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KR20200144113A - 약액의 이상 검출 장치, 액 처리 장치, 기판 처리 장치, 약액의 이상 검출 방법, 액 처리 방법 및 기판 처리 방법 - Google Patents

약액의 이상 검출 장치, 액 처리 장치, 기판 처리 장치, 약액의 이상 검출 방법, 액 처리 방법 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20200144113A
KR20200144113A KR1020207032489A KR20207032489A KR20200144113A KR 20200144113 A KR20200144113 A KR 20200144113A KR 1020207032489 A KR1020207032489 A KR 1020207032489A KR 20207032489 A KR20207032489 A KR 20207032489A KR 20200144113 A KR20200144113 A KR 20200144113A
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타쿠야 모리
히데오 시이테
히로카즈 사카모토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

피처리체에 약액을 공급하여 처리함에 있어, 처리에 이상이 발생하는 것을 방지하거나, 약액 유로에 있어서의 폴리머를 포함하는 약액이 다른 약액에 대하여 원하는 비율로 되어 있는지를 검출하는 것이다. 폴리머를 포함하는 약액이 흐르는 약액 유로와, 상기 약액 유로에 있어서의 약액의 흐름 방향과 광로가 교차하도록, 당해 약액 유로에 레이저광을 조사하는 레이저광 조사부와, 상기 약액 유로를 투과한 광로 상에 마련되는 수광 소자와, 상기 수광 소자로부터 출력되는 신호에 기초하여, 상기 약액에 포함되는 폴리머 중 과반수 존재하는 폴리머의 상태의 이상을 검출하거나, 혹은 상기 약액 유로에 있어서의 당해 폴리머를 포함하는 약액과 다른 약액과의 비율을 검출하기 위한 검출부를 구비하도록 장치를 구성한다.

Description

약액의 이상 검출 장치, 액 처리 장치, 기판 처리 장치, 약액의 이상 검출 방법, 액 처리 방법 및 기판 처리 방법
본 발명은 피처리체에 공급하여 처리하는 약액의 이상을 검출하는 기술에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에 있어서는, 레지스트막, 레지스트막의 하층막, 하층막과 레지스트막 사이의 중간에 위치하는 막(중간층) 등 각종의 막이 형성된다. 레지스트막은, 약액인 레지스트가 기판인 웨이퍼에 공급됨으로써 형성되며, 하층막 및 중간층에 대해서도 약액의 공급에 의해 형성되는 경우가 있다. 각 약액에는 주성분으로서 정해진 농도의 폴리머가 함유된다. 또한, 약액 중에는 본래는 포함되지 않는 이물이 포함되는 경우가 있는데, 그러한 이물을 광학적으로 검출하는 방법이 알려져 있으며, 예를 들면 특허 문헌 1, 2에 당해 방법이 나타나 있다. 그런데, 상기의 레지스트막은 노광 및 현상됨으로써 패턴이 형성되는데, 이 패턴에 대하여 레지스트가 제거되어야 할 개소에 레지스트가 남는, 브리지 및 하프 브리지라 불리는 결함이 생기는 경우가 있다.
일본특허공개공보 소62-285042호 국제공개공보 WO2017/126360호
본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은, 피처리체에 약액을 공급하여 처리함에 있어, 처리에 이상이 발생하는 것을 방지하거나, 약액 유로에 있어서의 폴리머를 포함하는 약액이 다른 약액에 대하여 원하는 비율로 되어 있는지를 검출할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
본 발명의 약액의 이상 검출 장치는, 폴리머를 포함하는 약액이 흐르는 약액 유로와,
상기 약액 유로에 있어서의 약액의 흐름 방향과 광로가 교차하도록, 상기 약액 유로에 레이저광을 조사하는 레이저광 조사부와,
상기 약액 유로를 투과한 광로 상에 마련되는 수광 소자와,
상기 수광 소자로부터 출력되는 신호에 기초하여, 상기 약액에 포함되는 폴리머 중 과반수 존재하는 폴리머의 상태의 이상을 검출하거나, 혹은 상기 약액 유로에 있어서의 상기 폴리머를 포함하는 약액과 다른 약액과의 비율을 검출하기 위한 검출부
를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 약액에 의한 피처리체에의 처리에 이상이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 또한 약액 유로에 있어서 폴리머를 포함하는 약액이 다른 약액에 대하여 원하는 비율로 되어 있는지를 검출할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 레지스트 도포 장치의 개략도이다.
도 2는 상기 레지스트 도포 장치의 사시도이다.
도 3은 상기 레지스트 도포 장치에 마련되는 광학 검출 유닛의 평면도이다.
도 4는 상기 광학 검출 유닛을 구성하는 유로 어레이의 사시도이다.
도 5는 상기 광학 검출 유닛을 구성하는 수광 소자군의 평면도이다.
도 6은 레지스트 도포 장치에 마련되는 제어부의 처리를 나타내는 공정도이다.
도 7은 상기 제어부의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 8은 레지스트 도포 장치의 각 부의 동작 타이밍을 나타내는 차트도이다.
도 9는 상기 제어부에 있어서의 처리를 나타내는 순서도이다.
도 10은 레지스트 도포 장치에 마련되는 레지스트 공급부의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 11은 상기 제어부에 있어서의 다른 처리예를 나타내는 공정도이다.
도 12는 상기 레지스트 도포 장치를 포함하는 도포, 현상 장치의 평면도이다.
도 13은 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 14는 레지스트 도포 장치의 개략도이다.
도 15는 레지스트 도포 장치의 다른 구성의 개략도이다.
도 16은 평가 시험의 결과를 나타내는 설명도이다.
도 17은 평가 시험의 결과를 나타내는 설명도이다.
도 18은 평가 시험의 결과를 나타내는 설명도이다.
도 19는 평가 시험의 결과를 나타내는 설명도이다.
도 1은 도포막 형성 장치인 레지스트 도포 장치(1)의 개략도이며, 이 레지스트 도포 장치(1)는, 피처리체로서 기판인 웨이퍼(W)에, 약액으로서 레지스트를 공급한다. 당해 레지스트는 주성분으로서 폴리머를 함유하고 있으며, 당해 폴리머에 의해 웨이퍼(W)에 레지스트막이 형성된다. 레지스트 도포 장치(1)는 레지스트의 유로를 구비하고 있고, 당해 유로를 유통하는 레지스트가 웨이퍼(W)에 공급되며, 이 유로에 있어서의 폴리머의 상태의 이상에 대하여, 광학적으로 검출되도록 구성되어 있다. 따라서, 레지스트 중의 폴리머의 상태의 이상의 검출과 웨이퍼(W)에의 레지스트의 공급이 서로 병행하여 행해진다. 이 폴리머의 상태의 이상에 대해서는 이후에 상술하는데 폴리머의 형상 및 크기의 이상 및 농도의 이상을 포함한다.
액 처리 장치인 레지스트 도포 장치(1)는, 광 공급부(2) 및 광학 검출 유닛(4)을 구비하고, 광 공급부(2)에 마련되는 광원으로부터 출력되는 레이저광이, 파이버(21)에 의해 광학 검출 유닛(4)에 도광되어, 상기의 광학적인 이상의 검출이 행해진다. 도 1의 쇄선의 화살표의 앞의 점선의 프레임 내에는, 이 유로를 흐르는 레지스트를 모식적으로 나타내고 있다. 도면 중 101은 정상인 폴리머며, 도면 중 102는 크기가 과대해진 이상인 폴리머이다. 또한, 도면 중 103, 104는 폴리머 이외의 레지스트의 구성 성분이다.
상기의 이상인 폴리머(102)의 발생의 원인이라 상정되는 사상을 이하에 서술한다. 극성 또는 결합기가 이상인 폴리머는 약액의 제조 또는 보존 과정에서 확률적으로 발생할 수 있다. 극성 또는 결합기가 이상인 폴리머에 다른 폴리머가 접근한 경우에, 이들 폴리머는 각각이 구비하는 친수기끼리 결합하여, GEL로서 응집한 결과, 상기의 이상인 폴리머(102)가 형성된다. 이와 같이 발생한 이상인 폴리머(102)는, 현상액에 대한 가용성이 없어지는 결과, 배경 기술의 항목에서 설명한 바와 같은 레지스트막의 결함이 발생한다고 상정된다.
또한, 레지스트 중에는 그 구성 성분으로서 Fe 또는 Cu 등의 금속계 이온이 존재하는 경우가 있다. 그 경우, 당해 금속계 이온 각각에 복수의 폴리머가 솜뭉치 형상으로 응집하여, 상기의 이상인 폴리머(102)를 형성하고, 또한 폴리머에 있어서의 현상액에 대한 반응기가 솜뭉치의 내측에 내포된다. 그에 따라, 현상액에 대한 가용성이 없어짐으로써, 상기의 결함이 발생한다고 상정된다.
이러한 크기가 과대한 폴리머의 형성은, 냉암소에 배치된 레지스트가 저류된 보틀 내에서 일어날 수 있으며, 당해 보틀을 장치에 장착한 후, 당해 장치의 유로 중에 존재하는 파티클에 의해서도 발생할 수 있다. 또한 제조 메이커로부터, 그와 같이 레지스트가 저류된 보틀이 출하된 후, 반송 상태 또는 보관 상태에 따라서는 레지스트가 변질되어, 당해 약액에 포함되는 폴리머의 농도에 대하여 미리 설정된 값과는 다른 값이 될 가능성이 있다. 이와 같이 폴리머의 농도가 변동하면, 웨이퍼에 형성되는 막 두께가, 설정값으로부터 변동할 우려가 있다.
상기와 같은 이유로, 레지스트 중에 있어서 폴리머는 다양한 크기가 되어 존재한다. 레지스트 도포 장치(1)에서는, 이 폴리머 중 표준의 폴리머의 상태를 감시하여, 이상의 검출을 행한다. 표준의 폴리머란, 레지스트막을 형성함에 있어 지배적으로 되는 크기를 가지는 폴리머이다. 따라서, 레지스트 중에서 예외적인 크기를 가지도록 변화한 폴리머가 제외된 것이다. 즉, 레지스트에 포함되는 폴리머에 있어서, 존재하는 수가 과반수가 되는 폴리머가 감시 대상이 된다. 이 과반수의 폴리머의 예에 대하여 구체적으로 기술해 둔다. 폴리머의 광학 입경을 횡축에 취하고, 폴리머의 개수를 종축에 취한 그래프에 있어서, 검출되는 폴리머의 분포 곡선은 대략 가우스 분포를 이룬다. 이 분포에 대하여, 광학 입경의 중앙값을 포함하고, 또한 검출되는 폴리머의 과반수가 포함되도록 설정된 광학 입경의 범위 내의 폴리머가, 예를 들면 과반수의 폴리머가 된다. 따라서 일례로서는, 광학 입경의 표준 편차를 σ라 하면, 광학 입경이 -3σ ~ +3σ의 범위 내의 폴리머를 감시 대상으로 하는 것이 상정된다. 즉 광학 입경의 평균값으로부터의 차이가 ±3σ 이하의 범위 내에 포함되는 것을 대상으로 하는 것이 상정된다.
상기의 감시 대상이 되는 폴리머는 비교적 작은 것이다. 따라서 이 레지스트 도포 장치(1)에 있어서는, 종래는 액 중의 이물의 검출 시에 백그라운드 신호로 되어 있던, 표준의 폴리머에 대응하여 수광 소자로부터 출력되는 미약한 신호에 기초하여, 이상의 검출을 행한다. 또한 상기의 특허 문헌 2에는, 약액 중의 폴리머의 농도에 따라, 당해 약액의 유로를 투과한 광을 수광하는 수광 소자로부터의 신호 강도가 변화하는 것이 기재되어 있다. 그러나, 이 특허 문헌 2에서는 약액 중에 다양한 상태로 포함되는 폴리머 중, 이상인 크기를 가지는 폴리머를 이물로서 검출한다. 즉, 상기와 같이 대략 가우스 분포를 이루도록 약액 중에 포함되는 폴리머 중 소수의 것을 검출하는 것이다. 즉 인용 문헌 2에는, 본 개시와 같이 약액 중에 포함되는 폴리머 중 과반수를 차지하는 폴리머의 상태를 감시하여, 당해 상태의 이상을 검출하는 것에 대해서는 기재되어 있지 않다. 그런데, 상기의 광학 입경이란 광학적으로 검출되는 폴리머의 입자 직경으로, 이 광학 입경의 이상을 검출한다고 하는 것은, 폴리머의 크기의 이상 외에 폴리머의 형상의 이상에 대하여 검출하고 있는 것도 된다. 이는 폴리머가 응집하여 그 크기가 변화하는 경우, 형상도 변화하고 있다고 상정되기 때문이다.
