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KR20220120673A - 이형 코팅 제조용 조성물, 이형 코팅 조성물, 및 관련 방법 - Google Patents

이형 코팅 제조용 조성물, 이형 코팅 조성물, 및 관련 방법 Download PDF

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KR20220120673A
KR20220120673A KR1020227026267A KR20227026267A KR20220120673A KR 20220120673 A KR20220120673 A KR 20220120673A KR 1020227026267 A KR1020227026267 A KR 1020227026267A KR 20227026267 A KR20227026267 A KR 20227026267A KR 20220120673 A KR20220120673 A KR 20220120673A
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KR
South Korea
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sio
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Application number
KR1020227026267A
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저빈 니우
펭-페이 푸
티모시 미첼
얀후 웨이
Original Assignee
다우 실리콘즈 코포레이션
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Publication date
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Abstract

이형 코팅 조성물을 형성하기 위한 베이스 조성물이 개시된다. 베이스 조성물은 용매의 부재 하에 25℃에서 액체인 (A) 실리케이트 수지를 포함한다. (A) 실리케이트 수지는 분자당 평균 적어도 하나의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기를 포함한다. 조성물은 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기를 포함하는 (B) 오르가노폴리실록산을 추가로 포함한다. (A) 실리케이트 수지는 임의의 용매의 부재 하에 (B) 오르가노폴리실록산과 혼화성이다. 베이스 조성물의 제조 방법 및 이형 코팅 조성물의 제조 방법이 또한 개시된다.

Description

이형 코팅 제조용 조성물, 이형 코팅 조성물, 및 관련 방법
관련 출원의 교차 참조
본 출원은 2019년 12월 30일자로 출원된 미국 임시 특허 출원 제62/955,107호에 대한 우선권 및 이 출원의 모든 이점을 주장하며, 이 출원의 내용은 본원에서 참고로 포함된다.
기술분야
본 개시내용은 일반적으로는 조성물, 보다 구체적으로는 이형 코팅 제조용 조성물 및 관련 방법에 관한 것이다.
실리콘 조성물은 당업계에 공지되어 있으며 수많은 산업 및 최종 사용 용도에서 사용된다. 이러한 최종 사용 용도 중 하나는 그로부터 접착제를 제거할 수 있는 이형 코팅 또는 라이너를 형성하는 것이다. 예를 들어, 실리콘 이형 조성물은 종이와 같은 다양한 기재를 코팅하여 감압 접착제(예를 들어, 테이프)를 라미네이팅하기 위한 이형 라이너를 제공하는 데 사용될 수 있다. 이러한 실리콘 이형 조성물은 전형적으로 부가-경화성이다.
통상적인 이형 라이너는 전형적으로는 하이드로실릴화 반응 촉매의 존재 하에 불포화 탄화수소 기를 갖는 오르가노폴리실록산과 오르가노하이드로겐폴리실록산을 부가 반응(또는 하이드로실릴화)시킴으로써 형성된다. 또한, 이형 개질제 및 미스트 방지 첨가제와 같은 다양한 첨가제가 생성되는 이형 라이너 또는 이들의 제조 방법의 성능을 개선하기 위해 실리콘 이형 조성물 내에 혼입된다.
이형 코팅 조성물을 형성하기 위한 베이스 조성물이 개시된다. 베이스 조성물은 용매의 부재 하에 25℃에서 액체인 (A) 실리케이트 수지를 포함한다. (A) 실리케이트 수지는 분자당 평균 적어도 하나의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기를 포함한다. 베이스 조성물은 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기를 포함하는 (B) 오르가노폴리실록산을 추가로 포함한다. (A) 실리케이트 수지는 임의의 용매의 부재 하에 (B) 오르가노폴리실록산과 혼화성이다.
베이스 조성물의 제조 방법 및 이형 코팅 조성물의 제조 방법이 또한 개시된다. 또한, 기재 상에 배치된 이형 코팅을 포함하는 코팅된 기재의 제조 방법뿐만 아니라 상기 방법에 따라 형성된 코팅된 기재가 개시된다.
이형 코팅 조성물을 형성하기 위한 베이스 조성물이 개시된다. 베이스 조성물은 본원에서는 단지 조성물로 지칭될 수 있다.
베이스 조성물은 용매의 부재 하에 25℃에서 액체인 (A) 실리케이트 수지를 포함한다. (A) 실리케이트 수지는 대안적으로 실리콘 수지로 지칭될 수 있지만, (A) 실리케이트 수지 내의 Q 실록시 또는 SiO4/2 단위의 존재를 고려하면 실리케이트 수지이다. 일반적으로, 실리콘 수지, 특히 실리케이트 수지는 그들의 3차원 네트워크 구조로 인해 25℃에서 고체이다. 고체 실리콘 수지를 가공하는 것이 어렵다는 관점에서, 실리콘 수지는 전형적으로는 용매 중에 용해되어 실리콘 수지 조성물로서 활용되며, 이러한 실리콘 수지 조성물은 용매, 예를 들어 지방족 또는 방향족 탄화수소 용매 중에 용해된 고체 실리콘 수지를 포함하거나 이로 이루어진다. 이와 같이, 실리콘 수지 조성물은 25℃ 또는 실온에서 액체이며, 이는 실리콘 수지 조성물의 가공을 용이하게 한다. 예를 들어, 실리콘 수지 조성물은 액체 형태의 다양한 최종 사용 용도를 위해 다른 성분 또는 다른 조성물과 조합될 수 있다. 이와 유사하게, 임의의 용매의 부재 하에 25℃에서 고체인 종래의 실리콘 수지는 액체 실리콘과 쉽게 혼화되지 않는다. 이는 실리콘 조성물을 제조할 때 25℃에서 고체인 종래의 실리콘 수지는 유지 용매의 부재 하에 액체 실리콘, 예를 들어 액체 오르가노폴리실록산과 쉽게 혼합되거나 그로 가용화될 수 없다는 것을 의미한다. 따라서, 통상적인 실리콘 수지가 실리콘 조성물에서 사용되는 경우, 유기 용매는 전형적으로 실리콘 조성물을 형성하기 위해 필요하며 조성물 형태로 또는 경화 시에 후속적으로 기화된다.
그러나, 실리콘 조성물의 한 가지 결점은 용매가 전형적으로는 최종 사용 용도에서 제거된다는 점이다. 예를 들어, 실리콘 조성물을 사용하여 필름 또는 물품을 형성하는 경우, 용매는 전형적으로 이러한 필름 또는 물품을 형성할 때 제거된다. 이를 위해서는, 예를 들어 기화 과정 등을 통한 용매의 제거를 위한 추가적인 처리 단계와 에너지 및 관련 비용이 필요하다.
이와 대조적으로, (A) 실리케이트 수지는 임의의 용매의 부재 하에 25℃에서 액체이다. 따라서, (A) 실리케이트 수지가 25℃에서 액체인 것은 통상적인 실리콘 수지와는 달리 임의의 용매, 예를 들어 유기 용매의 존재로 인한 것이 아니다. (A) 실리케이트 수지는 임의의 용매 또는 캐리어 비히클이 없는 실리케이트 수지로 이루어진다. 또한, (A) 실리케이트 수지는 임의의 용매의 부재 하에 25℃에서 액체일 뿐만 아니라, (A) 실리케이트 수지는 베이스 조성물에서 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기를 포함하는 (B) 오르가노폴리실록산과 혼화성이다. 이것은 베이스 조성물이 임의의 용매, 또는 베이스 조성물로부터 용매를 제거하기 위한 관련 공정 단계를 필요로 하지 않고 쉽게 형성될 수 있도록 한다.
"액체"라는 것은 (A) 실리케이트 수지가 25℃에서 유동성이고/이거나 임의의 용매의 부재 하에 25℃에서 측정가능한 점도를 갖는다는 것을 의미한다. 전형적으로, (A) 실리케이트 수지의 점도는 (A) 실리케이트 수지의 점도에 적절하게 선택된 스핀들을 가진 브룩필드(Brookfield) LV DV-E 점도계를 통해 25℃에서 측정할 수 있다. (A) 실리케이트 수지의 점도는 특히 하기에서 기술되는 바와 같이 그 안에 존재하는 M, D, T 및/또는 Q 실록시 단위의 함량에 따라 달라질 수 있다.
특정 실시형태에서, (A) 실리케이트 수지는 하기의 평균 화학식을 갖는다:
[W]a[X]b[Y]c,
상기 식에서, 0<a<1; 0<b<1; 및 0<c<1이나; 단, a+b+c=1이다. 아래첨자 a, b 및 c는 (A) 실리케이트 수지에서 W, X 및 Y 단위의 몰 분율이다.
(A) 실리케이트 수지에 대한 상기 평균 화학식에서는, [M], [D], 및 [Q] 대신에 [W], [X], 및 [Y]가 사용된다. 당업계에서 이해하고 있는 바와 같이, M 실록시 단위는 하나의 실록산 결합(즉, -O-Si-)을 포함하고; D 실록시 단위는 2개의 실록산 결합을 포함하며, Q 실록시 단위는 4개의 실록산 결합을 포함한다.
그러나, 본 개시내용의 목적을 위해, [W]는 실록산 결합 또는 그의 전구체일 수 있는 하나의 -Si-O- 결합을 포함하는 실록시 단위를 나타낸다. 실록산 결합의 전구체는 -Si-OZ 결합이며, 여기서 Z는 독립적으로 H, 알킬기, 또는 양이온, 예를 들어 K+ 또는 Na+, 대안적으로는 H 또는 알킬기이다. 실라놀기 및 알콕시기는 가수분해 및/또는 축합되어 실록산 결합을 제공할 수 있으며, 전형적으로는 대부분의 실리콘 수지 내에 본질적으로 존재한다. 실록산 결합의 이러한 전구체는 실리콘 수지를 구현(bodying)함으로써 최소화될 수 있으며, 이는 부산물로서의 물 및/또는 알코올과 추가의 축합을 초래한다. 따라서, 본 개시내용의 목적을 위해, [W]는 [R3SiO1/2]를 나타내며, 여기서 각각의 R은 독립적으로 선택된 하이드로카빌 기이다.
또한, 본 개시내용의 목적을 위해, [X]는 독립적으로 실록산 결합 또는 그의 전구체일 수 있는 2개의 -Si-O- 결합을 포함하는 실록시 단위를 나타낸다. 따라서, 본 개시내용의 목적을 위해, [X]는 [R2SiO1/2(OZ)]b'[R2SiO2/2]b''이며, 여기서 각각의 R은 독립적으로 선택되고 상기에서 정의된 바와 같으며; 0≤b'≤b이고; 0≤b"≤b이나; 단, b'+b"=b이며; 여기서, 각각의 Z는 독립적으로 H, 알킬기, 또는 양이온이다. 아래첨자 b' 및 b"는 각각 아래첨자 b'로 표시되는 [X] 실록시 단위 및 아래첨자 b"로 표시되는 [X] 실록시 단위의 상대적인 몰 분율을 나타내며, b' 및 b"의 합은 b이다. b'로 표시되는 [X] 실록시 단위에는 1개의 실록산 결합 및 1개의 Si-OZ 결합이 있으며, 아래첨자 b"로 표시되는 [X] 실록시 단위에는 2개의 실록산 결합이 있다.
또한, 본 개시내용의 목적을 위해, [Y]는 독립적으로 실록산 결합 또는 그의 전구체일 수 있는 4개의 -Si-O- 결합을 포함하는 실록시 단위를 나타낸다. 따라서, 본 개시내용의 목적을 위해, [Y]는 [Si(OZ)c'O4-c'/2]이며, 여기서 각각의 Z는 독립적으로 선택되고 상기에서 정의된 바와 같으며, 아래첨자 c'는 0 내지 3의 정수이고 (A) 실리케이트 수지에서 아래첨자 c로 표시되는 각각의 실록시 단위에서 독립적으로 선택된다. (A) 실리케이트 수지는 아래첨자 c로 표시되는 실록시 단위를 포함할 수 있으며, 여기서 c'는 0이고, c'는 1이고, c'는 2이며, c'는 3이다. [Y]로 표시되는 실록시 단위는 1개, 2개, 3개, 또는 4개의 실록산 결합을 가질 수 있으며, 나머지는 Si-OZ 모이어티이다.
특정 실시형태에서, 아래첨자 a는 0 초과 내지 0.9, 대안적으로 0 초과 내지 0.8, 대안적으로 0 초과 내지 0.7, 대안적으로 0 초과 내지 0.6, 대안적으로 0 초과 내지 0.5이다. 특정 실시형태에서, 아래첨자 a는 0.10 내지 0.50, 대안적으로 0.15 내지 0.40, 대안적으로 0.25 내지 0.35이다.
이들 또는 다른 실시형태에서, 아래첨자 b는 0 초과 내지 0.9, 대안적으로 0 초과 내지 0.8, 대안적으로 0 초과 내지 0.7, 대안적으로 0 초과 내지 0.6, 대안적으로 0 초과 내지 0.5, 대안적으로 0 초과 내지 0.4이다. 특정 실시형태에서, 아래첨자 b는 0.10 내지 0.30, 대안적으로 0.15 내지 0.30, 대안적으로 0.15 내지 0.25이다. 아래첨자 b' 및 b"는 [X]로 표시되는 특정 실록시 단위의 상대적인 양을 정의한다. 전술한 바와 같이, 0≤b'≤b이고; 0≤b"≤b이나; 단, b'+b"=b이다. 아래첨자 b'는 0일 수 있는 반면 아래첨자 b"는 b이거나, 또는 아래첨자 b'는 b일 수 있는 반면 아래첨자 b"는 0이다. b' 및 b"로 표시되는 두 실록시 단위 모두가 (A) 실리케이트 수지 내에 존재하는 경우, 0<b'<b이고; 0<b"<b이나; 단, b'+b"=b이다.
이들 또는 다른 실시형태에서, 아래첨자 c는 0 초과 내지 0.9, 대안적으로 0 초과 내지 0.8, 대안적으로 0 초과 내지 0.7, 대안적으로 0 초과 내지 0.6이다. 대안적으로, 이들 또는 다른 실시형태에서, c는 0.1 내지 0.9, 대안적으로 0.2 내지 0.9, 대안적으로 0.3 내지 0.9, 대안적으로 0.4 내지 0.9이다. 특정 실시형태에서, 아래첨자 c는 0.35 내지 0.60, 대안적으로 0.40 내지 0.55이다.
R은 독립적으로 선택되는 하이드로카빌기이며, (A) 실리케이트 수지의 분자당 평균 적어도 1개, 대안적으로 적어도 2개의 R은 에틸렌계 불포화 기이다. 일반적으로, R에 적합한 하이드로카빌기는 독립적으로 선형, 분지형, 사이클릭, 또는 이들의 조합일 수 있다. 사이클릭 하이드로카빌기는 아릴기뿐만 아니라 포화 또는 비공액 사이클릭 기를 포함한다. 사이클릭 하이드로카빌기는 독립적으로 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭일 수 있다. 선형 및 분지형 하이드로카빌기는 독립적으로 포화 또는 불포화될 수 있다. 선형 및 사이클릭 하이드로카빌기의 조합의 일례는 아르알킬기이다. 하이드로카빌기의 일반적인 예는 알킬기, 아릴기, 알케닐기, 할로카본기 등, 뿐만 아니라 이들의 유도체, 변형, 및 조합을 포함한다. 적합한 알킬기의 예는 메틸, 에틸, 프로필(예를 들어, 이소-프로필 및/또는 n-프로필), 부틸(예를 들어, 이소부틸, n-부틸, tert-부틸, 및/또는 sec-부틸), 펜틸(예를 들어, 이소펜틸, 네오펜틸, 및/또는 tert-펜틸), 헥실, 헥사데실, 옥타데실, 뿐만 아니라 6 내지 18개의 탄소 원자를 갖는 분지형 포화 탄화수소 기를 포함한다. 적합한 비공액 사이클릭 기의 예는 사이클로부틸, 사이클로헥실, 및 사이클로헵틸기를 포함한다. 적합한 아릴기의 예는 페닐, 톨릴, 자일릴, 나프틸, 벤질 및 디메틸 페닐을 포함한다. 적합한 알케닐기의 예는 비닐, 알릴, 프로페닐, 이소프로페닐, 부테닐, 이소부테닐, 펜테닐, 헵테닐, 헥세닐, 헥사데세닐, 옥타데세닐 및 사이클로헥세닐기를 포함한다. 적합한 1가 할로겐화 탄화수소 기(즉, 할로카본 기)의 예는 할로겐화 알킬기, 아릴기, 및 이들의 조합을 포함한다. 할로겐화 알킬기의 예는 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자, 예를 들어 F 또는 Cl로 대체된 전술한 알킬기를 포함한다. 할로겐화 알킬기의 구체적인 예는 플루오로메틸, 2-플루오로프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필, 4,4,4-트리플루오로부틸, 4,4,4,3,3-펜타플루오로부틸, 5,5,5,4,4,3,3-헵타플루오로펜틸, 6,6,6,5,5,4,4,3,3-노나플루오로헥실, 및 8,8,8,7,7-펜타플루오로옥틸, 2,2-디플루오로사이클로프로필, 2,3-디플루오로사이클로부틸, 3,4-다이플루오로사이클로헥실, 및 3,4-디플루오로-5-메틸사이클로헵틸, 클로로메틸, 클로로프로필, 2-디클로로사이클로프로필 및 2,3-디클로로사이클로펜틸기, 뿐만 아니라 이들의 유도체를 포함한다. 할로겐화 아릴기의 예는 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자, 예를 들어 F 또는 Cl로 대체된 전술한 아릴기를 포함한다. 할로겐화 아릴기의 구체적인 예는 클로로벤질기 및 플루오로벤질기를 포함한다.
