KR20230174666A

KR20230174666A - An electric potenrial barrier module and a lithography apparatus including the same

Info

Publication number: KR20230174666A
Application number: KR1020220075876A
Authority: KR
Inventors: 김기범; 이진성
Original assignee: 덕우세미텍 주식회사
Priority date: 2022-06-21
Filing date: 2022-06-21
Publication date: 2023-12-28
Also published as: WO2023249308A1; TW202416059A; TWI844402B

Abstract

본 발명은 전기적 포텐셜 배리어 모듈 및 이를 포함하는 리소그래피 장치에 관한 것으로, 구체적으로는 리소그래피 장치에서의 펠리클의 기능을 수행할 수 있는 전기적 포텐셜 배리어 모듈 및 이를 포함하는 리소그래피 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electrical potential barrier module and a lithography device including the same, and specifically to an electrical potential barrier module capable of performing the function of a pellicle in a lithography device and a lithography device including the same.

Description

Electric potential barrier module and lithographic apparatus including same {AN ELECTRIC POTENRIAL BARRIER MODULE AND A LITHOGRAPHY APPARATUS INCLUDING THE SAME}

본 발명은 전기적 포텐셜 배리어 모듈 및 이를 포함하는 리소그래피 장치에 관한 것으로, 구체적으로는 리소그래피 장치에서의 펠리클의 기능을 수행할 수 있는 전기적 포텐셜 배리어 모듈 및 이를 포함하는 리소그래피 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an electrical potential barrier module and a lithography device including the same, and specifically to an electrical potential barrier module capable of performing the function of a pellicle in a lithography device and a lithography device including the same.

반도체 디바이스의 제조시 반도체 웨이퍼에 패터닝을 하는 방법으로 포토 리소그래피라는 방법이 사용되며, 포토 리소그래피에서는 패터닝의 원판으로서 포토 마스크가 사용되고, 포토 마스크 상의 패턴이 웨이퍼에 전사된다. When manufacturing semiconductor devices, a method called photolithography is used to pattern a semiconductor wafer. In photolithography, a photomask is used as a patterning original, and the pattern on the photomask is transferred to the wafer.

그런데, 포토 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사된 패턴이 손상되어 반도체 장치의 성능이나 수율의 저하를 초래하는 문제가 발생한다.However, if dust attaches to the photo mask, light is absorbed or reflected due to the dust, causing damage to the transferred pattern, resulting in a decrease in the performance or yield of the semiconductor device.

따라서 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해지지만 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 포토 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 행해지고 있다. Therefore, these works are usually performed in a clean room, but since dust exists even in a clean room, a method of attaching a pellicle is used to prevent dust from attaching to the surface of the photo mask.

이 경우, 먼지는 포토 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 막 위에 부착되고, 리소그래피 과정에서는 초점이 포토 마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는다는 장점이 있다. In this case, the dust is not attached directly to the surface of the photo mask, but is attached to the pellicle film. In the lithography process, the focus is aligned with the pattern of the photo mask, so the dust on the pellicle is out of focus and is not transferred to the pattern. there is.

펠리클은 노광광의 투과율이 좋아야 하므로 매우 얇은 막으로 구성되는데, 얇은 박막 구조의 펠리클은 외부의 충격이나 박막 자체의 스트레스로 인해 박막의 파손이나 처짐이 발생할 수 있다. The pellicle must have good exposure light transmittance, so it is composed of a very thin film. A pellicle with a thin film structure can cause damage or sagging of the thin film due to external impact or stress on the thin film itself.

이러한 파손이나 처짐은 패턴의 전사 과정에서 이미지를 왜곡시킬 수 있으므로, 펠리클 박막의 기계적 강도를 유지하여 처짐이나 파손이 없는 완전한 평판 상태를 유지하는 것이 필요하다.Since such damage or sagging can distort the image during the pattern transfer process, it is necessary to maintain the mechanical strength of the pellicle thin film to maintain a complete flat state without sagging or damage.

