KR20190087710A - Light emitting device package - Google Patents
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Abstract
Description
실시 예는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치에 관한 것이다.The embodiments relate to a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many merits such as wide and easy bandgap energy, and can be used variously as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group III-V or Group II-VI compound semiconductor material can be used for a variety of applications such as red, Blue and ultraviolet rays can be realized. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group III-V or Group-VI-VI compound semiconductor material can realize a white light source having high efficiency by using a fluorescent material or combining colors. Such a light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environment friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light-receiving element such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a Group III-V or Group-VI-VI compound semiconducting material, development of a device material absorbs light of various wavelength regions to generate a photocurrent , It is possible to use light in various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wave region. Further, such a light receiving element has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness and easy control of element materials, and can be easily used for power control or microwave circuit or communication module.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Accordingly, the semiconductor device can be replaced with a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, White light emitting diode (LED) lighting devices, automotive headlights, traffic lights, and gas and fire sensors. In addition, semiconductor devices can be applied to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device can be provided as a pn junction diode having a characteristic in which electric energy is converted into light energy by using a group III-V element or a group II-VI element in the periodic table, Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors have received great interest in the development of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. Particularly, a blue light emitting element, a green light emitting element, an ultraviolet (UV) light emitting element, and a red (RED) light emitting element using a nitride semiconductor are commercially available and widely used.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, it is a light emitting diode that generates light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm. It is used for sterilizing and purifying in the wavelength band, short wavelength, Can be used.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be divided into UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm) and UV-C (200nm ~ 280nm) in the long wavelength order. UV-A (315nm ~ 400nm) is applied in various fields such as UV curing for industrial use, curing of printing ink, exposure machine, discrimination of counterfeit, photocatalytic disinfection and special illumination (aquarium / ) Area is used for medical use, and UV-C (200nm ~ 280nm) area is applied to air purification, water purification, sterilization products and the like.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. On the other hand, a semiconductor device capable of providing a high output has been requested, and a semiconductor device capable of increasing a power by applying a high power source has been studied.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, studies are being made on a method for improving the light extraction efficiency of a semiconductor device and improving the light intensity at a package end in a semiconductor device package. In addition, studies have been made on a method for improving the bonding strength between a package electrode and a semiconductor device in a semiconductor device package.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, studies have been made on a method for reducing the manufacturing cost and improving the manufacturing yield by improving the process efficiency and changing the structure in the semiconductor device package.
실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics.
실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device, which can improve the process efficiency and provide a new package structure to reduce the manufacturing cost and improve the manufacturing yield.
실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법을 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package and a method of manufacturing a semiconductor device package that can prevent a re-melting phenomenon from occurring in a bonding region of a semiconductor device package in a process of re-bonding the semiconductor device package to a substrate or the like have.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면과 하면 및 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 개구부를 포함하는 몸체; 상기 몸체 상에 배치되며, 제1 본딩부 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 를 포함하고, 상기 제1 본딩부 및 상기 제2 본딩부는 상기 개구부의 하면에서 노출되며, 상기 개구부의 상면의 폭은 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부 사이의 폭보다 크게 제공될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body including an upper surface and a lower surface, and an opening passing through the upper surface and the lower surface; A light emitting device disposed on the body, the light emitting device including a first bonding portion and a second bonding portion; Wherein the first bonding portion and the second bonding portion are exposed at a lower surface of the opening and a width of an upper surface of the opening is greater than a width between the first bonding portion and the second bonding portion .
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부는 상기 발광소자의 하면에 배치되고, 상기 제1 및 제2 본딩부의 하면이 상기 개구부의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first and second bonding portions are disposed on the lower surface of the light emitting device, and the lower surfaces of the first and second bonding portions are disposed lower than the upper surface of the opening portion.
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부가 상기 개구부 내에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first and second bonding portions may be disposed in the opening.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 제1 수지를 더 포함하고, 상기 제1 수지는 상기 제1 및 제2 본딩부 둘레에 배치될 수 있다.The light emitting device package according to an embodiment may further include a first resin disposed between the body and the light emitting device, and the first resin may be disposed around the first and second bonding parts.
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부는 상기 개구부와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first and second bonding portions may be arranged in a direction perpendicular to the opening.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 및 제2 본딩부 아래에 각각 배치된 제1 및 제2 도전부를 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 도전부는 상기 개구부 내에 배치될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may further include first and second conductive portions disposed under the first and second bonding portions, respectively, and the first and second conductive portions may be disposed in the opening portion.
실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상면에서 상부 방향으로 돌출된 제1 및 제2 돌출부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 도전부는 각각 상기 제1 및 제2 돌출부와 결합되는 오목부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the body may include first and second protrusions protruding upward from the upper surface, and the first and second conductive portions may each include a concave portion coupled with the first and second protrusions, respectively .
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 돌출부는 상기 개구부 주변에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first and second projections may be disposed around the opening.
실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상면에서 하부 방향으로 오목한 제1 및 제2 오목부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 도전부는 각각 상기 제1 및 제2 오목부와 결합되는 돌출부를 포함할 수 있다.According to the embodiment, the body may include first and second concave portions concave downward from the upper surface, and the first and second conductive portions may each include a protrusion coupled with the first and second concave portions, respectively .
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 몸체 아래 배치되며, 제1 패드와 제2 패드를 포함하는 회로기판; 상기 몸체와 상기 회로기판 사이에 배치된 도전체; 를 포함하고, 상기 도전체는 상기 개구부 내에 배치되고, 상기 도전체의 제1 영역은 상기 제1 본딩부와 상기 제1 패드 사이에 배치되어 서로 전기적으로 연결되고, 상기 도전체의 제2 영역은 상기 제2 본딩부와 상기 제2 패드 사이에 배치되어 서로 전기적으로 연결될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes: a circuit board disposed below the body, the circuit board including a first pad and a second pad; A conductor disposed between the body and the circuit board; The first region of the conductor being disposed between the first bonding portion and the first pad and being electrically connected to each other, and the second region of the conductor being disposed between the first bonding portion and the first pad, And may be disposed between the second bonding portion and the second pad and electrically connected to each other.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 회로기판 위에 배치된 댐부를 포함하고, 상기 댐부는 상기 제1 패드와 상기 제2 패드 사이에 배치되고, 상기 댐부는 상기 도전체의 제1 영역과 상기 도전체의 제2 영역 사이에 배치될 수 있다.The light emitting device package according to an embodiment includes a dam portion disposed on the circuit board, the dam portion being disposed between the first pad and the second pad, the dam portion including a first region of the conductor, Can be disposed between the second regions of the sieve.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 발광소자의 하면에 배치된 댐부를 포함하고, 상기 댐부는 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부 사이에 배치되고, 상기 댐부는 상기 도전체의 제1 영역과 상기 도전체의 제2 영역 사이에 배치될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a dam disposed on a lower surface of the light emitting element, the dam portion being disposed between the first bonding portion and the second bonding portion, Region and the second region of the conductor.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 몸체의 상면에 제공된 리세스를 포함하고, 상기 리세스는 상기 개구부 주위에 배치되고, 상기 발광소자의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 리세스의 일부 영역은 상기 발광소자와 중첩되어 배치될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a recess provided on an upper surface of the body, the recess is disposed around the opening, and a portion of the recess, when viewed from the upper direction of the light emitting device, And can be disposed to overlap with the light emitting element.
실시 예에 의하면, 상기 발광소자의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 및 제2 본딩부의 둘레에 상기 개구부가 배치되고, 상기 개구부의 둘레에 상기 발광소자의 측면이 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the opening may be disposed around the first and second bonding portions when viewed from above the light emitting device, and the side surface of the light emitting device may be disposed around the opening.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for fabricating a semiconductor device package according to the embodiments, the light extraction efficiency, electrical characteristics and reliability can be improved.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for manufacturing a semiconductor device package according to the embodiments, the process efficiency is improved and a new package structure is presented, which is advantageous in that the manufacturing cost can be reduced and the manufacturing yield can be improved.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.The semiconductor device package according to the embodiment has an advantage that the reflector can be prevented from being discolored by providing the body with high reflectance, thereby improving the reliability of the semiconductor device package.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 제조방법에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiments, it is possible to prevent the re-melting phenomenon from occurring in the bonding area of the semiconductor device package in the process of re-bonding the semiconductor device package to the substrate .
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D' 선에 따른 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 발광소자 패키지를 설명하는 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 형상을 설명하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 설명하는 평면도이다.
도 14는 도 13에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 단면도이다.
도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 다른 예를 설명하는 평면도이다.
도 16은 도 15에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG.
3 is a cross-sectional view taken along line DD 'of the light emitting device package shown in FIG.
4 is an exploded perspective view illustrating the light emitting device package shown in FIG.
5 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
7 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
8 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
9 is a view illustrating a shape of a body applied to the light emitting device package shown in FIG.
10 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
11 is a view illustrating another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
12 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
13 is a plan view illustrating an example of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
14 is a cross-sectional view taken along the line AA of the light emitting device shown in Fig.
15 is a plan view illustrating another example of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
16 is a cross-sectional view along the FF line of the light emitting device shown in Fig.
이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to drawings, but the embodiment is not limited thereto.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명한다.Hereinafter, a method for fabricating a semiconductor device package and a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a case where a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device will be described.
