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KR20230066976A - Apparatus for substrate support and method for substrate loading using the same - Google Patents

Apparatus for substrate support and method for substrate loading using the same Download PDF

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KR20230066976A
KR20230066976A KR1020210152566A KR20210152566A KR20230066976A KR 20230066976 A KR20230066976 A KR 20230066976A KR 1020210152566 A KR1020210152566 A KR 1020210152566A KR 20210152566 A KR20210152566 A KR 20210152566A KR 20230066976 A KR20230066976 A KR 20230066976A
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KR
South Korea
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substrate
support
repulsive force
support table
force generator
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Application number
KR1020210152566A
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Korean (ko)
Inventor
박영식
김종수
이무영
Original Assignee
삼성전자주식회사
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Publication date
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Abstract

Provided is a substrate support device including: a support table having an axis parallel to a first direction; a support pin that penetrates the support table in the first direction and can move up and down; and a repulsive force generator that provides repulsive force to the substrate placed on the support table, wherein a horizontal distance between the repulsive force generator and the axis is greater than a horizontal distance between the support pin and the axis.

Description

기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 로딩 방법{Apparatus for substrate support and method for substrate loading using the same}Substrate support device and substrate loading method using the same {Apparatus for substrate support and method for substrate loading using the same}

본 발명은 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 로딩 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판의 변형을 방지할 수 있는 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 로딩 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate support device and a substrate loading method using the same, and more particularly, to a substrate support device capable of preventing deformation of a substrate and a substrate loading method using the same.

반도체 소자의 제조는 여러 공정을 거쳐 수행될 수 있다. 예를 들어, 반도체 소자의 제조는 웨이퍼에 대한 포토 공정, 식각 공정 및 증착 공정 등을 통해 진행될 수 있다. 포토 공정은 마스크를 이용해 기판에 패턴을 형성하는 노광 공정을 포함할 수 있다. 노광 공정에서, 기판이 기판 지지 장치 상에 배치된 상태로 노광이 진행될 수 있다. 기판은 로봇 암 등에 의해 기판 지지 장치 상에 로딩될 수 있다. 예를 들어, 로봇 암에 의해 이송된 기판은 아래로 하강하여 기판 지지 장치 상에 배치될 수 있다. 기판 지지 장치는 기판을 일정 위치에 고정할 수 있다.Manufacturing of semiconductor devices may be performed through several processes. For example, manufacturing of a semiconductor device may be performed through a photo process for a wafer, an etching process, a deposition process, and the like. The photo process may include an exposure process of forming a pattern on a substrate using a mask. In the exposure process, exposure may be performed with the substrate placed on the substrate support device. A substrate may be loaded onto the substrate holding device by a robot arm or the like. For example, a substrate transported by a robot arm may be lowered down and placed on a substrate holding device. The substrate support device may hold the substrate in place.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 변형을 방지하여 수율을 향상시킬 수 있는 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 로딩 방법을 제공하는데 있다.An object to be solved by the present invention is to provide a substrate support device capable of improving yield by preventing deformation of a substrate and a substrate loading method using the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판 지지 장치의 마모를 방지하여 그 수명을 증가시킬 수 있는 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 로딩 방법을 제공하는데 있다.An object to be solved by the present invention is to provide a substrate support device capable of preventing abrasion of the substrate support device and increasing its lifespan, and a substrate loading method using the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 다양한 기판에 적용 가능한 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 로딩 방법을 제공하는데 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate support device applicable to various substrates and a substrate loading method using the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 장치는 제1 방향에 평행한 축을 가지는 지지 테이블; 상기 지지 테이블을 상기 제1 방향으로 관통하며 상하로 이동 가능한 지지 핀; 및 상기 지지 테이블 상에 배치되는 기판에 척력을 제공하는 척력 발생기; 를 포함하되, 상기 척력 발생기와 상기 축 간의 수평 거리는, 상기 지지 핀과 상기 축 간의 수평 거리보다 클 수 있다.In order to achieve the object to be solved, a substrate supporting device according to an embodiment of the present invention includes a support table having an axis parallel to a first direction; a support pin penetrating the support table in the first direction and movable up and down; and a repulsive force generator providing a repulsive force to the substrate disposed on the support table. Including, a horizontal distance between the repulsive force generator and the shaft may be greater than a horizontal distance between the support pin and the shaft.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 로딩 방법은 지지 핀이 지지 테이블의 상면으로부터 위로 돌출되도록 상승하는 것; 상기 지지 핀 상에 기판을 배치하는 것; 및 상기 기판이 배치된 상기 지지 핀이 하강하는 것; 을 포함하되, 상기 지지 핀이 하강하는 것은: 상기 기판이 상기 지지 테이블의 상면으로부터 위로 제1 거리만큼 떨어진 위치에 오도록 상기 지지 핀이 1차 하강하는 것; 척력 발생기가 상기 기판을 위로 가압하는 1차 척력을 제공하는 것; 및 상기 기판이 상기 지지 테이블의 상기 상면 상에 안착되도록 상기 지지 핀이 2차 하강하는 것; 을 포함하고, 상기 척력 발생기는 상기 지지 핀보다 외측에 위치할 수 있다.In order to achieve the object to be solved, the substrate loading method according to an embodiment of the present invention includes raising the support pin to protrude upward from the upper surface of the support table; placing a substrate on the support pin; and lowering the support pin on which the substrate is disposed. The lowering of the support pin includes: first lowering of the support pin so that the substrate comes to a position away from the upper surface of the support table by a first distance; a repulsive force generator providing a primary repulsive force that pushes the substrate upward; and secondarily descending the support pin so that the substrate is seated on the upper surface of the support table. Including, the repulsive force generator may be located outside the support pin.

기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 로딩 방법에 따르면, 기판의 변형을 방지하여 수율을 향상시킬 수 있다.According to the substrate support device and the substrate loading method using the same of the present invention, it is possible to improve the yield by preventing deformation of the substrate.

본 발명의 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 로딩 방법에 따르면, 기판 지지 장치의 마모를 방지하여 그 수명을 증가시킬 수 있다.According to the substrate support device and the substrate loading method using the same of the present invention, wear of the substrate support device can be prevented and its lifespan can be increased.

