KR20240079626A - Display device and display panel - Google Patents
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Abstract
본 개시의 실시예들은 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인이 교차하는 영역에 배치되는 복수의 서브픽셀과, 상기 복수의 게이트 라인을 통해 복수의 스캔 신호를 상기 복수의 서브픽셀에 공급하는 복수의 게이트 인 패널(GIP) 회로와, 상기 복수의 스캔 신호에 대응되는 복수의 스캔 클럭을 상기 복수의 게이트 인 패널(GIP) 회로에 공급하는 복수의 스캔 클럭 라인과, 상기 복수의 스캔 클럭 라인 중에서 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 1 더미 스캔 클럭 라인과, 상기 복수의 스캔 클럭 라인 중에서 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 2 더미 스캔 클럭 라인을 포함하는 디스플레이 패널을 제공할 수 있다.Embodiments of the present disclosure relate to a display device and a display panel, and more specifically, to a plurality of subpixels disposed in an area where a plurality of gate lines and a plurality of data lines intersect, and a plurality of subpixels arranged through the plurality of gate lines. A plurality of gate in panel (GIP) circuits that supply scan signals to the plurality of subpixels, and a plurality of scan clocks corresponding to the plurality of scan signals to the plurality of gate in panel (GIP) circuits. A scan clock line, a first dummy scan clock line disposed adjacent to a first outermost scan clock line among the plurality of scan clock lines, and adjacent to a second outermost scan clock line among the plurality of scan clock lines. A display panel including a second dummy scan clock line may be provided.
Description
본 개시의 실시예들은 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 클럭 라인의 커플링에 의한 영상 불량을 감소시킬 수 있는 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널에 관한 것이다.Embodiments of the present disclosure relate to a display device and a display panel, and more specifically, to a display device and a display panel that can reduce image defects caused by coupling of clock lines.
디지털 데이터를 이용하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치로는 액정을 이용한 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display; LCD) 장치, 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED)를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치 등이 대표적이다.Representative display devices that display images using digital data include liquid crystal display (LCD) devices using liquid crystals and organic light emitting display devices using organic light emitting diodes (OLED).
이러한 디스플레이 장치 중 유기 발광 디스플레이 장치는 스스로 발광하는 발광 다이오드를 이용함으로써, 응답 속도가 빠르고 명암비, 발광 효율, 휘도 및 시야각 등에서 장점이 존재한다. 이 경우, 발광 다이오드는 무기물 또는 유기물로 구현될 수 있다.Among these display devices, organic light emitting display devices use light emitting diodes that emit light on their own, so they have advantages in terms of fast response speed, contrast ratio, luminous efficiency, brightness, and viewing angle. In this case, the light emitting diode may be implemented as an inorganic or organic material.
이러한 유기 발광 디스플레이 장치는 디스플레이 패널에 배열된 복수의 서브픽셀(Subpixel) 각각에 배치된 발광 다이오드(Light Emitting Diode)를 포함하고, 발광 다이오드에 흐르는 전류 제어를 통해 발광 다이오드를 발광시킴으로써 각각의 서브픽셀이 나타내는 휘도를 제어하며 이미지를 표시할 수 있다.This organic light emitting display device includes a light emitting diode disposed in each of a plurality of subpixels arranged on a display panel, and each subpixel emits light by controlling the current flowing through the light emitting diode. The image can be displayed by controlling the luminance.
이러한 디스플레이 장치는 디스플레이 패널을 구동할 수 있는 게이트 구동 회로와 데이터 구동 회로를 포함한다.This display device includes a gate driving circuit and a data driving circuit that can drive the display panel.
이 중에서, 게이트 구동 회로는 복수의 스캔 신호를 출력하는 게이트 구동 집적 회로를 다수 포함할 수 있는데, 게이트 구동 집적 회로에 인가되는 클럭 라인 사이의 커플링으로 인해 디스플레이 패널에 가로선 불량이 발생하는 문제가 발생할 수 있다. Among these, the gate driving circuit may include a plurality of gate driving integrated circuits that output a plurality of scan signals. There is a problem of horizontal line defects occurring on the display panel due to coupling between clock lines applied to the gate driving integrated circuit. It can happen.
이에, 본 개시의 발명자들은 클럭 라인의 커플링에 의한 영상 불량을 감소시킬 수 있는 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널을 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present disclosure have invented a display device and display panel that can reduce image defects caused by clock line coupling.
본 개시의 실시예들은 커플링에 의한 휘도 편차가 발생할 수 있는 클럭 라인에 인접하게 더미 클럭 라인을 배치함으로써, 영상 품질을 개선할 수 있는 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널을 제공할 수 있다.Embodiments of the present disclosure can provide a display device and display panel that can improve image quality by arranging a dummy clock line adjacent to a clock line where luminance deviation may occur due to coupling.
또한, 본 개시의 실시예들은 더미 클럭 라인을 통해 휘도 편차를 개선할 수 있는 클럭을 인가함으로써, 영상 품질을 개선할 수 있는 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널을 제공할 수 있다.Additionally, embodiments of the present disclosure can provide a display device and display panel that can improve image quality by applying a clock that can improve luminance deviation through a dummy clock line.
본 개시의 실시예들은 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인이 교차하는 영역에 배치되는 복수의 서브픽셀과, 상기 복수의 게이트 라인을 통해 복수의 스캔 신호를 상기 복수의 서브픽셀에 공급하는 복수의 게이트 인 패널(GIP) 회로와, 상기 복수의 스캔 신호에 대응되는 복수의 스캔 클럭을 상기 복수의 게이트 인 패널(GIP) 회로에 공급하는 복수의 스캔 클럭 라인과, 상기 복수의 스캔 클럭 라인 중에서 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 1 더미 스캔 클럭 라인과, 상기 복수의 스캔 클럭 라인 중에서 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 2 더미 스캔 클럭 라인을 포함하는 디스플레이 패널을 제공할 수 있다.Embodiments of the present disclosure include a plurality of subpixels disposed in an area where a plurality of gate lines and a plurality of data lines intersect, and a plurality of subpixels that supply a plurality of scan signals to the plurality of subpixels through the plurality of gate lines. A gate in panel (GIP) circuit, a plurality of scan clock lines that supply a plurality of scan clocks corresponding to the plurality of scan signals to the plurality of gate in panel (GIP) circuits, and a first of the plurality of scan clock lines. 1 A display panel including a first dummy scan clock line disposed adjacent to an outermost scan clock line and a second dummy scan clock line disposed adjacent to a second outermost scan clock line among the plurality of scan clock lines. can be provided.
본 개시의 실시예들은 복수의 서브픽셀이 배치된 디스플레이 패널과, 복수의 게이트 라인을 통해 상기 디스플레이 패널에 복수의 스캔 신호를 공급하도록 구성된 복수의 게이트 구동 집적 회로를 포함하는 게이트 구동 회로와, 복수의 데이터 라인을 통해 상기 디스플레이 패널에 복수의 데이터 전압을 공급하도록 구성된 데이터 구동 회로와, 상기 게이트 구동 회로와 상기 데이터 구동 회로를 제어하도록 구성된 타이밍 컨트롤러와, 상기 복수의 스캔 신호에 대응되는 복수의 스캔 클럭을 상기 복수의 게이트 구동 집적 회로에 공급하는 복수의 스캔 클럭 라인과, 상기 복수의 스캔 클럭 라인 중에서 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 1 더미 스캔 클럭 라인과, 상기 복수의 스캔 클럭 라인 중에서 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 2 더미 스캔 클럭 라인을 포함하는 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.Embodiments of the present disclosure include a display panel on which a plurality of subpixels are arranged, a gate driving circuit including a plurality of gate driving integrated circuits configured to supply a plurality of scan signals to the display panel through a plurality of gate lines, and a plurality of gate driving circuits. a data driving circuit configured to supply a plurality of data voltages to the display panel through a data line, a timing controller configured to control the gate driving circuit and the data driving circuit, and a plurality of scan signals corresponding to the plurality of scan signals. A plurality of scan clock lines that supply clocks to the plurality of gate driving integrated circuits, a first dummy scan clock line disposed adjacent to a first outermost scan clock line among the plurality of scan clock lines, and the plurality of scan clock lines. A display device including a second dummy scan clock line disposed adjacent to the second outermost scan clock line among clock lines can be provided.
본 개시의 실시예들에 의하면, 클럭 라인의 커플링에 의한 영상 불량을 감소시킬 수 있는 효과가 있다. According to embodiments of the present disclosure, there is an effect of reducing image defects caused by coupling of clock lines.
또한, 본 개시의 실시예들에 의하면, 커플링에 의한 휘도 편차가 발생할 수 있는 클럭 라인에 인접하게 더미 클럭 라인을 배치함으로써, 영상 품질을 개선할 수 있는 효과가 있다.Additionally, according to embodiments of the present disclosure, there is an effect of improving image quality by arranging a dummy clock line adjacent to a clock line where luminance deviation may occur due to coupling.
또한, 본 개시의 실시예들에 의하면, 더미 클럭 라인을 통해 휘도 편차를 개선할 수 있는 더미 클럭을 인가함으로써, 영상 품질을 개선할 수 있는 효과가 있다.Additionally, according to embodiments of the present disclosure, there is an effect of improving image quality by applying a dummy clock that can improve luminance deviation through a dummy clock line.
도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치의 시스템 예시도이다.
도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서 서브픽셀을 구성하는 회로의 한 가지 예시 도면이다.
도 4는 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서, 게이트 구동 회로가 GIP 타입으로 구현된 디스플레이 패널을 예시로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서, 게이트 구동 집적 회로의 개략적 구성을 나타낸 블록도이다.
도 6은 본 개시의 실시예들에 따른 게이트 구동 회로를 구성하는 다수의 스테이지 회로 구성을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 구동 회로에서, 게이트 구동 회로를 구성하는 스테이지 회로를 예시로 나타낸 도면이다.
도 8 은 하나의 게이트 구동 집적 회로에서 16상 스캔 클럭 라인이 배치된 경우를 예시로 나타낸 도면이다.
도 9는 16상 스캔 클럭 라인을 통해 인가되는 16상 스캔 클럭의 신호 파형도를 예시로 나타낸 도면이다.
도 10은 도 8 및 도 9의 구조에서, 스캔 클럭 라인들 사이의 기생 커패시턴스와 이로 인한 스캔 신호의 왜곡을 예시로 나타낸 도면이다.
도 11 은 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서, 기생 커패시턴스를 줄일 수 있는 스캔 클럭 라인의 배치를 예시로 나타낸 도면이다.
도 12는 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서, 도 11의 스캔 클럭 라인의 배치에 따른 신호 파형도를 예시로 나타낸 도면이다.
도 13은 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서, 더미 스캔 클럭 라인을 통해 인가되는 더미 스캔 클럭에 의해서 가로선 불량이 개선되는 경우를 예시로 나타낸 도면이다.
도 14 는 본 개시의 또 다른 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서, 기생 커패시턴스를 줄일 수 있는 12상 스캔 클럭 라인의 배치를 예시로 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a display device according to embodiments of the present disclosure.
Figure 2 is a system diagram of a display device according to embodiments of the present disclosure.
Figure 3 is an example diagram of a circuit forming a subpixel in a display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 4 is a diagram showing an example of a display panel in which a gate driving circuit is implemented as a GIP type in a display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of a gate driving integrated circuit in a display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 6 is a diagram showing the configuration of a plurality of stage circuits constituting a gate driving circuit according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 7 is a diagram showing an example of a stage circuit constituting a gate driving circuit in a display driving circuit according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a 16-phase scan clock line arranged in one gate driving integrated circuit.
Figure 9 is a diagram showing an example of a signal waveform diagram of a 16-phase scan clock applied through a 16-phase scan clock line.
FIG. 10 is a diagram illustrating the parasitic capacitance between scan clock lines and the resulting distortion of the scan signal in the structures of FIGS. 8 and 9 as an example.
FIG. 11 is a diagram showing an example of the arrangement of scan clock lines that can reduce parasitic capacitance in a display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 12 is a diagram showing an example of a signal waveform according to the arrangement of the scan clock line of FIG. 11 in a display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 13 is a diagram showing an example of a case in which horizontal line defects are improved by a dummy scan clock applied through a dummy scan clock line in a display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 14 is a diagram showing an example of the arrangement of a 12-phase scan clock line that can reduce parasitic capacitance in a display device according to further embodiments of the present disclosure.
이하, 본 개시의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 개시를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to illustrative drawings. In adding reference numerals to components in each drawing, identical components may have the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. Additionally, in describing the present disclosure, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present disclosure, the detailed description may be omitted. When “comprises,” “has,” “consists of,” etc. mentioned in the specification are used, other parts may be added unless “only” is used. When a component is expressed in the singular, it can also include the plural, unless specifically stated otherwise.
또한, 본 개시의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. Additionally, in describing the components of the present disclosure, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the components are not limited by the term.
구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다. In the description of the positional relationship of components, when two or more components are described as being “connected,” “coupled,” or “connected,” the two or more components are directly “connected,” “coupled,” or “connected.” ", but it should be understood that two or more components and other components may be further "interposed" and "connected," "combined," or "connected." Here, other components may be included in one or more of two or more components that are “connected,” “coupled,” or “connected” to each other.
구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the explanation of temporal flow relationships related to components, operation methods, production methods, etc., for example, temporal precedence relationships such as “after”, “after”, “after”, “before”, etc. Or, when a sequential relationship is described, non-continuous cases may be included unless “immediately” or “directly” is used.
한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.On the other hand, when a numerical value or corresponding information (e.g. level, etc.) for a component is mentioned, even if there is no separate explicit description, the numerical value or corresponding information is related to various factors (e.g. process factors, internal or external shocks, It can be interpreted as including the error range that may occur due to noise, etc.).
도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a display device according to embodiments of the present disclosure.
도 1을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 다수의 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 연결되고, 다수의 서브픽셀(SP)이 매트릭스 형태로 배열된 디스플레이 패널(110), 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 구동 회로(120), 다수의 데이터 라인(DL)을 통해 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로(130), 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(140), 및 파워 관리 회로(150)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the
디스플레이 패널(110)은 다수의 게이트 라인(GL)을 통해 게이트 구동 회로(120)에서 전달되는 스캔 신호와 다수의 데이터 라인(DL)을 통해 데이터 구동 회로(130)에서 전달되는 데이터 전압을 기반으로 영상을 표시한다.The
액정 디스플레이의 경우, 디스플레이 패널(110)은 두 장의 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하며, TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드 등 공지된 어떠한 모드로도 동작될 수 있을 것이다. 반면, 유기 발광 디스플레이의 경우, 디스플레이 패널(110)은 전면 발광(Top Emission) 방식, 배면 발광(Bottom Emission) 방식 또는 양면 발광(Dual Emission) 방식 등으로 구현될 수 있을 것이다.In the case of a liquid crystal display, the
디스플레이 패널(110)은 다수의 픽셀이 매트릭스 형태로 배열될 수 있으며, 각 픽셀은 서로 다른 컬러의 서브픽셀(SP), 예를 들어 화이트 서브픽셀, 레드 서브픽셀, 그린 서브픽셀, 및 블루 서브픽셀로 이루어지며, 각 서브픽셀(SP)은 다수의 데이터 라인(DL)과 다수의 게이트 라인(GL)에 의해 정의될 수 있다. The
하나의 서브픽셀(SP)은 하나의 데이터 라인(DL)과 하나의 게이트 라인(GL)이 교차하는 영역에 형성된 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT), 데이터 전압을 충전하는 유기 발광 다이오드와 같은 발광 소자, 발광 소자에 전기적으로 연결되어 전압을 유지시키기 위한 스토리지 커패시터(Storage Capacitor) 등을 포함할 수 있다.One subpixel (SP) is a thin film transistor (TFT) formed in the area where one data line (DL) and one gate line (GL) intersect, and a light emitting diode such as an organic light emitting diode that charges data voltage. It may include a storage capacitor that is electrically connected to the device and the light emitting device to maintain the voltage.
예를 들어, 2,160 X 3,840 의 해상도를 가지는 디스플레이 장치(100)가 화이트(W), 레드(R), 그린(G), 블루(B)의 4개 서브픽셀(SP)로 이루어지는 경우, 2,160 개의 게이트 라인(GL)과 4개의 서브픽셀(WRGB)에 각각 연결되는 3,840 개의 데이터 라인(DL)에 의해, 모두 3,840 X 4 = 15,360 개의 데이터 라인(DL)이 구비될 수 있으며, 이들 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차되는 지점에 각각 서브픽셀(SP)이 배치될 것이다.For example, if the
게이트 구동 회로(120)는 컨트롤러(140)에 의해 제어되는데, 디스플레이 패널(110)에 배치된 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 출력함으로써 다수의 서브픽셀(SP)에 대한 구동 타이밍을 제어한다. The
2,160 X 3,840 의 해상도를 가지는 디스플레이 장치(100)에서, 2,160 개의 게이트 라인(GL)에 대하여 제 1 게이트 라인으로부터 제 2,160 게이트 라인까지 순차적으로 스캔 신호를 출력하는 경우를 2,160상(2,160 phase) 구동이라 할 수 있다. 또는, 제 1 게이트 라인으로부터 제 4 게이트 라인까지 순차적으로 스캔 신호를 출력한 다음, 제 5 게이트 라인으로부터 제 8 게이트 라인까지 스캔 신호를 순차적으로 출력하는 경우와 같이, 4개의 게이트 라인(GL)을 단위로 순차적으로 스캔 신호를 출력하는 경우를 4상 구동이라고 한다. 즉, N개의 게이트 라인(GL) 마다 순차적으로 스캔 신호를 출력하는 경우를 N상 구동이라고 할 수 있다.In the
이 때, 게이트 구동 회로(120)는 하나 이상의 게이트 구동 집적 회로(Gate Driving Integrated Circuit; GDIC)를 포함할 수 있으며, 구동 방식에 따라 디스플레이 패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고 양 측에 위치할 수도 있다. 또는, 게이트 구동 회로(120)가 디스플레이 패널(110)의 베젤(Bezel) 영역에 내장되어 게이트 인 패널(Gate In Panel; GIP) 형태로 구현될 수도 있다.At this time, the
데이터 구동 회로(130)는 타이밍 컨트롤러(140)로부터 영상 데이터(DATA)를 수신하고, 수신된 영상 데이터(DATA)를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환한다. 그런 다음, 게이트 라인(GL)을 통해 스캔 신호가 인가되는 타이밍에 맞춰 데이터 전압을 각각의 데이터 라인(DL)으로 출력함으로써, 데이터 라인(DL)에 연결된 각 서브픽셀(SP)은 데이터 전압에 해당하는 밝기의 발광 신호를 디스플레이 한다.The
마찬가지로, 데이터 구동 회로(130)는 하나 이상의 소스 구동 집적 회로(Source Driving Integrated Circuit; SDIC)를 포함할 수 있으며, 소스 구동 집적 회로(SDIC)는 TAB (Tape Automated Bonding) 방식 또는 COG (Chip On Glass) 방식으로 디스플레이 패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나 디스플레이 패널(110) 상에 직접 배치될 수 있다. Likewise, the
경우에 따라서, 각 소스 구동 집적 회로(SDIC)는 디스플레이 패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 소스 구동 집적 회로(SDIC)는 COF (Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있으며, 이 경우에, 각 소스 구동 집적 회로(SDIC)는 회로 필름 상에 실장 되어, 회로 필름을 통해 디스플레이 패널(110)의 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결될 수 있다.In some cases, each source driving integrated circuit (SDIC) may be integrated and disposed on the
타이밍 컨트롤러(140)는 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)에 여러 가지 제어 신호를 공급하며, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)의 동작을 제어한다. 즉, 타이밍 컨트롤러(140)는 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 게이트 구동 회로(120)가 스캔 신호를 출력하도록 제어하고, 다른 한편으로는 외부에서 수신한 영상 데이터(DATA)를 데이터 구동 회로(130)에 전달한다.The
이 때, 타이밍 컨트롤러(140)는 영상 데이터(DATA)와 함께 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable; DE), 메인 클럭(MCLK) 등을 포함하는 여러 가지 타이밍 신호를 외부의 호스트 시스템(200)으로부터 수신한다. At this time, the
호스트 시스템(200)은 TV(Television) 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 모바일 기기, 웨어러블 기기 중 어느 하나일 수 있다.The
이에 따라, 타이밍 컨트롤러(140)는 호스트 시스템(200)으로부터 수신한 여러 가지 타이밍 신호를 이용하여 제어 신호를 생성하고, 이를 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130)로 전달한다.Accordingly, the
예를 들어, 타이밍 컨트롤러(140)는 게이트 구동 회로(120)를 제어하기 위해서, 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse; GSP), 게이트 클럭(Gate Clock; GCLK), 게이트 출력 인에이블 신호(Gate Output Enable; GOE) 등을 포함하는 여러 가지 게이트 제어 신호를 출력한다. 여기에서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 구동 회로(120)를 구성하는 하나 이상의 게이트 구동 집적 회로(GDIC)가 동작을 시작하는 타이밍을 제어한다. 또한, 게이트 클럭(GCLK)은 하나 이상의 게이트 구동 집적 회로(GDIC)에 공통으로 입력되는 신호로서, 스캔 신호의 시프트 타이밍을 제어한다. 또한, 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 구동 집적 회로(GDIC)의 타이밍 정보를 지정한다.For example, the
또한, 타이밍 컨트롤러(140)는 데이터 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse; SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock; SCLK), 소스 출력 인에이블 신호(Source Output Enable; SOE) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호를 출력한다. 여기에서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 구동 회로(130)를 구성하는 하나 이상의 소스 구동 집적 회로(SDIC)가 데이터 샘플링을 시작하는 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SCLK)은 소스 구동 집적 회로(SDIC)에서 데이터를 샘플링하는 타이밍을 제어하는 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 구동 회로(130)의 출력 타이밍을 제어한다.In addition, the
이러한 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 패널(110), 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나, 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 파워 관리 회로(150)를 포함할 수 있다.This
파워 관리 회로(150)는 호스트 시스템(200)으로부터 공급되는 직류 입력 전압(Vin)을 조정하여 디스플레이 패널(100), 및 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)의 구동에 필요한 전원을 발생한다.The
한편, 서브픽셀(SP)은 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차되는 지점에 위치하며, 각각의 서브픽셀(SP)에는 발광 소자가 배치될 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 디스플레이 장치는 각각의 서브픽셀(SP)에 유기 발광 다이오드와 같은 발광 소자를 포함하며, 데이터 전압에 따라 발광 소자에 흐르는 전류를 제어함으로써 영상을 표시할 수 있다.Meanwhile, the subpixel SP is located at a point where the gate line GL and the data line DL intersect, and a light emitting device may be disposed in each subpixel SP. For example, an organic light emitting display device includes a light emitting device such as an organic light emitting diode in each subpixel (SP), and can display an image by controlling the current flowing through the light emitting device according to the data voltage.
