KR20220111191A

KR20220111191A - 하전 입자 빔 장치 및 하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법

Info

Publication number: KR20220111191A
Application number: KR1020220010557A
Authority: KR
Inventors: 아키오 야마모토; 웬 리; 히로시 오이누마; 슌스케 미즈타니; 스케 미즈타니
Original assignee: 주식회사 히타치하이테크
Priority date: 2021-02-01
Filing date: 2022-01-25
Publication date: 2022-08-09
Also published as: JP7441809B2; US20220246392A1; US11848171B2; JP2022117643A

Abstract

본 발명은 특성 편차나 노이즈의 영향을 고정밀도로 보정할 수 있는 하전 입자 빔 장치 및 하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
과제의 해결 수단으로서, 제어부(122a, 122b)는, 일차 전자 빔(102)을 조사시키지 않은 상태에서, 복수 채널마다의 제어 파라미터의 설정값을 사용하여, 검출기(106a, 106b) 및 신호 처리 회로(121a, 121b)에 있어서의 복수 채널간의 특성 편차를 보정하는 제1 캘리브레이션을 실행한다. 또한, 제어부(122a, 122b)는, 일차 전자 빔(102)을 조사시킨 상태에서, 복수 채널마다의 제어 파라미터의 설정값을 사용하여, 신틸레이터(105a, 105b) 등에 있어서의 복수 채널간의 특성 편차를 보정하는 제2 캘리브레이션을 실행한다.

Description

하전 입자 빔 장치 및 하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법{CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS AND CALIBRATION METHOD THEREFOR}

본 발명은, 하전 입자 빔 장치 및 하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법에 관한 것으로, 예를 들면 하전 입자 빔을 조사함으로써 시료로부터 방출되는 하전 입자를 검출하고, 해당 하전 입자에 기초한 화상을 형성하는 기술에 관한 것이다.

하전 입자 빔 장치의 하나로서, 반도체 디바이스의 평가·계측에서 사용되는 주사 전자 현미경(SEM)이 알려져 있다. SEM을 사용한 계측에 있어서, 시료에 일차 전자 빔을 조사하면, 전자와 시료의 상호 작용에 의해 다양한 에너지를 가진 신호 전자가 다양한 방향으로 출사한다. 신호 전자는, 주로 이차 전자(SE: Secondary Electron)와 반사 전자(BSE: Back Scattered Electron)로 구별된다. 예를 들면, 이차 전자는 50 eV 이하 등의 에너지로 출사하는 신호 전자이고, 반사 전자는 해당 에너지보다 크고 일차 전자 빔에 가까운 에너지로 출사하는 신호 전자이다.

이러한 하전 입자 빔 장치에 관한 기술로서, 비특허문헌 1에는 이차 전자가 시료의 표면 형상이나 전위 포텐셜에 민감하다는 것이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 1에는 반사 전자를 검출하는 복수의 BSE 검출기를 사용한 구성이 나타나 있다.

미국 특허 출원 공개 제2019/0088444호 명세서

L. Reimer, Scanning Electron Microscopy(1998, Springer)

최근, 반도체 디바이스의 구조는 미세화, 3D화가 진행되고 있고, 반도체 디바이스 제조사 등의 고객이 요구하는 평가치가 다양화되고 있다. 특히, 디바이스 구조의 3D 화에 따라, 수율 향상을 위해 반도체 기판 상의 구멍이나 홈 형상의 저부(底部) 치수를 고정밀도로 계측하고자 하는 요구가 높아지고 있다.

이러한 가운데, 신호 전자의 하나인 이차 전자를 검출하는 방식은, 반도체 디바이스 구조의 패턴 폭 등의 표면 구조의 치수 계측에는 유익하지만, 구멍·홈 등의 3D 구조에 대해서는 부적절하다. 이것은, 이차 전자는, 예를 들면 측벽에 흡수되는 것 등에 의해 구멍·홈으로부터 탈출할 수 없기 때문이다.

한편, 반사 전자는 시료의 조성이나 입체 형상의 정보를 포함하고 있고, 3D 구조나, 표면과 저부의 조성의 차이 등의 정보를 포함하고 있다. 또한, 반사 전자는 높은 에너지를 갖기 때문에, 구멍·홈으로부터 측벽을 관통하여 탈출할 수 있다. 이 때문에, 신호 전자의 다른 하나인 반사 전자를 검출하는 방식은 구멍·홈 구조의 저부를 포함한 3D 구조의 계측에 유익하다. 또한, 시료로부터 방출되는 신호 전자는 출사 에너지와 출사 각도에 따라 시료에 관한 상이한 정보를 갖고 있어, 신호 전자의 변별 검출이 다양한 계측에 필수적이다. 이 때문에, 예를 들면 특허문헌 1과 같이, 복수의 BSE 검출기를 사용하는 것이 유익해진다.

그러나, 특히, 복수의 BSE 검출기를 사용하는 장치에서는, 신호 처리부에 있어서의 특성 편차나, 광학 부품에 있어서의 특성 편차가 문제가 될 수 있다. 신호 처리부에 있어서의 특성 편차로서, BSE 검출기의 편차, 각 BSE 검출기의 검출 신호를 처리하는 신호 처리 회로의 편차, BSE 검출기의 전원 편차 등을 들 수 있다. 광학 부품에 있어서의 특성 편차로서, 전자·광 변환기(신틸레이터), 라이트 가이드 등의 편차를 들 수 있다.

이들 특성 편차는 SEM의 측장(測長) 성능 등에 영향을 준다. 또한, BSE 검출기로서 사용되는 Photomul(포토멀)이나 반도체 광 검출기는 입사 포톤이 없는 경우에도 노이즈의 하나인 암전류(다크 펄스)를 발생하여, SEM의 검출 화상의 S/N을 저하시킨다. 이 때문에, SEM의 검출 화상을 상세하고 고정밀도로 해석하기 위해서는, 특성 편차나 노이즈의 영향을 고정밀도로 보정하는 구조가 요구된다.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적 중 하나는 특성 편차나 노이즈의 영향을 고정밀도로 보정할 수 있는 하전 입자 빔 장치 및 하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 상기 및 다른 목적과 신규한 특징은 본 명세서의 설명 및 첨부 도면으로부터 명백해질 것이다.

본원에서 개시되는 실시형태 중 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면 다음과 같다.

