Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR20220070950A - 이미지 센서 - Google Patents

이미지 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR20220070950A
KR20220070950A KR1020200158052A KR20200158052A KR20220070950A KR 20220070950 A KR20220070950 A KR 20220070950A KR 1020200158052 A KR1020200158052 A KR 1020200158052A KR 20200158052 A KR20200158052 A KR 20200158052A KR 20220070950 A KR20220070950 A KR 20220070950A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
corner
pattern
radius
curvature
substrate
Prior art date
Application number
KR1020200158052A
Other languages
English (en)
Inventor
이영미
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020200158052A priority Critical patent/KR20220070950A/ko
Priority to US17/370,167 priority patent/US11948957B2/en
Publication of KR20220070950A publication Critical patent/KR20220070950A/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L27/1463—
    • H01L27/1461—
    • H01L27/14621—
    • H01L27/14629—
    • H01L27/14636—
    • H01L27/14685—

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

이미지 센서가 제공된다. 상기 이미지 센서는 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 가지는 기판, 상기 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면까지 연장되며 상기 기판 내에 픽셀 영역을 정의하는 깊은 트렌치, 상기 픽셀 영역 내에 위치하는 광전 변환 영역, 및 상기 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 기판 내로 연장되며 상기 픽셀 영역 내에 패턴을 적어도 부분적으로 정의하는 얕은 트렌치를 포함하고, 평면적 관점에서, 상기 패턴은 제1 코너, 상기 제1 코너와 제1 대각 방향으로 대향하는 제2 코너, 제3 코너, 및 상기 제3 코너와 제2 대각 방향으로 대향하는 제4 코너를 가지고, 평면적 관점에서, 상기 제3 코너의 곡률 반경은 상기 제1 코너의 곡률 반경보다 작을 수 있다.

