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KR20220004893A - 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20220004893A
KR20220004893A KR1020200082263A KR20200082263A KR20220004893A KR 20220004893 A KR20220004893 A KR 20220004893A KR 1020200082263 A KR1020200082263 A KR 1020200082263A KR 20200082263 A KR20200082263 A KR 20200082263A KR 20220004893 A KR20220004893 A KR 20220004893A
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KR
South Korea
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electrostatic chuck
mask
plate
display device
mask frame
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KR1020200082263A
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English (en)
Inventor
고준혁
김의규
김민석
김봉준
유하람
정경훈
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 기판; 개구를 구비하고, 상기 개구를 둘러싸는 마스크 프레임, 및 상기 마스크 프레임과 결합되는 마스크를 포함하는 마스크 어셈블리; 상기 기판을 상기 마스크에 밀착시키는 정전척; 상기 정전척을 구동하는 제1 구동부; 및 상기 정전척과 상기 제1 구동부를 연결하는 연결부재;를 구비하고, 상기 마스크 프레임과 상기 정전척은 비중첩되는, 표시 장치의 제조 장치가 제공된다.

Description

표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법{Apparatus and method for manufacturing a display device}
본 발명은 표시 장치의 제조 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 공정 수율이 개선된 표시 장치의 제조 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시 장치 분야는 부피가 큰 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)을 대체하는, 얇고 가벼우며 대면적이 가능한 평판 표시 장치(Flat Panel Display Device: FPD)로 급속히 변화해 왔다. 평판 표시 장치에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED), 그리고 전기 영동 표시 장치(Electrophoretic Display Device: ED) 등이 있다.
표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 대향전극, 화소전극, 및 발광층으로 구비되는 유기발광다이오드를 포함한다. 이 때, 상기 전극들 및 발광층은 여러 방법으로 형성될 수 있는데, 그 중 한 방법은 독립 증착 방식이다. 독립 증착 방식은 파인 메탈 마스크(fine metal mask: FMM)를 인장하여 마스크 프레임에 밀착시키고 증착 물질을 피증착표면에 증착하는 방식이다.
본 발명의 실시예들은 공정 로스(Loss)가 개선된 표시 장치의 제조 장치, 및 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판; 개구를 구비하고, 상기 개구를 둘러싸는 마스크 프레임, 및 상기 마스크 프레임과 결합되는 마스크를 포함하는 마스크 어셈블리; 상기 기판을 상기 마스크에 밀착시키는 정전척; 상기 정전척을 구동하는 제1 구동부; 및 상기 정전척과 상기 제1 구동부를 연결하는 연결부재;를 구비하고, 상기 마스크 프레임과 상기 정전척은 비중첩되는, 표시 장치의 제조 장치가 제공된다.
본 실시예에 있어서, 평면상에서 상기 마스크 프레임의 내측 끝단과 상기 정전척의 외측 끝단은 서로 이격될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연결부재는 상기 정전척의 상면의 적어도 일부와 결합되어, 상기 정전척과 상기 제1 구동부를 연결할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 구동부는 상기 정전척을 상부 또는 하부로 이송할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판을 상기 마스크에 밀착시키는 제1 플레이트를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 정전척과 상기 제1 플레이트는 서로 독립적으로 구동될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 플레이트를 구동하는 제2 구동부를 더 포함하고, 상기 제2 구동부는 상기 제1 플레이트를 상부 또는 하부로 이송할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연결부재는 홈부를 포함하고, 상기 제1 플레이트는 상기 홈부에 안착될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연결부재는 상기 정전척의 상면의 적어도 일부를 노출시키는 개구를 포함하고, 상기 제1 플레이트는 상기 개구에 안착될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 마스크 프레임은, 제1 두께를 갖는 제1 부분; 및 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 부분;을 포함하고, 상기 제1 부분은 상기 정전척과 비중첩될 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 기판; 개구를 구비하고, 상기 개구를 둘러싸는 마스크 프레임, 및 상기 마스크 프레임과 결합되는 마스크를 포함하는 마스크 어셈블리; 상기 기판을 상기 마스크에 밀착시키는 정전척; 및 상기 정전척을 구동하는 제1 구동부;를 구비하고, 상기 정전척은, 상기 마스크 프레임과 비중첩되고, 제1 두께를 갖는 바디부; 및 상기 마스크 프레임과 적어도 일부 중첩되고, 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 갖는 연결부;를 포함하는, 표시 장치의 제조 장치가 제공된다.
본 실시예에 있어서, 상기 연결부는 상기 바디부를 적어도 일부 둘러쌀 수 있다.
본 실시예에 있어서, 평면상에서 상기 마스크 프레임의 내측 끝단과 상기 정전척의 상기 바디부의 외측 끝단은 서로 이격될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 구동부는 상기 정전척의 측면에 결합되어, 상기 정전척을 고정시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 구동부는 상기 정전척의 상기 연결부와 결합될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 구동부는 상기 정전척을 상부 또는 하부로 이송할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판을 상기 마스크에 밀착시키는 제1 플레이트를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 정전척과 상기 제1 플레이트는 서로 독립적으로 구동될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 플레이트를 구동하는 제2 구동부를 더 포함하고, 상기 제2 구동부는 상기 제1 플레이트를 상부 또는 하부로 이송할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 화소전극을 형성하는 단계; 제1항 내지 19항 중 어느 한 항의 표시 장치의 제조 장치를 이용하여 상기 화소전극 상에 발광층 또는 중간층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 또는 상기 중간층 상에 대향전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 정전척과 마스크 프레임의 중첩 면적을 줄임으로써, 기판이 깨지는 것을 방지할 수 있고 동시에 기판을 마스크에 더욱 밀착시켜 공정 수율을 향상시킬 수 있는 표시 장치의 제조 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정된 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치로 제조된 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치로 제조된 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예를 들어, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 또한, 본 명세서에서 "A 및 B 중 적어도 어느 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
이하의 실시예에서, 배선이 "제1 방향 또는 제2 방향으로 연장된다"는 의미는 직선 형상으로 연장되는 것뿐 아니라, 제1 방향 또는 제2 방향을 따라 지그재그 또는 곡선으로 연장되는 것도 포함한다.