본 발명의 대표적인 실시형태에 따른 하전 입자 빔 장치는, 복수 채널의 검출계와, 복수 채널의 검출계의 특성을 제어 파라미터의 설정값을 사용하여 제어하는 제어부를 갖는다. 복수 채널의 검출계의 각각은, 하전 입자 빔의 조사에 따라 시료로부터 방출되는 하전 입자를 검출하는 검출기와, 검출기의 전단에 배치되는 광학 부품과, 검출기로부터의 검출 신호를 처리하는 신호 처리 회로를 갖는다. 제어부는, 하전 입자 빔을 조사시키지 않은 상태에서, 복수 채널마다의 제어 파라미터의 설정값을 사용하여, 검출기 및 신호 처리 회로에 있어서의 복수 채널간의 특성 편차를 보정하는 제1 캘리브레이션을 실행한다. 또한, 제어부는, 하전 입자 빔을 조사시킨 상태에서, 복수 채널마다의 제어 파라미터의 설정값을 사용하여, 광학 부품에 있어서의 복수 채널간의 특성 편차를 보정하는 제2 캘리브레이션을 실행한다.

본원에서 개시되는 발명 중, 대표적인 실시형태에 의해 얻어지는 효과를 간단히 설명하면, 하전 입자 빔 장치에 있어서의 특성 편차나 노이즈의 영향을 고정밀도로 보정하는 것이 가능해진다.

도 1은 본 발명의 실시형태 1에 따른 하전 입자 빔 장치에 있어서, 주요부의 구성예를 나타내는 개략도이다.
도 2는 도 1의 하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 3a는 본 발명의 실시형태 2에 따른 하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법에 있어서, 도 2의 캘리브레이션 [1]의 상세 내용의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 3b는 본 발명의 실시형태 2에 따른 하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법에 있어서, 도 2의 캘리브레이션 [2]의 상세 내용의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 4는 도 3a의 캘리브레이션에서 사용되는 신호 진폭 히스토그램의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5a는 도 3b에 있어서의 로드 레귤레이션(load regulation) 보정의 내용을 설명하는 도면이다.
도 5b는 도 3b에 있어서의 로드 레귤레이션 보정의 내용을 설명하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시형태 3에 따른 하전 입자 빔 장치에 있어서, 도 1의 화면 표시부의 표시 내용의 일례를 나타내는 도면이다.

이하, 본 발명의 다양한 실시형태를 도면에 따라 순차적으로 설명한다. 이하의 실시형태에 있어서는, 하전 입자 빔 장치가 전자 빔을 사용하는 주사 전자 현미경(SEM)인 경우를 예로 한다. 단, 하전 입자 빔 장치는, 주사 전자 현미경(SEM)에 한정되지 않고, 예를 들면 이온 빔을 사용하는 이온 현미경 등이어도 되고, CT(Computed Tomography) 장치 등의 X선을 사용하는 검사 장치여도 된다.

(실시형태 1)

《하전 입자 빔 장치의 구성》

도 1은 본 발명의 실시형태 1에 따른 하전 입자 빔 장치에 있어서, 주요부의 구성예를 나타내는 개략도이다. 도 1에 나타내는 하전 입자 빔 장치(10)는 전자 현미경 본체(11)와, 신호 처리부(12)와, 화면 표시부(13)를 구비한다. 전자 현미경 본체(11)는 진공 환경을 구축하기 위한 칼럼(100)을 구비한다. 칼럼(100)의 내부에는 전자총(101)이 배치된다. 전자총(101)으로부터 방출된 일차 전자 빔(102)은 일차 전자 빔 광축을 따라 비행한다. 편향기(104)는 전자총(101)으로부터의 일차 전자 빔(102)의 궤도를 조정하고, 대물 렌즈(107)는 궤도 조정된 일차 전자 빔(102)을 시료 스테이지(111)에 설치된 시료(109)에 수속시킨다.

시료(109)에는, 시료 스테이지(111)를 통해 음 전압이 인가되어 있다. 이 때문에, 일차 전자 빔(102)은 전자총(101)으로부터 방출되었을 때의 에너지보다 작은 에너지로 시료(109)에 충돌한다. 시료(109)는 해당 일차 전자 빔(102)의 조사에 따라 신호 전자를 방출한다. 신호 전자에는, 반사 전자(108)와 이차 전자(103)가 포함된다. 신호 전자는 각각의 출사 에너지, 출사 각도에 따라 칼럼(100) 내를 비행한다. 또한, 일차 전자 빔(102)은 하전 입자 빔의 하나이고, 신호 전자는 하전 입자의 하나이다.

또한, 도 1의 하전 입자 빔 장치(10)는 복수 채널(이 예에서는 2 채널)의 검출계를 구비한다. 채널 A의 검출계는 광학 부품인 신틸레이터(105a)와, 검출기(106a)와, 신호 처리 회로(121a)를 구비하고, 마찬가지로, 채널 B의 검출계는 광학 부품인 신틸레이터(105b)와, 검출기(106b)와, 신호 처리 회로(121b)를 구비한다. 신틸레이터(105a, 105b) 및 검출기(106a, 106b)는 칼럼(100)의 내부에 배치되고, 신호 처리 회로(121a, 121b)는 신호 처리부(12) 내에 설치된다.

신틸레이터(105a, 105b)는 검출기(106a, 106b)의 전단에 배치되고, 시료(109)로부터의 반사 전자(108)가 입사되었을 때에 반사 전자(108)를 광으로 변환한다. 검출기(106a, 106b)는, 예를 들면 SiPM(Silicon PhotoMultiplier), MPPC(Multi Pixel Photon Counter), APD(Avalanche Photo Diode), 또는 PMT(PhotoMultiplier Tube) 등이다. 검출기(106a, 106b)는 신틸레이터(105a, 105b)로부터의 광을 전기 신호인 검출 신호(DSa, DSb)로 변환하고, 검출 신호(DSa, DSb)를 허메틱(hermetic)(110)을 통해 출력한다.

