KR20220056680A - Zirconium nitride powder and production method therefor - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 높은 자외선 투과율 및 높은 흑색도를 갖고, 또한 높은 절연성을 갖는 흑색 안료로서 바람직하게 사용되는 질화지르코늄 분말 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a zirconium nitride powder preferably used as a black pigment having high ultraviolet transmittance and high blackness, and having high insulating properties, and a method for producing the same.
종래, BET 법에 의해 측정되는 비표면적이 20 ㎡/g ∼ 90 ㎡/g 이고, X 선 회절 프로파일에 있어서, 질화지르코늄의 피크를 갖는 한편, 이산화지르코늄의 피크 및 저차 산화지르코늄의 피크를 갖지 않는 질화지르코늄 분말이 개시되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 (청구항 1, 단락 [0016]) 참조.). 이 질화지르코늄 분말은, 이 분말 농도 50 ppm 의 분산액 투과 스펙트럼에 있어서, 370 ㎚ 의 광 투과율 X 가 적어도 18 % 이고, 550 ㎚ 의 광 투과율 Y 가 12 % 이하이며, 370 ㎚ 의 광 투과율 X 에 대한 550 ㎚ 의 광 투과율 Y (X/Y) 가 2.5 이상이다.Conventionally, the specific surface area measured by the BET method is 20 m / g to 90 m / g, and in the X-ray diffraction profile, it has a peak of zirconium nitride, while having a peak of zirconium dioxide and a peak of lower-order zirconium oxide. A zirconium nitride powder is disclosed (see, for example, Patent Document 1 (Claim 1, Paragraph [0016]). This zirconium nitride powder has a light transmittance X of at least 18% at 370 nm in the dispersion liquid transmission spectrum with a powder concentration of 50 ppm, and a light transmittance Y at 550 nm of 12% or less, with respect to the light transmittance X at 370 nm. The light transmittance Y (X/Y) of 550 nm is 2.5 or more.
이와 같이 구성된 질화지르코늄 분말은, 비표면적이 20 ㎡/g 이상이기 때문에, 레지스트로 했을 경우의 침강 억제의 효과가 있고, 또 90 ㎡/g 이하이기 때문에, 충분한 차광성을 갖는 효과가 있다. 또 X 선 회절 프로파일에 있어서, 질화지르코늄의 피크를 갖는 한편, 이산화지르코늄의 피크, 저차 산화지르코늄의 피크 및 저차 산질화지르코늄의 피크를 갖지 않기 때문에, 분말 농도 50 ppm 의 분산액 투과 스펙트럼에 있어서, 370 ㎚ 의 광 투과율 X 가 적어도 18 % 이고, 550 ㎚ 의 광 투과율 Y 가 12 % 이하인 특징을 갖고, 또 X/Y 가 2.5 이상인 특징을 갖는다. X/Y 가 2.5 이상임으로써, 자외선을 보다 한층 투과하는 특장이 있다. 이 결과, 흑색 안료로서 흑색 패터닝막을 형성할 때에 고해상도의 패터닝막을 형성할 수 있고, 또한 형성한 패터닝막은 높은 차광 성능을 갖게 된다.Since the specific surface area of the zirconium nitride powder constituted in this way is 20 m 2 /g or more, there is an effect of suppressing sedimentation when it is used as a resist, and since it is 90 m 2 /g or less, there is an effect of having sufficient light-shielding properties. In addition, in the X-ray diffraction profile, while having a peak of zirconium nitride, it does not have a peak of zirconium dioxide, a peak of a lower-order zirconium oxide, and a peak of a lower-order zirconium oxynitride, so in the dispersion liquid transmission spectrum with a powder concentration of 50 ppm, 370 The light transmittance X at nm is at least 18%, the light transmittance Y at 550 nm has the characteristics of 12% or less, and X/Y has the characteristics of 2.5 or more. When X/Y is 2.5 or more, there exists a feature which transmits an ultraviolet-ray further. As a result, when forming a black patterning film as a black pigment, a high-resolution patterning film can be formed, and the formed patterning film has high light-shielding performance.
상기 특허문헌 1 에 나타낸 질화지르코늄 분말에서는, 질화지르코늄 조분말 (粗粉末) 을 분산매에 분산시키고, 비드 밀 (미디어 : 지르코니아) 등을 사용하여 분산성을 높이면, 높은 절연성이 얻어지지만, 이 질화지르코늄 분말을 고점도의 수지 페이스트에 직접 반죽하여 넣으면, 질화지르코늄 조분말이 남아, 분산성이 부족하다. 이 때문에, 질화지르코늄 분말을 흑색 안료로서 사용했을 때, 흑색 도료의 착색력이 저하됨과 함께, 질화지르코늄 조분말의 잔류에 의해 저항값이 낮아지는 문제가 있었다. 또, 상기 질화지르코늄 조분말을 건식 분쇄기 등으로 강제적으로 분쇄하면, 분말경이 작아지고, 또한 분말 표면의 산화 반응이 일어나기 때문에, 절연성은 향상되지만, 흑색 도료의 흑색도가 저하되는 문제점이 있었다.In the zirconium nitride powder shown in Patent Literature 1, high insulation is obtained by dispersing a coarse zirconium nitride powder in a dispersion medium and increasing the dispersibility using a bead mill (media: zirconia) or the like, but this zirconium nitride When the powder is directly kneaded into a high-viscosity resin paste, coarse zirconium nitride powder remains and the dispersibility is insufficient. For this reason, when zirconium nitride powder was used as a black pigment, while the coloring power of a black coating material fell, there existed a problem that a resistance value became low by residual zirconium nitride coarse powder. In addition, when the coarse zirconium nitride powder is forcibly pulverized with a dry pulverizer or the like, the powder diameter becomes small and an oxidation reaction on the surface of the powder occurs, so that the insulating property is improved, but there is a problem in that the blackness of the black paint is lowered.
본 발명의 제 1 목적은, 높은 절연성 및 높은 흑색도를 얻을 수 있음과 함께, 높은 절연성을 갖는, 질화지르코늄 분말 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다. 본 발명의 제 2 목적은, 저온 습식 미디어 분쇄에 의해 혹은 발열량이 적은 제트 밀에서의 분쇄에 의해, 높은 흑색도를 유지할 수 있는, 질화지르코늄 분말의 제조 방법을 제공하는 것에 있다. 본 발명의 제 3 목적은, 불활성 가스 분위기 중에서의 소성에 의해, 흑색막의 절연성을 향상시킬 수 있는, 질화지르코늄 분말의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.The 1st objective of this invention is providing the zirconium nitride powder which has high insulation while being able to obtain high insulation and high blackness, and its manufacturing method. A second object of the present invention is to provide a method for producing a zirconium nitride powder capable of maintaining high blackness by grinding with a low-temperature wet media or by grinding in a jet mill with a small calorific value. It is a 3rd object of this invention to provide the manufacturing method of the zirconium nitride powder which can improve the insulation of a black film by baking in an inert gas atmosphere.
본 발명의 제 1 관점은, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 107 Ω·㎝ 이상이고, 또한 물 또는 탄소수 2 ∼ 5 의 범위 내에 있는 알코올로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 10 ㎛ 이하인 질화지르코늄 분말이다.A first aspect of the present invention provides a volume resistivity of 10 7 Ω·cm or more in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa, and diluted with water or alcohol having 2 to 5 carbon atoms for 5 minutes It is a zirconium nitride powder whose particle size distribution D90 at the time of ultrasonic dispersion is 10 micrometers or less.
본 발명의 제 2 관점은, 테르미트법 또는 플라즈마 합성법에 의해 질화지르코늄 조분말을 생성하는 공정과, 이 질화지르코늄 조분말을 10 ℃ 이하의 분산매 온도에서 저온 습식 미디어 분쇄를 실시하거나 또는 0.3 ㎫ 이상의 가스압으로 제트 밀 분쇄를 실시함으로써, 물 또는 탄소수 3 ∼ 5 의 범위 내에 있는 알코올로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 10 ㎛ 이하인 질화지르코늄 전구체 분말을 제조하는 공정과, 이 분쇄한 질화지르코늄 전구체 분말을 불활성 가스 분위기 중에서 소성함으로써, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 107 Ω·㎝ 이상인 질화지르코늄 분말을 제조하는 공정을 포함하는 질화지르코늄 분말의 제조 방법이다.A second aspect of the present invention is a step of producing a coarse zirconium nitride powder by the thermite method or plasma synthesis method, and performing low-temperature wet media grinding of the coarse zirconium nitride powder at a dispersion medium temperature of 10° C. or less, or 0.3 MPa or more A step of producing a zirconium nitride precursor powder having a particle size distribution D 90 of 10 μm or less when ultrasonically dispersed for 5 minutes in a state of being diluted with water or alcohol having 3 to 5 carbon atoms by performing jet mill pulverization with gas pressure; By calcining this pulverized zirconium nitride precursor powder in an inert gas atmosphere, a zirconium nitride powder having a volume resistivity of 10 7 Ω·cm or more in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa is produced. manufacturing method.
본 발명의 제 3 관점은, 제 1 관점에 기재된 질화지르코늄 분말이 아크릴 모노머 또는 에폭시 모노머에 분산된 모노머 분산체이다.A third aspect of the present invention is a monomer dispersion in which the zirconium nitride powder according to the first aspect is dispersed in an acrylic monomer or an epoxy monomer.
본 발명의 제 4 관점은, 제 1 관점에 기재된 질화지르코늄 분말이 흑색 안료로서 분산매에 분산되고 추가로 수지가 혼합된 흑색 조성물이다.A fourth aspect of the present invention is a black composition in which the zirconium nitride powder described in the first aspect is dispersed as a black pigment in a dispersion medium and further mixed with a resin.
본 발명의 제 5 관점은, 제 3 관점에 기재된 모노머 분산체를 기판에 도포하여 도막을 형성하는 공정과, 이 도막을 열 경화 또는 자외선 경화시켜 흑색막을 제조하는 공정을 포함하는 흑색막의 제조 방법이다.A fifth aspect of the present invention is a method for producing a black film, comprising a step of forming a coating film by applying the monomer dispersion according to the third aspect to a substrate, and a step of thermosetting or UV curing the coating film to produce a black film. .
본 발명의 제 6 관점은, 제 4 관점에 기재된 흑색 조성물을 기판에 도포하여 도막을 형성하는 공정과, 이 도막을 열 경화 또는 자외선 경화시켜 흑색막을 제조하는 공정을 포함하는 흑색막의 제조 방법이다.A sixth aspect of the present invention is a method for producing a black film, comprising a step of applying the black composition according to the fourth aspect to a substrate to form a coating film, and a step of thermosetting or UV curing the coating film to produce a black film.
본 발명의 제 1 관점의 질화지르코늄 분말은, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 107 Ω·㎝ 이상이므로, 두께 10 ㎛ ∼ 100 ㎛ 정도의 흑색 후막을 제조했을 때의 절연성을 향상시킬 수 있다. 또, 질화지르코늄 분말은, 물 또는 탄소수 2 ∼ 5 의 범위 내에 있는 알코올로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 10 ㎛ 이하이므로, 질화지르코늄 조분말이 존재하지 않아, 양호한 분산체나 분산액을 얻을 수 있다. 이 결과, 상기 질화지르코늄 분말을 사용한 분산체나 분산액에 의해 제조된 흑색막은, 높은 절연성 및 높은 흑색도를 얻을 수 있음과 함께, 높은 절연성을 갖는다.Since the zirconium nitride powder of the first aspect of the present invention has a volume resistivity of 10 7 Ω·cm or more in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa, when a black thick film having a thickness of about 10 μm to 100 μm is produced Insulation can be improved. In addition, the zirconium nitride powder has a particle size distribution D 90 of 10 µm or less when ultrasonically dispersed for 5 minutes in a state of being diluted with water or alcohol having 2 to 5 carbon atoms, so there is no coarse zirconium nitride powder, which is good A dispersion or a dispersion liquid can be obtained. As a result, the black film manufactured with the dispersion or dispersion liquid using the said zirconium nitride powder has high insulation while being able to obtain high insulation and high blackness.
본 발명의 제 2 관점의 질화지르코늄 분말의 제조 방법에서는, 질화지르코늄 조분말을 10 ℃ 이하의 분산매 온도에서 저온 습식 미디어 분쇄를 실시하면, 발열량이 적기 때문에, 질화지르코늄의 표면 산화가 진행되지 않아, 높은 흑색도를 유지할 수 있다. 또, 질화지르코늄 조분말을 0.3 ㎫ 이상의 가스압으로 제트 밀 분쇄를 실시하면, 질화지르코늄 조분말이 남지 않아, 흑색막의 절연성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 분쇄한 질화지르코늄 전구체 분말을 불활성 가스 분위기 중에서 소성함으로써, 흑색막의 절연성을 향상시킬 수 있다.In the method for producing zirconium nitride powder of the second aspect of the present invention, when the coarse zirconium nitride powder is subjected to low-temperature wet media grinding at a dispersion medium temperature of 10 ° C. or less, the calorific value is small, so the surface oxidation of zirconium nitride does not proceed, High blackness can be maintained. Moreover, when the coarse zirconium nitride powder is jet milled with a gas pressure of 0.3 MPa or more, the coarse zirconium nitride powder does not remain, and the insulation of the black film can be improved. In addition, by calcining the pulverized zirconium nitride precursor powder in an inert gas atmosphere, the insulation of the black film can be improved.