이하의 실시예들에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다. 이하의 실시예들에서, "중첩"이라 할 때, 이는 "평면상" 및 "단면상" 중첩을 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치의 제조 장치(300)는 챔버(301), 마스크 어셈블리(310), 지지부재(320), 정전척(330), 제1 구동부(340), 제1 플레이트(350), 제2 구동부(370)를 포함할 수 있다.
챔버(301)는 내부에 공간이 형성될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 챔버(301)는 일부분이 개구되도록 형성될 수 있으며, 개구된 챔버(301) 부분에는 게이트벨브 등이 배치되어 챔버(301)의 개구된 부분을 개방하거나 차폐시킬 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치(300)는 지지부재(320)를 포함할 수 있다. 지지부재(320)는 마스크 어셈블리(310)를 지지할 수 있다. 이때, 지지부재(320)는 마스크 어셈블리(310)를 고정시킬 수 있다. 또한, 지지부재(320)는 마스크 어셈블리(310)를 일정 거리 범위에서 승하강시키거나 일정 각도 범위에서 회전시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 지지부재(320)는 마스크 어셈블리(310)를 다양한 방향으로 일정 거리 범위에서 선형 운동시키는 것도 가능하다.
마스크 어셈블리(310)는 마스크(311), 및 마스크 프레임(313)을 포함할 수 있다. 마스크 프레임(313)은 증착 물질이 통과할 수 있는 개구를 구비하며, 상기 개구를 둘러싸는 복수의 프레임을 포함할 수 있다.
일 실시예로, 마스크 프레임(313)은 지지스틱을 더 포함할 수 있다. 지지스틱은 마스크(311)의 자중에 의한 휨 현상을 방지할 수 있으며, 마스크 프레임(313)을 지지하는 역할을 할 수 있다.
마스크(311)는 마스크 프레임(313) 상부에 배치될 수 있다. 이때, 마스크(311)는 마스크 프레임(313)에 하나가 배치되거나 복수 개 배치될 수 있다. 복수 개의 마스크(311)가 마스크 프레임(313)에 배치되는 경우, 복수 개의 마스크(311)는 일 방향으로 배열됨으로써, 마스크 프레임(313)에 정의된 개구를 차폐할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 마스크(311)가 하나 구비되어 마스크 프레임(313)에 배치되며, 마스크 프레임(313)의 개구를 차폐하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. 상기와 같은 마스크(311)는 적어도 하나 이상의 개구를 포함할 수 있다. 이때, 개구가 복수 개 구비되는 경우 복수 개의 개구는 마스크(311)의 일 영역에 패턴을 형성하도록 배치될 수 있다. 또한, 개구가 복수 개 구비되는 경우 복수 개의 개구는 마스크(311)의 복수 개의 영역에 서로 구분되도록 배치될 수 있으며, 각 영역에서 패턴을 형성하도록 배치되는 것도 가능하다.
마스크 어셈블리(310) 상에는 증착 물질이 증착되는 기판(100)이 배치될 수 있고, 상기 기판(100) 상에는 정전척(330)이 배치될 수 있다. 정전척(330)은 정전기력을 이용하여 기판(100)을 고정시키고, 기판(100)을 마스크(311)에 밀착시키는 역할을 할 수 있다. 정전척(330)은 기판(100)과 결합되어 얼라인(Align), 및 증착 물질의 증착 시 기판(100)이 움직이는 것을 방지할 수 있다. 또한, 정전척(330)과 기판(100) 사이에 충진된 기체가 밖으로 새어 나와 상기 기체에 의해 기판(100)이 들려지는 것을 방지할 수 있다.
제1 구동부(340)는 정전척(330)을 구동시킬 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 구동부(340)는 연결부재(345)에 의해 정전척(330)과 연결되어, 정전척(330)을 구동시킬 수 있다. 제1 구동부(340)는 정전척(330)을 상부 또는 하부로 이송할 수 있다. 또한, 제1 구동부(340)는 정전척(330)을 일정 각도 범위에서 회전시킬 수 있고, 다양한 방향으로 일정 거리 범위에서 선형 운동시킬 수 있다. 예컨대, 제1 구동부(340)는 모터 또는 실린더 등과 같은 장치 또는 구조를 포함할 수 있다.
제1 플레이트(350)는 정전척(330)과 중첩되도록 배치될 수 있다. 제1 플레이트(350)는 요크 플레이트와 마그넷을 포함할 수 있다. 요크 플레이트와 마그넷을 포함하는 제1 플레이트(350)를 정전척(330)과 중첩되도록 배치함으로써, 정전력 뿐만 아니라, 자기력에 의해서 기판(100)과 마스크(311)를 밀착시킬 수 있다. 제1 플레이트(350)를 이용하여 자기력에 의해 금속 재질의 마스크(311)를 끌어당김으로써, 기판(100)과 마스크(311)가 처지는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치(300)는 기판(100)과 제1 플레이트(350) 사이에 개재되는 제2 플레이트(360)를 더 포함할 수 있다. 제2 플레이트(360)는 기판(100)과 제1 플레이트(350) 사이에 개재되어 자중으로 기판(100)을 가압할 수 있다. 예컨대, 제2 플레이트(360)는 제1 플레이트(350)가 기판(100) 쪽으로 이동하여 마스크(311)에 자기력을 가하기 이전에, 기판(100)과 마스크(311)의 밀착력을 향상시킬 수 있다.
