KR20210121904A - Electronic device including display structure and display structure - Google Patents
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Abstract
Description
다양한 실시예는 디스플레이 구조체를 포함하는 전자 장치 및 디스플레이 구조체에 관한 것이다.Various embodiments relate to electronic devices including display structures and display structures.
다양한 디스플레이 및 터치 센서를 포함하는 전자 기기가 널리 보급되어 있다. 전자 장치는 디스플레이 상에 오브젝트를 포함하는 화면을 표시할 수 있다. 사용자는 손가락 또는 스타일러스 펜으로 디스플레이 상의 일 지점을 터치할 수 있으며, 전자 장치는 디스플레이 상의 터치의 위치를 감지할 수 있다. 전자 장치는, 감지된 위치에 대응하는 오브젝트와 연관된 기능을 수행할 수 있으며, 이에 따라 사용자가 단순히 터치 만으로 전자 장치를 조작할 수 있도록 하는 사용자 친화적인 사용자 인터페이스가 제공될 수 있다.BACKGROUND Electronic devices including various displays and touch sensors are widespread. The electronic device may display a screen including an object on the display. The user may touch a point on the display with a finger or a stylus pen, and the electronic device may detect a position of the touch on the display. The electronic device may perform a function associated with an object corresponding to the sensed position, and thus a user-friendly user interface that allows the user to operate the electronic device with a simple touch may be provided.
한편, 전자 장치의 베젤 상의 터치를 감지할 수 있는 전자 장치가 보급되어 있다. 전자 장치는 베젤 상의 터치 위치를 감지하고, 감지된 위치에 대응하는 기능을 수행할 수 있다. 이로써, 단순히 디스플레이 상에서만 터치를 감지할 수 있는 전자 장치에 비하여 다양한 입력을 인식할 수 있는 사용자 친화적인 사용자 인터페이스가 제공될 수 있다.Meanwhile, an electronic device capable of sensing a touch on the bezel of the electronic device is widespread. The electronic device may detect a touch position on the bezel and perform a function corresponding to the sensed position. Accordingly, a user-friendly user interface capable of recognizing various inputs may be provided as compared to an electronic device capable of sensing a touch only on a display.
또한, 조도 센서를 포함하는 전자 장치가 널리 이용된다. 조도 센서는 빛을 받으면 내부의 전자가 이동하여 전도율이 변하는 광전효과에 기반하여 주변 조도에 기반한 전기 신호를 출력할 수 있다. Also, an electronic device including an illuminance sensor is widely used. The illuminance sensor may output an electric signal based on ambient illuminance based on the photoelectric effect, in which electrons move inside to change conductivity when light is received.
전자 장치에서는 조도 센싱 기능을 갖추기 위하여 디스플레이 또는 터치 센서와 별도로 독립된 조도 센서 소자를 포함하는 경우, 조도 센서 소자의 가격이 전자 장치의 생산비용에 포함되므로 전자 장치의 생산비용이 높아질 수 있다.When the electronic device includes an illuminance sensor element independent from the display or touch sensor in order to have an illuminance sensing function, the price of the illuminance sensor element is included in the production cost of the electronic device, and thus the production cost of the electronic device may increase.
전자 장치의 베젤 상의 터치를 감지할 수 있는 전자 장치에서, 베젤 상의 터치가 호버링으로 오인식되거나, 호버링이 베젤 상의 터치로 오인식될 수 있다. 베젤 상의 터치와 호버링을 구분하기 위하여 디스플레이 또는 터치 센서와 별도로 독립된 조도 센서 소자가 이용될 수 있으나, 이 경우 조도 센서 소자의 가격이 전자 장치의 생산비용에 포함되므로 전자 장치의 생산비용이 높아질 수 있다.In an electronic device capable of sensing a touch on the bezel of the electronic device, a touch on the bezel may be erroneously recognized as hovering, or the hovering may be erroneously recognized as a touch on the bezel. In order to distinguish between touch and hovering on the bezel, an illuminance sensor element independent from the display or touch sensor may be used. .
전자 장치가 근접 센서를 포함하는 경우, 근접 센서는 종종 오동작을 일으킬 수 있다.When an electronic device includes a proximity sensor, the proximity sensor can often malfunction.
다양한 실시예에 따라서, 전자 장치는 상기 전자 장치의 디스플레이의 캐소드에 연결되는 발광 소자, 상기 캐소드에 연결되고, 상기 발광 소자로부터의 누설전류를 검출하도록 설정된 센싱 회로, 및 상기 센싱 회로의 상기 검출 결과에 기초하여 조도를 확인하도록 설정되는 적어도 하나의 프로세서를 포함할 수 있다.According to various embodiments, an electronic device includes a light emitting element connected to a cathode of a display of the electronic device, a sensing circuit connected to the cathode and configured to detect a leakage current from the light emitting element, and the detection result of the sensing circuit It may include at least one processor configured to check the illuminance based on .
다양한 실시예에 따라서, 구조체는 적어도 하나의 화면을 디스플레이하기 위한 TFT 구조가 배치되는 기판; 상기 TFT 구조 상에 배치되는 봉지층; 상기 봉지층 상에 배치되는, 복수 개의 전극을 포함하는 터치 센서, 상기 TFT 구조에 연결된 발광 소자 및 상기 복수 개의 전극을 위한 캐소드, 및 상기 캐소드에 연결되고, 상기 발광 소자로부터의 누설전류를 검출하도록 설정된 센싱 회로, 및 상기 센싱 회로의 상기 측정 결과에 기초하여 조도를 확인하도록 설정되는 적어도 하나의 프로세서를 포함할 수 있다.According to various embodiments, a structure may include a substrate on which a TFT structure for displaying at least one screen is disposed; an encapsulation layer disposed on the TFT structure; A touch sensor including a plurality of electrodes disposed on the encapsulation layer, a light emitting device connected to the TFT structure and a cathode for the plurality of electrodes, and a cathode connected to the cathode to detect a leakage current from the light emitting device It may include a set sensing circuit, and at least one processor configured to check the illuminance based on the measurement result of the sensing circuit.
다양한 실시예에 따라서, 전자 장치 및 구조체가 제공된다. 이에 따라, 발광 소자로부터의 누설전류에 기초하여 조도를 확인할 수 있다. 따라서, 별도의 독립된 조도 센서 소자를 포함하지 않고도 전자 장치 주변의 조도를 확인할 수 있다.In accordance with various embodiments, an electronic device and structure are provided. Accordingly, it is possible to check the illuminance based on the leakage current from the light emitting device. Accordingly, it is possible to check the illuminance around the electronic device without including a separate independent illuminance sensor element.
따라서, 다양한 실시예에 따른 전자 장치 및 구조체는 별도의 독립된 조도 센서 소자를 포함할 것을 요구하지 않으므로 전자 장치의 생산 단가를 낮추는 데 도움이 될 수 있다.Accordingly, since the electronic device and the structure according to various embodiments do not require a separate and independent illuminance sensor element, it may help to lower the manufacturing cost of the electronic device.
또한, 다양한 실시예에 따른 전자 장치 및 구조체는 발광 소자로부터의 누설전류에 기초하여 조도를 확인할 수 있으므로, 확인된 조도에 기초하여 베젤 상의 터치와 호버링을 명확하게 구분할 수 있다. 따라서, 베젤 상의 터치가 호버링으로 오인식되거나, 호버링이 베젤 상의 터치로 오인식될 가능성을 줄일 수 있다.In addition, since the electronic device and the structure according to various embodiments may check the illuminance based on the leakage current from the light emitting device, the touch and the hovering on the bezel may be clearly distinguished based on the checked illuminance. Accordingly, it is possible to reduce the possibility that a touch on the bezel is erroneously recognized as a hovering or hovering is erroneously recognized as a touch on the bezel.
또한, 다양한 실시예에 따른 전자 장치 및 구조체는 발광 소자로부터의 누설전류에 기초하여 조도를 확인할 수 있으므로, 확인된 조도에 기초하여 근접 센서의 낮은 신뢰도로 인한 오동작을 줄일 수 있다.In addition, since the electronic device and the structure according to various embodiments can check the illuminance based on the leakage current from the light emitting device, it is possible to reduce malfunction due to low reliability of the proximity sensor based on the checked illuminance.
도 1은 다양한 실시예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도를 도시한다.
도 2는 다양한 실시예들에 따른, 표시 장치의 블록도이다.
도 3a는 다양한 실시예에 따른, 디스플레이의 적층 구조를 도시한다.
도 3b는 다양한 실시예에 따른, 디스플레이 및 조도 센싱을 위한 구성요소들의 회로도를 도시한다.
도 3c는 다양한 실시예에 따른, 디스플레이 및 터치 센서의 적층 구조를 도시한다.
도 3d는 다양한 실시예에 따른, 디스플레이, 터치 센서, 및 조도 센싱을 위한 구성요소들의 회로도를 도시한다.
도 4a는 다양한 실시예에 따른, 발광 소자 양단의 전압과 누설전류의 관계를 도시한다.
도 4b는 다양한 실시예에 따른, 조도와 발광 소자로부터의 누설전류의 관계를 도시한다.
도 5a는 다양한 실시예에 따른 조도 센싱을 위한 구성요소들의 회로도를 도시한다.
도 5b는 다양한 실시예에 따른 조도 센싱을 위한 출력 전압의 예시를 도시한다.
도 6은 다양한 실시예에 따른 저항 생산을 위한 레이아웃을 도시한다.
도 7은 다양한 실시예에 따른, 터치 센서 IC, 디스플레이, 및 PMIC를 포함하는 시스템 을 도시한다.
도 8은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.
도 9는 다양한 실시예에 따른 터치 센서의 채널들을 도시한다.
도 10은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.
도 11은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.1 is a block diagram of an electronic device in a network environment according to various embodiments of the present disclosure;
2 is a block diagram of a display device according to various embodiments of the present disclosure;
3A illustrates a stacked structure of a display, according to various embodiments.
3B shows a circuit diagram of components for a display and illuminance sensing, in accordance with various embodiments.
3C illustrates a stacked structure of a display and a touch sensor, according to various embodiments.
3D shows a circuit diagram of a display, a touch sensor, and components for illuminance sensing, in accordance with various embodiments.
4A illustrates a relationship between a voltage across a light emitting device and a leakage current, according to various embodiments of the present disclosure.
4B illustrates a relationship between illuminance and leakage current from a light emitting device, according to various embodiments.
