KR20230009290A

KR20230009290A - 픽셀 회로와 이를 포함한 표시장치

Info

Publication number: KR20230009290A
Application number: KR1020220060579A
Authority: KR
Inventors: 손기민; 김창희; 노석
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2021-07-08
Filing date: 2022-05-18
Publication date: 2023-01-17

Abstract

픽셀 회로와 이를 포함한 표시장치가 개시된다. 이 표시장치의 픽셀 회로는 초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 초기화 펄스가 인가되는 게이트 전극, 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 초기화 펄스에 응답하여 상기 초기화 전압을 상기 제2 노드에 공급하는 제1 스위치 소자; 제3 노드 또는 제4 노드에 연결된 제1 전극, 센싱 펄스가 인가되는 게이트 전극, 기준 전압이 인가되는 제2 전극을 포함하여 상기 센싱 펄스에 응답하여 상기 제3 노드 또는 제4 노드에 상기 기준 전압을 공급하는 제2 스위치 소자; 데이터 전압이 인가되는 제1 전극, 스캔 펄스가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 스캔 펄스에 응답하여 상기 데이터 전압을 상기 제2 노드에 공급하는 제3 스위치 소자; 및 상기 제3 노드에 연결된 제1 전극, 제1 발광 제어 펄스가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제4 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 제1 발광 제어 펄스에 응답하여 상기 제3 노드를 상기 제4 노드에 연결하는 제4 스위치 소자를 포함한다.

Description

픽셀 회로와 이를 포함한 표시장치{PIXEL CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}

본 발명은 픽셀 회로와 이를 포함한 표시장치에 관한 것이다.

전계 발광 표시장치(Electroluminescence Display)는 발광층의 재료에 따라 무기 발광 표시장치와 유기 발광 표시장치로 나뉘어질 수 있다. 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)의 유기 발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 유기 발광 표시장치는 OLED(Organic Light Emitting Diode, OLED"라 함)가 픽셀들 각각에 형성된다. 유기 발광 표시장치는 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도, 시야각 등이 우수할 뿐 아니라, 블랙 계조를 완전한 블랙으로 표현할 수 있기 때문에 명암비(contrast ratio)와 색재현율이 우수하다.

전계 방출 표시장치의 픽셀 회로는 발광 소자로 이용되는 OLED와, OLED를 구동하기 위한 구동 소자를 포함한다.

OLED의 애노드 전극이 구동 소자의 소스 전극에 연결되고, OLED의 캐소드 전극이 저전위 전압원에 연결될 수 있다. 저전위 전압원은 픽셀들에 공통으로 연결될 수 있다. 이 경우, 저전위 전압원이 변동할 때 또는 OLED의 영향을 받아 구동 소자의 게이트-소스간 전압이 변하여 화질 저하를 초래할 수 있다. 구동 소자의 게이트-소스간 전압에 따라 OLED로 흐르는 전류가 결정되기 때문에 구동 소자의 게이트-소스간 전압의 변화는 OLED의 휘도 변화를 초래한다. 데이터 전압이 인가되는 데이터 라인과 저전위 전압원 사이에 존재하는 기생 용량으로 인하여 데이터 전압 변화가 클 때 저전위 전압원에 리플(ripple)이 발생될 수 있다. 그 결과, 데이터 전압이 변하는 픽셀 라인들 간에 크로스토크(Crosstalk)를 유발하여 화면 상에서 암선이나 휘선이 보일 수 있다.

본 발명은 전술한 필요성 및/또는 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다. 특히, 본 발명은 구동 소자의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 저전위 전압원과 발광 소자의 영향을 받지 않도록 한 픽셀 회로와 이를 포함한 표시장치를 제공한다.

본 발명의 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 회로는 픽셀 구동 전압이 인가되는 제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 게이트 전극, 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 구동 소자; 제4 노드에 연결된 애노드 전극과, 저전위 전원 전압이 인가되는 캐소드 전극을 포함하는 발광 소자; 초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 초기화 펄스가 인가되는 게이트 전극, 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 초기화 펄스에 응답하여 상기 초기화 전압을 상기 제2 노드에 공급하는 제1 스위치 소자; 상기 제3 노드 또는 상기 제4 노드에 연결된 제1 전극, 센싱 펄스가 인가되는 게이트 전극, 기준 전압이 인가되는 제2 전극을 포함하여 상기 센싱 펄스에 응답하여 상기 제3 노드 또는 제4 노드에 상기 기준 전압을 공급하는 제2 스위치 소자; 데이터 전압이 인가되는 제1 전극, 스캔 펄스가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 스캔 펄스에 응답하여 상기 데이터 전압을 상기 제2 노드에 공급하는 제3 스위치 소자; 및 상기 제3 노드에 연결된 제1 전극, 제1 발광 제어 펄스가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제4 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 제1 발광 제어 펄스에 응답하여 상기 제3 노드를 상기 제4 노드에 연결하는 제4 스위치 소자를 포함한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 복수의 데이터 라인들, 상기 데이터 라인들과 교차되는 복수의 게이트 라인들, 서로 다른 정전압이 인가되는 복수의 전원 라인들, 및 복수의 서브 픽셀들이 배치된 표시패널; 상기 데이터 라인들에 픽셀 데이터의 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부; 및 초기화 펄스, 센싱 펄스, 및 발광 제어 펄스를 상기 게이트 라인들에 공급하는 게이트 구동부를 포함한다.

상기 서브 픽셀들 각각은 상기 픽셀 회로를 포함한다.

본 발명은 발광 소자의 애노드 전극과 구동 소자의 소스 전극 사이에 스위치 소자를 추가하여 저전위 전압원의 리플과 발광 소자의 전압 변동의 영향에 따라 구동 소자의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 변하는 현상을 방지할 수 있다. 그 결과, 본 발명은 표시장치에서 데이터 전압의 변화가 클 때 초래되는 크로스토크가 시인되지 않고 저계조 얼룩이 시인되지 않는 우수한 화질을 구현할 수 있다.

본 발명은 발광 소자의 일 함수에 대응 가능하고 마이크로 캐비티(Micro cavity)를 고려하여 발광 소자의 캐소드 저항이 커지는 금속으로 캐소드 전극 및/또는 전원 라인을 구현하더라도 발광 소자의 휘도 변화를 방지할 수 있다.

본 발명은 초기화 단계, 센싱 단계 및 데이터 기입 단계에서 구동 소자의 게이트-소스간 전압(Vgs)에 대한 발광 소자의 애노드 전압과 저전위 전압원의 영향을 차단하고, 애노드 전압과 기준 전압을 분리함으로써 구동 소자의 문턱 전압 보상 범위 제어를 용이하게 할 수 있다.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 상기 및 기타 목적, 특징 및 이점은 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시예를 상세하게 설명함으로써 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여 주는 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 단면 구조를 보여 주는 단면도이다.
도 3은 구동 소자의 소스 전압이 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플에 영향을 받는 비교예에 따른 픽셀 회로의 일 예를 보여 주는 회로도이다.
도 4는 저전위 전원 전압에 리플이 발생될 때 구동 소자의 게이트-소스간 전압)이 변하는 예를 보여 주는 파형도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다.
도 6은 도 5에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호를 보여 주는 파형도이다.
도 7은 도 5에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 정전압을 보여 주는 도면이다.
도 8a 내지 도 8d는 도 5에 도시된 픽셀 회로의 동작을 단계적으로 보여 주는 회로도들이다.
도 9는 발광 소자의 캐소드 전압에 따른 발광 소자의 휘도를 도 3에 도시된 비교예의 픽셀 회로와 도 5에 도시된 본 발명의 픽셀 회로에서 비교한 실험 결과를 보여 주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다.
도 11은 도 10에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호를 보여 주는 파형도이다.
도 12a 내지 도 12d는 도 11에 도시된 픽셀 회로의 동작을 단계적으로 보여 주는 회로도들이다.
도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다.
도 14는 도 13에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호를 보여 주는 파형도이다.
도 15는 도 13에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 정전압을 보여 주는 도면이다.
도 16a 내지 도 16d는 도 13에 도시된 픽셀 회로의 동작을 단계적으로 보여 주는 회로도들이다.
도 17은 본 발명의 제4 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다.
도 18은 도 17에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호를 보여 주는 파형도이다.
도 19a 내지 도 19d는 도 17에 도시된 픽셀 회로의 동작을 단계적으로 보여 주는 회로도들이다.
도 20은 본 발명의 제5 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다.
도 21 및 도 22는 도 20에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호를 보여 주는 파형도들이다.
도 23은 OLED의 턴-온 전압과 OLED의 전류를 보여 주는 도면이다.
도 24는 도 23에 도시된 ΔV의 PBTS(Positive-bias temperature stress) 마진을 보여 주는 도면이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명은 도면에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 실질적으로 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.

본 명세서 상에서 언급된 "구비한다", "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수로 해석될 수 있다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 구성요소들 간에 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 그 구성요소들 사이에 하나 이상의 다른 구성 요소가 개재될 수 있다.

구성 요소들을 구분하기 위하여 제1, 제2 등이 사용될 수 있으나, 이 구성 요소들은 구성 요소 앞에 붙은 서수나 구성 요소 명칭으로 그 기능이나 구조가 제한되지 않는다.

이하의 실시예들은 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하다. 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.

픽셀들 각각은 컬러 구현을 위하여 컬러가 서로 다른 복수의 서브 픽셀들로 나뉘어지고, 서브 픽셀들 각각은 스위치 소자 또는 구동 소자로 이용되는 트랜지스터를 포함한다. 이러한 트랜지스터는 TFT(Thin Film Transistor)로 구현될 수 있다.

표시장치의 구동 회로는 입력 영상의 픽셀 데이터를 픽셀들에 기입한다. 평판 표시장치의 구동 회로는 데이터 신호를 데이터 라인들에 공급하는 데이터 구동부와, 게이트 신호를 게이트 라인들에 공급하는 게이트 구동부 등을 포함한다.

본 발명의 표시장치에서 픽셀 회로는 복수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 트랜지스터는 산화물 반도체를 포함한 Oxide TFT 또는 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon, LTPS)을 포함한 LTPS TFT일 수 있다. 이하에서 픽셀 회로를 구성하는 트랜지스터들은 Oxide TFT로 구현된 n 채널 Oxide TFT로 구현된 예를 중심으로 설명되나 본 발명은 이에 한정되지 않는다.

트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 트랜지스터에서 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 채널 트랜지스터의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 채널 트랜지스터에서 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. p 채널 트랜지스터의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 채널 트랜지스터에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. 트랜지스터의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 따라서, 트랜지스터의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 제한되지 않는다. 이하의 설명에서 트랜지스터의 소스와 드레인을 제1 및 제2 전극으로 칭하기로 한다.

게이트 신호는 게이트 온 전압(Gate On Voltage)과 게이트 오프 전압(Gate Off Voltage) 사이에서 스윙(swing)할 수 있다. 게이트 온 전압은 트랜지스터의 문턱 전압 보다 높은 전압으로 설정된다. 게이트 오프 전압은 트랜지스터의 문턱 전압 보다 낮은 전압으로 설정된다.

트랜지스터는 게이트 온 전압에 응답하여 턴-온(turn-on)되는 반면, 게이트 오프 전압에 응답하여 턴-오프(turn-off)된다. n 채널 트랜지스터의 경우에, 게이트 온 전압은 게이트 하이 전압(Gate High Voltage, VGH 및 VEH)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 로우 전압(Gate Low Voltage, VGL 및 VEH)일 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다. 이하의 실시예들에서, 표시장치는 유기발광 표시장치를 중심으로 설명되지만 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명은 실시예 설명에서 구성요소 또는 신호의 명칭에 의해 제한되도록 의도되지 않는다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(100), 표시패널(100)의 픽셀들에 픽셀 데이터를 기입(write)하기 위한 표시패널 구동부, 및 픽셀들과 표시패널 구동부의 구동에 필요한 전원을 발생하는 전원부(140)를 포함한다.

표시패널(100)은 X축 방향의 길이, Y축 방향의 폭 및 Z축 방향의 두께를 가지는 장방형 구조의 표시패널일 수 있다. 표시패널(100)은 화면 상에서 입력 영상을 표시하는 픽셀 어레이를 포함한다. 픽셀 어레이는 복수의 데이터 라인들(102), 데이터 라인들(102)과 교차되는 복수의 게이트 라인들(103), 및 매트릭스 형태로 배치되는 픽셀들을 포함한다. 표시패널(100)은 픽셀들에 공통으로 연결된 전원 라인들을 더 포함할 수 있다. 전원 라인들은 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 전원 라인, 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 전원 라인, 기준 전압(Vref)이 인가되는 전원 라인, 저전위 전원 전압(ELVSS)이 인가되는 전원 라인을 포함할 수 있다. 이러한 전원 라인은 픽셀들에 공통으로 연결된다.

픽셀 어레이는 복수의 픽셀 라인들(L1~Ln)을 포함한다. 픽셀 라인들(L1~Ln) 각각은 표시패널(100)의 픽셀 어레이에서 라인 방향(X)을 따라 배치된 1 라인의 픽셀들을 포함한다. 1 픽셀 라인에 배치된 픽셀들은 게이트 라인들(103)을 공유한다. 데이터 라인 방향을 따라 컬럼 방향(Y)으로 배치된 서브 픽셀들은 동일한 데이터 라인(102)을 공유한다. 1 수평 기간(1H)은 1 프레임 기간을 픽셀 라인들(L1~Ln)의 총 개수로 나눈 시간이다.

표시패널(100)은 비투과형 표시패널 또는 투과형 표시패널로 구현될 수 있다. 투과형 표시패널은 화면 상에 영상이 표시되고 배경의 실물이 보이는 투명 표시장치에 적용될 수 있다.

표시패널은 플렉시블 표시패널로 제작될 수 있다. 플렉시블 표시패널은 플라스틱 기판을 이용하는 OLED 패널로 구현될 수 있다. 플라스틱 OLED 패널의 픽셀 어레이와 발광 소자는 백 플레이트(Back plate) 상에 접착된 유기 박막 필름 상에 배치될 수 있다.