제2 구동부(370)는 제1 플레이트(350), 및 제2 플레이트(360)를 구동시킬 수 있다. 제2 구동부(370)는 제1 플레이트(350), 및 제2 플레이트(360)를 상부 또는 하부로 이송할 수 있다. 또한, 제2 구동부(370)는 제1 플레이트(350), 및 제2 플레이트(360)를 일정 각도 범위에서 회전시킬 수 있고, 다양한 방향으로 일정 거리 범위에서 선형 운동시킬 수 있다. 예컨대, 제2 구동부(370)는 모터 또는 실린더 등과 같은 장치 또는 구조를 포함할 수 있다.
일 실시예로, 정전척(330)과 제1 플레이트(350)는 서로 독립적으로 구동될 수 있다. 보다 구체적으로, 정전척(330)은 제1 구동부(340)에 의해 구동되고, 제1 플레이트(350)는 제2 구동부(370)에 의해 구동되므로, 정전척(330)과 제1 플레이트(350)는 서로 독립적으로 구동될 수 있다. 정전척(330)과 제1 플레이트(350)가 서로 다른 구동부에 의해 독립적으로 구동됨으로써, 진동으로 인해 얼라인이 틀어지는 것을 방지하여 생산 캐파(Capa)를 향상시킬 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치(300)는 증착원(380)을 더 포함할 수 있다. 증착원(380)은 챔버(301)의 내부에 배치될 수 있다. 증착원(380)의 내부에는 증착 물질이 수납될 수 있다. 이때, 증착원(380)은 증착 물질을 가열하는 히터를 포함할 수 있다.
노즐부(385)는 증착원(380)에 연결되어 증착원(380)에서 기화 또는 승화되는 증착 물질을 외부로 안내할 수 있다. 이때, 노즐부(385)는 적어도 하나 이상의 노즐을 포함할 수 있다. 이때, 상기 노즐은 서로 이격되도록 배치되며 점 형태로 배열되는 점노즐 형태일 수 있다. 다른 실시예로써 상기 노즐은 일정 영역에 증착물질을 분사하는 라인 형태일 수 있다.
압력조절부(390)는 챔버(301)와 연결되어 챔버(301) 내부의 압력을 조절할 수 있다. 이때, 압력조절부(390)는 챔버(301)와 연결되는 연결배관(391), 및 연결배관(391)에 배치되는 펌프(393)를 포함할 수 있다. 이러한 경우 연결배관(391)은 외부의 오염물질제거를 수행할 수 있는 별도의 장치에 연결될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 3은 도 2의 I-I' 선을 따라 취한 단면도에 해당한다. 도 2, 및 도 3에 있어서, 설명의 편의를 위해 기판(100), 마스크 어셈블리(310), 및 정전척(330) 만을 도시하였다. 또한, 도 2, 및 도 3에 있어서, 도 1과 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 2, 및 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치(300)에 있어서, 평면상에서 마스크 프레임(313)의 내측 끝단(313a)과 정전척(330)의 외측 끝단(330a)은 일정 거리(d) 만큼 서로 이격될 수 있다. 따라서, 마스크 프레임(313)과 정전척(330)은 서로 중첩되지 않을 수 있다. 마스크 프레임(313)과 정전척(330)이 중첩되지 않음으로써, 마스크(311)와 기판(100)의 밀착력이 향상될 수 있어 PPA 산포, 및 수율이 개선될 수 있고, 쉐도우(Shadow)나 고드름 불량이 개선될 수 있으며, 기판(100)의 평탄도가 향상될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 보다 구체적으로 도 4는 정전척(330)과 제1 구동부(340)를 연결하는 연결부재(345)의 구조를 설명하기 위해 도시한 도면이다. 도 4에 있어서, 설명의 편의를 위해 기판(100), 마스크 어셈블리(310), 지지부재(320), 정전척(330), 제1 구동부(340), 연결부재(345), 제1 플레이트(350), 제2 플레이트(360), 및 제2 구동부(370) 만을 도시하였다. 또한, 도 4에 있어서, 도 1과 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치(300)는 정전척(330)과 제1 구동부(340)를 연결하는 연결부재(345)를 포함할 수 있다. 연결부재(345)는 정전척(330)의 상면과 결합되어, 정전척(330)과 제1 구동부(340)를 연결할 수 있다.
일 실시예로, 연결부재(345)는 정전척(330)의 상면을 노출시키지 않으며, 정전척(330)의 상면과 결합될 수 있다. 연결부재(345)는 제1 플레이트(350)가 안착되는 홈부(347)를 포함할 수 있다. 제1 플레이트(350)는 연결부재(345)에 구비된 홈부(347)에 안착되어 기판(100)과 마스크(311)를 밀착시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 보다 구체적으로 도 5는 정전척(330)과 제1 구동부(340)를 연결하는 연결부재(345)의 구조를 설명하기 위해 도시한 도면이다. 도 5에 있어서, 설명의 편의를 위해 기판(100), 마스크 어셈블리(310), 지지부재(320), 정전척(330), 제1 구동부(340), 연결부재(345), 제1 플레이트(350), 제2 플레이트(360), 및 제2 구동부(370) 만을 도시하였다. 또한, 도 5에 있어서, 도 1과 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치(300)는 정전척(330)과 제1 구동부(340)를 연결하는 연결부재(345)를 포함할 수 있다. 연결부재(345)는 정전척(330)의 상면의 적어도 일부와 결합되어, 정전척(330)과 제1 구동부(340)를 연결할 수 있다.