구체적인 실시형태에서, 각각의 R은 1 내지 32개, 대안적으로 1 내지 28개, 대안적으로 1 내지 24개, 대안적으로 1 내지 20개, 대안적으로 1 내지 16개, 대안적으로 1 내지 12개, 대안적으로 1 내지 8개, 대안적으로 1 내지 4개, 대안적으로 1개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 및 2 내지 32개, 대안적으로 2 내지 28개, 대안적으로 2 내지 24개, 대안적으로 2 내지 20개, 대안적으로 2 내지 16개, 대안적으로 2 내지 12개, 대안적으로 2 내지 8개, 대안적으로 2 내지 4개, 대안적으로 2개의 탄소 원자를 갖는 에틸렌계 불포화 기(즉, 알케닐 및/또는 알키닐기)로부터 독립적으로 선택된다. "알케닐"은 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아사이클릭(acyclic), 분지형 또는 비분지형 1가 탄화수소 기를 의미한다. 그의 구체적인 예는 비닐기, 알릴기, 헥세닐기 및 옥테닐기를 포함한다. "알키닐"은 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 갖는 아사이클릭, 분지형 또는 비분지형 1가 탄화수소 기를 의미한다. 그의 구체적인 예는 에티닐, 프로피닐, 및 부티닐기를 포함한다. 에틸렌계 불포화 기의 다양한 예로는 CH2=CH-, CH2=CHCH2-, CH2=CH(CH2)4-, CH2=CH(CH2)6-, CH2=C(CH3)CH2-, H2C=C(CH3)-, H2C=C(CH3)-, H2C=C(CH3)CH2-, H2C=CHCH2CH2-, H2C=CHCH2CH2CH2-, HC≡C-, HC≡CCH2-, HC≡CCH(CH3)-, HC≡CC(CH3)2-, 및 HC≡CC(CH3)2CH2-를 포함한다. 전형적으로, R이 에틸렌계 불포화 기인 경우, 에틸렌성 불포화는 R에서 말단이다. 당업계에서 이해하고 있는 바와 같이, 에틸렌성 불포화는 지방족 불포화로 지칭될 수 있다.
특정 실시형태에서, 단지 아래첨자 b로 표시되는 실록시 단위만이 에틸렌성 불포화를 갖는 R 기를 포함한다. 이러한 실시형태에서, 아래첨자 a 및 c로 표시되는 실록시 단위의 R 기는 에틸렌성 불포화가 없으며, 그의 특정 예는 메틸이다. 특정 실시형태에서, (A) 실리케이트 수지는, 첨자 b로 표시되는 실록시 단위로서, 디메틸실록시 단위 및 메틸비닐 실록시 단위 둘 모두를 포함한다. 다른 실시형태에서, (A) 실리케이트 수지는, 첨자 b로 표시되는 실록시 단위로서, 메틸비닐 실록시 단위를 포함하지만 디메틸 실록시 단위는 포함하지 않는다. 이러한 실록시 단위의 상대적인 양은 (A) 실리케이트 수지를 제조할 때 선택적으로 제어될 수 있다. 당업계에서 이해하고 있는 바와 같이, 상기에서 설명된 실록시 단위는 단지 예시일 뿐으로, 메틸은 다른 하이드로카빌기로 대체될 수 있으며, 비닐은 다른 에틸렌계 불포화 기로 대체될 수 있다.
특정 실시형태에서, (A) 실리케이트 수지는, 각각의 분자 중의 Si의 총 몰수를 기준으로, 12 내지 80 퍼센트, 대안적으로 15 내지 70 퍼센트, 대안적으로 15 내지 60 퍼센트, 대안적으로 15 내지 50 퍼센트, 대안적으로 15 내지 40 퍼센트, 대안적으로 15 내지 30 퍼센트의 SiOZ 모이어티의 함량을 갖는다. SiOZ 모이어티의 함량은 29Si-NMR을 통해 계산할 수 있다. 특히, (A) 실리케이트 수지에서 하기 실록시 단위의 몰 함량을 측정한다:
W = R3SiO1/2
X1 = R2(OZ)SiO1/2
X2 = R2SiO2/2
T1= R(OZ)2SiO1/2
T2= R(OZ)SiO2/2
T3= RSiO3/2
Y1= (OZ)3SiO1/2
Y2= (OZ)2SiO1/2
Y3= (OZ)SiO3/2
Y4= SiO4/2
몰%로서의 실리콘 원자에 대한 OZ 함량은 레이블에 상응하는 피크 아래의 적분 영역에 상응하는 공식에서 각 피크에 대한 레이블을 사용하여 하기 공식으로 계산할 수 있다:
OZ 함량(mol%) = 100 x
Figure pct00001
전술한 실시형태에서, (A) 실리케이트 수지에는 T 실록시 단위가 없지만, 그들은 다른 실시형태에 대한 상기 계산에는 포함된다.
이들 또는 다른 실시형태에서, (A) 실리케이트 수지는, 대안적으로는 (A) 실리케이트 수지의 총 중량을 기준으로, 0 초과 내지 10의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기의 중량%를 갖는다. 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기의 중량%는 (A) 실리케이트 수지의 점도와는 무관하며, 이는 특정 실록산 중합체 또는 비히클에 분산되었을 때의 그의 점도의 함수인 통상적인 고체 실리콘 수지의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기의 중량%와 다르다. 따라서, 예를 들어 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기의 중량%는 (A) 실리케이트 수지의 점도에 영향을 미치지 않으면서 증가될 수 있다. 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기의 중량%는, 후술하는 바와 같이, (A) 실리케이트 수지를 제조할 때 선택적으로 제어될 수 있다.
이들 또는 다른 실시형태에서, (A) 실리케이트 수지에서 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기의 중량 퍼센트는 (A) 실리케이트 수지의 점도와 독립적으로 선택적으로 제어될 수 있다. 대조적으로, 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기를 포함하는 통상적인 실리콘 수지에서, 그의 함량은 특정 점도에서 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기의 함량을 선택적으로 제어하는 능력을 제한하여 본질적으로 특정 최종 사용 용도를 제한하는 점도의 함수이다. 다양한 실시형태에서, (A) 실리케이트 수지는 1,000 내지 100,000, 대안적으로 1,000 내지 50,000, 대안적으로 1,000 내지 10,000의 중량 평균 분자량을 갖는다. 분자량은 폴리스티렌 표준물에 대한 겔 투과 크로마토그래피(GPC)를 통해 측정할 수 있다. 이들 또는 다른 실시형태에서, (A) 실리케이트 수지는 10 내지 500,000 cP, 대안적으로 10 내지 250,000 cP, 대안적으로 10 내지 100,000 cP의 25℃에서의 점도를 갖는다. 점도는 당업계에서 이해하고 있는 바와 같이 (A) 실리케이트 수지의 점도에 적절하게 선택된 스핀들을 가진 브룩필드 LV DV-E 점도계를 통해 25℃에서 측정할 수 있다. (A) 실리케이트 수지의 점도 및 분자량은 (A) 실리케이트 수지를 제조할 때 조절할 수 있다.
다양한 실시형태에서, 실리케이트 수지는 MQ 수지로부터 제조되며, 여기서 M은 (R0SiO3/2) 실록시 단위를 나타내고, Q는 (SiO4/2) 실록시 단위를 나타내며, R0는 실리콘-결합된 치환체를 나타낸다. 이러한 MQ 수지는 당업계에 공지되어 있으며, 용매 내에 배치되지 않는 한 종종 고체(예를 들어, 분말 또는 플레이크) 형태이다. 그러나, 전형적으로 당업계에서 사용되는 명명법에서, M 실록시 단위는 트리메틸실록시 단위인 반면, MQ 수지는 메틸기와 다른 하이드로카빌기를 포함할 수 있다. 그러나, 전형적으로, MQ 수지의 M 실록시 단위는 트리메틸실록시 단위이다.
MQ 수지는 화학식 MnQ를 가질 수 있으며, 여기서 아래첨자 n은 Q 실록시 단위의 몰수가 1로 정규화될 때의 Q 실록시 단위에 대한 M 실록시 단위의 몰비를 지칭한다. n의 값이 커질수록 MQ 수지의 가교결합 밀도는 더 작아진다. 그 역이 또한 성립하는데, 이는 n의 값이 감소함에 따라 M 실록시 단위의 개수가 감소하고, 따라서 M 실록시 단위를 통한 말단화없이 더 많은 Q 실록시 단위가 네트워크화되기 때문이다. MQ 수지에 대한 화학식이 Q 실록시 단위의 함량을 1로 정규화한다는 사실이 MQ 수지가 단지 하나의 Q 단위만을 포함한다는 것을 의미하지는 않는다. 전형적으로, MQ 수지는 함께 클러스터링되거나 결합된 복수의 Q 실록시 단위를 포함한다. MQ 수지는, 특정 실시형태에서는, 4 중량 퍼센트 이하, 대안적으로 3 중량 퍼센트 이하, 대안적으로 2 중량 퍼센트 이하의 하이드록실기를 포함할 수 있다.
특정 실시형태에서, 아래첨자 n은 < 1이며, 예를 들어 아래첨자 n은 0.05 내지 0.99, 대안적으로 0.10 내지 0.95, 대안적으로 0.15 내지 0.90, 대안적으로 0.25 내지 0.85, 대안적으로 0.40 내지 0.80이다. 이러한 실시형태에서, 몰수를 기준으로, MQ 수지에는 M 실록시 단위보다 Q 실록시 단위가 더 많이 존재한다. 그러나, n은 다른 실시형태에서는 >1, 예를 들어 >1 내지 6, 대안적으로 >1 내지 5, 대안적으로 >1 내지 4, 대안적으로 >1 내지 3, 대안적으로 >1 내지 2일 수 있다.
특정 실시형태에서는, MQ 수지로부터 (A) 실리케이트 수지를 제조하기 위해, MQ 수지를 염기 촉매의 존재 하에 실란 화합물과 반응시킨다. 실란 화합물은 전형적으로 하나의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기 및 2개의 실리콘-결합된 알콕시기를 포함한다. 실리콘-결합된 알콕시기는 독립적으로 선택될 수 있으며, 전형적으로는 1 내지 10개, 대안적으로 1 내지 8개, 대안적으로 1 내지 6개, 대안적으로 1 내지 4개, 대안적으로 1 또는 2개, 대안적으로 1개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 예를 들어, 실리콘-결합된 알콕시기는 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시 등일 수 있다. 예를 들어, 실란 화합물은 화학식 R2Si(OR)2를 가질 수 있으며, 여기서 각각의 R은 독립적으로 선택되고, 알콕시기의 일부가 아닌 적어도 하나의 R은 에틸렌계 불포화 기이다.
(A) 실리케이트 수지를 제조하는 방법에서, 염기 촉매는 전형적으로 MQ 수지의 실록산 결합, 전형적으로는 M 실록시 단위와 Q 실록시 단위 사이를 절단하여 SiOZ 기를 제공하며, 여기서 Z는 상기에서 정의된 바와 같다. 실란 화합물은 가수분해되고 SiOZ 기와 축합되어 그 안에 혼입될 수 있다. 실란 화합물에 기인할 수 있는 절단된 실록시 결합과 선형 실록시 단위의 포함은 모두 (A) 실리케이트 수지가 용매의 부재 하에 25℃에서 액체가 되도록 한다.
실란 화합물은 D 실록시 단위, 즉 [X] 및 아래첨자 b에 의해 표시되는 실록시 단위로서 (A) 실리케이트 수지 내에 혼입되기 때문에, 실란 화합물은 원하는 D 실록시 단위에 기초하여 선택될 수 있다. 예를 들어, (A) 실리케이트 수지는 메틸비닐 실록시 단위를 포함하고, 실란 화합물은 메틸비닐디알콕시실란, 예를 들어 메틸비닐디메톡시실란이다. (A) 실리케이트 수지가 디메틸실록시 단위 및 메틸비닐실록시 단위를 포함하는 경우, 실란 화합물은 메틸비닐디메톡시실란을 디메틸디메톡시실란과 조합으로 포함할 수 있다. 따라서, 실란 화합물은 2개 이상의 상이한 실란 화합물을 함께 포함할 수 있다.
MQ 수지와 비교하여 사용되는 실란 화합물의 상대적인 양은 (A) 실리케이트 수지에서 원하는 아래첨자 b의 함수이다. 더 많은 D 실록시 단위가 필요한 경우, 더 많은 실란 화합물이 사용되며, 그 반대의 경우도 마찬가지이다. 당업자는 본 상세한 설명에 이어지는 실시예를 포함하는 본원에서의 설명을 고려하여 이러한 함량을 선택적으로 제어하는 방법을 이해한다.
MQ 수지와 실란 화합물은 촉매 존재 하에 반응한다. 전형적으로, 촉매는 MQ 수지와 실란 화합물 사이의 반응이 산 촉매화 반응 또는 염기 촉매화 반응이 되도록 하는 산 또는 염기이다. 전형적으로, 반응은 염기 촉매화된다. 이와 같이, 특정 실시형태에서, 촉매는 강산 촉매, 강염기 촉매, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 강산 촉매는 트리플루오로메탄 설폰산 등일 수 있다. 촉매는 전형적으로 강염기 촉매이다. 전형적으로, 강염기 촉매는 KOH이지만, 포스파젠 염기 촉매와 같은 다른 염기 촉매가 사용될 수 있다.
포스파젠 촉매는 일반적으로는 적어도 하나의 -(N=P<)- 단위(즉, 포스파젠 단위)를 포함하며, 일반적으로는 10개 이하의 이러한 포스파젠 단위를 갖는, 예를 들어 평균 1.5 내지 5개 이하의 포스파젠 단위를 갖는 올리고머이다. 포스파젠 촉매는, 예를 들어, 할로포스파젠, 예를 들어 클로로포스파젠(포스포니트릴 클로라이드), 산소-함유 할로포스파젠, 포스파젠의 이온성 유도체, 예를 들어 포스파제늄 염, 특히 포스포니트릴 할라이드의 이온성 유도체, 예를 들어 퍼클로로올리고포스파제늄 염, 또는 그의 부분 가수분해된 형태일 수 있다.
특정 실시형태에서, 촉매는 포스파젠 염기 촉매를 포함한다. 포스파젠 염기 촉매는 당업계에 공지된 임의의 것일 수 있지만, 전형적으로는 하기 화학식을 갖는다:
((R3 2N)3P=N)t(R3 2N)3-tP=NR3
상기 식에서, 각각의 R3은 수소 원자, R, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되며, t는 1 내지 3의 정수이다. R3이 R인 경우, R3은 전형적으로 1 내지 20개, 대안적으로 1 내지 10개, 대안적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기이다. 임의의 (R3 2N) 모이어티 내의 2개의 R3 기는 동일한 질소(N) 원자에 결합되고, 바람직하게는 5개 또는 6개의 구성원을 갖는 헤테로사이클릭 고리를 완성하도록 연결될 수 있다.
대안적으로, 포스파젠 염기 촉매는 염일 수 있으며 하기의 대안적인 화학식들 중 하나를 가질 수 있다:
[((R3 2N)3P=N)t(R3 2N)3-tP=N(H)R3]+[A-]; 또는
[((R3 2N)3P=N)s(R3 2N)4-sP]+[A-]
상기 식에서, 각각의 R3은 독립적으로 선택되고 상기에서 정의된 바와 같으며, 아래첨자 t는 상기에서 정의된 바와 같고, 아래첨자 s는 1 내지 4의 정수이며, [A]는 음이온이고 전형적으로는 불화물, 수산화물, 실라놀레이트, 알콕사이드, 탄산염 및 중탄산염으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일 실시형태에서, 포스파젠 염기는 아미노포스파제늄 하이드록사이드이다.
특정 실시형태에서, MQ 수지 및 실란 화합물은 용매의 존재 하에 승온, 예를 들어 75 내지 125℃에서 반응한다. 적합한 용매는 탄화수소일 수 있다. 적합한 탄화수소는 방향족 탄화수소, 예를 들어 벤젠, 톨루엔, 또는 자일렌; 및/또는 지방족 탄화수소, 예를 들어 헵탄, 헥산, 또는 옥탄을 포함한다. 대안적으로, 용매는 할로겐화 탄화수소, 예를 들어 디클로로메탄, 1,1,1-트리클로로에탄 또는 메틸렌 클로라이드일 수 있다. 반응 후 촉매를 중화하기 위해 아세트산과 같은 중화제가 사용될 수 있다. 당업자는 사용될 촉매의 촉매량을 용이하게 결정할 수 있으며, 이는 그의 선택 및 반응 조건의 함수이다. 생성되는 (A) 실리케이트 수지는 통상적인 기술, 예를 들어 스트리핑 또는 기타 기화 기술을 통해 반응 생성물로부터 단리 또는 회수될 수 있다.
베이스 조성물은 베이스 조성물의 총 중량을 기준으로 0 초과 내지 100 중량% 미만의 양으로 (A) 실리케이트 수지를 포함한다. (A) 실리케이트 수지의 상대적인 양은 베이스 조성물의 최종 사용 용도의 함수이다. 베이스 조성물을 사용하여 이형 코팅 조성물을 제조하는 경우, 베이스 조성물 중의 (A) 실리케이트 수지의 함량은 이형 코팅 조성물 및 이로부터 제조되는 이형 코팅의 원하는 특성에 기초하여 선택된다. 특정 실시형태에서, (A) 실리케이트 수지는 이형 코팅 조성물 및 이로부터 제조되는 이형 코팅에서 이형 개질제로서 작용한다.
전형적으로, 베이스 조성물의 나머지는 하기에서 기술되는 바와 같이 성분(B)를 포함하거나, 대안적으로 포함한다. 특정 실시형태에서, 베이스 조성물에는 임의의 용매, 특히 유기 용매가 실질적으로 없다. 실질적으로 없다는 것은 베이스 조성물이, 베이스 조성물의 총 중량을 기준으로, 5 중량% 미만, 대안적으로 1 중량% 미만, 대안적으로 0.5 중량% 미만, 대안적으로 0.25 중량% 미만, 대안적으로 0.1 중량% 미만, 대안적으로 0 중량%의 양으로 유기 용매를 포함하는 것을 의미한다. 또한, 하기에서 기술되는 바와 같이, 베이스 조성물은 전형적으로 유기 용매를 비롯한 임의의 용매의 부재 하에 형성됨으로써, 베이스 조성물을 제공하기 위해 혼합물로부터 용매를 제거할 필요가 없다.