이를 위해 박막 자체에 적당한 장력(Tensile Stress)를 부여하거나 보강층의 추가 형성 등을 통하여 펠리클 박막을 왜곡을 방지하는 방법을 사용하게 되는데, 이러한 방법은 펠리클 제작 공정의 복잡화를 야기할 뿐만 아니라, 보강층의 첨가로 인해 펠리클 박막의 특성이 저하되는 문제점이 발생하는 등 극자외선 리소그래피를 위한 펠리클 개발에 어려움이 많은 실정이다.For this purpose, a method is used to prevent distortion of the pellicle thin film by applying appropriate tension (Tensile Stress) to the thin film itself or by additionally forming a reinforcing layer. This method not only causes complexity in the pellicle manufacturing process, but also causes the reinforcement layer to be damaged. There are many difficulties in developing pellicle for extreme ultraviolet lithography, such as the problem of deterioration of the characteristics of the pellicle thin film due to addition.

따라서 상술한 펠리클의 기능을 대신할 수 있는 새로운 구조의 이물 방지 모듈 및 이를 포함하는 리소그래피 장치의 개발이 필요한 실정이다. Therefore, there is a need to develop a foreign matter prevention module with a new structure that can replace the function of the pellicle described above and a lithography device including the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 전기적 포텐셜 배리어 모듈 및 이를 구비한 리소그래피 장치는 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 다음과 같은 해결과제를 목적으로 한다. The electrical potential barrier module and the lithographic apparatus equipped with the same according to an embodiment of the present invention aim to solve the following problems in order to solve the above-mentioned conventional problems.

마스크 측으로의 이물 방지를 위한 종래의 물리적 방식의 펠리클을 이용하지 않고 마스크 측으로의 이물 유입을 최소화할 수 있는 전기적 포텐셜 배리어 모듈 및 리소그래피 장치를 제공하는 것이다. An electric potential barrier module and lithography device that can minimize the inflow of foreign matter into the mask side without using a conventional physical pellicle to prevent foreign matter from the mask side are provided.

본 발명의 해결과제는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당해 기술분야에 있어서의 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to those mentioned above, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일 실시예에 따른 전기적 포텐셜 배리어 모듈은, 리소그래피 장치의 챔버 내측 상부에 배치된 마스크로의 이물 유입을 차단하기 위한 배리어 모듈에 관한 것으로, 상기 배리어 모듈은 상기 마스크의 하부 영역으로 전자빔을 방출하여 전기적 포텐셜 배리어를 형성하되, 상기 챔버 내부에서의 상기 배리어 모듈의 위치는 상기 전자빔을 구성하는 전자들 간의 반발력에 의한 상기 전자빔의 퍼짐영역에 기초하여 결정된다.An electrical potential barrier module according to an embodiment of the present invention relates to a barrier module for blocking the inflow of foreign matter into a mask disposed at the top inside the chamber of a lithography apparatus, wherein the barrier module directs an electron beam to a lower area of the mask. Emitted to form an electrical potential barrier, the position of the barrier module inside the chamber is determined based on the spread area of the electron beam due to the repulsive force between electrons constituting the electron beam.

전자빔을 발생시키는 필라멘트; 및 내부에 상기 필라멘트를 수용하도록 형성되되, 상기 마스크의 저면과 평행하는 방향으로 상기 전자빔을 방출할 수 있도록 길이방향으로 슬릿이 형성되는 하우징;을 포함하는 것이 바람직하다.A filament that generates an electron beam; and a housing formed to accommodate the filament therein, and having a slit formed in the longitudinal direction to emit the electron beam in a direction parallel to the bottom of the mask.

상기 하우징은 상기 마스크로부터 미리 설정된 거리만큼 수직방향 및 수평방향으로 이격되어 배치되는 것이 바람직하다.The housing is preferably arranged to be spaced apart from the mask in the vertical and horizontal directions by a preset distance.