본 발명의 제 3 관점의 모노머 분산체는, 본 발명의 제 1 관점의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머 또는 에폭시 모노머에 분산시켰으므로, 이들 모노머의 점도가 비교적 높아도, 질화지르코늄 분말의 상기 모노머에 대한 분산성을 양호하게 유지할 수 있다. 이 결과, 모노머 분산체를 사용한 흑색막은, 높은 절연성 및 높은 흑색도를 얻을 수 있음과 함께, 높은 절연성을 갖는다.In the monomer dispersion of the third aspect of the present invention, since the zirconium nitride powder of the first aspect of the present invention is dispersed in an acrylic monomer or an epoxy monomer, even if the viscosity of these monomers is relatively high, the zirconium nitride powder of the monomer is Acidity can be maintained favorably. As a result, the black film|membrane using a monomer dispersion has high insulation while being able to obtain high insulation and high blackness.
본 발명의 제 4 관점의 흑색 조성물은, 본 발명의 제 1 관점의 질화지르코늄 분말을 흑색 안료로서 분산매에 분산시키고 추가로 수지를 혼합했으므로, 질화지르코늄 분말이 분산매에 균일하게 분산된다. 이 결과, 흑색 조성물을 사용한 흑색막은, 높은 절연성 및 높은 흑색도를 얻을 수 있음과 함께, 높은 절연성을 갖는다.In the black composition of the fourth aspect of the present invention, the zirconium nitride powder of the first aspect of the present invention is dispersed as a black pigment in a dispersion medium and a resin is further mixed, so that the zirconium nitride powder is uniformly dispersed in the dispersion medium. As a result, while being able to obtain high insulation and high blackness, the black film using a black composition has high insulation.
본 발명의 제 5 관점의 흑색막의 제조 방법에서는, 상기 모노머 분산체를 기판에 도포하여 도막을 형성한 후, 이 도막을 열 경화 또는 자외선 경화시켜 흑색막을 제조했으므로, 흑색막은, 높은 절연성 및 높은 흑색도를 얻을 수 있음과 함께, 높은 절연성을 갖는다.In the method for producing a black film of the fifth aspect of the present invention, after forming a coating film by applying the monomer dispersion to a substrate, this coating film is thermally cured or UV cured to prepare a black film, so the black film has high insulation and high black While being able to obtain a degree, it has high insulation.
본 발명의 제 6 관점의 흑색막의 제조 방법에서는, 상기 흑색 조성물을 기판에 도포하여 도막을 형성한 후, 이 도막을 열 경화 또는 자외선 경화시켜 흑색막을 제조했으므로, 흑색막은, 높은 절연성 및 높은 흑색도를 얻을 수 있음과 함께, 높은 절연성을 갖는다.In the method for producing a black film of the sixth aspect of the present invention, after the black composition is applied to a substrate to form a coating film, and then the coating film is thermally cured or UV cured to prepare a black film, the black film has high insulating properties and high blackness can be obtained and has high insulation properties.
다음으로 본 발명을 실시하기 위한 형태를 설명한다. 본 실시형태의 질화지르코늄 분말은, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 107 Ω·㎝ 이상, 바람직하게는 108 Ω·㎝ 이상이고, 또한 물 또는 탄소수 2 ∼ 5 의 범위 내에 있는 알코올로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 10 ㎛ 이하, 바람직하게는 8 ㎛ 이하이다. 여기서, 상기 체적 저항률을 107 Ω·㎝ 이상으로 한정한 것은, 107 Ω·㎝ 미만에서는 질화지르코늄 분말을 사용하여 두께 1 ㎛ ∼ 100 ㎛ 정도의 흑색 후막을 제조했을 때의 절연성이 저하되어 버리기 때문이다. 또, 상기 입도 분포 D90 을 10 ㎛ 이하로 한정한 것은, 10 ㎛ 를 초과하면 질화지르코늄 조분말이 잔존하여, 양호한 분산체나 흑색막이 얻어지지 않기 때문이다.Next, the form for implementing this invention is demonstrated. The zirconium nitride powder of this embodiment has a volume resistivity of 10 7 Ω·cm or more, preferably 10 8 Ω·cm or more, in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa, and has water or carbon number of 2 to 5 The particle size distribution D 90 when ultrasonically dispersed for 5 minutes in a state of being diluted with alcohol within the range is 10 µm or less, preferably 8 µm or less. Here, when the volume resistivity is limited to 10 7 Ω·cm or more, when the volume resistivity is less than 10 7 Ω·cm, a black thick film having a thickness of about 1 μm to 100 μm is produced using zirconium nitride powder. Because. Moreover, the reason that the said particle size distribution D90 is limited to 10 micrometers or less is because when it exceeds 10 micrometers, a coarse zirconium nitride powder remains and a favorable dispersion and a black film cannot be obtained.
상기 체적 저항률은, 예를 들어, 미츠비시 화학사 제조의 저저항률계 로레스타 GP (형식 : UV-3101PC) 를 사용하여, 사단자 사탐침법에 의해 측정된다. 이 사단자 사탐침법이란, 시료 (압분체) 의 표면에 4 개의 침상 전극을 소정의 간격을 두고 일직선상에 두고, 외측의 2 개의 침상 전극 사이에 일정한 전류를 흘리고, 내측의 2 개의 침상 전극 사이에 발생하는 전위차를 측정함으로써 체적 저항률을 구하는 방법이다.The said volume resistivity is measured by the four-point probe method using the low resistivity meter Loresta GP (model: UV-3101PC) by Mitsubishi Chemical Corporation, for example. In this four-point probe method, four needle electrodes are placed in a straight line with a predetermined interval on the surface of the sample (green body), a constant current is passed between the two outer needle electrodes, and a constant current is passed between the two inner needle electrodes. It is a method to obtain the volume resistivity by measuring the potential difference occurring in
또, 질화지르코늄 분말은, 일차 입자가 응집된 이차 입자의 상태이고, 레이저 회절 산란법에 의해 측정되는 체적 기준의 입도 분포이다. 여기서, 레이저 회절 산란법에 의한 체적 기준의 입도 분포의 측정은, 다음과 같이 실시한다. 먼저, 질화지르코늄 분말 (이차 입자) 0.1 g 을 이온 교환수 20 g 중에 투입하고, 25 ㎑ 의 초음파를 5 분간 조사하여, 이온 교환수에 질화지르코늄 분말을 분산시킨다. 다음으로, 얻어진 질화지르코늄 분말의 분산액을, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치 (호리바 제작소 제조 상품명 : LA-300) 의 관찰 셀에 적당량 적하하고, 이 장치의 순서에 따라 입도 분포를 측정한다. 이 레이저 회절 산란법에 의해 측정된 입도 분포는, 질화지르코늄 분말의 일차 입자가 응집된 이차 입자의 입도 분포이다. 또한, 이온 교환수 대신에, 탄소수 2 ∼ 5 의 범위 내에 있는 알코올을 사용해도 된다. 탄소수 2 의 알코올로서, 에탄올을 들 수 있고, 탄소수 3 의 알코올로서, 1-프로판올, 2-프로판올 등을 들 수 있고, 탄소수 4 의 알코올로서, 1-부탄올, 2-부탄올 등을 들 수 있고, 탄소수 5 의 알코올로서, 1-펜탄올, 2-펜탄올 등을 들 수 있다. 또한, 탄소수가 1 이하에서는 휘발성이 높아 측정값이 안정되지 않는다는 문제가 있고, 탄소수가 6 이상에서는 친화성이 부족하여 측정값이 안정되지 않는다는 문제가 있다.In addition, a zirconium nitride powder is a state of the secondary particle|grains which primary particles aggregated, and is a volume-based particle size distribution measured by the laser diffraction-scattering method. Here, the measurement of the volume-based particle size distribution by the laser diffraction scattering method is performed as follows. First, 0.1 g of zirconium nitride powder (secondary particle) is thrown into 20 g of ion-exchange water, 25 kHz ultrasonic wave is irradiated for 5 minutes, and a zirconium nitride powder is disperse|distributed to ion-exchange water. Next, the dispersion liquid of the obtained zirconium nitride powder is dripped at the observation cell of the laser diffraction scattering type particle size distribution analyzer (Horiba Corporation brand name: LA-300), an appropriate amount is dripped, The particle size distribution is measured according to the procedure of this apparatus. The particle size distribution measured by this laser diffraction scattering method is the particle size distribution of the secondary particle|grains which the primary particle of zirconium nitride powder aggregated. Moreover, you may use the alcohol in the range of C2-C5 instead of ion-exchange water. Examples of the C2 alcohol include ethanol, examples of the C3 alcohol include 1-propanol and 2-propanol, and examples of the C4 alcohol include 1-butanol and 2-butanol; Examples of the alcohol having 5 carbon atoms include 1-pentanol and 2-pentanol. In addition, if the carbon number is 1 or less, there is a problem that the measured value is not stable due to high volatility, and if the carbon number is 6 or more, there is a problem that the measured value is not stable due to insufficient affinity.
이와 같이 구성된 질화지르코늄 분말의 제조 방법을 설명한다. 먼저, 테르미트법 또는 플라즈마 합성법에 의해 질화지르코늄 조분말을 생성한다. 본 명세서에 있어서, 테르미트법이란, 산화지르코늄 분말을 금속 마그네슘의 존재하에서 N2 가스 (질소 가스) 와 반응시켜 환원하는 방법을 말한다. 이 실시형태에서는, 산화지르코늄 분말로서, 이산화지르코늄 (ZrO2) 분말 또는 실리카가 코팅된 이산화지르코늄 (ZrO2) 분말이 사용된다. 또, 금속 마그네슘 분말에 질화마그네슘 (Mg3N2) 분말이 첨가된다. 이들 분말을 출발 원료로 하여, 특정한 분위기하에서, 특정한 온도와 시간으로 소성함으로써, BET 법에 의해 측정되는 비표면적이 20 ㎡/g ∼ 90 ㎡/g 인 질화지르코늄 조분말을 생성한다.The manufacturing method of the zirconium nitride powder comprised in this way is demonstrated. First, a coarse zirconium nitride powder is produced by a thermite method or a plasma synthesis method. In the present specification, the thermite method refers to a method for reducing zirconium oxide powder by reacting it with N 2 gas (nitrogen gas) in the presence of magnesium metal. In this embodiment, as the zirconium oxide powder, a zirconium dioxide (ZrO 2 ) powder or a silica-coated zirconium dioxide (ZrO 2 ) powder is used. In addition, magnesium nitride (Mg 3 N 2 ) powder is added to the metallic magnesium powder. These powders are used as starting materials and calcined under a specific atmosphere at a specific temperature and time to produce a coarse zirconium nitride powder having a specific surface area of 20 m 2 /g to 90 m 2 /g measured by the BET method.
[이산화지르코늄 분말][Zirconium Dioxide Powder]
이산화지르코늄 분말로는, 예를 들어, 단사정계 이산화지르코늄, 입방정계 이산화지르코늄, 이트륨 안정화 이산화지르코늄 등의 이산화지르코늄의 분말을 모두 사용 가능하지만, 질화지르코늄 분말의 생성률이 높아지는 관점에서, 단사정계 이산화지르코늄 분말이 바람직하다. 또, 이산화지르코늄 분말 또는 실리카가 코팅된 이산화지르코늄 분말의 각 평균 일차 입경, 및 산화마그네슘 분말의 평균 일차 입경은, BET 법에 의해 측정되는 비표면적이 20 ㎡/g ∼ 90 ㎡/g 인 질화지르코늄 조분말을 얻기 위해서는, 비표면적의 측정값으로부터 구형 환산한 평균 일차 입경으로 500 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 분말의 취급 용이함에서, 평균 일차 입경으로 500 ㎚ 이하이고 10 ㎚ 이상인 것이 바람직하다.As zirconium dioxide powder, all of the powders of zirconium dioxide, such as monoclinic zirconium dioxide, cubic zirconium dioxide, and yttrium stabilized zirconium dioxide, can be used, For example, From a viewpoint of the production rate of zirconium nitride powder becoming high, monoclinic zirconium dioxide Powders are preferred. In addition, each average primary particle diameter of zirconium dioxide powder or silica-coated zirconium dioxide powder and the average primary particle diameter of magnesium oxide powder are zirconium nitride whose specific surface area is 20 m 2 /g to 90 m 2 /g measured by the BET method. In order to obtain a coarse powder, the average primary particle diameter in terms of spherical conversion from the measured value of the specific surface area is preferably 500 nm or less, and from the viewpoint of easy handling of the powder, the average primary particle diameter is preferably 500 nm or less and 10 nm or more.