본 발명의 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 로딩 방법에 따르면, 다양한 기판에 적용 가능할 수 있다.According to the substrate support device and the substrate loading method using the device of the present invention, it can be applied to various substrates.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 노광 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 3의 X 영역을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 로딩 방법을 나타낸 순서도이다.
도 6 내지 도 11은 도 5의 순서도에 따른 기판 로딩 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 12는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 단면도이다.
도 13은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 단면도이다.
1 is a schematic diagram showing an exposure apparatus according to embodiments of the present invention.
2 is a plan view showing a substrate support device according to embodiments of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a substrate support device according to embodiments of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an enlarged area X of FIG. 3 .
5 is a flowchart illustrating a substrate loading method according to embodiments of the present invention.
6 to 11 are cross-sectional views sequentially illustrating a substrate loading method according to the flowchart of FIG. 5 .
12 is a cross-sectional view showing a substrate support device according to embodiments of the present invention.
13 is a cross-sectional view showing a substrate support device according to embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 대하여 설명한다. 명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like reference numbers throughout the specification may refer to like elements.

도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 노광 장치를 나타낸 개략도이다.1 is a schematic diagram showing an exposure apparatus according to embodiments of the present invention.

이하에서, 도 1의 D1을 제1 방향, 제1 방향(D1)에 교차되는 D2를 제2 방향(D2), 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)의 각각에 교차되는 D3를 제3 방향이라 칭할 수 있다. 제1 방향(D1)은 수직 방향, 제2 방향(D2) 및 제3 방향(D3)의 각각은 수평 방향이라 칭할 수도 있다.Hereinafter, D1 of FIG. 1 is a first direction, D2 crossing the first direction D1 is a second direction D2, D3 crossing each of the first and second directions D1 and D2 It may be referred to as a third direction. The first direction D1 may be referred to as a vertical direction, and each of the second and third directions D2 and D3 may be referred to as a horizontal direction.

도 1을 참고하면, 노광 장치가 제공될 수 있다. 노광 장치는 광원(SO), 빔 전달 시스템(BD), 조명기(IL), 마스크 블라인더(MB), 마스크 테이블(MT), 투영 시스템(PS) 및 기판 지지 장치(D)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , an exposure apparatus may be provided. The exposure apparatus may include a light source SO, a beam delivery system BD, an illuminator IL, a mask blinder MB, a mask table MT, a projection system PS, and a substrate support device D.

광원(SO)은 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 광원(SO)은 약 10nm 내지 약 400nm 범위의 파장을 가지는 자외선 광, 약 300nm 내지 약 400nm 범위의 파장을 가지는 근자외선(near ultraviolet)광, 약 200nm 내지 약 300nm 범위의 파장을 가지는 심자외선(deep ultraviolet) 광, 또는 약 10nm 내지 약 200nm 범위의 파장을 가지는 극자외선(extreme ultraviolet) 광을 방출할 수 있다. 광원(SO)이 엑시머 레이저인 경우, 광원(SO)은 노광 장치의 일부가 아닐 수 있다. 즉, 광원(SO)은 노광 장치와는 별개의 구성 요소일 수 있다. 광원(SO)이 수은 램프인 경우, 광원(SO)은 노광 장치의 일부일 수 있다.The light source SO may emit light. For example, the light source SO may include ultraviolet light having a wavelength in a range of about 10 nm to about 400 nm, near ultraviolet light having a wavelength in a range of about 300 nm to about 400 nm, and light having a wavelength in a range of about 200 nm to about 300 nm. Deep ultraviolet light or extreme ultraviolet light having a wavelength ranging from about 10 nm to about 200 nm may be emitted. When the light source SO is an excimer laser, the light source SO may not be part of the exposure apparatus. That is, the light source SO may be a component separate from the exposure apparatus. When the light source SO is a mercury lamp, the light source SO may be part of an exposure apparatus.

빔 전달 시스템(BD)은 광원(SO)으로부터 조명기(IL)로 광을 전달할 수 있다. 빔 전달 시스템(BD)은 지향 미러 및/또는 빔 확장기를 포함할 수 있다.The beam delivery system BD may deliver light from the light source SO to the illuminator IL. The beam delivery system (BD) may include a directing mirror and/or a beam expander.

조명기(IL)는 광원(SO)으로부터 빔 전달 시스템(BD)을 통해 전달받은 광을 조절하여 마스크(MS)를 비출 수 있다. 조명기(IL)는 광을 지향시키며, 성형(shaping)하며, 제어하기 위한 광학 컴포넌트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명기(IL)는 굴절식, 반사식, 자기식, 전자기식, 정전기식 또는 다른 유형의 광학 컴포넌트 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 조명기(IL)는 광의 각 세기 분포(angular intensity distribution)를 조절하기 위한 조절기(AD), 집속기(IN) 및 콘덴서(CO)를 포함할 수 있다. 조명기(IL)는 광이 원하는 균일성 및 세기 분포를 가지도록 광을 조절할 수 있다.The illuminator IL may illuminate the mask MS by adjusting the light transmitted from the light source SO through the beam delivery system BD. The illuminator IL may include optical components for directing, shaping, and controlling the light. For example, the illuminator IL may include refractive, reflective, magnetic, electromagnetic, electrostatic or other types of optical components or combinations thereof. The illuminator IL may include an adjuster AD, a condenser IN, and a condenser CO for adjusting the angular intensity distribution of light. The illuminator IL may adjust the light to have desired uniformity and intensity distribution.

마스크 블라인더(MB)는 노광 장치에 의해 비추어지는 마스크(MS)의 영역을 조절하도록 구성될 수 있다. 실시 예들에서, 마스크 블라인더(MB)는 마스크 테이블(MT)과 조명기(IL) 사이에 위치할 수 있다. 조명기(IL)로부터 나오는 광의 일부는 마스크 블라인더(MB)의 개구를 통과하여 마스크(MS)에 도달할 수 있고, 나머지 일부는 마스크 블라인더(MB)에 의해 차단될 수 있다. 마스크 블라인더(MB)의 개구를 최대로 개방하였을 때 마스크(MS)의 최대 영역이 노광 장치에 의해 비추어질 수 있다.The mask blinder MB may be configured to adjust an area of the mask MS illuminated by the exposure device. In some embodiments, the mask blinder MB may be positioned between the mask table MT and the illuminator IL. A part of the light emitted from the illuminator IL may pass through the opening of the mask blinder MB and reach the mask MS, and the remaining part may be blocked by the mask blinder MB. When the opening of the mask blinder MB is opened to the maximum, the maximum area of the mask MS can be illuminated by the exposure device.

마스크 테이블(MT) 상에 마스크(MS)가 장착될 수 있다. 마스크 테이블(MT)은 마스크(MS)를 이동시킬 수 있다. 마스크 테이블(MT)은 특정 파라미터에 따라 마스크(MS)의 위치를 정확하게 설정하도록 구성된 마스크 위치 설정기에 연결될 수 있다.A mask MS may be mounted on the mask table MT. The mask table MT may move the mask MS. The mask table MT may be connected to a mask positioner configured to accurately position the mask MS according to specific parameters.