Description

이미지 센서{Image sensor}
본 개시는 이미지 센서에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 CMOS 이미지 센서에 관한 것이다.
이미지 센서는 전하 결합 소자(CCD: charge coupled device) 이미지 센서 또는 CMOS 이미지 센서를 포함할 수 있다. CMOS 이미지 센서는 구동 방식이 간단하고, 신호 처리 회로를 단일 칩에 집적할 수 있어 제품의 소형화가 가능할 수 있다. CMOS 이미지 센서는 전력 소모 또한 낮아 배터리 용량이 제한적인 제품에 적용이 가능할 수 있다. 또한, CMOS 이미지 센서는 CMOS 공정 기술을 호환가능하게 적용할 수 있어 제조 단가가 낮춰질 수 있다. 또한, CMOS 이미지 센서는 기술 개발과 함께 고해상도가 구현 가능함에 따라 CMOS 이미지 센서에 대한 소비자 요구가 증가하고 있다.
본 개시가 해결하고자 하는 과제는 기판 내에 패턴들을 형성하는 공정의 수율을 향상시키기 위한 이미지 센서 구조 및 이미지 센서 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서는 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 가지는 기판, 상기 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면까지 연장되며 상기 기판 내에 픽셀 영역을 정의하는 깊은 트렌치, 상기 픽셀 영역 내에 위치하는 광전 변환 영역, 및 상기 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 기판 내로 연장되며 상기 픽셀 영역 내에 패턴을 적어도 부분적으로 정의하는 얕은 트렌치를 포함하고, 평면적 관점에서, 상기 패턴은 제1 코너, 상기 제1 코너와 제1 대각 방향으로 대향하는 제2 코너, 제3 코너, 및 상기 제3 코너와 제2 대각 방향으로 대향하는 제4 코너를 가지고, 평면적 관점에서, 상기 제3 코너의 곡률 반경은 상기 제1 코너의 곡률 반경보다 작을 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서는 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 가지는 기판, 상기 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면까지 연장되며 상기 기판 내에 제1 픽셀 영역을 정의하는 깊은 트렌치, 상기 제1 픽셀 영역 내에 위치하는 제1 광전 변환 영역, 및 상기 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 기판 내로 연장되며 상기 제1 픽셀 영역 내의 제1 패턴을 적어도 부분적으로 정의하는 제1 얕은 트렌치를 포함하고, 평면적 관점에서, 상기 제1 패턴은 제1 코너, 상기 제1 코너로부터 제1 수평 방향으로 떨어진 제2 코너, 상기 제1 코너로부터 제2 수평 방향으로 떨어진 제3 코너, 및 상기 제2 코너로부터 상기 제2 수평 방향으로 떨어지며 상기 제3 코너로부터 상기 제1 수평 방향으로 떨어진 제4 코너를 가지고, 평면적 관점에서, 상기 제2 코너의 곡률 반경은 상기 제1 코너의 곡률 반경보다 작을 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서는 제1 픽셀 영역, 상기 제1 픽셀 영역으로부터 제1 수평 방향으로 떨어진 제2 픽셀 영역, 상기 제1 픽셀 영역으로부터 제2 수평 방향으로 떨어진 제3 픽셀 영역, 및 상기 제2 픽셀 영역으로부터 상기 제2 수평 방향으로 떨어지며 상기 제3 픽셀 영역으로부터 상기 제1 수평 방향으로 떨어진 제4 픽셀 영역을 가지는 기판, 상기 제1 내지 제4 픽셀 영역을 정의하는 픽셀 분리 구조체, 상기 제1 내지 제4 픽셀 영역 각각 내에 각각 위치하는 제1 내지 제4 광전 변환 영역, 및 상기 제1 내지 제4 픽셀 영역 각각 내에 각각 제1 내지 제4 패턴을 정의하는 소자 분리 층을 포함하고, 평면적 관점에서, 상기 제1 내지 제4 패턴 각각은 제1 코너, 상기 제1 코너로부터 제1 수평 방향으로 떨어진 제2 코너, 상기 제1 코너로부터 제2 수평 방향으로 떨어진 제3 코너, 및 상기 제2 코너로부터 상기 제2 수평 방향으로 떨어지며 상기 제3 코너로부터 상기 제1 수평 방향으로 떨어진 제4 코너를 가지고, 상기 제1 패턴의 상기 제2 코너의 곡률 반경 및 상기 제1 패턴의 상기 제3 코너의 곡률 반경은 상기 제1 패턴의 상기 제1 코너의 곡률 반경 및 상기 제1 패턴의 상기 제4 코너의 곡률 반경보다 작고, 상기 제2 패턴의 상기 제1 코너의 곡률 반경 및 상기 제2 패턴의 상기 제4 코너의 곡률 반경은 상기 제2 패턴의 상기 제2 코너의 곡률 반경 및 상기 제2 패턴의 상기 제3 코너의 곡률 반경보다 작고, 상기 제3 패턴의 상기 제1 코너의 곡률 반경 및 상기 제3 패턴의 상기 제4 코너의 곡률 반경은 상기 제3 패턴의 상기 제2 코너의 곡률 반경 및 상기 제3 패턴의 상기 제3 코너의 곡률 반경보다 작고, 상기 제4 패턴의 상기 제2 코너의 곡률 반경 및 상기 제4 패턴의 상기 제3 코너의 곡률 반경은 상기 제4 패턴의 상기 제1 코너의 곡률 반경 및 상기 제4 패턴의 상기 제4 코너의 곡률 반경보다 작을 수 있다.
기판 내에 예비 패턴을 형성하고, 기판 내에 복수의 픽셀 영역을 분리하는 깊은 트렌치를 형성하기 위한 리소그래피 마스크를 사용하여 예비 패턴을 복수의 패턴으로 분리할 수 있다. 예비 패턴의 면적은 각각의 패턴의 면적보다 크므로, 예비 패턴을 형성하기 위해 예비 패턴 상에 형성되는 포토레지스트 패턴의 종횡비(높이/면적)가 감소될 수 있다. 따라서 포토레지스트 패턴이 쓰러짐(leaning) 또는 들림(lifting)이 방지될 수 있다. 따라서 복수의 패턴을 직접적으로 하나의 패터닝 단계만에 형성하는 경우보다 복수의 패턴을 형성하는 공정의 수율이 향상될 수 있다.
도 1a는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서의 평면도이다.
도 1b은 도 1a의 B1 영역의 확대도이다.
도 1c는 도 1a의 A1-A1' 선을 따른 단면도이다.
도 2a는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서의 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 B2 영역의 확대도이다.
도 2c는 도 2a의 A2-A2' 선을 따른 단면도이다.
도 3a는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서의 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 B3 영역의 확대도이다.
도 4a는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서의 평면도이다.
도 4b는 도 4a의 B4 영역의 확대도이다.
도 5a는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서의 평면도이다.
도 5b는 도 5a의 B5 영역의 확대도이다.
도 6a는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서의 평면도이다.
도 6b은 도 6a의 B6 영역의 확대도이다.
도 7a 내지 도 13은 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 14a 및 도 14b는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 1a는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서(100)의 평면도이다. 도 1b는 도 1a의 B1 영역의 확대도이다. 도 1c는 도 1a의 A1-A1' 선을 따른 단면도이다.
도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 이미지 센서(100)는 기판(110)을 포함할 수 있다. 기판(110)은 서로 대향하는 제1 면(Sa) 및 제2 면(Sb)을 가질 수 있다. 기판(110)은 Ⅳ족 반도체 물질, Ⅲ-Ⅴ족 반도체 물질 또는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 물질과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 Ⅳ족 반도체 물질은 예를 들어 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 또는 실리콘(Si)-게르마늄(Ge)을 포함할 수 있다. 상기 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 물질은 예를 들어 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP), 갈륨인(GaP), 인듐비소(InAs), 인듐 안티몬(InSb), 또는 인듐갈륨비소(InGaAs)를 포함할 수 있다. 상기 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 물질은 예를 들어 텔루르화 아연(ZnTe), 또는 황화카드뮴(CdS)을 포함할 수 있다.
이미지 센서(100)는 기판(110) 내에 복수의 픽셀 영역(P1 내지 P4)을 정의하는 깊은 트렌치(DT)를 더 포함할 수 있다. 깊은 트렌치(DT)는 기판(110)의 제1 면(Sa)으로부터 제2 면(Sb)까지 연장될 수 있다. 즉, 깊은 트렌치(DT)는 기판(110)을 관통할 수 있다. 복수의 픽셀 영역(P1 내지 P4)은 제1 픽셀 영역(P1), 제1 픽셀 영역(P1)으로부터 제1 수평 방향(X 방향)으로 떨어진 제2 픽셀 영역(P2), 제1 픽셀 영역(P1)으로부터 제2 수평 방향(Y 방향)으로 떨어진 제3 픽셀 영역(P3), 및 제2 픽셀 영역(P2)으로부터 제2 수평 방향(Y 방향)으로 떨어지며 제3 픽셀 영역(P3)으로부터 제1 수평 방향(X 방향)으로 떨어진 제4 픽셀 영역(P4)을 포함할 수 있다. 깊은 트렌치(DT)는 복수의 픽셀 영역(P1 내지 P4)을 서로로부터 분리할 수 있다.
이미지 센서(100)는 깊은 트렌치(DT) 내의 픽셀 분리 구조체(150)를 더 포함할 수 있다. 평면적 관점에서, 픽셀 분리 구조체(150)는 각각의 픽셀 영역(P1 내지 P4)을 완전히 둘러쌀 수 있다. 픽셀 분리 구조체(150)는 복수의 픽셀 영역(P1 내지 P4)을 정의할 수 있다. 픽셀 분리 구조체(150)는 복수의 픽셀 영역(P1 내지 P4)을 서로로부터 분리할 수 있다. 픽셀 분리 구조체(150)는 복수의 픽셀 영역(P1 내지 P4) 사이의 크로스토크를 방지할 수 있다.
픽셀 분리 구조체(150)는 절연 패턴(154), 전도성 패턴(152), 및 캡핑 패턴(156)을 포함할 수 있다. 절연 패턴(154)은 깊은 트렌치(DT)의 내측벽을 덮을 수 있다. 캡핑 패턴(156)이 깊은 트렌치(DT)의 상부를 채울 수 있다. 전도성 패턴(152)이 깊은 트렌치(DT)의 하부를 채울 수 있다. 캡핑 패턴(156)의 상면은 기판(110)의 제1 면(Sa)과 공면일(coplanar) 수 있으며, 전도성 패턴(152)의 하면은 기판(110)의 제2 면(Sb)과 공면일 수 있다. 절연 패턴(154)은 기판(110)의 제1 면(Sa)으로부터 제2 면(Sb)까지 연장될 수 있다. 전도성 패턴(152)은 절연 패턴(154)에 의해 기판(110)으로부터 분리될 수 있다. 일부 실시예에서, 캡핑 패턴(156)은 생략될 수 있다.
일부 실시예들에서, 전도성 패턴(152)은 예컨대 n형 또는 p형으로 도핑된 폴리 실리콘과 같은 반도체 물질 또는 금속 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 절연 패턴(154) 및 캡핑 패턴(156)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, 절연 패턴(154)은 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물 등과 같은 금속 산화물을 포함할 수 있고, 이러한 경우에, 절연 패턴(154)는 음의 고정 전하층(negative fixed charge layer)으로 작용할 수 있다.
