 제2 감지 전극들(SE2) 각각은 제2 감지부들(SP2) 및 제2 감지부들(SP2)을 연결하는 연장 패턴들(EP)을 포함할 수 있다.

제2 감지부들(SP2)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 연장 패턴들(EP) 각각은 제2 방향(DR2)에서 인접한 제2 감지부들(SP2) 사이에 배치되어 제2 감지부들(SP2)을 전기적으로 연결 시킬 수 있다.

연장 패턴들(EP) 각각은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 연장 패턴들(EP)은 연결 패턴들(CP)과 절연되며 평면 상에서 교차할 수 있다. 연장 패턴들(EP)은 대응되는 제2 감지부들(SP2)로부터 연장되는 것일 수 있다. 즉, 연장 패턴들(EP)은 제2 감지부들(SP2)과 동일 층 상에서 일체의 형상을 갖는 것일 수 있다.

제1 감지 전극들(SE1)과 제2 감지 전극들(SE2)은 전기적으로 절연되며, 평면 상에서 교차할 수 있다. 입력 감지층(ISP)은 제1 감지 전극들(SE1)과 제2 감지 전극들(SE2) 사이의 정전 용량 변화를 통해 외부 입력을 감지할 수 있다. 제1 감지 전극들(SE1) 및 제2 감지 전극들(SE2)은 표시 영역(DA, 도 3 참조)에 중첩하는 액티브 영역(AA)에 배치될 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(DD, 도 1 참조)는 표시 영역(DA, 도 1 참조)을 통해 영상을 표시함과 동시에 표시 영역(DA, 도 1 참조)에 가해지는 외부 입력을 감지할 수 있다.

제1 감지 라인들(TXL)은 주변 영역(NAA) 상에 배치되어 각각 제1 감지 전극들(SE1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 감지 라인들(TXL)은 각각 제1 감지 전극들(SE1)의 하단에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 감지 라인들(TXL)은 평면 상에서 주변 영역(NAA)의 하부에 인접하게 배치될 수 있다. 제1 감지 라인들(TXL)은 각각 제1 감지 전극들(SE1)의 하단으로부터 제2 패드들(PD2)을 향해 연장될 수 있다.

제1 감지 라인들(TXL)은 각각 제2 패드들(PD2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 감지 라인들(TXL)은 제2 패드들(PD2)과 상이한 층 상에 배치되어 컨택홀을 통해 연결되거나, 제2 패드들(PD2)과 일체의 형상을 갖는 것일 수 있다.

제2 감지 라인들(RXL)은 주변 영역(NAA) 상에 배치되어 각각 제2 감지 전극들(SE2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 감지 라인들(RXL)은 각각 제2 감지 전극들(SE2)의 우측 단에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 감지 라인들(RXL)은 평면 상에서 주변 영역(NAA)의 우측에 인접하게 배치될 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 한정되지 않고, 제2 감지 라인들(RXL)은 주변 영역(NAA)의 좌측에 인접하게 배치되거나, 제2 감지 라인들(RXL)은 주변 영역(NAA)의 좌측 또는 우측에 나누어서 배치될 수도 있다. 제2 감지 라인들(RXL)은 각각 제2 감지 전극들(SE2)의 우측 단으로부터 제3 패드들(PD3)을 향해 연장될 수 있다.

제2 감지 라인들(RXL)은 각각 제3 패드들(PD3)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 감지 라인들(RXL)은 제3 패드들(PD3)과 상이한 층 상에 배치되어 컨택홀을 통해 연결되거나, 제3 패드들(PD3)과 일체의 형상을 갖는 것일 수 있다.

입력 감지층(ISP)을 제어하기 위한 터치 컨트롤러가 회로 기판을 통해 제2 패드들(PD2) 및 제3 패드들(PD3)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 패드들(PD2) 및 제3 패드들(PD3)은 제2 방향(DR2)을 따라 배치될 수 있다. 제2 패드들(PD2)은 평면 상에서 주변 영역(NAA)의 좌측 하단에 인접하게 배치될 수 있고, 제3 패드들(PD3)은 평면 상에서 주변 영역(NAA)의 우측 하단에 인접하게 배치될 수 있다.

표시 패널(DP, 도 3 참조)의 제1 패드들(PD1)은 제2 패드들(PD2)과 제3 패드들(PD3) 사이에 배치될 수 있다. 제2 패드들(PD2) 및 제3 패드들(PD3)은 실질적으로 제1 패드들(PD1)과 동일 층 상에 배치되는 것일 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 제2 패드들(PD2) 및 제3 패드들(PD3)은 제1 패드들(PD1)과 상이한 층 상에 배치되는 것일 수도 있다. 도 3 및 도 5에 도시된 패드들(PD1, PD2, PD3)의 배치는 예시적인 것으로 실시예는 이에 한정되지 않는다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 감지부의 확대 평면도이다. 도 6에서는 도 5에 도시된 A1 영역을 확대하여 도시하였다. 즉, 도 6에서는 입력 감지층(ISP, 도 5 참조)의 2개의 제1 감지부(SP1) 및 2개의 제2 감지부(SP2)와, 이들이 연장 패턴(EP) 및 연결 패턴(CP)에 의해 연결되는 부분을 확대하여 도시하였다.

도 6을 참조하면, 제1 감지부(SP1) 및 제2 감지부(SP2) 각각은 메쉬 패턴(MP)을 포함할 수 있다. 메쉬 패턴(MP)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 메쉬 패턴(MP)은 적어도 2 이상의 상이한 개구부들(OP1, OP2, OP3)을 정의하는 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)을 포함할 수 있다. 개구부들(OP1, OP2, OP3)은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)에 의해 둘러싸여 정의될 수 있다.

메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)은 제1 메쉬 라인들(ML1), 제2 메쉬 라인들(ML2), 및 제3 메쉬 라인들(ML3)을 포함할 수 있다. 제1 메쉬 라인들(ML1), 제2 메쉬 라인들(ML2), 및 제3 메쉬 라인들(ML3)은 서로 연결되어 일체의 형상을 가질 수 있다.

제1 메쉬 라인들(ML1) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있고, 제1 메쉬 라인들(ML1)은 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다. 제2 메쉬 라인들(ML2) 각각은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있고, 제2 메쉬 라인들(ML2)은 제1 방향(DR1)으로 배열될 수 있다. 제2 메쉬 라인들(ML2)은 제1 메쉬 라인들(ML1)과 평면 상에서 교차하며 일체의 형상을 가질 수 있다. 제3 메쉬 라인들(ML3) 각각은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있고, 제3 메쉬 라인들(ML3)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다. 제3 메쉬 라인들(ML3)은 제1 방향(DR1)에서 제2 메쉬 라인들(ML2)과 교대로 배치될 수 있다. 제3 메쉬 라인들(ML3)은 제2 방향(DR2)에서 제3 개구부(OP3)를 사이에 두고 서로 이격될 수 있다.

