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KR20200086619A - 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 - Google Patents

유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 Download PDF

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KR20200086619A
KR20200086619A KR1020190172642A KR20190172642A KR20200086619A KR 20200086619 A KR20200086619 A KR 20200086619A KR 1020190172642 A KR1020190172642 A KR 1020190172642A KR 20190172642 A KR20190172642 A KR 20190172642A KR 20200086619 A KR20200086619 A KR 20200086619A
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organic
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compound
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박형근
전진우
이윤석
박정환
조민지
장보미
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덕산네오룩스 주식회사
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Abstract

본 발명은 화학식 1로 표시되는 화합물과, 제 1전극, 제 2전극 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이의 유기물층을 포함하는 유기전기소자, 및 상기 유기전기소자를 포함하는 전자장치를 제공한다. 상기 유기물층에 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함됨으로써, 유기전기소자의 구동전압을 낮출 수 있고 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.

Description

유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치{COMPOUND FOR ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT, ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT USING THE SAME, AND AN ELECTRONIC DEVICE THEREOF}
본 발명은 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 그리고 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다. 또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 형성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
현재 휴대용 디스플레이 시장은 대면적 디스플레이로 그 크기가 증가하고 있는 추세이며, 이로 인해 기존 휴대용 디스플레이에서 요구하던 소비전력보다 더 큰 소비전력이 요구되고 있다. 따라서, 배터리라는 제한적인 전력 공급원을 가지고 있는 휴대용 디스플레이 입장에서는 소비전력이 중요한 요소가 되었고, 효율과 수명 문제 또한 반드시 해결해야 하는 중요한 요소이다.
효율과 수명, 구동전압 등은 서로 연관이 있으며, 효율이 증가되면 상대적으로 구동전압이 떨어지고, 구동전압이 떨어지면서 구동시 발생되는 주울열(Joule heating)에 의한 유기물질의 결정화가 적어져 결과적으로 수명이 높아지는 경향을 나타낸다. 하지만 상기 유기물층을 단순히 개선한다고 하여 효율을 극대화시킬 수는 없다. 왜냐하면, 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있기 때문이다.
따라서 높은 열적 안정성을 가지며 발광층 내에서 효율적으로 전하 균형(charge balance)을 이룰 수 있는 발광 재료, 특히 호스트에 대한 개발이 필요하다.
본 발명은 소자의 구동전압을 낮추고, 소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 측면에서, 본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 제공한다.
Figure pat00001
Figure pat00002
다른 측면에서, 본 발명은 상기 화학식으로 표시되는 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 화합물을 이용함으로써 소자의 구동전압을 낮출 수 있고, 소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 유기전기발광소자의 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 측면에 따른 화학식을 나타낸다.
본 발명에서 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한 아릴기에는 플루오렌일기가 포함될 수 있고 아릴렌기에는 플루오렌일렌기가 포함될 수 있다.
본 발명에서 사용된 용어 "플루오렌일기"는 치환 또는 비치환된 플루오렌일기를, "플루오렌일렌기"는 치환 또는 비치환된 플루오렌일기를 의미하며, 본 발명에서 사용된 플루오렌일기 또는 플루오렌일렌기는 하기 구조에서 R과 R'이 서로 결합되어 이들이 결합된 탄소와 함께 스파이로 화합물을 형성한 경우를 포함한다.
"치환된 플루오렌일기", "치환된 플루오렌일렌기"는 하기 구조에서 R, R', R" 중 적어도 하나가 수소 이외의 치환기인 것을 의미하며, 본 명세서에서는 가수와 상관없이 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 플루오렌트리일기 등을 모두 플루오렌기라고 명명할 수도 있다.
Figure pat00003
본 발명에서 사용된 용어 "스파이로 화합물"은 '스파이로 연결'을 가지며, 스파이로 연결은 2개의 고리가 오로지 1개의 원자를 공유함으로써 이루어지는 연결을 의미한다. 이때, 두 고리에 공유된 원자를 '스파이로 원자'라 하며, 한 화합물에 들어 있는 스파이로 원자의 수에 따라 이들을 각각 '모노스파이로-', '다이스파이로-', '트라이스파이로-' 화합물이라 한다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는 "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 고리를 의미하나 여기에 제한되는 것은 아니다. 본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타내며, 헤테로고리기는 헤테로원자를 포함하는 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 의미한다. 또한, 고리를 형성하는 탄소 대신 하기 화합물과 같이 SO2, P=O 등과 같은 헤테로원자단을 포함하는 화합물도 헤테로고리기에 포함될 수 있다.
Figure pat00004
본 발명에 사용된 용어 "지방족고리기"는 방향족탄화수소를 제외한 고리형 탄화수소를의미하며, 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함하며, 다른 설명이 없는 한 탄소수 3 내지 60의 고리를의미하나 여기에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 방향족고리인 벤젠과 비방향족고리인 사이클로헥산이 융합된 경우에도 지방족고리에 해당한다.
본 명세서에서 각 기호 및 그 치환기의 예로 예시되는 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기 등에 해당하는 '기 이름'은 '가수를 반영한 기의 이름'을 기재할 수도 있지만, '모체화합물 명칭'으로 기재할 수도 있다. 예컨대, 아릴기의 일종인 '페난트렌'의 경우, 1가의 '기'는 '페난트릴'로 2가의 기는 '페난트릴렌' 등과 같이 가수를 구분하여 기의 이름을 기재할 수도 있지만, 가수와 상관없이 모체 화합물 명칭인 '페난트렌'으로 기재할 수도 있다. 유사하게, 피리미딘의 경우에도, 가수와 상관없이 '피리미딘'으로 기재하거나, 1가인 경우에는 피리미딘일기, 2가의 경우에는 피리미딘일렌 등과 같이 해당 가수의 '기의 이름'으로 기재할 수도 있다.