이미지 센서(100)는 복수의 픽셀 영역(P1 내지 P4) 내에 각각 배치되는 복수의 광전 변환 영역(125)을 더 포함할 수 있다. 광전 변환 영역(125)은 광 신호를 전기 신호로 변환할 수 있다. 광전 변환 영역(125)은 기판(110) 내부에 형성된 포토 다이오드 영역(미도시)을 포함할 수 있다. 광전 변환 영역(125)은 기판(110)과 반대인 도전형의 불순물들이 도핑된 불순물 영역을 포함할 수 있다.
이미지 센서(100)는 복수의 얕은 트렌치(ST1 내지 ST4)를 더 포함할 수 있다. 각각의 얕은 트렌치(ST1 내지 ST4)는 기판(110)의 제1 면(Sa)으로부터 기판(110) 내로 연장될 수 있다. 즉, 각각의 얕은 트렌치(ST1 내지 ST4)는 기판(110)을 부분적으로만 관통하며 기판(110)을 완전히 관통하지 않을 수 있다. 즉, 얕은 트렌치(ST1 내지 ST4)의 수직 방향(Z 방향)으로의 깊이는 깊은 트렌치(DT)의 수직 방향(Z 방향)으로의 깊이보다 작을 수 있다.
이미지 센서(100)는 복수의 얕은 트렌치(ST1 내지 ST4)에 의해 각각 정의되는 복수의 패턴(P1a 내지 P4a)을 더 포함할 수 있다. 복수의 패턴(P1a 내지 P4a)은 전기적으로 접지될 수 있다. 평면적 관점에서, 각각의 패턴(P1a 내지 P4a)의 면적은 각각의 픽셀 영역(P1 내지 P4)의 면적의 4분의 1보다 작을 수 있다.
제1 픽셀 영역(P1) 내에 제1 얕은 트렌치(ST1)에 의해 정의된 제1 패턴(P1a)은 제1 코너(C1a), 제1 코너(C1a)로부터 제1 수평 방향(X 방향)으로 떨어진 제2 코너(C1b), 제1 코너(C1a)로부터 제2 수평 방향(Y 방향)으로 떨어진 제3 코너(C1c), 및 제2 코너(C1b)로부터 제2 수평 방향(Y 방향)으로 떨어지며 제3 코너(C1c)로부터 제1 수평 방향(X 방향)으로 떨어진 제4 코너(C1d)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 패턴(P1a)은 평면적 관점에서 사각형, 예컨대 라운드된(rounded) 사각형일 수 있다.
평면적 관점에서, 제1 패턴(P1a)의 제2 코너(C1b)의 곡률 반경(R1b)은 제1 패턴(P1a)의 제1 코너(C1a)의 곡률 반경(R1a)보다 작을 수 있다. 또한 제1 패턴(P1a)의 제2 코너(C1b)의 곡률 반경(R1b)은 제1 패턴(P1a)의 제4 코너(C1d)의 곡률 반경(R1d)보다 작을 수 있다. 또한 제1 패턴(P1a)의 제3 코너(C1c)의 곡률 반경(R1c)은 제1 패턴(P1a)의 제1 코너(C1a)의 곡률 반경(R1a)보다 작을 수 있다. 또한 제1 패턴(P1a)의 제3 코너(C1c)의 곡률 반경(R1c)은 제1 패턴(P1a)의 제4 코너(C1d)의 곡률 반경(R1d)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 패턴(P1a)의 제2 코너(C1b) 및 제3 코너(C1c)는 뾰족할 수 있다.
평면적 관점에서, 제1 패턴(P1a)의 제2 코너(C1b)와 제4 코너(C1d) 사이에 연장되는 제1 엣지(E1)는 깊은 트렌치(DT)와 평행할 수 있다. 평면적 관점에서, 제1 패턴(P1a)의 제3 코너(C1c)와 제4 코너(C1d) 사이에 연장되는 제2 엣지(E2)는 깊은 트렌치(DT)와 평행할 수 있다.
제2 픽셀 영역(P2) 내에 제2 얕은 트렌치(ST2)에 의해 정의된 제2 패턴(P2a)은 제1 코너(C2a), 제1 코너(C2a)로부터 제1 수평 방향(X 방향)으로 떨어진 제2 코너(C2b), 제1 코너(C2a)로부터 제2 수평 방향(Y 방향)으로 떨어진 제3 코너(C2c), 및 제2 코너(C2b)로부터 제2 수평 방향(Y 방향)으로 떨어지며 제3 코너(C2c)로부터 제1 수평 방향(X 방향)으로 떨어진 제4 코너(C2d)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 패턴(P2a)은 평면적 관점에서 사각형, 예컨대 라운드된 사각형일 수 있다.
평면적 관점에서, 제2 패턴(P2a)의 제1 코너(C2a)의 곡률 반경(R2a)은 제2 패턴(P2a)의 제2 코너(C2b)의 곡률 반경(R2b)보다 작을 수 있다. 또한 제2 패턴(P2a)의 제1 코너(C2a)의 곡률 반경(R2a)은 제2 패턴(P2a)의 제3 코너(C2c)의 곡률 반경(R2c)보다 작을 수 있다. 또한 제2 패턴(P2a)의 제4 코너(C2d)의 곡률 반경(R2d)은 제2 패턴(P2a)의 제2 코너(C2b)의 곡률 반경(R2b)보다 작을 수 있다. 또한 제2 패턴(P2a)의 제4 코너(C2d)의 곡률 반경(R2d)은 제2 패턴(P2a)의 제3 코너(C2c)의 곡률 반경(R2c)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 패턴(P2a)의 제1 코너(C2a) 및 제4 코너(C2d)는 뾰족할 수 있다.
제3 픽셀 영역(P3) 내에 제3 얕은 트렌치(ST3)에 의해 정의된 제3 패턴(P3a)은 제1 코너(C3a), 제1 코너(C3a)로부터 제1 수평 방향(X 방향)으로 떨어진 제2 코너(C3b), 제1 코너(C3a)로부터 제2 수평 방향(Y 방향)으로 떨어진 제3 코너(C3c), 및 제2 코너(C3b)로부터 제2 수평 방향(Y 방향)으로 떨어지며 제3 코너(C3c)로부터 제1 수평 방향(X 방향)으로 떨어진 제4 코너(C3d)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제3 패턴(P3a)은 평면적 관점에서 사각형, 예컨대 라운드된 사각형일 수 있다.
평면적 관점에서, 제3 패턴(P3a)의 제1 코너(C3a)의 곡률 반경(R3a)은 제3 패턴(P3a)의 제2 코너(C3b)의 곡률 반경(R3b)보다 작을 수 있다. 또한 제3 패턴(P3a)의 제1 코너(C3a)의 곡률 반경(R3a)은 제3 패턴(P3a)의 제3 코너(C3c)의 곡률 반경(R3c)보다 작을 수 있다. 또한 제3 패턴(P3a)의 제4 코너(C3d)의 곡률 반경(R3d)은 제3 패턴(P3a)의 제2 코너(C3b)의 곡률 반경(R3b)보다 작을 수 있다. 또한 제3 패턴(P3a)의 제4 코너(C3d)의 곡률 반경(R3d)은 제3 패턴(P3a)의 제3 코너(C3c)의 곡률 반경(R3c)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제3 패턴(P3a)의 제1 코너(C3a) 및 제4 코너(C3d)는 뾰족할 수 있다.
제4 픽셀 영역(P4) 내에 제4 얕은 트렌치(ST4)에 의해 정의된 제4 패턴(P4a)은 제1 코너(C4a), 제1 코너(C4a)로부터 제1 수평 방향(X 방향)으로 떨어진 제2 코너(C4b), 제1 코너(C4a)로부터 제2 수평 방향(Y 방향)으로 떨어진 제3 코너(C4c), 및 제2 코너(C4b)로부터 제2 수평 방향(Y 방향)으로 떨어지며 제3 코너(C4c)로부터 제1 수평 방향(X 방향)으로 떨어진 제4 코너(C4d)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제4 패턴(P4a)은 평면적 관점에서 사각형, 예컨대 라운드된 사각형일 수 있다.
평면적 관점에서, 제4 패턴(P4a)의 제2 코너(C4b)의 곡률 반경(R4b)은 제4 패턴(P4a)의 제1 코너(C4a)의 곡률 반경(R4a)보다 작을 수 있다. 또한 제4 패턴(P4a)의 제2 코너(C4b)의 곡률 반경(R4b)은 제4 패턴(P4a)의 제4 코너(C4d)의 곡률 반경(R4d)보다 작을 수 있다. 또한 제4 패턴(P4a)의 제3 코너(C4c)의 곡률 반경(R4c)은 제4 패턴(P4a)의 제1 코너(C4a)의 곡률 반경(R4a)보다 작을 수 있다. 또한 제4 패턴(P4a)의 제3 코너(C4c)의 곡률 반경(R4c)은 제4 패턴(P4a)의 제4 코너(C4d)의 곡률 반경(R4d)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제4 패턴(P4a)의 제2 코너(C4b) 및 제3 코너(C4c)는 뾰족할 수 있다.
일부 실시예에서, 제1 패턴(P1a)과 제3 패턴(P3a)은 제1 패턴(P1a)과 제3 패턴(P3a) 사이를 제1 수평 방향(X 방향)으로 통과하는 제1 중심선(CL1)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 패턴(P2a)과 제4 패턴(P4a)은 제2 패턴(P2a)과 제4 패턴(P4a) 사이를 제1 수평 방향(X 방향)으로 통과하는 제1 중심선(CL1)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 패턴(P1a)과 제2 패턴(P2a)은 제1 패턴(P1a)과 제2 패턴(P2a) 사이를 제2 수평 방향(Y 방향)으로 통과하는 제2 중심선(CL2)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 일부 실시예에서, 제3 패턴(P3a)과 제4 패턴(P4a)은 제3 패턴(P3a)과 제4 패턴(P4a) 사이를 제2 수평 방향(Y 방향)으로 통과하는 제2 중심선(CL2)에 대하여 서로 대칭일 수 있다.
이미지 센서(100)는 복수의 얕은 트렌치(ST1 내지 ST4)에 의해 각각 정의되는 복수의 추가 패턴(P1b 내지 P4b)을 더 포함할 수 있다. 평면적 관점에서, 각각의 추가 패턴(P1b 내지 P4b)의 면적은 각각의 패턴(P1a 내지 P4a)의 면적보다 클 수 있다. 평면적 관점에서, 제1 패턴(P1a)과 깊은 트렌치(DT) 사이의 최단 거리(D1)는 제1 패턴(P1a)과 제1 추가 패턴(P1b) 사이의 최단 거리(D2)보다 작을 수 있다. 평면적 관점에서, 제1 패턴(P1a)과 깊은 트렌치(DT) 사이의 최단 거리(D1)는 제1 추가 패턴(P1b)과 깊은 트렌치(DT) 사이의 최단 거리(D3)보다 작을 수 있다.
일부 실시예에서, 제1 추가 패턴(P1b)과 제3 추가 패턴(P3b)은 제1 패턴 제1 중심선(CL1)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 추가 패턴(P2b)과 제4 추가 패턴(P4b)은 제1 중심선(CL1)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 추가 패턴(P1b)과 제2 추가 패턴(P2b)은 제2 중심선(CL2)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 일부 실시예에서, 제3 추가 패턴(P3b)과 제4 추가 패턴(P4b)은 제2 중심선(CL2)에 대하여 서로 대칭일 수 있다
이미지 센서(100)는 복수의 얕은 트렌치(ST1 내지 ST4) 내의 소자 분리 막(120)을 더 포함할 수 있다. 소자 분리 막(120)은 복수의 패턴(P1a 내지 P4a) 및 복수의 추가 패턴(P1b 내지 P4b)을 정의할 수 있다. 소자 분리 막(120)의 상면은 기판(110)의 제1 면(Sa)과 공면일 수 있다. 소자 분리 막(120)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
이미지 센서(100)는 복수의 추가 패턴(P1b 내지 P4b) 상의 복수의 게이트들(TG, SF, SG, RG)을 더 포함할 수 있다. 복수의 게이트들(TG, SF, SG, RG)은 전송 게이트(TG), 드라이브 게이트(SF), 선택 게이트(SG), 및 리셋 게이트(RG)를 포함할 수 있다. 이미지 센서(100)는 복수의 추가 패턴(P1b 내지 P4b) 각각 내의 전송 게이트들(TG)과 각각 인접한 복수의 플로팅 확산 영역(FD)을 더 포함할 수 있다. 플로팅 확산 영역(FD)은 기판(110)과 반대인 도전형을 가질 수 있다. 복수의 추가 패턴(P1b 내지 P4b), 복수의 게이트들(TG, SF, SG, RG), 및 플로팅 확산 영역(FD)은 전송 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터, 선택 트랜지스터, 및 리셋 트랜지스터를 형성할 수 있다. 복수의 패턴(P1a 내지 P4a)은 전송 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터, 선택 트랜지스터, 및 리셋 트랜지스터 중 적어도 하나의 바디를 접지시키기 위한 접지 패턴으로서 역할 할 수 있다.