5A is a circuit diagram of components for illuminance sensing according to various embodiments of the present disclosure;
5B illustrates an example of an output voltage for illuminance sensing according to various embodiments.
6 illustrates a layout for resistor production in accordance with various embodiments.
7 illustrates a system including a touch sensor IC, a display, and a PMIC, in accordance with various embodiments.
8 is a flowchart illustrating an operation of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
9 illustrates channels of a touch sensor according to various embodiments.
10 is a flowchart illustrating an operation of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
11 is a flowchart illustrating an operation of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블럭도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 장치(150), 음향 출력 장치(155), 표시 장치(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 표시 장치(160) 또는 카메라 모듈(180))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성 요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들은 하나의 통합된 회로로 구현될 수 있다. 예를 들면, 센서 모듈(176)(예: 지문 센서, 홍채 센서, 또는 조도 센서)은 표시 장치(160)(예: 디스플레이)에 임베디드된 채 구현될 수 있다1 is a block diagram of an electronic device 101 in a
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)을 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 로드하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서), 및 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대체적으로, 보조 프로세서(123)은 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 또는 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 표시 장치(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. The
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다. The
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다. The
입력 장치(150)는, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 장치(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 또는 디지털 펜(예:스타일러스 펜)을 포함할 수 있다. The
음향 출력 장치(155)는 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 장치(155)는, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있고, 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The sound output device 155 may output a sound signal to the outside of the electronic device 101 . The sound output device 155 may include, for example, a speaker or a receiver. The speaker can be used for general purposes such as multimedia playback or recording playback, and the receiver can be used to receive incoming calls. According to one embodiment, the receiver may be implemented separately from or as part of the speaker.
표시 장치(160)는 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 표시 장치(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 표시 장치(160)는 터치를 감지하도록 설정된 터치 회로(touch circuitry), 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 센서 회로(예: 압력 센서)를 포함할 수 있다. The
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 장치(150)를 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 장치(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102)) (예: 스피커 또는 헤드폰))를 통해 소리를 출력할 수 있다.The
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다. The
인터페이스(177)는 전자 장치(101)이 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.The
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)은, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.The
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.The
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.The
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.The
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.The
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108))간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi direct 또는 IrDA(infrared data association) 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 셀룰러 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(예: 단일 칩)으로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 및 인증할 수 있다. The
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 하나의 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC)이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.The
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))를 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.At least some of the components are connected to each other through a communication method between peripheral devices (eg, a bus, general purpose input and output (GPIO), serial peripheral interface (SPI), or mobile industry processor interface (MIPI)) and a signal ( e.g. commands or data) can be exchanged with each other.
일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 전자 장치(102, 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다.. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. According to an embodiment, the command or data may be transmitted or received between the electronic device 101 and the external
도 2는 다양한 실시예들에 따른, 표시 장치(160)의 블록도(200)이다. 도 2를 참조하면, 표시 장치(160)는 디스플레이(210), 및 이를 제어하기 위한 디스플레이 드라이버 IC(DDI)(230)를 포함할 수 있다. DDI(230)는 인터페이스 모듈(231), 메모리(233)(예: 버퍼 메모리), 이미지 처리 모듈(235), 또는 맵핑 모듈(237)을 포함할 수 있다. DDI(230)은, 예를 들면, 영상 데이터, 또는 상기 영상 데이터를 제어하기 위한 명령에 대응하는 영상 제어 신호를 포함하는 영상 정보를 인터페이스 모듈(231)을 통해 전자 장치 101의 다른 구성요소로부터 수신할 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 영상 정보는 프로세서(120)(예: 메인 프로세서(121)(예: 어플리케이션 프로세서) 또는 메인 프로세서(121)의 기능과 독립적으로 운영되는 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치)로부터 수신될 수 있다. DDI(230)는 터치 회로(250) 또는 센서 모듈(176) 등과 상기 인터페이스 모듈(231)을 통하여 커뮤니케이션할 수 있다. 또한, DDI(230)는 상기 수신된 영상 정보 중 적어도 일부를 메모리(233)에, 예를 들면, 프레임 단위로 저장할 수 있다. 이미지 처리 모듈(235)은, 예를 들면, 상기 영상 데이터의 적어도 일부를 상기 영상 데이터의 특성 또는 디스플레이(210)의 특성에 적어도 기반하여 전처리 또는 후처리(예: 해상도, 밝기, 또는 크기 조정)를 수행할 수 있다. 맵핑 모듈(237)은 이미지 처리 모듈(135)를 통해 전처리 또는 후처리된 상기 영상 데이터에 대응하는 전압 값 또는 전류 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전압 값 또는 전류 값의 생성은 예를 들면, 디스플레이(210)의 픽셀들의 속성(예: 픽셀들의 배열(RGB stripe 또는 pentile 구조), 또는 서브 픽셀들 각각의 크기)에 적어도 일부 기반하여 수행될 수 있다. 디스플레이(210)의 적어도 일부 픽셀들은, 예를 들면, 상기 전압 값 또는 전류 값에 적어도 일부 기반하여 구동됨으로써 상기 영상 데이터에 대응하는 시각적 정보(예: 텍스트, 이미지, 또는 아이콘)가 디스플레이(210)를 통해 표시될 수 있다.
2 is a block diagram 200 of a
일실시예에 따르면, 표시 장치(160)는 터치 회로(250)를 더 포함할 수 있다. 터치 회로(250)는 터치 센서(251) 및 이를 제어하기 위한 터치 센서 IC(253)를 포함할 수 있다. 터치 센서 IC(253)는, 예를 들면, 디스플레이(210)의 특정 위치에 대한 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지하기 위해 터치 센서(251)를 제어할 수 있다. 예를 들면, 터치 센서 IC(253)는 디스플레이(210)의 특정 위치에 대한 신호(예: 전압, 광량, 저항, 또는 전하량)의 변화를 측정함으로써 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지할 수 있다. 터치 센서 IC(253)는 감지된 터치 입력 또는 호버링 입력에 관한 정보(예: 위치, 면적, 압력, 또는 시간)를 프로세서(120) 에 제공할 수 있다. 일실시예에 따르면, 터치 회로(250)의 적어도 일부(예: 터치 센서 IC(253))는 디스플레이 드라이버 IC(230), 또는 디스플레이(210)의 일부로, 또는 표시 장치(160)의 외부에 배치된 다른 구성요소(예: 보조 프로세서(123))의 일부로 포함될 수 있다.
According to an embodiment, the