조성물은 (B) 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기를 갖는 오르가노폴리실록산을 추가로 포함한다. 특정 실시형태에서, (B) 오르가노폴리실록산은 분자당 평균 말단 지방족 불포화를 갖는 적어도 2개의 실리콘-결합된 기를 갖는다. 이러한 (B) 오르가노폴리실록산은 선형, 분지형, 부분 분지형, 사이클릭, 수지상(resinous)(즉, 3차원 네트워크를 가짐)일 수 있거나, 또는 상이한 구조의 조합을 포함할 수 있다. 폴리오르가노실록산은 평균 화학식 R4 aSiO(4-a)/2를 가질 수 있으며, 여기서 각각의 R4는 1가 탄화수소 기 또는 1가 할로겐화 탄화수소 기로부터 독립적으로 선택되나, 단 각각의 분자에서, 적어도 2개의 R4는 지방족 불포화를 포함하고, 아래첨자 a는 0 < a ≤ 3.2가 되도록 선택된다. R4에 대한 적합한 1가 탄화수소 기 및 1가 할로겐화 탄화수소 기는 R에 대해 상기에서 설명한 바와 같다. 폴리오르가노실록산에 대한 상기 평균 화학식은 대안적으로 (R4 3SiO1/2)b(R4 2SiO2/2)c(R4SiO3/2)d(SiO4/2)e로 표기될 수 있으며, 여기서 R4는 상기에서 정의된 바와 같고, 아래첨자 b, c, d 및 e는 각각 독립적으로 ≥ 0 내지 ≤ 1이나, 단, 양(b + c + d + e) = 1이다. 당업자는 이러한 M, D, T, 및 Q 단위 및 이들의 몰 분율이 상기 평균 화학식의 아래첨자 a에 어떻게 영향을 미치는지를 이해한다. T 단위(아래첨자 d로 표시됨), Q 단위(아래첨자 e로 표시됨) 또는 둘 모두는 전형적으로 폴리오르가노실록산 수지에 존재하는 반면, 아래첨자 c로 표시되는 D 단위는 전형적으로 폴리오르가노실록산 중합체에 존재한다(그리고 폴리오르가노실록산 수지 또는 분지형 폴리오르가노실록산에도 또한 존재할 수 있다).
대안적으로, (B) 오르가노폴리실록산은 실질적으로 선형일 수 있으며, 대안적으로 선형이다. 실질적으로 선형인 오르가노폴리실록산은 평균 화학식 R4 a'SiO(4-a')/2를 가질 수 있으며, 여기서 각각의 R4는 상기에서 정의된 바와 같고, 아래첨자 a'는 1.9 ≤ a' ≤ 2.2가 되도록 선택된다.
25℃에서, 성분(B)의 실질적으로 선형인 오르가노폴리실록산은 유동성 액체일 수 있거나 미경화된 고무의 형태를 가질 수 있다. 실질적으로 선형인 오르가노폴리실록산은 25℃에서 10 mPa·s 내지 30,000,000 mPa·s, 대안적으로 10 mPa·s 내지 10,000 mPa·s, 대안적으로 100 mPa·s 내지 1,000,000 mPa·s, 그리고 대안적으로 100 mPa·s 내지 100,000 mPa·s의 점도를 가질 수 있다. 점도는, 실질적으로 선형인 폴리오르가노실록산의 점도에 적절하게 선택된 스핀들, 즉 RV-1 내지 RV-7을 갖는 브룩필드 LV DV-E 점도계를 통해 25℃에서 측정할 수 있다. 전형적으로, 성분 (B)는 성분 (A)와의 혼화성을 위해 25℃에서 유동성 액체이다.
대안적으로, (B) 오르가노폴리실록산이 실질적으로 선형 또는 선형인 경우, (B) 오르가노폴리실록산은 하기의 평균 단위 화학식을 가질 수 있다: (R6R5 2SiO1/2)aa(R6R5SiO2/2)bb(R6 2SiO2/2)cc(R5 3SiO1/2)dd; 상기 식에서, 각각의 R5는 지방족 불포화가 없는 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기 또는 지방족 불포화가 없는 1가 할로겐화 탄화수소 기이고; 각각의 R6은 알케닐 및 알키닐로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고; 아래첨자 aa는 0, 1, 또는 2이고, 아래첨자 bb는 0 이상이고, 아래첨자 cc는 1 이상이고, 아래첨자 dd는 0, 1, 또는 2이나, 단 양(aa + dd) ≥ 2이고, (aa + dd) = 2이나, 단, 양(aa + bb + cc + dd)는 3 내지 2,000이다. 대안적으로, 아래첨자 cc는 ≥ 0이다. 대안적으로, 아래첨자 bb는 ≥ 2이다. 대안적으로, 양 (aa + dd)는 2 내지 10, 대안적으로 2 내지 8, 대안적으로 2 내지 6이다. 대안적으로, 아래첨자 cc는 0 내지 1,000, 대안적으로 1 내지 500, 대안적으로 1 내지 200이다. 대안적으로, 아래첨자 bb는 2 내지 500, 대안적으로 2 내지 200, 대안적으로 2 내지 100이다.
R5에 대한 1가 탄화수소 기는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 6 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 아릴기, 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 할로겐화 알킬기, 6 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 할로겐화 아릴기, 7 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬기 또는 7 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 할로겐화 아르알킬기로 예시되며, 여기서 알킬, 아릴, 및 할로겐화 알킬은 본원에서 기술되는 바와 같다. 대안적으로, 각각의 R5는 알킬기이다. 대안적으로, 각각의 R5는 독립적으로 메틸, 에틸 또는 프로필이다. 각각의 경우에, R5는 동일하거나 상이할 수 있다. 대안적으로, 각각의 R5는 메틸기이다.
R6에 대한 지방족 불포화 1가 탄화수소 기는 하이드로실릴화 반응을 진행할 수 있다. R6에 대한 적합한 지방족 불포화 탄화수소 기는, 본원에서 정의되고 비닐, 알릴, 부테닐, 및 헥세닐로 예시되는 알케닐기; 및 본원에서 정의되고 에티닐 및 프로피닐로 예시되는 알키닐기로 예시된다. 대안적으로, 각각의 R6은 비닐 또는 헥세닐일 수 있다. 대안적으로, 각각의 R6은 비닐기이다. (B) 오르가노폴리실록산의 알케닐 또는 알키닐 함량은, (B) 오르가노폴리실록산의 중량을 기준으로, 0.1 중량% 내지 1 중량%, 대안적으로 0.2 중량% 내지 0.5 중량%일 수 있다.
(B) 오르가노폴리실록산이 실질적으로 선형, 대안적으로 선형인 경우, 적어도 2개의 지방족 불포화 기는 펜던트 위치, 말단 위치, 또는 펜던트 위치와 말단 위치 둘 모두에서 실리콘 원자에 결합될 수 있다. 펜던트 실리콘-결합된 지방족 불포화 기를 갖는 (B) 오르가노폴리실록산의 구체적인 예로서, (B) 오르가노폴리실록산은 하기의 평균 단위 화학식을 가질 수 있다:
[(CH3)3SiO1/2]2[(CH3)2SiO2/2]cc[(CH3)ViSiO2/2]bb; 상기 식에서, 아래첨자 bb 및 아래첨자 cc는 상기에서 정의된 바와 같으며, Vi는 비닐기를 나타낸다. 이러한 평균 화학식과 관련하여, 임의의 메틸기는 다른 1가 탄화수소 기(예를 들어, 알킬 또는 아릴)로 대체될 수 있으며, 임의의 비닐기는 다른 지방족 불포화 1가 탄화수소 기(예를 들어, 알릴 또는 헥세닐)로 대체될 수 있다. 대안적으로, 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘-결합된 지방족 불포화 기를 갖는 폴리오르가노실록산의 구체적인 예로서, (B) 오르가노폴리실록산은 하기의 평균 단위 화학식을 가질 수 있다: Vi(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]ccSi(CH3)2Vi; 상기 식에서, 아래첨자 cc 및 Vi는 상기에서 정의된 바와 같다. 실리콘-결합된 비닐기로 말단화된 디메틸 폴리실록산은 단독으로 사용되거나 또는 바로 앞에서 (B) 오르가노폴리실록산으로서 개시된 디메틸, 메틸-비닐 폴리실록산과 조합으로 사용될 수 있다. 이러한 평균 화학식과 관련하여, 임의의 메틸기는 다른 1가 탄화수소 기로 대체될 수 있으며, 임의의 비닐기는 임의의 말단 지방족 불포화 1가 탄화수소 기로 대체될 수 있다. 적어도 2개의 실리콘-결합된 지방족 불포화 기가 펜던트 및 말단 위치 둘 모두에 있을 수 있기 때문에, (B) 오르가노폴리실록산은 대안적으로 하기의 평균 단위 화학식을 가질 수 있다:
[Vi(CH3)2SiO1/2]2[(CH3)2SiO2/2]cc[(CH3)ViSiO2/2]bb; 상기 식에서, 아래첨자 bb 및 cc 및 Vi는 상기에서 정의된 바와 같다.
(B) 오르가노폴리실록산이 실질적으로 선형인 폴리오르가노실록산인 경우, (B) 오르가노폴리실록산은, 분자 양쪽 말단에서 디메틸비닐실록시기로 캡핑된 디메틸폴리실록산, 분자 양쪽 말단에서 디메틸비닐실록시기로 캡핑된 메틸페닐폴리실록산, 분자 양쪽 말단에서 디메틸비닐실록시기로 캡핑된 메틸페닐실록산 및 디메틸실록산의 공중합체, 분자 양쪽 말단에서 디메틸비닐실록시기로 캡핑된 메틸비닐실록산 및 메틸페닐실록산의 공중합체, 분자 양쪽 말단에서 디메틸비닐실록시기로 캡핑된 메틸비닐실록산 및 디페닐실록산의 공중합체, 분자 양쪽 말단에서 디메틸비닐실록시기로 캡핑된 메틸비닐실록산, 메틸페닐실록산, 및 디메틸실록산의 공중합체, 분자 양쪽 말단에서 트리메틸실록시기로 캡핑된 메틸비닐실록산 및 메틸페닐실록산의 공중합체, 분자 양쪽 말단에서 트리메틸실록시기로 캡핑된 메틸비닐실록산 및 디페닐실록산의 공중합체, 및 분자 양쪽 말단에서 트리메틸실록시기로 캡핑된 메틸비닐실록산, 메틸페닐실록산, 및 디메틸실록산의 공중합체로 예시될 수 있다.
대안적으로, (B) 오르가노폴리실록산은 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 실질적으로 선형, 대안적으로 선형인 폴리오르가노실록산을 포함할 수 있다:
i) 디메틸비닐실록시-말단화된 폴리디메틸실록산,
ii) 디메틸비닐실록시-말단화된 폴리(디메틸실록산/메틸비닐실록산),
iii) 디메틸비닐실록시-말단화된 폴리메틸비닐실록산,
iv) 트리메틸실록시-말단화된 폴리(디메틸실록산/메틸비닐실록산),
v) 트리메틸실록시-말단화된 폴리메틸비닐실록산,
vi) 디메틸비닐실록시-말단화된 폴리(디메틸실록산/메틸비닐실록산),
vii) 디메틸비닐실록시-말단화된 폴리(디메틸실록산/메틸페닐실록산),
viii) 디메틸비닐실록시-말단화된 폴리(디메틸실록산/디페닐실록산),
ix) 페닐,메틸,비닐-실록시-말단화된 폴리디메틸실록산,
x) 디메틸헥세닐실록시-말단화된 폴리디메틸실록산,
xi) 디메틸헥세닐실록시-말단화된 폴리(디메틸실록산/메틸헥세닐실록산),
xii) 디메틸헥세닐실록시-말단화된 폴리메틸헥세닐실록산,
xiii) 트리메틸실록시-말단화된 폴리(디메틸실록산/메틸헥세닐실록산),
xiv) 트리메틸실록시-말단화된 폴리메틸헥세닐실록산,
xv) 디메틸헥세닐-실록시 말단화된 폴리(디메틸실록산/메틸헥세닐실록산),
xvi) 디메틸비닐실록시-말단화된 폴리(디메틸실록산/메틸헥세닐실록산), 및
xvii) 이들의 조합.
대안적으로, (B) 오르가노폴리실록산은 수지상 폴리오르가노실록산을 포함할 수 있다. 수지상 폴리오르가노실록산은 평균 화학식: R4 a''SiO(4-a'')/2를 가질 수 있으며, 여기서 각각의 R4는 상기에서 정의된 바와 같이 독립적으로 선택되고, 아래첨자 a"는 0.5 ≤ a" ≤ 1.7이 되도록 선택된다.
수지상 폴리오르가노실록산은 분지형 또는 3차원 네트워크 분자 구조를 갖는다. 25℃에서, 수지상 폴리오르가노실록산은 액체 또는 고체 형태일 수 있다. 대안적으로, 수지상 폴리오르가노실록산은 T 단위만을 포함하는 폴리오르가노실록산, T 단위를 다른 실록시 단위(예를 들어, M, D, 및/또는 Q 실록시 단위)와 조합으로 포함하는 폴리오르가노실록산, 또는 Q 단위를 다른 실록시 단위(즉, M, D, 및/또는 T 실록시 단위)와 조합으로 포함하는 폴리오르가노실록산으로 예시될 수 있다. 전형적으로, 수지상 폴리오르가노실록산은 T 단위 및/또는 Q 단위를 포함한다. 수지상 폴리오르가노실록산의 구체적인 예로는 비닐-말단화된 실세스퀴옥산(즉, T 수지) 및 비닐 말단화된 MDQ 수지를 포함한다.
대안적으로, (B) 오르가노폴리실록산은 분지형 실록산, 실세스퀴옥산, 또는 분지형 실록산 및 실세스퀴옥산 둘 모두를 포함할 수 있다.
(B) 오르가노폴리실록산이 상이한 오르가노폴리실록산들의 블렌드를 포함하는 경우, 블렌드는 물리적 블렌드 또는 혼합물일 수 있다. 예를 들어, (B) 오르가노폴리실록산이 분지형 실록산 및 실세스퀴옥산을 포함하는 경우, 분지형 실록산 및 실세스퀴옥산은, 조성물에 존재하는 모든 성분들의 합계 중량을 기준으로, 분지형 실록산의 양 및 실세스퀴옥산의 양이 총 100 중량부로 배합되도록 서로 상대적인 양으로 존재한다. 대안적으로, 분지형 실록산은 50 내지 100 중량부의 양으로 존재할 수 있으며 실세스퀴옥산은 0 내지 50 중량부의 양으로 존재할 수 있다. 대안적으로, 분지형 실록산은 50 내지 90 중량부의 양으로 존재할 수 있으며 실세스퀴옥산은 10 내지 50 중량부의 양으로 존재할 수 있다. 대안적으로, 분지형 실록산은 50 내지 80 중량부의 양으로 존재할 수 있으며 실세스퀴옥산은 20 내지 50 중량부의 양으로 존재할 수 있다. 대안적으로, 분지형 실록산은 50 내지 76 중량부의 양으로 존재할 수 있으며 실세스퀴옥산은 24 내지 50 중량부의 양으로 존재할 수 있다. 대안적으로, 분지형 실록산은 50 내지 70 중량부의 양으로 존재할 수 있으며 실세스퀴옥산은 30 내지 50 중량부의 양으로 존재할 수 있다.
(B) 오르가노폴리실록산의 분지형 실록산은 단위 화학식: (R7 3SiO1/2)p(R8R7 2SiO1/2)q(R7 2SiO2/2)r(SiO4/2)s를 가질 수 있으며, 여기서 각각의 R7은 독립적으로 지방족 불포화가 없는 1가 탄화수소 기 또는 지방족 불포화가 없는 1가 할로겐화 탄화수소 기이고, 각각의 R8은 알케닐기 또는 알키닐기(이들 둘 모두는 상기에 기재된 바와 같음)이고, 아래첨자 p는 ≥ 0이고, 아래첨자 q는 > 0이고, 15 ≥ r ≥ 995이며, 아래첨자 s는 > 0이다.
바로 위의 단위 화학식에서, 아래첨자 p는 ≥ 0이다. 아래첨자 q는 > 0이다. 대안적으로, 아래첨자 q는 ≥ 3이다. 아래첨자 r은 15 내지 995이다. 아래첨자 s는 > 0이다. 대안적으로, 아래첨자 s는 ≥ 1이다. 대안적으로, 아래첨자 p의 경우: 22 ≥ p ≥ 0; 대안적으로 20 ≥ p ≥ 0; 대안적으로 15 ≥ p ≥ 0; 대안적으로 10 ≥ p ≥ 0; 대안적으로 5 ≥ p ≥ 0이다. 대안적으로, 아래첨자 q의 경우: 22 ≥ q > 0; 대안적으로 22 ≥ q ≥ 4; 대안적으로 20 ≥ q > 0; 대안적으로 15 ≥ q > 1; 대안적으로 10 ≥ q ≥ 2; 대안적으로 15 ≥ q ≥ 4이다. 대안적으로, 아래첨자 r의 경우: 800 ≥ r ≥ 15; 대안적으로 400 ≥ r ≥ 15이다. 대안적으로, 아래첨자 s의 경우: 10 ≥ s > 0; 대안적으로, 10 ≥ s ≥ 1; 대안적으로 5 ≥ s > 0; 대안적으로 s = 1이다. 대안적으로, 아래첨자 s는 1 또는 2이다. 대안적으로, 아래첨자 s가 1일 때, 아래첨자 p는 0일 수 있고 아래첨자 q는 4일 수 있다.
분지형 실록산은 화학식 (R7 2SiO2/2)m의 적어도 2개의 폴리디오르가노실록산 사슬을 함유할 수 있으며, 상기 식에서, 각각의 아래첨자 m은 독립적으로 2 내지 100이다. 대안적으로, 분지형 실록산은 화학식 (R7 2SiO2/2)o의 4개의 폴리디오르가노실록산 사슬에 결합된 화학식 (SiO4/2)의 적어도 하나의 단위를 포함할 수 있으며, 상기 식에서, 각각의 아래첨자 o는 독립적으로 1 내지 100이다. 대안적으로, 분지형 실록산은 하기 화학식을 가질 수 있다:
Figure pct00002
, 상기 식에서, 아래첨자 u는 0 또는 1이고, 각각의 아래첨자 t는 독립적으로 0 내지 995, 대안적으로 15 내지 995, 대안적으로 0 내지 100이고; 각각의 R9는 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이고, 각각의 R7은 전술된 바와 같은 지방족 불포화가 없는 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기 또는 지방족 불포화가 없는 1가 할로겐화 탄화수소 기이며, 각각의 R8은 전술된 바와 같은 알케닐 및 알키닐로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된다. 적합한 분지형 실록산은 미국 특허 제6,806,339호 및 미국 특허 출원 공개 제2007/0289495호에 개시된 것들로 예시된다.
