KR20240100564A

KR20240100564A - Apparatus and Method for treating substrate

Info

Publication number: KR20240100564A
Application number: KR1020220181949A
Authority: KR
Inventors: 이은정; 최중봉; 전인류; 장규환; 이무현; 이영일
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2022-12-22
Filing date: 2022-12-22
Publication date: 2024-07-02

Abstract

본 발명은, 내부에 처리 공간을 제공하는 컵;과 상기 처리 공간에 기판을 지지하고 기판을 회전시키는 지지 유닛;과 상기 기판에 처리액을 공급하는 노즐; 그리고 상기 노즐로 상기 처리액을 공급하는 액 공급 유닛;을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은, 상기 처리액을 저장하는 탱크;를 포함하고, 상기 탱크는, 내부에 상기 처리액이 저장되는 공간을 가지는 하우징;과 상기 하우징에 실리콘을 공급하는 실리콘 공급 유닛;을 포함하고, 상기 실리콘 공급 유닛은, 상기 하우징에 상기 실리콘을 공급하는 실리콘 공급 라인;과, 상기 실리콘 공급 라인에 잔류하는 상기 실리콘을 제거하는 세정 유체를 공급하는 세정 유체 공급 유닛;을 포함하는 기판 처리 장치.를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 실리콘 공급 라인 내에 잔류하는 실리콘을 효율적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.The present invention includes: a cup providing a processing space therein; a support unit supporting a substrate in the processing space and rotating the substrate; and a nozzle supplying a processing liquid to the substrate; and a liquid supply unit that supplies the processing liquid to the nozzle, wherein the liquid supply unit includes a tank that stores the processing liquid, and the tank has a space inside where the processing liquid is stored. The branch includes a housing; and a silicon supply unit for supplying silicon to the housing, wherein the silicon supply unit includes a silicon supply line for supplying the silicon to the housing; and removing the silicon remaining in the silicon supply line. The purpose is to provide a substrate processing device including a cleaning fluid supply unit that supplies a cleaning fluid.
According to the present invention as described above, there is an effect of efficiently removing silicon remaining in the silicon supply line.

Description

Substrate processing apparatus and method {Apparatus and Method for treating substrate}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus including a liquid supply unit for supplying a processing liquid to a substrate.

반도체 공정은 기판 상에 박막, 이물질, 파티클 등을 세정하는 공정을 포함한다. 이들 공정은 패턴 면이 위 또는 아래를 향하도록 기판을 스핀 헤드 상에 놓고, 스핀 헤드를 회전시킨 상태에서 기판 상에 처리액을 공급하고, 이후 웨이퍼를 건조함으로써 이루어진다.The semiconductor process includes a process of cleaning thin films, foreign substances, particles, etc. on a substrate. These processes are performed by placing the substrate on a spin head with the pattern side facing up or down, supplying a processing liquid onto the substrate while rotating the spin head, and then drying the wafer.

최근에는 처리액으로 인산 수용액과 같은 고온의 액이 사용된다. 예컨대, 인산 수용액은 인산과 물을 포함한다. 액 공급 유닛은 공급 탱크, 액 공급 라인, 그리고 노즐을 가진다. 공급 탱크는 인산 수용액의 온도 및 인산의 농도가 공정 조건에 맞도록 조절된다. 예컨대, 기판에 공급되는 인산 수용액의 온도는 약 150℃ 내지 180℃이고, 인산 수용액에서 인산의 농도는 약 85% 내지 95% 일 수 있다. 농도 및 온도가 조절된 인산 수용액은 액 공급 라인을 통해서 공급 탱크로부터 노즐로 공급된다.Recently, high temperature liquids such as phosphoric acid aqueous solution are used as treatment liquids. For example, an aqueous phosphoric acid solution contains phosphoric acid and water. The liquid supply unit has a supply tank, a liquid supply line, and a nozzle. The supply tank is adjusted so that the temperature and concentration of phosphoric acid aqueous solution suit the process conditions. For example, the temperature of the aqueous phosphoric acid solution supplied to the substrate may be about 150°C to 180°C, and the concentration of phosphoric acid in the aqueous phosphoric acid solution may be about 85% to 95%. The phosphoric acid aqueous solution whose concentration and temperature are controlled is supplied from the supply tank to the nozzle through the liquid supply line.

도 1은 공급 탱크의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 공급 탱크(900)는 하우징(910) 및 순환 라인(940)을 가진다. 또한, 하우징(910)에는 외부로부터 하우징(910)으로 인산이 공급되는 인산 공급 라인(920), 물이 공급되는 물 공급 라인(930), 하우징(910) 내 폐액을 배출하는 폐액 배출 라인(950), 기판으로 액을 공급하는 액 공급 라인(980), 그리고 하우징(910) 내에서 증발한 수증기를 배기하는 벤트 라인(970)이 연결된다.1 is a diagram schematically showing an example of a supply tank. Referring to Figure 1, supply tank 900 has a housing 910 and a circulation line 940. In addition, the housing 910 includes a phosphoric acid supply line 920 that supplies phosphoric acid to the housing 910 from the outside, a water supply line 930 that supplies water, and a waste liquid discharge line 950 that discharges the waste liquid in the housing 910. ), a liquid supply line 980 that supplies liquid to the substrate, and a vent line 970 that exhausts water vapor evaporated within the housing 910 are connected.

순환 라인(940)에는 펌프(942) 및 히터(944)가 설치된다. 하우징(910) 내의 인산 수용액은 순환 라인(940)을 따라 유동하면서 히터(944)에 의해 가열된다. 인산 수용액의 온도는 히터(944)의 가열에 의해 설정 온도로 조절된다. 또한, 인산 수용액에서 인산의 농도는 히터(944)의 가열에 의해 물이 증발됨으로써 조절된다.A pump 942 and a heater 944 are installed in the circulation line 940. The phosphoric acid aqueous solution in the housing 910 flows along the circulation line 940 and is heated by the heater 944. The temperature of the phosphoric acid aqueous solution is adjusted to the set temperature by heating the heater 944. Additionally, the concentration of phosphoric acid in the phosphoric acid aqueous solution is adjusted by evaporating water by heating by the heater 944.

하우징(910)에는 실리콘 산화막과 실리콘 질화막이 노출된 기판에 실리콘 질화막을 선택적으로 에칭 하기 위해 인산 수용액에 실리콘을 함유하도록 실리콘 공급 라인(960)이 연결될 수 있다. 일반적으로 인산 수용액에 함유되는 실리콘의 량은 매우 낮다.A silicon supply line 960 may be connected to the housing 910 to contain silicon in an aqueous phosphoric acid solution in order to selectively etch the silicon nitride film on the substrate where the silicon oxide film and silicon nitride film are exposed. Generally, the amount of silicon contained in an aqueous phosphoric acid solution is very low.

그러나, 실리콘 공급 라인(950)은 하우징(910)에 실리콘이 공급된 후 실리콘 공급 라인(950)내에 실리콘이 잔존하게 되어 고체 상태로 석출되어 관이 막히거나 인산 수용액에 추가 희석되는 문제가 발생한다.However, in the silicon supply line 950, after silicon is supplied to the housing 910, silicon remains in the silicon supply line 950 and precipitates in a solid state, causing problems such as clogging the pipe or being further diluted with an aqueous phosphoric acid solution. .

본 발명은 실리콘 공급 라인 내에 잔류하는 실리콘을 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.One object of the present invention is to provide a substrate processing device and method capable of removing silicon remaining in a silicon supply line.

또한, 실리콘 공급 라인에 실리콘이 석출되는 것을 방지하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object is to provide a substrate processing device and method that prevents silicon from precipitating in a silicon supply line.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited here, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 제공하는 컵과 상기 처리 공간에 기판을 지지하고 기판을 회전시키는 지지 유닛과 상기 기판에 처리액을 공급하는 노즐 그리고 상기 노즐로 상기 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은, 상기 처리액을 저장하는 탱크를 포함하고, 상기 탱크는, 내부에 상기 처리액이 저장되는 공간을 가지는 하우징과 상기 하우징에 실리콘을 공급하는 실리콘 공급 유닛을 포함하고, 상기 실리콘 공급 유닛은, 상기 하우징에 상기 실리콘을 공급하는 실리콘 공급 라인과, 상기 실리콘 공급 라인에 잔류하는 상기 실리콘을 제거하는 세정 유체를 공급하는 세정 유체 공급 유닛을 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a cup providing a processing space therein, a support unit supporting the substrate in the processing space and rotating the substrate, a nozzle supplying a processing liquid to the substrate, and the nozzle. It includes a liquid supply unit that supplies a processing liquid, wherein the liquid supply unit includes a tank that stores the processing liquid, and the tank includes a housing having a space therein for storing the processing liquid, and a silicone layer in the housing. It includes a silicon supply unit supplying a silicon supply line, the silicon supply unit supplying the silicon to the housing, and a cleaning fluid supply unit supplying a cleaning fluid for removing the silicon remaining in the silicon supply line. may include.

일 실시 예에 의하면, 상기 세정 유체 공급 유닛은, 상기 실리콘 공급 유닛에 세정액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the cleaning fluid supply unit may include a liquid supply unit that supplies cleaning fluid to the silicon supply unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 세정 유체 공급 유닛은, 상기 실리콘 공급 유닛에 기체를 공급하는 제1 기체 공급 유닛을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the cleaning fluid supply unit may further include a first gas supply unit supplying gas to the silicon supply unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 세정 유체 공급 유닛은, 상기 실리콘 공급 유닛에 상기 제1 기체 공급 유닛에서 공급되는 상기 기체보다 고압의 기체를 공급하는 제2 기체 공급 유닛을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the cleaning fluid supply unit may further include a second gas supply unit that supplies a higher pressure gas to the silicon supply unit than the gas supplied from the first gas supply unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 실리콘 공급 유닛은, 상기 실리콘 공급 라인에 구비되는 정량 공급 튜브를 더 포함하고, 상기 실리콘 공급 라인은, 상기 정량 공급 튜브에 상기 실리콘을 공급하는 제1 실리콘 공급 라인 및 상기 정량 공급 튜브와 상기 하우징을 연결하는 제2 실리콘 공급 라인으로 구성되며, 상기 세정 유체 공급 유닛은, 상기 정량 공급 튜브에 연결될 수 있다.According to one embodiment, the silicon supply unit further includes a quantitative supply tube provided in the silicon supply line, wherein the silicon supply line includes a first silicon supply line for supplying the silicon to the quantitative supply tube and the It consists of a second silicon supply line connecting a quantitative supply tube and the housing, and the cleaning fluid supply unit may be connected to the quantitative supply tube.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 실리콘이 함유된 인산 수용액이 저장되는 하우징 내에 실리콘 공급 유닛으로부터 실리콘을 공급하여 실리콘의 농도를 조절하는 농도 조절 단계와 상기 농도 조절 단계 이후에, 상기 실리콘 공급 유닛에 잔류하는 실리콘을 제거하는 실리콘 공급 유닛 세정 단계를 포함하되, 상기 실리콘 공급 유닛 세정 단계는, 상기 실리콘 공급 유닛에 포함되는 실리콘 공급 라인에 세정액을 공급하는 세정 액 공급 단계 및 상기 실리콘 공급 라인에 세정 기체를 공급하는 세정 기체 공급 단계를 포함할 수 있다.A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes a concentration adjustment step of adjusting the concentration of silicon by supplying silicon from a silicon supply unit into a housing in which a phosphoric acid aqueous solution containing silicon is stored, and after the concentration adjustment step, A silicon supply unit cleaning step of removing silicon remaining in the silicon supply unit, wherein the silicon supply unit cleaning step includes a cleaning liquid supply step of supplying a cleaning solution to a silicon supply line included in the silicon supply unit, and the silicon supply step. It may include a cleaning gas supply step of supplying cleaning gas to the line.