이러한 디스플레이 장치(100)는 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display), 유기 발광 디스플레이(Organic Light Emitting Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel) 등 다양한 타입의 장치일 수 있다.This
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치의 시스템 예시도이다. Figure 2 is an exemplary system diagram of a display device according to embodiments of the present disclosure.
도 2를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)는 데이터 구동 회로(130)에 포함된 소스 구동 집적 회로(SDIC)가 다양한 방식들(TAB, COG, COF 등) 중에서 COF (Chip On Film) 방식으로 구현되고, 게이트 구동 회로(120)가 다양한 방식들(TAB, COG, COF, GIP 등) 중에서 GIP (Gate In Panel) 형태로 구현된 경우를 나타낸 것이다. Referring to FIG. 2, the
게이트 구동 회로(120)가 GIP 형태로 구현되는 경우, 게이트 구동 회로(120)에 포함된 복수의 게이트 구동 집적 회로(GDIC)는 디스플레이 패널(110)의 베젤 영역에 직접 형성될 수 있다. 이 때, 게이트 구동 집적 회로(GDIC)는 베젤 영역에 배치된 게이트 구동 관련 신호 배선을 통해, 스캔 신호의 생성에 필요한 각종 신호(클럭, 게이트 하이 전압, 게이트 로우 전압 등)를 공급받을 수 있다. When the
마찬가지로, 데이터 구동 회로(130)에 포함된 하나 이상의 소스 구동 집적 회로(SDIC)는 각각 소스 필름(SF) 상에 실장될 수 있으며, 소스 필름(SF)의 일측은 디스플레이 패널(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 소스 필름(SF)의 상부에는 소스 구동 집적 회로(SDIC)와 디스플레이 패널(110)을 전기적으로 연결하기 위한 배선들이 배치될 수 있다. Likewise, one or more source driving integrated circuits (SDICs) included in the
이러한 디스플레이 장치(100)는 복수의 소스 구동 집적 회로(SDIC)와 다른 장치들 간의 회로적인 연결을 위해서, 적어도 하나의 소스 인쇄 회로 기판(Source Printed Circuit Board; SPCB)과, 제어 부품들 및 각종 전기 장치들을 실장하기 위한 컨트롤 인쇄 회로 기판(Control Printed Circuit Board; CPCB)을 포함할 수 있다. This
이 때, 적어도 하나의 소스 인쇄 회로 기판(SPCB)에는 소스 구동 집적 회로(SDIC)가 실장된 소스 필름(SF)의 타측이 연결될 수 있다. 즉, 소스 구동 집적 회로(SDIC)가 실장된 소스 필름(SF)은 일측이 디스플레이 패널(110)과 전기적으로 연결되고, 타측이 소스 인쇄 회로 기판(SPCB)과 전기적으로 연결될 수 있다. At this time, the other side of the source film (SF) on which the source driving integrated circuit (SDIC) is mounted may be connected to at least one source printed circuit board (SPCB). That is, one side of the source film SF on which the source driving integrated circuit (SDIC) is mounted may be electrically connected to the
컨트롤 인쇄 회로 기판(CPCB)에는 타이밍 컨트롤러(140)와 파워 관리 회로(150)가 실장될 수 있다. 타이밍 컨트롤러(140)는 데이터 구동 회로(130), 게이트 구동 회로(120)의 동작을 제어할 수 있다. 파워 관리 회로(150)는 디스플레이 패널(110), 데이터 구동 회로(130), 및 게이트 구동 회로(120) 등으로 구동 전압이나 전류를 공급할 수도 있고, 공급되는 전압이나 전류를 제어할 수 있다.A
적어도 하나의 소스 인쇄 회로 기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄 회로 기판(CPCB)은 적어도 하나의 연결 부재를 통해 회로적으로 연결될 수 있으며, 연결 부재는 예를 들어, 플렉서블 인쇄 회로(Flexible Printed Circuit; FPC), 플렉서블 플랫 케이블(Flexible Flat Cable; FFC) 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 적어도 하나의 소스 인쇄 회로 기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄 회로 기판(CPCB)은 하나의 인쇄 회로 기판으로 통합되어 구현될 수도 있다. At least one source printed circuit board (SPCB) and a control printed circuit board (CPCB) may be connected circuitously through at least one connecting member, for example, a flexible printed circuit (FPC). , it may be made of a flexible flat cable (FFC), etc. Additionally, at least one source printed circuit board (SPCB) and a control printed circuit board (CPCB) may be integrated and implemented as one printed circuit board.
디스플레이 장치(100)는 컨트롤 인쇄 회로 기판(CPCB)과 전기적으로 연결된 세트 보드(Set Board, 170)를 더 포함할 수 있다. 이 때, 세트 보드(170)는 파워 보드(Power Board)라고 할 수도 있다. 이러한 세트 보드(170)에는 디스플레이 장치(100)의 전체 파워를 관리하는 메인 파워 관리 회로(160)가 존재할 수 있다. 메인 파워 관리 회로(160)는 파워 관리 회로(150)와 연동될 수 있다. The
위와 같은 구성으로 이루어진 디스플레이 장치(100)의 경우, 구동 전압은 세트 보드(170)에서 발생되어 컨트롤 인쇄 회로 기판(CPCB) 내의 파워 관리 회로(150)로 전달된다. 파워 관리 회로(150)는 디스플레이 구동 또는 특성값 센싱에 필요한 구동 전압을 플렉서블 인쇄 회로(FPC), 또는 플렉서블 플랫 케이블(FFC)을 통해 소스 인쇄 회로 기판(SPCB)으로 전달한다. 소스 인쇄 회로 기판(SPCB)으로 전달된 구동 전압은 소스 구동 집적 회로(SDIC)를 통해 디스플레이 패널(110) 내의 특정 서브픽셀(SP)을 발광하거나 센싱하기 위해 공급된다.In the case of the
이 때, 디스플레이 장치(100) 내의 디스플레이 패널(110)에 배열된 각 서브픽셀(SP)은 발광 소자와, 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터 등의 회로 소자로 구성될 수 있다. At this time, each subpixel SP arranged on the
각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다The type and number of circuit elements constituting each subpixel (SP) can be determined in various ways depending on the provided function and design method.
도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서 서브픽셀을 구성하는 회로의 한 가지 예시 도면이다.Figure 3 is an example diagram of a circuit forming a subpixel in a display device according to embodiments of the present disclosure.
도 3을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에서, 서브픽셀(SP)은 하나 이상의 트랜지스터와 커패시터를 포함할 수 있으며, 발광 소자가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 3, in the
예를 들어, 서브픽셀(SP)은 구동 트랜지스터(DRT), 스위칭 트랜지스터(SWT), 센싱 트랜지스터(SENT), 스토리지 커패시터(Cst), 및 발광 다이오드(ED)를 포함할 수 있다.For example, the subpixel (SP) may include a driving transistor (DRT), a switching transistor (SWT), a sensing transistor (SENT), a storage capacitor (Cst), and a light emitting diode (ED).
구동 트랜지스터(DRT)는 제 1 노드(N1), 제 2 노드(N2), 및 제 3 노드(N3)를 가진다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)는 스위칭 트랜지스터(SWT)가 턴-온 되면, 데이터 라인(DL)을 통해 데이터 구동 회로(130)로부터 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 게이트 노드일 수 있다. The driving transistor DRT has a first node N1, a second node N2, and a third node N3. The first node (N1) of the driving transistor (DRT) may be a gate node to which the data voltage (Vdata) is applied from the
구동 트랜지스터(DRT)의 제 2 노드(N2)는 발광 다이오드(ED)의 애노드(Anode) 전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the anode electrode of the light emitting diode ED and may be a source node or a drain node.
구동 트랜지스터(DRT)의 제 3 노드(N3)는 서브픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가되는 구동 전압 라인(DVL)과 전기적으로 연결되며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다.The third node N3 of the driving transistor DRT is electrically connected to the driving voltage line DVL to which the subpixel driving voltage EVDD is applied, and may be a drain node or a source node.
이 때, 디스플레이 구동 기간에는 구동 전압 라인(DVL)으로 영상을 디스플레이 하는데 필요한 서브픽셀 구동 전압(EVDD)이 공급될 수 있는데, 예를 들어, 영상을 디스플레이 하는데 필요한 서브픽셀 구동 전압(EVDD)은 27V일 수 있다.At this time, during the display driving period, the subpixel driving voltage (EVDD) required to display the image may be supplied through the driving voltage line (DVL). For example, the subpixel driving voltage (EVDD) required to display the image is 27V. It can be.
스위칭 트랜지스터(SWT)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결되며, 게이트 라인(GL)이 게이트 노드에 연결되어 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 제 1 스캔 신호(SCAN1)에 따라 동작한다. 또한, 스위칭 트랜지스터(SWT)가 턴-온되는 경우에는 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 전달함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 동작을 제어하게 된다.The switching transistor (SWT) is electrically connected between the first node (N1) of the driving transistor (DRT) and the data line (DL), and the gate line (GL) is connected to the gate node and supplied through the gate line (GL). It operates according to the first scan signal (SCAN1). In addition, when the switching transistor (SWT) is turned on, the operation of the driving transistor (DRT) is controlled by transferring the data voltage (Vdata) supplied through the data line (DL) to the gate node of the driving transistor (DRT). I do it.
센싱 트랜지스터(SENT)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제 2 노드(N2)와 기준 전압 라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결되며, 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 제 2 스캔 신호(SCAN2)에 따라 동작한다. 센싱 트랜지스터(SENT)가 턴-온되는 경우에는 기준 전압 라인(RVL)을 통해 공급되는 기준 전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DRT)의 제 2 노드(N2)에 전달된다.The sensing transistor (SENT) is electrically connected between the second node (N2) of the driving transistor (DRT) and the reference voltage line (RVL), and is scanned according to the second scan signal (SCAN2) supplied through the gate line (GL). It works. When the sensing transistor (SENT) is turned on, the reference voltage (Vref) supplied through the reference voltage line (RVL) is transmitted to the second node (N2) of the driving transistor (DRT).
즉, 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)를 제어함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1) 전압과 제 2 노드(N2) 전압을 제어하게 되고, 이로 인해 발광 다이오드(ED)를 구동하기 위한 전류가 공급될 수 있도록 한다.That is, by controlling the switching transistor (SWT) and the sensing transistor (SENT), the first node (N1) voltage and the second node (N2) voltage of the driving transistor (DRT) are controlled, which causes the light emitting diode (ED) Ensure that current to drive is supplied.
이러한 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드는 하나의 게이트 라인(GL)에 함께 연결될 수도 있고, 서로 다른 게이트 라인(GL)에 연결될 수도 있다. 여기에서는 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)가 서로 다른 게이트 라인(GL)에 연결된 구조를 예시로 나타낸 것이며, 이 경우에는 서로 다른 게이트 라인(GL)을 통해 전달되는 제 1 스캔 신호(SCAN1)와 제 2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)를 독립적으로 제어할 수 있다.The gate nodes of the switching transistor (SWT) and the sensing transistor (SENT) may be connected together to one gate line (GL) or may be connected to different gate lines (GL). Here, a structure in which the switching transistor (SWT) and the sensing transistor (SENT) are connected to different gate lines (GL) is shown as an example. In this case, the first scan signal (SCAN1) transmitted through different gate lines (GL) is shown as an example. ) and the second scan signal (SCAN2) can be used to independently control the switching transistor (SWT) and the sensing transistor (SENT).
반면, 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)가 하나의 게이트 라인(GL)에 연결된 경우에는 하나의 게이트 라인(GL)을 통해 전달되는 제 1 스캔 신호(SCAN1) 또는 제 2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)를 동시에 제어할 수 있으며, 서브픽셀(SP)의 개구율(aperture ratio)이 증가할 수 있다.On the other hand, when the switching transistor (SWT) and the sensing transistor (SENT) are connected to one gate line (GL), the first scan signal (SCAN1) or the second scan signal (SCAN2) transmitted through one gate line (GL) ), the switching transistor (SWT) and the sensing transistor (SENT) can be controlled simultaneously, and the aperture ratio of the subpixel (SP) can be increased.
한편, 서브픽셀(SP)에 배치된 트랜지스터는 n-타입 트랜지스터뿐만 아니라 p-타입 트랜지스터로 이루어질 수 있는데, 여기에서는 n-타입 트랜지스터로 구성된 경우를 예시로 나타내고 있다.Meanwhile, the transistor disposed in the subpixel SP may be made of not only an n-type transistor but also a p-type transistor, and here, the case of being made of an n-type transistor is shown as an example.
스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되며, 한 프레임 동안 데이터 전압(Vdata)을 유지시켜준다.The storage capacitor Cst is electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT and maintains the data voltage Vdata for one frame.
이러한 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 유형에 따라 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)와 제 3 노드(N3) 사이에 연결될 수도 있다. 발광 다이오드(ED)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 제 2 노드(N2)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 발광 다이오드(ED)의 캐소드(Cathode) 전극으로 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다. This storage capacitor Cst may be connected between the first node N1 and the third node N3 of the driving transistor DRT depending on the type of the driving transistor DRT. The anode electrode of the light emitting diode (ED) may be electrically connected to the second node (N2) of the driving transistor (DRT), and the base voltage (EVSS) may be applied to the cathode electrode of the light emitting diode (ED). .
여기에서, 기저 전압(EVSS)은 그라운드 전압이거나 그라운드 전압보다 높거나 낮은 전압일 수 있다. 또한, 기전 전압(EVSS)은 구동 상태에 따라 가변될 수 있으며, 예를 들어, 디스플레이 구동 시점의 기저 전압(EVSS)과 센싱 구동 시점의 기저 전압(EVSS)이 서로 다르게 설정될 수 있다. Here, the base voltage (EVSS) may be ground voltage or a voltage higher or lower than the ground voltage. Additionally, the electromotive voltage (EVSS) may vary depending on the driving state. For example, the base voltage (EVSS) at the time of display driving and the base voltage (EVSS) at the time of sensing driving may be set differently.
스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)는 스캔 신호(SCAN1, SCAN2)를 통해 제어되는 스캔 트랜지스터라고 할 수 있다.The switching transistor (SWT) and sensing transistor (SENT) can be said to be scan transistors controlled through scan signals (SCAN1 and SCAN2).
이러한 서브픽셀(SP)의 구조는 1개 이상의 트랜지스터를 더 포함하거나, 경우에 따라서는 1개 이상의 커패시터를 더 포함하도록 이루어질 수도 있다.The structure of this subpixel (SP) may further include one or more transistors, or in some cases, may further include one or more capacitors.
본 개시의 디스플레이 장치(100)는 구동 트랜지스터(DRT)의 특성값, 예를 들어, 문턱 전압이나 이동도를 효과적으로 센싱하기 위해서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성값 센싱 구간에 스토리지 커패시터(Cst)에 충전되는 전압에 의해 흐르는 전류를 측정하는 방법을 사용할 수 있는데, 이를 전류 센싱이라고 한다. In order to effectively sense the characteristic value of the driving transistor (DRT), for example, threshold voltage or mobility, the
즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성값 센싱 구간에 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된 전압에 의해 흐르는 전류를 측정함으로써, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성값이나 특성값의 변화를 알아낼 수 있다. In other words, by measuring the current flowing by the voltage charged in the storage capacitor (Cst) in the characteristic value sensing section of the driving transistor (DRT), the characteristic value or change in characteristic value of the driving transistor (DRT) in the subpixel (SP) is detected. You can find out.
이 때, 기준 전압 라인(RVL)은 기준 전압(Vref)을 전달해주는 역할 뿐만 아니라, 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성값을 센싱하기 위한 센싱 라인의 역할도 하기 때문에, 기준 전압 라인(RVL)을 센싱 라인 또는 센싱 채널이라고 할 수도 있다. At this time, the reference voltage line (RVL) not only plays the role of transmitting the reference voltage (Vref), but also serves as a sensing line for sensing the characteristic value of the driving transistor (DRT) in the subpixel. ) may also be called a sensing line or sensing channel.
보다 구체적으로, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성값 또는 특성값의 변화는 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드 전압과 소스 노드 전압의 차이에 대응될 수 있다.More specifically, the characteristic value or change in characteristic value of the driving transistor (DRT) may correspond to the difference between the gate node voltage and the source node voltage of the driving transistor (DRT).
이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 특성값 보상은 외부의 추가적인 구성을 이용하지 않고 서브픽셀(SP)의 내부에서 구동 트랜지스터(DRT)의 특성값을 센싱하고 보상하는 내부 보상 또는 외부의 보상 회로를 이용해서 구동 트랜지스터(DRT)의 특성값을 센싱하고 보상하는 외부 보상으로 수행될 수 있다.This characteristic value compensation of the driving transistor (DRT) is performed using an internal compensation or external compensation circuit that senses and compensates the characteristic value of the driving transistor (DRT) inside the subpixel (SP) without using any additional external configuration. It can be performed through external compensation that senses and compensates for the characteristic value of the driving transistor (DRT).
이 때, 외부 보상은 디스플레이 장치(100)의 출하 전에 이루어지고, 내부 보상은 디스플레이 장치(100)의 출하 후에 이루어질 수 있으나, 디스플레이 장치(100)의 출하 후에도 내부 보상과 외부 보상이 함께 이루어질 수도 있다At this time, external compensation may be made before shipping the
도 4는 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서, 게이트 구동 회로가 GIP 타입으로 구현된 디스플레이 패널을 예시로 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a diagram showing an example of a display panel in which a gate driving circuit is implemented as a GIP type in a display device according to embodiments of the present disclosure.