먼저, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기로 한다. First, referring to FIGS. 1 to 4, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D' 선에 따른 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 발광소자 패키지를 설명하는 분해 사시도이다.FIG. 1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG. 1, And FIG. 4 is an exploded perspective view illustrating the light emitting device package shown in FIG. 1. Referring to FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The
다른 표현으로서, 상기 제1 몸체(111)는 하부 몸체, 상기 제2 몸체(113)는 상부 몸체로 지칭될 수도 있다. In other words, the
상기 제2 몸체(113)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.The
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티는 바닥면과, 상기 바닥면에서 상기 몸체(110)의 상면으로 경사진 측면을 포함할 수 있다.The
예로서, 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(110)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 몸체(113)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 개구부(TH1)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. The
상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The opening TH1 may be provided in the
상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The opening TH1 may be disposed below the
예로서, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면이 상기 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면이 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.For example, the lower surfaces of the first and
실시 예에 의하면, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 하면의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 하면의 폭과 상기 제2 본딩부(122)의 하면의 폭을 합한 것에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The width of the upper region of the opening TH1 may be greater than the width of the lower surface of the
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 개구부(TH1) 내에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first and
상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)는 상기 개구부(TH1)의 하면에서 노출될 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 상면의 폭은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이의 폭보다 크게 제공될 수 있다.The
또한, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. The width of the upper region of the opening TH1 may be less than or equal to the width of the lower region of the opening TH1. The opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
실시 예에 의하면, 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)는 제1 부분(111e)과 제2 부분(111f)을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 부분(111e)은 수십 마이크로 미터의 두께로 단차지게 제공될 수 있으며, 상기 제2 부분(111f)은 수백 마이크로 미터의 두께로 경사지게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the
상기 제1 몸체(111)를 성형하는 과정에서, 상기 개구부(TH1)의 상부 방향에 배치된 상부 금형과 상기 개구부(TH1)의 하부 방향에 배치된 하부 금형이 이용될 수 있다. 상부 금형과 하부 금형의 맞물림을 통하여 상기 개구부(TH1)를 포함하는 상기 제1 몸체(111)가 형성될 수 있다. An upper mold disposed in an upper direction of the opening TH1 and a lower mold disposed in a lower direction of the opening TH1 may be used in the process of forming the
이때, 상부 금형과 하부 금형 간의 맞물림을 통하여, 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)가 원활하게 성형될 수 있도록 상기 제1 부분(111e)은 상기 제1 몸체(111)의 상면으로부터 수직 방향으로 소정 두께로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 부분(111e)은 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다.At this time, the
또한, 상기 제2 부분(111f)은 하부 금형이 상부 금형으로부터 원활하게 분리될 수 있도록 경사진 면으로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 부분(111f)은 상기 제1 몸체(111)의 바닥면에 대해 0도 내지 20도의 구배 각도도 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(111f)은 250 마이크로 미터 내지 300 마이크로 미터로 제공될 수 있다.In addition, the
다만 이에 한정하지 않고, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. The inclined surface between the upper region and the lower region of the opening TH1 may have a plurality of inclined surfaces having different slopes, and the inclined surfaces may be arranged with a curvature.
상기 발광소자(120)는 네 측면의 길이가 유사한 정방형의 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)는 장변과 단변을 포함하는 장방형의 형상으로 제공될 수도 있다. 상기 개구부(TH1)의 형상은 상기 발광소자(120)의 형상에 대응되어 정방형 또는 장방형의 형상으로 제공될 수 있다.The
상기 개구부(TH1)는 각각 서로 마주보는 두 쌍의 변을 포함할 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 한 쌍의 변은 상기 발광소자(120)의 단변 또는 제1 측면에 평행하게 배치될 수 있다. 또한, 상기 개구부(TH1)의 다른 한 쌍의 변은 상기 발광소자(120)의 장변 또는 제2 측면에 평행하게 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 단변 또는 제1 측면과 상기 발광소자(120)의 장변 또는 제2 측면은 서로 수직하게 배치될 수 있다.The openings TH1 may include two pairs of sides facing each other. The pair of sides of the opening TH1 may be disposed parallel to the short side or the first side of the
상기 개구부(TH1)의 이웃한 두 변이 만나는 영역은 곡면으로 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 이웃한 두 변이 만나는 영역은 라운드 진 형상으로 제공될 수 있다.A region where two adjacent sides of the opening TH1 meet may be provided as a curved surface. The area where the two adjacent sides of the opening TH1 meet may be provided in a rounded shape.
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 개구부(TH1) 내에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 제공될 수 있다.The first and
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 측면과 상기 발광소자(120)의 측면에 인접한 상기 개구부(TH1)의 측면 간의 거리는 50 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.The distance between the side surface of the
상기 발광소자(120)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭이 상기 개구부(TH1)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 80% 내지 95%의 폭으로 제공될 수 있다.The width along the minor axis direction or the major axis direction of the
상기 발광소자(120)는 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)에 의하여 지지될 수 있다. 상기 발광소자(120)가 상기 제1 몸체(111)에 의하여 안정적으로 지지될 수 있도록, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 95% 이하의 폭으로 제공될 수 있다.The
또한, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 개구부(TH1)에 제공될 도전체를 통하여 전원을 공급 받을 수 있다. 도전체가 용이하게 공급될 수 있으면서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 전기적인 단락(short)이 발생되지 않도록 상기 개구부(TH1)의 크기가 크게 제공될 필요가 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 80% 이상으로 제공될 수 있다.In addition, the first and
상기 개구부(TH1)에 제공되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결되는 도전체에 대해서는 뒤에서 더 살펴 보기로 한다.Conductors provided in the opening TH1 and electrically connected to the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
참고로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)의 구조가 용이하게 파악될 수 있도록 도 1, 도 2, 및 도 4에서는 상기 제1 수지(130)가 제공되지 않은 상태로 도시되었다.For reference, the
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 예로서 상기 제1 몸체(111)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면 전체에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.The physical properties of the
예로서, 상기 제1 수지(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.For example, the
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 몸체(111)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광 소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에서 광확산기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 수지(130)는 광확산기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광추출효율을 개선할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 개구부(TH1)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다. According to the embodiment, the
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 하면에서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 개구부(TH1) 내로 이동되어 하부로 떨어지지 않도록 제어될 수 있다.Next, the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 개구부(TH1)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 개구부(TH1) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.The
또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.Further, according to the embodiment, the
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The first and second conductivity type semiconductor layers may be formed of at least one of Group III-V-Vs or Group V-VIs compound semiconductors. The first and second conductivity type semiconductor layers may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + As shown in FIG. For example, the first and second conductive semiconductor layers may include at least one selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, . The first conductive semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se or Te. The second conductive semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr or Ba.
상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The active layer may be formed of a compound semiconductor. The active layer may be implemented, for example, in at least one of Group 3-Group-5 or Group-6-Group compound semiconductors. When the active layer is implemented as a multi-well structure, the active layer may include a plurality of alternately arranged well layers and a plurality of barrier layers, and may be In x Al y Ga 1 -x- y N , 0? Y? 1, 0? X + y? 1). For example, the active layer may be selected from the group consisting of InGaN / GaN, GaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaAs, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, And may include at least one.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 개구부(TH1)가 빈 공간인 상태로 공급될 수 있다. 그리고, 추후 상기 발광소자 패키지(100)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 과정에서 도전체가 상기 개구부(TH1) 영역에 제공될 수 있다.In the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 추후 회로 기판 등에 실장되는 과정에서 상기 개구부(TH1)에 도전체가 제공될 수도 있는 점을 고려하여, 강성을 유지하면서도 도전체가 용이하게 공급될 수 있도록 상기 제1 몸체(111)의 두께가 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 선택될 수 있다. Considering that a conductor may be provided in the opening TH1 in the process of mounting the light emitting
상기 발광소자 패키지(100)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 과정에서 상기 개구부(TH1)에 도전체가 제공되는 실시 예는 뒤에서 더 살펴 보기로 한다.An embodiment in which the conductor is provided in the opening TH1 in the process of mounting the light emitting
한편, 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 개구부(TH1)에 도전체가 제공된 상태로 공급될 수도 있다. Meanwhile, according to the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 개구부(TH1)에 제공된 도전체를 통해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 도전체를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 도전체의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도전체로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 몸체(110)는 상면이 평탄한 지지부재만을 포함하고, 경사지게 배치된 반사부를 포함하지 않도록 제공될 수도 있다. 예로서, 상기 몸체(110)는 상면이 평탄한 제1 몸체(111)만을 포함하고 경사면을 포함하는 제2 몸체(113)를 포함하지 않을 수도 있다.Meanwhile, according to the light emitting device package according to the embodiment described above, the
다른 표현으로서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 몸체(110)는 캐비티(C)를 제공하는 구조로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 몸체(110)는 캐비티(C)의 제공 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.In other words, according to the light emitting device package according to the embodiment, the
다음으로, 도 5를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 설명한다. 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 5 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 5를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 5, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4. FIG.