또한, 본 명세서에서는 화합물 명칭이나 치환기 명칭을 기재함에 있어 위치를 표시하는 숫자나 알파벳 등은 생략할 수도 있다. 예컨대, 피리도[4,3-d]피리미딘을 피리도피리미딘으로, 벤조퓨로[2,3-d]피리미딘을 벤조퓨로피리미딘으로, 9,9-다이메틸-9H-플루오렌을 다이메틸플루오렌 등과 같이 기재할 수 있다. 따라서, 벤조[g]퀴녹살린이나 벤조[f]퀴녹살린을 모두 벤조퀴녹살린이라고 기재할 수 있다.
또한, 명시적인 설명이 없는 한,　본 발명에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에　의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.
Figure pat00005
여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하는 것을 의미하는데, 즉 a가 0인 경우는 벤젠고리를 형성하는 탄소에 모두 수소가 결합된 것을 의미하며, 이때 탄소에 결합된 수소의 표시를 생략하고 화학식이나 화합물을 기재할 수 있다. 또한, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 예컨대 아래와 같이 결합할 수 있고, a가 4 내지 6의 정수인 경우에도 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, a가 2 이상의 정수인 경우 R1은 서로 같거나 상이할 수 있다.
Figure pat00006
또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, 축합환을 표시할 때 '숫자-축합환'에서 숫자는 축합되는 고리의 개수를 나타낸다. 예컨대, 안트라센, 페난트렌, 벤조퀴나졸린 등과 같이 3개의 고리가 서로 축합한 형태는 3-축합환으로 표기할 수 있다.
또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, 5원자 고리, 6원자 고리 등과 같이 '숫자원자' 형식으로 고리를 표현한 경우, '숫자-원자'에서 숫자는 고리를 형성하는 원소의 개수를 나타낸다. 예컨대, 싸이오펜이나 퓨란 등은 5원자 고리에 해당할 수 있고, 벤젠이나 피리딘은 6원자 고리에 해당할 수 있다.
본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, '축합'이라 함은 적어도 두 개의 원소를 공유하며 융합되거나(fused) 결합된 형태를 의미한다. 예컨대, 나프탈렌은 벤젠에 벤젠이 축합된 형태로, 이때 축합되는 벤젠의 축합 부위는 아래와 같이 *,
Figure pat00007
, 점선 등으로 표시될 수 있다.
Figure pat00008
,
Figure pat00009
,
Figure pat00010
또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성한 고리는 C6~C60의 방향족고리기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
이때, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, '이웃한 기끼리'라 함은, 하기 화학식을 예로 들어 설명하면, R1과 R2끼리, R2와 R3끼리, R3과 R4끼리, R5와 R6끼리 뿐만 아니라, 하나의 탄소를 공유하는 R7과 R8끼리도 포함되고, R1과 R7끼리, R1과 R8끼리 또는 R4와 R5끼리 등과 같이 바로 인접하지 않은 고리 구성 원소(탄소나 질소 등)에 결합된 치환기도 포함될 수 있다. 즉, 바로 인접한 탄소나 질소 등과 같은 고리 구성 원소에 치환기가 있을 경우에는 이들이 이웃한 기가 될 수 있지만, 바로 인접한 위치의 고리 구성 원소에 그 어떤 치환기도 결합되지 않은 경우에는 그 다음 고리 구성 원소에 결합된 치환기와 이웃한 기가 될 수 있고, 또한 동일 고리 구성 탄소에 결합된 치환기끼리도 이웃한 기라고 할 수 있다.
하기 화학식에서 R7과 R8처럼 동일 탄소에 결합된 치환기가 서로 결합하여 고리를 형성할 경우에는 스파이로 모이어티가 포함된 화합물이 형성될 수 있다.
Figure pat00011
,
Figure pat00012
또한, 본 명세서에서 '이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다'라는 표현은 '이웃한 기끼리 서로 결합하여 선택적으로 고리를 형성한다'라는 것과 동일한 의미로 사용되며, 적어도 한 쌍의 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우를 의미한다.
이하, 본 발명의 화합물이 포함된 유기전기소자의 적층구조에 대하여 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.
각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 구성 요소가 다른 구성 요소 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 경우, 이는 다른 구성 요소 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 구성 요소가 있는 경우도 포함할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반대로, 어떤 구성 요소가 다른 부분 "바로 위에" 있다고 하는 경우에는 중간에 또 다른 부분이 없는 것을 뜻한다고 이해되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기전기소자의 예시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자(100)는 기판(미도시) 상에 형성된 제1 전극(110)과, 제2 전극(170), 그리고 제1 전극(110)과 제2 전극(170) 사이에 형성된 유기물층을 포함한다.
상기 제1 전극(110)은 애노드(양극)이고, 제2 전극(170)은 캐소드(음극)일 수 있으며, 인버트형의 경우에는 제1 전극이 캐소드이고 제2 전극이 애노드일 수 있다.
상기 유기물층은 정공주입층(120), 정공수송층(130), 발광층(140), 전자수송층(150) 및 전자주입층(160)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(110) 상에 정공주입층(120), 정공수송층(130), 발광층(140), 전자수송층(150) 및 전자주입층(160)이 순차적으로 형성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 제1 전극(110) 또는 제2 전극(170)의 양면 중에서 유기물층과 접하지 않는 일면에 광효율개선층(180)이 형성될 수 있으며, 광효율개선층(180)이 형성될 경우 유기전기소자의 광효율이 향상될 수 있다.
예를 들면, 제2 전극(170) 상에 광효율 개선층(180)이 형성될 수 있는데, 전면발광(top emission) 유기발광소자의 경우, 광효율 개선층(180)이 형성됨으로써 제2 전극(170)에서의 SPPs (surface plasmon polaritons)에 의한 광학 에너지 손실을 줄일 수 있고, 배면발광(bottom emission) 유기발광소자의 경우, 광효율 개선층(180)이 제2 전극(170)에 대한 완충 역할을 수행할 수 있다.
정공수송층(130)과 발광층(140) 사이에 버퍼층(210)이나 발광보조층(220)이 더 형성될 수 있는데 이에 대해 도 2를 참조하여 설명한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전기소자(200)는 제1 전극(110) 상에 순차적으로 형성된 정공주입층(120), 정공수송층(130), 버퍼층(210), 발광보조층(220), 발광층(140), 전자수송층(150), 전자주입층(160), 제2 전극(170)을 포함할 수 있고, 제2 전극 상에 광효율개선층(180)이 형성될 수 있다.
도 2에 도시되지는 않았으나, 발광층(140)과 전자수송층(150) 사이에 전자수송보조층이 더 형성될 수도 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 유기물층은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 스택이 복수개 형성된 형태일 수도 있다. 이에 대해 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전기소자(300)는 제1 전극(110)과 제2 전극(170) 사이에 다층으로 이루어진 유기물층의 스택(ST1, ST2)이 두 세트 이상 형성될 수 있고 유기물층의 스택 사이에 전하 생성층(CGL)이 형성될 수도 있다.
구체적으로, 본 발명에 일 실시예에 따른 유기전기소자는 제1 전극(110), 제1 스택(ST1), 전하 생성층(CGL: Charge Generation Layer), 제2 스택(ST2), 제2 전극(170) 및 광효율 개선층(180)을 포함할 수 있다.