특정 실시형태에서, 분지형 실록산은 화학식 (R2 yR1 3-ySiO1/2)x(R1 R2SiO2/2)z(SiO4/2)를 가지며, 상기 식에서, 각각의 R1은 에틸렌성 불포화가 없는 독립적으로 선택된 하이드로카빌기이고; 각각의 R2는 R1 및 에틸렌계 불포화 기로부터 독립적으로 선택되고, 아래첨자 y는 아래첨자 x로 표시되는 각각의 실록시 단위에서 독립적으로 선택되며, 1 또는 2이고; 각각의 아래첨자 x는 1.5 내지 6이며; 아래첨자 z는 3 내지 1,000이다. 에틸렌성 불포화 및 에틸렌계 불포화 기가 없는 하이드로카빌기의 구체적인 예는 R에 대해 상기에 기술되어 있다.
실세스퀴옥산은 단위 화학식:
(R7 3SiO1/2)i(R8R7 2SiO1/2)f(R7 2SiO2/2)g(R7SiO3/2)h를 가질 수 있으며, 상기 식에서 R7 및 R8은 전술된 바와 같고, 아래첨자 i는 ≥ 0이고, 아래첨자 f는 > 0이고, 아래첨자 g는 15 내지 995이며, 아래첨자 h는 > 0이다. 아래첨자 i는 0 내지 10일 수 있다. 대안적으로, 아래첨자 i의 경우: 12 ≥ i ≥ 0; 대안적으로 10 ≥ i ≥ 0; 대안적으로 7 ≥ i ≥ 0; 대안적으로 5 ≥ i ≥ 0; 대안적으로 3 ≥ i ≥ 0이다.
대안적으로, 아래첨자 f는 ≥ 1이다. 대안적으로, 아래첨자 f는 ≥ 3이다. 대안적으로, 아래첨자 f의 경우: 12 ≥ f > 0; 대안적으로 12 ≥ f ≥ 3; 대안적으로 10 ≥ f > 0; 대안적으로 7 ≥ f > 1; 대안적으로 5 ≥ f ≥ 2; 대안적으로 7 ≥ f ≥ 3이다. 대안적으로, 아래첨자 g의 경우: 800 ≥ g ≥ 15; 대안적으로 400 ≥ g ≥ 15이다. 대안적으로, 아래첨자 h는 ≥ 1이다. 대안적으로, 아래첨자 h는 1 내지 10이다. 대안적으로, 아래첨자 h의 경우: 10 ≥ h > 0; 대안적으로 5 ≥ h >0; 대안적으로 h = 1이다. 대안적으로, 아래첨자 h는 1 내지 10이고, 대안적으로 아래첨자 h는 1 또는 2이다. 대안적으로, 아래첨자 h가 1일 때, 아래첨자 f는 3일 수 있고 아래첨자 i는 0일 수 있다. 아래첨자 f에 대한 값은 실세스퀴옥산의 중량을 기준으로 0.1% 내지 1%, 대안적으로 0.2% 내지 0.6%의 알케닐 함량을 갖는 단위 화학식 (ii-II)의 실세스퀴옥산을 제공하기에 충분할 수 있다. 적합한 실세스퀴옥산은 미국 특허 제4,374,967호에 개시된 것들로 예시된다.
(B) 오르가노폴리실록산은 구조, 분자량, 실리콘 원자에 결합된 1가 기 및 지방족 불포화 기의 함량과 같은 하나 이상의 특성이 상이한 둘 이상의 상이한 폴리오르가노실록산의 조합을 포함할 수 있다. 조성물은 (B) 오르가노폴리실록산을, 조성물의 총 중량을 기준으로, 60 내지 99.5 중량 퍼센트, 대안적으로 60 내지 98 중량 퍼센트, 대안적으로 60 내지 95 중량 퍼센트, 대안적으로 70 내지 95 중량 퍼센트, 대안적으로 75 내지 95 중량 퍼센트의 양으로 포함할 수 있다.
이들 또는 다른 실시형태에서, (A) 실리케이트 수지 및 (B) 오르가노폴리실록산을 포함하고, 대안적으로 이로 이루어진 베이스 조성물은 25℃에서 베이스 조성물이 유동가능하도록 하는 점도를 갖는다.예를 들어, 특정 실시형태에서, 성분(A) 및 (B)의 선택에 따라, 중량 기준으로 (A):(B)의 40:60 블렌드는 500 내지 100,000 센티포이즈(cP), 대안적으로 2,000 내지 50,000 cP, 대안적으로 4,000에서 30,000 cP의 점도를 갖는다. 점도는 베이스 조성물의 점도에 적절하게 선택된 스핀들을 가진 브룩필드 LV DV-E 점도계를 통해 측정할 수 있다. 상기 점도 범위는 베이스 조성물에 유기 용매를 포함한 용매가 없는 경우이다.
이들 또는 다른 실시형태에서, 상기 베이스 조성물은 500 내지 500,000, 대안적으로 1,000 내지 250,000, 대안적으로 10,000 내지 150,000의 중량 평균 분자량을 갖는다. 분자량은 폴리스티렌 표준물에 대한 겔 투과 크로마토그래피(GPC)를 통해 측정할 수 있다.
베이스 조성물의 제조 방법이 또한 제공된다. 방법은 (A) 실리케이트 수지 및 (B) 오르가노폴리실록산을 조합하여 베이스 조성물을 제공하는 단계를 포함한다. 전형적으로, (A) 실리케이트 수지는 (B) 오르가노폴리실록산 내에 배치된다. 그러나, 성분(A) 및 (B)는 임의의 방식으로, 및 임의의 첨가 순서로, 선택적으로 교반하거나 다른 방식으로 혼합하면서 조합할 수 있다. (A) 실리케이트 수지는 (B) 오르가노폴리실록산과 혼화성이거나 그 안에서 혼화 가능하기 때문에, 이러한 방법은 전형적으로 용매가 없다.
베이스 조성물을 포함하는 이형 코팅 조성물이 또한 제공된다. 이형 코팅 조성물은 (C) 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘-결합된 수소 원자를 갖는 오르가노실리콘 화합물을 추가로 포함한다. (C) 오르가노실리콘 화합물은 선형, 분지형, 부분 분지형, 사이클릭, 수지상(즉, 3차원 네트워크를 가짐)일 수 있거나, 또는 상이한 구조의 조합을 포함할 수 있다. (C) 오르가노실리콘 화합물은 전형적으로 가교결합제이며, 코팅, 예를 들어 이형 코팅을 형성할 때 성분(B)의 에틸렌계 불포화 기, 및, 존재하는 경우, 성분(A)의 에틸렌계 불포화 기와 반응한다. 전형적으로, (C) 오르가노실리콘 화합물은 오르가노하이드로겐실록산을 포함한다.
(C) 오르가노실리콘 화합물이 분자당 적어도 2개의 실리콘-결합된 수소 원자를 포함하는 한, (C) 오르가노실리콘 화합물은 M, D, T 및/또는 Q 실록시 단위의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 이러한 실록시 단위는 다양한 방식으로 조합되어 사이클릭, 선형, 분지형 및/또는 수지상(3차원 네트워크) 구조를 형성할 수 있다. (C) 오르가노실리콘 화합물은 M, D, T, 및/또는 Q 단위의 선택에 따라 단량체성, 중합체성, 올리고머성, 선형, 분지형, 사이클릭, 및/또는 수지상일 수 있다.
(C) 오르가노실리콘 화합물은 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘-결합된 수소 원자를 포함하기 때문에, 전술한 실록시 단위와 관련하여, (C) 오르가노실리콘 화합물은 실리콘-결합된 수소 원자를 포함하는 임의의 하기 실록시 단위를, 선택적으로는, 임의의 실리콘-결합된 수소 원자를 포함하지 않는 실록시 단위와 조합으로 포함할 수 있다: (R2HSiO1/2), (RH2SiO1/2), (H3SiO1/2), (RHSiO2/2), (H2SiO2/2), 및/또는 (HSiO3/2)(여기서, R은 독립적으로 선택되고 상기에서 정의된 바와 같음).
특정 실시형태에서, (C) 오르가노실리콘 화합물은 실질적으로 선형, 대안적으로 선형인 폴리오르가노하이드로겐실록산이다. 실질적으로 선형이거나 또는 선형인 폴리오르가노하이드로겐실록산은 단위 화학식:
(HR10 2SiO1/2)v'(HR10SiO2/2)w'(R10 2SiO2/2)x'(R10 3SiO1/2)y'을 가지며, 상기 식에서 각각의 R10은 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이고, 아래첨자 v'는 0, 1, 또는 2이고, 아래첨자 w'는 1 이상이고, 아래첨자 x'는 0 이상이고, 아래첨자 y'는 0, 1, 또는 2이나, 단, 양(v' + y')는 2이고, 양(v' + w')는 ≥ 3이다. R10에 대한 1가 탄화수소 기는 R에 대한 1가 탄화수소 기에 대해 전술된 바와 같을 수 있다. 양(v' + w' + x' + y')는 2 내지 1,000일 수 있다. 폴리오르가노하이드로겐실록산은 하기:
i) 디메틸하이드로겐실록시-말단화된 폴리(디메틸/메틸하이드로겐)실록산 공중합체,
ii) 디메틸하이드로겐실록시-말단화된 폴리메틸하이드로겐실록산,
iii) 트리메틸실록시-말단화된 폴리(디메틸/메틸하이드로겐)실록산 공중합체,
iv) 트리메틸실록시-말단화된 폴리메틸하이드로겐실록산, 및/또는
v) i), ii), iii), iv), 및 v) 중 2개 이상의 조합으로 예시된다. 적합한 폴리오르가노하이드로겐실록산은 미국 미시간주 미들랜드 소재의 Dow Silicones Corporation으로부터 상업적으로 입수 가능하다.
하나의 특정 실시형태에서, (C) 오르가노실리콘 화합물은 선형이며 펜던트 실리콘-결합된 수소 원자를 포함한다. 이러한 실시형태에서, (C) 오르가노실리콘 화합물은 하기 평균 화학식을 갖는 디메틸, 메틸-하이드로겐 폴리실록산일 수 있다:
(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]x'[(CH3)HSiO]w'Si(CH3)3
상기 식에서, x' 및 w'는 상기에서 정의된 바와 같다. 당업자는 상기 예시적인 화학식에서 디메틸실록시 단위 및 메틸하이드로겐실록시 단위가 랜덤 또는 블록 형태로 존재할 수 있으며, 임의의 메틸기가 지방족 불포화가 없는 임의의 다른 탄화수소 기로 대체될 수 있다는 것을 이해하고 있다.
다른 특정 실시형태에서, (C) 오르가노실리콘 화합물은 선형이며 말단 실리콘-결합된 수소 원자를 포함한다. 이러한 실시형태에서, (C) 오르가노실리콘 화합물은 하기 평균 화학식을 갖는 SiH 말단 디메틸 폴리실록산일 수 있다:
H(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]x'Si(CH3)2H
상기 식에서, x'는 상기에서 정의된 바와 같다. SiH 말단 디메틸 폴리실록산은 단독으로 사용되거나, 또는 바로 앞서 개시된 디메틸, 메틸-하이드로겐 폴리실록산과 조합으로 사용될 수 있다. 혼합물이 사용되는 경우, 혼합물 중 각각의 오르가노하이드로겐실록산의 상대적인 양은 다양할 수 있다. 당업자는 상기 예시적인 화학식에서 임의의 메틸기가 지방족 불포화가 없는 임의의 다른 탄화수소 기로 대체될 수 있다는 것을 이해하고 있다.
또한 대안적으로, (C) 오르가노실리콘 화합물은 펜던트 및 말단 실리콘-결합된 수소 원자를 둘 모두 포함할 수 있다.
또 다른 특정 실시형태에서, (C) 오르가노실리콘 화합물은 화학식 Hy'R1 3-y'Si-(OSiR1 2)m-(OSiR1H)m'-OSiR1 3-y'Hy'를 가지며, 상기 식에서 각각의 R1은 에틸렌성 불포화가 없는 독립적으로 선택된 하이드로카빌기이고, 각각의 y'는 0 또는 1로부터 독립적으로 선택되고, 아래첨자 m 및 m'는 각각 0 내지 1,000이나, 단, m 및 m'는 동시에 0이 아니며, m+m'는 1 내지 1,000이다.
특정 실시형태에서, (C) 오르가노실리콘 화합물은 알킬하이드로겐 사이클로실록산 또는 알킬하이드로겐 디알킬 사이클로실록산 공중합체를 포함할 수 있다. 이러한 유형의 적합한 오르가노하이드로겐실록산의 구체적인 예는 (OSiMeH)4, (OSiMeH)3(OSiMeC6H13), (OSiMeH)2(OSiMeC6H13)2, 및 (OSiMeH)(OSiMeC6H13)3을 포함하며, 이때 Me는 메틸(-CH3)을 나타낸다.
(C) 오르가노실리콘 화합물에 대한 적합한 오르가노하이드로겐실록산의 다른 예는 하나의 분자 내에 적어도 2개의 SiH 함유 사이클로실록산 고리를 갖는 것들이다. 이러한 오르가노하이드로겐실록산은, 각각의 실록산 고리 상에 적어도 하나의 실리콘-결합된 수소(SiH) 원자를 갖는 적어도 2개의 사이클로실록산 고리를 갖는 임의의 오르가노폴리실록산일 수 있다. 사이클로실록산 고리는 적어도 3개의 실록시 단위(즉, 실록산 고리를 형성하기 위해 필요한 최소 단위)를 함유하며, 사이클릭 구조를 형성하는 M, D, T 및/또는 Q 실록시 단위의 임의의 조합일 수 있으나, 단, 각각의 실록산 고리 상의 사이클릭 실록시 단위들 중 적어도 하나는 하나의 SiH 단위를 함유하며, 이는 M 실록시 단위, D 실록시 단위, 및/또는 T 실록시 단위일 수 있다. 이러한 실록시 단위는 다른 치환체가 메틸인 경우 각각 MH, DH, 및 TH 실록시 단위로 나타낼 수 있다.
(C) 오르가노실리콘 화합물은 구조, 분자량, 실리콘 원자에 결합된 1가 기 및 실리콘-결합된 수소 원자의 함량과 같은 하나 이상의 특성이 상이한 둘 이상의 상이한 오르가노하이드로겐실록산의 조합을 포함할 수 있다. 이형 코팅 조성물은 성분 (C) 내의 실리콘-결합된 수소 원자 대 성분 (B) 내의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기(및, 존재하는 경우, 성분(A)의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기)의 몰비를 1:1 내지 5:1, 대안적으로 1.1:1 내지 3.1의 양으로 제공하는 양으로 (C) 오르가노실리콘 화합물을 포함할 수 있다.
특정 실시형태에서, 이형 코팅 조성물은 (D) 하이드로실릴화 반응 촉매를 추가로 포함한다. (D) 하이드로실릴화 반응 촉매는 제한되지 않으며, 하이드로실릴화 반응을 촉매하기 위한 임의의 공지된 하이드로실릴화 반응 촉매일 수 있다. 상이한 하이드로실릴화 반응 촉매들의 조합이 사용될 수 있다.
특정 실시형태에서, (D) 하이드로실릴화 반응 촉매는 VIII 족 내지 XI 족 전이 금속을 포함한다. VIII족 내지 XI족 전이 금속은 근대의 IUPAC 명명법을 참조한다. VIII족 전이 금속은 철(Fe), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 및 하슘(Hs)이고; IX족 전이 금속은 코발트(Co), 로듐(Rh), 및 이리듐(Ir)이고; X족 전이 금속은 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 및 백금(Pt)이며; XI족 전이 금속은 구리(Cu), 은(Ag), 및 금(Au)이다. 이들의 조합, 이들의 착물(예를 들어, 유기금속 착물), 및 다른 형태의 그러한 금속이 (D) 하이드로실릴화 반응 촉매로서 사용될 수 있다.
(D) 하이드로실릴화 반응 촉매에 적합한 촉매의 추가적인 예로는 레늄(Re), 몰리브덴(Mo), IV족 전이 금속(즉, 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 및/또는 하프늄(Hf)), 란타늄족, 악티늄족, 및 I족 및 II족 금속 착물(예를 들어, 칼슘(Ca), 칼륨(K), 스트론튬(Sr) 등을 포함하는 것들)을 포함한다. 이들의 조합, 이들의 착물(예를 들어, 유기금속 착물), 및 다른 형태의 그러한 금속이 (D) 하이드로실릴화 반응 촉매로서 사용될 수 있다.
(D) 하이드로실릴화 반응 촉매는 임의의 적합한 형태일 수 있다. 예를 들어, (D) 하이드로실릴화 반응 촉매는 고체일 수 있으며, 이의 예로는 백금계 촉매, 팔라듐계 촉매, 및 유사한 귀금속계 촉매, 및 또한 니켈계 촉매를 포함한다. 이의 특정 예는, 니켈, 팔라듐, 백금, 로듐, 코발트 및 유사한 원소, 및 또한 백금-팔라듐, 니켈-구리-크롬, 니켈-구리-아연, 니켈-텅스텐, 니켈-몰리브덴, 및 복수의 금속의 조합을 포함하는 유사한 촉매를 포함한다. 고체 촉매의 추가적인 예는 Cu-Cr, Cu-Zn, Cu-Si, Cu-Fe-AI, Cu-Zn-Ti, 및 유사한 구리-함유 촉매 등을 포함한다.
(D) 하이드로실릴화 반응 촉매는 고체 담체 내에 또는 고체 담체 상에 존재할 수 있다. 담체의 예는 활성탄, 실리카, 실리카 알루미나, 알루미나, 제올라이트 및 다른 무기 분말/입자 (예를 들어 황산 나트륨) 등을 포함한다. (D) 하이드로실릴화 반응 촉매는 또한 비히클, 예를 들어, (D) 하이드로실릴화 반응 촉매를 가용화하는 용매, 대안적으로 (D) 하이드로실릴화 반응 촉매를 단지 담지하지만 가용화하지는 않는 비히클 중에 배치될 수 있다. 이러한 비히클은 당업계에 공지되어 있다.