레지스트 도포 장치(1)의 구성의 설명으로 돌아온다. 레지스트 도포 장치(1)는 예를 들면 11 개의 노즐(11A ~ 11K)을 구비하고 있으며, 그 중 10 개의 노즐(11A ~ 11J)은 웨이퍼(W)에 레지스트를 토출한다. 노즐(11K)은 웨이퍼(W)에 시너를 토출한다. 이 시너는 레지스트가 공급되기 전의 웨이퍼(W)에 공급되어, 레지스트에 대한 습윤성을 높이는 프리웨트용의 약액이다. 노즐(11A ~ 11J)에는 약액 공급관(12A ~ 12J)의 하류단이 접속되고, 약액 공급관(12A ~ 12J)의 상류단은 밸브(V1)를 개재하여, 레지스트 공급부(13A ~ 13J)에 각각 접속되어 있다. 레지스트 공급부(13A ~ 13J)는, 각각 레지스트가 저류되는 보틀과, 당해 보틀로부터 레지스트를 노즐(11A ~ 11J)로 각각 압송하는 펌프를 구비하고 있다. 레지스트 공급부(13A ~ 13J)에 저류되는 레지스트의 종류는 서로 상이하며, 웨이퍼(W)에는 10 종류의 레지스트로부터 선택된 1 종류의 레지스트가 공급된다.
노즐(11K)에는 약액 공급관(12K)의 하류단이 접속되고, 약액 공급관(12K)의 상류단은 밸브(V1)를 개재하여, 시너 공급부(13K)에 접속되어 있다. 공급부(13K)는 레지스트 대신에 상기의 시너가 저류되는 것을 제외하고, 레지스트 공급부(13A ~ 13J)와 동일하게 구성되어 있다. 즉, 웨이퍼(W)를 처리함에 있어, 약액 공급관(12A ~ 12K)을 약액이 흐르는 타이밍은 서로 상이하다. 약액 공급관(12A ~ 12K)에 있어서의 노즐(11A ~ 11K)과 밸브(V1)와의 사이에는 약액의 유로를 형성하는 큐벳트(14A ~ 14K)가 개재 마련되어 있고, 상기의 광학 검출 유닛(4)으로부터 당해 큐벳트(14A ~ 14K)에 레이저광이 조사된다. 또한, 폴리머를 포함하지 않는 약액인 시너가 유통되는 큐벳트(14K)에도 레이저광이 조사되는 것은, 후술하는 바와 같이 폴리머 이외의 이물을 검출하기 위함이다.
도 2에서는 레지스트 도포 장치(1)에 대하여, 보다 상세한 구성의 일례를 나타내고 있다. 도면 중 31은 스핀 척이며, 각각 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 수평으로 흡착 유지하는 배치부를 이룬다. 도면 중 32는 스핀 척(31)을 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 연직축 둘레로 회전시키는 회전 기구이다. 회전 기구(32)는, 레지스트막의 두께를 조정하는 두께 조정 기구를 이룬다. 또한, 이 회전 기구(32) 및 이 회전 기구(32)의 동작을 제어하는 후술의 제어부(5)는, 이상에 대한 대처 기구를 구성한다. 도면 중 33은 약액의 비산을 억제하기 위한 컵이며, 스핀 척(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 하방 및 측방을 둘러싼다. 도면 중 34는 연직축 둘레로 회전하는 회전 스테이지이며, 회전 스테이지(34) 상에는, 수평 방향으로 이동 가능하며 수직인 지주(支柱)(35)와, 노즐(11A ~ 11K)의 홀더(36)가 마련되어 있다. 37은 지주(35)를 따라 승강 가능한 승강부이며, 38은 승강부(37)에 마련되는 암이며, 지주(35)의 이동 방향과는 직교하는 수평 방향으로 이동 가능하게 마련되어 있다. 암(38)의 선단에는, 노즐(11A ~ 11K)의 착탈 기구(39)가 마련되어 있다. 회전 스테이지(34), 지주(35), 승강부(37) 및 암(38)의 협동 동작에 의해, 각 스핀 척(31) 상과 홀더(36)와의 사이에서 노즐(11A ~ 11K)이 이동한다.
예를 들면 상기의 회전 스테이지(34) 및 컵(33)의 측방에, 기술한 광학 검출 유닛(4)이 마련되어 있다. 이 광학 검출 유닛(4)과, 상기의 광 공급부(2)와, 큐벳트(14A ~ 14J)와, 후술의 제어부(5)에 의해 약액의 이물 검출 장치(23)가 구성되어 있다. 도 3은 이 광학 검출 유닛(4)의 평면도를 나타내고 있다. 광학 검출 유닛(4)은 레이저광 조사부(41)와, 수광부(42)와, 상기의 큐벳트(14A ~ 14K)로 이루어지는 유로 어레이(15)를 구비하고, 예를 들면 전방 산란광을 이용하여, 폴리머의 상태를 검출한다. 즉, 폴리머에 의해 생긴 산란광을 수광 소자로 수광했을 때에, 당해 수광 소자로부터 출력되는 신호를 이용하여 검출을 행한다. 상기의 파이버(21)의 하류단은, 콜리메이터(43)를 개재하여 레이저광 조사부(41)에 접속되어 있다. 레이저광 조사부(41)는 광학계(44)와, 예를 들면 콜리메이터(43)와 광학계(44) 사이의 광로를 개폐하기 위한 셔터(45)를 구비하고 있고, 상기의 광로가 열린 상태에서, 유로 어레이(15)에 레이저광이 조사된다.
도 4는 이 유로 어레이(15)를 나타낸 것이다. 유로 어레이(15)는 석영제로 각형의 횡으로 긴 블록이며, 상하 방향에 각각 형성되고 또한 횡방향으로 일렬로 배열된 11 개의 관통홀을 구비하고 있다. 이 관통홀이 약액의 유로(16A ~ 16K)를 이룬다. 따라서 큐벳트(14A ~ 14K)는, 당해 관통홀 및 그 주위의 벽부에 의해 구성된다. 유로(16A ~ 16K)를 하방으로부터 상방을 향해, 약액이 유통된다.
도 3으로 돌아와 설명을 계속한다. 수광부(42)는, 유로 어레이(15)를 사이에 두고 레이저광 조사부(41)에 전후 방향에 대향하도록 마련되어 있으며, 광학계(46)와 수광 소자군(47)을 구비하고 있다. 도면 중 48은, 레이저광 조사부(41)와 수광부(42)를 유로 어레이(15)의 하방측으로부터 지지하는 스테이지이며, 도시하지 않는 구동 기구에 의해 좌우 방향(유로(16A ~ 16K)의 배열 방향)으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 이와 같이 스테이지(48)가 이동함으로써, 레이저광 조사부(41)는 파이버(21)로부터 도광된 광을, 유로(16A ~ 16K) 중 선택된 하나의 유로에, 전후 방향을 따라 조사할 수 있다. 따라서, 약액의 흐름 방향에 대하여 교차하도록 당해 유로에 광로가 형성된다. 그리고, 그와 같이 유로(16)에 조사되어, 당해 유로(16)를 투과한 광은 수광부(42)에 입광하고, 광학계(46)를 개재하여 수광 소자군(47)에 조사된다.
도 5는 수광 소자군(47)의 평면도이다. 수광 소자군(47)은 포토 다이오드로 이루어지는 64 개의 수광 소자에 의해 구성되어 있으며, 예를 들면 2×32의 행렬을 이루도록 서로 간격을 두고 배치되어 있다. 상측에 배치된 수광 소자를 수광 소자(40A), 하측에 배치된 수광 소자를 수광 소자(40B)라 한다. 좌우 방향의 동일한 위치에 있어서의 수광 소자(40A), 수광 소자(40B)는 하나의 조를 이루고 있다. 이 조를 이루는 수광 소자(40A, 40B)에 대하여, 좌우의 일방으로부터 차례로 1 채널, 2 채널, 3 채널, ···32 채널(ch)로서, 채널(ch) 번호를 부여하여 나타내는 경우가 있다. 또한 도면 중 22는, 기술한 바와 같이 레이저광 조사부(41)로부터 이 수광 소자군(47)에 조사된 광의 스폿을 나타내고 있으며, 당해 스폿(22)은 각 채널의 수광 소자(40A, 40B)에 걸리도록 횡으로 긴 타원형이 된다.
동일한 채널의 수광 소자(40A, 40B)는 회로부(49)에 접속되어 있다. 예를 들면 회로부(49)는, 동일한 채널의 수광 소자(40A, 40B)로부터 각각 출력된 신호를 증폭하고, 그들의 차분인 전압 신호를 검출 신호로서, 후술의 제어부(5)에 출력한다. 도 5에서는 1 ch의 수광 소자(40A, 40B)에 접속된 회로부(49)만 나타내고 있지만, 각 채널의 수광 소자(40A, 40B)에 대하여 회로부(49)가 마련되어 있으며, 이후는 이 회로부(49)에 대해서도 수광 소자와 마찬가지로 1 ch ~ 32 ch의 채널 번호를 부여하여 나타내는 경우가 있다. 이와 같이 수광 소자(40A, 40B)로부터의 출력의 차분을 검출 신호로 하는 것은, 수광 소자(40A, 40B)에서 공통으로 검출되는 노이즈를 제거하기 위함이다.
또한, 레이저광 조사부(41)로부터의 광 조사에 의해 유로(16(16A ~ 16K))에 형성되어, 폴리머의 상태의 검출을 행하기 위한 검출 영역(도 3 중에 20으로서 표시)을 이루는 광로를, 좌우 방향으로 32 분할하여 각각 분할 영역으로 하면, 32 개의 분할 영역과 수광 소자(40A, 40B)의 32 개의 채널이 서로 1 대 1로 대응한다. 즉, 1 개의 분할 영역에서 폴리머와 반응하여 생긴 광(반응광)은, 당해 분할 영역에 대응하는 1 개의 채널의 수광 소자(40A, 40B)에 조사되도록 구성되어 있다. 가령 검출 영역(20) 전체의 반응광을 1 개의 채널의 수광 소자(40A, 40B)로 검출하고자 하는 경우, 그 검출 영역(20) 전체로부터 발생하는 노이즈가 1 개의 채널의 수광 소자(40A, 40B)로부터 출력되게 되어, 노이즈의 레벨이 커짐으로써 검출 정밀도가 낮아진다. 이 검출 정밀도의 저하를 방지하기 위하여, 기술한 바와 같이 분할 영역과 수광 소자의 채널을 1 대 1로 대응시킨 구성으로 하고 있다.
광학 검출 유닛(4)을 사용하면, 폴리머의 농도에 따라, 폴리머의 광학 입경이 상이하게 보여진다. 즉, 폴리머의 광학 입경은 폴리머 농도에 대한 의존성을 가진다. 또한, 광학 입경이 상이하다고 하는 것은, 적어도 크기 또는 형상의 일방이 상이하다고 상정된다. 후술하는 제어부(5)는 당해 의존성을 이용하여 폴리머의 농도를 검출할 수 있도록 구성되어 있다.