일실시예에 따르면, 표시 장치(160)는 센서 모듈(176)의 적어도 하나의 센서(예: 지문 센서, 홍채 센서, 압력 센서 또는 조도 센서), 또는 이에 대한 제어 회로를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 적어도 하나의 센서 또는 이에 대한 제어 회로는 표시 장치(160)의 일부(예: 디스플레이(210) 또는 DDI(230)) 또는 터치 회로(250)의 일부에 임베디드될 수 있다. 예를 들면, 표시 장치(160)에 임베디드된 센서 모듈(176)이 생체 센서(예: 지문 센서)를 포함할 경우, 상기 생체 센서는 디스플레이(210)의 일부 영역을 통해 터치 입력과 연관된 생체 정보(예: 지문 이미지)를 획득할 수 있다. 다른 예를 들면, 표시 장치(160)에 임베디드된 센서 모듈(176)이 압력 센서를 포함할 경우, 상기 압력 센서는 디스플레이(210)의 일부 또는 전체 영역을 통해 터치 입력과 연관된 압력 정보를 획득할 수 있다. 일실시예에 따르면, 터치 센서(251) 또는 센서 모듈(176)은 디스플레이(210)의 픽셀 레이어의 픽셀들 사이에, 또는 상기 픽셀 레이어의 위에 또는 아래에 배치될 수 있다. According to an embodiment, the
도 3a는 다양한 실시예에 따른, 디스플레이의 적층 구조를 도시한다. 다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(101)는, 디스플레이 적층 구조(300a)를 포함할 수 있다. 디스플레이 적층 구조(300a)의 최상층에는 윈도우(340a)가 위치할 수 있다. 윈도우(340a)는, 글래스와 같은 실질적으로 투명한 재질로 구현될 수 있으나, 그 재질에는 제한이 없다. 윈도우(340a)는, 디스플레이(210)의 실질적인 전체 영역을 커버할 수 있다. 디스플레이(210)는, 윈도우(340a)의 하측에 배치된 편광층(330a)을 포함할 수 있다. 편광층(330a)을 포함한 도 3a와 같은 구조는, 단순히 예시적인 것으로, 편광층(330a)을 포함하지 않고, 컬러 필터층(예를 들어, 편광 기능을 가지는 블랙 PDL(pixel define layer) 및 컬러 필터(color filer)를 적용한 pol-less 구조 또한 가능할 수 있다. 다양한 실시예에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 하측 또는 상측에 배치된다는 표현은, 양 구성 요소들이 서로 접촉하도록 배치되는 것뿐만 아니라, 양 구성 요소들 사이의 중개 요소가 배치되는 것 또한 의미할 수 있음을 당업자는 이해할 것이다.3A illustrates a stacked structure of a display, according to various embodiments. According to various embodiments, the electronic device 101 may include a display stacked
다양한 실시예에 따라서, 편광층(330a)의 하측에는 봉지층 (encapsulation layer)(320a)가 배치될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 봉지층(320a)은, 예를 들어 봉지 글래스, 또는 봉지 박막 필름(thin film encapsulation, TFE)을 포함할 수도 있으며, 봉지 박막 필름은 연성 재질의 유기물로 구현될 수도 있으나, 그 종류에는 제한이 없다. 예를 들어, 봉지 박막 필름은, 복수의 유기물층과 무기물층이 적층된 구조일 수도 있다. 연성 재질의 유기물로 구현되는 경우, 디스플레이(210) 전체가 연성을 가질 수도 있다. 비록 도 3a에는 도시되지 않았으나, 다양한 실시예에 따라서, 적층구조는 터치 센서를 더 포함할 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 터치 센서는 다른 층들과 전기적으로 연결되어 있지 않을 수 있다. According to various embodiments, an
다양한 실시예에 따라서, 봉지층(320a)의 하측에는 LTPS(low temperature polycrystalline silicon) 및 기판(310a)이 배치될 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, LTPS(low temperature polycrystalline silicon)는 기판 상에 배치될 수 있다. LTPS는 적어도 하나의 화면을 표시하는 데 사용될 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, LTPS(low temperature polycrystalline silicon) 외의 다른 TFT(thin film transistor) 구조가 기판 상에 배치될 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 기판 상에는 발광 소자 및 캐소드가 더 배치될 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 발광 소자는 유기 발광 다이오드(organic light-emitting diode, OLED)일 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 발광 소자는 AMOLED(active matrix OLED)일 수 있다.According to various embodiments, a low temperature polycrystalline silicon (LTPS) and a
도 3b는 다양한 실시예에 따른, 디스플레이 및 조도 센싱을 위한 구성요소들의 회로도를 도시한다. 다양한 실시예에 따라서, 회로도(300b)의 부분(330b)은 도 3a의 LTPS 및 기판(310a)에 대응할 수 있다. 회로도(300b)를 참조하면, 수평 라인 업데이트 신호(h[n])가 트랜지스터(331b)의 게이트에 인가됨에 기반하여, 디스플레이를 위한 데이터(Data[n])가 트랜지스터(331b)를 통하여 노드(332b)로 전달될 수 있다. 노드(332b)에는 커패시터(334b), 커패시터(335b), 발광 소자(320b) 및 트랜지스터(333b)가 연결될 수 있으며, 커패시터(334b) 및 트랜지스터(333b)에는 구동 전압(VDD)이 인가될 수 있다. 발광 소자(320b) 및 커패시터(335b)는, 캐소드(310b)에 연결될 수 있다.3B shows a circuit diagram of components for a display and illuminance sensing, in accordance with various embodiments. According to various embodiments,
발광 소자(320b)가 빛을 받으면 발광 소자(320b)을 통해 캐소드(310b)에 누설전류가 흐를 수 있다. 주변 조도와 발광 소자(320b)로부터 캐소드(310b)에 흐르는 누설전류 사이의 관계는 도 4a 및 도 4b를 참조하여 후술한다.When the
발광 소자(320b)로부터 캐소드(310b)에 흐르는 누설전류의 적어도 일부는 센싱 저항(340b)에 흐를 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 센싱 저항(340b)의 일단은 캐소드(310b)에 연결되고, 센싱 저항(340b)의 타단은 PMIC(power management integrated circuit)에 연결될 수 있다. 다른 다양한 실시예에 따라서, 센싱 저항(340b)은 PMIC에 포함될 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, PMIC는 디스플레이에 적절한 전원을 공급하는 데 이용될 수 있다. At least a portion of the leakage current flowing from the
다양한 실시예에 따라서, 센싱 회로(360b)는 발광 소자(320b)로부터의 누설전류를 검출하도록 설정될 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 센싱 회로(360b)는 캐소드(310b)에 흐르는 누설전류 또는 센싱 저항(340b) 양단의 전압 중 적어도 하나에 연관된 정보를 측정하도록 설정될 수 있다. 예를 들어, 센싱 회로(360b)는 센싱 저항(340b) 양단의 전압을 측정하기 위한 전압계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 센싱 회로(360b)는 발광 소자(320b)로부터 캐소드(310b)에 흐르는 누설전류를 측정하기 위한 전류계를 포함할 수 있다. 센싱 회로(360b)가 전류계를 포함하는 경우, 센싱 회로(360b)는 누설전류의 일부가 센싱 저항(340b)에 흐르도록 하고, 누설전류의 다른 일부가 전류계를 통과하도록 하기 위한 저항을 더 포함할 수 있다. 다른 예시에서, 센싱 회로(360b)는 발광 소자(320b)로부터의 누설전류를 검출하기 위한 전류계를 포함할 수 있고, 이 경우, 센싱 저항(340b)은 생략될 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 전류계는 홀 소자 방식 또는 CT 방식으로 구현될 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 전류계의 전류 측정 방법은 제한되지 않는다. 센싱 회로(360b)의 다른 예시에 대해서는 도 5a를 참조하여 후술한다.According to various embodiments, the
도 3c는 다양한 실시예에 따른, 디스플레이 및 터치 센서의 적층 구조를 도시한다. 다양한 실시예에 따라서, 적층 구조(300c)는 윈도우(340c), 편광층(330c), 터치 센서(325c), 봉지층(320c), 및 LTPS 및 기판(310c)을 포함할 수 있다. 윈도우(340c), 편광층(330c), 봉지층(320c), 및 LTPS 및 기판(310c)에 대해서는 도 3a를 참조하여 상술한 사항이 동일하게 적용되므로, 여기에서 중복하여 설명하지 않는다.3C illustrates a stacked structure of a display and a touch sensor, according to various embodiments. According to various embodiments, the
다양한 실시예에 따라서, 봉지층(320c)의 봉지 박막 필름의 상층에 터치 센서(325c)가 배치될 수 있다. 봉지 박막 필름에 터치 센서가 배치된 구조를 OCTA(on cell touch AMOLED) 또는 Y-OCTA(youm on cell touch AMOLED) 라고 명명할 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 다양한 실시예는 OCTA와 같은 온 셀 구조뿐만 아니라, 임의의 디스플레이에서도 적용될 수 있음을 본 기술분야의 통상의 기술자는 이해할 것이다.다양한 실시예에 따라서, 편광층(330c)의 하측에는 터치 센서(325c)(예: 터치 센서(251))가 배치될 수 있다. 터치 센서(310)는, 제 1 축 방향으로 연장되는 복수 개의 전극들 및 제 2 축 방향으로 연장되는 복수 개의 전극들을 포함할 수 있으며, 각 축 방향으로 연장되는 복수 개의 전극들이 서로 교차하는 지점에는 절연 물질이 배치될 수 있다. 각 전극들은, 예를 들어 메탈-메쉬(metal-mesh)로 형성될 수 있으나, 그 재질 및/또는 형상에는 제한이 없다. 전극들 사이에는, 뮤추얼 커패시턴스(CM)가 형성될 수 있다. 도 3a를 참조하여, 도 3a의 적층 구조에 터치 센서가 더 포함되고, 터치 센서가 다른 층들과 전기적으로 연결되지 않는 예시를 상술한 바 있다. 이와 상이하게, 다양한 실시예에 따라서, 도 3c의 터치 센서(325c)는 다른 층들과 전기적으로 연결될 수 있다.According to various embodiments, the
LTPS 및 기판(310c)과 터치 센서(310)의 전극들 사이에는, 봉지 커패시턴스(encapsulation capacitance)(CENCAP)가 형성될 수 있다. 한편, 봉지층(320c)의 두께가 얇아지거나, 또는 봉지 박막 필름으로 대체되는 경우, 봉지 커패시턴스가 상대적으로 큰 값을 가지게 될 수 있다.Between the LTPS and the
도 3d는 다양한 실시예에 따른, 디스플레이, 터치 센서, 및 조도 센싱을 위한 구성요소들의 회로도를 도시한다. 다양한 실시예에 따라서, 회로도(300d)의 부분(330d)은 도 3c의 LTPS 및 기판(310c)에 대응할 수 있다. 도 3b를 참조하여 상술한 회로도(300b)의 부분(330b)에 포함되는 트랜지스터(331b), 노드(332b), 트랜지스터(333b), 커패시터(334b), 커패시터(335b), 발광 소자(320b), 및 캐소드(310b)에 관한 상세 사항이 회로도(300d)의 부분(330d)에 포함되는 트랜지스터(331d), 노드(332d), 트랜지스터(333d), 커패시터(334d), 커패시터(335d), 발광 소자(320d), 및 캐소드(310d)에 동일하게 적용될 수 있으므로, 여기에서 중복하여 설명하지 않는다.3D illustrates a circuit diagram of a display, a touch sensor, and components for illuminance sensing, in accordance with various embodiments. According to various embodiments,
다양한 실시예에 따라서, 디스플레이 회로의 캐소드(310d)는 터치 회로와 전기적으로 연결되어, 터치 회로의 그라운드로서 기능할 수 있다.According to various embodiments, the
도 3c에서 상술한 바와 같이, 캐소드(310d)와 터치 센서(325c)의 전극들 사이에는 봉지 커패시턴스(CENCAP)(311d)가 형성될 수 있다. 또한, 도 3c에서 상술한 바와 같이, 터치 센서의 전극들(312d, 313d) 사이에는 뮤추얼 커패시턴스(CM)(314d)가 형성될 수 있다. 도 3d에서는, 전극들(312d, 313d)이 두 개 도시되어 있지만, 이는 단순히 설명의 편의를 위한 것으로, 도 3c를 참조하여 상술한 바와 같이, 터치 센서(325c)는 제 1 축 방향으로 연장되는 복수 개의 전극들 및 제 2 축 방향으로 연장되는 복수 개의 전극들을 포함할 수 있음을 당업자는 이해할 것이다.As described above in FIG. 3C , an encapsulation capacitance (C ENCAP ) 311d may be formed between the