투영 시스템(PS)은 마스크(MS)를 통과한 광을 기판(W) 상에 투영할 수 있다. 예를 들어, 투영 시스템(PS)은 굴절성 투영 렌즈 시스템을 포함할 수 있다. 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 공간은 상대적으로 높은 굴절률을 가지는 액체로 채워질 수 있다. 예를 들어, 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 공간은 물로 채워질 수 있다.The projection system PS may project the light passing through the mask MS onto the substrate W. For example, projection system PS may include a refractive projection lens system. A space between the projection system PS and the substrate W may be filled with a liquid having a relatively high refractive index. For example, a space between the projection system PS and the substrate W may be filled with water.

기판 지지 장치(D) 상에 기판(W)이 배치될 수 있다. 기판 지지 장치(D)는 기판(W)을 일정 위치에 고정할 수 있다. 또한, 기판 지지 장치(D)는 기판(W)을 이동시킬 수 있다. 기판 지지 장치(D)는 지지 테이블(1) 및 에어 컴프레서(7) 등을 포함할 수 있다. 이에 대한 상세한 내용은 도 2 내지 도 4를 참고하여 후술하도록 한다.A substrate W may be placed on the substrate support device D. The substrate support device D may fix the substrate W at a predetermined position. Also, the substrate support device D may move the substrate W. The substrate support device D may include a support table 1 and an air compressor 7 and the like. Details thereof will be described later with reference to FIGS. 2 to 4 .

도 2는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 평면도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 단면도이며, 도 4는 도 3의 X 영역을 확대하여 도시한 단면도이다.2 is a plan view showing a substrate supporting device according to embodiments of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view showing a substrate supporting device according to embodiments of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view showing an enlarged area X of FIG. 3 am.

도 2를 참고하면, 기판 지지 장치(D)는 지지 테이블(1), 지지 핀(3), 척력 발생기(5) 및 에어 컴프레서(7)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the substrate support device D may include a support table 1 , a support pin 3 , a repulsive force generator 5 and an air compressor 7 .

도 2 내지 도 4를 참고하면, 지지 테이블(1) 상에 기판(W, 도 1 참고)이 배치될 수 있다. 지지 테이블(1)은 제1 방향(D1)에 평행한 축(CA)을 가질 수 있다. 지지 테이블(1)은 베이스 부재(11) 및 지지 부재(13)를 포함할 수 있다. 실시 예들에서, 베이스 부재(11)는 축(CA)을 중심으로 하는 원기둥 형상을 가질 수 있다. 베이스 부재(11)는 크롬나이트라이드(CrN) 및/또는 탄화규소(SiSiC) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 지지 부재(13)는 베이스 부재(11)로부터 위로 연장될 수 있다. 즉, 베이스 부재(11)의 상면(11u)으로부터 돌출될 수 있다. 지지 부재(13)는 베이스 부재(11)와 일체로 형성될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 지지 부재(13)의 상면 상에 기판(W, 도 1 참고)이 접할 수 있다. 즉, 지지 부재(13)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 부재(13)는 복수 개가 제공될 수 있다. 복수 개의 지지 부재(13)는 서로 수평 방향으로 이격 배치될 수 있다. 그러나 이하에서, 편의 상 지지 부재(13)는 단수로 기술하도록 한다. 베이스 부재(11) 중 그 상면(11u) 상에 지지 부재(13)가 배치된 영역을 제1 영역(111)이라 칭할 수 있다. 제1 영역(111)은 축(CA)을 중심으로 하는 원기둥 형상을 가질 수 있다. 축(CA)은 제1 영역(111)을 관통할 수 있다. 제1 영역(111)의 직경은 약 140mm 내지 약 149mm일 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 영역(111)의 직경은 약 147mm 내지 148mm일 수 있다. 베이스 부재(11) 중 그 상면(11u) 상에 지지 부재(13)가 배치되지 아니한 영역을 제2 영역(113)이라 칭할 수 있다. 지지 부재(13)는 베이스 부재(11)의 상면(11u) 중 내측에 위치할 수 있다. 따라서 제2 영역(113)은 제1 영역(111)의 외측에 위치할 수 있다. 즉, 평면적 관점에서 제2 영역(113)은 제1 영역(111)을 둘러쌀 수 있다. 제2 영역(113)은 축(CA)을 중심으로 하는 고리 형상을 가질 수 있다.Referring to FIGS. 2 to 4 , a substrate W (refer to FIG. 1 ) may be disposed on the support table 1 . The support table 1 may have an axis CA parallel to the first direction D1. The support table 1 may include a base member 11 and a support member 13 . In embodiments, the base member 11 may have a cylindrical shape centered on the axis CA. The base member 11 may include chromium nitride (CrN) and/or silicon carbide (SiSiC), but is not limited thereto. The support member 13 may extend upwardly from the base member 11 . That is, it may protrude from the upper surface 11u of the base member 11 . The support member 13 may be integrally formed with the base member 11, but is not limited thereto. A substrate W (refer to FIG. 1 ) may come into contact with the upper surface of the support member 13 . That is, the support member 13 may support the substrate W. A plurality of support members 13 may be provided. A plurality of support members 13 may be spaced apart from each other in a horizontal direction. However, in the following, for convenience, the support member 13 will be described in the singular. A region of the base member 11 in which the support member 13 is disposed on the upper surface 11u may be referred to as a first region 111 . The first area 111 may have a cylindrical shape centered on the axis CA. The axis CA may pass through the first area 111 . The diameter of the first region 111 may be about 140 mm to about 149 mm. More specifically, the diameter of the first region 111 may be about 147 mm to about 148 mm. A region of the base member 11 in which the support member 13 is not disposed on the upper surface 11u may be referred to as a second region 113 . The support member 13 may be located inside the upper surface 11u of the base member 11 . Accordingly, the second region 113 may be located outside the first region 111 . That is, the second region 113 may surround the first region 111 in a plan view. The second region 113 may have a ring shape centered on the axis CA.