특정 실시형태에서, (D) 하이드로실릴화 반응 촉매는 백금을 포함한다. 이러한 실시형태에서, (D) 하이드로실릴화 반응 촉매는, 예를 들어, 백금 블랙, 화합물, 예를 들어 염화백금산, 염화백금산 6수화물, 염화백금산과 1가 알코올의 반응 생성물, 백금 비스(에틸아세토아세테이트), 백금 비스(아세틸아세토네이트), 염화백금, 및 그러한 화합물과 올레핀 또는 오르가노폴리실록산과의 착물뿐만 아니라, 매트릭스 또는 코어-쉘 유형 화합물 내에 마이크로캡슐화된 백금 화합물로 예시된다. 마이크로캡슐화된 하이드로실릴화 촉매 및 이의 제조 방법이 또한 미국 특허 제4,766,176호 및 제5,017,654호에 예시된 바와 같이 당업계에 공지되어 있으며, 상기 문헌은 그의 전문이 본원에서 참고로 포함된다.
(D) 하이드로실릴화 반응 촉매로서 사용하기에 적합한 오르가노폴리실록산과 백금의 착물은 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과 백금의 착물을 포함한다. 이러한 착물은 수지 매트릭스 내에 마이크로캡슐화될 수 있다. 대안적으로, (D) 하이드로실릴화 반응 촉매는 백금과 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산의 착물을 포함할 수 있다. (D) 하이드로실릴화 반응 촉매는 염화백금산을 알켄-백금-실릴 복합체 또는 디비닐테트라메틸디실록산과 같은 지방족 불포화 오르가노실리콘 화합물과 반응시키는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다. 알켄-백금-실릴 착물은, 예를 들어 0.015 몰의 (COD)PtCl2를 0.045 몰의 COD 및 0.0612 몰의 HMeSiCl2와 혼합함으로써 제조될 수 있다.
또한 또는 대안적으로, (D) 하이드로실릴화 반응 촉매는 광활성화 가능한 하이드로실릴화 반응 촉매일 수 있으며, 이는 조사(irradiation) 및/또는 가열을 통해 경화를 개시할 수 있다. 광활성화 가능한 하이드로실릴화 반응 촉매는, 특히 150 내지 800 나노미터(nm)의 파장을 갖는 방사선에 노출 시에 하이드로실릴화 반응을 촉매할 수 있는 임의의 하이드로실릴화 반응 촉매일 수 있다.
(D) 하이드로실릴화 반응 촉매에 적합한 광활성화 가능한 하이드로실릴화 반응 촉매의 구체적인 예로는 백금(II) β-디케토네이트 착물, 예를 들어 백금(II) 비스(2,4-펜탄디오에이트), 백금(II) 비스(2,4-헥산디오에이트), 백금(II) 비스(2,4-헵탄디오에이트), 백금(II) 비스(1-페닐-1,3-부탄디오에이트, 백금(II) 비스(1,3-디페닐-1,3-프로판디오에이트), 백금(II) 비스(1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-펜탄디오에이트); (η-사이클로펜타디에닐)트리알킬백금 착물, 예를 들어 (Cp)트리메틸백금, (Cp)에틸디메틸백금, (Cp)트리에틸백금, (클로로-Cp)트리메틸백금, 및 (트리메틸실릴-Cp)트리메틸백금(여기서, Cp는 사이클로펜타디에닐을 나타냄); 트리아젠 옥사이드-전이 금속 착물, 예를 들어 Pt[C6H5NNNOCH3]4, Pt[p-CN-C6H4NNNOC6H11]4, Pt[p-H3COC6H4NNNOC6H11]4, Pt[p-CH3(CH2)x-C6H4NNNOCH3]4, 1,5-사이클로옥타디엔.Pt[p-CN-C6H4NNNOC6H11]2, 1,5-사이클로옥타디엔.Pt[p-CH3O-C6H4NNNOCH3]2, [(C6H5)3P]3Rh[p-CN-C6H4NNNOC6H11], 및 Pd[p-CH3(CH2)x-C6H4NNNOCH3]2(여기서 x는 1, 3, 5, 11, 또는 17임); (η-디올레핀)(σ-아릴)백금 착물, 예를 들어 (η4-1,5-사이클로옥타디에닐)디페닐백금, η4-1,3,5,7-사이클로옥타테트라에닐)디페닐백금, (η4-2,5-노르보라디에닐)디페닐백금, (η4-1,5-사이클로옥타디에닐)비스-(4-디메틸아미노페닐)백금, (η4-1,5-사이클로옥타디에닐)비스-(4-아세틸페닐)백금, 및 (η4-1,5-사이클로옥타디에닐)비스-(4-트리플루오로메틸페닐)백금을 포함하지만, 이에 국한되지 않는다. 전형적으로, 광활성화 가능한 하이드로실릴화 반응 촉매는 Pt(II) β-디케토네이트 착물이며, 보다 전형적으로 촉매는 백금(II) 비스(2,4-펜탄디오에이트)이다.
(D) 하이드로실릴화 반응 촉매는 촉매량, 즉 원하는 조건에서 조성물의 경화를 촉진하기에 충분한 양 또는 분량으로 이형 코팅 조성물 중에 존재한다. (D) 하이드로실릴화 반응 촉매는 단일의 하이드로실릴화 반응 촉매일 수 있거나 둘 이상의 상이한 하이드로실릴화 반응 촉매를 포함하는 혼합물일 수 있다.
(D) 하이드로실릴화 반응 촉매의 촉매량은 > 0.01 ppm 내지 10,000 ppm; 대안적으로 > 1,000 ppm 내지 5,000 ppm일 수 있다. 대안적으로, (D) 하이드로실릴화 반응 촉매의 전형적인 촉매량은 0.1 ppm 내지 5,000 ppm, 대안적으로 1 ppm 내지 2,000 ppm, 대안적으로 > 0 ppm 내지 1,000 ppm이다. 대안적으로, (D) 하이드로실릴화 반응 촉매의 촉매량은, 조성물의 총 중량을 기준으로, 0.01 ppm 내지 1,000 ppm, 대안적으로 0.01 ppm 내지 100 ppm, 대안적으로 20 ppm 내지 200 ppm, 대안적으로 0.01 ppm 내지 50 ppm의 백금족 금속일 수 있다.
이형 코팅 조성물은 (E) 억제제, (F) 정착(anchorage) 첨가제, (G) 미스트 방지 첨가제, (H) 이형 개질제, 및 (I) 비히클 중 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다.
특정 실시형태에서, 이형 코팅 조성물은 (E) 억제제를 추가로 포함한다. (E) 억제제는, 동일한 출발 물질을 함유하지만 (E) 억제제가 생략된 조성물과 비교하였을 때, 이형 코팅 조성물의 반응 속도 또는 경화 속도를 변경시키는 데 사용될 수 있다. (E) 억제제는 아세틸렌성 알코올, 예를 들어 메틸 부티놀, 에티닐 사이클로헥산올, 디메틸 헥시놀, 및 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 1-부틴-3-올, 1-프로핀-3-올, 2-메틸-3-부틴-2-올, 3-메틸-1-부틴-3-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 3-페닐-1-부틴-3-올, 4-에틸-1-옥틴-3-올, 및 1-에티닐-1-사이클로헥산올, 및 이들의 조합; 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐사이클로테트라실록산, 및 이들의 조합으로 예시되는 메틸비닐사이클로실록산과 같은 사이클로알케닐실록산; 엔-인(ene-yne) 화합물, 예를 들어 3-메틸-3-펜텐-1-인, 3,5-디메틸-3-헥센-1-인; 트리아졸, 예를 들어 벤조트리아졸; 포스핀; 메르캅탄; 하이드라진; 아민, 예를 들어 테트라메틸 에틸렌디아민, 디알킬 푸마레이트, 디알케닐 푸마레이트, 디알콕시알킬 푸마레이트, 디알릴 말레에이트와 같은 말레에이트; 니트릴; 에테르; 일산화탄소; 알켄, 예를 들어 사이클로옥타디엔, 디비닐테트라메틸디실록산; 알코올, 예를 들어 벤질 알코올; 및 이들의 조합으로 예시된다. 대안적으로, (E) 억제제는 아세틸렌성 알코올(예를 들어, 1-에티닐-1-사이클로헥사놀) 및 말레에이트(예를 들어, 디알릴 말레에이트, 비스 말레에이트, 또는 n-프로필 말레에이트) 및 이들 중 2개 이상의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
대안적으로, (E) 억제제는 실릴화된 아세틸렌계 화합물일 수 있다. 이론에 얽매이려는 것은 아니지만, 실릴화된 아세틸렌계 화합물을 첨가하면, 실릴화된 아세틸렌계 화합물을 함유하지 않거나 또는 전술된 바와 같은 유기 아세틸렌계 알코올 안정화제를 함유하는 조성물의 하이드로실릴화로부터 제조되는 반응 생성물과 비교하였을 때, 이형 코팅 조성물의 하이드로실릴화 반응으로부터 제조되는 반응 생성물의 황변(yellowing)을 감소시키는 것으로 생각된다.
실릴화 아세틸렌계 화합물은 (3-메틸-1-부틴-3-옥시)트리메틸실란, ((1,1-디메틸-2-프로피닐)옥시)트리메틸실란, 비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)디메틸실란, 비스(3- 메틸-1-부틴-3-옥시)실란메틸비닐실란, 비스((1,1-디메틸-2-프로피닐)옥시)디메틸실란, 메틸(트리스(1,1-디메틸-2-프로피닐옥시))실란, 메틸(트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시))실란, (3-메틸-1-부틴-3-옥시)디메틸페닐실란, (3-메틸-1-부틴-3-옥시)디메틸헥세닐실란, (3-메틸-1-부틴-3-옥시)트리에틸실란, 비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)메틸트리플루오로프로필실란, (3,5-디메틸-1-헥신-3-옥시)트리메틸실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)디페닐메틸실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)디메틸페닐실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)디메틸비닐실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)디메틸헥세닐실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)디메틸헥세닐실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)디메틸비닐실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)디페닐메틸실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)트리메틸실란 및 이의 조합으로 예시된다. 대안적으로, (E) 억제제는 메틸(트리스(1,1-디메틸-2-프로피닐옥시))실란, ((1,1-디메틸-2-프로피닐)옥시)트리메틸실란, 또는 이들의 조합으로 예시된다. (E) 억제제로서 유용한 실릴화된 아세틸렌계 화합물은, 전술한 아세틸렌계 알코올을 산 수용체의 존재 하에 클로로실란과 반응시켜 실릴화하는 것과 같은, 당업계에 공지된 방법에 의해 제조될 수 있다.
이형 코팅 조성물 중에 존재하는 (E) 억제제의 양은 이형 코팅 조성물의 원하는 가사 시간(pot life), 이형 코팅 조성물이 1 파트 조성물인지 아니면 다중 파트 조성물인지의 여부, 사용되는 특정 억제제, 및 성분 (A) 내지 성분 (D)의 선택 및 양을 포함하는 다양한 인자들에 좌우될 것이다. 그러나, 존재하는 경우, (E) 억제제의 양은 이형 코팅 조성물의 총 중량을 기준으로 0% 내지 1%, 대안적으로 0% 내지 5%, 대안적으로 0.001% 내지 1%, 대안적으로 0.01% 내지 0.5%, 대안적으로 0.0025% 내지 0.025%일 수 있다.
특정 실시형태에서, 조성물은 (F) 정착 첨가제를 추가로 포함한다. 적합한 정착 첨가제는 비닐 알콕시실란과 에폭시-작용성 알콕시실란의 반응 생성물;비닐 아세톡시실란과 에폭시-작용성 알콕시실란의 반응 생성물; 및 분자당 적어도 하나의 지방족 불포화 탄화수소 기 및 적어도 하나의 가수분해성 기를 갖는 폴리오르가노실록산과 에폭시-작용성 알콕시실란의 조합(예를 들어, 하이드록시-말단화된 비닐 작용성 폴리디메틸실록산과 글리시독시프로필트리메톡시실란의 조합)(예를 들어, 물리적 블렌드 및/또는 반응 생성물)으로 예시된다. 대안적으로, 정착 첨가제는 폴리오르가노실리케이트 수지를 포함할 수 있다. 적합한 정착 첨가제 및 그의 제조 방법이, 예를 들어 미국 특허 제9,562,149호; 미국 특허 출원 공개 제2003/0088042호, 제2004/0254274호, 및 제2005/0038188호; 및 유럽 특허 제0 556 023호에 개시되어 있다.
적합한 정착 첨가제의 추가의 예로는 전이 금속 킬레이트, 탄화수소옥시실란, 예를 들어 알콕시실란, 알콕시실란과 하이드록시-작용성 폴리오르가노실록산의 조합, 또는 이들의 조합을 포함한다. (F) 정착 첨가제는 에폭시, 아세톡시 또는 아크릴레이트 기와 같은 접착-촉진 기를 갖는 적어도 하나의 치환체를 갖는 실란일 수 있다. 접착-촉진 기는 추가적으로 또는 대안적으로 (D) 하이드로실릴화 반응 촉매에 영향을 주지 않는 임의의 가수분해성 기일 수 있다. 대안적으로, (F) 정착 첨가제는 이러한 실란의 부분 축합물, 예를 들어, 접착-촉진 기를 갖는 오르가노폴리실록산을 포함할 수 있다. 또한 대안적으로, (F) 정착 첨가제는 알콕시실란과 하이드록시-작용성 폴리오르가노실록산의 조합을 포함할 수 있다.
대안적으로, (F) 정착 첨가제는 불포화 또는 에폭시-작용성 화합물을 포함할 수 있다. (F) 정착 첨가제는 불포화 또는 에폭시-작용성 알콕시실란을 포함할 수 있다. 예를 들어, 작용성 알콕시실란은 적어도 하나의 불포화 유기 기 또는 에폭시-작용성 유기 기를 포함할 수 있다. 에폭시-작용성 유기 기는 3-글리시독시프로필 및 (에폭시사이클로헥실)에틸로 예시된다. 불포화 유기 기는 3-메타크릴로일옥시프로필, 3-아크릴로일옥시프로필, 및 불포화 1가 탄화수소 기, 예를 들어 비닐, 알릴, 헥세닐, 운데실렌일로 예시된다. 불포화 화합물의 한 가지 구체적인 예는 비닐트리아세톡시실란이다.
적합한 에폭시-작용성 알콕시실란의 구체적인 예는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, (에폭시사이클로헥실)에틸디메톡시실란, (에폭시사이클로헥실)에틸디에톡시실란 및 이들의 조합을 포함한다. 적합한 불포화 알콕시실란의 예는 비닐트리메톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란, 헥세닐트리메톡시실란, 운데실레닐트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필 트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필 트리에톡시실란, 3-아크릴로일옥시프로필 트리메톡시실란, 3-아크릴로일옥시프로필 트리에톡시실란, 및 이들의 조합을 포함한다.
(F) 정착 첨가제는 또한 이러한 화합물 중 하나 이상의 반응 생성물 또는 부분 반응 생성물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 특정 실시형태에서, (F) 정착 첨가제는 비닐트리아세톡시실란과 3-글리시독시프로필트리메톡시실란의 반응 생성물 또는 부분 반응 생성물을 포함할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, (F) 정착 첨가제는 알콕시 또는 알케닐 작용성 실록산을 포함할 수 있다.
대안적으로, (F) 정착 첨가제는 에폭시-작용성 실록산, 예를 들어 전술한 바와 같은 하이드록시-말단화된 폴리오르가노실록산과 에폭시-작용성 알콕시실란의 반응 생성물, 또는 하이드록시-말단화된 폴리오르가노실록산과 에폭시-작용성 알콕시실란의 물리적 블렌드를 포함할 수 있다. (F) 정착 첨가제는 에폭시-작용성 알콕시실란과 에폭시-작용성 실록산의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, (F) 정착 첨가제는 하이드록시-말단화된 메틸비닐실록산과 3-글리시독시프로필트리메톡시실란의 반응 생성물과 3-글리시독시프로필트리메톡시실란의 혼합물, 또는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란과 하이드록시-말단화된 메틸비닐실록산의 혼합물, 또는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란과 하이드록시-말단화된 메틸비닐/디메틸실록산 공중합체의 혼합물로 예시된다.
대안적으로, (F) 정착 첨가제는 전이 금속 킬레이트를 포함할 수 있다. 적합한 전이 금속 킬레이트는 티타네이트, 지르코네이트, 예를 들어, 지르코늄 아세틸아세토네이트, 알루미늄 킬레이트, 예를 들어, 알루미늄 아세틸아세토네이트, 및 이들의 조합을 포함한다. 대안적으로, (F) 정착 첨가제는 전이 금속 킬레이트와 알콕시실란과의 조합, 예를 들어, 글리시독시프로필트리메톡시실란과 알루미늄 킬레이트 또는 지르코늄 킬레이트와의 조합을 포함할 수 있다.
사용되는 경우, 이형 코팅 조성물 중에 존재하는 (F) 정착 첨가제의 특정 양은 기재의 유형 및 프라이머가 사용되는지의 여부를 포함하는 다양한 인자들에 좌우된다. 특정 실시형태에서, (F) 정착 첨가제는 성분 (B) 100 중량부당 0 내지 2 중량부의 양으로 이형 코팅 조성물 중에 존재한다. 대안적으로, (F) 정착 첨가제는 성분 (B) 100 중량부당 0.01 내지 2 중량부의 양으로 이형 코팅 조성물 중에 존재한다.