이어서, 제어부(5)에 대하여 설명한다. 이 제어부(5)는 컴퓨터에 의해 구성되어 있으며, 이하에 당해 제어부(5)가 행하는 각 처리에 대하여 설명한다. 제어부(5)는 유로(16A ~ 16J) 중 하나에 있어서의 레지스트의 유통과 당해 유로 중 하나에의 광 조사가 행해지고 있는 동안에, 상기의 1 ch ~ 32 ch의 회로부(49)로부터 출력되는 각 검출 신호를 정해진 간격으로 반복하여 취득함으로써, 채널마다 검출 신호의 전압 강도(진폭)에 대한 시계열 데이터를 취득한다. 도 6에서는 1 개의 채널로부터 얻어진 시계열 데이터의 파형을 개략적으로 나타내고 있다. 설명의 편의상, 이 시계열 데이터를 가공 전 시계열 데이터(51)로 한다. 이 가공 전 시계열 데이터(51)의 각 피크의 크기는, 검출 영역(20)을 통과한 물질의 크기에 상당한다. 제어부(5)는 이 가공 전 시계열 데이터(51)에 기초하여, 상기한 표준의 폴리머의 상태의 이상에 대하여 검출할 수 있도록 구성되어 있다.
제어부(5)는 뉴럴 네트워크를 이용한 오토인코더법에 의해, 가공 전 시계열 데이터(51)를 해석 처리하여, 재구성 시계열 데이터(52)를 취득한다. 또한, 도 6 중 53, 54, 55는 오토인코더를 이루는 입력층, 숨겨진 층, 출력층을 각각 나타내고 있다. 도면 중에서는 숨겨진 층은 1 층이지만, 복수 층이어도 된다. 이 재구성 시계열 데이터(52)에 있어서, 반복하여 나타나는 정상적인 파형을 특정하고, 특정한 파형과, 제 1 상관 데이터(56)에 기초하여 폴리머의 광학 입경을 특정한다. 제 1 상관 데이터(56)는, 특정된 파형에 대한 진폭과 폴리머의 광학 입경과의 상관 관계에 대하여 설정된 데이터이다.
또한, 상기와 같이 광학 입경으로서 검출되는 레지스트 중에 포함되는 폴리머의 크기에 대해서는 불균일이 있다. 도 1에서 설명한 이상인 크기의 폴리머(102)는, 정상인 크기의 폴리머(101)에 비하면 그 수가 적기 때문에, 상기와 같이 정상적인 파형을 특정하는 것은, 그러한 이상인 크기가 된 폴리머(102)가 제외된, 정상인 크기의 폴리머로서 레지스트 중에서 가장 많이 포함되어 있는 폴리머를 특정하고 있게 된다. 또한, 제 1 상관 데이터(56)는 진폭 및 주기와 폴리머의 광학 입경에 대한 상관 관계의 데이터여도 된다. 즉, 파형의 진폭 외에 파형의 주기(신호폭)에 기초하여 폴리머의 광학 입경을 특정해도 된다.
그리고, 특정된 폴리머의 광학 입경과 제 2 상관 데이터(57)에 기초하여, 레지스트 중의 폴리머의 농도를 특정한다. 이미 설명한 바와 같이 폴리머의 광학 입경과 폴리머의 농도는 서로 상관하고 있으며, 상기의 제 2 상관 데이터(57)는, 이 폴리머의 광학 입경과 폴리머의 농도와의 상관 관계에 대하여 설정된 데이터이다. 제 1 상관 데이터(56), 제 2 상관 데이터(57)는 실험을 행함으로써 미리 취득해 둔다. 또한, 특정된 폴리머의 광학 입경, 폴리머의 농도에 대해서는 각각 허용 범위에 들어가는지 여부가 판정되고, 허용 범위에 들어가지 않는 경우에는 이상이라 여겨진다. 즉, 기술한 표준의 폴리머의 상태에 대하여, 이상의 유무가 검출되게 된다.
이러한 이상의 검출을 행하기 위하여, 재구성 시계열 데이터(52)를 취득하고 있는 이유에 대하여 설명한다. 출력층(55)으로부터의 출력이 입력층(53)에의 입력과 동일해지도록 교육이 행해지는 오토인코더법의 성질로부터, 가공 전 시계열 데이터(51)에 있어서의 정상인 폴리머에 대응하는 신호 파형에 대해서는, 재구성 시계열 데이터(52)에 있어서 동일 내지는 대략 동일한 신호 파형으로서 재현된다. 반대로, 가공 전 시계열 데이터(51)에 있어서의 이상인 폴리머에 대응하는 신호 파형에 대해서는, 재구성 시계열 데이터(52)에 있어서 신호 파형의 재현성이 낮다. 따라서, 가공 전 시계열 데이터(51) 및 재구성 시계열 데이터(52)에 대하여 동일한 시간에 있어서의 신호 강도의 차분을 취함으로써, 차분의 시계열 데이터(오차 시계열 데이터(58)라 함)를 취득했을 때에, 이 신호 강도의 차분이 크면, 이상인 크기의 폴리머를 검출한 것이 된다. 즉, 이와 같이 재구성 시계열 데이터(52)를 취득하는 것은, 가공 전 시계열 데이터(51)와 비교함으로써 이상인 크기의 폴리머에 대응하는 파형을 제외하고, 상기의 폴리머의 크기 및 폴리머 농도를 특정하기 위한 정상적인 파형이 정확성 높게 검출할 수 있게 된다. 또한 그 이외에도, 취득된 신호 전반에 대하여 오토인코더에서의 재현성이 나쁜 경우에는, 폴리머 전체에 무언가의 이상이 발생하고 있다고 판단할 수 있다.
또한 제어부(5)에 의해, 재구성 시계열 데이터(52)의 파형에 대하여, 그러한 이상인 폴리머에 상당하는 파형을 제외한 부분의 각 피크의 크기로부터, 각 폴리머의 크기가 구해진다. 즉, 레지스트 중에 지배적으로 존재하는 표준의 폴리머의 크기가 산출된다. 그리고, 그와 같이 산출한 폴리머의 크기에 대하여 평균값이 산출된다. 이 크기의 평균값에 대하여, 허용 범위에 들어가는지 여부가 판정되며, 허용 범위에 들어가지 않는 경우에는 이상이라 여겨진다.
또한, 상기의 오차 시계열 데이터(58)에 대하여, 피크의 값이 정해진 범위 외에 있는 것에 대하여, 크기가 이상인 폴리머라 하여, 그 수가 카운트된다. 그리고 예를 들면 그 수가 허용 범위에 들어가는지 여부가 판정되어, 허용 범위에 들어가지 않는 경우에는 레지스트가 이상이라 여겨진다. 그 외에, 오차 시계열 데이터(58)로부터 상기와 같이 산출한 평균값과는 상이한 크기를 가지는 폴리머를 특정하고, 특정한 각 폴리머의 크기를 기억한다. 측정을 행할 때마다, 이러한 각 폴리머의 크기의 기억을 행한다. 그리고, 이와 같이 특정한 폴리머의 수 및 크기에 대한 경시 변화를 감시하여, 이상의 유무를 판정한다. 구체적인 예를 말하면, 예를 들면 크기가 정해진 범위 내에 들어가는 폴리머의 수에 대하여, N 회째의 측정, N+1 회째의 측정, N+2 회째의 측정에서 각각 얻어진 수를 A1 개, A2 개, A3 개로 하고, (A3-A2) - (A2-A1)가 기준값을 초과하고 있으면 이상이라 한다. 또한, 상기의 폴리머의 농도에 대해서도, 상기의 크기와 동일하게 측정을 행할 때마다 기억되어 경시 변화가 감시되고, 이상의 유무의 판정이 행해진다.
그런데, 상기와 같이 검출된 폴리머의 농도가 허용 범위로부터 벗어나 이상인 경우, 미리 설정된 처리 파라미터를 이용하여 성막 처리를 행하면, 웨이퍼(W)에 형성되는 레지스트막의 막 두께에 대해서는, 그 폴리머의 농도의 허용 범위로부터 벗어난 양에 따라 변동하게 된다. 따라서, 폴리머의 농도가 이상이 된 경우에는, (폴리머 농도의 검출값 - 폴리머 농도의 기준값)이, 미리 설정된 범위(막 두께 조정 가능 범위로 함) 내에 들어가는지 여부가 판정되어, 막 두께 조정 가능 범위 내에 들어가는 경우는 레지스트막의 막 두께가 설정값에 맞춰지도록 처리 파라미터가 보정된다. 이 예에서는, 당해 처리 파라미터로서 회전 기구(32)에 의한 웨이퍼(W)에의 레지스트 공급 후의 회전수의 보정이 행해지고, 원심력에 의해 웨이퍼(W)로부터 털어내지는 레지스트의 양이 조정되는 대처 동작이 행해진다.
상기의 웨이퍼(W)의 회전수의 조정은, (폴리머 농도의 검출값 - 폴리머 농도의 기준값)과, 웨이퍼(W)의 회전수의 보정값과의 상관 관계에 대하여 설정된 제 3 상관 데이터(61로 함)에 기초하여 행해진다. 이 제 3 상관 데이터(61)로부터 구해지는 보정값을, 회전수에 대한 설정값에 가산하여 보정된 회전수로, 웨이퍼(W)가 회전하여 처리가 행해진다. 상기의 폴리머 농도의 검출값 - 폴리머 농도의 기준값이 클수록 회전수의 보정값이 커져, 웨이퍼(W)로부터 털어내지는 레지스트의 양이 많아지도록, 제 3 상관 데이터(61)가 설정된다.
그런데, 레지스트의 유로(16A) ~ 유로(16J)에 있어서 폴리머 이외의 폴리머보다 큰 사이즈의 이물이 통과하여, 당해 이물에 광이 조사된 경우에는, 가공 전 시계열 데이터(51)에는 그 이물에 대응하는 피크가, 폴리머를 나타내는 피크보다 큰 피크로서 나타난다. 제어부(5)는, 예를 들면 가공 전 시계열 데이터(51)와 미리 설정된 이물 검출용의 신호 강도의 임계치에 기초하여, 당해 이물의 검출을 행한다. 구체적으로, 이 임계치를 초과하는 가공 전 시계열 데이터(51)의 피크에 대해서는 상기의 폴리머 이외의 이물을 나타내는 피크라 하고, 이 피크에 기초하여 이물의 검출(크기의 산출 및 계수)이 행해진다. 그리고, 예를 들면 정해진 크기의 이물의 수가 허용값과 비교됨으로써, 이상인지 여부가 판정된다. 또한, 가공 전 시계열 데이터(51)와, 그를 기초로 한 오토인코더에 의한 재현 데이터를 비교하여, 재현성이 나쁜 피크를 이물을 나타내는 피크로 해도 된다. 따라서, 레지스트의 유로(16A ~ 16J)에 대해서는, 폴리머의 상태의 감시와 폴리머 이외의 이물의 감시가 행해지고, 시너의 유로(16K)에 대해서는, 폴리머 이외의 이물의 감시가 행해진다. 따라서, 각 유로(16A ~ 16K)에 대하여 약액의 청정도가 감시된다.
또한, 상기한 가공 전 시계열 데이터(51)는 수광 소자(40A, 40B)의 채널마다 취득할 수 있어, 채널마다, 기술한 폴리머의 크기 및 농도 등을 검출할 수 있다. 따라서, 최종적으로 결정되는 폴리머의 크기 및 폴리머 농도 등에 대해서는, 예를 들면 각 채널로부터 상기와 같이 산출되는 값의 평균값으로 할 수 있다.
이어서, 도 7을 참조하여 제어부(5)의 구성에 대하여 설명한다. 이 제어부(5)는, 상기와 같이 폴리머의 상태의 이상을 검출하는 검출부로서 구성되고, 또한 이 이상을 해석 처리하기 위한 해석 처리부를 이룬다. 도면 중 61은 제어부(5)를 구성하는 버스이며, 당해 버스(62)에는 CPU(63), 프로그램 저장부(64), 메모리(65, 66) 및 알람 출력부(67)가 접속되어 있다. 프로그램 저장부(64)에는, 상기한 각 처리 및 후술하는 웨이퍼(W)에의 레지스트막의 형성 처리가 행해지도록 단계군이 구성되어, 레지스트 도포 장치(1)를 구성하는 각 부에 제어 신호를 출력하기 위한 프로그램(68)이 저장되어 있다. 구체적으로, 밸브(V1)의 개폐, 회전 기구(32)에 의한 회전수, 노즐(11A) ~ 노즐(11K)을 반송하기 위한 각 부의 동작, 레지스트 공급부(13A ~ 13J)로부터의 레지스트의 공급, 시너 공급부(13K)로부터의 시너의 공급, 레이저광 조사부(41) 및 수광부(42)를 이동시키는 구동 기구의 동작 또는 셔터(45)의 개폐 등의 동작이 상기의 제어 신호에 의해 제어된다. 프로그램(68)은 예를 들면 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크, 메모리 카드 또는 DVD 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 저장부(60)에 저장된다.