도 5에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 발광소자 패키지(100)가 회로기판(310)에 실장되어 공급되는 예를 나타낸 것이다. The light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 회로기판(310), 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 회로기판(310)은 제1 패드, 제2 패드, 기판을 포함할 수 있다. 상기 기판에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. The
상기 몸체(110)는 상기 회로기판(310) 위에 배치될 수 있다. 상기 회로기판(310)의 제1 패드 영역과 상기 제1 본딩부(121)가 도전체(133)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 회로기판(310)의 제2 패드 영역과 상기 제2 본딩부(122)가 도전체(133)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 도전체(133)는 예로서 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 회로기판(310)의 제1 및 제2 패드 영역에 상기 도전체(133)가 제공될 수 있으며, 상기 몸체(110)가 상기 회로기판(310)에 실장되는 과정에서, 상기 도전체(133)가 상기 개구부(TH1) 내부로 이동되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 접촉 및 본딩되어 제공될 수 있다. 예로서, 상기 도전체(133)는 모세관 현상 등을 통하여 상기 개구부(TH1) 내부로 확산되어 이동될 수 있다.The
예로서, 상기 도전체(133)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 도전체(133)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. For example, the
예로서, 상기 도전체(133)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 도전체(133)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 회로기판(310)에 댐부(150)가 제공될 수 있다. 상기 댐부(150)는 상기 회로기판(310)의 상기 제1 및 제2 패드 영역 사이에 배치될 수 있다. 상기 댐부(150)는 상기 제1 본딩부(121) 및 제2 본딩부(122) 사이에 제공될 수 있다. According to the embodiment, a
상기 댐부(150)는 개구부(TH1) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 상기 도전체(133)에 의하여 서로 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다. 상기 댐부(150)의 상면은 상기 제1 수지(130)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 댐부(150)의 하면은 상기 회로기판(310)의 상면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 댐부(150)는 상기 회로기판(310)와 일체로 제공될 수도 있으며, 또한 별도의 분리된 구성요소로 제공될 수도 있다.The
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 몸체(113)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. The
상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The opening TH1 may be provided in the
상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The opening TH1 may be disposed below the
예로서, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면이 상기 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면이 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.For example, the lower surfaces of the first and
실시 예에 의하면, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 하면의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 하면의 폭과 상기 제2 본딩부(122)의 하면의 폭을 합한 것에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The width of the upper region of the opening TH1 may be greater than the width of the lower surface of the
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 개구부(TH1) 내에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first and
또한, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. The width of the upper region of the opening TH1 may be less than or equal to the width of the lower region of the opening TH1. The opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
다만 이에 한정하지 않고, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. The inclined surface between the upper region and the lower region of the opening TH1 may have a plurality of inclined surfaces having different slopes, and the inclined surfaces may be arranged with a curvature.
상기 발광소자(120)는 네 측면의 길이가 유사한 정방형의 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)는 장변과 단변을 포함하는 장방형의 형상으로 제공될 수도 있다. 상기 개구부(TH1)의 형상은 상기 발광소자(120)의 형상에 대응되어 정방형 또는 장방형의 형상으로 제공될 수 있다.The
상기 개구부(TH1)는 각각 서로 마주보는 두 쌍의 변을 포함할 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 한 쌍의 변은 상기 발광소자(120)의 단변 또는 제1 측면에 평행하게 배치될 수 있다. 또한, 상기 개구부(TH1)의 다른 한 쌍의 변은 상기 발광소자(120)의 장변 또는 제2 측면에 평행하게 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 단변 또는 제1 측면과 상기 발광소자(120)의 장변 또는 제2 측면은 서로 수직하게 배치될 수 있다.The openings TH1 may include two pairs of sides facing each other. The pair of sides of the opening TH1 may be disposed parallel to the short side or the first side of the
상기 개구부(TH1)의 이웃한 두 변이 만나는 영역은 곡면으로 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 이웃한 두 변이 만나는 영역은 라운드 진 형상으로 제공될 수 있다.A region where two adjacent sides of the opening TH1 meet may be provided as a curved surface. The area where the two adjacent sides of the opening TH1 meet may be provided in a rounded shape.
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 개구부(TH1) 내에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 제공될 수 있다.The first and
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 측면과 상기 발광소자(120)의 측면에 인접한 상기 개구부(TH1)의 측면 간의 거리는 50 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.The distance between the side surface of the
상기 발광소자(120)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭이 상기 개구부(TH1)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 80% 내지 95%의 폭으로 제공될 수 있다.The width along the minor axis direction or the major axis direction of the
상기 발광소자(120)는 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)에 의하여 지지될 수 있다. 상기 발광소자(120)가 상기 제1 몸체(111)에 의하여 안정적으로 지지될 수 있도록, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 95% 이하의 폭으로 제공될 수 있다.The
또한, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 개구부(TH1)에 제공된 상기 도전체(133)를 통하여 전원을 공급 받을 수 있다. 상기 도전체(133)가 용이하게 공급될 수 있으면서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 전기적인 단락(short)이 발생되지 않도록 상기 개구부(TH1)의 크기가 크게 제공될 필요가 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 80% 이상으로 제공될 수 있다.The first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 예로서 상기 제1 몸체(111)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면 전체에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.The physical properties of the
예로서, 상기 제1 수지(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.For example, the
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 몸체(111)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광 소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에서 광확산기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 수지(130)는 광확산기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광추출효율을 개선할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 개구부(TH1)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다. According to the embodiment, the
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 하면에서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 개구부(TH1) 내로 이동되어 하부로 떨어지지 않도록 제어될 수 있다.Next, the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 개구부(TH1)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 개구부(TH1) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 상기 개구부(TH1)에 제공된 도전체를 통해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.Meanwhile, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 도전체(133)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 도전체(133)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(200)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 도전체(133)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
다음으로, 도 6을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 6 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
도 6을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 6, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5. FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 리세스(recess)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(300)는 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에 제공될 수 있다.The light emitting
도 6에 도시된 실시 예에는 4 개의 리세스가 제공된 경우가 도시되었으나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 6, the light emitting
상기 발광소자 패키지(300)는 하나의 리세스를 포함할 수도 있으며, 개구부(TH1)의 각 모서리 영역에 제공된 4 개의 리세스를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 발광소자 패키지(300)는 상기 개구부(TH1)의 측면 영역에 제공될 수도 있다.The light emitting
상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)는 상기 개구부(TH1)로부터 이격되어 제공될 수 있다. 상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)는 상기 개구부(TH1)의 둘레에 제공될 수 있다. The plurality of recesses R11, R12, R13, and R14 may be provided on the upper surface of the
상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)의 일부 영역은 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다.A portion of the plurality of recesses R11, R12, R13, and R14 may be disposed below the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)의 일부 영역은 상기 발광소자(120)와 중첩되어 배치될 수 있다. A portion of the plurality of recesses R11, R12, R13, and R14 may be overlapped with the
상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)의 폭 및 깊이는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)의 폭 및 깊이는 20 마이크로 미터 내지 40 마이크로 미터로 제공될 수 있다.The width and depth of the plurality of recesses R11, R12, R13, and R14 may be several tens of micrometers. By way of example, the width and depth of the plurality of recesses R11, R12, R13, and R14 may be provided from 20 micrometers to 40 micrometers.
실시 예에 의하면, 상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)는 일종의 정렬 키(align key) 기능을 수행할 수 있다. 상기 발광소자(120)가 상기 몸체(110)에 부착되는 과정에서 상기 발광소자(120)의 정렬 위치를 제공할 수 있다. According to the embodiment, the plurality of recesses R11, R12, R13, and R14 may function as an align key. The alignment position of the
또한, 상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)에 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)에 제1 수지(130)가 제공된 후, 상기 발광소자(120)가 상기 몸체(110) 위에 부착되도록 함으로써, 상기 제1 수지(130)의 제공 위치 및 적절한 공급량이 용이하게 제어될 수 있다.Also, the plurality of recesses R11, R12, R13, and R14 may be provided with the
상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 복수의 리세스(R11, R12, R13, R14)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 제1 몸체(111)의 상면 사이에 상기 제1 수지(130)가 충분히 공급될 수 있는 공간을 제공할 수 있다.The plurality of recesses R11, R12, R13, and R14 may provide a suitable space under which a kind of underfill process may be performed under the
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 몸체(113)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. The
상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The opening TH1 may be provided in the
상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The opening TH1 may be disposed below the
예로서, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면이 상기 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면이 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.For example, the lower surfaces of the first and
실시 예에 의하면, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 하면의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 하면의 폭과 상기 제2 본딩부(122)의 하면의 폭을 합한 것에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The width of the upper region of the opening TH1 may be greater than the width of the lower surface of the
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 개구부(TH1) 내에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first and
또한, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. The width of the upper region of the opening TH1 may be less than or equal to the width of the lower region of the opening TH1. The opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
다만 이에 한정하지 않고, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. The inclined surface between the upper region and the lower region of the opening TH1 may have a plurality of inclined surfaces having different slopes, and the inclined surfaces may be arranged with a curvature.
상기 발광소자(120)는 네 측면의 길이가 유사한 정방형의 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)는 장변과 단변을 포함하는 장방형의 형상으로 제공될 수도 있다. 상기 개구부(TH1)의 형상은 상기 발광소자(120)의 형상에 대응되어 정방형 또는 장방형의 형상으로 제공될 수 있다.The
상기 개구부(TH1)는 각각 서로 마주보는 두 쌍의 변을 포함할 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 한 쌍의 변은 상기 발광소자(120)의 단변 또는 제1 측면에 평행하게 배치될 수 있다. 또한, 상기 개구부(TH1)의 다른 한 쌍의 변은 상기 발광소자(120)의 장변 또는 제2 측면에 평행하게 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 단변 또는 제1 측면과 상기 발광소자(120)의 장변 또는 제2 측면은 서로 수직하게 배치될 수 있다.The openings TH1 may include two pairs of sides facing each other. The pair of sides of the opening TH1 may be disposed parallel to the short side or the first side of the
상기 개구부(TH1)의 이웃한 두 변이 만나는 영역은 곡면으로 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 이웃한 두 변이 만나는 영역은 라운드 진 형상으로 제공될 수 있다.A region where two adjacent sides of the opening TH1 meet may be provided as a curved surface. The area where the two adjacent sides of the opening TH1 meet may be provided in a rounded shape.