픽셀들(101) 각각은 컬러 구현을 위하여 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 청색 서브 픽셀로 나뉘어질 수 있다. 픽셀들 각각은 백색 서브 픽셀을 더 포함할 수 있다. 서브 픽셀들 각각은 픽셀 회로를 포함한다. 이하에서 픽셀은 서브 픽셀과 같은 의미로 해석될 수 있다. 픽셀 회로 각각은 데이터 라인과 게이트 라인들 그리고 전원 라인들에 연결된다.

픽셀들은 리얼(real) 컬러 픽셀과, 펜타일(pentile) 픽셀로 배치될 수 있다. 펜타일 픽셀은 미리 설정된 픽셀 렌더링 알고리즘(pixel rendering algorithm)을 이용하여 컬러가 다른 두 개의 서브 픽셀들을 하나의 픽셀(101)로 구동하여 리얼 컬러 픽셀 보다 높은 해상도를 구현할 수 있다. 픽셀 렌더링 알고리즘은 픽셀들 각각에서 부족한 컬러 표현을 인접한 픽셀에서 발광된 빛의 컬러로 보상할 수 있다.

표시패널(100)의 화면 상에 터치 센서들이 배치될 수 있다. 터치 센서들은 온-셀(On-cell type) 또는 애드 온 타입(Add on type)으로 표시패널의 화면 상에 배치되거나 픽셀 어레이(AA)에 내장되는 인-셀(In-cell type) 터치 센서들로 구현될 수 있다.

표시패널(100)은 단면 구조에서 볼 때, 도 2에 도시된 바와 같이 기판(10) 상에 적층된 회로층(12), 발광 소자층(14), 및 봉지층(encapsulation layer)(16)을 포함할 수 있다.

회로층(12)은 데이터 라인, 게이트 라인, 전원 라인 등의 배선들에 연결된 픽셀 회로, 게이트 라인들에 연결된 게이트 구동부(GIP), 디멀티플렉서 어레이(112), 도면에서 생략된 오토 프로브 검사를 위한 회로 등을 포함할 수 있다. 회로층(12)의 배선과 회로 소자들은 복수의 절연층들과, 절연층을 사이에 두고 분리된 둘 이상의 금속층, 그리고 반도체 물질을 포함한 액티브층을 포함할 수 있다. 회로층(12)에 형성된 모든 트랜지스터는 n 채널 타입의 산화물 반도체를 포함한 Oxide TFT로 구현될 수 있다.

발광 소자층(14)은 픽셀 회로에 의해 구동되는 발광 소자(EL)를 포함할 수 있다. 발광 소자(EL)는 적색(R) 발광 소자, 녹색(G) 발광 소자, 및 청색(B) 발광 소자를 포함할 수 있다. 발광 소자층(14)은 백색 발광 소자와 컬러 필터를 포함할 수 있다. 발광 소자층(14)의 발광 소자들(EL)은 유기막 및 무기막을 포함한 멀티 보호층에 의해 덮여질 수 있다.

봉지층(16)을 회로층(12)과 발광 소자층(14)을 밀봉하도록 상기 발광 소자층(14)을 덮는다. 봉지층(16)은 유기막과 무기막이 교대로 적층된 멀티 절연막 구조일 수도 있다. 무기막은 수분이나 산소의 침투를 차단한다. 유기막은 무기막의 표면을 평탄화한다. 유기막과 무기막이 여러 층들로 적층되면, 단일 층에 비해 수분이나 산소의 이동 경로가 길어져 발광 소자층(14)에 영향을 주는 수분과 산소의 침투가 효과적으로 차단될 수 있다.

봉지층(16) 상에 형성된 터치 센서층이 배치될 수 있다. 터치 센서층은 터치 입력 전후에 용량(capacitance)의 변화를 바탕으로 터치 입력을 센싱하는 정전 용량 방식의 터치 센서들을 포함할 수 있다. 터치 센서층은 터치 센서들의 용량을 형성하는 금속 배선 패턴들과 절연막들을 포함할 수 있다. 금속 배선 패턴들 사이에 터치 센서의 용량이 형성될 수 있다. 터치 센서층 상에 편광판이 배치될 수 있다. 편광판은 터치 센서층과 회로층(12)의 금속에 의해 반사된 외부 광의 편광을 변환하여 시인성과 명암비를 향상시킬 수 있다. 편광판은 선편광판과 위상지연필름이 접합된 편광판 또는 원편광판으로 구현될 수 있다. 편광판 상에 커버 글래스(Cover glass)가 접착될 수 있다.

표시패널(100)은 봉지층(16) 상에 적층된 터치 센서층과, 컬러 필터층을 더 포함할 수 있다. 컬러 필터층은 적색, 녹색, 및 청색 컬러 필터와, 블랙 매트릭스 패턴을 포함할 수 있다. 컬러 필터층은 회로층과 터치 센서층으로부터 반사된 빛의 파장 일부를 흡수하여 편광판의 역할을 대신하고 색순도를 높일 수 있다. 이 실시예는 편광판에 비하여 광 투과율이 높은 컬러 필터층(20)을 표시패널에 적용하여 표시패널(PNL)의 광투과율을 향상시키고 표시패널(PNL)의 두께와 유연성을 개선할 수 있다. 컬러 필터층 상에 커버 글래스가 접착될 수 있다.

전원부(140)는 직류-직류 변환기(DC-DC Converter)를 이용하여 표시패널(100)의 픽셀 어레이와 표시패널 구동부의 구동에 필요한 직류(DC) 전원을 발생한다. 직류-직류 변환기는 차지 펌프(Charge pump), 레귤레이터(Regulator), 벅 변환기(Buck Converter), 부스트 변환기(Boost Converter) 등을 포함할 수 있다. 전원부(140)는 도시하지 않은 호스트 시스템으로부터 인가되는 직류 입력 전압의 레벨을 조정하여 감마 기준 전압(VGMA), 게이트 온 전압(VGH, VEH). 게이트 오프 전압(VGL, VEL), 픽셀 구동 전압(ELVDD), 저전위 전원 전압(ELVSS), 기준 전압(Vref), 초기화 전압(Vinit), 애노드 전압(Vano) 등의 정전압(또는 직류 전압)을 발생할 수 있다. 감마 기준 전압(VGMA)은 데이터 구동부(110)에 공급된다. 게이트 온 전압(VGH, VEH)과 게이트 오프 전압(VGL, VEL)은 게이트 구동부(120)에 공급된다. 픽셀 구동 전압(ELVDD), 저전위 전원 전압(ELVSS), 기준 전압(Vref), 초기화 전압(Vinit), 애노드 전압(Vano) 등의 정전압은 픽셀들에 공통으로 공급된다.

표시패널 구동부는 타이밍 콘트롤러(Timing controller, TCON)(130)의 제어 하에 표시패널(100)의 픽셀들에 입력 영상의 픽셀 데이터를 기입한다.

표시패널 구동부는 데이터 구동부(110)와 게이트 구동부(120)를 포함한다. 표시패널 구동부는 데이터 구동부(110)와 데이터 라인들(102) 사이에 배치된 디멀티플렉서 어레이(112)를 더 포함할 수 있다.

디멀티플렉서 어레이(112)는 복수의 디멀티플렉서(De-multiplexer, DEMUX)를 이용하여 데이터 구동부(110)의 채널들 각각에서 출력된 데이터 전압을 데이터 라인들(102)에 순차적으로 공급한다. 디멀티플렉서는 표시패널(100) 상에 배치된 다수의 스위치 소자들을 포함할 수 있다. 디멀티플렉서가 데이터 구동부(110)의 출력 단자들과 데이터 라인들(102) 사이에 배치되면 데이터 구동부(110)의 채널 개수가 감소될 수 있다. 디멀티플렉서 어레이(112)는 생략될 수 있다.

표시패널 구동부는 터치 센서들을 구동하기 위한 터치 센서 구동부를 더 포함할 수 있다. 터치 센서 구동부는 도 1에서 생략되어 있다. 데이터 구동부와 터치 센서 구동부는 하나의 드라이브 IC(Integrated Circuit)에 집적될 수 있다. 모바일 기기나 웨어러블 기기에서 타이밍 콘트롤러(130), 전원부(140), 데이터 구동부(110), 터치 센서 구동부 등은 하나의 드라이브 IC에 집적될 수 있다.

표시패널 구동부는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 저속 구동 모드(Low speed driving mode)로 동작할 수 있다. 저속 구동 모드는 입력 영상을 분석하여 입력 영상이 미리 설정된 시간 동안 변화가 없을 때 표시장치의 소비 전력을 줄이기 위하여 설정될 수 있다. 저속 구동 모드는 정지 영상이 일정 시간 이상 입력될 때 픽셀들의 리프레쉬 레이트(Refresh rate)를 낮춤으로써 표시패널 구동부와 표시패널(100)의 소비 전력을 줄일 수 있다. 저속 구동 모드는 정지 영상이 입력될 때에 한정되지 않는다. 예컨대, 표시장치가 대기 모드로 동작하거나, 사용자 명령 또는 입력 영상이 소정 시간 이상 표시패널 구동 회로에 입력되지 않을 때 표시패널 구동 회로는 저속 구동 모드로 동작할 수 있다.

데이터 구동부(110)는 DAC(Digital to Analog Converter)를 이용하여 매 프레임 기간마다 타이밍 콘트롤러(130)로부터 디지털 신호로 수신되는 입력 영상의 픽셀 데이터를 감마 보상 전압으로 변환하여 데이터 전압을 발생한다. 감마 기준 전압(VGMA)은 분압회로를 통해 계조별 감마 보상 전압으로 분압되어 DAC에 공급된다. 데이터 전압은 데이터 구동부(110)의 채널들 각각에서 출력 버퍼를 통해 출력된다.

게이트 구동부(120)는 픽셀 어레이의 TFT 어레이 및 배선들과 함께 표시패널(100)의 회로층(12)에 직접 형성되는 GIP(Gate in panel) 회로로 구현될 수 있다. GIP 회로는 표시패널(100)의 비표시 영역인 베젤 영역(Bezel, BZ) 상에 배치되거나 입력 영상이 재현되는 픽셀 어레이 내에 분산 배치될 수 있다. 게이트 구동부(120)는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 게이트 신호를 게이트 라인들(103)로 순차적으로 출력한다. 게이트 구동부(120)는 시프트 레지스터(Shift register)를 이용하여 게이트 신호를 시프트시킴으로써 그 신호들을 게이트 라인들(103)에 순차적으로 공급할 수 있다. 게이트 신호는 스캔 펄스, 발광 제어 펄스(이하, "EM 펄스"라 함), 초기화 펄스, 센싱 펄스를 포함할 수 있다.

게이트 구동부(120)의 시프트 레지스터는 타이밍 콘트롤러(130)로부터의 스타트 펄스(start pulse)와 시프트 클럭(Shift clock)에 응답하여 게이트 신호의 펄스를 출력하고, 시프트 클럭 타이밍에 맞추어 그 펄스를 시프트한다.

타이밍 콘트롤러(130)는 호스트 시스템으로부터 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(DATA)와, 그와 동기되는 타이밍 신호를 수신한다. 타이밍 신호는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 클럭(CLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등을 포함할 수 있다. 데이터 인에이블신호(DE)를 카운트하는 방법으로 수직 기간과 수평 기간을 알 수 있기 때문에 수직 동기신호(Vsync)와 수평 동기신호(Hsync)는 생략될 수 있다. 데이터 인에이블신호(DE)는 1 수평 기간(1H)의 주기를 갖는다.

호스트 시스템은 TV(Television) 시스템, 태블릿 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 네비게이션 시스템, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 모바일 기기, 웨어러블 기기, 차량 시스템 중 어느 하나일 수 있다. 호스트 시스템은 비디오 소스로부터의 영상 신호를 표시패널(100)의 해상도에 맞게 스케일링하여 타이밍 신호와 함께 타이밍 콘트롤러(13)에 전송할 수 있다.

타이밍 콘트롤러(130)는 노말 구동 모드(Normal driving mode)에서 입력 프레임 주파수를 i 배 체배하여 입력 프레임 주파수×i(i는 자연수) Hz의 프레임 주파수로 표시패널 구동부의 동작 타이밍을 제어할 수 있다. 입력 프레임 주파수는 NTSC(National Television Standards Committee) 방식에서 60Hz이며, PAL(Phase-Alternating Line) 방식에서 50Hz이다. 타이밍 콘트롤러(130)는 저속 구동 모드에서 픽셀들의 리프레쉬 레이트를 낮추기 위하여 프레임 주파수를 1Hz ~ 30Hz 사이의 주파수로 낮추어 표시패널 구동부의 구동 주파수를 낮출 수 있다.

타이밍 콘트롤러(130)는 호스트 시스템으로부터 수신된 타이밍 신호(Vsync, Hsync, DE)를 바탕으로 데이터 구동부(110)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호, 디멀티플렉서 어레이(112)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 제어 신호, 게이트 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호를 발생한다. 타이밍 콘트롤러(130)는 표시패널 구동부의 동작 타이밍을 제어하여 데이터 구동부(110), 디멀티플렉서 어레이(112), 터치 센서 구동부, 및 게이트 구동부(120)를 동기시킨다.

타이밍 콘트롤러(130)로부터 출력된 게이트 타이밍 제어신호의 전압 레벨은 도시하지 않은 레벨 시프터(Level shifter)를 통해 게이트 온 전압(VGH 및 VEH)과 게이트 오프 전압(VGL, VEL)으로 변환되어 게이트 구동부(120)에 공급될 수 있다. 레벨 시프터는 게이트 타이밍 제어신호의 로우 레벨 전압(low level voltage)을 게이트 오프 전압(VGL, VEL)으로 변환하고, 게이트 타이밍 제어신호의 하이 레벨 전압(high level voltage)을 게이트 온 전압(VGH, VEH)으로 변환한다. 게이트 타이밍 신호는 스타트 펄스와 시프트 클럭을 포함한다.