도 4를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에서, 디스플레이 패널(110)에서 영상을 표시하는 표시 영역(A/A)에 2n 개의 게이트 라인(GL(1) ~ GL(2n), n은 자연수)이 배치될 수 있다.Referring to FIG. 4, in the
이 때, 게이트 구동 회로(120)는 디스플레이 패널(110)의 표시 영역(A/A)의 외곽에 해당하는 비표시 영역에 내장되어 배치되며, 2n 개의 게이트 라인(GL(1) ~ GL(2n))과 서로 대응되는 2n 개의 GIP 회로(GIPC)를 포함할 수 있다.At this time, the
따라서, 2n 개의 GIP 회로(GIPC)는 2n 개의 게이트 라인(GL(1) ~ GL(2n))으로 스캔 신호(SCAN)를 출력할 수 있다.Accordingly, 2n GIP circuits (GIPC) can output scan signals (SCAN) through 2n gate lines (GL(1) to GL(2n)).
이와 같이, 게이트 구동 회로(120)를 GIP 타입으로 구현하는 경우, 게이트 구동 기능을 갖는 별도의 집적 회로를 제작하고, 이를 디스플레이 패널(110)에 본딩할 필요가 없으므로, 집적 회로의 수를 줄여주고 집적 회로를 디스플레이 패널(110)에 연결하는 공정을 생략할 수 있다. 또한, 디스플레이 패널(110)에서 집적 회로를 본딩하는 베젤 영역의 크기를 줄일 수 있다.In this way, when the
2n 개의 GIP 회로(GIPC)는 서로를 구별해주고, 2n 개의 게이트 라인(GL(1) ~ GL(2n))과의 대응 관계를 식별하기 위해, GIPC(1), GIPC(2), … GIPC(2n)으로 기재할 수 있다.In order to distinguish 2n GIP circuits (GIPC) from each other and identify their correspondence with 2n gate lines (GL(1) ~ GL(2n)), GIPC(1), GIPC(2),... It can be written as GIPC(2n).
여기에서는, 2n 개의 GIP 회로(GIPC(1) ~ GIPC(2n)가 표시 영역(A/A)의 양측에 나누어져 배치되는 경우를 도시하였다. 예를 들어, 2n 개의 GIP 회로(GIPC(1) ~ GIPC(2n)) 중에서 홀수 번째 GIP 회로(GIPC(1), GIPC(3), … , GIPC(2n-1))는 홀수 번째 게이트 라인(GL(1), GL(3), … , GL(2n-1))을 구동할 수 있다. 2n 개의 GIP 회로(GIPC(1)~GIPC(2n)) 중에서 짝수 번째 GIP 회로(GIPC(2), GIPC(4), … , GIPC(2n))는 짝수 번째 게이트 라인(GL(2), GL(4), … , GL(2n))을 구동할 수 있다.Here, the case where 2n GIP circuits (GIPC(1) to GIPC(2n) are divided and arranged on both sides of the display area (A/A) is shown. For example, 2n GIP circuits (GIPC(1) ~ GIPC(2n)), the odd-numbered GIP circuit (GIPC(1), GIPC(3), …, GIPC(2n-1)) is the odd-numbered gate line (GL(1), GL(3), …, GL (2n-1)) can be driven among the even-numbered GIP circuits (GIPC(2), GIPC(4), …, GIPC(2n)). Can drive the even-numbered gate lines (GL(2), GL(4), …, GL(2n)).
이와 달리, 2n 개의 GIP 회로(GIPC(1) ~ GIPC(2n)가 표시 영역(A/A)의 일 측에만 배치될 수도 있을 것이다.Alternatively, 2n GIP circuits (GIPC(1) to GIPC(2n)) may be disposed on only one side of the display area (A/A).
디스플레이 패널(110)의 표시 영역(A/A)의 외곽에 해당하는 비표시 영역에는 스캔 신호(SCAN)의 생성 및 출력에 필요한 게이트 클럭을 게이트 구동 회로(120)에 전달하기 위한 복수의 클럭 라인(CL)이 배치될 수 있다.In the non-display area corresponding to the outside of the display area (A/A) of the
도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서, 게이트 구동 집적 회로의 개략적 구성을 나타낸 블록도이다.FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of a gate driving integrated circuit in a display device according to embodiments of the present disclosure.
도 5를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에서, 하나의 이트 구동 집적 회로는 시프트 레지스터(Shift Register, 122)와 버퍼 회로(124)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , in the
게이트 구동 집적 회로는 게이트 스타트 펄스(GSP)에 따라 동작하기 시작해서 게이트 클럭(GCLK)에 따라 스캔 신호(SCAN)를 출력한다. 게이트 구동 집적 회로에서 출력되는 스캔 신호(SCAN)는 순차적으로 시프트되어 게이트 라인(GL)을 통해 순차적으로 공급된다.The gate driving integrated circuit starts operating according to the gate start pulse (GSP) and outputs a scan signal (SCAN) according to the gate clock (GCLK). The scan signal (SCAN) output from the gate driving integrated circuit is sequentially shifted and sequentially supplied through the gate line (GL).
버퍼 회로(124)는 게이트 구동 상태에 중요한 2가지 노드(Q, QB)가 존재하며, 풀업 트랜지스터(TU) 및 풀다운 트랜지스터(TD)를 포함할 수 있다. 여기서, 풀업 트랜지스터(TU)의 게이트 노드가 Q 노드에 해당하고, 풀다운 트랜지스터(TD)의 게이트 노드가 QB 노드에 해당할 수 있다.The
시프트 레지스터(122)는 시프트 로직(Shift Logic) 회로라고도 할 수 있으며, 게이트 클럭(GCLK)에 동기 되어 스캔 신호(SCAN)를 생성하는데 사용될 수 있다.The
시프트 레지스터(122)는 버퍼 회로(124)가 스캔 신호(SCAN)를 출력할 수 있도록, 버퍼 회로(124)에 연결되는 Q 노드와 QB 노드를 제어할 수 있으며, 이를 위해, 다수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다.The
시프트 레지스터(122)는 스캔 신호(SCAN)를 발생시키기 시작하여 게이트 클럭(GCLK)에 따라 시프트 레지시터(122)의 출력이 차례로 턴-온 된다. 즉, 게이트 클럭(GCLK)를 이용하여 시프트 레지스터(122)의 출력 시간을 제어함으로써, 순차적으로 게이트 라인(GL)의 온/오프를 결정하는 로직 상태를 버퍼 회로(124)로 전달할 수 있다.The
이러한 시프트 레지스터(122)에 따라, 버퍼 회로(124)의 Q 노드와 QB 노드 각각의 전압 상태가 달라질 수 있다. 이에 따라, 버퍼 회로(124)는 해당하는 게이트 라인(GL)을 턴-온 시키기 위한 전압(예: 하이 레벨 전압 또는 로우 레벨 전압에 해당하며, 일 예로, 게이트 하이 전압(VGH)을 갖는 신호일 수 있음)을 해당 게이트 라인(GL)으로 출력하거나, 해당 게이트 라인(GL)을 턴-오프 시키기 위한 전압(예: 로우 레벨 전압 또는 하이 레벨 전압에 해당하며, 일 예로, 게이트 로우 전압(VGL)을 갖는 기저 전압(VSS)일 수 있음)을 해당 게이트 라인(GL)으로 출력할 수 있다.Depending on the
한편, 하나의 게이트 구동 집적 회로는 시프트 레지스터(122)와 버퍼 회로(124) 이외에, 레벨 시프터(Level Shifter)를 더 포함할 수도 있다.Meanwhile, one gate driving integrated circuit may further include a level shifter in addition to the
이 때, 게이트 구동 집적 회로를 구성하는 시프트 레지스터(122)와 버퍼 회로(124)는 다양한 구조로 연결될 수 있다.At this time, the
도 6은 본 개시의 실시예들에 따른 게이트 구동 회로를 구성하는 다수의 스테이지 회로 구성을 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a diagram showing the configuration of a plurality of stage circuits constituting a gate driving circuit according to embodiments of the present disclosure.
도 6을 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 게이트 구동 회로(120)는 제 1 스테이지 회로(ST(1)) 내지 제 k 스테이지 회로(ST(k))(k는 양의 정수), 게이트 구동 전압 라인(131), 클럭 라인(132), 라인 센싱 신호 라인(133), 리셋 신호 라인(134), 및 패널 온 신호 라인(135)을 포함한다.Referring to FIG. 6, the
여기에서 각 스테이지 회로(ST)는 게이트 구동 회로(120)를 구성하는 게이트 구동 집적 회로(GDIC) 또는 GIP 회로에 해당할 수 있다.Here, each stage circuit (ST) may correspond to a gate driving integrated circuit (GDIC) or a GIP circuit constituting the
또한 게이트 구동 회로(120)는 제 1 스테이지 회로(ST(1))의 전단에 배치되는 전단 더미 스테이지 회로(DST1) 및 제 k 스테이지 회로(ST(k))의 후단에 배치되는 후단 더미 스테이지 회로(DST2)를 더 포함할 수 있다.In addition, the
게이트 구동 전압 라인(131)은 파워 관리 회로(150)로부터 공급되는 고전위 게이트 전압(GVDD) 및 저전위 게이트 전압(GVSS)을 제 1 내지 제 k 스테이지 회로(ST(1) 내지 ST(k)), 전단 더미 스테이지 회로(DST1), 후단 더미 스테이지 회로(DST2)에 각각 공급한다.The gate driving
게이트 구동 전압 라인(131)은 서로 다른 전압 레벨을 갖는 다수의 고전위 게이트 전압을 공급하는 다수의 고전위 게이트 전압 라인 및 서로 다른 전압 레벨을 갖는 다수의 저전위 게이트 전압을 공급하는 다수의 저전위 게이트 전압 라인을 포함할 수 있다.The gate driving
예를 들어 게이트 구동 전압 라인(131)은 서로 다른 전압 레벨을 갖는 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1), 제 2 고전위 게이트 전압(GVDD2), 제 3 고전위 게이트 전압(GVDD3)을 각각 공급하는 3개의 고전위 게이트 전압 라인 및 서로 다른 전압 레벨을 갖는 제 1 저전위 게이트 전압(GVSS1), 제 2 저전위 게이트 전압(GVSS2), 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)을 각각 공급하는 3개의 저전위 게이트 전압 라인을 포함할 수 있다. 그러나 이는 단지 하나의 예시이며, 게이트 구동 전압 라인(131)에 포함되는 라인의 수는 실시예에 따라 달라질 수 있다.For example, the gate driving
클럭 라인(132)은 타이밍 컨트롤러(140)로부터 공급되는 다수의 클럭들(CLKs), 예컨대 캐리 클럭 또는 게이트 클럭을 제 1 내지 제 k 스테이지 회로(ST(1) 내지 ST(k)), 전단 더미 스테이지 회로(DST1), 후단 더미 스테이지 회로(DST2)에 각각 공급한다.The
라인 센싱 신호 라인(133)은 타이밍 컨트롤러(140)로부터 공급되는 라인 센싱 신호(LSP)를 제 1 내지 제 k 스테이지 회로(ST(1) 내지 ST(k))에 공급한다. 선택적으로, 라인 센싱 신호 라인(133)은 전단 더미 스테이지 회로(DST1)에 추가로 연결될 수 있다.The line
리셋 신호 라인(134)은 타이밍 컨트롤러(140)로부터 공급되는 리셋 신호(RESET)를 제 1 내지 제 k 스테이지 회로(ST(1) 내지 ST(k)), 전단 더미 스테이지 회로(DST1), 후단 더미 스테이지 회로(DST2)에 각각 공급한다.The
패널 온 신호 라인(135)은 타이밍 컨트롤러(140)로부터 공급되는 패널 온 신호(POS)를 제 1 내지 제 k 스테이지 회로(ST(1) 내지 ST(k)), 전단 더미 스테이지 회로(DST1), 후단 더미 스테이지 회로(DST2)에 각각 공급한다.The panel on
또한, 여기에 도시된 라인들(131, 132, 133, 134, 135) 이외에 다른 신호들을 공급하기 위한 라인이 제 1 내지 제 k 스테이지 회로(ST(1) 내지 ST(k)), 전단 더미 스테이지 회로(DST1), 후단 더미 스테이지 회로(DST2)와 추가적으로 연결될 수 있다. 예컨대 전단 더미 스테이지 회로(DST1)에 게이트 스타트 펄스(GSP)를 공급하기 위한 라인이 전단 더미 스테이지 회로(DST1)와 추가적으로 연결될 수 있다.In addition, in addition to the
전단 더미 스테이지 회로(DST1)는 타이밍 컨트롤러(140)로부터 공급되는 게이트 스타트 펄스(GSP)의 입력에 응답하여 전단 캐리 신호(Cd1)를 출력한다.The front-end dummy stage circuit (DST1) outputs the front-end carry signal (Cd1) in response to the input of the gate start pulse (GSP) supplied from the
전단 캐리 신호(Cd1)는 제 1 내지 제 k 스테이지 회로(ST(1) 내지 ST(k)) 중 어느 하나에 공급될 수 있다.The front-end carry signal Cd1 may be supplied to any one of the first to k-th stage circuits ST(1) to ST(k).
후단 더미 스테이지 회로(DST2)는 후단 캐리 신호(Cd2)를 출력한다. 후단 캐리 신호(Cd2)는 제 1 내지 제 k 스테이지 회로(ST(1) 내지 ST(k)) 중 어느 하나에 공급될 수 있다.The rear-stage dummy stage circuit (DST2) outputs a rear-stage carry signal (Cd2). The rear-end carry signal Cd2 may be supplied to any one of the first to k-th stage circuits ST(1) to ST(k).
제 1 내지 제 k 스테이지 회로(ST(1) 내지 ST(k))는 서로 계단식으로 또는 종속적으로(cascaded) 연결될 수 있다.The first to kth stage circuits (ST(1) to ST(k)) may be connected to each other in a cascaded or cascaded manner.
제 1 내지 제 k 스테이지 회로(ST(1) 내지 ST(k))는 각각 n개(n은 양의 정수)의 스캔 신호(SCAN) 및 1개의 캐리 신호(C)를 출력한다. 즉, 임의의 스테이지 회로는 제 1 내지 제 n 스캔 신호 및 1개의 캐리 신호(C)를 출력한다.The first to kth stage circuits (ST(1) to ST(k)) each output n (n is a positive integer) scan signals (SCAN) and one carry signal (C). That is, an arbitrary stage circuit outputs the first to nth scan signals and one carry signal (C).
예를 들어, 각각의 스테이지 회로는 4개의 스캔 신호(SCAN) 및 1개의 캐리 신호(C)를 출력한다. 예컨대 제 1 스테이지 회로(ST(1))는 제 1 스캔 신호(SCAN(1)), 제 2 스캔 신호(SCAN(2)), 제 3 스캔 신호(SCAN(3)), 제 4 스캔 신호(SCAN(4)) 및 제 1 캐리 신호(C(1))를 출력하고, 제 2 스테이지 회로(ST(2))는 제 5 스캔 신호(SCAN(5)), 제 6 스캔 신호(SCAN(6)), 제 7 스캔 신호(SCAN(7)), 제 8 스캔 신호(SCAN(8)) 및 제 2 캐리 신호(C(2))를 출력한다. 따라서, 여기의 실시예에서 j는 4이다.For example, each stage circuit outputs four scan signals (SCAN) and one carry signal (C). For example, the first stage circuit (ST(1)) includes a first scan signal (SCAN(1)), a second scan signal (SCAN(2)), a third scan signal (SCAN(3)), and a fourth scan signal ( SCAN(4)) and the first carry signal (C(1)) are output, and the second stage circuit (ST(2)) outputs the fifth scan signal (SCAN(5)) and the sixth scan signal (SCAN(6) )), a seventh scan signal (SCAN(7)), an eighth scan signal (SCAN(8)), and a second carry signal (C(2)) are output. Therefore, in this example j is 4.
제 1 내지 제 k 스테이지 회로(ST(1) 내지 ST(k))가 출력하는 스캔 신호의 수는 디스플레이 패널(110)에 배치되는 게이트 라인(GL)의 수(GN)에 대응된다. 전술한 바와 같이 k개의 스테이지 회로는 각각 n개의 스캔 신호를 출력한다. 따라서 n×k=GN의 관계식이 성립된다.The number of scan signals output from the first to kth stage circuits (ST(1) to ST(k)) corresponds to the number (GN) of gate lines (GL) disposed on the
예를 들어, n=4인 경우, 스테이지 회로의 수(k)는 게이트 라인(GL)의 수(GN)의 1/4이다. 그러나 각각의 스테이지 회로가 출력하는 스캔 신호의 수는 이에 한정되지 않는다. 즉, 본 개시의 실시예에서 각각의 스테이지 회로는 1개, 2개 또는 3개의 스캔 신호를 출력할 수도 있고, 5개 이상의 스캔 신호를 출력할 수도 있다. 각각의 스테이지 회로가 출력하는 스캔 신호의 수에 따라서 스테이지 회로의 수도 달라질 수 있다.For example, when n=4, the number of stage circuits (k) is 1/4 of the number of gate lines (GL) (GN). However, the number of scan signals output by each stage circuit is not limited to this. That is, in the embodiment of the present disclosure, each stage circuit may output one, two, or three scan signals, or may output five or more scan signals. The number of stage circuits may vary depending on the number of scan signals output by each stage circuit.
제 1 내지 제 k 스테이지 회로(ST(1) 내지 ST(k))가 출력하는 스캔 신호(SCAN)는 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 스캔 신호일 수도 있고, 영상 표시용 게이트 신호일 수도 있다. 또한 제 1 내지 제 k 스테이지 회로(ST(1) 내지 ST(k))가 출력하는 캐리 신호(C)는 각각 다른 스테이지 회로에 공급될 수 있다. 여기에서 임의의 스테이지 회로가 전단 스테이지 회로로부터 공급받는 캐리 신호는 전단 캐리 신호로 지칭되고, 후단 스테이지 회로로부터 공급받는 캐리 신호는 후단 캐리 신호로 지칭된다.The scan signal (SCAN) output from the first to k stage circuits (ST(1) to ST(k)) may be a scan signal for sensing the threshold voltage of the driving transistor (DRT) or a gate signal for image display. there is. Additionally, the carry signal C output from the first to kth stage circuits (ST(1) to ST(k)) may be supplied to different stage circuits. Here, the carry signal supplied to any stage circuit from the previous stage circuit is referred to as the previous stage carry signal, and the carry signal supplied from the subsequent stage circuit is referred to as the subsequent carry signal.
도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 구동 회로에서, 게이트 구동 회로를 구성하는 스테이지 회로를 예시로 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a diagram showing an example of a stage circuit constituting a gate driving circuit in a display driving circuit according to embodiments of the present disclosure.
도 7을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 스테이지 회로는 M 노드, Q 노드, QB 노드를 포함하며, 라인 선택부(502), Q 노드 제어부(504), Q 노드 안정화부(506), 인버터부(508), QB 노드 안정화부(510), 캐리 신호 출력부(512), 스캔 신호 출력부(514)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the stage circuit according to embodiments of the present disclosure includes an M node, a Q node, and a QB node, and a
라인 선택부(502)는 라인 센싱 신호(LSP)의 입력에 응답하여, 전단 캐리 신호(C(k-2))를 기초로 M 노드를 충전한다. 또한 라인 선택부(502)는 리셋 신호(RESET)의 입력에 응답하여 M 노드의 충전 전압을 기초로 Q 노드를 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)의 레벨로 충전한다. 또한 라인 선택부(502)는 패널 온 신호(POS)의 입력에 응답하여 Q 노드를 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)의 레벨로 방전 또는 리셋시킨다.The
라인 선택부(502)는 제 11 내지 제 17 트랜지스터(T11 내지 T17)와, 프리차징 커패시터(CA)를 포함한다.The
제 11 트랜지스터(T11) 및 제 12 트랜지스터(T12)는 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)을 전달하는 제 1 고전위 게이트 전압 라인과 M 노드 사이에 연결된다. 또한 제 11 트랜지스터(T11) 및 제 12 트랜지스터(T12)는 서로 직렬로 연결된다.The 11th transistor T11 and the 12th transistor T12 are connected between the M node and the first high-potential gate voltage line transmitting the first high-potential gate voltage GVDD1. Additionally, the 11th transistor (T11) and the 12th transistor (T12) are connected to each other in series.