또한 예를 들면 메모리(65)에 대해서는, 프로그램(68)이 기술한 각 처리를 행하기 위한 각종의 데이터에 대하여 기억되어 있다. 이 데이터로서는, 상기의 재구성 시계열 데이터(52)를 얻기 위한 오토인코더를 구성하는 가중치 또는 바이어스 등의 파라미터, 제 1 상관 데이터(56), 제 2 상관 데이터(57), 제 3 상관 데이터(61) 및 회전수를 포함하는 웨이퍼(W)의 처리 파라미터를 포함한다. 또한 예를 들면 메모리(66)에 대해서는, 기술한 폴리머의 크기의 경시 변화 및 폴리머의 농도의 경시 변화에 대하여 산출할 수 있도록, 검출을 행할 때마다 얻어지는 폴리머의 크기 및 폴리머의 농도에 대하여 기억된다.
알람 출력부(67)는, 기술한 바와 같이 각종의 이상의 판정이 행해진 경우에, 그 취지를 나타내는 알람을 출력한다. 이 알람은 예를 들면 음성 또는 화면 표시 등이다. 단, 폴리머의 농도에 대하여 이상이 판정된 경우에 있어서, 기술한 바와 같이 회전수의 보정에 의한 대처가 행해지는 경우에는, 당해 알람의 출력은 행해지지 않는다.
이어서 도 8의 타이밍 차트 및 도 9의 순서도를 참조하여, 상기의 레지스트 도포 장치(1)의 동작을 설명한다. 도 8의 타이밍 차트에서는, 13A ~ 13K 중 하나의 공급부(13)에 있어서의 펌프의 압력이 정정되는 타이밍, 11A ~ 11K 중 하나의 노즐(11)이 암(38)에 의해 이동하는 타이밍, 12A ~ 12K 중 하나의 약액 공급관(12)의 밸브(V1)가 개폐되는 타이밍, 레이저광 조사부(41)로부터 레이저광이 조사되는 상태와 당해 레이저광의 조사가 정지된 상태가 전환되는 타이밍, 제어부(5)에 의해 수광 소자군(47)을 구성하는 각 채널로부터의 신호가 취득되는 타이밍에 대하여 각각 나타내고 있다. 상기의 레이저광이 조사되는 상태와 조사가 정지한 상태가 전환되는 타이밍은, 광학 검출 유닛(4)의 셔터(45)가 개폐되는 타이밍에 상당한다.
먼저, 웨이퍼(W)가 스핀 척(31) 상으로 반송되어 유지된 상태에서, 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 노즐(11K)이 반송되고, 공급부(13K)의 펌프가 동작하고, 또한 약액 공급관(12K)의 밸브(V1)가 개폐되어, 웨이퍼(W)의 중심부에 시너가 공급된다. 밸브(V1)가 열리는 동안, 큐벳트(14K)에 광 조사되어, 가공 전 시계열 데이터(51)가 취득되고, 폴리머 이외의 이물의 검출이 행해진다. 기술한 바와 같이 이 이물의 검출은, 가공 전 시계열 데이터(51)의 피크에 기초하여 행해도 되고, 가공 전 시계열 데이터(51)와 당해 가공 전 시계열 데이터(51)를 오토인코더에 의해 처리한 재현 데이터를 비교함으로써 행해도 된다. 한편, 웨이퍼(W)가 회전하여, 시너가 웨이퍼(W)의 주연부로 퍼진다.
이 후, 예를 들면 노즐(11A)이 웨이퍼(W) 상으로 반송된다. 그리고, 레지스트 공급부(13A)의 펌프가 레지스트의 흡인을 행하고, 그에 의해 정해진 압력이 되도록 정정이 개시된다(차트 중, 시각(t1)). 예를 들면 이 노즐의 이동 및 펌프의 동작에 병행하여, 레이저광 조사부(41) 및 수광부(42)가 큐벳트(14A)를 사이에 두는 위치로 이동한다. 이 때 광학 검출 유닛(4)의 셔터(45)는 닫혀 있다.
노즐(11A)이 웨이퍼(W) 상에서 정지하고(시각(t2)), 웨이퍼(W)가 정해진 회전수로 회전한 상태가 된다. 이어서 약액 공급관(12K)의 밸브(V1)가 열려, 펌프로부터 레지스트가 노즐(11A)을 향해 정해진 유량으로 압송된다. 이 압송과 함께 셔터(45)가 열려 레이저광 조사부(41)로부터 레이저광이 조사되고, 큐벳트(14A)를 투과한다. 그에 따라, 큐벳트(14A) 내의 유로(16A)에 광로인 검출 영역(20)이 형성된다(시각(t3)). 그리고, 유로(16A)에서 압송된 레지스트는, 큐벳트(14A)를 통과하여, 노즐(11A)로부터 웨이퍼(W)의 중심부에 토출된다(단계(S1)).
밸브(V1)의 개방도가 상승하여, 정해진 개방도가 되면 개방도의 상승이 정지한다(시각(t4)). 이 후, 각 채널의 수광 소자(40A, 40B)가 접속되는 회로부(49)로부터 출력되는 신호의 취득이 개시된다. 즉, 가공 전 시계열 데이터(51)의 취득이 개시된다(시각(t5)). 이어서, 회로부(49)로부터의 출력 신호의 취득이 정지하고(시각(t6)), 셔터(45)가 닫혀 레이저광 조사부(41)로부터의 광 조사가 정지하고 또한 약액 공급관(12A)의 밸브(V1)가 닫혀, 웨이퍼(W)에의 레지스트의 토출이 정지한다(시각(t7)).
제어부(5)는, 가공 전 시계열 데이터(51)로부터, 재구성 시계열 데이터(52) 및 오차 시계열 데이터(58)를 취득한다. 그리고, 도 6에서 설명한 바와 같이 이들의 시계열 데이터, 제 1 상관 데이터(56) 및 제 2 상관 데이터(57)에 기초하여, 폴리머의 크기, 폴리머의 농도, 폴리머의 크기의 평균값, 폴리머의 크기의 경시 변화, 폴리머의 농도의 경시 변화, 크기가 이상인 폴리머의 수가 검출되고, 이들 검출값이 각각, 이상인지 여부가 판정된다(단계(S2)).
상기의 단계(S2)에서 폴리머의 농도에 대하여 이상이라 판정된 경우에는, (폴리머의 농도의 검출값 - 폴리머 농도의 기준값)이 막 두께 조정 가능 범위 내인지 여부가 판정된다(단계(S3)). 그리고, 이 단계(S3)에서 막 두께 조정 가능 범위 내라고 판정된 경우에는, 폴리머의 농도의 검출값 및 제 3 상관 데이터(61)에 기초하여 웨이퍼(W)의 회전수의 보정값이 산출되어, 당해 회전수의 보정이 행해진다(단계(S4)). 그리고, 보정된 회전수로 웨이퍼(W)가 회전하고, 웨이퍼(W)에 토출된 레지스트가, 원심력에 의해 당해 웨이퍼(W)의 주연부로 퍼져, 레지스트막이 형성된다. 그리고, 그와 같이 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)에 대해서는, 레지스트 도포 장치(1)로부터 반출된다. 이 후, 후속의 웨이퍼(W)가 레지스트 도포 장치(1)로 반송되어, 상기의 단계(S1) 이후의 각 단계가 실시된다.
상기의 단계(S3)에서, (폴리머의 농도의 검출값 - 폴리머 농도의 기준값)이 막 두께 조정 가능 범위 외라고 판정된 경우, 알람 출력부(67)로부터 알람이 출력되고 또한 웨이퍼(W)의 처리가 정지한다. 또한, 단계(S2)에서 폴리머의 농도 이외의 검출값이 이상이라고 판정된 경우에도, 이 단계(S4)의 알람의 출력 및 웨이퍼(W)의 처리 정지가 행해진다. 단계(S2)에서, 각 검출값 중 어느 것에 대해서도 이상이 없는 경우에는, 회전수에 대해서는 보정되지 않고 미리 설정된 회전수로 웨이퍼(W)가 회전하여 레지스트막이 형성된다. 그리고, 후속의 웨이퍼(W)가 레지스트 도포 장치(1)로 반송되어, 단계(S1) 이후의 각 단계가 실시된다.
또한 상기의 단계(S2)에 있어서는, 기술한 폴리머 이외의 이물에 대한 이상의 유무의 판정도 행해지고, 이상이라고 판정된 경우에는, 단계(S4)의 알람의 출력 및 웨이퍼(W)의 처리의 정지가 행해진다. 또한, 상기의 도 8의 차트로 설명한 이물의 검출에서는, 큐벳트(14A)의 액류가 안정된 상태에서의 이물의 검출을 행함으로써 측정 정밀도를 높이기 위하여, 상기와 같이 밸브(V1)를 개폐하는 타이밍과, 제어부(5)가 출력 신호의 취득을 개시 및 종료하는 타이밍이 서로 어긋나 있다. 예를 들면 상기의 시각(t4 ~ t5) 간은 10 밀리초 ~ 1000 밀리초이며, 시각(t6 ~ t7) 간은 10 ~ 100 밀리초이다.
레지스트 도포 장치(1)에 있어서는, 레지스트에 포함되는 폴리머 중 과반수 존재하는 폴리머의 상태가 광학적으로 감시되어, 이상의 유무의 판정이 행해진다. 그에 따라, 웨이퍼(W)에 형성되는 레지스트막에 이상이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 또한 각 웨이퍼(W)에 대하여 균일성 높은 성질의 레지스트막을 형성할 수 있다. 그리고, 상기의 폴리머의 상태로서 레지스트 중에 포함되는 폴리머의 농도를, 당해 폴리머의 크기를 개재하여 감시할 수 있으므로, 레지스트막의 막 두께에 대하여 높은 안정성을 얻을 수 있다. 또한 폴리머의 농도가 이상이라 판정되었을 때에, 이 농도에 대하여 기준값에 대한 차가 경미한 경우(상기의 막 두께 조정 가능 범위에 포함되는 경우)에는 처리 파라미터가 자동적으로 변경됨으로써, 레지스트막의 막 두께가 설정값이 되도록 조정된다. 따라서, 이 폴리머의 농도의 이상에 의해, 웨이퍼(W)를 낭비하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기와 같이 레지스트의 유로의 특정의 위치에서 이상인 폴리머의 검출 및 폴리머 이외의 이물의 검출을 행하는 것은, 레지스트의 유로에 있어서 어느 위치가, 막의 이상이 되는 물질의 발생원이 되는지의 추정에 기여한다. 따라서, 이상이 검출되었을 때에, 장치의 복구 작업에 요하는 시간의 단축화를 도모할 수 있다.
그런데, 서로 상이한 레지스트의 폴리머의 농도 또는 서로 상이한 폴리머의 질량수에 각각 따른, 신호 강도의 시계열 데이터의 파형(기준 파형이라 함)이, 제어부(5)의 메모리(65)에 기억되어 있어도 된다. 그리고, 제어부(5)는 각 약액 상태에 따른 기준 파형을 재현할 수 있도록, 각 약액마다 오토인코더용의 학습 데이터를 가지고 있다. 가공 전 시계열 데이터(51)를 취득했을 때에, 어느 학습 데이터를 사용하여 시계열 데이터를 산출하면, 산출된 시계열 데이터와 메모리(65)에 저장된 기준 파형과의 차분이 작아지는가를 확인하고, 가장 차분이 작아지는 학습 데이터에 해당하는 약액에 친화성이 있다고 판단한다. 그리고, 이 친화성이 있다고 판단된 약액의 폴리머의 물성이, 측정된 레지스트에 있어서의 폴리머의 물성으로서 결정되도록 해도 된다. 따라서 도 6에서 설명한 예에서는, 재구성 시계열 데이터(52)와 제 1 상관 데이터(56)를 이용하여 폴리머의 크기를 특정하고, 이 폴리머의 크기와 제 2 상관 데이터(57)를 이용하여 레지스트의 농도를 특정하고 있는데, 그와 같이 차례로 특정이 행해지는 것에는 한정되지 않는다.