기판(110)의 제1 면(Sa) 상에는 전면 구조체(130)가 배치될 수 있다. 전면 구조체(130)는 복수의 컨택(134a), 복수의 배선 층(134b, 134c), 및 복수의 절연 층(136a, 136b, 136c)을 포함할 수 있다. 복수의 절연 층(136a, 136b, 136c)은 복수의 컨택(134a) 및 복수의 배선 층(134b, 134c)을 전기적으로 분리할 수 있다.
복수의 컨택(134a) 및 복수의 배선 층(134b, 134c)은 기판(110)의 제1 면(Sa) 상의 트랜지스터들과 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 배선 층(134b, 134c) 및 복수의 컨택(134a)은 텅스텐, 알루미늄, 구리, 텅스텐 실리사이드, 티타늄 실리사이드, 텅스텐 질화물, 티타늄 질화물, 도핑된 폴리실리콘 등을 포함할 수 있다. 복수의 절연 층(136a, 136b, 136c)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 저유전(low-k) 물질 등의 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 저유전 물질은 예를 들어, FOX(Flowable Oxide), TOSZ(Torene SilaZene), USG(Undoped Silica Glass), BSG(Borosilica Glass), PSG(PhosphoSilica Glass), BPSG(BoroPhosphoSilica Glass), PETEOS(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate), FSG(Fluoride Silicate Glass), CDO(Carbon Doped silicon Oxide), Xerogel, Aerogel, Amorphous Fluorinated Carbon, OSG(Organo Silicate Glass), Parylene, BCB(bis-benzocyclobutenes), SiLK, polyimide, porous polymeric material 및 이들의 조합 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
선택적으로, 이미지 센서(100)는 전면 구조체(130) 상의 지지 기판(140)을 더 포함할 수 있다. 지지 기판(140)과 전면 구조체(130) 사이에는 접착 부재(미도시)가 더 배치될 수 있다.
후면 반사 방지 층(161)은 기판(110)의 제2 면(Sb) 상에 배치될 수 있다. 즉, 후면 반사 방지 층(161)은 하프늄 산화물(HfO2), 실리콘 산화물(SiO2), 질화실리콘(SiN), 산화알루미늄(Al2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 산화탄탈(Ta2O5), 산화티탄(TiO2), 산화란탄(La2O3), 산화프라세오디뮴(Pr2O3), 산화세륨(CeO2), 산화네오디뮴(Nd2O3), 산화프로메튬(Pm2O3), 산화사마륨(Sm2O3), 산화유로퓸(Eu2O3), 산화가돌리늄(Gd2O3), 산화테르븀(Tb2O3), 산화디스프로슘(Dy2O3), 산화홀뮴(Ho2O3), 산화툴륨(Tm2O3), 산화이테르븀(Yb2O3), 산화루테튬(Lu2O3), 산화이트륨(Y2O3), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
펜스(163)는 후면 반사 방지 층(161) 상에 배치될 수있다. 펜스(163)는 평면도 상에서 픽셀 분리 구조체(150)를 따라 연장될 수 있다. 펜스(163)는 저굴절률 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 저굴절율 물질은 약 1.0보다 크고 약 1.4보다 작거나 같은 굴절률을 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 저굴절률 물질은 PMMA(polymethylmetacrylate), 실리콘 아크릴레이트(silicon acrylate), CAB(cellulose acetatebutyrate), 실리카(silica), 또는 FSA(fluoro-silicon acrylate)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 저굴절율 물질은 실리카(SiOx) 입자들이 분산된 폴리머 물질을 포함할 수 있다.
펜스(163)가 상대적으로 낮은 굴절율을 가지는 저굴절률 물질을 포함하는 경우, 펜스(163)를 향해 입사되는 광이 전반사되어 각각의 픽셀 영역(P1 내지 P4)의 중심부 방향으로 향하게 지향될(directed) 수 있다. 펜스(163)는 복수의 픽셀 영역(P1 내지 P4) 중 하나 상에 배치되는 컬러 필터(170) 내부로 비스듬하게 입사하는 광이 인접한 다른 픽셀 영역 상에 배치되는 컬러 필터(170)로 진입하는 것을 방지할 수 있고, 이에 따라 복수의 픽셀 영역들(P1 내지 P4) 사이의 크로스토크가 방지될 수 있다.
복수의 컬러 필터(170)는 후면 반사 방지 층(161) 상에 배치될 수 있으며 펜스(163)에 의해 서로 분리될 수 있다. 복수의 컬러 필터(170)은 예를 들어 녹색 필터, 청색 필터, 및 적색 필터의 조합일 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 컬러 필터(170)는 예를 들어 시안(cyan), 마젠타(magenta), 또는 황색(yellow)의 조합일 수 있다.
마이크로렌즈(180)가 컬러 필터(170) 및 펜스(163) 상에 배치될 수 있다. 평면도에서, 마이크로렌즈(180)는 복수의 픽셀 영역(P1 내지 P4)에 각각 대응하도록 배치될 수 있다. 마이크로렌즈(180)는 투명할 수 있다. 마이크로렌즈(180)는 예를 들어 스티렌계 수지, 아크릴계 수지, 스티렌-아크릴 공중합계 수지, 또는 실록산계 수지 등의 수지계 재료로 형성될 수 있다. 마이크로렌즈(180)는 입사광을 집광하고, 집광된 광은 컬러 필터(170)를 통해 광전 변환 영역(125)에 입사될 수 있다. 캡핑 층(190)은 마이크로렌즈(180) 상에 배치되어 마이크로 렌즈(180)를 보호할 수 있다.
도 2a는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서(100-1)의 평면도이다. 도 2b는 도 2a의 B2 영역의 확대도이다. 도 2c는 도 2a의 A2-A2' 선을 따른 단면도이다. 이하에서는 도 1a 내지 도 1c에 도시된 이미지 센서(100)와 도 2a 내지 도 2c에 도시된 이미지 센서(100-1) 사이의 차이점이 설명된다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 이미지 센서(100-1)는 복수의 패턴(P1a-1 내지 P4a-1)을 포함할 수 있다. 복수의 패턴(P1a-1 내지 P4a-1)는 픽셀 분리 구조체(150)와 바로 접촉할 수 있다. 즉, 각각의 패턴(P1a-1 내지 P4a-1)의 일부는 깊은 트렌치(DT)에 의해 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 패턴(P1a-1)의 제2 코너(C1b)와 제4 코너(C1d) 사이의 제1 엣지(E1), 제1 패턴(P1a-1)의 제4 코너(C1d), 및 제1 패턴(P1a-1)의 제4 코너(C1d)와 제3 코너(C1c) 사이의 제2 엣지(E2)는 깊은 트렌치(DT)에 의해 정의될 수 있다. 즉, 도 1a에 도시된 제1 패턴(P1a)과 깊은 트렌치(DT) 사이의 최단 거리(D1)는 0일 수 있다.
도 3a는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서(100-2)의 평면도이다. 도 3b는 도 3a의 B3 영역의 확대도이다. 이하에서는 도 1a 내지 도 1c에 도시된 이미지 센서(100)와 도 3a 및 도 3b에 도시된 이미지 센서(100-2) 사이의 차이점이 설명된다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 이미지 센서(100-2)는 복수의 패턴(P1a-2 내지 P4a-2)을 포함할 수 있다.
제1 패턴(P1a-2)의 제2 코너(C1b)의 곡률 반경(R1b)은 제1 패턴(P1a-2)의 제1 코너(C1a)의 곡률 반경(R1a)보다 작을 수 있다. 또한, 제1 패턴(P1a-2)의 제2 코너(C1b)의 곡률 반경(R1b)은 제1 패턴(P1a-2)의 제3 코너(C1c)의 곡률 반경(R1c)보다 작을 수 있다. 또한, 제1 패턴(P1a-2)의 제2 코너(C1b)의 곡률 반경(R1b)은 제1 패턴(P1a-2)의 제4 코너(C1d)의 곡률 반경(R1d)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 패턴(P1a-2)의 제2 코너(C1b)는 뾰족할 수 있다.
제2 패턴(P2a-2)의 제1 코너(C2a)의 곡률 반경(R2a)은 제2 패턴(P2a-2)의 제2 코너(C2b)의 곡률 반경(R2b)보다 작을 수 있다. 또한, 제2 패턴(P2a-2)의 제1 코너(C2a)의 곡률 반경(R2a)은 제2 패턴(P2a-2)의 제3 코너(C2c)의 곡률 반경(R2c)보다 작을 수 있다. 또한, 제2 패턴(P2a-2)의 제1 코너(C2a)의 곡률 반경(R2a)은 제2 패턴(P2a-2)의 제4 코너(C2d)의 곡률 반경(R2d)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 패턴(P2a-2)의 제1 코너(C2a)는 뾰족할 수 있다.
제3 패턴(P3a-2)의 제4 코너(C3d)의 곡률 반경(R3d)은 제3 패턴(P3a-2)의 제1 코너(C3a)의 곡률 반경(R3a)보다 작을 수 있다. 또한, 제3 패턴(P3a-2)의 제4 코너(C3d)의 곡률 반경(R3d)은 제3 패턴(P3a-2)의 제2 코너(C3b)의 곡률 반경(R3b)보다 작을 수 있다. 또한, 제3 패턴(P3a-2)의 제4 코너(C3d)의 곡률 반경(R3d)은 제3 패턴(P3a-2)의 제3 코너(C3c)의 곡률 반경(R3c)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제3 패턴(P3a-2)의 제4 코너(C3d)는 뾰족할 수 있다.
제4 패턴(P4a-2)의 제3 코너(C4c)의 곡률 반경(R4c)은 제4 패턴(P4a-2)의 제1 코너(C4a)의 곡률 반경(R4a)보다 작을 수 있다. 또한, 제4 패턴(P4a-2)의 제3 코너(C4c)의 곡률 반경(R4c)은 제4 패턴(P4a-2)의 제2 코너(C4b)의 곡률 반경(R4b)보다 작을 수 있다. 또한, 제4 패턴(P4a-2)의 제3 코너(C4c)의 곡률 반경(R4c)은 제4 패턴(P4a-2)의 제4 코너(C4d)의 곡률 반경(R4d)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제4 패턴(P4a-2)의 제3 코너(C4c)는 뾰족할 수 있다.
도 4a는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서(100-3)의 평면도이다. 도 4b는 도 4a의 B4 영역의 확대도이다. 이하에서는 도 1a 내지 도 1c에 도시된 이미지 센서(100)와 도 4a 및 도 4b에 도시된 이미지 센서(100-3) 사이의 차이점이 설명된다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 이미지 센서(100-3)는 복수의 패턴(P1a-3 내지 P4a-3)을 포함할 수 있다.
제1 패턴(P1a-3)의 제2 코너(C1b)의 곡률 반경(R1b)은 제1 패턴(P1a-3)의 제1 코너(C1a)의 곡률 반경(R1a)보다 작을 수 있다. 또한, 제1 패턴(P1a-3)의 제2 코너(C1b)의 곡률 반경(R1b)은 제1 패턴(P1a-3)의 제3 코너(C1c)의 곡률 반경(R1c)보다 작을 수 있다. 또한, 제1 패턴(P1a-3)의 제4 코너(C1d)의 곡률 반경(R1d)은 제1 패턴(P1a-3)의 제1 코너(C1a)의 곡률 반경(R1a)보다 작을 수 있다. 또한, 제1 패턴(P1a-3)의 제4 코너(C1d)의 곡률 반경(R1d)은 제1 패턴(P1a-3)의 제3 코너(C1c)의 곡률 반경(R1c)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 패턴(P1a-3)의 제2 코너(C1b) 및 제4 코너(C1d)는 뾰족할 수 있다.