제 11 트랜지스터(T11)는 라인 센싱 신호(LSP)의 입력에 응답하여 전단 캐리 신호(C(k-2))를 제 1 연결 노드(NC1)로 출력한다. The eleventh transistor T11 outputs the front-end carry signal C(k-2) to the first connection node NC1 in response to the input of the line sensing signal LSP.
제 12 트랜지스터(T12)는 라인 센싱 신호(LSP)의 입력에 응답하여 제 1 연결 노드(NC1)를 M 노드에 전기적으로 연결한다. 예컨대 하이 전압의 라인 센싱 신호(LSP)가 제 11 트랜지스터(T11) 및 제 12 트랜지스터(T12)에 입력되면 제 11 트랜지스터(T11) 및 제 12 트랜지스터(T12)는 동시에 턴 온되어 M 노드가 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1) 레벨로 충전된다.The twelfth transistor T12 electrically connects the first connection node NC1 to the M node in response to the input of the line sensing signal LSP. For example, when a high voltage line sensing signal (LSP) is input to the 11th transistor (T11) and the 12th transistor (T12), the 11th transistor (T11) and the 12th transistor (T12) are turned on simultaneously and the M node becomes the first It is charged to the high potential gate voltage (GVDD1) level.
제 13 트랜지스터(T13)는 M 노드의 전압 레벨이 하이 레벨일 때 턴 온되어 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)을 제 1 연결 노드(NC1)에 공급한다. 제 1 연결 노드(NC1)에 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)이 공급되면 제 11 트랜지스터(T11)의 게이트 전압과 제 1 연결 노드(NC1) 간의 전압 차가 증가한다. The thirteenth transistor T13 is turned on when the voltage level of the M node is high level and supplies the first high potential gate voltage GVDD1 to the first connection node NC1. When the first high-potential gate voltage GVDD1 is supplied to the first connection node NC1, the voltage difference between the gate voltage of the 11th transistor T11 and the first connection node NC1 increases.
따라서 제 11 트랜지스터(T11)의 게이트 노드에 로우 레벨의 라인 센싱 신호(LSP)가 입력되어 제 11 트랜지스터(T11)가 턴-오프될 때, 제 11 트랜지스터(T11)의 게이트 전압과 제 1 연결 노드(NC1) 간의 전압차로 인하여 제 11 트랜지스터(T11)가 완전히 턴-오프 상태로 유지될 수 있다. 이에 따라서 제 11 트랜지스터(T11)의 전류 누설 및 그에 따른 M 노드의 전압 강하가 방지되어 M 노드의 전압이 안정적으로 유지될 수 있다.Therefore, when the low level line sensing signal (LSP) is input to the gate node of the 11th transistor (T11) and the 11th transistor (T11) is turned off, the gate voltage of the 11th transistor (T11) and the first connection node Due to the voltage difference between (NC1), the 11th transistor (T11) may be maintained in a completely turned-off state. Accordingly, current leakage of the 11th transistor T11 and the resulting voltage drop of the M node are prevented, and the voltage of the M node can be maintained stably.
프리차징 커패시터(CA)는 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)을 전달하는 제 1 고전위 게이트 전압 라인과 M 노드 사이에 연결되어 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)과 M 노드에 충전된 전압의 차이를 저장한다. The precharging capacitor (CA) is connected between the first high-potential gate voltage line delivering the first high-potential gate voltage (GVDD1) and the M node, and is connected between the first high-potential gate voltage (GVDD1) and the voltage charged at the M node. Save the difference.
제 11 트랜지스터(T11), 제 12 트랜지스터(T12), 제 13 트랜지스터(T13)가 턴 온되면 프리차징 커패시터(CA)는 전단 캐리 신호(C(k-2))의 하이 전압을 저장한다. 제 11 트랜지스터(T11), 제 12 트랜지스터(T12), 제 13 트랜지스터(T13)가 턴-오프되면 프리차징 커패시터(CA)는 저장된 전압으로 M 노드의 전압을 일정 시간동안 유지시킨다.When the 11th transistor (T11), the 12th transistor (T12), and the 13th transistor (T13) are turned on, the precharging capacitor (CA) stores the high voltage of the front-end carry signal (C(k-2)). When the 11th transistor (T11), the 12th transistor (T12), and the 13th transistor (T13) are turned off, the precharging capacitor (CA) maintains the voltage of the M node for a certain time with the stored voltage.
제 14 트랜지스터(T14) 및 제 15 트랜지스터(T15)는 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)을 전달하는 제 1 고전위 게이트 전압 라인과 Q 노드 사이에 연결된다. 제 14 트랜지스터(T14) 및 제 15 트랜지스터(T15)는 서로 직렬로 연결된다.The 14th transistor T14 and the 15th transistor T15 are connected between the Q node and the first high-potential gate voltage line delivering the first high-potential gate voltage GVDD1. The fourteenth transistor T14 and the fifteenth transistor T15 are connected in series.
제 14 트랜지스터(T14) 및 제 15 트랜지스터(T15)는 M 노드의 전압과 리셋 신호(RESET)의 입력에 응답하여 Q 노드를 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)으로 충전한다. The fourteenth transistor T14 and the fifteenth transistor T15 charge the Q node with the first high potential gate voltage GVDD1 in response to the voltage of the M node and the input of the reset signal RESET.
제 14 트랜지스터(T14)는 M 노드의 전압이 하이 레벨일 때 턴-온되어 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)을 제 14 트랜지스터(T14) 및 제 15 트랜지스터(T15)의 공유 노드에 전달한다. The fourteenth transistor T14 is turned on when the voltage of the M node is at a high level and transfers the first high potential gate voltage GVDD1 to the shared node of the fourteenth transistor T14 and the fifteenth transistor T15.
제 15 트랜지스터(T15)는 하이 레벨의 리셋 신호(RESET)에 의해서 턴-온되어 공유 노드의 전압을 Q 노드에 공급한다. 따라서 제 14 트랜지스터(T14) 및 제 15 트랜지스터(T15)가 동시에 턴-온되면 Q 노드는 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)으로 충전된다.The fifteenth transistor T15 is turned on by the high-level reset signal RESET and supplies the voltage of the shared node to the Q node. Therefore, when the 14th transistor T14 and the 15th transistor T15 are turned on at the same time, the Q node is charged with the first high potential gate voltage GVDD1.
제 16 트랜지스터(T16) 및 제 17 트랜지스터(T17)는 Q 노드와 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)을 전달하는 제 3 저전위 게이트 전압 라인 사이에 연결된다. 제 16 트랜지스터(T16) 및 제 17 트랜지스터(T17)는 서로 직렬로 연결된다.The 16th transistor T16 and the 17th transistor T17 are connected between the Q node and the third low-potential gate voltage line that transmits the third low-potential gate voltage GVSS3. The 16th transistor (T16) and the 17th transistor (T17) are connected in series with each other.
제 16 트랜지스터(T16) 및 제 17 트랜지스터(T17)는 패널 온 신호(POS)의 입력에 응답하여 Q 노드를 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)으로 방전시킨다. Q 노드가 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)으로 방전되는 것은 Q 노드가 리셋되는 것으로도 표현될 수 있다. The 16th transistor (T16) and the 17th transistor (T17) discharge the Q node to the third low-potential gate voltage (GVSS3) in response to the input of the panel on signal (POS). Discharging the Q node to the third low-potential gate voltage (GVSS3) can also be expressed as the Q node being reset.
제 17 트랜지스터(T17)는 하이 레벨의 패널 온 신호(POS)의 입력에 의해서 턴-온되어 QH 노드에 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)을 공급한다. The seventeenth transistor T17 is turned on by the input of the high-level panel on signal POS and supplies the third low-potential gate voltage GVSS3 to the QH node.
제 16 트랜지스터(T16)는 하이 레벨의 패널 온 신호(POS)의 입력에 따라서 턴-온되어 Q 노드와 QH 노드를 전기적으로 연결한다. 따라서 제 16 트랜지스터(T16) 및 제 17 트랜지스터(T17)가 동시에 턴 온되면 Q 노드는 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)으로 방전 또는 리셋된다.The sixteenth transistor T16 is turned on according to the input of the high level panel on signal (POS) and electrically connects the Q node and the QH node. Therefore, when the 16th transistor T16 and the 17th transistor T17 are turned on at the same time, the Q node is discharged or reset to the third low-potential gate voltage GVSS3.
Q 노드 제어부(504)는 전단 캐리 신호(C(k-2))의 입력에 응답하여 Q 노드를 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)의 레벨로 충전하고, 후단 캐리 신호(C(k+2))의 입력에 응답하여 Q 노드를 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)의 레벨로 방전시킨다..The Q
Q 노드 제어부(504)는 제 21 내지 제 28 트랜지스터(T21 내지 T28)를 포함한다.The Q
제 21 트랜지스터(T21) 및 제 22 트랜지스터(T22)는 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)을 전달하는 제 1 고전위 게이트 전압 라인과 Q 노드 사이에 연결된다. 제 21 트랜지스터(T21) 및 제 22 트랜지스터(T22)는 서로 직렬로 연결된다.The 21st transistor T21 and the 22nd transistor T22 are connected between the Q node and the first high potential gate voltage line delivering the first high potential gate voltage GVDD1. The 21st transistor (T21) and the 22nd transistor (T22) are connected to each other in series.
제 21 트랜지스터(T21) 및 제 22 트랜지스터(T22)는 전단 캐리 신호(C(k-2))의 입력에 응답하여 Q 노드를 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1) 레벨로 충전한다.The 21st transistor T21 and the 22nd transistor T22 charge the Q node to the level of the first high potential gate voltage GVDD1 in response to the input of the front-end carry signal C(k-2).
제 21 트랜지스터(T21)는 전단 캐리 신호(C(k-2))의 입력에 따라서 턴-온되어 제 2 연결 노드(NC2)에 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)을 공급한다. The 21st transistor T21 is turned on according to the input of the previous carry signal C(k-2) and supplies the first high potential gate voltage GVDD1 to the second connection node NC2.
제 22 트랜지스터(T22)는 전단 캐리 신호(C(k-2))의 입력에 따라서 턴-온되어 제 2 연결 노드(NC2)와 Q 노드를 전기적으로 연결한다. 따라서 제 21 트랜지스터(T21) 및 제 22 트랜지스터(T22)가 동시에 턴-온되면 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)이 Q 노드에 공급된다.The 22nd transistor T22 is turned on according to the input of the previous carry signal C(k-2) and electrically connects the second connection node NC2 and the Q node. Accordingly, when the 21st transistor T21 and the 22nd transistor T22 are turned on simultaneously, the first high potential gate voltage GVDD1 is supplied to the Q node.
제 25 트랜지스터(T25) 및 제 26 트랜지스터(T26)는 제 3 고전위 게이트 전압(GVDD3)을 전달하는 제 3 고전위 게이트 전압 라인과 연결된다. 제 25 트랜지스터(T25) 및 제 26 트랜지스터(T26)는 제 3 고전위 게이트 전압(GVDD3)에 응답하여 제 2 연결 노드(NC2)에 제 3 고전위 게이트 전압(GVDD3)을 공급한다.The 25th transistor T25 and the 26th transistor T26 are connected to a third high potential gate voltage line that transmits the third high potential gate voltage GVDD3. The 25th transistor T25 and the 26th transistor T26 supply the third high potential gate voltage GVDD3 to the second connection node NC2 in response to the third high potential gate voltage GVDD3.
제 25 트랜지스터(T25) 및 제 26 트랜지스터(T26)는 제 3 고전위 게이트 전압(GVDD3)에 의해서 동시에 턴-온되어 제 2 연결 노드(NC2)에 제 3 고전위 게이트 전압(GVDD3)을 상시적으로 공급함으로써 제 21 트랜지스터(T21)의 게이트 전압과 제 2 연결 노드(NC2) 간의 전압 차이를 증가시킨다. 따라서 제 21 트랜지스터(T21)의 게이트 노드에 로우 레벨의 전단 캐리 신호(C(k-2))가 입력되어 제 21 트랜지스터(T21)가 턴-오프될 때, 제 21 트랜지스터(T21)의 게이트 전압과 제 2 연결 노드(NC2) 간의 전압 차이로 인하여 제 21 트랜지스터(T21)가 완전히 턴-오프 상태로 유지될 수 있다. The 25th transistor (T25) and the 26th transistor (T26) are simultaneously turned on by the third high-potential gate voltage (GVDD3) to constantly apply the third high-potential gate voltage (GVDD3) to the second connection node (NC2). By supplying , the voltage difference between the gate voltage of the 21st transistor (T21) and the second connection node (NC2) is increased. Therefore, when the low-level front-end carry signal (C(k-2)) is input to the gate node of the 21st transistor (T21) and the 21st transistor (T21) is turned off, the gate voltage of the 21st transistor (T21) Due to the voltage difference between and the second connection node NC2, the 21st transistor T21 may be maintained in a completely turned-off state.
이에 따라, 제 21 트랜지스터(T21)의 전류 누설 및 그에 따른 Q 노드의 전압 강하가 방지되어 Q 노드의 전압이 안정적으로 유지될 수 있다.Accordingly, current leakage of the 21st transistor T21 and the resulting voltage drop of the Q node can be prevented, and the voltage of the Q node can be maintained stably.
예를 들어, 제 21 트랜지스터(T21)의 문턱 전압이 부극성(-)일 때, 제 21 트랜지스터(T21)의 게이트-소스 전압(Vgs)은 드레인 전극에 공급되는 제 3 고전위 게이트 전압(GVDD3)에 의해서 부극성(-)으로 유지된다. For example, when the threshold voltage of the 21st transistor (T21) is negative (-), the gate-source voltage (Vgs) of the 21st transistor (T21) is the third high potential gate voltage (GVDD3) supplied to the drain electrode. ) is maintained as negative polarity (-).
따라서 제 21 트랜지스터(T21)의 게이트 노드에 로우 레벨의 전단 캐리 신호(C(k-2))가 입력되어 제 21 트랜지스터(T21)가 턴-오프될 때, 제 21 트랜지스터(T21)가 완전히 턴-오프 상태로 유지되어 누설 전류의 발생이 방지된다.Therefore, when the low-level front-end carry signal C(k-2) is input to the gate node of the 21st transistor T21 and the 21st transistor T21 is turned off, the 21st transistor T21 is completely turned on. -It is maintained in the off state to prevent leakage current.
여기에서, 제 3 고전위 게이트 전압(GVDD3)은 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)보다 낮은 전압 레벨로 설정된다.Here, the third high-potential gate voltage (GVDD3) is set to a voltage level lower than the first high-potential gate voltage (GVDD1).
제 23 트랜지스터(T23) 및 제 24 트랜지스터(T24)는 Q 노드와 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)을 전달하는 제 3 저전위 게이트 전압 라인 사이에 연결된다. 제 23 트랜지스터(T23) 및 제 24 트랜지스터(T24)는 서로 직렬로 연결된다.The 23rd transistor T23 and the 24th transistor T24 are connected between the Q node and the third low-potential gate voltage line transmitting the third low-potential gate voltage GVSS3. The 23rd transistor (T23) and the 24th transistor (T24) are connected to each other in series.
제 23 트랜지스터(T23) 및 제 24 트랜지스터(T24)는 후단 캐리 신호(C(k+2))의 입력에 응답하여 Q 노드 및 QH 노드를 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3) 레벨로 방전시킨다. The 23rd transistor T23 and the 24th transistor T24 discharge the Q node and QH node to the level of the third low-potential gate voltage GVSS3 in response to the input of the rear carry signal C(k+2).
제 24 트랜지스터(T24)는 후단 캐리 신호(C(k+2))의 입력에 따라서 턴-온되어 QH 노드를 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3) 레벨로 방전시킨다. 제 23 트랜지스터(T23)는 후단 캐리 신호(C(k+2))의 입력에 따라서 턴-온되어 Q 노드와 QH 노드를 전기적으로 연결한다. 따라서 제 23 트랜지스터(T23) 및 제 24 트랜지스터(T24)가 동시에 턴 온되면 Q 노드 및 QH 노드가 각각 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)의 레벨로 방전 또는 리셋된다.The 24th transistor T24 is turned on according to the input of the rear carry signal C(k+2) to discharge the QH node to the level of the third low-potential gate voltage GVSS3. The 23rd transistor T23 is turned on according to the input of the rear carry signal C(k+2) and electrically connects the Q node and the QH node. Accordingly, when the 23rd transistor T23 and the 24th transistor T24 are turned on simultaneously, the Q node and QH node are discharged or reset to the level of the third low-potential gate voltage GVSS3, respectively.
제 27 트랜지스터(T27) 및 제 28 트랜지스터(T28)는 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)을 전달하는 제 1 고전위 게이트 전압 라인과 Q 노드 사이, 그리고 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)을 전달하는 제 1 고전위 게이트 전압 라인과 QH 노드 사이에 연결된다. 제 27 트랜지스터(T27) 및 제 28 트랜지스터(T28)는 서로 직렬로 연결된다.The 27th transistor (T27) and the 28th transistor (T28) are between the first high-potential gate voltage line and the Q node, which transmits the first high-potential gate voltage (GVDD1), and transmit the first high-potential gate voltage (GVDD1). is connected between the first high potential gate voltage line and the QH node. The 27th transistor (T27) and the 28th transistor (T28) are connected to each other in series.
제 27 트랜지스터(T27) 및 제 28 트랜지스터(T28)는 Q 노드의 전압에 응답하여 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)을 QH 노드에 공급한다. 제 27 트랜지스터(T27)는 Q 노드의 전압이 하이 레벨일 때 턴-온되어 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)을 제 27 트랜지스터(T27) 및 제 28 트랜지스터(T28)의 공유 노드에 공급한다. The 27th transistor T27 and the 28th transistor T28 supply the first high potential gate voltage GVDD1 to the QH node in response to the voltage of the Q node. The 27th transistor T27 is turned on when the voltage of the Q node is at a high level and supplies the first high potential gate voltage GVDD1 to the shared node of the 27th transistor T27 and the 28th transistor T28.
제 28 트랜지스터(T28)는 Q 노드의 전압이 하이 레벨일 때 턴-온되어 공유 노드와 QH 노드를 전기적으로 연결한다. 따라서 제 27 트랜지스터(T27) 및 제 28 트랜지스터(T28)는 Q 노드의 전압이 하이 레벨일 때 동시에 턴-온되어 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)을 QH 노드에 공급한다.The 28th transistor T28 is turned on when the voltage of the Q node is at a high level and electrically connects the shared node and the QH node. Accordingly, the 27th transistor T27 and the 28th transistor T28 are simultaneously turned on when the voltage of the Q node is at a high level and supply the first high potential gate voltage GVDD1 to the QH node.
QH 노드에 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)이 공급되면 제 23 트랜지스터(T23)의 게이트 노드와 QH 노드 간의 전압 차이가 증가한다. 따라서 제 23 트랜지스터(T23)의 게이트 노드에 로우 레벨의 후단 캐리 신호(C(k+2))가 입력되어 제 23 트랜지스터(T23)가 턴-오프될 때, 제 23 트랜지스터(T23)의 게이트 전압과 QH 노드 간의 전압 차이로 인하여 제 23 트랜지스터(T23)가 완전히 턴-오프 상태로 유지될 수 있다. 이에 따라서 제 23 트랜지스터(T23)의 전류 누설 및 그에 따른 Q 노드의 전압 강하가 방지되어 Q 노드의 전압이 안정적으로 유지될 수 있다.When the first high-potential gate voltage GVDD1 is supplied to the QH node, the voltage difference between the gate node of the 23rd transistor T23 and the QH node increases. Therefore, when the low-level rear carry signal (C(k+2)) is input to the gate node of the 23rd transistor (T23) and the 23rd transistor (T23) is turned off, the gate voltage of the 23rd transistor (T23) Due to the voltage difference between the and QH nodes, the 23rd transistor T23 may be maintained in a completely turned-off state. Accordingly, current leakage of the 23rd transistor T23 and the resulting voltage drop of the Q node are prevented, and the voltage of the Q node can be maintained stably.