신호 처리부(12)는 신호 처리 회로(121a, 121b)에 더하여, 검출기용의 바이어스 전원(120a, 120b)과, 제어부(122a, 122b)와, 메모리(123)와, 화상 처리부(124)를 구비한다. 메모리(123)는, 예를 들면 RAM(Random Access Memory)과, 비휘발성 메모리의 조합에 의해 구성된다. 신호 처리 회로(121a, 121b)는 검출기(106a, 106b)로부터의 검출 신호(DSa, DSb)를 처리한다. 바이어스 전원(120a, 120b)은 허메틱(110)을 통해 검출기(106a, 106b)에 바이어스 전압(VBa, VBb)을 공급함으로써 검출기(106a, 106b)의 이득을 조정한다.

신호 처리 회로(121a, 121b)는, 예를 들면 아날로그 디지털 변환기와, 그 후단에 설치되는 증폭기, 가변 이득 증폭기, 필터, 승산기, 가산기, 감산기, 클램프 회로 등을 구비한다. 즉, 신호 처리 회로(121a, 121b)는, 이 예에서는, 디지털 처리에 의해 증폭 등의 처리를 행한다.

제어부(122a)는 채널 A의 검출계의 특성, 상세하게는 검출기(106a) 및 신호 처리 회로(121a)의 특성을 제어 파라미터의 설정값을 사용하여 제어한다. 제어 파라미터의 설정값에는, 검출기(106a) 및 신호 처리 회로(121a)에 대한 이득과 오프셋값과, 검출기(106a)로부터의 다크 펄스를 제거하기 위한 임계값과, 로드 레귤레이션 보정값이 포함된다. 이들 각 제어 파라미터의 설정값의 크기는 파라미터 제어 신호에 의해 결정된다.

파라미터 제어 신호에는, 이득 조정 신호(GAa), 노이즈 제거 신호(NRa)와, 진폭 보정 신호(AMCa)와, 오프셋 조정 신호(OFa)와, 바이어스 제어 신호(BCa)가 포함된다. 바이어스 제어 신호(BCa)는 바이어스 전원(120a, 120b)을 통해 바이어스 전압(VBa, VBb)의 값, 더 나아가서는 검출기(106a, 106b)의 이득을 조정하기 위한 신호이다. 이득 조정 신호(GAa)는 신호 처리 회로(121a)의 이득, 더 나아가서는 화상의 밝기 등을 조정하기 위한 신호이다.

노이즈 제거 신호(NRa)는 검출기(106a)로부터의 다크 펄스를 포함하는 노이즈를 제거하기 위한 임계값, 즉 노이즈 성분과 신호 성분을 구별하는 임계값을 조정하기 위한 신호이다. 진폭 보정 신호(AMCa)는 로드 레귤레이션에 의해 발생하는 진폭 편차를 보정하기 위한 신호이며, 예를 들면 로드 레귤레이션 보정값인 보정 계수 등을 조정하기 위한 신호이다. 오프셋 조정 신호(OFa)는 신호 처리 회로(121a)의 오프셋값, 더 나아가서는 화상의 콘트라스트 등을 조정하기 위한 신호이다.

마찬가지로, 제어부(122b)는 채널 B의 검출계의 특성, 상세하게는 검출기(106b) 및 신호 처리 회로(121b)의 특성을 제어 파라미터의 설정값을 사용하여 제어한다. 해당 제어 파라미터의 설정값을 결정하기 위한 파라미터 제어 신호에는, 이득 조정 신호(GAb)와, 노이즈 제거 신호(NRb)와, 진폭 보정 신호(AMCb)와, 오프셋 조정 신호(OFb)와, 바이어스 제어 신호(BCb)가 포함된다.

화상 처리부(124)에는, 신호 처리 회로(121a, 121b)로부터의 출력 신호(OTa, OTb)가 입력된다. 출력 신호(OTa, OTb)는 연속 신호여도 되고, 신호 진폭 히스토그램(도 4 참조)으로 나타내지는 이산 신호여도 된다. 화상 처리부(124)는 신호 처리 회로(121a, 121b)로부터의 출력 신호(OTa, OTb)에 기초하여, 단위 시간마다의, 환언하면 화소마다의 계조값을 구함으로써 시료(109)의 형상을 나타내는 화상을 생성한다.

또한, 화상 처리부(124)는 각 화소의 계조값의 도수(度數) 분포, 즉 화소 계조 히스토그램을 작성하여 화상의 휘도값이나 콘트라스트값 등을 구한다. 화상 처리부(124)는 이러한 처리에 의해 생성된 데이터를 화상 데이터(129)로서 메모리(123)에 보존한다. 화상 데이터(129)에는, 상세는 후술하지만, 시료(109)를 대상으로 취득한 화상, 화소 계조 히스토그램, 휘도값, 콘트라스트값 등의 데이터에 더하여, 무신호시의 각종 데이터도 포함된다. 또한, 메모리(123)는 화상 처리부(124)로부터 입력된 화상 데이터(129)에 더하여, 제어부(122a, 122b)로부터 입력된 제어 파라미터의 설정값(125a, 125b)을 화상 데이터(129)의 부속 데이터로서 기억한다.

화면 표시부(13)는, 예를 들면 GUI(Graphical User Interface) 등이며, 메모리(123)에 보존된 장치 데이터(128)를 화상 및 텍스트로서 화면 상에 표시한다. 장치 데이터(128)에는, 화상 데이터(129)와, 화상 데이터(129)에 부속하는 제어 파라미터의 설정값(125a, 125b)이 포함된다.

또한, 도 1에 있어서의 제어부(122a, 122b) 및 화상 처리부(124)는, 대표적으로는, 메모리(123)에 보존된 프로그램을 CPU(Central Processing Unit), GPU(Graphics Processing Unit), DSP(Digital Signal Processor) 등의 프로세서가 실행함으로써 실현된다. 도 1에 있어서의 신호 처리 회로(121a, 121b)는, 대표적으로는, 아날로그 디지털 변환기와, 프로세서에 의한 프로그램 처리의 조합에 의해 실현된다.

단, 제어부(122a, 122b) 및 화상 처리부(124)는, 이러한 소프트웨어에 한정되지 않고, FPGA(Field Programmable Gate Array)나 ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 등의 하드웨어로 실현되어도 되고, 하드웨어와 소프트웨어의 조합으로 실현되어도 된다. 또한, 신호 처리 회로(121a, 121b)의 일부가 FPGA나 ASIC 등의 하드웨어로 구성되어도 되고, 신호 처리 회로(121a, 121b)가 모두 아날로그 회로로 구성되어도 된다.