상기 하우징은 상기 마스크 저면의 일부 또는 전부가 상기 전자빔의 퍼짐영역 내에 위치할 수 있도록 상기 마스크와 이격되어 배치되는 것이 바람직하다.The housing is preferably arranged to be spaced apart from the mask so that part or all of the bottom of the mask can be located within the spread area of the electron beam.

본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치는, 내부가 진공상태로 유지되는 챔버; 상기 챔버 내에 배치되고 리소그래피용 광을 생성하는 광원부; 상기 챔버의 상부에 배치되는 마스크; 상기 광원부에서 생성된 광을 상기 마스크로 전달하는 광학계; 및 상기 마스크의 하부 영역으로 전자빔을 방출하여 상기 마스크로의 입자 유입을 차단하기 위한 전기적 포텐셜 배리어를 형성하는 배리어 모듈;을 포함하고, 상기 배리어 모듈의 배치위치는 상기 전자빔을 구성하는 전자들 간의 반발력에 의한 상기 전자빔의 퍼짐영역에 기초하여 결정된다.A lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber whose interior is maintained in a vacuum state; a light source unit disposed within the chamber and generating light for lithography; a mask disposed at the top of the chamber; An optical system that transmits the light generated by the light source unit to the mask; And a barrier module that emits an electron beam to a lower area of the mask to form an electrical potential barrier to block the inflow of particles into the mask, wherein the placement position of the barrier module determines the repulsion force between electrons constituting the electron beam. It is determined based on the spread area of the electron beam.

상기 배리어 모듈은, 전자빔을 발생시키는 필라멘트; 및 내부에 상기 필라멘트를 수용하도록 형성되되, 상기 마스크의 저면과 평행하는 방향으로 상기 전자빔을 방출할 수 있도록 길이방향으로 슬릿이 형성되는 하우징;을 포함하는 것이 바람직하다.The barrier module includes a filament that generates an electron beam; and a housing formed to accommodate the filament therein, and having a slit formed in the longitudinal direction to emit the electron beam in a direction parallel to the bottom of the mask.

본 발명의 일 실시예에 따른 전기적 포텐셜 배리어 모듈 및 리소그래피 장치는, 마스크의 하부 영역으로 전자빔을 방출하여 전기적 포텐셜 배리어를 형성함으로써 챔버 내부를 유동하는 이물이 마스크 측으로 유입되는 것을 방지할 수 있는 효과를 기대할 수 있다. The electrical potential barrier module and lithography device according to an embodiment of the present invention emits an electron beam into the lower area of the mask to form an electrical potential barrier, thereby preventing foreign substances flowing inside the chamber from entering the mask side. You can expect it.

본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당해 기술분야에 있어서의 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기적 포텐셜 배리어 모듈의 개략적인 사시도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 전기적 포텐셜 배리어 모듈에서 전자빔 방출에 의한 전기적 포텐셜 배리어가 형성되는 과정을 도시한 도면이다.
도 5 및 도 6은 마스크 측으로의 이물 유입 방지 효과를 높이기 위한 배리어 모듈 및 마스크의 배치에 대한 내용을 설명하기 위한 도면이다. 1 is a diagram schematically showing a lithography apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a schematic perspective view of an electrical potential barrier module according to an embodiment of the present invention.
Figures 3 and 4 are diagrams showing the process of forming an electric potential barrier by electron beam emission in the electric potential barrier module of Figure 2.
Figures 5 and 6 are diagrams to explain the arrangement of the barrier module and the mask to increase the effect of preventing foreign matter from entering the mask.

첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. Preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings, but identical or similar components will be assigned the same reference numbers regardless of reference numerals, and duplicate descriptions thereof will be omitted.

또한, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 발명의 사상을 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 발명의 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Additionally, when describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, it should be noted that the attached drawings are only intended to facilitate easy understanding of the spirit of the present invention, and should not be construed as limiting the spirit of the present invention by the attached drawings.