메쉬 패턴(MP)은 제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)에 의해 정의되는 제1 내지 제3 개구부들(OP1, OP2, OP3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 개구부들(OP1, OP2, OP3)은 평면 상에서의 면적이 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제3 개구부(OP3)의 평면적은 제1 내지 제3 개구부들(OP1, OP2, OP3) 중 가장 클 수 있고, 제1 개구부(OP1)의 평면적은 제1 내지 제3 개구부들(OP1, OP2, OP3) 중 가장 작을 수 있다. 제1 내지 제3 개구부들(OP1, OP2, OP3)이 정의된 영역은 후술할 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3, 도 7 참조)에 중첩하는 영역일 수 있다. 메쉬 패턴(MP) 내에 제1 내지 제3 개구부들(OP1, OP2, OP3)이 정의됨에 따라 제1 감지부(SP1) 및 제2 감지부(SP2) 각각이 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3, 도 7 참조)의 출광 효율을 저하시키지 않을 수 있다.

제1 개구부(OP1) 및 제2 개구부(OP2) 각각은 제1 방향(DR1)에서 인접하는 제2 메쉬 라인(ML2)과 제2 방향(DR2)에서 인접하는 제1 메쉬 라인들(ML1)에 의해 둘러싸여 정의될 수 있다. 제1 개구부(OP1)와 제2 개구부(OP2)는 제1 방향(DR1)을 따라 교대로 형성될 수 있다. 제1 개구부(OP1)와 제2 개구부(OP2) 사이에는 제2 메쉬 라인들(ML2) 중 대응하는 제2 메쉬 라인(ML2)이 배치될 수 있다. 즉, 제1 개구부(OP1) 및 제2 개구부(OP2) 각각은 제1 메쉬 라인(ML1)과 제2 메쉬 라인(ML2)에 의해 둘러쌓인 것일 수 있다.

제3 개구부(OP3)는 제1 방향(DR1)에서 인접하는 제3 메쉬 라인들(ML3)과 제2 방향(DR2)에서 인접하는 제1 메쉬 라인들(ML1)에 의해 둘러싸여 정의될 수 있다. 제3 개구부들(OP3)은 제1 방향(DR1)에서 제3 메쉬 라인들(ML3) 중 대응하는 제3 메쉬 라인(ML3)의 일 부분을 사이에 두고 배치될 수 있다. 즉, 제3 개구부(OP3)는 제1 메쉬 라인(ML1)과 제3 메쉬 라인(ML3)에 의해 둘러쌓인 것일 수 있다.

제1 개구부들(OP1) 및 제2 개구부들(OP2)과 제3 개구부들(OP3)은 제2 방향(DR2)을 따라 교대로 형성될 수 있다. 하나의 제3 개구부(OP3)는 제2 방향(DR2)에서 제1 개구부(OP1) 및 제2 개구부(OP2) 각각과 중첩할 수 있다.

도 6에 도시된 메쉬 패턴(MP)의 형상은 예시적인 것으로, 메쉬 패턴(MP) 내에서 제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 및 제1 내지 제3 개구부들(OP1, OP2, OP3)의 배열 및 형상은 표시 패널(DP, 도 3 참조)의 화소들(PX, 도 3 참조)의 배열 및 형상에 따라 다양하게 변경될 수 있다.

제1 감지부(SP1) 및 제2 감지부(SP2) 각각에 포함된 제1 메쉬 라인들(ML1), 제2 메쉬 라인들(ML2), 및 제3 메쉬 라인들(ML3) 중 적어도 어느 하나에는 절단부가 정의될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 감지부(SP1) 및 이에 인접한 제2 감지부(SP2)는 서로 이격되어 전기적으로 절연되며, 절단부는 제1 감지부(SP1) 및 제2 감지부(SP2) 사이에 정의되는 경계 절단부(CT)를 포함할 수 있다. 한편, 이하 설명에서는 경계 절단부(CT)를 "절단부(CT)" 로 지칭하여 설명한다.

도 6에서는 설명의 편의를 위해 제1 감지부(SP1) 및 제2 감지부(SP2) 사이에 일정한 간격의 절단부(CT)가 정의된 것으로 예시적으로 도시하였다. 다만, 절단부(CT)의 형상은 이에 한정되지 않고, 절단부(CT)는 제1 메쉬 라인들(ML1), 제2 메쉬 라인들(ML2), 및 제3 메쉬 라인들(ML3) 각각의 일부분이 제거된 형상을 가질 수 있다. 절단부(CT)의 구체적인 형상에 대해서는 도 7 등에 대한 설명에서 후술한다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 패턴 중 일부분의 평면도이다. 도 7에서는 도 6에 도시된 B1 영역을 확대하여 도시하였다. 도 7에서는 설명의 편의를 위해 메쉬 패턴(MP)에 중첩하는 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)을 함께 도시하였다.

도 7을 참조하면, 메쉬 패턴(MP)은 전술한 제1 감지부들(SP1, 도 5 참조) 또는 제2 감지부들(SP2, 도 5 참조)의 구성일 수 있다. 메쉬 패턴(MP)은 제1 메쉬 라인들(ML1), 제2 메쉬 라인들(ML2), 및 제3 메쉬 라인들(ML3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)에 관하여는 전술한 설명이 적용될 수 있다.

표시 패널(DP, 도 4 참조)은 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP, 도 4 참조)은 발광 소자들(OLED, 도 4 참조)을 포함할 수 있고, 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)은 각각 발광 소자들(OLED, 도 4 참조)이 배치된 영역에 대응될 수 있다. 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)은 출광 컬러에 따라 구분되는 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)은 각각 제1 내지 제3 발광 소자들이 배치되는 영역으로 정의될 수 있다.

제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)은 서로 상이한 컬러를 발광할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역은(LA1)은 레드광을 발광하고, 제2 발광 영역(LA2)은 그린광을 발광하고, 제3 발광 영역(LA3)은 블루광을 발광할 수 있다. 그러나, 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)을 통해 발광되는 광들의 컬러는 이에 한정되지 않는다.

제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각은 복수로 제공되어 평면 상에서 소정의 배열로 배치될 수 있다. 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2), 및 제3 발광 영역(LA3)은 하나의 화소 유닛으로 정의될 수 있다. 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2), 및 제3 발광 영역(LA3)을 포함하는 화소 유닛은 복수로 제공되어 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다.

제1 발광 영역들(LA1), 제2 발광 영역들(LA2), 및 제3 발광 영역들(LA3)은 평면 상에서 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제1 방향(DR1)에서 제1 발광 영역들(LA1)과 제2 발광 영역들(LA2)은 서로 교번하게 배열될 수 있다. 제3 발광 영역들(LA3)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열되고, 제1 방향(DR1)에서 제1 발광 영역들(LA1) 또는 제2 발광 영역들(LA2)과 비중첩할 수 있다. 제3 발광 영역들(LA3) 각각은 제2 방향(DR2)에서 제1 발광 영역(LA1) 및 제2 발광 영역(LA2)의 적어도 일 부분과 중첩할 수 있다. 제2 방향(DR2)에서 제1 발광 영역들(LA1)과 제3 발광 영역들(LA3)은 서로 교번하게 배열될 수 있고, 제2 방향(DR2)에서 제2 발광 영역들(LA2)과 제3 발광 영역들(LA3)은 서로 교번하게 배열될 수 있다. 그러나, 도 7에 도시된 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)의 배열은 예시적인 것으로 이에 한정되지 않는다.

제1 방향(DR1)을 따라 배열된 제1 발광 영역들(LA1) 및 제2 발광 영역들(LA2)은 "제1 발광 열"로 정의될 수 있고, 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 제3 발광 영역들(LA3)은 "제2 발광 열"로 정의될 수 있다. 제1 발광 열과 제2 발광 열 각각은 복수로 제공되어, 제2 방향(DR2)을 따라 교번하게 배열될 수 있다.