제1 스택(ST1)은 제1 전극(110) 상에 형성된 유기물층으로, 이는 제1 정공주입층(320), 제1 정공수송층(330), 제1 발광층(340) 및 제1 전자수송층(350)을 포함할 수 있고, 제2 스택(ST2)은 제2 정공주입층(420), 제2 정공수송층(430), 제2 발광층(440) 및 제2 전자수송층(450)을 포함할 수 있다. 이와 같이 제1 스택과 제2 스택은 동일한 적층 구조를 갖는 유기물층일 수도 있지만 서로 다른 적층 구조의 유기물층일 수도 있다.
제1 스택(ST1)과 제2 스택(ST2) 사이에는 전하 생성층(CGL)이 형성될 수 있다. 전하 생성층(CGL)은 제1 전하 생성층(360)과 제2 전하 생성층(361)을 포함할 수 있다. 이러한 전하 생성층(CGL)은 제1 발광층(340)과 제2 발광층(440) 사이에 형성되어 각각의 발광층에서 발생하는 전류 효율을 증가시키고, 전하를 원활하게 분배하는 역할을 한다.
제1 발광층(340)에는 청색 호스트에 청색 형광 도펀트를 포함하는 발광 재료가 포함될 수 있고, 제2 발광층(440)에는 녹색 호스트에 그리니쉬 옐로우(greenish yellow) 도펀트와 적색 도펀트가 함께 도핑된 재료가 포함될 수 있으나, 본 발명의 실시예에 따른 제1 발광층(340) 및 제2 발광층(440)의 재료가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3에서, n은 1~5의 정수일 수 있는데, n이 2인 경우, 제2 스택(ST2) 상에 전하 생성층(CGL)과 제3 스택이 추가적으로 더 적층될 수 있다.
도 3과 같이 다층의 스택 구조 방식에 의해 발광층이 복수개 형성될 경우, 각각의 발광층에서 발광된 광의 혼합 효과에 의해 백색 광이 발광되는 유기전기발광소자를 제조할 수 있을 뿐만 아니라 다양한 색상의 광을 발광하는 유기전기발광소자를 제조할 수도 있다.
본 발명의 화학식 1에 의해 표시되는 화합물은 정공주입층(120, 320, 420), 정공수송층(130, 330, 430), 버퍼층(210), 발광보조층(220), 전자수송층(150, 350, 450), 전자주입층(160), 발광층(140, 340, 440) 또는 광효율 개선층(180)의 재료로 사용될 수 있으나, 바람직하게는 발광층(140, 340, 440) 및/또는 광효율 개선층(180)의 재료로 사용될 수 있다.
동일유사한 코어일지라도 어느 위치에 어느 치환기를 결합시키냐에 따라 밴드갭(band gap), 전기적 특성, 계면 특성 등이 달라질 수 있으므로, 코어의 선택 및 이에 결합된 서브(sub)-치환체의 조합에 대한 연구가 필요하며, 특히 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층(140, 340, 440) 및/또는 광효율 개선층(180)의 재료로 사용함으로써, 각 유기물층 간의 에너지 레벨 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등을 최적화하여 유기전기소자의 수명 및 효율을 동시에 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기발광소자는 다양한 증착법(deposition)을 이용하여 제조될 수 있을 것이다. PVD나 CVD 등의 증착 방법을 사용하여 제조될 수 있는데, 예컨대, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극(110)을 형성하고, 그 위에 정공주입층(120), 정공수송층(130), 발광층(140), 전자수송층(150) 및 전자주입층(160)을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극(170)으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 또한, 정공수송층(130)과 발광층(140) 사이에 발광보조층(220)을, 발광층(140)과 전자수송층(150) 사이에 전자수송보조층(미도시)을 더 형성할 수도 있고 상술한 바와 같이 스택 구조로 형성할 수도 있다.
또한, 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정, 롤투롤 공정, 닥터 블레이딩 공정, 스크린 프린팅 공정, 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 유기물층은 다양한 방법으로 형성될 수 있으므로, 그 형성방법에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함한다.
이하, 본 발명의 일 측면에 따른 화합물에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 측면에 따른 화합물은 하기 화학식 1로 표시되며, R1~R4가 결합된 벤젠링 중에서 적어도 하나에 하기 화학식 1-1이 축합되며, 화학식 1-1에서 점선부는 축합 부위를 나타낸다.
<화학식 1> <화학식 1-1>
Figure pat00013
Figure pat00014
상기 화학식에서, 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
X는 O, S, N-L1-Ar1 또는 C(R')(R")이다.
R1~R5, R' 및 R"는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
이웃한 R1끼리, 이웃한 R2끼리, 이웃한 R3끼리, 이웃한 R4끼리, 또는 이웃한 R5끼리 서로 결합하여 C6~C60의 방향족고리, O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리, 또는 C3~C60의 지방족고리를 형성할 수 있고, R'과 R"끼리 서로 결합하여 고리를 형성하면 스파이로 화합물이 형성된다.
이웃한 기끼리 서로 결합하여 방향족고리를 형성할 경우, 바람직하게는 C6~C20의 방향족고리, 더욱 바람직하게는 C6~C14의 방향족고리, 예컨대 벤젠, 나프탈렌, 페난트렌, 안트라센 등이 형성될 수 있다.
또한, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 헤테로고리를 형성할 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C14의 헤테로고리기, 예컨대 벤조퓨란, 벤조싸이오펜, 인돌, 페닐-인돌, 나프토싸이오펜, 나프토퓨란 등을 형성할 수 있다. 바람직하게는, 이웃한 R3끼리 서로 결합하여 헤테로고리를 형성할 수 있다.
또한, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 지방족고리기를 형성할 경우, 바람직하게는 C3~C30의 지방족고리기, 더욱 바람직하게는 C3~C21의 지방족고리기, 예컨대 2,3-다이하이드로-1,1-다이메틸-1H-인덴, 2,3-다이하이드로-1,1-다이페닐-1H-인덴 등일 수 있다.
a는 0~2의 정수이고, b, c, d 및 e는 각각 0~4의 정수이고, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우, R1 각각, R2 각각, R3 각각, R4 각각, R5 각각은 서로 같거나 상이하다.
상기 Ar1은 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택된다.
상기 L1 및 L'은 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기로 이루어진 군에서 선택된다.
상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택된다.
상기 R1~R5, R', R", Ar1, Ra, Rb 각각이 아릴기인 경우, 이들 각각은 바람직하게는 C6~C30, C6~C25, C6~C20, C6~C19, C6~C18, C6~C17, C6~C16, C6~C15, C6~C14, C6~C13, C6~C12, C6~C11, C6~C10, C6, C10, C12, C13, C14, C15, C16, C17, C18 등의 아릴기일 수 있고, 구체적으로, 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐, 페난트렌, 트리페닐렌 등일 수 있다.
상기 L1 및 L'이 각각 아릴렌기인 경우, 이들 각각은 바람직하게는 C6~C30, C6~C25, C6~C20, C6~C19, C6~C18, C6~C17, C6~C16, C6~C15, C6~C14, C6~C13, C6~C12, C6~C11, C6~C10, C6, C10, C12, C13, C14, C15, C16, C17, C18 등의 아릴렌기일 수 있고, 구체적으로, 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐, 페난트렌, 트리페닐렌 등일 수 있다.
