KR20210086282A - Display apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 명세서는 표시 장치에 관한 것이다.This specification relates to a display device.
표시 장치는 텔레비전 또는 모니터 이외에도 노트북 컴퓨터, 테블릿 컴퓨터, 스마트 폰, 휴대용 표시기기, 휴대용 정보기기 등 다양한 종류의 장치에 화면을 표시하기 위해 사용되고 있다.A display device is used to display a screen on various types of devices, such as a notebook computer, a tablet computer, a smart phone, a portable display device, and a portable information device, in addition to a television or a monitor.
표시장치의 공정 기술과 구동 회로 기술이 발달됨에 따라 PPI(Pixels Per Inch)가 지속적으으로 증가하여 고해상도의 표시장치가 구현되고 있다.As process technology and driving circuit technology of display devices are developed, pixels per inch (PPI) are continuously increasing to realize high-resolution display devices.
이러한 표시장치는 표시 패널과, 표시 패널을 구동하기 위한 데이터 드라이버, 게이트 드라이버, 드라이버들을 제어하기 위한 제어모듈(Timing Controller)를 포함한다.Such a display device includes a display panel, a data driver for driving the display panel, a gate driver, and a timing controller for controlling the drivers.
표시 패널은 복수의 데이터 라인들과 복수의 게이트 라인들에 각각에 의해 정의되는 픽셀 영역마다 마련되면서 박막 트랜지스터를 갖는 복수의 서브 픽셀을 포함하고, 인접한 적어도 3개의 서브 픽셀은 하나의 영상을 표시하는 단위 픽셀을 구성한다. 데이터 드라이버는 데이터 라인들로 데이터 신호를 공급하고, 게이트 드라이버는 게이트 라인들로 스캔 신호를 공급한다.The display panel includes a plurality of sub-pixels having thin film transistors provided for each pixel area defined by each of a plurality of data lines and a plurality of gate lines, wherein at least three adjacent sub-pixels display one image. constitute a unit pixel. The data driver supplies a data signal to the data lines, and the gate driver supplies a scan signal to the gate lines.
종래 표시 장치는 하단의 베젤 영역을 감소시키기 위하여, 데이터 드라이버를 연성 회로 필름에 실장시키고, 역다중화 회로들을 이용한 데이터 시분할 구동을 통해 데이터 드라이버의 채널 수를 감소시킨다.In a conventional display device, a data driver is mounted on a flexible circuit film in order to reduce a lower bezel area, and the number of channels of the data driver is reduced through data time division driving using demultiplexing circuits.
역다중화 회로들은 데이터 라인 상에 배치되는 스위칭 소자를 제어 라인을 통해 제어하여 데이터 신호를 데이터 라인으로 공급하는데, 역다중화 회로들을 구동하는 데에는 많은 전력이 소비된다는 문제점이 있다.Demultiplexing circuits control a switching element disposed on a data line through a control line to supply a data signal to the data line, but driving the demultiplexing circuits has a problem in that a lot of power is consumed.
또한, 데이터 신호를 데이터 라인으로 안정적으로 공급하기 위해서는, 제어 라인의 전압을 안정적으로 유지해야 하는데, 아직까지 제어 라인의 전압에 대한 안정적인 제어가 이루어지고 있지 못하다는 문제점이 있다.In addition, in order to stably supply the data signal to the data line, the voltage of the control line must be stably maintained, but there is a problem in that stable control of the voltage of the control line has not been performed yet.
본 명세서는 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결 하기 위한 것으로, 데이터 드라이버의 출력 채널로부터 제공되는 데이터 신호를 3개의 데이터 라인 각각에 제공하는 역다중화 회로부를 포함하고, 역다중화 회로부는 데이터 신호가 3개의 데이터 라인 각각에 제공되는 순서를 스캔 신호의 2 수평 기간을 1 주기로 하여 변경시킴으로써, 제어 라인의 전압의 상승 및 하강의 횟수를 감소시키고 소비 전력을 저감시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present specification is intended to solve the problems of the prior art as described above, and includes a demultiplexing circuit unit that provides a data signal provided from an output channel of a data driver to each of three data lines, and the demultiplexing circuit unit includes three data signals. It is a technical task to provide a display device capable of reducing the number of rising and falling voltages of a control line and reducing power consumption by changing the order provided to each of the data lines by changing two horizontal periods of a scan signal to one cycle do it with
본 명세서는 제1 내지 제3 역다중화 회로 각각의 스위칭 소자가 턴-온되는 순서를 스캔 신호의 2 수평 기간을 1 주기로 하여변경시킴으로써, 1 주기 내 첫번째 1 수평 기간에는 RGB를 순차적으로 데이터 라인으로 공급하고 1 주기 내 두번째 1 수평 기간에는 BGR을 순차적으로 데이터 라인으로 공급하여 RGB-BGR 렌더링(Rendering)을 구현하고 소비 전력을 저감시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present specification changes the order in which the switching elements of each of the first to third demultiplexing circuits are turned on by changing two horizontal periods of the scan signal to one period, so that RGB is sequentially converted into data lines in the first one horizontal period within one period. A technical task is to provide a display device capable of implementing RGB-BGR rendering and reducing power consumption by sequentially supplying BGR to data lines in the second horizontal period within one cycle.
본 명세서는 제1 내지 제3 역다중화 회로 중 제2 역다중화 회로가 pre-charging 시 이용되는 신호를 길게 사용하여 상승 및 하강의 횟수를 줄임으로써, RGB-BGR 렌더링(Rendering)을 구현 시 소비 전력을 저감시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.In the present specification, the second demultiplexing circuit among the first to third demultiplexing circuits uses a longer signal used during pre-charging to reduce the number of rises and falls, thereby reducing power consumption when implementing RGB-BGR rendering. It is a technical problem to provide a display device capable of reducing the
본 명세서의 예에 따른 해결하고자 하는 과제들은 위에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재 내용으로부터 본 명세서의 기술 사상이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved according to the example of the present specification are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned are from the description below to those of ordinary skill in the art to which the technical idea of the present specification belongs. can be clearly understood.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 명세서의 실시 예에 따른 표시장치는 데이터 드라이버로부터 출력되는 데이터 신호를 제1 내지 제3 서브 수평기간으로 시분할하여 제1 내지 제3 데이터 라인으로 분배하는 역다중화 회로부를 포함하고, 역다중화 회로부는 제1 내지 제3 시분할 제어신호 및 제1 내지 제3 보조 신호에 응답하여 제1 내지 제3 제어 라인으로 제1 내지 제3 데이터 선택신호를 출력하는 입력부, 및 3개의 데이터 선택신호에 응답하여 데이터를 시분할하여 제1 내지 제3 데이터 라인으로 분배하는 스위칭부를 포함하고, 제 1 및 제3 시분할 제어신호의 주기는 제2 시분할 제어신호의 주기보다 길다.A display device according to an embodiment of the present specification for achieving the above technical problem is a demultiplexing circuit unit for time-dividing a data signal output from a data driver into first to third sub-horizontal periods and distributing it to first to third data lines. an input unit for outputting first to third data selection signals to first to third control lines in response to first to third time division control signals and first to third auxiliary signals; and 3 and a switching unit that time-divisions data in response to data selection signals and distributes the data to first to third data lines, wherein a period of the first and third time-division control signals is longer than a period of the second time-division control signal.
위에서 언급된 과제의 해결 수단 이외의 본 명세서의 다양한 예에 따른 구체적인 사항들은 아래의 기재 내용 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details according to various examples of the present specification other than the means for solving the above-mentioned problems are included in the description and drawings below.
본 명세서의 일 예에 따른 표시 장치는 데이터 구동부의 출력 채널로부터 제공되는 데이터 신호를 3개의 데이터 라인 각각에 제공하는 역다중화 회로부를 포함하고, 역다중화 회로부는 데이터 신호가 3개의 데이터 라인 각각에 제공되는 순서를 스캔 신호의 2 수평 기간을 1 주기로 하여 변경시킴으로써, 제어 라인의 전압의 상승 및 하강의 횟수를 감소시키고 소비 전력을 저감시킬 수 있다.A display device according to an example of the present specification includes a demultiplexing circuit unit that provides a data signal provided from an output channel of a data driver to each of three data lines, and the demultiplexing circuit unit provides a data signal to each of the three data lines By changing the order in which the two horizontal periods of the scan signal are one period, the number of rises and falls of the voltage of the control line can be reduced and power consumption can be reduced.
본 명세서의 일 예에 따른 표시 장치는 제1 내지 제3 역다중화 회로 각각의 스위칭 소자가 턴-온되는 순서를 스캔 신호의 2 수평 기간을 1 주기로 하여 변경시킴으로써, 1 주기 내 첫번째 1 수평 기간에는 RGB를 순차적으로 데이터 라인으로 공급하고 1 주기 내 두번째 1 수평 기간에는 BGR을 순차적으로 데이터 라인으로 공급하여 RGB-BGR 렌더링(Rendering)을 구현하고 소비 전력을 저감시킬 수 있다.The display device according to an example of the present specification changes the order in which the switching elements of each of the first to third demultiplexing circuits are turned on by changing two horizontal periods of a scan signal to one period, so that in the first one horizontal period within one period, RGB-BGR rendering can be realized and power consumption can be reduced by sequentially supplying RGB to data lines and sequentially supplying BGR to data lines in the second horizontal period within one period.
위에서 언급된 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과의 내용은 청구범위의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구범위의 권리 범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the contents of the problems to be solved, the problem solving means, and the effects mentioned above do not specify the essential characteristics of the claims, the scope of the claims is not limited by the matters described in the contents of the specification.
이하에 첨부되는 도면들은 본 실시 예에 관한 이해를 돕기 위한 것으로, 상세한 설명과 함께 실시 예들을 제공한다. 다만, 본 실시예의 기술적 특징이 특정 도면에 한정되는 것은 아니며, 각 도면에서 개시하는 특징들은 서로 조합되어 새로운 실시 예로 구성될 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시 예에 따른 표시장치의 일례의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 역다중화 회로부가 하나의 소스 채널로부터 3개의 데이터 라인을 구동하는 일 예를 간략하게 나타내는 예시도이다.
도 3은 도 2의 역다중화 회로부의 제1 역다중화 회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 4는 도 3의 제1 역다중화 회로로 공급되는 신호들, 충전 노드의 전압 및 제어 라인의 전압에 대한 파형을 도시한 도면이다.
도 5는 도 2의 역다중화 회로부의 제2 역다중화 회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 6은 도 5의 제2 역다중화 회로로 공급되는 신호들, 충전 노드의 전압 및 제어 라인의 전압에 대한 파형을 도시한 도면이다.
도 7은 도 2의 역다중화 회로부의 제3 역다중화 회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 8은 도 7의 제1 역다중화 회로로 공급되는 신호들, 충전 노드의 전압 및 제어 라인의 전압에 대한 파형을 도시한 도면이다.
도 9는 도 2의 역다중화 회로부에 있어서 제1 내지 제3 역다중화를 포함하는 상게 구성을 나타내는 회로도이다.
도 10은 도 9의 역다중화 회로부로 공급되는 신호들, 충전 노드의 전압 및 제어 라인의 전압에 대한 파형을 도시한 도면이다.The accompanying drawings are provided to help understanding of the present embodiment, and provide embodiments together with detailed description. However, the technical features of the present embodiment are not limited to specific drawings, and features disclosed in each drawing may be combined with each other to constitute a new embodiment.
1 is a diagram illustrating a configuration of an example of a display device according to an embodiment of the present specification.
FIG. 2 is an exemplary diagram schematically illustrating an example in which the demultiplexing circuit unit of FIG. 1 drives three data lines from one source channel.
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating the configuration of a first demultiplexing circuit of the demultiplexing circuit unit of FIG. 2 .
4 is a diagram illustrating waveforms of signals supplied to the first demultiplexing circuit of FIG. 3 , a voltage of a charging node, and a voltage of a control line.
FIG. 5 is a circuit diagram showing the configuration of a second demultiplexing circuit of the demultiplexing circuit unit of FIG. 2 .
FIG. 6 is a diagram illustrating waveforms of signals supplied to the second demultiplexing circuit of FIG. 5, a voltage of a charging node, and a voltage of a control line;
FIG. 7 is a circuit diagram showing the configuration of a third demultiplexing circuit of the demultiplexing circuit unit of FIG. 2 .
8 is a diagram illustrating waveforms of signals supplied to the first demultiplexing circuit of FIG. 7 , a voltage of a charging node, and a voltage of a control line.
9 is a circuit diagram illustrating a configuration including first to third demultiplexing in the demultiplexing circuit of FIG. 2 .
FIG. 10 is a diagram illustrating waveforms of signals supplied to the demultiplexing circuit unit of FIG. 9 , a voltage of a charging node, and a voltage of a control line.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서의 기술 사상이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 기술 사상의 범주를 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서의 기술 사상은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present specification and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present specification is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present specification to be complete, and in the technical field to which the technical spirit of the present specification belongs It is provided to inform those of ordinary skill in the scope of the technical idea, and the technical idea of the present specification is only defined by the scope of the claims.
본 명세서의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로, 본 명세서가 도면에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 구성 요소는 동일 참조 부호로 지칭될 수 있다. 또한, 본 명세서의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명은 생략된다. Since the shape, size, ratio, angle, number, etc. disclosed in the drawings for explaining an example of the present specification are exemplary, the present specification is not limited to the matters shown in the drawings. Like elements may be referred to by the same reference numerals throughout the specification. In addition, in describing an example of the present specification, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present specification, the detailed description thereof will be omitted.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이라는 표현이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소가 단수로 표현된 경우, 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함한다. 구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless the expression 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise. In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이라는 표현이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다. In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described with 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless the expression "
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다. Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present specification.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. The term “at least one” should be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first, second, and third items" means 2 of the first, second, and third items as well as each of the first, second, or third items. It may mean a combination of all items that can be presented from more than one.
본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시될 수도 있다. Each feature of the various embodiments of the present specification may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be implemented independently with respect to each other or may be implemented together in a related relationship. may be
본 명세서의 실시예들을 설명하는 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. In adding reference numerals to the components of each drawing describing the embodiments of the present specification, the same components may have the same reference numerals as much as possible even though they are indicated in different drawings.
이하, 첨부된 도면 및 예를 참조하여 본 명세서의 표시 장치에 대해서 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, a display device of the present specification will be described with reference to the accompanying drawings and examples.
도 1은 본 명세서의 일 실시 예에 따른 표시장치의 일례의 구성을 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a configuration of an example of a display device according to an embodiment of the present specification.