표시패널(100)의 제조 공정에서 초래되는 공정 편차와 소자 특성 편차로 인하여 픽셀들 간에 구동 소자의 전기특성에서 차이가 있을 수 있고 이러한 차이는 픽셀들의 구동 시간이 경과됨에 따라 더 커질 수 있다. 픽셀들 간에 구동 소자의 전기적 특성 편차를 보상하기 위해, 유기 발광 표시장치에 내부 보상 기술 또는 외부 보상 기술이 적용될 수 있다. 내부 보상 기술은 픽셀 회로 각각에 구현된 내부 보상 회로를 이용하여 서브 픽셀별로 구동 소자의 문턱 전압을 샘플링하여 그 문턱 전압만큼 구동 소자의 게이트-소스간 전압(Vgs)을 보상한다. 외부 보상 기술은 외부 보상 회로를 이용하여 구동 소자들의 전기적 특성에 따라 변하는 구동 소자의 전류 또는 전압을 실시간 센싱한다. 외부 보상 기술은 픽셀 별로 센싱된 구동 소자의 전기적 특성 편차(또는 변화) 만큼 입력 영상의 픽셀 데이터(디지털 데이터)를 변조함으로써 픽셀들 각각에서 구동 소자의 전기적 특성 편차(또는 변화)를 실시간 보상한다. 표시패널 구동부는 외부 보상 기술 및/또는 내부 보상 기술을 이용하여 픽셀들을 구동할 수 있다. 본 발명의 픽셀 회로는 내부 보상 회로가 적용된 픽셀 회로로 구현될 수 있다.

도 3은 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플(ripple)에 영향을 받는 비교예에 따른 픽셀 회로의 일 예를 보여 주는 회로도이다. 도 4는 저전위 전원 전압(ELVSS)에 리플(ripple)이 발생될 때 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 변하는 예를 보여 주는 파형도이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 비교예에 따른 픽셀 회로는 발광 소자(EL), 구동 소자(DT), 스위치 소자(ST), 및 커패시터(Cst)를 포함한다.

비교예의 픽셀 회로에서, 발광 소자(EL)는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 커패시터(Cel)를 더 포함할 수 있다. 픽셀들에서 저전위 전원 전압(ELVSS)이 인가되는 전원 라인 또는 전극은 공통으로 연결된다. 구동 소자(DT)는 제1 노드(n1)에 연결된 제1 전극, 제2 노드(n2)에 연결된 게이트 전극, 제3 노드(n3)에 연결된 제2 전극을 포함한다. 제1 노드(n1)는 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 제1 전원 라인에 연결된다. 발광 소자(EL)는 제3 노드에 연결된 애노드 전극과, 저전위 전원 전압(ELVSS)이 인가되는 제2 전원 라인(PL2)에 연결된 캐소드 전극을 포함한다. 구동 소자(DT)는 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 발광 소자(EL)를 구동하는 전류를 발생한다.

스위치 소자(ST)는 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 제1 전극, 스캔 펄스(SCAN)가 인가되는 게이트 전극, 및 제2 노드(n2)에 연결된 제2 전극을 포함한다. 스위치 소자(ST)는 스캔 펄스(SCAN)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 데이터 전압(Vdata)을 제2 노드(n2)에 공급한다. 커패시터(Cst)는 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)을 저장한다.

발광 소자(OLED)의 애노드 전극이 구동 소자(DT)의 제2 전극에 연결되고, 데이터 라인(DL)과 제2 전원 라인(PL2) 사이에 기생 용량(parasitic capacity, Cpar)이 존재할 수 있다. 이러한 비교예의 픽셀 회로에서, 데이터 전압(Vdata)의 변화량이 비교적 클 때, 기생 용량(Cpar)을 통해 제2 전원 라인(PL2)에 인가되는 저전위 전원 전압(ELVSS)에 리플(ripple)이 발생된다. 저전위 전원 전압(ELVSS)은 발광 소자(EL)의 커패시터(Cel)를 통해 제3 노드(n3)에 전달한다. 이 경우, 제3 노드(n3)의 전압 또는 소스 전압(DTS)이 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플에 의해 변하여 발광 소자(EL)의 휘도가 변하게 된다.

도 4에서, 'DTG'는 구동 소자(DT)의 게이트 전압이고, 'DTS'는 구동 소자(DT)의 소스 전압이다. 'Vripple'은 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플에 영향을 받아 변경되는 소스 전압(DTS)이다. 'ΔVgs'는 저전위 전원 전압(ELVSS)의 영향을 받아 변경되는 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압이다. 'Vsnormal'은 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플이 없거나 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플 영향을 받지 않는 이상적인(ideal) 소스 전압(DTS)을 나타낸다. 'Vgs'는 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플이 없을 때의 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압이다.

본 발명의 픽셀 회로들은 도 5 내지 도 19d에 도시된 바와 같이, 발광 소자(OLED)와 제3 노드(n3) 사이에 스위치 소자를 추가하여 서브 픽셀들 각각에서 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)에 대한 저전위 전원 전압(ELVSS)과 발광 소자(EL)의 영향을 차단한다.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다. 도 6은 도 5에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호를 보여 주는 파형도이다. 도 7은 도 5에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 정전압을 보여 주는 도면이다.

도 5 및 도 6을 참조하면, 픽셀 회로는 발광 소자(EL), 발광 소자(EL)를 구동하는 구동 소자(DT), 복수의 스위치 소자들(M01~M04), 제1 커패시터(Cst), 및 제2 커패시터(C2)를 포함한다. 구동 소자(DT)와 스위치 소자들(M01~M04)은 n 채널 Oxide TFT로 구현될 수 있다.

이 픽셀 회로는 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 제1 전원 라인(PL1), 저전위 전원 전압(ELVSS)이 인가되는 제2 전원 라인(PL2), 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 전원 라인(PL3), 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 전원 라인(RL), 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL), 게이트 신호들(INIT, SENSE, SCAN, EM)이 인가되는 게이트 라인들(GL1~GL4)에 연결된다.

픽셀 회로는 도 6에 도시된 바와 같이 초기화 단계(Ti), 센싱 단계(Ts), 데이터 기입 단계(Tw), 및 발광 단계(Tem)로 구동될 수 있다. 초기화 단계(Ti)에서 픽셀 회로가 초기화된다. 센싱 단계(Ts)에서 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)이 센싱되어 제1 커패시터(Cst)에 저장된다. 데이터 기입 단계(Tw)에서 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)이 제2 노드(n2)에 인가된다. 부스팅 단계(Tboost)에서 제2 및 제3 노드들(n2, n3)의 전압이 상승한 후, 발광 단계(Tem)에서 발광 소자(EL)가 픽셀 데이터의 계조값에 대응하는 휘도로 발광될 수 있다.

초기화 단계(Ti)에서, 초기화 펄스(INIT), EM 펄스, 및 센싱 펄스(SENSE)의 전압이 게이트 온 전압(VGH, VEH)이고, 스캔 펄스(SCAN)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 센싱 단계(Ts)에서, 초기화 펄스(INIT)와 센싱 펄스(SENSE)의 전압이 게이트 온 전압(VGH, VEH)이고, EM 펄스(EM)와 스캔 펄스(SCAN)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 데이터 기입 단계(Tw)에서, 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)과 동기되는 스캔 펄스(SCAN)는 게이트 온 전압(VGH)으로 발생된다. 초기화 펄스(INIT), EM 펄스(EM), 및 센싱 펄스(SENSE)의 전압은 데이터 기입 단계(Tw)에서 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 발광 단계(Tem)에서, EM 펄스(EM)의 전압은 게이트 온 전압(VEH)이고, 다른 게이트 신호들(INIT, SENSE, SCAN)의 전압은 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다.

센싱 단계(Ts)와 데이터 기입 단계(Tw) 사이에 홀드 기간(Th)이 할당될 수 있다. 홀드 기간(Th) 동안 게이트 신호들(INIT,EM, SENSE, SCAN)은 이전 전압을 유지한다. 데이터 기입 단계(Tw)와 발광 단계(Tem) 사이에 부스팅 단계(Tboost)이 할당될 수 있다. 부스팅 단계(Tboost)에서 EM 펄스(EM)의 전압이 게이트 온 전압(VEH)으로 반전되고, 스캔 펄스(SCAN)와 센싱 펄스(SENSE)의 전압은 게이트 오프 전압(VGL)으로 반전된다. 부스팅 단계(Tboost)에 초기화 펄스(INIT)의 전압은 게이트 오프 전압(VGL)을 유지한다. 부스팅 단계(Tboost) 동안, 제2 및 제3 노드(n2, n3)의 전압이 상승한다.

픽셀 회로에 인가되는 정전압(ELVDD, ELVSS, Vinit, Vref)는 구동 소자(DT)의 포화(saturation) 영역 동작을 위한 전압 마진(margin)을 포함하여 도 7에 도시된 바와 같이 ELVDD > Vinit > ELVSS > Vref로 설정되거나 ELVDD > Vinit > Vref > ELVSS로 설정될 수 있다. 도 7에서 VOLED_peak는 발광 소자(EL)의 양단간 피크 전압이다. 이러한 정전압(ELVDD, ELVSS, Vinit, Vref)은 워스트(worst) 조건에서 Vgs ≤ Vds가 되도록 설정될 수 있다. 도 7에서, 'Vds'는 구동 소자(DT)의 드레인-소스간 전압이다. 게이트 온 전압(VGH, VEH)는 픽셀 구동 전압(ELVDD) 보다 높은 전압으로, 게이트 오프 전압(VGL, VEL)은 저전위 전원 전압(ELVSS) 보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다.

도 5에 도시된 픽셀 회로에서, 발광 소자(EL)는 OLED로 구현될 수 있다. OLED는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광 소자(EL)의 애노드 전극은 제4 노드(n4)에 연결되고, 캐소드 전극은 저전위 전원 전압(ELVSS)이 인가되는 제2 전원 라인(PL2)에 연결된다. 발광 소자(EL)의 애노드 전극과 캐소드 전극에 전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자가 형성되어 발광층(EML)에서 가시광이 방출된다. 발광 소자(EL)로 이용되는 OLED는 복수의 발광층들이 적층된 텐덤(Tandem) 구조일 수 있다. 텐덤 구조의 OLED는 픽셀의 휘도와 수명을 향상시킬 수 있다.

구동 소자(DT)는 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 전류를 발생하여 발광 소자(EL)를 구동한다. 구동 소자(DT)는 제1 노드(n1)에 연결된 제1 전극, 제2 노드(n2)에 연결된 게이트 전극, 및 제3 노드(n3)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제1 커패시터(Cst)는 제2 노드(n2)와 제3 노드(n3) 사이에 연결된다. 제2 커패시터(C2)는 제1 노드(n1)와 제3 노드(n3) 사이에 연결된다.

제1 스위치 소자(M01)는 초기화 단계(Ti)에서 초기화 펄스(INIT)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 초기화 전압(Vinit)을 제2 노드(n2)에 인가한다. 제1 스위치 소자(M01)는 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 전원 라인(PL3)에 연결된 제1 전극, 초기화 펄스(INIT)가 인가되는 제1 게이트 라인(GL1)에 연결된 게이트 전극, 제2 노드(n2)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제2 스위치 소자(M02)는 센싱 단계(Ts)와 데이터 기입단계(Tw)에서 센싱 펄스(SENSE)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 제4 노드(n4)에 기준 전압(Vref)을 공급한다. 제2 스위치 소자(M02)는 홀드 기간(Th)과 부스팅 단계(Tboost)에서 온 상태를 유지할 수 있다. 제2 스위치 소자(M02)는 제4 노드(n4)에 연결된 제1 전극, 센싱 펄스(SENSE)가 인가되는 제2 게이트 라인(GL2)에 연결된 게이트 전극, 제4 전원 라인(RL)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제3 스위치 소자(M03)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 데이터 전압(Vdata)에 동기되는 스캔 펄스(SCAN)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 데이터 라인(DL)을 제2 노드(n2)에 연결한다. 데이터 전압(Vdata)은 데이터 기입 단계(Tw)에서 제2 노드(n2)에 인가된다. 제3 스위치 소자(M03)는 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL)에 연결된 제1 전극, 스캔 펄스(SCAN)가 인가되는 제3 게이트 라인(GL3)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(n2)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제4 스위치 소자(M04)는 초기화 단계(Ti), 부스팅 단계(Tboost), 및 발광 단계(Tem)에서 EM 펄스(EM)의 게이트 온 전압(VEH)에 따라 턴-온되어 제3 노드(n3)를 제4 노드(n4)에 연결한다. 제4 스위치 소자(M04)는 제3 노드(n3)에 연결된 제1 전극, EM 펄스(EM)가 인가되는 제4 게이트 라인(GL4)에 연결된 게이트 전극, 및 제4 노드(n4)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

초기화 단계(Ti)에서, 도 8a에 도시된 바와 같이 제1, 제2 및 제4 스위치 소자들(M01, M02, M04)이 턴-온되고, 제3 스위치 소자(M03)는 턴-오프된다. 이 때, 구동 소자(DT)는 턴-온되고, 발광 소자(EL)는 턴-온되지 않는다.

센싱 단계(Ts)에서, 도 8b에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 스위치 소자들(M01,MO2)이 온 상태를 유지하여 제3 노드(n3)의 전압이 상승하여 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압(Vth)에 도달할 때 구동 소자(DT)가 턴-오프되고 문턱 전압(Vth)이 제1 커패시터(Cst)에 저장된다. 센싱 단계(Ts)에서 제4 스위치 소자(M04)가 턴-오프되기 때문에 제3 노드(n3)는 저전위 전원 전압(ELVSS)과 발광 소자(EL)의 영향을 받지 않는다. 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플은 제2 스위치 소자(M02)를 통해 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 전원 라인(RL)으로 방전된다. 홀드 기간(Th)에 제2 노드(n2)와 제3 노드(n3)는 플로팅(floating)되어 이전 전압을 유지하고, 제4 노드(n4)의 전압은 기준 전압(Vref)이다.