[실리카가 코팅된 이산화지르코늄 분말][Silica-coated zirconium dioxide powder]
실리카가 코팅된 이산화지르코늄 분말은, 이산화지르코늄 분말과 실리케이트 졸 겔액을 혼합하여 슬러리를 조제하고, 이 슬러리를 건조시키고 분쇄하여 얻어진다. 이산화지르코늄과 실리케이트 졸 겔액의 혼합 비율은, 질량비로 이산화지르코늄 : 실리케이트 졸 겔액의 실리카분이 (90.0 ∼ 99.5) : (10.0 ∼ 0.5) 인 것이 바람직하다. 실리카분이 하한값 미만에서는, 이산화지르코늄 표면의 실리카 피복률이 지나치게 낮고, 실리카분이 상한값을 초과하면, 얻어진 질화지르코늄 분말을 사용하여 패터닝막을 형성했을 때에 차광성이 부족한 문제가 있다.The silica-coated zirconium dioxide powder is obtained by mixing zirconium dioxide powder and a silicate sol gel liquid to prepare a slurry, drying the slurry and pulverizing it. The mixing ratio of zirconium dioxide and silicate sol gel liquid is preferably zirconium dioxide: silica content of silicate sol gel liquid (90.0 to 99.5): (10.0 to 0.5) in mass ratio. When the silica content is less than the lower limit, the silica coverage on the surface of zirconium dioxide is too low, and when the silica content exceeds the upper limit, there is a problem of insufficient light-shielding property when a patterning film is formed using the obtained zirconium nitride powder.
이산화지르코늄 분말을 물, 알코올 등의 분산액에 넣어 혼합한 후, 이 혼합액을 실리케이트 졸 겔액에 첨가 혼합하는 것이, 이산화지르코늄이 졸 겔액에 균일하게 혼합하기 때문에, 바람직하다. 실리케이트 졸 겔액은, 메틸 실리케이트, 에틸 실리케이트 등의 실리케이트가 물, 알코올 등의 용매에 용해된 액이 바람직하다. 이산화지르코늄과 졸 겔액의 혼합 비율은, 얻어지는 슬러리의 고형분 농도가 고형분으로 10 질량% ∼ 50 질량% 가 되도록 결정된다. 얻어진 슬러리를 대기 중 또는 진공 분위기하 60 ℃ ∼ 350 ℃ 의 온도에서 1 분간 ∼ 360 분간 건조시켜, 실리카가 코팅된 이산화지르코늄 분말이 얻어진다.It is preferable to mix the zirconium dioxide powder in a dispersion liquid such as water or alcohol, and then add and mix the mixed solution to the silicate sol gel liquid, since zirconium dioxide is uniformly mixed with the sol gel liquid. The silicate sol gel liquid is preferably a liquid in which a silicate such as methyl silicate or ethyl silicate is dissolved in a solvent such as water or alcohol. The mixing ratio of zirconium dioxide and sol-gel liquid is determined so that the solid content concentration of the obtained slurry is 10 mass % - 50 mass % by solid content. The obtained slurry is dried at a temperature of 60°C to 350°C in the air or in a vacuum atmosphere for 1 minute to 360 minutes to obtain a silica-coated zirconium dioxide powder.
출발 원료에 실리카가 코팅된 이산화지르코늄 분말을 사용함으로써, 소성시에 입 (粒) 성장을 억제하는 것이 가능해져, BET 법에 의해 측정되는 비표면적이 20 ㎡/g ∼ 90 ㎡/g 인 보다 미세한 질화지르코늄 분말을 얻을 수 있다. 이 때, 질화지르코늄 분말은, 산화규소 및/또는 질화규소를 10.0 질량% 이하, 바람직하게는 9.0 질량% 이하의 비율로 함유한다. 10.0 질량% 를 초과하면, 얻어진 질화지르코늄 분말을 사용하여 패터닝막을 형성했을 때에 차광성이 부족한 문제가 있다.By using the silica-coated zirconium dioxide powder as the starting material, it becomes possible to suppress grain growth during firing, and a finer specific surface area measured by the BET method of 20 m 2 /g to 90 m 2 /g Zirconium nitride powder can be obtained. At this time, zirconium nitride powder is 10.0 mass % or less of silicon oxide and/or silicon nitride, Preferably it contains in the ratio of 9.0 mass % or less. When it exceeds 10.0 mass % and a patterning film is formed using the obtained zirconium nitride powder, there exists a problem that light-shielding property is insufficient.
[금속 마그네슘 분말][Metal Magnesium Powder]
금속 마그네슘 분말은, 입경이 지나치게 작으면, 반응이 급격하게 진행되어 조작상 위험성이 높아지므로, 입경이 체의 메시 패스로 100 ㎛ ∼ 1000 ㎛ 의 입상인 것이 바람직하고, 특히 200 ㎛ ∼ 500 ㎛ 의 입상인 것이 바람직하다. 단, 금속 마그네슘은, 모두 상기 입경 범위 내에 없어도, 그 80 질량% 이상, 특히 90 질량% 이상이 상기 범위 내에 있으면 된다.When the particle size of the metallic magnesium powder is too small, the reaction proceeds rapidly and the operational risk increases. Therefore, it is preferable that the particle size is 100 µm to 1000 µm granular in the mesh pass of the sieve, especially 200 µm to 500 µm It is preferable that it is granular. However, even if none of metallic magnesium is within the said particle diameter range, 80 mass % or more, especially 90 mass % or more should just be in the said range.
이산화지르코늄 분말에 대한 금속 마그네슘 분말의 첨가량의 다과 (多寡) 는, 후술하는 분위기 가스 중의 암모니아 가스 및 수소 가스의 양과 함께 이산화지르코늄의 환원력에 영향을 미친다. 금속 마그네슘의 양이 지나치게 적으면, 환원 부족으로 목적으로 하는 질화지르코늄 분말이 잘 얻어지지 않게 되고, 지나치게 많으면, 과잉인 금속 마그네슘에 의해 반응 온도가 급격하게 상승하여, 분말의 입 성장을 일으킬 우려가 있음과 함께 비경제적이 된다. 금속 마그네슘 분말은, 그 입경의 크기에 따라, 금속 마그네슘이 이산화지르코늄의 2.0 배 몰 ∼ 6.0 배 몰의 비율이 되도록, 금속 마그네슘 분말을 이산화지르코늄 분말에 첨가하여 혼합한다. 2.0 배 몰 미만에서는, 이산화지르코늄의 환원 반응이 불충분하고, 6.0 배 몰을 초과하면, 과잉인 금속 마그네슘에 의해 반응 온도가 급격하게 상승하여, 분말의 입 성장을 일으킬 우려가 있음과 함께 비경제적이 된다.A large amount of the metal magnesium powder added to the zirconium dioxide powder affects the reducing power of zirconium dioxide together with the amounts of ammonia gas and hydrogen gas in atmospheric gas which will be described later. When the amount of metallic magnesium is too small, the target zirconium nitride powder cannot be easily obtained due to insufficient reduction. It becomes uneconomical with existence. The metallic magnesium powder is mixed by adding the metallic magnesium powder to the zirconium dioxide powder so that the metallic magnesium is in a ratio of 2.0 to 6.0 moles of zirconium dioxide, depending on the size of the particle size. If it is less than 2.0 times mole, the reduction reaction of zirconium dioxide is insufficient, and if it exceeds 6.0 times mole, the reaction temperature rises rapidly due to excess metallic magnesium, which may cause grain growth of the powder and is uneconomical. do.
[질화마그네슘 분말][Magnesium Nitride Powder]
질화마그네슘 분말은, 소성시에 질화지르코늄 표면을 코팅하여, 금속 마그네슘의 환원력을 완화시키고, 질화지르코늄 분말의 소결 및 입 성장을 방지한다. 질화마그네슘 분말은, 그 입경의 크기에 따라, 질화마그네슘이 이산화지르코늄의 0.3 배 몰 ∼ 3.0 배 몰의 비율이 되도록, 이산화지르코늄에 첨가하여 혼합한다. 0.3 배 몰 미만에서는 질화지르코늄 분말의 소결 방지가 되지 않고, 3.0 배 몰을 초과하면, 소성 후의 산 세정시에 필요로 하는 산성 용액의 사용량이 증가하는 문제가 있다. 바람직하게는 0.4 배 몰 ∼ 2.0 배 몰이다. 질화마그네슘 분말은, 비표면적의 측정값으로부터 구형 환산한 평균 일차 입경으로 1000 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 분말의 취급 용이함에서, 평균 일차 입경으로 10 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 질화마그네슘뿐만 아니라, 산화마그네슘도 질화지르코늄의 소결 예방에 유효하기 때문에, 질화마그네슘에 일부 산화마그네슘을 혼합하여 사용할 수도 있다.Magnesium nitride powder coats the surface of zirconium nitride during firing to relieve the reducing power of metallic magnesium and prevents sintering and grain growth of the zirconium nitride powder. Magnesium nitride powder is added and mixed with zirconium dioxide so that magnesium nitride may become a ratio of 0.3 times mole - 3.0 times mole of zirconium dioxide according to the size of the particle size. If it is less than 0.3 times mole, sintering of the zirconium nitride powder cannot be prevented, and if it exceeds 3.0 times mole, there is a problem in that the amount of the acidic solution used at the time of acid washing after baking increases. Preferably it is 0.4 times mole - 2.0 times mole. The magnesium nitride powder preferably has an average primary particle diameter of 1000 nm or less in terms of spherical conversion from the measured value of the specific surface area, and is preferably 10 nm or more and 500 nm or less in average primary particle diameter from the viewpoint of easy handling of the powder. In addition, not only magnesium nitride but also magnesium oxide is effective in preventing sintering of zirconium nitride, and therefore magnesium oxide may be mixed with some magnesium oxide and used.
[금속 마그네슘 분말에 의한 환원 반응][Reduction reaction by metallic magnesium powder]
질화지르코늄 조분말을 생성시키기 위한 금속 마그네슘에 의한 환원 반응시의 온도는, 650 ℃ ∼ 900 ℃, 바람직하게는 700 ℃ ∼ 800 ℃ 이다. 650 ℃ 는 금속 마그네슘의 용융 온도이고, 온도가 그것보다 낮으면, 이산화지르코늄의 환원 반응이 충분히 발생하지 않는다. 또, 온도를 900 ℃ 보다 높게 해도, 그 효과는 증가하지 않고, 열에너지가 낭비됨과 함께 분말의 소결이 진행되어 바람직하지 않다. 또 환원 반응 시간은 30 분 ∼ 90 분이 바람직하고, 30 분 ∼ 60 분이 더욱 바람직하다.The temperature at the time of the reduction reaction by the metallic magnesium for producing|generating the zirconium nitride coarse powder is 650 degreeC - 900 degreeC, Preferably it is 700 degreeC - 800 degreeC. 650°C is the melting temperature of metallic magnesium, and when the temperature is lower than that, the reduction reaction of zirconium dioxide does not sufficiently occur. In addition, even if the temperature is higher than 900°C, the effect does not increase, heat energy is wasted, and sintering of the powder proceeds, which is undesirable. Moreover, 30 minutes - 90 minutes are preferable, and, as for the reduction reaction time, 30 minutes - 60 minutes are more preferable.
상기 환원 반응을 실시할 때의 반응 용기는, 반응시에 원료나 생성물이 비산되지 않도록, 덮개를 갖는 것이 바람직하다. 이것은, 금속 마그네슘의 용융이 개시되면, 환원 반응이 급격히 진행되고, 그에 수반하여 온도가 상승하여, 용기 내부의 기체가 팽창되고, 그에 따라, 용기의 내부의 것이 외부로 비산될 우려가 있기 때문이다.It is preferable that the reaction container at the time of performing the said reduction reaction has a cover so that a raw material and a product may not scatter at the time of reaction. This is because, when the melting of metallic magnesium is started, the reduction reaction proceeds rapidly, and the temperature rises with it, and the gas inside the container expands, and as a result, there is a possibility that the inside of the container is scattered to the outside. .
[금속 마그네슘 분말에 의한 환원 반응시의 분위기 가스][Atmospheric gas during reduction reaction with metallic magnesium powder]
분위기 가스는, 질소 가스 단체이거나, 또는 질소 가스와 수소 가스의 혼합 가스이거나, 또는 질소 가스와 암모니아 가스의 혼합 가스이다. 상기 환원 반응은 상기 혼합 가스의 기류 중에서 실시된다. 혼합 가스 중의 질소 가스는, 금속 마그네슘이나 환원 생성물과 산소의 접촉을 막아, 그들의 산화를 방지함과 함께, 질소를 지르코늄과 반응시켜, 질화지르코늄을 생성시키는 역할을 갖는다. 혼합 가스 중의 수소 가스 또는 암모니아 가스는, 금속 마그네슘과 함께, 이산화지르코늄을 환원시키는 역할을 갖는다. 수소 가스는, 상기 혼합 가스 중, 0 체적% ∼ 40 체적% 포함하는 것이 바람직하고, 10 체적% ∼ 30 체적% 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 또 암모니아 가스는, 상기 혼합 가스 중, 0 체적% ∼ 50 체적% 포함하는 것이 바람직하고, 0 체적% ∼ 40 체적% 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 이 환원력이 있는 분위기 가스를 사용함으로써, 최종적으로 저차 산화지르코늄 및 저차 산질화지르코늄을 포함하지 않는 질화지르코늄 분말을 제조할 수 있다. 한편, 이 범위보다 수소 가스의 비율, 혹은 암모니아 가스의 비율이 높으면 환원은 진행되지만 질소원이 적어지기 때문에, 저차 산화지르코늄 또는 저차 산질화지르코늄이 생성되어 버려, 바람직하지 않다. 또, 수소 가스의 비율보다 암모니아 가스의 비율이 높은 것은, 가스의 질화 능력이 수소보다 암모니아쪽이 높기 때문으로 생각된다.Atmospheric gas is a single nitrogen gas, a mixed gas of nitrogen gas and hydrogen gas, or a mixed gas of nitrogen gas and ammonia gas. The reduction reaction is carried out in an airflow of the mixed gas. Nitrogen gas in the mixed gas prevents contact of magnesium metal, a reduction product, and oxygen, prevents oxidation thereof, and reacts nitrogen with zirconium to form zirconium nitride. Hydrogen gas or ammonia gas in the mixed gas has a role of reducing zirconium dioxide together with metallic magnesium. It is preferable to contain 0 volume% - 40 volume% in the said mixed gas, and, as for hydrogen gas, it is more preferable to contain 10 volume% - 30 volume%. Moreover, it is preferable to contain 0 volume% - 50 volume% in the said mixed gas, and, as for ammonia gas, it is more preferable to contain 0 volume% - 40 volume%. By using the atmospheric gas with this reducing power, finally, the zirconium nitride powder which does not contain a low-order zirconium oxide and a low-order oxynitride can be manufactured. On the other hand, when the ratio of hydrogen gas or the ratio of ammonia gas is higher than this range, although reduction advances, since a nitrogen source decreases, a low-order zirconium oxide or a low-order oxynitride is produced|generated, and it is unpreferable. The reason that the ratio of ammonia gas is higher than that of hydrogen gas is considered to be because ammonia has a higher nitridation capability than hydrogen.
