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KR20210023750A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템 - Google Patents

기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템 Download PDF

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KR20210023750A
KR20210023750A KR1020200104610A KR20200104610A KR20210023750A KR 20210023750 A KR20210023750 A KR 20210023750A KR 1020200104610 A KR1020200104610 A KR 1020200104610A KR 20200104610 A KR20200104610 A KR 20200104610A KR 20210023750 A KR20210023750 A KR 20210023750A
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grinding
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사토시 오카와
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판에 대한 웨트 에칭을 적절히 행하여, 기판 두께의 면내 균일성을 향상시킨다. 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 상기 기판의 하나의 면을 연삭하는 것과, 상기 기판의 두께를 측정하는 것과, 상기 하나의 면을 웨트 에칭하는 것과, 상기 기판의 반전 후, 당해 기판의 다른 면을 웨트 에칭하는 것을 포함하고, 상기 하나의 면의 웨트 에칭에 있어서는, 상기 두께의 측정 결과에 기초하여 상기 기판의 면내 두께를 일치시키고, 상기 다른 면의 웨트 에칭에 있어서는, 상기 기판의 두께를 목표 두께까지 감소시킨다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템 {SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
본 개시는 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는 실리콘 단결정 잉곳을 슬라이스하여 얻어진 웨이퍼의 에칭 방법이 개시되어 있다. 이 에칭 방법에서는, 에칭액 공급 노즐을 복수 마련하여 웨이퍼 상면의 중앙부와 외주부에서 공급하는 에칭액의 유량을 바꿈으로써 웨이퍼 면내의 에칭량을 제어하여, 웨이퍼 상면을 효율적으로 높은 평탄도로 하는 것을 도모하고 있다.
국제공개공보 2007/088755호
본 개시에 따른 기술은, 기판에 대한 웨트 에칭을 적절히 행하여, 기판 두께의 면내 균일성을 향상시킨다.
본 개시의 일태양은 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 상기 기판의 하나의 면을 연삭하는 것과, 상기 기판의 두께를 측정하는 것과, 상기 하나의 면을 웨트 에칭하는 것과, 상기 기판의 반전 후, 상기 기판의 다른 면을 웨트 에칭하는 것을 포함하고, 상기 하나의 면의 웨트 에칭에 있어서는, 상기 두께의 측정 결과에 기초하여 상기 기판의 면내 두께를 일치시키고, 상기 다른 면의 웨트 에칭에 있어서는, 상기 기판의 두께를 목표 두께까지 감소시킨다.
본 개시에 따르면, 기판에 대한 웨트 에칭을 적절히 행하여, 기판 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 웨이퍼 처리 시스템의 구성의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 웨이퍼 처리 시스템의 구성의 일례를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 3은 에칭 장치의 구성의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 4는 에칭 장치의 구성의 일례를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 5는 유지 부재의 구성의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 6은 웨이퍼 처리의 주요 공정의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 7은 웨이퍼 처리의 주요 공정의 일례를 나타내는 설명도이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 일반적으로 잉곳으로부터 잘라내, 슬라이스하여 얻어진 기판으로서의 웨이퍼에 대하여 디바이스를 형성하고, 형성된 디바이스 웨이퍼에 대하여 각종 처리를 실시하는 것이 행해진다. 그리고, 이러한 디바이스 웨이퍼에 대한 처리를 적절히 행하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 것이 행해지고 있다. 웨이퍼 표면의 평탄화 방법은 여러 가지가 있지만, 예를 들면 특허 문헌 1에 개시되는 바와 같이, 웨이퍼의 상면에 대하여 에칭액을 공급하는 방법 등이 있다.
그러나, 웨이퍼의 상면을 평탄화한 경우라도, 웨이퍼의 두께가 면내에서 균일하지 않은 경우, 적절히 웨이퍼 처리를 행할 수 없는 경우가 있다. 특허 문헌 1에는, 잉곳으로부터 얻어진 웨이퍼의 상면을 평탄화하는 것에 대해서는 기재가 있지만, 두께의 면내 균일성을 향상시키는 것에 대해서는 기재가 없으며, 이러한 관점에 있어서 개선의 여지가 있다.
본 개시에 따른 기술은, 기판에 대한 웨트 에칭을 적절히 행하여, 기판 두께의 면내 균일성을 적절히 향상시킨다. 이하, 기판 두께의 면내 균일성을 향상시키기 위한 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템으로서의 웨이퍼 처리 시스템, 및 기판 처리 방법으로서의 웨이퍼 처리 방법으로 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
먼저, 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 구성에 대하여 설명한다.
본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 상술한 바와 같이 잉곳으로부터 잘라내 얻어진 웨이퍼(W)에 대하여, 두께의 면내 균일성을 향상시키기 위한 처리를 행한다. 이하, 웨이퍼(W)의 상기 잘라낸 면을 편의적으로 표면(Wa), 이면(Wb)이라 칭하는 경우가 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 처리 시스템(1)은, 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다. 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 X축 부방향측으로부터 정방향측을 향해 배열되어 배치되어 있다. 반입반출 스테이션(2)은 예를 들면 외부와의 사이에서 복수의 웨이퍼(W)를 수용 가능한 카세트(C)가 반입반출된다. 처리 스테이션(3)은 웨이퍼(W)에 대하여 원하는 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 구비하고 있다.
반입반출 스테이션(2)에는 카세트 배치대(10)가 마련되어 있다. 도시의 예에서는, 카세트 배치대(10)에는 복수, 예를 들면 3 개의 카세트(C)를 Y축 방향으로 일렬로 배치 가능하게 되어 있다. 또한, 카세트 배치대(10)에 배치되는 카세트(C)의 개수는 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의로 결정할 수 있다.