본 명세서의 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 유기 전계 발광 표시장치(Organic Light Emitting Display: OLED), 전기 영동 표시장치(Electrophoretic Display: EPD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel device, PDP), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display device: FED), 전기 발광 표시장치(Electro luminescence Display device: ELD), 전기 습윤 표시장치(Electro-Wetting Display: EWD) 등 컬러 구현이 가능한 표시장치일 수 있다.The display device of the present specification includes a liquid crystal display device (LCD), an organic light emitting display (OLED), an electrophoretic display (EPD), and a plasma display panel (PDP). device, PDP), Field Emission Display device (FED), Electro luminescence Display device (ELD), Electro-Wetting Display (EWD), etc. display devices capable of realizing color can be
도 1을 참조하면, 표시 장치는 표시패널(110), 데이터 드라이버(120), 게이트 드라이버(130) 및 역다중화 회로부(140)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the display device may include a
표시 패널(110)은 복수의 게이트 라인들(GL1~GLm)과 데이터 라인들(DL1~DLn)의 교체에 의해 정의되는 픽셀 영역에 마련되면서 박막 트랜지스터를 갖는 복수의 서브 픽셀을 포함한다. 하나의 서브 픽셀은 적색의 서브 픽셀, 녹색의 서브 팩셀, 및 청색의 서브 픽셀일 수 있으며, 인접한 적어도 3개의 서브 픽셀은 하나의 영상을 표시하는 단위 픽셀(UP)을 구성한다.The
데이터 드라이버(120)는 복수의 회로 필름(121), 복수의 구동 집적 회로(123), 인쇄회로기판(125) 및 타이밍 컨트롤러(127)을 포함할 수 있다.The data driver 120 may include a plurality of
복수의 회로 필름(121) 각각은 표시 패널(110)의 패드부 및 인쇄회로기판(125)에 부착될 수 있다. 이에 따라, 복수의 회로 필름(121)은 표시 패널(110)과 인쇄회로기판(125)의 물리적 연결 구조물로 이용될 수 있다.Each of the plurality of
예를 들어, 복수의 회로 필름(121) 각각의 일측에 마련된 입력 단자는 필름 부착 공정에 의해 인쇄회로기판(125)에 부착되고, 복수의 회로 필름(121)의 타측에 마련된 출력 단자는 필름 부착 공정에 의해 표시 패널(110)의 패드부에 부착될 수 있다.For example, the input terminal provided on one side of each of the plurality of
복수의 구동 집적 회로(123) 각각은 복수의 회로 필름(121) 각각에 개별적으로 실장될 수 있다. 이러한 복수의 구동 집적 회로(123) 각각은 타이밍 컨트롤러(127)로부터 제공되는 영상 데이터와 데이터 제어 신호를 수신하고, 데이터 제어 신호에 따라 영상 데이터를 아날로그 형태의 픽셀별 데이터 신호로 변환하여 출력할 수 있다.Each of the plurality of driving
인쇄회로기판(125)은 타이밍 컨트롤러(127)를 지지하고, 데이터 드라이버(120)의 구성들 간의 신호 및 전원을 전달할 수 있다.The printed circuit board 125 may support the
타이밍 컨트롤러(127)는 인쇄회로기판(125)에 실장되어 지지되고, 인쇄회로기판(125)에 마련된 유저 커넥터를 통해 디스플레이 구동 시스템으로부터 제공되는 영상 데이터와 타이밍 동기 신호를 수신할 수 있다. The
예를 들어, 디스플레이 구동 시스템은 표시장치를 탑재하여, 표시장치를 통해 영상을 출력하는 전기장치로서, 예를 들면 TV(Television) 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 등일 수 있다.For example, a display driving system is an electric device that has a display device and outputs an image through the display device, for example, a TV (Television) system, a set-top box, a navigation system, a DVD player, a Blu-ray player, and a personal computer. (PC), a home theater system, a phone system, and the like.
타이밍 컨트롤러(127)는 타이밍 동기 신호에 기초해 데이터 제어 신호와 게이트 제어 신호 각각을 생성하고, 데이터 제어 신호를 통해 구동 집적 회로(123) 각각의 구동 타이밍을 제어하며, 게이트 제어 신호를 통해 게이트 드라이버(130)의 구동 타이밍을 제어할 수 있다.The
본 실시 예에서는 데이터 드라이버(120)가 복수의 회로 필름(121)을 매개로 하여 표시 패널(110)에 부착되는 것이 예시되어 있으나, 표시 패널(110)에 실장될 수 있다. 또한, 본 실시 예에서는 타이밍 컨트롤러(127)가 데이터 드라이버(120)의 구성인 것이 예시되어 있으나, 데이터 드라이버(120)와 별도로 마련될 수 있다.In the present embodiment, the data driver 120 is attached to the
게이트 드라이버(130)는 게이트 라인들(GL1 내지 GLm) 각각에 접속되며, 타이밍 컨트롤러(127)로부터 제공되는 게이트 제어 신호에 다라 스캔 펄스를 생성하여 게이트 라인들(GL1 내지 GLm) 각각에 순차적으로 공급한다.The
본 실시 예에서는 표시 패널(110)의 일측 가장자리에 하나의 게이트 드라이버(130)가 배치된 것이 예시되어 있으나, 표시 패널(110)의 양측 가장자리에 각각 게이트 드라이버가 배치될 수도 있다. 일 예에 따르면, 게이트 드라이버(130)는 m개의 게이트 라인(GL1 내지 GLm) 각각에 접속된 m개의 스테이지(미도시)를 포함할 수 있다.In the present exemplary embodiment, one
역다중화 회로부(140)는 데이터 드라이버(120)로부터 공급되는 데이터 신호를 적어도 3개의 데이터 라인(DL)에 순차적으로 공급할 수 있다.The
역다중화 회로부(140)는 구동 집적 회로(123)의 각 소스 채널 각각에 접속되고, 표시 패널(110)에 마련된 n개의 데이터 라인(DL1 내지 DLn) 각각에 전기적으로 접속되도록 표시 패널(110)의 일측에 배치될 수 있다. The
역다중화 회로부(140)는 데이터 드라이버(120)로부터 공급되는 데이터 신호를 적어도 3개의 데이터 라인에 순차적으로 공급하는 적어도 하나 이상의 역다중화 회로를 포함할 수 있다.The
이러한 역다중화 회로부(140)는 구동 집적 회로(123)로부터 1 수평기간(1H)의 복수의 서브 수평기간(SH)마다 입력되는 데이터 신호를 n개의 데이터 라인(DL1 내지 DLn)에 순차적으로 분배할 수 있다.The
본 명세서에서의 실시 예들은 스위칭부가 고전위 전압이 공급되는 경우에 턴-온되는 것을 가정하여 설명되나, 스위칭부는 저전위 전압이 공급되는 경우에 턴-온될 수도 있으며, 스위칭부를 턴-온시키는 고전위 전압 혹은 저전위 전압은 데이터 신호를 데이터 라인으로 공급하기 위한 전압으로 '데이터 공급 전압', '데이터 공급 신호'로 표현될 수 있다.Although the embodiments herein are described on the assumption that the switching unit is turned on when a high potential voltage is supplied, the switching unit may be turned on when a low potential voltage is supplied, and a high voltage that turns on the switching unit The upper voltage or the lower potential voltage is a voltage for supplying a data signal to a data line and may be expressed as a 'data supply voltage' or a 'data supply signal'.
도 2는 도 1의 역다중화 회로부가 하나의 소스 채널로부터 3개의 데이터 라인을 구동하는 일 예를 간략하게 나타내는 예시도이다.FIG. 2 is an exemplary diagram schematically illustrating an example in which the demultiplexing circuit unit of FIG. 1 drives three data lines from one source channel.
도 2를 참조하면, 역다중화 회로부(140)는 3개의 제어 라인(CL_A, CL_B, CL_C)를 통해 3개의 데이터 라인(DL1 ~ DL3)와 연결되기 때문에, 표시장치는 n/3(n은 데이터 라인의 총 개수)개의 소스(SH)을 가지면서도 고해상도의 화상을 구현할 수 있다.Referring to FIG. 2 , since the
역다중화 회로부(140)는 데이터 드라이버의 소스 채널(SH)로부터 출력되는 데이터 신호(DS)를 시분할하여 제1 내지 제3 데이터 라인(DL1 ~ DL3)으로 분배하며, 입력부(I-IC)와 스위칭부(S-IC)를 포함한다.The
입력부(I-IC)는 제1 내지 제3 시분할 제어신호(ASW1, BSW1, CSW1)와 제1 내지 제3 보조 신호(ASW2, BSW2, CSW2)에 응답하여 제1 내지 제3 제어 라인(CL_A ~ CL_C)으로 제1 내지 제3 데이터 선택신호를 출력하고, 스위칭부(S-IC)는 입력부(I-IC)로부터의 3개의 데이터 선택신호에 응답하여 데이터 신호를 시분할하여 3개의 데이터 라인(DL1 ~ DL3)으로 분배한다.The input unit I-IC is connected to the first to third control lines CL_A to CL_A in response to the first to third time division control signals ASW1, BSW1, CSW1 and the first to third auxiliary signals ASW2, BSW2, and CSW2. The first to third data selection signals are outputted to CL_C, and the switching unit S-IC time-divisions the data signals in response to the three data selection signals from the input unit I-IC to three data lines DL1. ~ DL3).
여기서, 제1 내지 제3 데이터 선택신호는 전압일 수 있으며, 제1 내지 제3 제어 라인(CL_A ~ CL_C)으로 제1 내지 제3 데이터 선택신호를 출력한다는 것은 스위칭(S-IC)의 대응하는 제1 내지 제3 스위칭 소자를 턴-온시키는 전압을 공급한다는 것을 의미할 수 있다.Here, the first to third data selection signals may be voltages, and outputting the first to third data selection signals to the first to third control lines CL_A to CL_C means corresponding to the switching S-IC. It may mean supplying a voltage for turning on the first to third switching elements.
입력부(I-IC)는 제1 내지 제3 시분할 제어신호(ASW1, BSW1, CSW1)와 제1 내지 제3 보조 신호(ASW2, BSW2, CSW2)에 응답하여 제1 내지 제3 제어 라인(CL_A ~ CL_C)에 전압을 충전(pre-charging)하거나, 제1 내지 제3 제어 라인(CL_A ~ CL_C)에 충전된 전압을 부트스트래핑(bootstrapong)시키거나, 제1 내지 제3 제어 라인(CL_A ~ CL_C)에 충전된 전압을 방전(dis-charging)시킨다.The input unit I-IC is connected to the first to third control lines CL_A to CL_A in response to the first to third time division control signals ASW1, BSW1, CSW1 and the first to third auxiliary signals ASW2, BSW2, and CSW2. CL_C) is charged (pre-charging), the voltage charged in the first to third control lines (CL_A to CL_C) is bootstrapped, or the first to third control lines are (CL_A to CL_C) Dis-charging the voltage charged to the
입력부(I-IC)는 제1 내지 제3 제어 라인(CL_A ~ CL_C)에 각각 연결되는 제1 내지 제3 역다중화 회로(140A, 140B, 140C)를 포함하며, 각 역다중화 회로(140A, 140B, 140C)는 각 제어 라인(CL_A ~ CL_C)에 대해 충전(pre-charging) 동작, 부트스트래핑(bootstrapong) 동작 및 방전(dis-charging) 동작을 수행한다.The input unit I-IC includes first to
스위칭부(S_IC)는 입력부(I-IC)로부터의 데이터 선택신호에 응답하여 데이터 신호(DS)를 시분할하여 3개의 데이터 라인(DL1 ~ DL3)으로 공급한다.The switching unit S_IC time-divisions the data signal DS in response to the data selection signal from the input unit I-IC and supplies it to the three data lines DL1 to DL3.
스위칭부(S-IC)는 제1 내지 제3 제어 라인(CL_A ~ CL_C)을 통해 제1 내지 제3 역다중화 회로(140A, 140B, 140C)와 각각 연결되는 제1 내지 제3 스위칭 소자(S1, S2, S3)로 이루어질 수 있다.The switching unit S-IC includes first to third switching elements S1 respectively connected to the first to
제1 스위칭 소자(S1)는 제1 데이터 라인(DL1) 상에 배치되고, 제1 제어 라인(CL_A)에 충전되는 제1 제어 전압(VA_A)에 기초하여 턴-온되어 제1 서브 수평기간분 데이터 신호(DS1)를 제1 데이터 라인(DL1)으로 공급한다.The first switching element S1 is disposed on the first data line DL1 and is turned on based on the first control voltage VA_A charged in the first control line CL_A for a first sub-horizontal period. The data signal DS1 is supplied to the first data line DL1.
제2 스위칭 소자(S2)는 제2 데이터 라인(DL2) 상에 배치되고, 제2 제어 라인(CL_B)에 충전되는 제2 전압(VA_B)에 기초하여 턴-온되어 제2 서브 수평기간분 데이터 신호(DS2)를 제2 데이터 라인(DL2)으로 공급한다.The second switching element S2 is disposed on the second data line DL2 and is turned on based on the second voltage VA_B charged in the second control line CL_B to obtain data for the second sub-horizontal period. The signal DS2 is supplied to the second data line DL2.
제3 스위칭 소자(S3)는 제3 데이터 라인(DL3) 상에 배치되고, 제3 제어 라인(CL_C)에 충전되는 제3 전압(VA_C)에 기초하여 턴-온되어 제3 서브 수평기간분 데이터 신호(DS3)를 제3 데이터 라인(DL3)으로 공급한다.The third switching element S3 is disposed on the third data line DL3 and is turned on based on the third voltage VA_C charged in the third control line CL_C to provide data for the third sub-horizontal period. The signal DS3 is supplied to the third data line DL3.
후술할 바와 같이, 제1 및 제3 시분할 제어신호(ASW1, CSW1)의 주기는 6 서브 수평기간에 해당하고, 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 주기는 3 서브 수평기간에 해당하여, 제1 및 제3 시분할 제어신호(ASW1, CSW1)의 주기는 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 주기보다 2개 길다.As will be described later, the period of the first and third time division control signals ASW1 and CSW1 corresponds to 6 sub-horizontal periods, and the period of the second time division control signal BSW1 corresponds to 3 sub-horizontal periods. and a period of the third time division control signals ASW1 and CSW1 is two longer than a period of the second time division control signal BSW1.
또한, 제1 및 제3 시분할 제어신호(ASW1, CSW1)의 턴-온 구간(T1, T3)은 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 턴-온 구간(T2)보다 길고, 제1 및 제3 보조 신호(ASW2, CSW2)의 턴-온 구간(T4, T6)은 제2 보조 신호(BSW2)의 턴-온 구간(T5)보다 길다.In addition, the turn-on periods T1 and T3 of the first and third time division control signals ASW1 and CSW1 are longer than the turn-on periods T2 of the second time division control signal BSW1, and the first and third The turn-on periods T4 and T6 of the auxiliary signals ASW2 and CSW2 are longer than the turn-on periods T5 of the second auxiliary signal BSW2.
그리고, 제1 및 제3 시분할 제어신호(ASW1, CSW1)의 턴-온 구간(T1, T3)과, 제1 및 제3 보조 신호(ASW2, CSW2)의 턴-온 구간(T4, T6)은 2 서브 수평기간 동안 유지되고, 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 턴-온 구간(T2)과 제2 보조 신호(BSW2)의 턴-온 구간(T5)은 1 서브 수평기간 동안 유지된다.In addition, the turn-on periods T1 and T3 of the first and third time division control signals ASW1 and CSW1 and the turn-on periods T4 and T6 of the first and third auxiliary signals ASW2 and CSW2 are It is maintained for 2 sub-horizontal periods, and the turn-on period T2 of the second time division control signal BSW1 and the turn-on period T5 of the second auxiliary signal BSW2 are maintained for 1 sub-horizontal period.
이때, 제1 시분할 제어신호(ASW1)의 2 서브 수평기간 동안의 턴-온 구간(T1)에서 출력되는 데이터 신호는 적색 광 혹은 청색 광의 계조 정보를 포함하고, 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 1 서브 수평기간 동안의 턴-온 구간(T2)에서 출력되는 데이터 신호는 녹색 광의 계조 정보를 포함하고, 제3 시분할 제어신호(CSW1)의 2서브 수평기간 동안의 턴-온 구간(T3)에서 출력되는 데이터 신호는 청색 광 혹은 적색 광의 계조 정보를 포함하는 것으로, 이에 따라 RGB-BGR 렌더링을 실현할 수 있다.In this case, the data signal output in the turn-on period T1 during the 2 sub-horizontal period of the first time division control signal ASW1 includes grayscale information of red light or blue light, and the second time division control signal BSW1 The data signal output in the turn-on period T2 for one sub-horizontal period includes gray level information of green light, and in the turn-on period T3 for the second sub-horizontal period of the third time division control signal CSW1 The output data signal includes grayscale information of blue light or red light, thereby realizing RGB-BGR rendering.
즉 역다중화 회로부(140)는 홀수번째 1 수평기간의 제1 내지 제3 서브 수평기간 동안 RGB를 구현하고, 짝수번째 1 수평기간의 제1 내지 제3 서브 수평기간 동안에는 BGR을 구현한다. That is, the
제1 보조 신호(ASW2)는 제1 시분할 제어신호(ASW1)와 중첩하고, 제2 보조 신호(BSW2)는 제2 시분할 제어신호(BSW1)와 중첩하고, 제3 보조 신호(CSW2)는 제 3 시분할 제어신호(CSW1)과 중첩한다.The first auxiliary signal ASW2 overlaps the first time division control signal ASW1 , the second auxiliary signal BSW2 overlaps the second time division control signal BSW1 , and the third auxiliary signal CSW2 It overlaps with the time division control signal CSW1.