여기서, 도 1의 신호 처리부(12)는, 대표적으로는, 마이크로컨트롤러 등이 실장된 배선 기판 등으로 구성된다. 이 경우, 신호 처리 회로(121a, 121b), 제어부(122a, 122b) 및 화상 처리부(124)는 신호 처리 회로(121a, 121b) 내의 아날로그 디지털 변환기를 포함하여 해당 마이크로컨트롤러 등에 탑재될 수 있다. 또한, 메모리(123)도 해당 마이크로컨트롤러 등에 탑재될 수 있다. 도 1의 화면 표시부(13)는, 예를 들면 액정 디스플레이 등을 대표로 하는 일반적인 디스플레이에 의해 구성된다.

《하전 입자 빔 장치의 개략 동작》

도 2는 도 1의 하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다. 도 2의 단계 S1에 있어서, 소정의 반송 장치 등은 시료(109)인 반도체 웨이퍼를 칼럼(100) 내에 마련되는 시료 스테이지(111) 상에 설치한다. 그리고, 하전 입자 빔 장치(10)는, 예를 들면 시료 스테이지(111)를 이동시키는 것 등으로 반도체 웨이퍼를 얼라인먼트한다.

계속해서, 단계 S2에 있어서, 편향기(104) 등은 전자총(101)으로부터 방출되는 일차 전자 빔(102)의 조사 위치를 시료(109) 상의 계측점으로 이동시킨다. 다음으로, 단계 S3에 있어서, 하전 입자 빔 장치(10)는 블랭킹에 의해 일차 전자 빔(102)을 차단한다. 그리고, 단계 S4에 있어서, 제어부(122a, 122b)는 단계 S3에 따라 일차 전자 빔(102)을 조사시키지 않은 상태에서, 환언하면, 무신호 상태에서 캘리브레이션 [1]을 실행한다.

캘리브레이션 [1]에 있어서, 제어부(122a, 122b)는, 개략적으로는, 복수 채널마다의 제어 파라미터의 설정값을 사용하여, 검출기(106a, 106b) 및 신호 처리 회로(121a, 121b)에 있어서의 복수 채널간의 특성 편차를 보정한다. 또한, 제어부(122a, 122b)는, 캘리브레이션 [1]의 결과로서, 화상 처리부(124)를 통해 생성된 복수 채널마다의 무신호 화상과, 해당 무신호 화상에 따른 제어 파라미터의 설정값을 캘리브레이션 [1]에 따른 장치 데이터(128)로서 메모리(123)에 보존한다.

계속해서, 단계 S5에 있어서, 하전 입자 빔 장치(10)는 블랭킹을 해제한다. 그리고, 단계 S6에 있어서, 제어부(122a, 122b)는 단계 S5에 따라 일차 전자 빔(102)을 조사시킨 상태에서, 캘리브레이션 [2]를 실행한다. 캘리브레이션 [2]에 있어서, 제어부(122a, 122b)는, 개략적으로는, 복수 채널마다의 제어 파라미터의 설정값을 사용하여, 특히, 광학 부품인 신틸레이터(105a, 105b)에 있어서의 복수 채널간의 특성 편차를 보정한다.

또한, 제어부(122a, 122b)는, 캘리브레이션 [2]의 결과로서, 화상 처리부(124)를 통해서 생성된 복수 채널마다의 측장 화상과, 해당 측장 화상에 따른 제어 파라미터의 설정값을 캘리브레이션 [2]에 따른 장치 데이터(128)로서 메모리(123)에 보존한다. 또한, 캘리브레이션 [1] 및 캘리브레이션 [2]에 따른 각 장치 데이터(128)는 화면 표시부(13)에서 표시할 수 있다. 또한, 제어부(122a, 122b)는 해당 각 장치 데이터(128)를 장치 외부로 출력해도 된다. 구체적으로는, 예를 들면 장치 제조사는 각 장치 데이터(128)를 하전 입자 빔 장치(10)의 사용자에게 제공해도 된다.

다음으로, 단계 S7에 있어서, 하전 입자 빔 장치(10)는 다른 계측점이 있는지의 여부를 판정하고, 다른 계측점이 있는 경우에는 단계 S2로 되돌아가 마찬가지의 처리를 반복한다. 캘리브레이션 [1] 및 캘리브레이션 [2]는, 예를 들면 계측점마다, 일차 전자 빔(102)을 조사 유무에 관계없이 적절히 주사하면서 행해진다. 이 때에는, 기점으로 되는 계측점을 복수 결정할 수 있다.

이러한 캘리브레이션 방법을 사용함으로써, 특성 편차나 노이즈의 영향을 고정밀도로 보정하는 것이 가능해진다. 비교예로서, 실시형태 1과 같은 2 단계의 캘리브레이션이 아니라, 일차 전자 빔(102)을 조사한 상태에서 각 채널의 검출계 전체를 대상으로 1 단계의 캘리브레이션을 행하는 경우를 상정한다. 이 경우, 검출계 전체에 포함되는 다양한 편차 요인이 복수의 제어 파라미터에 대하여 복잡하게 영향을 미칠 수 있다. 그 결과, 복수의 제어 파라미터의 설정값을 적절하게 결정하는 것이 곤란해지고, 캘리브레이션 정밀도가 저하할 우려가 있다.

한편, 실시형태 1과 같은 2 단계의 캘리브레이션을 사용하면, 단계 S4에 의해, 검출계 전체 중에서 검출기(106a, 106b) 및 신호 처리 회로(121a, 121b)의 편차 요인을 대상으로 하여, 복수 채널간의 특성 편차를 보정할 수 있다. 그리고, 단계 S4에 의해 얻어진 제어 파라미터의 설정값을 반영시키고 나서, 즉, 검출기(106a, 106b) 및 신호 처리 회로(121a, 121b)의 특성 편차를 없애고 나서, 단계 S6이 행해진다.

단계 S6에서는, 검출계 전체의 편차 요인, 실질적으로는, 검출계 전체 중에서 검출기(106a, 106b)에 의해 전단에 배치되는 신틸레이터(105a, 105b) 등의 광학 부품의 편차 요인을 대상으로 하여, 복수 채널간의 특성 편차를 재차 보정할 수 있다. 그 결과, 적절한 제어 파라미터의 설정값을 용이하게 얻을 수 있게 되어, 캘리브레이션의 정밀도를 높이는 것이 가능해진다.