일 실시예로, 연결부재(345)는 정전척(330)의 상면과 적어도 일부 결합될 수 있다. 연결부재(345)는 정전척(330)의 상면을 적어도 일부 노출시키는 개구(345OP)를 포함할 수 있다. 연결부재(345)에 정의된 개구(345OP)에 제1 플레이트(350)가 안착될 수 있다. 제1 플레이트(350)는 연결부재(345)에 구비된 홈부(347)에 안착되어 기판(100)과 마스크(311)를 밀착시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 6에 있어서, 설명의 편의를 위해 기판(100), 마스크 어셈블리(310), 지지부재(320), 정전척(330), 제1 구동부(340), 연결부재(345), 제1 플레이트(350), 제2 플레이트(360), 및 제2 구동부(370) 만을 도시하였다. 또한, 도 6에 있어서, 도 1과 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치(300)의 마스크 프레임(313)은 제1 두께(t1)를 갖는 제1 부분(313a), 및 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖는 제2 부분(313b)을 포함할 수 있다. 마스크 프레임(313)의 제1 부분(313a)은 정전척(330)과 중첩되지 않을 수 있고, 마스크 프레임(313)의 제2 부분(313b)은 정전척(330)과 적어도 일부 중첩될 수 있다.
마스크 프레임(313)과 정전척(330)이 중첩되는 부분의 마스크 프레임(313)의 두께를 줄여, 마스크 프레임(313)과 정전척(330)을 이격시킴으로써, 기판이 깨지는 것을 방지할 수 있고 기판을 마스크에 더욱 밀착시켜 공정 수율을 향상시킬 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 7, 및 도 8의 실시예는 정전척이 제3 두께를 갖는 바디부, 및 제4 두께를 갖는 연결부를 포함한다는 점에서 전술한 실시예들과 차이가 있다. 이하에서는, 차이점을 중심으로 설명한다. 그 밖의 구성은 전술한 실시예와 동일 또는 유사하다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치(300)의 정전척(330)은 제3 두께(t3)를 갖는 바디부(331), 및 상기 제3 두께(t3) 보다 작은 제4 두께(t4)를 갖는 연결부(333)를 포함할 수 있다. 정전척(330)의 연결부(333)는 바디부(331)를 적어도 일부 둘러쌀 수 있다.
평면상에서 마스크 프레임(313)의 내측 끝단과 정전척(330)의 바디부(331)의 외측 끝단은 일정 거리(d) 만큼 서로 이격될 수 있다. 예컨대, 마스크 프레임(313)과 정전척(330)의 바디부(331)는 비중첩될 수 있다.
마스크 프레임(313)과 정전척(330)의 연결부(333)는 적어도 일부 중첩될 수 있다. 다만, 마스크 프레임(313)과 중첩되는 부분인 정전척(330)의 연결부(333)의 두께가 감소되어, 마스크 프레임(313)과 정전척(330)의 연결부(333)는 이격될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치로 제조된 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치로 제조된 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 10은 도 9의 III-III' 선을 따라 취한 단면도에 해당한다.
도 9를 참조하면, 표시 장치(2)는 표시영역(DA), 및 표시영역(DA)의 주변에 배치되는 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 표시 장치(2)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들에서 방출되는 빛을 이용하여 이미지를 제공할 수 있으며, 비표시영역(NDA)은 이미지가 표시되지 않는 영역일 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(2)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않는다. 일 실시예로서, 본 발명의 표시 장치(2)는 무기 발광 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display 또는 무기 EL Display)이거나, 양자점 발광 표시 장치(Quantum dot Light Emitting Display)와 같은 표시 장치일 수 있다. 예컨대, 표시 장치(2)에 구비된 표시요소의 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함하거나, 양자점을 포함하거나, 유기물과 양자점을 포함하거나, 무기물과 양자점을 포함할 수 있다.
도 9에서는 플랫한 표시면을 구비한 표시 장치(2)를 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예로, 표시 장치(2)는 입체형 표시면 또는 커브드 표시면을 포함할 수도 있다.
표시 장치(2)가 입체형 표시면을 포함하는 경우, 표시 장치(2)는 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시영역들을 포함하고, 예컨대, 다각 기둥형 표시면을 포함할 수도 있다. 일 실시예로, 표시 장치(2)가 커브드 표시면을 포함하는 경우, 표시 장치(2)는 플렉서블, 폴더블, 롤러블 표시 장치 등 다양한 형태로 구현될 수 있다.
도 9에서는 핸드폰 단말기에 적용될 수 있는 표시 장치(2)를 도시하였다. 도시하지는 않았으나, 메인보드에 실장된 전자모듈들, 카메라 모듈, 전원모듈 등이 표시 장치(2)와 함께 브라켓/케이스 등에 배치됨으로써 핸드폰 단말기를 구성할 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 표시 장치(2)는 텔레비전, 모니터 등과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 태블릿, 자동차 네비게이션, 게임기, 스마트 와치 등과 같은 중소형 전자장치 등에 적용될 수 있다.