이때, 제1 보조 신호(ASW2)의 제1 천이 시점은 제1 시분할 제어신호(ASW1)의 제1 천이 시점보다 늦고, 제2 보조 신호(BSW2)의 제2 천이 시점은 제1 시분할 제어신호(ASW1)의 제2 천이 시점과 같다.In this case, the first transition time of the first auxiliary signal ASW2 is later than the first transition time of the first time division control signal ASW1, and the second transition time of the second auxiliary signal BSW2 is the first time division control signal ( It is the same as the second transition time of ASW1).
제2 보조 신호(BSW2)의 제1 천이 시점은 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 제1 천이 시점보다 늦고, 제2 보조 신호(BSW2)의 제2 천이 시점은 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 제2 천이 시점과 같다.The first transition time of the second auxiliary signal BSW2 is later than the first transition time of the second time division control signal BSW1 , and the second transition time of the second auxiliary signal BSW2 is the second time division control signal BSW1 . It is the same as the second transition point of
제3 보조 신호(CSW2)의 제1 천이 시점은 제3 시분할 제어신호(CSW1)의 제1 천이 시점보다 늦고, 제3 보조 신호(CSW2)의 제2 천이 시점은 제3 시분할 제어신호(CSW1)의 제2 천이 시점과 같다.The first transition time of the third auxiliary signal CSW2 is later than the first transition time of the third time division control signal CSW1 , and the second transition time of the third auxiliary signal CSW2 is the third time division control signal CSW1 . It is the same as the second transition point of
본 명세서에 있어서, 제1 천이 시점은 라이징 에지(riging edge)에 해당하고, 제2 천이 시점은 폴링 에지(falling edge)에 해당할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the first transition time may correspond to a rising edge and the second transition time may correspond to a falling edge, but is not limited thereto.
이하에서 사용되는 전압의 구별을 위해, 제1 제어 라인(CL_A)에 충전되는 전압(VA_A)은 제1 제어 전압으로, 제2 제어 라인(CL_B)에 충전되는 전압(VA_B)은 제2 제어 전압으로, 제3 제어 라인(CL_C)에 충전되는 전압(VA_C)은 제3 제어 전압으로, 제1 충전 노드(CN_A)에 충전되는 전압(VB_A)은 제1 충전 전압으로, 제2 충전 노드(CN_B)에 충전되는 전압(VB_B)은 제2 충전 전압으로, 제3 충전 노드(CN_C)에 충전되는 전압(VB_C)은 제3 충전 전압으로 표기될 수 있다.In order to distinguish voltages used below, the voltage VA_A charged in the first control line CL_A is the first control voltage, and the voltage VA_B charged in the second control line CL_B is the second control voltage. , the voltage VA_C charged in the third control line CL_C is the third control voltage, the voltage VB_A charged in the first charging node CN_A is the first charging voltage, and the second charging node CN_B ) may be expressed as a second charging voltage, and a voltage VB_C charged at the third charging node CN_C may be expressed as a third charging voltage.
도 3은 도 2의 역다중화 회로부의 제1 역다중화 회로의 구성을 나타내는 회로도이고, 도 4는 도 3의 제1 역다중화 회로로 공급되는 신호들, 충전 노드의 전압 및 제어 라인의 전압에 대한 파형을 도시한 도면이다.3 is a circuit diagram showing the configuration of the first demultiplexing circuit of the demultiplexing circuit unit of FIG. 2, and FIG. 4 is a signal supplied to the first demultiplexing circuit of FIG. 3, the voltage of the charging node, and the voltage of the control line. It is a diagram showing a waveform.
도 3 및 4를 참조하면, 제1 역다중화 회로(140A)는 제1 내지 제3 시분할 제어신호(ASW1, BSW1, CSW1)와, 제1 및 제3 보조 신호(ASW2, CSW2)에 응답하여 제1 제어 라인(CL_A)에 제1 제어 전압(VA_A)을 충전(pre-charging)하거나, 제1 제어 라인(CL_A)에 충전된 제 1 제어 전압(VA_A)을 부트스트래핑(bootstrapong)시키거나, 제1 제어 라인(CL_A)에 충전된 제1 제어 전압(VA_A)을 방전(dis-charging)시키며, 제1 제어 라인(CL_A)의 전압 제어를 통해 제1 스위칭 소자(S1)를 제어하여 제1 서브 수평기간분 데이터 신호(DS1)를 제1 데이터 라인(DL1)으로 공급한다.3 and 4, the
제1 역다중화 회로(140A)의 제어에 따라 제1 스위칭 소자(S1)를 통해 제1 데이터 라인(DL1)으로 공급되는 제1 데이터 신호(DS1)는 적색 광 혹은 청색 광의 계조 정보를 포함할 수 있다. 제1 역다중화 회로(140A)는 제1 충전 제어부(141A), 제1 승압부(143A) 및 제1 방전부(145A)를 포함할 수 있다.The first data signal DS1 supplied to the first data line DL1 through the first switching element S1 under the control of the
제1 역다중화 회로(140A)의 제1 충전 제어부(141A)는 제1 및 제2 시분할 제어신호(ASW1, BSW1)와 제1 및 제3 보조 신호(ASW2, CSW2)에 응답하여 제1 제어 라인(CL_A)에 전압(VA_A)을 충전한다.The first
제1 충전 제어부(141A)는 제1 트랜지스터(M1), 제1 충전 트랜지스터(M11) 및 제1 방전 트랜지스터(M12)를 포함할 수 있다.The first
제1 트랜지스터(M1)는 제1 보조 신호(ASW2) 및 제3 보조 신호(CSW2)에 의해 제어되는 제1 충전 노드(CN_A)의 전압(VB_A)을 기초로 턴-온되어 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 제1 제어 라인(CL_A)으로 제공할 수 있다.The first transistor M1 is turned on based on the voltage VB_A of the first charging node CN_A controlled by the first auxiliary signal ASW2 and the third auxiliary signal CSW2 to obtain a first time division control signal (ASW1) may be provided as the first control line CL_A.
제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 제1 충전 노드(CN_A)와 연결되고, 제1 트랜지스터(M2)의 드레인 전극은 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 공급받고, 제1 트랜지스터(M2)의 소스 전극은 제1 제어 라인(CL_A)과 연결될 수 있다.The gate electrode of the first transistor M1 is connected to the first charging node CN_A, the drain electrode of the first transistor M2 receives the first time division control signal ASW1, and The source electrode may be connected to the first control line CL_A.
따라서, 제1 충전 노드(CN_A)의 전압(VB_A)과 제1 시분할 제어신호(ASW1)가 고전위 전압인 경우, 제1 트랜지스터(M1)가 턴-온되어 제1 제어 라인(CL_A)의 전압(VA_A) 역시 고전위 전압을 유지할 수 있다.Accordingly, when the voltage VB_A of the first charging node CN_A and the first time division control signal ASW1 are high potential voltages, the first transistor M1 is turned on and the voltage of the first control line CL_A is turned on. (VA_A) can also maintain a high potential voltage.
제1 충전 트랜지스터(M11)는 제3 시분할 제어신호(CSW1)와 중첩하는 제3 보조 신호(CSW2)를 기초로 턴-온되어 제3 보조 신호(CSW2)를 제1 충전 노드(CN_A)로 공급할 수 있다.The first charging transistor M11 is turned on based on the third auxiliary signal CSW2 overlapping the third time division control signal CSW1 to supply the third auxiliary signal CSW2 to the first charging node CN_A. can
제1 충전 트랜지스터(M11)의 게이트 전극과 드레인 전극은 제3 보조 신호(CSW2)를 공급받고, 제1 충전 트랜지스터(M11)의 소스 전극은 제1 충전 노드(CN_A)와 연결될 수 있다.The gate electrode and the drain electrode of the first charging transistor M11 may receive the third auxiliary signal CSW2 , and the source electrode of the first charging transistor M11 may be connected to the first charging node CN_A.
따라서, 제1 충전 트랜지스터(M11)는 고전위 전압의 제3 보조 신호(CSW2)가 공급됨에 따라 턴-온되어, 제1 충전 노드(CN_A)로 제3 보조 신호(CSW2)를 공급하여, 제1 충전 노드(CN_A)를 충전시킬 수 있다.Accordingly, the first charging transistor M11 is turned on as the third auxiliary signal CSW2 of the high potential voltage is supplied, and supplies the third auxiliary signal CSW2 to the first charging node CN_A, 1 Charging node CN_A can be charged.
이와 같이, 제1 트랜지스터(M1)의 드레인 전극으로 고전위 전압의 제1 시분할 제어신호(ASW1)가 공급되기 전, 제1 충전 트랜지스터(M11)는 제3 보조 신호(CSW2)에 의해 턴-온되어 제1 충전 노드(CN_A)를 고전위 전압으로 충전시킴으로써, 제1 제어 라인(CL_A)의 충전을 강화하여 제1 역다중화 회로(140A)의 출력을 안정적으로 유지하고 픽셀 충전율을 향상시킬 수 있다.As such, before the first time division control signal ASW1 of the high potential voltage is supplied to the drain electrode of the first transistor M1 , the first charging transistor M11 is turned on by the third auxiliary signal CSW2 . Thus, by charging the first charging node CN_A with a high potential voltage, the charging of the first control line CL_A may be strengthened to stably maintain the output of the
제1 방전 트랜지스터(M12)는 제2 시분할 제어신호(BSW1)와 제1 보조 신호(ASW2)를 공급받고, 제2 보조 신호(ASW2)에 기초하여 턴-온되어 충전 노드(CN_A)에 충전된 전압(VB_A)을 방전시킨다.The first discharge transistor M12 receives the second time division control signal BSW1 and the first auxiliary signal ASW2, is turned on based on the second auxiliary signal ASW2, and is charged in the charging node CN_A. Discharge the voltage (VB_A).
제1 방전 트랜지스터(M12)의 게이트 전극은 제1 보조 신호(ASW2)를 공급받고, 제1 방전 트랜지스터(M12)의 드레인 전극은 제1 충전 노드(CN_A)와 연결되고, 제1 방전 트랜지스터(M12)의 소스 전극은 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 공급받는다.The gate electrode of the first discharge transistor M12 receives the first auxiliary signal ASW2 , the drain electrode of the first discharge transistor M12 is connected to the first charging node CN_A, and the first discharge transistor M12 ) is supplied with the second time division control signal BSW1.
이때, 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 턴-온 구간(T2)과 제1 보조 신호(ASW2)의 턴-온 구간(T4)은 중첩하지 않으며, 제1 보조 신호(ASW2)의 제1 천이 시점에 제2 시분할 제어신호(BSW1)는 저전위 전압을 가지기 때문에, 고전위 전압의 제1 보조 신호(ASW2)가 공급되면 제1 방전 트랜지스터(M12)는 턴-온되어 충전 노드(CN_A)에 충전된 전압(VB_A)을 방전시킨다.At this time, the turn-on period T2 of the second time division control signal BSW1 and the turn-on period T4 of the first auxiliary signal ASW2 do not overlap, and the first transition of the first auxiliary signal ASW2 Since the second time division control signal BSW1 has a low potential voltage at a time point, when the first auxiliary signal ASW2 having a high potential voltage is supplied, the first discharging transistor M12 is turned on and is applied to the charging node CN_A. The charged voltage VB_A is discharged.
이상에서와 같이, 제1 충전 노드(CN_A)의 전압(VB_A)은 제3 보조 신호(CSW2)에 의해 턴-온되는 제1 충전 트랜지스터(M11)에 의해 충전되고, 제1 보조 신호(ASW2)에 의해 턴-온되는 제1 방전 트랜지스터(M12)에 의해 방전된다.As described above, the voltage VB_A of the first charging node CN_A is charged by the first charging transistor M11 turned on by the third auxiliary signal CSW2, and the first auxiliary signal ASW2 is discharged by the first discharge transistor M12 turned on by
제1 충전 노드(CN_A)의 전압(VB_A)이 고전위인 상태에서, 고전위 전압의 제1 시분할 제어신호(ASW1)가 턴-온된 제1 트랜지스터(M1)를 통해 제1 제어 라인(CL_A)에 공급되면, 제1 충전 노드(CN_A)의 전압(VB_A)은 제1 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 커패시턴스에 의해 추가적으로 증가할 수 있다.When the voltage VB_A of the first charging node CN_A is at a high potential, the first time division control signal ASW1 of the high potential voltage is applied to the first control line CL_A through the turned-on first transistor M1. When supplied, the voltage VB_A of the first charging node CN_A may additionally increase by the gate-source capacitance of the first transistor M1 .
제1 충전 노드(CN_A)의 전압(VB_A)이 증가하면, 제1 제어 라인(CL_A)은 초기 충전(Pre-Charging)됨으로써, 제1 제어 라인(CL_A)의 충전이 강화되어 제1 역다중화 회로(140A)의 출력을 안정적으로 유지할 수 있다.When the voltage VB_A of the first charging node CN_A increases, the first control line CL_A is initially charged (pre-charging), so that the charging of the first control line CL_A is strengthened and the first demultiplexing circuit The output of (140A) can be stably maintained.
따라서, 제1 역다중화 회로(140A)는 제1 충전 트랜지스터(M11) 및 제1 방전 트랜지스터(M12)를 통해 제1 충전 노드(CN_A)의 전압(VB_A)을 제어함으로써, 제1 및 제2 트랜지스터(M1, M2), 제2 방전 트랜지스터(M21)가 열화되는 경우에도 제1 제어 라인(CL_A)의 충전 특성을 향상시킬 수 있고, 누설 전류의 발생을 방지할 수 있다. 결과적으로, 제1 역다중화 회로(140A)는 제1 제어 라인(CL_A)의 전압(VA_A)을 기초로 턴-온되는 제1 스위칭 소자(S1)의 출력을 안정적으로 유지함으로써, 디스플레이 패널의 휘도가 저하되는 것을 방지하고 디스플레이 패널의 고해상도 화상을 구현할 수 있다.Accordingly, the
제1 역다중화 회로(140A)의 제1 승압부(143A)는 제1 제어 라인(CL_A)에 충전된 전압(VA_A)을 제1 보조 신호(ASW2)에 기초하여 부트스트래핑시키며, 제1 커패시터(C1)로 구성될 수 있다.The
제1 커패시터(C1)의 일단은 제1 보조 신호(ASW2)를 공급받고, 제1 커패시터(C1)의 타단은 제1 제어 라인(CL_A)과 연결된다.One end of the first capacitor C1 receives the first auxiliary signal ASW2 , and the other end of the first capacitor C1 is connected to the first control line CL_A.
제1 커패시터(C1)의 일단으로 고전위 전압의 제1 보조 신호(ASW2)가 공급되는 시점은 제1 시분할 제어신호(ASW1)의 제1 천이 시점과 제2 천이 시점 사이에 해당할 수 있다. The time point at which the first auxiliary signal ASW2 of the high potential voltage is supplied to one end of the first capacitor C1 may correspond to between the first transition time point and the second transition time point of the first time division control signal ASW1 .
이와 같이, 제1 승압부(143A)는 제1 충전 제어부(141A)에 의해 유지되는 제1 제어 라인(CL_A)의 제1 전압(VA_A)을 제1 보조 신호(ASW2)를 이용하여 부트스트래핑시킴으로써, 제1 시분할 제어신호(ASW1)의 전압보다 더 높은 전압으로 상승시켜 제1 스위칭 소자(S1)의 입력 전압을 안정적으로 유지할 수 있다.As such, the
제1 역다중화 회로(140A)의 제1 방전부(145A)는 제1 제어 라인(CL_A)에 충전된 제1 전압(VA_A)을 방전시키며, 제2 트랜지스터(M2)로 구성될 수 있으며, 제2 방전 트랜지스터(M21)를 더 포함하여 제1 제어 라인(CL_A)에 충전된 제1 전압(VA_A)을 추가적으로 방전시킴으로써 방전 특성을 향상시켜 누설 전류의 발생을 방지할 수 있다.The
제2 트랜지스터(M2)는 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 기초로 턴-온되어 제1 제어 라인(CL_A)에 충전된 제1 전압(VA_A)을 방전시킬 수 있고, 제2 방전 트랜지스터(M21)는 제3 시분할 제어신호(CSW1)을 기초로 턴-온되어 제1 제어 라인(CL_A)에 충전된 제1 전압(VA_A)을 추가적으로 방전시킬 수 있다.The second transistor M2 is turned on based on the second time division control signal BSW1 to discharge the first voltage VA_A charged in the first control line CL_A, and the second discharge transistor M21 ) may be turned on based on the third time division control signal CSW1 to additionally discharge the first voltage VA_A charged in the first control line CL_A.