반입반출 스테이션(2)에는, 카세트 배치대(10)의 X축 정방향측에 있어서, 당해 카세트 배치대(10)에 인접하여 웨이퍼 반송 영역(20)이 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(20)에는, Y축 방향으로 연신하는 반송로(21) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(22)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(22)는 웨이퍼(W)를 유지하여 반송하는, 2 개의 반송 암(23, 23)을 가지고 있다. 각 반송 암(23)은 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 반송 암(23)의 구성은 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의의 구성을 취할 수 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 장치(22)는 카세트 배치대(10)의 카세트(C), 및 후술하는 트랜지션 장치(30)에 대하여, 웨이퍼(W)를 반송 가능하게 구성되어 있다.
반입반출 스테이션(2)에는 웨이퍼 반송 영역(20)의 X축 정방향측에 있어서, 당해 웨이퍼 반송 영역(20)에 인접하여, 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 트랜지션 장치(30), 웨이퍼(W)의 표리면을 반전하기 위한 기판 반전부로서의 반전 장치(31)가, 적층되어 마련되어 있다.
처리 스테이션(3)에는 예를 들면 3 개의 처리 블록(G1 ~ G3)이 마련되어 있다. 제 1 처리 블록(G1), 제 2 처리 블록(G2) 및 제 3 처리 블록(G3)은 X축 부방향측(반입반출 스테이션(2)측)으로부터 정방향측에 이 순으로 배열되어 배치되어 있다.
제 1 처리 블록(G1)에는 에칭부로서의 에칭 장치(40), 세정 장치(41) 및 웨이퍼 반송 장치(50)가 마련되어 있다. 에칭 장치(40)는 제 1 처리 블록(G1)의 반입반출 스테이션(2)측에 있어서, X축 방향으로 2 열 또한 연직 방향에 3 단으로 마련되어 있다. 즉, 본 실시 형태에서는, 에칭 장치(40)는 6 개 마련되어 있다. 세정 장치(41)는 에칭 장치(40)의 X축 정방향측에 있어서, 연직 방향에 3 단으로 적층되어 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(50)는 에칭 장치(40) 및 세정 장치(41)의 Y축 정방향측에 배치되어 있다. 에칭 장치(40)의 상세한 구성에 대해서는 후술한다. 또한, 에칭 장치(40), 세정 장치(41) 및 웨이퍼 반송 장치(50)의 수 및 배치는 이에 한정되지 않는다.
에칭 장치(40)는 잘라낸 면인 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 및 이면(Wb)을 에칭한다. 예를 들면 표면(Wa) 또는 이면(Wb)에 대하여 에칭액(약액)을 공급하여, 당해 표면(Wa) 또는 이면(Wb)을 웨트 에칭한다. 에칭액에는 예를 들면 HF, HNO3, H3PO4, TMAH, Choline, KOH 등이 이용된다.
세정 장치(41)는 후술하는 가공 장치(80)에 있어서 연삭 처리된 웨이퍼(W)의 연삭면을 세정한다. 예를 들면 연삭면에 브러시를 접촉시켜, 당해 연삭면을 스크럽 세정한다. 또한 연삭면의 세정에는, 가압된 세정액을 이용해도 된다. 또한, 세정 장치(41)는 웨이퍼(W)를 세정할 시, 당해 웨이퍼(W)의 표리 양면을 동시에 세정 가능하게 구성되어 있어도 된다.
웨이퍼 반송 장치(50)는 웨이퍼(W)를 유지하여 반송하는, 2 개의 반송 암(51, 51)을 가지고 있다. 각 반송 암(51)은 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 반송 암(51)의 구성은 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의의 구성을 취할 수 있다. 웨이퍼 반송 장치(50)는 X축 방향으로 연신하는 반송로(52) 상을 이동 가능하다. 그리고, 웨이퍼 반송 장치(50)는 트랜지션 장치(30), 반전 장치(31), 제 1 처리 블록(G1) 및 제 2 처리 블록(G2)의 각 처리 장치에 대하여, 웨이퍼(W)를 반송 가능하게 구성되어 있다.
제 2 처리 블록(G2)에는 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 트랜지션 장치(60), 웨이퍼(W)의 표리면을 반전하기 위한 기판 반전부로서의 반전 장치(61), 및 웨이퍼 반송 장치(70)가 마련되어 있다. 트랜지션 장치(60)와 반전 장치(61)는 적층되어 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는 트랜지션 장치(60) 및 반전 장치(61)의 Y축 부방향측에 배치되어 있다. 또한, 트랜지션 장치(60), 반전 장치(61) 및 웨이퍼 반송 장치(70)의 수 및 배치는 이에 한정되지 않는다.
웨이퍼 반송 장치(70)는 웨이퍼(W)를 유지하여 반송하는, 2 개의 반송 암(71, 71)을 가지고 있다. 각 반송 암(71)은 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 반송 암(71)의 구성은 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의의 구성을 취할 수 있다. 또한, 웨이퍼 반송 장치(70)에 있어서의 반송 암(71)의 수도 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의의 수의 반송 암(71)을 마련할 수 있으며, 예를 들면 1 개여도 된다. 그리고, 제 1 처리 블록(G1) ~ 제 3 처리 블록(G3)의 각 처리 장치에 대하여, 웨이퍼(W)를 반송 가능하게 구성되어 있다.
제 3 처리 블록(G3)에는 연삭부로서의 가공 장치(80)가 마련되어 있다. 가공 장치(80)는 회전 테이블(81), 거친 연삭 유닛(82) 및 마무리 연삭 유닛(83)을 가지고 있다.