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 개구부(TH1) 내에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 제공될 수 있다.The first and
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 측면과 상기 발광소자(120)의 측면에 인접한 상기 개구부(TH1)의 측면 간의 거리는 50 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.The distance between the side surface of the
상기 발광소자(120)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭이 상기 개구부(TH1)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 80% 내지 95%의 폭으로 제공될 수 있다.The width along the minor axis direction or the major axis direction of the
상기 발광소자(120)는 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)에 의하여 지지될 수 있다. 상기 발광소자(120)가 상기 제1 몸체(111)에 의하여 안정적으로 지지될 수 있도록, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 95% 이하의 폭으로 제공될 수 있다.The
또한, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는, 도 5를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)에 제공될 도전체(133)를 통하여 전원을 공급 받을 수 있다. 상기 도전체(133)가 용이하게 공급될 수 있으면서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 전기적인 단락(short)이 발생되지 않도록 상기 개구부(TH1)의 크기가 크게 제공될 필요가 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 80% 이상으로 제공될 수 있다.5, the first and
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 상기 개구부(TH1)에 제공된 도전체를 통해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.Meanwhile, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 도전체를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 도전체의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(300)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도전체로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
다음으로, 도 7을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 7 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
도 7을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 7, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6. FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 몸체(113)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. The
상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The opening TH1 may be provided in the
상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The opening TH1 may be disposed below the
예로서, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면이 상기 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면이 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.For example, the lower surfaces of the first and
실시 예에 의하면, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 하면의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 하면의 폭과 상기 제2 본딩부(122)의 하면의 폭을 합한 것에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The width of the upper region of the opening TH1 may be greater than the width of the lower surface of the
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 개구부(TH1) 내에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first and
또한, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. The width of the upper region of the opening TH1 may be less than or equal to the width of the lower region of the opening TH1. The opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
다만 이에 한정하지 않고, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. The inclined surface between the upper region and the lower region of the opening TH1 may have a plurality of inclined surfaces having different slopes, and the inclined surfaces may be arranged with a curvature.
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 개구부(TH1) 내에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 제공될 수 있다.The first and
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 측면과 상기 발광소자(120)의 측면에 인접한 상기 개구부(TH1)의 측면 간의 거리는 50 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.The distance between the side surface of the
상기 발광소자(120)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭이 상기 개구부(TH1)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 80% 내지 95%의 폭으로 제공될 수 있다.The width along the minor axis direction or the major axis direction of the
상기 발광소자(120)는 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)에 의하여 지지될 수 있다. 상기 발광소자(120)가 상기 제1 몸체(111)에 의하여 안정적으로 지지될 수 있도록, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 95% 이하의 폭으로 제공될 수 있다.The
또한, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)에 제공될 도전체를 통하여 전원을 공급 받을 수 있다. 도전체가 용이하게 공급될 수 있으면서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 전기적인 단락(short)이 발생되지 않도록 상기 개구부(TH1)의 크기가 크게 제공될 필요가 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 80% 이상으로 제공될 수 있다.1 to 4, the first and
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 제1 및 제2 도전부(221, 222)를 포함할 수 있다. Meanwhile, the light emitting
상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. The first
상기 제1 도전부(221)의 하면은 상기 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)에서 상기 개구부(TH1) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The lower surface of the first
상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. The second
상기 제2 도전부(222)의 하면은 상기 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)에서 상기 개구부(TH1) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The lower surface of the second
실시 에에 의하면, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 내용과 유사하게, 도전체(133)가 상기 개구부(TH1)에 제공되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 도전체(133)는, 도 5를 참조하여 설명된 내용과 같이, 추후 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)가 회로기판 등에 실장되는 과정에서 제공될 수도 있다.1 to 4, a
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전부(221)의 하면 및 측면에 상기 도전체(133)가 배치될 수 있다. 상기 도전체(133)는 상기 제1 도전부(221)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the
또한, 상기 제2 도전부(222)의 하면 및 측면에 상기 도전체(133)가 배치될 수 있다. 상기 도전체(133)는 상기 제2 도전부(222)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.In addition, the
상기 도전체(133)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 및 측면에 각각 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 측면 및 하면이 상기 도전체(133)에 각각 접촉될 수 있다.The
예로서, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 별도의 본딩 물질을 통하여 안정적으로 본딩될 수 있다. For example, the first and second
또한, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 도금 공정을 통해 제공될 수도 있다. 예로서, 복수의 발광소자가 형성된 웨이퍼 레벨에서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 시드(seed)층이 제공되고, 시드층 위에 포토 레지스트막과 같은 마스크층이 형성된 후, 도금 공정이 수행될 수 있다. 도금 공정이 수행된 후, 포토레지스트막의 제거를 통해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 일정 영역에만 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)가 형성될 수 있다.The first and second
예로서, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 Ag, Au, Cu, Ti, Ni 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 시드층을 포함할 수 있다. 상기 시드층은 예로서 Ti, Ni, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.For example, the first and second
상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 예로서 원 기둥 형상 또는 다각 기둥 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 형상은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 형상에 대응되어 선택될 수 있다. The first and second
예로서, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 폭 또는 직경은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 두께는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 하나의 예로서, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 폭 또는 직경은 130 마이크로 미터 내지 170 마이크로 미터로 제공될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 두께는 60 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the widths or diameters of the first and second
상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 상면은 평탄면을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 측면은 경사면을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상부 영역의 면적과 하부 영역의 면적이 서로 다르게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 상부 영역의 면적이 하부 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The upper surfaces of the first and second
상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 서로 분리된 공정에서 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 서로 다른 물질 및 서로 다른 적층 구조를 포함할 수 있다.The first and second
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 제공 없이 도전체(133)가 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 하면에 각각 직접적으로 접촉되는 경우에 비하여, 상기 도전체(133)가 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)와 각각 접촉되는 면적이 더 커질 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)를 통하여 상기 도전체(133)로부터 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 각각 안정적으로 공급될 수 있게 된다.Compared with the case where the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 예로서 상기 제1 몸체(111)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면 전체에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.The physical properties of the
예로서, 상기 제1 수지(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.For example, the
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 몸체(111)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광 소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에서 광확산기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 수지(130)는 광확산기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(400)의 광추출효율을 개선할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 개구부(TH1)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다. According to the embodiment, the
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 하면에서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 개구부(TH1) 내로 이동되어 하부로 떨어지지 않도록 제어될 수 있다.Next, the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 개구부(TH1)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 개구부(TH1) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 상기 개구부(TH1)에 제공된 도전체를 통해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.Meanwhile, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 도전체(133)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 도전체(133)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(400)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Accordingly, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 도전체(133)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
다음으로, 도 8 및 도 9를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이고, 도 9는 도 8에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 형상을 설명하는 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG. 8 is a view illustrating another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a view illustrating a shape of a body applied to the light emitting device package shown in FIG.