본 발명은 물리적 배리어가 아닌 포텐셜 배리어로 구성된 배리어 모듈을 이용하여 챔버 내부에서 이동하는 먼지 등의 입자가 배리어 모듈의 타측, 즉 마스크 측으로 이동하는 것을 방지하기 위한 기술적 특징에 관한 것으로, 특히 먼지와 같은 입자가 배리어 모듈과 물리적인 충돌에 의해 이동이 차단되는 것이 아니라 전기적 포텐셜 배리어에 의해 이동이 차단되도록 하는 것이다. The present invention relates to a technical feature for preventing particles such as dust moving inside a chamber from moving to the other side of the barrier module, that is, the mask side, by using a barrier module composed of a potential barrier rather than a physical barrier. In particular, the present invention relates to technical features such as dust. The movement of particles is not blocked by physical collision with the barrier module, but by the electrical potential barrier.

이와 같이 전기적 포텐셜 배리어를 형성하는 배리어 모듈은 리소그래피 장치에 이용되어, 리소그래피 광원 등 챔버 내에 위치하는 먼지 등의 입자가 마스크로 이동하는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통해 EUV 리소그래피 장치에서 물리적 방식으로 이물 유입을 방지하기 위한 펠리클을 사용하지 않는 것이 가능하게 된다. In this way, the barrier module that forms an electrical potential barrier is used in a lithography device to prevent particles such as dust located in a chamber such as a lithography light source from moving to the mask, thereby preventing foreign matter from entering the EUV lithography device in a physical manner. It becomes possible not to use a pellicle to prevent .

이하에서는 본 실시예에 따른 리소그래피 장치 및 전기적 포텐셜 배리어 모듈에 대하여 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명하도록 한다.Hereinafter, the lithography apparatus and the electrical potential barrier module according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6.

본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 챔버(100), 광원부(200), 마스크(300), 광학계(400), 웨이퍼 스테이지(500) 및 배리어 모듈(600)을 포함하도록 구성된다.As shown in FIG. 1, the lithography apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 100, a light source unit 200, a mask 300, an optical system 400, a wafer stage 500, and a barrier module 600. It is designed to include

챔버(100)는 리소그래피 장치의 각 구성들을 수용하는 기능을 수행하며, 외부로부터의 이물질의 유입을 방지하기 위하여 외부와 폐쇄되어야 하며, 특히 EUV 광원을 이용한 리소그래피 공정의 경우 EUV 광이 공기 중에서 흡수되는 것을 최소화하기 위하여 챔버(100) 내부는 진공상태로 유지되는 것이 바람직하다. The chamber 100 performs the function of accommodating each component of the lithography apparatus and must be closed to the outside to prevent the inflow of foreign substances from the outside. In particular, in the case of a lithography process using an EUV light source, the EUV light is absorbed in the air. In order to minimize this, it is preferable that the inside of the chamber 100 is maintained in a vacuum state.

광원부(200)는 포토 리소그래피 공정을 위한 빛을 발생시키는 기능을 수행하며, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 광원부(200)으로는 미세 패턴 형성을 위한 EUV광(10)을 발생시키는 것이 바람직하다. The light source unit 200 performs a function of generating light for a photolithography process, and the light source unit 200 of the lithography device according to an embodiment of the present invention generates EUV light 10 for forming fine patterns. desirable.

광원부(200)에서 생성된 EUV광(10)은 제1 광학계(400a)를 통하여 미세회로패턴이 형성된 마스크(300) 측으로 전달되고, 마스크(300)를 통과한 EUV광(10)은 제2 광학계(400b)를 통하여 웨이퍼 스테이지(500)에 안착된 웨이퍼에 전달되며, 이때 웨이퍼 상에 코팅된 감광물질이 EUV광(10)에 의하여 반응함으로써 웨이퍼 상에 패턴이 형성된다.The EUV light 10 generated in the light source unit 200 is transmitted to the mask 300 on which the fine circuit pattern is formed through the first optical system 400a, and the EUV light 10 passing through the mask 300 is transmitted to the second optical system 400a. It is delivered to the wafer placed on the wafer stage 500 through 400b, and at this time, the photosensitive material coated on the wafer reacts with the EUV light 10 to form a pattern on the wafer.