도 9에서는 표시 장치(2)의 표시영역(DA)이 사각형인 경우를 도시하였으나, 표시영역(DA)의 형상은 원형, 타원 또는 삼각형이나 오각형 등과 같은 다각형일 수 있다.
표시 장치(2)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들을 포함한다. 복수의 화소(P)들 각각은 유기발광다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(P)들 각각은 유기발광다이오드(OLED)를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 본 명세서에서의 화소(P)라 함은 전술한 바와 같이 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나의 색상의 빛을 방출하는 화소로 이해할 수 있다.
도 10을 참조하면, 기판(100) 상에는 표시요소가 배치될 수 있다. 표시요소는 박막트랜지스터(TFT), 및 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.
기판(100)은 글래스 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyether imide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 기판(100)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층(미도시)을 포함하는 다층 구조일 수 있다.
기판(100) 상에는 버퍼층(101)이 배치될 수 있다. 버퍼층(101)은 기판(100) 상에 위치하여 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(101)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다.
버퍼층(101) 상에는 박막트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(134), 반도체층(134)과 중첩하는 게이트전극(136), 및 반도체층(134)과 전기적으로 연결되는 연결전극을 포함할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 유기발광다이오드(OLED)와 연결되어 유기발광다이오드(OLED)를 구동할 수 있다.
반도체층(134)은 버퍼층(101) 상에 배치되며, 게이트전극(136)과 중첩하는 채널영역(131), 및 채널영역(131)의 양측에 배치되되 채널영역(131)보다 고농도의 불순물을 포함하는 소스영역(132) 및 드레인영역(133)을 포함할 수 있다. 여기서, 불순물은 N형 불순물 또는 P형 불순물을 포함할 수 있다. 소스영역(132)과 드레인영역(133)은 연결전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
반도체층(134)은 산화물반도체 및/또는 실리콘반도체를 포함할 수 있다. 반도체층(134)이 산화물반도체로 형성되는 경우, 예컨대 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크로뮴(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의　산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체층(134)은 ITZO(InSnZnO), IGZO(InGaZnO) 등일 수 있다. 반도체층(134)이 실리콘반도체로 형성되는 경우, 예컨대 아모퍼스 실리콘(a-Si) 또는 아모퍼스 실리콘(a-Si)을 결정화한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; LTPS)을 포함할 수 있다.
반도체층(134) 상에는 제1 절연층(103)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(103)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1 절연층(103)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제1 절연층(103) 상에는 게이트전극(136)이 배치될 수 있다. 게이트전극(136)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속으로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 게이트전극(136)은 게이트전극(136)에 전기적 신호를 인가하는 게이트라인과 연결될 수 있다.
게이트전극(136) 상에는 제2 절연층(105)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(105)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제2 절연층(105)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제1 절연층(103) 상에는 스토리지 커패시터(Cst)가 배치될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 하부전극(144), 및 하부전극(144)과 중첩되는 상부전극(146)을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(144)과 상부전극(146)은 제2 절연층(105)을 사이에 두고 중첩될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(144)은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(136)과 중첩되며, 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(144)이 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(136)과 일체(一體)로서 배치될 수 있다. 일 실시예로, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있으며, 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(144)은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(136)과 별개의 독립된 구성요소일 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(146)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(146) 상에는 제3 절연층(107)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(107)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제3 절연층(107)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제3 절연층(107) 상에는 연결전극인 소스전극(137), 및 드레인전극(138)이 배치될 수 있다. 소스전극(137), 및 드레인전극(138)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 소스전극(137), 및 드레인전극(138)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
소스전극(137), 및 드레인전극(138) 상에는 제1 평탄화층(111)이 배치될 수 있다. 제1 평탄화층(111)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 제1 평탄화층(111)은 벤조시클로부텐(Benzocyclobutene, BCB), 폴리이미드(polyimide, PI), 헥사메틸디실록산(Hexamethyldisiloxane, HMDSO), 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethy lmethacrylate, PMMA)나, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 한편, 제1 평탄화층(111)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 제1 평탄화층(111)을 형성한 후, 평탄한 상면을 제공하기 위해서 화학적 기계적 폴리싱이 수행될 수 있다.
제1 평탄화층(111) 상에는 컨택메탈층(CM)이 배치될 수 있다. 컨택메탈층(CM)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며, 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 컨택메탈층(CM)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
컨택메탈층(CM) 상에는 제2 평탄화층(113)이 배치될 수 있다. 제2 평탄화층(113)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 제2 평탄화층(113)은 벤조시클로부텐(Benzocyclobutene, BCB), 폴리이미드(polyimide, PI), 헥사메틸디실록산(Hexamethyldisiloxane, HMDSO), 폴리메틸 메타크릴레이트(Poly(methy lmethacrylate), PMMA)나, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 한편, 제2 평탄화층(113)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 제2 평탄화층(113)을 형성한 후, 평탄한 상면을 제공하기 위해서 화학적 기계적 폴리싱이 수행될 수 있다. 일 실시예로, 제2 평탄화층(113)은 생략될 수 있다.
제2 평탄화층(113) 상에는 화소전극(210), 중간층(220), 및 대향전극(230)을 포함하는 유기발광다이오드(OLED)가 배치될 수 있다. 화소전극(210)은 제2 평탄화층(113)을 관통하는 컨택홀을 통해 컨택메탈층(CM)과 전기적으로 연결되고, 컨택메탈층(CM)은 제1 평탄화층(111)을 관통하는 컨택홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)의 연결전극인 소스전극(137), 및 드레인전극(138)과 전기적으로 연결되어, 유기발광다이오드(OLED)는 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 평탄화층(113) 상에는 화소전극(210이 배치될 수 있다. 화소전극(210)은 (반)투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 화소전극(210)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄아연산화물(AZO; aluminum zinc oxide)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 화소전극(210)은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조로 구비될 수 있다.