도 8 및 도 9를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIGS. 8 and 9, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7. FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 몸체(111)는 상면에 제공된 제1 및 제2 돌출부(111a, 111b)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. According to the embodiment, the
상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 돌출부(111a, 111b)는 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)의 상면에 제공될 수 있다.The opening TH1 may be provided in the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 몸체(113)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 제1 및 제2 도전부(221, 222)를 포함할 수 있다. Meanwhile, the light emitting
상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다.The first
상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다.The second
상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 제1 및 제2 돌출부(111a, 111b)에 각각 결합될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 제1 및 제2 돌출부(111a, 111b)에 각각 대응되는 오목부를 포함할 수 있다. The first and second
이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 오목부와 상기 제1 몸체(111)의 상기 제1 및 제2 돌출부(111a, 111b)가 안정적으로 결합될 수 있으며, 수평 방향으로서 결합 강도가 더 향상될 수 있게 된다.Accordingly, the recesses of the first and second
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 측면에도 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 예로서 상기 제1 몸체(111)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면 전체에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.The physical properties of the
예로서, 상기 제1 수지(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.For example, the
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 몸체(111)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광 소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에서 광확산기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 수지(130)는 광확산기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(400)의 광추출효율을 개선할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 개구부(TH1)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다. According to the embodiment, the
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레와 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 측면으로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 하면에서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 개구부(TH1) 내로 이동되어 하부로 떨어지지 않도록 제어될 수 있다.Next, the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 개구부(TH1)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 개구부(TH1) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는, 이상에서 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 내용과 유사하게, 상기 개구부(TH1)에 제공된 도전체를 통해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 연결될 수 있다. The light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.Meanwhile, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 도전체(133)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 도전체(133)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(500)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 도전체(133)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
다음으로, 도 10을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 10 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
도 10을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 10, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 9. FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 몸체(111)는 상면에 제공된 제1 및 제2 오목부(111c, 111d)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. According to the embodiment, the
상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 돌출부(111a, 111b)는 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)의 상면에 제공될 수 있다.The opening TH1 may be provided in the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 몸체(113)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는 제1 및 제2 도전부(221, 222)를 포함할 수 있다. Meanwhile, the light emitting
상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다.The first
상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다.The second
상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 제1 및 제2 오목부(111c, 111d)에 각각 결합될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 제1 및 제2 오목부(111c, 111d)에 각각 대응되는 돌출부를 포함할 수 있다. The first and second
이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 볼록부와 상기 제1 몸체(111)의 상기 제1 및 제2 오목부(111c, 111d)가 안정적으로 결합될 수 있으며, 수평 방향으로서 결합 강도가 더 향상될 수 있게 된다.The protrusions of the first and second
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 측면에도 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 예로서 상기 제1 몸체(111)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면 전체에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.The physical properties of the
예로서, 상기 제1 수지(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.For example, the
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 몸체(111)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광 소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에서 광확산기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 수지(130)는 광확산기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(600)의 광추출효율을 개선할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 개구부(TH1)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다. According to the embodiment, the
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레와 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 측면으로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 하면에서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 개구부(TH1) 내로 이동되어 하부로 떨어지지 않도록 제어될 수 있다.Next, the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 개구부(TH1)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 개구부(TH1) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는, 이상에서 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 내용과 유사하게, 상기 개구부(TH1)에 제공된 도전체를 통해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 연결될 수 있다. The light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.Meanwhile, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 도전체(133)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 도전체(133)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(600)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 도전체(133)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
다음으로, 도 11을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 11 is a view illustrating another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 11을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 11, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 through 10. FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 몸체(113)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. The
상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The opening TH1 may be provided in the
상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The opening TH1 may be disposed below the
예로서, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면이 상기 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면이 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.For example, the lower surfaces of the first and
상기 발광소자(120)는 네 측면의 길이가 유사한 정방형의 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)는 장변과 단변을 포함하는 장방형의 형상으로 제공될 수도 있다. 상기 개구부(TH1)의 형상은 상기 발광소자(120)의 형상에 대응되어 정방형 또는 장방형의 형상으로 제공될 수 있다.The
상기 개구부(TH1)는 각각 서로 마주보는 두 쌍의 변을 포함할 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 한 쌍의 변은 상기 발광소자(120)의 단변 또는 제1 측면에 평행하게 배치될 수 있다. 또한, 상기 개구부(TH1)의 다른 한 쌍의 변은 상기 발광소자(120)의 장변 또는 제2 측면에 평행하게 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 단변 또는 제1 측면과 상기 발광소자(120)의 장변 또는 제2 측면은 서로 수직하게 배치될 수 있다.The openings TH1 may include two pairs of sides facing each other. The pair of sides of the opening TH1 may be disposed parallel to the short side or the first side of the
상기 개구부(TH1)의 이웃한 두 변이 만나는 영역은 곡면으로 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 이웃한 두 변이 만나는 영역은 라운드 진 형상으로 제공될 수 있다.A region where two adjacent sides of the opening TH1 meet may be provided as a curved surface. The area where the two adjacent sides of the opening TH1 meet may be provided in a rounded shape.
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 개구부(TH1) 내에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 제공될 수 있다.The first and
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 측면과 상기 발광소자(120)의 측면에 인접한 상기 개구부(TH1)의 측면 간의 거리는 50 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.The distance between the side surface of the
상기 발광소자(120)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭이 상기 개구부(TH1)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 80% 내지 95%의 폭으로 제공될 수 있다.The width along the minor axis direction or the major axis direction of the
상기 발광소자(120)는 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)에 의하여 지지될 수 있다. 상기 발광소자(120)가 상기 제1 몸체(111)에 의하여 안정적으로 지지될 수 있도록, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 95% 이하의 폭으로 제공될 수 있다.The
또한, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는, 도 5를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)에 제공될 도전체(133)를 통하여 전원을 공급 받을 수 있다. 상기 도전체(133)가 용이하게 공급될 수 있으면서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 전기적인 단락(short)이 발생되지 않도록 상기 개구부(TH1)의 크기가 크게 제공될 필요가 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 80% 이상으로 제공될 수 있다.5, the first and
한편, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)에 댐부(710)가 제공될 수 있다. 상기 댐부(710)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이에 배치될 수 있다. Meanwhile, according to the embodiment, the
상기 댐부(710)는 상기 개구부(TH1) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 상기 도전체(133)에 의하여 서로 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다. 상기 댐부(710)의 상면은 상기 발광소자(120)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 댐부(710)의 하면은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.The
상기 댐부(710)는 상기 발광소자(120)와 일체로 제공될 수도 있으며, 또한 별도의 분리된 구성요소로 제공될 수도 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 댐부(710) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 댐부(710) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 하면 아래에서 상기 댐부(710)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 예로서 상기 제1 몸체(111)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면 전체에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.The physical properties of the
예로서, 상기 제1 수지(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.For example, the
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 몸체(111)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광 소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에서 광확산기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 수지(130)는 광확산기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광추출효율을 개선할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 개구부(TH1)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다. According to the embodiment, the
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 하면에서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 댐부(710) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 개구부(TH1) 내로 이동되어 하부로 떨어지지 않도록 제어될 수 있다.Next, the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 개구부(TH1)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 개구부(TH1) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는 상기 개구부(TH1)에 제공된 도전체를 통해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.Meanwhile, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는, 도 5를 참조하여 설명된 바와 유사하게, 상기 도전체(133)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 도전체(133)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(700)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 도전체(133)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
다음으로, 도 12를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 12 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
도 12를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 11을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 12, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 11. FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(800)는 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 몸체(113)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. The
상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The opening TH1 may be provided in the
상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The opening TH1 may be disposed below the
예로서, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면이 상기 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면이 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.For example, the lower surfaces of the first and
상기 발광소자(120)는 네 측면의 길이가 유사한 정방형의 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)는 장변과 단변을 포함하는 장방형의 형상으로 제공될 수도 있다. 상기 개구부(TH1)의 형상은 상기 발광소자(120)의 형상에 대응되어 정방형 또는 장방형의 형상으로 제공될 수 있다.The
상기 개구부(TH1)는 각각 서로 마주보는 두 쌍의 변을 포함할 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 한 쌍의 변은 상기 발광소자(120)의 단변 또는 제1 측면에 평행하게 배치될 수 있다. 또한, 상기 개구부(TH1)의 다른 한 쌍의 변은 상기 발광소자(120)의 장변 또는 제2 측면에 평행하게 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 단변 또는 제1 측면과 상기 발광소자(120)의 장변 또는 제2 측면은 서로 수직하게 배치될 수 있다.The openings TH1 may include two pairs of sides facing each other. The pair of sides of the opening TH1 may be disposed parallel to the short side or the first side of the
상기 개구부(TH1)의 이웃한 두 변이 만나는 영역은 곡면으로 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 이웃한 두 변이 만나는 영역은 라운드 진 형상으로 제공될 수 있다.A region where two adjacent sides of the opening TH1 meet may be provided as a curved surface. The area where the two adjacent sides of the opening TH1 meet may be provided in a rounded shape.
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 개구부(TH1) 내에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 제공될 수 있다.The first and
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 측면과 상기 발광소자(120)의 측면에 인접한 상기 개구부(TH1)의 측면 간의 거리는 50 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.The distance between the side surface of the
상기 발광소자(120)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭이 상기 개구부(TH1)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 80% 내지 95%의 폭으로 제공될 수 있다.The width along the minor axis direction or the major axis direction of the
상기 발광소자(120)는 상기 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)에 의하여 지지될 수 있다. 상기 발광소자(120)가 상기 제1 몸체(111)에 의하여 안정적으로 지지될 수 있도록, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 95% 이하의 폭으로 제공될 수 있다.The
또한, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는, 도 5를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)에 제공될 도전체(133)를 통하여 전원을 공급 받을 수 있다. 상기 도전체(133)가 용이하게 공급될 수 있으면서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 전기적인 단락(short)이 발생되지 않도록 상기 개구부(TH1)의 크기가 크게 제공될 필요가 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 개구부(TH1)의 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭은 상기 발광소자(120)의 대응되는 단축 방향 또는 장축 방향에 따른 폭에 비해 80% 이상으로 제공될 수 있다.5, the first and
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(800)는, 제3 수지(810)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting
상기 제3 수지(810)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(810)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(810)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(810)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에서 상기 발광 구조물(123)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제3 수지(810)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 간의 전기적인 단락을 방지할 수 있다. 상기 제3 수지(810)는 절연물질을 포함할 수 있다.The
예로서, 상기 제3 수지(810)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. For example, the
또한, 상기 제3 수지(810)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제3 수지(810)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제3 수지(810)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제3 수지(810)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제3 수지(810)는 예로서 TiO2, SiO2 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제3 수지(810)는 접착제로 지칭될 수도 있다.Also, the
상기 제3 수지(810)의 상면은 상기 발광 구조물(123)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(810)의 일 측면은 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 수지(810)의 다른 측면은 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The upper surface of the
상기 제3 수지(810)의 하면은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(810)의 일부 영역은 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(810)의 일부 영역은 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다.The lower surface of the
상기 제3 수지(810)의 하면은 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(810)는 상기 개구부(TH1) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 개구부(TH1)는 상기 제3 수지(810)의 둘레에 제공될 수 있다. The lower surface of the
상기 제3 수지(810)는 상기 개구부(TH1) 내에 배치되어, 도 5를 참조하여 설명된 내용과 유사하게 추후 도전체(133)가 제공되는 과정에서, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 상기 도전체(133)에 의하여 서로 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다. The
상기 제3 수지(810)는 상기 발광소자(120)와 일체로 제공될 수도 있으며, 또한 별도의 분리된 구성요소로 제공될 수도 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(800)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 주변에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 예로서 상기 제1 몸체(111)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면 전체에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.The physical properties of the
예로서, 상기 제1 수지(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.For example, the
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 몸체(111)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광 소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에서 광확산기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 수지(130)는 광확산기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광추출효율을 개선할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 개구부(TH1)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다. According to the embodiment, the
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 개구부(TH1) 내로 이동되어 하부로 떨어지지 않도록 제어될 수 있다.Next, the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 개구부(TH1)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 개구부(TH1) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(800)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(800)는 상기 개구부(TH1)에 제공된 도전체를 통해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.Meanwhile, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는, 도 5를 참조하여 설명된 바와 유사하게, 상기 도전체(133)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 도전체(133)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(800)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(800) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 도전체(133)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 이상에서 설명된 발광소자 패키지에는 예로서 플립칩 발광소자가 제공될 수 있다. Meanwhile, the light emitting device package described above may be provided with a flip chip light emitting device as an example.