회전 테이블(81)은 회전 기구(도시하지 않음)에 의해, 연직인 회전 중심선(84)을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 회전 테이블(81) 상에는 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 척(85)이 4 개 마련되어 있다. 척(85)은 회전 테이블(81)과 동일 원주 상에 균등, 즉 90도마다 배치되어 있다. 4 개의 척(85)은 회전 테이블(81)이 회전함으로써, 전달 위치(A0) 및 가공 위치(A1, A2)로 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 척(85)은 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 회전 가능하게 구성되어 있다.
전달 위치(A0)는 회전 테이블(81)의 제 2 처리 블록(G2)측(X축 부방향측 또한 Y축 부방향측)의 위치이며, 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 전달 위치(A0)에는 척(85) 상에 유지된 웨이퍼(W)의 두께를 측정하기 위한 두께 측정부(86)가 배치된다. 제 1 가공 위치(A1)는 회전 테이블(81)의 X축 정방향측 또한 Y축 부방향측의 위치이며, 거친 연삭 유닛(82)이 배치된다. 제 2 가공 위치(A2)는 회전 테이블(81)의 X축 정방향측 또한 Y축 정방향측의 위치이며, 마무리 연삭 유닛(83)이 배치된다.
거친 연삭 유닛(82)에서는, 웨이퍼(W)의 잘라낸 면을 거친 연삭한다. 거친 연삭 유닛(82)은 환상 형상으로 회전 가능한 거친 연삭 숫돌(도시하지 않음)을 구비한 제 1 연삭부(82a)를 가지고 있다. 또한, 제 1 연삭부(82a)는 지주(支柱)(82b)를 따라 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 척(85)에 유지된 웨이퍼(W)의 연삭면을 연삭 숫돌에 접촉시킨 상태에서, 척(85)과 연삭 숫돌을 각각 회전시켜, 잘라낸 면을 거친 연삭한다.
마무리 연삭 유닛(83)에서는, 웨이퍼(W)의 잘라낸 면을 마무리 연삭한다. 마무리 연삭 유닛(83)은, 환상 형상으로 회전 가능한 마무리 연삭 숫돌(도시하지 않음)을 구비한 제 2 연삭부(83a)를 가지고 있다. 또한, 제 2 연삭부(83a)는, 지주(83b)에 따라 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 마무리 연삭 숫돌의 연마용 입자의 입도는, 거친 연삭 숫돌의 연마용 입자의 입도보다 작다. 그리고, 척(85)에 유지된 웨이퍼(W)의 연삭면을 연삭 숫돌에 접촉 시킨 상태로, 척(85)로 연삭 숫돌을 각각 회전시켜, 잘라낸 면을 마무리 연삭한다.
두께 측정부(86)는 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)의 두께의 면내 분포를 측정한다. 측정된 두께의 면내 분포는 후술하는 제어 장치(90)에 출력되어, 이후에 처리가 행해지는 다른 웨이퍼(W)의 연삭 조건(예를 들면 스테이지의 기울기 등)으로 피드백 제어된다. 또한 본 실시의 형태에 있어서는, 측정된 두께의 면내 분포는 에칭 장치(40)에 있어서 행해지는 웨트 에칭 처리의 프로세스 레시피, 파라미터의 최적화에 있어서도 사용된다.
이상의 웨이퍼 처리 시스템(1)에는, 제어부로서의 제어 장치(90)가 마련되어 있다. 제어 장치(90)는 예를 들면 CPU 및 메모리 등을 구비한 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는 상술한 각종 처리 장치 또는 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 웨이퍼 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로, 당해 기억 매체(H)로부터 제어 장치(90)에 인스톨된 것이어도 된다.
이어서, 상술한 에칭 장치(40)의 상세한 구성에 대하여 설명한다.
에칭 장치(40)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(100)를 가지고 있다. 처리 용기(100)의 웨이퍼 반송 장치(50)측의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입반출구(도시하지 않음)가 형성되고, 당해 반입반출구에는 개폐 셔터(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
처리 용기(100)의 내부에는, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 기구(110)가 마련되어 있다. 유지 기구(110)는 대략 원판 형상의 베이스(111)와, 베이스(111)의 외주부에 마련된 복수의 유지 부재(112)를 가지고 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이 유지 부재(112)의 측면에는, 웨이퍼(W)의 외연부를 감입하는 오목부(112a)가 형성되어 있다. 그리고, 도 4에 나타내는 바와 같이 복수의 유지 부재(112)에 의해 웨이퍼(W)가 유지된다. 또한, 유지 부재(112)는 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
베이스(111)의 중앙부에는 회전 기구(113)가 마련되어 있다. 회전 기구(113)는 회전 구동부(도시하지 않음)에 접속되고, 당해 회전 기구(113)에 의해, 베이스(111), 및 유지된 웨이퍼(W)가 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 회전 기구(113)는 중공으로 구성되어 있다.
베이스(111)의 주위에는 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아, 회수하는 컵(120)이 마련되어 있다. 컵(120)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(121)과, 컵(120) 내의 분위기를 진공 배기하여 배기하는 배기관(122)이 접속되어 있다.
도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이 베이스(111) 및 컵(120)의 상방에는, 제 1 암(130) 및 제 2 암(140)이 마련되어 있다.
제 1 암(130)에는, 웨이퍼(W)에 대하여 에칭액을 공급하는 스프레이 노즐로서의 2 유체 노즐(131)이 마련되어 있다. 또한, 제 1 암(130)에는 이동 기구(132)가 마련되어 있다. 제 1 암(130)은, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이 이동 기구(132)에 의해 수평 방향으로 회전 가능하게 구성되고, 또한 연직 방향으로 승강 가능하게 구성되어 있다.