회로도(300d)는 센싱 저항(340d), PMIC(350d), 및 센싱 회로(360d)를 더 포함한다. 도 3b를 참조하여 상술한 센싱 저항(340b), PMIC(350b), 및 센싱 회로(360b)에 관한 세부 사항이 센싱 저항(340d), PMIC(350d), 및 센싱 회로(360d)에 각각 동일하게 적용될 수 있으므로, 여기에서 중복하여 설명하지 않는다.The circuit diagram 300d further includes a
도 4a는 다양한 실시예에 따른, 발광 소자 양단의 전압과 누설전류의 관계를 도시한다. 도 4a의 가로축은 mA 단위의 누설전류를 표시한다. 도 4a의 전류가 음의 값을 갖는 이유는, 포토 다이오드에 역전압이 걸리는 상황, 즉 역방향 바이어스 상황에서 음의 전류가 흐르기 때문이다. 도 3b를 예를 들면, 역방향 바이어스 상황에서 발광 소자(320b)로부터 캐소드(310b)에 흐르는 전류는 음의 전류이다. 즉, 캐소드(310b)로부터 발광 소자(320b) 방향으로 전류가 흐른다. 도 4a의 세로축은 V 단위의, 발광 소자에 걸리는 전압을 도시한다. 도 3b를 예를 들면, 발광 소자에 걸리는 전압은 발광 소자(320b)의 양단 중 캐소드(310b)에 연결된 일단을 기준으로 트랜지스터(333b)와 연결된 타단의 전압을 의미한다.4A illustrates a relationship between a voltage across a light emitting device and a leakage current, according to various embodiments of the present disclosure. The horizontal axis of FIG. 4A indicates the leakage current in mA. The reason that the current of FIG. 4A has a negative value is that a negative current flows in a situation in which a reverse voltage is applied to the photodiode, that is, in a reverse bias situation. Referring to FIG. 3B as an example, the current flowing from the
실제 발광 소자 소자에서 애노드의 전위가 캐소드(310b) 보다 낮은 상황은 발생하지 않으므로, 발광 소자에 걸리는 전압이 양의 전압인 구간(410a)에서 발광 소자가 포토 다이오드로서 동작한다.Since the situation in which the potential of the anode is lower than that of the
곡선(421a)는 어두운 환경에서 발광 소자에 걸리는 전압과 누설전류의 관계를 도시한다. 곡선(422a)는 조도가 1000lux일 때, 곡선(423a)는 조도가 1500lux일 때, 곡선(424a)는 조도가 2000lux일 때, 곡선(425a)는 조도가 2500lux일 때 각각 발광 소자에 걸리는 전압과 누설전류의 관계를 도시한다. 발광 소자에 걸리는 전압이 동일할 때, 조도가 높을수록 누설전류의 크기가 크다는 것을 확인할 수 있다.The
도 4b는 다양한 실시예에 따른, 조도와 발광 소자로부터의 누설전류의 크기 사이의 관계를 도시한다. 구체적으로, 도 4b는 발광 소자에 걸리는 전압이 -5V일 때 조도와 발광 소자로부터의 누설전류의 크기 사이의 관계를 도시한다. y절편(410b)은 조도가 0, 즉, 어두운 환경에서 누설전류의 크기를 나타낸다. 어두운 환경에서 누설전류의 크기는 비교적 작다는 것을 도 4b로부터 확인할 수 있다. 또한, 도 4b로부터 조도가 높을수록 누설전류의 크기가 크다는 것을 확인할 수 있다. 비록 도 4b는 발광 소자에 걸리는 전압이 -5V인 상황만을 나타내나, 도 4a의 발광 소자에 걸리는 전압이 양의 전압인 구간(410a)에서 곡선들(421a, 422a, 423a, 424a, 425a) 사이의 관계를 관찰하면, 발광 소자에 걸리는 전압이 양의 전압일 때도 조도가 높을수록 누설전류의 크기가 크다는 것을 확인할 수 있다.4B illustrates a relationship between illuminance and a magnitude of a leakage current from a light emitting device, according to various embodiments. Specifically, FIG. 4B shows the relationship between the illuminance and the magnitude of the leakage current from the light emitting device when the voltage applied to the light emitting device is -5V. The y-
도 5a는 다양한 실시예에 따른 조도 센싱을 위한 구성요소들의 회로도를 도시한다. 회로도(500a)는 디스플레이(510a), 캐소드(521a), PMIC(522a), 센싱 저항(RS)(530a), 예시적인 센싱 회로, 센싱 회로의 측정 결과를 처리하기 위한 ADC(analog to digital converter)(560a) 및 조도 계산 회로(570a)를 포함한다.5A is a circuit diagram of components for illuminance sensing according to various embodiments of the present disclosure; Circuit (500a) includes a display (510a), a cathode (521a), PMIC (522a) , a sensing resistance (R S) (530a), an exemplary sensing circuit, ADC (for processing the measurement results of the sensing circuit analog to digital converter ) 560a and an
다양한 실시예에 따라서, 디스플레이(510a)는 도 3a 또는 도 3c에 도시된 적층 구조를 갖는 디스플레이일 수 있다. 캐소드(521a)는 편의상 디스플레이(510a)와 별개로 표시되었으나, 캐소드(521a)는 디스플레이(510a)에 포함된다. 캐소드(521a), 센싱 저항(RS)(530a), 및 PMIC(522a)에 관해서는 도 3b를 참조하여 상술한 캐소드(310b), 센싱 저항(RS)(340b), 및 PMIC(350b)에 관한 설명이 동일하게 적용될 수 있으므로, 여기에서 중복하여 설명하지 않는다.According to various embodiments, the
도 5a에 도시된 예시적인 센싱 회로는 제1 저항(RIN)(541a), 제2 저항(RIN)(542a), 증폭기(540a), 트랜지스터(550a), 및 제3 저항(RL)(543a)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 저항(RIN)(541a) 및 제2 저항(RIN)(542a)의 저항값은 동일할 수 있다. The exemplary sensing circuit shown in FIG. 5A includes a first resistor (R IN ) 541a , a second resistor (R IN ) 542a , an
제1 저항(RIN)(541a)의 일단은 센싱 저항(RS)(530a)의 일단에 연결되고, 제1 저항(RIN)(541a)의 타단은 증폭기(540a)의 제1 입력단에 연결될 수 있다. 제2 저항의 일단은 센싱 저항(RS)(530a)의 타단에 연결되고, 제2 저항의 타단은 증폭기(540a)의 제2 입력단에 연결될 수 있다. 트랜지스터(550a)의 게이트는 증폭기(540a)의 출력단에 연결되고, 트랜지스터(550a)의 드레인은 증폭기(540a)의 제2 입력단에 연결되고, 트랜지스터(550a)의 소스는 제3 저항(RL)(543a)에 연결될 수 있다. 제3 저항(RL)(543a)의 일단은 트랜지스터(550a)의 소스에 연결되고, 제3 저항(RL)(543a)의 타단은 그라운드에 연결될 수 있다.One end of the first resistor (R IN ) 541a is connected to one end of the sensing resistor (RS) 530a, and the other end of the first resistor (R IN ) 541a is connected to the first input terminal of the
제3 저항(RL)(543a)의, 트랜지스터(550a)의 소스에 연결되는 일단의 전압 VOUT과, PMIC(522a)로부터 센싱 저항(RS)(530a)을 지나 캐소드(521a)로 흐르는 전류 IL 사이에는 다음과 같은 관계가 있다.The flow to the third resistance (R L) (543a) of the transistors sensing resistance (R S) through the (530a) a cathode (521a) from one voltage V OUT and, PMIC (522a) of which is connected to a source of (550a) The relationship between the currents I L is as follows.
다양한 실시예에 따라서, 제3 저항(RL)(543a)의 트랜지스터(550a)의 소스에 연결되는 일단의 전압 VOUT은 ADC(560a)에 의하여 디지털 신호로 변환될 수 있다. 즉, 도 5a에 도시된 예시에서, 센싱 회로는 제3 저항(RL)(543a)의 트랜지스터(550a)의 소스에 연결되는 일단의 전압 VOUT을 측정하고, ADC(560a)는 센싱 회로에 의하여 측정된 정보인 VOUT을 나타내는 신호를 디지털 신호로 변환할 수 있다.According to various embodiments, one end of the voltage V OUT connected to the source of the
다양한 실시예에 따라서, ADC(560a)에 의하여 출력된, VOUT을 나타내는 디지털 신호는 조도 계산 회로(570a)에 의하여 처리될 수 있다. 예를 들어, 조도 계산 회로(570a)는 VOUT을 나타내는 디지털 신호의 평균값을 확인함으로써 VOUT을 나타내는 디지털 신호를 처리할 수 있다. 예를 들어, 조도 계산 회로(570a)는 VOUT을 나타내는 디지털 신호의 미리 결정된 주기 동안의 평균값을 계산하거나 결정함으로써 VOUT을 나타내는 디지털 신호의 미리 결정된 주기 동안의 평균값을 확인할 수 있다. 예를 들어, 조도 계산 회로(570a)는 VOUT을 나타내는 디지털 신호의 미리 결정된 주기 동안의 값들 중 특정 범위 내에 포함되는 값만이 고려된 평균값을 확인함으로써 VOUT을 나타내는 디지털 신호를 처리할 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 조도 계산 회로(570a)는 exponential moving average를 이용하여 평균값을 계산하거나 결정할 수 있다. 그 외에도, ADC(560a)에 의하여 출력된 디지털 신호를 처리하기 위한 방법은 제한되지 않는다. According to various embodiments, a digital signal representing V OUT output by the
다양한 실시예에 따라서, ADC(560a) 또는 조도 계산 회로(570a)는 터치 센서 IC(253)의 MCU(microcontroller unit)에 포함될 수 있다. 조도 계산 회로(570a)가 터치 센서 IC(253)의 MCU에 포함되는 경우, MCU는 조도 계산 회로(570a)에 의한 처리의 결과로 확인된 값에 기초하여 조도를 확인할 수 있다. 다른 다양한 실시예에 따라서, 조도 계산 회로(570a)는 터치 센서 IC(253)의 MCU에 포함되고, MCU는 조도 계산 회로(570a)에 의한 처리의 결과로 확인된 값을 어플리케이션 프로세서에 전달하고, 어플리케이션 프로세서는 전달받은 값에 기초하여 조도를 확인할 수 있다. 다른 다양한 실시예에 따라서, 조도 계산 회로(570a)의 동작의 일부는 MCU에서 수행되고, 다른 일부는 어플리케이션 프로세서에서 수행될 수 있다. 즉, 조도 계산 회로(570a)는 MCU에서 부분적으로 구현되고, 어플리케이션 프로세서로서 부분적으로 구현될 수 있다. 다른 다양한 실시예에 따라서, 조도 계산 회로(570a)의 동작의 적어도 일부 또는 전부가 어플리케이션 프로세서에서 구현될 수 있다.According to various embodiments, the
도 5b는 다양한 실시예에 따른 조도 센싱을 위한 출력 전압의 예시를 도시한다. 곡선(510b)은 표시 장치(160)의 베젤에 대한 터치가 일어났을 때의 VOUT을 나타낸다. 곡선(520b)은 표시 장치(160) 상에 호버링이 일어났을 때의 VOUT을 나타낸다. 표시 장치(160)의 베젤에 대한 터치가 일어났을 때, 표시 장치(160)가 사용자의 손에 의하여 가려지지 않으므로, 곡선(510b)의 VOUT은 일정한 값을 나타낼 수 있다. 도 5b에는 도시되지 않았으나, 표시 장치(160)의 베젤에 대한 터치가 일어나는 경우라도 표시 장치(160)가 사용자의 손에 의하여 일부 가려질 수 있고, 이러한 경우 VOUT은 곡선(510b)의 일정한 값보다 낮은 값을 나타낼 수 있고, 일정하지 않은 값을 나타낼 수 있다.5B illustrates an example of an output voltage for illuminance sensing according to various embodiments. The
표시 장치(160) 상에 호버링이 일어났을 때, 표시 장치(160)가 사용자의 손에 의하여 가려지므로 곡선(520b)의 VOUT은 곡선(510b)의 VOUT이 나타내는 일정한 값보다 낮은 값을 나타내며, 일정하지 않은 값을 나타낼 수 있다.When wake hovering is going on the