예로서, 플립칩 발광소자는 6면 방향으로 빛이 방출되는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있으며, 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자로 제공될 수도 있다. For example, the flip chip light emitting device may be provided as a transmissive flip chip light emitting device that emits light in six plane directions, or may be provided as a reflective flip chip light emitting device that emits light in five plane directions.
상기 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자는 상기 패키지 몸체(110)에 가까운 방향으로 반사층이 배치된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 반사형 플립칩 발광소자는 제1 및 제2 전극 패드와 발광구조물 사이에 절연성 반사층(예를 들어 Distributed Bragg Reflector, Omni Directional Reflector 등) 및/또는 전도성 반사층(예를 들어 Ag, Al, Ni, Au 등)을 포함할 수 있다. The reflection type flip chip light emitting device in which light is emitted in the five-sided direction may have a structure in which a reflection layer is disposed in a direction close to the
또한, 상기 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극, 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 가지며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에서 빛이 방출되는 일반적인 수평형 발광소자로 제공될 수 있다. The flip chip light emitting device may include a first electrode electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer and a second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer, And may be provided as a general horizontal type light emitting device in which light is emitted between one electrode and the second electrode.
또한, 상기 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는, 상기 제1 및 제2 전극 패드 사이에 반사층이 배치된 반사 영역과 빛이 방출되는 투과 영역을 모두 포함하는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있다.The flip-chip light emitting device in which the light is emitted in the six-sided direction includes a reflective region in which a reflective layer is disposed between the first and second electrode pads, and a transmissive flip chip light emitting device Can be provided.
여기서, 투과형 플립칩 발광소자는 상부면, 4개의 측면, 하부면의 6면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다. 또한, 반사형 플립칩 발광소자는 상부면, 4개의 측면의 5면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다.Here, the transmissive flip chip light emitting device refers to a device that emits light to the top surface, four side surfaces, and six surfaces of the bottom surface. In addition, the reflection type flip chip light emitting device means an element that emits light to the upper surface and the four side surfaces.
그러면, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 예를 설명하기로 한다. Hereinafter, an example of a flip chip light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이고, 도 14는 도 13에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 단면도이다.FIG. 13 is a plan view showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a sectional view taken along line A-A of the light emitting device shown in FIG.
한편, 이해를 돕기 위해, 도 13을 도시함에 있어, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172) 아래에 배치되지만, 상기 제1 본딩부(1171)에 전기적으로 연결된 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 본딩부(1172)에 전기적으로 연결된 제2 서브전극(1142)이 보일 수 있도록 도시되었다.13, the first sub-electrode 1171 and the second sub-electrode 1172, which are disposed under the
실시 예에 따른 발광소자(1100)는 기판(1105) 위에 배치된 발광 구조물(1110)을 포함할 수 있다.A light emitting device 1100 according to an embodiment may include a
상기 기판(1105)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(1105)은 상면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The
상기 발광 구조물(1110)은 제1 도전형 반도체층(1111), 활성층(1112), 제2 도전형 반도체층(1113)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(1112)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 상기 활성층(1112)이 배치되고, 상기 활성층(1112) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 배치될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(1111)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(1113)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(1111)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. According to an embodiment, the first conductivity
이하에서는 설명의 편의를 위해 상기 제1 도전형 반도체층(1111)이 n형 반도체층으로 제공되고 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 p형 반도체층으로 제공된 경우를 기준으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the first
실시 예에 따른 발광소자(1100)는 투광성 전극층(1130)을 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은 전류 확산을 향상시켜 광출력을 증가시킬 수 있다. The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a light transmitting
예로서, 상기 투광성 전극층(1130)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은 투광성의 물질을 포함할 수 있다.For example, the light transmitting
상기 투광성 전극층(1130)은, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh, Pd를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자(1100)는 반사층(1160)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a
상기 제2 반사층(1162)은 상기 투광성 전극층(1130)을 노출시키는 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 투광성 전극층(1130) 위에 배치된 복수의 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. The second
상기 제1 반사층(1161)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면을 노출시키는 복수의 제2 개구부(h2)를 포함할 수 있다.The first
상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제2 반사층(1162)과 연결될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 물리적으로 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The third
실시 예에 따른 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)의 상면에 물리적으로 접촉될 수 있다.The
상기 반사층(1160)은 절연성 반사층으로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반사층(1160)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 ODR(Omni Directional Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 DBR층과 ODR층이 적층되어 제공될 수도 있다.The
실시 예에 따른 발광소자(1100)는 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a
상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 개구부(h2) 내부에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113), 상기 활성층(1112)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(1111)의 일부 영역까지 배치되는 리세스 내에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 배치될 수 있다. The first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the first conductivity
상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 반사층(1161)에 제공된 제2 개구부(h2)를 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 개구부(h2)와 상기 리세스는 수직으로 중첩할 수 있고 예로서, 상기 제1 서브전극(1141)은 복수의 리세스 영역에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.The
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 서브전극(1142)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 상기 투광성 전극층(1130)이 배치될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductive
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제2 서브전극(1142)은 복수의 P 영역에서 상기 투광성 전극층(1130)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductive
상기 제2 서브전극(1142)은 복수의 P 영역에서 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 복수의 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 투광성 전극층(1130)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be in direct contact with the upper surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 서로 극성을 가질 수 있고, 서로 이격되어 배치될 수 있다. According to the embodiment, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may have polarities and may be spaced apart from each other.
상기 제1 서브전극(1141)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 서브전극(1142)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 이웃된 복수의 제2 서브전극(1142) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 이웃된 복수의 제1 서브전극(1141) 사이에 배치될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be provided in a plurality of line shapes as an example. In addition, the second sub-electrode 1142 may be provided in a plurality of line shapes as an example. The first sub-electrode 1141 may be disposed between a plurality of second sub-electrodes 1142 adjacent to each other. The second sub-electrode 1142 may be disposed between a plurality of neighboring first sub-electrodes 1141.
상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)이 서로 다른 극성으로 구성되는 경우, 서로 다른 개수의 전극으로 배치될 수 있다. 예를 들어 상기 제1 서브전극(1141)이 n 전극으로, 상기 제2 서브전극(1142)이 p 전극으로 구성되는 경우 상기 제1 서브전극(1141)보다 상기 제2 서브전극(1142)의 개수가 더 많을 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 전기 전도도 및/또는 저항이 서로 다른 경우, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)에 의해 상기 발광 구조물(1110)로 주입되는 전자와 정공의 균형을 맞출 수 있고 따라서 상기 발광소자의 광학적 특성이 개선될 수 있다.When the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 have different polarities, they may be arranged in different numbers of electrodes. For example, when the first sub-electrode 1141 is an n-electrode and the second sub-electrode 1142 is a p-electrode, the number of the second sub-electrodes 1142 Can be more. When the electrical conductivity and / or resistance of the second conductivity
한편, 실시 예에 따른 발광소자가 적용될 발광소자 패키지에서 요청되는 특성에 따라, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)의 극성이 서로 반대로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)의 폭/길이/형상 및 개수 등은 발광소자 패키지에서 요청되는 특성에 따라 다양하게 변형되어 적용될 수 있다.Meanwhile, the polarities of the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be opposite to each other depending on characteristics required in the light emitting device package to which the light emitting device according to the embodiment is applied. The width, length, shape, and number of the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 can be variously modified according to characteristics required in the light emitting device package.
상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may have a single-layer structure or a multi-layer structure. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be ohmic electrodes. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be formed of a metal such as ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / , At least one of Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf or an alloy of two or more of them.