특정 실시형태에서, 조성물은 (G) 미스트 방지 첨가제를 추가로 포함한다. (G) 미스트 방지 첨가제는, 특히 고속 코팅 장비를 사용하는 코팅 공정에서 실리콘 미스트 형성을 감소시키거나 억제하기 위해 이형 코팅 조성물에서 사용될 수 있다. (G) 미스트 방지 첨가제는 오르가노하이드로겐실리콘 화합물, 옥시알킬렌 화합물 또는 분자당 적어도 3개의 실리콘-결합된 알케닐기를 갖는 오르가노알케닐실록산, 및 적합한 촉매의 반응 생성물일 수 있다. 적합한 미스트 방지 첨가제는, 예를 들어 미국 특허 출원 공개 제2011/0287267호; 미국 특허 제8,722,153호; 미국 특허 제6,586,535호; 및 미국 특허 제5,625,023호에 개시되어 있다. 대안적으로, (G) 미스트 방지 첨가제는 2개 이상의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기를 선택적으로 포함할 수 있는 MDQ 수지를 포함할 수 있다.
이형 코팅 조성물에서 사용되는 (G) 미스트 방지 첨가제의 양은 이형 코팅 조성물을 위해 선택되는 다른 출발 물질의 양 및 유형을 포함하는 다양한 인자들에 좌우될 것이다. 그러나, (G) 미스트 방지 첨가제는 전형적으로, 이형 코팅 조성물의 총 중량을 기준으로, 0% 내지 10%, 대안적으로 0.1% 내지 3%의 양으로 사용된다. 이러한 양은 성분 (A)와 관련된 것을 배제하며, 단지 성분 (A)와는 별개이고 그와 구별되는 (G) 미스트 방지 첨가제에만 관련된다.
특정 실시형태에서, 이형 코팅 조성물은 (H) 이형 개질제를 추가로 포함하며, 이는 이형력(이형 코팅 조성물로부터 형성되는 이형 코팅과 그에 대한 피착물, 예를 들어 감압 접착제를 포함하는 라벨 사이의 접착력)의 수준을 제어하기(감소시키기) 위해 이형 코팅 조성물에 사용될 수 있다. (H) 이형 개질제는 성분 (A)와 구별되며, 이는 베이스 조성물이 이형 코팅을 제조하는 데 사용되는 경우 이형 개질제로서 또한 작용한다. 필요하거나 원하는 이형력을 갖는 이형 코팅은 (H) 이형 개질제의 수준 또는 농도를 조정함으로써 개질제-무함유 조성물로부터 제형화될 수 있다. 성분(H)에 대해 적합한 이형 개질제의 예는 트리메틸실록시-말단화된 디메틸, 페닐메틸실록산을 포함한다. 대안적으로, (H) 이형 개질제는 하이드록실 또는 알콕시기를 갖는 오르가노폴리실록산 수지와 하나 이상의 하이드록실 또는 가수분해성 기를 갖는 디오르가노폴리실록산의 축합 반응 생성물일 수 있다. 적합한 이형 개질제의 예는, 예를 들어, 미국 특허 제8,933,177호 및 미국 특허 출원 공개 제2016/0053056호에 개시되어 있다. 사용되는 경우, (H) 이형 개질제는 성분(B) 100 중량부당 0 내지 85 중량부, 대안적으로 25 내지 85 중량부의 양으로 이형 코팅 조성물 중에 존재할 수 있다.
특정 실시형태에서, 이형 코팅 조성물은 (I) 비히클을 추가로 포함한다. (I) 비히클은 전형적으로 이형 코팅 조성물의 성분들을 가용화하고, 이 성분들이 가용화된다면 (I) 비히클은 용매로 지칭될 수 있다. 적합한 비히클은 실리콘, 선형 및 사이클릭 유기 오일, 유기 용매 및 이들의 혼합물을 포함한다.
전형적으로, (I) 비히클은, 이형 코팅 조성물 중에 존재하는 경우, 유기 액체이다. 유기 액체는 오일 또는 용매로 간주되는 액체를 포함한다. 유기 액체는 방향족 탄화수소, 지방족 탄화수소, 3개 초과의 탄소 원자를 갖는 알코올, 알데하이드, 케톤, 아민, 에스테르, 에테르, 글리콜, 글리콜 에테르, 알킬 할라이드 및 방향족 할라이드로 예시되지만, 이에 국한되지 않는다. 탄화수소는 이소도데칸, 이소헥사데칸, Isopar L(C11-C13), Isopar H(C11-C12), 수소화 폴리데센, 방향족 탄화수소, 및 할로겐화 탄화수소를 포함한다. 에테르 및 에스테르는 이소데실 네오펜타노에이트, 네오펜틸글리콜 헵타노에이트, 글리콜 디스테아레이트, 디카프릴일 카보네이트, 디에틸헥실 카보네이트, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 에틸-3 에톡시프로피오네이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 트리데실 네오펜타노에이트, 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트(PGMEA), 프로필렌 글리콜 메틸에테르(PGME), 옥틸도데실 네오펜타노에이트, 디이소부틸 아디페이트, 디이소프로필 아디페이트, 프로필렌 글리콜 디카프릴레이트/디카프레이트, 옥틸 에테르, 및 옥틸 팔미테이트를 포함한다. 단독 화합물로서 또는 (I) 비히클에 대한 성분으로서 적합한 추가의 유기 유체는 지방, 오일, 지방산, 및 지방 알코올을 포함한다. (I) 비히클은 또한 1 내지 1,000 ㎟/sec의 범위의 25℃에서의 점도를 갖는 저점도 오르가노폴리실록산 또는 휘발성 메틸 실록산 또는 휘발성 에틸 실록산 또는 휘발성 메틸 에틸 실록산, 예를 들어 헥사메틸사이클로트리실록산, 옥타메틸사이클로테트라실록산, 데카메틸사이클로펜타실록산, 도데카메틸사이클로헥사실록산, 옥타메틸트리실록산, 데카메틸테트라실록산, 도데카메틸펜타실록산, 테트라데카메틸헥사실록산, 헥사데카메틸헵타실록산, 헵타메틸-3-{(트리메틸실릴)옥시)}트리실록산, 헥사메틸-3,3,비스{(트리메틸실릴)옥시}트리실록산 펜타메틸{(트리메틸실릴)옥시}사이클로트리실록산뿐만 아니라, 폴리디메틸실록산, 폴리에틸실록산, 폴리메틸에틸실록산, 폴리메틸페닐실록산, 폴리디페닐실록산, 카프릴일 메티콘, 및 이들의 임의의 혼합물일 수 있다.
특정 실시형태에서, (I) 비히클은 폴리알킬실록산; 테트라하이드로푸란; 미네랄 스피릿; 나프타; 알코올, 예를 들어 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 또는 n-프로판올; 케톤, 예를 들어 아세톤, 메틸에틸 케톤, 또는 메틸 이소부틸 케톤; 방향족 탄화수소, 예를 들어 벤젠, 톨루엔, 또는 자일렌; 지방족 탄화수소, 예를 들어 헵탄, 헥산, 또는 옥탄; 글리콜 에테르, 예를 들어 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 또는 에틸렌 글리콜 n-부틸 에테르; 또는 이들의 조합으로부터 선택된다.
(I) 비히클의 양은 선택되는 비히클의 유형 및 이형 코팅 조성물 중에 존재하는 다른 성분들의 양 및 유형을 포함하는 다양한 인자들에 좌우될 것이다. 그러나, 이형 코팅 조성물 중의 (I) 비히클의 양은, 이형 코팅 조성물의 총 중량을 기준으로, 0% 내지 99%, 대안적으로 0% 내지 50%일 수 있다. (I) 비히클은, 예를 들어 혼합 및 전달에 도움을 주기 위해, 이형 코팅 조성물의 제조 중에 첨가될 수 있다. 이형 코팅 조성물로부터 이형 코팅을 제조하기 이전 및/또는 그와 동시를 비롯하여 이형 코팅 조성물이 제조된 후에, (I) 비히클의 전부 또는 일부를 선택적으로 제거할 수 있다. 그러나, 전형적으로, 이형 코팅 조성물은 (I) 비히클이 없으며, 따라서 이형 코팅 조성물은 무용매 이형 코팅 조성물이다.
예를 들어, 반응성 희석제, 방향제, 방부제, 착색제, 염료, 및 충전제, 예를 들어 실리카, 석영 또는 백악을 포함하는 다른 선택적 성분들이 이형 코팅 조성물 중에 존재할 수 있다.
대안적으로, 이형 코팅 조성물 및 이로부터 형성된 이형 코팅은 미립자가 없거나, 또는 단지 제한된 양, 예를 들어 이형 코팅 조성물의 0 내지 30 중량%의 미립자(예를 들어, 충전제 및/또는 안료)를 함유할 수 있다. 미립자는 응집될 수 있거나 그렇지 않으면 이형 코팅을 형성하는 데 사용되는 코팅기 장비에 부착될 수 있다. 또한, 광학 투명성이 요구되는 경우에, 미립자는 이형 코팅 및 그를 사용하여 형성된 이형 라이너의 광학 특성, 예를 들어 투명성을 방해할 수 있다. 미립자는 피착물의 부착에 해로울 수 있다.
특정 실시형태에서, 이형 코팅 조성물은 플루오로오르가노실리콘 화합물이 없다. 경화 동안, 플루오로화합물은 그의 낮은 표면 장력 때문에 이형 코팅 조성물 또는 그를 사용하여 형성된 이형 코팅과 이형 코팅 조성물이 도포되고 이형 코팅이 형성되는 기재의 계면, 예를 들어 조성물/PET 필름 계면으로 신속하게 이동할 수 있는 것으로 여겨진다. 이러한 이동은 불소 함유 장벽을 만듦으로써 기재에 대한 (이형 코팅 조성물을 경화시킴으로써 제조된) 이형 코팅의 부착을 막을 수 있다. 장벽을 만들면, 플루오로오르가노실리콘 화합물은 이형 코팅 조성물의 임의의 성분이 계면에서 반응하지 못하게 할 수 있으며, 이는 경화 및 관련 특성에 영향을 미칠 수 있다. 더욱이, 플루오로오르가노실리콘 화합물은 일반적으로 고가이다.
이형 코팅 조성물은 성분 (A) 내지 성분 (D), 뿐만 아니라 전술된 임의의 선택적 성분들을 임의의 첨가 순서로, 선택적으로 마스터 배치(master batch)를 사용하여, 그리고 선택적으로 전단 하에 조합함으로써 제조될 수 있다. 특정 실시형태에서, 이형 코팅 조성물은 성분(A) 및 (B)를 포함하거나, 대안적으로 이로 이루어진 베이스 조성물을 형성하고, 베이스 조성물을 성분(C) 및 (D)와 조합함으로써 제조된다. 하기에서 더 상세히 기술되는 바와 같이, 조성물은 1 파트 조성물, 2 성분 또는 2K 조성물, 또는 다중 파트 조성물일 수 있다. 예를 들어, 성분(A) 및 성분(B)는 이형 코팅 조성물의 단일 파트일 수 있다. 이형 코팅 조성물이 이형 코팅 또는 코팅된 기재를 제조하는 데 이용되는 경우, 하기에서 기술되는 바와 같이, 성분(A) 및 성분(B)는 이형 코팅 조성물이 경화성 조성물이 되도록 성분(C) 및 성분(D), 뿐만 아니라 임의의 선택적 성분과 조합된다. 이형 코팅 조성물이 성분(C) 및 성분(D)를 추가로 포함하는 경우, 이러한 이형 코팅 조성물은 경화성 조성물로 지칭될 수 있다.
이형 코팅 조성물을 사용하여 코팅된 기재를 제조하는 방법은 이형 코팅 조성물을 기재 상에 도포하는, 즉 배치하는 단계를 포함한다. 방법은 기재 상에 경화성 조성물을 경화시키는 단계를 추가로 포함하며, 이에 의해 기재 상에 이형 코팅이 형성되어 코팅된 기재가 제공된다. 경화는 승온, 예를 들어, 50℃ 내지 180℃, 대안적으로 50℃ 내지 120℃, 대안적으로 50℃ 내지 90℃에서 가열하여 코팅된 기재를 제공함으로써 수행될 수 있다. 당업자는 경화성 조성물 내의 성분들 및 기재 조성 또는 구성 재료의 선택을 포함하는 다양한 인자들에 따라 적절한 온도를 선택할 수 있을 것이다.
경화성 조성물은 임의의 적합한 방식으로 기재 상에 배치 또는 분배될 수 있다. 전형적으로, 경화성 조성물은 습식 코팅 기술을 통해 습식 형태로 도포된다. 경화성 조성물은 i) 스핀 코팅; ii) 브러시 코팅; iii) 드롭 코팅; iv) 스프레이 코팅; v) 딥 코팅; vi) 롤 코팅; vii) 유동 코팅; viii) 슬롯 코팅; ix) 그라비아 코팅; x) 마이어 바 코팅; 또는 xi) i) 내지 x) 중 임의의 2개 이상의 조합에 의해 도포될 수 있다. 전형적으로, 경화성 조성물을 기재 상에 배치하는 단계는 기재 상에 습윤 침착물을 생성하고, 이어서 습윤 침착물을 경화하여 코팅된 기재를 제공하며, 코팅된 기재는 기재 상의 경화성 조성물로부터 형성된 경화 필름, 즉 이형 코팅을 포함한다.
기재는 제한되지 않으며 임의의 기재일 수 있다. 경화된 필름은 상기 기재로부터 분리 가능하거나, 또는 기재의 선택에 따라 기재에 물리적 및/또는 화학적으로 결합될 수 있다. 기재는 습윤 침착물을 경화시키기 위한 일체형 핫 플레이트 또는 일체형 또는 독립형 노(furnace)를 가질 수 있다. 기재는 선택적으로 연속적이거나 비연속적인 형상, 크기, 치수, 표면 조도, 및 다른 특징을 가질 수 있다. 대안적으로, 기재는 승온에서 연화점 온도를 가질 수 있다. 그러나, 경화성 조성물 및 방법은 그렇게 제한되지 않는다.
대안적으로, 기재는 플라스틱을 포함할 수 있으며, 이는 열경화성 및/또는 열가소성일 수 있다. 그러나, 기재는 대안적으로 유리, 금속, 셀룰로오스(예를 들어, 종이), 목재, 카드보드, 판지, 실리콘, 또는 중합체 재료, 또는 이들의 조합이거나, 이를 포함할 수 있다.
적합한 기재의 구체적인 예는 종이 기재, 예를 들어 크래프트지, 폴리에틸렌 코팅된 크래프트지(PEK 코팅지), 감열지, 및 일반 종이; 중합체성 기재, 예를 들어 폴리아미드(PA); 폴리에스테르, 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리트리메틸렌 테레프탈레이트(PTT), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 및 액정 폴리에스테르; 폴리올레핀, 예를 들어 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 및 폴리부틸렌; 스티렌 수지; 폴리옥시메틸렌(POM); 폴리카보네이트(PC); 폴리메틸렌메타크릴레이트(PMMA); 폴리비닐 클로라이드(PVC); 폴리페닐렌 설파이드(PPS); 폴리페닐렌 에테르(PPE); 폴리이미드(PI); 폴리아미드이미드(PAI); 폴리에테르이미드(PEI); 폴리설폰(PSU); 폴리에테르설폰; 폴리케톤(PK); 폴리에테르케톤; 폴리비닐 알코올(PVA); 폴리에테르에테르케톤(PEEK); 폴리에테르케톤케톤(PEKK); 폴리아릴레이트(PAR); 폴리에테르니트릴(PEN); 페놀 수지; 페녹시 수지; 셀룰로오스, 예를 들어 트리아세틸셀룰로오스, 디아세틸셀룰로오스, 및 셀로판; 플루오르화 수지, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌; 열가소성 엘라스토머, 예를 들어 폴리스티렌 유형, 폴리올레핀 유형, 폴리우레탄 유형, 폴리에스테르 유형, 폴리아미드 유형, 폴리부타디엔 유형, 폴리이소프렌 유형, 및 플루오로 유형; 및 이들의 공중합체 및 조합을 포함한다.
경화성 조성물 또는 습윤 침착물은 전형적으로 승온에서 소정 기간 동안 경화된다. 이러한 기간은 전형적으로는 경화성 조성물의 경화, 즉, 가교결합을 수행하기에 충분하다. 이러한 기간은 0 초과 내지 8시간, 대안적으로 0 초과 내지 2시간, 대안적으로 0 초과 내지 1시간, 대안적으로 0 초과 내지 30분, 대안적으로 0 초과 내지 15분, 대안적으로 0 초과 내지 10분, 대안적으로 0 초과 내지 5분, 대안적으로 0 초과 내지 2분일 수 있다. 이러한 기간은 사용되는 승온, 선택된 온도, 원하는 필름 두께, 경화성 조성물 중의 임의 물 또는 비히클의 존재 또는 부재를 포함하는 다양한 인자에 의존한다.
경화성 조성물의 경화 단계는 전형적으로 0.1초 내지 50초; 대안적으로 1초 내지 10초; 대안적으로 0.5초 내지 30초의 체류 시간을 갖는다. 선택된 체류 시간은 기재 선택, 선택된 온도, 및 라인 속도에 좌우될 수 있다. 본원에서 사용되는 체류 시간은 경화성 조성물 또는 습윤 침착물이 승온으로 처리되는 동안의 시간을 지칭한다. 경화성 조성물, 습윤 침착물, 또는 그의 부분적으로 경화된 반응 중간체가 전형적으로는 경화를 개시하는 승온으로 더 이상 처리되지 않게 된 후에도 경화가 진행될 수 있기 때문에, 체류 시간은 경화 시간과는 구별된다. 대안적으로, 코팅된 물품은 오븐 내의 컨베이어 벨트 상에서 제조될 수 있으며, 체류 시간은 오븐의 길이(예를 들어, 미터 단위)를 컨베이어 벨트의 라인 속도(예를 들어, 미터/초 단위)로 나누어 계산할 수 있다.
기간은 경화 반복 단계, 예를 들어 제1 경화 단계 및 후경화 단계로 나누어질 수 있으며, 제1 경화 단계는 예를 들어 1시간이고 후경화 단계는 예를 들어 3시간이다. 승온은 이러한 반복 단계에서 실온을 초과하는 임의의 온도로부터 독립적으로 선택될 수 있으며, 각각의 반복 단계에서 동일할 수 있다.