도 2 및 도 3을 참고하면, 지지 핀(3)은 지지 테이블(1)을 상하로 관통할 수 있다. 이를 위해 지지 테이블(1)은 관통공(11h)을 제공할 수 있다. 관통공(11h)은 지지 테이블(1)을 상하로 관통할 수 있다. 지지 핀(3)은 관통공(11h) 내에 배치될 수 있다. 지지 핀(3)은 관통공(11h) 내에서 상하로 이동 가능할 수 있다. 이를 위해 지지 핀(3)을 구동하는 지지 핀 구동 메커니즘(미도시)이 제공될 수 있다. 지지 핀 구동 메커니즘은 전기 모터 및/또는 유압 모터 등의 액츄에이터를 포함할 수 있다. 지지 핀(3)은 지지 핀 구동부에 의해 상승 및 하강하여, 기판을 지지 부재(13) 상에 로딩 및 언로딩할 수 있다. 지지 핀(3)과 축(CA) 간의 수평 거리는 제1 수평 거리(d1)라 칭할 수 있다. 제1 수평 거리(d1)는 제1 영역(111)의 직경보다 작을 수 있다. 즉, 지지 핀(3)은 제1 영역(111)을 상하로 관통할 수 있다. 따라서 관통공(11h)은 제1 영역(111)에 제공될 수 있다. 지지 핀(3)은 복수 개가 제공될 수 있다. 예를 들어, 지지 핀(3)은 3개가 제공될 수 있다. 복수 개의 지지 핀(3)은 서로 수평 방향으로 이격 배치될 수 있다. 예를 들어, 3개의 지지 핀(3)이 평면적 관점에서 삼각형의 세 꼭지점 상에 위치하도록 서로 이격될 수 있다. 3개의 지지 핀(3)은 평면적 관점에서 정삼각형의 세 꼭지점을 형성할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 이하에서 편의 상 지지 핀(3)은 단수로 기술하도록 한다.Referring to FIGS. 2 and 3 , the support pin 3 may pass through the support table 1 vertically. To this end, the support table 1 may provide a through hole 11h. The through hole 11h may pass through the support table 1 vertically. The support pin 3 may be disposed in the through hole 11h. The support pin 3 may move up and down in the through hole 11h. A support pin driving mechanism (not shown) may be provided for driving the support pin 3 for this purpose. The support pin drive mechanism may include actuators such as electric motors and/or hydraulic motors. The support pin 3 can be raised and lowered by the support pin driving unit to load and unload a substrate onto and from the support member 13 . A horizontal distance between the support pin 3 and the shaft CA may be referred to as a first horizontal distance d1. The first horizontal distance d1 may be smaller than the diameter of the first region 111 . That is, the support pins 3 may vertically penetrate the first region 111 . Accordingly, the through hole 11h may be provided in the first region 111 . A plurality of support pins 3 may be provided. For example, three support pins 3 may be provided. A plurality of support pins 3 may be spaced apart from each other in a horizontal direction. For example, three support pins 3 may be spaced apart from each other so as to be located on the three vertexes of a triangle in plan view. The three support pins 3 may form three vertexes of an equilateral triangle in plan view, but are not limited thereto. Hereinafter, for convenience, the support pin 3 will be described in the singular.

도 2를 참고하면, 척력 발생기(5)는 지지 테이블(1) 상에 배치되는 기판(W, 도 1 참고)에 척력을 제공할 수 있다. 보다 구체적으로, 척력 발생기(5)는 기판(W)이 위로 힘을 받도록 기판(W)에 위로 향하는 척력을 제공할 수 있다. 척력 발생기(5)는 다양한 방식으로 척력을 제공할 수 있다. 예를 들어, 척력 발생기(5)는 유체를 분사하여 척력을 발생시킬 수 있다. 이 경우 척력 발생기(5)는 에어 컴프레서(7)에 연결될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the repulsive force generator 5 may provide repulsive force to a substrate (W, see FIG. 1 ) placed on the support table 1 . More specifically, the repulsive force generator 5 may provide upward repulsive force to the substrate W such that the substrate W receives upward force. The repulsive force generator 5 may provide repulsive force in a variety of ways. For example, the repulsive force generator 5 may generate repulsive force by spraying a fluid. In this case, the repulsive force generator 5 may be connected to the air compressor 7.

척력 발생기(5)는 지지 테이블(1)에 결합될 수 있다. 척력 발생기(5)와 축(CA) 간의 수평 거리는 제2 수평 거리(d2)라 칭할 수 있다. 제2 수평 거리(d2)는 제1 수평 거리(d1)보다 클 수 있다. 예를 들어, 제2 수평 거리(d2)는 약 140mm 이상일 수 있다. 보다 구체적으로, 제2 수평 거리(d2)는 약 145mm 이상일 수 있다. 즉, 척력 발생기(5)는 지지 핀(3)보다 외측에 위치할 수 있다. 척력 발생기(5)는 제2 영역(113)에 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니다.The repulsive force generator 5 may be coupled to the support table 1 . The horizontal distance between the repulsive force generator 5 and the shaft CA may be referred to as a second horizontal distance d2. The second horizontal distance d2 may be greater than the first horizontal distance d1. For example, the second horizontal distance d2 may be about 140 mm or more. More specifically, the second horizontal distance d2 may be about 145 mm or more. That is, the repulsive force generator 5 may be located outside the support pin 3 . The repulsive force generator 5 may be disposed in the second area 113 . However, it is not limited thereto.

도 3을 참고하면, 척력 발생기(5)는 에어 노즐(51) 및 에어 연결부(53)를 포함할 수 있다. 에어 노즐(51)은 위로 유체를 분사할 수 있다. 에어 연결부(53)는 에어 노즐(51)과 에어 컴프레서(7)를 연결할 수 있다. 실시 예들에서, 척력 발생기(5)는 지지 테이블(1) 내에 매립될 수 있다. 이 경우 에어 노즐(51)의 상면의 레벨은, 지지 테이블(1)의 상면(1u)의 높이보다 낮을 수 있다. 즉, 에어 노즐(51)은 지지 테이블(1)의 상면(1u)의 위로 노출되지 아니할 수 있다. 에어 노즐(51)이 공기를 토출하는 방향은 제1 방향(D1)과 평행할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.Referring to FIG. 3 , the repulsive force generator 5 may include an air nozzle 51 and an air connection unit 53 . The air nozzle 51 may inject fluid upward. The air connection unit 53 may connect the air nozzle 51 and the air compressor 7 . In embodiments, the repulsive force generator 5 may be embedded within the support table 1 . In this case, the level of the upper surface of the air nozzle 51 may be lower than the height of the upper surface 1u of the support table 1 . That is, the air nozzle 51 may not be exposed above the upper surface 1u of the support table 1 . A direction in which the air nozzle 51 discharges air may be parallel to the first direction D1, but is not limited thereto.

도 2를 참고하면, 평면적 관점에서, 척력 발생기(5)는 원주 방향을 따라 연장될 수 있다. 보다 구체적으로, 에어 노즐(51)이 원주 방향을 따라 연장되는 슬릿 형태의 토출구를 제공할 수 있다. 혹은, 에어 노즐(51)이 원주 방향을 따라 배열되는 복수 개의 토출구를 제공할 수도 있다.Referring to FIG. 2 , from a plan view, the repulsive force generator 5 may extend in a circumferential direction. More specifically, the air nozzle 51 may provide a slit-shaped discharge port extending in the circumferential direction. Alternatively, the air nozzle 51 may provide a plurality of discharge ports arranged along the circumferential direction.