실시 예에 따른 발광소자(1100)는 보호층(1150)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a
상기 보호층(1150)은 상기 제2 서브전극(1142)을 노출시키는 복수의 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제3 개구부(h3)는 상기 제2 서브전극(1142)에 제공된 복수의 PB 영역에 대응되어 배치될 수 있다. The
또한, 상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)을 노출시키는 복수의 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제4 개구부(h4)는 상기 제1 서브전극(1141)에 제공된 복수의 NB 영역에 대응되어 배치될 수 있다.In addition, the
상기 보호층(1150)은 상기 반사층(1160) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163) 위에 배치될 수 있다.The
예로서, 상기 보호층(1150)은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(1150)은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the
실시 예에 따른 발광소자(1100)는 상기 보호층(1150) 위에 배치된 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)를 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a
상기 제1 본딩부(1171)는 상기 제1 반사층(1161) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제2 반사층(1162) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제1 본딩부(1171)와 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(1171)는 복수의 NB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제4 개구부(h4)를 통하여 상기 제1 서브전극(1141)의 상면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역은 상기 제2 개구부(h2)와 수직으로 어긋나도록 배치될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역과 상기 제2 개구부(h2)가 서로 수직으로 어긋나는 경우, 상기 제1 본딩부(1171)로 주입되는 전류가 상기 제1 서브전극(1141)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 NB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. The
또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 복수의 PB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제3 개구부(h3)를 통하여 상기 제2 서브전극(1142)의 상면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 PB 영역과 상기 복수의 제1 개구부(h1)가 수직으로 중첩되지 않도록 하는 경우 상기 제2 본딩부(1172)로 주입되는 전류가 상기 제2 서브전극(1142)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 PB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. The
이와 같이 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 복수의 제4 개구부(h4) 영역에서 접촉될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)와 상기 제2 서브전극(1142)이 복수의 영역에서 접촉될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 복수의 영역을 통해 전원이 공급될 수 있으므로, 접촉 면적 증가 및 접촉 영역의 분산에 따라 전류 분산 효과가 발생되고 동작전압이 감소될 수 있는 장점이 있다.According to the light emitting device 1100, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)이 상기 제1 서브전극(1141) 아래에 배치되며, 상기 제2 반사층(1162)이 상기 제2 서브전극(1142) 아래에 배치된다. 이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 발광 구조물(1110)의 활성층(1112)에서 발광되는 빛을 반사시켜 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)에서 광 흡수가 발생되는 것을 최소화하여 광도(Po)를 향상시킬 수 있다.The first
예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 절연성 재료로 이루어지되, 상기 활성층(1112)에서 방출된 빛의 반사를 위하여 반사율이 높은 재료, 예를 들면 DBR 구조를 이룰 수 있다.For example, the first
상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 굴절률이 다른 물질이 서로 반복하여 배치된 DBR 구조를 이룰 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2 중 적어도 하나 이상을 포함하는 단층 또는 적층 구조로 배치될 수 있다.The first
또한, 다른 실시 예에 의하면, 이에 한정하지 않고, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 활성층(1112)에서 발광하는 빛의 파장에 따라 상기 활성층(1112)에서 발광하는 빛에 대한 반사도를 조절할 수 있도록 자유롭게 선택될 수 있다.The first
또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 ODR층으로 제공될 수도 있다. 또 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 DBR층과 ODR층이 적층된 일종의 하이브리드(hybrid) 형태로 제공될 수도 있다.According to another embodiment, the first
실시 예에 따른 발광소자가 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지로 구현되는 경우, 상기 발광 구조물(1110)에서 제공되는 빛은 상기 기판(1105)을 통하여 방출될 수 있다. 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에서 반사되어 상기 기판(1105) 방향으로 방출될 수 있다. When the light emitting device according to the embodiment is mounted by a flip chip bonding method and is implemented as a light emitting device package, the light provided from the
또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 발광 구조물(1110)의 측면 방향으로도 방출될 수 있다. 또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. Also, the light emitted from the
구체적으로, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163)이 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. The light emitted from the
이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1100)는 상기 발광 구조물(1110)을 둘러싼 6면 방향으로 빛을 방출할 수 있게 되며, 광도를 현저하게 향상시킬 수 있다.Accordingly, the light emitting device 1100 according to the embodiment can emit light in six directions surrounding the
한편, 실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 발광소자(1100)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 상기 발광소자(1100)의 상면 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공될 수 있다.The sum of the areas of the
예로서, 상기 발광소자(1100)의 상면 전체 면적은 상기 발광 구조물(1110)의 제1 도전형 반도체층(1111)의 하부 면의 가로 길이 및 세로 길이에 의하여 정의되는 면적에 대응될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(1100)의 상면 전체 면적은 상기 기판(1105)의 상면 또는 하부 면의 면적에 대응될 수 있다.For example, the total area of the upper surface of the light emitting device 1100 may correspond to an area defined by a lateral length and a longitudinal length of the lower surface of the first
이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 빛의 양이 증가될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1100)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다.By thus providing the sum of the areas of the
또한, 상기 발광소자(1100)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)의 면적과 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공될 수 있다.The sum of the area of the
이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)를 통하여 안정적인 실장이 수행될 수 있고, 상기 발광소자(1100)의 전기적인 특성을 확보할 수 있게 된다.By thus providing the sum of the areas of the
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 광 추출 효율 및 본딩의 안정성 확보를 고려하여, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상이고 60% 이하로 선택될 수 있다.The sum of the areas of the
즉, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상 내지 100% 이하인 경우, 상기 발광소자(1100)의 전기적 특성을 확보하고, 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하여 안정적인 실장이 수행될 수 있다.That is, when the sum of the areas of the
또한, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 0% 초과 내지 60% 이하인 경우, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 광량이 증가하여 상기 발광소자(1100)의 광추출 효율이 향상되고, 광도(Po)가 증가될 수 있다.When the sum of the areas of the
실시 예에서는 상기 발광소자(1100)의 전기적 특성과 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하고, 광도를 증가시키기 위해, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상 내지 60% 이하로 선택하였다.In order to secure the electrical characteristics of the light emitting device 1100 and the bonding force to be mounted on the light emitting device package and increase the light intensity, the area of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)의 상기 발광소자(1100)의 장축 방향에 따른 길이는 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이의 간격에 대응되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)의 면적은 예로서 상기 발광소자(1100)의 상면 전체의 10% 이상이고 25% 이하로 제공될 수 있다.In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the third
상기 제3 반사층(1163)의 면적이 상기 발광소자(1100)의 상면 전체의 10% 이상일 때, 상기 발광소자의 하부에 배치되는 패키지 몸체가 변색되거나 균열의 발생을 방지할 수 있고, 25% 이하일 경우 상기 발광소자의 6면으로 발광하도록 하는 광추출효율을 확보하기에 유리하다. When the area of the third
또한, 다른 실시 예에서는 이에 한정하지 않고 상기 광추출효율을 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1100)의 상면 전체의 0% 초과 내지 10% 미만으로 배치할 수 있고, 상기 패키지 몸체에 변색 또는 균열의 발생을 방지하는 효과를 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1100)의 상면 전체의 25% 초과 내지 100% 미만으로 배치할 수 있다.In addition, in other embodiments, the third
또한, 상기 발광소자(1100)의 장축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제2 영역으로 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. The
또한, 상기 발광소자(1100)의 단축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제3 영역으로 상기 발광구조물에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. The light generated in the light emitting structure may be incident on the third region provided between the
실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)의 크기는 상기 제1 본딩부(1171)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)의 면적은 상기 제1 본딩부(1171)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제1 반사층(1161)의 한 변의 길이는 상기 제1 본딩부(1171)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the size of the first
또한, 상기 제2 반사층(1162)의 크기는 상기 제2 본딩부(1172)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사층(1162)의 면적은 상기 제2 본딩부(1172)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제2 반사층(1162)의 한 변의 길이는 상기 제2 본딩부(1172)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.In addition, the size of the second
실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 의하여, 상기 발광 구조물(1110)로부터 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되지 않고 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(1110)에서 생성되어 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되어 손실되는 것을 최소화할 수 있다.The light emitted from the
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치되므로, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있게 된다. In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, since the third
앞에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자(1100)는 예를 들어 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지 형태로 제공될 수 있다. 이때, 발광소자(1100)가 실장되는 패키지 몸체가 수지 등으로 제공되는 경우, 상기 발광소자(1100)의 하부 영역에서, 상기 발광소자(1100)로부터 방출되는 단파장의 강한 빛에 의하여 패키지 몸체가 변색되거나 균열이 발생될 수 있다. As described above, the light emitting device 1100 according to the embodiment may be mounted, for example, in a flip chip bonding manner to provide a light emitting device package. In this case, when the package body on which the light emitting device 1100 is mounted is provided by resin or the like, strong light of a short wavelength emitted from the light emitting device 1100 in the lower region of the light emitting device 1100 causes discoloration Or cracks may occur.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 영역 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있으므로, 상기 발광소자(1100)의 하부 영역에 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있다. However, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, since the amount of light emitted between the regions where the
실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171), 상기 제2 본딩부(1172), 상기 제3 반사층(1163)이 배치된 상기 발광소자(1100)의 상면의 20% 이상 면적에서 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.The light emitting structure 1100 having the
이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1100)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다. 또한, 상기 발광소자(1100)의 하부 면에 근접하게 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있게 된다.Accordingly, according to the embodiment, since the amount of light emitted toward the six surfaces of the light emitting device 1100 is increased, the light extraction efficiency can be improved and the light intensity Po can be increased. In addition, it is possible to prevent the package body disposed close to the lower surface of the light emitting device 1100 from being discolored or cracked.
또한, 실시 예예 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 반사층(1160)이 접착될 수 있다. 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있게 됨으로써, 상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)에 접촉되는 것에 비하여 접착력이 향상될 수 있게 된다.In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the
상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)에만 직접 접촉되는 경우, 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. 예를 들어, 절연층과 금속층이 결합되는 경우, 물질 상호 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. When the
예로서, 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약한 경우, 두 층 간에 박리가 발생될 수 있다. 이와 같이 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 사이에 박리가 발생되면 발광소자(1100)의 특성이 열화될 수 있으며, 또한 발광소자(1100)의 신뢰성을 확보할 수 없게 된다.For example, when the bonding force or adhesive force between the
그러나, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있으므로, 상기 반사층(1160), 상기 투광성 전극층(1130), 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력 및 접착력이 안정적으로 제공될 수 있게 된다.However, according to the embodiment, since the
따라서, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로, 상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로 발광소자(1100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.Therefore, according to the embodiment, since the coupling force between the
한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 활성층(1112)으로부터 발광된 빛은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통해 상기 반사층(1160)에 입사되어 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 활성층(1112)에서 생성된 빛이 상기 투광성 전극층(1130)에 입사되어 손실되는 것을 감소시킬 수 있게 되며 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면 광도가 향상될 수 있게 된다.Meanwhile, as described above, the
다음으로, 도 15 및 도 16을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 다른 예를 설명하도록 한다.Next, another example of the light emitting device applied to the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 15 and 16. FIG.