한편, 플라즈마 합성법에 의한 질화지르코늄 조분말의 생성 방법은, 플라즈마 나노 입자 제조 장치에 금속 지르코늄 분말을 도입하고, N2 가스 분위기에서 질화지르코늄 나노 입자를 얻는 방법이다. 이 방법에 의해 합성되는 질화지르코늄은, 20 ㎡/g ∼ 90 ㎡/g 의 BET 법에 의해 측정되는 비표면적의 것을 얻을 수 있지만, 원료인 금속 지르코늄의 연소성이 높아 위험한 점, 및 비용적으로 높아지는 단점이 있다. 또한, 플라즈마 합성법에 의해 생성된 나노 입자는, 냉각 과정, 제품 취출 과정에 있어서의 급격한 표면 산화, 부착, 응집 등에 의해 조대화 (粗大化) 되어, 조분말이 되는 것이 있기 때문에, 플라즈마 합성법에 의해 생성된 것도 질화지르코늄 조분말로 하였다.On the other hand, the production method of the zirconium nitride coarse powder by the plasma synthesis method is a method of introducing a metal zirconium powder into a plasma nanoparticle manufacturing apparatus, and obtaining zirconium nitride nanoparticles in an N 2 gas atmosphere. The zirconium nitride synthesized by this method can be obtained with a specific surface area measured by the BET method of 20 m / g to 90 m / g, but the flammability of the metal zirconium as a raw material is high, dangerous, and the cost is high. There are disadvantages. In addition, the nanoparticles produced by the plasma synthesis method are coarsened by rapid surface oxidation, adhesion, aggregation, etc. in the cooling process and product taking out process, and become coarse powder. What was produced was also made into coarse zirconium nitride powder.
다음으로, 이 질화지르코늄 조분말을 10 ℃ 이하의 분산매 온도에서 저온 습식 미디어 분쇄를 실시하거나 또는 0.3 ㎫ 이상의 가스압으로 제트 밀 분쇄를 실시함으로써, 물 또는 탄소수 3 ∼ 5 의 범위 내에 있는 알코올로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 10 ㎛ 이하인 질화지르코늄 전구체 분말을 제조한다. 또한, 이 질화지르코늄 전구체 분말의 BET 법에 의해 측정되는 비표면적은 22 ㎡/g ∼ 120 ㎡/g 이다.Next, this coarse zirconium nitride powder is subjected to low-temperature wet media grinding at a dispersion medium temperature of 10 ° C. or less or jet mill grinding at a gas pressure of 0.3 MPa or more, diluted with water or alcohol having 3 to 5 carbon atoms. A zirconium nitride precursor powder having a particle size distribution D 90 of 10 μm or less when ultrasonically dispersed in the state of being dispersed for 5 minutes is prepared. In addition, the specific surface area measured by the BET method of this zirconium nitride precursor powder is 22 m<2>/g - 120 m<2>/g.
상기 저온 습식 미디어 분쇄법이란, 이온 교환수나 탄소수 2 ∼ 5 의 알코올 등의 분산매에 질화지르코늄 조분말을 분산시키고, 분산매 온도를 10 ℃ 이하로 유지한 상태에서, 평균 입경 50 ㎛ ∼ 500 ㎛ 의 지르코니아, 알루미나, 유리, 우레탄 수지 등의 미디어를 사용한 비드 밀 분쇄법을 말한다. 여기서, 분산매 온도를 10 ℃ 이하로 유지하는 것은, 10 ℃ 를 초과하면 질화지르코늄 전구체 분말의 분쇄가 진행되어, 후술하는 흑색막의 OD 값이 저하되어 버리기 때문이다. 또한, 분산매 온도를 10 ℃ 이하로 유지하기 위해서, 분산매로서 액체 질소를 사용하거나, 미디어로서 드라이아이스 비드를 사용해도 된다. 또, 질화지르코늄 조분말을 상기 저온 습식 미디어 분쇄법으로 분쇄하면, 발열량이 적기 때문에, 질화지르코늄의 표면 산화가 진행되지 않아, 높은 흑색도를 유지할 수 있다.In the low-temperature wet media grinding method, coarse zirconium nitride powder is dispersed in a dispersion medium such as ion-exchanged water or alcohol having 2 to 5 carbon atoms, and zirconia having an average particle size of 50 µm to 500 µm while the temperature of the dispersion medium is maintained at 10°C or less. , refers to a bead mill grinding method using media such as alumina, glass, or urethane resin. Here, the reason why the temperature of the dispersion medium is maintained at 10°C or lower is that, when the temperature exceeds 10°C, pulverization of the zirconium nitride precursor powder advances and the OD value of the black film described later decreases. In addition, in order to maintain the dispersion medium temperature at 10° C. or less, liquid nitrogen may be used as the dispersion medium, or dry ice beads may be used as the medium. Further, when the coarse zirconium nitride powder is pulverized by the above-mentioned low-temperature wet media pulverization method, since the amount of heat generated is small, the surface oxidation of zirconium nitride does not proceed, and high blackness can be maintained.
또, 가스압 0.3 ㎫ 이상의 제트 밀 분쇄란, 노즐로부터 분사되는 0.3 ㎫ 이상의 고압의 공기, 질소 등의 불활성 가스, 또는 증기를 초고속 제트로서 분말에 충돌시켜, 분말끼리의 충격에 의해 수 ㎛ 의 레벨의 미분말까지 분쇄하는 장치를 말하고, 분사되는 공기 또는 증기는 음속 전후에 이른다. 제트 밀의 특징으로서, 분사되는 가스가 단열 팽창됨으로써 온도가 낮아지기 때문에, 저온에서의 분쇄가 가능한 것을 들 수 있고, 본 발명에 있어서의 질화지르코늄과 같은 환원성의 물질로도 산화를 억제하는 것이 가능하다. 여기서, 상기 가스압을 0.3 ㎫ 이상으로 한정한 것은, 0.3 ㎫ 미만에서는 질화지르코늄 조분말이 남아 버리기 때문이다. 또한, 질화지르코늄 조분말을 상기 제트 밀 분쇄법으로 분쇄하면, 질화지르코늄 조분말이 남지 않아, 흑색막의 절연성을 향상시킬 수 있다.In addition, in jet mill pulverization with a gas pressure of 0.3 MPa or more, high-pressure air of 0.3 MPa or more, an inert gas such as nitrogen, or steam injected from a nozzle are collided with the powder as an ultra-high speed jet, It refers to a device that pulverizes to fine powder, and the air or steam sprayed reaches before and after the speed of sound. As a characteristic of the jet mill, since the temperature is lowered by the adiabatic expansion of the injected gas, it is possible to grind at a low temperature, and it is possible to suppress oxidation even with a reducing substance such as zirconium nitride in the present invention. Here, the reason that the said gas pressure is limited to 0.3 MPa or more is because the zirconium nitride coarse powder remains when it is less than 0.3 MPa. In addition, when the coarse zirconium nitride powder is pulverized by the jet mill grinding method, the coarse zirconium nitride powder does not remain and the insulation of the black film can be improved.
또한, 이 분쇄한 질화지르코늄 전구체 분말을 불활성 가스 분위기 중에서 소성함으로써, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 107 Ω·㎝ 이상인 질화지르코늄 분말을 제조한다. 불활성 가스로는, N2 가스, 헬륨 가스, 아르곤 가스 등을 들 수 있다. 상기 소성 온도는 250 ℃ ∼ 550 ℃ 의 범위 내인 것이 바람직하고, 소성 시간은 1 시간 ∼ 5 시간의 범위 내인 것이 바람직하다. 여기서, 바람직한 소성 온도를 250 ℃ ∼ 550 ℃ 의 범위 내로 한정한 것은, 250 ℃ 미만에서는 저항값의 상승이 불충분하고, 550 ℃ 를 초과하면 분말끼리의 융착이 진행되어 조분말이 증가해 버리기 때문이다. 또, 바람직한 소성 시간을 1 시간 ∼ 5 시간의 범위 내로 한정한 것은, 1 시간 미만에서는 저항값의 상승이 불충분하고, 5 시간을 초과해도 효과가 변함이 없어 비경제적이기 때문이다. 또한, 질화지르코늄 전구체 분말을 불활성 가스 분위기 중에서 소성함으로써, 흑색막의 절연성을 향상시킬 수 있다. 불활성 가스 분위기 중에서의 소성에 의해, 흑색막의 절연성이 향상되는 상세한 메커니즘은 분명하지 않지만, 질화지르코늄의 조분말이 없어져 분말의 균일성이 양호해진 것이나, 접촉점이 줄어드는 것이나, 흑색막의 표면에 극박의 절연층이 형성된 것에서 기인하고 있는 것으로 추측된다.Further, by calcining the pulverized zirconium nitride precursor powder in an inert gas atmosphere, a zirconium nitride powder having a volume resistivity of 10 7 Ω·cm or more in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa is produced. Examples of the inert gas include N 2 gas, helium gas, and argon gas. It is preferable that the said calcination temperature exists in the range of 250 degreeC - 550 degreeC, and it is preferable that calcination time exists in the range of 1 hour - 5 hours. Here, the reason why the preferable firing temperature is limited to within the range of 250°C to 550°C is that the increase in resistance value is insufficient when it is less than 250°C, and when it exceeds 550°C, fusion of the powders proceeds and the coarse powder increases. . Moreover, the reason why the preferable firing time is limited to within the range of 1 hour to 5 hours is that if less than 1 hour, the increase in resistance value is insufficient, and even if it exceeds 5 hours, the effect does not change and it is uneconomical. In addition, the insulation of the black film can be improved by firing the zirconium nitride precursor powder in an inert gas atmosphere. Although the detailed mechanism by which the insulation of the black film is improved by firing in an inert gas atmosphere is not clear, the coarse powder of zirconium nitride is lost, the uniformity of the powder is improved, the contact points are reduced, and the surface of the black film is ultra-thin insulation It is presumed to originate from the formation of a layer.