상기 R1~R5, R', R", Ar1, Ra, Rb, L1, L' 각각이 헤테로고리기인 경우, 이들 각각은 바람직하게는 C2~C30, C2~C26, C2~C25, C2~C24, C2~C23, C2~C22, C2~C21, C2~C20, C2~C19, C2~C18, C2~C17, C2~C16, C2~C15, C2~C14, C2~C13, C2~C12, C2~C11, C2~C10, C2~C9, C2~C8, C2~C7, C2~C6, C2~C5, C2~C4, C2~C3, C2, C3, C4, C5, C6, C7, C8, C9, C10, C11, C12, C13, C14, C15, C16, C17, C18, C19, C20, C21, C22, C23, C24 등의 헤테로고리기일 수 있고, 구체적으로, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퓨란, 피롤, 실롤, 인덴, 인돌, 페닐-인돌, 벤조인돌, 페닐-벤조인돌, 피라지노인돌, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 피리도퀴놀린, 퀴나졸린, 벤조퀴나졸린, 다이벤조퀴나졸린, 페난트로퀴나졸린, 퀴녹살린, 벤조퀴녹살린, 다이벤조퀴녹살린, 벤조퓨란, 나프토벤조퓨란, 다이벤조퓨란, 페난트로벤조퓨란, 다이나프토퓨란, 싸이오펜, 벤조싸이오펜, 다이벤조싸이오펜, 나프토벤조싸이이오펜, 페난트로벤조싸이오펜, 다이나프토싸이오펜, 카바졸, 페닐-카바졸, 벤조카바졸, 페닐-벤조카바졸, 나프틸-벤조카바졸, 다이벤조카바졸, 인돌로카바졸, 벤조퓨로피리딘, 벤조싸이에노피리딘, 벤조퓨로피리딘, 벤조싸이에노피리미딘, 벤조퓨로피리미딘, 벤조싸이에노피라진, 벤조퓨로피라진, 벤조이미다졸, 벤조티아졸, 벤조옥사졸, 벤조실롤, 페난트롤린, 다이하이드로-페닐페나진, 10-페닐-10H-페녹사진, 페녹사진, 페노싸이아진 등일 수 있다.
상기 R1~R5, R', R", Ar1, Ra, Rb 각각이 플루오렌일기이거나 상기 L1, L' 각각이 플루오렌일렌기인 경우, 이들 각각은 9,9-다이메틸-9H-플루오렌, 9,9-다이페닐-9H-플루오렌, 9,9'-스파이로바이플루오렌, 스파이로[벤조[b]플루오렌-11,9'-플루오렌], 벤조[b]플루오렌, 11,11-다이페닐-11H-벤조[b]플루오렌, 9-(나프탈렌-2-일)9-페닐-9H-플루오렌 등일 수 있다.
상기 R1~R5, R', R" 각각이 알킬기인 경우, 이들 각각은 바람직하게는 C1~C20, C1~C10, C1~C4, C1, C2, C3, C4 등의 알킬기일 수 있고, 구체적으로 메틸, 에틸, 프로필, t-부틸 등일 수 있다.
상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 지방족고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴렌기, 플루오렌일렌기, 및 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성된 고리는 각각 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴옥시기; C6-C20의 아릴싸이오기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 지방족고리기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있다.
상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 지방족고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴렌기, 플루오렌일렌기, 및 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성된 고리 각각이 아릴기로 치환될 경우, 이들 각각은 바람직하게는 C6~C20, C6~C19, C6~C18, C6~C17, C6~C16, C6~C15, C6~C14, C6~C13, C6~C12, C6~C11, C6~C10, C6, C10, C12, C13, C14, C15, C16, C17, C18 등의 아릴기로 치환될 수 있다.
상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 지방족고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴렌기, 플루오렌일렌기, 및 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성된 고리 각각이 헤테로고리기로 치환될 경우, 이들 각각은 C2~C20, C2~C19, C2~C18, C2~C17, C2~C16, C2~C15, C2~C14, C2~C13, C2~C12, C2~C11, C2~C10, C2~C9, C2~C8, C2~C7, C2~C6, C2~C5, C2~C4, C2~C3, C2, C3, C4, C5, C6, C7, C8, C9, C10, C11, C12, C13, C14, C15, C16, C17, C18, C19, C20 등의 헤테로고리기로 치환될 수 있다.
상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 지방족고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴렌기, 플루오렌일렌기, 및 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성된 고리 각각이 알킬기로 치환될 경우, 이들 각각은 C1~C20, C1~C10, C1~C4, C1, C2, C3, C4 등의 알킬기로 치환될 수 있다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 화학식 4 중에서 하나로 표시될 수 있다.
<화학식 2> <화학식 3> <화학식 4>
Figure pat00015
상기 화학식 2 내지 4에서, R1~R5, X, a, b, c, d, e는 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
또한, 상기 화학식 1은 하기 화학식 5 내지 화학식 10 중에서 하나로 표시될 수 있다.
<화학식 5> <화학식 6> <화학식 7>
Figure pat00016
<화학식 8> <화학식 9> <화학식 10>
Figure pat00017
상기 화학식 5 내지 10에서, R1~R5, X, a, b, c, d, e는 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
또한, 상기 화학식 1은 하기 화학식 A-1 내지 화학식 A-7 중 하나로 표시될 수 있다.
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
상기 화학식 A-1 내지 화학식 A-7에서, R1~R5, a, b, c, d, e는 화학식 1에서 정의된 것과 같고, X1과 X2는 화학식 1의 X와 동일하며, X1과 X2 중에서 하나만 존재한다.
또한, 상기 화학식 1은 하기 화학식 B-1 내지 화학식 B-12 중에서 하나로 표시될 수 있다.
Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00023
상기 화학식 B-1 내지 화학식 B-12에서, R1~R5, L1, Ar1, a, b, c, d, e는 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00024
Figure pat00025
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
Figure pat00029
Figure pat00030
Figure pat00031
.
본 발명의 다른 측면에서, 본 발명은 제 1전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 형성된 유기물층을 포함하는 유기전기소자를 제공하고, 이때 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 1종 단독 화합물 또는 2종 이상의 화합물을 포함한다.
상기 유기물층은 정공주입층, 정공 수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층을 포함하고, 바람직하게는 상기 화합물은 상기 발광층에 포함되며, 더욱 바람직하게는 상기 발광층의 호스트 물질로 사용된다.
본 발명의 또 다른 측면에서, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부를 포함하는 전자장치를 제공한다.
이하에서는 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물의 합성예 및 유기전기소자의 제조예에 관하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
합성예
본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물(final product 1, 2)은 하기 반응식 1 또는 반응식 2의 반응경로에 의해 합성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 1> (출발물질의 R1~R4 중에서 적어도 하나는 Br임)