2 유체 노즐(131)에는, 웨이퍼(W)에 대하여 에칭액을 공급하는 에칭액 공급관(133)과, 가스를 공급하는 가스 공급관(134)이 접속되어 있다. 에칭액 공급관(133)으로부터의 에칭액과 가스 공급관(134)으로부터의 가스는, 2 유체 노즐(131)의 내부에서 혼합된다.
에칭액 공급관(133)에는, 내부에 에칭액을 저류하는 에칭액 공급원(135)이 접속되어 있다. 또한 에칭액 공급관(133)에는, 에칭액의 공급을 제어하는 밸브(133v)가 마련되어 있다.
가스 공급관(134)에는 내부에 가스, 예를 들면 질소 등의 불활성 가스를 저류하는 가스 공급원(136)이 접속되어 있다. 또한, 가스 공급관(134)에는 가스의 공급을 제어하는 밸브(134v)가 마련되어 있다.
2 유체 노즐(131)은 에칭액 및 가스의 공급량을 제어함으로써, 웨이퍼(W)에 대하여 에칭액을 스프레이 분사 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 이와 같이 웨이퍼(W)에 에칭액을 분사함으로써, 에칭액에 의한 웨이퍼(W)의 웨트 에칭에 더하여, 에칭액의 웨이퍼(W)에 대한 충돌력에 의해서도 에칭이 진행된다. 즉, 웨이퍼(W)에 있어서 에칭액이 분사되는 부분이 선택적으로 웨트 에칭된다. 또한, 웨이퍼(W)의 에칭량은 에칭액 및 가스의 분사 시간, 및 분사량에 의해 제어된다.
또한, 2 유체 노즐(131)의 수 및 배치는 도시한 예에는 한정되지 않고, 임의로 선택할 수 있다.
제 2 암(140)에는 웨이퍼(W)에 대하여 에칭액을 공급하는 에칭액 노즐(141)과, 린스액을 공급하는 린스액 노즐(142)과, 가스를 공급하는 가스 노즐(143)이 마련되어 있다. 또한, 에칭액 노즐(141) 및 린스액 노즐(142)로서는, 예를 들면 라미나 노즐이 이용된다. 또한, 제 2 암(140)에는 이동 기구(144)가 마련되어 있다. 제 2 암(140)은, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이 이동 기구(144)에 의해 수평 방향으로 회전 가능하게 구성되고, 또한 연직 방향으로 승강 가능하게 구성되어 있다.
에칭액 노즐(141)은, 웨이퍼(W)에 대하여 에칭액을 공급하는 에칭액 공급관(145)을 개재하여 에칭액 공급원(146)에 접속되어 있다. 또한 에칭액 공급관(145)에는, 에칭액의 공급을 제어하는 밸브(145v)가 마련되어 있다. 또한 에칭액 공급원(146)은, 에칭액 공급원(135)과 공통이어도 된다. 즉, 에칭액 공급관(145)은 에칭액 공급원(135)에 접속되어 있어도 된다.
에칭액 노즐(141)은, 웨이퍼(W)에 대하여 에칭액을 라미나 형상으로 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 에칭면을 균일하게 웨트 에칭한다.
린스액 노즐(142)은, 웨이퍼(W)에 대하여 린스액을 공급하는 린스액 공급관(147)을 개재하여 린스액 공급원(148)에 접속되어 있다. 또한 린스액 공급관(147)에는, 린스액의 공급을 제어하는 밸브(147v)가 마련되어 있다.
린스액 노즐(142)는, 웨트 에칭 후의 웨이퍼(W)에 대하여 린스액을 공급함으로써, 에칭면을 린스 세정한다.
가스 노즐(143)은, 웨이퍼(W)에 대하여 가스, 예를 들면 질소 등의 불활성 가스를 공급하는 가스 공급관(149)을 개재하여 가스 공급원(150)에 접속되어 있다. 또한 가스 공급관(149)에는, 가스의 공급을 제어하는 밸브(149v)가 마련되어 있다. 또한 가스 공급원(150)은, 가스 공급원(136)과 공통이어도 된다. 즉, 가스 공급관(149)은 가스 공급원(136)에 접속되어 있어도 된다.
가스 노즐(143)은, 린스 세정 후의 웨이퍼(W)에 대하여 가스를 공급함으로써, 에칭면을 건조한다.
또한, 제 2 암(140)에 배치되는 노즐의 수 및 배치, 그리고 종류는 도시한 예에는 한정되지 않고, 임의로 선택할 수 있다.
베이스(111)의 하방에는, 유지 기구(110)에 유지된 웨이퍼(W)의 에칭면의 반대면(이하, '하면'이라고 함)측에 세정액과 린스액을 공급하는 하면측 노즐(160)이 마련되어 있다. 하면측 노즐(160)은 중공으로 구성된 회전 기구(113)로부터 돌출되도록 마련되어 있다.
하면측 노즐(160)에는, 웨이퍼(W)의 하면에 세정액을 공급하는 공급관(161)이 접속되어 있다. 공급관(161)은 회전 기구(113)의 내부를 삽입 관통하고, 하면측 노즐(160)과 반대측에 있어서 세정액 공급관(162)과 린스액 공급관(163)으로 분기하고 있다.
세정액 공급관(162)에는, 내부에 세정액을 저류하는 세정액 공급원(164)이 접속되어 있다. 세정액에는 예를 들면 FPM(불산 과산화수소 수용액), SC2(염산 과산화수소 수용액) 등이 이용된다. 또한, 세정액 공급관(162)에는 세정액의 공급을 제어하는 밸브(162v)가 마련되어 있다.