필름 및 코팅된 기재의 두께 및 다른 치수에 따라, 코팅된 기재는 반복 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 증착물을 형성하고 제1 기간 동안 제1 승온으로 처리하여 부분 경화된 증착물을 제공할 수 있다. 이어서, 부분적으로 경화된 침착물 상에 제2 침착물을 배치하고 제2 기간 동안 제2 승온으로 처리하여 제2 부분 경화된 침착물을 제공할 수 있다. 부분 경화된 침착물은 또한 제2 기간 동안 제2 승온으로 처리하는 동안 추가로 경화될 것이다. 제2 부분 경화된 침착물 상에 제3 침착물을 배치하고 제3 기간 동안 제3 승온으로 처리하여 제3 부분 경화된 침착물을 제공할 수 있다. 제2 부분 경화된 침착물은 또한 제2 기간 동안 제2 승온으로 처리하는 동안 추가로 경화될 것이다. 이러한 공정을, 예를 들어, 1 내지 50회 반복하여, 코팅된 물품을 원하는 대로 만들 수 있다. 부분 경화된 층의 복합재는, 예를 들어, 상기 승온 및 기간으로 최종 후경화 단계로 처리될 수 있다. 각각의 승온 및 기간은 독립적으로 선택될 수 있으며, 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 물품이 반복 공정을 통해 형성되는 경우, 각각의 침착물은 또한 독립적으로 선택될 수 있으며, 경화성 조성물 중의 선택된 성분들, 그의 양, 또는 둘 모두의 관점에서 상이할 수 있다. 또한 대안적으로, 각각의 반복 층은 그러한 반복 공정에서 단지 부분적으로 경화되기보다는 완전히 경화될 수 있다.
대안적으로, 침착물은 습윤 필름을 포함할 수 있다. 대안적으로, 반복 공정은 부분 경화된 층의 경화 상태에 따라 웨트-온-웨트(wet-on-wet)일 수 있다. 대안적으로, 반복 공정은 웨트-온-드라이(wet-on-dry)일 수 있다.
기재 상에 경화성 조성물로부터 형성된 필름을 포함하는 코팅된 기재는 필름 및 기재의 상대적인 두께를 포함하는 다양한 치수를 가질 수 있다. 이러한 필름은 그의 최종 사용 용도에 따라 달라질 수 있는 두께를 갖는다. 필름은 0 초과 내지 4,000 μm, 대안적으로 0 초과 내지 3,000 μm, 대안적으로 0 초과 내지 2,000 μm, 대안적으로 0 초과 내지 1,000 μm, 대안적으로 0 초과 내지 500 μm, 대안적으로 0 초과 내지 250 μm의 두께를 가질 수 있다. 그러나, 다른 두께, 예를 들어 0.1 내지 200 μm의 두께가 고려된다. 예를 들어, 필름의 두께는 0.2 내지 175 μm; 대안적으로 0.5 내지 150 μm; 대안적으로 0.75 내지 100 μm; 대안적으로 1 내지 75 μm; 대안적으로 2 내지 60 μm; 대안적으로 3 내지 50 μm; 대안적으로 4 내지 40 μm일 수 있다. 대안적으로, 기재가 플라스틱인 경우, 필름은 0 초과 내지 200 μm, 대안적으로 0 초과 내지 150 μm, 대안적으로 0 초과 내지 100 μm의 두께를 가질 수 있다.
경우에 따라, 필름은 그의 최종 사용 용도에 따라 추가의 공정으로 처리될 수 있다. 예를 들어, 필름은 산화물 침착(예를 들어, SiO2 침착), 레지스트 침착 및 패턴화, 에칭, 화학적 처리, 코로나 처리, 또는 플라즈마 스트리핑, 금속화, 또는 금속 침착으로 처리될 수 있다. 이러한 추가 처리 기술은 일반적으로 알려져 있다. 이러한 침착은 화학 증착(저압 화학 증착, 플라즈마 강화 화학 증착, 및 플라즈마 보조 화학 증착을 포함함), 물리 증착, 또는 다른 진공 증착 기법일 수 있다. 많은 이러한 추가 처리 기술은 승온, 특히 진공 증착을 포함하며, 이 경우 필름은 그의 우수한 열 안정성을 고려하여 매우 적합하다. 그러나, 필름의 최종 용도에 따라, 필름은 이러한 추가의 처리와 함께 이용될 수 있다.
코팅된 기재는 다양한 최종 사용 용도에 이용될 수 있다. 예를 들어, 코팅된 기재는 코팅 용도, 패키징 용도, 접착제 용도, 섬유 용도, 패브릭 또는 텍스타일 용도, 건설 용도, 운송 용도, 전자기기 용도, 또는 전기 용도에 이용될 수 있다. 그러나, 이러한 경화성 조성물은, 예를 들어, 실리콘 고무와 같은 물품의 제조 시에, 코팅된 기재를 제조하는 것 이외의 다른 최종 사용 용도에 이용될 수 있다.
대안적으로, 코팅된 기재는, 예를 들어 아크릴 수지-유형 감압 접착제, 고무-유형 감압 접착제, 및 실리콘-유형 감압 접착제를 포함하는 임의의 감압 접착제, 뿐만 아니라 아크릴 수지-유형 접착제, 합성 고무-유형 접착제, 실리콘-유형 접착제, 에폭시 수지-유형 접착제, 및 폴리우레탄-유형 접착제를 포함하는, 테이프 또는 접착제를 위한 이형 라이너로서 이용될 수 있다. 기재의 각각의 주요 표면은 양면 테이프 또는 접착제용으로 그 위에 배치된 필름을 가질 수 있다.
대안적으로, 경화성 조성물이 예를 들어 이형 코팅 또는 라이너를 형성하기 위한 이형 코팅 조성물로서 제형화될 경우, 이형 코팅 조성물은 성분들을 함께 혼합하여, 예를 들어, 1 파트 조성물을 제조함으로써 제조될 수 있다. 그러나, SiH 작용기를 갖는 성분(예를 들어, (C) 오르가노실리콘 화합물) 및 (D) 하이드로실릴화 반응 촉매가 사용 시점(예를 들어, 기재에 도포되기 직전)에 이들 파트가 조합될 때까지 별개의 파트로 저장되는 다중 파트 조성물로서 이형 코팅 조성물을 제조하는 것이 바람직할 수 있다. 경화성 조성물이 이형 코팅 조성물인 경우, 이형 코팅 조성물은 전술한 바와 같이 코팅된 기재를 형성하기 위해 사용될 수 있으며, 이형 코팅은 기재 상에, 예를 들어, 기재의 표면 상에 이형 코팅 조성물을 도포하고 경화함으로써 형성된다.
예를 들어, 다중 파트 경화성 조성물은 하기를 포함할 수 있다:
파트 (A), (A) 실리케이트 수지, (B) 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기를 포함하는 오르가노폴리실록산, 및 (D) 하이드로실릴화 반응 촉매, 및 선택적으로 존재하는 경우, (F) 정착 첨가제, 및 (I) 비히클 중 하나 이상을 포함하는 베이스 파트, 및
파트 (B), (C) 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘 결합된 수소 원자를 갖는 오르가노실리콘 화합물, 및 선택적으로 존재하는 경우, (F) 정착 첨가제 및/또는 (I) 비히클을 포함하는 경화제 파트. 사용되는 경우, (E) 억제제가 파트 (A), 파트 (B), 또는 둘 모두에 첨가될 수 있다.파트 (A) 및 파트 (B)는 1:1 내지 30:1, 대안적으로 1:1 내지 10:1, 대안적으로 1:1 내지 5:1, 대안적으로 1:1 내지 2:1의 (A):(B)의 중량비로 조합될 수 있다. 파트 (A) 및 파트 (B)는, 예를 들어, 이형 코팅 조성물을 제조하기 위해 파트들을 조합하는 방법, 이형 코팅 조성물을 기재에 도포하는 방법, 및 이형 코팅 조성물을 경화시키는 방법에 대한 설명서와 함께 키트에 제공될 수 있다.
대안적으로, (F) 정착 첨가제가 존재하는 경우, 이는 파트 (A) 또는 파트 (B) 중 어느 하나에 혼입될 수 있거나 별개의 (제3) 파트에 첨가될 수 있다.
이형 코팅 조성물은, 예를 들어 분무, 닥터 블레이드, 딥핑, 스크린 인쇄와 같은 임의의 편리한 수단에 의해, 또는 롤 코팅기, 예를 들어, 오프셋 웨브 코팅기(offset web coater), 키스 코팅기(kiss coater) 또는 에칭된 실린더 코팅기에 의해 기재에 도포될 수 있다.
본 발명의 이형 코팅 조성물은 전술된 것들과 같은 임의의 기재에 도포될 수 있다. 대안적으로, 이형 코팅 조성물은 중합체 필름 기재, 예를 들어 폴리에스테르, 특히 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 또는 폴리스티렌 필름에 도포될 수 있다. 이형 코팅 조성물은 대안적으로 플라스틱 코팅된 종이, 예를 들어 폴리에틸렌으로 코팅된 종이, 글라신지(glassine), 수퍼 캘린더지(super calender paper), 또는 점토 코팅된 크래프트지를 포함하는 종이 기재에 도포될 수 있다. 이형 코팅 조성물은 대안적으로 금속 호일 기재, 예를 들어 알루미늄 호일에 도포될 수 있다.
특정 실시형태에서, 코팅된 기재의 제조 방법은 기재 상에 이형 코팅 조성물을 도포 또는 배치하기 전에 기재를 처리하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 기재의 처리는 플라즈마 처리 또는 코로나 방전 처리와 같은 임의의 편리한 수단에 의해 수행될 수 있다. 대안적으로, 기재는 프라이머를 도포함으로써 처리될 수 있다. 특정한 경우에, 이형 코팅의 정착은 이형 코팅 조성물로부터 이형 코팅을 그 위에 형성하기 전에 기재를 처리하는 경우에 개선될 수 있다.
이형 코팅 조성물이 (I) 비히클을 포함하는 경우, 방법은 (I) 비히클을 제거하는 단계를 추가로 포함할 수 있으며, 이는 (I) 비히클의 전부 또는 일부를 제거하기에 충분한 시간 동안 50℃ 내지 100℃에서 가열하는 것과 같은 임의의 통상적인 수단에 의해 수행될 수 있다. 방법은 이형 코팅 조성물을 경화시켜 기재의 표면 상에 이형 코팅을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 경화는 100℃ 내지 200℃에서의 가열과 같은 임의의 통상적인 수단에 의해 수행될 수 있다.
생산 코팅기 조건 하에서, 경화는 120℃ 내지 150℃의 공기 온도에서 1초 내지 6초, 대안적으로 1.5초 내지 3초의 체류 시간에서 달성될 수 있다 가열은 오븐, 예를 들어 공기 순환 오븐 또는 터널 노(tunnel furnace)에서 또는 코팅된 필름을 가열된 실린더 주위에 통과시킴으로써 수행될 수 있다.
하기 실시예는 본 발명을 예시하려는 의도이며, 어떠한 방식으로든 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다. 실시예에서 사용된 특정 성분들이 하기 표 1에 기재되어 있으며, 실시예에서 또한 사용되는 특성화 및 평가 절차가 뒤따른다.
[표 1]
Figure pct00003
핵 자기 공명 분광법(NMR)
핵 자기 공명(NMR) 스펙트럼은 실리콘-비함유 10 mm 튜브 및 CDCl3/Cr(AcAc)3 용매를 사용하여 NMR 브루커(BRUKER) AVIII(400 ㎒) 상에서 얻는다. 29Si-NMR 스펙트럼에 대한 화학적 변이는 내부 용매 공명을 기준으로 하여 나타내었으며, 테트라메틸실란과 대비하여 기록한다.
겔 투과 크로마토그래피(GPC)
시차 굴절계, 온라인 차동 점도계, 저각 광 산란(LALS: 15° 및 90° 검출 각도), 및 컬럼(2 PL 겔 혼합 C, 배리언(Varian))으로 구성된 삼중 검출기를 구비한 Agilent 1260 Infinity II 크로마토그래프 상에서 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 분석을 수행한다. 톨루엔(HPLC 등급, 바이오솔브(Biosolve))을 1 mL/min의 유량으로 이동 상으로서 사용한다.
절대 점도(DV: Dynamic Viscosity)
절대 점도(DV)는 25℃의 온도에서 0.5 mL의 샘플 부피를 사용하여 CPA-52Z 스핀들을 가진 브룩필드 DV-III Ultra 프로그램가능 레오미터로 측정한다.
X선 형광(XRF)
X-선 형광(XRF)은 옥스포드 인스트루먼츠(Oxford Instruments) 랩(Lab)-X 3500 벤치탑(Benchtop) XRF 분석기 상에서 수행한다.
SiOZ 함량
SiOZ 모이어티의 함량은 29Si-NMR을 통해 계산할 수 있다. 특히, 각각의 (A) 실리케이트 수지에서 하기 실록시 단위의 몰 함량을 측정한다:
W = R3SiO1/2
X1 = R2(OZ)SiO1/2
X2 = R2SiO2/2
T1= R(OZ)2SiO1/2
T2= R(OZ)SiO2/2
T3= RSiO3/2
Y1= (OZ)3SiO1/2
Y2= (OZ)2SiO2/2
Y3= (OZ)SiO3/2
Y4= SiO4/2
몰%로서의 실리콘 원자에 대한 OZ 함량은 레이블에 상응하는 피크 아래의 적분 영역에 상응하는 공식에서 각 피크에 대한 레이블을 사용하여 하기 공식으로 계산할 수 있다:
OZ 함량(mol%) = 100 x
Figure pct00004
실시예에서 R은 메틸 또는 비닐일 수 있다.
경화 성능: 추출가능한 백분율
추출가능한 퍼센트 값(추출가능한 %)을 측정함으로써 샘플 조성물의 경화 성능을 평가한다. 특히, 샘플 조성물을 기재(글라신지) 상에서 코팅하고 경화시켜 코팅된 기재를 형성하고, 이를 오직 핀셋(tweezer)에 의해서만 취급되는 3개의 샘플 디스크(다이 절단기, 1.375 인치(3.49 cm))로 즉시 절단하여 오염 및/또는 손상을 최소화한다. 각각의 샘플 디스크를 XRF를 통해 분석하여 초기 코트 중량(Wi s)을 측정한 후, 용매(메틸 이소부틸 케톤, 40 mL)를 함유하는 개별 병(100 mL, 뚜껑으로 덮임)에 넣고, 벤치(bench) 상에 놓아 30분 동안 침지시킨다. 이어서, 각각의 샘플 디스크를 병에서 제거하고, 클린 표면(티슈 페이퍼) 상에 코팅된 면이 위로 향하게 하여 잔류 용매를 (블로팅/와이핑 없이) 증발시킨 다음, XRF를 통해 분석하여 최종 코트 중량(Wf s)을 측정한다. 각각의 샘플의 추출가능한 %는 용매 침지로부터의 코트 중량에 있어서의 퍼센트 변화이며, 즉, 다음 수학식을 사용하여 계산한다: [(Wi s - Wf s) / Wi] x 100%). 추출가능한 %는 코팅된 기재로부터 추출가능한 샘플 조성물의 비경화된 성분(예를 들어, 비가교결합된 실리콘)의 양을 나타내며, 예를 들어, 더 낮은 추출가능한 %는 더 높은/더 우수한 경화 성능을 나타낸다.
경화 성능: 정착 (ROR%)
샘플 조성물의 정착은 정착 지수를 통해, 즉 문지름(rub-off) 저항 백분율(ROR%) 값을 측정함으로써 평가한다. 특히, 샘플 조성물을 기재(글라신지) 상에서 코팅하고 경화시켜 코팅된 기재를 형성한다. 경화 직후에, 코팅된 기재를 2개의 샘플 디스크(다이 절단기, 1.375 인치(3.49 cm))로 절단하고, 이들을 각각 XRF를 통해 분석하여 초기 코트 중량(Wi a)을 측정한다. 이어서, 테이버(Taber)-유형 마모 시험과 유사한 방법(예를 들어, ASTM D4060-19의 방법, 즉 "테이버 마모기에 의한 유기 코팅의 내마모성에 대한 표준 시험 방법"(Standard Test Method for Abrasion Resistance of Organic Coatings by the Taber Abraser))으로 자동 연마 장비를 사용하여 각각의 샘플 디스크를 하중(1.9 ㎏) 하에서 펠트로 연마하고, 이어서 XRF를 통해 분석하여 최종 코트 중량(Wf a)을 측정하였다. 각각의 샘플의 ROR%는 다음 수학식을 사용하여 계산한다: [Wf s / Wi s] x 100%). ROR%는 코팅이 기재에 얼마나 강하게 정착되는지를 나타내므로, 더 높은 ROR%는 더 높은/더 우수한 정착을 나타내며 ROR% 값이 더 높을수록 더 우수하다.
제조예 1: 실리케이트 수지(A1)
자기 교반봉이 장착된 2 L 플라스크에 300 g의 용매 1에 이어 300 g의 MQ 수지를 넣었다. 109.0 g의 실란 화합물 1 및 0.30 g의 촉매를 플라스크에 넣었다. 플라스크의 내용물을 질소 하에 100℃에서 교반하고, 플라스크 내의 반응의 진행을 GC를 통해 모니터링하였다. 10시간 후, 플라스크의 내용물을 23℃로 냉각한 다음, 0.5 g의 중화제를 플라스크에 넣어 촉매를 중화시켰다. 플라스크 내의 반응 생성물을 1 미크론 필터를 통해 여과하여 투명한 점성 액체를 얻었다. 회전식 증발기(roto-vap)를 통해 휘발성 물질을 제거하여 실리케이트 수지(A1)를 반응 생성물로부터 단리하였다. 실리케이트 수지(A1)는 GPC를 통해 각각 측정하였을 때 25℃에서 39,000 cP의 DV, 2,969의 중량 평균 분자량, 및 1.46의 다분산도를 갖는 무색 액체였다. (A1) 실리케이트 수지는 23.5 몰%의 SiOZ 함량 및 6.46 중량%의 비닐 함량을 가졌다.