도 6은 다양한 실시예에 따른 저항 생산을 위한 레이아웃을 도시한다. 구체적으로, 도 6은 도 5a에 도시된 제3 저항(543a) 및 제1 저항(541a) 또는 제2 저항(542a)을 생산하기 위한 레이아웃 배치(600)를 도시한다. 레이아웃 배치(600)는 다수의 부분 저항들(631 내지 642, 661 내지 672)을 포함할 수 있다. 단자(621)는 부분 저항들(631 내지 642)과 직렬로 연결되고, 부분 저항들(631 내지 642)을 통하여 단자(622)에 연결될 수 있다. 이 경우, 단자(621)와 단자(622) 사이의 등가저항은 부분 저항들(631 내지 642)의 합일 수 있다. 단자(651)는 부분 저항들(661 내지 672)과 직렬로 연결되고, 부분 저항들(661 내지 672)을 통하여 단자(652)에 연결될 수 있다. 이 경우, 단자(651)와 단자(652) 사이의 등가저항은 부분 저항들(661 내지 672)의 합일 수 있다. 6 illustrates a layout for resistor production in accordance with various embodiments. Specifically, FIG. 6 shows a
다양한 실시예에 따라서, 단자(621)와 단자(622) 사이의 부분 저항들(631 내지 642)은 제3 저항(543a)을 구성하고, 다양한 실시예에 따라서, 단자(651)와 단자(652) 사이의 부분 저항들(661 내지 672)은 제1 저항(541a) 또는 제2 저항(542a)을 구성할 수 있다. According to various embodiments, the
도 6의 레이아웃 배치(600)에서 제1 저항(541a) 또는 제2 저항(542a)을 구성하는 부분 저항들(661 내지 672)과 제3 저항(543a)을 구성하는 부분 저항들(631 내지 642)이 서로 섞인 형태로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제3 저항(543a)을 구성하는 부분 저항(631)과 인접해서는 제1 저항(541a) 또는 제2 저항(542a)을 구성하는 부분 저항들(661 및 662)이 위치할 수 있다.In the
도 6의 레이아웃 배치(600)에서 확산 공정 (diffusion)의 확산 방향(610)이 표시되어 있고, 확산 방향(610)으로의 확산이 균일하게 일어나지 않는다고 하더라도, 제1 저항(541a) 또는 제2 저항(542a)을 구성하는 부분 저항들(661 내지 672)과 제3 저항(543a)을 구성하는 부분 저항들(631 내지 642)이 서로 섞인 형태로 배치되므로, 제1 저항(541a) 또는 제2 저항(542a)과 제3 저항(543a)의 절대적인 값은 불균일한 확산에 의하여 오차가 발생할 수 있으나, 제1 저항(541a) 또는 제2 저항(542a)과 제3 저항(543a)의 비율에 발생하는 오차는 제한적일 수 있다. 수학식 1에서 누설전류와 VOUT가 정비례하는 비례상수는 제1 저항(541a) 또는 제2 저항(542a)과 제3 저항(543a)의 비율에 영향을 받으므로, 제1 저항(541a) 또는 제2 저항(542a)과 제3 저항(543a)의 비율에 발생하는 오차를 제한함으로써 VOUT으로부터 누설전류 값을 확인하는 과정에서의 오차를 제한할 수 있다.Although the
다른 다양한 실시예에 따라서, 상술한 예시와는 반대로, 단자(621)와 단자(622) 사이의 부분 저항들(631 내지 642)은 제1 저항(541a) 또는 제2 저항(542a)을 구성하고, 다양한 실시예에 따라서, 단자(651)와 단자(652) 사이의 부분 저항들(661 내지 672)은 제3 저항(543a)을 구성할 수 있다는 것은 통상의 기술자가 이해할 수 있을 것이다.According to various other embodiments, contrary to the example described above, the
도 7은 다양한 실시예에 따른, 터치 센서 IC, 디스플레이, 및 PMIC를 포함하는 시스템 아키텍쳐를 도시한다. 다양한 실시예에 따라서, 터치 센서 IC(710)는 AFE(analog front end)(711), AFE 제어기(712), 센싱 회로(713), eFlash(714), Data SRAM(715), MCU(716), 및 터치 하드웨어 엔진(717)을 포함할 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, AFE(711)는 터치 센서(720)로부터 아날로그 터치 신호를 받아들이고, 아날로그 터치 신호에 대응하는 전류 또는 전압 신호를 AFE 제어기(712)에 전달할 수 있다. 아날로그 터치 신호는 터치 센서(720)에서 감지된 커패시턴스의 변화를 나타낼 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, AFE(711)는 자가 정전용량식(self-capacitive) 터치 신호 또는 상호 정전용량식(mutual capacitive) 터치 신호 중 적어도 하나를 터치 센서(720)로부터 받아들일 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, eFlash(714) 및 Data SRAM(715)은 터치 센서(720)의 작동을 제어하기 위한 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 7 illustrates a system architecture including a touch sensor IC, a display, and a PMIC, in accordance with various embodiments. According to various embodiments, the
다양한 실시예에 따라서, 터치 센서(720)의 캐소드로부터 PMIC(730) 내부에 포함되는 센싱 저항(예를 들어, 340d)을 통하여 흐르는 전류 또는 센싱 저항 양단의 전압은 센싱 회로(713)에 의하여 결정될 수 있다. 도 5a의 예시에서 상술한 바와 같이, 센싱 회로(713)는 측정 결과에 대응하는 신호를 MCU(716)에 전달할 수 있다.According to various embodiments, the current flowing from the cathode of the
다양한 실시예에 따라서, MCU(716)는 터치 센서(720)의 작동을 제어하고, 센싱 회로(713)로부터 전달받은 신호에 기초하여 조도 값을 결정하거나, 센싱 회로(713)로부터 전달받은 신호를 디지털 형태로 변환 후 처리하거나, 처리된 신호를 어플리케이션 프로세서에 전달하여 어플리케이션 프로세서가 조도 값을 결정할 수 있도록 할 수 있다.According to various embodiments, the
도 8은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작을 설명하기 위한 흐름도(800)를 도시한다. 810 동작에서, 터치 센서 IC(253)에 포함되는 MCU(716)는 터치 센서(251)로부터의 터치 신호를 감지할 수 있다. 820 동작에서, MCU(716)는 감지된 터치 신호의 전압이 제1 임계값 이상인지 여부를 확인할 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 820 동작에서 제1 임계값 과 비교되는 터치 신호의 전압은 터치 센서(251) 상의 모든 영역에 대한 터치에 대응하여 출력되는 신호일 수 있다.8 is a
다양한 실시예에 따라서, 감지된 터치 신호의 전압이 제1 임계값 미만이라고 확인되는 경우, MCU(716)는 810 동작으로 되돌아갈 수 있다. 감지된 터치 신호의 전압이 제1 임계값 이상이라고 확인되는 경우, MCU(716)는 830 동작에서, 호버링을 감지하도록 터치 센서(251)를 제어할 수 있다. 도 8에는 감지된 터치 신호의 전압이 제1 임계값 미만이라고 확인되는 경우, MCU(716)가 810 동작으로 되돌아가는 것으로 도시되어 있으나, 다양한 실시예에 따라서, 감지된 터치 신호의 전압이 제1 임계값 미만이라고 확인되는 경우 방법이 종료되는 예시도 가능하다.According to various embodiments, when it is determined that the voltage of the sensed touch signal is less than the first threshold, the
터치 센서(251)가 호버링을 감지하도록 제어될 때, 터치 센서(251)는 터치 센서(251) 상의 복수의 채널로 구분되는 복수의 영역들 중 하나 이상의 채널에 대응되는 특정 영역에 대한 터치 신호의 전압을 구분하여 감지할 수 있다. 예를 들어, 터치 센서(251)가 도 9에 도시된 터치 센서(900)일 때, 터치 센서(900)는 복수의 채널에 대응되도록 복수의 영역들로 구분될 수 있다. When the
840 동작에서, MCU(716)는 터치 센서(251)의 최외곽에 근접한 적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호의 전압이 제2 임계값 이상인지 여부를 확인할 수 있다. 여기서, 최외곽에 근접한 채널들이란, 최외곽 채널 및 최외곽 채널로부터 한두 픽셀 안에 위치한 채널들을 포함할 수 있다. 도 9의 예시에서, MCU(716)는 최외곽에 근접한 N개의 채널들(910)로부터의 터치 신호의 전압이 제2 임계값 이상인지 여부를 확인할 수 있다. In
다양한 실시예에 따라서, 840 동작에서 터치 센서(251)의 최외곽에 근접한N개의 채널들(910)로부터의 터치 신호의 전압이 제2 임계값 미만이라고 확인되는 경우, MCU(716)는 830 동작으로 되돌아갈 수 있다. 도 8에는 최외곽에 근접한 N개의 채널들(910)로부터의 터치 신호의 전압이 제2 임계값 미만이라고 확인되는 경우, MCU(716)가 830 동작으로 되돌아가는 것으로 도시되어 있으나, 다양한 실시예에 따라서, 최외곽에 근접한 N개의 채널들(910)로부터의 터치 신호의 전압이 제2 임계값 미만이라고 확인되는 경우 방법이 종료되는 예시도 가능하다.According to various embodiments, when it is determined that the voltage of the touch signal from the
840 동작에서 터치 센서(251)의 최외곽에 근접한N개의 채널들(910)로부터의 터치 신호의 전압이 제2 임계값 이상이라고 확인되는 경우, MCU(716)는 850 동작에서 센싱 회로의 측정 결과에 기초하여 조도를 확인할 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 최외곽에 근접한N개의 채널들(910)로부터의 터치 신호의 전압이 제2 임계값 이상이라고 확인되는 것은 터치 센서(251) 위로 호버링이 일어났거나, 베젤 터치가 이루어졌다는 것을 의미할 수 있다.When it is confirmed in
860 동작에서, MCU(716)는 확인된 조도가 제3 임계값 이상인지 여부를 확인할 수 있다. 확인된 조도가 제3 임계값 이상인 경우, MCU(716)는 870 동작에서 베젤 터치가 이루어졌다고 확인할 수 있다. 확인된 조도가 제3 임계값 미만인 경우, MCU(716)는 880 동작에서 호버링이 이루어졌다고 확인할 수 있다.In
위에서는 810 내지 880 동작이 모두 MCU(716)에 의하여 수행되는 것으로 설명하였으나, 다양한 실시예에 따라서, 일부 동작들은 어플리케이션 프로세서와 같은 전자 장치(101) 내의 다른 프로세서에 의하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 850 동작은 어플리케이션 프로세서에 의하여 수행될 수 있고, 이러한 예시에서 MCU(716)는 터치 센서의 최외곽에 근접한적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호의 전압이 제2 임계값 이상인지 여부를 840 동작에서 확인하고, 터치 센서의 최외곽에 근접한적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호의 전압이 제2 임계값 이상이라고 확인되는 경우, 터치 신호의 전압이 제2 임계값 이상이라는 것을 어플리케이션 프로세서에 알릴 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 860 동작 내지 880 동작이 어플리케이션 프로세서와 같은 전자 장치(101) 내의 다른 프로세서에 의하여 수행될 수 있다.Although it has been described above that
또한, 다양한 실시예에 따라서, 도 8에 도시된 것과는 다르게, 810 동작 내지 830 동작은 생략될 수 있다. Also, according to various embodiments,
도 8에 도시된 동작들은 터치 센서의 최외곽에 근접한적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호의 전압이 제2 임계값 이상이라고 확인되는 경우, 조도 값을 고려하여 베젤 터치인지 아니면 호버링인지를 확인함으로써, 터치 신호의 전압만을 이용하는 경우에 비하여 베젤 터치가 호버링으로 오인식되거나, 호버링이 베젤 터치로 오인식될 가능성을 감소시킬 수 있다. In the operations shown in FIG. 8, when it is confirmed that the voltage of the touch signal from at least one channel close to the outermost of the touch sensor is greater than or equal to the second threshold, by checking whether it is a bezel touch or hovering in consideration of the illuminance value, Compared to a case where only the voltage of the touch signal is used, the possibility that the bezel touch is misrecognized as hovering or that the hovering is misrecognized as the bezel touch can be reduced.