제2 패턴(P2a-3)의 제1 코너(C2a)의 곡률 반경(R2a)은 제2 패턴(P2a-3)의 제2 코너(C2b)의 곡률 반경(R2b)보다 작을 수 있다. 또한, 제2 패턴(P2a-3)의 제1 코너(C2a)의 곡률 반경(R2a)은 제2 패턴(P2a-3)의 제4 코너(C2d)의 곡률 반경(R2d)보다 작을 수 있다. 또한, 제2 패턴(P2a-3)의 제3 코너(C2c)의 곡률 반경(R2c)은 제2 패턴(P2a-3)의 제2 코너(C2b)의 곡률 반경(R2b)보다 작을 수 있다. 또한, 제2 패턴(P2a-3)의 제3 코너(C2c)의 곡률 반경(R2c)은 제2 패턴(P2a-3)의 제4 코너(C2d)의 곡률 반경(R2d)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 패턴(P2a-3)의 제1 코너(C2a) 및 제3 코너(C2c)는 뾰족할 수 있다.
제3 패턴(P3a-3)의 제2 코너(C3b)의 곡률 반경(R3b)은 제3 패턴(P3a-3)의 제1 코너(C3a)의 곡률 반경(R3a)보다 작을 수 있다. 또한, 제3 패턴(P3a-3)의 제2 코너(C3b)의 곡률 반경(R3b)은 제3 패턴(P3a-3)의 제3 코너(C3c)의 곡률 반경(R3c)보다 작을 수 있다. 또한, 제3 패턴(P3a-3)의 제4 코너(C3d)의 곡률 반경(R3d)은 제3 패턴(P3a-3)의 제1 코너(C3a)의 곡률 반경(R3a)보다 작을 수 있다. 또한, 제3 패턴(P3a-3)의 제4 코너(C3d)의 곡률 반경(R3d)은 제3 패턴(P3a-3)의 제3 코너(C3c)의 곡률 반경(R3c)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제3 패턴(P3a-3)의 제2 코너(C3b) 및 제4 코너(C3d)는 뾰족할 수 있다.
제4 패턴(P4a-3)의 제1 코너(C4a)의 곡률 반경(R4a)은 제4 패턴(P4a-3)의 제2 코너(C4b)의 곡률 반경(R4b)보다 작을 수 있다. 또한, 제4 패턴(P4a-3)의 제1 코너(C4a)의 곡률 반경(R4a)은 제4 패턴(P4a-3)의 제4 코너(C4d)의 곡률 반경(R4d)보다 작을 수 있다. 또한, 제4 패턴(P4a-3)의 제3 코너(C4c)의 곡률 반경(R4c)은 제4 패턴(P4a-3)의 제2 코너(C4b)의 곡률 반경(R4b)보다 작을 수 있다. 또한, 제4 패턴(P4a-3)의 제3 코너(C4c)의 곡률 반경(R4c)은 제4 패턴(P4a-3)의 제4 코너(C4d)의 곡률 반경(R4d)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제4 패턴(P4a-3)의 제1 코너(C4a) 및 제3 코너(C4c)는 뾰족할 수 있다.
평면적 관점에서, 제1 패턴(P1a-3)의 제2 코너(C1b)와 제4 코너(C1d) 사이에 연장되는 제1 엣지(E1)는 깊은 트렌치(DT)와 평행할 수 있다. 평면적 관점에서, 제1 패턴(P1a-3)의 제1 엣지(E1)로부터 깊은 트렌치(DT)까지 제1 수평 방향(X 방향)으로의 최단 거리(D4)는 제1 패턴(P1a-3)의 제3 코너(C1c)와 제4 코너(C1d) 사이에 연장되는 제2 엣지(E2)로부터 깊은 트렌치(DT)까지 제2 수평 방향(Y 방향)으로의 최단 거리(D5)보다 작을 수 있다. 평면적 관점에서, 제1 패턴(P1a-3)의 제1 엣지(E1)로부터 깊은 트렌치(DT)까지 제1 수평 방향(X 방향)으로의 최단 거리(D4)는 제1 패턴(P1a-3)의 제1 코너(C1a)와 제3 코너(C1c) 사이에 연장되는 제3 엣지(E3)로부터 깊은 트렌치(DT)까지 제1 수평 방향(X 방향)으로의 최단 거리(D6)보다 작을 수 있다.
도 5a는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서(100-4)의 평면도이다. 도 5b는 도 5a의 B5 영역의 확대도이다. 이하에서는 도 1a 내지 도 1c에 도시된 이미지 센서(100)와 도 5a 및 도 5b에 도시된 이미지 센서(100-4) 사이의 차이점이 설명된다.
이미지 센서(100-4)는 복수의 패턴(P1a-4 내지 P4a-4) 및 복수의 추가 패턴(P1b-4 내지 P4a-4)을 포함할 수 있다.
제1 패턴(P1a-4)의 제3 코너(C1c)의 곡률 반경(R1c)은 제1 패턴(P1a-4)의 제1 코너(C1a)의 곡률 반경(R1a)보다 작을 수 있다. 또한, 제1 패턴(P1a-4)의 제3 코너(C1c)의 곡률 반경(R1c)은 제1 패턴(P1a-4)의 제2 코너(C1b)의 곡률 반경(R1b)보다 작을 수 있다. 또한, 제1 패턴(P1a-4)의 제3 코너(C1c)의 곡률 반경(R1c)은 제1 패턴(P1a-4)의 제4 코너(C1d)의 곡률 반경(R1d)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 패턴(P1a-4)의 제3 코너(C1c)는 뾰족할 수 있다.
제3 패턴(P3a-4)의 제1 코너(C3a)의 곡률 반경(R3a)은 제3 패턴(P3a-4)의 제2 코너(C3b)의 곡률 반경(R3b)보다 작을 수 있다. 또한, 제3 패턴(P3a-4)의 제1 코너(C3a)의 곡률 반경(R3a)은 제3 패턴(P3a-4)의 제3 코너(C3c)의 곡률 반경(R3c)보다 작을 수 있다. 또한, 제3 패턴(P3a-4)의 제1 코너(C3a)의 곡률 반경(R3a)은 제3 패턴(P3a-4)의 제4 코너(C3d)의 곡률 반경(R3d)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제3 패턴(P3a-4)의 제1 코너(C3a)는 뾰족할 수 있다
제1 패턴(P1a-4)과 제3 패턴(P3a-4)은 제1 중심선(CL1)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 그러나, 제1 패턴(P1a-4)과 제2 패턴(P2a-4)은 제2 중심선(CL2)에 대하여 서로 대칭이 아닐 수 있다. 유사하게, 제3 패턴(P3a-4)과 제4 패턴(P4a-4)은 제2 중심선(CL2)에 대하여 서로 대칭이 아닐 수 있다. 제2 패턴(P2a-4)은 제1 패턴(P1a-4)이 제1 수평 방향(X 방향)으로 이동된(translated) 형상일 수 있다. 제4 패턴(P4a-4)은 제3 패턴(P3a-4)이 제1 수평 방향(X 방향)으로 이동된 형상일 수 있다.
유사하게, 제1 추가 패턴(P1b-4)과 제3 추가 패턴(P3b-4)은 제1 중심선(CL1)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 그러나, 제1 추가 패턴(P1b-4)과 제2 추가 패턴(P2b-4)은 제2 중심선(CL2)에 대하여 서로 대칭이 아닐 수 있다. 유사하게, 제3 추가 패턴(P3b-4)과 제4 추가 패턴(P4b-4)은 제2 중심선(CL2)에 대하여 서로 대칭이 아닐 수 있다. 제2 추가 패턴(P2b-4)은 제1 추가 패턴(P1b-4)이 제1 수평 방향(X 방향)으로 이동된 형상일 수 있다. 제4 추가 패턴(P4b-4)은 제3 추가 패턴(P3b-4)이 제1 수평 방향(X 방향)으로 이동된 형상일 수 있다.
도 6a는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서(100-5)의 평면도이다. 도 6b은 도 6a의 B6 영역의 확대도이다. 이하에서는 도 5a 및 도 5b에 도시된 이미지 센서(100-4)와 도 6a 및 도 6b에 도시된 이미지 센서(100-5) 사이의 차이점이 설명된다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 이미지 센서(100-5)는 복수의 패턴(P1a-5 내지 P4a-5)을 포함할 수 있다.
평면적 관점에서, 제1 패턴(P1a-5)의 제3 코너(C1c)의 곡률 반경(R1c)은 제1 패턴(P1a-5)의 제1 코너(C1a)의 곡률 반경(R1a)보다 작을 수 있다. 또한 제1 패턴(P1a-5)의 제3 코너(C1c)의 곡률 반경(R1c)은 제1 패턴(P1a-5)의 제2 코너(C1b)의 곡률 반경(R1b)보다 작을 수 있다. 또한, 제1 패턴(P1a-5)의 제4 코너(C1d)의 곡률 반경(R1d)은 제1 패턴(P1a-5)의 제1 코너(C1a)의 곡률 반경(R1a)보다 작을 수 있다. 또한 제1 패턴(P1a-5)의 제4 코너(C1d)의 곡률 반경(R1d)은 제1 패턴(P1a-5)의 제2 코너(C1b)의 곡률 반경(R1b)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 패턴(P1a-5)의 제3 코너(C1c) 및 제4 코너(C1d)는 뾰족할 수 있다.
평면적 관점에서, 제3 패턴(P3a-5)의 제1 코너(C3a)의 곡률 반경(R3a)은 제3 패턴(P3a-5)의 제3 코너(C3c)의 곡률 반경(R3c)보다 작을 수 있다. 또한, 제3 패턴(P3a-5)의 제1 코너(C3a)의 곡률 반경(R3a)은 제3 패턴(P3a-5)의 제4 코너(C3d)의 곡률 반경(R3d)보다 작을 수 있다. 또한, 제3 패턴(P3a-5)의 제2 코너(C3b)의 곡률 반경(R3b)은 제3 패턴(P3a-5)의 제3 코너(C3c)의 곡률 반경(R3c)보다 작을 수 있다. 또한, 제3 패턴(P3a-5)의 제2 코너(C3b)의 곡률 반경(R3b)은 제3 패턴(P3a-5)의 제4 코너(C3d)의 곡률 반경(R3d)보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제3 패턴(P3a-5)의 제1 코너(C3a) 및 제2 코너(C3b)는 뾰족할 수 있다.
평면적 관점에서, 제1 패턴(P1a-5)의 제2 코너(C1b)와 제4 코너(C1d) 사이에 연장되는 제1 엣지(E1)로부터 깊은 트렌치(DT)까지 제1 수평 방향(X 방향)으로의 최단 거리(D4)는 제1 패턴(P1a-5)의 제3 코너(C1c)와 제4 코너(C1d) 사이에 연장되는 제2 엣지(E2)로부터 깊은 트렌치(DT)까지 제2 수평 방향(Y 방향)으로의 최단 거리(D5)보다 클 수 있다. 평면적 관점에서, 제2 엣지(E2)는 깊은 트렌치(DT)와 평행할 수 있다.
도 7a 내지 도 13은 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 도 7a, 도 8a, 도 10a, 도 11a, 및 도 12a는 각각 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들이다. 도 7b, 도 8b, 도 10b, 도 11b, 및 도 12b는 각각 도 7a, 도 8a, 도 10a, 도 11a, 도 12a의 A-A' 선을 따른 단면도이다. 도 9 및 도 13은 각각 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 8c는 도 8a 및 도 8b에 도시된 단계에 사용되는 마스크(M)를 나타낸 평면도이다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 서로 대향하는 제1 면(Sa) 및 제2 면(Sb)을 가지는 기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 제1 도전형(예를 들어 p형)일 수 있다. 기판(110) 내에 광전 변환 영역들(125)이 형성될 수 있다. 광전 변환 영역들(125)은 기판(110) 내에 제2 도전형(예를 들어, n형)의 불순물들을 도핑함으로써 형성될 수 있다.
또한, 기판(110)의 제1 면(Sa) 상에 마스크 층(미도시)이 형성될 수 있다. 마스크 층(미도시)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 마스크 층(미도시)은 포토리소그래피를 사용하여 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 마스크 층(미도시) 상에 포토레지스트 층(미도시)을 형성하고, 포토레지스트층(미도시)에 광을 선택적으로 노출시키고, 포토레지스트 층(미도시)을 현상(develop)함으로써 포토레지스트 패턴이 마스크 층(미도시) 상에 형성될 수 있다. 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 마스크 층(미도시)을 식각 및 패터닝함으로써 마스크 패턴(MP)이 형성될 수 있다. 마스크 패턴(MP)을 식각 마스크로 사용하여 기판(110)을 식각 및 패터닝함으로써 제1 단계 얕은 트렌치(STa)가 형성될 수 있다. 제1 단계 얕은 트렌치(STa)는 기판(110)의 제1 면(Sa)으로부터 기판(110) 내로 연장된다. 제1 단계 얕은 트렌치(STa)는 복수의 추가 패턴(P1b, P2b, P3b, P4b) 및 예비 패턴(Pa)을 정의할 수 있다.