Figure pat00032
<반응식 2> (X=O, S 또는 C(Ra)(Rb)이고, 출발물질의 R1~R4 중에서 적어도 하나는 Br이고, 다른 하나는 Cl임)
Figure pat00033
1. Sub 1의 합성예
Sub 1-A, Sub 1-B, Sub 1-C 및 Sub 1-D의 합성예는 아래와 같으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
(1) Sub 1--4의 합성예
Figure pat00034
Sub 1-4b의 합성
Sub 1-4a (24 g, 58.6 mmol), 2-chloroaniline (7.8 g, 61.5 mmol), Pd2(dba)3 (1.6 g, 1.7 mmol), 50% P(t-Bu)3 (0.9 g, 4.6 mmol), NaOt-Bu (16.9 g, 175.9 mmol)을 toluene (601 ml)에 첨가하고 90℃에서 교반하였다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식힌 후, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아준다. 이후, 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 19.25 g (72%)을 얻었다.
Sub 1-4의 합성
Sub 1-4b (19.25 g, 42.2 mmol)에 Pd(OAc)2 (1.0 g, 4.4 mmol), P(t-Bu)3 (0.6 g, 3.38 mmol), K2CO3 (18.3 g, 132.9 mmol), DMA (433ml)을 넣고 170℃에서 12시간 환류시킨다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식힌 후, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아준다. 이후, 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 15.3 g (77%)을 얻었다.
(2) Sub 1-36의 합성예
Figure pat00035
Sub 1-36b의 합성
Sub1-36a (27g, 60.8mmol)에 4,4,5,5-tetramethyl-2-(2-(methylsulfinyl)phenyl)-1,3,2-dioxaborolane (16.2 g, 60.8 mmol), Pd(PPh3)4 (3.5 g, 3.0 mmol), NaOH (7.3 g, 182.5 mmol), THF (203 mL), 물 (101 mL)을 첨가하고 6시간 반응시켰다. 반응이 종료되면, 반응물의 온도를 상온으로 식히고, THF와 H2O을 제거한다. 이후, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아준 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축하였다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 23.2 g (76%)을 얻었다.
Sub 1-36의 합성
Sub 1-36b (23.2 g, 46.2 mmol)에 과량의 CF3SO3H을 넣고 상온에서 24시간 교반한 뒤, 물과 피리딘(8:1)을 첨가하고 30분간 환류시킨 후, 상기 Sub 1-4의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 15.9 g (73 %)을 얻었다.
(3) Sub 1-80의 합성예
Figure pat00036
Sub 1-80b의 합성
Sub1-80a (32.0 g, 72.1 mmol)에 2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenol (15.8 g, 72.1 mmol), Pd(PPh3)4 (4.1 g, 3.6 mmol), NaOH (8.6 g, 216.3 mmol), THF (240mL), 물 (120mL)을 첨가한 후, 상기 Sub 1-36b의 합성법과 같이 진행하여 생성물 27.0 g (82%)을 얻었다.
Sub 1-80의 합성
Sub1-1b (27.0 g, 59.1 mmol)에 Pd(OAc)2 (1.3 g, 5.9 mmol), 3-nitropyridine (0.73 g, 5.9 mmol)을 넣고 C6F6 (89mL), DMI (59mL)로 녹인 후, tert-butyl peroxybenzoate (22.9 g, 118.2 mmol)를 첨가하고 90℃에서 교반하였다. 이후, 상기 Sub 1-4의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 21.2 g (79%)을 얻었다.
(4) Sub 1-92의 합성예
Figure pat00037
Sub 1-92b의 합성
Sub1-92a (33 g, 63.36 mmol)에 methyl 2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)benzoate (16.6 g, 63.3 mmol), Pd(PPh3)4 (3.6 g, 3.1 mmol), NaOH (7.6 g, 190.0 mmol), THF (211mL), 물 (106mL)을 첨가한 후, 상기 Sub 1-36b의 합성법과 같이 진행하여 생성물 25.9 g (71%)을 얻었다.
Sub 1-92의 합성
Sub 1-92b (25.9 g, 45 mmol)에 CH3-MgBr 1.0M in THF, THF(225ml)을 첨가하여 얻은 중간 생성물에 acetic acid 용액(225ml), HCl (1ml)를 첨가한 뒤 상온에서 24시간 동안 교반한 뒤, pyridine 수용액 (700ml, pyridine:H2O = 1 : 5)을 천천히 적가하고 30분동안 환류 교반하였다. 이후, 상기 Sub 1-4의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 17.0g (68%)을 얻었다.
Sub 1에 속하는 화합물은 하기와 같으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 하기 화합물의 FD-MS 값은 하기 표 1과 같다.
Figure pat00038
Figure pat00039
Figure pat00040
[표 1]
Figure pat00041
Figure pat00042
2. Sub 3의 예시 화합물
상기 반응식 1의 Sub 3은 하기 반응식 3과 같은 반응경로에 의해 합성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 3> (Hal1= I, Br 또는 Cl이고, Hal2= Br, Cl임)
Figure pat00043
Sub 3에 속하는 화합물은 아래와 같으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 하기 화합물의 FD-MS 값은 하기 표 2와 같다.
Figure pat00044
Figure pat00045
[표 2]
Figure pat00046
Figure pat00047
3. Sub 5의 예시 화합물
상기 반응식 2의 Sub 5에 속하는 화합물은 아래와 같은 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 하기 화합물의 FD-MS 값은 표 3과 같다.
Figure pat00048
[표 3]
Figure pat00049
4. 최종 화합물의 합성예
P-13 합성예
Figure pat00050
Sub 1-2(15 g, 35.7 mmol)과 Sub 3-13 (9.04 g, 37.5 mmol)을 둥근바닥플라스크에 넣고 toluene 358 mL에 녹인 후에, Pd2(dba)3 (0.98 g, 1.07 mmol), P(t-Bu)3 (0.58 g, 2.86 mmol), NaOt-Bu (10.31 g, 107.27 mmol)을 첨가하고 120℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 16.37 g (수율: 72%)를 얻었다.
P-19 합성예시
Figure pat00051
Sub 1-2 대신 Sub 1-15(20 g, 33.2 mmol)를, Sub 3-13 대신 Sub 3-19 (8 g, 34.9 mmol)을 사용하여 상기 P-13의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 20 g (수율: 75%)을 얻었다.
P-23 합성예시
Figure pat00052
Sub 1-2 대신 Sub 1-1(5g, 11.9 mmol)를, Sub 3-13 대신 Sub 3-22 [Cas. 3842-55-5](3.5g, 13.1 mmol)을 사용하여 상기 P-13의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 4.8 g (수율: 62 %)을 얻었다.
P-57 합성예시