데이터 기입 단계(Tw)에서, 도 8c에 도시된 바와 같이 제3 스위치 소자(M03)가 턴-온되고, 제1 스위치 소자(M01)가 턴-오프된다. 이 때, 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)이 제2 노드(n2)에 인가되어 제2 노드(n2)의 전압이 데이터 전압(Vdata) 만큼 변한다.

부스팅 단계(Tboost) 동안, 제4 스위치 소자(M04)가 턴-온되고, 제1, 제2, 및 제3 스위치 소자들(M01, M02, M03)이 턴-오프된다. 이 때, 제2 및 제3 노드들(n2, n3)의 전압이 상승된다.

발광 단계(Tem)에서, 도 8d에 도시된 바와 같이 제4 스위치 소자(M04)가 온 상태를 유지하고, 제1, 제2, 및 제3 스위치 소자들(M01, M02, M03)이 오프 상태를 유지한다. 이 때, 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs) 즉, 제2 및 제3 노드간 전압에 따라 발생되는 전류가 발광 소자(EL)에 공급되어 발광 소자(EL)가 발광될 수 있다.

본 발명의 픽셀 회로는 전술한 바와 같이 센싱 단계(Ts)와 데이터 기입 단계(Tw)에서 제4 스위치 소자(M04)를 턴-오프시킴으로써 제3 노드(n3)와 저전위 전원 전압(ELVSS) 사이의 전류 패스를 차단한다. 그 결과, 센싱 단계(Ts)와 데이터 기입 단계(Tw)에서 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 저전위 전원 전압(ELVSS)과 발광 소자(EL)의 전압에 영향을 받지 않기 때문에 저전위 전원 전압(ELVSS)과 발광 소자(EL)의 애노드 전압이 변하더라도 표시장치의 화질이 저하되지 않는다. 본 발명의 표시장치는 크로스토크 패턴과 같이 데이터 전압(Vdata)이 크게 변하는 영상에서도 픽셀들의 휘도 변동이나 크로스토크가 시인되지 않는 우수한 화질을 구현할 수 있다.

도 9는 발광 소자의 캐소드 전압에 따른 발광 소자의 휘도를 도 3에 도시된 비교예의 픽셀 회로와 도 5에 도시된 본 발명의 픽셀 회로에서 비교한 실험 결과를 보여 주는 도면이다.

도 9를 참조하면, 비교예의 픽셀 회로는 발광 소자(EL)가 제3 노드(n3)에 직접 연결되기 때문에 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플 또는 발광 소자(OLED)의 전압이 변할 때 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)의 변할 수 있다. 저전위 전원 전압(ELVSS)은 모든 픽셀들에 연결된 제2 전원 라인(PL2)을 통해 모든 픽셀들에 공통으로 인가된다. 제2 전원 라인(PL2)은 발광 소자(EL)의 일 함수에 대응 가능하고 마이크로 캐비티(Micro cavity)를 고려하여 고 저항 금속일 수 있다. 고 저항 금속에 연결된 발광 소자(EL)의 캐소드 전극의 저항이 커지는 경우, 제2 전원 라인(PL2)의 RC 딜레이(delay)가 커지고 리플(ripple)에 취약하게 된다. 이 때문에, 비교예는 발광 소자(EL)의 캐소드 저항이 증가될수록 발광 소자(EL)의 휘도 변화(ΔOLED)가 커진다. 반면에, 본 발명은 센싱 단계(Ts)와 데이터 기입 단계(Tw)에서 구동 소자(DT)의 제2 전극과 발광 소자(EL) 간의 전류 패스(current path)가 차단되어 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플에 취약한 캐소드 저항이 커지더라도 발광 소자(EL)의 휘도가 거의 변하지 않는다.

도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다. 도 11은 도 10에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호를 보여 주는 파형도이다.

도 10 및 도 11을 참조하면, 픽셀 회로는 발광 소자(EL), 발광 소자(EL)를 구동하는 구동 소자(DT), 복수의 스위치 소자들(M11~M15), 제1 커패시터(Cst), 및 제2 커패시터(C2)를 포함한다. 구동 소자(DT)와 스위치 소자들(M11~M15)은 n 채널 Oxide TFT로 구현될 수 있다.

이 픽셀 회로는 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 제1 전원 라인(PL1), 저전위 전원 전압(ELVSS)이 인가되는 제2 전원 라인(PL2), 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 전원 라인(PL3), 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 전원 라인(RL), 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL), 게이트 신호들(INIT, SENSE, SCAN, EM1, EM2)이 인가되는 게이트 라인들(GL1~GL5)에 연결된다.

픽셀 회로는 도 10에 도시된 바와 같이 초기화 단계(Ti), 센싱 단계(Ts), 데이터 기입 단계(Tw), 및 발광 단계(Tem)로 구동될 수 있다. 초기화 단계(Ti)에서 픽셀 회로가 초기화된다. 센싱 단계(Ts)에서 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)이 센싱되어 제1 커패시터(Cst)에 저장된다. 데이터 기입 단계(Tw)에서 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)이 제2 노드(n2)에 인가된다. 부스팅 단계(Tboost)에서 제2 및 제3 노드들(n2, n3)의 전압이 상승한 후, 발광 단계(Tem)에서 발광 소자(EL)가 픽셀 데이터의 계조값에 대응하는 휘도로 발광될 수 있다.

초기화 단계(Ti)에서, 초기화 펄스(INIT), 제2 EM 펄스(EM2), 및 센싱 펄스(SENSE)의 전압이 게이트 온 전압(VGH, VEH)이고, 스캔 펄스(SCAN)와 제1 EM 펄스(EM1)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 도 12a에 도시된 바와 같이, 초기화 단계(Ti)에서 제1, 제2, 및 제5 스위치 소자들(M11, M12, M15)과, 구동 소자(DT)가 턴-온되는 반면, 제3 및 제4 스위치 소자들(M13, M14)이 턴-오프된다. 이 때, 제2 노드(n2)에 초기화 전압(Vinit)이 인가되고, 제3 노드(n3)에 기준 전압(Vref)이 인가된다. 이와 동시에, 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 제1 노드(n1)에 인가된다.

센싱 펄스(SENSE)는 초기화 단계(Ti)에 진입하기 전에 게이트 온 전압(VGH)으로 라이징(rising)되고 초기화 단계(Ti)가 끝날 때 게이트 오프 전압(VGL)으로 폴링(falling)될 수 있다. 센싱 펄스(SENSE)의 펄스폭 기간 즉, 게이트 온 전압(VGH) 구간 내에서, 초기화 펄스(INIT)가 게이트 오프 전압(VGL)으로부터 게이트 온 전압(VGH)으로 반전되고, 제1 EM 펄스(EM1)가 게이트 온 전압(VGH)으로부터 게이트 오프 전압(VGL)으로 반전된다. 센싱 펄스(SENSE)는 스캔 펄스(SCAN)의 폭스폭 보다 넓은 펄스폭으로 발생될 수 있다. 예를 들어, 스캔 펄스(SCAN)는 1 수평 기간의 펄스폭인데 비하여, 센싱 펄스(SENSE)는 대략 2 수평 기간(2H)으로 발생될 수 있다.

센싱 단계(Ts)에서, 초기화 펄스(INIT)와 제2 EM 펄스(EM2)가 게이트 온 전압(VGH)을 유지하고, 스캔 펄스(SCAN)와 제1 EM 펄스(EM1)가 게이트 오프 전압(VGL, VEL)을 유지한다. 센싱 단계(Ts)에서, 센싱 펄스(SENSE)가 게이트 오프 전압(VGL)으로 반전된다. 도 12b에 도시된 바와 같이, 센싱 단계(Ts)에서 제1 및 제5 스위치 소자들(M11, M15)이 온 상태를 유지하는 반면, 제3 및 제4 스위치 소자들(M13, M14)이 오프 상태를 유지한다. 제2 스위치 소자(M12)는 센싱 단계(Ts)에서 턴-오프된다. 구동 소자(DT)는 제3 노드(n3)의 전압이 상승하여 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압(Vth)에 도달할 때 턴-오프되고, 그 문턱 전압(Vth)이 제1 커패시터(Cst)에 저장된다.

데이터 기입 단계(Tw)에서, 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)과 동기되는 스캔 펄스(SCAN)는 게이트 온 전압(VGH)으로 발생된다. 제2 EM 펄스(EM2)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 게이트 온 전압(VGH)을 유지하거나 게이트 오프 전압(VEL)으로 반전될 수 있다. 따라서, 제5 스위치 소자(M15)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 온 상태를 유지하거나 턴-오프될 수 있다. 제2 EM 펄스(EM2)가 데이터 기입 단계(Tw)에서 게이트 온 전압(VEH)을 유지할 때, 구동 소자(DT)의 이동도에 따라 제3 노드(n3)의 전압이 변하여 구동 소자(DT)의 이동도 변화 또는 편차가 보상될 수 있다.

데이터 기입 단계(Tw)에서 초기화 펄스(INIT)와 제1 EM 펄스(EM1), 및 센싱 펄스(SENSE)의 전압은 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 도 12c에 도시된 바와 같이, 데이터 기입 단계(Tw)에서 제3 및 제5 스위치 소자들(M13, M15)이 턴-온되는 반면, 제1, 제2 및 제4 스위치 소자들(M11, M12, M14)이 턴-오프된다. 구동 소자(DT)는 데이터 전압(Vdata)에 의해 제2 노드(n2)의 전압이 상승하여 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압(Vth) 보다 높아질 때 턴-온될 수 있다.

발광 단계(Tem)에서, 제1 및 제2 EM 펄스(EM1, EM2)의 전압은 게이트 온 전압(VEH)이고, 다른 게이트 신호들(INIT, SENSE, SCAN)의 전압은 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 도 12d에 도시된 바와 같이, 발광 단계(Tem)에서 제4 및 제5 스위치 소자들(M14, M15)이 턴-온되는 반면, 제1, 제2 및 제3 스위치 소자들(M11, M12, M13)이 턴-오프된다. 발광 단계(Tem)에서 픽셀 회로는 소스 팔로워(Source follower) 회로로 동작하여 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 발광 소자(EL)에 전류가 공급된다. 이 때, 발광 소자(EL)는 픽셀 데이터의 계조에 대응하는 휘도로 발광될 수 있다.

제1 및 제2 EM 펄스(EM1, EM2)는 발광 단계(Tem)에서 저계조 표현력을 향상시키기 위하여, 게이트 온 전압(VEH)과 게이트 오프 전압(VEL 사이에서 스윙될 수 있다. 제1 및 제2 EM 펄스(EM1, EM2)는 발광 단계(Tem)에서 미리 설정된 PWM(Pulse Width Modulation)로 설정된 듀티비(duty ratio)로 스윙될 수 있다.

센싱 단계(Ts)와 데이터 기입 단계(Tw) 사이에 플로팅(floating) 기간(Tf)이 할당될 수 있다. 플로팅 기간(Tf) 동안, 제2 EM 펄스(EM2)를 제외한 게이트 신호들(INIT, SENSE, SCAN, EM1)은 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 따라서, 제1 내지 제4 스위치 소자들(M11~M14)이 플로팅 기간(Tf) 동안 턴-오프되어 픽셀 회로의 제2 내지 제4 노드들(n2~n4)이 플로팅 상태로 되어 이전 전압을 유지한다.

데이터 기입 단계(Tw)와 발광 단계(Tem) 사이에 부스팅 단계(Tboost)이 할당될 수 있다. 부스팅 단계(Tboost)에서 제1 및 제2 EM 펄스들(EM1, EM2)의 전압이 게이트 온 전압(VEH)이고, 그 이외의 게이트 신호들(INIT, SENSE, SCAN)의 전압은 게이트 오프 전압(VGL)이다. 따라서, 부스팅 단계(Tboost) 동안 제4 및 제5 스위치 소자들(M14, M15)이 턴-온되고, 그 이외의 스위치 소자들(M11, M12, M13)이 턴-오프된다. 부스팅 단계(Tboost) 동안, 제2 및 제3 노드(n2, n3)의 전압이 상승한다.

도 10에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 정전압(ELVDD, ELVSS, Vinit, Vref)은 도 7에 도시된 바와 같이 ELVDD > Vinit > ELVSS > Vref로 설정되거나 ELVDD > Vinit > Vref > ELVSS로 설정될 수 있다.

도 10에 도시된 픽셀 회로에서, 발광 소자(EL)는 OLED로 구현될 수 있다. OLED는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광 소자(EL)의 애노드 전극은 제4 노드(n4)에 연결되고, 캐소드 전극은 저전위 전원 전압(ELVSS)이 인가되는 제2 전원 라인(PL2)에 연결된다.