일 실시 예에 의하면, 상기 세정 기체 공급 단계는, 상기 세정 액 공급 단계보다 먼저 이루어질 수 있다.According to one embodiment, the cleaning gas supply step may be performed before the cleaning liquid supply step.

일 실시 예에 의하면, 상기 실리콘 공급 라인 세정 단계는, 상기 세정 액 공급 단계 이후에, 상기 실리콘 공급 라인에 상기 세정 기체 공급 단계보다 고압의 기체를 공급하는 고압 기체 공급 단계를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the silicon supply line cleaning step may further include a high-pressure gas supply step of supplying a higher pressure gas to the silicon supply line than the cleaning gas supply step after the cleaning liquid supply step.

일 실시 예에 의하면, 상기 실리콘 공급 유닛은, 상기 하우징에 공급되는 상기 실리콘의 양을 정량으로 수용하는 정량 공급 튜브 및 상기 세정액과 상기 세정 기체를 상기 실리콘 공급 라인에 공급하는 세정 유체 공급 라인을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the silicon supply unit further includes a fixed-quantity supply tube for receiving a fixed amount of the silicon supplied to the housing, and a cleaning fluid supply line for supplying the cleaning liquid and the cleaning gas to the silicon supply line. It can be included.

일 실시 예에 의하면, 상기 농도 조절 단계는, 상기 하우징에 공급하는 상기 실리콘을 정량 공급 튜브에 채우는 유량 조절 단계 및 상기 정량 공급 튜브에 채워진 상기 실리콘을 상기 하우징에 공급하는 공급 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the concentration adjustment step may include a flow rate adjustment step of filling the quantitative supply tube with the silicon supplied to the housing, and a supply step of supplying the silicon filled in the quantitative supply tube to the housing. .

본 발명의 일실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate can be processed efficiently.

또한, 본 발명의 일실시예에 의하면, 실리콘 공급 라인 내에 잔류하는 실리콘을 효율적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.Additionally, according to one embodiment of the present invention, there is an effect of efficiently removing silicon remaining in the silicon supply line.

또한, 본 발명의 일실시예에 의하면, 실리콘 공급 라인 내에 실리콘 석출 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.Additionally, according to one embodiment of the present invention, there is an effect of preventing silicon precipitation within the silicon supply line.

또한 본 발명의 일실시예에 의하면, 액 공급 유닛에 실리콘이 필요이상으로 공급되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.Additionally, according to one embodiment of the present invention, there is an effect of preventing silicon from being supplied more than necessary to the liquid supply unit.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.

도 1은 일반적인 액 공급 유닛의 구조를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 유닛을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 실리콘 공급 유닛의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 실리콘 공급 유닛의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 4의 실리콘 공급 유닛의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 4의 히터 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
도 10 내지 도 14는 도 5의 실리콘 공급 유닛이 작동하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 15와 도 16은 각각 기판 처리 장치의 변형 예를 보여주는 도면들이다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액 공급 유닛을 개략적으로 보여주는 도면이다.Figure 1 is a diagram schematically showing the structure of a general liquid supply unit.
Figure 2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 2.
Figure 4 is a diagram schematically showing a liquid supply unit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing an example of the silicon supply unit of FIG. 4.
FIG. 6 is a diagram showing another example of the silicon supply unit of FIG. 4.
FIG. 7 is a diagram showing another example of the silicon supply unit of FIG. 4.
FIG. 8 is a diagram schematically showing an example of the heater unit of FIG. 4.
9 is a flowchart showing a substrate processing method using a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figures 10 to 14 are diagrams showing the operation process of the silicon supply unit of Figure 5.
Figures 15 and 16 are diagrams each showing a modified example of a substrate processing apparatus.
Figure 17 is a diagram schematically showing a liquid supply unit according to another embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Below, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. Additionally, when describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same symbols are used throughout the drawings for parts that perform similar functions and actions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.'Including' a certain component does not mean excluding other components, but rather including other components, unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to include one or more other features or It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. Additionally, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, a first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component without departing from the scope of the present invention.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is said to be “connected” or “connected” to another component, it is understood that it may be directly connected to or connected to that other component, but that other components may also exist in between. It should be. On the other hand, when it is mentioned that a component is “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that there are no other components in between. Other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "immediately between" or "neighboring" and "directly adjacent to" should be interpreted similarly.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless clearly defined in the present application, should not be interpreted as having an ideal or excessively formal meaning. .

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.Figure 2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus includes an index module 10 and a processing module 20. According to one embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are arranged along one direction. Hereinafter, the direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is referred to as the first direction 92, and the direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from the top is referred to as the second direction 94. And the direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is called the third direction 96.

인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.The index module 10 transfers the substrate W from the container 80 in which the substrate W is stored to the processing module 20, and transfers the substrate W that has been processed in the processing module 20 to the container 80. Store it as The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94. The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14. Based on the index frame 14, the load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20. The container 80 containing the substrates W is placed in the load port 12. A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be arranged along the second direction 94.

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.The container 80 may be an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP). The container 80 is placed in the load port 12 by a transport means (not shown) such as an overhead transfer, overhead conveyor, or Automatic Guided Vehicle, or by an operator. You can.

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.An index robot 120 is provided in the index frame 14. A guide rail 140 is provided in the second longitudinal direction 94 within the index frame 14, and the index robot 120 may be provided to be movable on the guide rail 140. The index robot 120 includes a hand 122 on which a substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and moves in the third direction 96. It can be provided so that it can be moved along. A plurality of hands 122 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 122 can move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 그리고 처리 챔버(400)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 처리 공정을 수행한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200) 및 액 처리 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200, a transfer chamber 300, and a processing chamber 400. The buffer unit 200 provides a space where the substrate W brought into the processing module 20 and the substrate W taken out from the processing module 20 temporarily stay. The processing chamber 400 supplies liquid to the substrate W to perform a liquid treatment process on the substrate W. The transfer chamber 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200 and the liquid processing chamber 400.

반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)는 복수 개 제공되며, 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 반송 챔버(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다. The transfer chamber 300 may have its longitudinal direction oriented in the first direction 92 . The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transfer chamber 300. A plurality of liquid processing chambers 400 are provided and may be disposed on the side of the transfer chamber 300 . The liquid processing chamber 400 and the transfer chamber 300 may be arranged along the second direction 94 . The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer chamber 300.

일 예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양측에 각각 배치된다. 반송 챔버(300)의 양측 각각에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. According to one example, the liquid processing chambers 400 are disposed on both sides of the transfer chamber 300, respectively. The liquid processing chambers 400 on each side of the transfer chamber 300 may be provided in an A You can.

반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.The transfer chamber 300 has a transfer robot 320. A guide rail 340 whose longitudinal direction is provided in the first direction 92 is provided within the transfer chamber 300, and the transfer robot 320 may be provided to be able to move on the guide rail 340. The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and moves in the third direction 96. It can be provided so that it can be moved along. A plurality of hands 322 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 can move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be arranged to be spaced apart from each other along the third direction 96. The buffer unit 200 has open front and rear faces. The front side faces the index module 10, and the back side faces the transfer chamber 300. The index robot 120 may access the buffer unit 200 through the front, and the transfer robot 320 may approach the buffer unit 200 through the rear.

도 3은 도 2의 액 처리 챔버(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 노즐 유닛(460), 승강 유닛(480), 액 공급 유닛(1000), 그리고 제어기를 가진다.FIG. 3 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber 400 of FIG. 2. Referring to FIG. 3, the liquid processing chamber 400 includes a housing 410, a cup 420, a support unit 440, a nozzle unit 460, a lifting unit 480, a liquid supply unit 1000, and a controller. has

하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 노즐 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.The housing 410 is provided in a generally rectangular parallelepiped shape. Cup 420, support unit 440, and nozzle unit 460 are disposed within housing 410.

컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 노즐 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-processed within the processing space. The support unit 440 supports the substrate W within the processing space. The nozzle unit 460 supplies liquid onto the substrate W supported on the support unit 440. Liquids are provided in multiple types and can be sequentially supplied onto the substrate W. The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440.

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 has a plurality of recovery bins 422, 424, and 426. The recovery containers 422, 424, and 426 each have a recovery space for recovering the liquid used for processing the substrate. Each of the recovery bins 422, 424, and 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440. When the liquid treatment process progresses, the treatment liquid scattered by the rotation of the substrate W flows into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of each recovery container 422, 424, and 426. According to one example, the cup 420 has a first recovery container 422, a second recovery container 424, and a third recovery container 426. The first recovery container 422 is arranged to surround the support unit 440, the second recovery container 424 is arranged to surround the first recovery container 422, and the third recovery container 426 is the second recovery container 426. It is arranged to surround the recovery container 424. The second inlet 424a, which flows liquid into the second recovery tank 424, is located above the first inlet 422a, which flows liquid into the first recovery tank 422, and the third recovery tank 426 The third inlet 426a, which introduces liquid, may be located above the second inlet 424a.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.The support unit 440 has a support plate 442 and a drive shaft 444. The upper surface of the support plate 442 is provided in a generally circular shape and may have a larger diameter than the substrate (W). A support pin 442a is provided at the center of the support plate 442 to support the rear side of the substrate W, and the support pin 442a has an upper end of the support plate ( 442). A chuck pin 442b is provided at the edge of the support plate 442. The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442 and supports the side of the substrate W so that the substrate W does not separate from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The drive shaft 444 is driven by the driver 446, is connected to the center of the bottom of the substrate W, and rotates the support plate 442 about its central axis.