Figure pat00053
Sub 1-2 대신 Sub 1-19(5g, 9.8 mmol)를, Sub 3-13 대신 Sub 3-50 [Cas. 1384206-44-3](3.7g, 10.8 mmol)을 사용하여 상기 P-13의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 4.4 g (수율: 55 % )을 얻었다.
P-78 합성예시
Figure pat00054
Sub 1-2 대신 Sub 1-33(5g, 10.6 mmol)을, Sub 3-13 대신 Sub 3-22 [Cas. 3842-55-5](3.1g, 11.7 mmol)을 사용하여 상기 P-13의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 4.1 g (수율: 55 %)을 얻었다.
P-86 합성예시
Figure pat00055
Sub 1-2 대신 Sub 1-5(5g, 11.9 mmol)를, Sub 3-13 대신 Sub 3-20 [Cas. 7065-92-1](3.2g, 13.1 mmol)을 사용하여 상기 P-13의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 4.1 g (수율: 55 %)을 얻었다.
P-99 합성예시
Figure pat00056
Sub 1-2 대신 Sub 1-10(5g, 11.9 mmol)을, Sub 3-13 대신 Sub 3-21 [Cas. 2915-16-4](3.5g, 13.1 mmol)을 사용하여 상기 P-13의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 4.8 g (수율: 62 %)을 얻었다.
P-153 합성예시
Figure pat00057
둥근바닥플라스크에 Sub 1-80 (24 g, 52.7 mmol)와 Sub 5-18 (19.3 g, 63.3 mmol)를 넣고 THF(193 ml)로 녹인다. 이후, Pd(PPh3)4 (2.4 g, 2.1 mmol), K2CO3 (21.8 g, 158.2 mmol) 및 물 (97 ml)을 첨가하고 교반환류시킨다. 반응이 완료되면, 에테르와 물로 추출한 후, 유기층을 농축시킨다. 농축된 유기층을 MgSO4로 건조하고 한번 더 농축시킨다. 최종 농축물을 실리카겔 컬럼을 이용하여 분리 후 재결정하여 생성물 25.27 g을 수득하였다. (수율 80%)
P-155 합성예시
Figure pat00058
Sub 1-80 대신 Sub 1-82(22 g, 37.4 mmol)를, Sub 5-18 대신 Sub 5-9 (10.3 g, 44.9 mmol)를 사용하여 상기 P-153의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 19.1 g (수율: 78%)을 얻었다.
P-156 합성예시
Figure pat00059
Sub 1-80 대신 Sub 1-83(16 g, 33.9 mmol)를, Sub 5-18 대신 Sub 5-22 (22.4 g, 40.7 mmol)를 사용하여 상기 P-153의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 20.7 g (수율: 71%)을 얻었다.
상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 P-1 내지 P-170의 FD-MS 값은 하기 표 4와 같다.
[표 4]
Figure pat00060
Figure pat00061
Figure pat00062
유기전기소자의 제조평가
[실시예 1] 레드유기발광소자(인광 호스트)
ITO층(양극) 위에 4,4',4"-tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine (이하, 2-TNATA로 약기함)을 진공증착하여 60 nm 두께로 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 상에 N,N'-Bis(1-naphthalenyl)-N,N'-bis-phenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine (이하 NPB로 약기함)을 60 nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상에 30nm 두께의 발광층을 형성하였는데, 본 발명의 화합물 P-1을 호스트로, bis-(1-phenylisoquinolyl) iridium(Ⅲ)acetylacetonat(이하 (piq)2Ir(acac)로 약기함)을 도펀트로 사용하되, 호스트와 도펀트가 95:5 중량비가 되도록 도펀트를 도핑하였다.
다음으로, 상기 발광층 상에 (1,1'-비스페닐)-4-올레이토)비스(2-메틸-8-퀴놀린올레이토)알루미늄(이하 BAlq로 약기함)을 10 nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성한 후, 상기 정공저지층 상에 bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium (이하 BeBq2로 약칭함)을 45 nm 두께로 성막하여 전자수송층을 형성하였다. 이후, 전자수송층 상에 LiF를 0.2 nm 두께로 증착하여 전자주입층을 형성한 후, Al을 150 nm의 두께로 증착하여 음극을 형성하였다.
[ 실시예 2] 내지 [ 실시예 31]
발광층의 호스트 물질로 화합물 P-1 대신 하기 표 5에 기재된 본 발명의 화합물을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제조하였다.
[비교예 1] 내지 [비교예 3]
발광층의 호스트 물질로 본 발명의 화합물 P-1 대신 하기 비교화합물 1 내지 비교화합물 3 중에서 하나를 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제조하였다.
<비교화합물 1> <비교화합물 2> <비교화합물 3>
Figure pat00063
본 발명의 실시예 1 내지 실시예 31, 비교예 1 내지 비교예 3에 의해 제조된 유기전기발광소자에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치 (photoresearch) 사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하고, 2500cd/m2 기준휘도에서 맥사이언스사의 수명측정장비로 T95 수명을 측정하였다. 측정 결과는 하기 표 5와 같다.
[표 5]
Figure pat00064
Figure pat00065
상기 표 5의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 화합물을 발광층의 호스트로 사용할 경우 비교화합물을 사용한 경우에 비해 구동전압이 낮아지고 효율과 수명이 현저히 개선되는 것을 알 수 있다.
즉, 호스트 물질로 주로 사용되는 CBP인 비교화합물 1, 본 발명의 화학식 1과 기본 골격이 유사한 구조인 비교화합물 2 및 비교화합물 3을 호스트로 사용한 것에 비해 본 발명의 화합물을 호스트로 사용한 경우, 유기전기발광소자의 발광효율, 수명 그리고 구동전압이 현저히 개선되었다.
호스트로 일반적으로 사용되는 CBP(비교화합물1)보다는 7환의 헤테로고리 화합물인 비교화합물 2를 호스트 물질로 사용할 경우 소자 특성이 우수했고, 비교화합물 2보다 가운데 벤젠 부분에 페닐이 하나 더 축합된 비교화합물 3을 호스트 물질로 사용한 소자의 전기적 특성이 우수하였다. 그리고, 비교화합물 2 또는 비교화합물 3보다 인돌타입의 고리가 더 융합된 본 발명의 화합물을 호스트물질로 사용한 경우 구동전압, 효율, 수명면에서 보다 우수한 결과를 나타내었다.
이러한 결과는 코어의 기본골격이 유사한 화합물일지라도, 본 발명과 같이 인돌이 추가로 축합됨에 따라서 hole 특성, 광효율 특성, 에너지 레벨 (LUMO, HOMO레벨, T1레벨), 정공 주입 및 이동도 특성(hole injection & mobility), 전자 저지 (electron blocking) 특성과 같은 화합물의 물성이 달라지게 되고 이로 인해 전혀 다른 소자 결과가 도출될 수 있음을 시사하고 있다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내의 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 200, 300: 유기전기소자 110: 제1 전극
120: 정공주입층 130: 정공수송층
140: 발광층 150: 전자수송층
160: 전자주입층 170: 제2 전극
180: 광효율 개선층 210: 버퍼층
220: 발광보조층 320: 제1 정공주입층
330: 제1 정공수송층 340: 제1 발광층
350: 제1 전자수송 층 360: 제1 전하생성층
361: 제2 전하생성층 420: 제2 정공주입층
430: 제2 정공수송층 440: 제2 발광층
450: 제2 전자수송층 CGL: 전하생성층
ST1: 제1 스택 ST2: 제2 스택