세정액 공급관(162)은, 가공 장치(80)에 있어서의 연삭 처리 시에 비산하여 흡착면(가공 장치(80)에 있어서의 연삭면의 반대면)에 대하여 세정액을 공급함으로써, 흡착면에 부착한 파티클 등을 씻어낸다.
린스액 공급관(163)에는 내부에 린스액, 예를 들면 순수를 저류하는 린스액 공급원(165)이 접속되어 있다. 또한, 린스액 공급관(163)에는 린스액의 공급을 제어하는 밸브(163v)가 마련되어 있다. 또한, 린스액을 공급하는 노즐은 하면측 노즐(160)과는 별개로 마련해도 된다. 또한 린스액 공급원(165)은, 린스액 공급원(148)과 공통이어도 된다. 즉, 린스액 공급관(163)은 린스액 공급원(148)에 접속되어 있어도 된다.
린스액 공급관(163)은, 세정액 공급관(162)에 의한 세정 후의 흡착면에 대하여 린스액을 공급함으로써, 흡착면을 린스 세정한다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는 하면측 노즐(160)로부터는 세정액 및 린스액을 공급하는데, 이들 중 어느 하나, 또는 양방 대신에 가스가 공급되어도 된다.
공급관(161)에는, 하면측 노즐(160)로부터 공급되는 세정액 및 린스액의 온도를 제어하는 온도 제어 장치(166)가 마련되어 있다. 상술한 2 유체 노즐(131)에 의해 웨이퍼(W)의 에칭을 행하는 경우, 에칭액의 기화에 의한 웨이퍼(W)의 온도 저하에 의해, 에칭 레이트가 저하될 우려가 있다. 따라서, 온도 제어된 세정액 및 린스액을 하면측 노즐(160)로부터 공급함으로써, 웨트 에칭 시에 있어서의 웨이퍼(W)의 온도 저하를 억제한다. 즉, 하면측 노즐(160)이 본 개시에 있어서의 온도 조절액 노즐에 상당하고, 세정액 및 린스액이 온도 조절액에 상당한다.
본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템(1) 및 에칭 장치(40)는 이상과 같이 구성되어 있다. 이어서 이상과 같이 구성된 웨이퍼 처리 시스템(1) 및 에칭 장치(40)에 의해 행해지는 웨이퍼 처리에 대하여 설명한다.
먼저, 잉곳으로부터 잘라내어 슬라이스하여 얻어진 웨이퍼(W)를 복수 수납한 카세트(C)가, 반입반출 스테이션(2)의 카세트 배치대(10)에 배치된다. 또한 본 실시 형태에 있어서는, 카세트(C)에 수납된 웨이퍼(W)의 상면측을 표면(Wa), 하면측을 이면(Wb)으로 한다.
이어서, 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)가 취출되어, 트랜지션 장치(30)로 반송된다. 계속하여, 웨이퍼 반송 장치(50)에 의해, 트랜지션 장치(30)의 웨이퍼(W)가 취출되어, 트랜지션 장치(60)로 반송된다.
이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 가공 장치(80)로 반송된다. 가공 장치(80)에 있어서 웨이퍼(W)는, 전달 위치(A0)의 척(85)으로 전달된다.
이어서, 회전 테이블(81)을 회전시켜, 웨이퍼(W)를 제 1 가공 위치(A1)로 이동시킨다. 그리고, 거친 연삭 유닛(82)에 의해, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 거친 연삭한다(도 6의 단계(S1)).
이어서, 회전 테이블(81)을 회전시켜, 웨이퍼(W)를 제 2 가공 위치(A2)로 이동시킨다. 그리고, 마무리 연삭 유닛(83)에 의해, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 마무리 연삭한다(도 6의 단계(S1)).
이어서, 회전 테이블(81)을 회전시켜, 웨이퍼(W)를 전달 위치(A0)로 이동시킨다.
이어서 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 세정 장치(41)로 반송된다. 세정 장치(41)에서는, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 연삭면인 표면(Wa)이 스크럽 세정된다(도 6의 단계(S2)). 또한, 세정 장치(41)에서는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)와 함께, 이면(Wb)이 세정되어도 된다.
이어서 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 반전 장치(61)로 반송된다. 반전 장치(61)에서는 웨이퍼(W)의 표리면이 반전된다. 즉, 연삭면인 표면(Wa)이 하면, 이면(Wb)이 상면이 되도록 상하가 반전된다.
표리면이 반전된 웨이퍼(W)는, 이어서, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 다시 가공 장치(80)로 반송된다. 그리고, 회전 테이블(81)을 회전시켜 웨이퍼(W)를 제 1 가공 위치(A1), 제 2 가공 위치(A2)로 순차 이동시켜, 도 7의 (c)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 거친 연삭 및 마무리 연삭한다(도 6의 단계(S3)).
이어서, 회전 테이블(81)을 회전시켜, 웨이퍼(W)를 전달 위치(A0)로 이동시킨다.
표면(Wa) 및 이면(Wb)에 대하여 연삭이 행해진 웨이퍼(W)는, 전달 위치(A0)에 있어서, 도 7의 (d)에 나타내는 바와 같이, 두께 측정부(86)에 의해 웨이퍼(W) 면내에 있어서의 두께 분포가 측정된다(도 6의 단계(S4)). 두께 분포의 측정에 있어서는, 척(85)(웨이퍼(W))을 회전시키고, 또한 두께 측정부(86)를 웨이퍼(W)의 상방에서 직경 방향으로 수평 이동시킴으로써, 직경 방향 위치마다의 두께 분포를 취득한다.