제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)은 평면 상에서 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)은 실질적으로 사각형, 팔각형과 같은 다각형이나 원형, 또는 타원형의 형상을 가질 수 있다. 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각은 모서리가 라운드된 직사각형 형상을 가질 수 있다. 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각의 형상은 화소 정의막(PDL, 도 4 참조)의 발광 개구부(PX_OP, 도 4 참조)의 형상에 대응될 수 있다.

제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)은 평면 상에서 소정의 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)은 평면 상에서 서로 다른 면적을 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)은 서로 길이 및 폭이 상이하나, 실질적으로 동일한 면적을 갖는 것일 수도 있다. 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)의 면적은 출광 컬러, 출광 효율, 해상도, 표시 장치(DD, 도 1 참조)의 크기 등에 따라 다양하게 설계될 수 있다.

제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)은 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)에 비중첩할 수 있다. 제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)은 비발광 영역(NLA, 도 4 참조)에 중첩하여 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)에 의해 정의되는 제1 내지 제3 개구부들(OP1, OP2, OP3)은 각각 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)에 중첩할 수 있다.

제1 내지 제3 개구부들(OP1, OP2, OP3) 각각은 중첩하는 발광 영역의 면적보다 큰 평면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 개구부(OP1)의 평면적은 제1 발광 영역(LA1)의 면적보다 크고, 제2 개구부(OP2)의 평면적은 제2 발광 영역(LA2)의 면적보다 크며, 제3 개구부(OP3)의 평면적은 제3 발광 영역(LA3)의 면적보다 클 수 있다. 이로 인해, 메쉬 패턴(MP)은 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)을 통해 발광하는 광의 출광 효율을 감소시키지 않을 수 있다.

제1 메쉬 라인들(ML1)은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있고, 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제1 메쉬 라인들(ML1)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열되는 제1 발광 영역들(LA1) 및 제2 발광 영역들(LA2)(즉, 제1 발광 열)과 제1 방향(DR1)을 따라 배열되는 제3 발광 영역들(LA3)(즉, 제2 발광 열) 사이에 배치될 수 있다.

제2 메쉬 라인들(ML2)은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있고, 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 제2 메쉬 라인들(ML2)은 제1 메쉬 라인들(ML1)과 일체의 형상을 가질 수 있다. 즉, 제2 메쉬 라인들(ML2)은 제1 메쉬 라인들(ML1)로부터 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 제2 메쉬 라인들(ML2)은 제1 방향(DR1)에서 마주하는 제1 발광 영역(LA1) 및 제2 발광 영역(LA2) 사이에 배치될 수 있다.

제3 메쉬 라인들(ML3)은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있고, 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 제3 메쉬 라인들(ML3)은 제1 메쉬 라인들(ML1)과 일체의 형상을 가질 수 있다. 제3 메쉬 라인들(ML3)은 제1 메쉬 라인들(ML1)로부터 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 제3 메쉬 라인들(ML3)은 인접하는 두 제3 발광 영역(LA3) 사이에 배치될 수 있다. 제1 방향(DR1)에서 제3 메쉬 라인들(ML3)은 제3 발광 영역(LA3)을 사이에 두고 배치될 수 있다.

제2 메쉬 라인(ML2) 및 제3 메쉬 라인(ML3)은 서로 선 폭이 상이한 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역(LA1) 및 제2 발광 영역(LA2) 사이에 배치된 제2 메쉬 라인(ML2)은 제1 선 폭(WL1)을 가질 수 있고, 제3 발광 영역들(LA3) 사이에 배치된 제3 메쉬 라인(ML3)은 제2 선 폭(WL2)을 가질 수 있다. 제2 선 폭(WL2)은 제1 선 폭(WL1)보다 클 수 있다. 이는 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)의 면적과 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 사이의 간격에 따라 달라질 수 있다. 실시예는 이에 한정되지 않고, 제1 선 폭(WL1)과 제2 선 폭(WL2)은 실질적으로 동일할 수도 있다.

제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)의 배치 및 형상은 메쉬 패턴(MP)에 정의되는 제1 내지 제3 개구부들(OP1, OP2, OP3)의 배치 및 평면적에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 개구부들(OP1, OP2, OP3)의 배치 및 평면적은 대응되는 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)의 배치 및 면적에 따라 다양하게 변경될 수 있다.

한편, 설명의 편의를 위해, 제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)을 구분하여 설명하였으나, 제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)은 서로 연결되어 일체의 형상을 갖는 것일 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)은 일체의 도전층 상에 제1 내지 제3 개구부들(OP1, OP2, OP3)을 패터닝하여 형성되는 것일 수 있다.

제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각은 제1 방향(DR1)에서 소정의 길이를 가질 수 있고, 제2 방향(DR2)에서 소정의 폭을 가질 수 있다. 제1 발광 영역(LA1)은 제1 방향(DR1)에서 제1 길이(L1)을 갖고, 제2 방향(DR2)에서 제1 폭(W1)을 가질 수 있다. 제2 발광 영역(LA2)은 제1 방향(DR1)에서 제2 길이(L2)를 갖고, 제2 방향(DR2)에서 제2 폭(W2)을 가질 수 있다. 제3 발광 영역(LA3)은 제1 방향(DR1)에서 제3 길이(L3)를 갖고, 제2 방향(DR2)에서 제3 폭(W3)을 가질 수 있다.

제1 방향(DR1)에서 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)의 길이들(L1, L2, L3)은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 길이(L1), 제2 길이(L2), 및 제3 길이(L3)의 순서대로 길이가 커질 수 있다.

제2 방향(DR2)에서 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)의 폭들(W1, W2, W3)은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제3 폭(W3), 제2 폭(W2), 및 제1 폭(W1)의 순서대로 폭이 커질 수 있다. 이에 한정되지 않고, 제1 폭(W1) 및 제2 폭(W2)은 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 내지 제3 길이들(L1, L2, L3) 사이의 크기 차이 대비 제1 내지 제3 폭들(W1, W2, W3) 사이의 크기 차이는 크지 않을 수 있다.

도 6 및 도 7을 함께 참조하면, 메쉬 패턴(MP)의 제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 중 적어도 일부에는 절단부(CT)가 정의될 수 있다. 절단부(CT)는 전술한 바와 같이, 제1 감지부(SP1) 및 제2 감지부(SP2) 사이에 정의되는 경계 절단부에 해당할 수 있다. 즉, 절단부(CT)를 기준으로 제1 감지부(SP1)에 포함된 메쉬 패턴(MP)과 제2 감지부(SP2)에 포함된 메쉬 패턴(MP)이 구분되는 것일 수 있다.

한편, 제1 감지부(SP1) 및 제2 감지부(SP2) 각각에 포함된 메쉬 패턴(MP)에는 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)의 일 측에 배치된 복수의 시인패턴(VP)을 포함한다. 복수의 시인패턴(VP) 각각은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 중 어느 하나로부터 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각에 인접하는 방향으로 돌출되거나, 멀어지는 방향으로 함몰된 형상을 가질 수 있다. 한편, 복수의 시인패턴(VP)의 배치 및 형상에 대해서는 후술한다.