제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 공급받고, 제2 트랜지스터(M2)의 드레인 전극은 제1 제어 라인(CL_A)에 연결되고, 제2 트랜지스터(M2)의 소스 전극은 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 공급받는다.The gate electrode of the second transistor M2 receives the second time division control signal BSW1 , the drain electrode of the second transistor M2 is connected to the first control line CL_A, and the The source electrode receives the first time division control signal ASW1.
제2 방전 트랜지스터(M21)의 게이트 전극은 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 공급받고, 제2 방전 트랜지스터(M21)의 드레인 전극은 제1 제어 라인(CL_A)에 연결되고, 제2 방전 트랜지스터(M21)의 소스 전극은 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 공급받는다.The gate electrode of the second discharge transistor M21 is supplied with the third time division control signal CSW1, the drain electrode of the second discharge transistor M21 is connected to the first control line CL_A, and the second discharge transistor ( The source electrode of M21 is supplied with the first time division control signal ASW1.
제2 트랜지스터(M2)의 드레인 전극 및 제2 방전 트랜지스터(M21)의 드레인 전극은 제1 제어 라인(CL_A)에 공통으로 연결되고, 제2 트랜지스터(M2)의 소스 전극 및 제2 방전 트랜지스터(M21)의 소스 전극은 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 공통으로 공급받는다.The drain electrode of the second transistor M2 and the drain electrode of the second discharge transistor M21 are commonly connected to the first control line CL_A, and the source electrode of the second transistor M2 and the second discharge transistor M21 are connected in common. ), the source electrode receives the first time division control signal ASW1 in common.
제2 트랜지스터(M2)는 저전위 전압의 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 소스 전극으로 공급받는 상태에서 고전위 전압의 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 게이트 전극으로 공급받는 경우에 턴-온되어 제1 제어 라인(CL_A)에 충전된 제1 전압(VA_A)을 방전시킨다. The second transistor M2 is turned on when the second time division control signal BSW1 of the high potential voltage is supplied to the gate electrode while the first time division control signal ASW1 of the low potential voltage is supplied to the source electrode. to discharge the first voltage VA_A charged in the first control line CL_A.
제2 방전 트랜지스터(M21)는 저전위 전압의 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 소스 전극으로 공급받는 상태에서 고전위 전압의 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 게이트 전극으로 공급받는 경우에 턴-온되어 제1 제어 라인(CL_A)에 충전된 제1 전압(VA_A)을 추가적으로 방전시킨다.The second discharge transistor M21 is turned on when the third time-division control signal CSW1 of the high potential voltage is supplied to the gate electrode while the first time-division control signal ASW1 of the low potential voltage is supplied to the source electrode. It is turned on to additionally discharge the first voltage VA_A charged in the first control line CL_A.
도 5는 도 2의 역다중화 회로부의 제2 역다중화 회로의 구성을 나타내는 회로도이고, 도 6은 도 5의 제2 역다중화 회로로 공급되는 신호들, 충전 노드의 전압 및 제어 라인의 전압에 대한 파형을 도시한 도면이다.5 is a circuit diagram showing the configuration of the second demultiplexing circuit of the demultiplexing circuit unit of FIG. 2 , and FIG. 6 is a signal supplied to the second demultiplexing circuit of FIG. 5 , the voltage of the charging node, and the voltage of the control line. It is a diagram showing a waveform.
도 5 및 6을 참조하면, 제2 역다중화 회로(140B)는 제1 내지 제3 시분할 제어신호(ASW1, BSW1, CSW1)와 제1 내지 제3 보조 신호(ASW2, BSW2, CSW2)에 응답하여, 제2 제어 라인(CL_B)에 전압(VA_B)을 충전(pre-charging)하거나, 제2 제어 라인(CL_B)에 충전된 전압(VA_B)을 부트스트래핑(bootstrapong)시키거나, 제2 제어 라인(CL_B)에 충전된 전압(VA_B)을 방전(dis-charging)시키며, 제2 제어 라인(CL_B)의 전압 제어를 통해 제2 스위칭 소자(S1)를 제어하여 제2 서브 수평기간분 데이터 신호(DS2)를 제2 데이터 라인(DL2)으로 공급한다.5 and 6, the
제2 역다중화 회로(140B)의 제어에 따라 제2 스위칭 소자(S2)를 통해 제2 데이터 라인(DL2)으로 공급되는 제2 데이터 신호(DS2)는 녹색 광의 계조 정보를 포함할 수 있다.The second data signal DS2 supplied to the second data line DL2 through the second switching element S2 under the control of the
도 4의 제2 역다중화 회로(140B)는 도3의 제1 역다중화 회로의 구성에서 제2 충전 트랜지스터(M13)를 더 포함하고, 공급받는 신호들이 다른 것으로서, 전술한 구성과 동일한 구성에 대한 설명은 생략되거나 간략하게 기술될 수 있다.The
제2 역다중화 회로(140B)는 제2 충전 제어부(141B), 제2 승압부(143B) 및 제2 방전부(145B)를 포함할 수 있다.The
제2 충전 제어부(141B)는 제2 및 제3 시분할 제어신호(BSW1, CSW1), 제1 내지 제3 보조 신호(ASW2, BSW2, CSW2)에 응답하여 제2 제어 라인(CL_B)에 전압(VA_B)을 충전한다.The second
제2 충전 제어부(141B)는 제1 트랜지스터(M1), 제1 충전 트랜지스터(M11), 제2 충전 트랜지스터(M13) 및 제1 방전 트랜지스터(M12)를 포함할 수 있다.The second
후술할 바와 같이, 제1 충전 트랜지스터(M11)의 소스 전극과 제2 충전 트랜지스터(M13)의 소스 전극이 제2 충전 노드(CN_B)에 공통으로 연결되어, 제1 충전 트랜지스터(M11) 및 제2 충전 트랜지스터(M13)는 제2 충전 노드(CN_B)에 병렬로 연결된다. 따라서, 제1 및 제2 충전 트랜지스터(M11, M13) 중 하나가 턴-온되면 제2 충전 노드(CN_B)는 제1 보조 신호(ASW2) 혹은 제3 보조 신호(CSW2)에 의해 고전위 전압으로 충전될 수 있다.As will be described later, the source electrode of the first charging transistor M11 and the source electrode of the second charging transistor M13 are commonly connected to the second charging node CN_B, so that the first charging transistor M11 and the second The charging transistor M13 is connected in parallel to the second charging node CN_B. Accordingly, when one of the first and second charging transistors M11 and M13 is turned on, the second charging node CN_B is converted to a high potential voltage by the first auxiliary signal ASW2 or the third auxiliary signal CSW2. can be charged.
제2 충전 제어부(141B)의 제1 트랜지스터(M1)는 제1 내지 제3 보조 신호(ASW2, BSW2, CSW2)에 의해 제어되는 제2 충전 노드(CN_B)의 전압(VB_B)을 기초로 턴-온되어 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 제2 제어 라인(CL_B)으로 제공할 수 있다.The first transistor M1 of the second
구체적으로, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 제2 충전 노드(CN_B)와 연결되고, 제1 트랜지스터(M1)의 드레인 전극은 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 공급받고, 제1 트랜지스터(M1)의 소스 전극은 제2 제어 라인(CL_B)과 연결될 수 있다.Specifically, the gate electrode of the first transistor M1 is connected to the second charging node CN_B, the drain electrode of the first transistor M1 receives the second time division control signal BSW1, and the first transistor M1 ( The source electrode of M1 may be connected to the second control line CL_B.
따라서, 제2 충전 노드(CN_B)의 전압(VB_B)과 제2 시분할 제어신호(BSW1)가 고전위 전압인 경우, 제1 트랜지스터(M1)가 턴-온되어, 제2 제어 라인(CL_B)의 전압(VA_B) 역시 고전위 전압을 유지할 수 있다.Accordingly, when the voltage VB_B of the second charging node CN_B and the second time-division control signal BSW1 are high potential voltages, the first transistor M1 is turned on and the second control line CL_B The voltage VA_B may also maintain a high potential voltage.
제2 충전 제어부(141B)의 제1 충전 트랜지스터(M11)는 제1 시분할 제어신호(ASW1)와 중첩하는 제1 보조 신호(ASW2)를 기초로 턴-온되어 제1 보조 신호(ASW2)를 제2 충전 노드(CN_B)로 공급할 수 있다.The first charging transistor M11 of the second
구체적으로, 제1 충전 트랜지스터(M11)의 게이트 전극과 드레인 전극은 제1 보조 신호(ASW2)를 공급받고, 제1 충전 트랜지스터(M1)의 소스 전극은 제2 충전 노드(CN_B)와 연결될 수 있다.Specifically, the gate electrode and the drain electrode of the first charging transistor M11 may receive the first auxiliary signal ASW2 , and the source electrode of the first charging transistor M1 may be connected to the second charging node CN_B. .
따라서, 제1 충전 트랜지스터(M11)는 고전위 전압의 제1 보조 신호(ASW2)가 공급됨에 따라 턴-온되어, 제2 충전 노드(CN_B)로 제1 보조 신호(ASW2)를 공급하여, 제2 충전 노드(CN_B)를 충전시킬 수 있다.Accordingly, the first charging transistor M11 is turned on as the first auxiliary signal ASW2 of the high potential voltage is supplied, and supplies the first auxiliary signal ASW2 to the second charging node CN_B, 2 The charging node CN_B can be charged.
제1 트랜지스터(M1)의 드레인 전극으로 고전위 전압의 제2 시분할 제어신호(BSW1)가 공급되기 전(제2 시분할 제어신호의 제1 천이 시점 전), 고전위 전압의 제1 보조 신호(ASW2)가 제1 충전 트랜지스터(M11)로 공급됨에 따라 제1 충전 트랜지스터(M11)가 턴-온되어 제2 충전 노드(CN_B)를 고전위 전압으로 충전시킴으로써, 제2 제어 라인(CL_B)의 충전을 강화하여 제2 역다중화 회로(140B)의 출력을 안정적으로 유지하고 픽셀 충전율을 향상시킬 수 있다.Before the second time division control signal BSW1 of the high potential voltage is supplied to the drain electrode of the first transistor M1 (before the first transition point of the second time division control signal), the first auxiliary signal ASW2 of the high potential voltage ) is supplied to the first charging transistor M11, the first charging transistor M11 is turned on to charge the second charging node CN_B to a high potential voltage, thereby charging the second control line CL_B. By strengthening it, the output of the
제2 충전 제어부(141B)의 제2 충전 트랜지스터(M13)는 제3 시분할 제어신호(CSW1)와 중첩하는 제3 보조 신호(CSW2)를 기초로 턴-온되어 제3 보조 신호(CSW2)를 제2 충전 노드(CN_B)로 공급할 수 있다.The second charging transistor M13 of the second
구체적으로, 제2 충전 트랜지스터(M13)의 게이트 전극과 드레인 전극은 제3 보조 신호(CSW2)를 공급받고, 제2 충전 트랜지스터(M13)의 소스 전극은 제2 충전 노드(CN_B)와 연결될 수 있다.Specifically, the gate electrode and the drain electrode of the second charging transistor M13 may receive the third auxiliary signal CSW2 , and the source electrode of the second charging transistor M13 may be connected to the second charging node CN_B. .
따라서, 제2 충전 트랜지스터(M13)는 고전위 전압의 제3 보조 신호(CSW2)가 공급됨에 따라 턴-온되어 제2 충전 노드(CN_B)로 제3 보조 신호(CSW2)를 공급하여 제2 충전 노드(CN_B)를 충전시킬 수 있다.Accordingly, the second charging transistor M13 is turned on as the third auxiliary signal CSW2 of the high potential voltage is supplied to supply the third auxiliary signal CSW2 to the second charging node CN_B for the second charging. The node CN_B can be charged.
제1 트랜지스터(M1)의 드레인 전극으로 고전위 전압의 제2 시분할 제어신호(BSW1)가 공급되기 전(제2 시분할 제어신호의 제1 천이 시점 전), 고전위 전압의 제3 보조 신호(CSW2)가 제2 충전 트랜지스터(M13)로 공급됨에 따라 제2 충전 트랜지스터(M13)가 턴-온되어 제2 충전 노드(CN_B)를 고전위 전압으로 충전시킴으로써, 제2 제어 라인(CL_B)의 충전을 강화하여 제2 역다중화 회로(140B)의 출력을 안정적으로 유지하고 픽셀 충전율을 향상시킬 수 있다.Before the second time division control signal BSW1 of the high potential voltage is supplied to the drain electrode of the first transistor M1 (before the first transition point of the second time division control signal), the third auxiliary signal CSW2 of the high potential voltage ) is supplied to the second charging transistor M13, the second charging transistor M13 is turned on to charge the second charging node CN_B to a high potential voltage, thereby charging the second control line CL_B. By strengthening it, the output of the
이와 같이, 제1 충전 트랜지스터(M11)의 소스 전극과 제2 충전 트랜지스터(M13)의 소스 전극이 제2 충전 노드(CN_B)에 공통으로 연결되어, 제1 충전 트랜지스터(M11) 및 제2 충전 트랜지스터(M13)는 제2 충전 노드(CN_B)에 병렬로 연결된다. 따라서, 제1 및 제2 충전 트랜지스터(M11, M13) 중 하나가 턴-온되면 제2 충전 노드(CN_B)는 제1 보조 신호(ASW2) 혹은 제3 보조 신호(CSW2)에 의해 고전위 전압으로 충전될 수 있다.As described above, the source electrode of the first charging transistor M11 and the source electrode of the second charging transistor M13 are commonly connected to the second charging node CN_B, so that the first charging transistor M11 and the second charging transistor M11 are connected in common. (M13) is connected in parallel to the second charging node (CN_B). Accordingly, when one of the first and second charging transistors M11 and M13 is turned on, the second charging node CN_B is converted to a high potential voltage by the first auxiliary signal ASW2 or the third auxiliary signal CSW2. can be charged.
제1 방전 트랜지스터(M12)는 제3 시분할 제어신호(CSW1)와 제2 보조 신호(BSW2)를 공급받고, 제2 보조 신호(BSW2)에 기초하여 턴-온되어 제2 충전 노드(CN_B)에 충전된 전압(VB_B)을 방전시킨다.The first discharge transistor M12 receives the third time division control signal CSW1 and the second auxiliary signal BSW2, is turned on based on the second auxiliary signal BSW2, and is applied to the second charging node CN_B. The charged voltage VB_B is discharged.
제1 방전 트랜지스터(M12)의 게이트 전극은 제2 보조 신호(BSW2)를 공급받고, 제1 방전 트랜지스터(M12)의 드레인 전극은 제2 충전 노드(CN_B)와 연결되고, 제1 방전 트랜지스터(M12)의 소스 전극은 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 공급받는다.The gate electrode of the first discharge transistor M12 receives the second auxiliary signal BSW2 , the drain electrode of the first discharge transistor M12 is connected to the second charging node CN_B, and the first discharge transistor M12 ) is supplied with the third time division control signal CSW1.
이때, 제3 시분할 제어신호(CSW1)의 턴-온 구간(T3)과 제2 보조 신호(BSW2)의 턴-온 구간(T5)은 중첩하지 않으며, 제2 보조 신호(BSW2)의 제1 천이 시점에 제3 시분할 제어신호(CSW1)는 저전위 전압을 가지기 때문에, 고전위의 제2 보조 신호(BSW2)가 공급되면 제1 방전 트랜지스터(M12)는 턴-온되어 제2 충전 노드(CN_B)에 충전된 전압(VB_B)을 방전시킨다.In this case, the turn-on period T3 of the third time division control signal CSW1 and the turn-on period T5 of the second auxiliary signal BSW2 do not overlap, and the first transition of the second auxiliary signal BSW2 does not overlap. Since the third time division control signal CSW1 has a low potential voltage at a time point, when the second auxiliary signal BSW2 having a high potential is supplied, the first discharge transistor M12 is turned on to turn on the second charging node CN_B. Discharge the charged voltage (VB_B).