노즐 유닛(460)은 제1노즐(462)과 제2노즐(464)을 가진다. 제1노즐(462)은 처리액을 기판(W) 상으로 공급한다. 처리액은 상온보다 높은 온도의 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 처리액은 인산 수용액일 수 있다. 인산 수용액은 인산과 물의 혼합액일 수 있다. 선택적으로 인산 수용액은 다른 물질을 더 함유할 수 있다. 예컨대, 다른 물질은 실리콘일 수 있다. 제2노즐(464)은 물을 기판(W) 상으로 공급한다. 물은 순수(pure water) 또는 탈이온수(deionized water)일 수 있다.The nozzle unit 460 has a first nozzle 462 and a second nozzle 464. The first nozzle 462 supplies the processing liquid onto the substrate (W). The treatment liquid may be a liquid with a temperature higher than room temperature. According to one example, the treatment liquid may be an aqueous phosphoric acid solution. The aqueous phosphoric acid solution may be a mixture of phosphoric acid and water. Optionally, the aqueous phosphoric acid solution may further contain other substances. For example, the other material may be silicone. The second nozzle 464 supplies water onto the substrate (W). The water may be pure water or deionized water.

제1노즐(462)과 제2노즐(464)은 서로 상이한 아암(461)에 각각 지지되고, 이들 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462)과 제2노즐(464)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다.The first nozzle 462 and the second nozzle 464 are each supported on different arms 461, and these arms 461 can be moved independently. Optionally, the first nozzle 462 and the second nozzle 464 may be mounted on the same arm and moved simultaneously.

선택적으로 액 공급 유닛은 제1노즐(462)과 제2노즐(464) 이외에 하나 또는 복수의 노즐을 더 구비할 수 있다. 추가되는 노즐은 다른 종류의 처리액을 기판으로 공급할 수 있다. 예컨대, 다른 종류의 처리액은 기판 상에서 이물을 제거하기 위한 산 용액 또는 염기 용액일 수 있다. 또한, 다른 종류의 처리액은 표면장력이 물보다 낮은 알코올일 수 있다. 예컨대, 알코올은 이소프로필 알코올(Isopropyl alcohol)일 수 있다.Optionally, the liquid supply unit may further include one or more nozzles in addition to the first nozzle 462 and the second nozzle 464. Additional nozzles can supply different types of processing liquids to the substrate. For example, another type of treatment solution may be an acid solution or a base solution for removing foreign substances on the substrate. Additionally, another type of treatment liquid may be alcohol, which has a lower surface tension than water. For example, the alcohol may be isopropyl alcohol.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 in the vertical direction. The relative height between the cup 420 and the substrate (W) changes as the cup 420 moves up and down. As a result, the recovery containers 422, 424, and 426 for recovering the processing liquid are changed depending on the type of liquid supplied to the substrate W, so the liquids can be separated and recovered. Unlike the above-mentioned, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 can move the support unit 440 in the vertical direction.

액 공급 유닛(1000)은 처리액을 제1노즐(462)로 공급한다. 아래에서는 처리액이 인산 수용액인 경우를 예로 들어 설명한다.The liquid supply unit 1000 supplies the processing liquid to the first nozzle 462. Below, the case where the treatment liquid is an aqueous phosphoric acid solution will be explained as an example.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 액 공급 유닛(1000)은 탱크(1200)를 가진다. 탱크(1200) 인산 수용액을 저장한다. 탱크(1200)는 하우징(1220), 순환 라인(1240), 온도 측정 유닛(1260), 농도 측정 유닛(1280), 그리고 제어기(1900)를 가진다.Figure 4 is a diagram schematically showing an example of a liquid supply unit according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the liquid supply unit 1000 has a tank 1200. Tank 1200 stores an aqueous phosphoric acid solution. Tank 1200 has a housing 1220, a circulation line 1240, a temperature measurement unit 1260, a concentration measurement unit 1280, and a controller 1900.

하우징(1220)은 직육면체 또는 원통 형상으로 제공된다. 하우징(1220)은 내부에 인산 수용액이 저장되는 공간을 가진다. 하우징(1220)에는 유입 라인(1420) 및 유출 라인(1440)이 연결된다. 유입 라인(1420) 및 유출 라인(1440)에는 각각 밸브(도시되지 않음)가 설치된다.The housing 1220 is provided in a rectangular parallelepiped or cylindrical shape. The housing 1220 has a space inside where an aqueous phosphoric acid solution is stored. An inlet line 1420 and an outlet line 1440 are connected to the housing 1220. A valve (not shown) is installed in the inlet line 1420 and the outlet line 1440, respectively.

유입 라인(1420)은 하우징(1220)에 인산 수용액을 보충하는 라인으로 제공된다. 인산 수용액은 유입 라인(1420)을 통해 하우징(1220) 내로 유입된다. 인산 수용액은 기판 처리에 사용되는 설정 온도보다 낮은 온도로 유입 라인(1420)을 통해 하우징(1220) 내로 유입될 수 있다. 또한, 인산 수용액은 기판 처리에 사용되는 인산의 설정 농도보다 낮은 농도로 유입 라인(1420)을 통해 하우징(1220) 내로 유입될 수 있다. 설정 농도는 기판을 처리하는 공정에서의 인산의 농도일 수 있다.The inlet line 1420 is provided as a line to replenish the housing 1220 with an aqueous phosphoric acid solution. The phosphoric acid aqueous solution flows into the housing 1220 through the inlet line 1420. The phosphoric acid aqueous solution may be introduced into the housing 1220 through the inlet line 1420 at a temperature lower than the set temperature used for substrate processing. Additionally, the phosphoric acid aqueous solution may be introduced into the housing 1220 through the inflow line 1420 at a concentration lower than the set concentration of phosphoric acid used for substrate processing. The set concentration may be the concentration of phosphoric acid in the process of treating the substrate.

유출 라인(1440)은 노즐 유닛(46)으로 온도 및 농도가 조절된 인산 수용액을 토출하는 라인으로 제공된다. 유출 라인(1440)은 일측이 하우징(1220)에 연결되고 타측이 노즐 유닛(460)에 연결된다. 상술한 예에서는 유출 라인(1440)이 하우징(1220)에 연결된 것으로 설명하였으나, 순환 라인(1240)에 연결될 수 있다.The outflow line 1440 is provided as a line for discharging an aqueous phosphoric acid solution whose temperature and concentration are controlled to the nozzle unit 46. One side of the outlet line 1440 is connected to the housing 1220 and the other side is connected to the nozzle unit 460. In the above example, the outflow line 1440 is described as being connected to the housing 1220, but it may be connected to the circulation line 1240.

하우징(1220)에는 폐액 라인(1460)이 연결된다. 폐액 라인(1460)에는 밸브(도시되지 않음)가 설치된다. 인산 수용액을 일정 횟수 또는 일정 기간 재사용한 후 인산 수용액을 폐기할 때, 하우징(1220) 내의 인산 수용액은 폐액 라인(1460)을 통해 하우징(1220) 외부로 배출된다. 상술한 예에서는 폐액 라인(1460)이 하우징(1220)에 연결되는 설명하였으나, 순환 라인(1240)에 연결될 수 있다.A waste liquid line 1460 is connected to the housing 1220. A valve (not shown) is installed in the waste liquid line 1460. When discarding the aqueous phosphoric acid solution after reusing it a certain number of times or for a certain period of time, the aqueous phosphoric acid solution in the housing 1220 is discharged to the outside of the housing 1220 through the waste line 1460. In the above example, the waste liquid line 1460 is connected to the housing 1220, but it may be connected to the circulation line 1240.

하우징(1220)에는 배기 라인(1490)이 연결된다. 배기 라인(1490)은 하우징(1220) 내에 저장된 인산 수용액으로부터 증발된 수증기를 하우징(1220)의 외부로 배기한다. 배기 라인(1490) 에는 밸브(도시되지 않음)가 설치된다. 배기 라인(1490)은 하우징(1220)의 상면에 결합된다. 하우징(1220) 내부가 소정 압력 이상이 되는 경우, 하우징(1220) 내 가스는 배기 라인(1490)을 통해 배출될 수 있다.An exhaust line 1490 is connected to the housing 1220. The exhaust line 1490 exhausts water vapor evaporated from the phosphoric acid aqueous solution stored in the housing 1220 to the outside of the housing 1220. A valve (not shown) is installed in the exhaust line 1490. The exhaust line 1490 is coupled to the upper surface of the housing 1220. When the pressure inside the housing 1220 exceeds a predetermined pressure, gas within the housing 1220 may be discharged through the exhaust line 1490.

하우징(1220)에는 인산 보충 유닛(1482)과 물 보충 유닛(1484) 이 연결될 수 있다. 인산 보충 유닛(1482) 및 물 보충 유닛(1484) 에는 각각 밸브(도시되지 않음)가 설치된다. 인산 보충 유닛(1482)은 하우징(1220) 내로 유입된 인산 수용액에 인산을 보충하고, 물 보충 유닛(1484)은 하우징(1220) 내로 유입된 인산 수용액에 물을 보충할 수 있다. 물은 순수(pure water) 또는 탈이온수(deionized water)일 수 있다. 인산 및 물의 보충은 하우징(1220) 내에 제공된 수위 측정 센서(1222)에 의해 측정된 인산 수용액의 수위에 기초하여 이루어질 수 있다. 선택적으로 인산 수용액을 일정 횟수 또는 일정 기간 재사용하고 인산 수용액을 하우징(1220)으로부터 배출한 후, 인산 및 물의 보충이 이루어질 수 있다.A phosphoric acid replenishment unit 1482 and a water replenishment unit 1484 may be connected to the housing 1220. The phosphoric acid replenishment unit 1482 and the water replenishment unit 1484 are each equipped with a valve (not shown). The phosphoric acid replenishment unit 1482 can replenish the phosphoric acid aqueous solution introduced into the housing 1220 with phosphoric acid, and the water replenishment unit 1484 can replenish the phosphoric acid aqueous solution introduced into the housing 1220 with water. The water can be pure water or deionized water. Replenishment of phosphoric acid and water may be made based on the level of the phosphoric acid aqueous solution measured by the level measurement sensor 1222 provided in the housing 1220. Optionally, after reusing the phosphoric acid aqueous solution a certain number of times or for a certain period of time and discharging the phosphoric acid aqueous solution from the housing 1220, phosphoric acid and water can be replenished.