도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 전극 배치를 설명하는 평면도이고, 도 16은 도 15에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.FIG. 15 is a plan view illustrating an electrode arrangement of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 16 is a cross-sectional view taken along the line F-F of the light emitting device shown in FIG.
한편, 이해를 돕기 위해, 도 16을 도시함에 있어, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다.16, only the relative arrangement of the
실시 예에 따른 발광소자는 기판(124) 위에 배치된 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다.A light emitting device according to an embodiment may include a
상기 기판(124)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 상면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층(123aa), 활성층(123b), 제2 도전형 반도체층(123c)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(123b)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)과 상기 제2 도전형 반도체층(123c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(123a) 위에 상기 활성층(123b)이 배치되고, 상기 활성층(123b) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(123c)이 배치될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(123a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(123c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(123a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(123c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. The first
실시 예에 따른 발광소자는 제1 전극(127)과 제2 전극(128)을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a
상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(127)은 상기 제2 도전형 반도체층(123c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The
상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The
상기 제1 가지전극(125)와 상기 제2 가지전극(126)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)과 상기 제2 가지전극(126)에 의하여 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(123) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.The first
상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The
한편, 상기 발광 구조물(123)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(124)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.The
예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.By way of example, the protective layer may be provided as an insulating material. For example, the protective layer can be made of Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y And at least one material selected from the group consisting of:
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, light generated in the
참고로, 도 1 내지 도 14를 참조하여 설명된 발광소자의 상하 배치 방향과 도 15 및 도 16에 도시된 발광소자의 상하 배치 방향은 서로 반대로 도시되어 있다.For reference, the vertical direction of the light emitting device described with reference to FIGS. 1 to 14 and the vertical direction of the light emitting device shown in FIGS. 15 and 16 are shown opposite to each other.
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.According to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 본딩부(121)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the width of the
또한, 상기 제2 본딩부(122)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.In addition, the width of the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다.As the area of the first and
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment can be applied to the light source device.
또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. Further, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, and the like depending on an industrial field.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.An example of the light source device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting element, a light emitting module disposed in front of the reflector, An optical sheet including a light guide plate, prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, And may include a color filter disposed in front thereof. Here, the bottom cover, the reflection plate, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. Further, the display device may have a structure in which light emitting elements emitting red, green and blue light are disposed, respectively, without including a color filter.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector that reflects light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, A lens that refracts light forward, and a shade that reflects off a portion of the light that is reflected by the reflector and that is directed to the lens to provide the designer with a desired light distribution pattern.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device, which is another example of the light source device, may include a cover, a light source module, a heat sink, a power supply, an inner case, and a socket. Further, the light source device according to the embodiment may further include at least one of a member and a holder. The light source module may include the light emitting device package according to the embodiment.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or scope of the invention.
110 몸체
111 제1 몸체
111a 제1 돌출부
111b 제2 돌출부
111c 제1 오목부
111d 제2 오목부
113 제2 몸체
120 발광소자
121 제1 본딩부
122 제2 본딩부
123 발광 구조물
130 제1 수지
133 도전체
140 제2 수지
150 댐부
310 회로기판
TH1 제1 개구부110
111a
111c first
113
121
123
133
150
TH1 first opening
Claims (14)
상기 몸체 상에 배치되며, 제1 본딩부 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 를 포함하고,
상기 제1 본딩부 및 상기 제2 본딩부는 상기 개구부의 하면에서 노출되며,
상기 개구부의 상면의 폭은 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부 사이의 폭보다 큰 발광소자 패키지.A body including an upper surface and a lower surface, and an opening penetrating the upper surface and the lower surface;
A light emitting device disposed on the body, the light emitting device including a first bonding portion and a second bonding portion; Lt; / RTI >
Wherein the first bonding portion and the second bonding portion are exposed from a lower surface of the opening,
Wherein a width of an upper surface of the opening portion is larger than a width between the first bonding portion and the second bonding portion.
상기 제1 및 제2 본딩부는 상기 발광소자의 하면에 배치되고,
상기 제1 및 제2 본딩부의 하면이 상기 개구부의 상면에 비해 더 낮게 배치된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first and second bonding portions are disposed on a lower surface of the light emitting device,
And a lower surface of the first and second bonding portions is disposed lower than an upper surface of the opening.
상기 제1 및 제2 본딩부가 상기 개구부 내에 배치된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first and second bonding portions are disposed in the opening.
상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 제1 수지를 더 포함하고,
상기 제1 수지는 상기 제1 및 제2 본딩부 둘레에 배치된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Further comprising a first resin disposed between the body and the light emitting element,
Wherein the first resin is disposed around the first and second bonding portions.
상기 제1 및 제2 본딩부는 상기 개구부와 수직 방향에서 중첩되어 배치된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first and second bonding portions are disposed to overlap with the opening in the vertical direction.
상기 제1 및 제2 본딩부 아래에 각각 배치된 제1 및 제2 도전부를 더 포함하고,
상기 제1 및 제2 도전부는 상기 개구부 내에 배치된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Further comprising first and second conductive portions disposed under the first and second bonding portions, respectively,
Wherein the first and second conductive portions are disposed in the opening.
상기 몸체는 상면에서 상부 방향으로 돌출된 제1 및 제2 돌출부를 포함하고,
상기 제1 및 제2 도전부는 각각 상기 제1 및 제2 돌출부와 결합되는 오목부를 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 6,
Wherein the body includes first and second projections projecting upward from an upper surface,
Wherein the first and second conductive portions each include a concave portion coupled with the first and second projections.
상기 제1 및 제2 돌출부는 상기 개구부 주변에 배치된 발광소자 패키지.8. The method of claim 7,
And the first and second protrusions are disposed around the opening.
상기 몸체는 상면에서 하부 방향으로 오목한 제1 및 제2 오목부를 포함하고,
상기 제1 및 제2 도전부는 각각 상기 제1 및 제2 오목부와 결합되는 돌출부를 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 6,
Wherein the body includes first and second concave portions concave downward from an upper surface thereof,
Wherein the first and second conductive portions each include a protrusion coupled to the first and second recesses.
상기 몸체 아래 배치되며, 제1 패드와 제2 패드를 포함하는 회로기판;
상기 몸체와 상기 회로기판 사이에 배치된 도전체;
를 포함하고,
상기 도전체는 상기 개구부 내에 배치되고,
상기 도전체의 제1 영역은 상기 제1 본딩부와 상기 제1 패드 사이에 배치되어 서로 전기적으로 연결되고,
상기 도전체의 제2 영역은 상기 제2 본딩부와 상기 제2 패드 사이에 배치되어 서로 전기적으로 연결된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
A circuit board disposed below the body, the circuit board including a first pad and a second pad;
A conductor disposed between the body and the circuit board;
Lt; / RTI >
The conductor being disposed in the opening,
A first region of the conductor is disposed between the first bonding portion and the first pad and electrically connected to each other,
And a second region of the conductor is disposed between the second bonding portion and the second pad and electrically connected to each other.
상기 회로기판 위에 배치된 댐부를 포함하고,
상기 댐부는 상기 제1 패드와 상기 제2 패드 사이에 배치되고,
상기 댐부는 상기 도전체의 제1 영역과 상기 도전체의 제2 영역 사이에 배치된 발광소자 패키지.11. The method of claim 10,
And a dam portion disposed on the circuit board,
The dam portion being disposed between the first pad and the second pad,
The dam portion being disposed between a first region of the conductor and a second region of the conductor.
상기 발광소자의 하면에 배치된 댐부를 포함하고,
상기 댐부는 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부 사이에 배치되고,
상기 댐부는 상기 도전체의 제1 영역과 상기 도전체의 제2 영역 사이에 배치된 발광소자 패키지.11. The method of claim 10,
And a dam portion disposed on a lower surface of the light emitting element,
Wherein the dam portion is disposed between the first bonding portion and the second bonding portion,
The dam portion being disposed between a first region of the conductor and a second region of the conductor.
상기 몸체의 상면에 제공된 리세스를 포함하고,
상기 리세스는 상기 개구부 주위에 배치되고,
상기 발광소자의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 리세스의 일부 영역은 상기 발광소자와 중첩되어 배치된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
A recess provided on an upper surface of the body,
Wherein the recess is disposed around the opening,
And a portion of the recess is overlapped with the light emitting element when viewed from an upper direction of the light emitting element.
상기 발광소자의 상부 방향에서 보았을 때,
상기 제1 및 제2 본딩부의 둘레에 상기 개구부가 배치되고,
상기 개구부의 둘레에 상기 발광소자의 측면이 배치된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
When viewed from the upper direction of the light emitting element,
The opening is disposed around the first and second bonding portions,
And a side surface of the light emitting element is disposed around the opening.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180005817A KR20190087710A (en) | 2018-01-17 | 2018-01-17 | Light emitting device package |
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Family Applications (1)
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