이상에서와 같이, 제2 충전 노드(CN_B)의 전압(VB_B)은 제1 보조 신호(ASW2)에 의해 턴-온되는 제1 충전 트랜지스터(M11) 또는 제3 보조 신호(CSW2)에 의해 턴-온되는 제2 충전 트랜지스터(M13)에 의해 충전되고, 제2 보조 신호(BSW2)에 의해 턴-온되는 제1 방전 트랜지스터(M12)에 의해 방전된다.As described above, the voltage VB_B of the second charging node CN_B is turned on by the first charging transistor M11 turned on by the first auxiliary signal ASW2 or the third auxiliary signal CSW2. It is charged by the turned-on second charging transistor M13 and discharged by the first discharging transistor M12 turned on by the second auxiliary signal BSW2.
제2 충전 노드(CN_B)의 전압(VB_B)이 고전위인 상태에서, 고전위 전압의 제2 시분할 제어신호(BSW1)가 턴-온된 제1 트랜지스터(M1)를 통해 제2 제어 라인(CL_B)에 공급되면, 제2 충전 노드(CN_B)의 전압(VB_B)은 제1 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 커패시턴스에 의해 추가적으로 증가할 수 있다.When the voltage VB_B of the second charging node CN_B is at a high potential, the second time division control signal BSW1 of the high potential voltage is applied to the second control line CL_B through the turned-on first transistor M1. When supplied, the voltage VB_B of the second charging node CN_B may additionally increase by the gate-source capacitance of the first transistor M1 .
제2 충전 노드(CN_B)의 전압(VB_B)이 증가하면, 제2 제어 라인(CL_B)은 초기 충전(Pre-Charging)됨으로써, 제2 제어 라인(CL_B)의 충전이 강화되어 제2 역다중화 회로(140B)의 출력을 안정적으로 유지할 수 있다.When the voltage VB_B of the second charging node CN_B increases, the second control line CL_B is initially charged (pre-charging), so that the charging of the second control line CL_B is strengthened and the second demultiplexing circuit The output of (140B) can be stably maintained.
따라서, 제2 역다중화 회로(140B)는 제1 및 제2 충전 트랜지스터(M11, M13)와, 제1 방전 트랜지스터(M12)를 통해 제2 충전 노드(CN_B)의 전압(VB_B)을 제어함으로써, 제1 및 제2 트랜지스터(M1, M2), 제2 방전 트랜지스터(M21)가 열화되는 경우에도 제2 제어 라인(CL_B)의 충전 특성을 향상시킬 수 있고, 누설 전류의 발생을 방지할 수 있다. 결과적으로, 제2 역다중화 회로(140B)는 제2 제어 라인(CL_B)의 전압(VA_B)을 기초로 턴-온되는 제2 스위칭 소자(S2)의 출력을 안정적으로 유지함으로써, 디스플레이 패널의 휘도가 저하되는 것을 방지하고 디스플레이 패널의 고해상도 화상을 구현할 수 있다.Accordingly, the
제2 승압부(143B)는 제2 제어 라인(CL_B)에 충전된 전압(VA_B)을 제2 보조 신호(BSW2)에 기초하여 부트스트래핑시키며, 제2 커패시터(C2)로 구성될 수 있다.The
제2 커패시터(C2)의 일단은 제2 보조 신호(BSW2)를 공급받고, 제2 커패시터(C2)의 타단은 제2 제어 라인(CL_B)과 연결된다.One end of the second capacitor C2 receives the second auxiliary signal BSW2 , and the other end of the second capacitor C2 is connected to the second control line CL_B.
제2 커패시터(C2)의 일단으로 고전위 전압의 제2 보조 신호(BSW2)가 공급되는 시점은 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 제1 천이 시점과 제2 천이 시점 사이에 해당할 수 있다.The time point at which the second auxiliary signal BSW2 of the high potential voltage is supplied to one end of the second capacitor C2 may correspond to between the first transition time and the second transition time of the second time division control signal BSW1 .
이와 같이, 제2 승압부(143B)는 제2 충전 제어부(141B)에 의해 유지되는 제2 제어 라인(CL_B)의 제2 전압(VA_B)을 제2 보조 신호(BSW2)를 이용하여 부트스트래핑시킴으로써, 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 전압보다 더 높은 전압으로 상승시켜 제2 스위칭 소자(S2)의 입력 전압을 안정적으로 유지할 수 있다.As described above, the
제2 제2 방전부(145B)는 제2 제어 라인(CL_B)에 충전된 제2 전압(VA_B)을 방전시키며, 제2 트랜지스터(M2)로 구성될 수 있으며, 제2 방전 트랜지스터(M21)를 더 포함하여 제2 제어 라인(CL_B)에 충전된 제2 전압(VA_B)을 추가적으로 방전시킴을써 방전 특성을 향상시켜 누설 전류의 발생을 방지할 수 있다.The second
제2 트랜지스터(M2)는 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 기초로 턴-온되어 제2 제어 라인(CL_B)에 충전된 제2 전압(VA_B)을 방전시킬 수 있고, 제2 방전 트랜지스터(M21)는 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 기초로 턴-온되어 제2 제어 라인(CL_B)에 충전된 제2 전압(VA_B)을 추가적으로 방전시킬 수 있다.The second transistor M2 is turned on based on the third time division control signal CSW1 to discharge the second voltage VA_B charged in the second control line CL_B, and the second discharge transistor M21 ) may be turned on based on the first time division control signal ASW1 to additionally discharge the second voltage VA_B charged in the second control line CL_B.
제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 공급받고, 제2 트랜지스터(M2)의 드레인 전극은 제2 제어 라인(CL_B)에 연결되고, 제2 트랜지스터(M2)의 소스 전극은 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 공급받는다.The gate electrode of the second transistor M2 receives the third time division control signal CSW1 , the drain electrode of the second transistor M2 is connected to the second control line CL_B, and the The source electrode receives the second time division control signal BSW1.
제2 방전 트랜지스터(M21)의 게이트 전극은 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 공급받고, 제2 방전 트랜지스터(M21)의 드레인 전극은 제2 제어 라인(CL_B)에 연결되고, 제2 방전 트랜지스터(M21)의 소스 전극은 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 공급받는다.The gate electrode of the second discharge transistor M21 is supplied with the first time division control signal ASW1, the drain electrode of the second discharge transistor M21 is connected to the second control line CL_B, and the second discharge transistor ( The source electrode of M21 is supplied with the second time division control signal BSW1.
제2 트랜지스터(M2)의 드레인 전극 및 제2 방전 트랜지스터(M21)의 드레인 전극은 제2 제어 라인(CL_B)에 공통으로 연결되고, 제2 트랜지스터(M2)의 소스 전극 및 제2 방전 트랜지스터(M21)의 소스 전극은 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 공통으로 공급받는다.The drain electrode of the second transistor M2 and the drain electrode of the second discharge transistor M21 are commonly connected to the second control line CL_B, and the source electrode of the second transistor M2 and the second discharge transistor M21 are connected in common. ), the source electrode is supplied with the second time division control signal BSW1 in common.
제2 트랜지스터(M2)는 저전위 전압의 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 소스 전극으로 공급받는 상태에서 고전위 전압의 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 게이트 전극으로 공급받는 경우에 턴-온되어 제2 제어 라인(CL_B)에 충전된 제2 전압(VA_B)을 방전시킨다. 고전위 전압의 제3 시분할 제어신호(CSW1)가 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극으로 공급되는 시점은 제3 서브 수평기간(SH3)의 시작 시점에 해당할 수 있다.The second transistor M2 is turned on when the third time division control signal CSW1 of the high potential voltage is supplied to the gate electrode while the second time division control signal BSW1 of the low potential voltage is supplied to the source electrode. to discharge the second voltage VA_B charged in the second control line CL_B. The time at which the third time division control signal CSW1 of the high potential voltage is supplied to the gate electrode of the second transistor M2 may correspond to the start time of the third sub-horizontal period SH3 .
제2 방전 트랜지스터(M21)는 저전위 전압의 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 소스 전극으로 공급받는 상태에서 고전위 전압의 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 게이트 전극으로 공급받는 경우에 턴-온되어 제2 제어 라인(CL_B)에 충전된 제2 전압(VA_B)을 추가적으로 방전시킨다.The second discharge transistor M21 is turned on when the first time-division control signal ASW1 of the high potential voltage is supplied to the gate electrode while the second time-division control signal BSW1 of the low potential voltage is supplied to the source electrode. It is turned on to additionally discharge the second voltage VA_B charged in the second control line CL_B.
제2 방전 트랜지스터(M21)는 저전위 전압의 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 소스 전극으로 공급받는 상태에서 고전위 전압의 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 게이트 전극으로 공급받는 경우에 턴-온되어 제1 제어 라인(CL_A)에 충전된 제1 전압(VA_A)을 추가적으로 방전시킨다.The second discharge transistor M21 is turned on when the third time-division control signal CSW1 of the high potential voltage is supplied to the gate electrode while the first time-division control signal ASW1 of the low potential voltage is supplied to the source electrode. It is turned on to additionally discharge the first voltage VA_A charged in the first control line CL_A.
도 7은 도 2의 역다중화 회로부의 제3 역다중화 회로의 구성을 나타내는 회로도이고, 도 8은 도 7의 제1 역다중화 회로로 공급되는 신호들, 충전 노드의 전압 및 제어 라인의 전압에 대한 파형을 도시한 도면이다.7 is a circuit diagram showing the configuration of a third demultiplexing circuit of the demultiplexing circuit unit of FIG. 2 , and FIG. 8 is a signal supplied to the first demultiplexing circuit of FIG. 7 , the voltage of the charging node and the voltage of the control line It is a diagram showing a waveform.
도 7 및 8을 참조하면, 제3 역다중화 회로(140C)는 제1 내지 제3 시분할 제어신호(ASW1, BSW1, CSW1)와, 제2 및 제3 보조 신호(BSW2, CSW2)에 응답하여 제3 제어 라인(CL_C)에 전압(VA_C)을 충전(pre-charging)하거나, 제3 제어 라인(CL_C)에 충전된 전압(VA_C)을 부트스트래핑(bootstrapong)시키거나, 제3 제어 라인(CL_C)에 충전된 전압(VA_C)을 방전(dis-charging)시키며, 제3 제어 라인(CL_C)의 전압 제어를 통해 제3 스위칭 소자(S3)를 제어하여 제3 서브 수평기간분 데이터 신호(DS3)를 제1 데이터 라인(DL3)으로 공급한다.7 and 8, the
제3 역다중화 회로(140C)의 제어에 따라 제3 스위칭 소자(S3)를 통해 제3 데이터 라인(DL3)으로 공급되는 제3 데이터 신호(DS3)는 적색 광 혹은 청색 광의 계조 정보를 포함할 수 있다.The third data signal DS3 supplied to the third data line DL3 through the third switching element S3 under the control of the
제3 역다중화 회로(140C)는 제3 충전 제어부(141C), 제3 승압부(143C) 및 제3 방전부(145C)를 포함할 수 있다.The
제3 역다중화 회로(140C)의 제3 충전 제어부(141C)는 제1 및 제3 시분할 제어신호(ASW1, CSW1)와, 제2 및 제3 보조 신호(BSW2, CSW2)에 응답하여 제3 제어 라인(CL_C)에 전압(VA_C)을 충전한다.The third
제3 충전 제어부(141C)는 제1 트랜지스터(M1), 제1 충전 트랜지스터(M1) 및 제1 방전 트랜지스터(M12)를 포함할 수 있다.The
제1 트랜지스터(M1)는 제2 보조 신호(BSW2) 및 제3 보조 신호(CSW2)에 의해 제어되는 제3 충전 노드(CN_C)의 전압(VB_C)을 기초로 턴-온되어 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 제3 제어 라인(CL_C)으로 제공할 수 있다.The first transistor M1 is turned on based on the voltage VB_C of the third charging node CN_C controlled by the second auxiliary signal BSW2 and the third auxiliary signal CSW2 to obtain a third time division control signal (CSW1) may be provided as the third control line CL_C.
제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 제3 충전 노드(CN_C)와 연결되고, 제1 트랜지스터(M1)의 드레인 전극은 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 공급받고, 제1 트랜지스터(M1)의 소스 전극은 제3 제어 라인(CL_C)과 연결될 수 있다.The gate electrode of the first transistor M1 is connected to the third charging node CN_C, the drain electrode of the first transistor M1 receives the third time division control signal CSW1, and the The source electrode may be connected to the third control line CL_C.
따라서, 제3 충전 노드(CN_C)의 전압(VB_C)과 제3 시분할 제어신호(CSW1)가 고전위 전압인 경우, 제1 트랜지스터(M1)가 턴-온되어 제3 제어 라인(CL_C)의 전압(VA_C) 역시 고전위 전압을 유지할 수 있다.Accordingly, when the voltage VB_C of the third charging node CN_C and the third time division control signal CSW1 are high potential voltages, the first transistor M1 is turned on and the voltage of the third control line CL_C is turned on. (VA_C) can also maintain a high potential voltage.
제1 충전 트랜지스터(M11)는 제2 시분할 제어신호(BSW1)와 중첩하는 제2 보조 신호(BSW2)를 기초로 턴-온되어 제2 보조 신호(BSW2)를 제3 충전 노드(CN_C)로 공급할 수 있다.The first charging transistor M11 is turned on based on the second auxiliary signal BSW2 overlapping the second time division control signal BSW1 to supply the second auxiliary signal BSW2 to the third charging node CN_C. can
제1 충전 트랜지스터(M11)의 게이트 전극과 드레인 전극은 제2 보조 신호(BSW2)를 공급다고, 제1 충전 트랜지스터(M11)의 소스 전극은 제3 충전 노드(CN_C)와 연결될 수 있다.The gate electrode and the drain electrode of the first charging transistor M11 may supply the second auxiliary signal BSW2 , and the source electrode of the first charging transistor M11 may be connected to the third charging node CN_C.
따라서, 제1 충전 트랜지스터(M11)는 고전위 전압의 제2 보조 신호(BSW2)가 공급됨에 따라 턴-온되어 제3 충전 노드(CN_C)로 제2 보조 신호(BSW2)를 공급하여, 제3 충전 노드(CN_C)를 충전시킬 수 있다.Accordingly, the first charging transistor M11 is turned on according to the supply of the second auxiliary signal BSW2 of the high potential voltage to supply the second auxiliary signal BSW2 to the third charging node CN_C, so that the third The charging node CN_C may be charged.
이와 같이, 제1 트랜지스터(M1)의 드레인 전극으로 고전의 전압의 제3 시분할 제어신호(CSW1)가 공급되기 전, 제1 충전 트랜지스터(M11)는 제2 보조 신호(BSW2)에 의해 턴-온되어 제3 충전 노드(CN_C)를 고전위 전압으로 충전시킴으로써, 제3 제어 라인(CL_C)의 충전을 강화하여 제3 역다중화 회로(140C)의 출력을 안정적으로 유지하고 픽셀 충전율을 향상시킬 수 있다.As described above, before the third time division control signal CSW1 of a high voltage is supplied to the drain electrode of the first transistor M1 , the first charging transistor M11 is turned on by the second auxiliary signal BSW2 . and charging the third charging node CN_C with a high potential voltage, thereby strengthening the charging of the third control line CL_C to stably maintain the output of the
제1 방전 트랜지스터(M12)는 제1 시분할 제어신호(ASW1)와 제3 보조 신호(CSW2)를 공급받고, 제3 보조 신호(CSW2)에 기초하여 턴-온되어 충전 노드(CN_C)에 충전된 전압(VB_C)을 방전시킨다.The first discharge transistor M12 receives the first time division control signal ASW1 and the third auxiliary signal CSW2, is turned on based on the third auxiliary signal CSW2, and is charged in the charging node CN_C. Discharge the voltage (VB_C).