Q 노드 안정화부(506)는 QB 노드의 전압에 응답하여 Q 노드 및 QH 노드를 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)의 레벨로 방전시킨다. Q 노드 안정화부(506)는 제 31 트랜지스터(T31) 및 제 32 트랜지스터(T32)를 포함한다. 제 31 트랜지스터(T31) 및 제 32 트랜지스터(T32)는 Q 노드와 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)을 전달하는 제 3 저전위 게이트 전압 라인 사이에 연결된다. 제 31 트랜지스터(T31) 및 제 32 트랜지스터(T32)는 서로 직렬로 연결된다.The Q
제 31 트랜지스터(T31) 및 제 32 트랜지스터(T32)는 QB 노드의 전압에 응답하여 Q 노드 및 QH 노드를 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)의 레벨로 방전시킨다. 제 32 트랜지스터(T32)는 QB 노드의 전압이 하이 레벨일 때 턴-온되어 제 31 트랜지스터(T31) 및 제 32 트랜지스터(T32)의 공유 노드에 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)을 공급한다. The 31st transistor T31 and the 32nd transistor T32 discharge the Q node and QH node to the level of the third low-potential gate voltage GVSS3 in response to the voltage of the QB node. The 32nd transistor T32 is turned on when the voltage of the QB node is at a high level and supplies the third low-potential gate voltage GVSS3 to the shared node of the 31st transistor T31 and the 32nd transistor T32.
제 31 트랜지스터(T31)는 QB 노드의 전압이 하이 레벨일 때 턴-온되어 Q 노드와 QH 노드를 전기적으로 연결한다. 따라서 제 31 트랜지스터(T31) 및 제 32 트랜지스터(T32)가 QB 노드의 전압에 응답하여 동시에 턴-온되면 Q 노드 및 QH 노드는 각각 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)의 레벨로 방전 또는 리셋된다.The 31st transistor T31 is turned on when the voltage of the QB node is at a high level and electrically connects the Q node and the QH node. Therefore, when the 31st transistor (T31) and the 32nd transistor (T32) are simultaneously turned on in response to the voltage of the QB node, the Q node and QH node are discharged or reset to the level of the third low-potential gate voltage (GVSS3), respectively. .
인버터부(508)는 Q 노드의 전압 레벨에 따라서 QB 노드의 전압 레벨을 변경한다. 인버터부(508)는 제 41 내지 제 45 트랜지스터(T41 내지 T45)를 포함한다.The
제 42 트랜지스터(T42) 및 제 43 트랜지스터(T43)는 제 2 고전위 게이트 전압(GVDD2)을 전달하는 제 2 고전위 게이트 전압 라인과 제 3 연결 노드(NC3) 사이에 연결된다. 제 42 트랜지스터(T42) 및 제 43 트랜지스터(T43)는 서로 직렬로 연결된다.The 42nd transistor T42 and the 43rd transistor T43 are connected between the second high potential gate voltage line transmitting the second high potential gate voltage GVDD2 and the third connection node NC3. The 42nd transistor (T42) and the 43rd transistor (T43) are connected to each other in series.
제 42 트랜지스터(T42) 및 제 43 트랜지스터(T43)는 제 2 고전위 게이트 전압(GVDD2)에 응답하여 제 3 연결 노드(NC3)에 제 2 고전위 게이트 전압(GVDD2)을 공급한다. 제 42 트랜지스터(T42)는 제 2 고전위 게이트 전압(GVDD2)에 의해서 턴 온되어 제 2 고전위 게이트 전압(GVDD2)을 제 42 트랜지스터(T42) 및 제 43 트랜지스터(T43)의 공유 노드에 공급한다.The 42nd transistor T42 and the 43rd transistor T43 supply the second high potential gate voltage GVDD2 to the third connection node NC3 in response to the second high potential gate voltage GVDD2. The 42nd transistor T42 is turned on by the second high-potential gate voltage GVDD2 and supplies the second high-potential gate voltage GVDD2 to the shared node of the 42nd transistor T42 and the 43rd transistor T43. .
제 43 트랜지스터(T43)는 제 2 고전위 게이트 전압(GVDD2)에 의해서 턴-온되어 제 42 트랜지스터(T42) 및 제 43 트랜지스터(T43)의 공유 노드와 제 3 연결 노드(NC3)을 전기적으로 연결한다. 따라서 제 42 트랜지스터(T42) 및 제 43 트랜지스터(T43)가 제 2 고전위 게이트 전압(GVDD2)에 의해서 동시에 턴-온되면 제 3 연결 노드(NC3)가 제 2 고전위 게이트 전압(GVDD2)의 레벨로 충전된다.The 43rd transistor T43 is turned on by the second high potential gate voltage GVDD2 to electrically connect the shared node of the 42nd transistor T42 and the 43rd transistor T43 to the third connection node NC3. do. Therefore, when the 42nd transistor (T42) and the 43rd transistor (T43) are simultaneously turned on by the second high-potential gate voltage (GVDD2), the third connection node (NC3) is at the level of the second high-potential gate voltage (GVDD2). is charged with
제 44 트랜지스터(T44)는 제 3 연결 노드(NC3)와 제 2 저전위 게이트 전압(GVSS2)을 전달하는 제 2 저전위 게이트 전압 라인 사이에 연결된다.The 44th transistor T44 is connected between the third connection node NC3 and the second low-potential gate voltage line that transmits the second low-potential gate voltage GVSS2.
제 44 트랜지스터(T44)는 Q 노드의 전압에 응답하여 제 2 저전위 게이트 전압(GVSS2)을 제 3 연결 노드(NC3)에 공급한다. 제 44 트랜지스터(T44)는 Q 노드의 전압이 하이 레벨일 때 턴-온되어 제 3 연결 노드(NC3)를 제 2 저전위 게이트 전압(GVSS2)으로 방전 또는 리셋시킨다.The 44th transistor T44 supplies the second low-potential gate voltage GVSS2 to the third connection node NC3 in response to the voltage of the Q node. The 44th transistor T44 is turned on when the voltage of the Q node is at a high level to discharge or reset the third connection node NC3 to the second low-potential gate voltage GVSS2.
제 41 트랜지스터(T41)는 제 2 고전위 게이트 전압(GVDD2)을 전달하는 제 2 고전위 게이트 전압 라인과 QB 노드 사이에 연결된다.The 41st transistor T41 is connected between the QB node and the second high potential gate voltage line delivering the second high potential gate voltage GVDD2.
제 41 트랜지스터(T41)는 제 3 연결 노드(NC3)의 전압에 응답하여 QB 노드에 제 2 고전위 게이트 전압(GVDD2)을 공급한다. 제 41 트랜지스터(T41)는 제 3 연결 노드(NC3)의 전압이 하이 레벨일 때 턴-온되어 QB 노드를 제 2 고전위 게이트 전압(GVDD2)의 레벨로 충전한다.The 41st transistor T41 supplies the second high potential gate voltage GVDD2 to the QB node in response to the voltage of the third connection node NC3. The 41st transistor T41 is turned on when the voltage of the third connection node NC3 is at a high level and charges the QB node to the level of the second high potential gate voltage GVDD2.
제 45 트랜지스터(T45)는 QB 노드와 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)을 전달하는 제 3 저전위 게이트 전압 라인 사이에 연결된다.The 45th transistor T45 is connected between the QB node and the third low-potential gate voltage line delivering the third low-potential gate voltage GVSS3.
제 45 트랜지스터(T45)는 Q 노드의 전압에 응답하여 QB 노드에 제3 저전위 전압(GVSS3)을 공급한다. 제 45 트랜지스터(T45)는 Q 노드의 전압이 하이 레벨일 때 턴-온되어 QB 노드를 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3) 레벨로 방전 또는 리셋시킨다.The 45th transistor (T45) supplies a third low-potential voltage (GVSS3) to the QB node in response to the voltage of the Q node. The 45th transistor T45 is turned on when the voltage of the Q node is at a high level to discharge or reset the QB node to the third low-potential gate voltage GVSS3 level.
QB 노드 안정화부(510)는 후단 캐리 신호(C(k-2))의 입력, 리셋 신호(RESET)의 입력 및 M 노드의 충전 전압에 응답하여 QB 노드를 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)의 레벨로 방전시킨다. QB 노드 안정화부(510)는 제 51 내지 제 53 트랜지스터(T51 내지 T53)를 포함한다.The QB
제 51 트랜지스터(T51)는 QB 노드와 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)을 전달하는 제 3 저전위 게이트 전압 라인 사이에 연결된다.The 51st transistor T51 is connected between the QB node and the third low-potential gate voltage line delivering the third low-potential gate voltage GVSS3.
제 51 트랜지스터(T51)는 후단 캐리 신호(C(k-2))의 입력에 응답하여 QB 노드에 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)을 공급한다. The 51st transistor T51 supplies the third low-potential gate voltage GVSS3 to the QB node in response to the input of the rear carry signal C(k-2).
제 52 트랜지스터(T52) 및 제 53 트랜지스터(T53)는 QB 노드와 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)을 전달하는 제 3 저전위 게이트 전압 라인 사이에 연결된다. 제 52 트랜지스터(T52) 및 제 53 트랜지스터(T53)는 서로 직렬로 연결된다.The 52nd transistor T52 and the 53rd transistor T53 are connected between the QB node and the third low-potential gate voltage line transmitting the third low-potential gate voltage GVSS3. The 52nd transistor (T52) and the 53rd transistor (T53) are connected in series with each other.
제 52 트랜지스터(T52) 및 제 53 트랜지스터(T53)는 리셋 신호(RESET)의 입력 및 M 노드의 충전 전압에 응답하여 QB 노드를 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3) 레벨로 방전시킨다. The 52nd transistor T52 and the 53rd transistor T53 discharge the QB node to the level of the third low-potential gate voltage GVSS3 in response to the input of the reset signal RESET and the charging voltage of the M node.
제 53 트랜지스터(T53)는 M 노드의 전압이 하이 레벨일 때 턴-온되어 제 52 트랜지스터(T52) 및 제 53 트랜지스터(T53)의 공유 노드에 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)을 공급한다. The 53rd transistor T53 is turned on when the voltage of the M node is at a high level and supplies the third low-potential gate voltage GVSS3 to the shared node of the 52nd transistor T52 and the 53rd transistor T53.
제 52 트랜지스터(T52)는 리셋 신호(RESET)의 입력에 의해서 턴-온되어 제 52 트랜지스터(T52) 및 제 53 트랜지스터(T53)의 공유 노드와 QB 노드를 전기적으로 연결한다. 따라서 M 노드의 전압이 하이 레벨인 상태에서 리셋 신호(RESET)가 입력되면 제 52 트랜지스터(T52) 및 제 53 트랜지스터(T53)가 동시에 턴 온되어 QB 노드가 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS2) 레벨로 방전 또는 리셋된다.The 52nd transistor T52 is turned on by the input of the reset signal RESET and electrically connects the shared node and the QB node of the 52nd transistor T52 and the 53rd transistor T53. Therefore, when the reset signal (RESET) is input while the voltage of the M node is at a high level, the 52nd transistor (T52) and the 53rd transistor (T53) are turned on simultaneously, so that the QB node is at the third low-potential gate voltage (GVSS2) level. is discharged or reset.
캐리 신호 출력부(512)는 Q 노드의 전압 레벨 또는 QB 노드의 전압 레벨에 따라서 캐리 클럭(CRCLK(k))의 전압 레벨 또는 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3) 레벨을 기초로 캐리 신호(C(k))를 출력한다.The carry
캐리 신호 출력부(512)는 제 61 트랜지스터(T61), 제 62 트랜지스터(T62), 부스팅 커패시터(CC)를 포함한다.The carry
제 61 트랜지스터(T61)는 캐리 클럭(CRCLK(k))를 전달하는 클럭 라인과 제 1 출력 노드(NO1) 사이에 연결된다. 제 61 트랜지스터(T61)의 게이트 노드와 소스 노드 사이에는 부스팅 커패시터(CC)가 연결된다.The 61st transistor T61 is connected between the clock line transmitting the carry clock CRCLK(k) and the first output node NO1. A boosting capacitor (CC) is connected between the gate node and the source node of the 61st transistor (T61).
제 61 트랜지스터(T61)는 Q 노드의 전압에 응답하여 캐리 클럭(CRCLK(k))를 기초로 제 1 출력 노드(NO1)를 통해 하이 레벨의 캐리 신호(C(k))를 출력한다. 제 61 트랜지스터(T61)는 Q 노드의 전압이 하이 레벨일 때 턴-온되어 하이 레벨의 캐리 클럭(CRCLK(k))를 제 1 출력 노드(NO1)로 공급한다. 이에 따라서 하이 레벨의 캐리 신호(C(k))가 출력된다.The 61st transistor T61 outputs a high-level carry signal C(k) through the first output node NO1 based on the carry clock CRCLK(k) in response to the voltage of the Q node. The 61st transistor T61 is turned on when the voltage of the Q node is at a high level and supplies the high level carry clock CRCLK(k) to the first output node NO1. Accordingly, a high-level carry signal (C(k)) is output.
캐리 신호(C(k))가 출력될 때, 부스팅 커패시터(CC)는 하이 레벨의 캐리 클럭(CRCLK(k))에 동기하여 Q 노드의 전압을 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)의 레벨보다 높은 부스팅 전압 레벨까지 부트스트랩(Bootstrap) 시킨다. Q 노드의 전압이 부트스트래핑되면 하이 레벨의 캐리 클럭(CRCLK(k))가 빠르게 그리고 왜곡없이 캐리 신호(C(k))로 출력될 수 있다.When the carry signal (C(k)) is output, the boosting capacitor (CC) is synchronized with the high-level carry clock (CRCLK(k)) to lower the voltage of the Q node to the level of the first high-potential gate voltage (GVDD1). Bootstrap to a high boosting voltage level. When the voltage of the Q node is bootstrapped, the high-level carry clock (CRCLK(k)) can be output as the carry signal (C(k)) quickly and without distortion.
제 62 트랜지스터(T62)는 제 1 출력 노드(NO1)와 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)을 전달하는 제 3 저전위 게이트 전압 라인 사이에 연결된다.The 62nd transistor T62 is connected between the first output node NO1 and the third low-potential gate voltage line transmitting the third low-potential gate voltage GVSS3.
제 62 트랜지스터(T62)는 QB 노드의 전압에 응답하여 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)을 기초로 제 1 출력 노드(NO1)를 통해 로우 레벨의 캐리 신호(C(k))를 출력한다. 제 62 트랜지스터(T62)는 QB 노드의 전압이 하이 레벨일 때 턴-온되어 제 3 저전위 전압(GVSS3)을 제 1 출력 노드(NO1)로 공급한다. 이에 따라서 로우 레벨의 캐리 신호(C(k))가 출력된다.The 62nd transistor T62 outputs a low-level carry signal C(k) through the first output node NO1 based on the third low-potential gate voltage GVSS3 in response to the voltage of the QB node. The 62nd transistor T62 is turned on when the voltage of the QB node is at a high level and supplies the third low potential voltage GVSS3 to the first output node NO1. Accordingly, a low-level carry signal (C(k)) is output.
스캔 신호 출력부(514)는 Q 노드의 전압 레벨 또는 QB 노드의 전압 레벨에 따라서 다수의 스캔 클럭(SCCLK(i), SCCLK(i+1), SCCLK(i+2), SCCLK(i+3))의 전압 레벨 또는 제 1 저전위 게이트 전압(GVSS1) 레벨을 기초로 다수의 스캔 신호(SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), SCAN(i+3))를 출력한다. (i는 양의 정수)The scan
여기에서, 다수의 스캔 클럭(SCCLK(i), SCCLK(i+1), SCCLK(i+2), SCCLK(i+3))은 게이트 클럭(GCLK)에 대응되는 신호로서, 게이트 구동 집적 회로(GDIC)에서 출력되는 스캔 신호(SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), SCAN(i+3))의 개수에 따라 달라질 수 있다.Here, the multiple scan clocks (SCCLK(i), SCCLK(i+1), SCCLK(i+2), and SCCLK(i+3)) are signals corresponding to the gate clock (GCLK), and are used in the gate driving integrated circuit. It may vary depending on the number of scan signals (SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), SCAN(i+3)) output from (GDIC).
스캔 신호 출력부(514)는 제 71 내지 제 78 트랜지스터(T71 내지 T78), 부스팅 커패시터(CS1, CS2, CS3, CS4)를 포함한다.The scan
제 71 트랜지스터(T71), 제 73 트랜지스터(T73), 제 75 트랜지스터(T75), 제 77 트랜지스터(T77)는 각각 스캔 클럭(SCCLK(i), SCCLK(i+1), SCCLK(i+2), SCCLK(i+3))를 전달하는 클럭 라인과 제 2 내지 제 5 출력 노드(NO2 내지 NO5) 사이에 연결된다. The 71st transistor (T71), the 73rd transistor (T73), the 75th transistor (T75), and the 77th transistor (T77) respectively use scan clocks (SCCLK(i), SCCLK(i+1), and SCCLK(i+2). , is connected between a clock line delivering SCCLK(i+3)) and the second to fifth output nodes (NO2 to NO5).
제 71 트랜지스터(T71), 제 73 트랜지스터(T73), 제 75 트랜지스터(T75), 제 77 트랜지스터(T77)의 게이트 노드와 소스 노드 사이에는 각각 부스팅 커패시터(CS1, CS2, CS3, CS4)가 연결된다.Boosting capacitors CS1, CS2, CS3, and CS4 are connected between the gate node and source node of the 71st transistor (T71), 73rd transistor (T73), 75th transistor (T75), and 77th transistor (T77), respectively. .
제 71 트랜지스터(T71), 제 73 트랜지스터(T73), 제 75 트랜지스터(T75), 제 77 트랜지스터(T77)는 각각 Q 노드의 전압에 응답하여 스캔 클럭(SCCLK(i), SCCLK(i+1), SCCLK(i+2), SCCLK(i+3))를 기초로 제 2 출력 노드(NO2), 제 3 출력 노드(NO3), 제 4 출력 노드(NO4), 제 5 출력 노드(NO5)를 통해 하이 레벨의 스캔 신호(SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), SCAN(i+3))를 출력한다. The 71st transistor (T71), 73rd transistor (T73), 75th transistor (T75), and 77th transistor (T77) each generate scan clocks (SCCLK(i), SCCLK(i+1) in response to the voltage of the Q node. , SCCLK(i+2), SCCLK(i+3)), the second output node (NO2), the third output node (NO3), the fourth output node (NO4), and the fifth output node (NO5). Through it, high-level scan signals (SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), SCAN(i+3)) are output.
제 71 트랜지스터(T71), 제 73 트랜지스터(T73), 제 75 트랜지스터(T75), 제 77 트랜지스터(T77)는 Q 노드의 전압이 하이 레벨일 때 턴-온되어 하이 레벨의 스캔 클럭(SCCLK(i), SCCLK(i+1), SCCLK(i+2), SCCLK(i+3))를 제 2 출력 노드(NO2), 제 3 출력 노드(NO3), 제 4 출력 노드(NO4), 제 5 출력 노드(NO5)로 각각 공급한다. 이에 따라서 하이 레벨의 스캔 신호(SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), SCAN(i+3))가 각각 출력된다.The 71st transistor (T71), the 73rd transistor (T73), the 75th transistor (T75), and the 77th transistor (T77) are turned on when the voltage of the Q node is at a high level and generate a high-level scan clock (SCCLK(i). ), SCCLK(i+1), SCCLK(i+2), SCCLK(i+3)) to the second output node (NO2), third output node (NO3), fourth output node (NO4), and fifth Each is supplied to the output node (NO5). Accordingly, high-level scan signals (SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), and SCAN(i+3)) are output, respectively.