도 8a 내지 도 8c를 참조하면, 마스크 패턴(MP) 상에 포토레지스트 층(미도시)이 형성된다. 복수의 개구(OP)를 가지는 마스크(M)를 사용하여 포토레지스트 층(미도시)을 선택적으로 광에 노출시킨다. 포토레지스트 층(미도시)을 현상하여 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한다. 포토레지스트 패턴(미도시)을 식각 마스크로 사용하여 마스크 패턴(MP) 및 기판(110)을 식각함으로써 제2 단계 얕은 트렌치(STb)가 형성될 수 있다. 제2 단계 얕은 트렌치(STb)는 도 7a 및 도 7b에 도시된 예비 패턴(Pa)을 복수의 패턴(P1a 내지 P4b)으로 분리할 수 있다.
도 8c에 도시된 마스크의 형상은 단순히 예시적이라는 것이 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 보다 정확한 형상을 패터닝하기 위해 마스크의 형상은 변형될 수 있다. 또한 사용되는 포토레지스트의 종류에 따라 마스크의 형상은 반전될 수 있다.
본 개시의 제조 방법에 따르면, 예비 패턴(Pa, 도 7a 및 도 7b 참조)을 먼저 형성하지 않고 복수의 패턴(P1a 내지 P4b)을 직접적으로 형성한 때보다 각각의 패턴(P1a 내지 P4b)은 평면적 관점에서 더 작은 곡률 반경을 가지는 코너를 가지도록 형성될 수 있다. 또한, 예비 패턴(Pa, 도 7a 및 도 7b 참조)의 면적은 각각의 패턴(P1a 내지 P4b)의 면적보다 크므로, 예비 패턴(Pa, 도 7a 및 도 7b 참조)을 형성하기 위해 예비 패턴(Pa, 도 7a 및 도 7b 참조) 상에 형성되는 포토레지스트 패턴의 종횡비(높이/면적)가 감소될 수 있다. 따라서 포토레지스트 패턴이 쓰러짐(leaning) 또는 들림(lifting)이 방지될 수 있다. 따라서 복수의 패턴(P1a 내지 P4b)을 직접적으로 하나의 패터닝 단계만에 형성하는 경우보다 복수의 패턴(P1a 내지 P4b)을 형성하는 공정의 수율이 향상될 수 있다.
본 개시에는 예비 패턴(Pa, 도 7a 및 도 7b 참조)이 4개의 패턴(P1a 내지 P4b)으로 분리되는 실시예가 도시되나, 도 4a 내지 도 6b에 도시된 실시예들을 제조하기 위해 하나의 예비 패턴이 두 개의 패턴으로 분리될 수 있다. 예를 들어 도 3a 및 도 3b에 도시된 실시예에서, 제1 패턴(P1a-2)과 제2 패턴(P2a-2)은 하나의 예비 패턴으로부터 분리될 수 있으며, 제3 패턴(P3a-2)과 제4 패턴(P4a-2)은 하나의 예비 패턴으로부터 분리될 수 있다. 또한, 도 4a 및 도 4b에 도시된 실시예에서, 제1 패턴(P1a-3)과 제2 패턴(P2a-3)은 하나의 예비 패턴으로부터 분리될 수 있으며, 제3 패턴(P3a-3)과 제4 패턴(P4a-3)은 하나의 예비 패턴으로 분리될 수 있다. 또한, 도 5a 및 도 5b에 도시된 실시예에서, 제1 패턴(P1a-4)과 제3 패턴(P3a-4)은 하나의 예비 패턴으로부터 분리될 수 있으며, 제2 패턴(P2a-4)과 제4 패턴(P4a-4)은 하나의 예비 패턴으로부터 분리될 수 있다. 또한, 도 6a 및 도 6b에 도시된 실시예에서, 제1 패턴(P1a-5)과 제3 패턴(P3a-5)은 하나의 예비 패턴으로부터 분리될 수 있으며, 제2 패턴(P2a-5)과 제4 패턴(P4a-5)은 하나의 예비 패턴으로부터 분리될 수 있다.
도 9를 참조하면, 기판(110) 및 마스크 패턴(MP) 상에 소자 분리 막(120)이 형성될 수 있다. 소자 분리 막(120)은 제1 단계 얕은 트렌치(STa) 및 제2 단계 얕은 트렌치(STb)를 채울 수 있다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 기판(110) 내에 깊은 트렌치(DT)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 소자 분리 막(120) 상에 포토레지스트 층(미도시)이 형성될 수 있다. 도 8a 및 도 8b에 도시된 제2 단계 얕은 트렌치(STb)를 형성하기 위해 사용되었던 도 8c에 도시된 마스크(M)를 사용하여 포토 레지스트 층(미도시)을 선택적으로 광에 노출시키고, 포토 레지스트 층(미도시)을 현상함으로써 포토 레지스트 패턴이 형성될 수 있다. 포토 레지스트 패턴을 사용하여 기판(110) 및 소자 분리 막(120)을 식각함으로써 깊은 트렌치(DT)가 형성될 수 있다.
도 8a 및 도 8b에 도시된 제2 단계 얕은 트렌치(STb)와 도 10a 및 도 10b에 도시된 깊은 트렌치(DT)가 도 8c에 도시된 동일한 마스크(M)를 사용하여 형성되나, 도 8a 및 도 8b에 도시된 제2 얕은 트렌치(STb)를 형성하기 위한 단계의 노광 시간과 도 10a 및 도 10b에 도시된 깊은 트렌치(DT)를 형성하기 위한 단계의 노광 시간을 달리함으로써 평면적 관점에서 깊은 트렌치(DT)가 복수의 패턴(P1a 내지 P4a)으로부터 떨어지게 형성될 수 있다. 즉, 평면적 관점에서, 복수의 패턴(P1a 내지 P4a)은 도 8a 및 도 8b에 도시된 제1 및 제2 단계 얕은 트렌치들(STa, STb)에 의해 완전히 정의될 수 있다. 다른 실시예에서, 도 2a에 도시된 바와 같이 깊은 트렌치(DT)는 각각의 패턴(P1a 내지 P4a)의 일부를 정의하도록 형성될 수 있다.
깊은 트렌치(DT)는 기판(110) 내에 복수의 픽셀 영역(P1 내지 P4)을 정의할 수 있다. 깊은 트렌치(DT)는 기판(110)을 완전히 관통하지 않을 수 있다. 즉, 기판(110)의 제2 면(Sb)과 깊은 트렌치(DT) 사이에 기판(110)의 일부가 남아 있을 수 있다.
도 8a 및 도 8b에 도시된 제1 패턴(P1a) 및 제1 추가 패턴(P1b)을 정의하는 제1 및 제2 단계 얕은 트렌치(STa. STb)는 제1 얕은 트렌치(ST1)로 재정의될 수 있다. 도 8a 및 도 8b에 도시된 제2 패턴(P2a) 및 제2 추가 패턴(P2b)을 정의하는 제1 및 제2 단계 얕은 트렌치(STa. STb)는 제2 얕은 트렌치(ST2)로 재정의될 수 있다. 도 8a 및 도 8b에 도시된 제3 패턴(P3a) 및 제3 추가 패턴(P3b)을 정의하는 제1 및 제2 단계 얕은 트렌치(STa. STb)는 제3 얕은 트렌치(ST3)로 재정의될 수 있다. 도 8a 및 도 8b에 도시된 제4 패턴(P4a) 및 제4 추가 패턴(P4b)을 정의하는 제1 및 제2 단계 얕은 트렌치(STa. STb)는 제4 얕은 트렌치(ST4)로 재정의될 수 있다.
도 11a 및 도 11b를 참조하면, 깊은 트렌치(DT) 내에 픽셀 분리 구조체(150)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 깊은 트렌치(DT)의 상에 절연 패턴(154)이 형성될 수 있다. 다음으로, 깊은 트렌치(DT)를 채우도록 절연 패턴(154) 상에 전도성 패턴(152)을 형성할 수 있다. 전도성 패턴(152)의 상부를 제거한 후 전도성 패턴(152) 상에 캡핑 패턴(156)이 형성될 수 있다. 다음으로, 기판(110)의 제1 면(Sa)이 노출되도록 도 10b에 도시된 마스크 패턴(MP)을 제거하고 소자 분리 막(120)을 평탄화할 수 있다.
도 12a 및 도 12b를 참조하면, 기판(110) 상에 복수의 트랜지스터가 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)을 부분적으로 도핑함으로써 활성 영역 및 플로팅 확산 영역(FD)이 형성될 수 있고, 기판(110) 상에 전송 게이트(TG), 리셋 게이트(RG), 드라이버 게이트(SF), 및 선택 게이트(SG)가 형성될 수 있다.
도 13을 참조하면, 기판(110)의 제1 면(Sa) 상에 전면 구조체(130)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)의 제1 면(Sa) 상에 제1 절연 층(136a)을 형성하고, 제1 절연 층(136a)을 관통하는 복수의 컨택(134a)을 형성하고, 제1 절연 층(136a) 상에 제1 배선 층(134b)을 형성하고, 재1 절연 층(136a) 및 제1 배선 층(134b) 상에 제2 절연 층(136b)을 형성하고, 제2 절연 층(136b) 상에 제2 배선 층(134c)을 형성하고, 제2 배선 층(134c) 및 제2 절연 층(136b) 상에 제3 절연 층(136c)을 형성할 수 있다. 이후 전면 구조체(130) 상에 지지 기판(140)을 접착시킬 수 있다.
기판(110)의 제2 면(Sb)을 통해 픽셀 분리 구조체(150)의 전도성 패턴(152)이 노출되도록 기판(110)의 제2 면(Sb)이 연마될 수 있다. 이로써 깊은 트렌치(DT)는 기판(110)의 제1 면(Sa)부터 제2 면(Sb)까지 연장될 수 있다.
도 1c를 참조하면, 기판(110)의 제2 면(Sb) 및 픽셀 분리 구조체(150) 상에 후면 반사 방지 층(161)이 형성될 수 있다. 다음으로, 후면 반사 방지 층(161) 상에 펜스(163)가 형성될 수 있다. 다음으로, 후면 반사 방지 층(161) 상에 컬러 필터(170)가 형성될 수 있다. 다음으로, 컬러 필터(170) 및 펜스(163) 상에 마이크로렌즈(180)가 형성될 수 있다. 다음으로, 마이크로렌즈(180) 상에 캡핑 층(190)이 형성될 수 있다. 이로서 도 1c에 도시된 이미지 센서(100)가 완성될 수 있다.
도 14a 및 도 14b는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 도 14a는 본 개시의 실시예들에 따른 이미지 센서 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이다. 도 14b는 도 14a의 A14-A14' 선을 따른 단면도이다.
도 14a 및 도 14b를 참조하면, 도 7a 및 도 7b에 도시된 단계에 따라 제1 단계 얕은 트렌치(STa)가 형성될 수 있다. 마스크 패턴(MP) 및 기판(110)의 제1 면(Sa) 상, 마스크 패턴(MP) 상, 및 제1 단계 얕은 트렌치(STa) 내에 소자 분리 막(120)이 형성될 수 있다. 다음으로, 도 8c에 도시된 마스크(M)를 사용하여 깊은 트렌치(DT)가 형성될 수 있다. 깊은 트렌치(DT)는 도 7a 및 도 7b에 도시된 단계에서 형성된 예비 패턴(Pa)을 복수의 패턴(P1a-1 내지 P4a-1)으로 분리할 수 있다. 즉 깊은 트렌치(DT)는 각각의 패턴(P1a-1 내지 P4a-1)의 일부를 정의할 수 있다. 이후 도 11a 내지 도 13 및 1c를 참조하여 설명한 단계들이 수행될 수 있다. 이로써 도 2a 내지 도 2c에 도시된 이미지 센서(100-1)가 제조될 수 있다.
본 개시에 개시된 실시예들은 본 개시의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 개시의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 개시의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 개시의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 이미지 센서, 110: 기판, 120: 소자 분리막, 125: 광전 변환 영역, 130: 전면 구조체, 134a: 컨택, 134b, 134c: 배선 층, 136a 내지 136c: 절연 층, 140: 지지 기판, 150: 소자 분리 구조체, 152: 전도성 패턴, 154: 절연 패턴, 156: 캡핑 패턴, 161: 후면 반사 방지 층, 163: 펜스, 170: 컬러 필터, 180: 마이크로렌즈, 190: 캡핑 층, DT: 깊은 트렌치, ST1 내지 ST4: 얕은 트렌치, P1a 내지 P4a: 패턴, P1b 내지 P4b: 추가 패턴, RG: 리셋 게이트, TG: 전송 게이트, SF: 드라이버 게이트, SG: 선택 게이트, FD: 플로팅 확산 영역