《실시형태 1의 주요 효과》

이상, 실시형태 1의 방식을 사용함으로써, 대표적으로는, 특성 편차나 노이즈의 영향을 고정밀도로 보정하는 것이 가능해진다. 그 결과, 양호한 SEM의 검출 화상을 얻을 수 있고, 계측 정밀도의 향상 등이 도모된다. 또한, 2 단계의 캘리브레이션으로 취득한 장치 데이터(128)를 하전 입자 빔 장치(10)의 사용자에게 제공함으로써, 사용자는 오프라인으로 화상의 상세 해석을 행하는 것이 가능해진다. 또한, 이 예에서는, 복수 채널의 검출계를 갖는 구성을 예로 들었지만, 노이즈의 영향을 보정하는 관점에서는, 1 채널의 검출계를 갖는 구성이어도 된다.

(실시형태 2)

《하전 입자 빔 장치의 상세 동작》

도 3a는 본 발명의 실시형태 2에 따른 하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법에 있어서, 도 2의 캘리브레이션 [1]의 상세 내용의 일례를 나타내는 흐름도이다. 도 3b는 본 발명의 실시형태 2에 따른 하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법에 있어서, 도 2의 캘리브레이션 [2]의 상세 내용의 일례를 나타내는 흐름도이다.

도 2의 캘리브레이션 [1](단계 S4)에 있어서, 제어부(122a, 122b)는 도 3a에 나타내진 바와 같이, 먼저, 채널마다 검출기(106a, 106b)의 다크 펄스를 검출한다(단계 S41). 또한, 제어부(122a, 122b)는 복수 채널간의 특성 편차를 없애도록, 각 채널의 검출기(106a, 106b) 및 신호 처리 회로(121a, 121b)에 대한 이득과 오프셋값을 보정한다(단계 S42). 즉, 제어부(122a, 122b)는 복수 채널간의 특성 편차를 없애도록, 바이어스 제어 신호(BCa, BCb) 및 이득 조정 신호(GAa, GAb)의 값과, 오프셋 조정 신호(OFa, OFb)의 값을 탐색한다.

계속해서, 제어부(122a, 122b)는, 단계 S42에서 보정한 제어 파라미터, 즉 이득 및 오프셋값을 반영시킨 상태에서, 복수 채널마다의 무신호 화상(A1)을 취득하여, 메모리(123)에 보존한다(단계 S43). 무신호 화상(A1)은, 예를 들면 일차 전자 빔(102)의 블랭킹을 유지한 상태에서, 일차 전자 빔(102)을 주사함으로써 생성된다. 다음으로, 단계 S44에 있어서, 제어부(122a, 122b)는 채널마다 얻어지는 신호 진폭 히스토그램으로부터 다크 펄스를 포함하는 노이즈를 제거하기 위한 임계값을 채널마다 결정한다. 그리고, 제어부(122a, 122b)는 결정된 임계값을 나타내는 노이즈 제거 신호(NRa, NRb)를 신호 처리 회로(121a, 121b)에 설정한다.

다음으로, 제어부(122a, 122b)는, 단계 S42에서의 이득 및 오프셋값과, 단계 S44에서의 임계값이 설정된 상태에서, 복수 채널마다의 무신호 화상(A2)을 취득하여, 메모리(123)에 보존한다(단계 S45). 또한, 제어부(122a, 122b)는 무신호 화상(A1, A2)에 따른 각 제어 파라미터의 설정값, 즉, 각 채널의 이득, 오프셋값, 임계값 등을 메모리(123)에 보존한다(단계 S46).

또한, 예를 들면, 단계 S46에서의 채널 A의 이득은 검출기(106a)의 이득과 신호 처리 회로(121a)의 이득의 합계값이다. 각 채널의 이득은, 예를 들면 미리 메모리(123)에 보존하고 있는, 바이어스 제어 신호(BCa)에 대한 검출기(106a)의 이득의 관계와, 이득 조정 신호(GAa)에 대한 신호 처리 회로(121a)의 이득의 관계로부터 산출될 수 있다. 채널 B의 이득에 대해서도 마찬가지이다. 또한, 마찬가지로, 각 채널의 오프셋값도, 오프셋 조정 신호(OFa, OFb)에 대한 신호 처리 회로(121a, 121b)의 오프셋값의 관계로부터 산출될 수 있다.

도 4는 도 3a의 캘리브레이션에 사용되는 신호 진폭 히스토그램의 일례를 나타내는 도면이다. 예를 들면, 도 3a의 단계 S41에서 다크 펄스를 검출할 때, 일차 전자 빔(102)은 블랭킹된 상태로 주사된다. 그 결과, 각 채널마다, 신호 처리 회로(121a, 121b)의 출력 신호(OTa, OTb)에 기초하여, 도 4에 나타내진 바와 같은 신호 진폭 히스토그램이 얻어진다. 도 4에 있어서, 가로축은 신호 진폭값이고, 세로축은 진폭값마다의 도수이다.

도 4의 신호 진폭 히스토그램에는, 신호 처리 회로(121a, 121b)의 노이즈, 상세하게는, 아날로그 디지털 변환기 등의 노이즈에 기인하는 분포(150)와, 검출기(106a, 106b)로부터의 다크 펄스에 기인하는 분포(151)가 포함된다. 만일, 일차 전자 빔(102)이 조사된 상태에서, 신호 진폭 히스토그램에는, 이러한 각 분포(150, 151)에 더하여, 그것에 섞이도록 신호 성분에 따른 다양한 분포가 포함될 수 있다. 이 때문에, 도 4의 경우와 달리, 신호 진폭 히스토그램 중에서 다크 펄스 등을 명확하게 구별하는 것은 곤란해질 수 있다.

도 3a의 단계 S44에서는, 도 4에 나타낸 바와 같은 신호 진폭 히스토그램에 기초하여, 다크 펄스를 포함하는 노이즈를 제거하기 위한 임계값(TH)을 결정할 수 있다. 또한, 도 3a의 단계 S42에서는, 예를 들면 도 4에 나타낸 바와 같은 신호 진폭 히스토그램에 있어서, 신호 진폭값의 분포 개소가 각 채널에서 동등해지도록, 각 채널의 이득, 오프셋값을 보정하면 된다.