상기 질화지르코늄 분말이 아크릴 모노머 또는 에폭시 모노머에 분산되어 모노머 분산체가 조제된다. 이 모노머 분산체는, 무기 분말을 분산시켜 함유하는 수지 조성물, 수지 성형체 등의 용도에 유용하다. 또, 상기 모노머 분산체는, 추가로 금속 산화물 분말을 포함하고, 가소제를 추가로 함유할 수 있다. 가소제로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 인산트리부틸, 인산2-에틸헥실 등의 인산에스테르계 가소제, 프탈산디메틸, 프탈산디부틸 등의 프탈산에스테르계 가소제, 올레산부틸, 글리세린모노올레산에스테르 등의 지방족-염기성 에스테르계 가소제, 아디프산디부틸, 세바크산디-2-에틸헥실 등의 지방족 이염기산 에스테르계 가소제 ; 디에틸렌글리콜디벤조에이트, 트리에틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트 등의 2 가 알코올에스테르계 가소제 ; 아세틸리시놀레산메틸, 아세틸시트르산트리부틸 등 옥시산에스테르계 가소제 등의 종래 공지된 가소제를 들 수 있다. 또한, 모노머 분산체에, 추가로 다른 모노머를 첨가할 수 있다. 다른 모노머로는, 특별히 한정은 없고, 예를 들어, (메트)아크릴산, (메트)아크릴산에스테르 등의 (메트)아크릴계 모노머, 스티렌, 비닐톨루엔, 디비닐벤젠 등의 스티렌계 모노머, 염화비닐, 아세트산비닐 등의 비닐계 모노머, 우레탄아크릴레이트 등의 우레탄계 모노머, 상기 각종 폴리올류 등, 종래 공지된 모노머를 들 수 있다. 또한, 모노머 분산체의 점도는, 질화지르코늄 분말의 분산성을 고려하여 10 ㎩·s ∼ 1000 mPa·s 의 범위 내로 설정되는 것이 바람직하다. 모노머에 대한 분산은, 용제에 대한 분산과 동일하게, 분쇄 미디어를 사용한 밀 방식을 사용할 수도 있다. 또, 필수 성분은 아니지만, 보다 분산성을 향상시키기 위해 고분자 분산제를 사용할 수도 있다. 고분자 분산제는 분자량이 수천 ∼ 수만인 것이 유효하고, 또, 안료에 흡착하는 관능기로는 2 급 아민, 3 급 아민, 카르복실산, 인산, 인산에스테르 등을 들 수 있지만, 특히 3 급 아민, 카르복실산이 유효하다. 고분자 분산제 대신에, 실란 커플링제를 소량 첨가하는 것도 분산성 향상에 유효하다. 한편, 유성 교반을 실시한 후, 3 개 롤을 몇 차례 통과시켜 분산액을 얻는 것도 가능하다. 한편, 질화지르코늄 분말이 흑색 안료로서 분산매에 분산되고 추가로 수지가 혼합된 흑색 조성물이 조제된다. 이 상기 분산매로는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 메틸에틸케톤 (MEK), 아세트산부틸 (BA) 등을 들 수 있다. 또, 상기 수지로는, 아크릴 수지, 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 용제계 분산에 대해서도, 모노머 분산과 동일하게 고분자 분산제의 첨가가 유효하고, 모노머 분산과 동일하게 분자량이 수천 내지 수만인 것이 유효하고, 관능기로는 3 급 아민, 카르복실산이 유효하다.The zirconium nitride powder is dispersed in an acrylic monomer or an epoxy monomer to prepare a monomer dispersion. This monomer dispersion is useful for uses, such as a resin composition containing an inorganic powder disperse|distributed, and a resin molded object. In addition, the monomer dispersion may further contain a metal oxide powder and further contain a plasticizer. Although it does not specifically limit as a plasticizer, For example, Phosphate ester plasticizers, such as tributyl phosphate and 2-ethylhexyl phosphate, phthalate ester plasticizers, such as dimethyl phthalate and dibutyl phthalate, butyl oleate, glycerol monooleate ester aliphatic-basic ester plasticizers, such as aliphatic dibasic acid ester plasticizers, such as dibutyl adipate and di-2-ethylhexyl sebacate; dihydric alcohol ester plasticizers such as diethylene glycol dibenzoate and triethylene glycol di-2-ethyl butyrate; A conventionally well-known plasticizer, such as an oxy acid ester type plasticizer, such as methyl acetyl ricinoleate and tributyl acetyl citrate, is mentioned. In addition, other monomers can be further added to the monomer dispersion. There is no limitation in particular as another monomer, For example, (meth)acrylic-type monomers, such as (meth)acrylic acid and (meth)acrylic acid ester, styrene-type monomers, such as styrene, vinyltoluene, divinylbenzene, vinyl chloride, acetic acid A conventionally well-known monomer, such as vinyl-type monomers, such as vinyl, urethane-type monomers, such as urethane acrylate, and the said various polyols, is mentioned. In addition, the viscosity of the monomer dispersion is preferably set within the range of 10 Pa·s to 1000 mPa·s in consideration of the dispersibility of the zirconium nitride powder. The dispersion with respect to a monomer can also use the mill method using a grinding|pulverization media similarly to dispersion|distribution with respect to a solvent. Moreover, although it is not an essential component, in order to improve dispersibility more, a polymer dispersing agent can also be used. Polymer dispersants having a molecular weight of several thousand to tens of thousands are effective, and examples of the functional group adsorbed to the pigment include secondary amines, tertiary amines, carboxylic acids, phosphoric acid, phosphoric acid esters, and the like. Acids are available. Instead of the polymer dispersing agent, adding a small amount of a silane coupling agent is also effective for improving the dispersibility. On the other hand, after performing planetary stirring, it is also possible to pass three rolls several times to obtain a dispersion liquid. On the other hand, a black composition in which zirconium nitride powder is dispersed as a black pigment in a dispersion medium and further mixed with a resin is prepared. Examples of the dispersion medium include propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), methyl ethyl ketone (MEK), and butyl acetate (BA). Moreover, as said resin, an acrylic resin, an epoxy resin, etc. are mentioned. Also for solvent-based dispersion, the addition of a polymer dispersant is effective as in monomer dispersion, and similarly to monomer dispersion, those having a molecular weight of several thousand to tens of thousands are effective, and tertiary amines and carboxylic acids are effective as functional groups.
다음으로, 상기 모노머 분산체를 사용하여 흑색막을 제조하는 방법을 설명한다. 먼저, 모노머 분산체에 광 중합 개시제를 첨가한 후에, 이 모노머 분산체를 기판에 도포하여 도막을 형성한다. 다음으로, 이 도막을 열 경화 또는 자외선 경화시켜 흑색막을 제조한다. 상기 기판으로는, 예를 들어, 유리, 실리콘, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 방향족 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 또 상기 기판에는, 원하는 바에 따라, 실란 커플링제 등에 의한 약품 처리, 플라즈마 처리, 이온 플레이팅, 스퍼터링, 기상 반응법, 진공 증착 등의 적절한 전처리를 실시해 둘 수도 있다. 모노머 분산체를 기판에 도포할 때에는, 회전 도포, 유연 도포, 롤 도포 등의 적절한 도포법을 채용할 수 있다.Next, a method for producing a black film using the monomer dispersion will be described. First, a photoinitiator is added to the monomer dispersion, and then this monomer dispersion is applied to a substrate to form a coating film. Next, this coating film is heat-cured or UV-cured to prepare a black film. Examples of the substrate include glass, silicone, polycarbonate, polyester, aromatic polyamide, polyamideimide, and polyimide. Further, the substrate may be subjected to appropriate pretreatment such as chemical treatment with a silane coupling agent or the like, plasma treatment, ion plating, sputtering, vapor phase reaction method, vacuum deposition, or the like, if desired. When apply|coating a monomer dispersion to a board|substrate, appropriate application|coating methods, such as rotation application|coating, cast application|coating, roll application|coating, are employable.
상기 도막을 열 경화시키기 위해서는, 대기 중에서 80 ℃ ∼ 250 ℃ 의 온도로 5 분간 ∼ 60 분간 유지하는 것이 바람직하다. 여기서, 도막의 열 경화 온도를 80 ℃ ∼ 250 ℃ 의 범위 내로 한정한 것은, 80 ℃ 미만에서는 도막이 충분히 경화되지 않고, 250 ℃ 를 초과하면 기판이 연화되어 버리기 때문이다. 또, 도막의 열 경화 시간을 5 분간 ∼ 60 분간의 범위 내로 한정한 것은, 5 분간 미만에서는 도막이 충분히 경화되지 않고, 60 분간을 초과하면 필요 이상으로 시간을 필요로 하여 비경제적이기 때문이다. 한편, 상기 도막을 자외선 경화시키기 위해서는, 미리 모노머 분산체에 이르가큐어 184 (BASF 사 제조), 이르가큐어 250 (BASF 사 제조), 이르가큐어 270 (BASF 사 제조), 이르가큐어 369 (BASF 사 제조), 이르가큐어 500 (BASF 사 제조), 이르가큐어 907 (BASF 사 제조), 아데카옵토머 N-1919 (ADEKA 사 제조) 등의 자외선으로 개열되는 광 중합 개시제가 첨가된다. 그리고, 이 광 중합 개시제가 첨가된 모노머 분산체를 기판 상에 도포한 후, 프리베이크를 실시하여 용제를 증발시켜, 포토레지스트막을 형성한다. 다음으로 이 포토레지스트막에 포토마스크를 개재하여 소정의 패턴 형상으로 노광한 후, 알칼리 현상액을 사용하여 현상하고, 포토레지스트막의 미노광부를 용해 제거하며, 그 후 바람직하게는 포스트베이크를 실시함으로써, 소정의 흑색막이 형성된다.In order to thermoset the said coating film, it is preferable to hold|maintain for 5 minutes - 60 minutes at the temperature of 80 degreeC - 250 degreeC in air|atmosphere. Here, the reason why the thermal curing temperature of the coating film is limited within the range of 80°C to 250°C is that the coating film does not sufficiently harden when it is less than 80°C, and the substrate becomes softened when it exceeds 250°C. In addition, the reason that the thermal curing time of the coating film is limited to within the range of 5 minutes to 60 minutes is that the coating film does not fully cure when it is less than 5 minutes, and it takes more time than necessary when it exceeds 60 minutes, which is uneconomical. On the other hand, in order to UV-curing the coating film, Irgacure 184 (manufactured by BASF), Irgacure 250 (manufactured by BASF), Irgacure 270 (manufactured by BASF), Irgacure 369 (manufactured by BASF) in advance in the monomer dispersion A photoinitiator cleaved by ultraviolet rays such as Irgacure 500 (manufactured by BASF Corporation), Irgacure 907 (manufactured by BASF Corporation), and Adeka Optomer N-1919 (manufactured by ADEKA Corporation) is added. And after apply|coating this monomer dispersion to which this photoinitiator was added on a board|substrate, prebaking is performed, the solvent is evaporated, and a photoresist film is formed. Next, the photoresist film is exposed in a predetermined pattern shape through a photomask, developed using an alkali developer, and the unexposed portion of the photoresist film is dissolved and removed, and then preferably post-baking is performed. A predetermined black film is formed.
경화 후의 흑색막의 막두께는, 0.1 ㎛ ∼ 100 ㎛ 의 범위 내인 것이 바람직하다. 특히, 막두께가 10 ㎛ ∼ 100 ㎛ 라는 두꺼운 흑색막의 제조에 적합하다. 또, 흑색막의 OD 값 (Optical Density 값) 은, 질화지르코늄 분말을 사용한 흑색막의 차광성 (투과율의 감쇠) 을 나타내는 지표로서의 광학 농도이다. 구체적으로는, OD 값은, 광이 흑색막을 통과할 때에 흡수되는 정도를 대수로 표시한 것으로서, 다음 식 (1) 로 정의된다. 식 (1) 중, I 는 투과 광량이고, I0 은 입사 광량이다.It is preferable that the film thickness of the black film|membrane after hardening exists in the range of 0.1 micrometer - 100 micrometers. In particular, it is suitable for production of a thick black film having a film thickness of 10 µm to 100 µm. In addition, the OD value (Optical Density value) of a black film|membrane is an optical density as an index|index which shows the light-shielding property (attenuation of transmittance) of the black film|membrane using zirconium nitride powder. Specifically, the OD value is a logarithmic expression of the degree to which light is absorbed when passing through the black film, and is defined by the following formula (1). In formula (1), I is the amount of transmitted light, and I 0 is the amount of incident light.
OD 값 = -log10(I/I0) ………… (1)OD value = -log 10 (I/I 0 ) … … … … (One)
또한, 상기 흑색막의 OD 값은, 높은 차광성을 확보하기 위해, 2.0 이상인 것이 바람직하고, 흑색막의 체적 저항률은, 높은 절연성을 확보하기 위해, 1 × 1013 Ω·㎝ 이상인 것이 바람직하다.In addition, the OD value of the black film is preferably 2.0 or more in order to ensure high light-shielding property, and the volume resistivity of the black film is preferably 1 × 10 13 Ω·cm or more in order to ensure high insulation.
상기 흑색 조성물을 사용하여 흑색막을 제조하는 방법을 설명한다. 먼저, 흑색 조성물을 기판에 도포하여 도막을 형성한다. 다음으로, 이 도막을 열 경화 또는 자외선 경화시켜 흑색막을 제조한다. 이 흑색 조성물을 사용한 흑색막의 제조 방법은, 상기 모노머 분산체를 사용한 흑색막의 제조 방법과 대략 동일하므로, 반복된 설명을 생략한다.A method for producing a black film using the black composition will be described. First, a black composition is applied to a substrate to form a coating film. Next, this coating film is heat-cured or UV-cured to prepare a black film. Since the manufacturing method of the black film using this black composition is substantially the same as the manufacturing method of the black film using the said monomer dispersion, repeated description is abbreviate|omitted.
실시예Example
다음으로 본 발명의 실시예를 비교예와 함께 상세하게 설명한다.Next, examples of the present invention will be described in detail together with comparative examples.