상기와 같이 폴리머에 대해서는 질량수에 대해서도 추정할 수 있으므로, 이 질량수에 대하여 이상을 판정해도 된다. 또한, 상기의 수광 소자군(40)으로부터 취득되는 신호에는, 폴리머의 굴절률에 대한 정보가 포함된다. 따라서 검출하는 폴리머의 상태의 이상으로서는, 당해 굴절률의 이상에 대하여 포함되도록 해도 된다. 즉, 폴리머의 이상 상태의 검출이란, 크기 및 농도의 검출에는 한정되지 않는다.
폴리머의 농도에 이상 있음이라고 판정된 경우에, 보정되는 처리 파라미터로서는, 웨이퍼(W)의 회전수에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 8에서 시각(t7)으로서 설명한 밸브(V1)를 닫는 타이밍을 변경해도 된다. 즉, 폴리머의 농도의 검출값 - 기준값이 산출되고, 그와 같이 산출된 값이 작은, 즉 폴리머의 농도가 작을수록, 밸브(V1)를 열리고 나서 닫혀질 때까지의 간격이 길어져, 웨이퍼(W)에 많은 양의 레지스트가 공급되도록, 당해 밸브(V1)를 닫는 타이밍이 조정된다. 따라서 밸브(V1)는, 약액의 공급량을 조정하는 공급량 조정 기구로서 구성된다. 이 밸브(V1)를 닫는 타이밍의 변경은, 폴리머의 농도의 이상이 검출된 측정회에 있어서 행해도 되고, 폴리머의 농도의 이상이 검출된 다음의 측정회에 있어서 행해도 된다.
그런데 도 1에 나타낸 레지스트 도포 장치(1)에서는, 레이저광이 조사되는 광 조사 영역을 이루는 큐벳트(14A ~ 14J)에 대하여, 약액 공급관(12A ~ 12J)에 있어서 밸브(V1)보다 하류측에서, 노즐(11A ~ 11J)의 근방에 마련되어 있다. 따라서, 웨이퍼(W)에 공급되기 직전의 레지스트의 상태를 정밀도 높게 감시할 수 있으므로, 형성되는 레지스트막에 이상이 발생하는 것을, 보다 확실히 억제할 수 있다. 단, 이러한 위치에 큐벳트(14A ~ 14J)를 마련하는 것에는 한정되지 않는다. 구체적으로, 레지스트 공급부(13A)의 구성의 일례를 나타낸 도 10을 참조하여, 큐벳트(14A)가 마련되는 다른 위치의 예에 대하여 설명한다.
먼저, 레지스트 공급부(13A)의 구성에 대하여 설명한다. 이 레지스트 공급부(13A)는 펌프(71), 하류측 삼방 밸브(V2), 탱크(72), 상류측 삼방 밸브(V3), 보틀(73)을 포함한다. 그리고, 펌프(71), 하류측 삼방 밸브(V2), 탱크(72), 상류측 삼방 밸브(V3)는 밸브(V1)의 상류측의 위치로부터, 더 상류측을 향해, 이 순으로 약액 공급관(12A)에 개재 설치되어 있다. 레지스트의 저류부인 보틀(73)은, 약액 공급관(12A)의 상류단에 접속되어 있다. 하류측 삼방 밸브(V2), 상류측 삼방 밸브(V3)에는 각각 분기로를 이루는 배관(74, 75)의 상류단이 접속되어 있고, 배관(74, 75)의 하류단은 도시하지 않는 배액로에 접속되어 있다. 단, 이들 배관(74, 75)의 하류단은, 예를 들면 레지스트를 재이용하기 위하여 회수하는 탱크에 접속되어 있어도 된다. 레지스트의 공급의 전환부를 이루는 상류측 삼방 밸브(V3) 및 하류측 삼방 밸브(V2)는, 통상은 약액 공급관(12A)의 상류측으로부터 하류측으로 레지스트를 유통시킬 수 있는 상태로 되어 있고, 따라서 배관(74, 75)에는 레지스트가 공급되지 않는 상태로 되어 있다.
도면 중, 밸브(V1)와 노즐(11A) 사이의 위치 대신에 광학적인 검출을 행하는 각 위치에 대하여 쇄선의 원으로 둘러싸, 위치(19A) ~ 위치(19D)로서 나타내고 있다. 즉, 이들 위치(19A ~ 19D)에 큐벳트(14A)를 마련할 수 있다. 위치(19A)는 약액 공급관(12A)에 있어서의 밸브(V1)와 펌프(71) 사이이며, 위치(19B)는 약액 공급관(12A)에 있어서의 탱크(72)와 하류측 삼방 밸브(V2) 사이의 위치이며, 위치(19C)는 탱크(72)이며, 위치(19D)는 약액 공급관(12A)에 있어서의 상류측 삼방 밸브(V3)와 보틀(73) 사이의 위치이다. 위치(19C)가 탱크(72)라는 것은, 보다 상세하게 말하면, 약액 공급관(12A)에 있어서의 탱크(72)의 상류측의 근방, 또는 탱크(72)의 하류측의 근방에 큐벳트(14A)를 설치해도 된다고 하는 것이다.
펌프(71)의 후단인 위치(19A)에 큐벳트(14A)가 마련되는 경우에는, 도 8의 타이밍 차트로 설명한 타이밍, 즉 펌프(71)로부터 레지스트가 토출되는 기간에 있어서 검출이 행해진다. 펌프(71)의 전단인 위치(19B ~ 19D)에 큐벳트(14A)가 마련되는 경우에는, 도 8의 타이밍 차트로 설명한 시각(t1 ~ t3)에서, 펌프(71)가 흡액하여 압력이 정정되는 기간에 있어서 검출이 행해진다.
그리고, 상기와 같이 위치(19B ~ 19D)에 큐벳트(14A)가 마련되는 경우, 예를 들면 폴리머의 농도에 대하여 이상이 검출되고, 그 검출값이 막 두께 조정 가능 범위 내에 들어가지 않는다고 판정된 경우에는, 하류측 삼방 밸브(V2)의 개폐 상태의 전환이 행해져, 이 하류측 삼방 밸브(V2)로부터의 레지스트의 공급처가, 노즐(11A)로부터 배관(74)으로 전환되고, 배액된다. 따라서, 그와 같이 폴리머 농도가 이상이라 여겨진 레지스트는 노즐(11A)로는 공급되지 않으므로, 웨이퍼(W)를 낭비하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 예를 들면 폴리머의 크기 등의 폴리머의 농도 이외의 이상의 판정 대상에 대하여 이상이라 여겨진 경우에 대해서도, 마찬가지로 하류측 삼방 밸브(V2)의 개폐 상태가 전환됨으로써, 레지스트가 배관(74)으로 배액된다. 또한, 위치(19D)에서 광학적인 검출을 행하는 경우에는, 하류측 삼방 밸브(V2) 대신에 상류측 삼방 밸브(V3)의 개폐 상태를 전환함으로써, 배관(75)으로 배액해도 된다. 하류측 삼방 밸브(V2) 혹은 상류측 삼방 밸브(V3)와 각 밸브의 동작을 제어하는 제어부(5)에 의해, 이상에 대한 대처 기구가 구성된다.
또한, 상기의 레지스트 공급부(13A)에 대해서는, 약액 공급관(12A)을 세정하는 세정액인 시너와, 레지스트를 서로 전환하여 당해 약액 공급관(12A)으로 공급할 수 있도록 구성되어도 된다. 그리고, 큐벳트(14A)에서 폴리머의 상태의 이상이 검출된 후에는 약액 공급관(12A)으로 시너가 공급되어 세정된다. 이 약액 공급관(12A)의 세정 중에 상기의 재구성 시계열 데이터(52)가 취득되고, 이 재구성 시계열 데이터(52)로부터 특정되는 이물 및 이상 폴리머에 대응하는 신호가 특정의 빈도 이하가 되면 세정 처리를 종료하고, 정해진 크기의 폴리머수가 기준값보다 많으면 세정 처리를 계속하도록 제어부(5)에 의한 제어가 행해져도 된다. 즉, 세정 처리를 종료하는 타이밍을, 재구성 시계열 데이터(52)에 기초하여 결정해도 된다. 그러한 구성에 의하면, 웨이퍼(W)에의 처리에 영향이 없도록 약액 공급관(12A)을 확실히 세정하고 또한 시너의 사용량의 억제를 도모할 수 있다. 또한, 레지스트 공급부(13A)에 대하여 설명해 왔지만, 다른 레지스트 공급부(13B ~ 13J)에 대해서도 레지스트 공급부(13A)와 마찬가지로 구성할 수 있다.
그런데 제어부(5)의 프로그램(68)으로서는 오토인코더로서 구성되고, 상기의 가공 전 시계열 데이터(51)에 대하여 해석 처리를 행하는 것으로 했지만, 프로그램(68)에 의해 행해지는 해석 처리로서는, 그러한 오토인코더에 의한 처리에 한정되지 않는다. 여기서 말하는 해석 처리란 예를 들면, 이 오토인코더법과 같이 신호 파형의 각 피크의 크기의 비가 처리 전과 처리 후에서 상이한 것이 되도록 처리하거나, 신호 강도와 시간과의 관계와는 상이한 관계를 얻기 위한 처리를 말한다. 구체적으로, 이 해석 처리로서는 FFT(고속 푸리에 변환)가 포함된다. 프로그램(68)은, 예를 들면 도 11에 나타내는 바와 같이 가공 전 시계열 데이터(51)에 대하여 FFT를 행함으로써, 주파수와 신호 강도와의 관계를 나타내는 주파수 스펙트럼(76)을 취득하고, 이 주파수 스펙트럼(76)에 기초하여, 폴리머의 상태의 이상의 유무의 검출을 행하도록 구성되어 있어도 된다.
더 상세하게 말하면, FFT 처리 후의 주파수와 폴리머의 크기와의 상관 관계에 대하여 설정된 제 4 상관 데이터(77)를, 메모리(65)에 기억해 둔다. 그리고, 레지스트 중에 많이 포함되어 있는 크기의 폴리머일수록, 취득된 주파수 스펙트럼(76)에 있어서 큰 피크가 되어 나타내지는 것으로 하여, 가장 큰 피크에 있어서의 주파수를 특정한다. 그 특정한 주파수와 제 4 상관 데이터(77)에 기초하여, 레지스트 중에 가장 많이 포함되는 폴리머의 크기를 특정한다. 이후는, 도 6에서 설명한 바와 같이, 이 폴리머의 크기에 기초하여 폴리머의 농도도 특정하고, 이들 폴리머의 크기, 농도에 대하여, 각각 이상의 검출을 행할 수 있다.
이하에, 기술한 레지스트 도포 장치(1)가 레지스트 도포 모듈로서 탑재된 기판 처리 장치인 도포, 현상 장치(8)에 대하여 평면도, 종단 측면도인 도 12, 도 13을 각각 참조하여 설명한다. 도포, 현상 장치(8)는 캐리어 블록(D1)과, 처리 블록(D2)과, 인터페이스 블록(D3)을 횡방향으로 직선 형상으로 접속하여 구성되어 있고, 인터페이스 블록(D3)이 노광 장치(D4)에 접속되어 있다. 이후의 설명에서는 블록(D1 ~ D3)의 배열 방향을 전후 방향으로 한다. 캐리어 블록(D1)은 캐리어(C)의 배치대(81)와, 개폐부(82)와, 개폐부(82)를 개재하여 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반송하는 전달 암(83)을 구비하고 있다.
처리 블록(D2)은, 웨이퍼(W)에 액 처리 및 가열 처리를 행하는 제 1 ~ 제 6 단위 블록(E1 ~ E6)이 아래로부터 차례로 적층되어 구성되어 있다. 각 단위 블록에서는 병행하여 웨이퍼(W)의 반송 및 처리가 행해진다. 또한, 단위 블록(E1, E2)이 동일한 단위 블록이며, 단위 블록(E3, E4)이 동일한 단위 블록이며, 단위 블록(E5, E6)이 동일한 단위 블록이다. 웨이퍼(W)는 동일한 단위 블록 중, 어느 일방으로 선택되어 반송된다.