또한, 두께 측정부(86)로 취득한 두께 분포는, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서 처리되는 다음의 웨이퍼(W)에 대한 가공 조건(예를 들면 스테이지의 기울기)으로 피드백 제어된다.
이어서 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 세정 장치(41)로 반송된다. 세정 장치(41)에서는, 도 7의 (e)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 연삭면인 이면(Wb)이 스크럽 세정된다(도 6의 단계(S5)). 또한, 세정 장치(41)에서는 웨이퍼(W)의 이면(Wb)과 함께, 표면(Wa)이 세정되어도 된다.
이어서 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 에칭 장치(40)로 반송된다. 에칭 장치(40)에서는, 도 7의 (f)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 본 실시 형태에 있어서의 하나의 면으로서의 이면(Wb)이 에칭액에 의해 웨트 에칭된다(도 6의 단계(S6)).
이면(Wb)의 웨트 에칭에 있어서는, 회전 기구(113)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 제 1 암(130)에 마련된 2 유체 노즐(131)을 직경 방향으로 수평 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 있어서의 임의의 위치가 선택적으로 웨트 에칭된다. 그리고 이에 의해 가공 장치(80)의 연삭 처리에 의해 형성된 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 연삭흔을 제거할 수 있어, 웨이퍼(W)의 면내 두께가 균일하게 된다. 또한, 이러한 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 에칭 처리 후에 있어서는, 웨이퍼(W)의 두께는 목표 두께에 비해 크다.
여기서, 이면(Wb)의 웨트 에칭은, 단계(S4)에서 측정된 웨이퍼(W)의 두께 분포에 기초하여, 웨이퍼(W)의 면내 두께가 균일하게 되도록, 웨트 에칭의 프로세스 레시피 또는 파라미터의 최적화가 행해진다. 구체적으로, 두께 분포에 있어서 두께가 크다고 판정되는 웨이퍼(W)의 직경 위치에 있어서는 에칭량을 늘리고, 두께가 작으면 판정되는 직경 위치에 있어서 에칭량을 줄인다. 웨이퍼(W)의 에칭량은, 예를 들면 2 유체 노즐(131)로부터 분사되는 에칭액의 분사 시간 또는 분사량 등에 의해 제어된다. 즉, 2 유체 노즐(131)의 직경 방향으로의 수평 이동에 있어, 웨이퍼(W)에 대한 2 유체 노즐(131)의 상대 위치에 따라, 2 유체 노즐(131)의 이동 속도 또는 에칭액의 분사량이 제어된다.
이와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 에칭액을 공급하는 노즐로서 스프레이 노즐(2 유체 노즐(131))을 채용하고, 웨이퍼(W)의 면내에 있어서의 에칭 대상 영역에 대하여 에칭액을 분사한다. 이에 의해, 전술한 바와 같이 에칭액의 공급에 의한 웨트 에칭에 더하여, 웨이퍼(W)의 면내에 있어서의 임의의 에칭 대상 영역에 대하여 에칭액의 충돌에 있어서의 압력(충돌력)에 의해서도 에칭이 진행된다. 즉, 라미나 노즐로부터의 액공급에 의한 웨트 에칭과 비교하여, 에칭 대상 영역을 선택적으로 처리할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 웨트 에칭에 있어서는, 웨이퍼(W)의 하면(표면(Wa))에 대하여 하면측 노즐(160)로부터 세정액 또는 린스액을 공급함으로써, 동시에 표면(Wa)을 세정해도 된다.
또한, 2 유체 노즐(131)로부터 에칭액을 분사하여 에칭을 행하는 경우, 상술한 바와 같이, 웨이퍼(W)에 분사된 에칭액이 기화함으로써 발생하는 기화열로 웨이퍼(W)의 온도가 저하되어, 에칭 레이트가 저하될 우려가 있다. 따라서, 이러한 에칭 레이트의 저하를 억제하기 위하여, 하면측 노즐(160)로부터 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 공급되는 세정액 또는 린스액의 온도를 온도 제어 장치(166)에 의해 제어하여, 웨이퍼(W)의 온도의 온도 저하를 억제하는 것이 바람직하다.
이면(Wb)의 에칭 처리가 종료되면, 이어서 제 1 암(130)을 웨이퍼(W)의 상방으로부터 퇴피시키고, 또한 제 2 암(140)을 웨이퍼(W)의 상방으로 이동시킨다.
이어서, 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 밸브(147v)를 제어하여 린스액 노즐(142)로부터 린스액을 공급한다. 그러면, 웨트 에칭 후의 웨이퍼(W)의 이면(Wb)이 린스 세정된다.
이면(Wb)의 세정이 종료되면, 이어서 밸브(147v) 및 밸브(149v)를 제어하여, 린스액 노즐(142)로부터의 린스액의 공급을 정지하고, 가스 노즐(143)로부터 가스를 공급한다. 그러면, 린스 세정 후의 웨이퍼(W)의 이면(Wb)이 건조된다.
이면(Wb)의 건조가 종료되면, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(50)에 의해 반전 장치(31)로 반송된다. 반전 장치(31)에서는 웨이퍼(W)의 표리면이 반전된다. 즉, 에칭이 행해지지 않은 표면(Wa)이 상면, 에칭이 완료된 이면(Wb)이 하면이 되도록 상하가 반전된다.
표리면이 반전된 웨이퍼(W)는, 이어서 웨이퍼 반송 장치(50)에 의해 다시 에칭 장치(40)로 반송된다. 에칭 장치(40)에서는, 도 7의 (g)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 본 실시 형태에 있어서의 다른 면으로서의 표면(Wa)이 에칭액에 의해 웨트 에칭된다(도 6의 단계(S7)).