Claims (10)

  1. 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 가지는 기판;
    상기 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면까지 연장되며 상기 기판 내에 픽셀 영역을 정의하는 깊은 트렌치;
    상기 픽셀 영역 내에 위치하는 광전 변환 영역; 및
    상기 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 기판 내로 연장되며 상기 픽셀 영역 내에 패턴을 적어도 부분적으로 정의하는 얕은 트렌치;를 포함하고,
    평면적 관점에서, 상기 패턴은 제1 코너, 상기 제1 코너와 제1 대각 방향으로 대향하는 제2 코너, 제3 코너, 및 상기 제3 코너와 제2 대각 방향으로 대향하는 제4 코너를 가지고,
    평면적 관점에서, 상기 제3 코너의 곡률 반경은 상기 제1 코너의 곡률 반경보다 작은 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  2. 제1 항에 있어서,
    평면적 관점에서, 상기 제3 코너의 곡률 반경은 상기 제2 코너의 곡률 반경보다 작은 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  3. 제1 항에 있어서,
    평면적 관점에서, 상기 제4 코너의 곡률 반경은 상기 제1 코너의 곡률 반경보다 작고, 상기 제4 코너의 곡률 반경은 상기 제2 코너의 곡률 반경보다 작은 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 패턴은 전기적으로 접지되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 얕은 트렌치는 상기 픽셀 영역 내에 추가 패턴을 더 정의하고,
    평면적 관점에서, 상기 패턴과 상기 깊은 트렌치 사이의 최단 거리는 상기 패턴과 상기 추가 패턴 사이의 최단 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 얕은 트렌치는 상기 픽셀 영역 내에 추가 패턴을 더 정의하고,
    평면적 관점에서, 상기 패턴과 상기 깊은 트렌치 사이의 최단 거리는 상기 추가 패턴과 상기 깊은 트렌치 사이의 최단 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  7. 제1 항에 있어서,
    평면적 관점에서, 상기 제2 코너와 상기 제3 코너 사이에 연장되는 엣지는 상기 깊은 트렌치와 평행한 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  8. 제1 항에 있어서,
    평면적 관점에서, 상기 패턴은 사각형인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  9. 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 가지는 기판;
    상기 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면까지 연장되며 상기 기판 내에 제1 픽셀 영역을 정의하는 깊은 트렌치;
    상기 제1 픽셀 영역 내에 위치하는 제1 광전 변환 영역; 및
    상기 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 기판 내로 연장되며 상기 제1 픽셀 영역 내의 제1 패턴을 적어도 부분적으로 정의하는 제1 얕은 트렌치;를 포함하고,
    평면적 관점에서, 상기 제1 패턴은 제1 코너, 상기 제1 코너로부터 제1 수평 방향으로 떨어진 제2 코너, 상기 제1 코너로부터 제2 수평 방향으로 떨어진 제3 코너, 및 상기 제2 코너로부터 상기 제2 수평 방향으로 떨어지며 상기 제3 코너로부터 상기 제1 수평 방향으로 떨어진 제4 코너를 가지고,
    평면적 관점에서, 상기 제2 코너의 곡률 반경은 상기 제1 코너의 곡률 반경보다 작은 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  10. 제1 픽셀 영역, 상기 제1 픽셀 영역으로부터 제1 수평 방향으로 떨어진 제2 픽셀 영역, 상기 제1 픽셀 영역으로부터 제2 수평 방향으로 떨어진 제3 픽셀 영역, 및 상기 제2 픽셀 영역으로부터 상기 제2 수평 방향으로 떨어지며 상기 제3 픽셀 영역으로부터 상기 제1 수평 방향으로 떨어진 제4 픽셀 영역을 가지는 기판;
    상기 제1 내지 제4 픽셀 영역을 정의하는 픽셀 분리 구조체;
    상기 제1 내지 제4 픽셀 영역 각각 내에 각각 위치하는 제1 내지 제4 광전 변환 영역; 및
    상기 제1 내지 제4 픽셀 영역 각각 내에 각각 제1 내지 제4 패턴을 정의하는 소자 분리 층을 포함하고,
    평면적 관점에서, 상기 제1 내지 제4 패턴 각각은 제1 코너, 상기 제1 코너로부터 제1 수평 방향으로 떨어진 제2 코너, 상기 제1 코너로부터 제2 수평 방향으로 떨어진 제3 코너, 및 상기 제2 코너로부터 상기 제2 수평 방향으로 떨어지며 상기 제3 코너로부터 상기 제1 수평 방향으로 떨어진 제4 코너를 가지고,
    상기 제1 패턴의 상기 제2 코너의 곡률 반경 및 상기 제1 패턴의 상기 제3 코너의 곡률 반경은 상기 제1 패턴의 상기 제1 코너의 곡률 반경 및 상기 제1 패턴의 상기 제4 코너의 곡률 반경보다 작고,
    상기 제2 패턴의 상기 제1 코너의 곡률 반경 및 상기 제2 패턴의 상기 제4 코너의 곡률 반경은 상기 제2 패턴의 상기 제2 코너의 곡률 반경 및 상기 제2 패턴의 상기 제3 코너의 곡률 반경보다 작고,
    상기 제3 패턴의 상기 제1 코너의 곡률 반경 및 상기 제3 패턴의 상기 제4 코너의 곡률 반경은 상기 제3 패턴의 상기 제2 코너의 곡률 반경 및 상기 제3 패턴의 상기 제3 코너의 곡률 반경보다 작고,
    상기 제4 패턴의 상기 제2 코너의 곡률 반경 및 상기 제4 패턴의 상기 제3 코너의 곡률 반경은 상기 제4 패턴의 상기 제1 코너의 곡률 반경 및 상기 제4 패턴의 상기 제4 코너의 곡률 반경보다 작은 것을 특징으로 하는 이미지 센서.