제 71 트랜지스터(T71), 제 73 트랜지스터(T73), 제 75 트랜지스터(T75), 제 77 트랜지스터(T77)는 각각 풀업 트랜지스터에 해당한다.The 71st transistor (T71), 73rd transistor (T73), 75th transistor (T75), and 77th transistor (T77) respectively correspond to pull-up transistors.
스캔 신호(SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), SCAN(i+3))가 출력될 때, 부스팅 커패시터(CS1, CS2, CS3, CS4)는 하이 레벨의 스캔 클럭(SCCLK(i), SCCLK(i+1), SCCLK(i+2), SCCLK(i+3))에 동기하여 Q 노드의 전압을 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1) 레벨보다 높은 부스팅 전압 레벨까지 부트스트랩 또는 증가시킨다. Q 노드의 전압이 부트스트래핑되면 하이 레벨의 스캔 클럭(SCCLK(i), SCCLK(i+1), SCCLK(i+2), SCCLK(i+3))가 빠르게 그리고 왜곡없이 스캔 신호(SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), SCAN(i+3))로 출력될 수 있다.When scan signals (SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), SCAN(i+3)) are output, the boosting capacitors (CS1, CS2, CS3, CS4) are set to high-level scan signals. Boosting the voltage of the Q node in synchronization with the clock (SCCLK(i), SCCLK(i+1), SCCLK(i+2), SCCLK(i+3)) higher than the level of the first high-potential gate voltage (GVDD1) Bootstrap or increase the level. When the voltage of the Q node is bootstrapped, the high-level scan clocks (SCCLK(i), SCCLK(i+1), SCCLK(i+2), SCCLK(i+3)) are generated quickly and without distortion. i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), SCAN(i+3)).
제 72 트랜지스터(T72), 제 74 트랜지스터(T74), 제 76 트랜지스터(T76), 제 78 트랜지스터(T78)는 QB 노드의 전압에 응답하여 제 1 저전위 게이트 전압(GVSS1)을 기초로 제 2 출력 노드(NO2), 제 3 출력 노드(NO3), 제 4 출력 노드(NO4), 제 5 출력 노드(NO5)를 통해서 로우 레벨의 스캔 신호(SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), SCAN(i+3))를 각각 출력한다. The 72nd transistor (T72), the 74th transistor (T74), the 76th transistor (T76), and the 78th transistor (T78) respond to the voltage of the QB node and produce a second output based on the first low-potential gate voltage (GVSS1). Low-level scan signals (SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN( i+2) and SCAN(i+3)) are output respectively.
제 72 트랜지스터(T72), 제 74 트랜지스터(T74), 제 76 트랜지스터(T76), 제 78 트랜지스터(T78)는 QB 노드의 전압이 하이 레벨일 때 턴-온되어 제 1 저전위 게이트 전압(GVSS1)을 제 2 출력 노드(NO2), 제 3 출력 노드(NO3), 제 4 출력 노드(NO4), 제 5 출력 노드(NO5)로 각각 공급한다. 이에 따라서 로우 레벨의 스캔 신호(SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), SCAN(i+3))가 출력된다.The 72nd transistor (T72), 74th transistor (T74), 76th transistor (T76), and 78th transistor (T78) are turned on when the voltage of the QB node is at a high level to increase the first low-potential gate voltage (GVSS1). is supplied to the second output node (NO2), the third output node (NO3), the fourth output node (NO4), and the fifth output node (NO5), respectively. Accordingly, low-level scan signals (SCAN(i), SCAN(i+1), SCAN(i+2), and SCAN(i+3)) are output.
제 72 트랜지스터(T72), 제 74 트랜지스터(T74), 제 76 트랜지스터(T76), 제 78 트랜지스터(T78)는 각각 풀다운 트랜지스터에 해당한다.The 72nd transistor (T72), 74th transistor (T74), 76th transistor (T76), and 78th transistor (T78) respectively correspond to pull-down transistors.
여기에서는, 각각의 스테이지 회로에 서로 다른 레벨로 설정되는 3개의 고전위 게이트 전압(GVDD1, GVDD2, GVDD3) 및 서로 다른 레벨로 설정되는 3개의 저전위 게이트 전압(GVSS1, GVSS2, GVSS3)이 공급되는 경우를 나타내고 있다. 예를 들어 제 1 고전위 게이트 전압(GVDD1)은 20V, 제 2 고전위 게이트 전압(GVDD2)은 16V, 제 3 고전위 게이트 전압(GVDD3)은 14V로 설정될 수 있고, 제 1 저전위 게이트 전압(GVSS1)은 -6V, 제 2 저전위 게이트 전압(GVSS2)은 -10V, 제 3 저전위 게이트 전압(GVSS3)은 -12V로 설정될 수 있다. 이러한 수치는 단지 하나의 예시일 뿐이며 고전위 게이트 전압 및 저전위 게이트 전압의 레벨은 실시예에 따라 다르게 설정될 수 있을 것이다.Here, three high-potential gate voltages (GVDD1, GVDD2, GVDD3) set to different levels and three low-potential gate voltages (GVSS1, GVSS2, GVSS3) set to different levels are supplied to each stage circuit. Indicates a case. For example, the first high-potential gate voltage (GVDD1) may be set to 20V, the second high-potential gate voltage (GVDD2) may be set to 16V, the third high-potential gate voltage (GVDD3) may be set to 14V, and the first low-potential gate voltage may be set to 14V. (GVSS1) can be set to -6V, the second low-potential gate voltage (GVSS2) can be set to -10V, and the third low-potential gate voltage (GVSS3) can be set to -12V. This figure is just an example, and the levels of the high-potential gate voltage and the low-potential gate voltage may be set differently depending on the embodiment.
도 8 은 하나의 게이트 구동 집적 회로에서 16상 스캔 클럭 라인이 배치된 경우를 예시로 나타낸 도면이고, 도 9는 16상 스캔 클럭 라인을 통해 인가되는 16상 스캔 클럭의 신호 파형도를 예시로 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a diagram showing an example of a 16-phase scan clock line arranged in one gate driving integrated circuit, and FIG. 9 is a diagram showing an example of a signal waveform of a 16-phase scan clock applied through a 16-phase scan clock line. It is a drawing.
도 8 및 도 9를 참조하면, 게이트 구동 회로(120)를 구성하는 복수의 게이트 구동 집적 회로(GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4), …)에는 위상이 서로 다른 16개의 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들이 16개의 스캔 클럭 라인(SCL(1)-SCL(16))을 통해 인가될 수 있다. 이 때, 16개의 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들은 각각 16개의 스캔 신호(SCAN(1)-SCAN(16))에 대응될 수 있다.8 and 9, a plurality of gate driving integrated circuits (GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4),...) constituting the
여기에서는 16개의 스캔 클럭 라인(SCL(1)-SCL(16))들이 순차적으로 배치되는 경우를 예로 들어 나타내었으며, 8상 또는 12상 스캔 클럭 라인 등 다양한 구조로 변경될 수 있다.Here, the case where 16 scan clock lines (SCL(1)-SCL(16)) are arranged sequentially is shown as an example, and can be changed to various structures such as 8-phase or 12-phase scan clock lines.
16상 스캔 클럭 라인(SCL(1)-SCL(16))들을 통해 인가되는 16개의 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들은 위상이 서로 다른 펄스 신호일 수 있다. 16상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들은 클럭 순서에 따라 위상이 미리 결정되어 있으며, 클럭 번호가 작을수록 위상이 빠르다. 따라서, 16상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16)) 중에서 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))의 위상이 가장 빠르고, 제 16 스캔 클럭(SCCLK(16))의 위상이 가장 늦다.The 16 scan clocks (SCCLK(1)-SCCLK(16)) applied through the 16-phase scan clock lines (SCL(1)-SCL(16)) may be pulse signals with different phases. The phases of the 16-phase scan clocks (SCCLK(1)-SCCLK(16)) are predetermined according to the clock order, and the smaller the clock number, the faster the phase. Accordingly, among the 16-phase scan clocks (SCCLK(1)-SCCLK(16)), the phase of the first scan clock (SCCLK(1)) is the fastest, and the phase of the 16th scan clock (SCCLK(16)) is the latest.
16상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들은 모두 동일한 펄스 폭을 가지는데, 여기에서는 4 수평 주기(4H)의 펄스 폭을 가지는 경우를 나타내고 있다. All 16-phase scan clocks (SCCLK(1)-SCCLK(16)) have the same pulse width, and here, they have a pulse width of 4 horizontal periods (4H).
또한, 16상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))은 일정한 시간 간격으로 위상이 지연될 수 있는데, 예를 들어 1 수평 주기(1H)의 간격으로 지연될 수 있다. 따라서, 16상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들은 인접한 스캔 클럭과 3 수평 주기(3H) 만큼 중첩될 수 있다.Additionally, the phase of the 16-phase scan clock (SCCLK(1)-SCCLK(16)) may be delayed at regular time intervals, for example, at an interval of 1 horizontal period (1H). Accordingly, the 16-phase scan clocks (SCCLK(1)-SCCLK(16)) may overlap with adjacent scan clocks by 3 horizontal periods (3H).
한편, 게이트 구동 집적 회로(GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4), …)는 각각 하나 이상의 스캔 신호를 출력할 수 있는데, 여기에서는 하나의 게이트 구동 집적 회로에서 4개의 스캔 신호가 출력되는 경우를 나타내고 있다.Meanwhile, the gate driving integrated circuits (GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4),...) can each output one or more scan signals, where one gate driving integrated circuit This shows a case where 4 scan signals are output.
디스플레이 패널(110)은 베젤의 폭을 좁게 하기 위해서, 16상 스캔 클럭 라인(SCL(1)-SCL(16))들 사이의 간격을 좁게 설계하는데, 이 경우 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들 사이에 생기는 기생 커패시턴스가 커질 수 있다. The
이 때, 인접한 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들 사이의 신호 중첩에 따라, 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들 사이에 생기는 기생 커패시턴스의 영향이 달라질 수 있다. 그 결과, 게이트 구동 집적 회로(GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4), …)에서 출력되는 스캔 신호(SCAN(1)-SCAN(16))의 펄스 폭이 변경되고 영상 품질이 저하될 수 있다.At this time, depending on the signal overlap between adjacent scan clocks (SCCLK(1)-SCCLK(16)), the effect of parasitic capacitance occurring between scan clocks (SCCLK(1)-SCCLK(16)) may vary. . As a result, the pulse width of the scan signal (SCAN(1)-SCAN(16)) output from the gate driving integrated circuit (GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4),...) changes and image quality may deteriorate.
예를 들어, 16상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(12))들이 인접한 스캔 클럭과 3 수평 주기(3H) 만큼 중첩되는 경우, 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))은 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2))과 3 수평 주기(3H) 만큼 중첩된다. For example, when 16-phase scan clocks (SCCLK(1)-SCCLK(12)) overlap with adjacent scan clocks by 3 horizontal periods (3H), the first scan clock (SCCLK(1)) is the second scan clock. (SCCLK(2)) overlaps by 3 horizontal cycles (3H).
반면, 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2))은 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))과 3 수평 주기(3H) 만큼 중첩되는 동시에, 제 3 스캔 클럭(SCCLK(3))과도 3 수평 주기(3H) 만큼 중첩된다. 마찬가지로, 제 3 스캔 클럭(SCCLK(3))은 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2))과 3 수평 주기(3H) 만큼 중첩되는 동시에, 제 4 스캔 클럭(SCCLK(4))과도 3 수평 주기(3H) 만큼 중첩된다. 이러한 중첩 특성은 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2)) 내지 제 15 스캔 클럭(SCCLK(15))의 경우에 동일하게 나타난다.On the other hand, the second scan clock (SCCLK(2)) overlaps with the first scan clock (SCCLK(1)) by 3 horizontal cycles (3H) and also overlaps with the third scan clock (SCCLK(3)) by 3 horizontal cycles (3H). It overlaps by 3H). Likewise, the third scan clock (SCCLK(3)) overlaps with the second scan clock (SCCLK(2)) by 3 horizontal periods (3H) and overlaps with the fourth scan clock (SCCLK(4)) by 3 horizontal periods (3H). It overlaps by 3H). This overlap characteristic appears equally in the case of the second scan clock (SCCLK(2)) to the fifteenth scan clock (SCCLK(15)).
또한, 제 16 스캔 클럭(SCCLK(16))은 제 15 스캔 클럭(SCCLK(15))과 3 수평 주기(3H) 만큼 중첩된다.Additionally, the 16th scan clock (SCCLK(16)) overlaps with the 15th scan clock (SCCLK(15)) by 3 horizontal periods (3H).
결국, 16상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))의 경우에, 죄외곽에 배치되는 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))과 제 16 스캔 클럭 라인(SCL(16))은 동일한 중첩 특성을 가지지만, 그 사이에 배치되는 제 2 스캔 클럭 라인(SCL(2)) 내지 제 15 스캔 클럭 라인(SCL(15))은 다른 중첩 특성을 가지게 된다.Ultimately, in the case of a 16-phase scan clock (SCCLK(1)-SCCLK(16)), the first scan clock line (SCL(1)) and the 16th scan clock line (SCL(16)) placed on the outer edge are Although they have the same overlapping characteristics, the second to fifteenth scan clock lines (SCL(2)) to the fifteenth scan clock lines (SCL(15)) disposed between them have different overlapping characteristics.
도 10은 도 8 및 도 9의 구조에서, 스캔 클럭 라인들 사이의 기생 커패시턴스와 이로 인한 스캔 신호의 왜곡을 예시로 나타낸 도면이다. FIG. 10 is a diagram illustrating the parasitic capacitance between scan clock lines and the resulting distortion of the scan signal in the structures of FIGS. 8 and 9 as an example.
도 10을 참조하면, 16상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(12))들이 4 수평 주기(4H)의 펄스 폭을 가지고 1 수평 주기(1H)의 간격으로 전달될 수 있다. 이 경우, 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))은 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2))과 3 수평 주기(3H) 만큼 중첩되고, 제 16 스캔 클럭(SCCLK(16))은 제 15 스캔 클럭(SCCLK(15))과 3 수평 주기(3H) 만큼 중첩된다. 따라서, 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))에 나타나는 제 1 리플(Ripple(1))과 제 16 스캔 클럭(SCCLK(16))에 나타나는 제 16 리플(Ripple(16))은 동일할 수 있다.Referring to FIG. 10, 16-phase scan clocks (SCCLK(1)-SCCLK(12)) may have a pulse width of 4 horizontal cycles (4H) and be transmitted at intervals of 1 horizontal cycle (1H). In this case, the first scan clock (SCCLK(1)) overlaps the second scan clock (SCCLK(2)) by 3 horizontal periods (3H), and the 16th scan clock (SCCLK(16)) overlaps with the 15th scan clock (SCCLK(16)). (SCCLK(15)) overlaps by 3 horizontal cycles (3H). Therefore, the first ripple (Ripple(1)) appearing in the first scan clock (SCCLK(1)) and the 16th ripple (Ripple(16)) appearing in the 16th scan clock (SCCLK(16)) may be the same. .
반면, 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2)) 내지 제 15 스캔 클럭(SCCLK(15))에 나타나는 리플(Ripple(2)-Ripple(15))은 양측에 배치되는 스캔 클럭 라인에 의해서 제 1 리플(Ripple(1)) 및 제 16 리플(Ripple(16))과 상이한 특성을 나타내게 된다.On the other hand, the ripples (Ripple(2)-Ripple(15)) that appear in the 2nd scan clock (SCCLK(2)) to the 15th scan clock (SCCLK(15)) are the first ripple by the scan clock lines placed on both sides. (Ripple(1)) and the 16th ripple (Ripple(16)).
그 결과, 기생 커패시턴스에 의해서 리플의 편차로 인해서, 게이트 구동 집적 회로(GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GIIC(4), …)에서 출력되는 스캔 신호(SCAN(1)-SCAN(16))에 편차가 발생하고, 디스플레이 패널(110)에는 가로선 불량이 발생할 수 있다.As a result, the scan signal (SCAN(1)) output from the gate driving integrated circuit (GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GIIC(4),...) due to the deviation of the ripple due to the parasitic capacitance. - Deviation may occur in the SCAN (16), and horizontal line defects may occur in the display panel (110).
따라서, 스캔 클럭 라인(SCL(1)-SCL(16))들 사이에 발생하는 기생 커패시턴스를 동일하게 형성함으로써, 리플의 편차에 의한 가로선 불량을 해소할 필요가 있다.Therefore, it is necessary to eliminate horizontal line defects caused by ripple deviation by making parasitic capacitances occurring between scan clock lines (SCL(1)-SCL(16)) the same.
도 11 은 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서, 기생 커패시턴스를 줄일 수 있는 스캔 클럭 라인의 배치를 예시로 나타낸 도면이고, 도 12는 도 11의 스캔 클럭 라인의 배치에 따른 신호 파형도를 예시로 나타낸 도면이다.FIG. 11 is a diagram showing an example of the arrangement of a scan clock line that can reduce parasitic capacitance in a display device according to embodiments of the present disclosure, and FIG. 12 is a signal waveform diagram according to the arrangement of the scan clock line of FIG. 11. This is a drawing shown as an example.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에서, 게이트 구동 회로(120)를 구성하는 복수의 게이트 구동 집적 회로(GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4), …)에는 위상이 서로 다른 16개의 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들이 스캔 신호(SCAN(1)-SCAN(16))에 대응되도록 인가될 수 있다.11 and 12, in the
16상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들은 모두 동일한 펄스 폭을 가지는데, 여기에서는 4 수평 주기(4H)의 펄스 폭을 가지는 경우를 나타내고 있다. All 16-phase scan clocks (SCCLK(1)-SCCLK(16)) have the same pulse width, and here, they have a pulse width of 4 horizontal periods (4H).
또한, 16상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))은 일정한 시간 간격으로 위상이 지연될 수 있는데, 예를 들어 1 수평 주기(1H)의 간격으로 지연될 수 있다. 따라서, 16상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들은 인접한 스캔 클럭과 3 수평 주기(3H) 만큼 중첩될 수 있다.Additionally, the phase of the 16-phase scan clock (SCCLK(1)-SCCLK(16)) may be delayed at regular time intervals, for example, at an interval of 1 horizontal period (1H). Accordingly, the 16-phase scan clocks (SCCLK(1)-SCCLK(16)) may overlap with adjacent scan clocks by 3 horizontal periods (3H).
게이트 구동 집적 회로(GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4), …)는 각각 4개의 스캔 신호를 출력할 수 있다. 구체적으로 제 1 게이트 구동 집적 회로(GDIC(1))는 제 1 스캔 신호(SCAN(1)) 내지 제 4 스캔 신호(SCAN(4))를 출력하고, 제 2 게이트 구동 집적 회로(GDIC(2))는 제 5 스캔 신호(SCAN(5)) 내지 제 8 스캔 신호(SCAN(8))를 출력할 수 있다. 또한, 제 3 게이트 구동 집적 회로(GDIC(3))는 제 9 스캔 신호(SCAN(9)) 내지 제 12 스캔 신호(SCAN(12))를 출력하고, 제 4 게이트 구동 집적 회로(GDIC(4))는 제 13 스캔 신호(SCAN(13)) 내지 제 16 스캔 신호(SCAN(16))를 출력할 수 있다.Gate driving integrated circuits (GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4),...) can each output four scan signals. Specifically, the first gate driving integrated circuit (GDIC(1)) outputs the first scan signal (SCAN(1)) to the fourth scan signal (SCAN(4)), and the second gate driving integrated circuit (GDIC(2) )) can output the fifth scan signal (SCAN(5)) to the eighth scan signal (SCAN(8)). In addition, the third gate driving integrated circuit (GDIC(3)) outputs the ninth scan signal (SCAN(9)) to the twelfth scan signal (SCAN(12)), and the fourth gate driving integrated circuit (GDIC(4) )) can output the 13th scan signal (SCAN(13)) to the 16th scan signal (SCAN(16)).