표면(Wa)의 웨트 에칭에 있어서는, 회전 기구(113)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 제 2 암(140)에 마련된 에칭액 노즐(141)로부터 에칭액을 라미나 형상으로 공급한다. 그리고 원심력에 의해 에칭액이 확산됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 전면이 웨트 에칭된다. 이에 의해 가공 장치(80)의 연삭 처리에 의해 형성된 연삭흔을 제거할 수 있어, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)이 균일하게 에칭된다. 또한 이에 의해, 웨이퍼(W)가 원하는 목표 두께까지 박화된다.
여기서, 표면(Wa)의 웨트 에칭에 있어서는, 예를 들면 에칭액 노즐(141)의 위치, 또는 에칭액의 공급량, 에칭액의 공급 시간, 웨이퍼(W)의 회전 수단계가 제어된다. 이에 의해, 에칭량을 웨이퍼(W)의 면내에서 균일하게 할 수 있다. 그리고 본 실시 형태에 의하면, 이면(Wb)의 웨트 에칭에 있어서 웨이퍼(W)의 두께가 균일하게 제어되고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 면내 두께를 용이하게 제어할 수 있다.
이어서, 표면(Wa)의 에칭 처리가 종료되면, 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 밸브(145v, 147v)를 제어하여, 에칭액 노즐(141)로부터의 에칭액의 공급을 정지하고, 린스액 노즐(142)로부터 린스액을 공급한다. 그러면, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)이 린스 세정된다. 이 때, 하면측 노즐(160)로부터 린스액을 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 린스 세정을 동시에 행해도 된다.
표면(Wa)의 세정이 종료되면, 이어서 밸브(147v) 및 밸브(149v)를 제어하여, 린스액 노즐(142)로부터의 린스액의 공급을 정지하고, 가스 노즐(143)로부터 가스를 공급한다. 그러면, 린스 세정 후의 웨이퍼(W)의 표면(Wa)이 건조된다.
이 후, 모든 처리가 실시된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(50)에 의해 트랜지션 장치(30)로 반송되고, 또한 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 카세트 배치대(10)의 카세트(C)로 반송된다. 이렇게 하여, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다. 또한, 웨이퍼(W)가 반입되는 카세트(C)는, 당해 웨이퍼(W)를 반출한 카세트(C)와는 다른 카세트(C)여도 된다.
이상의 실시 형태에 의하면, 두께 측정부(86)에 의해 측정된 웨이퍼(W)의 면내 두께 분포에 기초하여, 처리되는 웨이퍼(W)마다 웨트 에칭의 프로세스 레시피 또는 파라미터의 최적화를 행함으로써, 적절히 웨이퍼(W)의 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한 웨이퍼(W)의 하나의 면을 웨트 에칭에 의해 평탄화한 후에, 또한 다른 면을 웨트 에칭하기 위하여, 다른 면의 에칭량을 용이하게 면내에서 균일하게 할 수 있다. 즉, 적절히 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 이와 같이 웨이퍼(W)의 면내 두께의 불균일을 작게 할 수 있기 때문에, 후속 공정인 웨이퍼 처리(예를 들면, 웨이퍼(W)의 연마 공정)에 있어서의 부하를 저감시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 의하면 웨이퍼(W)의 두께를 균일하게 하기 위한 하나의 면의 웨트 에칭에 있어서는 스프레이 노즐을 사용하여, 에칭액의 웨이퍼(W)에 대한 충돌력에 의해 에칭을 행한다. 이에 의해, 에칭액의 웨이퍼(W)에 대한 착액 시에 있어서의 확산이 억제되어, 웨이퍼(W) 면내에 있어서의 원하는 위치에서, 적절히 에칭을 행할 수 있다. 즉, 웨이퍼(W)의 면내 균일성을 보다 적절히 향상시킬 수 있다.
또한, 스프레이 노즐을 이용하여 웨트 에칭을 행함에 따라, 종래의 라미나 노즐을 사용하여 웨트 에칭을 행하는 경우와 비교하여 에칭액의 소비량을 저감할 수 있다.
또한, 이와 같이 스프레이 노즐을 이용하여 웨이퍼(W)의 하나의 면에 대하여 에칭액을 공급하는 경우, 공급된 에칭액의 기화에 의해 웨이퍼(W)의 온도가 저하되어 에칭 레이트 악화되는 것이 염려된다. 그러나 본 실시 형태에 의하면, 웨이퍼(W)의 다른 면에 대하여 온도 조절액으로서의 세정액 또는 린스액을 공급함으로써 웨이퍼(W)의 온도 저하를 억제하여, 에칭 레이트의 악화를 적절히 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서 두께 측정부(86)는 가공 장치(80)의 전달 위치(A0)에 마련되었지만, 두께 측정부(86)의 수 및 배치는 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 두께 측정부(86)는 가공 장치(80)의 외부에 마련되어 있어도 되고, 웨트 에칭 처리의 최적화를 행하기 위한 다른 두께 측정부(도시하지 않음)가 더 마련되어 있어도 된다. 또한 예를 들면, 도 1에 나타낸 가공 장치(80)에 있어서의 전달 위치(A0)와 가공 위치(A2) 사이의 위치를 측정 위치(A3)로서, 두께 측정부(86)를 배치해도 된다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는 이면(Wb)의 2 유체 노즐(131)에 의한 웨트 에칭 후, 린스액 노즐(142)로부터 린스액을 공급함으로써 린스액 세정을 행했지만, 당해 린스액 세정을 행하기 전에, 에칭액 노즐(141)에 의해 이면(Wb)을 더 에칭해도 된다. 보다 구체적으로, 이면(Wb)을 스프레이 노즐에 의해 선택적으로 에칭한 후, 라미나 노즐에 의해 이면(Wb)의 전면을 균일하게 하도록 에칭해도 된다. 이에 의해, 보다 효과적으로 웨이퍼(W)의 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는 가공 장치(80)에 마련되는 2 개의 가공 위치(A1, A2)를 각각 거친 연삭 유닛(82), 및 마무리 연삭 유닛(83)으로 했지만, 가공 장치(80)의 구성은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 가공 위치(A1)를 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 연삭하기 위한 표면 연삭 유닛, 가공 위치(A2)를 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 연삭하기 위한 이면 연삭 유닛으로 해도 된다. 이러한 경우, 가공 위치(A1) 및 가공 위치(A2)에 마련되는 표면 연삭 유닛 및 이면 연삭 유닛이, 본 개시에 있어서의 연삭부 및 제 2 연삭부에 각각 상당한다.