<실시예 1><Example 1>
먼저, 테르미트법에 의해 질화지르코늄 조분말을 제조하였다. 구체적으로는, BET 법에 의해 측정되는 비표면적으로부터 산출되는 평균 일차 입경이 50 ㎚ 인 단사정계 이산화지르코늄 분말 7.4 g 에, 평균 일차 입경이 150 ㎛ 인 금속 마그네슘 분말 7.3 g 과 평균 일차 입경이 200 ㎚ 인 질화마그네슘 분말 3.0 g 을 첨가하고, 석영제 유리관에 흑연의 보트를 내장한 반응 장치에 의해 균일하게 혼합하였다. 이 때 금속 마그네슘의 첨가량은 이산화지르코늄의 5.0 배 몰, 질화마그네슘의 첨가량은 이산화지르코늄의 0.5 배 몰이었다. 이 혼합물을 질소 가스의 분위기하, 700 ℃ 의 온도에서 60 분간 소성하여 소성물을 얻었다. 이 소성물을, 1 리터의 물에 분산시키고, 10 % 염산을 서서히 첨가하여, pH 를 1 이상으로, 온도를 100 ℃ 이하로 유지하면서 세정한 후, 25 % 암모니아수로 pH7 ∼ pH8 로 조정하고, 여과하였다. 그 여과 고형분을 수중에 400 g/리터로 재분산시키고, 다시 한번, 상기와 동일하게 산 세정, 암모니아수에서의 pH 조정을 한 후, 여과하였다. 이와 같이 산 세정-암모니아수에 의한 pH 조정을 2 회 반복한 후, 여과물을 이온 교환수에 고형분 환산으로 500 g/리터로 분산시키고, 60 ℃ 에서의 가열 교반과 pH7 로의 조정을 한 후, 흡인 여과 장치로 여과하고, 또한 등량의 이온 교환수로 세정하며, 설정 온도 : 120 ℃ 의 열풍 건조기로 건조시킴으로써, 질화지르코늄 조분말을 얻었다.First, a coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method. Specifically, to 7.4 g of monoclinic zirconium dioxide powder having an average primary particle size of 50 nm calculated from the specific surface area measured by the BET method, 7.3 g of magnesium metal powder having an average primary particle size of 150 μm and an average primary particle size of 200 nm 3.0 g of phosphorus magnesium nitride powder was added, and it mixed uniformly by the reactor which built-in the boat of graphite in the glass tube made from quartz. At this time, the addition amount of metallic magnesium was 5.0 times mole of zirconium dioxide, and the addition amount of magnesium nitride was 0.5 times mole of zirconium dioxide. This mixture was calcined for 60 minutes at a temperature of 700°C in an atmosphere of nitrogen gas to obtain a calcined product. This calcined product is dispersed in 1 liter of water, 10% hydrochloric acid is gradually added, the pH is 1 or more, and the temperature is 100° C. or less, followed by washing, and then adjusting the pH to 7 to pH 8 with 25% aqueous ammonia; filtered. The filtered solid content was redispersed in water at 400 g/liter, and again, after acid washing and pH adjustment in ammonia water in the same manner as above, filtration was performed. After repeating the acid washing-pH adjustment with ammonia water twice in this way, the filtrate was dispersed in ion-exchanged water at 500 g/liter in terms of solid content, heated and stirred at 60° C. and adjusted to pH 7, and then aspirated. The coarse zirconium nitride powder was obtained by filtering with a filtration apparatus, further washing|cleaning with an equivalent amount of ion-exchange water, and drying with the hot-air dryer of set temperature:120 degreeC.
다음으로, 상기 질화지르코늄 조분말 20 g 을 이소프로판올 5 리터에 분산시키고, 저온 습식 미디어 분쇄 (미디어 : 알루미나) 를 60 분간 실시하여, 질화지르코늄 전구체 분말을 얻었다. 이 때의 이소프로판올 (분산매) 의 온도는 5 ℃ 이하였다. 또한, 상기 질화지르코늄 전구체 분말을 건조시킨 후, N2 가스 분위기 중에서 350 ℃ 의 온도로 4 시간 유지하고 소성하여, 질화지르코늄 분말을 얻었다. 이 질화지르코늄 분말을 실시예 1 로 하였다.Next, 20 g of the coarse zirconium nitride powder was dispersed in 5 liters of isopropanol, and low-temperature wet media pulverization (media: alumina) was performed for 60 minutes to obtain a zirconium nitride precursor powder. The temperature of isopropanol (dispersion medium) at this time was 5 degrees C or less. In addition, after drying the said zirconium nitride precursor powder, it was hold|maintained and baked at the temperature of 350 degreeC in N2 gas atmosphere for 4 hours, and the zirconium nitride powder was obtained. This zirconium nitride powder was used as Example 1.
<실시예 2 ∼ 12 및 비교예 1 ∼ 10><Examples 2 to 12 and Comparative Examples 1 to 10>
실시예 2 ∼ 12 및 비교예 1 ∼ 10 의 질화지르코늄 분말은, 표 1 에 나타내는 방법으로, 질화지르코늄 조분말을 각각 생성하고, 각각 분쇄하며, 또한 각각 소성하였다. 또한, 표 1 에 나타낸 생성 방법, 분쇄 방법 및 소성 방법 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 질화지르코늄 분말을 제조하였다. 또한, 표 1 의 질화지르코늄 조분말의 생성 방법의 란에 있어서, 『TM』 은 테르미트법이고, 『PZ』 는 플라즈마법이다. 또, 표 1 의 질화지르코늄 조분말의 분쇄 방법의 란에 있어서, 『BM』 은 비드 밀법이고, 『JM』 은 제트 밀법이다. 또한, 표 1 의 질화지르코늄 전구체 분말의 소성 시간/가스의 란에 있어서, 『N2』 는 질소 가스이고, 『He』 는 헬륨 가스이고, 『Ar』 은 아르곤 가스이다.The zirconium nitride powders of Examples 2-12 and Comparative Examples 1-10 each produced|generated, respectively grind|pulverized and calcined each zirconium nitride coarse powder by the method shown in Table 1. In addition, a zirconium nitride powder was manufactured in the same manner as in Example 1 except for the production method, pulverization method, and calcination method shown in Table 1. In addition, in the column of the production method of the zirconium nitride coarse powder in Table 1, "TM" is the Thermite method, and "PZ" is the plasma method. Moreover, in the column of the grinding|pulverization method of zirconium nitride coarse powder of Table 1, "BM" is a bead mill method, and "JM" is a jet mill method. In addition, in the column of sintering time/gas of zirconium nitride precursor powder of Table 1 , "N2" is nitrogen gas, "He" is helium gas, and "Ar" is argon gas.
<비교 시험 1><Comparative Test 1>
실시예 1 ∼ 12 및 비교예 1 ∼ 10 의 질화지르코늄 분말에 대해, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률과, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 을 각각 측정하였다. 이들의 결과를 표 1 에 나타낸다.For the zirconium nitride powders of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 10, the volume resistivity in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa, and the particle size distribution D 90 when diluting with water and ultrasonically dispersing for 5 minutes were measured respectively. These results are shown in Table 1.
<비교 시험 2><Comparative Test 2>
실시예 1 ∼ 11 및 비교예 1 ∼ 9 의 질화지르코늄 분말 40 g 에 대해서는, 표 1 에 나타내는 바와 같이, 200 밀리리터의 아크릴 모노머 또는 에폭시 모노머에 분산시켜 모노머 분산체를 조제하였다. 한편, 실시예 12 및 비교예 10 의 질화지르코늄 분말 40 g 에 대해서는, 표 1 에 나타내는 바와 같이, 아민계 분산제를 첨가하고, 200 밀리리터의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 용제 중에서 분산 처리를 실시하여 흑색 안료 분산액을 조제한 후, 이들 흑색 안료 분산액에 아크릴 수지를, 질량비로 흑색 안료 : 수지 = 3 : 7 이 되는 비율로 첨가하고 혼합하여 흑색 조성물을 조제하였다. 그리고, 상기 모노머 분산체 또는 흑색 조성물에 이르가큐어 500 (광 중합 개시제 : BASF 사 제조) 을 4 g 첨가하였다. 다음으로, 상기 모노머 분산체 또는 흑색 조성물을 유리 기판 상에 소성 후의 막두께가 표 1 에 나타내는 두께가 되도록 스핀 코트한 후에, 프리베이크를 실시하여 용제를 증발시켜, 포토레지스트막을 형성하였다. 또한, 이 포토레지스트막에 포토마스크를 개재하여 소정의 패턴 형상으로 노광한 후, 알칼리 현상액을 사용하여 현상하고, 포토레지스트막의 미노광부를 용해 제거하며, 그 후, 포스트베이크를 실시함으로써, 흑색막을 각각 형성하였다. 이들 흑색막에 대해, 자외선 (중심 파장 370 ㎚) 및 가시광 (중심 파장 560 ㎚) 의 OD 값을 전술한 식 (1) 에 기초하여, 맥베스사 제조의 품명 D200 의 농도계 (densitometer) 를 사용하여 각각 측정함과 함께, 흑색막의 체적 저항률 (Ω·㎝) 도 각각 측정하였다. 이들의 결과를 표 1 에 나타냈다.About 40 g of the zirconium nitride powders of Examples 1-11 and Comparative Examples 1-9, as shown in Table 1, it was made to disperse|distribute to 200 milliliters of acryl monomer or an epoxy monomer, and the monomer dispersion was prepared. On the other hand, to 40 g of zirconium nitride powder of Example 12 and Comparative Example 10, as shown in Table 1, an amine-based dispersant was added and dispersion treatment was performed in 200 ml of a propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) solvent. After preparing a black pigment dispersion, an acrylic resin was added to these black pigment dispersions in a mass ratio of black pigment:resin=3:7, and mixed to prepare a black composition. Then, 4 g of Irgacure 500 (photoinitiator: manufactured by BASF) was added to the monomer dispersion or the black composition. Next, after spin-coating the said monomer dispersion or black composition so that the film thickness after baking might become the thickness shown in Table 1 on a glass substrate, it prebaked and evaporated the solvent, and formed the photoresist film. Further, the photoresist film is exposed in a predetermined pattern shape through a photomask, then developed using an alkali developer to dissolve and remove the unexposed portions of the photoresist film, and then post-baking, so that the black film is each was formed. For these black films, the OD values of ultraviolet light (center wavelength 370 nm) and visible light (center wavelength 560 nm) were respectively measured using a densitometer of the product name D200 manufactured by Macbeth Corporation based on the above-mentioned formula (1). While measuring, the volume resistivity (Ω·cm) of the black film was also measured, respectively. These results are shown in Table 1.
표 1 로부터 분명한 바와 같이, 비교예 1 및 10 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조했지만, 이 질화지르코늄을 분쇄하지 않고, 질소 가스 분위기 중에서 350 ℃ 의 온도로 4 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 각각 1 × 105 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 보다 작고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 각각 30 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 보다 컸다. 또, 비교예 1 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 1.0 으로 적절한 범위 (2.0 이상) 보다 작고, 체적 저항률은 1 × 106 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 보다 작아, 도막이 균일해지지 않았다. 또한, 비교예 10 의 질화지르코늄 분말을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 1.9 로 적절한 범위 (2.0 이상) 보다 작고, 체적 저항률은 6 × 1012 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 보다 작았다.As is clear from Table 1, the zirconium nitride powders of Comparative Examples 1 and 10, ie, the coarse zirconium nitride powder, were produced by the Thermite method, but the zirconium nitride was not pulverized and maintained at a temperature of 350° C. in a nitrogen gas atmosphere for 4 hours. In the case of zirconium nitride powder subjected to firing, The particle size distribution D 90 when ultrasonically dispersed for 5 minutes in the same state was 30 µm, which was larger than the appropriate range (10 µm or less). In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Comparative Example 1 in the acrylic monomer is 1.0, which is smaller than the appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 1 × 10 6 Ω·cm in the appropriate range (1 × 10 13 or more), and the coating film did not become uniform. In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Comparative Example 10 in propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was 1.9, which was smaller than the appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity was 6 × 10 12 Ω·cm was smaller than the appropriate range (1 × 10 13 or more).
비교예 3 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조하고, 이 질화지르코늄 조분말을 분산매 온도 5 ℃ 이하의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 했지만, 질화지르코늄 전구체 분말을 소성하지 않은 질화지르코늄 분말에서는, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 9 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였지만, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 1 × 106 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 보다 작았다. 또, 비교예 3 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.1 로 적절한 범위 (2.0 이상) 내였지만, 체적 저항률은 5 × 1011 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 보다 작았다.The zirconium nitride powder of Comparative Example 3, that is, the coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method, and this coarse zirconium nitride powder was pulverized by the bead mill method with a dispersion medium temperature of 5 ° C. or less (low temperature wet media grinding), but the zirconium nitride precursor powder was In the case of unfired zirconium nitride powder, the particle size distribution D 90 when ultrasonically dispersed for 5 minutes in a state of dilution with water was 9 μm, which was within an appropriate range (10 μm or less), but in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa. The volume resistivity was 1 × 10 6 Ω·cm, which was smaller than the appropriate range (1 × 10 7 Ω·cm or more). In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Comparative Example 3 in an acrylic monomer was 2.1, within an appropriate range (2.0 or more), but the volume resistivity was 5 × 10 11 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 or more) was smaller.