도 2의 캘리브레이션 [2](단계 S6)에 있어서, 제어부(122a, 122b)는 도 3b에 나타내진 바와 같이, 먼저, 채널마다 화상 신호를 검출한다(단계 S61). 구체적으로는, 제어부(122a, 122b)는 일차 전자 빔(102)을 조사 및 주사함으로써 얻어지는 신호 처리 회로(121a, 121b)의 출력 신호(OTa, OTb)에 기초하여 화상 신호를 검출한다. 화상 신호는, 예를 들면 도 4의 경우와 마찬가지의 신호 진폭 히스토그램 등이어도 된다.

계속해서, 제어부(122a, 122b)는 복수 채널간의 특성 편차를 없애도록, 각 채널의 신틸레이터(105a, 105b) 등을 포함한 검출계 전체의 이득과 오프셋값을 보정한다(단계 S62). 즉, 제어부(122a, 122b)는 복수 채널간의 특성 편차를 없애도록, 바이어스 제어 신호(BCa, BCb) 및 이득 조정 신호(GAa, GAb)의 값과, 오프셋 조정 신호(OFa, OFb)의 값을 재차 탐색한다. 이 때, 제어부(122a, 122b)는 신호 진폭 히스토그램 등에 기초하여 보정을 행해도 된다.

다음으로, 제어부(122a, 122b)는, 채널마다 다크 펄스 등의 임계값, 즉, 노이즈 제거 신호(NRa, NRb)를 다시 결정하여, 신호 처리 회로(121a, 121b)에 설정한다(단계 S63). 이 때, 제어부(122a, 122b)는, 예를 들면 도 3a의 단계 S44에서 결정된 임계값과, 단계 S42에서 결정된 각 채널의 이득과의 관계에, 도 3b의 단계 S62에서 결정된 각 채널의 이득을 반영시킴으로써, 연산에 의해 임계값을 산출해도 된다.

계속해서, 제어부(122a, 122b)는 채널마다 로드 레귤레이션 보정을 행한다(단계 S64). 구체적으로는, 제어부(122a, 122b)는, 예를 들면 각 채널의 바이어스 전원(120a, 120b)의 특성에 따라 결정되는 보정 계수를, 진폭 보정 신호(AMCa, AMCb)로서 신호 처리 회로(121a, 121b)에 설정함으로써, 검출 신호(DSa, DSb)의 진폭을 보정한다.

도 5a 및 도 5b는 도 3b에 있어서의 로드 레귤레이션 보정의 내용을 설명하는 도면이다. 도 5a에는, 검출기(106)의 등가 회로가 나와있다. 도 5b에는, 검출기(106)로부터의 검출 신호(DS)에 대한 바이어스 전압(VB)의 특성의 일례가 나와있다. 도 5b에 나타내진 바와 같이, 검출 신호(DS)의 진폭, 예를 들면 전류 진폭이 커지면 바이어스 전압(VB)이 저하하고, 이 영향으로 검출 신호(DS)의 진폭이 올바른 진폭으로부터 저하하는 경우가 있다. 이 진폭 저하는 각 채널의 특성 편차를 증대시키는 요인이 될 수 있다.

따라서, 이 저하된 진폭을 올바른 진폭으로 보정하는 것이 유익해진다. 이 보정을 로드 레귤레이션 보정이라고 부르고 있다. 로드 레귤레이션 보정의 보정 계수는, 예를 들면 이 저하된 진폭과 올바른 진폭의 비율을 나타내는 계수이며, 저하된 진폭을 올바른 진폭으로 되돌리기 위한 계수이다.

도 3b의 단계 S64 이후, 제어부(122a, 122b)는 단계 S62에서의 이득 및 오프셋값과, 단계 S63에서의 임계값과, 단계 S64에서의 로드 레귤레이션 보정값, 즉 보정 계수가 설정된 상태에서, 복수 채널마다의 측장 화상을 취득하여, 메모리(123)에 보존한다(단계 S65). 측장 화상은 일차 전자 빔(102)을 조사 및 주사함으로써 생성된다. 또한, 제어부(122a, 122b)는, 측장 화상에 따른 각 제어 파라미터의 설정값, 즉, 각 채널의 이득, 오프셋값, 임계값, 로드 레귤레이션 보정값 등을 메모리(123)에 보존한다(단계 S66).

또한, 단계 S62에 있어서의 각 채널의 이득은, 예를 들면 미리 메모리(123)에 보존하고 있는, 기준 이득시의 출력 신호(OTa, OTb)에 있어서의 신호 진폭 히스토그램과 비교함으로써 산출될 수 있다. 또한, 각 채널의 오프셋값도, 미리 메모리(123)에 보존하고 있는, 오프셋 조정 신호(OFa, OFb)에 대한 신호 처리 회로(121a, 121b)의 오프셋값의 관계로부터 산출될 수 있다.

또한, 특히, 검출기(106a, 106b)가 SiPM 등인 경우, 환경 온도에 따라 검출기(106a, 106b)의 특성, 예를 들면 다크 펄스의 레벨 등이 크게 변화하는 경우가 있다. 또한, 로드 레귤레이션 보정값도, 시료(109)의 종류마다 다를 수 있다. 이 때문에, 도 3a의 캘리브레이션 [1]과 도 3b의 캘리브레이션 [2]는, 예를 들면 SEM을 사용한 계측 공정에 있어서, 시료(109)를 변경할 때마다 하전 입자 빔 장치(10)의 사용자에 의해 행해져도 된다.

《실시형태 2의 주요 효과》

이상, 실시형태 2의 방식을 사용함으로써, 실시형태 1에서 설명한 각종 효과와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 특히, 캘리브레이션 [1]에 의해 다크 펄스 등을 포함하는 노이즈의 임계값을 고정밀도로 결정하고, 캘리브레이션 [2]에 의해 해당 임계값을 일정한 규칙에 따라 조정하는 것이 가능해진다. 또한, 캘리브레이션 [2]에서의 로드 레귤레이션 보정에 의해, 검출기(106a, 106b)로부터의 신호 진폭이 큰 경우에도, 채널간의 진폭 편차를 저감하는 것이 가능해진다. 또한, 환경 온도의 변화에 따른 계측 정밀도의 편차 등을 보정하는 것이 가능해진다.