제1 스위치 소자(M11)는 초기화 단계(Ti)와 센싱 단계(Ts)에서 초기화 펄스(INIT)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 초기화 전압(Vinit)을 제2 노드(n2)에 인가한다. 제1 스위치 소자(M11)는 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 전원 라인(PL3)에 연결된 제1 전극, 초기화 펄스(INIT)가 인가되는 제1 게이트 라인(GL1)에 연결된 게이트 전극, 제2 노드(n2)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제2 스위치 소자(M12)는 센싱 단계(Ts)에서 센싱 펄스(SENSE)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 제3 노드(n3) 또는 제4 노드(n4)를 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 전원 라인(RL)에 연결한다. 제2 스위치 소자(M12)는 제3 노드(n3) 또는 제4 노드(n4)에 연결된 제1 전극, 센싱 펄스(SENSE)가 인가되는 제2 게이트 라인(GL2)에 연결된 게이트 전극, 및 제4 전원 라인(RL)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제3 스위치 소자(M13)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 데이터 전압(Vdata)에 동기되는 스캔 펄스(SCAN)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 데이터 라인(DL)을 제2 노드(n2)에 연결한다. 데이터 전압(Vdata)은 데이터 기입 단계(Tw)에서 제2 노드(n2)에 인가된다. 제3 스위치 소자(M13)는 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL)에 연결된 제1 전극, 스캔 펄스(SCAN)가 인가되는 제3 게이트 라인(GL3)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(n2)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제4 스위치 소자(M14)는 부스팅 단계(Tboost)과 발광 단계(Tem)에서 제1 EM 펄스(EM1)의 게이트 온 전압(VEH)에 따라 턴-온되어 제3 노드(n3)를 제4 노드(n4)에 연결한다. 제4 스위치 소자(M14)는 제3 노드(n3)에 연결된 제1 전극, 제1 EM 펄스(EM1)가 인가되는 제4 게이트 라인(GL4)에 연결된 게이트 전극, 및 제4 노드(n4)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제5 스위치 소자(M15)는 초기화 단계(Ti), 센싱 단계(Ts), 플로팅 기간(Tf), 데이터 기입 단계(Tw), 부스팅 단계(Tboost), 및 발광 단계(Tem)에서 제2 EM 펄스(EM2)의 게이트 온 전압(VEH)에 따라 턴-온되어 픽셀 구동 전압(ELVDD)을 제1 노드(n1)에 공급할 수 있다. 다른 실시예에서, 제5 스위치 소자(M15)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 게이트 오프 전압(VEL)으로 반전될 수 있다. 제5 스위치 소자(M15)는 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 제1 전원 라인(PL1)에 연결된 제1 전극, 제2 EM 펄스(EM2)가 인가되는 제5 게이트 라인(GL5)에 연결된 게이트 전극, 및 제1 노드(n1)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

도 10에 도시된 픽셀 회로에서, 제4 스위치 소자(M14)는 발광 소자(EL)의 애노드 전극과 제3 노드(n3)를 분리하여 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플(ripple)과 발광 소자(EL)의 전압 변동이 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)에 영향을 주지 않도록 한다. 이 픽셀 회로는 발광 소자(EL)의 애노드 전압과 기준 전압(Vref)을 분리함으로써 구동 소자(DT)의 문턱 전압 보상 제어와 화질 개선을 용이하게 한다. 예컨대, 발광 소자(EL)의 애노드 전압이 변동에 따른 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 변하지 않도록 함으로서 크로스토크를 유발하는 영상 패턴에서 크로스토크(crosstalk)가 시인되지 않고, 저계조 얼룩이 시인되지 않는다.

도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다. 도 14는 도 13에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호를 보여 주는 파형도이다. 도 15는 도 13에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 정전압을 보여 주는 도면이다.

도 13 및 도 14를 참조하면, 픽셀 회로는 발광 소자(EL), 발광 소자(EL)를 구동하는 구동 소자(DT), 복수의 스위치 소자들(M21~M26), 제1 커패시터(Cst), 및 제2 커패시터(C2)를 포함한다. 구동 소자(DT)와 스위치 소자들(M21~M26)은 n 채널 Oxide TFT로 구현될 수 있다.

이 픽셀 회로는 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 제1 전원 라인(PL1), 저전위 전원 전압(ELVSS)이 인가되는 제2 전원 라인(PL2), 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 전원 라인(PL3), 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 전원 라인(RL), 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL), 게이트 신호들(INIT, INIT2, SENSE, SCAN, EM1, EM2)이 인가되는 게이트 라인들(GL1~GL6)에 연결된다. 픽셀 회로는 미리 설정된 애노드 전압(Vano)이 인가되는 제5 전원 라인(PL5)에 연결될 수 있다.

픽셀 회로에 인가되는 정전압(ELVDD, ELVSS, Vinit, Vref, Vano)는 구동 소자(DT)의 포화(saturation) 영역 동작을 위한 전압 마진(margin)을 포함하여 도 15에 도시된 바와 같이 ELVDD > Vano > Vinit > ELVSS > Vref로 설정되거나 ELVDD > Vano > Vinit > Vref > ELVSS로 설정될 수 있다. 도 15에서 VOLED_peak는 발광 소자(EL)의 양단간 피크 전압이다. 도 15에서, 'Vds'는 구동 소자(DT)의 드레인-소스간 전압이다. 게이트 온 전압(VGH, VEH)은 픽셀 구동 전압(ELVDD) 보다 높은 전압으로, 게이트 오프 전압(VGL, VEL)은 저전위 전원 전압(ELVSS) 보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다.

픽셀 회로는 도 14에 도시된 바와 같이 초기화 단계(Ti), 센싱 단계(Ts), 데이터 기입 단계(Tw), 및 발광 단계(Tem)로 구동될 수 있다. 초기화 단계(Ti)에서 픽셀 회로가 초기화된다. 센싱 단계(Ts)에서 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)이 센싱되어 제1 커패시터(Cst)에 저장된다. 데이터 기입 단계(Tw)에서 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)이 제2 노드(n2)에 인가된다. 부스팅 단계(Tboost)에서 제2 및 제3 노드들(n2, n3)의 전압이 상승한 후, 발광 단계(Tem)에서 발광 소자(EL)가 픽셀 데이터의 계조값에 대응하는 휘도로 발광될 수 있다.

초기화 단계(Ti)에서, 초기화 펄스(INIT), 제2 초기화 펄스(INTT2), 제2 EM 펄스(EM2), 및 센싱 펄스(SENSE)의 전압이 게이트 온 전압(VGH, VEH)이고, 스캔 펄스(SCAN)와 제1 EM 펄스(EM1)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 도 16a에 도시된 바와 같이, 초기화 단계(Ti)에서 제1, 제2, 제5 및 제6 스위치 소자들(M21, M22, M25, M26)과, 구동 소자(DT)가 턴-온되는 반면, 제3 및 제4 스위치 소자들(M23, M24)이 턴-오프된다. 이 때, 제2 노드(n2)에 초기화 전압(Vinit)이 인가되고, 제3 노드(n3)에 기준 전압(Vref)이 인가된다. 이와 동시에, 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 제1 노드(n1)에 인가되고, 제4 노드(n4)에 초기화 전압(Vinit) 또는 애노드 전압(Vano)이 인가된다.

센싱 단계(Ts)에서, 초기화 펄스(INIT), 제2 초기화 펄스(INIT2), 및 제2 EM 펄스(EM2)가 게이트 온 전압(VGH)을 유지하고, 스캔 펄스(SCAN)와 제1 EM 펄스(EM1)가 게이트 오프 전압(VGL, VEL)을 유지한다. 센싱 단계(Ts)에서, 센싱 펄스(SENSE)가 게이트 오프 전압(VGL)으로 반전된다. 도 16b에 도시된 바와 같이, 센싱 단계(Ts)에서 제1, 제5, 및 제6 스위치 소자들(M21, M25, M26)이 온 상태를 유지하는 반면, 제3 및 제4 스위치 소자들(M23, M24)이 오프 상태를 유지한다. 제2 스위치 소자(M22)는 센싱 단계(Ts)에서 턴-오프된다. 구동 소자(DT)는 제3 노드(n3)의 전압이 상승하여 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압(Vth)에 도달할 때 턴-오프되고, 그 문턱 전압(Vth)이 제1 커패시터(Cst)에 저장된다.

데이터 기입 단계(Tw)에서, 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)과 동기되는 스캔 펄스(SCAN)가 게이트 온 전압(VGH)으로 발생된다. 데이터 기입 단계(Tw)에서, 제2 초기화 펄스(INIT2)는 게이트 온 전압(VGH)을 유지한다. 제2 EM 펄스(EM2)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 게이트 온 전압(VGH)을 유지하거나 게이트 오프 전압(VGL)으로 반전될 수 있다. 따라서, 제5 스위치 소자(M25)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 온 상태를 유지하거나 턴-오프될 수 있다.

데이터 기입 단계(Tw)에서 초기화 펄스(INIT)와 제1 EM 펄스(EM1), 및 센싱 펄스(SENSE)의 전압은 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 도 16c에 도시된 바와 같이, 데이터 기입 단계(Tw)에서 제3, 제5 및 제6 스위치 소자들(M23, M25, M26)이 턴-온되는 반면, 제1, 제2 및 제4 스위치 소자들(M21, M22, M24)이 턴-오프된다. 구동 소자(DT)는 데이터 전압(Vdata)에 의해 제2 노드(n2)의 전압이 상승하여 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압(Vth) 보다 높아질 때 턴-온될 수 있다.

발광 단계(Tem)에서, 제1 및 제2 EM 펄스(EM1, EM2)의 전압은 게이트 온 전압(VEH)이고, 다른 게이트 신호들(INIT, INIT2, SENSE, SCAN)의 전압은 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 도 16d에 도시된 바와 같이, 발광 단계(Tem)에서 제4 및 제5 스위치 소자들(M24, M25)이 턴-온되는 반면, 그 이외의 스위치 소자들(M21, M22, M23, M26)이 턴-오프된다. 발광 단계(Tem)에서 픽셀 회로는 소스 팔로워(Source follower) 회로로 동작하여 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 발광 소자(EL)에 전류가 공급된다. 이 때, 발광 소자(EL)는 픽셀 데이터의 계조에 대응하는 휘도로 발광될 수 있다.

센싱 단계(Ts)와 데이터 기입 단계(Tw) 사이에 홀딩 기간(Th)이 할당될 수 있다. 홀딩 기간(Th) 동안, 제2 초기화 펄스(INIT2)와 제2 EM 펄스(EM2)의 전압은 게이트 온 전압(VGH, VEH)이고, 그 외 나머지 게이트 신호들(INIT, SENSE, SCAN, EM1)은 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 홀딩 기간(Th) 동안, 제1 노드(n1)에 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 인가되고, 제4 노드(n4)에 초기화 전압(Vinit) 또는 애노드 전압(Vano)이 인가된다. 홀딩 기간(Th) 동안, 제1 내지 제4 스위치 소자들(M21~M24)이 턴-오프되어 제1 내지 제3 노드들(n1~n3)이 플로팅 상태이다.

데이터 기입 단계(Tw)와 발광 단계(Tem) 사이에 부스팅 단계(Tboost)이 할당될 수 있다. 부스팅 단계(Tboost)에서 제1 및 제2 EM 펄스들(EM1, EM2)의 전압이 게이트 온 전압(VEH)이고, 그 이외의 게이트 신호들(INIT, INIT2, SENSE, SCAN)의 전압은 게이트 오프 전압(VGL)이다. 따라서, 부스팅 단계(Tboost) 동안 제4 및 제5 스위치 소자들(M24, M25)이 턴-온되고, 그 이외의 스위치 소자들(M21, M22, M23, M25)이 턴-오프된다. 부스팅 단계(Tboost) 동안, 제2 및 제3 노드(n2, n3)의 전압이 상승한다.

한편, 부스팅 단계(Tboost)의 초기에 제2 초기화 펄스(INIT2)가 게이트 온 전압(VEH)을 유지한 후에 게이트 오프 전압(VEL)으로 반전될 수 있다. 따라서, 부스팅 단계(Tboost)의 초기에 초기화 전압(Vinit) 또는 애노드 전압(Vano)이 제4 노드(n4)에 인가될 수 있다.

도 13에 도시된 픽셀 회로에서, 발광 소자(EL)는 OLED로 구현될 수 있다. OLED는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광 소자(EL)의 애노드 전극은 제4 노드(n4)에 연결되고, 캐소드 전극은 저전위 전원 전압(ELVSS)이 인가되는 제2 전원 라인(PL2)에 연결된다.

제1 스위치 소자(M21)는 초기화 단계(Ti)와 센싱 단계(Ts)에서 초기화 펄스(INIT)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 초기화 전압(Vinit)을 제2 노드(n2)에 인가한다. 제1 스위치 소자(M21)는 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 전원 라인(PL3)에 연결된 제1 전극, 초기화 펄스(INIT)가 인가되는 제1 게이트 라인(GL1)에 연결된 게이트 전극, 제2 노드(n2)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제2 스위치 소자(M22)는 센싱 단계(Ts)에서 센싱 펄스(SENSE)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 제3 노드(n3)를 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 전원 라인(RL)에 연결한다. 제2 스위치 소자(M22)는 제3 노드(n3)에 연결된 제1 전극, 센싱 펄스(SENSE)가 인가되는 제2 게이트 라인(GL2)에 연결된 게이트 전극, 제4 전원 라인(RL)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제3 스위치 소자(M23)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 데이터 전압(Vdata)에 동기되는 스캔 펄스(SCAN)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 데이터 라인(DL)을 제2 노드(n2)에 연결한다. 데이터 전압(Vdata)은 데이터 기입 단계(Tw)에서 제2 노드(n2)에 인가된다. 제3 스위치 소자(M23)는 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL)에 연결된 제1 전극, 스캔 펄스(SCAN)가 인가되는 제3 게이트 라인(GL3)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(n2)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제4 스위치 소자(M24)는 부스팅 단계(Tboost)과 발광 단계(Tem)에서 제1 EM 펄스(EM1)의 게이트 온 전압(VEH)에 따라 턴-온되어 제3 노드(n3)를 제4 노드(n4)에 연결한다. 제4 스위치 소자(M24)는 제3 노드(n3)에 연결된 제1 전극, 제1 EM 펄스(EM1)가 인가되는 제4 게이트 라인(GL4)에 연결된 게이트 전극, 및 제4 노드(n4)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제5 스위치 소자(M25)는 초기화 단계(Ti), 센싱 단계(Ts), 홀딩 기간(Th), 데이터 기입 단계(Tw), 부스팅 단계(Tboost), 및 발광 단계(Tem)에서 제2 EM 펄스(EM2)의 게이트 온 전압(VEH)에 따라 턴-온되어 픽셀 구동 전압(ELVDD)을 제1 노드(n1)에 공급할 수 있다. 다른 실시예에서, 제5 스위치 소자(M25)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 게이트 오프 전압(VEL)으로 반전될 수 있다. 제5 스위치 소자(M25)는 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 제1 전원 라인(PL1)에 연결된 제1 전극, 제2 EM 펄스(EM2)가 인가되는 제5 게이트 라인(GL5)에 연결된 게이트 전극, 및 제1 노드(n1)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제6 스위치 소자(M26)는 초기화 단계(Ti), 센싱 단계(Ts), 홀딩 기간(Th), 및 데이터 기입 단계(Tw)에서 제2 초기화 펄스(INIT2)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 초기화 전압(Vinit1) 또는 애노드 전압(Vano)을 제4 노드(n4)에 인가한다. 제6 스위치 소자(M26)는 제4 노드(n4)에 연결된 제1 전극, 제2 초기화 펄스(INIT2)가 인가되는 제6 게이트 라인(GL6)에 연결된 게이트 전극, 및 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 전원 라인(PL3) 또는 애노드 전압(Vano)이 인가되는 제5 전원 라인(PL5)에 연결된 제2 전극을 포함한다. 제6 스위치 소자(M26)를 통해 제4 노드(n4)에 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 경우, 제5 전원 라인(PL5)이 필요 없기 때문에 전원 라인 개수가 적어지므로 베젤 영역(BZ)이 감소되고 설계 마진(design margin)이 더 확보될 수 있다.