인산 수용액에 실리콘이 함유된 경우, 하우징(1220)에는 실리콘 공급 유닛(1500)이 추가로 연결될 수 있다. 실리콘 공급 유닛(1500)은 하우징(1220) 내로 유입된 인산 수용액에 실리콘을 보충할 수 있다. 인산 보충 유닛(1482), 물 보충 유닛(1484), 그리고 실리콘 공급 유닛(1500)은 복수개의 탱크(1200)에 연결될 수 있다.When the phosphoric acid aqueous solution contains silicon, a silicon supply unit 1500 may be additionally connected to the housing 1220. The silicon supply unit 1500 may supplement the phosphoric acid aqueous solution introduced into the housing 1220 with silicon. The phosphoric acid replenishment unit 1482, the water replenishment unit 1484, and the silicon supply unit 1500 may be connected to a plurality of tanks 1200.

도 5는 도 4의 실리콘 공급 유닛의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 실리콘 공급 유닛(1500)은 하우징(1220) 내의 인산 수용액에 실리콘을 보충하여 인산 수용액의 실리콘 농도를 조절한다. 실리콘 공급 유닛(1500)은 하우징(1220)에 실리콘 공급 라인(1502)으로 연결된다. 실리콘 공급 유닛(1500)은, 실리콘 공급원(1520), 정량 공급 튜브(1540), 세정 유체 공급 유닛(1560), 그리고 제어기(1900)를 포함한다.FIG. 5 is a diagram showing an example of the silicon supply unit of FIG. 4. Referring to FIG. 5, the silicon supply unit 1500 replenishes silicon to the phosphoric acid aqueous solution in the housing 1220 to adjust the silicon concentration of the phosphoric acid aqueous solution. The silicon supply unit 1500 is connected to the housing 1220 with a silicon supply line 1502. The silicon supply unit 1500 includes a silicon source 1520, a quantitative supply tube 1540, a cleaning fluid supply unit 1560, and a controller 1900.

실리콘 공급 라인(1502)에는 정량 공급 튜브(1540)가 구비된다. 실리콘 공급 라인(1502)은 정량 공급 튜브(1540)를 기준으로 정량 공급 튜브(1540)에 실리콘을 충전하는 실리콘 충전 라인(1502a)과 정량 공급 튜브(1540)에 충전된 실리콘을 하우징(1220)으로 보충하는 실리콘 보충 라인(1502b)으로 제공될 수 있다.The silicon supply line 1502 is provided with a quantitative supply tube 1540. The silicon supply line 1502 is a silicon filling line 1502a that fills the quantitative supply tube 1540 with silicon based on the quantitative supply tube 1540, and the silicon filled in the quantitative supply tube 1540 is transferred to the housing 1220. A replenishing silicon replenishment line 1502b may be provided.

실리콘 충전 라인(1502a)에는 필터(1522), 온도센서(1524), 그리고 니들 밸브(1526) 가 구비된다.The silicon filling line 1502a is provided with a filter 1522, a temperature sensor 1524, and a needle valve 1526.

필터(1522)는 정량 공급 튜브(1540)로 오염물질 및 석출된 실리콘이 유입되는 것을 차단한다. 필터(1522)는 1 μm이상의 이물질을 차단할 수 있다. 온도센서(1524)는 정량 공급 튜브(1540)로 유입되는 실리콘의 온도를 측정한다. 실리콘은 50°C이상일 때 석출되는 현상이 발생한다. 온도 센서(1524)는 공급되는 실리콘이 설정 온도 이상일 경우 제어기(1900)로 신호를 보내 실리콘의 공급을 차단하도록 한다. 니들 밸브(1526)는 실리콘 공급 유닛(1500)으로부터 정량 공급 튜브(1540)에 충전되는 실리콘의 공급 속도를 조절한다. 실리콘 충전 라인(1502a)에는 밸브(V4)가 구비된다.The filter 1522 blocks contaminants and precipitated silicon from flowing into the quantitative supply tube 1540. The filter 1522 can block foreign substances larger than 1 μm. The temperature sensor 1524 measures the temperature of silicon flowing into the quantitative supply tube 1540. Silicone precipitates when the temperature is above 50°C. If the supplied silicon is above a set temperature, the temperature sensor 1524 sends a signal to the controller 1900 to block the supply of silicon. The needle valve 1526 controls the supply speed of silicon charged from the silicon supply unit 1500 to the quantitative supply tube 1540. The silicon filling line 1502a is provided with a valve V4.

실리콘 보충 라인(1502b)은 정량 공급 튜브(1540)에 충전된 실리콘이 하우징(1220)으로 이동하는 라인이다. 실리콘 보충 라인(1502b)에는 밸브(V5)가 구비된다. 실리콘 보충 라인(1502b)은 하우징(1220)에 실리콘 보충이 완료된 후 내부에 잔류하는 실리콘을 배출하기위한 드레인 라인(1504)이 연결된다. 드레인 라인(1504)에는 밸브(V9)가 구비된다.The silicon replenishment line 1502b is a line through which silicon filled in the quantitative supply tube 1540 moves to the housing 1220. Silicone replenishment line 1502b is equipped with valve V5. The silicon replenishment line 1502b is connected to a drain line 1504 for discharging silicon remaining inside the housing 1220 after silicon replenishment is completed. The drain line 1504 is provided with a valve V9.

상술한 예에서는 실리콘 충전 라인(1502a)과 실리콘 보충 라인(1502b)이 하나로 이어져 있는 것으로 설명하였으나 실리콘 충전 라인(1502a)과 실리콘 보충 라인(1502b)은 정량 공급 튜브(1540)에 각각 연결될 수 있다.In the above example, the silicon filling line 1502a and the silicon replenishment line 1502b are described as being connected as one, but the silicon filling line 1502a and the silicon replenishment line 1502b may each be connected to the quantitative supply tube 1540.

하우징(1220) 내의 인산 수용액에서 실리콘의 농도는 약 수십 ppm에서 수백 ppm으로 매우 낮게 설정되므로, 1회 공급되는 실리콘의 유량은 매우 작다. 이에 소량의 실리콘을 정확하게 공급하기 위해 정량 공급 튜브(1540)가 제공된다. 정량 공급 튜브(1540)는 하우징(1220)내의 인산 수용액에 기 설정된 양의 실리콘만 공급 가능하도록 제공될 수 있다. 정량 공급 튜브(1540)는 실린더 형상으로 제공될 수 있다. 정량 공급 튜브(1540)는 실리콘이 채워지는 내부공간이 형성된다. 정량 공급 튜브(1540)는 길이방향이 지면에 대해 수직방향으로 설치될 수 있다. 이때, 실리콘 공급 라인(1502)은 정량 공급튜브의 하측에 연결될 수 있다. 정량 공급 튜브(1540)는 내부공간에 채워지는 실리콘의 양을 측정하는 레벨 센서(1542)가 구비된다. 레벨 센서(1542)는 복수개로 제공될 수 있다. 레벨 센서(1542)들은 정량 공급 튜브(1540)에 설치되는 높이에 따라 로우 레벨 센서(1542a), 미드 레벨 센서(1542b), 하이 레벨 센서(1542c), 오버 플로우 센서(1542d)로 구분될 수 있다. 레벨 센서(1542)는 정량 공급 튜브(1540)내에 채워진 실리콘의 양의 정보를 제어기(1900)에 전송한다. 정량 공급 튜브(1540)는 충전된 실리콘을 하우징(1220)으로 이동시키는 제1 기체 공급 유닛(1544)이 연결된다.Since the concentration of silicon in the phosphoric acid aqueous solution in the housing 1220 is set very low, from approximately tens of ppm to hundreds of ppm, the flow rate of silicon supplied at one time is very small. Accordingly, a quantitative supply tube 1540 is provided to accurately supply a small amount of silicon. The quantitative supply tube 1540 may be provided to supply only a preset amount of silicon to the phosphoric acid aqueous solution in the housing 1220. The quantitative supply tube 1540 may be provided in a cylindrical shape. The quantitative supply tube 1540 has an internal space filled with silicon. The quantitative supply tube 1540 may be installed in a longitudinal direction perpendicular to the ground. At this time, the silicon supply line 1502 may be connected to the lower side of the quantitative supply tube. The quantitative supply tube 1540 is equipped with a level sensor 1542 that measures the amount of silicon filled in the internal space. A plurality of level sensors 1542 may be provided. The level sensors 1542 can be divided into a low level sensor 1542a, a mid level sensor 1542b, a high level sensor 1542c, and an overflow sensor 1542d depending on the height at which they are installed in the quantitative supply tube 1540. . The level sensor 1542 transmits information on the amount of silicon filled in the quantitative supply tube 1540 to the controller 1900. The quantitative supply tube 1540 is connected to a first gas supply unit 1544 that moves the filled silicon to the housing 1220.

제1 기체 공급 유닛(1544)은 정량 공급 튜브(1540)에 기체를 공급한다. 제1 기체 공급 유닛(1544)은 제1 기체 공급원(1544a) 및 제1 기체 공급 라인(1544b)을 포함한다. 제1 기체 공급원(1544a)은 제1 기체 공급 라인(1544b)으로 정량 공급 튜브(1540)에 연결된다. 제1 기체 공급 라인(1544b)은 정량 공급 튜브(1540)의 상측에 연결된다. 제1 기체 공급원(1544a)에서 공급되는 기체는 제1 기체 공급 라인(1544b)을 통해 정량 공급 튜브(1540)로 공급된다. 기체는 공기(Air) 또는 질소(N2)일 수 있다. 제1 기체 공급 유닛(1544)은 정량 공급 튜브(1540)에 실리콘이 충전되는 동안 정량 공급 튜브(1540)에 정압의 기체를 분사한다. 또한, 제1 기체 공급 유닛(1544)은 정량 공급 튜브(1540)에 기체를 공급함으로써 정량 공급 튜브(1540)에 충전된 실리콘을 하우징(1220)으로 이동시킨다. 제1 기체 공급 유닛(1544)은 정량 공급 튜브(1540)에 일정한 압력의 기체를 지속적으로 공급할 수 있다. 제1 기체 공급 라인(1544b)에는 밸브(V6)가 구비된다. 밸브(V6)는 가변 압력 밸브(V6)로 제공될 수 있다. 제어기(1900)는 정량 공급 튜브에 공급되는 제1 기체의 압력을 가변 압력 밸브(V6)로 조정한다. 제1 기체 공급 라인(1544b)에는 정량 공급 튜브(1540)로부터 과도하게 공급된 실리콘을 배출하는 드레인 라인(1546)이 형성될 수 있다. 드레인 라인(1546)에는 밸브(V10)가 구비된다.The first gas supply unit 1544 supplies gas to the fixed-quantity supply tube 1540. The first gas supply unit 1544 includes a first gas source 1544a and a first gas supply line 1544b. The first gas source 1544a is connected to the quantitative supply tube 1540 with a first gas supply line 1544b. The first gas supply line 1544b is connected to the upper side of the fixed volume supply tube 1540. The gas supplied from the first gas source 1544a is supplied to the fixed-quantity supply tube 1540 through the first gas supply line 1544b. The gas may be air or nitrogen (N2). The first gas supply unit 1544 injects gas at a constant pressure into the quantitative supply tube 1540 while the quantitative supply tube 1540 is filled with silicon. Additionally, the first gas supply unit 1544 supplies gas to the quantitative supply tube 1540, thereby moving the silicon filled in the quantitative supply tube 1540 to the housing 1220. The first gas supply unit 1544 can continuously supply gas at a constant pressure to the fixed-quantity supply tube 1540. The first gas supply line 1544b is provided with a valve V6. Valve V6 may be provided as a variable pressure valve V6. The controller 1900 adjusts the pressure of the first gas supplied to the fixed-quantity supply tube using the variable pressure valve V6. A drain line 1546 may be formed in the first gas supply line 1544b to discharge silicon excessively supplied from the quantitative supply tube 1540. The drain line 1546 is provided with a valve V10.