또한, 상기 실시의 형태에 있어서는 잉곳으로부터 잘라내 슬라이스하여 얻어진 직후의 웨이퍼(W)의 표리면을 웨트 에칭하는 경우를 예로 설명을 행했지만, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서 처리되는 기판으로서의 웨이퍼(W)는 이에 한정되지 않는다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기한 실시 형태는, 첨부한 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.

Claims (19)

  1. 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 기판의 하나의 면을 연삭하는 것과,
    상기 기판의 두께를 측정하는 것과,
    상기 하나의 면을 웨트 에칭하는 것과,
    상기 기판의 반전 후, 상기 기판의 다른 면을 웨트 에칭하는 것을 포함하고,
    상기 하나의 면의 웨트 에칭에 있어서는, 상기 두께의 측정 결과에 기초하여 상기 기판의 면내 두께를 일치시키고,
    상기 다른 면의 웨트 에칭에 있어서는, 상기 기판의 두께를 목표 두께까지 감소시키는, 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 다른 면을 연삭하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 하나의 면의 웨트 에칭은, 스프레이 노즐로부터 상기 기판에 대하여 분사되는 에칭액에 의해 행해지는, 기판 처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 하나의 면의 에칭량은, 상기 스프레이 노즐로부터의 상기 에칭액의 분사 시간 및 분사량에 의해 제어되는, 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나의 면의 웨트 에칭에 있어서는, 상기 다른 면에 대하여, 상기 하나의 면의 온도를 일정하게 조절하는 온도 조절액이 동시에 공급되는, 기판 처리 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나의 면의 웨트 에칭 후에 있어서의 상기 기판의 두께는, 상기 목표 두께보다 큰, 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다른 면의 웨트 에칭은, 라미나 노즐로부터 상기 기판에 대하여 공급되는 에칭액에 의해 행해지는, 기판 처리 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나의 면의 연삭과 상기 두께의 측정은 동일 장치 내에서 행해지는, 기판 처리 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나의 기판에 있어서의 상기 두께의 측정 결과에 기초하여, 다음의 기판에 있어서의 연삭의 조건을 피드백 제어하는, 기판 처리 방법.
  10. 기판을 처리하는 기판 처리 시스템으로서,
    상기 기판의 하나의 면을 연삭하는 연삭부와,
    상기 기판의 두께를 측정하는 두께 측정부와,
    상기 기판을 웨트 에칭하는 에칭부와,
    상기 기판의 표리면을 반전하는 기판 반전부와,
    적어도 상기 에칭부의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 두께 측정부에 의한 측정 결과에 기초하여, 상기 기판의 면내 두께를 일치시키도록 상기 하나의 면을 웨트 에칭하고,
    상기 기판의 반전 후, 상기 기판의 두께가 목표 두께까지 감소하도록 상기 기판의 다른 면을 웨트 에칭하도록 상기 에칭부의 동작을 제어하는, 기판 처리 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 연삭부는 상기 기판의 다른 면을 연삭하는, 기판 처리 시스템.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 에칭부는 상기 기판의 하나의 면에 대하여 에칭액을 분사하는 스프레이 노즐을 구비하는, 기판 처리 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 하나의 면에 대한 상기 에칭액의 분사 시간 및 분사량을 제어하는, 기판 처리 시스템.
  14. 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 하나의 면의 웨트 에칭 후에 있어서의 상기 기판의 두께가 상기 목표 두께보다 커지도록 상기 에칭부의 동작을 제어하는, 기판 처리 시스템.
  15. 제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭부는,
    상기 기판의 다른 면에 대하여 에칭액을 공급하는 에칭액 노즐과,
    상기 기판의 다른 면에 대하여 린스액을 공급하는 린스액 노즐과,
    상기 기판의 다른 면에 대하여 기체를 공급하는 가스 노즐을 구비하는, 기판 처리 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 에칭액 노즐 및 상기 린스액 노즐은 라미나 노즐인, 기판 처리 시스템.
  17. 제 10 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭부는,
    상기 하나의 면의 에칭 시에 있어서, 상기 다른 면에 온도 조절액을 공급하는 온도 조절액 노즐을 구비하고,
    상기 제어부는 상기 온도 조절액에 의해 상기 기판의 온도를 일정하게 유지하도록 상기 에칭부의 동작을 제어하는, 기판 처리 시스템.
  18. 제 10 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연삭부와 상기 두께 측정부는 동일 장치 내에 배치되는, 기판 처리 시스템.
  19. 제 10 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 하나의 기판에 있어서의 상기 두께 측정부의 측정 결과를 다음의 기판에 있어서의 상기 연삭부에 있어서의 연삭 조건으로 피드백하는, 기판 처리 시스템.
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