(실시형태 3)

《화면 표시부의 표시 내용》

도 6은 본 발명의 실시형태 3에 따른 하전 입자 빔 장치에 있어서, 도 1의 화면 표시부의 표시 내용의 일례를 나타내는 도면이다. 도 6의 화면 표시부(13)에는, 캘리브레이션 [1]에 따른 장치 데이터 [1]로서, 도 3a의 단계 S43 및 단계 S45에서 보존된 무신호 화상(A1) 및 무신호 화상(A2)과, 단계 S46에서 보존된 각 무신호 화상(이 예에서는 A2)에 따른 제어 파라미터의 설정값이 채널마다 표시된다. 제어 파라미터의 설정값에는, 검출기의 이득과, 신호 처리 회로의 이득과, 신호 처리 회로의 오프셋값과, 다크 펄스 등을 포함하는 노이즈를 제거하기 위한 임계값이 포함된다.

또한, 도 6의 화면 표시부(13)에는, 캘리브레이션 [2]에 따른 장치 데이터 [2]로서, 도 3b의 단계 S65에서 보존된 측장 화상과, 단계 S66에서 보존된 측장 화상에 따른 제어 파라미터의 설정값이 채널마다 표시된다. 제어 파라미터의 설정값에는, 검출기의 이득과, 신호 처리 회로의 이득과, 신호 처리 회로의 오프셋값과, 다크 펄스 등을 포함하는 노이즈를 제거하기 위한 임계값에 더하여, 로드 레귤레이션 보정의 보정 계수가 포함된다.

또한, 화면 표시부(13)는 무신호 화상(A1), 무신호 화상(A2), 측장 화상을 대신하여 또는 이에 더하여, 각 화상에 대응하는 화소 계조 히스토그램이나, 휘도값 및 콘트라스트값 등을 표시해도 된다. 또한, 화면 표시부(13)는 검출기(106a, 106b)의 바이어스 전압(VBa, VBb), 바이어스 제어 신호(BCa, BCb)를 표시해도 된다. 또한, 화면 표시부(13)는, 검출기(106a, 106b)가 SiPM 등인 경우에는, 그 브레이크다운 전압이나, 브레이크다운 전압과 바이어스 전압(VBa, VBb)의 차이 전압이나, 다크 펄스의 제거량 및 잔류량 등을 표시해도 된다.

또한, 이러한 장치 데이터 [1] 및 장치 데이터 [2]는 장치 제조사로부터 하전 입자 빔 장치(10)의 사용자에게 제공될 수 있다. 이 경우, 사용자는 제공된 장치 데이터 [1] 및 장치 데이터 [2]를 화면 표시부(13)에 표시하면서, 오프라인에서의 화상 분석을 행하는 것이 가능해진다. 예를 들면, 사용자는 장치 데이터 [1] 및 장치 데이터 [2]에 기초하여, 계측 정밀도의 향상이나 장치 기차(機差)의 저감을 도모하거나, 계측을 행할 때 캘리브레이션 필요 여부의 판단을 행하거나 하는 것 등이 가능해진다.

또한, 화면 표시부(13)는 장치 데이터의 표시에 한정되지 않고, 마찬가지의 화면을 사용하여, 제어 파라미터의 설정값에 관한 사용자로부터의 입력을 접수하고, 입력된 설정값을 도 1의 설정값 데이터(127)로서 제어기(122a, 122b)에 출력해도 된다. 이 경우, 제어부(122a, 122b)는 설정값 데이터(127)에 기초하여, 신호 처리 회로(121a, 121b) 등에 각 파라미터 제어 신호를 출력한다.

《실시형태 3의 주요 효과》

이상, 실시형태 3의 방식을 사용함으로써, 실시형태 1에서 설명한 각종 효과와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 특히, 하전 입자 빔 장치(10)의 사용자에 대하여, 오프라인에서의 화상 분석에 유익한 정보를 제공하는 것이 가능해진다.

10…하전 입자 빔 장치, 11…전자 현미경 본체, 12…신호 처리부, 13…화면 표시부, 102…일차 전자빔, 105a, 105b…신틸레이터, 106, 106a, 106b…검출기, 108…반사 전자, 121a, 121b…신호 처리 회로, 122a, 122b…제어부, 123…메모리, 124…화상 처리부, 128…장치 데이터, AMCa, AMCb…진폭 보정 신호, BCa, BCb…바이어스 제어 신호, DSa, DSb…검출 신호, GAa, GAb…이득 조정 신호, NRa, NRb…노이즈 제거 신호, OFa, OFb…오프셋 조정 신호, OTa, OTb…출력 신호, TH…임계값