제1 방전 트랜지스터(M12)의 게이트 전극은 제3 보조 신호(CSW2)를 공급받고, 제1 방전 트랜지스터(M12)의 드레인 전극은 제3 충전 노드(CN_C)와 연결되고, 제1 방전 트랜지스터(M12)의 소스 전극은 제1 시분할 제어신호(ASW1)을 공급받는다.The gate electrode of the first discharge transistor M12 receives the third auxiliary signal CSW2 , the drain electrode of the first discharge transistor M12 is connected to the third charging node CN_C, and the first discharge transistor M12 ) is supplied with the first time division control signal ASW1.
이때, 제1 시분할 제어신호(ASW1)의 턴-온 구간(T1)과 제3 보조 신호(CSW2)의 턴-온 구간(T6)은 중첩하지 않으며, 제3 보조 신호(CSW2)의 제1 천이 시점에 제1 시분할 제어신호(ASW1)는 저전위 전압을 가지기 때문에, 고전위 전압의 제3 보조 신호(CSW2)가 공급되면 제1 방전 트랜지스터(M12)는 턴-온되어 충전 노드(CN_C)에 충전된 전압(VB_C)을 방전시킨다.In this case, the turn-on period T1 of the first time division control signal ASW1 and the turn-on period T6 of the third auxiliary signal CSW2 do not overlap, and the first transition of the third auxiliary signal CSW2 At a time point, since the first time division control signal ASW1 has a low potential voltage, when the third auxiliary signal CSW2 of a high potential voltage is supplied, the first discharge transistor M12 is turned on and is applied to the charging node CN_C. The charged voltage VB_C is discharged.
이상에서와 같이, 제3 충전 노드(CN_C)의 전압(VB_C)은 제2 보조 신호(BSW2)에 의해 턴-온되는 제1 충전 트랜지스터(M11)에 의해 충전되고, 제3 보조 신호(CSW2)에 의해 턴-온되는 제1 방전 트랜지스터(M12)에 의해 방전된다.As described above, the voltage VB_C of the third charging node CN_C is charged by the first charging transistor M11 turned on by the second auxiliary signal BSW2, and the third auxiliary signal CSW2 is discharged by the first discharge transistor M12 turned on by
제3 충전 노드(CN_C)의 전압(VB_C)이 고전위인 상태에서, 고전위 전압의 제3 시분할 제어신호(CSW1)가 턴-온된 제1 트랜지스터(M1)를 통해 제3 제어 라인(CL_C)에 공급되면, 제3 충전 노드(CN_C)의 전압(VB_C)은 제1 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 커패시턴스에 의해 추가적으로 증가할 수 있다.In a state in which the voltage VB_C of the third charging node CN_C is at a high potential, the third time division control signal CSW1 of the high potential voltage is applied to the third control line CL_C through the turned-on first transistor M1. When supplied, the voltage VB_C of the third charging node CN_C may additionally increase by the gate-source capacitance of the first transistor M1 .
제3 충전 노드(CN_C)의 전압(VB_C)이 증가하면, 제3 제어 라인(CL_C)은 초기 충저(Pre-Charging)됨으로써, 제3 제어 라인(CL_C)의 충전이 강화되어 제3 역다중화 회로(140C)의 출력을 안정적으로 유지할 수 있다.When the voltage VB_C of the third charging node CN_C increases, the third control line CL_C is initially pre-charged, so that the charging of the third control line CL_C is strengthened and the third demultiplexing circuit The output of (140C) can be stably maintained.
따라서, 제3 역다중화 회로(140C)는 제1 충전 트랜지스터(M11) 및 제1 방전 트랜지스터(M12)를 통해 제3 충전 노드(CN_C)의 전압(VB_C)을 제어함으로써, 제1 및 제2 트랜지스터(M1, M2), 제2 방전 트랜지스터(M21)가 열화되는 경우에도 제3 제어 라인(CL_C)의 충전 특성을 향상시킬 수 있고, 누설 전류의 발생을 방지할 수 있다. 결과적으로, 제3 다중화 회로(140C)는 제3 제어 라인(CL_C)의 전압(VA_C)을 기초로 턴-온되는 제3 스위칭 소자(S3)의 출력을 안정적으로 유지함으로써, 디스플레이 패널의 휘도가 저하되는 것을 방지하고 디스플레이 패널의 고해상도 화상을 구현할 수 있다.Accordingly, the
제3 역다중화 회로(140C)의 제3 승압부(143C)는 제3 제어 라인(CL_C)에 충전된 전압(VA_C)을 제3 보조 신호(CSW2)에 기초하여 부트스트래핑시키며, 제3 커패시터(C3)로 구성될 수 있다.The third booster 143C of the
제3 커패시터(C3)의 일단은 제3 보조 신호(CSW2)를 공급받고, 제3 커패시터(C3)의 타단은 제3 제어 라인(CL_C)과 연결된다.One end of the third capacitor C3 receives the third auxiliary signal CSW2 , and the other end of the third capacitor C3 is connected to the third control line CL_C.
제3 커패시터(C3)의 일단은 제3 보조 신호(CSW2)를 공급다고, 제3 커패시터(C3)의 타단은 제3 제어 라인(CL_C)과 연결된다.One end of the third capacitor C3 supplies the third auxiliary signal CSW2 , and the other end of the third capacitor C3 is connected to the third control line CL_C.
제3 커패시터(C3)의 일단으로 고전위 전압의 제3 보조 신호(CSW2)가 공급되는 시점은 제3 시분할 제어신호(CSW1)의 제1 천이 시점과 제2 천이 시점 사이에 해당할 수 있다.The time point at which the third auxiliary signal CSW2 of the high potential voltage is supplied to one end of the third capacitor C3 may correspond to between the first transition time and the second transition time of the third time division control signal CSW1 .
이와 같이, 제3 승압부(140C)는 제3 충전 제어부(141C)에 의해 유지되는 제3 제어 라인(CL_C)의 전압(VA_C)을 제3 보조 신호(CSW2)를 이용하여 부트스트랩핑 시킴으로써, 제3 시분할 제어신호(CSW1)의 전압보다 더 높은 전압으로 상승피켜 제3 스위칭 소자(S3)의 입력 전압을 안정적로 유지할 수 있다.As such, the
제3 역다중화 회로(140C)의 제3 방전부(145C)는 제3 제어 라인(CL_C)에 충전된 제3 전압(VA_C)을 방전시키며, 제2 트랜지스터(M2)로 구성될 수 있으며, 제2 방전 트랜지스터(M21)를 더 포함하여 제3 제어 라인(CL_C)에 충전된 제3 전압(VA_C)을 추가적으로 방전시킴으로써 방전 특성을 항샹시켜 누설 전류의 발생을 방지할 수 있다.The
제2 트랜지스터(M2)는 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 기초로 턴-온되어 제3 제어 라인(CL_C)에 충전된 제3 전압(VA_C)을 방전시킬 수 있고, 제2 방전 트랜지스터(M21)는 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 기초로 턴-온되어 제3 제어 라인(CL_C)에 충전된 제3 전압(VA_C)을 추가적으로 방전시킬 수 있다.The second transistor M2 is turned on based on the second time division control signal BSW1 to discharge the third voltage VA_C charged in the third control line CL_C, and the second discharge transistor M21 ) may be turned on based on the first time division control signal ASW1 to additionally discharge the third voltage VA_C charged in the third control line CL_C.
제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 공급받고, 제2 트랜지스터(M2)의 드레인 전극은 제3 제어 라인(CL_C)에 연결되고, 제2 트랜지스터(M2)의 소스 전극은 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 공급받는다.The gate electrode of the second transistor M2 receives the second time division control signal BSW1 , the drain electrode of the second transistor M2 is connected to the third control line CL_C, and the The source electrode receives the third time division control signal CSW1.
제2 방전 트랜지스터(M21)의 게이트 전극은 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 공급받고, 제2 방전 트랜지스터(M21)의 드레인 전극은 제3 제어 라인(CL_C)에 연결되고, 제2 방전 트랜지스터(M21)의 소스 전극은 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 공급받는다.The gate electrode of the second discharge transistor M21 is supplied with the first time division control signal ASW1, the drain electrode of the second discharge transistor M21 is connected to the third control line CL_C, and the second discharge transistor ( The source electrode of M21 receives the third time division control signal CSW1.
제2 트랜지스터(M2)의 드레인 전극 및 제2 방전 트랜지스터(M21)의 드레인 전극은 제3 제어 라인(CL_C)에 공통으로 연결되고, 제2 트랜지스터(M2)의 소스 전극 및 제2 방전 트랜지스터(M21)의 소스 전극은 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 공통으로 공급받는다.The drain electrode of the second transistor M2 and the drain electrode of the second discharge transistor M21 are commonly connected to the third control line CL_C, and the source electrode of the second transistor M2 and the second discharge transistor M21 are connected in common. ), the source electrode receives the third time division control signal CSW1 in common.
제2 트랜지스터(M2)는 저전위 전압의 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 소스 전극으로 공급받는 상태에서 고전위 전압의 제2 시분할 제어신호(BSW1)를 게이트 전극으로 공급받는 경우에 턴-온되어 제3 제어 라인(CL_C)에 충전된 제3 전압(VA_C)을 방전시킨다.The second transistor M2 is turned on when the second time division control signal BSW1 of the high potential voltage is supplied to the gate electrode while the third time division control signal CSW1 of the low potential voltage is supplied to the source electrode. to discharge the third voltage VA_C charged in the third control line CL_C.
제2 방전 트랜지스터(M21)는 저전위 전압의 제3 시분할 제어신호(CSW1)를 소스 전극으로 공급받는 상태에서 고전위 전압의 제1 시분할 제어신호(ASW1)를 게이트 전극으로 공급받는 경우에 턴-온되어 제3 제어 라인(CL_C)에 충전된 제3 전압(VA_C)을 추가적으로 방전시킨다.The second discharge transistor M21 is turned on when receiving the first time-division control signal ASW1 of the high potential voltage to the gate electrode while the third time-division control signal CSW1 of the low potential voltage is supplied to the source electrode. It is turned on to additionally discharge the third voltage VA_C charged in the third control line CL_C.
도 9는 도 2의 역다중화 회로부에 있어서 제1 내지 제3 역다중화를 포함하는 상게 구성을 나타내는 회로도이고, 도 10은 도 9의 역다중화 회로부로 공급되는 신호들, 충전 노드의 전압 및 제어 라인의 전압에 대한 파형을 도시한 도면이다.9 is a circuit diagram illustrating a configuration including first to third demultiplexing in the demultiplexing circuit unit of FIG. 2 , and FIG. 10 is a signal supplied to the demultiplexing circuit unit of FIG. 9 , a voltage of a charging node, and a control line It is a diagram showing a waveform with respect to the voltage of
도 9 및 10을 참조하면, 역다중화 회로부(140)는 제1 내지 제3 시분할 제어신호(ASW1, BSW1, CSW1)와 제1 내지 제3 보조 신호(ASW2, BSW2, CSW2)에 응답하여 제1 내지 제3 제어 라인(CL_A ~ CL_C)으로 제1 내지 제3 데이터 선택신호를 출력하고, 스위칭부(S-IC)는 입력부(I-IC)로부터의 3개의 데이터 선택신호에 응답하여 데이터 신호(DS)를 시분할하여 3개의 데이터 라인(DL1 ~ DL3)으로 분배한다.9 and 10, the
역다중화 회로부(140)는 제1 내지 제3 역다중화 회로(140A, 140B, 140C)로부터 출력되는 제1 내지 제 데이터 선택신호를 제1 내지 제3 제어 라인(CL_A ~ CL_C)을 통해 제1 내지 제3 스위칭 소자(S1 ~ S3)를 제어하여 소스 채널(SH)을 통해 공급되는 데이터 신호(DS)를 분할하여 3 서브 수평기간마다 제1 내지 제3 데이터 신호(DS1 ~ DS3)를 제1 내지 제3 데이터 라인(DL1 ~ DL3)으로 공급한다.The
역다중화 회로부(140)는 RGB-BGR 구현을 위해 2 수평기간(2H)을 하나의 주기(T)로 동작하되, 첫번째 수평기간 동안(t1)에는 서브 수평기간(SH1, SH2, SH3)마다 제1 내지 제3 역다중화 회로(140A, 140B, 140C)가 순차적으로 동작하고, 두번째 수평기간(t2) 동안에는 서브 수평기간(SH1, SH2, SH3)마다 제1 내지 제3 역다중화 회로(140A, 140B, 140C)가 역순으로 동작한다.The
이를 위해, 제1 내지 제3 역다중화 회로(140A, 140B, 140C)의 제어에 따라, 제1 수평기간(t1)에는 제1 데이터 라인(DL1), 제2 데이터 라인(DL2) 및 제3 데이터 라인(DL3)에 순차적으로 서브 수평기간분 데이터 신호(DS1, DS2, DS3)가 공급되고, 제2 수평기간(t2)에는 제3 데이터 라인(DL3), 제2 데이터 라인(DL2) 및 제1 데이터 라인(DL1)에 순차적으로 서브 수평기간분 데이터 신호(D3, D2, D1)가 공급된다.To this end, in the first horizontal period t1 under the control of the first to
제1 역다중화 회로(140A)의 제어에 따라 제1 데이터 라인(DL1)으로 공급되는 제1 데이터 신호(DS1)는 적색 광 계조 정보를 포함하고, 제2 역다중화 회로(140B)의 제어에 따라 제2 데이터 라인(DL2)으로 공급되는 제2 데이터 신호(DS2)는 녹색 광 계조 정보를 포함하고, 제3 역다중화 회로(140C)의 제어에 따라 제3 데이터 라인(DL3)으로 공급되는 제3 데이터 신호(DS3)는 청색 광 계조 정보를 포함한다.The first data signal DS1 supplied to the first data line DL1 under the control of the
따라서, 역다중화 회로부(140)는 주기(T) 내 첫번째 1 수평기간(t1)의 제1 내지 제3 서브 수평기간 동안 RGB를 구현하고, 두번째 1 수평기간(t2)의 제1 내지 제3 서브 수평기간 동안 BGR을 구현한다.Accordingly, the
이에 따라, 역다중화 회로부(140)는 제2 데이터 신호(DS2)를 1 서브 수평기간(1H) 동안 제2 데이터 라인(DL2)으로 공급하고, 제1 및 제3 데이터 신호(DS1, DS3)를 2 서브 수평기간 동안 제1 및 제3 데이터 라인(DL1, DL3)으로 공급한다.Accordingly, the
제1 역다중화 회로(140A)는 2 서브 수평기간에 상응하는 턴-온 구간(T1)을 갖는 제1 시분할 제어신호(ASW1)에 응답하여 제1 데이터 신호(DS1)를 제1 데이터 라인(DL1)으로 공급하고, 제2 역다중화 회로(140B)는 1 서브 수평기간에 상응하는 턴-온 구간(T2)을 갖는 제2 시분할 제어신호(BSW1)에 응답하여 제2 데이터 신호(DS2)를 제2 데이터 라인(DL2)으로 공급하고, 제3 다중화 회로(140C)는 2 서브 수평기간에 상응하는 턴-온 구간(T3)을 갖는 제3 시분할 제어신호(CSW1)에 응답하여 제3 데이터 신호(DS3)를 제3 데이터 라인(DL3)으로 공급한다.The
이때, 제1 및 제3 시분할 제어신호(ASW1, CSW1)의 주기는 6 서브 수평기간(2 수평기간)에 해당하고, 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 주기는 3 서브 수평기간(1 수평기간)에 해당하여, 제1 및 제3 시분할 제어신호(ASW1, CSW1)의 주기는 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 주기보다 2개 길다. In this case, the period of the first and third time division control signals ASW1 and CSW1 corresponds to 6 sub-horizontal periods (2 horizontal periods), and the period of the second time division control signal BSW1 corresponds to 3 sub-horizontal periods (one horizontal period). ), the period of the first and third time division control signals ASW1 and CSW1 is two longer than the period of the second time division control signal BSW1.
또한, 제1 및 제3 시분할 제어신호(ASW1, CSW1)의 턴-온 구간(T1, T3)은 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 턴-온 구간(T2)보다 길고, 제1 및 제3 보조 신호(ASW2, CSW2)의 턴-온 구간(T4, T6)은 제2 보조 신호(BSW2)의 턴-온 구간(T5)보다 길다.In addition, the turn-on periods T1 and T3 of the first and third time division control signals ASW1 and CSW1 are longer than the turn-on periods T2 of the second time division control signal BSW1, and the first and third The turn-on periods T4 and T6 of the auxiliary signals ASW2 and CSW2 are longer than the turn-on periods T5 of the second auxiliary signal BSW2.