척력 발생기(5)는 복수 개가 제공될 수 있다. 예를 들어, 척력 발생기(5)는 3개가 제공될 수 있다. 복수 개의 척력 발생기(5)는 서로 수평 발생으로 이격 배치될 수 있다. 예를 들어, 3개의 척력 발생기(5)가 3개의 지지 핀(3)의 배치로부터 원주 방향으로 어긋나도록 배치될 수 있다. 그러나 이하에서 편의 상 척력 발생기(5)는 단수로 기술하도록 한다.A plurality of repulsive force generators 5 may be provided. For example, three repulsive force generators 5 may be provided. A plurality of repulsive force generators 5 may be spaced horizontally from each other. For example, the three repulsive force generators 5 may be arranged circumferentially offset from the arrangement of the three support pins 3 . However, hereinafter, for convenience, the repulsive force generator 5 will be described in the singular.

에어 컴프레서(7)는 척력 발생기(5)에 연결될 수 있다. 에어 컴프레서(7)는 척력 발생기(5)에 고압력의 공기를 제공할 수 있다. 이에 의해 척력 발생기(5)는 위로 공기를 토출하여, 기판(W, 도 1 참고)에 척력을 제공할 수 있다.The air compressor 7 may be connected to the repulsive force generator 5 . The air compressor 7 may provide high-pressure air to the repulsive force generator 5 . Accordingly, the repulsive force generator 5 may discharge air upward to provide a repulsive force to the substrate W (refer to FIG. 1).

도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 로딩 방법을 나타낸 순서도이다.5 is a flowchart illustrating a substrate loading method according to embodiments of the present invention.

도 5를 참고하면, 기판 로딩 방법(S)이 제공될 수 있다. 기판 로딩 방법(S)은 도 1 내지 도 4를 참고하여 설명한 기판 지지 장치(D) 상에 기판(W)을 로딩하는 방법을 의미할 수 있다. 기판 로딩 방법(S)은 지지 핀이 상승하는 것(S1), 지지 핀 상에 기판을 배치하는 것(S2), 기판이 배치된 지지 핀이 하강하는 것(S3) 및 기판을 지지 테이블 상에 고정하는 것(S4)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , a substrate loading method (S) may be provided. The substrate loading method (S) may refer to a method of loading a substrate (W) on the substrate support device (D) described with reference to FIGS. 1 to 4 . The substrate loading method (S) includes raising the support pin (S1), placing the substrate on the support pin (S2), lowering the support pin on which the substrate is placed (S3), and placing the substrate on the support table. It may include fixing (S4).

기판이 배치된 지지 핀이 하강하는 것(S3)은 지지 핀이 1차 하강하는 것(S31), 척력 발생기가 1차 척력을 제공하는 것(S32) 및 기판이 지지 테이블의 상면에 접하도록 지지 핀이 2차 하강하는 것(S33)을 포함할 수 있다.The lowering of the support pin on which the substrate is placed (S3) includes the first lowering of the supporting pin (S31), the first repulsive force being provided by the repulsive force generator (S32), and the support so that the substrate is in contact with the upper surface of the support table. It may include the second lowering of the pin (S33).

기판을 지지 테이블 상에 고정하는 것(S4)은 지지 테이블이 기판에 고정력을 제공하는 것(S41) 및 척력 발생기가 2차 척력을 제공하는 것(S42)을 포함할 수 있다.Fixing the substrate on the support table (S4) may include the support table providing a fixing force to the substrate (S41) and the repulsive force generator providing a secondary repulsive force (S42).

이하에서, 도 6 내지 도 11을 참고하여 도 5의 기판 로딩 방법(S)을 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, the substrate loading method (S) of FIG. 5 will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 11 .

도 6 내지 도 11은 도 5의 순서도에 따른 기판 로딩 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.6 to 11 are cross-sectional views sequentially illustrating a substrate loading method according to the flowchart of FIG. 5 .

도 6 및 도 5를 참고하면, 지지 핀이 상승하는 것(S1)은 지지 핀 구동부에 의해 지지 핀(3)이 상승하는 것을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 지지 핀(3)은 지지 테이블(1)의 상면(1u)으로부터 위로 돌출되도록 상승할 수 있다.Referring to FIGS. 6 and 5 , lifting the support pin ( S1 ) may include lifting the support pin 3 by the support pin driver. More specifically, the support pin 3 can rise so as to protrude upward from the upper surface 1u of the support table 1 .

지지 핀 상에 기판을 배치하는 것(S2)은 지지 테이블(1)의 상면(1u) 위로 돌출된 지지 핀(3) 상에 기판(W)을 배치하는 것을 포함할 수 있다. 기판(W)은 로봇 암 등에 의해 이송될 수 있다. 로봇 암에 의해 이송된 기판(W)은 지지 핀(3) 상에 배치될 수 있다.Placing the substrate on the support pin ( S2 ) may include placing the substrate W on the support pin 3 protruding above the upper surface 1u of the support table 1 . The substrate W may be transferred by a robot arm or the like. The substrate W transported by the robot arm may be placed on the support pin 3 .

도 7, 도 8 및 도 5를 참고하면, 지지 핀이 1차 하강하는 것(S31)은 기판(W)이 지지 테이블(1)의 상면(1u)으로부터 위로 제1 거리만큼 떨어진 위치에 올 때까지 지지 핀(3)이 하강하는 것을 포함할 수 있다. 제1 거리는 척력 발생기에 의한 척력 제공이 요구되는 특정 지점을 의미할 수 있다. 제1 거리에 대한 정보는 제어부(미도시)에 미리 입력될 수 있다.Referring to FIGS. 7, 8, and 5, the primary descent of the support pin (S31) occurs when the substrate W is positioned upward by a first distance from the upper surface 1u of the support table 1. It may include lowering the support pin 3 up to . The first distance may mean a specific point at which a repulsive force is required to be provided by the repulsive force generator. Information on the first distance may be previously input to a controller (not shown).