단위 블록 중 대표하여 단위 블록(E3)을, 도 12를 참조하여 설명한다. 캐리어 블록(D1)으로부터 인터페이스 블록(D3)을 향하는 반송 영역(84)의 좌우의 일방측에는 선반 유닛(U)이 배치되고, 레지스트 도포 장치(1)인 레지스트 도포 모듈(85)이 전후로 배열되어 마련되어 있다. 선반 유닛(U)은 레지스트막 형성 후의 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 모듈(86)을 구비하고 있다. 상기의 반송 영역(84)에는, 이 단위 블록(E3)에 마련되는 각 모듈과, 후술의 타워(T1, T2)에 있어서 단위 블록(E3)과 동일한 높이에 마련되는 각 모듈에 액세스하여 웨이퍼(W)를 전달하는 반송 암(F3)이 마련되어 있다.
단위 블록(E1, E2)은 레지스트 도포 모듈(85) 대신에, 반사 방지막을 형성하기 위한 약액을 웨이퍼(W)에 도포하는 반사 방지막 형성 모듈이 마련되는 것, 및 선반 유닛(U)에는 반사 방지막 형성 후의 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 모듈이 마련되는 것을 제외하고, 단위 블록(E3)과 동일한 구성이다. 단위 블록(E5, E6)은 레지스트 도포 모듈(85) 대신에, 현상 모듈이 마련되는 것, 및 선반 유닛(U)에는 노광 후, 현상 전의 가열 처리(PEB)를 행하는 가열 모듈(87)이 마련되는 것을 제외하고, 단위 블록(E3)과 동일한 구성이다. 또한, 가열 모듈(86, 87)에 있어서는 각 단위 블록에 복수 마련되지만, 도 13에서는 각 단위 블록에 1 개씩 나타내고 있다. 또한, 도 13에서는 각 단위 블록(E1 ~ E6)의 반송 암을 F1 ~ F6로서 나타내고 있다.
처리 블록(D2)에 있어서의 캐리어 블록(D1)측에는, 각 단위 블록(E1 ~ E6)에 걸쳐 상하로 연장되는 타워(T1)와, 타워(T1)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 암(88)이 마련되어 있다. 타워(T1)는 서로 적층된 복수의 전달 모듈(TRS)을 구비하고 있다. 전달 모듈(TRS)은 각 블록에 대하여 웨이퍼(W)를 전달하기 위하여 웨이퍼(W)가 일단 배치된다.
인터페이스 블록(D3)은, 단위 블록(E1 ~ E6)에 걸쳐 상하로 연장되는 타워(T2, T3, T4)를 구비하고 있고, 타워(T2)와 타워(T3)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 인터페이스 암(91)과, 타워(T2)와 타워(T4)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 기구인 인터페이스 암(92)과, 타워(T2)와 노광 장치(D4)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 인터페이스 암(93)이 마련되어 있다.
타워(T2)는 전달 모듈(TRS), 노광 처리 전의 복수 매의 웨이퍼(W)를 저장하여 체류시키는 버퍼 모듈, 노광 처리 후의 복수 매의 웨이퍼(W)를 저장하는 버퍼 모듈, 및 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 온도 조정 모듈 등이 서로 적층되어 구성되어 있는데, 여기서는, 전달 모듈(TRS) 이외의 모듈의 도시는 생략한다. 또한, 타워(T3, T4)에도 각각 모듈이 마련되어 있지만, 여기서는 설명을 생략한다.
이 도포, 현상 장치(8)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대하여 설명한다. 웨이퍼(W)는 캐리어(C)로부터 전달 암(83)에 의해, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS0)로 반송되고, TRS0로부터 웨이퍼(W)는, 단위 블록(E1, E2)으로 분배되어 반송된다. 웨이퍼(W)를 단위 블록(E1)으로 전달하는 경우에는, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS) 중, 단위 블록(E1)에 대응하는 전달 모듈(TRS1)(반송 암(F1)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 가능한 전달 모듈)에 대하여, TRS0로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 또한 웨이퍼(W)를 단위 블록(E2)으로 전달하는 경우에는, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS) 중, 단위 블록(E2)에 대응하는 전달 모듈(TRS2)에 대하여, TRS0로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 이들 웨이퍼(W)의 전달은 전달 암(88)에 의해 행해진다.
이와 같이 분배된 웨이퍼(W)는, TRS1(TRS2) → 반사 방지막 형성 모듈 → 가열 모듈 → TRS1(TRS2)의 순으로 반송되고, 이어서 전달 암(85)에 의해 단위 블록(E3)에 대응하는 전달 모듈(TRS3)과, 단위 블록(E4)에 대응하는 전달 모듈(TRS4)로 분배된다. 이와 같이 TRS3, TRS4로 분배된 웨이퍼(W)는, 레지스트 도포 모듈(85) → 가열 모듈(86)의 순으로 반송되어, 타워(T2)의 전달 모듈(TRS31(TRS41))로 반송된다.
이 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 암(91, 93)에 의해, 노광 장치(D4)로 반송된다. 노광 후의 웨이퍼(W)는 인터페이스 암(92, 93)에 의해 단위 블록(E5, E6)에 대응하는 타워(T2)의 전달 모듈(TRS51, TRS61)로 각각 반송된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 가열 모듈(87) → 현상 모듈의 순으로 반송되어, 레지스트 패턴이 형성된 후, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS5(TRS6))로 반송되어, 전달 암(83)을 개재하여 캐리어(C)로 되돌려진다.
그런데, 도포, 현상 장치(8)는 제어부(9)를 구비하고 있다. 이 제어부(9)에 대하여, 기술한 제어부(5)와의 차이점을 말하면, 이 제어부(9)에 포함되는 프로그램은, 상기와 같이 웨이퍼(W)가 반송되어, 처리가 행해지도록 짜여져 있다. 그리고, 이 제어부(9)는 레지스트 도포 모듈(85)에 있어서 상기와 같이 레지스트의 폴리머 농도가 이상이 되어도, 웨이퍼(W)에의 처리의 정지를 행하지 않는다. 따라서, 설정값과는 상이한 막 두께의 레지스트막이 형성되어, 후단의 각 모듈로 반송되게 된다. 이 도포, 현상 장치(8)에 있어서는, 그와 같이 폴리머의 농도가 이상, 즉 레지스트막의 막 두께가 이상이 된 경우에, 레지스트 패턴의 형상 또는 패턴의 위치를 포함하는 CD(Critical Dimension)에 대한 영향을 알고 있는 경우, 그 CD에 대한 영향을 억제하기 위하여, 가열 모듈(86 또는 87)에 있어서의 웨이퍼(W)의 가열 온도의 보정이 행해지도록 해도 된다.
구체적으로, 폴리머의 농도에 대하여 (검출값 - 기준값)과, 가열 온도의 보정량과의 상관 데이터를 미리 제어부(9)를 구성하는 메모리에 기억시켜 둔다. 그리고, 폴리머의 농도가 이상이 되었을 때에는 이 상관 데이터에 기초하여, 가열 모듈(86 또는 87)의 가열 온도의 보정량이 산출되고, 보정된 가열 온도로 웨이퍼(W)의 가열이 행해지도록 한다. 그에 따라, 레지스트 패턴의 형상 및 위치가 설정된 것과 차이나는 것을 억제해도 된다. 따라서, 이 도포, 현상 장치(8)에서는 약액의 상태의 이상의 유무에 따른 온도로, 웨이퍼(W)가 가열 처리되게 된다. 또한, 보정되는 처리 파라미터로서는, 가열 온도 대신에 가열 모듈(86 또는 87)에 있어서의 웨이퍼(W)의 가열 시간이어도 된다.
그런데, 상기의 제어부(5)가 가공 전 시계열 데이터(51)를 오토인코더에 의해 해석 처리하는 예를 나타냈지만, 그와 같이 오토인코더에 의한 해석 처리를 행하는 것에는 한정되지 않고, RNN(리커런트 뉴럴 네트워크) 또는 LSTM(Long short-term memory)에 의한 해석 처리를 행하도록 제어부(5)를 구성해도 된다. 구체적인 예를 설명하면, 이미 취득된 가공 전 시계열 데이터(51)(과거 데이터라 함)에 대하여, RNN 또는 LSTM에 의한 처리를 행한다. 그 처리에 의해, 직후에 측정을 행했다고 한 경우의 예측의 시계열 데이터를 취득할 수 있다. 그리고, 이 예측의 시계열 데이터의 취득 후에 실측의 시계열 데이터가 얻어지면, 예측의 시계열 데이터의 파형과 실측의 시계열 데이터의 파형을 비교하여, 신호 파형의 괴리가 일정한 값보다 큰 경우에는 이상으로서 판단할 수 있다. 상기의 과거 데이터는, 이물의 신호를 포함하지 않고, 약액이 청정한 상태에서 얻어진 데이터이다. 또한, 예를 들면 n+1 회째의 측정(레지스트의 토출 및 가공 전 시계열 데이터(51)의 취득)을 행하고 있는 것으로 하면, 이 n+1 회째보다 전의 측정회에서 취득된 가공 전 시계열 데이터(51)를, 상기의 과거 데이터로서 이용할 수 있다. 즉, n 회째, n-1 회째, n-2 회째, ···의 측정에서 취득된 가공 전 시계열 데이터(51)로부터 상기의 예측의 시계열 데이터를 취득하여, 당해 예측의 시계열 데이터와 n+1 회째의 측정에서 얻어진 시계열 데이터를 비교할 수 있다.
그 외에, n+1 회째의 측정 중에 있어서의 현재의 시각보다 전에 취득된 시계열 데이터를 과거 데이터로 하고, 이 n+1 회째의 측정 중에 있어서의 현재의 시각보다 후의 시간대(A라 함)의 예측의 시계열 데이터를 취득한다. 그리고, 당해 시간대(A)가 되어 얻어지는 실측의 시계열 데이터와 예측의 시계열 데이터를 비교하여 이상의 판단을 행하도록 해도 된다. 즉, RNN 또는 LSTM에 의하면, 지금부터 취득되게 되는 데이터를 예측하고, 이 예측 데이터에 기초하여 이상을 판단할 수 있다. 또한, 약액이 일정한 양으로 토출되는 시간대의 길이가 변경되거나, 유량 등이 결정된 시퀀스를 따라 경시적으로 변화하는 것과 같은, 복잡한 프로세스 또는 시간적 요소에 의해 토출량이 변화하는 프로세스에는, 오토인코더법을 이용하는 것보다도 이들 RNN 및 LSTM을 이용함으로써, 보다 정밀도 높게 이상의 판단을 행할 수 있기 때문에 바람직하다.
또한, 상기의 실시 형태는 전방 산란법을 이용하는 것으로 했지만, 측방 산란광을 수광하는 측방 산란법을 이용해도 된다. 또한, 그와 같이 산란광을 수광함으로써 검출을 행하는 광산란 방식 외에, 폴리머가 레이저광 조사부(41)와 수광 소자(40A, 40B)와의 사이에 형성되는 광로를 차단함으로써 수광 소자(40A, 40B)에 조사되는 광이 변화하는 것에 의한 차폐 방식에 기초한 검출을 행해도 된다. 이와 같이 검출 방법으로서는 특정의 검출 방법에 한정되는 것은 아니다.
그리고 수광 소자(40A, 40B)로서는, 유로(16(16A ~ 16K))로부터 공급되는 광을 수광할 수 있으면 된다. 상기와 같이 광산란 방식 및 차폐 방식이 검출 방법으로서 포함되기 때문에, 이 유로(16)로부터 수광 소자군(40)으로 공급되는 광에는, 레이저광 조사부(41)로부터 조사되어 유로(16)를 투과함으로써 공급되는 광, 및 유로(16)에 있어서 폴리머의 작용에 의해 생겨 공급되는 광 모두 포함된다. 또한, 폴리머를 포함하고 또한 도포막을 형성하기 위한 약액으로서는, 레지스트에는 한정되지 않고, 예를 들면 반사 방지막 형성용의 약액이 있으며, 당해 약액의 폴리머의 상태의 이상을 검출해도 된다. 또한, 이상의 검출에 대하여, 상기의 각 예에서는 제어부(5)가, 취득되는 각 검출값에 대하여 허용 범위에 들어가는지 여부를 판정함으로써 이상의 판정을 행하고 있지만, 그러한 판정을 행하지 않고, 검출값의 취득만을 행하는 경우도 폴리머의 상태의 이상을 검출하는 것에 포함된다. 또한, 상기의 각 실시 형태는 서로 적절히 조합하거나, 변형하는 것이 가능하다.