이들에 대해, 실시예 1 및 12 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조하고, 이 질화지르코늄을 분산매 온도 5 ℃ 이하의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 한 후에, 질소 가스 분위기 중에서 350 ℃ 의 온도로 4 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 각각 1 × 108 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 내이고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 각각 7 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였다. 또, 실시예 1 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.1 로 적절한 범위 (2.0 이상) 내이고, 체적 저항률은 5 × 1013 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 이었다. 또한, 실시예 12 의 질화지르코늄 분말을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.1 로 적절한 범위 (2.0 이상) 내이고, 체적 저항률은 5 × 1013 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 내였다.On the other hand, the zirconium nitride powders of Examples 1 and 12, that is, the coarse zirconium nitride powder, were prepared by the Thermite method, and the zirconium nitride was pulverized by the bead mill method with a dispersion medium temperature of 5 ° C. or less (low-temperature wet media pulverization), In the case of zirconium nitride powder, which was calcined in a nitrogen gas atmosphere at a temperature of 350 ° C. for 4 hours, the volume resistivity in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa is 1 × 10 8 Ω·cm, respectively, in an appropriate range (1 × 10 7 Ω·cm or more), and the particle size distribution D 90 when it was ultrasonically dispersed for 5 minutes in a diluted state with water was 7 μm, respectively, and was within an appropriate range (10 μm or less). In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Example 1 in the acrylic monomer is 2.1, within an appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 5 × 10 13 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 or higher). In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Example 12 in propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was 2.1, within an appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity was 5 × 10 13 Ω·cm was within an appropriate range (1 × 10 13 or more).
실시예 9 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조하고, 이 질화지르코늄을 분산매 온도 5 ℃ 의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 한 후에, 헬륨 가스 분위기 중에서 350 ℃ 의 온도로 4 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 8 × 107 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 내이고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 7 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였다. 또, 실시예 9 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.2 로 적절한 범위 (2.0 이상) 내이고, 체적 저항률은 3 × 1013 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 내였다.The zirconium nitride powder of Example 9, that is, the coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method, and the zirconium nitride was pulverized by the bead mill method with a dispersion medium temperature of 5 ° C. (low temperature wet media grinding), In the case of zirconium nitride powder that has been calcined at a temperature of 4 hours, the volume resistivity in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa is 8 × 10 7 Ω·cm, within an appropriate range (1 × 10 7 Ω·cm or more). and the particle size distribution D 90 when ultrasonically dispersed for 5 minutes in a state of being diluted with water was 7 μm, which was within an appropriate range (10 μm or less). In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Example 9 in the acrylic monomer is 2.2, within an appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 3 × 10 13 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 and above) was mine.
실시예 10 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조하고, 이 질화지르코늄을 분산매 온도 5 ℃ 의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 한 후에, 아르곤 가스 분위기 중에서 350 ℃ 의 온도로 4 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 8 × 107 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 내이고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 9 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였다. 또, 실시예 10 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.2 로 적절한 범위 (2.0 이상) 내이고, 체적 저항률은 3 × 1013 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 내였다.The zirconium nitride powder of Example 10, that is, the coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method, and the zirconium nitride was pulverized by the bead mill method with a dispersion medium temperature of 5 ° C. (low temperature wet media grinding), In the case of zirconium nitride powder that has been calcined at a temperature of 4 hours, the volume resistivity in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa is 8 × 10 7 Ω·cm, within an appropriate range (1 × 10 7 Ω·cm or more). and the particle size distribution D 90 when ultrasonically dispersed for 5 minutes in a state of being diluted with water was 9 μm, which was within an appropriate range (10 μm or less). In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Example 10 in an acrylic monomer is 2.2, within an appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 3 × 10 13 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 and above) was mine.
한편, 비교예 2 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 플라즈마법으로 제조했지만, 이 질화지르코늄을 분쇄하지 않고, 질소 가스 분위기 중에서 350 ℃ 의 온도로 4 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 3 × 104 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 보다 작고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 14 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 보다 컸다. 또, 비교예 2 의 질화지르코늄 분말을 에폭시 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 1.2 로 적절한 범위 (2.0 이상) 보다 작고, 체적 저항률은 2 × 106 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 보다 작았다.On the other hand, although the zirconium nitride powder of Comparative Example 2, that is, the coarse zirconium nitride powder was produced by the plasma method, the zirconium nitride powder was calcined without pulverizing the zirconium nitride and held at a temperature of 350 ° C. in a nitrogen gas atmosphere for 4 hours. , When the volume resistivity in the state of the green compact hardened at a pressure of 5 MPa is 3 × 10 4 Ω·cm, which is smaller than the appropriate range (1 × 10 7 Ω·cm or more), and ultrasonically dispersed for 5 minutes in a state of being diluted with water The particle size distribution D 90 of 14 μm was larger than the appropriate range (10 μm or less). In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Comparative Example 2 in the epoxy monomer is 1.2, which is less than the appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 2 × 10 6 Ω·cm in the appropriate range (1 × 10 13 or more) was smaller.
비교예 4 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 플라즈마법으로 제조하고, 이 질화지르코늄 조분말을 분산매 온도 5 ℃ 이하의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 했지만, 질화지르코늄 전구체 분말을 소성하지 않은 질화지르코늄 분말에서는, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 5 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였지만, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 2 × 104 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 보다 작았다. 또, 비교예 4 의 질화지르코늄 분말을 에폭시 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.0 으로 적절한 범위 (2.0 이상) 내였지만, 체적 저항률은 2 × 1010 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 보다 작았다.The zirconium nitride powder of Comparative Example 4, that is, the coarse zirconium nitride powder was produced by the plasma method, and this coarse zirconium nitride powder was pulverized by the bead mill method with a dispersion medium temperature of 5°C or less (low-temperature wet media pulverization), but the zirconium nitride precursor powder was fired In the case of the untreated zirconium nitride powder, the particle size distribution D 90 when it was ultrasonically dispersed for 5 minutes in a state of dilution with water was within an appropriate range (10 μm or less) of 5 μm, but the volume in the state of a green compact hardened by a pressure of 5 MPa The resistivity was 2 × 10 4 Ω·cm, which was smaller than the appropriate range (1 × 10 7 Ω·cm or more). In addition, although the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Comparative Example 4 in the epoxy monomer was 2.0 within an appropriate range (2.0 or more), the volume resistivity was 2 × 10 10 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 or more) was smaller.
이들에 대해, 실시예 2 및 4 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 플라즈마법으로 제조하고, 이 질화지르코늄 조분말을 분산매 온도 5 ℃ 이하의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 한 후에, 질소 가스 분위기 중에서 350 ℃ 의 온도로 4 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 각각 1 × 107 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 내이고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 각각 5 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였다. 또, 실시예 2 의 질화지르코늄 분말을 에폭시 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.2 로 적절한 범위 (2.0 이상) 내이고, 체적 저항률은 2 × 1013 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 내였다. 또한, 실시예 4 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.3 으로 적절한 범위 (2.0 이상) 내이고, 체적 저항률은 1 × 1013 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 내였다.On the other hand, the zirconium nitride powders of Examples 2 and 4, that is, the coarse zirconium nitride powder, were prepared by plasma method, and this coarse zirconium nitride powder was pulverized by the bead mill method with a dispersion medium temperature of 5° C. or less (low-temperature wet media pulverization). , in the case of zirconium nitride powder that was calcined in a nitrogen gas atmosphere at a temperature of 350 ° C. for 4 hours, the volume resistivity in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa is 1 × 10 7 Ω·cm, respectively, in an appropriate range (1 ×10 7 Ω·cm or more), and the particle size distribution D 90 when ultrasonically dispersed for 5 minutes in a diluted state with water was within an appropriate range (10 μm or less) of 5 μm, respectively. In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Example 2 in the epoxy monomer is 2.2, within an appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 2 × 10 13 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 and above) was mine. In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Example 4 in an acrylic monomer is 2.3, within an appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 1 × 10 13 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 and above) was mine.
한편, 비교예 5 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조했지만, 이 질화지르코늄 조분말을 적절한 분산매 온도 범위 (10 ℃ 이하) 보다 높은 분산매 온도 12 ℃ 의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 한 후에, 질소 가스 분위기 중에서 350 ℃ 의 온도로 4 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 10 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였지만, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 7 × 106 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 보다 작았다. 또, 비교예 5 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.0 으로 적절한 범위 (2.0 이상) 내였지만, 체적 저항률은 4 × 1012 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 보다 작았다.On the other hand, although the zirconium nitride powder of Comparative Example 5, that is, the coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method, this coarse zirconium nitride powder was pulverized by a bead mill method with a dispersion medium temperature of 12°C higher than the appropriate dispersion medium temperature range (10°C or less) ( In the case of zirconium nitride powder that was calcined for 4 hours at 350 ° C. in a nitrogen gas atmosphere after pulverization with low-temperature wet media), the particle size distribution D 90 when diluting with water and ultrasonically dispersing for 5 minutes was 10 μm. Although it was within the range (10 µm or less), the volume resistivity in the state of the green compact hardened at a pressure of 5 MPa was 7 × 10 6 Ω·cm, which was smaller than the appropriate range (1 × 10 7 Ω·cm or more). In addition, although the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Comparative Example 5 in an acrylic monomer was 2.0 within an appropriate range (2.0 or more), the volume resistivity was 4 × 10 12 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 or more) was smaller.
이에 대해, 실시예 5 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조하고, 이 질화지르코늄 조분말을 적절한 분산매 온도 범위 (10 ℃ 이하) 내인 분산매 온도 10 ℃ 의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 한 후에, 질소 가스 분위기 중에서 350 ℃ 의 온도로 4 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 8 × 107 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 내이고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 10 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였다. 또, 실시예 5 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.0 으로 적절한 범위 (2.0 이상) 내이고, 체적 저항률은 3 × 1013 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 내였다.On the other hand, the zirconium nitride powder of Example 5, that is, the coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method, and this coarse zirconium nitride powder was pulverized by the bead mill method with a dispersion medium temperature of 10°C within an appropriate dispersion medium temperature range (10°C or less) ( In the case of zirconium nitride powder that was calcined in a nitrogen gas atmosphere at a temperature of 350 ° C. for 4 hours after pulverization with low-temperature wet media), the volume resistivity in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa was 8 × 10 7 Ω· It was within an appropriate range (1 × 10 7 Ω·cm or more) in cm, and the particle size distribution D 90 when it was ultrasonically dispersed for 5 minutes in a diluted state with water was within an appropriate range (10 μm or less) of 10 μm. In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Example 5 in the acrylic monomer is 2.0, within an appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 3 × 10 13 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 and above) was mine.
한편, 비교예 6 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조하고, 이 질화지르코늄 조분말을 분산매 온도 5 ℃ 의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 했지만, 질소 가스 분위기 중에서, 소성 온도가 적절한 범위 (250 ℃ ∼ 550 ℃) 보다 낮은 200 ℃ 의 온도로, 소성 시간이 적절한 범위 (1 시간 ∼ 5 시간) 내인 4 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 8 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였지만, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 1 × 106 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 보다 작았다. 또, 비교예 6 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.0 으로 적절한 범위 (2.0 이상) 내였지만, 체적 저항률은 1 × 1012 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 보다 작았다.On the other hand, the zirconium nitride powder of Comparative Example 6, that is, the coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method, and this coarse zirconium nitride powder was pulverized by the bead mill method at a dispersion medium temperature of 5°C (low-temperature wet media pulverization), but in a nitrogen gas atmosphere. , In the zirconium nitride powder that has been calcined, the calcination temperature is maintained at a temperature of 200 °C lower than the appropriate range (250 °C to 550 °C) and the calcination time is within the appropriate range (1 hour to 5 hours) for 4 hours, in a state of being diluted with water The particle size distribution D 90 when ultrasonically dispersed for 5 minutes was within an appropriate range (10 μm or less) of 8 μm, but the volume resistivity in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa was 1 × 10 6 Ω·cm. It was smaller than the range (1 × 10 7 Ω·cm or more). In addition, although the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Comparative Example 6 in an acrylic monomer was 2.0 within an appropriate range (2.0 or more), the volume resistivity was 1 × 10 12 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 or more) was smaller.
비교예 7 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조하고, 이 질화지르코늄 조분말을 분산매 온도 5 ℃ 의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 했지만, 질소 가스 분위기 중에서, 소성 온도가 적절한 범위 (250 ℃ ∼ 550 ℃) 내인 350 ℃ 의 온도로, 소성 온도가 적절한 범위 (1 시간 ∼ 5 시간) 보다 짧은 0.5 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 7 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였지만, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 3 × 106 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 보다 작았다. 또, 비교예 7 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.0 으로 적절한 범위 (2.0 이상) 내였지만, 체적 저항률은 2 × 1012 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 보다 작았다.The zirconium nitride powder of Comparative Example 7, that is, the coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method, and this coarse zirconium nitride powder was pulverized by the bead mill method at a dispersion medium temperature of 5°C (low-temperature wet media pulverization), but calcined in a nitrogen gas atmosphere In the case of zirconium nitride powder calcined in which the temperature is maintained at a temperature of 350 °C within an appropriate range (250 °C to 550 °C) and the calcination temperature is shorter than the appropriate range (1 hour to 5 hours) for 0.5 hours, in a state of being diluted with water 5 Although the particle size distribution D 90 when ultrasonically dispersed for minutes was within an appropriate range (10 μm or less) of 7 μm, the volume resistivity in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa was 3 × 10 6 Ω·cm in an appropriate range ( 1 × 10 7 Ω·cm or more). In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Comparative Example 7 in an acrylic monomer was 2.0, within an appropriate range (2.0 or more), but the volume resistivity was 2 × 10 12 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 or more) was smaller.