제1 및 제3 시분할 제어신호(ASW1, CSW1)의 턴-온 구간(T1, T3)과, 제1 및 제3 보조 신호(ASW2, CSW2)의 턴-온 구간(T4, T6)은 2 서브 수평기간에 걸쳐 유지되고, 제2 시분할 제어신호(BSW1)의 턴-온 구간(T2)과 제2 보조 신호(BSW2)의 턴-온 구간(T5)은 1 서브 수평기간 내에서 유지된다.The turn-on periods T1 and T3 of the first and third time division control signals ASW1 and CSW1 and the turn-on periods T4 and T6 of the first and third auxiliary signals ASW2 and CSW2 are 2 sub It is maintained over a horizontal period, and the turn-on period T2 of the second time division control signal BSW1 and the turn-on period T5 of the second auxiliary signal BSW2 are maintained within one sub-horizontal period.
본 명세서에 따른 표시 장치는 아래와 같이 설명될 수 있다.A display device according to the present specification may be described as follows.
본 명세서의 일 실시 예에 따른 표시 장치는, 데이터 드라이버로부터 출력되는 데이터 신호를 제1 내지 제3 서브 수평기간으로 시분할하여 제1 내지 제3 데이터 라인으로 분배하는 역다중화 회로부를 포함한다.A display device according to an embodiment of the present specification includes a demultiplexing circuit unit that time-divisions a data signal output from a data driver into first to third sub-horizontal periods and distributes the data signal to first to third data lines.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 역다중화 회로부는 제1 내지 제3 시분할 제어신호 및 제1 내지 제3 보조 신호에 응답하여 제1 내지 제3 제어 라인으로 제1 내지 제3 데이터 선택신호를 출력하는 입력부, 및 3개의 데이터 선택신호에 응답하여 데이터를 시분할하여 제1 내지 제3 데이터 라인으로 분배하는 스위칭부를 포함하고, 제 1 및 제3 시분할 제어신호의 주기는 제2 시분할 제어신호의 주기보다 길다.According to an embodiment of the present specification, the demultiplexing circuit unit outputs the first to third data selection signals to the first to third control lines in response to the first to third time division control signals and the first to third auxiliary signals. and a switching unit for time-dividing data to first to third data lines in response to the three data selection signals, wherein the period of the first and third time-division control signals is greater than the period of the second time-division control signal. long.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 제1 내지 제3 보조 신호는 각각 제1 내지 제3 시분할 제어신호와 중첩하되, 제1 내지 제3 보조 신호의 턴-온 구간은 각각 제1 내지 제3 시분할 제어신호의 턴-온 구간보다 작다.According to an embodiment of the present specification, the first to third auxiliary signals overlap the first to third time division control signals, respectively, and the turn-on period of the first to third auxiliary signals is respectively the first to third time division control signals. It is smaller than the turn-on period of the control signal.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 제1 내지 제3 보조 신호 각각의 제1 천이 시점은 제1 내지 제3 시분할 제어신호 각각의 제1 천이 시점보다 늦고, 제1 내지 제3 보조 신호 각각의 제2 천이 시점은 제1 내지 제3 시분할 제어신호 각각의 제2 천이 시점과 동일한다.According to an embodiment of the present specification, the first transition time of each of the first to third auxiliary signals is later than the first transition time of each of the first to third time division control signals, and the second time of each of the first to third auxiliary signals The second transition time is the same as the second transition time of each of the first to third time division control signals.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 제1 및 제3 시분할 제어신호의 주기는 2 수평기간에 해당하고, 제2 시분할 제어신호의 주기는 1 수평기간에 해당한다.According to an embodiment of the present specification, the period of the first and third time division control signals corresponds to two horizontal periods, and the period of the second time division control signal corresponds to one horizontal period.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 제1 및 제3 시분할 제어신호는 2 서브 수평기간에 상응하는 턴-온 구간을 갖고, 제2 시분할 제어신호는 1 서브 수평기간에 상응하는 턴-온 구간을 갖는다.According to an embodiment of the present specification, the first and third time division control signals have a turn-on period corresponding to 2 sub-horizontal periods, and the second time division control signal has a turn-on period corresponding to 1 sub-horizontal period. have
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 역다중화 회로부는 2 수평기간을 한 주기로 하여 동작하고, 제1 수평기간의 3 서브 수평기간 동안 순차적으로 제1 내지 제3 데이터 신호를 제1 내지 제3 데이터 라인으로 공급하고, 제2 수평기간의 3 서브 수평기간 동안 순차적으로 제3 내지 제1 데이터 신호를 제3 내지 제1 데이터 라인으로 공급한다.According to an embodiment of the present specification, the demultiplexing circuit unit operates with two horizontal periods as one period, and sequentially transmits first to third data signals to the first to third data lines during three sub-horizontal periods of the first horizontal period. and sequentially supplying the third to first data signals to the third to first data lines during three sub-horizontal periods of the second horizontal period.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 역다중화 회로부는 2 수평기간을 한 주기로 하여 동작하고, 제2 수평기간 동안 제1 데이터 신호를 제1 데이터 라인으로 공급하고, 제1 수평기간 동안 제2 데이터 신호를 제2 데이터 라인으로 공급하고, 제2 수평기간 동안 제3 데이터 신호를 제3 데이터 라인으로 공급한다.According to an embodiment of the present specification, the demultiplexing circuit unit operates with two horizontal periods as one cycle, supplies a first data signal to the first data line during a second horizontal period, and provides a second data signal during the first horizontal period. is supplied to the second data line, and a third data signal is supplied to the third data line during the second horizontal period.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 역다중화 회로부는 2 서브 수평기간 동안, 제1 시분할 제어신호의 제1 천이 시점에 제1 제어 라인을 충전시키고, 제1 시분할 제어신호와 중첩하는 제1 보조 신호의 제1 천이 시점에 제1 제어 라인의 제1 제어 전압을 부트스트래핑시키고, 제2 시분할 제어신호의 제1 천이 시점에 제1 제어 라인의 제1 제어 전압을 방전시킨다.According to an embodiment of the present specification, the demultiplexing circuit unit charges the first control line at the first transition time of the first time division control signal for 2 sub-horizontal periods, and the first auxiliary signal overlaps the first time division control signal. The first control voltage of the first control line is bootstrapped at the first transition time of , and the first control voltage of the first control line is discharged at the first transition time of the second time division control signal.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 역다중화 회로부는 1 서브 수평기간 동안, 제2 시분할 제어신호의 제1 천이 시점에 제2 제어 라인을 충전시키고, 제2 시분할 제어신호와 중첩하는 제2 보조 신호의 제1 천이 시점에 제2 제어 라인의 제2 제어 전압을 부트스트래핑시키고, 제3 시분할 제어신호의 제1 천이 시점에 제2 제어 라인의 제2 제어 전압을 방전시킨다.According to an embodiment of the present specification, the demultiplexing circuit unit charges the second control line at the first transition time of the second time division control signal for one sub-horizontal period, and a second auxiliary signal overlapping the second time division control signal. The second control voltage of the second control line is bootstrapped at the first transition time of , and the second control voltage of the second control line is discharged at the first transition time of the third time division control signal.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 역다중화 회로부는 2 서브 수평기간 동안, 제3 시분할 제어신호의 제1 천이 시점에 제3 제어 라인을 충전시키고, 제3 시분할 제어신호와 중첩하는 제3 보조 신호의 제1 천이 시점에 제3 제어 라인의 제3 제어 전압을 부트스트래핑시키고, 제2 시분할 제어신호의 제1 천이 시점에 제3 제어 라인의 제3 제어 전압을 방전시킨다.According to an embodiment of the present specification, the demultiplexing circuit unit charges the third control line at the first transition time of the third time division control signal during the 2 sub-horizontal period, and the third auxiliary signal overlaps the third time division control signal. The third control voltage of the third control line is bootstrapped at the first transition time of , and the third control voltage of the third control line is discharged at the first transition time of the second time division control signal.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 입력부는, 제1 내지 제3 시분할 제어신호와, 제1 및 제3 보조 신호에 응답하여 제1 제어 라인의 제1 제어 전압을 제어하는 제1 역다중화 회로, 제1 내지 제3 시분할 제어신호와 제1 내지 제3 보조 신호에 응답하여 제2 제어 라인의 제2 제어 전압을 제어하는 제2 역다중화 회로, 및 제1 내지 제3 시분할 제어신호와, 제2 및 제3 보조 신호에 응답하여 제3 제어 라인의 제3 제어 전압을 제어하는 제3 역다중화 회로를 포함한다.According to an embodiment of the present specification, the input unit includes: a first demultiplexing circuit for controlling a first control voltage of a first control line in response to first to third time division control signals and first and third auxiliary signals; a second demultiplexing circuit for controlling the second control voltage of the second control line in response to the first to third time division control signals and the first to third auxiliary signals, and the first to third time division control signals and the second and a third demultiplexing circuit for controlling a third control voltage of the third control line in response to the third auxiliary signal.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 제1 역다중화 회로는, 제1 및 제2 시분할 제어신호와, 제1 및 제3 보조 신호에 응답하여 제1 제어 라인에 제1 제어 전압을 충전하는 제1 충전 제어부, 제1 보조 신호에 기초하여 제1 제어 라인의 제1 제어 전압을 부트스트랩핑시키는 제1 승압부, 및 제1 및 제2 시분할 제어신호에 응답하여 제1 제어 라인의 제1 제어 전압을 방전시키는 제1 방전부를 포함한다.According to an embodiment of the present specification, the first demultiplexing circuit includes a first for charging a first control voltage in a first control line in response to first and second time division control signals and first and third auxiliary signals. The charging control unit, the first boosting unit for bootstrapping the first control voltage of the first control line based on the first auxiliary signal, and the first control voltage of the first control line in response to the first and second time division control signals It includes a first discharge unit for discharging.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 제1 충전 제어부는, 제1 충전 노드 상의 제1 충전 전압을 기초로 턴-온되어 제1 제어 라인으로 제1 시분할 제어신호를 공급하는 제1 트랜지스터, 제3 보조 신호를 기초로 턴-온되어 제3 보조 신호를 제1 충전 노드로 공급하는 충전 트랜지스터, 및 제1 보조 신호를 기초로 턴-온되어 제1 충전 노드의 제1 충전 전압을 방전시키는 제1 방전 트랜지스터를 포함한다.According to an embodiment of the present specification, the first charging control unit is turned on based on the first charging voltage on the first charging node to supply the first time division control signal to the first control line, the first transistor, the third The charging transistor is turned on based on the auxiliary signal to supply the third auxiliary signal to the first charging node, and the first charging transistor is turned on based on the first auxiliary signal to discharge the first charging voltage of the first charging node. It includes a discharge transistor.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 제1 방전부는, 제2 시분할 제어신호를 기초로 턴-온되어 제1 제어 노드의 제1 제어 전압을 방전시키는 제2 트랜지스터를 포함한다.According to an embodiment of the present specification, the first discharge unit includes a second transistor that is turned on based on the second time division control signal to discharge the first control voltage of the first control node.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 제2 역다중화 회로는, 제2 및 제3 시분할 제어신호와, 제1 내지 제3 보조 신호에 응답하여 제2 제어 라인에 제2 제어 전압을 충전하는 제2 충전 제어부, 제2 보조 신호에 기초하여 제2 제어 라인의 제2 제어 전압을 부트스트래핑시키는 제2 승압부, 및 제2 및 제3 시분할 제어신호에 응답하여 제2 제어 라인의 제2 제어 전압을 방전시키는 제2 방전부를 포함한다.According to an embodiment of the present specification, the second demultiplexing circuit is configured to charge a second control voltage to a second control line in response to second and third time division control signals and first to third auxiliary signals. The charging control unit, a second boosting unit for bootstrapping the second control voltage of the second control line based on the second auxiliary signal, and the second control voltage of the second control line in response to the second and third time division control signals and a second discharging unit for discharging.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 제2 충전 제어부는, 제2 충전 노드 상의 제2 충전 전압을 기초로 턴-온되어 제2 제어 라인으로 제1 시분할 제어신호를 공급하는 제1 트랜지스터, 제1 보조 신호를 기초로 턴-온되어 제1 보조 신호를 제2 충전 노드로 공급하는 제1 충전 트랜지스터, 제3 보조 신호를 기초로 턴-온되어 제3 보조 신호를 제2 충전 노드로 공급하는 제2 충전 트랜지스터, 및 제2 보조 신호를 기초로 턴-온되어 제2 충전 노드의 제2 충전 전압을 방전시키는 제1 방전 트랜지스터를 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the second charging control unit is turned on based on the second charging voltage on the second charging node, the first transistor supplying the first time division control signal to the second control line, the first The first charging transistor is turned on based on the auxiliary signal to supply the first auxiliary signal to the second charging node, and the first charging transistor is turned on based on the third auxiliary signal to supply the third auxiliary signal to the second charging node. 2 charging transistors, and a first discharging transistor turned on based on the second auxiliary signal to discharge a second charging voltage of the second charging node.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 제2 방전부는 제3 시분할 제어신호를 기초로 턴-온되어 제2 제어 라인의 제2 제어 전압을 방전시키는 제2 트랜지스터를 포함한다.According to an embodiment of the present specification, the second discharge unit includes a second transistor that is turned on based on the third time division control signal to discharge the second control voltage of the second control line.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 제3 역다중화 회로는, 제2 및 제3 시분할 제어신호와, 제2 및 제3 보조 신호에 응답하여 제3 제어 라인의 제3 제어 전압을 충전하는 제3 충전 제어부, 제3 보조 신호에 기초하여 제3 제어 라인의 제3 제어 전압을 부트스트래핑시키는 제3 승압부, 및 제2 및 제3 시분할 제어신호에 응답하여 제3 제어 라인의 제3 제어 전압을 방전시키는 제3 방전부를 포함한다.According to an embodiment of the present specification, the third demultiplexing circuit is configured to charge the third control voltage of the third control line in response to the second and third time division control signals and the second and third auxiliary signals. The charging control unit, a third boosting unit for bootstrapping the third control voltage of the third control line based on the third auxiliary signal, and the third control voltage of the third control line in response to the second and third time division control signals and a third discharging unit for discharging.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 제3 충전 제어부는, 제3 충전 노드 상의 제3 충전 전압을 기초로 턴-온되어 제3 제어 라인으로 제3 시분할 제어신호를 공급하는 제1 트랜지스터, 제2 보조 신호를 기초로 턴-온되어 제2 보조 신호를 제3 충전 노드로 공급하는 충전 트랜지스터, 및 제3 보조 신호를 기초로 턴-온되어 제3 충전 노드의 제3 충전 전압을 방전시키는 제1 방전 트랜지스터를 포함한다.According to an embodiment of the present specification, the third charging control unit is turned on based on the third charging voltage on the third charging node to supply the third time division control signal to the third control line, the first transistor, the second The charging transistor is turned on based on the auxiliary signal to supply the second auxiliary signal to the third charging node, and the first charging transistor is turned on based on the third auxiliary signal to discharge the third charging voltage of the third charging node. It includes a discharge transistor.
본 명세서의 일 실시 예에 따르면, 제3 방전부는 제1 시분할 제어신호를 기초로 턴-온되어 제3 제어 라인의 제3 제어 전압을 방전시키는 제2 트랜지스터를 포함한다.According to an embodiment of the present specification, the third discharge unit includes a second transistor that is turned on based on the first time division control signal to discharge the third control voltage of the third control line.
상술한 본 명세서의 다양한 예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 명세서의 적어도 하나의 예에 포함되며, 반드시 하나의 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 본 명세서의 적어도 하나의 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 본 명세서의 기술 사상이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 명세서의 기술 범위 또는 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in various examples of the present specification are included in at least one example of the present specification, and are not necessarily limited to only one example. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in at least one example of the present specification can be combined or modified with respect to other examples by those of ordinary skill in the art to which the technical idea of the present specification pertains. Therefore, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the technical scope or scope of the present specification.