본 개시의 디스플레이 장치(100)는 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들 사이에 야기되는 기생 커패시턴스의 편차를 줄이기 위해서, 최외곽에 배치되는 스캔 클럭 라인의 외측에 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1), DSCL(2))을 배치할 수 있다.The
예를 들어, 16상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))의 구조에서, 가장 좌측에 배치되는 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))은 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인에 해당하고, 가장 우측에 배치되는 제 16 스캔 클럭 라인(SCL(16))은 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인에 해당하게 될 것이다.For example, in the structure of the 16-phase scan clock (SCCLK(1)-SCCLK(16)), the first scan clock line (SCL(1)) disposed on the leftmost side corresponds to the first outermost scan clock line and , the 16th scan clock line (SCL(16)) disposed on the rightmost side will correspond to the second outermost scan clock line.
이 때, 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))의 좌측에 제 1 더미 스캔 틀럭 라인(DSCL(1))을 배치하고, 제 16 스캔 클럭 라인(SCL(16))의 우측에 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))을 배치한다.At this time, the first dummy scan clock line (DSCL(1)) is placed to the left of the first scan clock line (SCL(1)), and the second dummy scan clock line (DSCL(1)) is placed to the right of the 16th scan clock line (SCL(16)). Place the scan clock line (DSCL(2)).
더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1), DSCL(2))은 게이트 구동 집적 회로(GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4), …)와 전기적으로 연결되지 않으므로, 게이트 구동 집적 회로(GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4), …)에서 스캔 신호를 출력하는데 영향을 미치지 않는다.Since the dummy scan clock lines (DSCL(1), DSCL(2)) are not electrically connected to the gate drive integrated circuit (GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4), …), It does not affect the output of the scan signal from the gate driving integrated circuit (GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4),...).
다만, 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들 사이에 야기되는 기생 커패시턴스의 편차를 줄일 수 있도록, 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))에는 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))이 인가되고, 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))에는 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))이 인가될 수 있다.However, in order to reduce the deviation of the parasitic capacitance caused between the scan clocks (SCCLK(1) - SCCLK(16)), a first dummy scan clock (DSCCLK(1)) is provided on the first dummy scan clock line (DSCL(1)). 1)) is applied, and the second dummy scan clock (DSCCLK(2)) may be applied to the second dummy scan clock line (DSCL(2)).
보다 구체적으로, 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))에 인가되는 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))은 제 16 스캔 클럭(SCCLK(16))과 동일한 위상과 진폭을 가지는 펄스이고, 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))에 인가되는 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))은 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))과 동일한 위상과 진폭을 가지는 펄스일 수 있다.More specifically, the first dummy scan clock (DSCCLK(1)) applied to the first dummy scan clock line (DSCL(1)) is a pulse having the same phase and amplitude as the 16th scan clock (SCCLK(16)). , the second dummy scan clock (DSCCLK(2)) applied to the second dummy scan clock line (DSCL(2)) may be a pulse having the same phase and amplitude as the first scan clock (SCCLK(1)).
이를 위해서, 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))에 인접해서 배치되는 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))은 제 16 스캔 클럭 라인(SCL(16))과 전기적으로 연결될 수 있다.To this end, the first dummy scan clock line (DSCL(1)) disposed adjacent to the first scan clock line (SCL(1)) may be electrically connected to the 16th scan clock line (SCL(16)).
이 때, 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))과 제 16 스캔 클럭 라인(SCL(16))은 소스 인쇄 회로 기판(SPCB) 또는 컨트롤 인쇄 회로 기판(CPCB)에서 전기적으로 연결될 수 있다. At this time, the first dummy scan clock line (DSCL(1)) and the sixteenth scan clock line (SCL(16)) may be electrically connected to the source printed circuit board (SPCB) or the control printed circuit board (CPCB).
이로써, 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))과 제 16 스캔 클럭 라인(SCL(16))은 동일한 위상과 진폭을 가지는 펄스가 인가될 수 있다.Accordingly, pulses having the same phase and amplitude can be applied to the first dummy scan clock line (DSCL(1)) and the 16th scan clock line (SCL(16)).
반면, 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))에 별도의 펄스 생성 회로를 배치하고, 제 16 스캔 클럭(SCCLK(16))와 동일한 위상 및 진폭을 가지는 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))을 생성해서 인가할 수도 있을 것이다.On the other hand, a separate pulse generation circuit is placed on the first dummy scan clock line (DSCL(1)), and a first dummy scan clock (DSCCLK(1)) having the same phase and amplitude as the 16th scan clock (SCCLK(16)) is used. )) may be created and approved.
또한, 제 16 스캔 클럭 라인(SCL(16))에 인접해서 배치되는 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))은 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))과 전기적으로 연결될 수 있다.Additionally, the second dummy scan clock line (DSCL(2)) disposed adjacent to the 16th scan clock line (SCL(16)) may be electrically connected to the first scan clock line (SCL(1)).
이 때, 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))과 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))은 소스 인쇄 회로 기판(SPCB) 또는 컨트롤 인쇄 회로 기판(CPCB)에서 전기적으로 연결될 수 있다.At this time, the second dummy scan clock line (DSCL(2)) and the first scan clock line (SCL(1)) may be electrically connected to the source printed circuit board (SPCB) or the control printed circuit board (CPCB).
이로써, 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))과 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))은 동일한 위상과 진폭을 가지는 펄스가 인가될 수 있다.Accordingly, pulses having the same phase and amplitude can be applied to the second dummy scan clock line (DSCL(2)) and the first scan clock line (SCL(1)).
반면, 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))에 별도의 펄스 생성 회로를 배치하고, 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))과 동일한 위상 및 진폭을 가지는 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))을 생성해서 인가할 수도 있을 것이다.On the other hand, a separate pulse generation circuit is placed on the second dummy scan clock line (DSCL(2)), and a second dummy scan clock (DSCCLK(2)) has the same phase and amplitude as the first scan clock (SCCLK(1)). )) may be created and approved.
이와 같이, 제 16 스캔 클럭(SCCLK(16))과 동일한 펄스의 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))이 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))에 인가되는 경우에, 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))은 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))과 3 수평 주기(3H) 동안 중첩되고, 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2))과 3 수평 주기(3H) 동안 중첩된다. 따라서, 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))에 나타나는 기생 커패시턴스는 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2)) 내지 제 15 스캔 클럭(SCCLK(15))에 나타나는 기생 커패시턴스와 동일한 수준이 된다. 그 결과, 기생 커패시턴스의 편차에 의한 가로선 불량이 완화된다.In this way, when the first dummy scan clock (DSCCLK(1)) of the same pulse as the 16th scan clock (SCCLK(16)) is applied to the first dummy scan clock line (DSCL(1)), the first scan clock The clock (SCCLK(1)) overlaps with the first dummy scan clock (DSCCLK(1)) for 3 horizontal cycles (3H) and overlaps with the second scan clock (SCCLK(2)) for 3 horizontal cycles (3H). . Accordingly, the parasitic capacitance appearing in the first scan clock (SCCLK(1)) is at the same level as the parasitic capacitance appearing in the second scan clock (SCCLK(2)) to the fifteenth scan clock (SCCLK(15)). As a result, horizontal line defects caused by variations in parasitic capacitance are alleviated.
또한, 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))과 동일한 펄스의 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))이 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))에 인가되는 경우에, 제 16 스캔 클럭(SCCLK(16))은 제 15 스캔 클럭(SCCLK(15))과 3 수평 주기(3H) 동안 중첩되면서 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))과도 3 수평 주기(3H) 동안 중첩된다. 따라서, 제 16 스캔 클럭(SCCLK(16))에 나타나는 기생 커패시턴스는 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2)) 내지 제 15 스캔 클럭(SCCLK(15))에 나타나는 기생 커패시턴스와 동일한 수준이 된다. 그 결과, 기생 커패시턴스의 편차에 의한 가로선 불량이 완화된다.In addition, when the second dummy scan clock (DSCCLK(2)) of the same pulse as the first scan clock (SCCLK(1)) is applied to the second dummy scan clock line (DSCL(2)), the 16th scan clock (SCCLK(16)) overlaps with the 15th scan clock (SCCLK(15)) for 3 horizontal cycles (3H) and also overlaps with the second dummy scan clock (DSCCLK(2)) for 3 horizontal cycles (3H). Accordingly, the parasitic capacitance appearing in the 16th scan clock (SCCLK(16)) is at the same level as the parasitic capacitance appearing in the 2nd scan clock (SCCLK(2)) to the 15th scan clock (SCCLK(15)). As a result, horizontal line defects caused by variations in parasitic capacitance are alleviated.
도 13은 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서, 더미 스캔 클럭 라인을 통해 인가되는 더미 스캔 클럭에 의해서 가로선 불량이 개선되는 경우를 예시로 나타낸 도면이다.FIG. 13 is a diagram showing an example of a case in which horizontal line defects are improved by a dummy scan clock applied through a dummy scan clock line in a display device according to embodiments of the present disclosure.
도 13을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에서, 16상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들 사이에 야기되는 기생 커패시턴스의 편차를 줄이기 위해서, 최외곽에 배치되는 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1)) 및 제 16 스캔 클럭 라인(SCL(16))의 외측에 각각 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))과 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))을 배치할 수 있다.Referring to FIG. 13, in the
스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(16))들 사이에 야기되는 기생 커패시턴스의 편차를 줄일 수 있도록, 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))에는 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))이 인가되고, 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))에는 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))이 인가될 수 있다.To reduce the deviation of the parasitic capacitance caused between the scan clocks (SCCLK(1) - SCCLK(16)), a first dummy scan clock (DSCCLK(1)) is provided on the first dummy scan clock line (DSCL(1)). ) is applied, and the second dummy scan clock (DSCCLK(2)) may be applied to the second dummy scan clock line (DSCL(2)).
제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))은 제 16 스캔 클럭(SCCLK(16))과 동일한 위상과 진폭을 가지는 펄스이고, 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))은 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))과 동일한 위상과 진폭을 가지는 펄스일 수 있다.The first dummy scan clock (DSCCLK(1)) is a pulse having the same phase and amplitude as the 16th scan clock (SCCLK(16)), and the second dummy scan clock (DSCCLK(2)) is a pulse with the same phase and amplitude as the 16th scan clock (SCCLK(16)). It may be a pulse with the same phase and amplitude as (1)).
그 결과, 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))에 나타나는 기생 커패시턴스는 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2)) 내지 제 15 스캔 클럭(SCCLK(15))에 나타나는 기생 커패시턴스와 동일한 수준이 된다. As a result, the parasitic capacitance appearing in the first scan clock (SCCLK(1)) is at the same level as the parasitic capacitance appearing in the second scan clock (SCCLK(2)) to the fifteenth scan clock (SCCLK(15)).
또한, 제 16 스캔 클럭(SCCLK(16))에 나타나는 기생 커패시턴스는 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2)) 내지 제 15 스캔 클럭(SCCLK(15))에 나타나는 기생 커패시턴스와 동일한 수준이 된다. 그 결과, 기생 커패시턴스의 편차에 의한 가로선 불량이 완화된다Additionally, the parasitic capacitance appearing in the 16th scan clock (SCCLK(16)) is at the same level as the parasitic capacitance appearing in the 2nd scan clock (SCCLK(2)) to the 15th scan clock (SCCLK(15)). As a result, horizontal line defects caused by variations in parasitic capacitance are alleviated.
또한, 본 개시의 디스플레이 장치(100)는 스캔 클럭 라인의 개수가 상이한 다양한 구조에 적용될 수 있다. 예를 들어, 12개의 스캔 클럭을 이용해서 게이트 구동 회로(120)를 구동하는 12상 스캔 클럭 라인의 구조에 적용될 수도 있다.Additionally, the
도 14 는 본 개시의 또 다른 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서, 기생 커패시턴스를 줄일 수 있는 12상 스캔 클럭 라인의 배치를 예시로 나타낸 도면이다.FIG. 14 is a diagram showing an example of the arrangement of a 12-phase scan clock line that can reduce parasitic capacitance in a display device according to further embodiments of the present disclosure.
도 14를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에서, 게이트 구동 회로(120)를 구성하는 복수의 게이트 구동 집적 회로(GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4), …)에는 위상이 서로 다른 12개의 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(12))들이 스캔 신호(SCAN(1)-SCAN(16))에 대응되도록 인가될 수 있다.Referring to FIG. 14, in the
12상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(12))들은 모두 동일한 펄스 폭을 가지는데, 여기에서는 4 수평 주기(4H)의 펄스 폭을 가지는 경우를 나타내고 있다. All 12-phase scan clocks (SCCLK(1)-SCCLK(12)) have the same pulse width, and here, the pulse width is 4 horizontal periods (4H).
또한, 12상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(12))은 일정한 시간 간격으로 위상이 지연될 수 있는데, 예를 들어 1 수평 주기(1H)의 간격으로 지연될 수 있다. 따라서, 12상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(12))들은 인접한 스캔 클럭과 3 수평 주기(3H) 만큼 중첩될 수 있다.Additionally, the phase of the 12-phase scan clock (SCCLK(1)-SCCLK(12)) may be delayed at regular time intervals, for example, at an interval of 1 horizontal period (1H). Accordingly, the 12-phase scan clocks (SCCLK(1)-SCCLK(12)) may overlap with adjacent scan clocks by 3 horizontal periods (3H).
게이트 구동 집적 회로(GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4), …)는 각각 4개의 스캔 신호를 출력할 수 있다. 구체적으로 제 1 게이트 구동 집적 회로(GDIC(1))는 제 1 스캔 신호(SCAN(1)) 내지 제 4 스캔 신호(SCAN(4))를 출력하고, 제 2 게이트 구동 집적 회로(GDIC(2))는 제 5 스캔 신호(SCAN(5)) 내지 제 8 스캔 신호(SCAN(8))를 출력할 수 있다. 또한, 제 3 게이트 구동 집적 회로(GDIC(3))는 제 9 스캔 신호(SCAN(9)) 내지 제 12 스캔 신호(SCAN(12))를 출력하고, 제 4 게이트 구동 집적 회로(GDIC(4))는 제 13 스캔 신호(SCAN(13)) 내지 제 16 스캔 신호(SCAN(16))를 출력할 수 있다.Gate driving integrated circuits (GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4),...) can each output four scan signals. Specifically, the first gate driving integrated circuit (GDIC(1)) outputs the first scan signal (SCAN(1)) to the fourth scan signal (SCAN(4)), and the second gate driving integrated circuit (GDIC(2) )) can output the fifth scan signal (SCAN(5)) to the eighth scan signal (SCAN(8)). Additionally, the third gate driving integrated circuit (GDIC(3)) outputs the ninth scan signal (SCAN(9)) to the twelfth scan signal (SCAN(12)), and the fourth gate driving integrated circuit (GDIC(4) )) can output the 13th scan signal (SCAN(13)) to the 16th scan signal (SCAN(16)).
본 개시의 디스플레이 장치(100)는 12상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(12))들 사이에 야기되는 기생 커패시턴스의 편차를 줄이기 위해서, 최외곽에 배치되는 스캔 클럭 라인의 외측에 각각 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))과 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))을 배치할 수 있다.In the
예를 들어, 12상 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(12))의 구조에서, 가장 좌측에 배치되는 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))은 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인에 해당하고, 가장 우측에 배치되는 제 12 스캔 클럭 라인(SCL(12))은 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인에 해당하게 될 것이다.For example, in the structure of the 12-phase scan clock (SCCLK(1)-SCCLK(12)), the first scan clock line (SCL(1)) disposed on the leftmost side corresponds to the first outermost scan clock line and , the 12th scan clock line (SCL(12)) disposed on the rightmost side will correspond to the second outermost scan clock line.
이 때, 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))의 좌측에 제 1 더미 스캔 틀럭 라인(DSCL(1))을 배치하고, 제 12 스캔 클럭 라인(SCL(12))의 우측에 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))을 배치한다.At this time, the first dummy scan clock line (DSCL(1)) is placed to the left of the first scan clock line (SCL(1)), and the second dummy scan clock line (DSCL(1)) is placed to the right of the twelfth scan clock line (SCL(12)). Place the scan clock line (DSCL(2)).
더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1), DSCL(2))은 게이트 구동 집적 회로(GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4), …)와 전기적으로 연결되지 않으므로, 게이트 구동 집적 회로(GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4), …)에서 스캔 신호를 출력하는데 영향을 미치지 않는다.Since the dummy scan clock lines (DSCL(1), DSCL(2)) are not electrically connected to the gate drive integrated circuit (GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4), …), It does not affect the output of the scan signal from the gate driving integrated circuit (GDIC(1), GDIC(2), GDIC(3), GDIC(4),...).
다만, 스캔 클럭(SCCLK(1)-SCCLK(12))들 사이에 야기되는 기생 커패시턴스의 편차를 줄일 수 있도록, 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))에는 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))이 인가되고, 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))에는 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))이 인가될 수 있다.However, in order to reduce the deviation of the parasitic capacitance caused between the scan clocks (SCCLK(1) - SCCLK(12)), a first dummy scan clock (DSCCLK(1)) is provided on the first dummy scan clock line (DSCL(1)). 1)) is applied, and the second dummy scan clock (DSCCLK(2)) may be applied to the second dummy scan clock line (DSCL(2)).
보다 구체적으로, 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))에 인가되는 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))은 제 12 스캔 클럭(SCCLK(12))과 동일한 위상 및 진폭을 가지는 펄스이고, 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))에 인가되는 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))은 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))과 동일한 위상 및 진폭을 가지는 펄스일 수 있다.More specifically, the first dummy scan clock (DSCCLK(1)) applied to the first dummy scan clock line (DSCL(1)) is a pulse having the same phase and amplitude as the 12th scan clock (SCCLK(12)). , the second dummy scan clock (DSCCLK(2)) applied to the second dummy scan clock line (DSCL(2)) may be a pulse having the same phase and amplitude as the first scan clock (SCCLK(1)).
이를 위해서, 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))과 인접해서 배치되는 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))은 제 12 스캔 클럭 라인(SCL(12))과 전기적으로 연결될 수 있다.To this end, the first dummy scan clock line (DSCL(1)) disposed adjacent to the first scan clock line (SCL(1)) may be electrically connected to the 12th scan clock line (SCL(12)).
이 때, 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))과 제 12 스캔 클럭 라인(SCL(12))은 소스 인쇄 회로 기판(SPCB) 또는 컨트롤 인쇄 회로 기판(CPCB)에서 전기적으로 연결될 수 있다. At this time, the first dummy scan clock line (DSCL(1)) and the twelfth scan clock line (SCL(12)) may be electrically connected to the source printed circuit board (SPCB) or the control printed circuit board (CPCB).
이로써, 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))과 제 12 스캔 클럭 라인(SCL(12))은 동일한 위상과 진폭을 가지는 펄스가 인가될 수 있다.Accordingly, pulses having the same phase and amplitude can be applied to the first dummy scan clock line (DSCL(1)) and the twelfth scan clock line (SCL(12)).
반면, 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))에 별도의 펄스 생성 회로를 배치하고, 제 12 스캔 클럭(SCCLK(12))와 동일한 위상 및 진폭을 가지는 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))을 생성해서 인가할 수도 있을 것이다.On the other hand, a separate pulse generation circuit is placed on the first dummy scan clock line (DSCL(1)), and a first dummy scan clock (DSCCLK(1)) having the same phase and amplitude as the 12th scan clock (SCCLK(12)) is used. )) may be created and approved.
또한, 제 12 스캔 클럭 라인(SCL(12))과 인접해서 배치되는 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))은 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))과 전기적으로 연결될 수 있다.Additionally, the second dummy scan clock line (DSCL(2)) disposed adjacent to the twelfth scan clock line (SCL(12)) may be electrically connected to the first scan clock line (SCL(1)).
이 때, 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))과 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))은 소스 인쇄 회로 기판(SPCB) 또는 컨트롤 인쇄 회로 기판(CPCB)에서 전기적으로 연결될 수 있다.At this time, the second dummy scan clock line (DSCL(2)) and the first scan clock line (SCL(1)) may be electrically connected to the source printed circuit board (SPCB) or the control printed circuit board (CPCB).