제2 평탄화층(113) 상에는 화소정의막(180)이 배치될 수 있으며, 화소정의막(180)은 화소전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 개구를 가질 수 있다. 화소정의막(180)의 개구에 의해 노출된 영역을 발광영역(EA)으로 정의할 수 있다. 발광영역(EA)들의 주변은 비발광영역(NEA)으로서, 비발광영역(NEA)은 발광영역(EA)들을 둘러쌀 수 있다. 즉, 표시영역(DA)은 복수의 발광영역(EA)들 및 이들을 둘러싸는 비발광영역(NEA)을 포함할 수 있다. 화소정의막(180)은 화소전극(210) 상부의 대향전극(230) 사이의 거리를 증가시킴으로써, 화소전극(210)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 화소정의막(180)은 예컨대, 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, HMDSO(hexamethyldisiloxane) 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
화소정의막(180)에 의해 적어도 일부가 노출된 화소전극(210) 상에는 중간층(220)이 배치될 수 있다. 중간층(220)은 발광층(220b)을 포함할 수 있으며, 발광층(220b)의 아래 및 위에는, 제1 기능층(220a), 및/또는 제2 기능층(220c)이 선택적으로 배치될 수 있다.
일 실시예로, 중간층(220)은 전술한 제조 장치(300, 도 1)를 이용하여 화소정의막(180)에 의해 적어도 일부가 노출된 화소전극(210) 상에 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 중간층(220)의 발광층(220b)은 전술한 제조 장치(300, 도 1)를 이용하여 화소정의막(180)에 의해 적어도 일부가 노출된 화소전극(210) 상에 형성될 수 있다.
제1 기능층(220a)은 정공 주입층(HIL: hole injection layer) 및/또는 정공 수송층(HTL: hole transport layer)을 포함할 수 있으며, 제2 기능층(220c)은 전자 수송층(ETL: electron transport layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: electron injection layer)을 포함할 수 있다.
발광층(220b)은 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출하는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물을 포함할 수 있다. 발광층(220b)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다.
발광층(220b)이 저분자 유기물을 포함할 경우, 중간층(220)은 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 저분자 유기물로 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘(N,N'-Di(napthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄((tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3)) 등을 비롯해 다양한 유기물질을 포함할 수 있다. 이러한 층들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.
발광층(220b)이 고분자 유기물을 포함할 경우에는 중간층(220)은 대개 홀 수송층, 및 발광층(220b)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층은 PEDOT을 포함하고, 발광층은 PPV(Poly-Phenylene vinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 포함할 수 있다. 이러한 발광층은 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법, 레이저열전사방법(LITI; Laser induced thermal imaging) 등으로 형성할 수 있다.
중간층(220) 상에는 대향전극(230)이 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 중간층(220) 상에 배치되되, 중간층(220)의 전부를 덮는 형태로 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 표시영역(DA) 상부에 배치되되, 표시영역(DA)의 전부를 덮는 형태로 배치될 수 있다. 즉, 대향전극(230)은 오픈 마스크를 이용하여 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들을 커버하도록 표시 패널 전체에 일체(一體)로 형성될 수 있다.
대향전극(230)은 일함수가 낮은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 대향전극(230)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(230)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
정전척과 마스크 프레임이 중첩되는 구조의 경우, 기판을 마스크에 밀착 시 평탄도가 틀어져, 기판이 깨지는 경우가 존재하였다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 정전척의 측면에 공간이 구비되므로, 평탄도가 일부 틀어져도 기판이 깨지는 것을 방지할 수 있다. 즉, 평탄도에 둔감한 표시 장치의 제조 장치를 구현할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
300: 표시 장치의 제조 장치
301: 챔버
310: 마스크 어셈블리
330: 정전척
340: 제1 구동부
345: 연결부재

Claims (20)

  1. 기판;
    개구를 구비하고, 상기 개구를 둘러싸는 마스크 프레임, 및 상기 마스크 프레임과 결합되는 마스크를 포함하는 마스크 어셈블리;
    상기 기판을 상기 마스크에 밀착시키는 정전척;
    상기 정전척을 구동하는 제1 구동부; 및
    상기 정전척과 상기 제1 구동부를 연결하는 연결부재;
    를 구비하고,
    상기 마스크 프레임과 상기 정전척은 비중첩되는, 표시 장치의 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    평면상에서 상기 마스크 프레임의 내측 끝단과 상기 정전척의 외측 끝단은 서로 이격되는, 표시 장치의 제조 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 연결부재는 상기 정전척의 상면의 적어도 일부와 결합되어, 상기 정전척과 상기 제1 구동부를 연결하는, 표시 장치의 제조 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 구동부는 상기 정전척을 상부 또는 하부로 이송하는, 표시 장치의 제조 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 기판을 상기 마스크에 밀착시키는 제1 플레이트를 더 포함하는, 표시 장치의 제조 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 정전척과 상기 제1 플레이트는 서로 독립적으로 구동되는, 표시 장치의 제조 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 플레이트를 구동하는 제2 구동부를 더 포함하고,
    상기 제2 구동부는 상기 제1 플레이트를 상부 또는 하부로 이송하는, 표시 장치의 제조 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 연결부재는 홈부를 포함하고,
    상기 제1 플레이트는 상기 홈부에 안착되는, 표시 장치의 제조 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 연결부재는 상기 정전척의 상면의 적어도 일부를 노출시키는 홀을 포함하고,
    상기 제1 플레이트는 상기 홀에 안착되는, 표시 장치의 제조 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 프레임은,
    제1 두께를 갖는 제1 부분; 및
    상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 부분;을 포함하고,
    상기 제1 부분은 상기 정전척과 비중첩되는, 표시 장치의 제조 장치.