한편, EUV광(10)의 경우 상술한 바와 같이 파장이 매우 짧기 때문에 쉽게 흡수되는 성질이 있으므로 제1 광학계(400a) 및 제2 광학계(400b)를 포함하는 광학계(400)는 종래의 리소그래피 장치에서 사용되던 렌즈가 아닌 적어도 하나의 반사경으로 구성되는 것이 바람직하다.Meanwhile, in the case of the EUV light 10, as described above, since its wavelength is very short, it is easily absorbed, so the optical system 400 including the first optical system 400a and the second optical system 400b is used in a conventional lithography device. It is preferable that it consists of at least one reflector rather than the lens used.

배리어 모듈(600)은 챔버(100) 내부의 먼지 등의 입자들이 마스크(300) 쪽으로 유입되는 것을 방지하기 위한 구성으로, 마스크(300) 하부 영역으로 전자빔을 방출하여 마스크(300)로의 입자 유입을 차단하는 기능을 수행한다. The barrier module 600 is configured to prevent particles such as dust inside the chamber 100 from entering the mask 300, and emits an electron beam to the lower area of the mask 300 to prevent particles from entering the mask 300. Performs a blocking function.

즉, 배리어 모듈(600)은 전자빔에 의한 전기적 포텐셜 배리어를 마스크(300) 하부에 형성하도록 구성됨으로써 종래의 물리적 방식의 배리어인 펠리클을 별도로 구비하지 않더라도 마스크(300) 상에 이물질의 안착을 방지할 수 있게 된다.That is, the barrier module 600 is configured to form an electric potential barrier by an electron beam at the bottom of the mask 300, thereby preventing foreign substances from settling on the mask 300 even without a separate pellicle, which is a conventional physical barrier. It becomes possible.

이러한 배리어 모듈(600)은 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이 필라멘트(610) 및 하우징(620) 및 애노드(630)를 포함하도록 구성될 수 있다.This barrier module 600 may be configured to include a filament 610, a housing 620, and an anode 630, as shown in FIGS. 2 to 4.

필라멘트(610)는 텅스텐 등으로 형성되며, 길이 방향으로 긴 형상으로 형성될 수 있으며, 이러한 필라멘트(610)에 전류를 인가하여 필라멘트(610)가 고온으로 가열되면 되면 필라멘트(610) 표면에 구속되어 있던 전자들이 이탈되어 전자빔을 형성할 수 있다.The filament 610 is made of tungsten, etc., and can be formed into a long shape in the longitudinal direction. When the filament 610 is heated to a high temperature by applying a current to the filament 610, it is bound to the surface of the filament 610. Electrons may escape and form an electron beam.

애노드(630) 전자빔을 가속화하는 기능을 수행하고, 하우징(620)은 필라멘트(610) 및 애노드(630)를 내부에 수용하되, 전자빔이 외부로 방출할 수 있도록 길이 방향의 슬릿(621)이 형성될 수 있다.The anode 630 performs the function of accelerating the electron beam, and the housing 620 accommodates the filament 610 and the anode 630 inside, and a longitudinal slit 621 is formed so that the electron beam can be emitted to the outside. It can be.

슬릿(621)을 통과한 전자빔은 도 2 및 도 3과 같이 마스크(300)의 저면과 평행을 이루는 평면 형상의 전기적 포텐셜 배리어(20)를 형성함으로써 아래 방향에 위치한 입자들이 마스크(300) 방향으로 진입하는 것을 방지할 수 있다. The electron beam passing through the slit 621 forms an electrical potential barrier 20 in a planar shape parallel to the bottom surface of the mask 300, as shown in FIGS. 2 and 3, thereby allowing particles located below to move toward the mask 300. Entry can be prevented.