도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 패턴 중 일부분의 평면도이다. 도 8a에서는 도 7에 도시된 C1 영역을 확대하여 도시하였다. 도 8a에서는 설명의 편의를 위해 메쉬 패턴(MP)에 중첩하는 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)을 함께 도시하였다.

도 7 및 도 8a를 함께 참조하면, 메쉬 패턴(MP)은 제1 메쉬 라인들(ML1), 제2 메쉬 라인들(ML2), 및 제3 메쉬 라인들(ML3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)에 관하여는 전술한 설명이 적용될 수 있다.

메쉬 패턴(MP)의 제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 중 적어도 일부에는 절단부(CT)가 정의될 수 있다.

절단부들(CT)은 개구부들(OP1, OP2, OP3) 중 인접한 개구부들과 일체의 형상을 가질 수 있다. 즉, 절단부들(CT)은 인접하는 개구부들과 연결되어 일체의 공간을 형성할 수 있다. 예를 들어, 절단부들(CT) 각각은 제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 중 적어도 일부에 정의되어, 인접하는 제1 내지 제3 개구부(OP1, OP2, OP3)와 일체의 형상을 가질 수 있다. 일 실시예의 메쉬 패턴(MP)에서, 제1 메쉬 라인(ML1)에는 제1 절단부(CT1)가 정의되고, 제2 메쉬 라인(ML2)에는 제2 절단부(CT2)가 정의되고, 제3 메쉬 라인(ML3)에는 제3 절단부(CT3)가 정의될 수 있다.

절단부들(CT) 각각은 소정의 폭을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제1 절단부(CT1)는 제1 폭(CT1-W)을 가지고, 제2 절단부(CT2)는 제2 폭(CT2-W)을 가지고, 제3 절단부(CT3)는 제3 폭(CT3-W)을 가지는 것일 수 있다. 한편, 제1 절단부(CT1)의 제1 폭(CT1-W), 제2 절단부(CT2)의 제2 폭(CT2-W), 및 제3 절단부(CT3)의 제3 폭(CT3-W) 각각은 2.5 마이크로미터 이상 7 마이크로미터 이하일 수 있다.

메쉬 패턴(MP)에는 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)의 일 측에 배치된 복수의 시인패턴(VP)을 포함한다. 복수의 시인패턴(VP) 각각은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 중 어느 하나로부터 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각에 인접하는 방향으로 돌출되거나, 멀어지는 방향으로 함몰된 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 8a에 도시된 바와 같이, 복수의 시인패턴(VP) 각각은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)로부터 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각에 인접하는 방향으로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 한편, 도 8a 등에서는 복수의 시인패턴(VP)이 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)과 구분되는 형상을 가지는 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 복수의 시인패턴(VP)은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)과 일체의 형상을 가지는 것일 수 있다. 복수의 시인패턴(VP)은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)과 동일 공정을 통해 일 층으로 형성된 후, 나머지 부분을 제거하여 형성된 것일 수 있다. 복수의 시인패턴(VP)은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.

복수의 시인패턴(VP)은 제1 메쉬 라인들(ML1)의 일 측에 배치되는 제1 시인패턴(VP1), 제2 메쉬 라인들(ML2)의 일 측에 배치되는 제2 시인패턴(VP2), 및 제3 메쉬 라인들(ML3)의 일 측에 배치되는 제3 시인패턴(VP3)을 포함할 수 있다. 제1 시인패턴(VP1), 제2 시인패턴(VP2) 및 제3 시인패턴(VP3) 각각은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)로부터 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각에 인접하는 방향으로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 제1 시인패턴(VP1)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 제1 메쉬라인(ML1)으로부터 제2 방향(DR2)으로 돌출된 형상을 가지고, 제2 시인패턴(VP2)은 제2 방향(DR2)으로 연장된 제2 메쉬 라인(ML2)으로부터 제1 방향(DR1)으로 돌출된 형상을 가지고, 제3 시인패턴(VP3)은 제2 방향(DR2)으로 연장된 제3 메쉬 라인(ML3)으로부터 제1 방향(DR1)으로 돌출된 형상을 가질 수 있다.

일 실시예의 메쉬 패턴(MP)에서, 복수의 시인패턴(VP) 중 적어도 하나는 전술한 절단부(CT)와 일 방향에서 중첩하도록 배치된다. 예를 들어, 도 8a에 도시된 바와 같이, 제1 메쉬 라인들(ML1)의 일 측에 배치되는 제1 시인패턴(VP1) 중 어느 하나는 제1 절단부(CT1)와 제2 방향(DR2)에서 중첩하고, 제2 메쉬 라인들(ML2)의 일 측에 배치되는 제2 시인패턴(VP2) 중 어느 하나는 제2 절단부(CT2)와 제1 방향(DR1)에서 중첩하고, 제3 메쉬 라인들(ML3)의 일 측에 배치되는 제3 시인패턴(VP3) 중 어느 하나는 제3 절단부(CT3)와 제1 방향(DR1)에서 중첩할 수 있다.

한편, 도 7 및 도 8a를 함께 참조하면, 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각을 둘러싸는 메쉬 라인들 각각에는 적어도 하나의 복수의 시인패턴(VP)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각을 둘러싸는 메쉬 라인들에 있어서, 시인패턴(VP)이 배치되지 않은 일 측에는 절단부(CT)가 정의되는 것일 수 있다. 예를 들어, 도 8a에 도시된 바와 같이, 제1 발광 영역(LA1)을 둘러싸는 제1 개구부(OP1)를 정의하는 메쉬 라인들에는 2개의 절단부가 정의되고 2개의 시인패턴이 배치될 수 있다. 제2 발광 영역(LA2)을 둘러싸는 제2 개구부(OP2)를 정의하는 메쉬 라인들에는 2개의 절단부가 정의되고 2개의 시인패턴이 배치될 수 있다. 제3 발광 영역(LA3)을 둘러싸는 제3 개구부(OP3)를 정의하는 메쉬 라인들에는 2개의 절단부가 정의되고 4개의 시인패턴이 배치될 수 있다. 한편, 제1 발광 영역(LA1)을 둘러싸는 제1 개구부(OP1)를 정의하는 메쉬 라인들에 배치된 시인패턴들은 "제1 그룹 시인패턴" 으로 지칭될 수 있다. 제2 발광 영역(LA2)을 둘러싸는 제2 개구부(OP2)를 정의하는 메쉬 라인들에 배치된 시인패턴들은 "제2 그룹 시인패턴" 으로 지칭될 수 있다. 제3 발광 영역(LA3)을 둘러싸는 제3 개구부(OP3)를 정의하는 메쉬 라인들에 배치된 시인패턴들은 "제3 그룹 시인패턴" 으로 지칭될 수 있다.

복수의 시인패턴(VP) 각각은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 각각으로부터 소정의 높이(h1)만큼 돌출된 것일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 시인패턴(VP1), 제2 시인패턴(VP2), 및 제3 시인패턴(VP3) 각각은 소정의 높이(h1)만큼 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)로부터 돌출된 것일 수 있으며, 돌출된 높이(h1)는 1 마이크로미터 이상 5 마이크로미터 이하일 수 있다. 예를 들어, 복수의 시인패턴(VP)이 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)으로부터 돌출된 높이(h1)는 1 마이크로미터 이상 2 마이크로미터 이하일 수 있다. 복수의 시인패턴(VP) 각각의 돌출 높이(h1)가 1 마이크로미터 미만일 경우, 후술할 시인성 개선 효과의 구현이 어려울 수 있다. 복수의 시인패턴(VP) 각각의 돌출 높이(h1)가 5 마이크로미터 초과일 경우, 시인패턴(VP)으로 인해 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)의 일부가 가려져 표시효율이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.