도 13에 도시된 픽셀 회로에서, 제4 스위치 소자(M24)는 발광 소자(EL)의 애노드 전극과 제3 노드(n3)를 분리하여 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플(ripple)과 발광 소자(EL)의 전압 변동이 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)에 영향을 주지 않도록 한다. 이 픽셀 회로는 발광 소자(EL)의 애노드 전압과 기준 전압(Vref)을 분리함으로써 구동 소자(DT)의 문턱 전압 보상 제어와 화질 개선을 용이하게 한다.

도 17은 본 발명의 제4 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다. 도 18은 도 17에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호를 보여 주는 파형도이다. 이 픽셀 회로는 제n(n은 자연수) 픽셀 라인에 배치된 서브 픽셀의 픽셀 회로이다.

도 17 및 도 18을 참조하면, 픽셀 회로는 발광 소자(EL), 발광 소자(EL)를 구동하는 구동 소자(DT), 복수의 스위치 소자들(M31~M36), 제1 커패시터(Cst), 및 제2 커패시터(C2)를 포함한다. 구동 소자(DT)와 스위치 소자들(M31~M36)은 n 채널 Oxide TFT로 구현될 수 있다.

이 픽셀 회로는 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 제1 전원 라인(PL1), 저전위 전원 전압(ELVSS)이 인가되는 제2 전원 라인(PL2), 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 전원 라인(PL3), 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 전원 라인(RL), 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL), 게이트 신호들[INIT, SENSE(n), SENSE(n+1), SCAN, EM1, EM2]이 인가되는 게이트 라인들(GL1~GL6)에 연결된다. 픽셀 회로는 미리 설정된 애노드 전압(Vano)이 인가되는 제5 전원 라인(PL5)에 연결될 수 있다. 제n 픽셀 라인에 인가되는 제n+1 센싱 펄스[SENSE(n+1)]는 제n+1 픽셀 라인에 제n 센싱 펄스[SENSE(n)]로 인가된다. 센싱 펄스[SENSE(n), SENSE(n+1)]의 펄스폭은 스캔 펄스(SCAN) 보다 넓은 펄스폭으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 센싱 펄스[SENSE(n), SENSE(n+1)]는 2 수평 기간의 펄스폭으로 설정될 수 있고, 스캔 펄스(SCAN)는 1 수평 기간의 펄스폭으로 설정될 수 있다. 제n+1 센싱 펄스[SENSE(n+1)]는 제n 센싱 펄스[SENSE(n)]에 이어서 발생되고, 대략 1 수평 기간 만큼 제n 센싱 펄스[SENSE(n)]와 중첩될 수 있다.

이 픽셀 회로에 인가되는 정전압(ELVDD, ELVSS, Vinit, Vref, Vano)은 도 15와 같다.

픽셀 회로는 도 18에 도시된 바와 같이 초기화 단계(Ti), 센싱 단계(Ts), 데이터 기입 단계(Tw), 및 발광 단계(Tem)로 구동될 수 있다. 초기화 단계(Ti)에서 픽셀 회로가 초기화된다. 센싱 단계(Ts)에서 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)이 센싱되어 제1 커패시터(Cst)에 저장된다. 데이터 기입 단계(Tw)에서 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)이 제2 노드(n2)에 인가된다. 부스팅 단계(Tboost)에서 제2 및 제3 노드들(n2, n3)의 전압이 상승한 후, 발광 단계(Tem)에서 발광 소자(EL)가 픽셀 데이터의 계조값에 대응하는 휘도로 발광될 수 있다.

초기화 단계(Ti)에서, 초기화 펄스(INIT), 제2 EM 펄스(EM2), 및 제n 센싱 펄스[SENSE(n)]의 전압이 게이트 온 전압(VGH, VEH)이고, 스캔 펄스(SCAN), 제n+1 센싱 펄스[SENSE(n+1)], 및 제1 EM 펄스(EM1)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 도 19a에 도시된 바와 같이, 초기화 단계(Ti)에서 제1, 제2, 및 제5 스위치 소자들(M31, M32, M35)과, 구동 소자(DT)가 턴-온되는 반면, 제3, 제4 및 제6 스위치 소자들(M33, M34, M36)이 턴-오프된다. 이 때, 제2 노드(n2)에 초기화 전압(Vinit)이 인가되고, 제3 노드(n3)에 기준 전압(Vref)이 인가된다. 이와 동시에, 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 제1 노드(n1)에 인가된다.

센싱 단계(Ts)에서, 초기화 펄스(INIT), 및 제2 EM 펄스(EM2)가 게이트 온 전압(VGH)을 유지하고, 스캔 펄스(SCAN)와 제1 EM 펄스(EM1)가 게이트 오프 전압(VGL, VEL)을 유지한다. 제n 센싱 펄스[SENSE(n)]와 제n+1 센싱 펄스[SENSE(n+1)]는 센싱 단계(Ts)의 초기에 게이트 온 전압(VGH)으로 발생된 후, 게이트 오프 전압(VGL)으로 반전된다. 도 19b에 도시된 바와 같이, 센싱 단계(Ts)에서 제1, 제2, 제5, 및 제6 스위치 소자들(M31, M32, M35, M36)이 턴-온되는 반면, 제3 및 제4 스위치 소자들(M33, M34)이 턴-오프된다. 구동 소자(DT)는 제3 노드(n3)의 전압이 상승하여 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압(Vth)에 도달할 때 턴-오프되고, 그 문턱 전압(Vth)이 제1 커패시터(Cst)에 저장된다.

데이터 기입 단계(Tw)에서, 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)과 동기되는 스캔 펄스(SCAN)가 게이트 온 전압(VGH)으로 발생된다. 제2 EM 펄스(EM2)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 게이트 온 전압(VGH)을 유지하거나 게이트 오프 전압(VGL)으로 반전될 수 있다. 따라서, 제5 스위치 소자(M35)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 온 상태를 유지하거나 턴-오프될 수 있다.

데이터 기입 단계(Tw)에서 초기화 펄스(INIT)와 제1 EM 펄스(EM1), 제n 센싱 펄스[SENSE(n)], 및 제n+1 센싱 펄스[SENSE(n+1)]의 전압은 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 도 19c에 도시된 바와 같이, 데이터 기입 단계(Tw)에서 제3 및 제5 스위치 소자들(M33, M35)이 턴-온되는 반면, 그 이외의 스위치 소자들(M31, M32, M34, M36)이 턴-오프된다. 구동 소자(DT)는 데이터 전압(Vdata)에 의해 제2 노드(n2)의 전압이 상승하여 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압(Vth) 보다 높아질 때 턴-온될 수 있다.

발광 단계(Tem)에서, 제1 및 제2 EM 펄스(EM1, EM2)의 전압은 게이트 온 전압(VEH)이고, 다른 게이트 신호들[INIT, SENSE(n), SENSE(n+1), SCAN)의 전압은 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 도 19d에 도시된 바와 같이, 발광 단계(Tem)에서 제4 및 제5 스위치 소자들(M34, M35)이 턴-온되는 반면, 그 이외의 스위치 소자들(M31, M32, M33, M36)이 턴-오프된다. 발광 단계(Tem)에서 픽셀 회로는 소스 팔로워(Source follower) 회로로 동작하여 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 발광 소자(EL)에 전류가 공급된다. 이 때, 발광 소자(EL)는 픽셀 데이터의 계조에 대응하는 휘도로 발광될 수 있다.

센싱 단계(Ts)와 데이터 기입 단계(Tw) 사이에 플로팅 기간(Tf)이 할당될 수 있다. 플로팅 기간(Tf) 동안, 제2 EM 펄스(EM2)의 전압은 게이트 온 전압(VGH, VEH)이고, 그 외 나머지 게이트 신호들[INIT, SENSE(n), SENSE(n+1), SCAN, EM1)은 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 따라서, 플로팅 기간(Tf) 동안, 제5 스위치 소자(M35) 이외의 스위치 소자들(M31~M34, M36)이 턴-오프되어 제2 내지 제4 노드들(n2, n3, n4)이 플로팅되어 이전 전압을 유지한다.

데이터 기입 단계(Tw)와 발광 단계(Tem) 사이에 부스팅 단계(Tboost)이 할당될 수 있다. 부스팅 단계(Tboost)에서 EM 펄스들(EM1, EM2)과 센싱 펄스들[SENSE(n), SENSE(n+1)]의 전압이 게이트 온 전압(VEH)이고, 초기화 펄스(INIT)와 스캔 펄스(SCAN)는 게이트 오프 전압(VGL)이다. 따라서, 부스팅 단계(Tboost) 동안 제2, 제4, 제5 및 제6 스위치 소자들(M32, M34, M35, M36)이 턴-온되고, 제1 및 제3 스위치 소자들(M31, M33)이 턴-오프된다. 부스팅 단계(Tboost) 동안, 제2 및 제3 노드(n2, n3)의 전압이 상승한다.

도 17에 도시된 픽셀 회로에서, 발광 소자(EL)는 OLED로 구현될 수 있다. OLED는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광 소자(EL)의 애노드 전극은 제4 노드(n4)에 연결되고, 캐소드 전극은 저전위 전원 전압(ELVSS)이 인가되는 제2 전원 라인(PL2)에 연결된다.

제1 스위치 소자(M31)는 초기화 단계(Ti)와 센싱 단계(Ts)에서 초기화 펄스(INIT)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 초기화 전압(Vinit)을 제2 노드(n2)에 인가한다. 제1 스위치 소자(M31)는 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 전원 라인(PL3)에 연결된 제1 전극, 초기화 펄스(INIT)가 인가되는 제1 게이트 라인(GL1)에 연결된 게이트 전극, 제2 노드(n2)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제2 스위치 소자(M32)는 센싱 단계(Ts)에서 제n 센싱 펄스[SENSE(n)]의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 제3 노드(n3)를 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 전원 라인(RL)에 연결한다. 제2 스위치 소자(M32)는 제3 노드(n3)에 연결된 제1 전극, 제n 센싱 펄스[SENSE(n)]가 인가되는 제2-1 게이트 라인(GL2a)에 연결된 게이트 전극, 제4 전원 라인(RL)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제3 스위치 소자(M33)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 데이터 전압(Vdata)에 동기되는 스캔 펄스(SCAN)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 데이터 라인(DL)을 제2 노드(n2)에 연결한다. 데이터 전압(Vdata)은 데이터 기입 단계(Tw)에서 제2 노드(n2)에 인가된다. 제3 스위치 소자(M33)는 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL)에 연결된 제1 전극, 스캔 펄스(SCAN)가 인가되는 제3 게이트 라인(GL3)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(n2)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제4 스위치 소자(M34)는 부스팅 단계(Tboost)과 발광 단계(Tem)에서 제1 EM 펄스(EM1)의 게이트 온 전압(VEH)에 따라 턴-온되어 제3 노드(n3)를 제4 노드(n4)에 연결한다. 제4 스위치 소자(M34)는 제3 노드(n3)에 연결된 제1 전극, 제1 EM 펄스(EM1)가 인가되는 제4 게이트 라인(GL4)에 연결된 게이트 전극, 및 제4 노드(n4)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제5 스위치 소자(M35)는 초기화 단계(Ti), 센싱 단계(Ts), 플로팅 기간(Tf), 데이터 기입 단계(Tw), 부스팅 단계(Tboost), 및 발광 단계(Tem)에서 제2 EM 펄스(EM2)의 게이트 온 전압(VEH)에 따라 턴-온되어 픽셀 구동 전압(ELVDD)을 제1 노드(n1)에 공급할 수 있다. 다른 실시예에서, 제5 스위치 소자(M35)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 게이트 오프 전압(VEL)으로 반전될 수 있다. 제5 스위치 소자(M35)는 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 제1 전원 라인(PL1)에 연결된 제1 전극, 제2 EM 펄스(EM2)가 인가되는 제5 게이트 라인(GL5)에 연결된 게이트 전극, 및 제1 노드(n1)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제6 스위치 소자(M36)는 초기화 단계(Ti), 센싱 단계(Ts), 홀딩 기간(Th), 및 데이터 기입 단계(Tw)에서 제n+1 센싱 펄스[SENSE(n+1)]의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 초기화 전압(Vinit1) 또는 애노드 전압(Vano)을 제4 노드(n4)에 인가한다. 제6 스위치 소자(M36)는 제4 노드(n4)에 연결된 제1 전극, 제n+1 센싱 펄스[SENSE(n+1)]가 인가되는 제2-2 게이트 라인(GL2b)에 연결된 게이트 전극, 및 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 전원 라인(PL3) 또는 애노드 전압(Vano)이 인가되는 제5 전원 라인(PL5)에 연결된 제2 전극을 포함한다. 제6 스위치 소자(M36)를 통해 제4 노드(n4)에 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 경우, 제5 전원 라인(PL5)이 필요 없기 때문에 전원 라인 개수가 적어지므로 베젤 영역(BZ)이 감소되고 설계 마진(design margin)이 더 확보될 수 있다.

제6 스위치 소자(M36)는 제n+1 센싱 펄스[SENSE(n+1)]가 인가되기 때문에 도 13에 도시된 픽셀 회로에 비하여 게이트 라인 개수가 적어지고 베젤 영역이 감소될 수 있다.