비교예 8 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조하고, 이 질화지르코늄 조분말을 분산매 온도 5 ℃ 의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 했지만, 질소 가스 분위기 중에서, 소성 온도가 적절한 범위 (250 ℃ ∼ 550 ℃) 보다 높은 600 ℃ 의 온도로, 소성 시간이 적절한 범위 (1 시간 ∼ 5 시간) 내인 1 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 4 × 106 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 보다 작고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 14 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 보다 컸다. 또, 비교예 8 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 1.2 로 적절한 범위 (2.0 이상) 보다 작고, 체적 저항률은 1 × 109 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 보다 작았다.The zirconium nitride powder of Comparative Example 8, that is, the coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method, and this coarse zirconium nitride powder was pulverized by the bead mill method at a dispersion medium temperature of 5°C (low-temperature wet media pulverization), but calcined in a nitrogen gas atmosphere In the zirconium nitride powder, which was calcined at a temperature of 600 °C higher than the appropriate range (250 °C to 550 °C) and the calcination time is maintained within the appropriate range (1 hour to 5 hours) for 1 hour, The volume resistivity in the green state is 4 × 10 6 Ω·cm, which is smaller than the appropriate range (1 × 10 7 Ω·cm or more), and the particle size distribution D 90 when it is ultrasonically dispersed for 5 minutes in a diluted state with water is 14 It was larger than the appropriate range (10 μm or less) in μm. In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Comparative Example 8 in an acrylic monomer is 1.2, which is smaller than the appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 1 × 10 9 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 or more) was smaller.
이들에 대해, 실시예 6 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조하고, 이 질화지르코늄 조분말을 분산매 온도 5 ℃ 의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 한 후에, 질소 가스 분위기 중에서, 소성 온도가 적절한 범위 (250 ℃ ∼ 550 ℃) 내인 250 ℃ 의 온도로, 소성 시간이 적절한 범위 (1 시간 ∼ 5 시간) 내인 4 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 3 × 107 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 내이고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 8 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였다. 또, 실시예 6 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.0 으로 적절한 범위 (2.0 이상) 내이고, 체적 저항률은 2 × 1013 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 내였다.On the other hand, the zirconium nitride powder of Example 6, that is, the coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method, and this coarse zirconium nitride powder was pulverized by the bead mill method at a dispersion medium temperature of 5°C (low-temperature wet media pulverization), followed by nitrogen In a gas atmosphere, the zirconium nitride powder subjected to calcination held at a temperature of 250 ° C. within an appropriate range (250 ° C. to 550 ° C.) and a calcination time within an appropriate range (1 hour to 5 hours) for 4 hours, 5 MPa The particle size distribution when the volume resistivity in the state of the green compact hardened by the pressure of D 90 was in an appropriate range (10 micrometers or less) at 8 micrometers. In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Example 6 in an acrylic monomer is 2.0 within an appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 2 × 10 13 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 and above) was mine.
실시예 7 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조하고, 이 질화지르코늄 조분말을 분산매 온도 5 ℃ 의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 한 후에, 질소 가스 분위기 중에서, 소성 온도가 적절한 범위 (250 ℃ ∼ 550 ℃) 내인 350 ℃ 의 온도로, 소성 시간이 적절한 범위 (1 시간 ∼ 5 시간) 내인 1 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 1 × 107 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 내이고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 7 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였다. 또, 실시예 7 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.0 으로 적절한 범위 (2.0 이상) 내이고, 체적 저항률은 1 × 1013 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 내였다.The zirconium nitride powder of Example 7, that is, the coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method, and the coarse zirconium nitride powder was pulverized by the bead mill method at a dispersion medium temperature of 5 ° C. (low temperature wet media grinding), and then in a nitrogen gas atmosphere, In the zirconium nitride powder, which has been calcined at a temperature of 350 °C within an appropriate range (250 °C to 550 °C) and a calcination time is maintained within an appropriate range (1 hour to 5 hours) for 1 hour, The volume resistivity of the green compact is 1 × 10 7 Ω·cm, which is within an appropriate range (1 × 10 7 Ω·cm or more), and the particle size distribution D 90 when it is ultrasonically dispersed for 5 minutes after dilution with water is 7 It was in an appropriate range (10 micrometers or less) in micrometer. In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Example 7 in the acrylic monomer is 2.0, within an appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 1 × 10 13 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 and above) was mine.
실시예 8 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조하고, 이 질화지르코늄 조분말을 분산매 온도 5 ℃ 의 비드 밀법으로 분쇄 (저온 습식 미디어 분쇄) 한 후에, 질소 가스 분위기 중에서, 소성 온도가 적절한 범위 (250 ℃ ∼ 550 ℃) 내인 550 ℃ 의 온도로, 소성 시간이 적절한 범위 (1 시간 ∼ 5 시간) 내인 1 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 1 × 108 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 내이고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 8 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였다. 또, 실시예 8 의 질화지르코늄 분말을 아크릴 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.4 로 적절한 범위 (2.0 이상) 내이고, 체적 저항률은 1 × 1014 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 내였다.The zirconium nitride powder of Example 8, that is, the coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method, and the coarse zirconium nitride powder was pulverized by the bead mill method at a dispersion medium temperature of 5 ° C. (low temperature wet media grinding), and then in a nitrogen gas atmosphere, In the zirconium nitride powder, which has been calcined at a temperature of 550 °C within an appropriate range (250 ° C. to 550 ° C.) and calcination time is maintained within an appropriate range (1 hour to 5 hours) for 1 hour, The volume resistivity in the green state is 1 × 10 8 Ω·cm, which is within an appropriate range (1 × 10 7 Ω·cm or more), and the particle size distribution D 90 when it is ultrasonically dispersed for 5 minutes in a state of being diluted with water is 8 It was in an appropriate range (10 micrometers or less) in micrometer. In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Example 8 in the acrylic monomer is 2.4, within an appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 1 × 10 14 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 and above) was mine.
한편, 비교예 9 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조했지만, 이 질화지르코늄 조분말을, 분쇄 압력이 적절한 범위 (0.3 ㎫ 이상) 내보다 작은 0.2 ㎫ 의 분쇄 압력으로 제트 밀 분쇄한 후에, 질소 가스 분위기 중에서 350 ℃ 의 온도로 4 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 2 × 106 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 보다 작고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 14 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 보다 컸다. 또, 비교예 9 의 질화지르코늄 분말을 에폭시 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 1.3 으로 적절한 범위 (2.0 이상) 보다 작고, 체적 저항률은 1 × 1011 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 보다 작았다.On the other hand, although the zirconium nitride powder of Comparative Example 9, that is, the coarse zirconium nitride powder was produced by the Thermite method, this coarse zirconium nitride powder was jetted at a grinding pressure of 0.2 MPa, which is smaller than the grinding pressure within an appropriate range (0.3 MPa or more). For zirconium nitride powder that was calcined after mill-pulverization at a temperature of 350° C. in a nitrogen gas atmosphere for 4 hours, the volume resistivity in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa is 2 × 10 6 Ω·cm, which is suitable It was smaller than the range (1×10 7 Ω·cm or more), and the particle size distribution D 90 when it was ultrasonically dispersed for 5 minutes in a state of being diluted with water was 14 μm, which was larger than the appropriate range (10 μm or less). In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Comparative Example 9 in the epoxy monomer is 1.3, which is smaller than the appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 1 × 10 11 Ω·cm in the appropriate range (1 × 10 13 or more) was smaller.
이에 대해, 실시예 3 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조하고, 이 질화지르코늄 조분말을, 분쇄 압력이 적절한 범위 (0.3 ㎫ 이상) 내인 0.5 ㎫ 의 분쇄 압력으로 제트 밀 분쇄한 후에, 질소 가스 분위기 중에서 350 ℃ 의 온도로 4 시간 유지하는 소성을 실시한 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 2 × 108 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 내이고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 6 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였다. 또, 실시예 3 의 질화지르코늄 분말을 에폭시 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.2 로 적절한 범위 (2.0 이상) 내이고, 체적 저항률은 2 × 1014 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 내였다.On the other hand, the zirconium nitride powder of Example 3, that is, the coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method, and this coarse zirconium nitride powder was subjected to a jet mill at a grinding pressure of 0.5 MPa within an appropriate range (0.3 MPa or more). For zirconium nitride powder that was pulverized and then calcined in a nitrogen gas atmosphere at a temperature of 350° C. for 4 hours, the volume resistivity in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa is 2 × 10 8 Ω·cm in an appropriate range (1×10 7 Ω·cm or more), and the particle size distribution D 90 when ultrasonically dispersed for 5 minutes in a state of being diluted with water was 6 μm, and was within an appropriate range (10 μm or less). In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Example 3 in the epoxy monomer is 2.2, within an appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 2 × 10 14 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 and above) was mine.
실시예 11 의 질화지르코늄 분말, 즉 질화지르코늄 조분말을 테르미트법으로 제조하고, 이 질화지르코늄 조분말을, 분쇄 압력이 적절한 범위 (0.3 ㎫ 이상) 내인 0.3 ㎫ 의 분쇄 압력으로 제트 밀 분쇄한 후에, 질소 가스 분위기 중에서 350 ℃ 의 온도로 4 시간 유지하는 소성을 실시한 실시예 3 의 질화지르코늄 분말에서는, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 2 × 107 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 107 Ω·㎝ 이상) 내이고, 물로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 10 ㎛ 로 적절한 범위 (10 ㎛ 이하) 내였다. 또, 실시예 11 의 질화지르코늄 분말을 에폭시 모노머에 분산시켜 제조한 흑색막의 OD 값은 2.4 로 적절한 범위 (2.0 이상) 내이고, 체적 저항률은 1 × 1013 Ω·㎝ 로 적절한 범위 (1 × 1013 이상) 내였다.The zirconium nitride powder of Example 11, that is, the coarse zirconium nitride powder was prepared by the Thermite method, and the coarse zirconium nitride powder was jet milled at a grinding pressure of 0.3 MPa in an appropriate range (0.3 MPa or more). , in the zirconium nitride powder of Example 3, which was calcined in a nitrogen gas atmosphere at a temperature of 350 ° C. for 4 hours, the volume resistivity in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa was 2 × 10 7 Ω·cm It was within the range (1×10 7 Ω·cm or more), and the particle size distribution D 90 when it was ultrasonically dispersed for 5 minutes in a state of being diluted with water was within an appropriate range (10 μm or less) of 10 μm. In addition, the OD value of the black film prepared by dispersing the zirconium nitride powder of Example 11 in the epoxy monomer is 2.4, within an appropriate range (2.0 or more), and the volume resistivity is 1 × 10 13 Ω·cm in an appropriate range (1 × 10 13 and above) was mine.
본 발명의 질화지르코늄 분말은, 높은 절연성, 높은 흑색도 및 높은 절연성을 갖는 흑색막을 얻기 위한 흑색 안료로서 이용할 수 있다.The zirconium nitride powder of this invention can be used as a black pigment for obtaining the black film which has high insulation, high blackness, and high insulation.
Claims (6)
이 질화지르코늄 조분말을 10 ℃ 이하의 분산매 온도에서 저온 습식 미디어 분쇄를 실시하거나 또는 0.3 ㎫ 이상의 가스압으로 제트 밀 분쇄를 실시함으로써, 물 또는 탄소수 2 ∼ 5 의 범위 내에 있는 알코올로 희석시킨 상태에서 5 분간 초음파 분산시켰을 때의 입도 분포 D90 이 10 ㎛ 이하인 질화지르코늄 전구체 분말을 제조하는 공정과,
상기 분쇄한 질화지르코늄 전구체 분말을 불활성 가스 분위기 중에서 소성함으로써, 5 ㎫ 의 압력으로 굳힌 압분체의 상태에서의 체적 저항률이 107 Ω·㎝ 이상인 질화지르코늄 분말을 제조하는 공정을 포함하는 질화지르코늄 분말의 제조 방법.A step of producing a coarse zirconium nitride powder by thermite method or plasma synthesis method;
This coarse zirconium nitride powder is subjected to low-temperature wet media pulverization at a dispersion medium temperature of 10° C. or less or jet mill pulverization at a gas pressure of 0.3 MPa or more, in a state of being diluted with water or alcohol having 2 to 5 carbon atoms. A step of producing a zirconium nitride precursor powder having a particle size distribution D 90 of 10 μm or less when ultrasonically dispersed for minutes;
By calcining the pulverized zirconium nitride precursor powder in an inert gas atmosphere, the zirconium nitride powder having a volume resistivity of 10 7 Ω·cm or more in the state of a green compact hardened at a pressure of 5 MPa is produced. manufacturing method.
상기 도막을 열 경화 또는 자외선 경화시켜 흑색막을 제조하는 공정을 포함하는 흑색막의 제조 방법.A step of forming a coating film by applying the monomer dispersion according to claim 3 to a substrate;
A method for producing a black film, comprising the step of producing a black film by thermally curing or UV curing the coating film.
상기 도막을 열 경화 또는 자외선 경화시켜 흑색막을 제조하는 공정을 포함하는 흑색막의 제조 방법.A step of applying the black composition according to claim 4 to a substrate to form a coating film;
A method for producing a black film, comprising the step of producing a black film by thermally curing or UV curing the coating film.
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017222559A (en) | 2016-09-29 | 2017-12-21 | 三菱マテリアル電子化成株式会社 | Zirconium nitride powder and manufacturing method therefor |
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