한편, 복수의 시인패턴(VP) 각각이 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 각각으로부터 돌출된 높이(h1)는 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)과 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 사이의 간격에 비해 작은 것일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 발광 영역(LA1)은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)과 제1 간격(d1)만큼 이격되고, 제2 발광 영역(LA2)은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)과 제2 간격(d2)만큼 이격되고, 제3 발광 영역(LA3)은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)과 제3 간격(d3)만큼 이격되고, 복수의 시인패턴(VP) 각각의 돌출 높이(h1)는 제1 간격(d1), 제2 간격(d2) 및 제3 간격(d3)에 비해 작은 것일 수 있다.

복수의 시인패턴(VP) 각각은 소정의 폭(h2)을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 시인패턴(VP) 각각의 폭(h2)은 2.5 마이크로미터 이상 7 마이크로미터 이하일 수 있다.

일 실시예의 입력 감지층에 포함된 복수의 감지부는 메쉬 패턴을 포함하며, 메쉬 패턴에는 메쉬 라인들의 일 측에 배치되는 복수의 시인패턴이 포함된다. 한편, 복수의 시인패턴은 메쉬 라인들이 둘러싸고 있는 복수의 발광영역들 각각에 인접하도록 배치되며, 복수의 시인패턴 중 적어도 어느 하나는 메쉬 라인들에 정의된 절단부와 일 방향에서 중첩하도록 배치될 수 있다. 일 실시예의 메쉬 패턴은 복수의 시인패턴을 포함함에 따라, 절단부가 형성된 부분이 특이적으로 외부에서 시인되는 불량을 방지할 수 있어, 메쉬 패턴을 포함하는 입력 감지층 및 표시장치의 시인성이 개선될 수 있다.

구체적으로 살펴보면, 입력 감지층에 포함된 복수의 감지부에서는 연장 방향이 상이한 제1 감지부 및 제2 감지부의 경계 구분을 위한 경계 절단부 등이 정의되나, 절단부가 형성된 부분은 메쉬 패턴이 생략되어, 절단부가 정의되지 않은 부분에 의해 반사율이 낮아지고, 이에 따라 외부에서 절단부가 형성된 부분이 특이적으로 시인될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 감지층에서는 절단부와 일 방향에서 중첩하도록 배치되는 복수의 시인패턴이 포함됨에 따라, 절단부가 형성된 부분과 복수의 시인패턴이 배치된 부분이 유사한 미-반사 특성을 가져, 절단부가 형성된 부분이 특이적으로 외부에서 시인되는 불량을 방지할 수 있다. 따라서, 메쉬 패턴을 포함하는 입력 감지층 및 표시장치의 시인성이 개선될 수 있다.

한편, 입력 감지층 및 표시장치의 시인성 개선을 위해 경계 절단부에 대응하는 부분들에 시인성 개선용 절단부를 다수 형성할 경우, 메쉬 패턴에 정의된 다수의 절단부에 의해 메탈 메쉬 패턴의 저항이 과도하게 증가할 수 있다. 일 실시예의 입력 감지층에서는 경계 절단부에 대응하여 시인성 개선용 절단부를 형성하는 대신 메쉬 라인들의 일 측에 배치되는 복수의 시인패턴을 형성하여, 메탈 메쉬 패턴의 저항이 과도하게 증가하는 것을 방지할 수 있어, 저항 증가에 의한 터치 센싱 성능 저하가 방지될 수 있다.

도 8b 내지 도 8f 각각은 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 패턴 중 일부분의 평면도들이다. 도 8b 내지 도 8f 각각에서는 도 8a에 도시된 일 실시예의 메쉬 패턴과 상이한 실시예의 메쉬 패턴의 평면도를 도시하였다.

도 8a 및 도 8b를 함께 참조하면, 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)의 일 측에 배치된 복수의 시인패턴(VP) 각각은 대응하는 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)에서 복수로 제공될 수 있다. 예를 들어, 도 8b에 도시된 바와 같이, 제1 메쉬 라인(ML1)에 배치된 제1 시인패턴(VP1)은 대응하는 제1 메쉬 라인(ML1)에서 제1 방향(DR1)을 따라 나란히 배치되는 제1-1 시인패턴(VP1-1), 제1-2 시인패턴(VP1-2) 및 제1-3 시인패턴(VP1-3)을 포함할 수 있다. 제1-1 시인패턴(VP1-1), 제1-2 시인패턴(VP1-2) 및 제1-3 시인패턴(VP1-3) 각각은 동일한 제1 메쉬 라인(ML1)으로부터 돌출된 것일 수 있다. 제2 메쉬 라인(ML2)에 배치된 제2 시인패턴(VP2)은 대응하는 제2 메쉬 라인(ML2)에서 제2 방향(DR2)을 따라 나란히 배치되는 제2-1 시인패턴(VP2-1), 제2-2 시인패턴(VP2-2) 및 제2-3 시인패턴(VP2-3)을 포함할 수 있다. 제2-1 시인패턴(VP2-1), 제2-2 시인패턴(VP2-2) 및 제2-3 시인패턴(VP2-3) 각각은 동일한 제2 메쉬 라인(ML2)으로부터 돌출된 것일 수 있다. 제3 메쉬 라인(ML3)에 배치된 제3 시인패턴(VP3)은 대응하는 제3 메쉬 라인(ML3)에서 제2 방향(DR2)을 따라 나란히 배치되는 제3-1 시인패턴(VP3-1), 제3-2 시인패턴(VP3-2) 및 제3-3 시인패턴(VP3-3)을 포함할 수 있다. 제3-1 시인패턴(VP3-1), 제3-2 시인패턴(VP3-2) 및 제3-3 시인패턴(VP3-3) 각각은 동일한 제3 메쉬 라인(ML3)으로부터 돌출된 것일 수 있다.

도 8a 내지 도 8c를 함께 참조하면, 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)의 일 측에 배치된 복수의 시인패턴(VP) 각각은 적어도 일부가 라운드 형상을 가지는 것일 수 있다.

예를 들어, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 복수의 시인패턴(VP) 각각은 평면상에서 반원형 형상을 가지는 것일 수 있다. 또는, 복수의 시인패턴(VP) 각각은 평면상에서 반타원형 형상을 가지는 것일 수 있다.

또는, 도 8c에 도시된 바와 같이, 복수의 시인패턴(VP) 각각은 평면상에서 모서리가 라운드된 직사각형 형상을 가질 수 있다. 복수의 시인패턴(VP) 각각이 적어도 일부의 면이 라운드 형상을 가지도록 설계됨에 따라, 복수의 시인패턴에 의해 입력 감지층 및 표시장치의 시인성이 개선되는 효과가 구현될 수 있다.

한편, 복수의 시인패턴(VP) 각각을 형성하는 공정에서, 복수의 시인패턴(VP) 각각은 직사각형 형태로 설계되나, 식각 공정에서 일부 면이 라운드된 형상을 가지도록 형성되는 것일 수 있다.