도 17에 도시된 픽셀 회로에서, 제4 스위치 소자(M34)는 발광 소자(EL)의 애노드 전극과 제3 노드(n3)를 분리하여 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플(ripple)과 발광 소자(EL)의 전압 변동이 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)에 영향을 주지 않도록 한다. 이 픽셀 회로는 발광 소자(EL)의 애노드 전압과 기준 전압(Vref)을 분리함으로써 구동 소자(DT)의 문턱 전압 보상 제어와 화질 개선을 용이하게 한다.

도 20은 본 발명의 제5 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다. 도 21 및 도 22는 도 20에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호를 보여 주는 파형도들이다. 도 21 및 도 22에서 'DTG'는 제2 노드(n2)의 전압이고, 'DTS'는 제3 노드(n3)의 전압이다.

도 20 내지 도 22를 참조하면, 픽셀 회로는 발광 소자(EL), 발광 소자(EL)를 구동하는 구동 소자(DT), 복수의 스위치 소자들(M51~M55), 제1 커패시터(Cst), 및 제2 커패시터(C52)를 포함한다. 구동 소자(DT)와 스위치 소자들(M51~M55)은 n 채널 Oxide TFT로 구현될 수 있다.

픽셀 회로는 도 21에 도시된 바와 같이 초기화 단계(Ti), 센싱 단계(Ts), 데이터 기입 단계(Tw), 및 발광 단계(Tem)로 구동될 수 있다. 데이터 기입 단계(Tw)와 발광 단계(Tem) 사이에 제2 및 제3 노드들(n2, n3)의 전압(DTG, DTS)이 상승하는 부스팅 단계(Tboost)가 설정될 수 있다. 저속 구동 모드에서 플리커(Flcker)가 시인되는 현상을 방지하기 위하여, 애노드 리셋 단계(AR)가 데이터 기입 단계(Tw)와 부스팅 단계(Tboost) 사이에 설정될 수 있다.

초기화 단계(Ti)에서, 초기화 펄스(INIT), 제1 EM 펄스(EM1), 제2 EM 펄스(EM2), 및 센싱 펄스(SENSE)의 전압이 게이트 온 전압(VGH, VEH)이고, 스캔 펄스(SCAN)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 따라서, 초기화 단계(Ti)에서 제1, 제2, 제4 및 제5 스위치 소자들(M51, M52, M54, M55)과, 구동 소자(DT)가 턴-온되는 반면, 제3 스위치 소자(M53)가 턴-오프된다. 이 때, 제2 노드(n2)에 초기화 전압(Vinit)이 인가되고, 제3 노드(n3)에 기준 전압(Vref)이 인가된다. 이와 동시에, 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 제1 노드(n1)에 인가된다.

센싱 단계(Ts)에서, 초기화 펄스(INIT), 센싱 펄스(SENSE), 및 제2 EM 펄스(EM2)가 게이트 온 전압(VGH, VEH)을 유지하고, 스캔 펄스(SCAN)는 게이트 오프 전압(VGL)을 유지한다. 제1 EM 펄스(EM1)는 센싱 단계(Ts)에서 게이트 오프 전압(VEL)으로 반전된다. 센싱 단계(Ts)에서 제1, 제2 및 제5 스위치 소자들(M51, M52, M55)이 온 상태를 유지하는 반면, 제3 및 제4 스위치 소자들(M53, M54)이 턴-오프된다. 센싱 단계(Ts)에서, 제4 스위치 소자(M54)가 턴-오프되고 제2 스위치 소자(M52)가 턴-온되기 때문에 제3 노드(n3)와 제4 노드(n4) 사이의 전류 패스(current path)가 차단되고 발광 소자(EL)의 애노드 전극에 기준 전압(Vref)이 인가된다. 이로 인하여, 발광 소자(EL)의 잔류 전하를 제거할 수 있고, 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플(ripple)이 발광 소자(EL)의 애노드와 제3 노드(n3)에 영향을 주는 현상을 방지할 수 있다.

센싱 단계(Ts)에서 도 21에 도시된 바와 같이 제3 노드(n3)의 전압(DTS)이 상승하여 제2 및 제3 노드들(n2, n3) 간의 전압 즉, 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압(Vth)에 도달할 때 구동 소자(DT)가 턴-오프되고 그 문턱 전압이 커패시터(Cst)에 저장된다.

데이터 기입 단계(Tw)에서, 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)과 동기되는 스캔 펄스(SCAN)는 게이트 온 전압(VGH)으로 발생되고, 센싱 펄스(SENSE)가 게이트 온 전압(VGH)으로 발생된다. 데이터 기입 단계(Tw)에서 데이터 전압(Vdata)이 제2 노드(n2)에 공급되어 제2 및 제3 노드들(n2, n3)의 전압이 상승한다. 제2 EM 펄스(EM2)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 게이트 온 전압(VEH)을 유지하거나 게이트 오프 전압(VEL)으로 반전될 수 있다. 따라서, 데이터 기입 단계(Tw)에서, 제2 및 제3 스위치 소자(M52, M53)가 턴-온되고, 제5 스위치 소자(M55)는 온 상태를 유지하거나 턴-오프될 수 있다.

제2 EM 펄스(EM2)가 데이터 기입 단계(Tw)에서 게이트 온 전압(VEH)을 유지할 때, 구동 소자(DT)의 이동도에 따라 제3 노드(n3)의 전압이 변하여 구동 소자(DT)의 이동도 변화 또는 편차가 보상될 수 있다. 예를 들어, 데이터 기입 단계(Tw)의 시간 내에서 도 22와 같이 구동 소자(DT)의 이동도(Mobility, μ)가 크면 제3 노드(n3)의 전압(DTS)이 높아져 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 감소된다. 반면에, 구동 소자(DT)의 이동도(Mobility, μ)가 상대적으로 작으면 제3 노드(n3)의 전압(DTS)이 낮아져 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 커진다. 따라서, 데이터 기입 단계(Tw)에서 구동 소자(DT)의 이동도 변화 또는 편차가 보상될 수 있다.

데이터 기입 단계(Tw)에서 초기화 펄스(INIT)와 제1 EM 펄스(EM1)는 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 데이터 기입 단계(Tw)에서 제1 및 제4 스위치 소자들(M51, M54)이 턴-오프된다.

애노드 리셋 단계(AR)에서, 제1 EM 펄스(EM1)와 센싱 펄스(SENSE)가 게이트 온 전압(VGH, VEH)으로 발생되는 반면, 제2 EM 펄스(EM2), 초기화 펄스(INIT) 및 스캔 펄스(SCAN)는 게이트 오프 전압(VGL, VEL)이다. 따라서, 애노드 리셋 단계(AR)에서 제2 및 제4 스위치 소자들(M52, M54)가 턴-온되어 제3 및 제4 노드(n3, n4)에 기준 전압(Vref)을 공급한다. 애노드 리셋 단계(AR)에서, 제1, 제3 및 제5 스위치 소자들(M51, M53, M55)은 턴-오프된다.

부스팅 단계(Tboost)에서, 제1 및 제2 EM 펄스들(EM5, EM2)은 게이트 온 전압(VEH)으로 발생되고, 다른 게이트 신호들(INIT, SENSE, SCAN)은 게이트 오프 전압(VGL)으로 발생된다. 부스팅 단계(Tboost)에서 제4 및 제5 스위치 소자들(M54, M55)이 턴-온되는 반면, 제1, 제2, 및 제3 스위치 소자들(M51, M52, M53)은 턴-오프된다. 부스팅 단계(Tboost)에서 제2 및 제3 노드들(n2, n3)의 전압(DRG, DRS)이 발광 소자(EL)의 턴-온 전압까지 상승하고, 이 때 발광 소자(EL)의 커패시터(도 3의 Cel)가 충전된다.

발광 단계(Tem)에서, 제1 및 제2 EM 펄스(EM1, EM2)의 전압은 게이트 온 전압(VEH)을 유지하고, 다른 게이트 신호들(INIT, SENSE, SCAN)의 전압은 게이트 오프 전압(VGL)을 유지한다. 발광 단계(Tem)에서 제4 및 제5 스위치 소자들(M54, M55)이 턴-온되는 반면, 제1, 제2 및 제3 스위치 소자들(M51, M52, M53)은 턴-오프된다. 발광 단계(Tem)에서 픽셀 회로는 소스 팔로워(Source follower) 회로로 동작하여 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 발광 소자(EL)에 전류가 공급된다. 이 때, 발광 소자(EL)는 픽셀 데이터의 계조에 대응하는 휘도로 발광될 수 있다.

도 20에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 정전압(ELVDD, ELVSS, Vinit, Vref)은 ELVDD > Vinit > Vref > ELVSS 로 설정될 수 있으나 이에 한정되지 않은다. 예를 들어, 정전압은 ELVDD = 12V, Vinit = 1V, Vref = -4V, EVSS = -6 등으로 정전압이 설정될 수 있다.

발광 소자(EL)는 OLED로 구현될 수 있다. 발광 소자(EL)로 이용되는 OLED는 복수의 발광층들이 적층된 텐덤(Tandem) 구조일 수 있다. 기준 전압(Vref)은 블랙 휘도가 상승하지 않도록 OLED의 턴-온 전압 보다 작은 전압 예를 들어, Vref < (ELVSS + OLED turn on voltage)로 설정되는 것이 바람직하다. 도 23은 OLED의 턴-온 전압과, OLED의 전류(I_OLED)를 나타낸다.

도 23에서, 'ΔV'는 초기화 전압(Vinit)과 기준 전압(Vref) 간의 전압 차이이다. ΔV는 도 24에 도시된 PBTS(Positive-bias temperature stress) 마진을 고려하여 설정될 수 있다. PBTS 마진은 PBTS로 인하여 구동 소자의 문턱 전압이 정극성 쪽으로 시프트될 때 최대로 시프트될 수 있는 최대량을 고려한 전압 보상 전압 범위로 확보된다. 예를 들어, 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)이 5V까지 시프트된 경우, Vref = Vinit - 5V - PBTS margin(1V) 로 설정될 수 있다. PBTS Margin은 구동 소자(DT)의 문턱 전압에 대한 센싱 동작 수행을 위한 최소 전압 편차일 수 있다. 이러한 PBTS Margin이 확보되지 않으면, 구동 소자(DT)의 문턱 전압 시프트 량이 커질수록 센싱 오차가 더 크게 발생할 수 있다.

제1 커패시터(Cst)는 제2 노드(n2)와 제3 노드(n3) 사이에 연결된다. 제2 커패시터(C52)는 제3 노드(n3)와 제5 노드(n5) 사이에 연결된다. 제5 노드(n5)에는 정전압(DC)이 인가된다. 정전압(DC)은 ELVDD, Vinit, Vref 중 어느 하나일 수 있다.

제1 스위치 소자(M51)는 초기화 단계(Ti)와 센싱 단계(Ts)에서 초기화 펄스(INIT)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 초기화 전압(Vinit)을 제2 노드(n2)에 인가한다. 제1 스위치 소자(M51)는 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 전원 라인(PL3)에 연결된 제1 전극, 초기화 펄스(INIT)가 인가되는 제1 게이트 라인(GL1)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(n2)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제2 스위치 소자(M52)는 초기화 단계(Ti)와 센싱 단계(Ts)에서 센싱 펄스(SENSE)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 제4 노드(n4)를 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 전원 라인(RL)에 연결한다. 제2 스위치 소자(M52)는 제4 노드(n4)에 연결된 제1 전극, 센싱 펄스(SENSE)가 인가되는 제2 게이트 라인(GL2)에 연결된 게이트 전극, 제4 전원 라인(RL)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제3 스위치 소자(M53)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 데이터 전압(Vdata)에 동기되는 스캔 펄스(SCAN)의 게이트 온 전압(VGH)에 따라 턴-온되어 데이터 라인(DL)을 제2 노드(n2)에 연결한다. 데이터 전압(Vdata)은 데이터 기입 단계(Tw)에서 제2 노드(n2)에 인가된다. 제3 스위치 소자(M53)는 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL)에 연결된 제1 전극, 스캔 펄스(SCAN)가 인가되는 제3 게이트 라인(GL3)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(n2)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제4 스위치 소자(M54)는 부스팅 기간(Tboost)과 발광 단계(Tem)에서 제1 EM 펄스(EM1)의 게이트 온 전압(VEH)에 따라 턴-온되어 제3 노드(n3)를 제4 노드(n4)에 연결한다. 제4 스위치 소자(M54)는 저속 구동 모드의 애노드 리셋 단계에서 제1 EM 펄스(EM1)의 게이트 온 전압(VEH)에 따라 턴-온될 수 있다. 제4 스위치 소자(M54)는 제3 노드(n3)에 연결된 제1 전극, 제1 EM 펄스(EM1)가 인가되는 제4 게이트 라인(GL4)에 연결된 게이트 전극, 및 제4 노드(n4)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

제5 스위치 소자(M55)는 초기화 단계(Ti), 센싱 단계(Ts), 부스팅 단계(Tboost), 및 발광 단계(Tem)에서 제2 EM 펄스(EM2)의 게이트 온 전압(VEH)에 따라 턴-온되어 픽셀 구동 전압(ELVDD)을 제1 노드(n1)에 공급할 수 있다. 제5 스위치 소자(M55)는 데이터 기입 단계(Tw)에서 제2 EM 펄스(EM2)의 게이트 온 전압(VEH)에 따라 턴-온될 수 있다. 제5 스위치 소자(M55)는 픽셀 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 제1 전원 라인(PL1)에 연결된 제1 전극, 제2 EM 펄스(EM2)가 인가되는 제5 게이트 라인(GL5)에 연결된 게이트 전극, 및 제1 노드(n1)에 연결된 제2 전극을 포함한다.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100 : 표시패널 101 : 픽셀
102 : 데이터 라인 103 : 게이트 라인
110 : 데이터 구동부 120 : 게이트 구동부
130 : 타이밍 콘트롤러 140: 전원부
M01~M04, M11~M15, M21~M26, M31~M36, M51~M55 ; 스위치 소자
EL: 발광 소자 DT: 구동 소자
Cst, C2: 커패시터 Ti: 초기화 단계
Ts: 센싱 단계 Tw: 데이터 기입 단계
Tboost : 부스팅 단계 AR: 애노드 리셋 단계
Tem: 발광 단계