도 9 및 도 5를 참고하면, 척력 발생기가 1차 척력을 제공하는 것(S32)은 에어 컴프레서(7)에 의해 척력 발생기(5)로 제공된 공기가 위로 토출되는 것을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 에어 노즐(51)을 통해 위로 공기(AC)가 분사되어, 기판(W)의 하면을 위로 밀어 올릴 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 에어 노즐(51)은 공기가 아닌 다른 유체를 분사할 수도 있다. 예를 들어, 에어 노즐(51)은 휘발성 액체 등을 분사할 수도 있다. 에어 노즐(51)이 제2 영역(113)에 위치하므로, 공기(AC)에 의해 위로 가압되는 부분은 기판(W)의 에지 영역(EG)일 수 있다. 즉, 기판(W)의 에지 영역(EG)이 척력 발생기(5)에 의해 위로 힘을 받을 수 있다. 척력 발생기(5)에 의한 척력의 제공 전에, 지지 핀(3, 도 7 참고) 상에 배치된 기판(W)의 에지 영역(EG)은 아래로 쳐질 수 있다. 척력 발생기(5)가 제공하는 공기(AC)에 의해, 아래로 쳐져 있던 기판(W)의 에지 영역(EG)이 위로 들어 올려질 수 있다. 따라서 휘어져 있던 기판(W)이 상대적으로 평평하게 펴질 수 있다.9 and 5 , providing the first repulsive force by the repulsive force generator (S32) may include discharging air provided to the repulsive force generator 5 by the air compressor 7 upward. More specifically, the air AC is sprayed upward through the air nozzle 51 to push the lower surface of the substrate W upward. However, it is not limited thereto, and the air nozzle 51 may spray other fluids than air. For example, the air nozzle 51 may spray a volatile liquid or the like. Since the air nozzle 51 is located in the second region 113 , the portion pressed upward by the air AC may be the edge region EG of the substrate W. That is, the edge region EG of the substrate W may receive upward force by the repulsive force generator 5 . Before the repulsive force is provided by the repulsive force generator 5, the edge region EG of the substrate W disposed on the support pin 3 (see FIG. 7) may be lowered. The edge region EG of the substrate W, which was drooped down, may be lifted up by the air AC provided by the repulsive force generator 5 . Accordingly, the curved substrate W can be relatively flattened.

도 10 및 도 5를 참고하면, 기판이 지지 테이블의 상면에 접하도록 지지 핀이 2차 하강하는 것(S33)은 지지 핀(3, 도 7 참고)이 더 하강하여 기판(W)이 지지 테이블(1)에 접하는 것을 포함할 수 있다. 실시 예들에서, 기판(W)의 에지 영역(EG)의 일부는 여전히 휘어져 있을 수 있다. 따라서 기판(W)의 에지 영역(EG)의 하부 일부가 베이스 부재(11)의 상면(11u)에 접할 수 있다. 이 경우 지지 부재(13)의 일부의 상면이 기판(W)의 하면에 접하지 못할 수 있다.Referring to FIGS. 10 and 5, the second lowering of the support pin so that the substrate comes into contact with the upper surface of the support table (S33) further lowers the support pin (3, see FIG. 7) so that the substrate W moves to the support table. (1). In some embodiments, a portion of the edge region EG of the substrate W may still be curved. Accordingly, a lower part of the edge region EG of the substrate W may come into contact with the upper surface 11u of the base member 11 . In this case, the upper surface of a part of the support member 13 may not come into contact with the lower surface of the substrate W.

도 11 및 도 5를 참고하면, 지지 테이블이 기판에 고정력을 제공하는 것(S41)은 지지 테이블(1)이 고정력을 제공하여 기판(W)을 일정 위치에 고정하는 것을 포함할 수 있다. 지지 테이블(1)은 다양한 방식으로 기판(W)에 고정력을 제공할 수 있다. 예를 들어, 지지 테이블(1)은 정전기력 및/또는 진공압 등을 이용해 기판(W)을 고정할 수 있다. 이를 위해 베이스 부재(11)에 척 전극 및/또는 진공압 제공 장치 등이 결합될 수 있다.Referring to FIGS. 11 and 5 , providing a fixing force to the substrate by the support table ( S41 ) may include fixing the substrate W at a predetermined position by providing the fixing force by the support table 1 . The support table 1 may provide a fixing force to the substrate W in various ways. For example, the support table 1 may fix the substrate W using electrostatic force and/or vacuum pressure. To this end, a chuck electrode and/or a vacuum pressure providing device may be coupled to the base member 11 .

척력 발생기가 2차 척력을 제공하는 것(S42)은 에어 노즐(51)이 공기(AC2)를 위로 분사하여, 기판(W)의 에지 영역(EG)을 위로 들어올리는 것을 포함할 수 있다. 기판(W)이 지지 테이블(1) 상에 배치된 상태에서 기판(W)의 에지 영역(EG)이 아래로 휘어져 있는 경우, 지지 테이블(1)이 제공하는 고정력에 의해 기판(W)을 일정 위치에 고정하기 전에, 기판(W)을 평평하게 펴야 할 수 있다. 따라서 척력 발생기(5)가 지지 테이블(1) 상의 기판(W)에 2차 척력을 제공하여, 기판(W)의 에지 영역(EG)을 위로 들어올릴 수 있다. 이에 의해 기판(W)은 평평하게 펴질 수 있다. 이 상태에서 지지 테이블(1)이 고정력을 제공하여 기판(W)을 일정 위치에 고정시킬 수 있다.Providing the second repulsive force by the repulsive force generator ( S42 ) may include lifting the edge region EG of the substrate W upward by injecting the air AC2 upward from the air nozzle 51 . When the edge region EG of the substrate W is bent downward while the substrate W is placed on the support table 1, the substrate W is held constant by the fixing force provided by the support table 1. Prior to being fixed in position, the substrate W may need to be flattened. Accordingly, the repulsive force generator 5 provides a secondary repulsive force to the substrate W on the support table 1, so that the edge region EG of the substrate W can be lifted upward. As a result, the substrate W can be flattened. In this state, the support table 1 may provide a fixing force to fix the substrate W at a predetermined position.

이상에서 지지 테이블이 기판에 고정력을 제공하는 것(S41) 및 척력 발생기가 2차 척력을 제공하는 것(S42)을 순차적으로 서술하였으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 지지 테이블이 기판에 고정력을 제공하는 것(S41)과 척력 발생기가 2차 척력을 제공하는 것(S42)을 동시에 수행될 수 있다. 혹은, 척력 발생기가 2차 척력을 제공하는 것(S42) 이후에 지지 테이블이 기판에 고정력을 제공하는 것(S41)이 수행될 수도 있다.In the above, it has been sequentially described that the support table provides a fixing force to the substrate (S41) and the repulsive force generator provides a secondary repulsive force (S42), but is not limited thereto. That is, providing a fixing force to the substrate by the support table (S41) and providing a second repulsive force by the repulsive force generator (S42) may be simultaneously performed. Alternatively, after the repulsive force generator provides the secondary repulsive force (S42), the supporting table provides a fixing force to the substrate (S41) may be performed.

이상에서 기판 지지 장치(D)가 노광 장치의 일부인 것으로 서술하였으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 기판 지지 장치(D)는 식각 장비, 세정 장비 및 증착 장비 등에도 사용될 수 있다.In the above, the substrate holding device D has been described as being a part of the exposure device, but is not limited thereto. That is, the substrate support device D may also be used for etching equipment, cleaning equipment, deposition equipment, and the like.