세정 유체 공급 유닛(1560)은 실리콘 공급 라인(1502)과 정량 공급 튜브(1540)에 잔류하는 실리콘을 제거하는 세정 유체를 공급한다. 세정 유체 공급 유닛(1560)은 정량 공급 튜브의 상측에 연결될 수 있다. 세정 유체 공급 유닛(1560)은 세정 기체 공급 유닛(1562), 세정액 공급 유닛(1564), 그리고 제2 기체 공급 유닛(1566)을 포함한다.The cleaning fluid supply unit 1560 supplies cleaning fluid to remove silicon remaining in the silicon supply line 1502 and the quantitative supply tube 1540. The cleaning fluid supply unit 1560 may be connected to the upper side of the quantitative supply tube. The cleaning fluid supply unit 1560 includes a cleaning gas supply unit 1562, a cleaning fluid supply unit 1564, and a second gas supply unit 1566.

세정 기체 공급 유닛(1562)은 실리콘 공급 라인(1502)과 정량 공급 튜브(1540)를 세정하는 세정용 기체를 공급한다. 세정용 기체는 공기(Air) 또는 질소(N2)일 수 있다. 세정 기체 공급 유닛(1562)은 세정 기체 공급원(1562a) 및 세정 기체 공급 라인(1562b)을 포함한다. 세정 기체 공급 유닛(1562)의 세정용 기체와 제1 기체 공급 유닛(1544)의 제1 기체는 동일한 기체일 수 있다. 세정용 기체와 실리콘 보충용 제1 기체가 동일한 경우 제1 기체 공급 유닛(1544)이 세정 기체 공급 유닛(1562) 대신 실리콘 공급 라인(1502)과 정량 공급 튜브(1540)에 세정용 기체를 공급할 수 있다. 선택적으로, 정량 공급 튜브(1540) 내부의 실리콘을 하우징(1220)으로 밀어내는 제1 기체 공급 유닛(1544)과 정량 공급 튜브(1540) 내부공간을 세정하는 세정 기체 공급 유닛(1562)은 각각 제공될 수 있다.The cleaning gas supply unit 1562 supplies cleaning gas for cleaning the silicon supply line 1502 and the quantitative supply tube 1540. The cleaning gas may be air or nitrogen (N2). The cleaning gas supply unit 1562 includes a cleaning gas source 1562a and a cleaning gas supply line 1562b. The cleaning gas of the cleaning gas supply unit 1562 and the first gas of the first gas supply unit 1544 may be the same gas. If the cleaning gas and the first gas for silicon replenishment are the same, the first gas supply unit 1544 may supply the cleaning gas to the silicon supply line 1502 and the fixed-quantity supply tube 1540 instead of the cleaning gas supply unit 1562. . Optionally, a first gas supply unit 1544 that pushes the silicon inside the quantitative supply tube 1540 into the housing 1220 and a cleaning gas supply unit 1562 that cleans the inner space of the quantitative supply tube 1540 are provided, respectively. It can be.

이와 달리 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 기체 공급 유닛(1544)과 세정 기체 공급 유닛(1562)은 각각 제공될 수 있다. 세정 기체 공급 라인(1562b)은 제1 기체 공급 라인(1544b)에 연결된다. 세정 기체 공급 라인(1562b)에는 밸브(V7)가 구비된다.Alternatively, as shown in FIG. 6, a first gas supply unit 1544 and a cleaning gas supply unit 1562 may be provided, respectively. The cleaning gas supply line 1562b is connected to the first gas supply line 1544b. The cleaning gas supply line 1562b is provided with a valve V7.

세정액 공급 유닛(1564)은 정량 공급 튜브(1540)에 세정용 액체를 공급한다. 세정용 액체는 물일 수 있다. 물은 순수(pure water) 또는 탈이온수(deionized water) 일 수 있다. 세정액 공급 유닛(1564)은 세정액 공급원(1564a) 및 세정액 공급 라인(1564b)을 포함한다. 세정액 공급원(1564a)은 세정액 공급 라인(1564a)으로 정량 공급 튜브(1540)에 연결된다. 세정액 공급 라인(1564b)은 제1 기체 공급 라인(1544b) 또는 세정 기체 공급 라인(1562b)에 연결될 수 있다. 세정액 공급 라인(1564a)은 정량 공급 튜브(1540)의 상측에 연결된다. 세정액 공급 라인(1564a)은 제1 기체 공급 라인(1544b)에 연결될 수 있다. 세정액 공급 라인(1564a)에는 밸브(V8)가 구비된다.The cleaning liquid supply unit 1564 supplies cleaning liquid to the fixed-quantity supply tube 1540. The cleaning liquid may be water. The water can be pure water or deionized water. The cleaning liquid supply unit 1564 includes a cleaning liquid supply source 1564a and a cleaning liquid supply line 1564b. The cleaning liquid source 1564a is connected to the fixed-quantity supply tube 1540 through a cleaning liquid supply line 1564a. The cleaning liquid supply line 1564b may be connected to the first gas supply line 1544b or the cleaning gas supply line 1562b. The cleaning liquid supply line 1564a is connected to the upper side of the fixed amount supply tube 1540. The cleaning liquid supply line 1564a may be connected to the first gas supply line 1544b. The cleaning liquid supply line 1564a is provided with a valve V8.

제2 기체 공급 유닛(1566)은 실리콘 공급 라인(1502)과 정량 공급 튜브(1540)에 제2 기체를 공급한다. 제2 기체는 실리콘 공급 라인(1502)과 정량 공급 튜브(1540)에 잔류하는 실리콘과 세정액을 제거할 수 있다. 제2 기체 공급 유닛(1566)은 제1 기체 공급 유닛(1544)보다 고압의 기체를 분사할 수 있다. 제2 기체는 공기(Air) 또는 질소(N2)일 수 있다. 제2 기체는 제1 기체 및 세정용 기체와 동일한 기체일 수 있다. 제2 기체가 제1 기체 및 세정용 기체와 동일한 경우 제1 기체 공급 유닛(1544)이 제2 기체 공급 유닛(1566)의 기능을 수행할 수 있다. 이때, 제1 기체 공급 유닛(1544)은 압력 조절 밸브가 구비되어 공급되는 기체의 압력을 변화할 수 있다.The second gas supply unit 1566 supplies the second gas to the silicon supply line 1502 and the quantitative supply tube 1540. The second gas can remove silicon and cleaning solution remaining in the silicon supply line 1502 and the quantitative supply tube 1540. The second gas supply unit 1566 may inject gas at a higher pressure than the first gas supply unit 1544. The second gas may be air or nitrogen (N2). The second gas may be the same gas as the first gas and the cleaning gas. When the second gas is the same as the first gas and the cleaning gas, the first gas supply unit 1544 may perform the function of the second gas supply unit 1566. At this time, the first gas supply unit 1544 is equipped with a pressure control valve and can change the pressure of the supplied gas.

이와 달리 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 기체 공급 유닛(1566)은 제1 기체 공급 유닛(1544) 및 세정 기체 공급 유닛(1562)과 별도로 제공될 수 있다. 제2 기체 공급 유닛(1566)은 제2 기체 공급원(1566a) 및 제2 기체 공급 라인(1566b)을 가진다. 제2 기체 공급원(1566a)은 제2 기체 공급 라인(1566b)으로 정량 공급 튜브(1540)에 연결된다. 제2 기체 공급 라인(1566b)은 정량 공급 튜브(1540)의 상측에 연결된다. 제2 기체 공급 라인(1566b)은 세정 기체 공급 라인(1562a)에 연결될 수 있다. 제2 기체 공급 라인(1566b)에는 밸브(V9)가 구비된다.Alternatively, as shown in FIG. 6, the second gas supply unit 1566 may be provided separately from the first gas supply unit 1544 and the cleaning gas supply unit 1562. The second gas supply unit 1566 has a second gas source 1566a and a second gas supply line 1566b. The second gas source 1566a is connected to the quantitative supply tube 1540 by a second gas supply line 1566b. The second gas supply line 1566b is connected to the upper side of the quantitative supply tube 1540. The second gas supply line 1566b may be connected to the cleaning gas supply line 1562a. The second gas supply line 1566b is provided with a valve V9.

상술한 예에서는 실리콘 공급 라인(1502)에 정량 공급 튜브(1540)가 구비된 것으로 설명하였으나 도 7에 도시된 바와 같이, 실리콘 공급 라인(1502)에는 공급되는 하우징(1220)에 공급되는 실리콘의 유량을 측정하는 유량계(1528)가 구비될 수 있다.In the above example, it was explained that the silicon supply line 1502 is provided with a fixed-quantity supply tube 1540, but as shown in FIG. 7, the flow rate of silicon supplied to the housing 1220 is supplied to the silicon supply line 1502. A flow meter 1528 that measures may be provided.

하우징(1220)에는 순환 라인(1240)이 연결된다. 일 예에 의하면, 순환 라인(1240)의 일단은 입구(1240a)로 기능하며, 하우징(1220)의 저면에 결합된다. 순환 라인(1240)의 타단은 출구(1240b)로 기능하며, 하우징(1220) 내 인산 수용액 내에 침지된다. 선택적으로 순환 라인(1240)의 타단은 하우징(1220) 내에 저장된 인산 수용액의 수면(1224)보다 높게 위치될 수 있다. 순환 라인(1240)은 펌프 유닛(1300), 히터 유닛(1600), 온도 측정 유닛(1250), 농도 측정 유닛(1260)을 가진다.A circulation line 1240 is connected to the housing 1220. According to one example, one end of the circulation line 1240 functions as an inlet 1240a and is coupled to the bottom of the housing 1220. The other end of the circulation line 1240 functions as an outlet 1240b and is immersed in the phosphoric acid aqueous solution in the housing 1220. Optionally, the other end of the circulation line 1240 may be positioned higher than the water surface 1224 of the aqueous phosphoric acid solution stored in the housing 1220. The circulation line 1240 has a pump unit 1300, a heater unit 1600, a temperature measurement unit 1250, and a concentration measurement unit 1260.