구체적으로 챔버(100) 내부의 먼지 등과 같은 입자가 음(-)의 전하를 띠고 있는 경우 배리어 모듈(600)의 전기적 포텐셜 배리어(20)를 통과하여 마스크(300) 측으로 이동할 수 없다. Specifically, if particles such as dust inside the chamber 100 have a negative charge, they cannot pass through the electrical potential barrier 20 of the barrier module 600 and move toward the mask 300.

또한 챔버(100) 내부의 먼지와 같은 입자가 양(+)의 전하를 띠거나 전하를 띠고 있지 않다고 하더라도 전자빔으로 구성된 전기적 포텐셜 배리어(20) 근처로 이동하게 되면 입자가 음(-)의 전하를 띠게 되므로, 배리어 모듈(120)의 전기적 포텐셜 배리어(20)에 의해 마스크(300) 측으로 이동할 수 없다.In addition, even if particles such as dust inside the chamber 100 carry a positive (+) charge or do not carry a charge, when they move near the electric potential barrier 20 composed of an electron beam, the particles acquire a negative (-) charge. Therefore, it cannot move toward the mask 300 due to the electrical potential barrier 20 of the barrier module 120.

한편, 슬릿(621)을 통화한 전자빔의 경우 방출영역으로부터 멀어질수록 전자빔 내의 전자들 간의 반발력에 의하여 도 4에 도시된 바와 같이 점차적으로 퍼지게 되며, 이로 인하여 전자빔으로 이루어진 전기적 포텐셜 배리어(20) 내의 전자의 밀도가 배리어 모듈(600)로부터 멀어질수록 낮아지게 된다. Meanwhile, in the case of the electron beam passing through the slit 621, as the distance from the emission area increases, it gradually spreads as shown in FIG. 4 due to the repulsive force between electrons in the electron beam, which causes the electron beam within the electrical potential barrier 20 made of the electron beam. The density of electrons decreases as the distance from the barrier module 600 increases.

따라서 도 5에 도시된 바와 같이 마스크(300)의 하부에 전기적 포텐셜 배리어(20)의 전자의 밀도가 다소 늪은 영역이 배치될 수 있도록 배리어 모듈(600)의 위치를 설정할 수도 있으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치는 도 6과 같이 마스크(300) 저면의 일부 또는 전부가 전자빔의 퍼짐영역(21) 내에 위치할 수 있도록 배리어 모듈(600)의 위치를 설정하는 것을 제안한다.Therefore, as shown in FIG. 5, the position of the barrier module 600 may be set so that an area where the electron density of the electrical potential barrier 20 is somewhat swamped can be placed under the mask 300. However, according to the present invention, The lithography apparatus according to one embodiment proposes setting the position of the barrier module 600 so that part or all of the bottom of the mask 300 is located within the electron beam spreading area 21, as shown in FIG. 6.

도 6에서 도시된 바와 같이 마스크(300) 저면 일부 또는 전부가 전자빔의 퍼짐영역(21) 내에 위치할 경우, 마스크(300)의 저면은 전자 분위기 하에 놓이게 되며, 이로 인하여 마스크(300)의 저면은 음(-) 전하를 띠게 된다.As shown in FIG. 6, when part or all of the bottom of the mask 300 is located within the electron beam spreading area 21, the bottom of the mask 300 is placed under an electronic atmosphere, and as a result, the bottom of the mask 300 is It has a negative (-) charge.

이때 챔버(100) 내의 입자가 비교적 낮은 밀도로 전자가 배치된 전기적 포텐셜 배리어의 퍼짐영역(21)을 거쳐서 마스크(300)의 저면에 안착되더라도, 입자가 퍼짐영역(21)을 경유하는 과정에서 음(-) 전하를 띠게 되며, 음(-)의 전하 상태에서 마스크(300)의 저면과 접촉할 경우 전기적 척력에 의하여 입자가 마스크(300)의 저면에 안착하지 못하게 된다. At this time, even if the particles in the chamber 100 settle on the bottom surface of the mask 300 through the spread area 21 of the electrical potential barrier where electrons are arranged at a relatively low density, negative energy is generated in the process of the particles passing through the spread area 21. It has a negative (-) charge, and when it contacts the bottom of the mask 300 in a negative (-) state, the particles are prevented from settling on the bottom of the mask 300 due to electrical repulsion.