본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 로딩 방법에 의하면, 자중에 의해 쳐지는 기판을 평평하게 편 상태로 고정할 수 있다. 보다 구체적으로, 지지 핀 상에 배치된 이후 자중에 의해 쳐지는 기판의 에지 영역을 위로 들어올려, 기판을 전체적으로 평평한 상태로 만들 수 있다. 따라서 기판에 대한 노광 공정, 식각 공정, 세정 공정 및/또는 증착 공정 등에서, 기판에 대한 공정을 정밀하게 수행할 수 있다. 이에 따라 공정 수율이 향상될 수 있다.According to the substrate support device and the substrate loading method using the same according to embodiments of the present invention, it is possible to fix a substrate that is struck by its own weight in a flattened state. More specifically, the edge region of the substrate, which is hit by its own weight after being placed on the support pin, may be lifted up to make the substrate generally flat. Therefore, in the exposure process, the etching process, the cleaning process, and/or the deposition process, the substrate process can be precisely performed. Accordingly, process yield may be improved.

본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 로딩 방법에 의하면, 기판 지지 장치 상에 기판을 로딩할 때, 기판의 둘레가 베이스 부재 및/또는 지지 부재 상에 먼저 접촉하여, 기판이 휘어진 상태로 기판 지지 장치 상에 고정되는 것을 방지할 수 있다. 혹은, 기판의 둘레가 베이스 부재 및/또는 지지 부재 상에 먼저 접촉한 뒤에 기판의 자중에 의해 기판이 펴지는 것을 방지할 수 있다. 따라서 기판의 둘레에 의해 기판 지지 장치의 상면이 긁히거나 파이는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 기판 지지 장치의 마모를 방지하여, 그 수명을 늘릴 수 있다.According to the substrate support device and the substrate loading method using the same according to embodiments of the present invention, when loading a substrate on the substrate support device, the circumference of the substrate first contacts the base member and/or the support member, so that the substrate is bent. It can be prevented from being fixed on the substrate holding device in the state of being. Alternatively, it is possible to prevent the substrate from spreading due to its own weight after the periphery of the substrate first comes into contact with the base member and/or the support member. Accordingly, it is possible to prevent scratching or denting of the upper surface of the substrate holding device by the circumference of the substrate. Accordingly, wear of the substrate holding device can be prevented, and its lifespan can be increased.

본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 로딩 방법에 의하면, 다양한 무게와 형상의 기판에 모두 적용할 수 있다. 따라서 기판에 맞추어 기판 지지 장치의 형상을 변경할 필요가 없을 수 있다.According to the substrate support device and the substrate loading method using the same according to embodiments of the present invention, it can be applied to all substrates of various weights and shapes. Accordingly, it may not be necessary to change the shape of the substrate support device to fit the substrate.

본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 로딩 방법에 의하면, 척력 발생기가 지지 부재와 평면적 관점에서 중첩되지 않을 수 있다. 즉, 척력 발생기는 지지 부재보다 외측에 위치할 수 있다. 따라서 척력 발생기의 배치가 지지 부재의 배치가 방해 받지 않을 수 있다. 이에 따라 설계가 용이해질 수 있다.According to the substrate support device and the substrate loading method using the same according to embodiments of the present invention, the repulsive force generator may not overlap the support member in plan view. That is, the repulsive force generator may be located outside the support member. Accordingly, the arrangement of the repulsive force generator may not interfere with the arrangement of the support member. Accordingly, design may be facilitated.

도 12는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 단면도이다.12 is a cross-sectional view showing a substrate support device according to embodiments of the present invention.

이하에서, 도 1 내지 도 11을 참고하여 설명한 것과 실질적으로 동일 또는 유사한 내용에 대한 것은 편의 상 그 설명을 생략할 수 있다.Hereinafter, descriptions of substantially the same or similar contents to those described with reference to FIGS. 1 to 11 may be omitted for convenience.

도 12를 참고하면, 척력 발생기(5a)는 에어 노즐(51a) 및 에어 연결부(53a)를 포함할 수 있다. 에어 노즐(51a)은 제1 방향(D1)에 평행하지 않을 수 있다. 즉, 에어 노즐(51a)은 제1 방향(D1)과 예각(α)을 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 에어 노즐(51a)은 에지로부터 축(CA, 도 2 참고)을 향해 기울어질 수 있다. 에어 노즐(51a)의 상면의 레벨은, 지지 테이블(1)의 상면(1u)의 레벨보다 높을 수 있다. 즉, 에어 노즐(51a)은 지지 테이블(1)의 위에 노출될 수 있다. 그러나 에어 노즐(51a)이 제2 영역(113) 내에 위치하므로, 지지 부재(13) 상에 배치되는 기판과 충돌하지 않을 수 있다. 에어 노즐(51a)은 외측에서 내측을 향해 유체를 분사하여, 기판을 평평하게 펼 수 있다.Referring to FIG. 12 , the repulsive force generator 5a may include an air nozzle 51a and an air connector 53a. The air nozzle 51a may not be parallel to the first direction D1. That is, the air nozzle 51a may form an acute angle α with the first direction D1 . More specifically, the air nozzle 51a may be inclined from the edge toward the axis CA (see FIG. 2). The level of the upper surface of the air nozzle 51a may be higher than the level of the upper surface 1u of the support table 1 . That is, the air nozzle 51a may be exposed on the support table 1 . However, since the air nozzle 51a is located in the second region 113, it may not collide with the substrate disposed on the support member 13. The air nozzle 51a sprays a fluid from the outside to the inside to flatten the substrate.

도 13은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 단면도이다.13 is a cross-sectional view showing a substrate support device according to embodiments of the present invention.

이하에서, 도 1 내지 도 12를 참고하여 설명한 것과 실질적으로 동일 또는 유사한 내용에 대한 것은 편의 상 그 설명을 생략할 수 있다.Hereinafter, descriptions of substantially the same or similar contents to those described with reference to FIGS. 1 to 12 may be omitted for convenience.