펌프 유닛(1300)은 하우징(1220) 내의 인산 수용액이 순환 라인(1240) 내를 흐르도록 하는 유동압을 제공한다. 히터 유닛(1600)은 순환 라인(1240) 내를 흐르는 인산 수용액을 가열한다. 일 예에 의하면, 히터 유닛(1600)은 인산 수용액이 설정 온도로 가열되도록 제어된다. 일 예에 의하면, 설정 온도는 약 140℃ 내지 170℃ 일 수 있다. 설정 온도는 인산 수용액에서 인산의 농도에 따라 다르게 설정될 수 있다. 순환 라인(1240)에는 입구 밸브(V1)와 출구 밸브(V2)가 설치될 수 있다. 순환 라인(1240) 중 하우징(1220)의 내측으로 돌출된 부분을 분사관(1700)이라 한다. 분사관(1700)은 하우징(1220)의 내부에 가열된 인산 수용액을 분사한다.The pump unit 1300 provides fluid pressure to cause the aqueous phosphoric acid solution in the housing 1220 to flow in the circulation line 1240. The heater unit 1600 heats the phosphoric acid aqueous solution flowing in the circulation line 1240. According to one example, the heater unit 1600 is controlled to heat the phosphoric acid aqueous solution to a set temperature. According to one example, the set temperature may be about 140°C to 170°C. The set temperature may be set differently depending on the concentration of phosphoric acid in the phosphoric acid aqueous solution. An inlet valve (V1) and an outlet valve (V2) may be installed in the circulation line 1240. The part of the circulation line 1240 that protrudes inside the housing 1220 is called the injection pipe 1700. The spray pipe 1700 sprays a heated aqueous phosphoric acid solution into the interior of the housing 1220.

도 8은 도 4의 히터 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하면, 히터 유닛(1600)은 바디(1620) 및 히터(1640)를 가진다. 히터(1640)는 바디(1620) 내부에 위치된다. 바디(1620)에는 제1포트(1622)와 제2포트(1624)가 제공된다. 인산 수용액은 제1포트(1622)를 통해 히터 유닛(1600)의 내부로 유입되고, 제2포트(1624)를 통해 히터 유닛(1600)으로부터 외부로 유출된다. 바디(1620)의 내부에는 인산 수용액이 흐르는 유로(1660)가 형성된다. 유로(1660)는 제1포트(1622) 및 제2포트(1624)와 연결된다. 일 예에 의하면, 유로(1660)는 유입로(1662), 유출로(1664), 그리고 연결로(1666)로 이루어질 수 있다. 유입로(1662)의 일단에 제1포트(1622)가 위치되고, 유출로(1664)의 일단에 제2포트(1624)와 위치된다. 연결로(1666)는 유입로(1662)와 유출로(1664)를 연결한다. 유입로(1662)와 유출로(1664)는 서로 대향되게 제공될 수 있다. 유입로(1662)와 유출로(1664)는 서로 평행하고 일정 거리 이격되게 위치될 수 있다. 히터(1640)는 유입로(1662), 유출로(1664), 그리고 연결로(1666)로 둘러싸여진 공간에 위치될 수 있다. 히터 유닛(1600)의 구조는 이에 한정되지 않으며 다양하게 변경될 수 있다.FIG. 8 is a diagram schematically showing an example of the heater unit of FIG. 4. Referring to FIG. 8, the heater unit 1600 has a body 1620 and a heater 1640. Heater 1640 is located inside the body 1620. The body 1620 is provided with a first port 1622 and a second port 1624. The phosphoric acid aqueous solution flows into the heater unit 1600 through the first port 1622 and flows out of the heater unit 1600 through the second port 1624. A flow path 1660 through which an aqueous phosphoric acid solution flows is formed inside the body 1620. The flow path 1660 is connected to the first port 1622 and the second port 1624. According to one example, the flow path 1660 may be composed of an inflow path 1662, an outlet path 1664, and a connection path 1666. A first port 1622 is located at one end of the inflow passage 1662, and a second port 1624 is located at one end of the outlet passage 1664. The connection path 1666 connects the inflow path 1662 and the outlet path 1664. The inflow path 1662 and the outlet path 1664 may be provided opposite to each other. The inlet 1662 and the outlet 1664 may be located parallel to each other and spaced apart from each other by a certain distance. The heater 1640 may be located in a space surrounded by the inflow path 1662, the outlet path 1664, and the connection path 1666. The structure of the heater unit 1600 is not limited to this and may be changed in various ways.

농도 측정 유닛(1260)은 순환 라인(1240)에 흐르는 인산 수용액에 포함된 인산의 농도를 측정한다. 농도 측정 유닛(1260)은 제1라인(1242) 또는 제2라인(1244)에 제공될 수 있다. 농도 측정 유닛(1260)은 측정된 인산 농도 정보를 제어기(1900)에 전송한다.The concentration measuring unit 1260 measures the concentration of phosphoric acid contained in the phosphoric acid aqueous solution flowing in the circulation line 1240. The concentration measurement unit 1260 may be provided in the first line 1242 or the second line 1244. The concentration measurement unit 1260 transmits the measured phosphoric acid concentration information to the controller 1900.

하우징(1220)에는 가스 공급 라인(1800)이 연결된다. 가스 공급 라인(1800)에서는 하우징(1220)의 내부로 가스가 분사된다. 가스 공급 라인(1800)에는 가스 밸브(V3)가 장착된다. 가스는 하우징(1220) 내에서 인산 수용액 내에 함유된 물의 증발을 촉진시킨다. 가스는 저습도 가스로 제공될 수 있다. 가스는 질소(N2), 공기(air) 중 하나일 수 있다. 선택적으로 가스는 다른 기체를 더 함유할 수 있다. 공급되는 가스의 온도는 물이 증발될 수 있는 온도보다 높은 온도로 제공될 수 있다. 다른 예로, 순환 라인(1240)에서 가열된 인산 수용액의 온도와 같거나 더 높은 온도로 제공될 수 있다. 가스 공급 라인(1800)의 토출단은 하우징(1220) 내부에 위치될 수 있다.A gas supply line 1800 is connected to the housing 1220. Gas is injected into the interior of the housing 1220 from the gas supply line 1800. A gas valve (V3) is mounted on the gas supply line 1800. The gas promotes evaporation of water contained in the phosphoric acid aqueous solution within the housing 1220. The gas may be provided as a low humidity gas. The gas may be either nitrogen (N2) or air. Optionally the gas may further contain other gases. The temperature of the supplied gas may be higher than the temperature at which water can evaporate. As another example, it may be provided at a temperature equal to or higher than the temperature of the aqueous phosphoric acid solution heated in the circulation line 1240. The discharge end of the gas supply line 1800 may be located inside the housing 1220.

상술한 예에서는 온도 측정 유닛(1250) 및 농도 측정 유닛(1260)이 순환 라인(1240)에 구비된 것으로 설명하였으나, 이와 달리 온도 측정 유닛(1250) 및 농도 측정 유닛(1260)은 하우징(1220)에 설치될 수 있다.In the above example, the temperature measurement unit 1250 and the concentration measurement unit 1260 are described as being provided in the circulation line 1240. However, unlike this, the temperature measurement unit 1250 and the concentration measurement unit 1260 are installed in the housing 1220. can be installed in

제어기(1900)는 펌프 유닛(1300) 및 히터 유닛(1600)을 제어한다. 제어기(1900)는 하우징(1220)에 저장된 인산 수용액이 순환 라인(1240)을 순환하도록 펌프 유닛(1300)을 제어한다. 제어기(1900)는 순환 라인(1240)을 순환하는 인산 수용액이 가열되도록 히터 유닛(1600)을 제어한다. 제어기(1900)는 액 공급 유닛(1000)에 설치된 밸브들(V1, V2, V3)을 제어한다. 또한, 제어기(1900)는 실리콘 공급 유닛(1500)에 설치된 밸브들(V4, V5, V6, V7, V8, V9, V10, V11)을 제어한다.The controller 1900 controls the pump unit 1300 and the heater unit 1600. The controller 1900 controls the pump unit 1300 so that the phosphoric acid aqueous solution stored in the housing 1220 circulates in the circulation line 1240. The controller 1900 controls the heater unit 1600 so that the phosphoric acid aqueous solution circulating in the circulation line 1240 is heated. The controller 1900 controls the valves V1, V2, and V3 installed in the liquid supply unit 1000. Additionally, the controller 1900 controls the valves (V4, V5, V6, V7, V8, V9, V10, and V11) installed in the silicon supply unit 1500.

이하에서는, 실리콘 공급 유닛(1500)을 이용하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다.Below, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention using the silicon supply unit 1500 will be described.

도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다. 도 10 내지 도 14는 도 5의 실리콘 공급 유닛이 작동하는 과정을 보여주는 도면이다. 도 10 내지 도 14에서 열린 상태의 밸브는 내부가 빈 상태(흰색)으로 도시되었고, 닫힌 상태의 밸브는 내부가 채워진 상태(검은색)로 도시되었다. 이하에서는 제1 기체 공급 유닛(1544)이 세정 기체 공급 유닛(1562)및 제2 기체 공급 유닛(1566)의 기능을 수행하는 것으로 예를 들어 설명한다. 도 9 내지 도 14을 참조하면, 기판 처리 방법은, 인산 수용액에 실리콘을 공급하여 농도가 조절된 인산 수용액으로 기판을 처리하는 방법이다. 기판 처리 방법은 농도 조절 단계(S10)와 실리콘 공급 라인 세정 단계(S20)를 포함한다. 예를 들면, 제어기(1900)는 농도 조절 단계(S10)와 실리콘 공급 라인 세정 단계(S20)가 순차적으로 수행하도록 실리콘 공급 유닛(1500) 및 세정 유체 공급 유닛(1560)을 제어한다. 또한, 제어기(1900)는 공정 순서에 따라 실리콘 공급 유닛(1500)에 설치된 밸브들(V4, V5, V6, V7, V8, V9, V10, V11)의 ON/OFF 상태를 제어한다.9 is a flowchart showing a substrate processing method using a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Figures 10 to 14 are diagrams showing the operation process of the silicon supply unit of Figure 5. 10 to 14, the open valve is shown with an empty interior (white), and the closed valve is shown with a filled interior (black). Hereinafter, the first gas supply unit 1544 will be described as an example of performing the functions of the cleaning gas supply unit 1562 and the second gas supply unit 1566. Referring to Figures 9 to 14, the substrate processing method is a method of treating the substrate with an aqueous phosphoric acid solution whose concentration is adjusted by supplying silicon to the aqueous phosphoric acid solution. The substrate processing method includes a concentration control step (S10) and a silicon supply line cleaning step (S20). For example, the controller 1900 controls the silicon supply unit 1500 and the cleaning fluid supply unit 1560 to sequentially perform the concentration adjustment step (S10) and the silicon supply line cleaning step (S20). Additionally, the controller 1900 controls the ON/OFF states of the valves (V4, V5, V6, V7, V8, V9, V10, and V11) installed in the silicon supply unit 1500 according to the process sequence.