Claims

복수 채널의 검출계와, 상기 복수 채널의 검출계의 특성을 제어 파라미터의 설정값을 사용하여 제어하는 제어부를 갖는 하전 입자 빔 장치로서,
상기 복수 채널의 검출계의 각각은,
하전 입자 빔의 조사에 따라 시료로부터 방출되는 하전 입자를 검출하는 검출기와,
상기 검출기의 전단(前段)에 배치되는 광학 부품과,
상기 검출기로부터의 검출 신호를 처리하는 신호 처리 회로
를 갖고,
상기 제어부는,
상기 하전 입자 빔을 조사시키지 않은 상태에서, 상기 복수 채널마다의 상기 제어 파라미터의 설정값을 사용하여, 상기 검출기 및 상기 신호 처리 회로에 있어서의 상기 복수 채널간의 특성 편차를 보정하는 제1 캘리브레이션과,
상기 하전 입자 빔을 조사시킨 상태에서, 상기 복수 채널마다의 상기 제어 파라미터의 설정값을 사용하여, 상기 광학 부품에 있어서의 상기 복수 채널간의 특성 편차를 보정하는 제2 캘리브레이션
을 실행하는
하전 입자 빔 장치.
제1항에 있어서,
상기 복수 채널의 상기 신호 처리 회로로부터의 출력 신호에 기초하여 화상을 생성하는 화상 처리부를 더 갖고,
상기 제어부는,
상기 제1 캘리브레이션의 결과로서, 상기 화상 처리부를 통해 생성된 상기 복수 채널마다의 화상과, 해당 화상에 따른 상기 제어 파라미터의 설정값을 제1 장치 데이터로서 메모리에 보존하고,
상기 제2 캘리브레이션의 결과로서, 상기 화상 처리부를 통해 생성된 상기 복수 채널마다의 화상과, 해당 화상에 따른 상기 제어 파라미터의 설정값을 제2 장치 데이터로서 메모리에 보존하고,
상기 제1 장치 데이터 및 상기 제2 장치 데이터를 장치 외부로 출력하는
하전 입자 빔 장치.
제2항에 있어서,
상기 제1 장치 데이터 및 상기 제2 장치 데이터를 화면 상에 표시하는 화면 표시부를 더 갖는
하전 입자 빔 장치.
제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 제2 캘리브레이션일 때에는, 상기 제1 캘리브레이션에서 얻어지는 상기 제어 파라미터의 설정값을 상기 복수 채널의 상기 검출계에 반영시킨 상태에서, 상기 하전 입자 빔을 조사시키는
하전 입자 빔 장치.
제4항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 제1 캘리브레이션일 때에, 상기 제어 파라미터의 설정값으로서, 상기 검출기 및 상기 신호 처리 회로에 대한 이득과 오프셋값과, 상기 검출기로부터의 다크 펄스를 제거하기 위한 임계값을 탐색하고,
상기 제2 캘리브레이션일 때에, 상기 제어 파라미터의 설정값으로서, 상기 검출기 및 상기 신호 처리 회로에 대한 이득과 오프셋값과, 상기 검출기로부터의 다크 펄스를 제거하기 위한 임계값과, 상기 검출기로부터의 상기 검출 신호의 진폭 저하를 보정하기 위한 로드 레귤레이션 보정에 있어서의 보정 계수를 탐색하는
하전 입자 빔 장치.
하전 입자 빔의 조사에 따라 시료로부터 방출되는 하전 입자를 검출하는 검출기와,
상기 검출기의 전단에 배치되는 광학 부품과,
상기 검출기로부터의 검출 신호를 처리하는 신호 처리 회로와,
상기 검출기 및 상기 신호 처리 회로의 특성을 제어 파라미터의 설정값을 사용하여 제어하는 제어부
를 갖는 하전 입자 빔 장치로서,
상기 제어부는, 상기 하전 입자 빔을 조사시키지 않은 상태에서, 상기 제어 파라미터의 설정값을 탐색하는 제1 캘리브레이션과, 상기 하전 입자 빔을 조사시킨 상태에서, 상기 제어 파라미터의 설정값을 탐색하는 제2의 캘리브레이션을 실행하는
하전 입자 빔 장치.
제6항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 제2 캘리브레이션일 때에는, 상기 제1 캘리브레이션에서 얻어지는 상기 제어 파라미터의 설정값을 반영시킨 상태에서, 상기 하전 입자 빔을 조사시키는
하전 입자 빔 장치.
제6항에 있어서,
상기 신호 처리 회로로부터의 출력 신호에 기초하여 화상을 생성하는 화상 처리부를 더 갖고,
상기 제어부는,
상기 제1 캘리브레이션의 결과로서, 상기 화상 처리부를 통해 생성된 화상과, 해당 화상에 따른 상기 제어 파라미터의 설정값을 제1 장치 데이터로서 메모리에 보존하고,
상기 제2 캘리브레이션의 결과로서, 상기 화상 처리부를 통해 생성된 화상과, 해당 화상에 따른 상기 제어 파라미터의 설정값을 제2 장치 데이터로서 메모리에 보존하고,
상기 제1 장치 데이터 및 상기 제2 장치 데이터를 장치 외부로 출력하는
하전 입자 빔 장치.
하전 입자 빔의 조사에 따라 시료로부터 방출되는 하전 입자를 검출하는 검출기와, 상기 검출기의 전단에 배치되는 광학 부품과, 상기 검출기로부터의 검출 신호를 처리하는 신호 처리 회로를 구비하는 검출계를 복수 채널 갖는 하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법으로서,
상기 하전 입자 빔을 조사시키지 않은 상태에서, 상기 복수 채널마다의 제어 파라미터의 설정값을 사용하여, 상기 검출기 및 상기 신호 처리 회로에 있어서의 상기 복수 채널간의 특성 편차를 보정하는 제1 캘리브레이션을 행하고,
상기 하전 입자 빔을 조사시킨 상태에서, 상기 복수 채널마다의 상기 제어 파라미터의 설정값을 사용하여, 상기 광학 부품에 있어서의 상기 복수 채널간의 특성 편차를 보정하는 제2 캘리브레이션을 행하는
하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법.
제9항에 있어서,
상기 제1 캘리브레이션의 결과로서, 상기 복수 채널마다 상기 신호 처리 회로의 출력 신호에 기초한 화상을 생성하고, 해당 화상과, 해당 화상에 따른 상기 제어 파라미터의 설정값을 제1 장치 데이터로서 메모리에 보존하고,
상기 제2 캘리브레이션의 결과로서, 상기 복수 채널마다 상기 신호 처리 회로의 출력 신호에 기초한 화상을 생성하고, 해당 화상과, 해당 화상에 따른 상기 제어 파라미터의 설정값을 제2 장치 데이터로서 메모리에 보존하고,
상기 제1 장치 데이터 및 상기 제2 장치 데이터를 장치 외부로 출력하는
하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법.
제9항에 있어서,
상기 제2 캘리브레이션일 때에는, 상기 제1 캘리브레이션에서 얻어지는 상기 제어 파라미터의 설정값을 상기 복수 채널의 상기 검출계에 반영시킨 상태에서, 상기 하전 입자 빔을 조사시키는
하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법.
제11항에 있어서,
상기 제1 캘리브레이션일 때에, 상기 제어 파라미터의 설정값으로서, 상기 검출기 및 상기 신호 처리 회로에 대한 이득과 오프셋값과, 상기 검출기로부터의 다크 펄스를 제거하기 위한 임계값을 탐색하고,
상기 제2 캘리브레이션일 때에, 상기 제어 파라미터의 설정값으로서, 상기 검출기 및 상기 신호 처리 회로에 대한 이득과 오프셋값과, 상기 검출기로부터의 다크 펄스를 제거하기 위한 임계값과, 상기 검출기로부터의 상기 검출 신호의 진폭 저하를 보정하기 위한 로드 레귤레이션 보정에 있어서의 보정 계수를 탐색하는
하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법.
제12항에 있어서,
상기 시료를 변경할 때마다, 상기 제1 캘리브레이션과 상기 제2 캘리브레이션을 행하는
하전 입자 빔 장치의 캘리브레이션 방법.