  11. 기판;
    개구를 구비하고, 상기 개구를 둘러싸는 마스크 프레임, 및 상기 마스크 프레임과 결합되는 마스크를 포함하는 마스크 어셈블리;
    상기 기판을 상기 마스크에 밀착시키는 정전척; 및
    상기 정전척을 구동하는 제1 구동부;
    를 구비하고,
    상기 정전척은,
    상기 마스크 프레임과 비중첩되고, 제1 두께를 갖는 바디부; 및
    상기 마스크 프레임과 적어도 일부 중첩되고, 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 갖는 연결부;를 포함하는, 표시 장치의 제조 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 연결부는 상기 바디부를 적어도 일부 둘러싸는, 표시 장치의 제조 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    평면상에서 상기 마스크 프레임의 내측 끝단과 상기 정전척의 상기 바디부의 외측 끝단은 서로 이격되는, 표시 장치의 제조 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1 구동부는 상기 정전척의 측면에 결합되어, 상기 정전척을 고정시키는, 표시 장치의 제조 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 구동부는 상기 정전척의 상기 연결부와 결합되는, 표시 장치의 제조 장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제1 구동부는 상기 정전척을 상부 또는 하부로 이송하는, 표시 장치의 제조 장치.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 기판을 상기 마스크에 밀착시키는 제1 플레이트를 더 포함하는, 표시 장치의 제조 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 정전척과 상기 제1 플레이트는 서로 독립적으로 구동되는, 표시 장치의 제조 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 플레이트를 구동하는 제2 구동부를 더 포함하고,
    상기 제2 구동부는 상기 제1 플레이트를 상부 또는 하부로 이송하는, 표시 장치의 제조 장치.
  20. 화소전극을 형성하는 단계;
    제1항 내지 19항 중 어느 한 항의 표시 장치의 제조 장치를 이용하여 상기 화소전극 상에 발광층 또는 중간층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광층 또는 상기 중간층 상에 대향전극을 형성하는 단계;
    를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240034280A (ko) * 2022-09-06 2024-03-14 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5557215A (en) * 1993-05-12 1996-09-17 Tokyo Electron Limited Self-bias measuring method, apparatus thereof and electrostatic chucking apparatus
US5535090A (en) * 1994-03-03 1996-07-09 Sherman; Arthur Electrostatic chuck
US5764471A (en) * 1996-05-08 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck
US6529362B2 (en) * 1997-03-06 2003-03-04 Applied Materials Inc. Monocrystalline ceramic electrostatic chuck
US6232236B1 (en) * 1999-08-03 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling plasma uniformity in a semiconductor wafer processing system
US6370006B1 (en) * 2000-02-17 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a plurality of gas inlet channels
JP3851489B2 (ja) * 2000-04-27 2006-11-29 日本発条株式会社 静電チャック
KR100490534B1 (ko) * 2001-12-05 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
US6623605B2 (en) * 2001-12-06 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
US6955726B2 (en) * 2002-06-03 2005-10-18 Samsung Sdi Co., Ltd. Mask and mask frame assembly for evaporation
JP2004183044A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器
JP2005150527A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Canon Inc 保持装置、それを用いた露光装置およびデバイス製造方法
JP4744855B2 (ja) * 2003-12-26 2011-08-10 日本碍子株式会社 静電チャック
US7626681B2 (en) * 2005-12-28 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7646581B2 (en) * 2006-01-31 2010-01-12 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck
TW200735254A (en) * 2006-03-03 2007-09-16 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck and producing method thereof
US9275887B2 (en) * 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
US20080062610A1 (en) * 2006-08-10 2008-03-13 Shinji Himori Electrostatic chuck device
US20080106842A1 (en) * 2006-11-06 2008-05-08 Tokyo Electron Limited Mounting device, plasma processing apparatus and plasma processing method
DE102006055618B4 (de) * 2006-11-24 2011-05-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mobiler elektrostatischer Trägerwafer mit elektrisch isoliertem Ladungsspeicher, Anordnung zur Halterung und Verfahren zum Halten und Lösen eines scheibenförmigen Bauteils
TWI475594B (zh) * 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
JP5331580B2 (ja) * 2008-07-02 2013-10-30 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置及びそれに用いる部品
CN102144285B (zh) * 2008-09-04 2013-01-02 创意科技股份有限公司 静电吸盘装置和基片的吸附状态判断方法
JP5642153B2 (ja) * 2009-04-03 2014-12-17 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 材料堆積装置において基板を保持する装置
KR101202346B1 (ko) * 2009-04-16 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP5676175B2 (ja) * 2009-08-24 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) * 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
KR101135544B1 (ko) * 2009-09-22 2012-04-17 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 조립체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치
JP5604888B2 (ja) * 2009-12-21 2014-10-15 住友大阪セメント株式会社 静電チャックの製造方法
WO2011148750A1 (ja) * 2010-05-28 2011-12-01 シャープ株式会社 蒸着マスク及びこれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法と製造装置
US20120237682A1 (en) * 2011-03-18 2012-09-20 Applied Materials, Inc. In-situ mask alignment for deposition tools
KR20130004830A (ko) * 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US20130302937A1 (en) * 2012-05-10 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film Formation Apparatus, Method for Forming Film, Method for Forming Multilayer Film or Light-Emitting Element, and Method for Cleaning Shadow Mask
JP5823915B2 (ja) * 2012-05-29 2015-11-25 新光電気工業株式会社 静電チャックの製造方法
KR101971199B1 (ko) * 2012-09-21 2019-08-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP5958824B2 (ja) * 2012-11-15 2016-08-02 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法