KR1020200158052A 2020-11-23 2020-11-23 이미지 센서 KR20220070950A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200158052A KR20220070950A (ko) 2020-11-23 2020-11-23 이미지 센서
US17/370,167 US11948957B2 (en) 2020-11-23 2021-07-08 Image sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200158052A KR20220070950A (ko) 2020-11-23 2020-11-23 이미지 센서

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220070950A true KR20220070950A (ko) 2022-05-31

Family

ID=81657262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200158052A KR20220070950A (ko) 2020-11-23 2020-11-23 이미지 센서

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11948957B2 (ko)
KR (1) KR20220070950A (ko)

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009065118A (ja) * 2007-08-09 2009-03-26 Panasonic Corp 固体撮像装置
DE102008029235B3 (de) * 2008-06-19 2009-10-08 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Kreuzungen von Isolationsgräben der SOI-Technologie
KR101016474B1 (ko) 2008-09-11 2011-02-24 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
US20110049668A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Ming-Cheng Lin Deep trench isolation structures between high voltage semiconductor devices and fabrication methods thereof
JP5810551B2 (ja) * 2011-02-25 2015-11-11 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
KR101967835B1 (ko) 2012-05-31 2019-04-10 삼성전자주식회사 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 픽셀 어레이
JP2014022561A (ja) 2012-07-18 2014-02-03 Sony Corp 固体撮像装置、及び、電子機器
KR102034482B1 (ko) * 2013-03-04 2019-10-21 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 형성 방법
JP2015032636A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 株式会社東芝 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置
KR102212138B1 (ko) 2014-08-19 2021-02-04 삼성전자주식회사 이미지 센서의 단위 픽셀과 이를 포함하는 픽셀 어레이
KR102384890B1 (ko) 2015-01-13 2022-04-11 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 형성 방법
KR102435995B1 (ko) 2015-08-07 2022-08-26 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치
FR3046292B1 (fr) * 2015-12-24 2018-02-16 Aledia Circuit electronique comprenant des tranchees d'isolation electrique
KR102446289B1 (ko) 2016-01-26 2022-09-22 에스케이하이닉스 주식회사 램프 그라운드 노이즈 제거를 위한 픽셀 바이어스 장치 및 그에 따른 씨모스 이미지 센서
US11784206B2 (en) * 2020-10-26 2023-10-10 Omnivision Technologies, Inc. Pixel-array substrate and associated method

Also Published As

Publication number Publication date
US11948957B2 (en) 2024-04-02
US20220165761A1 (en) 2022-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210335871A1 (en) Apparatus for Reducing Optical Cross-Talk in Image Sensors
KR102506837B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조 방법
US7646943B1 (en) Optical waveguides in image sensors
US8716771B2 (en) Anti-reflection structures for CMOS image sensors
US8229255B2 (en) Optical waveguides in image sensors
CA2719681A1 (en) Methods for forming anti-reflection structures for cmos image sensors
US11804504B2 (en) Image sensor
US7112511B2 (en) CMOS image sensor having prism and method for fabricating the same
US11749699B2 (en) Solid-state image sensor with pillar surface microstructure and method of fabricating the same
JP3959734B2 (ja) 固体撮像素子およびその製造方法
US20210193718A1 (en) Photo-sensing device and manufacturing method thereof
US12199127B2 (en) Image sensor
KR20220070950A (ko) 이미지 센서
US20220093657A1 (en) Image sensor
CN107785383B (zh) 影像感测器及其制作方法
US9721983B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN107958913B (zh) 影像感测器及其制作方法
CN108538868B (zh) 图像传感器及其制作方法
US20220392930A1 (en) Image sensor
US20230282663A1 (en) Image sensor
US20240282792A1 (en) Image sensor
US20220359596A1 (en) Image sensor
KR20220071876A (ko) 이미지 센서
KR20240028180A (ko) 이미지 센서