도 10은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작을 설명하기 위한 흐름도(1000)를 도시한다. 1010 동작에서, 터치 센서 IC(253)에 포함되는 MCU(716)는 센싱 회로(713)의 측정 결과에 기초하여 조도를 확인할 수 있다. 1020 동작에서, MCU(716)는 확인된 조도가 제4 임계값 이상인지 여부를 확인할 수 있다. 확인된 조도가 제4 임계값 이상인 경우, MCU(716)는 1030 동작에서 외부 물체가 전자 장치(101)에 근접하지 않았다고 확인할 수 있다. 또는, 확인된 조도가 제4 임계값 미만인 경우, MCU(716)는 1040 동작에서 외부 물체가 전자 장치(101)에 근접하였다고 확인할 수 있다. 외부 물체가 전자 장치(101)에 근접한 경우, 터치 센서(251) 주변의 조도가 낮아질 개연성이 크므로, 확인된 조도가 낮은 것은 외부 물체의 근접을 나타낼 수 있고, 확인된 조도가 높은 것은 외부 물체가 근접하지 않았다는 것을 나타낼 수 있다. 10 is a
위에서는 1010 내지 1040 동작이 모두 MCU(716)에 의하여 수행되는 것으로 설명하였으나, 다양한 실시예에 따라서, 일부 동작들은 어플리케이션 프로세서와 같은 전자 장치(101) 내의 다른 프로세서에 의하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 1010 내지 1040 동작이 모두 어플리케이션 프로세서에 의하여 수행될 수 있고, 이러한 예시에서 MCU(716)는 센싱 회로(713)의 측정 결과 또는 센싱 회로(713)의 측정 결과를 처리한 신호를 어플리케이션 프로세서에 전달할 수 있고, 어플리케이션 프로세서는 전달받은 신호에 기초하여 조도를 확인함으로써 1010 동작을 수행할 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 1010 동작은 MCU(716)에 의하여 수행될 수 있고, 1020 내지 1040 동작은 어플리케이션 프로세서에 의하여 수행될 수 있다. 이 경우, 1010 동작을 수행한 MCU(716)는 확인된 조도에 대응하는 신호를 어플리케이션 프로세서에 전달할 수 있고, 어플리케이션 프로세서는 전달받은 신호에 기초하여 1020 동작을 수행할 수 있다.All
도 10에 도시된 동작을 수행함으로써, 전자 장치(101)는 별도의 근접 센서 소자를 탑재하지 않고도 외부 물체가 전자 장치(101)에 근접했는지 여부를 판단할 수 있다.By performing the operation illustrated in FIG. 10 , the electronic device 101 may determine whether an external object approaches the electronic device 101 without mounting a separate proximity sensor element.
도 11은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작을 설명하기 위한 흐름도(1100)를 도시한다. 1110 동작에서, 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 근접 센서의 센싱값을 확인하고, 센싱 회로(713)의 측정 결과에 기초하여 조도를 확인할 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 전자 장치(101)에 포함된 근접 센서로부터 전달받은 전기 신호에 기초하여 센싱값을 확인할 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 근접 센서의 센싱값 및 센싱 회로(713)의 센싱값에 판별 알고리즘을 적용하여 외부 물체의 근접 여부를 확인할 수 있다. 예를 들어, 판별 알고리즘은 support vector machine, neural network, 또는 bayesian classifier 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 판별 알고리즘은 상술한 support vector machine, neural network, 또는 bayesian classifier로 한정되지 않으며, 상술한 예시 외에 다양한 판별 알고리즘이 사용될 수 있다.11 is a
1120 동작에서 프로세서(120)는 근접 센서의 센싱값이 외부 물체의 근접을 나타내는지 여부를 판단할 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 1110 동작에서, 프로세서(120)는 근접 센서의 센싱값을 확인하지 않고, 근접 센서로부터 외부 물체의 근접 여부만을 나타내는 신호를 수신할 수 있다.In
근접 센서의 센싱값이 외부 물체의 근접을 나타내는 경우, 1130 동작에서 프로세서(120)는 1110 동작에서 확인된 조도가 제4 임계값 이상인지 여부를 확인할 수 있다. 1130 동작에서 조도가 제4 임계값 이상이라고 확인되는 경우, 1140 동작에서 프로세서(120)는 외부 물체가 근접하지 않았다고 확인할 수 있다. 1130 동작에서 조도가 제4 임계값 미만이라고 확인되는 경우, 1150 동작에서 프로세서(120)는 외부 물체가 근접하였다고 확인할 수 있다.When the sensing value of the proximity sensor indicates proximity of an external object, in
근접 센서의 센싱값이 외부 물체의 근접을 나타내지 않는 경우, 1160 동작에서 프로세서(120)는 1110 동작에서 확인된 조도가 제4 임계값 이상인지 여부를 확인할 수 있다. 1160 동작에서 조도가 제4 임계값 이상이라고 확인되는 경우, 1170 동작에서 프로세서(120)는 외부 물체가 근접하지 않았다고 확인할 수 있다. 1160 동작에서 조도가 제4 임계값 미만이라고 확인되는 경우, 1180 동작에서 프로세서(120)는 외부 물체가 근접하였다고 확인할 수 있다.When the sensing value of the proximity sensor does not indicate the proximity of the external object, in
도 11에 도시된 동작들에 따르면, 근접 센서의 센싱값에 더하여, 1110 동작에서 확인된 조도를 이용하여 크로스 체크함으로써 근접 여부의 판단의 신뢰도를 높일 수 있다.According to the operations illustrated in FIG. 11 , in addition to the value sensed by the proximity sensor, the reliability of the determination of proximity may be increased by performing a cross check using the illuminance confirmed in
다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(101)는 상기 전자 장치(101)의 디스플레이(210)의 캐소드(310b)에 연결되는 발광 소자(320b), 상기 캐소드(310b)에 연결되고, 상기 발광 소자(320b)로부터의 누설전류를 검출하도록 설정된 센싱 회로(360b), 및 상기 센싱 회로(360b)의 상기 검출 결과에 기초하여 조도를 확인하도록 설정되는 적어도 하나의 프로세서(716)를 포함할 수 있다.According to various embodiments, the electronic device 101 includes a
다양한 실시예에 따라서, 상기 전자 장치(101)는 터치 센서(251)를 포함할 수 있다.According to various embodiments, the electronic device 101 may include a
다양한 실시예에 따라서, 상기 적어도 하나의 프로세서(716)는, 상기 터치 센서(251)의 최외곽에 근접한 적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호 및 상기 확인된 조도에 기초하여 베젤 터치 또는 호버링 중 적어도 하나를 검출하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the at least one
다양한 실시예에 따라서, 상기 적어도 하나의 프로세서(716)는, 상기 터치 센서(251)의 최외곽에 근접한 적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호의 전압이 제1 임계값 이상이고, 상기 확인된 조도가 제2 임계값 이상인 경우 베젤 터치가 이루어졌다고 확인하고, 상기 터치 센서(251)의 최외곽에 근접한 적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호의 전압이 상기 제1 임계값 이상이고, 상기 확인된 조도가 상기 제2 임계값 미만인 경우 호버링이 이루어졌다고 확인하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the at least one
다양한 실시예에 따라서, 상기 적어도 하나의 프로세서(716)는, 상기 터치 센서(251)로부터의 터치 신호의 전압이 제3 임계값 이상인 경우, 호버링을 감지하도록 상기 터치 센서(251)를 제어하고, 상기 터치 센서(251)가 호버링을 감지하도록 제어될 때 상기 터치 센서(251)의 최외곽에 근접한 적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호의 전압을 확인하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the at least one
다양한 실시예에 따라서, 상기 전자 장치(101)는 근접 센서를 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서(716)는, 상기 근접 센서의 센싱값 및 상기 확인된 조도에 기초하여 물체의 근접 여부를 판단하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, the electronic device 101 further includes a proximity sensor, and the at least one
다양한 실시예에 따라서, 상기 적어도 하나의 프로세서(716)는, 상기 근접 센서의 상기 센싱값이 물체의 근접을 나타내고, 상기 확인된 조도가 제4 임계값 이상인 경우, 상기 물체가 근접하지 않았다고 확인하고, 상기 근접 센서의 상기 센싱값이 상기 물체가 근접하지 않았음을 나타내고, 상기 확인된 조도가 상기 제4 임계값 미만인 경우, 상기 물체가 근접하였다고 확인하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the at least one
다양한 실시예에 따라서, 상기 전자 장치(101)는 상기 센싱 회로(360b)에 의하여 측정된 상기 정보를 나타내는 신호를 디지털로 변환하도록 설정된 ADC(analog to digital converter), 및 상기 디지털로 변환된 상기 신호를 처리하도록 설정된 조도 계산 회로를 더 포함할 수 있다.According to various embodiments, the electronic device 101 includes an analog to digital converter (ADC) configured to convert a signal representing the information measured by the
다양한 실시예에 따라서, 상기 조도 계산 회로는 상기 디지털로 변환된 상기 신호의 미리 결정된 주기 동안의 평균값을 출력하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the illuminance calculation circuit may be configured to output an average value for a predetermined period of the digitally converted signal.