도 10에서는 기재를 생략하고 있지만, 각 약액 공급관(12A ~ 12J)에 있어서 예를 들면 펌프(71)와 탱크(72)와의 사이에는, 레지스트 중의 파티클을 포집하기 위한 필터(78)가 개재 설치되어 있다. 도 14에서는 대표하여, 약액 공급관(12A)에 마련된 필터(78)를 나타내고 있다. 노즐(11A)을 이용하여 처리를 행하기 전의 준비로서, 이 약액 공급관(12A)의 필터(78)에 대하여, 예를 들면 당해 레지스트를 구성하는 용매인 시너에 의한 세정 및 웨팅이 행해진다. 구체적으로 예를 들면 약액 공급관(12A)의 상류측이, 상기의 레지스트가 저류되는 보틀(73)에 접속되는 대신에 시너의 공급원에 접속되고, 그 시너의 공급원으로부터 노즐(11A)을 향해 시너가 공급되어, 세정 및 웨팅이 행해진다.
이 후, 약액 공급관(12A)에 시너의 공급원 대신에 보틀(73)이 접속되고, 펌프(71)에 의해, 노즐(11A)로 레지스트가 공급된다. 그에 따라, 필터(78) 및 약액 공급관(12A)의 시너가 노즐(11A)로 퍼지되어, 필터(78) 및 약액 공급관(12A)에서는, 당해 시너가 점차 레지스트로 치환된다. 당해 치환이 완료되면, 노즐(11A)을 이용한 처리가 가능해진다. 이 치환이 완료되는 타이밍, 즉 약액 공급관(12A)이 원하는 약액으로 충전된 타이밍에 대하여, 제어부(5)는 검출할 수 있다.
상기의 치환 완료의 타이밍의 검출 방법에 대하여, 구체적으로 설명한다. 예를 들면 상기의 펌프(71)에 의한 레지스트의 노즐(11A)로의 압송이 행해져 치환 작업이 개시되면, 광학 검출 유닛(4)으로부터 큐벳트(14A)로의 광 조사, 및 제어부(5)에 의한 가공 전 시계열 데이터(51)로서 설명한 전압 신호의 시계열 데이터의 취득이 개시된다. 제어부(5)는 당해 시계열 데이터를 취득하면서, 정해진 구간마다의 평균값, 즉 이동 평균값을 산출한다. 상기의 치환이 진행되면, 약액 공급관(12A)을 흐르는 레지스트를 구성하는 폴리머가 증가하여, 전압 신호의 시계열 데이터는 변화하기 때문에, 산출되는 이동 평균값은 변화한다. 제어부(5)는 새로운 이동 평균값을 산출할 때마다, 그 새롭게 산출한 이동 평균값에 대하여, 제어부(5)의 메모리에 미리 저장되어 있는 기준값과의 비교를 행한다.
상기의 이동 평균값과 기준값과의 비교의 결과, 이동 평균값이 기준값과는 상이한 값이라 판정된 경우에는, 펌프(71)에 의한 노즐(11A)로의 레지스트의 공급이 계속된다. 그리고, 이동 평균값이 기준값과 동일하다고 판정된 경우에는, 필터(78) 및 약액 공급관(12A)에 있어서의 치환이 완료된, 즉 레지스트와 웨팅에 이용한 시너와의 비율에 대하여 레지스트가 100%, 시너가 0%가 된 것으로서, 펌프(71)의 토출 동작이 정지하고, 치환 작업이 종료된다. 이 치환 작업의 종료와 함께, 광학 검출 유닛(4)에 의한 큐벳트(14A)에의 광 조사도 정지된다. 또한, 이러한 펌프(71)의 동작의 정지 및 광 조사의 정지는, 예를 들면 제어부(5)에 의해 행해진다. 이와 같이 치환 완료의 타이밍을 검출함으로써, 쓸데없이 레지스트가 소비되는 것을 억제할 수 있으므로, 장치의 운용의 저비용화를 도모할 수 있다.
그런데, 이 치환 완료의 타이밍을 검출하는 다른 방법으로서 노즐(11A)로부터 웨이퍼(W)로 레지스트를 토출하여 레지스트막을 형성하고, 당해 레지스트막의 막 두께를 확인하는 방법이 있다. 이 막 두께에 기초한 검출을 행하는 경우에는, 정해진 양의 레지스트를 약액 공급관(12A)에 공급하여 퍼지를 행할 때마다 이 막 두께를 측정한다. 그리고, 막 두께의 변동 상황을 확인함으로써, 치환이 완료되었는지 여부를 검출하게 된다. 단, 그와 같이 막 두께를 확인하기 위해서는 웨이퍼(W)를 막 두께 측정기로 반송할 필요가 있으며, 레지스트막의 형성과 막 두께 측정기에 의한 당해 레지스트막의 막 두께의 측정을 복수 회 행하는 것이 되므로 수고롭다. 그러나, 기술한 바와 같이 시계열 데이터의 파형에 기초하여 치환 완료의 타이밍을 검출함으로써, 웨이퍼(W)에 레지스트를 도포하는 것이 불필요해지므로, 이 검출 작업의 공정수를 삭감하여 수고를 경감할 수 있으며, 막 두께 측정기도 불필요하게 할 수 있다. 또한, 이와 같이 약액 유로에 있어서의 약액의 치환이 완료되었는지 여부를 검출하는 것은, 유로에 있어서의 약액이 정상적인 약액이 되었는지 여부를 검출하고 있는 것이므로, 약액의 이상을 검출하고 있는 것에 포함된다.
상기의 설명에서는, 취득한 시계열 데이터로부터 그대로 이동 평균값을 산출하는 것으로 했지만, 기술한 바와 같이 시계열 데이터를 해석 처리한 결과, 얻어진 시계열 데이터로부터 이동 평균값을 산출해도 된다. 즉, 예를 들면 오토인코더에 의한 처리를 행하여, 이상인 파형을 제외하고 얻어지는 주기적인 파형으로부터 이동 평균값을 산출하고, 당해 이동 평균값에 기초하여, 치환이 완료되었는지 여부를 판정해도 된다. 그에 따라, 이상인 폴리머에 의한 영향이 제거되기 때문에, 치환 완료의 타이밍을 보다 정밀도 높게 검출할 수 있다.
도 15는 레지스트 도포 장치(1)의 변형예를 나타내고 있다. 이 변형예에서는 약액 공급관(12A)의 상류측이 2 개로 분기하여, 분기관(111, 112)이 형성되어 있다. 분기관(111)의 상류측은 펌프(113)를 개재하여 보틀(114)에 접속되고, 분기관(112)의 상류측은 펌프(115)를 개재하여 보틀(116)에 접속되어 있다. 보틀(114)에는 비교적 점도가 높은 레지스트가, 보틀(116)에는 시너가, 각각 저류되어 있다. 또한, 이 보틀(116)에 저류되는 시너는, 보틀(114)에 저류되는 레지스트의 용매를 구성한다. 펌프(113, 115)는 레지스트, 시너를 각각 노즐(11A)로 압송한다. 따라서, 레지스트, 시너는 약액 공급관(12A)을 유통 중에 혼합되어, 정해진 점도의 레지스트(혼합액)가 되어 노즐(11A)로부터 토출된다.
상기의 펌프(113, 115)의 토출량에 대해서는 미리 설정되어 있다. 따라서, 노즐(11A)로부터 토출되는 혼합액에 대하여, 보틀(114)로부터 공급된 레지스트와 보틀(116)로부터 공급된 시너와의 비율, 즉 혼합비는, 미리 설정된 값으로 될 것이 예상된다. 이 레지스트 도포 장치(1)에서는, 기술한 가공 전 시계열 데이터에 기초하여, 실제의 혼합비가 그 설정값인지 여부의 검출이 행해진다.
펌프(113, 115)에 의해 각 액이 약액 공급관(12A)에 토출되어 혼합액이 되고, 당해 혼합액이 당해 약액 공급관(12A)을 유통 중에, 큐벳트(14A)에 광 조사가 행해져, 상기의 시계열 데이터가 취득된다. 그리고, 이 시계열 데이터의 정해진 기간에 있어서의 전압의 평균값이 산출되어, 기준값과 일치하고 있는지 여부가 판정된다. 레지스트와 시너와의 비율에 따라, 레지스트를 구성하는 폴리머의 영향에 의해 전압의 평균값은 변이하게 된다. 전압의 평균값이 기준값과 일치하고 있다고 판정된 경우에는, 혼합비는 설정값에 일치하고 있는 것이라 여겨진다. 전압의 평균값이 기준값과 일치하지 않는 경우에는, 혼합비는 설정값에 일치하고 있지 않다고 여겨지고, 이상이 발생하고 있는 것으로서 예를 들면 알람의 출력 등이 행해진다. 또한, 상기의 각 판정은 제어부(5)에 의해 행해진다. 또한, 이와 같이 혼합비의 적부를 판정하는 경우에도, 치환 완료의 타이밍을 검출하는 경우와 마찬가지로, 시계열 데이터는 해석 처리된 것을 이용해도 된다.
또한, 펌프(113, 115)에 의해 각각 공급되는 약액이, 폴리머를 포함하는 레지스트, 폴리머를 포함하지 않는 시너인 것으로 했지만, 펌프(113, 115)로부터 각각 토출되는 약액이 폴리머를 포함하고 있어도 된다. 그 경우에도, 각 약액의 비율이 바뀜으로써, 약액에 각각 포함되는 폴리머의 영향에 의해, 시계열 데이터의 파형은 변화하기 때문에, 당해 시계열 데이터에 기초하여 기술한 바와 같이 각 약액의 혼합비의 적부의 판정을 행할 수 있다. 도 14에서 설명한 치환을 행하는 경우에도 치환 전의 약액, 치환 후의 약액이, 각각 폴리머를 포함하고 있어도 된다.
그런데, 기술한 바와 같이 제 1 약액과 제 2 약액과의 비율(제 1 약액 / 제 2 약액)이 원하는 값인지 여부를 검출함에 있어, 제 1 약액 및 제 2 약액의 종류에 따라서는, 이들 제 1 약액, 제 2 약액으로부터 각각 취득되는 시계열 데이터의 신호 강도의 차가 작은 것이 상정된다. 그리고, 그와 같이 신호 강도의 차가 작음으로써, 상기와 같이 평균값을 취득하는 것만으로는, 제 1 약액 / 제 2 약액이 원하는 값인지 여부의 검출을 행하기 어려운 경우가 있는 것이 상정된다. 그 경우에는, 제어부(5)에는 제 1 약액 / 제 2 약액이 원하는 값이 되었을 때에 시계열 데이터로부터 얻어지는 신호 강도의 평균값 외에, 파형의 주기 및 진폭의 정보가 기억되도록 하면 된다. 그리고, 광 조사에 의해 시계열 데이터가 취득되었을 때에, 그 시계열 데이터로부터 얻어지는 신호 강도의 평균값, 파형의 주기, 진폭이, 미리 기억된 신호 강도의 평균값, 파형의 주기, 진폭에 각각 근사하는지 여부가 판정됨으로써, 제 1 약액 / 제 2 약액이 원하는 값으로 되어 있는지 여부를 판정하면 된다. 신호 강도의 평균값을 이용하지 않고, 파형의 주기 및 진폭만으로부터 원하는 값인지 여부의 검출을 행하도록 해도 된다. 따라서, 광학 검출 유닛(4)으로부터 취득되는 시계열 데이터에 기초하여 유로에 있어서의 각 약액의 비율이 구해지면 되며, 기술한 바와 같이 시계열 데이터로부터 이동 평균을 산출하고, 이 이동 평균에 기초하여 당해 각 약액의 비율을 구하는 것에는 한정되지 않는다. 그리고, 이와 같이 진폭 및 파장에 기초하여 검출을 행하는 경우에도 시계열 데이터는, 기술한 해석 처리가 행해진 것을 이용할 수 있다.