도 8a 및 도 8d를 함께 참조하면, 복수의 시인패턴(VP) 각각은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 중 어느 하나로부터 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각에 인접하는 방향으로 돌출되거나, 멀어지는 방향으로 함몰된 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 8a에 도시된 바와 같이, 복수의 시인패턴(VP) 각각은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)로부터 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각에 인접하는 방향으로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 또는, 도 8d에 도시된 바와 같이, 복수의 시인패턴(VP) 각각은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)로부터 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각으로부터 멀어지는 방향으로 함몰된 것일 수 있다. 한편, 복수의 시인패턴(VP) 각각이 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각으로부터 멀어지는 방향으로 함몰된 형상을 가질 경우, 함몰된 깊이는 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)의 두께에 비해 작은 것일 수 있다. 예를 들어, 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)의 최소 폭은 3 마이크로미터이고, 복수의 시인패턴(VP) 각각이 함몰된 깊이는 3 마이크로미터 미만일 수 있다.

도 8e를 참조하면, 복수의 시인패턴(VP)은 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각에 인접하는 방향으로 돌출되는 패턴과 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각에 멀어지는 방향으로 함몰된 패턴을 모두 포함할 수 있다. 도 8e에 도시된 바와 같이, 복수의 시인패턴(VP)은 각각은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 중 어느 하나로부터 돌출된 돌출 시인패턴(VP-P)과, 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 중 어느 하나로부터 함몰된 함몰 시인패턴(VP-V)을 모두 포함할 수 있다. 한편, 도 8e에 도시된 바와 같이, 돌출 시인패턴(VP-P)과 함몰 시인패턴(VP-V)은 하나의 메쉬 라인, 예를 들어, 제1 메쉬 라인(ML1)을 사이에 두고 서로 대응하도록 배치되는 것일 수 있다.

도 8a, 도 8c 및 도 8f를 함께 참조하면, 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)의 일 측에 배치된 복수의 시인패턴(VP) 각각은 적어도 일부가 라운드 형상을 가지며, 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)로부터 멀어질수록 폭이 작아지는 형상을 가질 수 있다.

도 8f에 도시된 바와 같이, 복수의 시인패턴(VP) 각각은 제1 시인면(VP-S1) 및 제2 시인면(VP-S2)을 포함할 수 있다. 제1 시인면(VP-S1)은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)로부터 연장된 면이고, 제2 시인면(VP-S2)은 제1 시인면(VP-S1)으로부터 연장된 면일 수 있다.

제1 시인면(VP-S1)은 상부로 갈수록 시인패턴(VP) 각각의 폭이 감소하도록 경사진 면을 포함할 수 있다. 제2 시인면(VP-S2)은 제1 시인면(VP-S1)으로부터 연장되며, 시인패턴(VP)의 최상부면에 해당할 수 있다. 제2 시인면(VP-S2)은 말단이 뭉툭한 형상을 가지는 것일 수 있다.

제1 시인면(VP-S1)은 제1 기울기를 가지는 것일 수 있다. 제1 시인면(VP-S1)의 제1 기울기는 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)로부터 멀어짐에 따라 변경되는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 시인면(VP-S1)은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)로부터 멀어짐에 따라 제1 기울기가 증가하는 형상을 가질 수 있다. 제2 시인면(VP-S2)의 일부는 제1 기울기와 상이한 제2 기울기를 가지는 것일 수 있다. 제2 시인면(VP-S2)의 제2 기울기는 제1 시인면(VP-S1)의 제1 기울기보다 작은 것일 수 있다. 제2 시인면(VP-S2)의 제2 기울기가 제1 시인면(VP-S1)의 제1 기울기보다 작음에 따라, 제2 시인면(VP-S2)의 끝단이 뭉툭한 형상을 가지는 것일 수 있다.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 패턴 중 일부분의 평면도이다. 도 9에서는 도 6에 도시된 D1 영역을 확대하여 도시하였다. 도 9에서는 설명의 편의를 위해 메쉬 패턴(MP)에 중첩하는 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)을 함께 도시하였다.

도 6, 도 7 및 도 9를 함께 참조하면, 메쉬 패턴(MP)은 경계 절단부(CT)가 정의된 도 7의 B1 영역 외에도, 경계 절단부(CT)와 대응하지 않는 감지부의 일 부분인 D1 영역에서도 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)의 일 측에 배치된 복수의 시인패턴(VP)을 포함할 수 있다. 복수의 시인패턴(VP) 각각은 전술한 바와 같이, 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 중 어느 하나로부터 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각에 인접하는 방향으로 돌출되거나, 멀어지는 방향으로 함몰된 형상을 가질 수 있다. 도 9에 도시된 메쉬 패턴(MP) 부분은 경계 절단부(CT)와 대응하지 않는 부분에 해당하며, 복수의 시인패턴(VP)은 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각을 둘러싸는 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 모두에 배치되는 것일 수 있다.

도 10a 및 도 10b 각각은 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 패턴 중 일부분의 평면도이다. 도 10a 및 도 10b 각각에서는 도 9에 도시된 E1 영역을 확대하여 도시하였다.

도 9 및 도 10a를 함께 참조하면, 메쉬 패턴(MP)은 제1 메쉬 라인들(ML1), 제2 메쉬 라인들(ML2), 및 제3 메쉬 라인들(ML3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)에 관하여는 전술한 설명이 적용될 수 있다.

메쉬 패턴(MP)에는 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3)의 일 측에 배치된 복수의 시인패턴(VP)을 포함한다. 복수의 시인패턴(VP) 각각은 메쉬 라인들(ML1, ML2, ML3) 중 어느 하나로부터 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각에 인접하는 방향으로 돌출되거나, 멀어지는 방향으로 함몰된 형상을 가질 수 있다.

한편, 도 9 및 도 10a를 함께 참조하면, 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각을 둘러싸는 메쉬 라인들 각각에는 적어도 하나의 복수의 시인패턴(VP)이 배치될 수 있다. 도 9 및 도 10a에 도시된 일 영역에서는 별도의 절단부가 정의되지 않으며, 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각을 둘러싸는 메쉬 라인들에 있어서, 메쉬 라인들의 4개 모서리 부분 각각에 모두 시인패턴(VP)이 배치되는 것일 수 있다. 예를 들어, 도 10a에 도시된 바와 같이, 제1 발광 영역(LA1)을 둘러싸는 제1 개구부(OP1)를 정의하는 메쉬 라인들에는 각 모서리당 1개씩 총 4개의 시인패턴이 배치될 수 있다. 제2 발광 영역(LA2)을 둘러싸는 제2 개구부(OP2)를 정의하는 메쉬 라인들에는 각 모서리당 1개씩 총 4개의 시인패턴이 배치될 수 있다. 제3 발광 영역(LA3)을 둘러싸는 제3 개구부(OP3)를 정의하는 메쉬 라인들에는 2개의 모서리에는 1개씩, 나머지 2개의 모서리에는 2개씩 총 6개의 시인패턴이 배치될 수 있다. 한편, 제1 발광 영역(LA1)을 둘러싸는 제1 개구부(OP1)를 정의하는 메쉬 라인들에 배치된 시인패턴들은 "제1 그룹 시인패턴" 으로 지칭될 수 있다. 제2 발광 영역(LA2)을 둘러싸는 제2 개구부(OP2)를 정의하는 메쉬 라인들에 배치된 시인패턴들은 "제2 그룹 시인패턴" 으로 지칭될 수 있다. 제3 발광 영역(LA3)을 둘러싸는 제3 개구부(OP3)를 정의하는 메쉬 라인들에 배치된 시인패턴들은 "제3 그룹 시인패턴" 으로 지칭될 수 있다.