제조예 2: 실리케이트 수지(A2)
자기 교반봉이 장착된 2 L 플라스크에 300 g의 용매 1에 이어 300 g의 MQ 수지를 넣었다. 165.0 g의 실란 화합물 1 및 0.30 g의 촉매를 플라스크에 넣었다. 플라스크의 내용물을 질소 하에 100℃에서 교반하고, 플라스크 내의 반응의 진행을 GC를 통해 모니터링하였다. 10시간 후, 플라스크의 내용물을 23℃로 냉각한 다음, 0.5 g의 중화제를 플라스크에 넣어 촉매를 중화시켰다. 플라스크 내의 반응 생성물을 1 미크론 필터를 통해 여과하여 투명한 점성 액체를 얻었다. 회전식 증발기를 통해 휘발성 물질을 제거하여 실리케이트 수지(A2)를 반응 생성물로부터 단리하였다. 실리케이트 수지(A2)는 GPC를 통해 각각 측정하였을 때 25℃에서 450 cP의 DV, 3,160의 중량 평균 분자량, 및 1.65의 다분산도를 갖는 무색 액체였다. (A2) 실리케이트 수지는 30.9 몰%의 SiOZ 함량 및 7.58 중량%의 비닐 함량을 가졌다.
제조예 3: 실리케이트 수지(A3)
자기 교반봉이 장착된 2 L 플라스크에 300 g의 용매 1에 이어 300 g의 MQ 수지를 넣었다. 217.9 g의 실란 화합물 1 및 0.30 g의 촉매를 플라스크에 넣었다. 플라스크의 내용물을 질소 하에 100℃에서 교반하고, 플라스크 내의 반응의 진행을 GC를 통해 모니터링하였다. 10시간 후, 플라스크의 내용물을 23℃로 냉각한 다음, 0.5 g의 중화제를 플라스크에 넣어 촉매를 중화시켰다. 플라스크 내의 반응 생성물을 1 미크론 필터를 통해 여과하여 투명한 점성 액체를 얻었다. 회전식 증발기를 통해 휘발성 물질을 제거하여 실리케이트 수지(A3)를 반응 생성물로부터 단리하였다. 실리케이트 수지(A3)는 GPC를 통해 각각 측정하였을 때 25℃에서 200 cP의 DV, 2,636의 중량 평균 분자량, 및 1.50의 다분산도를 갖는 무색 액체였다. (A3) 실리케이트 수지는 37.3 몰%의 SiOZ 함량 및 8.26 중량%의 비닐 함량을 가졌다.
제조예 4: 실리케이트 수지(A4)
자기 교반봉이 장착된 2 L 플라스크에 300 g의 용매 1에 이어 300 g의 MQ 수지를 넣었다. 20.16 g의 실란 화합물 1, 105.3 g의 실란 화합물 2, 및 0.30 g의 촉매를 플라스크에 넣었다. 플라스크의 내용물을 질소 하에 100℃에서 교반하고, 플라스크 내의 반응의 진행을 GC를 통해 모니터링하였다. 10시간 후, 플라스크의 내용물을 23℃로 냉각한 다음, 0.36 g의 중화제를 플라스크에 넣어 촉매를 중화시켰다. 플라스크 내의 반응 생성물을 0.45 미크론 필터를 통해 여과하여 투명한 점성 액체를 얻었다. 회전식 증발기를 통해 휘발성 물질을 제거하여 실리케이트 수지(A4)를 반응 생성물로부터 단리하였다. 실리케이트 수지(A4)는 GPC를 통해 각각 측정하였을 때 25℃에서 75.000 cP의 DV, 5,450의 중량 평균 분자량 및 1.7149의 다분산도를 갖는 무색 액체였다. (A4) 실리케이트 수지는 19.12 몰%의 SiOZ 함량 및 1.12 중량%의 비닐 함량을 가졌다.
제조예 5: 실리케이트 수지(A5)
자기 교반봉이 장착된 2 L 플라스크에 300 g의 용매 1에 이어 300 g의 MQ 수지를 넣었다. 20.2 g의 실란 화합물 1, 131.1 g의 실란 화합물 2, 및 0.30 g의 촉매를 플라스크에 넣었다. 플라스크의 내용물을 질소 하에 100℃에서 교반하고, 플라스크 내의 반응의 진행을 GC를 통해 모니터링하였다. 10시간 후, 플라스크의 내용물을 23℃로 냉각한 다음, 0.5 g의 중화제를 플라스크에 넣어 촉매를 중화시켰다. 플라스크 내의 반응 생성물을 0.45 미크론 필터를 통해 여과하여 투명한 점성 액체를 얻었다. 회전식 증발기를 통해 휘발성 물질을 제거하여 실리케이트 수지(A5)를 반응 생성물로부터 단리하였다. 실리케이트 수지(A5)는 GPC를 통해 각각 측정하였을 때 25℃에서 9,500 cP의 DV, 7,380의 중량 평균 분자량 및 1.8996의 다분산도를 갖는 무색 액체였다. (A5) 실리케이트 수지는 25.33 몰%의 SiOZ 함량 및 1.09 중량%의 비닐 함량을 가졌다.
제조예 6: 실리케이트 수지(A6)
제조예 5와 동일한 방법을 반복하였다. 실리케이트 수지(A6)는 GPC를 통해 각각 측정하였을 때 25℃에서 9,900 cP의 DV, 5,820의 중량 평균 분자량 및 1.7562의 다분산도를 갖는 무색 액체였다. (A6) 실리케이트 수지는 25.35 몰%의 SiOZ 함량 및 0.24 중량%의 비닐 함량을 가졌다.
실시예 1 내지 11:
실시예 1 내지 11은 제조예 1 내지 6에서 제조된 실리케이트 수지를 포함하는 이형 코팅 조성물이다. 각각의 실시예 1 내지 11에서, 특정 실리케이트 수지를 (B1) 오르가노폴리실록산과 조합하여 베이스 조성물을 제공하고, 각각의 특정 베이스 조성물을 억제제 1, 오르가노실리콘 화합물(C1), 및 촉매(D1)와 조합하여 이형 코팅 조성물을 제공한다. 실시예 1 내지 11의 각각의 이형 코팅 조성물은 무용매이며, 실리케이트 수지가 (B1) 오르가노폴리실록산과 혼화성이므로 임의의 용매의 부재 하에 제조된다.각각의 실시예 1 내지 11에서, SiH:SiVi 몰비는 2:1 mol:mol이며, 각각의 실시예 1 내지 11에서 총 Pt 함량은 100 ppm이다. 하기 표 2는 실시예 1 내지 11의 이형 코팅 조성물을 제조하는 데 사용된 각 성분의 상대적인 양(g)을 나타낸다.
[표 2]
Figure pct00005
비교예 1 내지 9:
비교예 1 내지 9(C.E. 1 내지 9로 표시됨)는 비교 이형 코팅 조성물이다.각각의 비교예 1 내지 9에서, SiH:SiVi 몰비는 2:1 mol:mol이며, 각각의 비교예 1 내지 9에서 총 Pt 함량은 100 ppm이다. 하기 표 3은 비교예 1 내지 9의 비교 이형 코팅 조성물을 제조하는 데 사용된 각 성분의 상대적인 양(g)을 나타낸다.
[표 3]
Figure pct00006
실시예 12 내지 실시예 22 및 비교예 10 내지 18: 코팅된 기재
실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 9의 이형 코팅 조성물을 사용하여 코팅된 기재를 제조하였다. 특히, 각각의 조성물을 기재(글라신지) 상에 코팅하고 이를 경화(출구 웹 오븐 온도: 165.56℃; 체류 시간: 28.4초)하여 코팅된 기재를 형성하고, 그의 샘플을 즉시 추출 가능 %, 즉시 ROR%, 7일 RT 노화 ROR%, 및 1개월 RT 노화 ROR%에 대해 평가한다. 7일 및 1개월 RT 노화 ROR%는 40 lb 하에 50% RH에서 설계된 시간 동안 RT에서 노화 후에 수행한다. 결과는 하기 표 4 및 5에 제시되어 있다. 표 4 및 5에서, n/a는 값을 측정하지 않았다는 것을 나타낸다. 실시예 12는 실시예 1의 조성물을 사용하고; 실시예 13은 실시예 2의 조성물을 사용하고; 실시예 14는 실시예 3의 조성물을 사용하며; 이하 동일하다. 비교예 10 내지 18과 비교예 1 내지 9의 조성물과의 상관관계에 대해서도 마찬가지이다.
[표 4]
Figure pct00007
[표 5]
Figure pct00008
180도 박리각에서, 이형력, 7일 노화 이형력, 및 1개월 노화 이형력을 다양한 속도, 즉 0.3 m/min(MPM), 10 m/min(MPM), 100 m/min(MPM), 및 300 m/min(MPM)의 속도에서 측정하였다. 40 lb 하에 RT 및 50% RH에서 Tesa 7475 표준 테이프로 적층한 후 Imass SP-2100 및 ZPE-1100W 이형 테스트 시스템을 통해 이형력을 측정하였다. 노화 이형력은 지정된 시간 동안 40 lb 하에 RT 및 50% RH에서 노화시킴으로써 측정한다. 값들이 아래 표 6 내지 8에 나타나 있다. 표 6 내지 8에서, TH는 이형력이 측정하기에는 너무 높다는 것을 나타내며, n/a는 측정을 수행하지 않았음을 나타낸다.
[표 6]
Figure pct00009
[표 7]
Figure pct00010
[표 8]
Figure pct00011
실시예 23 내지 25
실시예 23 내지 25는 제조예 1 내지 3에서 제조된 실리케이트 수지를 포함하는 추가의 이형 코팅 조성물이다. 각각의 실시예 23 내지 25에서, 특정 실리케이트 수지를 (B1) 오르가노폴리실록산과 조합하여 베이스 조성물을 제공하고, 각각의 특정 베이스 조성물을 억제제 1, 오르가노실리콘 화합물(C1), 및 촉매(D1)와 조합하여 이형 코팅 조성물을 제공한다. 실시예 23 내지 25의 각각의 이형 코팅 조성물은 무용매이며, 실리케이트 수지가 (B1) 오르가노폴리실록산과 혼화성이므로 임의의 용매의 부재 하에 제조된다. 하기 표 9는 실시예 23 내지 25의 이형 코팅 조성물을 제조하는 데 사용된 각 성분의 상대적인 양(g)을 나타낸다.
[표 9]
Figure pct00012
비교예 19 및 20:
비교예 19 및 20(C.E. 19 및 20으로 표시됨)는 비교 이형 코팅 조성물이다. 하기 표 10은 비교예 19 및 20의 비교 이형 코팅 조성물을 제조하는 데 사용된 각 성분의 상대적인 양(g)을 나타낸다.
[표 10]
Figure pct00013
실시예 26 내지 28 및 비교예 21 및 22:
실시예 23 내지 25 및 비교예 19 및 20의 이형 코팅 조성물을 사용하여 코팅된 기재를 제조하였다. 특히, 각각의 조성물을 기재(글라신지) 상에 코팅하고 이를 경화(출구 웹 오븐 온도: 165.56℃; 체류 시간: 11초)하여 코팅된 기재를 형성하고, 그의 샘플을 즉시 추출 가능 %, 즉시 ROR%, 및 180도 박리각에서 다양한 속도, 즉 0.3 m/min(MPM), 10 m/min(MPM), 100 m/min(MPM), 및 300 m/min(MPM)의 속도에서의 이형력에 대해 평가한다. 50분 노화 후 40 lb 하에 RT 및 50% RH에서 Tesa 7475 표준 테이프로 적층한 후 Imass SP-2100 및 ZPE-1100W 이형 테스트 시스템을 통해 이형력을 측정하였다. 결과는 하기 표 11에 나타나 있다. 실시예 26은 실시예 23의 조성물을 사용하고; 실시예 27은 실시예 24의 조성물을 사용하며; 실시예 28은 실시예 25의 조성물을 사용한다. 비교예 21 및 22와 비교예 19 및 20의 조성물에 대해서도 동일한 상관관계를 적용한다.
[표 11]
Figure pct00014
용어의 정의 및 사용
본 명세서에 사용된 약어는 하기 표 12에서의 정의를 갖는다.
[표 12]
Figure pct00015
첨부된 청구범위는 상세한 설명에서 기술된 명확하고 특정한 화합물, 조성물, 또는 방법에 국한되지 않으며, 이들은 첨부된 청구범위의 범주 내에 속하는 특정 실시형태들 사이에서 변경될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.

Claims (17)

  1. 이형 코팅 조성물을 형성하기 위한 베이스 조성물로서:
    (A) 임의의 용매의 부재 하에 25℃에서 액체인 실리케이트 수지 - 상기 (A) 실리케이트 수지는 분자당 평균 적어도 하나의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기를 포함함 -;
    (B) 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기를 포함하는 오르가노폴리실록산을 포함하며;
    여기서, 상기 (A) 실리케이트 수지는 임의의 용매의 부재 하에 상기 (B) 오르가노폴리실록산과 혼화성인, 베이스 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 (A) 실리케이트 수지는 하기의 평균 화학식을 갖는, 베이스 조성물:
    [W]a[X]b[Y]c,
    상기 식에서, 0<a<1; 0<b<1; 및 0<c<1이나; 단, a+b+c=1이고;
    [W]는 [R3SiO1/2]이며, 여기서 각각의 R은 독립적으로 선택된 하이드로카빌 기이고;
    [X]는 [R2SiO1/2(OZ)]b'[R2SiO2/2]b''이며, 여기서 각각의 R은 독립적으로 선택되고 상기에서 정의된 바와 같으며; 0≤b'≤b이고; 0≤b"≤b이나; 단, b'+b"=b이며; 각각의 Z는 독립적으로 H, 알킬기, 또는 양이온이고;
    [Y]는 [Si(OZ)c'O4-c'/2]이며, 여기서 각각의 Z는 독립적으로 선택되고 상기에서 정의된 바와 같으며, 아래첨자 c'는 0 내지 3의 정수이고 (A) 실리케이트 수지에서 아래첨자 c로 표시되는 각각의 실록시 단위에서 독립적으로 선택되나;
    단, R 중 적어도 하나는 에틸렌계 불포화 기이다.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 임의의 유기 용매가 실질적으로 없는, 베이스 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 아래첨자 a는 0.15 내지 0.40이고; 아래첨자 b는 0.10 내지 0.40이며; 아래첨자 c는 0.35 내지 0.60인, 베이스 조성물.
  5. 제2항에 있어서, 아래첨자 a는 0.25 내지 0.35이고; 아래첨자 b는 0.15 내지 0.30이며; 아래첨자 c는 0.40 내지 0.55인, 베이스 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (B) 오르가노폴리실록산은: (i) 적어도 하나의 M 실록시 단위에 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기를 포함하는 선형 또는 분지형 오르가노폴리실록산이거나; 또는 (ii) 화학식 (R2 yR1 3-ySiO1/2)x(R1 R2SiO2/2)z(SiO4/2)를 가지며, 여기서, 각각의 R1은 에틸렌성 불포화가 없는 독립적으로 선택된 하이드로카빌기이고; 각각의 R2는 R1 및 에틸렌계 불포화 기로부터 독립적으로 선택되고, 아래첨자 y는 아래첨자 x로 표시되는 각각의 실록시 단위에서 독립적으로 선택되며, 1 또는 2이고; 각각의 아래첨자 x는 1.5 내지 6이며; 아래첨자 z는 3 내지 1,000인, 베이스 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 성분 (A)는: (i) 각각의 분자 내의 Si의 총 몰수를 기준으로 12 내지 80 퍼센트의 SiOZ 모이어티의 몰 퍼센트를 갖고, 여기서 Z는 H, 알킬기, 또는 양이온으로부터 독립적으로 선택되고; (ii) 성분(A)의 총 중량을 기준으로 0 초과 내지 10의 실리콘-결합된 에틸렌계 불포화 기의 중량 퍼센트를 갖거나; 또는 (iii) (i) 및 (ii) 모두를 갖는, 베이스 조성물.
  8. 이형 코팅 조성물로서:
    제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 베이스 조성물;
    (C) 적어도 2개의 실리콘-결합된 수소 원자를 갖는 오르가노실리콘 화합물;
    (D)하이드로실릴화 촉매; 및
    선택적으로, (E) 억제제를 포함하는, 이형 코팅 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 상기 (C) 오르가노실리콘 화합물은 분자당 평균 적어도 2개의 펜던트 실리콘-결합된 수소 원자를 포함하는 오르가노하이드로겐실록산을 포함하는, 이형 코팅 조성물.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 (C) 오르가노실리콘 화합물은 화학식 Hy'R1 3-y'Si-(OSiR1 2)m-(OSiR1H)m'-OSiR1 3-y'Hy'를 가지며, 여기서 각각의 R1은 에틸렌성 불포화가 없는 독립적으로 선택된 하이드로카빌기이고, 각각의 y'는 0 또는 1로부터 독립적으로 선택되고, 아래첨자 m 및 m'는 각각 0 내지 1,000이나, 단, m 및 m'는 동시에 0이 아니며, m+m'는 1 내지 1,000인, 이형 코팅 조성물.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 각각 이형 코팅 조성물의 총 중량을 기준으로, 상기 성분(A)는 10 내지 60 중량 퍼센트의 양으로 존재하고, 상기 성분(B)는 20 내지 80 중량 퍼센트의 양으로 존재하며, 상기 성분 (C)는 2 내지 40 중량 퍼센트의 양으로 존재하는, 이형 코팅 조성물.
  12. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항의 이형 코팅 조성물을 제조하는 방법으로서:
    성분 (A) 및 (B)를 조합하여 베이스 조성물을 제공하는 단계; 및
    상기 베이스 조성물을 성분 (C) 및 (D)와 조합하여 이형 코팅 조성물을 제공하는 단계를 포함하는, 방법.
  13. 제12항에 있어서, 고체 실리케이트 수지로부터 상기 (A) 실리케이트 수지를 형성하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 임의의 용매가 없으며, 상기 혼합물에 임의의 용매가 실질적으로 없도록 상기 성분 (A) 및 (B)를 조합하는, 방법.
  15. 코팅된 기재를 형성하는 방법으로서:
    조성물을 기재 상에 도포하는 단계; 및
    상기 조성물을 경화시켜 상기 기재 상에 이형 코팅을 제공함으로써 상기 코팅된 기재를 형성하는 단계를 포함하며;
    상기 조성물은 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항의 이형 코팅 조성물인, 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 기재는 셀룰로오스 및/또는 중합체를 포함하는, 방법.
  17. 제15항 또는 제16항의 방법에 따라 형성되는, 코팅된 기재.
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