즉, 본 발명의 실시예와 같이 배리어 모듈(600)이 구성되면, 챔버(100) 내에 존재하는 먼지와 같은 입자가 물리적 배리어가 아닌 전기적 포텐셜 배리어에 의해 마스크(300)로 이동하는 것이 차단되므로, 리소그래피 과정에서 마스크(300)에 먼지가 묻는 것이 방지된다. That is, when the barrier module 600 is configured as in the embodiment of the present invention, particles such as dust present in the chamber 100 are blocked from moving to the mask 300 by an electrical potential barrier rather than a physical barrier, Dust is prevented from attaching to the mask 300 during the lithography process.

이로 인하여 본 발명에 따른 리소그래피 장치에는 펠리클이 필요하지 않게 되므로 펠리클 제조를 위한 복잡한 과정이 생략될 수 있으며, 나아가 펠리클과 달리 배리어 모듈(600)은 반영구적으로 사용이 가능하므로 리소그래피에 소요되는 비용을 감소할 수 있다. As a result, the lithography device according to the present invention does not require a pellicle, so the complicated process for manufacturing the pellicle can be omitted. Furthermore, unlike the pellicle, the barrier module 600 can be used semi-permanently, thereby reducing the cost of lithography. can do.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다. Above, the present invention has been described in detail using preferred embodiments, but the scope of the present invention is not limited to the specific embodiments and should be interpreted in accordance with the appended claims. Additionally, those skilled in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.

100: 챔버
200: 광원부
300: 마스크
400: 광학계
500: 웨이퍼 스테이지
600: 배리어 모듈100: chamber
200: Light source unit
300: mask
400: Optical system
500: wafer stage
600: Barrier module

Claims

In the barrier module for blocking the inflow of foreign substances into the mask disposed at the top inside the chamber of the lithography apparatus,
The barrier module emits an electron beam into the lower area of the mask to form an electrical potential barrier,
An electrical potential barrier module in which the position of the barrier module inside the chamber is determined based on the spread area of the electron beam due to the repulsive force between electrons constituting the electron beam.

In claim 1,
A filament that generates an electron beam; and
a housing formed to accommodate the filament inside, and having a slit formed in the longitudinal direction to emit the electron beam in a direction parallel to the bottom of the mask;
An electrical potential barrier module comprising:

In claim 2,
The electrical potential barrier module is characterized in that the housing is arranged to be spaced apart in the vertical and horizontal directions by a preset distance from the mask.

In claim 2,
The electrical potential barrier module, wherein the housing is arranged to be spaced apart from the mask so that part or all of the bottom of the mask can be located within the spread area of the electron beam.

A chamber whose interior is maintained in a vacuum state;
a light source unit disposed within the chamber and generating light for lithography;
a mask disposed at the top of the chamber;
An optical system that transmits the light generated by the light source unit to the mask; and
a barrier module that emits an electron beam into a lower area of the mask to form an electrical potential barrier to block particles from entering the mask;
Including,
A lithography apparatus in which the placement position of the barrier module is determined based on the spread area of the electron beam due to repulsion between electrons constituting the electron beam.

The method of claim 5, wherein the barrier module,
A filament that generates an electron beam; and
a housing formed to accommodate the filament inside, and having a slit formed in the longitudinal direction to emit the electron beam in a direction parallel to the bottom of the mask;
A lithographic apparatus comprising:

In claim 6,
The lithography apparatus is characterized in that the housing is arranged to be spaced apart from the mask in the vertical and horizontal directions by a preset distance.

In claim 6,
The lithography apparatus is characterized in that the housing is arranged to be spaced apart from the mask so that part or all of the bottom of the mask is located within the spread area of the electron beam.