다양한 실시예에 따라서, 상기 ADC 및 상기 조도 계산 회로는 상기 전자 장치(101)의 터치 센서 IC(253)에 집적될 수 있다.According to various embodiments, the ADC and the illuminance calculation circuit may be integrated in the
다양한 실시예에 따라서, 상기 전자 장치(101)는 상기 발광 소자로부터의 누설전류가 흐르는 센싱 저항(340b)을 더 포함하고, 상기 센싱 저항(340b)은 상기 전자 장치(101)의 PMIC(power management integrated circuit)에 포함될 수 있다.According to various embodiments, the electronic device 101 further includes a
다양한 실시예에 따라서, 상기 전자 장치(101)는 상기 발광 소자로부터의 누설전류가 흐르는 센싱 저항(340b)을 더 포함하고, 상기 센싱 저항(340b)의 일단은 상기 캐소드(310b)에 연결되고, 상기 센싱 저항(340b)의 타단은 상기 전자 장치(101)의 PMIC에 연결될 수 있다.According to various embodiments, the electronic device 101 further includes a
다양한 실시예에 따라서, 상기 센싱 회로(360b)는 제1 저항, 제2 저항, 제3 저항, 증폭기, 및 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 저항의 일단은 상기 센싱 저항(340b)의 상기 일단에 연결되고, 상기 제1 저항의 타단은 상기 증폭기의 제1 입력단에 연결되고, 상기 제2 저항의 일단은 상기 센싱 저항(340b)의 상기 타단에 연결되고, 상기 제2 저항의 타단은 상기 증폭기의 제2 입력단에 연결되고, 상기 트랜지스터의 게이트는 상기 증폭기의 출력단에 연결되고, 상기 트랜지스터의 드레인은 상기 증폭기의 상기 제2 입력단에 연결되고, 상기 트랜지스터의 소스는 상기 제3 저항에 연결되고, 상기 제3 저항의 일단은 상기 트랜지스터의 상기 소스에 연결되고, 상기 제3 저항의 타단은 그라운드에 연결되고, 상기 센싱 회로(360b)에 의하여 측정되는 상기 정보는 상기 제3 저항의 상기 일단의 전압일 수 있다.According to various embodiments, the
다양한 실시예에 따라서, 상기 센싱 회로(360b)는 터치 센서 IC(253)에 집적될 수 있다.According to various embodiments, the
다양한 실시예에 따라서, 구조체는 적어도 하나의 화면을 디스플레이(210)하기 위한 TFT 구조가 배치되는 기판; 상기 TFT 구조 상에 배치되는 봉지층; 상기 봉지층 상에 배치되는, 복수 개의 전극을 포함하는 터치 센서(251), 상기 TFT 구조에 연결된 발광 소자(320b) 및 상기 복수 개의 전극을 위한 캐소드(310b), 및 상기 캐소드(310b)에 연결되고, 상기 발광 소자(320b)로부터의 누설전류가 흐르는 센싱 저항(340b), 상기 누설전류 또는 상기 센싱 저항(340b) 양단의 전압 중 적어도 하나에 연관된 정보를 측정하도록 설정된 센싱 회로(360b), 및 상기 센싱 회로(360b)의 상기 검출 결과에 기초하여 조도를 확인하도록 설정되는 적어도 하나의 프로세서(716)를 포함할 수 있다.According to various embodiments, the structure may include a substrate on which a TFT structure for displaying 210 at least one screen is disposed; an encapsulation layer disposed on the TFT structure; A
다양한 실시예에 따라서, 상기 적어도 하나의 프로세서(716)는, 상기 터치 센서의 최외곽에 근접한 적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호 및 상기 확인된 조도에 기초하여 베젤 터치 또는 호버링 중 적어도 하나를 검출하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the at least one
다양한 실시예에 따라서, 상기 적어도 하나의 프로세서(716)는, 상기 터치 센서(251)로부터의 터치 신호의 전압이 제3 임계값 이상인 경우, 호버링을 감지하도록 상기 터치 센서(251)를 제어하고, 상기 터치 센서(251)가 호버링을 감지하도록 제어될 때 상기 터치 센서(251)의 최외곽에 근접한 적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호의 전압을 확인하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the at least one
다양한 실시예에 따라서, 상기 적어도 하나의 프로세서(716)는, 상기 확인된 조도가 제4 임계값 이상인 경우 물체가 근접하지 않았다고 확인하고,
상기 확인된 조도가 상기 제4 임계값 미만인 경우 상기 물체가 근접하였다고 확인하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the at least one
다양한 실시예에 따라서, 상기 적어도 하나의 프로세서(716)는, 상기 센싱 회로(360b)에 의하여 측정된 상기 정보를 나타내는 신호를 디지털로 변환하고, 상기 디지털로 변환된 상기 신호를 처리하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the at least one
다양한 실시예에 따라서, 상기 적어도 하나의 프로세서(716)는, 상기 디지털로 변환된 상기 신호의 미리 결정된 주기 동안의 평균값을 확인함으로써 상기 디지털로 변환된 상기 신호를 처리하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the at least one
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 및/또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및/또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C" 또는 "A, B 및/또는 C 중 적어도 하나" 등의 표현은 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", "첫째" 또는 "둘째" 등의 표현들은 해당 구성요소들을, 순서 또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 해당 구성요소들을 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에 "(기능적으로 또는 통신적으로) 연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나, 다른 구성요소(예: 제 3 구성요소)를 통하여 연결될 수 있다.The various embodiments of this document and the terms used therein are not intended to limit the technology described in this document to a specific embodiment, but it should be understood to cover various modifications, equivalents, and/or substitutions of the embodiments. In connection with the description of the drawings, like reference numerals may be used for like components. The singular expression may include the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In this document, expressions such as “A or B”, “at least one of A and/or B”, “A, B or C” or “at least one of A, B and/or C” refer to all of the items listed together. Possible combinations may be included. Expressions such as “first”, “second”, “first” or “second” can modify the corresponding components regardless of order or importance, and are only used to distinguish one component from another. The components are not limited. When an (eg, first) component is referred to as being “connected (functionally or communicatively)” or “connected” to another (eg, second) component, that component is It may be directly connected to the component or may be connected through another component (eg, a third component).
본 문서에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구성된 유닛을 포함하며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로 등의 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)으로 구성될 수 있다. As used herein, the term “module” includes a unit composed of hardware, software, or firmware, and may be used interchangeably with terms such as, for example, logic, logic block, component, or circuit. A module may be an integrally formed part or a minimum unit or a part of one or more functions. For example, the module may be configured as an application-specific integrated circuit (ASIC).
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 컴퓨터)로 읽을 수 있는 저장 매체(machine-readable storage media)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 명령어를 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로 구현될 수 있다. 기기는, 저장 매체로부터 저장된 명령어를 호출하고, 호출된 명령어에 따라 동작이 가능한 장치로서, 개시된 실시예들에 따른 전자 장치(예: 전자 장치(101))를 포함할 수 있다. 상기 명령이 프로세서(예: 프로세서(120))에 의해 실행될 경우, 프로세서가 직접, 또는 상기 프로세서의 제어하에 다른 구성요소들을 이용하여 상기 명령에 해당하는 기능을 수행할 수 있다. 명령은 컴파일러 또는 인터프리터에 의해 생성 또는 실행되는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장매체는, 비일시적(non-transitory) 저장매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장매체가 신호(signal)를 포함하지 않으며 실재(tangible)한다는 것을 의미할 뿐 데이터가 저장매체에 반영구적 또는 임시적으로 저장됨을 구분하지 않는다.Various embodiments of the present document include instructions stored in a machine-readable storage media (eg,
일시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory (CD-ROM))의 형태로, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 온라인으로 배포될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.According to an example, the method according to various embodiments disclosed in this document may be included and provided in a computer program product. Computer program products may be traded between sellers and buyers as commodities. The computer program product may be distributed in the form of a machine-readable storage medium (eg compact disc read only memory (CD-ROM)) or online through an application store (eg Play Store TM ). In the case of online distribution, at least a part of the computer program product may be temporarily stored or temporarily generated in a storage medium such as a memory of a server of a manufacturer, a server of an application store, or a relay server.
다양한 실시예들에 따른 구성 요소(예: 모듈 또는 프로그램) 각각은 단수 또는 복수의 개체로 구성될 수 있으며, 전술한 해당 서브 구성 요소들 중 일부 서브 구성 요소가 생략되거나, 또는 다른 서브 구성 요소가 다양한 실시예에 더 포함될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 일부 구성 요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 개체로 통합되어, 통합되기 이전의 각각의 해당 구성 요소에 의해 수행되는 기능을 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따른, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성 요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적, 병렬적, 반복적 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 적어도 일부 동작이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 다른 동작이 추가될 수 있다. Each of the components (eg, a module or a program) according to various embodiments may be composed of a singular or a plurality of entities, and some sub-components of the aforementioned sub-components may be omitted, or other sub-components may be It may be further included in various embodiments. Alternatively or additionally, some components (eg, a module or a program) may be integrated into a single entity to perform the same or similar functions performed by each corresponding component prior to integration. According to various embodiments, operations performed by a module, program, or other component are executed sequentially, parallel, iteratively, or heuristically, or at least some operations are executed in a different order, are omitted, or other operations are added. can be
Claims (20)
상기 전자 장치의 디스플레이의 캐소드에 연결되는 발광 소자,
상기 캐소드에 연결되고, 상기 발광 소자로부터의 누설전류를 검출하도록 설정된 센싱 회로, 및
상기 센싱 회로의 상기 검출 결과에 기초하여 조도를 확인하도록 설정되는 적어도 하나의 프로세서
를 포함하는 전자 장치.In an electronic device,
a light emitting element connected to the cathode of the display of the electronic device;
A sensing circuit connected to the cathode and configured to detect a leakage current from the light emitting device, and
at least one processor configured to check illuminance based on the detection result of the sensing circuit
An electronic device comprising a.