이상에서 설명한 본 명세서는 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 명세서의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 명세서의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 명세서의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present specification described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the technical field to which this specification belongs that various substitutions, modifications, and changes are possible without departing from the technical spirit of the present specification. It will be clear to those who have the knowledge of Therefore, the scope of the present specification is indicated by the following claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present specification.
110 : 표시패널
120 : 데이터 드라이버
130 : 게이트 드라이버
140 역다중화 회로부
140A, 140B, 140C : 역다중화 회로
141A, 141B, 141C : 충전 제어부
143A, 143B, 143C : 승압부
145A, 145B, 145C : 방전부
I-IC : 입력부
S-IC : 스위칭부
S1, S2, S3 : 스위칭 소자110: display panel
120: data driver
130: gate driver
140 Demultiplex circuit part
140A, 140B, 140C: Demultiplex circuit
141A, 141B, 141C: charging control unit
143A, 143B, 143C: step-up unit
145A, 145B, 145C: Discharge part
I-IC: input
S-IC : Switching part
S1, S2, S3: switching element
Claims (20)
상기 역다중화 회로부는,
제1 내지 제3 시분할 제어신호 및 제1 내지 제3 보조 신호에 응답하여 제1 내지 제3 제어 라인으로 제1 내지 제3 데이터 선택신호를 출력하는 입력부; 및
상기 3개의 데이터 선택신호에 응답하여 상기 데이터 신호를 시분할하여 제1 내지 제3 데이터 라인으로 분배하는 스위칭부를 포함하고,
상기 제 1 및 제3 시분할 제어신호의 주기는 상기 제2 시분할 제어신호의 주기보다 긴, 표시 장치.a demultiplexing circuit unit for time-dividing the data signal output from the data driver into first to third sub-horizontal periods and distributing it to first to third data lines;
The demultiplexing circuit unit,
an input unit for outputting first to third data selection signals to first to third control lines in response to first to third time division control signals and first to third auxiliary signals; and
a switching unit for time-dividing the data signal in response to the three data selection signals and distributing it to first to third data lines;
and a period of the first and third time division control signals is longer than a period of the second time division control signal.
상기 제1 내지 제3 보조 신호는 각각 상기 제1 내지 제3 시분할 제어신호와 중첩하되, 상기 제1 내지 제3 보조 신호의 턴-온 구간은 각각 상기 제1 내지 제3 시분할 제어신호의 턴-온 구간보다 작은, 표시 장치.The method of claim 1,
The first to third auxiliary signals overlap the first to third time division control signals, respectively, and the turn-on period of the first to third auxiliary signals is the turn-on period of the first to third time division control signals. Smaller than the on interval, the display device.
상기 제1 내지 제3 보조 신호 각각의 제1 천이 시점은 상기 제1 내지 제3 시분할 제어신호 각각의 제1 천이 시점보다 늦고, 상기 제1 내지 제3 보조 신호 각각의 제2 천이 시점은 상기 제1 내지 제3 시분할 제어신호 각각의 제2 천이 시점과 동일한, 표시 장치.The method of claim 1,
A first transition time of each of the first to third auxiliary signals is later than a first transition time of each of the first to third time division control signals, and a second transition time of each of the first to third auxiliary signals is the second transition time of the first to third auxiliary signals. The display device is identical to the second transition time of each of the first to third time division control signals.
상기 제1 및 제3 시분할 제어신호의 주기는 2 수평기간에 해당하고, 상기 제2 시분할 제어신호의 주기는 1 수평기간에 해당하는, 표시 장치.The method of claim 1,
A period of the first and third time division control signals corresponds to two horizontal periods, and a period of the second time division control signal corresponds to one horizontal period.
상기 제1 및 제3 시분할 제어신호는 2 서브 수평기간에 상응하는 턴-온 구간을 갖고, 상기 제2 시분할 제어신호는 1 서브 수평기간에 상응하는 턴-온 구간을 갖는, 표시 장치.The method of claim 1,
The first and third time division control signals have a turn-on period corresponding to two sub-horizontal periods, and the second time-division control signal has a turn-on period corresponding to one sub-horizontal period.
상기 역다중화 회로부는 2 수평기간을 한 주기로 하여 동작하고, 제1 수평기간의 3 서브 수평기간 동안 순차적으로 제1 내지 제3 데이터 신호를 상기 제1 내지 제3 데이터 라인으로 공급하고, 제2 수평기간의 3 서브 수평기간 동안 순차적으로 상기 제3 내지 제1 데이터 신호를 상기 제3 내지 제1 데이터 라인으로 공급하는, 표시 장치.The method of claim 1,
The demultiplexing circuit unit operates with two horizontal periods as one period, and sequentially supplies first to third data signals to the first to third data lines during three sub-horizontal periods of the first horizontal period, and and sequentially supplying the third to first data signals to the third to first data lines during three sub-horizontal periods of a period.
상기 역다중화 회로부는 2 수평기간을 한 주기로 하여 동작하고, 제2 수평기간 동안 제1 데이터 신호를 상기 제1 데이터 라인으로 공급하고, 제1 수평기간 동안 제2 데이터 신호를 상기 제2 데이터 라인으로 공급하고, 제2 수평기간 동안 제3 데이터 신호를 상기 제3 데이터 라인으로 공급하는, 표시 장치.The method of claim 1,
The demultiplexing circuit unit operates with two horizontal periods as one period, supplies a first data signal to the first data line during a second horizontal period, and transmits a second data signal to the second data line during a first horizontal period. and supplying a third data signal to the third data line during a second horizontal period.
상기 역다중화 회로부는 2 서브 수평기간 동안, 상기 제1 시분할 제어신호의 제1 천이 시점에 상기 제1 제어 라인을 충전시키고, 상기 제1 시분할 제어신호와 중첩하는 상기 제1 보조 신호의 제1 천이 시점에 상기 제1 제어 라인의 제1 제어 전압을 부트스트래핑시키고, 상기 제2 시분할 제어신호의 제1 천이 시점에 상기 제1 제어 라인의 상기 제1 제어 전압을 방전시키는, 표시 장치.The method of claim 1,
The demultiplexing circuit unit charges the first control line at a first transition point of the first time division control signal for 2 sub-horizontal periods, and a first transition of the first auxiliary signal overlaps with the first time division control signal bootstrapping the first control voltage of the first control line at a time point and discharging the first control voltage of the first control line at a first transition time point of the second time division control signal.
상기 역다중화 회로부는 1 서브 수평기간 동안, 상기 제2 시분할 제어신호의 제1 천이 시점에 상기 제2 제어 라인을 충전시키고, 상기 제2 시분할 제어신호와 중첩하는 상기 제2 보조 신호의 제1 천이 시점에 상기 제2 제어 라인의 제2 제어 전압을 부트스트래핑시키고, 상기 제3 시분할 제어신호의 제1 천이 시점에 상기 제2 제어 라인의 상기 제2 제어 전압을 방전시키는, 표시 장치.The method of claim 1,
The demultiplexing circuit unit charges the second control line at a first transition point of the second time division control signal for one sub-horizontal period, and a first transition of the second auxiliary signal overlaps with the second time division control signal. Bootstrapping the second control voltage of the second control line at a timing point and discharging the second control voltage of the second control line at a first transition point of the third time division control signal.
상기 역다중화 회로부는 2 서브 수평기간 동안, 상기 제3 시분할 제어신호의 제1 천이 시점에 상기 제3 제어 라인을 충전시키고, 상기 제3 시분할 제어신호와 중첩하는 상기 제3 보조 신호의 제1 천이 시점에 상기 제3 제어 라인의 제3 제어 전압을 부트스트래핑시키고, 상기 제2 시분할 제어신호의 제1 천이 시점에 상기 제3 제어 라인의 상기 제3 제어 전압을 방전시키는, 표시 장치.The method of claim 1,
The demultiplexing circuit unit charges the third control line at a first transition time of the third time division control signal for 2 sub-horizontal periods, and a first transition of the third auxiliary signal overlaps with the third time division control signal Bootstrapping the third control voltage of the third control line at a time point and discharging the third control voltage of the third control line at a first transition time point of the second time division control signal.
상기 입력부는,
상기 제1 내지 제3 시분할 제어신호와, 상기 제1 및 제3 보조 신호에 응답하여 상기 제1 제어 라인의 제1 제어 전압을 제어하는 제1 역다중화 회로;
상기 제1 내지 제3 시분할 제어신호와, 상기 제1 내지 제3 보조 신호에 응답하여 상기 제2 제어 라인의 제2 제어 전압을 제어하는 제2 역다중화 회로; 및
상기 제1 내지 제3 시분할 제어신호와, 상기 제2 및 제3 보조 신호에 응답하여 상기 제3 제어 라인의 제3 제어 전압을 제어하는 제3 역다중화 회로를 포함하는, 표시 장치.The method of claim 1,
The input unit,
a first demultiplexing circuit for controlling a first control voltage of the first control line in response to the first to third time division control signals and the first and third auxiliary signals;
a second demultiplexing circuit for controlling a second control voltage of the second control line in response to the first to third time division control signals and the first to third auxiliary signals; and
and a third demultiplexing circuit configured to control a third control voltage of the third control line in response to the first to third time division control signals and the second and third auxiliary signals.
상기 제1 역다중화 회로는,
상기 제1 및 제2 시분할 제어신호와, 상기 제1 및 제3 보조 신호에 응답하여상기 제1 제어 라인에 상기 제1 제어 전압을 충전하는 제1 충전 제어부;
상기 제1 보조 신호에 기초하여 상기 제1 제어 라인의 상기 제1 제어 전압을 부트스트랩핑시키는 제1 승압부; 및
상기 제1 및 제2 시분할 제어신호에 응답하여 상기 제1 제어 라인의 상기 제1 제어 전압을 방전시키는 제1 방전부를 포함하는, 표시 장치.12. The method of claim 11,
The first demultiplexing circuit comprises:
a first charging control unit configured to charge the first control voltage to the first control line in response to the first and second time division control signals and the first and third auxiliary signals;
a first booster configured to bootstrap the first control voltage of the first control line based on the first auxiliary signal; and
and a first discharge unit configured to discharge the first control voltage of the first control line in response to the first and second time division control signals.
상기 제1 충전 제어부는,
제1 충전 노드 상의 제1 충전 전압을 기초로 턴-온되어 상기 제1 제어 라인으로 상기 제1 시분할 제어신호를 공급하는 제1 트랜지스터;
상기 제3 보조 신호를 기초로 턴-온되어 상기 제3 보조 신호를 상기 제1 충전 노드로 공급하는 충전 트랜지스터; 및
상기 제1 보조 신호를 기초로 턴-온되어 상기 제1 충전 노드의 상기 제1 충전 전압을 방전시키는 제1 방전 트랜지스터를 포함하는, 표시 장치.13. The method of claim 12,
The first charging control unit,
a first transistor turned on based on a first charging voltage on a first charging node to supply the first time division control signal to the first control line;
a charging transistor turned on based on the third auxiliary signal to supply the third auxiliary signal to the first charging node; and
and a first discharging transistor turned on based on the first auxiliary signal to discharge the first charging voltage of the first charging node.
상기 제1 방전부는, 상기 제2 시분할 제어신호를 기초로 턴-온되어 상기 제1 제어 노드의 상기 제1 제어 전압을 방전시키는 제2 트랜지스터를 포함하는, 표시 장치.13. The method of claim 12,
and the first discharge unit includes a second transistor that is turned on based on the second time division control signal to discharge the first control voltage of the first control node.
상기 제2 역다중화 회로는,
상기 제2 및 제3 시분할 제어신호와, 상기 제1 내지 제3 보조 신호에 응답하여 상기 제2 제어 라인에 상기 제2 제어 전압을 충전하는 제2 충전 제어부;
상기 제2 보조 신호에 기초하여 상기 제2 제어 라인의 상기 제2 제어 전압을 부트스트래핑시키는 제2 승압부; 및
상기 제2 및 제3 시분할 제어신호에 응답하여 상기 제2 제어 라인의 상기 제2 제어 전압을 방전시키는 제2 방전부를 포함하는, 표시 장치.12. The method of claim 11,
The second demultiplexing circuit comprises:
a second charging control unit configured to charge the second control voltage to the second control line in response to the second and third time division control signals and the first to third auxiliary signals;
a second booster configured to bootstrap the second control voltage of the second control line based on the second auxiliary signal; and
and a second discharge unit configured to discharge the second control voltage of the second control line in response to the second and third time division control signals.
상기 제2 충전 제어부는,
제2 충전 노드 상의 제2 충전 전압을 기초로 턴-온되어 상기 제2 제어 라인으로 상기 제1 시분할 제어신호를 공급하는 제1 트랜지스터;
상기 제1 보조 신호를 기초로 턴-온되어 상기 제1 보조 신호를 상기 제2 충전 노드로 공급하는 제1 충전 트랜지스터;
상기 제3 보조 신호를 기초로 턴-온되어 상기 제3 보조 신호를 상기 제2 충전 노드로 공급하는 제2 충전 트랜지스터; 및
상기 제2 보조 신호를 기초로 턴-온되어 상기 제2 충전 노드의 상기 제2 충전 전압을 방전시키는 제1 방전 트랜지스터를 포함하는, 표시 장치.16. The method of claim 15,
The second charging control unit,
a first transistor turned on based on a second charging voltage on a second charging node to supply the first time division control signal to the second control line;
a first charging transistor turned on based on the first auxiliary signal to supply the first auxiliary signal to the second charging node;
a second charging transistor turned on based on the third auxiliary signal to supply the third auxiliary signal to the second charging node; and
and a first discharging transistor turned on based on the second auxiliary signal to discharge the second charging voltage of the second charging node.
상기 제2 방전부는 상기 제3 시분할 제어신호를 기초로 턴-온되어 상기 제2 제어 라인의 상기 제2 제어 전압을 방전시키는 제2 트랜지스터를 포함하는, 표시 장치.16. The method of claim 15,
and a second transistor that is turned on based on the third time division control signal to discharge the second control voltage of the second control line.
상기 제3 역다중화 회로는,
상기 제2 및 제3 시분할 제어신호와, 상기 제2 및 제3 보조 신호에 응답하여상기 제3 제어 라인의 상기 제3 제어 전압을 충전하는 제3 충전 제어부;
상기 제3 보조 신호에 기초하여 상기 제3 제어 라인의 상기 제3 제어 전압을 부트스트래핑시키는 제3 승압부; 및
상기 제2 및 제3 시분할 제어신호에 응답하여 상기 제3 제어 라인의 상기 제3 제어 전압을 방전시키는 제3 방전부를 포함하는, 표시 장치.12. The method of claim 11,
The third demultiplexing circuit comprises:
a third charging control unit configured to charge the third control voltage of the third control line in response to the second and third time division control signals and the second and third auxiliary signals;
a third booster configured to bootstrap the third control voltage of the third control line based on the third auxiliary signal; and
and a third discharge unit configured to discharge the third control voltage of the third control line in response to the second and third time division control signals.
상기 제3 충전 제어부는,
제3 충전 노드 상의 제3 충전 전압을 기초로 턴-온되어 상기 제3 제어 라인으로 상기 제3 시분할 제어신호를 공급하는 제1 트랜지스터;
상기 제2 보조 신호를 기초로 턴-온되어 상기 제2 보조 신호를 상기 제3 충전 노드로 공급하는 충전 트랜지스터; 및
상기 제3 보조 신호를 기초로 턴-온되어 상기 제3 충전 노드의 상기 제3 충전 전압을 방전시키는 제1 방전 트랜지스터를 포함하는, 표시 장치.19. The method of claim 18,
The third charging control unit,
a first transistor turned on based on a third charging voltage on a third charging node to supply the third time division control signal to the third control line;
a charging transistor turned on based on the second auxiliary signal to supply the second auxiliary signal to the third charging node; and
and a first discharging transistor turned on based on the third auxiliary signal to discharge the third charging voltage of the third charging node.
상기 제3 방전부는 상기 제1 시분할 제어신호를 기초로 턴-온되어 상기 제3 제어 라인의 상기 제3 제어 전압을 방전시키는 제2 트랜지스터를 포함하는, 표시 장치.20. The method of claim 19,
and a second transistor turned on based on the first time division control signal to discharge the third control voltage of the third control line.
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