이로써, 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))과 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))은 동일한 위상과 진폭을 가지는 펄스가 인가될 수 있다.Accordingly, pulses having the same phase and amplitude can be applied to the second dummy scan clock line (DSCL(2)) and the first scan clock line (SCL(1)).
반면, 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))에 별도의 펄스 생성 회로를 배치하고, 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))과 동일한 위상 및 진폭을 가지는 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))을 생성해서 인가할 수도 있을 것이다.On the other hand, a separate pulse generation circuit is placed on the second dummy scan clock line (DSCL(2)), and a second dummy scan clock (DSCCLK(2)) has the same phase and amplitude as the first scan clock (SCCLK(1)). )) may be created and approved.
이와 같이, 제 12 스캔 클럭(SCCLK(12))과 동일한 펄스의 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))이 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))에 인가되는 경우에, 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))은 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))과 3 수평 주기(3H) 동안 중첩되고, 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2))과 3 수평 주기(3H) 동안 중첩된다. 따라서, 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))에 나타나는 기생 커패시턴스는 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2)) 내지 제 11 스캔 클럭(SCCLK(11))에 나타나는 기생 커패시턴스와 동일한 수준이 된다. 그 결과, 기생 커패시턴스의 편차에 의한 가로선 불량이 완화된다.In this way, when the first dummy scan clock (DSCCLK(1)) of the same pulse as the 12th scan clock (SCCLK(12)) is applied to the first dummy scan clock line (DSCL(1)), the first scan clock The clock (SCCLK(1)) overlaps with the first dummy scan clock (DSCCLK(1)) for 3 horizontal cycles (3H) and overlaps with the second scan clock (SCCLK(2)) for 3 horizontal cycles (3H). . Accordingly, the parasitic capacitance appearing in the first scan clock (SCCLK(1)) is at the same level as the parasitic capacitance appearing in the second scan clock (SCCLK(2)) to the eleventh scan clock (SCCLK(11)). As a result, horizontal line defects caused by variations in parasitic capacitance are alleviated.
또한, 제 1 스캔 클럭(SCCLK(1))과 동일한 펄스의 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))이 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))에 인가되는 경우에, 제 12 스캔 클럭(SCCLK(12))은 제 11 스캔 클럭(SCCLK(11))과 3 수평 주기(3H) 동안 중첩되면서 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))과도 3 수평 주기(3H) 동안 중첩된다. 따라서, 제 12 스캔 클럭(SCCLK(12))에 나타나는 기생 커패시턴스는 제 2 스캔 클럭(SCCLK(2)) 내지 제 11 스캔 클럭(SCCLK(11))에 나타나는 기생 커패시턴스와 동일한 수준이 된다. 그 결과, 기생 커패시턴스의 편차에 의한 가로선 불량이 완화된다.Additionally, when the second dummy scan clock (DSCCLK(2)) of the same pulse as the first scan clock (SCCLK(1)) is applied to the second dummy scan clock line (DSCL(2)), the 12th scan clock (SCCLK(12)) overlaps with the 11th scan clock (SCCLK(11)) for 3 horizontal cycles (3H) and also overlaps with the second dummy scan clock (DSCCLK(2)) for 3 horizontal cycles (3H). Accordingly, the parasitic capacitance appearing in the 12th scan clock (SCCLK(12)) is at the same level as the parasitic capacitance appearing in the 2nd scan clock (SCCLK(2)) to the 11th scan clock (SCCLK(11)). As a result, horizontal line defects caused by variations in parasitic capacitance are alleviated.
이상에서 설명한 본 개시의 실시예들을 간략하게 설명하면 아래와 같다.The embodiments of the present disclosure described above are briefly described as follows.
본 개시의 디스플레이 패널(110)은 복수의 게이트 라인(GL)과 복수의 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 배치되는 복수의 서브픽셀(SP)과, 상기 복수의 게이트 라인(GL)을 통해 복수의 스캔 신호(SCAN)를 상기 복수의 서브픽셀(SP)에 공급하는 복수의 게이트 인 패널(GIP) 회로(GIPC)와, 상기 복수의 스캔 신호(SCAN)에 대응되는 복수의 스캔 클럭(SCCLK)을 상기 복수의 게이트 인 패널(GIP) 회로(GIPC)에 공급하는 복수의 스캔 클럭 라인(SCL)과, 상기 복수의 스캔 클럭 라인(SCL) 중에서 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))과, 상기 복수의 스캔 클럭 라인(SCL) 중에서 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))을 포함할 수 있다.The
상기 복수의 스캔 클럭 라인(SCL)은 N(N은 자연수) 개의 스캔 클럭(SCCLK)을 전달하는 N상 스캔 클럭 라인이고, 상기 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인은 제 1 스캔 클럭 라인(SCL(1))이며, 상기 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인은 제 N 스캔 클럭 라인일 수 있다.The plurality of scan clock lines (SCL) are N-phase scan clock lines that transmit N (N is a natural number) scan clocks (SCCLK), and the first outermost scan clock line is a first scan clock line (SCL(1) )), and the second outermost scan clock line may be the Nth scan clock line.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1)) 및 상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))은 상기 복수의 스캔 클럭 라인(SCL)의 외측에 각각 배치될 수 있다.The first dummy scan clock line (DSCL(1)) and the second dummy scan clock line (DSCL(2)) may be respectively disposed outside the plurality of scan clock lines (SCL).
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1)) 및 상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))은 상기 복수의 게이트 인 패널(GIP) 회로(GIPC)와 전기적으로 절연될 수 있다.The first dummy scan clock line (DSCL(1)) and the second dummy scan clock line (DSCL(2)) may be electrically insulated from the plurality of gate in panel (GIP) circuits (GIPC).
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))에 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))이 인가되고, 상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))에 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))이 인가될 수 있다.A first dummy scan clock (DSCCLK(1)) is applied to the first dummy scan clock line (DSCL(1)), and a second dummy scan clock (DSCCLK(1)) is applied to the second dummy scan clock line (DSCL(2)). (2)) may be approved.
상기 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))은 상기 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인에 인가되는 스캔 클럭과 위상 및 진폭이 동일하고, 상기 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))은 상기 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인에 인가되는 스캔 클럭과 위상 및 진폭이 동일할 수 있다.The first dummy scan clock (DSCCLK(1)) has the same phase and amplitude as the scan clock applied to the second outermost scan clock line, and the second dummy scan clock (DSCCLK(2)) has the same phase and amplitude as the scan clock applied to the second outermost scan clock line. The phase and amplitude may be the same as the scan clock applied to the outermost scan clock line.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))에 상기 제 1 더미 스캔 클럭(DSCCLK(1))을 공급하는 제 1 펄스 생성 회로; 및 상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))에 상기 제 2 더미 스캔 클럭(DSCCLK(2))을 공급하는 제 2 펄스 생성 회로를 더 포함할 수 있다.a first pulse generation circuit that supplies the first dummy scan clock (DSCCLK(1)) to the first dummy scan clock line (DSCL(1)); and a second pulse generation circuit that supplies the second dummy scan clock (DSCCLK(2)) to the second dummy scan clock line (DSCL(2)).
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))은 상기 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인과 전기적으로 연결되고, 상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))은 상기 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.The first dummy scan clock line (DSCL(1)) is electrically connected to the second outermost scan clock line, and the second dummy scan clock line (DSCL(2)) is electrically connected to the first outermost scan clock line. can be electrically connected to.
또한, 본 개시의 디스플레이 장치(100)는 복수의 서브픽셀(SP)이 배치된 디스플레이 패널(110)과, 복수의 게이트 라인(GL)을 통해 상기 디스플레이 패널(110)에 복수의 스캔 신호(SCAN)를 공급하도록 구성된 복수의 게이트 구동 집적 회로(GDIC)를 포함하는 게이트 구동 회로(120)와, 복수의 데이터 라인(DL)을 통해 상기 디스플레이 패널(110)에 복수의 데이터 전압을 공급하도록 구성된 데이터 구동 회로(130)와, 상기 게이트 구동 회로(120) 및 상기 데이터 구동 회로(130)를 제어하도록 구성된 타이밍 컨트롤러(140)와, 상기 복수의 스캔 신호(SCAN)에 대응되는 복수의 스캔 클럭(SCCLK)을 상기 복수의 게이트 구동 집적 회로(GDIC)에 공급하는 복수의 스캔 클럭 라인(SCL)과, 상기 복수의 스캔 클럭 라인(SCL) 중에서 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1))과, 상기 복수의 스캔 클럭 라인(SCL) 중에서 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))을 포함할 수 있다.In addition, the
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1)) 및 상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))은 상기 데이터 구동 회로(130)가 배치되는 소스 인쇄 회로 기판(SPCB)에서, 상기 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인 및 상기 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.The first dummy scan clock line (DSCL(1)) and the second dummy scan clock line (DSCL(2)) are connected to the first dummy scan clock line (DSCL(2)) in the source printed circuit board (SPCB) on which the
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(1)) 및 상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인(DSCL(2))은 상기 타이밍 컨트롤러(140)가 배치되는 컨트롤 인쇄 회로 기판(CPCB)에서, 상기 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인 및 상기 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.The first dummy scan clock line (DSCL(1)) and the second dummy scan clock line (DSCL(2)) are in the control printed circuit board (CPCB) on which the
이상의 설명은 본 개시의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 개시의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 개시에 개시된 실시예들은 본 개시의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 개시의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.The above description is merely an illustrative explanation of the technical idea of the present disclosure, and those skilled in the art will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present disclosure. In addition, the embodiments disclosed in the present disclosure are not intended to limit the technical idea of the present disclosure, but rather are for explanation, and therefore the scope of the technical idea of the present disclosure is not limited by these embodiments.
100: 디스플레이 장치
110: 디스플레이 패널
120: 게이트 구동 회로
130: 데이터 구동 회로
131: 게이트 구동 전압 라인
132: 클럭 라인
133: 라인 센싱 신호 라인
134: 리셋 신호 라인
140: 타이밍 컨트롤러
150: 파워 관리 회로
160: 메인 파워 관리 회로
170: 세트 보드
502: 라인 선택부
504: Q 노드 제어부
506: Q 노드 안정화부
508: 인버터부
510: QB 노드 안정화부
512: 캐리 신호 출력부
514: 스캔 신호 출력부100: display device
110: display panel
120: Gate driving circuit
130: data driving circuit
131: Gate driving voltage line
132: clock line
133: Line sensing signal line
134: reset signal line
140: Timing controller
150: power management circuit
160: main power management circuit
170: set board
502: Line selection unit
504: Q node control unit
506: Q node stabilization unit
508: Inverter unit
510: QB node stabilization unit
512: Carry signal output unit
514: scan signal output unit
Claims (18)
상기 복수의 게이트 라인을 통해 복수의 스캔 신호를 상기 복수의 서브픽셀에 공급하는 복수의 게이트 인 패널(GIP) 회로;
상기 복수의 스캔 신호에 대응되는 복수의 스캔 클럭을 상기 복수의 게이트 인 패널(GIP) 회로에 공급하는 복수의 스캔 클럭 라인;
상기 복수의 스캔 클럭 라인 중에서 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 1 더미 스캔 클럭 라인; 및
상기 복수의 스캔 클럭 라인 중에서 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 2 더미 스캔 클럭 라인을 포함하는 디스플레이 패널.
A plurality of subpixels disposed in an area where a plurality of gate lines and a plurality of data lines intersect;
a plurality of gate-in-panel (GIP) circuits that supply a plurality of scan signals to the plurality of subpixels through the plurality of gate lines;
a plurality of scan clock lines supplying a plurality of scan clocks corresponding to the plurality of scan signals to the plurality of gate-in-panel (GIP) circuits;
a first dummy scan clock line disposed adjacent to a first outermost scan clock line among the plurality of scan clock lines; and
A display panel including a second dummy scan clock line disposed adjacent to a second outermost scan clock line among the plurality of scan clock lines.
상기 복수의 스캔 클럭 라인은
N(N은 자연수) 개의 스캔 클럭을 전달하는 N상 스캔 클럭 라인이고,
상기 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인은 제 1 스캔 클럭 라인이며,
상기 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인은 제 N 스캔 클럭 라인인 디스플레이 패널.
According to claim 1,
The plurality of scan clock lines are
It is an N-phase scan clock line that transmits N (N is a natural number) scan clocks,
The first outermost scan clock line is the first scan clock line,
The display panel wherein the second outermost scan clock line is the Nth scan clock line.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인 및 상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인은
상기 복수의 스캔 클럭 라인의 외측에 각각 배치되는 디스플레이 패널.
According to claim 1,
The first dummy scan clock line and the second dummy scan clock line are
A display panel disposed outside each of the plurality of scan clock lines.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인 및 상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인은
상기 복수의 게이트 인 패널(GIP) 회로와 전기적으로 절연되는 디스플레이 패널.
According to claim 1,
The first dummy scan clock line and the second dummy scan clock line are
A display panel electrically insulated from the plurality of gate-in-panel (GIP) circuits.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인에 제 1 더미 스캔 클럭이 인가되고,
상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인에 제 2 더미 스캔 클럭이 인가되는 디스플레이 패널.
According to claim 1,
A first dummy scan clock is applied to the first dummy scan clock line,
A display panel in which a second dummy scan clock is applied to the second dummy scan clock line.
상기 제 1 더미 스캔 클럭은
상기 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인에 인가되는 스캔 클럭과 위상 및 진폭이 동일하고,
상기 제 2 더미 스캔 클럭은
상기 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인에 인가되는 스캔 클럭과 위상 및 진폭이 동일한 디스플레이 패널.
According to claim 5,
The first dummy scan clock is
The phase and amplitude are the same as the scan clock applied to the second outermost scan clock line,
The second dummy scan clock is
A display panel having the same phase and amplitude as a scan clock applied to the first outermost scan clock line.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인에 상기 제 1 더미 스캔 클럭을 공급하는 제 1 펄스 생성 회로; 및
상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인에 상기 제 2 더미 스캔 클럭을 공급하는 제 2 펄스 생성 회로를 더 포함하는 디스플레이 패널.
According to claim 5,
a first pulse generation circuit that supplies the first dummy scan clock to the first dummy scan clock line; and
The display panel further includes a second pulse generation circuit that supplies the second dummy scan clock to the second dummy scan clock line.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인은
상기 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인과 전기적으로 연결되고,
상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인은
상기 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인과 전기적으로 연결되는 디스플레이 패널.
According to claim 1,
The first dummy scan clock line is
electrically connected to the second outermost scan clock line,
The second dummy scan clock line is
A display panel electrically connected to the first outermost scan clock line.
복수의 게이트 라인을 통해 상기 디스플레이 패널에 복수의 스캔 신호를 공급하도록 구성된 복수의 게이트 구동 집적 회로를 포함하는 게이트 구동 회로;
복수의 데이터 라인을 통해 상기 디스플레이 패널에 복수의 데이터 전압을 공급하도록 구성된 데이터 구동 회로;
상기 게이트 구동 회로와 상기 데이터 구동 회로를 제어하도록 구성된 타이밍 컨트롤러;
상기 복수의 스캔 신호에 대응되는 복수의 스캔 클럭을 상기 복수의 게이트 구동 집적 회로에 공급하는 복수의 스캔 클럭 라인;
상기 복수의 스캔 클럭 라인 중에서 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 1 더미 스캔 클럭 라인; 및
상기 복수의 스캔 클럭 라인 중에서 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인에 인접해서 배치되는 제 2 더미 스캔 클럭 라인을 포함하는 디스플레이 장치.
A display panel on which a plurality of subpixels are arranged;
a gate driving circuit including a plurality of gate driving integrated circuits configured to supply a plurality of scan signals to the display panel through a plurality of gate lines;
a data driving circuit configured to supply a plurality of data voltages to the display panel through a plurality of data lines;
a timing controller configured to control the gate driving circuit and the data driving circuit;
a plurality of scan clock lines supplying a plurality of scan clocks corresponding to the plurality of scan signals to the plurality of gate driving integrated circuits;
a first dummy scan clock line disposed adjacent to a first outermost scan clock line among the plurality of scan clock lines; and
A display device comprising a second dummy scan clock line disposed adjacent to a second outermost scan clock line among the plurality of scan clock lines.
상기 복수의 스캔 클럭 라인은
N(N은 자연수) 개의 스캔 클럭을 전달하는 N상 스캔 클럭 라인이고,
상기 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인은 제 1 스캔 클럭 라인이며,
상기 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인은 제 N 스캔 클럭 라인인 디스플레이 장치.
According to clause 9,
The plurality of scan clock lines are
It is an N-phase scan clock line that transmits N (N is a natural number) scan clocks,
The first outermost scan clock line is the first scan clock line,
The display device wherein the second outermost scan clock line is the Nth scan clock line.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인 및 상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인은
상기 복수의 스캔 클럭 라인의 외측에 각각 배치되는 디스플레이 장치.
According to clause 9,
The first dummy scan clock line and the second dummy scan clock line are
A display device disposed outside each of the plurality of scan clock lines.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인 및 상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인은
상기 복수의 게이트 인 패널(GIP) 회로와 전기적으로 절연되는 디스플레이 장치.
According to clause 9,
The first dummy scan clock line and the second dummy scan clock line are
A display device electrically insulated from the plurality of gate-in-panel (GIP) circuits.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인에 제 1 더미 스캔 클럭이 인가되고,
상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인에 제 2 더미 스캔 클럭이 인가되는 디스플레이 장치.
According to clause 9,
A first dummy scan clock is applied to the first dummy scan clock line,
A display device in which a second dummy scan clock is applied to the second dummy scan clock line.
상기 제 1 더미 스캔 클럭은
상기 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인에 인가되는 스캔 클럭과 위상 및 진폭이 동일하고,
상기 제 2 더미 스캔 클럭은
상기 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인에 인가되는 스캔 클럭과 위상 및 진폭이 동일한 디스플레이 장치.
According to claim 13,
The first dummy scan clock is
The phase and amplitude are the same as the scan clock applied to the second outermost scan clock line,
The second dummy scan clock is
A display device having the same phase and amplitude as a scan clock applied to the first outermost scan clock line.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인에 상기 제 1 더미 스캔 클럭을 공급하는 제 1 펄스 생성 회로; 및
상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인에 상기 제 2 더미 스캔 클럭을 공급하는 제 2 펄스 생성 회로를 더 포함하는 디스플레이 장치.
According to claim 13,
a first pulse generation circuit that supplies the first dummy scan clock to the first dummy scan clock line; and
The display device further includes a second pulse generation circuit that supplies the second dummy scan clock to the second dummy scan clock line.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인은
상기 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인과 전기적으로 연결되고,
상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인은
상기 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인과 전기적으로 연결되는 디스플레이 장치.
According to clause 9,
The first dummy scan clock line is
electrically connected to the second outermost scan clock line,
The second dummy scan clock line is
A display device electrically connected to the first outermost scan clock line.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인 및 상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인은
상기 데이터 구동 회로가 배치되는 소스 인쇄 회로 기판에서, 상기 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인 및 상기 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인과 전기적으로 연결되는 디스플레이 장치.
According to claim 16,
The first dummy scan clock line and the second dummy scan clock line are
A display device electrically connected to the first outermost scan clock line and the second outermost scan clock line on the source printed circuit board on which the data driving circuit is disposed.
상기 제 1 더미 스캔 클럭 라인 및 상기 제 2 더미 스캔 클럭 라인은
상기 타이밍 컨트롤러가 배치되는 컨트롤 인쇄 회로 기판에서, 상기 제 1 최외곽 스캔 클럭 라인 및 상기 제 2 최외곽 스캔 클럭 라인과 전기적으로 연결되는 디스플레이 장치.
According to claim 16,
The first dummy scan clock line and the second dummy scan clock line are
A display device electrically connected to the first outermost scan clock line and the second outermost scan clock line on a control printed circuit board on which the timing controller is disposed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220162714A KR20240079626A (en) | 2022-11-29 | 2022-11-29 | Display device and display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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KR20240079626A true KR20240079626A (en) | 2024-06-05 |
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ID=91470179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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-
2022
- 2022-11-29 KR KR1020220162714A patent/KR20240079626A/en unknown
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