농도 조절 단계(S10)에서는 실리콘이 실리콘 공급원(1520)으로부터 실리콘 공급 라인(1502)을 통해 하우징(1220)에 실리콘을 공급하도록 한다. 먼저, 농도 조절 단계(S10)를 설명하면 농도 조절 단계(S10)는 실리콘 충전 단계(S110), 실리콘 보충 단계(S120)를 포함한다.In the concentration control step (S10), silicon is supplied from the silicon source 1520 to the housing 1220 through the silicon supply line 1502. First, to describe the concentration control step (S10), the concentration control step (S10) includes a silicon filling step (S110) and a silicon replenishment step (S120).

실리콘 충전 단계(S110)는 실리콘이 실리콘 공급원(1520)으로부터 정량 공급 튜브(1540)에 충전되는 단계이다. 먼저, 실리콘 충전 라인(1502a)의 밸브(V4)가 개방된다. 실리콘이 실리콘 공급원(1520)으로부터 정량 공급 튜브(1540)로 충전된다. 정량 공급 튜브(1540)에 충전되는 실리콘의 양을 레벨 센서(1542)가 감지한다. 레벨 센서(1542c)에 실리콘이 도달하면 실리콘의 충전을 중지한다. 만약 실리콘이 정량 공급 튜브(1540)내의 오버 플로우 센서(1542d)가 구비된 높이에 도달하면 드레인 라인(1546)의 밸브(V10)가 개방된다. 정량 공급 튜브(1540)에 과도하게 충전된 실리콘은 드레인 라인(1546)으로 배출된다. 실리콘 충전 단계(S110)에서는 실리콘이 정량 공급 튜브(1540)에 일정한 속도로 충전되도록 제1 기체 공급 유닛(1544)의 밸브(V6)를 개방하여 정압의 제1 기체를 공급할 수 있다. 제1 기체 공급 유니(1544)의 밸브(V6)는 항상 개방되어 있을 수 있다.The silicon filling step (S110) is a step in which silicon is filled from the silicon source 1520 into the quantitative supply tube 1540. First, the valve V4 of the silicon filling line 1502a is opened. Silicon is charged from a silicon source 1520 to a metering supply tube 1540. The level sensor 1542 detects the amount of silicon filled in the quantitative supply tube 1540. When silicon reaches the level sensor 1542c, charging of the silicon is stopped. If the silicon reaches the level provided by the overflow sensor 1542d in the quantitative supply tube 1540, the valve V10 of the drain line 1546 is opened. Silicon excessively charged in the quantitative supply tube 1540 is discharged to the drain line 1546. In the silicon charging step (S110), the first gas at a positive pressure may be supplied by opening the valve V6 of the first gas supply unit 1544 so that silicon is filled at a constant rate in the quantitative supply tube 1540. The valve V6 of the first gas supply unit 1544 may be always open.

실리콘 보충 단계(S120)는 정량 공급 튜브(1540)에 충전된 실리콘을 하우징(1220)에 보충하는 단계이다. 실리콘 충전 라인(1502a)의 밸브(V4)와 드레인 라인(1546)의 밸브(V10)를 닫고, 제1 기체 공급 유닛(1544)의 밸브(V6)와 실리콘 보충 라인(1502b)의 밸브(V5)를 개방한다. 제1 기체가 정량 공급 튜브(1540) 내부의 실리콘을 하우징(1220)으로 이동시킨다. 이 때, 제1 기체 공급 유닛(1544)에서 공급하는 제1 기체의 압력은 실리콘 충전 단계(S110)에서의 압력보다 높게 설정될 수 있다.The silicon replenishment step (S120) is a step of replenishing the housing 1220 with silicon filled in the quantitative supply tube 1540. Close valve V4 of silicon fill line 1502a and valve V10 of drain line 1546, close valve V6 of first gas supply unit 1544 and valve V5 of silicon replenishment line 1502b. open. The first gas moves the silicon inside the quantitative supply tube 1540 to the housing 1220. At this time, the pressure of the first gas supplied from the first gas supply unit 1544 may be set higher than the pressure in the silicon charging step (S110).

실리콘 충전 단계(S110)와 실리콘 보충 단계(S120)는 하우징(1220)내의 인산 수용액 중 실리콘이 기설정된 농도가 될 때까지 반복 수행할 수 있다. The silicon charging step (S110) and the silicon replenishing step (S120) may be repeatedly performed until the silicon in the phosphoric acid aqueous solution in the housing 1220 reaches a preset concentration.

다음으로, 실리콘 공급 라인 세정 단계(S20)를 설명하면, 실리콘 공급 라인 세정 단계(S20)에서는 세정 유체를 정량 공급 튜브(1540) 및 실리콘 보충 라인(1502b)으로 공급하여 내부의 잔류하는 실리콘을 제거하는 단계이다. 실리콘 공급 라인 세정 단계(S20)는 실리콘 공급 단계(S10)가 종료된 후 이어서 실행된다. 실리콘 공급 라인 세정 단계(S20)는 세정 기체 공급 단계(S210), 세정액 공급 단계(S220), 제2 기체 공급 단계(S230)를 포함한다. 실리콘 공급 라인 세정 단계(S20) 농도 조절 단계(S10) 실리콘 공급이 1회 완료된 이후 수행된다. 선택적으로 농도 조절 단계(S10)가 복수회 반복 실행된 후 수행될 수 있다.Next, explaining the silicon supply line cleaning step (S20), in the silicon supply line cleaning step (S20), cleaning fluid is supplied to the quantitative supply tube 1540 and the silicon replenishment line 1502b to remove the remaining silicon therein. This is the step. The silicon supply line cleaning step (S20) is performed after the silicon supply step (S10) is completed. The silicon supply line cleaning step (S20) includes a cleaning gas supply step (S210), a cleaning liquid supply step (S220), and a second gas supply step (S230). The silicon supply line cleaning step (S20) and the concentration adjustment step (S10) are performed after silicon supply is completed once. Optionally, the concentration adjustment step (S10) may be performed after being repeatedly performed multiple times.

세정 기체 공급 단계(S210)는 제1 기체 공급 유닛(1544) 또는 세정 기체 공급 유닛(1562)이 실리콘이 잔류하는 정량 공급 튜브(1540)와 실리콘 보충 라인(1502b)에 세정용 기체를 공급하는 단계이다. 라인(1502b)의 밸브(V5)를 닫고, 드레인 라인(1504)의 밸브(11)를 개방한다. 제1 기체 공급 유닛(1544)이 기체를 분사하여 정량 공급 튜브(1540)와 실리콘 보충 라인(1502b)에 잔류하는 실리콘을 드레인 라인(1504)으로 배출한다. 분사되는 기체는 실리콘 충전 단계(S110)의 분사 압력보다 강하게 공급될 수 있다.In the cleaning gas supply step (S210), the first gas supply unit 1544 or the cleaning gas supply unit 1562 supplies cleaning gas to the quantitative supply tube 1540 and the silicon replenishment line 1502b in which silicon remains. am. The valve V5 of the line 1502b is closed, and the valve 11 of the drain line 1504 is opened. The first gas supply unit 1544 sprays gas to discharge silicon remaining in the quantitative supply tube 1540 and the silicon replenishment line 1502b to the drain line 1504. The injected gas may be supplied stronger than the injection pressure of the silicon charging step (S110).

세정액 공급 단계(S220)는 세정 기체 공급 단계(S210)에서 제거되지 않은 실리콘을 제거하는 단계이다. 제1 기체 공급 유닛(1544)의 밸브(V6)를 닫고, 세정액 공급 유닛(1564)의 밸브(V8)를 개방한다. 세정액이 실리콘 공급 라인(1502) 및 정량 공급 튜브(1540)에 잔류하는 실리콘을 드레인 라인(1504)으로 배출한다.The cleaning liquid supply step (S220) is a step of removing silicon not removed in the cleaning gas supply step (S210). The valve V6 of the first gas supply unit 1544 is closed, and the valve V8 of the cleaning liquid supply unit 1564 is opened. The cleaning liquid discharges the silicon remaining in the silicon supply line 1502 and the quantitative supply tube 1540 to the drain line 1504.

제2 기체 공급 단계(S230)는 세정액 공급 단계(S220) 이후 정량 공급 튜브(1540)와 실리콘 보충 라인(1502b)에 남아있는 세정액을 제거하는 단계이다. 세정액 공급 유닛(1564)의 밸브(V8)를 닫고, 제1 기체 공급 유닛(1566)의 밸브(V6)를 개방한다. 제1 기체 공급 유닛(1544)이 기체를 분사하여 정량 공급 튜브(1540)와 실리콘 보충 라인(1502b)에 잔류하는 실리콘을 드레인 라인(1504)으로 배출한다. 분사되는 기체는 세정 기체 공급 단계(S210)의 분사 압력보다 강하게 공급될 수 있다.The second gas supply step (S230) is a step of removing the cleaning solution remaining in the quantitative supply tube 1540 and the silicone replenishment line (1502b) after the cleaning solution supply step (S220). The valve V8 of the cleaning liquid supply unit 1564 is closed, and the valve V6 of the first gas supply unit 1566 is opened. The first gas supply unit 1544 sprays gas to discharge silicon remaining in the quantitative supply tube 1540 and the silicon replenishment line 1502b to the drain line 1504. The injected gas may be supplied stronger than the injection pressure of the cleaning gas supply step (S210).

실리콘 공급 라인 세정 단계(S20)가 종료되면, 실리콘 보충 라인(1502b) 중 하우징(1220)에 연결된 부분을 세정하는 실리콘 보충 라인 세정 단계(S30)가 수행된다.When the silicon supply line cleaning step (S20) is completed, a silicon replenishment line cleaning step (S30) is performed to clean the portion of the silicon replenishment line (1502b) connected to the housing 1220.