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    <화학식 1> <화학식 1-1>
    Figure pat00066
    Figure pat00067

    상기 화학식에서,
    R1~R4가 결합된 벤젠링 중에서 적어도 하나에 상기 화학식 1-1이 축합되며, 화학식 1-1에서 점선부는 축합 부위를 나타내며,
    X는 O, S, N-L1-Ar1 또는 C(R')(R")이며,
    R1~R5, R' 및 R"는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
    a는 0~2의 정수이고, b, c, d 및 e는 각각 0~4의 정수이고, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우, R1 각각, R2 각각, R3 각각, R4 각각, R5 각각은 서로 같거나 상이하며,
    상기 Ar1은 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되며,
    상기 L1 및 L'은 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기로 이루어진 군에서 선택되며,
    상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,
    상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 지방족고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴렌기, 플루오렌일렌기, 및 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성된 고리는 각각 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴옥시기; C6-C20의 아릴싸이오기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 지방족고리기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있다.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 화학식 4 중에서 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    <화학식 2> <화학식 3> <화학식 4>
    Figure pat00068

    상기 화학식 2 내지 4에서, R1~R5, X, a, b, c, d, e는 제1항에서 정의된 것과 같다.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 5 내지 화학식 10 중에서 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    <화학식 5> <화학식 6> <화학식 7>
    Figure pat00069