상기 전자 장치는 터치 센서를 포함하는, 전자 장치.According to claim 1,
The electronic device includes a touch sensor.
상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 터치 센서의 최외곽에 근접한 적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호 및 상기 확인된 조도에 기초하여 베젤 터치 또는 호버링 중 적어도 하나를 검출하도록 설정되는, 전자 장치.3. The method of claim 2,
the at least one processor,
The electronic device is configured to detect at least one of a bezel touch or a hovering based on the identified illuminance and a touch signal from at least one channel proximate to an outermost portion of the touch sensor.
상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 터치 센서의 최외곽에 근접한 적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호의 전압이 제1 임계값 이상이고, 상기 확인된 조도가 제2 임계값 이상인 경우 베젤 터치가 이루어졌다고 확인하고,
상기 터치 센서의 최외곽에 근접한 적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호의 전압이 상기 제1 임계값 이상이고, 상기 확인된 조도가 상기 제2 임계값 미만인 경우 호버링이 이루어졌다고 확인
하도록 설정되는, 전자 장치.4. The method of claim 3,
the at least one processor,
When the voltage of the touch signal from at least one channel close to the outermost of the touch sensor is greater than or equal to a first threshold and the checked illuminance is greater than or equal to a second threshold, it is confirmed that a bezel touch has been made;
When the voltage of the touch signal from at least one channel close to the outermost of the touch sensor is equal to or greater than the first threshold, and the checked illuminance is less than the second threshold, it is confirmed that hovering has been performed
An electronic device configured to do so.
상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 터치 센서로부터의 터치 신호의 전압이 제3 임계값 이상인 경우, 호버링을 감지하도록 상기 터치 센서를 제어하고,
상기 터치 센서가 호버링을 감지하도록 제어될 때 상기 터치 센서의 최외곽에 근접한 적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호의 전압을 확인하도록 설정되는, 전자 장치.5. The method of claim 4,
the at least one processor,
When the voltage of the touch signal from the touch sensor is greater than or equal to a third threshold, controlling the touch sensor to detect hovering,
and check a voltage of a touch signal from at least one channel proximate to an outermost portion of the touch sensor when the touch sensor is controlled to detect hovering.
상기 전자 장치는 근접 센서를 더 포함하고,
상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 근접 센서의 센싱값 및 상기 확인된 조도에 기초하여 물체의 근접 여부를 판단하도록 설정되는, 전자 장치.According to claim 1,
The electronic device further includes a proximity sensor,
the at least one processor,
The electronic device is configured to determine whether an object is in proximity based on the sensed value of the proximity sensor and the identified illuminance.
상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 근접 센서의 상기 센싱값이 물체의 근접을 나타내고, 상기 확인된 조도가 제4 임계값 이상인 경우, 상기 물체가 근접하지 않았다고 확인하고,
상기 근접 센서의 상기 센싱값이 상기 물체가 근접하지 않았음을 나타내고, 상기 확인된 조도가 상기 제4 임계값 미만인 경우, 상기 물체가 근접하였다고 확인하도록 설정되는, 전자 장치.7. The method of claim 6,
the at least one processor,
When the sensed value of the proximity sensor indicates proximity of an object, and the checked illuminance is equal to or greater than a fourth threshold, it is confirmed that the object is not close;
and when the sensed value of the proximity sensor indicates that the object is not close, and the identified illuminance is less than the fourth threshold value, confirm that the object is close.
상기 센싱 회로에 의하여 검출된 상기 누설전류를 나타내는 신호를 디지털로 변환하도록 설정된 ADC(analog to digital converter), 및
상기 디지털로 변환된 상기 신호를 처리하도록 설정된 조도 계산 회로를 더 포함하는, 전자 장치.According to claim 1,
ADC (analog to digital converter) set to digitally convert a signal representing the leakage current detected by the sensing circuit, and
and an illuminance calculation circuit configured to process the digitally converted signal.
상기 조도 계산 회로는 상기 디지털로 변환된 상기 신호의 미리 결정된 주기 동안의 평균값을 출력하도록 설정된, 전자 장치.9. The method of claim 8,
and the illuminance calculation circuit is configured to output an average value for a predetermined period of the digitally converted signal.
상기 ADC 및 상기 조도 계산 회로는 상기 전자 장치의 터치 센서 IC에 집적되는, 전자 장치.9. The method of claim 8,
and the ADC and the illuminance calculation circuit are integrated in a touch sensor IC of the electronic device.
상기 전자 장치는 상기 발광 소자로부터의 누설전류가 흐르는 센싱 저항을 더 포함하고,
상기 센싱 저항은 상기 전자 장치의 PMIC(power management integrated circuit)에 포함되는, 전자 장치.According to claim 1,
The electronic device further includes a sensing resistor through which a leakage current from the light emitting device flows,
The sensing resistor is included in a power management integrated circuit (PMIC) of the electronic device.
상기 전자 장치는 상기 발광 소자로부터의 누설전류가 흐르는 센싱 저항을 더 포함하고, 상기 센싱 저항의 일단은 상기 캐소드에 연결되고, 상기 센싱 저항의 타단은 상기 전자 장치의 PMIC에 연결되는, 전자 장치.According to claim 1,
The electronic device further includes a sensing resistor through which a leakage current from the light emitting device flows, one end of the sensing resistor connected to the cathode, and the other end of the sensing resistor connected to the PMIC of the electronic device.
상기 센싱 회로는 제1 저항, 제2 저항, 제3 저항, 증폭기, 및 트랜지스터를 포함하고,
상기 제1 저항의 일단은 상기 센싱 저항의 상기 일단에 연결되고, 상기 제1 저항의 타단은 상기 증폭기의 제1 입력단에 연결되고,
상기 제2 저항의 일단은 상기 센싱 저항의 상기 타단에 연결되고, 상기 제2 저항의 타단은 상기 증폭기의 제2 입력단에 연결되고,
상기 트랜지스터의 게이트는 상기 증폭기의 출력단에 연결되고, 상기 트랜지스터의 드레인은 상기 증폭기의 상기 제2 입력단에 연결되고, 상기 트랜지스터의 소스는 상기 제3 저항에 연결되고,
상기 제3 저항의 일단은 상기 트랜지스터의 상기 소스에 연결되고, 상기 제3 저항의 타단은 그라운드에 연결되고,
상기 센싱 회로는 상기 제3 저항의 상기 일단의 전압을 검출하도록 설정되는, 전자 장치.According to claim 1,
The sensing circuit includes a first resistor, a second resistor, a third resistor, an amplifier, and a transistor,
One end of the first resistor is connected to the one end of the sensing resistor, the other end of the first resistor is connected to the first input terminal of the amplifier,
One end of the second resistor is connected to the other end of the sensing resistor, and the other end of the second resistor is connected to a second input terminal of the amplifier,
the gate of the transistor is connected to the output of the amplifier, the drain of the transistor is connected to the second input of the amplifier, the source of the transistor is connected to the third resistor,
One end of the third resistor is connected to the source of the transistor, and the other end of the third resistor is connected to the ground,
and the sensing circuit is configured to detect the voltage of the one end of the third resistor.
상기 센싱 회로는 터치 센서 IC에 집적되는, 전자 장치.3. The method of claim 2,
wherein the sensing circuit is integrated in a touch sensor IC.
상기 TFT 구조 상에 배치되는 봉지층;
상기 봉지층 상에 배치되는, 복수 개의 전극을 포함하는 터치 센서,
상기 TFT 구조에 연결된 발광 소자 및 상기 복수 개의 전극을 위한 캐소드, 및
상기 캐소드에 연결되고, 상기 발광 소자로부터의 누설전류를 검출하도록 설정된 센싱 회로, 및
상기 센싱 회로의 상기 검출 결과에 기초하여 조도를 확인하도록 설정되는 적어도 하나의 프로세서를 포함하는 구조체.a substrate on which a TFT structure for displaying at least one screen is disposed;
an encapsulation layer disposed on the TFT structure;
A touch sensor including a plurality of electrodes, which is disposed on the encapsulation layer;
a light emitting element connected to the TFT structure and a cathode for the plurality of electrodes; and
A sensing circuit connected to the cathode and configured to detect a leakage current from the light emitting device, and
and at least one processor configured to check the illuminance based on the detection result of the sensing circuit.
상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 터치 센서의 최외곽에 근접한 적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호 및 상기 확인된 조도에 기초하여 베젤 터치 또는 호버링 중 적어도 하나를 검출하도록 설정되는, 구조체.16. The method of claim 15,
the at least one processor,
configured to detect at least one of bezel touch or hovering based on the identified illuminance and a touch signal from at least one channel proximate to the outermost of the touch sensor.
상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 터치 센서로부터의 터치 신호의 전압이 제3 임계값 이상인 경우, 호버링을 감지하도록 상기 터치 센서를 제어하고,
상기 터치 센서가 호버링을 감지하도록 제어될 때 상기 터치 센서의 최외곽에 근접한 적어도 하나의 채널로부터의 터치 신호의 전압을 확인하도록 설정되는, 구조체.17. The method of claim 16,
the at least one processor,
When the voltage of the touch signal from the touch sensor is greater than or equal to a third threshold, controlling the touch sensor to detect hovering,
configured to ascertain a voltage of a touch signal from at least one channel proximate an outermost of the touch sensor when the touch sensor is controlled to detect hovering.
상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 확인된 조도가 제4 임계값 이상인 경우 물체가 근접하지 않았다고 확인하고,
상기 확인된 조도가 상기 제4 임계값 미만인 경우 상기 물체가 근접하였다고 확인하도록 설정되는, 구조체.16. The method of claim 15,
the at least one processor,
If the identified illuminance is greater than or equal to the fourth threshold, it is confirmed that the object is not close,
and confirm that the object is proximate when the identified illuminance is less than the fourth threshold.
상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 센싱 회로에 의하여 측정된 상기 누설전류를 나타내는 신호를 디지털로 변환하고,
상기 디지털로 변환된 상기 신호를 처리하도록 설정되는, 구조체.16. The method of claim 15,
the at least one processor,
Converting the signal representing the leakage current measured by the sensing circuit to digital,
configured to process the digitally converted signal.
상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 디지털로 변환된 상기 신호의 미리 결정된 주기 동안의 평균값을 확인함으로써 상기 디지털로 변환된 상기 신호를 처리하도록 설정되는, 구조체.20. The method of claim 19,
the at least one processor,
and process the digitally converted signal by ascertaining an average value over a predetermined period of the digitally converted signal.
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