실리콘 보충 라인 세정 단계(S30)는 실리콘 공급 라인 세정 단계(S20)와 동일한 순서로 진행될 수 있다. 실리콘 보충 라인 세정 단계(S30)에서는 드레인 라인(1504)의 밸브(V11)를 닫고 실리콘 보충 라인(1502b)의 밸브(V5)를 개방한다.The silicon replenishment line cleaning step (S30) may be performed in the same order as the silicon supply line cleaning step (S20). In the silicon replenishment line cleaning step (S30), the valve V11 of the drain line 1504 is closed and the valve V5 of the silicon replenishment line 1502b is opened.

실리콘 공급 라인 세정 단계(S20)와 실리콘 보충 라인 세정 단계(S30)에서 세정 기체만을 이용하여 세정할 경우 정량 공급 튜브(1540) 및 실리콘 공급 라인(1502b)에 실리콘이 잔류하는 문제가 있다. 반대로 세정액 만을 이용하여 세정할 경우 세정 효과는 높으나 하우징(1220)내부로 세정액이 과도하게 공급되어 인산 수용액의 농도에 영향을 주게 된다. 따라서, 세정용 기체로 실리콘 공급 라인(1502)을 먼저 세정한 후 세정액을 가능한 적게 공급함으로써 인산 수용액의 농도변화를 최소화할 수 있다.When cleaning is performed using only a cleaning gas in the silicon supply line cleaning step (S20) and the silicon replenishment line cleaning step (S30), there is a problem that silicon remains in the quantitative supply tube 1540 and the silicon supply line 1502b. Conversely, when cleaning is performed using only the cleaning solution, the cleaning effect is high, but the cleaning solution is excessively supplied into the housing 1220, affecting the concentration of the phosphoric acid aqueous solution. Therefore, the change in concentration of the phosphoric acid aqueous solution can be minimized by first cleaning the silicon supply line 1502 with a cleaning gas and then supplying as little cleaning solution as possible.

도 15와 도 16은 각각 기판 처리 장치의 변형 예를 보여주는 도면들이다.Figures 15 and 16 are diagrams each showing a modified example of a substrate processing apparatus.

도 15에 도시된 바와 같이, 탱크(1200)의 하우징(1220)에 연결된 유입라인(1420)은 액 처리 챔버(400)에 직접 결합될 수 있다. 이 경우 액 처리 챔버(400)에서 기판 처리에 사용된 처리액은 탱크(1200)의 하우징(1220)에 직접 회수된다. 또한, 유출 라인(1440)은 액 처리 챔버(400)의 노즐에 직접 결합될 수 있다. 이 경우, 탱크(1200)에서 온도 및 농도가 조절된 인산 수용액은 유출 라인(1440)을 통해 노즐로 인산 수용액이 공급될 수 있다.As shown in FIG. 15, the inflow line 1420 connected to the housing 1220 of the tank 1200 may be directly coupled to the liquid treatment chamber 400. In this case, the processing liquid used to process the substrate in the liquid processing chamber 400 is directly recovered into the housing 1220 of the tank 1200. Additionally, the outlet line 1440 may be directly coupled to the nozzle of the liquid processing chamber 400. In this case, the phosphoric acid aqueous solution whose temperature and concentration have been adjusted in the tank 1200 may be supplied to the nozzle through the outflow line 1440.

또한, 도 16에 도시된 바와 같이, 액 처리 챔버(400)에서 기판 처리에 사용된 처리액은 응축조(5001)로 직접 회수되고, 이후에 응축조(5001)로부터 탱크(1200)로 유입 라인(1420)을 통해서 처리액이 유입될 수 있다. 또한, 탱크(1200)에서 온도 및 농도가 조절된 인산 수용액은 유출 라인(1440)을 통해 버퍼 탱크(5002)로 공급되고, 이후에 버퍼 탱크(5002)로부터 노즐로 인산 수용액이 공급될 수 있다. 응축조(5001)와 버퍼 탱크(5002) 중 어느 하나, 또는 응축조(5001)와 버퍼 탱크(5002)는 탱크(1200)와 동일 또는 유사한 구조로 제공될 수 있다. 농도가 조절된 인산 수용액은 액 처리 챔버(400)의 노즐로 직접 공급된다.In addition, as shown in FIG. 16, the processing liquid used for substrate processing in the liquid processing chamber 400 is directly recovered to the condensation tank 5001, and is then transferred through an inflow line from the condensation tank 5001 to the tank 1200. Processing liquid may flow in through (1420). Additionally, the phosphoric acid aqueous solution whose temperature and concentration are adjusted in the tank 1200 may be supplied to the buffer tank 5002 through the outflow line 1440, and then the phosphoric acid aqueous solution may be supplied from the buffer tank 5002 to the nozzle. Either of the condensation tank 5001 and the buffer tank 5002, or the condensation tank 5001 and the buffer tank 5002 may be provided with the same or similar structure as the tank 1200. The phosphoric acid aqueous solution whose concentration is adjusted is directly supplied to the nozzle of the liquid treatment chamber 400.

상술한 예에서는 액 처리 챔버(400)가 낱장의 기판(W)을 액 처리하는 매엽식인 것으로 설명하였으나, 도 17에 도시된 바와 같이, 복수개의 기판(W)들을 동시에 액 처리할 수 있는 배치식 액 처리 챔버(500)로 제공될 수 있다.In the above-mentioned example, the liquid processing chamber 400 was described as a single wafer type for liquid processing a single substrate W. However, as shown in FIG. 17, it is a batch type capable of liquid processing a plurality of substrates W simultaneously. It may be provided as a liquid processing chamber 500.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따르면, 실리콘 공급 라인에 세정 기체를 공급 후 세정액을 공급함으로써 인산 수용액의 농도를 최소한으로 변화시킬 수 있는 효과가 있다. 또한. 실리콘 공급 라인 내에 실리콘 석출 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to one embodiment of the present invention, the concentration of the phosphoric acid aqueous solution can be minimally changed by supplying the cleaning solution after supplying the cleaning gas to the silicon supply line. also. It has the effect of preventing silicon precipitation within the silicon supply line.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above-described content shows and explains preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, changes, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the inventive concept disclosed in this specification, the scope equivalent to the written disclosure, and/or the technology or knowledge in the art. The written examples illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required for specific application fields and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention above is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Additionally, the appended claims should be construed to include other embodiments as well.

1500 : 실리콘 공급 유닛
1502 : 실리콘 공급 라인
1502a : 실리콘 충전 라인
1502b : 실리콘 보충 라인
1504 : 드레인 라인
1520 : 실리콘 공급원
1522 : 필터
1524 : 온도센서
1526 : 니들 밸브
1540 : 정량 공급 튜브
1542 : 레벨 센서
1544 : 제1 기체 공급 유닛
1546 : 드레인 라인
1560 : 세정 유체 공급 유닛
1562 : 세정 기체 공급 유닛
1564 : 세정액 공급 유닛
1566 : 제2 기체 공급 유닛
V4 : 밸브
V5 : 밸브
V6 : 밸브
V7 : 밸브
V8 : 밸브
V9 : 밸브
V10 : 밸브
V11 : 밸브1500: Silicone supply unit
1502: Silicone supply line
1502a: Silicone filling line
1502b: Silicone replenishment line
1504: drain line
1520: Silicone source
1522: filter
1524: Temperature sensor
1526: Needle valve
1540: Quantitative supply tube
1542: Level sensor
1544: First gas supply unit
1546: drain line
1560: Cleaning fluid supply unit
1562: Cleaning gas supply unit
1564: Cleaning liquid supply unit
1566: Second gas supply unit
V4: valve
V5: valve
V6: valve
V7: valve
V8: valve
V9: valve
V10: Valve
V11: valve

Claims

In a device for processing a substrate,
A cup that provides processing space inside; and
a support unit supporting the substrate in the processing space and rotating the substrate; and
a nozzle supplying a processing liquid to the substrate; and
Includes a liquid supply unit that supplies the processing liquid to the nozzle,
The liquid supply unit,
It includes a tank for storing the treatment liquid,
The tank is,
A housing having a space inside to store the treatment liquid; and
It includes a silicon supply unit that supplies silicon to the housing,
The silicon supply unit is,
a silicon supply line that supplies the silicon to the housing; and,
A substrate processing apparatus comprising: a cleaning fluid supply unit supplying a cleaning fluid for removing the silicon remaining in the silicon supply line.

According to clause 1,
The cleaning fluid supply unit,
A substrate processing apparatus including a liquid supply unit that supplies cleaning liquid to the silicon supply unit.

According to clause 2,
The cleaning fluid supply unit,
A substrate processing apparatus further comprising a first gas supply unit supplying gas to the silicon supply unit.

According to clause 3,
The cleaning fluid supply unit,
A substrate processing apparatus further comprising a second gas supply unit supplying a higher pressure gas to the silicon supply unit than the gas supplied from the first gas supply unit.

According to clause 1,
The silicon supply unit is,
It further includes a fixed quantity supply tube provided in the silicon supply line,
The silicon supply line is,
a first silicon supply line supplying the silicon to the quantitative supply tube; and
It consists of a second silicon supply line connecting the quantitative supply tube and the housing,
The cleaning fluid supply unit,
A substrate processing device connected to the quantitative supply tube.

A concentration control step of adjusting the concentration of silicon by supplying silicon from a silicon supply unit into a housing where a phosphoric acid aqueous solution containing silicon is stored; and
After the concentration adjustment step, a silicon supply unit cleaning step of removing silicon remaining in the silicon supply unit,
The silicon supply unit cleaning step is,
A cleaning liquid supply step of supplying a cleaning liquid to a silicon supply line included in the silicon supply unit; and
A substrate processing method including a cleaning gas supply step of supplying cleaning gas to the silicon supply line.

According to clause 6,
The cleaning gas supply step is,
A substrate processing method performed prior to the cleaning liquid supply step.

According to clause 7,
The silicon supply line cleaning step is,
After the cleaning liquid supply step, a high-pressure gas supply step of supplying a higher pressure gas to the silicon supply line than the cleaning gas supply step.

According to clause 6,
The silicon supply unit is,
a fixed-quantity supply tube for receiving a fixed amount of the silicon supplied to the housing; and
A cleaning fluid supply line supplying the cleaning liquid and the cleaning gas to the silicon supply line.

According to clause 9,
The concentration control step is,
A flow rate control step of filling a fixed amount of silicon supplied to the housing into a supply tube; and
A supply step of supplying the silicon filled in the quantitative supply tube to the housing.