Claims

픽셀 구동 전압이 인가되는 제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 게이트 전극, 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 구동 소자;
제4 노드에 연결된 애노드 전극과, 저전위 전원 전압이 인가되는 캐소드 전극을 포함하는 발광 소자;
초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 초기화 펄스가 인가되는 게이트 전극, 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 초기화 펄스에 응답하여 상기 초기화 전압을 상기 제2 노드에 공급하는 제1 스위치 소자;
상기 제3 노드 또는 상기 제4 노드에 연결된 제1 전극, 센싱 펄스가 인가되는 게이트 전극, 기준 전압이 인가되는 제2 전극을 포함하여 상기 센싱 펄스에 응답하여 상기 제3 노드 또는 제4 노드에 상기 기준 전압을 공급하는 제2 스위치 소자;
데이터 전압이 인가되는 제1 전극, 스캔 펄스가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 스캔 펄스에 응답하여 상기 데이터 전압을 상기 제2 노드에 공급하는 제3 스위치 소자; 및
상기 제3 노드에 연결된 제1 전극, 제1 발광 제어 펄스가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제4 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 제1 발광 제어 펄스에 응답하여 상기 제3 노드를 상기 제4 노드에 연결하는 제4 스위치 소자를 포함하는 픽셀 회로.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 제1 커패시터; 및
정전압이 인가되는 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 제2 커패시터를 더 포함하고,
상기 정전압은,
상기 픽셀 구동 전압(ELVDD), 상기 초기화 전압(Vinit), 상기 기준 전압(Vref) 중 어느 하나인 픽셀 회로.
제 1 항에 있어서,
상기 픽셀 회로는 초기화 단계, 센싱 단계, 데이터 기입 단계, 및 발광 단계의 순서로 구동되고,
상기 초기화 단계에서, 상기 초기화 펄스, 상기 제1 발광 제어 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 게이트 온 전압이고, 상기 스캔 펄스의 전압이 게이트 오프 전압이고,
상기 센싱 단계에서, 상기 초기화 펄스와 상기 센싱 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 제1 발광 제어 펄스와 상기 스캔 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 데이터 기입 단계에서, 상기 스캔 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스, 상기 제1 발광 제어 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 발광 단계에서, 상기 제1 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스, 상기 센싱 펄스, 및 상기 스캔 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이며,
상기 제1 내지 제4 스위치 소자들이 상기 게이트 온 전압에 따라 턴-온되고, 상기 게이트 오프 전압에 따라 턴-오프되는 픽셀 회로.
제 3 항에 있어서,
상기 센싱 단계와 상기 데이터 기입 단계 사이에 홀드 기간이 할당되고,
상기 홀드 기간 동안 상기 초기화 펄스, 상기 센싱 펄스, 상기 스캔 펄스, 및 상기 제1 발광 제어 펄스의 전압이 상기 센싱 단계와 같은 전압으로 유지되는 픽셀 회로.
제 1 항에 있어서,
상기 초기화 전압은 상기 픽셀 구동 전압 보다 낮고, 상기 저전위 전원 전압 보다 높으며,
상기 기준 전압이 상기 저전위 전원 전압 보다 낮거나 높은 픽셀 회로.
제 1 항에 있어서,
상기 픽셀 구동 전압이 인가되는 전원 라인에 연결된 제1 전극, 제2 발광 제어 펄스가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 제2 발광 제어 펄스에 응답하여 상기 전원 라인을 상기 제1 노드에 연결하는 제5 스위치 소자를 더 포함하는 픽셀 회로.
제 6 항에 있어서,
상기 픽셀 회로는 초기화 단계, 센싱 단계, 데이터 기입 단계, 및 발광 단계의 순서로 구동되고,
상기 초기화 단계에서, 상기 초기화 펄스, 상기 제2 발광 제어 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 게이트 온 전압이고, 상기 스캔 펄스와 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 게이트 오프 전압이고,
상기 센싱 단계에서, 상기 초기화 펄스와 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 제1 발광 제어 펄스, 상기 센싱 펄스, 및 상기 스캔 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 데이터 기입 단계에서, 상기 스캔 펄스와 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스, 상기 제1 발광 제어 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 발광 단계에서, 상기 제1 발광 제어 펄스와 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스, 상기 센싱 펄스, 및 상기 스캔 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이며,
상기 제1 내지 제5 스위치 소자들이 상기 게이트 온 전압에 따라 턴-온되고, 상기 게이트 오프 전압에 따라 턴-오프되는 픽셀 회로.
제 6 항에 있어서,
상기 픽셀 회로는 초기화 단계, 센싱 단계, 데이터 기입 단계, 및 발광 단계의 순서로 구동되고,
상기 초기화 단계에서, 상기 초기화 펄스, 상기 제2 발광 제어 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 게이트 온 전압이고, 상기 스캔 펄스와 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 게이트 오프 전압이고,
상기 센싱 단계에서, 상기 초기화 펄스와 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 제1 발광 제어 펄스, 상기 센싱 펄스, 및 상기 스캔 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 데이터 기입 단계에서, 상기 스캔 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스, 상기 제1 발광 제어 펄스, 상기 제2 발광 제어 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 발광 단계에서, 상기 제1 발광 제어 펄스와 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스, 상기 센싱 펄스, 및 상기 스캔 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이며,
상기 제1 내지 제5 스위치 소자들이 상기 게이트 온 전압에 따라 턴-온되고, 상기 게이트 오프 전압에 따라 턴-오프되는 픽셀 회로.
제 6 항에 있어서,
상기 제4 노드에 연결된 제1 전극, 제2 초기화 펄스가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 초기화 전압 또는 미리 설정된 애노드 전압이 인가되는 제2 전극을 포함하여 상기 제2 초기화 펄스에 응답하여 상기 초기화 전압 또는 상기 애노드 전압을 상기 제4 노드에 인가하는 제6 스위치 소자를 더 포함하고,
상기 초기화 전압은 상기 픽셀 구동 전압 보다 낮고, 상기 저전위 전원 전압 보다 높고,
상기 애노드 전압이 상기 픽셀 구동 전압 보다 낮고, 상기 초기화 전압 보다 높으며,
상기 기준 전압이 상기 저전위 전원 전압 보다 낮거나 높은 픽셀 회로.
제 9 항에 있어서,
상기 픽셀 회로는 초기화 단계, 센싱 단계, 데이터 기입 단계, 및 발광 단계의 순서로 구동되고,
상기 초기화 단계에서, 상기 초기화 펄스, 상기 제2 초기화 펄스, 상기 제2 발광 제어 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 게이트 온 전압이고, 상기 스캔 펄스와 상기 제1 발광 제어 펄스의 전압이 게이트 오프 전압이고,
상기 센싱 단계에서, 상기 초기화 펄스, 상기 제2 초기화 펄스, 및 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 스캔 펄스, 상기 제1 발광 제어 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 데이터 기입 단계에서, 상기 스캔 펄스, 상기 제2 초기화 펄스, 및 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스, 상기 제1 발광 제어 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 발광 단계에서, 상기 제1 발광 제어 펄스와 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스, 상기 제2 초기화 펄스, 상기 센싱 펄스, 및 상기 스캔 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이며,
상기 제1 내지 제6 스위치 소자들이 상기 게이트 온 전압에 따라 턴-온되고, 상기 게이트 오프 전압에 따라 턴-오프되는 픽셀 회로.
제 9 항에 있어서,
상기 픽셀 회로는 초기화 단계, 센싱 단계, 데이터 기입 단계, 및 발광 단계의 순서로 구동되고,
상기 초기화 단계에서, 상기 초기화 펄스, 상기 제2 초기화 펄스, 상기 제2 발광 제어 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 게이트 온 전압이고, 상기 스캔 펄스와 상기 제1 발광 제어 펄스의 전압이 게이트 오프 전압이고,
상기 센싱 단계에서, 상기 초기화 펄스, 상기 제2 초기화 펄스, 및 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 스캔 펄스, 상기 제1 발광 제어 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 데이터 기입 단계에서, 상기 스캔 펄스와 상기 제2 초기화 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스, 상기 제1 발광 제어 펄스, 상기 제2 발광 제어 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 발광 단계에서, 상기 제1 발광 제어 펄스와 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스, 상기 제2 초기화 펄스, 상기 센싱 펄스, 및 상기 스캔 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이며,
상기 제1 내지 제6 스위치 소자들이 상기 게이트 온 전압에 따라 턴-온되고, 상기 게이트 오프 전압에 따라 턴-오프되는 픽셀 회로.
제 6 항에 있어서,
상기 제4 노드에 연결된 제1 전극, 상기 센싱 펄스에 이어서 발생되는 제2 센싱 펄스가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 초기화 전압 또는 미리 설정된 애노드 전압이 인가되는 제2 전극을 포함하여 상기 제2 센싱 펄스에 응답하여 상기 초기화 전압 또는 상기 애노드 전압을 상기 제4 노드에 인가하는 제6 스위치 소자를 더 포함하는 픽셀 회로.
제 12 항에 있어서,
상기 픽셀 회로는 초기화 단계, 센싱 단계, 데이터 기입 단계, 및 발광 단계의 순서로 구동되고,
상기 초기화 단계에서, 상기 초기화 펄스, 상기 제2 발광 제어 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 게이트 온 전압이고, 상기 스캔 펄스, 상기 제2 센싱 펄스, 및 상기 제1 발광 제어 펄스의 전압이 게이트 오프 전압이고,
상기 센싱 단계에서, 상기 초기화 펄스, 상기 제2 발광 제어 펄스, 상기 센싱 펄스, 및 상기 제2 센싱 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 스캔 펄스, 및 상기 제1 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 데이터 기입 단계에서, 상기 스캔 펄스와 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스, 상기 제1 발광 제어 펄스, 상기 센싱 펄스, 및 상기 제2 센싱 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 발광 단계에서, 상기 제1 발광 제어 펄스와 상기 제2 발광 제어 펄스의 전압이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스, 상기 센싱 펄스, 상기 제2 센싱 펄스, 및 상기 스캔 펄스의 전압이 상기 게이트 오프 전압이며,
상기 제1 내지 제6 스위치 소자들이 상기 게이트 온 전압에 따라 턴-온되고, 상기 게이트 오프 전압에 따라 턴-오프되는 픽셀 회로.
제 6 항에 있어서,
상기 픽셀 회로는 초기화 단계, 센싱 단계, 데이터 기입 단계, 부스팅 단계, 및 발광 단계의 순서로 구동되고,
상기 초기화 단계에서, 상기 초기화 펄스, 상기 제1 발광 제어 펄스, 상기 제2 발광 제어 펄스 펄스, 및 상기 센싱 펄스의 전압이 게이트 온 전압이고, 상기 스캔 펄스의 전압이 게이트 오프 전압이고,
상기 센싱 단계에서, 상기 초기화 펄스, 상기 센싱 펄스, 및 제2 발광 제어 펄스 펄스가 상기 게이트 온 전압이고, 상기 스캔 펄스와 상기 제1 발광 제어 펄스 펄스가 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 데이터 기입 단계에서, 상기 스캔 펄스와 상기 센싱 펄스가 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스와 상기 제1 발광 제어 펄스가 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 데이터 기입 단계에서, 상기 제2 EM 펄스가 상기 게이트 온 전압 또는 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 부스팅 단계와 상기 발광 단계에서 상기 제1 및 제2 발광 제어 펄스들이 상기 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 펄스, 상기 센싱 펄스, 및 상기 스캔 펄스가 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 부스팅 단계에서, 상기 제2 및 제3 노드들의 전압이 상승하고,
상기 제1 내지 제5 스위치 소자들이 상기 게이트 온 전압에 따라 턴-온되고, 상기 게이트 오프 전압에 따라 턴-오프되는 픽셀 회로.
제 14 항에 있어서,
상기 데이터 기입 단계와 상기 부스팅 단계 사이에 애노드 리셋 단계가 설정되고,
상기 애노드 리셋 단계에서, 상기 제1 발광 제어 펄스와 상기 센싱 펄스가 상기 게이트 온 전압이고, 상기 제2 발광 제어 펄스, 상기 초기화 펄스 및 상기 스캔 펄스가 상기 게이트 오프 전압인 픽셀 회로.
복수의 데이터 라인들, 상기 데이터 라인들과 교차되는 복수의 게이트 라인들, 서로 다른 정전압이 인가되는 복수의 전원 라인들, 및 복수의 서브 픽셀들이 배치된 표시패널;
상기 데이터 라인들에 픽셀 데이터의 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부; 및
초기화 펄스, 센싱 펄스, 및 발광 제어 펄스를 상기 게이트 라인들에 공급하는 게이트 구동부를 포함하고,
상기 서브 픽셀들 각각은,
픽셀 구동 전압이 인가되는 제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 게이트 전극, 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 구동 소자;
제4 노드에 연결된 애노드 전극과, 저전위 전원 전압이 인가되는 캐소드 전극을 포함하는 발광 소자;
초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 상기 초기화 펄스가 인가되는 게이트 전극, 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 초기화 펄스에 응답하여 상기 초기화 전압을 상기 제2 노드에 공급하는 제1 스위치 소자;
상기 제3 노드 또는 상기 제4 노드에 연결된 제1 전극, 상기 센싱 펄스가 인가되는 게이트 전극, 기준 전압이 인가되는 제2 전극을 포함하여 상기 센싱 펄스에 응답하여 상기 제3 노드 또는 제4 노드에 상기 기준 전압을 공급하는 제2 스위치 소자;
상기 데이터 전압이 인가되는 제1 전극, 상기 스캔 펄스가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 스캔 펄스에 응답하여 상기 데이터 전압을 상기 제2 노드에 공급하는 제3 스위치 소자; 및
상기 제3 노드에 연결된 제1 전극, 상기 발광 제어 펄스가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제4 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 발광 제어 펄스에 응답하여 상기 제3 노드를 상기 제4 노드에 연결하는 제4 스위치 소자를 포함하는 표시장치.