CN104838484B (zh) * 2012-11-22 2019-04-16 株式会社创意科技 供电系统
KR102069346B1 (ko) * 2013-04-17 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 증착 장치
KR102081282B1 (ko) * 2013-05-27 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착용 기판이동부, 이를 포함하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102086550B1 (ko) * 2013-05-31 2020-03-10 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
WO2014203632A1 (ja) * 2013-06-21 2014-12-24 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR102120895B1 (ko) * 2013-08-09 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
US9580806B2 (en) * 2013-08-29 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate support assembly
KR101385950B1 (ko) * 2013-09-16 2014-04-16 주식회사 펨빅스 정전척 및 정전척 제조 방법
JP5516816B1 (ja) * 2013-10-15 2014-06-11 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
KR102270080B1 (ko) * 2013-10-30 2021-06-29 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치
CN106165141B (zh) * 2014-05-09 2019-01-15 应用材料公司 基板载体系统及使用它的方法
JP6429491B2 (ja) * 2014-05-13 2018-11-28 シャープ株式会社 蒸着装置用マスク、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR102235605B1 (ko) * 2014-10-08 2021-04-06 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
JP6502498B2 (ja) * 2014-12-03 2019-04-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 熱伝導部品を有する光学アセンブリ
KR102373326B1 (ko) * 2014-12-26 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 장치 내 기판 정렬 방법
KR102314487B1 (ko) * 2015-01-21 2021-10-19 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
KR102308906B1 (ko) * 2015-03-26 2021-10-06 삼성디스플레이 주식회사 정전 척 시스템과, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US20190013229A1 (en) * 2015-04-01 2019-01-10 Vni Solution Co., Ltd Aligner structure and alignment method
KR102334410B1 (ko) * 2015-04-13 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 어셈블리
KR102444178B1 (ko) * 2015-04-27 2022-09-19 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 마스크 조립체 제조방법 및 표시 장치 제조방법
KR102369675B1 (ko) * 2015-06-22 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 어셈블리와, 이를 이용하여 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9673025B2 (en) * 2015-07-27 2017-06-06 Lam Research Corporation Electrostatic chuck including embedded faraday cage for RF delivery and associated methods for operation, monitoring, and control
KR102404575B1 (ko) * 2015-10-12 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치와 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102490886B1 (ko) * 2015-10-16 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 인장 용접 장치
KR102427670B1 (ko) * 2015-10-16 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 제조 방법
KR102411539B1 (ko) * 2015-10-26 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR102432348B1 (ko) * 2015-12-04 2022-08-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
KR102608420B1 (ko) * 2016-03-09 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102527224B1 (ko) * 2016-03-31 2023-05-02 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
TWI721170B (zh) * 2016-05-24 2021-03-11 美商伊麥傑公司 蔽蔭遮罩沉積系統及其方法
US10386731B2 (en) * 2016-05-24 2019-08-20 Emagin Corporation Shadow-mask-deposition system and method therefor
KR102696806B1 (ko) * 2016-09-22 2024-08-21 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20180067231A (ko) * 2016-12-12 2018-06-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판처리장치의 마스크조립체 및 기판지지조립체
KR20180083459A (ko) * 2017-01-12 2018-07-23 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 어셈블리
US20180340252A1 (en) * 2017-05-24 2018-11-29 Emagin Corporation System and method for reducing attractive forces between a deposition mask and substrate and a deposition system and method utilizing the same
WO2019043866A1 (ja) * 2017-08-31 2019-03-07 堺ディスプレイプロダクト株式会社 成膜マスクの製造方法
CN107904554A (zh) * 2018-01-02 2018-04-13 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制造方法、掩膜组件及蒸镀装置
KR102717683B1 (ko) * 2018-08-02 2024-10-16 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치 및 정전 척 장치의 제조 방법
WO2020167451A1 (en) * 2019-02-12 2020-08-20 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with ceramic monolithic body
CN111837329B (zh) * 2019-02-20 2023-09-22 住友大阪水泥股份有限公司 静电卡盘装置
JP7449485B2 (ja) * 2019-03-28 2024-03-14 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
KR102721443B1 (ko) * 2019-07-23 2024-10-23 캐논 톡키 가부시키가이샤 얼라인먼트 기구, 얼라인먼트 방법, 성막 장치 및 성막 방법
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
KR20220019881A (ko) * 2020-08-10 2022-02-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치, 마스크 조립체의 제조방법, 및 표시 장치의 제조방법
US11699611B2 (en) * 2021-02-23 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Forming mesas on an electrostatic chuck
KR20230077004A (ko) * 2021-11-24 2023-06-01 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 이를 포함하는 표시 장치용 증착 장치
US20230250527A1 (en) * 2022-01-31 2023-08-10 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for inspecting mask, method for manufacturing mask, apparatus for inspecting mask, storage medium, and mask
KR20240000671A (ko) * 2022-06-23 2024-01-03 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 및 마스크 프레임 조립체의 제조 방법

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