한편, 도 6, 도 7, 도 9 및 도 10b를 함께 참조하면, 일 실시예의 메쉬 패턴(MP)에서는 전술한 제1 감지부(SP1) 및 제2 감지부(SP2) 사이에 정의되는 경계 절단부(CT) 외에, 추가 절단부(CT-A)를 더 포함하는 것일 수 있다. 추가 절단부(CT-A)는 제1 감지부(SP1) 및 제2 감지부(SP2)의 경계에 정의되는 것이 아니라, 감지부(SP1, SP2)의 내부에 정의되는 것일 수 있다. 예를 들어, 추가 절단부(CT-A)는 도 9에 도시된 D1 영역, 즉, 제2 감지부(SP2)의 내부 영역에 정의되는 것일 수 있다. 도 9 및 도 10b에 도시된 바와 달리, 추가 절단부(CT-A)는 제1 감지부(SP1)의 내부 영역에 정의되는 것일 수도 있다.

추가 절단부(CT-A)는 전술한 경계 절단부(CT)와 동일한 형상을 가지는 것일 수 있다. 일 실시예의 메쉬 패턴(MP)에서, 복수의 시인패턴(VP) 중 적어도 하나는 추가 절단부(CT-A)와 일 방향에서 중첩하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 10b에 도시된 바와 같이, 제1 메쉬 라인들(ML1)의 일 측에 배치되는 제1 시인패턴(VP1) 중 어느 하나는 제1 추가 절단부(CT1-A)와 제2 방향(DR2)에서 중첩하고, 제2 메쉬 라인들(ML2)의 일 측에 배치되는 제2 시인패턴(VP2) 중 어느 하나는 제2 추가 절단부(CT2-A)와 제1 방향(DR1)에서 중첩하고, 제3 메쉬 라인들(ML3)의 일 측에 배치되는 제3 시인패턴(VP3) 중 어느 하나는 제3 추가 절단부(CT3-A)와 제1 방향(DR1)에서 중첩할 수 있다. 한편, 제1 추가 절단부(CT1-A), 제2 추가 절단부(CT2-A) 및 제3 추가 절단부(CT3-A) 중 어느 하나는 생략되는 것일 수 있다.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 패턴 중 일부분의 평면도이다. 도 11에서는 도 7 내지 도 10b에 도시된 실시예와 상이한 화소 배열을 가지는 표시 패널에 대응하여 배치되는 메쉬 패턴(MP') 및 이에 형성된 시인패턴(VP)의 형상을 도시하였다.

도 11을 참조하면, 표시 패널(DP, 도 4 참조)은 발광 영역들(LA1', LA2', LA3')을 포함할 수 있으며, 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1', LA2', LA3') 각각은 복수로 제공되어 평면 상에서 소정의 배열로 배치될 수 있다. 제1 발광 영역(LA1'), 제2 발광 영역(LA2'), 및 제3 발광 영역(LA3')은 하나의 화소 유닛으로 정의될 수 있다. 제1 발광 영역(LA1'), 제2 발광 영역(LA2'), 및 제3 발광 영역(LA3')을 포함하는 화소 유닛은 복수로 제공되어 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다.

제1 발광 영역들(LA1'), 제2 발광 영역들(LA2'), 및 제3 발광 영역들(LA3')은 평면 상에서 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에서 제1 발광 영역들(LA1')과 제3 발광 영역들(LA3')은 서로 교번하게 배열될 수 있다. 제2 발광 영역들(LA2')은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각을 따라 배열될 수 있다. 제1 발광 영역(LA1') 및 제3 발광 영역(LA3') 각각과, 제2 발광 영역(LA2')은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 사이 방향인 제1 사선방향(DR4), 또는 제1 사선방향(DR4)과 교차하는 제2 사선방향(DR5)을 따라 이격되어 배치될 수 있다.

제1 방향(DR1)을 따라 배열된 제1 발광 영역들(LA1') 및 제3 발광 영역들(LA3')은 "제1 발광 열"로 정의될 수 있고, 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 제2발광 영역들(LA2')은 "제2 발광 열"로 정의될 수 있다. 제1 발광 열과 제2 발광 열 각각은 복수로 제공되어, 제2 방향(DR2)을 따라 교번하게 배열될 수 있다.

메쉬 패턴(MP')은 제1 사선 방향(DR4)을 따라 연장되는 제1 메쉬 라인(ML1)과, 제2 사선 방향(DR5)을 따라 연장되는 제2 메쉬 라인(ML2)을 포함할 수 있다. 제1 메쉬 라인(ML1) 및 제2 메쉬 라인(ML2) 각각은 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)에 비중첩할 수 있다. 제1 메쉬 라인(ML1) 및 제2 메쉬 라인(ML2) 각각은 비발광 영역(NLA, 도 4 참조)에 중첩하여 배치될 수 있다.

메쉬 패턴(MP')은 제1 메쉬 라인(ML1) 및 제2 메쉬 라인(ML2) 중 적어도 하나에 정의되는 절단부(CT)와, 제1 메쉬 라인(ML1) 및 제2 메쉬 라인(ML2)의 일측에 배치되는 복수의 시인패턴(VP)을 포함할 수 있다. 복수의 시인패턴(VP)은 제1 메쉬 라인(ML1)의 일 측에 배치되는 제1 시인패턴(VP1)과, 제2 메쉬 라인(ML2)의 일 측에 배치되는 제2 시인패턴(VP2)을 포함할 수 있다. 한편, 절단부(CT) 및 복수의 시인패턴(VP)에 대해서는 도 7 내지 도 10b에 대한 설명에서 설명한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

DD: 표시 장치 DM: 표시 모듈
DP: 표시 패널 ISP: 입력 감지층
SP1, SP2: 감지부 ML1, ML2, ML3: 메쉬 라인
LA: 발광 영역 CT: 절단부
VP: 시인패턴