    <화학식 8> <화학식 9> <화학식 10>
    Figure pat00070

    상기 화학식 5 내지 10에서, R1~R5, X, a, b, c, d, e는 제1항에서 정의된 것과 같다.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
    Figure pat00071

    Figure pat00072

    Figure pat00073

    Figure pat00074

    Figure pat00075

    Figure pat00076

    Figure pat00077

    Figure pat00078
    .
  5. 제 1전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 형성된 유기물층을 포함하는 유기전기소자에 있어서,
    상기 유기물층은 제1항의 화학식 1로 표시되는 1종 단독 화합물 또는 2종 이상의 화합물을 포함하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 유기물층은 정공주입층, 정공 수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 화합물은 상기 발광층에 포함된 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  8. 제 5항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및
    상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자장치.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112375083A (zh) * 2020-11-19 2021-02-19 陕西莱特光电材料股份有限公司 一种有机化合物以及使用其的有机电致发光器件和电子装置
KR20210129497A (ko) * 2020-04-20 2021-10-28 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
WO2022131545A1 (ko) * 2020-12-16 2022-06-23 엘티소재주식회사 헤테로 고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 이의 제조방법 및 유기물층용 조성물
CN114656466A (zh) * 2022-04-16 2022-06-24 常州大学 基于苯并稠合咔唑及吲哚咔唑衍生物及其有机电致发光器件应用
CN114874228A (zh) * 2021-02-05 2022-08-09 上海和辉光电股份有限公司 一种有机电致发光化合物及其应用
CN115703784A (zh) * 2021-08-03 2023-02-17 北京绿人科技有限责任公司 具有对称结构的吲哚并咔唑类化合物及其应用和有机电致发光器件
CN116332945A (zh) * 2022-04-01 2023-06-27 陕西莱特光电材料股份有限公司 有机化合物及包含其的电子元件和电子装置
WO2024062997A1 (ja) * 2022-09-22 2024-03-28 保土谷化学工業株式会社 化合物、有機薄膜および光電変換素子

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012234873A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
KR20130142816A (ko) * 2012-06-20 2013-12-30 주식회사 두산 신규 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20150036529A (ko) * 2012-07-10 2015-04-07 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 소자용 재료
KR20180008283A (ko) * 2016-07-14 2018-01-24 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012234873A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
KR20130142816A (ko) * 2012-06-20 2013-12-30 주식회사 두산 신규 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20150036529A (ko) * 2012-07-10 2015-04-07 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 소자용 재료
KR20180008283A (ko) * 2016-07-14 2018-01-24 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210129497A (ko) * 2020-04-20 2021-10-28 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN112375083A (zh) * 2020-11-19 2021-02-19 陕西莱特光电材料股份有限公司 一种有机化合物以及使用其的有机电致发光器件和电子装置
CN112375083B (zh) * 2020-11-19 2021-11-16 陕西莱特光电材料股份有限公司 一种有机化合物以及使用其的有机电致发光器件和电子装置
WO2022105313A1 (zh) * 2020-11-19 2022-05-27 陕西莱特光电材料股份有限公司 有机化合物以及使用其的有机电致发光器件和电子装置
WO2022131545A1 (ko) * 2020-12-16 2022-06-23 엘티소재주식회사 헤테로 고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 이의 제조방법 및 유기물층용 조성물
KR20220086363A (ko) * 2020-12-16 2022-06-23 엘티소재주식회사 헤테로 고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 이의 제조방법 및 유기물층용 조성물
CN114874228A (zh) * 2021-02-05 2022-08-09 上海和辉光电股份有限公司 一种有机电致发光化合物及其应用
CN115703784A (zh) * 2021-08-03 2023-02-17 北京绿人科技有限责任公司 具有对称结构的吲哚并咔唑类化合物及其应用和有机电致发光器件
CN116332945A (zh) * 2022-04-01 2023-06-27 陕西莱特光电材料股份有限公司 有机化合物及包含其的电子元件和电子装置
CN114656466A (zh) * 2022-04-16 2022-06-24 常州大学 基于苯并稠合咔唑及吲哚咔唑衍生物及其有机电致发光器件应用
WO2024062997A1 (ja) * 2022-09-22 2024-03-28 保土谷化学工業株式会社 化合物、有機薄膜および光電変換素子

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