도 13을 참고하면, 척력 발생기(5b)는 정전기력 제공 부재(51b) 및 연결 부재(53b)를 포함할 수 있다. 정전기력 제공 부재(51b)는 전압 인가부(7b)로부터 전압을 전달 받아, 정전기력을 발생시킬 수 있다. 정전기력 제공 부재(51b)가 제공하는 정전기력에 의해, 기판(W)의 에지 영역(EG)이 위로 힘을 받을 수 있다. 이에 따라 기판(W)이 평평하게 펴질 수 있다.Referring to FIG. 13 , the repulsive force generator 5b may include an electrostatic force providing member 51b and a connecting member 53b. The electrostatic force providing member 51b may generate electrostatic force by receiving a voltage from the voltage applying unit 7b. The edge region EG of the substrate W may receive an upward force by the electrostatic force provided by the electrostatic force providing member 51b. Accordingly, the substrate W may be flattened.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art can implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. You will understand that there is Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

W: 기판
D: 기판 지지 장치
1: 지지 테이블
11: 베이스 부재
111: 제1 영역
113: 제2 영역
13: 지지 부재
3: 지지 핀
5: 척력 발생기
51: 에어 노즐
53: 에어 연결부
7: 에어 컴프레서
W: substrate
D: substrate support device
1: support table
11: base member
111: first area
113 second area
13: support member
3: support pin
5: repulsive force generator
51: air nozzle
53: air connection
7: air compressor

Claims (10)

제1 방향에 평행한 축을 가지는 지지 테이블;
상기 지지 테이블을 상기 제1 방향으로 관통하며 상하로 이동 가능한 지지 핀; 및
상기 지지 테이블 상에 배치되는 기판에 척력을 제공하는 척력 발생기; 를 포함하되,
상기 척력 발생기와 상기 축 간의 수평 거리는, 상기 지지 핀과 상기 축 간의 수평 거리보다 큰 기판 지지 장치.
a support table having an axis parallel to the first direction;
a support pin penetrating the support table in the first direction and movable up and down; and
a repulsive force generator providing a repulsive force to the substrate placed on the support table; Including,
The substrate support device of claim 1 , wherein a horizontal distance between the repulsive force generator and the shaft is greater than a horizontal distance between the support pin and the shaft.
제 1 항에 있어서,
에어 컴프레서를 더 포함하되,
상기 척력 발생기는 위로 공기를 분사하는 에어 노즐을 포함하고,
상기 에어 노즐은 상기 에어 컴프레서에 연결되는 기판 지지 장치.
According to claim 1,
Further including an air compressor,
The repulsive force generator includes an air nozzle for injecting air upward,
The air nozzle is connected to the air compressor.
제 2 항에 있어서,
상기 에어 노즐의 상면의 높이는 상기 지지 테이블의 상면의 높이보다 낮은 기판 지지 장치.
According to claim 2,
A height of the upper surface of the air nozzle is lower than a height of the upper surface of the support table.
제 2 항에 있어서,
상기 에어 노즐은 상기 제1 방향과 예각을 형성하도록 상기 지지 테이블의 에지(edge)로부터 상기 축을 향해 기울어진 기판 지지 장치.
According to claim 2,
wherein the air nozzle is tilted toward the axis from an edge of the support table to form an acute angle with the first direction.
제 4 항에 있어서,
상기 에어 노즐의 상면의 높이는 상기 지지 테이블의 상면의 높이보다 높은 기판 지지 장치.
According to claim 4,
A height of the upper surface of the air nozzle is higher than that of the upper surface of the support table.
제 1 항에 있어서,
상기 지지 테이블은 평면적 관점에서 원 형상을 가지고,
상기 지지 핀은 3개가 제공되며,
상기 척력 발생기는 3개가 제공되되,
상기 3개의 지지 핀은 평면적 관점에서 삼각형의 세 꼭지점 상에 위치하도록 수평 방향으로 서로 이격되고,
상기 3개의 척력 발생기는 상기 3개의 지지 핀의 배치로부터 상기 지지 테이블의 원주 방향으로 어긋나도록 배치되는 기판 지지 장치.
According to claim 1,
The support table has a circular shape in plan view,
Three support pins are provided,
Three repulsive force generators are provided,
The three support pins are spaced apart from each other in the horizontal direction so as to be located on the three vertices of the triangle in a plan view,
The three repulsive force generators are arranged so as to shift from the arrangement of the three support pins in the circumferential direction of the support table.
제 1 항에 있어서,
상기 지지 테이블은:
베이스 부재; 및
상기 베이스 부재의 상면으로부터 위로 돌출되는 복수 개의 지지 부재(burl); 를 포함하되,
상기 복수 개의 지지 부재는 수평 방향으로 서로 이격되고,
상기 척력 발생기는 상기 복수 개의 지지 부재의 각각보다 외측에 위치하는 기판 지지 장치.
According to claim 1,
The support table is:
base member; and
A plurality of support members (burl) protruding upward from the upper surface of the base member; Including,
The plurality of support members are spaced apart from each other in a horizontal direction,
The substrate support device of claim 1 , wherein the repulsive force generator is positioned outside each of the plurality of support members.
제 1 항에 있어서,
상기 척력 발생기와 상기 축 간의 상기 수평 거리는 145mm 이상인 기판 지지 장치.
According to claim 1,
The horizontal distance between the repulsive force generator and the shaft is 145 mm or more.
지지 핀이 지지 테이블의 상면으로부터 위로 돌출되도록 상승하는 것;
상기 지지 핀 상에 기판을 배치하는 것; 및
상기 기판이 배치된 상기 지지 핀이 하강하는 것; 을 포함하되,
상기 지지 핀이 하강하는 것은:
상기 기판이 상기 지지 테이블의 상면으로부터 위로 제1 거리만큼 떨어진 위치에 오도록 상기 지지 핀이 1차 하강하는 것;
척력 발생기가 상기 기판을 위로 가압하는 1차 척력을 제공하는 것; 및
상기 기판이 상기 지지 테이블의 상기 상면 상에 안착되도록 상기 지지 핀이 2차 하강하는 것; 을 포함하고,
상기 척력 발생기는 상기 지지 핀보다 외측에 위치하는 기판 로딩 방법.
raising the support pin to protrude upward from the upper surface of the support table;
placing a substrate on the support pin; and
lowering the support pin on which the substrate is disposed; Including,
The lowering of the support pin is:
first lowering of the support pin so that the substrate comes to a position away from the upper surface of the support table by a first distance;
a repulsive force generator providing a primary repulsive force that pushes the substrate upward; and
secondarily lowering the support pin so that the substrate is seated on the upper surface of the support table; including,
The substrate loading method of claim 1, wherein the repulsive force generator is located outside the support pin.
제 9 항에 있어서,
상기 지지 테이블의 상기 상면에 접한 상기 기판을 상기 지지 테이블 상에 고정하는 것을 더 포함하되,
상기 기판을 상기 지지 테이블 상에 고정하는 것은:
상기 지지 테이블이 상기 기판에 고정력을 제공하는 것; 및
상기 척력 발생기가 상기 기판을 위로 가압하는 2차 척력을 제공하는 것; 을 포함하는 기판 로딩 방법.
According to claim 9,
Further comprising fixing the substrate in contact with the upper surface of the support table on the support table,
Fixing the substrate on the support table is to:
the support table providing a fixing force to the substrate; and
the repulsive force generator providing a secondary repulsive force for pressing the substrate upward; Substrate loading method comprising a.
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