Claims

복수의 발광영역을 포함하는 표시 패널; 및
상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 감지부를 포함하는 입력 감지층을 포함하고,
상기 복수의 감지부는
상기 복수의 발광영역 각각에 중첩하는 복수의 개구부가 정의되는 복수의 메쉬 라인들; 및
상기 복수의 메쉬 라인들로부터 상기 복수의 발광영역 중 하나에 인접하는 방향으로 돌출되거나 멀어지는 방향으로 함몰된 복수의 시인패턴; 을 포함하고,
상기 복수의 메쉬라인들에 상기 복수의 개구부 중 인접하는 두 개구부를 연결하는 절단부가 정의되고,
상기 복수의 시인패턴 중 적어도 어느 하나는 상기 절단부와 일 방향에서 중첩하는 표시장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 시인패턴 각각은 상기 복수의 발광영역 각각에 인접하는 방향으로 돌출된 형상을 가지는 표시장치.
제2항에 있어서,
상기 복수의 시인패턴 각각이 상기 복수의 메쉬 라인들로부터 돌출된 높이는 1 마이크로미터 이상 5 마이크로미터 이하인 표시장치.
제2항에 있어서,
상기 복수의 시인패턴 각각은 반원형 또는 반타원형 형상을 가지는 표시장치.
제2항에 있어서,
상기 복수의 시인패턴 각각은 모서리가 라운드된 직사각형 형상을 가지는 표시장치.
제2항에 있어서,
상기 복수의 시인패턴 각각이 상기 복수의 메쉬 라인들로부터 돌출된 높이는
상기 복수의 메쉬 라인들 각각으로부터 상기 복수의 발광영역 각각으로의 거리보다 작은 표시장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 시인패턴 각각은 상기 복수의 발광영역 각각으로부터 멀어지는 방향으로 함몰된 형상을 가지는 표시장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 시인패턴은
상기 복수의 발광영역 각각에 인접하는 방향으로 돌출된 형상을 가지는 복수의 돌출 시인패턴, 및
상기 복수의 발광영역 각각으로부터 멀어지는 방향으로 함몰된 형상을 가지는 복수의 함몰 시인패턴을 포함하는 표시장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 메쉬 라인들은
상기 복수의 발광영역 중 일 발광영역을 둘러싸는 제1 메쉬라인 및 제2 메쉬라인을 포함하고,
상기 제1 메쉬라인은 제1 방향으로 연장되고,
상기 제2 메쉬라인은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 표시장치.
제9항에 있어서,
상기 복수의 시인패턴은
상기 제1 메쉬라인으로부터 상기 제2 방향으로 돌출되거나 함몰된 제1 시인패턴, 및
상기 제2 메쉬라인으로부터 상기 제1 방향으로 돌출되거나 함몰된 제2 시인패턴을 포함하는 표시장치.
제10항에 있어서,
상기 제1 시인패턴은
상기 제1 메쉬라인으로부터 돌출된 제1-1 시인패턴, 및
상기 제1 메쉬라인으로부터 돌출되고, 상기 제1-1 시인패턴과 상기 제1 방향에서 나란히 배치되는 제1-2 시인패턴을 포함하고,
상기 제2 시인패턴은
상기 제2 메쉬라인으로부터 돌출된 제2-1 시인패턴, 및
상기 제2 메쉬라인으로부터 돌출되고, 상기 제2-1 시인패턴과 상기 제2 방향에서 나란히 배치되는 제2-2 시인패턴을 포함하는 표시장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 시인패턴 각각은
상기 복수의 메쉬라인들 각각의 일 측으로부터 연장되고, 제1 기울기를 가지는 제1 시인면; 및
상기 제1 시인면으로부터 연장되고, 상기 제1 기울기와 상이한 제2 기울기를 가지는 제2 시인면; 을 포함하는 표시장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 발광영역은
제1 색광을 발광하는 제1 발광 영역,
상기 제1 색광과 상이한 제2 색광을 발광하는 제2 발광 영역, 및
상기 제1 색광 및 상기 제2 색광과 상이한 제3 색광을 발광하는 제3 발광 영역을 포함하고,
상기 제3 색광의 파장 범위는 상기 제1 색광의 파장 범위 및 상기 제2 색광의 파장 범위보다 작은 표시장치.
제13항에 있어서,
상기 제1 발광 영역과 상기 제2 발광 영역은 제1 방향을 따라 서로 교번하여 배열되고,
상기 제3 발광 영역은 상기 제1 발광 영역 및 상기 제2 발광 영역으로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 이격되어 배열되고,
상기 복수의 메쉬 라인들 각각은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향 중 어느 하나의 방향을 따라 연장되는 표시장치.
제13항에 있어서,
상기 제1 발광 영역과 상기 제3 발광 영역은 제1 방향을 따라 서로 교번하여 배열되고,
상기 제3 발광 영역은 상기 제1 발광 영역 및 상기 제2 발광 영역으로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 이격되어 배열되고,
상기 복수의 메쉬 라인들 중 적어도 일부는 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향의 사이 방향인 사선 방향을 따라 연장되는 표시장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 감지부는
제1 방향으로 연장된 제1 감지부들; 및
상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 감지부들; 을 포함하고,
상기 절단부는
상기 제1 감지부들 중 하나의 제1 감지부와, 상기 제2 감지부들 중 하나의 제2 감지부 사이에 정의되는 경계 절단부를 포함하는 표시장치.
제16항에 있어서,
상기 절단부는
상기 제1 감지부들 및 상기 제2 감지부들 중 적어도 하나의 내부에 정의되는 추가 절단부를 더 포함하는 표시장치.
제1항에 있어서,
상기 입력 감지층은
상기 표시 패널 상에 배치되는 제1 감지 절연층;
상기 제1 감지 절연층 상에 배치되는 제2 감지 절연층; 및
상기 제1 감지 절연층 및 상기 제2 감지 절연층 중 적어도 하나의 상부에 배치되는 감지 도전층을 포함하고,
상기 감지 도전층은 상기 복수의 감지부를 포함하는 표시장치.
복수의 발광영역을 포함하는 표시 패널; 및
상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 감지부를 포함하는 입력 감지층을 포함하고,
상기 복수의 감지부는
상기 복수의 발광영역 각각에 중첩하는 복수의 개구부가 정의되는 복수의 메쉬 라인들; 및
상기 복수의 메쉬 라인들 각각의 일 측에 배치된 복수의 시인패턴; 을 포함하고,
상기 복수의 메쉬 라인들은
상기 복수의 발광영역 중 일 발광영역을 둘러싸는 제1 메쉬라인 및 제2 메쉬라인을 포함하고,
상기 제1 메쉬라인은 제1 방향으로 연장되고,
상기 제2 메쉬라인은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고,
상기 복수의 시인패턴은
상기 제1 메쉬라인으로부터 상기 제2 방향으로 돌출되거나 함몰된 제1 시인패턴, 및
상기 제2 메쉬라인으로부터 상기 제1 방향으로 돌출되거나 함몰된 제2 시인패턴을 포함하는 표시장치.
제1 발광 영역, 제2 발광 영역 및 제3 발광 영역을 포함하는 표시 패널; 및
상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 감지부를 포함하는 입력 감지층을 포함하고,
상기 복수의 감지부는
상기 제1 발광 영역, 상기 제2 발광 영역 및 상기 제3 발광 영역 각각에 중첩하는 제1 개구부, 제2 개구부 및 제3 개구부가 정의되는 복수의 메쉬 라인들; 및
상기 복수의 메쉬 라인들 각각의 일 측에 배치되고, 적어도 일부가 라운드 형상을 가지는 복수의 시인패턴; 을 포함하고,
상기 복수의 시인패턴은
상기 복수의 메쉬 라인들 중 상기 제1 발광 영역을 둘러싸는 메쉬 라인들에 배치된 제1 그룹 시인패턴;
상기 복수의 메쉬 라인들 중 상기 제2 발광 영역을 둘러싸는 메쉬 라인들에 배치된 제2 그룹 시인패턴; 및
상기 복수의 메쉬 라인들 중 상기 제3 발광 영역을 둘러싸는 메쉬 라인들에 배치된 제3 그룹 시인패턴; 을 포함하는 표시장치.