또한, 검출하는 약액의 비율에 대하여, 3 종 이상의 약액의 비율이어도 된다. 또한, 약액 유로에 있어서의 약액의 치환의 완료의 검출을 행하는 경우, 치환 전 또는 치환 후의 약액 중 일방이, 기술한 예의 시너와 같이 폴리머가 혼재하고 있지 않은 약액이면 보다 바람직하다. 이는, 치환 완료 전의 시계열 데이터와 치환 완료 시의 시계열 데이터와의 파형의 차이가 비교적 커지므로, 보다 확실히 치환의 완료의 타이밍을 검출할 수 있기 때문이다. 그리고, 혼합액 중에 있어서의 각 약액의 비율을 검출할 시에도, 혼합액을 구성하는 하나의 약액은, 폴리머가 혼재하고 있지 않은 약액이면 바람직하다. 이는, 정상인 혼합비인 경우의 시계열 데이터와, 이상인 혼합비인 경우와의 시계열 데이터와의 차이가 비교적 크게 될 수 있으므로, 검출 결과는 신뢰성이 높은 것이 되기 때문이다. 즉, 약액 유로에 있어서의 당해 폴리머를 포함하는 약액과 다른 약액과의 비율을 검출함에 있어, 다른 약액은 폴리머를 포함하고 있어도 되지만, 폴리머를 포함하지 않는 것이면 보다 바람직하다.
또한, 치환 전후의 2 종의 약액, 서로 혼합되는 2 종의 약액에 대해서는, 기술한 레지스트 및 시너와 같이 용매가 공통인 경우, 보다 균일한 치환 및 혼합이 행해져 신뢰성이 높은 검출 데이터가 얻어지기 때문에, 치환 완료 시점 또는 특정의 혼합비가 된 시점을 리얼타임으로, 보다 확실히 판단할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 복수의 약액의 비율을 검출함에 있어, 복수의 약액 중 하나의 약액은 폴리머를 포함하는 약액인 것으로서 설명했다. 단, 이 하나의 약액에 대해서는, 폴리머를 포함하지 않고, 예를 들면 용매와, 그 용매와는 상이하고 또한 폴리머가 아닌 고체 또는 액체의 재료를 포함하는 액체로 하는 경우에도 본 기술을 적용 가능하다. 또한 금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기한 실시 형태는 첨부한 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
평가 시험
도 14에서 설명한 바와 같이, 약액 공급관(12A) 내에 있어서의 약액을 레지스트와 시너와의 사이에서 치환하고, 이 치환 중에 광학 검출 유닛(4)으로부터 취득되는 시계열 데이터의 신호 강도의 이동 평균값을 취득했다. 단, 도 14에서 설명한 처리와는 달리, 레지스트가 공급된 상태의 약액 공급관(12A)에 시너를 공급하여, 레지스트로부터 시너로의 치환을 행했다.
도 16의 그래프는 이 평가 시험의 결과를 나타내고 있다. 그래프의 횡축은 약액 공급관(12A) 내를 퍼지하기 위하여 공급된 시너의 공급량(단위 : mL)을 나타내고 있다. 그래프의 종축은 신호 강도의 이동 평균값을 나타내고 있고, 당해 종축의 상측일수록 값이 크다. 그래프에 플롯된 각 점에 의해 나타나도록, 시너의 공급량이 많아짐에 따라, 신호 강도의 이동 평균값은 점차 하강하고 있다. 그리고, 시너가 230 mL공급되었을 때에, 당해 이동 평균값은, 약액 공급관(12A)에 있어서의 시너가 100%가 된 것을 나타내는 값이 되었다.
도 16의 그래프의 점 중, 점(P1, P2, P3)의 산출에 이용한 시계열 데이터를 도 17, 도 18, 도 19로서 각각 나타내고 있다. P1, P2, P3는 공급된 시너가 각각 10 mL, 80 mL, 230 mL일 때의 점이다. 이들 도 17, 도 18, 도 19의 그래프에 대하여, 횡축은 정해진 시각부터의 경과 시간을 나타내고, 종축은 신호 강도를 나타내고 있다. 이러한 도 17 ~ 도 19의 그래프로부터 명백한 바와 같이, 취득되는 시계열 데이터의 파형은, 시너의 공급량에 따라 상이하다. 이러한 파형의 차이에 의해, 점(P1 ~ P3)의 각 이동 평균값이 서로 상이하다. 따라서, 이 평가 시험의 결과로부터, 약액 유로 중의 복수의 약액의 비율에 따라 신호 강도의 시계열 데이터는 변화하는 것을 알 수 있어, 당해 시계열 데이터에 기초하여 치환 완료의 타이밍을 검출할 수 있는 것이 가능한 것이 추정된다.
1 : 레지스트 도포 장치
16A ~ 16J : 유로
2 : 광 공급부
23 : 약액의 이물 검출 장치
4 : 광학 검출 유닛
41 : 레이저광 조사부
40A, 40B : 수광 소자
5 : 제어부
8 : 도포, 현상 장치

Claims (20)

  1. 폴리머를 포함하는 약액이 흐르는 약액 유로와,
    상기 약액 유로에 레이저광을 조사하는 레이저광 조사부와,
    상기 약액 유로로부터 공급되는 광을 수광하는 수광 소자와,
    상기 수광 소자로부터 출력되는 신호에 기초하여, 상기 약액에 포함되는 폴리머 중 과반수 존재하는 폴리머의 상태의 이상을 검출하거나, 혹은 상기 약액 유로에 있어서의 당해 폴리머를 포함하는 약액과 다른 약액과의 비율을 검출하기 위한 검출부
    를 구비한 것을 특징으로 하는 약액의 이상 검출 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 검출부는 상기 폴리머의 상태의 이상을 검출하고,
    상기 과반수 존재하는 폴리머란, 상기 폴리머의 광학 입경을 봤을 때에 중앙값을 포함하는 범위 내에 포함되는 폴리머인 것을 특징으로 하는 약액의 이상 검출 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머의 상태의 이상의 검출은, 상기 약액 중에 있어서의 폴리머의 농도의 이상, 또는 폴리머의 광학 입경의 이상의 검출을 포함하는 것을 특징으로 하는 이상 검출 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 폴리머의 상태의 이상의 검출은, 상기 약액 중에 있어서의 폴리머의 농도의 이상을 포함하고, 상기 약액 중의 폴리머의 농도와 상기 폴리머의 광학 입경과의 상관에 대하여 설정된 데이터에 기초하여, 상기 이상이 검출되는 것을 특징으로 하는 이상 검출 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 수광 소자로부터 출력되는 신호로부터 얻어지는 신호 강도의 시계열 데이터에 기초하여, 상기 이상을 해석 처리하기 위한 해석 처리부가 마련되고,
    상기 검출부는 상기 해석 처리된 데이터에 기초하여 상기 폴리머의 상태의 이상을 검출하는 것을 특징으로 하는 이상 검출 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 해석 처리부는, 상기 시계열 데이터가 입력되는 오토인코더, 리커런트 뉴럴 네트워크 또는 LSTM에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 이상 검출 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 해석 처리부는, 상기 신호 강도의 시계열 데이터를 푸리에 변환하는 것을 특징으로 하는 이상 검출 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 검출부는, 상기 약액 유로에 있어서의 상기 폴리머를 포함하는 약액과 다른 약액과의 비율을 검출하고,
    상기 수광 소자로부터 출력되는 신호로부터 얻어지는 신호 강도의 시계열 데이터에 기초하여, 상기 비율을 해석 처리하기 위한 해석 처리부가 마련되는 것을 특징으로 하는 이상 검출 장치.
  9. 상기 약액 유로에 상기 약액을 공급하고, 또한 당해 약액이 저류되는 저류부와,
    상기 약액 유로의 하류측에 접속되어, 상기 약액을 상기 피처리체인 기판에 공급하는 노즐과,
    상기 기판을 배치하는 배치부와,
    제 1 항에 기재된 약액의 이상 검출 장치
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 검출부에 의해 폴리머의 상태의 이상이 검출되었을 때에 대처하는 대처 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 약액 유로에 있어서 상기 레이저광이 조사되는 광 조사 영역의 하류측으로부터 분기하고, 상기 노즐과는 상이한 유로에 약액을 공급하기 위한 분기로를 구비하고,
    상기 대처 기구는, 상기 폴리머의 상태의 이상이 검출되었을 때에 상기 광 조사 영역을 통과한 상기 약액의 공급처를, 상기 노즐로부터 상기 분기로로 전환하는 전환부에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 약액은 상기 기판에 도포막을 형성하기 위한 약액이며,
    상기 폴리머의 상태의 이상은, 상기 약액 중에 있어서의 폴리머의 농도의 이상을 포함하고,
    상기 대처 기구는, 상기 폴리머의 농도의 이상이 검출되었을 때에 상기 기판의 도포막의 두께를 조정하는 두께 조정 기구에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 두께 조정 기구는, 상기 기판의 회전수를 조정함으로써 상기 기판으로부터 상기 약액을 제거하는 양을 조정하는 기판의 회전 기구에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 두께 조정 기구는, 상기 기판에의 약액의 공급량을 조정하는 공급량 조정 기구에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  15. 제 9 항에 기재된 액 처리 장치와,
    상기 도포막이 형성된 상기 기판을 가열하는 가열 모듈과,
    상기 액 처리 장치로부터 상기 가열 모듈로 기판을 반송하는 반송 기구
    를 구비하고,
    상기 가열 모듈은, 검출된 상기 이상의 유무에 따른 온도 혹은 시간으로 기판을 가열하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 피처리체에 도포막을 형성하기 위한 폴리머를 포함하는 약액을 약액 유로에 공급하는 공정과,
    레이저광 조사부에 의해, 상기 약액 유로에 레이저광을 조사하는 공정과,
    상기 약액 유로로부터 공급되는 광을 수광하는 수광 소자로부터 신호를 출력하는 공정과,
    상기 수광 소자로부터 출력되는 신호에 기초하여, 상기 약액에 있어서의 폴리머 중 과반수 존재하는 폴리머의 상태의 이상을 검출부에 의해 검출하거나, 혹은 상기 약액 유로에 있어서의 상기 폴리머를 포함하는 약액과 다른 약액과의 비율을 검출부에 의해 검출하는 공정
    을 구비한 것을 특징으로 하는 약액의 이상 검출 방법.
  17. 배치부에 상기 피처리체인 기판을 배치하는 공정과,
    약액이 저류되는 저류부로부터, 상기 약액 유로에 약액을 공급하는 공정과,
    상기 약액 유로의 하류측에 접속되는 노즐로부터, 상기 약액을 상기 기판에 공급하는 공정과,
    제 16 항에 기재된 약액의 이상 검출 방법
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 약액은 상기 기판에 도포막을 형성하기 위한 약액이며,
    상기 폴리머의 상태의 이상을 검출하는 공정은, 상기 약액 중에 있어서의 폴리머의 농도의 이상을 검출하는 공정을 포함하고,
    상기 폴리머의 농도의 이상이 검출되었을 때에, 상기 기판의 회전수를 조정함으로써 상기 기판으로부터 상기 약액을 제거하는 양을 조정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 약액은 상기 기판에 도포막을 형성하기 위한 약액이며,
    상기 폴리머의 상태의 이상을 검출하는 공정은, 상기 약액 중에 있어서의 폴리머의 농도의 이상을 검출하는 공정을 포함하고,
    상기 폴리머의 농도의 이상이 검출되었을 때에, 상기 기판에의 약액의 공급량을 조정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  20. 상기 약액은 상기 기판에 도포막을 형성하기 위한 약액이며,
    제 17 항에 기재된 액 처리 방법과,
    상기 도포막이 형성된 기판을 상기 배치부로부터 가열 모듈로 반송하는 공정과,
    상기 가열 모듈에 있어서, 검출된 상기 이상의 유무에 따른 온도 혹은 시간으로 상기 기판을 가열하는 공정
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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